KR101789813B1 - Photosensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, organic electroluminescence display device, and liquid crystal display device - Google Patents

Photosensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, organic electroluminescence display device, and liquid crystal display device Download PDF

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Abstract

과제
경화 감도, 투과율, ITO 스퍼터 적성 및 컨택트 홀의 형성성이 우수한 감광성 수지 조성물을 제공하는 것.
해결 수단
(A) 카르복시기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위 또는 페놀성 수산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위 (a1) 과, 가교기를 갖는 모노머 단위 (a2) 를 함유하는 공중합체, (B) 광산 발생제, (C) 식 (c1) 로 나타내는 부분 구조를 분자 내에 적어도 2 개 갖고, 분자량이 600 이상 2,000 이하인 화합물 및 (D) 용제를 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.

Figure 112010066367407-pat00079

(식 (c1) 중, R1 및 R2 는 각각 독립적으로 메틸기 또는 tert-부틸기를 나타내고, R1 및 R2 중 적어도 하나는 tert-부틸기이고, R3 은 -O- 또는 -NH- 를 나타낸다) assignment
A photosensitive resin composition excellent in curing sensitivity, transmittance, ITO sputter suitability, and contact hole forming ability.
Solution
(A) a copolymer containing a monomer unit having a carboxyl group protected with an acid-decomposable group or a monomer unit (a1) having a phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group and a monomer unit (a2) having a crosslinking group, (B) a photoacid generator, (C) a compound having at least two partial structures represented by the formula (c1) in the molecule and having a molecular weight of from 600 to 2,000, and (D) a solvent.
Figure 112010066367407-pat00079

(In the formula (c1), R 1 and R 2 each independently represents a methyl group or a tert-butyl group, at least one of R 1 and R 2 is a tert-butyl group, R 3 is -O- or -NH- )

Description

감광성 수지 조성물, 경화막의 형성 방법, 경화막, 유기 EL 표시 장치 및 액정 표시 장치{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR FORMING CURED FILM, CURED FILM, ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY DEVICE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a photosensitive resin composition, a method of forming a cured film, a cured film, an organic EL display device, and a liquid crystal display device. BACKGROUND ART [0002]

본 발명은 감광성 수지 조성물, 경화막의 형성 방법, 경화막, 유기 EL 표시 장치 및 액정 표시 장치에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 액정 표시 장치, 유기 EL 표시 장치, 집적 회로 소자, 고체 촬상 소자 등의 전자 부품의 평탄화막, 보호막이나 층간 절연막의 형성에 바람직한 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 그것을 사용한 경화막의 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition, a method of forming a cured film, a cured film, an organic EL display device, and a liquid crystal display device. More particularly, the present invention relates to a planarizing film for electronic parts such as a liquid crystal display, an organic EL display, an integrated circuit element, and a solid-state imaging element, a positive photosensitive resin composition suitable for forming a protective film or an interlayer insulating film and a method for forming a cured film using the same. .

종래에, 액정 표시 소자, 집적 회로 소자, 고체 촬상 소자, 유기 EL 등의 전자 부품에 있어서는, 일반적으로, 전자 부품 표면의 평탄성을 부여하기 위한 평탄화막, 전자 부품의 열화나 손상을 방지하기 위한 보호막이나 절연성을 유지하기 위한 층간 절연막을 형성할 때에 감광성 수지 조성물이 사용된다. 예를 들어 TFT 형 액정 표시 소자는, 유리 기판 상에 편광판을 형성하고, 산화인듐주석 (ITO) 등의 투명 도전 회로층 및 박막 트랜지스터 (TFT) 를 형성하고, 층간 절연막으로 피복하여 배면판으로 하는 한편, 유리 기판 상에 편광판을 형성하고, 필요에 따라 블랙 매트릭스층 및 컬러 필터층의 패턴을 형성하고, 추가로 투명 도전 회로층, 층간 절연막을 순차적으로 형성하여 상면판으로 하고, 이 배면판과 상면판을 스페이서를 개재하여 대향시켜 양 판 사이에 액정을 봉입하여 제조되는데, 이 중에서 층간 절연막을 형성할 때에 사용되는 감광성 수지 조성물로는 감도, 투명성이 우수할 것이 요구된다.Conventionally, in electronic parts such as liquid crystal display elements, integrated circuit elements, solid-state image pickup elements, and organic EL elements, a flattening film for imparting flatness to the surface of electronic components, a protective film Or a photosensitive resin composition is used for forming an interlayer insulating film for maintaining insulation. For example, a TFT type liquid crystal display element is a liquid crystal display element in which a polarizing plate is formed on a glass substrate, a transparent conductive circuit layer such as indium tin oxide (ITO) and a thin film transistor (TFT) are formed, On the other hand, a polarizing plate is formed on a glass substrate, a pattern of a black matrix layer and a color filter layer is formed as required, and a transparent conductive circuit layer and an interlayer insulating film are sequentially formed to form a top plate, And the liquid crystal is sealed between the both plates with the plate facing the spacer. Among them, the photosensitive resin composition used for forming the interlayer insulating film is required to have excellent sensitivity and transparency.

층간 절연막용의 고감도의 감광성 수지 조성물로서, 예를 들어 특허문헌 1, 2 에는, 아세탈 구조 및 에폭시기 또는 가교성기를 함유하는 수지, 산 발생제를 함유하는 것을 특징으로 하는 화학 증폭형의 감방사선성 수지 조성물이 제안되어 있다. 투명성이 우수한 감광성 수지 조성물로서, 예를 들어 특허문헌 3, 4 에는 산화 방지제를 첨가하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물이 제안되어 있다.As a high sensitive photosensitive resin composition for an interlayer insulating film, for example, Patent Documents 1 and 2 disclose a chemically amplified type radiation sensitive resin composition containing an acetal structure and a resin containing an epoxy group or a crosslinkable group, A resin composition has been proposed. As a photosensitive resin composition excellent in transparency, for example, Patent Documents 3 and 4 propose a photosensitive resin composition characterized by adding an antioxidant.

일본 공개특허공보 2004-254623호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2004-254623 일본 공개특허공보 2009-98616호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2009-98616 일본 공개특허공보 2009-116223호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2009-116223 일본 공개특허공보 2006-265322호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2006-265322

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 경화 감도, 투과율, ITO 스퍼터 적성 및 컨택트 홀의 형성성이 우수한 감광성 수지 조성물을 제공하는 것이다.A problem to be solved by the present invention is to provide a photosensitive resin composition which is excellent in curing sensitivity, transmittance, ITO sputter suitability, and contact hole forming property.

또, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 상기 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막의 형성 방법, 상기 형성 방법에 의해 형성된 경화막, 그리고, 상기 경화막을 포함하는 유기 EL 표시 장치 및 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method for forming a cured film using the photosensitive resin composition, a cured film formed by the forming method, and an organic EL display device and a liquid crystal display device including the cured film .

본 발명의 상기 과제는 이하의 <1>, <10>, <12>, <14> 또는 <15> 에 기재된 수단에 의해 해결되었다. 바람직한 실시양태인 <2> ∼ <9>, <11> 및 <13> 과 함께 이하에 기재한다.The above object of the present invention is solved by the means described in the following <1>, <10>, <12>, <14> or <15>. <2> to <9>, <11> and <13> which are preferred embodiments are described below.

<1> (A) 카르복시기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위 또는 페놀성 수산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위 (a1) 과, 가교기를 갖는 모노머 단위 (a2) 를 함유하는 공중합체, (B) 광산 발생제, (C) 식 (c1) 로 나타내는 부분 구조를 분자 내에 적어도 2 개 갖고, 분자량이 600 이상 2,000 이하인 화합물 및 (D) 용제를 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물,(1) A method for producing a resin composition, which comprises the steps of: (A) mixing a monomer unit (a1) having a carboxyl group protected with an acid-decomposable group or a monomer unit having a moiety protected with an acid-decomposable group by a phenolic hydroxyl group (B) a photoacid generator, (C) a compound having at least two partial structures represented by the formula (c1) in the molecule and having a molecular weight of from 600 to 2,000, and (D) a solvent. ,

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure 112010066367407-pat00001
Figure 112010066367407-pat00001

(식 (c1) 중, R1 및 R2 는 각각 독립적으로 메틸기 또는 tert-부틸기를 나타내고, R1 및 R2 중 적어도 하나는 tert-부틸기이고, R3 은 -O- 또는 -NH- 를 나타낸다)(In the formula (c1), R 1 and R 2 each independently represents a methyl group or a tert-butyl group, at least one of R 1 and R 2 is a tert-butyl group, R 3 is -O- or -NH- )

<2> 화학 증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물인 <1> 에 기재된 감광성 수지 조성물,&Lt; 2 &gt; A photosensitive resin composition according to &lt; 1 &gt;, which is a chemically amplified positive photosensitive resin composition,

<3> 상기 (C) 의 화합물이 식 (c1-1), 식 (c1-2) 및 식 (c1-3) 으로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 하나의 화합물인 <1> 또는 <2> 에 기재된 감광성 수지 조성물,(3) The compound of (C) is at least one compound selected from the group consisting of compounds represented by formulas (c1-1), (c1-2) and (cl-3) , A photosensitive resin composition described in

[화학식 2](2)

Figure 112010066367407-pat00002
Figure 112010066367407-pat00002

<4> 상기 (C) 의 화합물이 식 (c1-1) 로 나타내는 화합물인 <1> ∼ <3> 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,<4> The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <3>, wherein the compound (C) is a compound represented by the formula (c1-1)

[화학식 3](3)

Figure 112010066367407-pat00003
Figure 112010066367407-pat00003

<5> 상기 (B) 광산 발생제가 식 (b1) 로 나타내는 옥심술포네이트 잔기를 함유하는 화합물인 <1> ∼ <4> 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,<5> The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <4>, wherein the photoacid generator (B) is a compound containing an oxime sulfonate residue represented by formula (b1)

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure 112010066367407-pat00004
Figure 112010066367407-pat00004

(식 (b1) 중, R5 는 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기를 나타낸다)(In the formula (b1), R 5 represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group)

<6> 상기 (B) 광산 발생제가 식 (OS-3), 식 (OS-4) 또는 식 (OS-5) 로 나타내는 화합물인 <1> ∼ <5> 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,<6> The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <5>, wherein the photoacid generator (B) is a compound represented by formula (OS-3), formula (OS-

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure 112010066367407-pat00005
Figure 112010066367407-pat00005

(식 (OS-3) ∼ 식 (OS-5) 중, R1 은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R2 는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내고, R6 은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 술폰산기, 아미노술포닐기 또는 알콕시술포닐기를 나타내고, X 는 O 또는 S 를 나타내고, n 은 1 또는 2 를 나타내고, m 은 0 ∼ 6 의 정수를 나타낸다)(Formula (OS-3) ~ formula (OS-5) of, R 1 is an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, R 6 An alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, X represents O or S, n represents 1 or 2, and m represents an integer of 0 to 6, )

<7> 상기 (B) 광산 발생제가 식 (b2) 로 나타내는 화합물인 <1> ∼ <5> 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,<7> The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <5>, wherein the photoacid generator (B) is a compound represented by the formula (b2)

[화학식 6][Chemical Formula 6]

Figure 112010066367407-pat00006
Figure 112010066367407-pat00006

(식 (b2) 중, R5 는 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기를 나타내고, X 는 알킬기, 알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타내고, m 은 0 ∼ 3 의 정수를 나타내고, m 이 2 또는 3 일 때, 복수의 X 는 동일해도 되고 상이해도 된다)(In the formula (b2), R 5 represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, X represents an alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom, m represents an integer of 0 to 3, and when m is 2 or 3, May be the same or different from each other)

<8> (E) 가교제를 추가로 함유하는 <1> ∼ <7> 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,<8> The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <7>, further comprising (E) a crosslinking agent,

<9> 상기 가교기를 갖는 모노머 단위 (a2) 가 3 원자고리 및/또는 4 원자고리의 고리형 에테르 잔기, 그리고, 에틸렌성 불포화기로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 하나를 함유하는 <1> ∼ <8> 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,<9> The resin composition according to any one of <1> to <8>, wherein the monomer unit (a2) having a crosslinking group contains at least one selected from the group consisting of a cyclic ether residue of a three- A photosensitive resin composition described in any one of &lt; RTI ID = 0.0 &gt;

<10> (1) <1> ∼ <9> 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 도포 공정, (2) 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정, (3) 활성 방사선으로 노광하는 노광 공정, (4) 수성 현상액으로 현상하는 현상 공정 및 (5) 열 경화하는 포스트베이크 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 경화막의 형성 방법,(2) a solvent removing step of removing the solvent from the applied photosensitive resin composition; (3) a step of removing the solvent from the applied photosensitive resin composition; and (4) a step of applying the photosensitive resin composition described in any one of (4) a developing step of developing with an aqueous developer, and (5) a post-baking step of thermally curing the coating film,

<11> 상기 현상 공정 후, 포스트베이크 공정 전에, 전체면 노광하는 공정을 포함하는 <10> 에 기재된 경화막의 형성 방법,<11> The method for forming a cured film according to <10>, which comprises a step of exposing the entire surface after the above-described development step and before the post-baking step,

<12> <10> 또는 <11> 에 기재된 형성 방법에 의해 형성된 경화막,<12> A cured film formed by the forming method described in <10> or <11>

<13> 층간 절연막인 <12> 에 기재된 경화막,<13> A cured film according to <12> which is an interlayer insulating film,

<14> <12> 또는 <13> 에 기재된 경화막을 구비하는 유기 EL 표시 장치,<14> An organic EL display device comprising the cured film according to <12> or <13>

<15> <12> 또는 <13> 에 기재된 경화막을 구비하는 액정 표시 장치.<15> A liquid crystal display device comprising the cured film according to <12> or <13>.

본 발명에 의하면, 경화 감도, 투과율, ITO 스퍼터 적성 및 컨택트 홀의 형성성이 우수한 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있었다.According to the present invention, it is possible to provide a photosensitive resin composition excellent in curing sensitivity, transmittance, ITO sputtering suitability, and contact hole forming property.

또, 본 발명에 의하면, 상기 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막의 형성 방법, 상기 형성 방법에 의해 형성된 경화막, 그리고, 상기 경화막을 포함하는 유기 EL 표시 장치 및 액정 표시 장치를 제공할 수 있었다.Further, according to the present invention, it is possible to provide a method of forming a cured film using the photosensitive resin composition, a cured film formed by the forming method, and an organic EL display device and a liquid crystal display device including the cured film.

도 1 은 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 보텀 이미션형의 유기 EL 표시 장치에 있어서의 기판의 모식적 단면도를 나타내고, 평탄화막 (4) 을 갖고 있다.
도 2 는 액정 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 액정 표시 장치에 있어서의 액티브 매트릭스 기판의 모식적 단면도를 나타내고, 층간 절연막인 경화막 (17) 을 갖고 있다.
Fig. 1 shows a configuration diagram of an example of an organic EL display device. 1 is a schematic cross-sectional view of a substrate in a bottom emission type organic EL display device, and has a planarization film 4.
2 is a conceptual diagram showing an example of the configuration of a liquid crystal display device. Sectional view of an active matrix substrate in a liquid crystal display device and has a cured film 17 as an interlayer insulating film.

(감광성 수지 조성물)(Photosensitive resin composition)

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (A) 카르복시기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위 또는 페놀성 수산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위 (a1) 과, 가교기를 갖는 모노머 단위 (a2) 를 함유하는 공중합체, (B) 광산 발생제, (C) 식 (c1) 로 나타내는 부분 구조를 분자 내에 적어도 2 개 갖고, 분자량이 600 이상 2,000 이하인 화합물 및 (D) 용제를 함유하는 것을 특징으로 한다. 이하, 이들 (A) ∼ (D) 로 나타내는 각 성분을 각각 「(A) 성분」 ∼ 「(D) 성분」이라고도 한다. 또, 본 명세서에 있어서, 수치 범위를 나타내는 「A ∼ B」의 기재는 특별히 언급이 없는 한, 「A 이상 B 이하」를 나타낸다. 즉, 단점 (端點) 인 A 및 B 를 포함하는 수치 범위를 의미한다.The photosensitive resin composition of the present invention comprises (A) a monomer unit having a carboxyl group protected with an acid-decomposable group or a monomer unit having a residue in which a phenolic hydroxyl group is protected with an acid-decomposable group, (a2) a monomer unit having a crosslinking group, (B) a photoacid generator, (C) a compound having at least two partial structures represented by the formula (c1) in the molecule and having a molecular weight of from 600 to 2,000, and (D) a solvent, do. Hereinafter, each of the components (A) to (D) is also referred to as "component (A)" to "component (D)". In the present specification, the description of "A to B" indicating numerical ranges indicates "A or more and B or less" unless otherwise specified. That is, it means a numerical range including A and B which are end points.

[화학식 7](7)

Figure 112010066367407-pat00007
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((c1) 중, R1 및 R2 는 각각 독립적으로 메틸기 또는 tert-부틸기를 나타내고, R1 및 R2 중 적어도 하나는 tert-부틸기이고, R3 은 -O- 또는 -NH- 를 나타낸다)(c1), R 1 and R 2 each independently represents a methyl group or a tert-butyl group, at least one of R 1 and R 2 is a tert-butyl group, and R 3 represents -O- or -NH- )

본 발명의 감광성 수지 조성물은 포지티브형 감광성 수지 조성물이다. 또, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 화학 증폭형의 포지티브형 감광성 수지 조성물 (화학 증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물) 인 것이 바람직하다. 본 발명의 감광성 수지 조성물은 활성 광선에 감응하는 광산 발생제로서 1,2-퀴논디아지드 화합물을 함유하지 않는 편이 바람직하다. 1,2-퀴논디아지드 화합물은 축차형 광 화학 반응에 의해 카르복시기를 생성하는데, 그 양자 수율은 반드시 1 이하이다. 이에 대하여 본 발명에서 사용하는 (B) 광산 발생제는 활성 광선에 감응하여 생성되는 산이 보호된 산성기의 탈보호에 대해 촉매로서 작용하므로, 1 개의 광 양자의 작용으로 생성된 산이 다수의 탈보호 반응에 기여하고, 양자 수율은 1 을 초과하고, 예를 들어 10 의 수 승 (乘) 과 같은 큰 값이 되어, 이른바 화학 증폭의 결과로서 고감도가 얻어진다. 또, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 내용제성의 관점에서 후술하는 (E) 가교제를 추가로 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention is a positive photosensitive resin composition. The photosensitive resin composition of the present invention is preferably a chemically amplified positive photosensitive resin composition (chemically amplified positive photosensitive resin composition). The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains no 1,2-quinonediazide compound as a photoacid generator that is sensitive to an actinic ray. The 1,2-quinonediazide compound generates a carboxyl group by a sequential photochemical reaction, and its quantum yield is necessarily 1 or less. On the other hand, the photoacid generator (B) used in the present invention acts as a catalyst for the deprotection of an acid-protected acid generated by the action of an actinic ray, so that the acid generated by the action of one photo- Contributes to the reaction, and the quantum yield exceeds 1, for example, becomes a large value such as a power of 10, and a high sensitivity is obtained as a result of so-called chemical amplification. Further, the photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a cross-linking agent (E), which will be described later, from the viewpoint of the solvent resistance.

이하, 본 발명을 상세하게 설명한다. 또한, 본 명세서에 있어서의 기 (원자단) 의 표기에 있어서, 치환 및 비치환을 기재하지 않은 표기는 치환기를 갖지 않는 것과 함께 치환기를 갖는 것도 포함하는 것이다. 예를 들어 「알킬기」란, 치환기를 갖지 않는 알킬기 (비치환 알킬기) 뿐만 아니라, 치환기를 갖는 알킬기 (치환 알킬기) 도 포함하는 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail. In the notation of the group (atomic group) in the present specification, the notation in which substitution or non-substitution is not described includes those having a substituent and having a substituent. For example, the "alkyl group" includes not only an alkyl group having no substituent (unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).

또, 본 발명에 사용하는 공중합체가 함유하는 모노머 단위를 도입하는 방법은 중합법이어도 되고, 고분자 반응법이어도 된다. 중합법에서는, 소정 관능기를 함유하는 모노머를 미리 합성한 후에, 이들 모노머를 공중합한다. 고분자 반응법에서는, 중합 반응을 실시한 후에, 얻어진 공중합체의 모노머 단위에 함유되는 반응성기를 이용하여 필요한 관능기를 모노머 단위 중에 도입한다. 여기서, 관능기로는, 페놀성 수산기 또는 카르복시기를 보호함과 동시에 강산의 존재하에서 분해하여 이들을 유리하기 위한 보호기, 에폭시기 또는 옥세타닐기 등의 가교기를 예시할 수 있다.The method of introducing the monomer unit contained in the copolymer used in the present invention may be a polymerization method or a polymer reaction method. In the polymerization method, monomers containing a predetermined functional group are synthesized in advance, and then these monomers are copolymerized. In the polymer reaction method, a necessary functional group is introduced into the monomer unit by using a reactive group contained in the monomer unit of the obtained copolymer after the polymerization reaction. Examples of the functional group include a crosslinking group such as a protecting group, an epoxy group, or an oxetanyl group for protecting the phenolic hydroxyl group or the carboxyl group and decomposing in the presence of strong acid to liberate them.

상기 모노머 단위 (a1) 나 상기 모노머 단위 (a2) 의 상기 (A) 공중합체에 대한 도입은 중합법이어도 되고 고분자 반응법이어도 되며, 이들 2 방법을 병용해도 된다.The introduction of the monomer unit (a1) and the monomer unit (a2) into the copolymer (A) may be carried out by a polymerization method or a polymer reaction method, and these two methods may be used in combination.

중합법에서는, 예를 들어 페놀성 수산기 또는 카르복시기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물과 에폭시기 혹은 옥세타닐기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물을 혼합하고, 부가 중합하여, 목적으로 하는 공중합체가 얻어진다.In the polymerization method, for example, an ethylenically unsaturated compound having a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group protected by an acid-decomposable group and an ethylenically unsaturated compound having an epoxy group or an oxetanyl group are mixed and subjected to addition polymerization to obtain a desired copolymer Is obtained.

고분자 반응법에서는, 예를 들어 메타크릴산2-하이드록시에틸을 공중합한 공중합체에 에피클로로히드린을 반응시켜 에폭시기를 도입하는 방법을 예시할 수 있다. 이와 같이, 반응성기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물을 공중합한 후에, 측사슬에 남는 반응성기를 활용하여, 고분자 반응에 의해, 페놀성 수산기 혹은 카르복시기가 산 분해성기로 보호된 잔기, 및/또는, 가교기와 같은 관능기를 측사슬에 도입할 수 있다.In the polymer reaction method, for example, a method of introducing an epoxy group by reacting epichlorohydrin with a copolymer obtained by copolymerizing 2-hydroxyethyl methacrylate can be exemplified. As described above, after the ethylenically unsaturated compound having a reactive group is copolymerized, a reactive group remaining on the side chain is utilized to remove a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group by a polymeric reaction, such as a residue protected with an acid-decomposable group and / Can be introduced into the side chain.

(A) 공중합체(A) Copolymer

본 발명의 감광성 수지 조성물이 함유하는 (A) 공중합체는,The copolymer (A) contained in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably a copolymer

(a1) 카르복시기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위 또는 페놀성 수산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위 (이하, 「모노머 단위 (a1)」라고도 한다) 와,(a1) a monomer unit having a carboxyl group protected with an acid-decomposable group or a monomer unit having a phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group (hereinafter also referred to as "monomer unit (a1)")

(a2) 가교기를 갖는 모노머 단위 (a2) (이하, 「모노머 단위 (a2)」라고도 한다) 를 함유하는 공중합체이다.(a2) a monomer unit (a2) having a crosslinking group (hereinafter also referred to as &quot; monomer unit (a2) &quot;).

(A) 성분은, 상기 모노머 단위 (a1) 및 모노머 단위 (a2) 이외에도, 그 밖의 모노머 단위 (a3) 를 함유하고 있어도 된다.The component (A) may contain other monomer unit (a3) in addition to the monomer unit (a1) and the monomer unit (a2).

(A) 공중합체는 알칼리 불용성이고, 또한, 모노머 단위 (a1) 가 갖는 산 분해성기가 분해되었을 때에 알칼리 가용성이 되는 수지인 것이 바람직하다. 여기서, 산 분해성기란 산의 존재하에서 분해될 수 있는 관능기를 의미한다. 즉, 카르복시기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위는 산에 의해 보호기가 분해됨으로써 카르복시기를 생성할 수 있고, 또, 페놀성 수산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위는 산에 의해 보호기가 분해됨으로써 페놀성 수산기를 생성할 수 있다. 여기서, 본 발명에 있어서 「알칼리 가용성」이란, 당해 화합물 (수지) 의 용액을 기판 상에 도포하고, 90 ℃ 에서 2 분간 가열함으로써 형성되는 당해 화합물 (수지) 의 도포막 (두께 3 ㎛) 의, 23 ℃ 에서의 0.4 % 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액에 대한 용해 속도가 0.01 ㎛/초 이상인 것을 말하고, 「알칼리 불용성」이란, 당해 화합물 (수지) 의 용액을 기판 상에 도포하고, 90 ℃ 에서 2 분간 가열함으로써 형성되는 당해 화합물 (수지) 의 도포막 (두께 3 ㎛) 의, 23 ℃ 에서의 0.4 % 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액에 대한 용해 속도가 0.01 ㎛/초 미만인 것을 말한다.It is preferable that the (A) copolymer is a resin that is alkali-insoluble and becomes alkali-soluble when the acid-decomposable group of the monomer unit (a1) is decomposed. Herein, the acid-decomposable group means a functional group which can be decomposed in the presence of an acid. That is, a monomer unit having a carboxyl group-bearing residue with an acid-decomposable group can generate a carboxyl group by decomposition of a protecting group by an acid, and a monomer unit having a residue whose phenolic hydroxyl group is protected with an acid- Can be decomposed to generate a phenolic hydroxyl group. Here, in the present invention, the term "alkali solubility" means that the coating solution (thickness: 3 μm) of the compound (resin) formed by applying a solution of the compound (resin) on a substrate and heating it at 90 ° C. for 2 minutes, Means that the dissolution rate in 0.4% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 23 占 폚 is not less than 0.01 占 퐉 / second, and the term "alkali insoluble" means that the solution of the compound (resin) is applied on a substrate, Refers to a dissolution rate of a coating film (thickness 3 占 퐉) of the compound (resin) formed by heating for minute in a 0.4% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 23 占 폚 of less than 0.01 占 퐉 / second.

상기 (A) 공중합체는, 상기 (A) 공중합체 전체를 알칼리 불용성으로 유지하는 한, 산성기의 도입을 배제하는 것은 아니며, 후술하는 카르복시기, 카르복실산 무수물 잔기 및/또는 페놀성 수산기를 갖는 그 밖의 모노머 단위 등을 갖고 있어도 된다.The above (A) copolymer does not exclude the introduction of an acidic group as long as the whole of the copolymer (A) is kept insoluble in alkali, but it does not exclude the presence of a carboxyl group, a carboxylic acid anhydride residue and / or a phenolic hydroxyl group And may have other monomer units or the like.

(A) 공중합체는 부가 중합형의 수지인 것이 바람직하고, (메트)아크릴산 및/또는 그 에스테르에서 유래되는 모노머 단위를 함유하는 중합체인 것이 보다 바람직하다. 또한, (메트)아크릴산 및/또는 그 에스테르에서 유래되는 모노머 단위 이외의 모노머 단위, 예를 들어 스티렌에서 유래되는 모노머 단위나, 비닐 화합물에서 유래되는 모노머 단위 등을 갖고 있어도 된다.The copolymer (A) is preferably an addition polymerization type resin, more preferably a polymer containing a monomer unit derived from (meth) acrylic acid and / or an ester thereof. Further, a monomer unit other than the monomer unit derived from (meth) acrylic acid and / or an ester thereof, for example, a monomer unit derived from styrene or a monomer unit derived from a vinyl compound may be contained.

상기 (A) 공중합체는, (메트)아크릴산 및/또는 그 에스테르에서 유래되는 모노머 단위를, 중합체에 있어서의 전체 모노머 단위에 대해 50 몰% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 90 몰% 이상 함유하는 것이 보다 바람직하고, (메트)아크릴산 및/또는 그 에스테르에서 유래되는 모노머 단위만으로 이루어지는 중합체인 것이 특히 바람직하다.The (A) copolymer preferably contains monomer units derived from (meth) acrylic acid and / or esters thereof in an amount of 50 mol% or more, more preferably 90 mol% or more, based on the total monomer units in the polymer More preferably a polymer consisting solely of monomer units derived from (meth) acrylic acid and / or esters thereof.

또한, 「(메트)아크릴산 및/또는 그 에스테르에서 유래되는 모노머 단위」를 「아크릴계 모노머 단위」라고도 한다. 또, 「(메트)아크릴산」은 「메타크릴산 및/또는 아크릴산」을 의미하는 것으로 한다.The "monomer unit derived from (meth) acrylic acid and / or its ester" is also referred to as "acrylic monomer unit". In addition, "(meth) acrylic acid" means "methacrylic acid and / or acrylic acid".

이하, 모노머 단위 (a1), 모노머 단위 (a2), 각각에 대해 설명한다.Hereinafter, the monomer unit (a1) and the monomer unit (a2) will be respectively described.

(a1) 카르복시기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위 또는 페놀성 수산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위(a1) a monomer unit having a carboxyl group protected with an acid-decomposable group or a monomer unit having a phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group

(A) 성분은 카르복시기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위 또는 페놀성 수산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위를 갖는다. (A) 성분이 모노머 단위 (a1) 를 가짐으로써, 매우 고감도인 감광성 수지 조성물로 할 수 있다.(A) has a monomer unit in which the carboxyl group has a moiety protected with an acid-decomposable group or a monomer unit in which a phenolic hydroxyl group has a moiety protected with an acid-decomposable group. By having the component (A) have the monomer unit (a1), a highly sensitive photosensitive resin composition can be obtained.

(a1-1) 카르복시기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위(a1-1) a monomer unit having a carboxyl group protected with an acid-decomposable group

(a1-1-1) 카르복시기를 갖는 모노머 단위(a1-1-1) a monomer unit having a carboxyl group

카르복시기를 갖는 모노머 단위로는, 예를 들어 불포화 모노카르복실산, 불포화 디카르복실산, 불포화 트리카르복실산 등의, 분자 중에 적어도 1 개의 카르복시기를 갖는 불포화 카르복실산 등에서 유래되는 모노머 단위를 들 수 있다.Examples of the monomer unit having a carboxyl group include monomer units derived from an unsaturated carboxylic acid having at least one carboxyl group in the molecule, such as an unsaturated monocarboxylic acid, an unsaturated dicarboxylic acid and an unsaturated tricarboxylic acid. .

카르복시기를 갖는 모노머 단위를 얻기 위해 사용되는 불포화 카르복실산으로는 이하에 드는 것과 같은 것이 사용된다. 즉, 불포화 모노카르복실산으로는, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, α-클로로아크릴산, 계피산 등을 들 수 있다. 또, 불포화 디카르복실산으로는, 예를 들어 말레산, 푸마르산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산 등을 들 수 있다. 또, 카르복시기를 갖는 모노머 단위를 얻기 위해 사용되는 불포화 다가 카르복실산은 그 산 무수물이어도 된다. 구체적으로는 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 시트라콘산 등을 들 수 있다. 또, 불포화 다가 카르복실산은 다가 카르복실산의 모노(2-메타크릴로일옥시알킬)에스테르이어도 되고, 예를 들어 숙신산모노(2-아크릴로일옥시에틸), 숙신산모노(2-메타크릴로일옥시에틸), 프탈산모노(2-아크릴로일옥시에틸), 프탈산모노(2-메타크릴로일옥시에틸) 등을 들 수 있다.As the unsaturated carboxylic acid used for obtaining a monomer unit having a carboxyl group, the same ones as those shown below are used. That is, examples of the unsaturated monocarboxylic acid include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid,? -Chloroacrylic acid, cinnamic acid, and the like. Examples of the unsaturated dicarboxylic acid include maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, citraconic acid, and mesaconic acid. The unsaturated polycarboxylic acid used to obtain the monomer unit having a carboxyl group may be an acid anhydride thereof. Specific examples thereof include maleic anhydride, itaconic anhydride, and citraconic anhydride. The unsaturated polycarboxylic acid may be a mono (2-methacryloyloxyalkyl) ester of a polycarboxylic acid, for example, mono (2-acryloyloxyethyl) succinate, mono Mono (2-acryloyloxyethyl) phthalate mono (2-methacryloyloxyethyl), and the like.

또한, 불포화 다가 카르복실산은 그 양 말단 디카르복시 폴리머의 모노(메트)아크릴레이트이어도 되고, 예를 들어 ω-카르복시폴리카프로락톤모노아크릴레이트, ω-카르복시폴리카프로락톤모노메타크릴레이트 등을 들 수 있다.The unsaturated polycarboxylic acid may be a mono (meth) acrylate of the both terminal dicarboxylic polymer. Examples of the unsaturated polycarboxylic acid include ω-carboxypolycaprolactone monoacrylate, ω-carboxypolycaprolactone monomethacrylate, and the like. have.

또, 불포화 카르복실산으로는, 아크릴산-2-카르복시에틸에스테르, 메타크릴산-2-카르복시에틸에스테르, 말레산모노알킬에스테르, 푸마르산모노알킬에스테르, 4-카르복시스티렌 등도 사용할 수 있다.Examples of the unsaturated carboxylic acid include acrylic acid-2-carboxyethyl ester, methacrylic acid-2-carboxyethyl ester, maleic acid monoalkyl ester, fumaric acid monoalkyl ester and 4-carboxystyrene.

그 중에서도, 현상성의 관점에서 카르복시기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해서는, 아크릴산, 메타크릴산, 또는 불포화 다가 카르복실산의 무수물 등을 사용하는 것이 바람직하고, 아크릴산 또는 메타크릴산을 사용하는 것이 보다 바람직하다.Among them, in order to form a monomer unit having a carboxyl group from the viewpoint of developability, it is preferable to use acrylic acid, methacrylic acid, or an anhydride of an unsaturated polycarboxylic acid, and more preferably use acrylic acid or methacrylic acid Do.

카르복시기를 갖는 모노머 단위 (a1-1-1) 는 1 종 단독으로 구성되어 있어도 되고, 2 종 이상으로 구성되어 있어도 된다.The monomer unit (a1-1-1) having a carboxyl group may be composed of one kind alone, or two or more kinds.

(a1-1-2) 에틸렌성 불포화기와 산 무수물 잔기를 함께 갖는 모노머 단위(a1-1-2) a monomer unit having an ethylenic unsaturated group and an acid anhydride moiety together

에틸렌성 불포화기와 산 무수물 잔기를 함께 갖는 모노머 단위 (a1-2) 는 에틸렌성 불포화기를 갖는 모노머 단위 중에 존재하는 수산기와 산 무수물을 반응시켜 얻어진 모노머에서 유래되는 단위인 것이 바람직하다.The monomer unit (a1-2) having both an ethylenic unsaturated group and an acid anhydride residue is preferably a unit derived from a monomer obtained by reacting a hydroxyl group and an acid anhydride present in a monomer unit having an ethylenic unsaturated group.

산 무수물로는, 공지된 것을 사용할 수 있고, 구체적으로는 무수 말레산, 무수 숙신산, 무수 이타콘산, 무수 프탈산, 테트라하이드로 무수 프탈산, 헥사하이드로 무수 프탈산, 무수 클로렌드산 등의 2 염기산 무수물;무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카르복실산 무수물, 비페닐테트라카르복실산 무수물 등의 산 무수물을 들 수 있다. 이들 중에서는 현상성의 관점에서 무수 프탈산, 테트라하이드로 무수 프탈산 또는 무수 숙신산이 바람직하다.As the acid anhydride, known ones can be used, and specific examples include dibasic acid anhydrides such as maleic anhydride, succinic anhydride, itaconic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, and anhydrous chlorendic acid; And acid anhydrides such as trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenonetetracarboxylic acid anhydride, and biphenyltetracarboxylic acid anhydride. Of these, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride or succinic anhydride are preferable from the viewpoint of developability.

산 무수물의 수산기에 대한 반응률은 현상성의 관점에서 바람직하게는 10 ∼ 100 몰%, 보다 바람직하게는 30 ∼ 100 몰% 이다.The reaction rate of the acid anhydride to the hydroxyl group is preferably 10 to 100 mol%, more preferably 30 to 100 mol% from the viewpoint of developability.

(a1-1-3) 카르복시기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위(a1-1-3) a monomer unit having a carboxyl group protected with an acid-decomposable group

카르복시기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위란, 바람직하게는 상기 (a1-1-1), 상기 (a1-1-2) 에 기재된 카르복시기가 이하에서 상세하게 설명하는 산 분해성기에 의해 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위이다.The monomer unit having a carboxyl group protected with an acid-decomposable group is preferably a monomer unit in which the carboxyl groups described in (a1-1-1) and (a1-1-2) are protected by an acid-decomposable group Lt; / RTI &gt;

산 분해성기로는, 지금까지 KrF 용 포지티브형 레지스트, ArF 용 포지티브형 레지스트에 있어서의 산 분해성기로서 공지된 것을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 종래에, 산 분해성기로는, 산에 의해 비교적 분해되기 쉬운 기 (예를 들어 테트라하이드로피라닐기 등의 아세탈계 관능기) 나 산에 의해 비교적 분해되기 어려운 기 (예를 들어 t-부틸에스테르기, t-부틸카보네이트기 등의 t-부틸계 관능기) 가 알려져 있다.As the acid decomposable group, those known as acid decomposable groups in the positive resist for KrF and the positive resist for ArF can be used, and there is no particular limitation. Conventionally, examples of the acid-decomposable group include a group that is relatively easily decomposed by an acid (e.g., an acetal-based functional group such as a tetrahydropyranyl group) or a group that is relatively difficult to decompose by an acid (e.g., a t- -Butyl group-containing functional group such as a butylcarbonate group) are known.

이들 산 분해성기 중에서도 카르복시기가 아세탈로 보호된 잔기 또는 카르복시기가 케탈로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위인 것이, 레지스트의 기본 물성, 특히 감도나 패턴 형상, 컨택트 홀의 형성성, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성의 관점에서 바람직하다. 또한 산 분해성기 중에서도 카르복시기가 하기 식 (a1-1) 로 나타내는 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기인 것이, 감도의 관점에서 보다 바람직하다. 또한, 카르복시기가 하기 식 (a1-1) 로 나타내는 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기인 경우, 잔기 전체적으로는 -(C=O)-O-CR1R2(OR3) 의 구조로 되어 있다.Among these acid decomposable groups, the carboxyl group is a monomer unit having an acetal-protected residue or a carboxyl group-having a ketal-protected residue. The basic properties of the resist, particularly, the sensitivity and pattern shape, the contact hole forming property and the storage stability of the photosensitive resin composition . Among the acid decomposable groups, from the viewpoint of sensitivity, it is more preferable that the carboxy group is an acetal or ketal-protected residue represented by the following formula (a1-1). When the carboxy group is an acetal or ketal-protected residue represented by the following formula (a1-1), the residue has a structure of - (C═O) -O-CR 1 R 2 (OR 3 ) as a whole.

[화학식 8][Chemical Formula 8]

Figure 112010066367407-pat00008
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(식 (a1-1) 중, R1 및 R2 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 단, R1 과 R2 가 모두 수소 원자인 경우를 제외한다. R3 은 알킬기를 나타낸다. R1 또는 R2 와, R3 이 연결되어 고리형 에테르를 형성해도 된다)(In the formula (a1-1), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, provided that when R 1 and R 2 are both hydrogen atoms, R 3 represents an alkyl group R 1 or R 2 and R 3 may be connected to form a cyclic ether)

식 (a1-1) 중, R1 ∼ R3 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 그 알킬기는 직사슬형, 분기사슬형, 고리형 중 어느 것이어도 된다. 여기서, R1 및 R2 의 쌍방이 수소 원자를 나타내는 경우는 없고, R1 및 R2 중 적어도 일방은 알킬기를 나타낸다.In formula (a1-1), R 1 to R 3 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, and the alkyl group may be any of linear, branched, and cyclic. Here, both of R 1 and R 2 do not represent a hydrogen atom, and at least one of R 1 and R 2 represents an alkyl group.

식 (a1-1) 에 있어서, R1, R2 및 R3 이 알킬기를 나타내는 경우, 그 알킬기는 직사슬형, 분기사슬형 또는 고리형 중 어느 것이어도 된다.In the formula (a1-1), when R 1 , R 2 and R 3 represent an alkyl group, the alkyl group may be any of linear, branched or cyclic.

직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 12 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 6 인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 4 인 것이 더욱 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, 텍실기 (2,3-디메틸-2-부틸기), n-헵틸기, n-옥틸기, 2-에틸헥실기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.The linear or branched alkyl group preferably has 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and even more preferably 1 to 4 carbon atoms. Specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i-butyl group, a sec- Butyl group, n-heptyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, n-nonyl group and n-decyl group.

고리형 알킬기로는, 탄소수 3 ∼ 12 인 것이 바람직하고, 탄소수 4 ∼ 8 인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 4 ∼ 6 인 것이 더욱 바람직하다. 고리형 알킬기로는, 예를 들어 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 노르보르닐기, 이소보르닐기 등을 들 수 있다.The cyclic alkyl group preferably has 3 to 12 carbon atoms, more preferably 4 to 8 carbon atoms, and still more preferably 4 to 6 carbon atoms. Examples of the cyclic alkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a norbornyl group, and an isobornyl group.

상기 알킬기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 치환기로는, 할로겐 원자, 아릴기, 알콕시기를 예시할 수 있다. 치환기로서 할로겐 원자를 갖는 경우, R1, R2, R3 은 할로알킬기가 되고, 치환기로서 아릴기를 갖는 경우, R1, R2, R3 은 아르알킬기가 된다.The alkyl group may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, an aryl group, and an alkoxy group. When R 1 , R 2 and R 3 are a haloalkyl group and have an aryl group as a substituent, R 1 , R 2 and R 3 are aralkyl groups when they have a halogen atom as a substituent.

할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자가 예시되고, 이들 중에서도 불소 원자 또는 염소 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and among these, a fluorine atom or a chlorine atom is preferable.

또, 상기 아릴기로는, 탄소수 6 ∼ 20 의 아릴기가 바람직하고, 보다 바람직하게는 탄소수 6 ∼ 12 이고, 구체적으로는, 페닐기, α-메틸페닐기, 나프틸기 등을 예시할 수 있고, 아릴기로 치환된 알킬기 전체, 즉, 아르알킬기로는, 벤질기, α-메틸벤질기, 페네틸기, 나프틸메틸기 등을 예시할 수 있다.The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, more preferably 6 to 12 carbon atoms. Specific examples thereof include phenyl group,? -Methylphenyl group and naphthyl group. Examples of the aryl group include an aryl group Examples of the alkyl group as a whole, that is, the aralkyl group, include a benzyl group, an? -Methylbenzyl group, a phenethyl group, and a naphthylmethyl group.

상기 알콕시기로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기가 바람직하고, 보다 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 4 이고, 메톡시기 또는 에톡시기가 보다 바람직하다.The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, and more preferably a methoxy group or an ethoxy group.

또, 알킬기가 시클로알킬기인 경우, 그 시클로알킬기는 치환기로서 탄소수 1 ∼ 10 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기를 갖고 있어도 되고, 알킬기가 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기인 경우에는, 치환기로서 탄소수 3 ∼ 12 의 시클로알킬기를 갖고 있어도 된다.When the alkyl group is a cycloalkyl group, the cycloalkyl group may have a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms as a substituent. When the alkyl group is a linear or branched alkyl group, May have a cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms.

이들 치환기는 상기 치환기로 추가로 치환되어 있어도 된다.These substituents may be further substituted with the substituent.

식 (a1-1) 에 있어서, R1, R2 및 R3 이 아릴기를 나타내는 경우, 그 아릴기는 탄소수 6 ∼ 12 인 것이 바람직하고, 탄소수 6 ∼ 10 인 것이 보다 바람직하다. 그 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 그 치환기로는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 바람직하게 예시할 수 있다. 아릴기로는, 예를 들어 페닐기, 톨릴기, 실릴기, 쿠메닐기, 1-나프틸기 등을 예시할 수 있다.In the formula (a1-1), when R 1 , R 2 and R 3 represent an aryl group, the aryl group preferably has 6 to 12 carbon atoms, more preferably 6 to 10 carbon atoms. The aryl group may have a substituent. As the substituent, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms can be preferably exemplified. As the aryl group, for example, a phenyl group, a tolyl group, a silyl group, a cumenyl group, a 1-naphthyl group and the like can be mentioned.

또, R1, R2 및 R3 은 서로 결합하여, 그들이 결합하고 있는 탄소 원자와 하나로 되어 고리를 형성할 수 있다. R1 과 R2, R1 과 R3 또는 R2 와 R3 이 결합한 경우의 고리 구조로는, 예를 들어 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 테트라하이드로푸라닐기, 아다만틸기 및 테트라하이드로피라닐기 등을 들 수 있다.Further, R 1 , R 2 and R 3 may combine with each other to form a ring together with the carbon atoms to which they are bonded. Examples of the ring structure in the case where R 1 and R 2 , R 1 and R 3 or R 2 and R 3 are bonded include a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a tetrahydrofuranyl group, An adamantyl group, and a tetrahydropyranyl group.

또한, 식 (a1-1) 에 있어서, R1 및 R2 중 어느 일방이 수소 원자 또는 메틸기인 것이 바람직하다.In formula (a1-1), either one of R 1 and R 2 is preferably a hydrogen atom or a methyl group.

식 (a1-1) 로 나타내는 잔기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체는 시판되는 것을 사용해도 되고, 공지된 방법으로 합성한 것을 사용할 수도 있다. 예를 들어 하기에 나타내는 바와 같이 (메트)아크릴산을 산 촉매의 존재하에서 비닐에테르와 반응시킴으로써 합성할 수 있다.The radically polymerizable monomer used for forming the monomer unit having a moiety represented by the formula (a1-1) may be commercially available or may be synthesized by a known method. For example, by reacting (meth) acrylic acid with a vinyl ether in the presence of an acid catalyst as shown below.

[화학식 9][Chemical Formula 9]

Figure 112010066367407-pat00009
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R11 은 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 그 알킬기는, 식 (a1-1) 에 있어서, R1 ∼ R3 으로서 나타낸 알킬기와 동일하다. R11 로는, 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.R 11 represents a hydrogen atom or an alkyl group, and the alkyl group is the same as the alkyl group represented by R 1 to R 3 in the formula (a1-1). As R 11 , a hydrogen atom or a methyl group is preferable.

R12 및 R13 은 -CH(R12)(R13) 으로서, 식 (a1-1) 에 있어서의 R2 와 동일한 의미이고, R14 는 식 (a) 에 있어서의 R1 과 동일한 의미이고, R15 는 식 (a1-1) 에 있어서의 R3 과 동일한 의미이고, 또한 이들은 바람직한 범위도 동일하다.R 12 and R 13 are -CH (R 12 ) (R 13 ), have the same meaning as R 2 in formula (a1-1), and R 14 has the same meaning as R 1 in formula (a) , R &lt; 15 &gt; have the same meanings as R &lt; 3 &gt; in formula (a1-1) and their preferred ranges are also the same.

상기 합성은 (메트)아크릴산을 그 밖의 모노머와 미리 공중합시켜 두고, 그 후에 산 촉매의 존재하에서 비닐에테르와 반응시켜도 된다.The above-mentioned synthesis may be conducted by previously copolymerizing (meth) acrylic acid with other monomers, and thereafter reacting with vinyl ether in the presence of an acid catalyst.

카르복시기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위 (a1-1) 의 바람직한 구체예로는, 하기의 모노머 단위를 예시할 수 있다. 또한, R 은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.As specific preferred examples of the monomer unit (a1-1) having a carboxyl group-protected residue by an acid-decomposable group, the following monomer units can be exemplified. R represents a hydrogen atom or a methyl group.

[화학식 10][Chemical formula 10]

Figure 112010066367407-pat00010
Figure 112010066367407-pat00010

(a1-2) 페놀성 수산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위(a1-2) a monomer unit having a phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group

(a1-2-1) 페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위(a1-2-1) a monomer unit having a phenolic hydroxyl group

페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위로는, 하이드록시스티렌계 모노머 단위나 노볼락계의 수지에 있어서의 모노머 단위를 들 수 있는데, 이들 중에서는 α-메틸하이드록시스티렌에서 유래되는 모노머 단위가 투명성의 관점에서 바람직하다. 페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위 중에서도, 식 (a1-2) 로 나타내는 모노머 단위가 투명성, 감도의 관점에서 바람직하다.Examples of the monomer unit having a phenolic hydroxyl group include a monomer unit derived from a hydroxystyrene monomer unit or a novolac resin. Of these monomer units derived from? -Methylhydroxystyrene, . Among the monomer units having a phenolic hydroxyl group, monomer units represented by the formula (a1-2) are preferable from the viewpoints of transparency and sensitivity.

[화학식 11](11)

Figure 112010066367407-pat00011
Figure 112010066367407-pat00011

(식 (a1-2) 중, R20 은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R21 은 단결합 또는 연결기를 나타내고, R22 는 할로겐 원자 또는 알킬기를 나타내고, a 는 1 ∼ 5 의 정수를 나타내고, b 는 0 ∼ 4 의 정수를 나타내고, a + b 는 5 이하이다. 또한, R22 가 2 이상 존재하는 경우, 이들 R22 는 서로 상이해도 되고 동일해도 된다), R 20 (wherein (a1-2) is a hydrogen atom or a methyl group, R 21 represents a single bond or a linking group, R 22 represents a halogen atom or an alkyl group, a is an integer of 1 ~ 5, b Is an integer of 0 to 4, and a + b is not more than 5. When two or more R 22 are present, these R 22 may be different from each other or may be the same)

식 (a1-2) 중, R20 은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 메틸기인 것이 바람직하다.In formula (a1-2), R 20 represents a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a methyl group.

또, R21 은 단결합 또는 2 가의 연결기를 나타낸다. 단결합인 경우에는, 감도를 향상시킬 수 있어, 경화막의 투명성을 더욱 향상시킬 수 있으므로 바람직하다. R21 의 2 가의 연결기로는 알킬렌기를 예시할 수 있고, R21 이 알킬렌기인 구체예로는, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소프로필렌기, n-부틸렌기, 이소부틸렌기, tert-부틸렌기, 펜틸렌기, 이소펜틸렌기, 네오펜틸렌기, 헥실렌기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, R21 이 단결합, 메틸렌기, 에틸렌기인 것이 바람직하다. 또, 상기 2 가의 연결기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 치환기로는, 할로겐 원자, 수산기, 알콕시기 등을 들 수 있다.R 21 represents a single bond or a divalent linking group. In the case of a single bond, the sensitivity can be improved and the transparency of the cured film can be further improved. Examples of the divalent linking group of R 21 include an alkylene group and specific examples of R 21 is an alkylene group include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, an isopropylene group, an n-butylene group, an isobutylene group, a tert -Butylene group, pentylene group, isopentylene group, neopentylene group, hexylene group and the like. Among them, R 21 is preferably a single bond, a methylene group or an ethylene group. The divalent linking group may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, a hydroxyl group, and an alkoxy group.

또, a 는 1 ∼ 5 의 정수를 나타내는데, 본 발명의 효과의 관점이나, 제조가 용이하다는 점에서, a 는 1 또는 2 인 것이 바람직하고, a 가 1 인 것이 보다 바람직하다.A is an integer of 1 to 5, and a is preferably 1 or 2, and more preferably a is 1, from the viewpoint of the effects of the present invention or from the viewpoint of easy production.

또, 벤젠고리에 있어서의 수산기의 결합 위치는, R21 과 결합하고 있는 탄소 원자를 기준 (1 위치) 으로 하였을 때, 4 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the bonding position of the hydroxyl group in the benzene ring is bonded at the 4-position when the carbon atom bonded to R 21 is the reference (1-position).

R22 는 할로겐 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬 또는 분기사슬형의 알킬기이다. 구체적으로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. 그 중에서도 제조가 용이하다는 점에서, 염소 원자, 브롬 원자, 메틸기 또는 에틸기인 것이 바람직하다.R 22 is a halogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Specific examples thereof include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a n-butyl group, an isobutyl group, a tert- butyl group, a pentyl group, an isopentyl group and a neopentyl group . Among them, chlorine atom, bromine atom, methyl group or ethyl group is preferable in view of easiness of production.

또, b 는 0 또는 1 ∼ 4 의 정수를 나타낸다.B represents 0 or an integer of 1 to 4;

페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위 중에서도, 상기 식 (a1-2) 중, R21 이 알킬렌기가 아닌 경우에는, 식 (a1-2') 로 나타내는 모노머 단위가 투명성 및 감도의 관점에서 더욱 바람직하다. R21 의 연결기로는, 알킬렌기 이외에 (공중합체의 주사슬측으로부터) 알킬렌옥시카르보닐기 등을 바람직하게 예시할 수 있고, 이 경우에는, 페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위가 하기의 식 (a1-2') 로 나타내는 것이 바람직하다.Among the monomer units having a phenolic hydroxyl group, when R &lt; 21 &gt; in the formula (a1-2) is not an alkylene group, the monomer unit represented by the formula (a1-2 ') is more preferable in terms of transparency and sensitivity. As the connecting group of R 21 , an alkyleneoxycarbonyl group and the like can be preferably exemplified (from the main chain side of the copolymer) in addition to the alkylene group. In this case, the monomer unit having a phenolic hydroxyl group is preferably represented by the following formula (a1- 2 ').

[화학식 12][Chemical Formula 12]

Figure 112010066367407-pat00012
Figure 112010066367407-pat00012

(식 (a1-2') 중, R30 은 식 (a1-2) 에 있어서의 R20 과 동일한 의미이고, R32 는 식 (a1-2) 에 있어서의 R22 와 동일한 의미이고, a 및 b 는 식 (a1-2) 에 있어서의 a 및 b 와 각각 동일한 의미이다. 또, 바람직한 범위도 동일하다)(In the formula (a1-2 '), R 30 has the same meaning as R 20 in the formula (a1-2), R 32 has the same meaning as R 22 in the formula (a1-2) b is the same as a and b in formula (a1-2), respectively, and the preferred range is also the same)

식 (a1-2') 중, R33 은 2 가의 연결기를 나타내고, 알킬렌기를 바람직하게 예시할 수 있다. 그 알킬렌기는 직사슬형 또는 분기사슬형 중 어느 것이어도 되고, 탄소수 2 ∼ 6 인 것이 바람직하고, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소프로필렌기, n-부틸렌기, tert-부틸렌기, 펜틸렌기, 이소펜틸렌기, 네오펜틸렌기, 헥실렌기 등을 들 수 있다. 또, 2 가의 연결기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 치환기로는, 할로겐 원자, 수산기, 알콕시기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, R33 으로는, 에틸렌기, 프로필렌기, 2-하이드록시프로필렌기인 것이 감도의 관점에서 바람직하다.In the formula (a1-2 '), R 33 represents a divalent linking group, and an alkylene group can be preferably exemplified. The alkylene group may be either linear or branched and preferably has 2 to 6 carbon atoms, and examples thereof include an ethylene group, a propylene group, an isopropylene group, an n-butylene group, a tert-butylene group, Pentylene group, neopentylene group, hexylene group and the like. The divalent linking group may have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom, a hydroxyl group, and an alkoxy group. Among them, R 33 is preferably an ethylene group, a propylene group or a 2-hydroxypropylene group from the viewpoint of sensitivity.

(a1-2-2) 페놀성 수산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위(a1-2-2) a monomer unit having a phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group

페놀성 수산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위는, (a1-2-1) 페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위의 페놀성 수산기가, 이하에서 상세하게 설명하는 산 분해성기에 의해 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위이다. 산 분해성기로는, 전술한 바와 같이 공지된 것을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 산 분해성기 중에서도 페놀성 수산기가 아세탈로 보호된 잔기 또는 페놀성 수산기가 케탈로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위인 것이, 레지스트의 기본 물성, 특히 감도나 패턴 형상, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성, 컨택트 홀의 형성성의 관점에서 바람직하다. 또한, 산 분해성기 중에서도 페놀성 수산기가 식 (a1-1) 로 나타내는 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기인 것이, 감도의 관점에서 보다 바람직하다. 또한, 페놀성 수산기가 식 (a1-1) 로 나타내는 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기인 경우, 잔기 전체적으로는 -Ar-O-CR1R2(OR3) 의 구조로 되어 있다. 또한, Ar 은 아릴렌기를 나타낸다.The monomer unit in which the phenolic hydroxyl group has a moiety protected by an acid-decomposable group is a monomer unit in which the phenolic hydroxyl group of the monomer unit having (a1-2-1) the phenolic hydroxyl group is a residue protected by an acid- Lt; / RTI &gt; As the acid-decomposable group, those known in the art can be used, and there is no particular limitation. Of the acid-decomposable groups, those in which the phenolic hydroxyl group is a monomer unit having an acetal-protected residue or a phenolic hydroxyl group-protected ketal-protected monomer unit are preferred because the basic physical properties of the resist, particularly the sensitivity and pattern shape, the storage stability of the photosensitive resin composition, From the viewpoint of formability. Among the acid decomposable groups, from the viewpoint of sensitivity, it is more preferable that the phenolic hydroxyl group is an acetal or ketal-protected residue represented by the formula (a1-1). When the phenolic hydroxyl group is an acetal or ketal-protected residue represented by the formula (a1-1), the residue has a structure of -Ar-O-CR 1 R 2 (OR 3 ) as a whole. Ar represents an arylene group.

페놀성 수산기의 아세탈에스테르 구조의 바람직한 예는 R1=R2=R3=메틸기나 R1=R2=메틸기로 R3=벤질기의 조합을 예시할 수 있다.Preferred examples of the acetal ester structure of the phenolic hydroxyl group are R 1 = R 2 = R 3 = methyl group, R 1 = R 2 = methyl group, and R 3 = benzyl group.

또, 페놀성 수산기가 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체로는, 예를 들어 하이드록시스티렌의 1-알콕시알킬 보호체, 하이드록시스티렌의 테트라하이드로피라닐 보호체, α-메틸-하이드록시스티렌의 1-알콕시알킬 보호체, α-메틸-하이드록시스티렌의 테트라하이드로피라닐 보호체, 4-하이드록시페닐메타크릴레이트의 1-알콕시알킬 보호체, 4-하이드록시페닐메타크릴레이트의 테트라하이드로피라닐 보호체, 4-하이드록시벤조산(1-메타크릴로일옥시메틸)에스테르의 1-알콕시알킬 보호체, 4-하이드록시벤조산(1-메타크릴로일옥시메틸)에스테르의 테트라하이드로피라닐 보호체, 4-하이드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르의 1-알콕시알킬 보호체, 4-하이드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르의 테트라하이드로피라닐 보호체, 4-하이드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르의 1-알콕시알킬 보호체, 4-하이드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르의 테트라하이드로피라닐 보호체, 4-하이드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-하이드록시프로필)에스테르의 1-알콕시알킬 보호체, 4-하이드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-하이드록시프로필)에스테르의 테트라하이드로피라닐 보호체 등을 들 수 있다.Examples of the radical polymerizable monomer used for forming the monomer unit having a phenolic hydroxyl group having an acetal or ketal protected moiety include a 1-alkoxyalkyl protected product of hydroxystyrene, a tetrahydrofuran derivative of hydroxystyrene Alkoxyalkyl protecting group of? -Methyl-hydroxystyrene, a tetrahydropyranyl protecting group of? -Methyl-hydroxystyrene, a 1-alkoxyalkyl protective group of 4-hydroxyphenyl methacrylate , A tetrahydro pyranyl protective group of 4-hydroxyphenyl methacrylate, a 1-alkoxyalkyl protected group of 4-hydroxybenzoic acid (1-methacryloyloxymethyl) ester, a 4-hydroxybenzoic acid (2-methacryloyloxyethyl) ester of 4-hydroxybenzoic acid, 4-hydroxybenzoic acid (2-methacryloyloxyethyl) ester of 4-hydroxybenzoic acid Oxyethyl) ester, a 1-alkoxyalkyl protected form of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester, a 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) Alkoxyalkyl protecting group of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester, 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxyphenyl) Hydroxy-2-hydroxypropyl) ester, and the like.

이들 중에서, 4-하이드록시페닐메타크릴레이트의 1-알콕시알킬 보호체, 4-하이드록시페닐메타크릴레이트의 테트라하이드로피라닐 보호체, 4-하이드록시벤조산(1-메타크릴로일옥시메틸)에스테르의 1-알콕시알킬 보호체, 4-하이드록시벤조산(1-메타크릴로일옥시메틸)에스테르의 테트라하이드로피라닐 보호체, 4-하이드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르의 1-알콕시알킬 보호체, 4-하이드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르의 테트라하이드로피라닐 보호체, 4-하이드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르의 1-알콕시알킬 보호체, 4--하이드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르의 테트라하이드로피라닐 보호체, 4-하이드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-하이드록시프로필)에스테르의 1-알콕시알킬 보호체, 4-하이드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-하이드록시프로필)에스테르의 테트라하이드로피라닐 보호체가 투명성의 관점에서 바람직하다.Among them, a 1-alkoxyalkyl protected derivative of 4-hydroxyphenyl methacrylate, a tetrahydropyranyl protected derivative of 4-hydroxyphenyl methacrylate, a 4-hydroxybenzoic acid (1-methacryloyloxymethyl) (2-methacryloyloxyethyl) ester of 4-hydroxybenzoic acid (2-methacryloyloxyethyl) ester, a protected tetrahydro pyranyl of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester, a tetrahydrothiopyranyl protected derivative of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester of 4-hydroxybenzoic acid, a tetrahydrothiopyranyl protected derivative of 4- Alkoxyalkyl protecting group of ester, 4-hydroxy When acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl-yloxy) is preferred in view of transparency tetra hydro pyranyl esters of body protection.

페놀성 수산기의 아세탈 보호기 및 케탈 보호기의 구체예로는, 1-알콕시알킬기를 들 수 있고, 예를 들어 1-에톡시에틸기, 1-메톡시에틸기, 1-n-부톡시에틸기, 1-이소부톡시에틸기, 1-(2-클로로에톡시)에틸기, 1-(2-에틸헥실옥시)에틸기, 1-n-프로폭시에틸기, 1-시클로헥실옥시에틸기, 1-(2-시클로헥실에톡시)에틸기, 1-벤질옥시에틸기 등을 들 수 있고, 이들은 단독 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Specific examples of the acetal protecting group and the ketal protecting group of the phenolic hydroxyl group include a 1-alkoxyalkyl group, and examples thereof include a 1-ethoxyethyl group, a 1-methoxyethyl group, a 1-n-butoxyethyl group, (1-cyclohexyloxy) ethyl group, 1- (2-ethylhexyloxy) ethyl group, 1-n-propoxyethyl group, 1-cyclohexyloxyethyl group, 1- ) Ethyl group, 1-benzyloxyethyl group, etc. These may be used alone or in combination of two or more.

모노머 단위 (a1) 를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체는 시판되는 것을 사용해도 되고, 공지된 방법으로 합성한 것을 사용할 수도 있다. 예를 들어 페놀성 수산기를 갖는 화합물을 산 촉매의 존재하에서 비닐에테르와 반응시킴으로써 합성할 수 있다. 상기 합성은 페놀성 수산기를 갖는 모노머를 그 밖의 모노머와 미리 공중합시켜 두고, 그 후에 산 촉매의 존재하에서 비닐에테르와 반응시켜도 된다.The radically polymerizable monomer used for forming the monomer unit (a1) may be a commercially available one or a synthesized by a known method. For example, by reacting a compound having a phenolic hydroxyl group with a vinyl ether in the presence of an acid catalyst. The above-mentioned synthesis may be carried out by previously copolymerizing a monomer having a phenolic hydroxyl group with another monomer, and then reacting with a vinyl ether in the presence of an acid catalyst.

모노머 단위 (a1-2) 의 바람직한 구체예로는, 하기의 모노머 단위를 예시할 수 있는데, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Specific preferred examples of the monomer unit (a1-2) include the following monomer units, but the present invention is not limited thereto.

[화학식 13][Chemical Formula 13]

Figure 112010066367407-pat00013
Figure 112010066367407-pat00013

(A) 성분을 구성하는 모노머 단위 중, 모노머 단위 (a1) 의 함유율은 감도의 관점에서 (A) 성분의 공중합체를 전체적으로, 3 ∼ 70 몰% 가 바람직하고, 5 ∼ 60 몰% 가 보다 바람직하고, 10 ∼ 50 몰% 가 더욱 바람직하다.The content of the monomer unit (a1) among the monomer units constituting the component (A) is preferably from 3 to 70 mol%, more preferably from 5 to 60 mol%, more preferably from 5 to 60 mol% , More preferably from 10 to 50 mol%.

카르복시기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위는, 페놀성 수산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위에 비하면, 현상이 빠르다는 특징이 있다. 따라서, 빠르게 현상하고 싶은 경우에는 카르복시기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위가 바람직하다. 반대로 현상을 느리게 하고 싶은 경우에는 페놀성 수산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위를 사용하는 것이 바람직하다.The monomer unit in which the carboxyl group has a residue protected by an acid-decomposable group is characterized in that the phenolic hydroxyl group is faster than the monomer unit having a residue protected by an acid-decomposable group. Therefore, when a rapid development is desired, a monomer unit having a residue whose carboxyl group is protected with an acid-decomposable group is preferable. On the contrary, when it is desired to slow the development, it is preferable to use a monomer unit having a residue in which the phenolic hydroxyl group is protected with an acid-decomposable group.

(a2) 가교기를 갖는 모노머 단위(a2) a monomer unit having a crosslinking group

(A) 성분은 가교기를 갖는 모노머 단위 (a2) 를 갖는다. 상기 가교기는 가열 처리로 경화 반응을 일으키는 기이면 특별히 한정은 되지 않는다. 바람직한 가교기를 갖는 모노머 단위의 양태로는, 3 원자고리 및/또는 4 원자고리의 고리형 에테르 잔기, 그리고 에틸렌성 불포화기로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 하나를 함유하는 모노머 단위를 들 수 있다. 보다 상세하게는, 이하의 것을 들 수 있다.(A) has a monomer unit (a2) having a crosslinking group. The crosslinking group is not particularly limited as long as it is a group which causes a curing reaction by a heat treatment. As a mode of the monomer unit having a preferred crosslinking group, there may be mentioned a monomer unit containing at least one selected from the group consisting of a cyclic ether residue of a triple ring and / or a four-membered ring, and an ethylenic unsaturated group. More specifically, the following can be mentioned.

(a2-1) 3 원자고리 및/또는 4 원자고리의 고리형 에테르 잔기를 갖는 모노머 단위(a2-1) a monomer unit having a cyclic ether residue of a 3-atomic ring and / or a 4-membered ring

상기 (A) 공중합체는 3 원자고리 및/또는 4 원자고리의 고리형 에테르 잔기를 갖는 모노머 단위 (모노머 단위 (a2-1)) 를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 3 원자고리의 고리형 에테르 잔기는 에폭시기라고도 불리고, 4 원자고리의 고리형 에테르 잔기는 옥세타닐기라고도 불린다. 상기 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위 (a2-1) 로는, 지환 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위인 것이 바람직하고, 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위인 것이 보다 바람직하다.The copolymer (A) preferably contains a monomer unit (monomer unit (a2-1)) having a cyclic ether residue of a three-membered ring and / or a four-membered ring. The cyclic ether residue of the triple ring is also called an epoxy group, and the cyclic ether residue of the four-membered ring is also called an oxetanyl group. The monomer unit (a2-1) having an epoxy group and / or an oxetanyl group is preferably a monomer unit having an alicyclic epoxy group and / or an oxetanyl group, and more preferably a monomer unit having an oxetanyl group.

에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위는 1 개의 모노머 단위 중에 에폭시기 또는 옥세타닐기를 적어도 1 개 갖고 있으면 되고, 1 개 이상의 에폭시기 및 1 개 이상의 옥세타닐기, 2 개 이상의 에폭시기 또는 2 개 이상의 옥세타닐기를 갖고 있어도 되고, 특별히 한정되지 않지만, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 1 ∼ 3 개 갖는 것이 바람직하고, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 1 또는 2 개 갖는 것이 보다 바람직하고, 에폭시기 또는 옥세타닐기를 1 개 갖는 것이 더욱 바람직하다.The monomer unit having an epoxy group and / or oxetanyl group may have at least one epoxy group or oxetanyl group in one monomer unit, and may contain at least one epoxy group and at least one oxetanyl group, at least two epoxy groups, An oxetanyl group, and it is not particularly limited, but it is preferable to have 1 to 3 epoxy groups and / or oxetanyl groups in total, more preferably 1 or 2 epoxy groups and / or oxetanyl groups in total, More preferably an epoxy group or an oxetanyl group.

에폭시기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로는, 예를 들어 아크릴산글리시딜, 메타크릴산글리시딜, α-에틸아크릴산글리시딜, α-n-프로필아크릴산글리시딜, α-n-부틸아크릴산글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, α-에틸아크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, 일본 특허 제4168443호의 단락 0031 ∼ 0035 에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 등을 들 수 있다.Specific examples of the radical polymerizable monomer used to form the monomer unit having an epoxy group include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, glycidyl alpha -ethyl acrylate, alpha -n-propyl acrylate Glycidyl,? -N-butyl acrylate glycidyl, acrylate-3,4-epoxybutyl, methacrylic acid-3,4-epoxybutyl, acrylic acid-6,7-epoxyheptyl, methacrylic acid-6,7 -Epoxyheptyl,? -Ethylacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, o-vinylbenzylglycidyl ether, m-vinylbenzylglycidyl ether, p-vinylbenzylglycidyl ether, Japanese Patent No. 4168443, And compounds containing an alicyclic epoxy skeleton as described in [0035].

옥세타닐기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로는, 예를 들어 일본 공개특허공보 2001-330953호의 단락 0011 ∼ 0016 에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르 등을 들 수 있다.Specific examples of the radical polymerizable monomer used for forming the monomer unit having an oxetanyl group include (meth) acrylate ester having an oxetanyl group described in paragraphs 0011 to 0016 of JP-A No. 2001-330953 And the like.

에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로는, 메타크릴산에스테르 구조를 함유하는 모노머, 아크릴산에스테르 구조를 함유하는 모노머인 것이 바람직하다.Specific examples of the radically polymerizable monomer used for forming the monomer unit having an epoxy group and / or an oxetanyl group are monomers containing a methacrylic acid ester structure and monomers containing an acrylic ester structure.

이들 모노머 중에서, 더욱 바람직한 것으로는, 일본 특허 제4168443호의 단락 0034 ∼ 0035 에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 및 일본 공개특허공보 2001-330953호의 단락 0011 ∼ 0016 에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르이고, 특히 바람직한 것으로는 일본 공개특허공보 2001-330953호의 단락 0011 ∼ 0016 에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르이다. 이들 중에서도 바람직한 것은 아크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸, 메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸, 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸 및 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸이고, 가장 바람직한 것은 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸 및 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸이다. 이들 모노머 단위는 1 종 단독 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Among these monomers, more preferred are compounds containing an alicyclic epoxy skeleton described in paragraphs 0034 to 0035 of Japanese Patent No. 4168443 and compounds having an oxetanyl group described in paragraphs 0011 to 0016 of JP-A-2001-330953 ) Acrylate, and particularly preferred is a (meth) acrylic acid ester having an oxetanyl group as described in paragraphs 0011 to 0016 of JP-A No. 2001-330953. Among these, preferred are acrylic esters such as 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, methyl (3-ethyloxetan-3-yl) Yl) methyl, and most preferred are methyl (3-ethyloxetan-3-yl) acrylate and methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl. These monomer units may be used singly or in combination of two or more.

모노머 단위 (a2-1) 가 하기 식 (a2-1-1) 및 식 (a2-1-2) 로 이루어지는 군에서 선택된 잔기를 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that the monomer unit (a2-1) has a residue selected from the group consisting of the following formulas (a2-1-1) and (a2-1-2).

[화학식 14][Chemical Formula 14]

Figure 112010066367407-pat00014
Figure 112010066367407-pat00014

모노머 단위 (a2-1) 가 상기 식 (a2-1-1) 로 나타내는 3 개의 잔기 중 어느 것을 갖는다는 것은, 식 (a2-1-1) 로 나타내는 구조로부터 수소 원자를 1 개 이상 제외한 기를 갖는 것을 의미한다.The fact that the monomer unit (a2-1) has any of the three residues represented by the above formula (a2-1-1) means that the structure having the group excluding one or more hydrogen atoms from the structure represented by the formula (a2-1-1) .

모노머 단위 (a2-1) 는 3,4-에폭시시클로헥실기, 2,3-에폭시시클로헥실기, 2,3-에폭시시클로펜틸기를 갖는 것이 더욱 바람직하다.More preferably, the monomer unit (a2-1) has a 3,4-epoxycyclohexyl group, a 2,3-epoxycyclohexyl group and a 2,3-epoxycyclopentyl group.

[화학식 15][Chemical Formula 15]

Figure 112010066367407-pat00015
Figure 112010066367407-pat00015

(식 (a2-1-2) 중, R1b 및 R6b 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, R2b, R3b, R4b, R5b, R7b, R8b, R9b, R10b 는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다)(Wherein R 1b and R 6b each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group, and R 2b , R 3b , R 4b , R 5b , R 7b , R 8b , R 9b , R 10b Each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group or an aryl group)

식 (a2-1-2) 중, R1b 및 R6b 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기인 것이 바람직하고, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 (이하, 「저급 알킬기」라고도 한다) 인 것이 보다 바람직하다.In formula (a2-1-2), R 1b and R 6b each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group, preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms Hereinafter also referred to as &quot; lower alkyl group &quot;).

R2b, R3b, R4b, R5b, R7b, R8b, R9b, R10b 는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.R 2b , R 3b , R 4b , R 5b , R 7b , R 8b , R 9b and R 10b each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group or an aryl group.

할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 예시할 수 있고, 불소 원자 및 염소 원자가 보다 바람직하고, 불소 원자가 더욱 바람직하다.Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, more preferably a fluorine atom and a chlorine atom, and more preferably a fluorine atom.

알킬기는 직사슬형, 분기사슬형, 고리형 중 어느 것이어도 되고, 또한 치환기를 갖고 있어도 된다. 직사슬형 및 분기사슬형의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 8 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 6 인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 4 인 것이 더욱 바람직하다. 고리형 알킬기로는, 탄소수 3 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 4 ∼ 8 인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 5 ∼ 7 인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 직사슬형 및 분기사슬형의 알킬기는 고리형 알킬기로 치환되어 있어도 되고, 고리형 알킬기는 직사슬형 및/또는 분기사슬형 알킬기로 치환되어 있어도 된다.The alkyl group may be any of linear, branched, and cyclic, and may have a substituent. The linear and branched alkyl groups preferably have 1 to 8 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and even more preferably 1 to 4 carbon atoms. The cyclic alkyl group preferably has 3 to 10 carbon atoms, more preferably 4 to 8 carbon atoms, and still more preferably 5 to 7 carbon atoms. The linear or branched alkyl group may be substituted with a cyclic alkyl group, and the cyclic alkyl group may be substituted with a linear and / or branched alkyl group.

아릴기로는, 탄소수 6 ∼ 20 의 아릴기인 것이 바람직하고, 탄소수 6 ∼ 10 의 아릴기인 것이 더욱 바람직하다.The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, more preferably an aryl group having 6 to 10 carbon atoms.

상기 알킬기, 아릴기는 추가로 치환기를 갖고 있어도 되고, 알킬기가 갖고 있어도 되는 치환기로는, 할로겐 원자, 아릴기를 예시할 수 있고, 아릴기가 갖고 있어도 되는 치환기로는, 할로겐 원자, 알킬기를 예시할 수 있다.The alkyl group and the aryl group may further have a substituent. Examples of the substituent which the alkyl group may have include a halogen atom and an aryl group. Examples of the substituent which the aryl group may have include a halogen atom and an alkyl group .

이들 중에서도, R2b, R3b, R4b, R5b, R7b, R8b, R9b, R10b 는 각각 독립적으로 수소 원자, 불소 원자, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기, 페닐기 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 퍼플루오로알킬기인 것이 보다 바람직하다.Of these, R 2b , R 3b , R 4b , R 5b , R 7b , R 8b , R 9b and R 10b are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl group, More preferably a perfluoroalkyl group.

상기 식 (a2-1-2) 로 나타내는 잔기를 갖는 기로는, (3-에틸옥세탄-3-일)메틸기를 바람직하게 예시할 수 있다.As the group having a residue represented by the formula (a2-1-2), a (3-ethyloxetan-3-yl) methyl group can be preferably exemplified.

모노머 단위 (a2-1) 의 바람직한 구체예로는, 하기의 모노머 단위를 예시할 수 있다. 또한 R 은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.As specific preferred examples of the monomer unit (a2-1), the following monomer units can be exemplified. And R represents a hydrogen atom or a methyl group.

[화학식 16][Chemical Formula 16]

Figure 112010066367407-pat00016
Figure 112010066367407-pat00016

본 발명에 있어서, 경화 감도의 관점에서는, 3 원자고리 및 4 원자고리의 고리형 에테르 잔기 중에서도, 옥세타닐기가 바람직하다. 또한 본 발명에 있어서, 투과율 (투명성) 의 관점에서는 지환 에폭시기 및 옥세타닐기가 바람직하다. 이상으로부터, 본 발명에 있어서는, 3 원자고리 및 4 원자고리의 고리형 에테르 잔기로는, 지환 에폭시기 및 옥세타닐기가 바람직하고, 옥세타닐기가 특히 바람직하다.In the present invention, from the viewpoint of curing sensitivity, an oxetanyl group is preferable among the cyclic ether residue of three-membered ring and four-membered ring. In the present invention, an alicyclic epoxy group and an oxetanyl group are preferable from the viewpoint of transmittance (transparency). From the above, in the present invention, the cyclic ether residue of a triple ring and a four-membered ring is preferably an alicyclic epoxy group and an oxetanyl group, and an oxetanyl group is particularly preferable.

(a2-3) 에틸렌성 불포화기를 갖는 모노머 단위(a2-3) a monomer unit having an ethylenic unsaturated group

가교기를 갖는 모노머 단위 (a2) 의 하나로서, 에틸렌성 불포화기를 갖는 모노머 단위 (a2-3) 를 들 수 있다 (이하, 「모노머 단위 (a2-3)」라고도 한다). 상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 모노머 단위 (a2-3) 로는, 측사슬에 에틸렌성 불포화기를 갖는 모노머 단위가 바람직하고, 말단에 에틸렌성 불포화기를 갖고, 탄소수 3 ∼ 16 의 측사슬을 갖는 모노머 단위가 보다 바람직하고, 식 (a2-3-1) 로 나타내는 측사슬을 갖는 모노머 단위가 더욱 바람직하다.One monomer unit (a2) having a crosslinking group includes a monomer unit (a2-3) having an ethylenic unsaturated group (hereinafter also referred to as "monomer unit (a2-3)"). The monomer unit (a2-3) having an ethylenically unsaturated group is preferably a monomer unit having an ethylenic unsaturated group in the side chain, a monomer unit having an ethylenic unsaturated group at the end and having a side chain of 3 to 16 carbon atoms And more preferably a monomer unit having a side chain represented by the formula (a2-3-1).

[화학식 17][Chemical Formula 17]

Figure 112010066367407-pat00017
Figure 112010066367407-pat00017

(식 (a2-3-1) 중, R1 은 탄소수 1 ∼ 13 의 2 가의 연결기를 나타내고, R3 은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다)(In the formula (a2-3-1), R 1 represents a divalent linking group having 1 to 13 carbon atoms, and R 3 represents a hydrogen atom or a methyl group)

R1 은 탄소수 1 ∼ 13 의 2 가의 연결기로서, 알케닐기, 시클로알케닐기, 아릴렌기 또는 이들을 조합한 기를 포함하고, 에스테르 결합, 에테르 결합, 아미드 결합, 우레탄 결합 등의 결합을 포함하고 있어도 된다. 또한 2 가의 연결기는 임의의 위치에 하이드록시기, 카르복시기 등의 치환기를 갖고 있어도 된다. R1 의 구체예로는, 식 (A-1) ∼ 식 (A-10) 으로 나타내는 2 가의 연결기를 들 수 있다.R 1 is a divalent linking group having 1 to 13 carbon atoms, which may include an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an arylene group, or a combination thereof, and may include a bond such as an ester bond, an ether bond, an amide bond or a urethane bond. The divalent linking group may have a substituent such as a hydroxyl group or a carboxy group at an arbitrary position. Specific examples of R 1 include divalent linking groups represented by formulas (A-1) to (A-10).

[화학식 18][Chemical Formula 18]

Figure 112010066367407-pat00018
Figure 112010066367407-pat00018

식 (a2-3-1) 로 나타내는 측사슬 중에서도, 지방족의 측사슬이 바람직하다. 식 (a2-3-1) 로 나타내는 연결기를 갖는 측사슬 중에서도, 말단이 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기인 측사슬이 보다 바람직하다.Of the side chains represented by the formula (a2-3-1), aliphatic side chains are preferred. Among the side chains having a linking group represented by the formula (a2-3-1), a side chain having an acryloyl group or a methacryloyl group at the terminal is more preferable.

또, 상기 식 (a2-3-1) 로 나타내는 측사슬에 함유되는 에틸렌성 불포화기는 상기 (A) 중합체 150 ∼ 2,000 g 에 대해 1 몰 함유되는 것이 바람직하고, 200 ∼ 1,300 g 에 대해 1 몰 함유되는 것이 보다 바람직하다.The ethylenic unsaturated group contained in the side chain represented by the formula (a2-3-1) is preferably contained in an amount of 1 mole per 150 g to 2,000 g of the polymer (A), more preferably in an amount of 1 mole per 200 g to 1,300 g .

식 (a2-3-1) 로 나타내는 측사슬을 갖는 모노머 단위 (a2-3) 를 얻는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 미리 라디칼 중합 등의 중합 방법에 의해, 특정 관능기를 갖는 중합체를 생성하고, 그 특정 관능기와 반응하는 기 및 말단에 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물 (이하, 특정 화합물이라고 한다) 을 반응시킴으로써 모노머 단위 (a2-3) 를 갖는 공중합체로 할 수 있다.The method for obtaining the monomer unit (a2-3) having a side chain represented by the formula (a2-3-1) is not particularly limited, but for example, a polymer having a specific functional group is produced by a polymerization method such as radical polymerization in advance (A2-3) can be obtained by reacting a compound having an ethylenic unsaturated group at its terminal and a compound (hereinafter referred to as a specific compound) reacting with the specific functional group.

여기서, 상기 특정 관능기로는, 카르복시기, 에폭시기, 하이드록시기, 활성 수소를 갖는 아미노기, 페놀성 수산기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 특정 관능기를 갖는 중합체를 합성하기 위한 특정 관능기를 갖는 모노머에 대해서는 후술한다.Examples of the specific functional group include a carboxyl group, an epoxy group, a hydroxyl group, an amino group having an active hydrogen, a phenolic hydroxyl group, and an isocyanate group. Monomers having specific functional groups for synthesizing a polymer having a specific functional group will be described later.

상기 특정 관능기와 상기 특정 화합물이 갖는 특정 관능기와 반응하는 기의 조합으로는, 카르복시기와 에폭시기의 조합, 카르복시기와 옥세타닐기의 조합, 하이드록시기와 이소시아네이트기의 조합, 페놀성 수산기와 에폭시기의 조합, 카르복시기와 이소시아네이트기의 조합, 아미노기와 이소시아네이트기의 조합, 하이드록시기와 산클로라이드의 조합 등을 들 수 있다.Examples of the combination of the specific functional group and the group reacting with the specific functional group possessed by the specific compound include a combination of a carboxyl group and an epoxy group, a combination of a carboxyl group and an oxetanyl group, a combination of a hydroxy group and an isocyanate group, a combination of a phenolic hydroxyl group and an epoxy group, A combination of a carboxyl group and an isocyanate group, a combination of an amino group and an isocyanate group, a combination of a hydroxy group and an acid chloride, and the like.

또, 상기 특정 화합물로는, 글리시딜메타크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸메타크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸아크릴레이트, 이소시아네이트에틸메타크릴레이트, 이소시아네이트에틸아크릴레이트, 메타크릴산클로라이드, 아크릴산클로라이드, 메타크릴산, 아크릴산 등을 들 수 있다.Examples of the specific compound include glycidyl methacrylate, glycidyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, isocyanate ethyl methacrylate, Isocyanate ethyl acrylate, methacrylic acid chloride, acrylic acid chloride, methacrylic acid, and acrylic acid.

바람직한 특정 관능기와 특정 화합물의 조합으로는, 특정 관능기인 카르복시기와 특정 화합물인 글리시딜메타크릴레이트의 조합 및 특정 관능기인 하이드록시기와 특정 화합물인 이소시아네이트에틸메타크릴레이트의 조합을 들 수 있다.Preferred examples of the combination of the specific functional group and the specific compound include a combination of a carboxyl group as a specific functional group and glycidyl methacrylate as a specific compound and a combination of a hydroxy group as a specific functional group and isocyanate ethyl methacrylate as a specific compound.

본 발명에 있어서, 모노머 단위 (a2-3) 는 식 (a2-3-2) 로 나타내는 모노머 단위인 것이 바람직하다.In the present invention, the monomer unit (a2-3) is preferably a monomer unit represented by the formula (a2-3-2).

[화학식 19][Chemical Formula 19]

Figure 112010066367407-pat00019
Figure 112010066367407-pat00019

(식 (a2-3-2) 중, R1 은 식 (a2-3-1) 에 있어서의 R1 과 동일한 의미이며 바람직한 범위도 동일하다. R2, R3 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다)(Formula (a2-3-2) of, R 1 is the same from the preferable range is the same meaning as that of R 1 in the formula (a2-3-1). R 2, R 3 are each independently a hydrogen atom or a methyl group Lt; / RTI &

이하에, 특정 관능기를 갖는 중합체를 얻기 위해 필요한, 특정 관능기를 갖는 모노머의 구체예를 드는데 이들에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the monomer having a specific functional group necessary for obtaining a polymer having a specific functional group are given below, but the invention is not limited thereto.

카르복시기를 갖는 모노머로는, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 모노(2-(아크릴로일옥시)에틸)프탈레이트, 모노(2-(메타크릴로일옥시)에틸)프탈레이트, N-(카르복시페닐)말레이미드, N-(카르복시페닐)메타크릴아미드, N-(카르복시페닐)아크릴아미드 등을 들 수 있다.Examples of the monomer having a carboxyl group include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, mono (2- (acryloyloxy) ethyl) phthalate, mono (2- (methacryloyloxy) (Carboxyphenyl) maleimide, N- (carboxyphenyl) methacrylamide, N- (carboxyphenyl) acrylamide and the like.

에폭시기를 갖는 모노머로는, 예를 들어 글리시딜메타크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, 알릴글리시딜에테르, 3-에테닐-7-옥사비시클로[4.1.0]헵탄, 1,2-에폭시-5-헥센, 1,7-옥타디엔모노에폭사이드, 3,4-에폭시시클로헥실메틸메타크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the monomer having an epoxy group include glycidyl methacrylate, glycidyl acrylate, allyl glycidyl ether, 3-ethenyl-7-oxabicyclo [4.1.0] heptane, Epoxy-5-hexene, 1,7-octadiene monoepoxide, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, and 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate.

하이드록시기를 갖는 모노머로는, 예를 들어 2-하이드록시에틸아크릴레이트, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트, 2-하이드록시프로필아크릴레이트, 2-하이드록시프로필메타크릴레이트, 4-하이드록시부틸아크릴레이트, 4-하이드록시부틸메타크릴레이트, 2,3-디하이드록시프로필아크릴레이트, 2,3-디하이드록시프로필메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜모노아크릴레이트, 디에틸렌글리콜모노메타크릴레이트, 카프로락톤2-(아크릴로일옥시)에틸에스테르, 카프로락톤2-(메타크릴로일옥시)에틸에스테르, 폴리(에틸렌글리콜)에틸에테르아크릴레이트, 폴리(에틸렌글리콜)에틸에테르메타크릴레이트, 5-아크릴로일옥시-6-하이드록시노르보르넨-2-카르복시릭-6-락톤, 5-메타크릴로일옥시-6-하이드록시노르보르넨-2-카르복시릭-6-락톤 등을 들 수 있다.Examples of the monomer having a hydroxyl group include 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, 4-hydroxybutyl Acrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate, 2,3-dihydroxypropyl acrylate, 2,3-dihydroxypropyl methacrylate, diethylene glycol monoacrylate, diethylene glycol monomethacrylate, Caprolactone 2- (acryloyloxy) ethyl ester, caprolactone 2- (methacryloyloxy) ethyl ester, poly (ethylene glycol) ethyl ether acrylate, poly (ethylene glycol) ethyl ether methacrylate, 5- Acryloyloxy-6-hydroxy norbornene-2-carboxy-6-lactone, 5-methacryloyloxy-6-hydroxy norbornene-2-carboxy-6- have.

활성 수소를 갖는 아미노기를 갖는 모노머로는, 2-아미노에틸아크릴레이트, 2-아미노메틸메타크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the monomer having an amino group having an active hydrogen include 2-aminoethyl acrylate and 2-aminomethyl methacrylate.

페놀성 수산기를 갖는 모노머로는, 예를 들어 하이드록시스티렌, N-(하이드록시페닐)아크릴아미드, N-(하이드록시페닐)메타크릴아미드, N-(하이드록시페닐)말레이미드 등을 들 수 있다.Examples of the monomer having a phenolic hydroxyl group include hydroxystyrene, N- (hydroxyphenyl) acrylamide, N- (hydroxyphenyl) methacrylamide and N- (hydroxyphenyl) maleimide. have.

또한, 이소시아네이트기를 갖는 모노머로는, 예를 들어 아크릴로일에틸이소시아네이트, 메타크릴로일에틸이소시아네이트, m-테트라메틸자일렌이소시아네이트 등을 들 수 있다.Examples of the monomer having an isocyanate group include acryloylethyl isocyanate, methacryloyl isocyanate, m-tetramethyl xylene isocyanate and the like.

또, 본 발명에 있어서는, 특정 관능기를 갖는 중합체를 얻을 때에, 전술한 특정 관능기를 갖는 모노머와 (a1) 카르복시기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위 또는 페놀성 수산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위가 되는 모노머를 병용한다. 또한, 후술하는 (a1) 및 (a2) 이외의 그 밖의 모노머 단위 (a3) 가 되는 모노머를 병용할 수 있다.In the present invention, in the case of obtaining a polymer having a specific functional group, the above-mentioned monomer having a specific functional group and (a1) a monomer unit having a carboxyl group protected with an acid-decomposable group or a monomer unit having a phenolic hydroxyl group protected with an acid- Are used in combination. Monomers other than the above-mentioned (a1) and (a2) which are other monomer units (a3) may be used in combination.

본 발명에 사용하는 특정 관능기를 갖는 중합체를 얻는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 특정 관능기를 갖는 모노머, 그 이외의 모노머 및 원하는 바에 따라 중합 개시제 등을 공존시킨 용제 중에 있어서, 50 ∼ 110 ℃ 의 온도하에서 중합 반응시킴으로써 얻어진다. 그 때, 사용되는 용제는 특정 관능기를 갖는 중합체를 구성하는 모노머 및 특정 관능기를 갖는 중합체를 용해시키는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 구체예로는, 후술하는 (D) 용제에 기재하는 용제를 들 수 있다. 이와 같이 하여 얻어지는 특정 관능기를 갖는 중합체는, 통상, 용제에 용해된 용액 상태이다.The method for obtaining the polymer having a specific functional group to be used in the present invention is not particularly limited. For example, in a solvent in which a monomer having a specific functional group, a monomer other than the monomer, and a polymerization initiator are co- Lt; 0 &gt; C. In this case, the solvent to be used is not particularly limited as long as it dissolves the monomer constituting the polymer having a specific functional group and the polymer having a specific functional group. Specific examples include the solvents described in the solvent (D) described later. The polymer having the specific functional group thus obtained is usually in a solution state dissolved in a solvent.

이어서, 얻어진 특정 관능기를 갖는 중합체와 특정 화합물을 반응시켜, 측사슬의 말단에 에틸렌성 불포화기를 갖는 모노머 단위 (a2-3) 를 얻을 수 있다. 그 때, 통상적으로는, 특정 관능기를 갖는 중합체의 용액을 반응에 제공한다. 예를 들어 카르복시기를 갖는 아크릴 중합체의 용액에, 벤질트리에틸암모늄클로라이드 등의 촉매 존재하, 80 ℃ ∼ 150 ℃ 의 온도에서 글리시딜메타크릴레이트를 반응시킴으로써, 모노머 단위 (a2-3) 를 얻을 수 있다.Then, the polymer having the specific functional group thus obtained is reacted with a specific compound to obtain a monomer unit (a2-3) having an ethylenic unsaturated group at the end of the side chain. Typically, a solution of a polymer having a specific functional group is then provided to the reaction. For example, glycidyl methacrylate is reacted with a solution of an acrylic polymer having a carboxyl group at a temperature of 80 ° C to 150 ° C in the presence of a catalyst such as benzyltriethylammonium chloride to obtain a monomer unit (a2-3) .

또, 모노머 단위 (a2-3) 를 형성하기 위해, 상기 서술한 바와 같은 고분자 반응을 이용하는 것 외에, 알릴메타크릴레이트, 알릴아크릴레이트 등을 라디칼 중합성 단량체로서 사용해도 된다. 이들 모노머 단위는 단독 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Further, in order to form the monomer unit (a2-3), in addition to the above-mentioned polymer reaction, allyl methacrylate, allylacrylate and the like may be used as the radical polymerizable monomer. These monomer units may be used alone or in combination of two or more.

(A) 성분을 구성하는 모노머 단위 중, 모노머 단위 (a2) 의 함유량은, 형성된 막의 각종 내성과 투명성의 관점에서 5 ∼ 60 몰% 가 바람직하고, 10 ∼ 55 몰% 가 보다 바람직하고, 20 ∼ 50 몰% 가 더욱 바람직하다. 상기 수치의 범위 내이면, 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 경화막의 투명성 및 ITO 스퍼터 내성이 양호해진다.The content of the monomer unit (a2) among the monomer units constituting the component (A) is preferably from 5 to 60 mol%, more preferably from 10 to 55 mol%, still more preferably from 20 to 50 mol%, from the viewpoints of various resistance and transparency of the formed film. More preferably 50 mol%. Within the above range, the transparency of the cured film obtained from the photosensitive resin composition and the ITO sputter resistance are improved.

(a3) 그 밖의 모노머 단위(a3) Other monomer units

본 발명에 있어서, (A) 성분은, 상기 모노머 단위 (a1) 및 (a2) 를 제외하고, 그 밖의 모노머 단위 (a3) 를 갖고 있어도 된다. 그 밖의 모노머 단위 (a3) 가 되는 모노머로는, 예를 들어 스티렌류, (메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산 고리형 알킬에스테르, (메트)아크릴산아릴에스테르, 불포화 디카르복실산디에스테르, 비시클로 불포화 화합물류, 말레이미드 화합물류, 불포화 방향족 화합물, 공액 디엔계 화합물, 불포화 모노카르복실산, 불포화 디카르복실산, 불포화 디카르복실산 무수물, 그 밖의 불포화 화합물을 들 수 있다.In the present invention, the component (A) may have other monomer units (a3) except for the monomer units (a1) and (a2). Examples of the other monomers to be the monomer unit (a3) include styrene, alkyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid cyclic alkyl ester, (meth) acrylic acid aryl ester, unsaturated dicarboxylic acid diester, Unsaturated aromatic compounds, conjugated diene compounds, unsaturated monocarboxylic acids, unsaturated dicarboxylic acids, unsaturated dicarboxylic acid anhydrides, and other unsaturated compounds can be given.

구체적으로는, 스티렌, tert-부톡시스티렌, 메틸스티렌, 하이드록시스티렌, α-메틸스티렌, 아세톡시스티렌, 메톡시스티렌, 에톡시스티렌, 클로로스티렌, 비닐벤조산메틸, 비닐벤조산에틸, (메트)아크릴산, (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산n-프로필, (메트)아크릴산이소프로필, (메트)아크릴산tert-부틸, (메트)아크릴산2-하이드록시에틸, (메트)아크릴산2-하이드록시프로필, (메트)아크릴산벤질, (메트)아크릴산이소보르닐, 글리시딜메타크릴레이트, 아크릴로니트릴 등에 의한 구성 단위를 들 수 있다. 이 밖에, 일본 공개특허공보 2004-264623호의 단락 0021 ∼ 0024 에 기재된 화합물을 들 수 있다. 그 중에서도, (최종) 가열 처리로 모노머 단위 (a2) 나 별도 첨가의 가교제와 반응하는 기가 생기는 기가, 막 강도의 관점에서 바람직하다. 구체적으로는 (메트)아크릴산 제3급 알킬에스테르가 바람직하고, (메트)아크릴산tert-부틸이 보다 바람직하다. 모노머 단위 (a3) 가 되는 모노머는 단독 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Specific examples include styrene, tert-butoxystyrene, methylstyrene, hydroxystyrene,? -Methylstyrene, acetoxystyrene, methoxystyrene, ethoxystyrene, chlorostyrene, vinylbenzoate, ethyl vinylbenzoate, Propyl (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, isopropyl Acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, benzyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, glycidyl methacrylate, acrylonitrile and the like. In addition, the compounds described in paragraphs 0021 to 0024 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2004-264623 can be mentioned. Among them, a group in which a group reacting with the monomer unit (a2) or a separately added crosslinking agent is produced by the (final) heating treatment is preferable from the viewpoint of film strength. Specifically, a tertiary alkyl ester of (meth) acrylic acid is preferable, and tert-butyl (meth) acrylate is more preferable. The monomers to be the monomer unit (a3) may be used singly or in combination of two or more.

또, (A) 공중합체는 보호되어 있지 않은 카르복시기를 갖는 모노머 단위 또는 보호되어 있지 않은 페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위를 1 ∼ 15 몰% 함유하는 것이 감도 면에서 바람직하다.The (A) copolymer preferably contains 1 to 15 mol% of an unprotected monomer unit having a carboxyl group or a monomer unit having an unprotected phenolic hydroxyl group from the viewpoint of sensitivity.

(A) 공중합체의 분자량은, 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량으로, 바람직하게는 1,000 ∼ 200,000, 보다 바람직하게는 2,000 ∼ 50,000 의 범위이다. 상기 수치의 범위 내이면, 감도와 ITO 적성이 양호하다.The molecular weight of the (A) copolymer is a weight average molecular weight in terms of polystyrene, preferably 1,000 to 200,000, more preferably 2,000 to 50,000. If it is within the above range, sensitivity and ITO suitability are good.

또, (A) 성분의 합성법에 대해서도 여러가지 방법이 알려져 있는데, 일례를 들면, 적어도 상기 (a1) 및 상기 (a2) 로 나타내는 모노머 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체를 포함하는 라디칼 중합성 단량체 혼합물을 유기 용제 중, 라디칼 중합 개시제를 사용하여 중합함으로써 합성할 수 있다.Various methods are also known for the method of synthesizing the component (A). For example, at least a radically polymerizable monomer containing a radical polymerizable monomer used for forming the monomer unit represented by the above (a1) and (a2) Can be synthesized by polymerization of a monomer mixture in an organic solvent using a radical polymerization initiator.

(B) 광산 발생제(B)

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (B) 광산 발생제를 함유한다. 본 발명에서 사용되는 광산 발생제 (「(B) 성분」이라고도 한다) 로는, 파장 300 ㎚ 이상, 바람직하게는 파장 300 ∼ 450 ㎚ 의 활성 광선에 감응하여, 산을 발생하는 화합물이 바람직하지만, 그 화학 구조에 제한되는 것은 아니다. 또, 파장 300 ㎚ 이상의 활성 광선에 직접 감응하지 않는 광산 발생제에 대해서도, 증감제와 병용함으로써 파장 300 ㎚ 이상의 활성 광선에 감응하여, 산을 발생하는 화합물이면, 증감제와 조합하여 바람직하게 사용할 수 있다. 본 발명에서 사용되는 광산 발생제로는, pKa 가 4 이하인 산을 발생하는 광산 발생제가 바람직하고, pKa 가 3 이하인 산을 발생하는 광산 발생제가 보다 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention contains (B) a photoacid generator. As the photoacid generator (also referred to as "component (B)") used in the present invention, a compound which generates an acid upon exposure to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more, preferably 300 to 450 nm, But is not limited to a chemical structure. In the case of a photoacid generator which does not directly react with an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more, a compound capable of generating an acid upon exposure to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more by being used in combination with a sensitizer can be preferably used in combination with a sensitizer have. As the photoacid generator used in the present invention, a photoacid generator that generates an acid with a pKa of 4 or less is preferable, and a photoacid generator that generates an acid with a pKa of 3 or less is more preferable.

광산 발생제의 예로서 트리클로로메틸-s-트리아진류, 술포늄염이나 요오드늄염, 제4급 암모늄염류, 디아조메탄 화합물, 이미드술포네이트 화합물 및 옥심술포네이트 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 절연성의 관점에서 옥심술포네이트 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 이들 광산 발생제는 1 종 단독 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the photoacid generator include trichloromethyl-s-triazine, sulfonium salts and iodonium salts, quaternary ammonium salts, diazomethane compounds, imidosulfonate compounds and oxime sulfonate compounds. Among them, it is preferable to use an oxime sulfonate compound from the standpoint of insulation. These photoacid generators may be used alone or in combination of two or more.

이들의 구체예로는, 이하를 예시할 수 있다.Specific examples thereof include the following.

트리클로로메틸-s-트리아진류로서, 2-(3-클로로페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메틸티오페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시-β-스티릴)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-피페로닐-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(푸란-2-일)에테닐]-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐]-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(4-디에틸아미노-2-메틸페닐)에테닐]-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진 또는 2-(4-메톡시나프틸)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진 등;As trichloromethyl-s-triazines, 2- (3-chlorophenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxyphenyl) -S-triazine, 2- (4-methylthiophenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) Triazine, 2-piperonyl-bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (furan- (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (5-methylfuran-2-yl) ethenyl] -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine or 2- (4-methoxynaphthyl) -s-triazine, 2- [ (4,6-trichloromethyl) -s-triazine and the like;

디아릴요오드늄염류로서, 디페닐요오드늄트리플루오로아세테이트, 디페닐요오드늄트리플루오로메탄술포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오드늄트리플루오로메탄술포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오드늄트리플루오로아세테이트, 페닐, 4-(2'-하이드록시-1'-테트라데카옥시)페닐요오드늄트리플루오로메탄술포네이트, 4-(2'-하이드록시-1'-테트라데카옥시)페닐요오드늄헥사플루오로안티모네이트, 페닐, 4-(2'-하이드록시-1'-테트라데카옥시)페닐요오드늄-p-톨루엔술포네이트 등;As the diaryl iodonium salts, there may be mentioned diphenyl iodonium trifluoroacetate, diphenyl iodonium trifluoromethane sulfonate, 4-methoxyphenyl phenyl iodonium trifluoromethane sulfonate, 4-methoxyphenylphenyl iodonium Phenyl-iodonium trifluoromethanesulfonate, 4- (2'-hydroxy-1'-tetradecarboxy) phenyl, iodonium trifluoromethanesulfonate, Iodonium hexafluoroantimonate, phenyl, 4- (2'-hydroxy-1'-tetradecarboxy) phenyliodonium-p-toluenesulfonate and the like;

트리아릴술포늄염류로서, 트리페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트, 트리페닐술포늄트리플루오로아세테이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄트리플루오로아세테이트, 4-페닐티오페닐디페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트 또는 4-페닐티오페닐디페닐술포늄트리플루오로아세테이트 등;As the triarylsulfonium salts, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenyldiphenyl 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, or 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoroacetate; and the like;

제4급 암모늄염류로서, 테트라메틸암모늄부틸트리스(2,6-디플루오로페닐)보레이트, 테트라메틸암모늄헥실트리스(p-클로로페닐)보레이트, 테트라메틸암모늄헥실트리스(3-트리플루오로메틸페닐)보레이트, 벤질디메틸페닐암모늄부틸트리스(2,6-디플루오로페닐)보레이트, 벤질디메틸페닐암모늄헥실트리스(p-클로로페닐)보레이트, 벤질디메틸페닐암모늄헥실트리스(3-트리플루오로메틸페닐)보레이트 등;Examples of the quaternary ammonium salts include tetramethylammonium butyltris (2,6-difluorophenyl) borate, tetramethylammonium hexyltris (p-chlorophenyl) borate, tetramethylammonium hexyltris (3-trifluoromethylphenyl) (P-chlorophenyl) borate, benzyldimethylphenylammonium hexyltris (3-trifluoromethylphenyl) borate, and the like can be used. ;

디아조메탄 유도체로서, 비스(시클로헥실술포닐)디아조메탄, 비스(t-부틸술포닐)디아조메탄, 비스(p-톨루엔술포닐)디아조메탄 등;Diazomethane derivatives such as bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (t-butylsulfonyl) diazomethane, bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane and the like;

이미드술포네이트 유도체로서, 트리플루오로메틸술포닐옥시비시클로[2.2.1]헵토-5-엔디카르복시이미드, 숙신이미드트리플루오로메틸술포네이트, 프탈이미드트리플루오로메틸술포네이트, N-하이드록시나프탈이미드메탄술포네이트, N-하이드록시-5-노르보르넨-2,3-디카르복시이미드프로판술포네이트 등;As the imidosulfonate derivative, trifluoromethylsulfonyloxybicyclo [2.2.1] hepto-5-endocarboximide, succinimide trifluoromethylsulfonate, phthalimide trifluoromethylsulfonate, N -Hydroxynaphthalimide methanesulfonate, N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboxyimide propanesulfonate and the like;

옥심술포네이트 화합물로서, 이하에 나타내는 화합물.As the oxime sulfonate compound, the following compounds.

옥심술포네이트 화합물, 즉, 옥심술포네이트 잔기를 갖는 화합물로는, 식 (b1) 로 나타내는 옥심술포네이트 잔기를 함유하는 화합물을 바람직하게 예시할 수 있다.As the oxime sulfonate compound, that is, the compound having an oxime sulfonate moiety, a compound containing an oxime sulfonate moiety represented by formula (b1) can be preferably exemplified.

[화학식 20][Chemical Formula 20]

Figure 112010066367407-pat00020
Figure 112010066367407-pat00020

(식 (b1) 중, R5 는 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다)(In the formula (b1), R 5 represents an alkyl group or an aryl group)

어느 기도 치환되어도 되고, R5 에 있어서의 알킬기는 직사슬형이어도 되고 분기 형상이어도 되고 고리형이어도 된다. 허용되는 치환기는 이하에 설명한다.The alkyl group in R 5 may be linear, branched or cyclic. The permissible substituents are described below.

R5 의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 10 의 직사슬형 또는 분기 형상 알킬기가 바람직하다. R5 의 알킬기는 탄소수 6 ∼ 11 의 아릴기, 탄소수 1 ∼ 10 의 알콕시기 또는 시클로알킬기 (7,7-디메틸-2-옥소노르보르닐기 등의 가교를 갖는 지환기를 함유하는, 바람직하게는 비시클로알킬기 등) 로 치환되어도 된다.As the alkyl group for R 5 , a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable. The alkyl group of R &lt; 5 &gt; is preferably an aryl group having 6 to 11 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms or a cycloalkyl group (including a cycloaliphatic group having a bridge such as a 7,7-dimethyl-2-oxonorbornyl group, A cycloalkyl group or the like).

R5 의 아릴기로는, 탄소수 6 ∼ 11 의 아릴기가 바람직하고, 페닐기 또는 나프틸기가 보다 바람직하다. R5 의 아릴기는 저급 알킬기, 알콕시기 혹은 할로겐 원자로 치환되어도 된다.As the aryl group for R 5, an aryl group having 6 to 11 carbon atoms is preferable, and a phenyl group or a naphthyl group is more preferable. The aryl group of R &lt; 5 &gt; may be substituted by a lower alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom.

상기 식 (b1) 로 나타내는 옥심술포네이트 잔기를 함유하는 화합물로는, 식 (OS-3), 식 (OS-4) 또는 식 (OS-5) 로 나타내는 옥심술포네이트 화합물인 것이 바람직하다.The oximesulfonate residue-containing compound represented by the above formula (b1) is preferably an oxime sulfonate compound represented by the formula (OS-3), the formula (OS-4) or the formula (OS-5) .

[화학식 21][Chemical Formula 21]

Figure 112010066367407-pat00021
Figure 112010066367407-pat00021

(식 (OS-3) ∼ 식 (OS-5) 중, R1 은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R2 는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내고, R6 은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 술폰산기, 아미노술포닐기 또는 알콕시술포닐기를 나타내고, X 는 O 또는 S 를 나타내고, n 은 1 또는 2 를 나타내고, m 은 0 ∼ 6 의 정수를 나타낸다)(Formula (OS-3) ~ formula (OS-5) of, R 1 is an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, R 6 An alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, X represents O or S, n represents 1 or 2, and m represents an integer of 0 to 6, )

상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, R1 에 있어서의 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기는 치환기를 갖고 있어도 된다.In the above formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group, aryl group or heteroaryl group in R 1 may have a substituent.

상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, R1 에 있어서의 알킬기로는, 치환기를 갖고 있어도 되는 총 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬기인 것이 바람직하다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group for R 1 is preferably an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms in total which may have a substituent.

R1 에 있어서의 알킬기가 갖고 있어도 되는 치환기로는, 할로겐 원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group in R 1 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group and an aminocarbonyl group.

R1 에 있어서의 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로헥실기, 벤질기, 페녹시에틸기, 메틸티오에틸기, 페닐티오에틸기, 에톡시카르보닐에틸기, 페녹시카르보닐에틸기, 디메틸아미노카르보닐에틸기를 들 수 있다.Examples of the alkyl group for R 1 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, N-decyl group, trifluoromethyl group, perfluoropropyl group, perfluorohexyl group, benzyl group, phenoxyethyl group, methylthioethyl group, phenylthioethyl group, ethoxycarbonylethyl group , A phenoxycarbonylethyl group, and a dimethylaminocarbonylethyl group.

이들 중에서도, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로헥실기, 벤질기가 바람직하다.Of these, preferred are a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an s- An n-dodecyl group, a trifluoromethyl group, a perfluoropropyl group, a perfluorohexyl group, and a benzyl group are preferable.

또, 상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, R1 에 있어서의 아릴기로는, 치환기를 가져도 되는 총 탄소수 6 ∼ 30 의 아릴기가 바람직하다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the aryl group in R 1 is preferably an aryl group having 6 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

R1 에 있어서의 아릴기가 갖고 있어도 되는 치환기로는, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기, 술폰산기, 아미노술포닐기, 알콕시술포닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the aryl group in R 1 may have include a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, an aminocarbonyl group, A sulfonyl group, and an alkoxysulfonyl group.

R1 에 있어서의 아릴기로는, 페닐기, p-메틸페닐기, p-클로로페닐기, 펜타클로로페닐기, 펜타플루오로페닐기, o-메톡시페닐기, p-페녹시페닐기, p-메틸티오페닐기, p-페닐티오페닐기, p-에톡시카르보닐페닐기, p-페녹시카르보닐페닐기, p-디메틸아미노카르보닐페닐기를 들 수 있다.Examples of the aryl group for R 1 include a phenyl group, a p-methylphenyl group, a p-chlorophenyl group, a pentachlorophenyl group, a pentafluorophenyl group, an o-methoxyphenyl group, Phenylthiophenyl group, p-ethoxycarbonylphenyl group, p-phenoxycarbonylphenyl group, and p-dimethylaminocarbonylphenyl group.

이들 중에서도, 페닐기, p-메틸페닐기, p-클로로페닐기, 펜타클로로페닐기, 펜타플루오로페닐기, o-메톡시페닐기, p-페녹시페닐기가 바람직하다.Among them, a phenyl group, p-methylphenyl group, p-chlorophenyl group, pentachlorophenyl group, pentafluorophenyl group, o-methoxyphenyl group and p-phenoxyphenyl group are preferable.

또, 상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, R1 에 있어서의 헤테로아릴기로는, 치환기를 가져도 되는 총 탄소수 4 ∼ 30 의 헤테로아릴기가 바람직하다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the heteroaryl group for R 1 is preferably a heteroaryl group having 4 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

R1 에 있어서의 헤테로아릴기가 갖고 있어도 되는 치환기로는, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기, 술폰산기, 아미노술포닐기, 알콕시술포닐기를 들 수 있다.The substituent which R 1 may have as a heteroaryl group includes a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, an aminocarbonyl group, An aminosulfonyl group, and an alkoxysulfonyl group.

상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, R1 에 있어서의 헤테로아릴기는, 적어도 하나의 고리가 복소 방향고리이면 되고, 예를 들어 복소 방향고리와 벤젠고리가 축환되어 있어도 된다.Among the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the heteroaryl group for R 1 may be at least one of the rings may be a heterocyclic ring. For example, the heterocyclic ring and the benzene ring may be covalently bonded.

R1 에 있어서의 헤테로아릴기로는, 치환기를 갖고 있어도 되는, 티오펜고리, 피롤고리, 티아졸고리, 이미다졸고리, 푸란고리, 벤조티오펜고리, 벤조티아졸고리 및 벤조이미다졸고리로 이루어지는 군에서 선택된 고리에서 1 개의 수소 원자를 제거한 기를 들 수 있다.Examples of the heteroaryl group for R 1 include a group consisting of a thiophene ring, a pyrrole ring, a thiazole ring, an imidazole ring, a furan ring, a benzothiophene ring, a benzothiazole ring and a benzoimidazole ring, which may have a substituent And a group in which one hydrogen atom is removed from the ring selected in the group.

상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, R2 는, 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기인 것이 바람직하고, 수소 원자 또는 알킬기인 것이 보다 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), R 2 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, more preferably a hydrogen atom or an alkyl group.

상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, 화합물 중에 2 이상 존재하는 R2 중, 1 개 또는 2 개가 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자인 것이 바람직하고, 1 개가 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자인 것이 보다 바람직하고, 1 개가 알킬기이고, 또한 나머지가 수소 원자인 것이 특히 바람직하다.Of these formulas (OS-3) to (OS-5), one or two of R 2 present in two or more of the compounds are preferably an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, and one of R 2 is preferably an alkyl group, More preferably an atom, and it is particularly preferable that one is an alkyl group and the remainder is a hydrogen atom.

상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, R2 에 있어서의 알킬기 또는 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 된다.Among the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group or aryl group in R 2 may have a substituent.

R2 에 있어서의 알킬기 또는 아릴기가 갖고 있어도 되는 치환기로는, 상기 R1 에 있어서의 알킬기 또는 아릴기가 갖고 있어도 되는 치환기와 동일한 기를 예시할 수 있다.Examples of the substituent that the alkyl group or aryl group in R 2 may have include the same group as the substituent that the alkyl group or aryl group in R 1 may have.

R2 에 있어서의 알킬기로는, 치환기를 가져도 되는 총 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기인 것이 바람직하고, 치환기를 가져도 되는 총 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기인 것이 보다 바람직하다.The alkyl group in R 2 is preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms in total which may have a substituent and more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms in total which may have a substituent.

R2 에 있어서의 알킬기로서 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, 알릴기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 퍼플루오로헥실기, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 메톡시메틸기, 벤질기, 페녹시에틸기, 메틸티오에틸기, 페닐티오에틸기, 에톡시카르보닐에틸기, 페녹시카르보닐에틸기, 디메틸아미노카르보닐에틸기를 들 수 있다.Specific examples of the alkyl group for R 2 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i-butyl group, A perfluorohexyl group, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a methoxymethyl group, a benzyl group, a phenoxyethyl group, a methylthioethyl group, a naphthyl group, a naphthyl group, , A phenylthioethyl group, an ethoxycarbonylethyl group, a phenoxycarbonylethyl group, and a dimethylaminocarbonylethyl group.

이들 중에서도, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, n-헥실기, 알릴기, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 메톡시메틸기, 벤질기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, n-헥실기가 보다 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-헥실기가 더욱 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다.Among them, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i-butyl group, an s- , A benzyl group is preferable and a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n- butyl group, Propyl group, n-butyl group and n-hexyl group are more preferable, and methyl group is particularly preferable.

R2 에 있어서의 아릴기로는, 치환기를 가져도 되는 총 탄소수 6 ∼ 30 의 아릴기인 것이 바람직하다.The aryl group in R 2 is preferably an aryl group having a total of 6 to 30 carbon atoms which may have a substituent.

R2 에 있어서의 아릴기로서 구체적으로는, 페닐기, p-메틸페닐기, o-클로로페닐기, p-클로로페닐기, o-메톡시페닐기, p-페녹시페닐기, p-메틸티오페닐기, p-페닐티오페닐기, p-에톡시카르보닐페닐기, p-페녹시카르보닐페닐기, p-디메틸아미노카르보닐페닐기를 들 수 있다.Specific examples of the aryl group for R 2 include a phenyl group, a p-methylphenyl group, an o-chlorophenyl group, a p-chlorophenyl group, an o-methoxyphenyl group, Thiophenyl group, p-ethoxycarbonylphenyl group, p-phenoxycarbonylphenyl group, and p-dimethylaminocarbonylphenyl group.

이들 중에서도, 페닐기, p-메틸페닐기, o-클로로페닐기, p-클로로페닐기, o-메톡시페닐기, p-페녹시페닐기가 바람직하다.Among them, a phenyl group, a p-methylphenyl group, an o-chlorophenyl group, a p-chlorophenyl group, an o-methoxyphenyl group and a p-phenoxyphenyl group are preferable.

R2 에 있어서의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.Examples of the halogen atom in R 2 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.

이들 중에서도, 염소 원자, 브롬 원자가 바람직하다.Of these, a chlorine atom and a bromine atom are preferable.

상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, X 는 O 또는 S 를 나타내고, O 인 것이 바람직하다.Of the above formulas (OS-3) to (OS-5), X represents O or S, and is preferably O.

식 (OS-3) ∼ (OS-5) 에 있어서, X 를 고리원으로서 포함하는 고리는 5 원자고리 또는 6 원자고리이다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), the ring containing X as a ring source is a five-membered ring or a six-membered ring.

상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, n 은 1 또는 2 를 나타내고, X 가 O 인 경우, n 은 1 인 것이 바람직하고, 또, X 가 S 인 경우, n 은 2 인 것이 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), n represents 1 or 2, and when X is O, n is preferably 1. When X is S, n is 2 desirable.

상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, R6 에 있어서의 알킬기 및 알킬옥시기는 치환기를 갖고 있어도 된다.Among the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group and alkyloxy group in R 6 may have a substituent.

상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, R6 에 있어서의 알킬기로는, 치환기를 갖고 있어도 되는 총 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬기인 것이 바람직하다.Among the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group for R 6 is preferably an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms in total which may have a substituent.

R6 에 있어서의 알킬기가 갖고 있어도 되는 치환기로는, 할로겐 원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group in R 6 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group and an aminocarbonyl group.

R6 에 있어서의 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로헥실기, 벤질기, 페녹시에틸기, 메틸티오에틸기, 페닐티오에틸기, 에톡시카르보닐에틸기, 페녹시카르보닐에틸기, 디메틸아미노카르보닐에틸기를 들 수 있다.Examples of the alkyl group for R 6 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an s- N-decyl group, trifluoromethyl group, perfluoropropyl group, perfluorohexyl group, benzyl group, phenoxyethyl group, methylthioethyl group, phenylthioethyl group, ethoxycarbonylethyl group , A phenoxycarbonylethyl group, and a dimethylaminocarbonylethyl group.

이들 중에서도, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로헥실기, 벤질기가 바람직하다.Of these, preferred are a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an s- An n-dodecyl group, a trifluoromethyl group, a perfluoropropyl group, a perfluorohexyl group, and a benzyl group are preferable.

상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, R6 에 있어서의 알킬옥시기로는, 치환기를 가져도 되는 총 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬옥시기인 것이 바람직하다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyloxy group in R 6 is preferably an alkyloxy group having 1 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

R6 에 있어서의 알킬옥시기가 갖고 있어도 되는 치환기로는, 할로겐 원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyloxy group in R 6 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group and an aminocarbonyl group.

R6 에 있어서의 알킬옥시기로는, 메틸옥시기, 에틸옥시기, 부틸옥시기, 헥실옥시기, 페녹시에틸옥시기, 트리클로로메틸옥시기, 에톡시에틸옥시기, 메틸티오에틸옥시기, 페닐티오에틸옥시기, 에톡시카르보닐에틸옥시기, 페녹시카르보닐에틸옥시기, 디메틸아미노카르보닐에틸옥시기를 들 수 있다.Examples of the alkyloxy group in R 6 include a methyloxy group, an ethyloxy group, a butyloxy group, a hexyloxy group, a phenoxyethyloxy group, a trichloromethyloxy group, an ethoxyethyloxy group, a methylthioethyloxy group, A phenylthioethyloxy group, an ethoxycarbonylethyloxy group, a phenoxycarbonylethyloxy group, and a dimethylaminocarbonylethyloxy group.

이들 중에서도, 메틸옥시기, 에틸옥시기, 부틸옥시기, 헥실옥시기, 페녹시에틸옥시기, 트리클로로메틸옥시기 또는 에톡시에틸옥시기가 바람직하다.Of these, methyloxy, ethyloxy, butyloxy, hexyloxy, phenoxyethyloxy, trichloromethyloxy or ethoxyethyloxy groups are preferred.

상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, R6 에 있어서의 아미노술포닐기로는, 메틸아미노술포닐기, 디메틸아미노술포닐기, 페닐아미노술포닐기, 메틸페닐아미노술포닐기, 아미노술포닐기를 들 수 있다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), examples of the aminosulfonyl group for R 6 include a methylaminosulfonyl group, a dimethylaminosulfonyl group, a phenylaminosulfonyl group, a methylphenylaminosulfonyl group and an aminosulfonyl group .

상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, R6 에 있어서의 알콕시술포닐기로는, 메톡시술포닐기, 에톡시술포닐기, 프로필옥시술포닐기, 부틸옥시술포닐기를 들 수 있다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), examples of the alkoxysulfonyl group for R 6 include a methoxysulfonyl group, ethoxysulfonyl group, propyloxysulfonyl group and butyloxysulfonyl group .

또, 상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, m 은 0 ∼ 6 의 정수를 나타내고, 0 ∼ 2 의 정수인 것이 바람직하고, 0 또는 1 인 것이 보다 바람직하고, 0 인 것이 특히 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), m represents an integer of 0 to 6, preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1, Do.

또, 상기 식 (b1) 로 나타내는 옥심술포네이트 잔기를 함유하는 화합물은, 하기 식 (OS-6) ∼ (OS-11) 중 어느 것으로 나타내는 옥심술포네이트 화합물인 것이 특히 바람직하다.It is particularly preferable that the compound containing an oxime sulfonate residue represented by the formula (b1) is an oxime sulfonate compound represented by any of the following formulas (OS-6) to (OS-11).

[화학식 22][Chemical Formula 22]

Figure 112010066367407-pat00022
Figure 112010066367407-pat00022

(식 (OS-6) ∼ (OS-11) 중, R1 은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R7 은 수소 원자 또는 브롬 원자를 나타내고, R8 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기, 할로겐 원자, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 브로모에틸기, 메톡시메틸기, 페닐기 또는 클로로페닐기를 나타내고, R9 는 수소 원자, 할로겐 원자, 메틸기 또는 메톡시기를 나타내고, R10 은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다)Wherein R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, R 7 represents a hydrogen atom or a bromine atom, and R 8 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms R 9 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a methyl group or a methoxy group, R 10 represents a hydrogen atom or a methyl group, a halogen atom, a halogen atom, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a bromoethyl group, a methoxymethyl group, a phenyl group or a chlorophenyl group, Lt; / RTI &

식 (OS-6) ∼ (OS-11) 에 있어서의 R1 은 상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 에 있어서의 R1 과 동일한 의미이고, 바람직한 양태도 동일하다.Expression and (OS-6) ~ (OS -11) R 1 has the same meaning as R 1 in the formula (OS-3) ~ (OS -5) in the, preferred embodiments are also the same.

식 (OS-6) 에 있어서의 R7 은 수소 원자 또는 브롬 원자를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R 7 in the formula (OS-6) represents a hydrogen atom or a bromine atom, and is preferably a hydrogen atom.

식 (OS-6) ∼ (OS-11) 에 있어서의 R8 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기, 할로겐 원자, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 브로모에틸기, 메톡시메틸기, 페닐기 또는 클로로페닐기를 나타내고, 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기, 할로겐 원자 또는 페닐기인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기인 것이 더욱 바람직하고, 메틸기인 것이 특히 바람직하다.R 8 in the formulas (OS-6) to (OS-11) represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a halogen atom, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a bromoethyl group, a methoxymethyl group, And is preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a halogen atom or a phenyl group, more preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, further preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, particularly preferably a methyl group.

식 (OS-8) 및 식 (OS-9) 에 있어서의 R9 는 수소 원자, 할로겐 원자, 메틸기 또는 메톡시기를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R 9 in formulas (OS-8) and (OS-9) represents a hydrogen atom, a halogen atom, a methyl group or a methoxy group, and is preferably a hydrogen atom.

식 (OS-8) ∼ (OS-11) 에 있어서의 R10 은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R 10 in the formulas (OS-8) to (OS-11) represents a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a hydrogen atom.

또, 상기 옥심술포네이트 화합물에 있어서, 옥심의 입체 구조 (E, Z) 에 대해서는, 어느 일방이어도 되고, 혼합물이어도 된다.In the oxime sulfonate compound, the three-dimensional structure (E, Z) of oxime may be either one of them or a mixture thereof.

상기 식 (OS-3) ∼ 식 (OS-5) 로 나타내는 옥심술포네이트 화합물의 구체예로는, 하기 예시 화합물을 들 수 있는데, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the oxime sulfonate compound represented by the above formulas (OS-3) to (OS-5) include the following exemplified compounds, but the present invention is not limited thereto.

[화학식 23](23)

Figure 112010066367407-pat00023
Figure 112010066367407-pat00023

[화학식 24]&Lt; EMI ID =

Figure 112010066367407-pat00024
Figure 112010066367407-pat00024

[화학식 25](25)

Figure 112010066367407-pat00025
Figure 112010066367407-pat00025

[화학식 26](26)

Figure 112010066367407-pat00026
Figure 112010066367407-pat00026

[화학식 27](27)

Figure 112010066367407-pat00027
Figure 112010066367407-pat00027

[화학식 28](28)

Figure 112010066367407-pat00028
Figure 112010066367407-pat00028

[화학식 29][Chemical Formula 29]

Figure 112010066367407-pat00029
Figure 112010066367407-pat00029

식 (b1) 로 나타내는 옥심술포네이트 잔기를 함유하는 상기 화합물로는, 식 (OS-1) 로 나타내는 화합물인 것도 바람직하다.The compound containing an oxime sulfonate residue represented by the formula (b1) is preferably a compound represented by the formula (OS-1).

[화학식 30](30)

Figure 112010066367407-pat00030
Figure 112010066367407-pat00030

(식 (OS-1) 중, R1 은 수소 원자, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 아실기, 카르바모일기, 술파모일기, 술포기, 시아노기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타낸다. R2 는 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다)(Wherein R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an acyl group, a carbamoyl group, a sulfamoyl group, a sulfo group, a cyano group, an aryl group or a heteroaryl group Lt; 2 &gt; represents an alkyl group or an aryl group)

X 는 -O-, -S-, -NH-, -NR5-, -CH2-, -CR6H- 또는 -CR6R7- 를 나타내고, R5 ∼ R7 은 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.X is -O-, -S-, -NH-, -NR 5 -, -CH 2 -, -CR 6 H- or -CR 6 R 7 - represents a, R 5 ~ R 7 represents an alkyl group or an aryl group .

R21 ∼ R24 는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아미노기, 알콕시카르보닐기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 아미드기, 술포기, 시아노기 또는 아릴기를 나타낸다. R21 ∼ R24 중 2 개는 각각 서로 결합하여 고리를 형성해도 된다.R 21 to R 24 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an amino group, an alkoxycarbonyl group, an alkylcarbonyl group, an arylcarbonyl group, an amide group, a sulfo group, a cyano group or an aryl group. Two of R 21 to R 24 may be bonded to each other to form a ring.

R21 ∼ R24 로는, 수소 원자, 할로겐 원자 및 알킬기가 바람직하고, 또, R21 ∼ R24 중 적어도 2 개가 서로 결합하여 아릴기를 형성하는 양태도 또한 바람직하게 들 수 있다. 그 중에서도, R21 ∼ R24 가 모두 수소 원자인 양태가 감도의 관점에서 바람직하다.As R 21 to R 24 , a hydrogen atom, a halogen atom and an alkyl group are preferable, and at least two of R 21 to R 24 are bonded to each other to form an aryl group. Among them, embodiments in which all of R 21 to R 24 are hydrogen atoms are preferable from the viewpoint of sensitivity.

이미 서술한 관능기는 모두, 추가로 치환기를 갖고 있어도 된다.All of the above-described functional groups may further have a substituent.

상기 식 (OS-1) 로 나타내는 화합물은 하기 식 (OS-2) 로 나타내는 화합물인 것이 보다 바람직하다.The compound represented by the above formula (OS-1) is more preferably a compound represented by the following formula (OS-2).

[화학식 31](31)

Figure 112010066367407-pat00031
Figure 112010066367407-pat00031

상기 식 (OS-2) 중, R1, R2, R21 ∼ R24 는 각각 식 (OS-1) 의 것과 동일한 의미이고, 바람직한 예도 또한 동일하다.In the formula (OS-2), R 1 , R 2 and R 21 to R 24 have the same meanings as those of the formula (OS-1), and preferable examples are also the same.

이들 중에서도, 식 (OS-1) 및 식 (OS-2) 에 있어서의 R1 이 시아노기 또는 아릴기인 양태가 보다 바람직하고, 식 (OS-2) 로 나타내고, R1 이 시아노기, 페닐기 또는 나프틸기인 양태가 가장 바람직하다.Among them, the embodiment wherein R 1 in the formulas (OS-1) and (OS-2) is a cyano group or an aryl group is more preferable and an embodiment in which R 1 is a cyano group, Naphthyl group is most preferable.

또, 상기 옥심술포네이트 화합물에 있어서, 옥심이나 벤조티아졸고리의 입체 구조 (E, Z 등) 에 대해서는 각각, 어느 일방이어도 되고, 혼합물이어도 된다.In the oxime sulfonate compound, the stereostructure (E, Z, etc.) of the oxime or benzothiazole ring may be either one or a mixture thereof.

이하에, 본 발명에 바람직하게 사용할 수 있는 식 (OS-1) 로 나타내는 화합물의 구체예 (예시 화합물 b-1 ∼ b-34) 를 나타내는데, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 또한, Me 는 메틸기를 나타내고, Et 는 에틸기를 나타내고, Bn 은 벤질기를 나타내고, Ph 는 페닐기를 나타낸다.Specific examples (Exemplary Compounds b-1 to b-34) of a compound represented by formula (OS-1) which can be preferably used in the present invention are shown below, but the present invention is not limited thereto. Me represents a methyl group, Et represents an ethyl group, Bn represents a benzyl group, and Ph represents a phenyl group.

[화학식 32](32)

Figure 112010066367407-pat00032
Figure 112010066367407-pat00032

[화학식 33](33)

Figure 112010066367407-pat00033
Figure 112010066367407-pat00033

[화학식 34](34)

Figure 112010066367407-pat00034
Figure 112010066367407-pat00034

[화학식 35](35)

Figure 112010066367407-pat00035
Figure 112010066367407-pat00035

상기 화합물 중에서도, 감도와 안정성의 양립의 관점에서 b-9, b-16, b-31, b-33 이 바람직하다.Among these compounds, b-9, b-16, b-31 and b-33 are preferable from the viewpoint of compatibility between sensitivity and stability.

식 (b1) 로 나타내는 옥심술포네이트 잔기를 함유하는 상기 화합물은 하기 식 (b2) 로 나타내는 옥심술포네이트 화합물인 것이 보다 바람직하다.It is more preferable that the compound containing an oxime sulfonate residue represented by the formula (b1) is an oxime sulfonate compound represented by the following formula (b2).

[화학식 36](36)

Figure 112010066367407-pat00036
Figure 112010066367407-pat00036

(식 (b2) 중, R5 는 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, X 는 알킬기, 알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타내고, m 은 0 ∼ 3 의 정수를 나타내고, m 이 2 또는 3 일 때, 복수의 X 는 동일해도 되고 상이해도 된다)(In the formula (b2), R 5 represents an alkyl group or an aryl group, X represents an alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom, m represents an integer of 0 to 3, and when m is 2 or 3, They may be the same or different)

X 로서의 알킬기는 탄소수 1 ∼ 4 의 직사슬형 또는 분기 형상 알킬기가 바람직하다.The alkyl group as X is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

X 로서의 알콕시기는 탄소수 1 ∼ 4 의 직사슬형 또는 분기 형상 알콕시기가 바람직하다.The alkoxy group as X is preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms.

X 로서의 할로겐 원자는 염소 원자 또는 불소 원자가 바람직하다.The halogen atom as X is preferably a chlorine atom or a fluorine atom.

m 은 0 또는 1 이 바람직하다.m is preferably 0 or 1.

식 (b2) 중, m 이 1 이고, X 가 메틸기이고, X 의 치환 위치가 오르토 위치이고, R5 가 탄소수 1 ∼ 10 의 직사슬형 알킬기, 7,7-디메틸-2-옥소노르보르닐메틸기, 또는 p-톨루일기인 화합물이 특히 바람직하다.In the formula (b2), m is 1, X is a methyl group, X is a substituted position in the ortho position, R 5 is a linear alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, 7,7-dimethyl-2-oxonorbornyl Methyl group, or p-toluyl group is particularly preferable.

식 (b1) 로 나타내는 옥심술포네이트 잔기를 함유하는 화합물은 식 (b3) 으로 나타내는 옥심술포네이트 화합물인 것도 보다 바람직하다.The compound containing an oxime sulfonate group represented by formula (b1) is more preferably an oxime sulfonate compound represented by formula (b3).

[화학식 37](37)

Figure 112010066367407-pat00037
Figure 112010066367407-pat00037

(식 (b3) 중, R5 는 식 (b1) 에 있어서의 R5 와 동일한 의미이고, X' 는 할로겐 원자, 수산기, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 4 의 알콕시기, 시아노기 또는 니트로기를 나타내고, L 은 0 ∼ 5 의 정수를 나타낸다)(Wherein (b3), R 5 is the same meaning as R 5 in the formula (b1), X 'is a group of a halogen atom, a hydroxyl group, having from 1 to 4 carbon atoms, having from 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group, a cyano group or A nitro group, and L represents an integer of 0 to 5)

식 (b3) 에 있어서의 R5 로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-옥틸기, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, p-톨릴기, 4-클로로페닐기 또는 펜타플루오로페닐기가 바람직하고, n-옥틸기가 특히 바람직하다.Examples of R 5 in the formula (b3) include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, an n-octyl group, a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a perfluoro- N-butyl group, p-tolyl group, 4-chlorophenyl group or pentafluorophenyl group is preferable, and n-octyl group is particularly preferable.

X' 로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기가 보다 바람직하다.As X ', an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a methoxy group is more preferable.

L 로는, 0 ∼ 2 가 바람직하고, 0 ∼ 1 이 특히 바람직하다.L is preferably 0 to 2, and particularly preferably 0 to 1.

식 (b3) 으로 나타내는 화합물의 구체예로는, α-(메틸술포닐옥시이미노)벤질시아니드, α-(에틸술포닐옥시이미노)벤질시아니드, α-(n-프로필술포닐옥시이미노)벤질시아니드, α-(n-부틸술포닐옥시이미노)벤질시아니드, α-(4-톨루엔술포닐옥시이미노)벤질시아니드, α-[(메틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴, α-[(에틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴, α-[(n-프로필술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴, α-[(n-부틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴, α-[(4-톨루엔술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴을 들 수 있다.Specific examples of the compound represented by the formula (b3) include α- (methylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide, α- (ethylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide, α- (n-propylsulfonyloxyimino) Benzyl cyanide,? - (methylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl, benzyl cyanide,? - (n-butylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide, - [(ethylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, alpha - [(n-propylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, n-butylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, and? - [(4-toluenesulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile.

바람직한 옥심술포네이트 화합물의 구체예로는, 하기 화합물 (i) ∼ (viii) 등을 들 수 있고, 1 종 단독으로 사용하거나 또는 2 종류 이상을 병용할 수 있다. 화합물 (i) ∼ (viii) 은 시판품으로서 입수할 수 있다. 또, 다른 종류의 (B) 광산 발생제와 조합하여 사용할 수도 있다.Specific examples of the preferable oxime sulfonate compounds include the following compounds (i) to (viii), and they may be used singly or in combination of two or more. The compounds (i) to (viii) are commercially available. In addition, it may be used in combination with other types of (B) photoacid generators.

[화학식 38](38)

Figure 112010066367407-pat00038
Figure 112010066367407-pat00038

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서, (B) 광산 발생제는, (A) 성분 100 중량부에 대해, 0.1 ∼ 10 중량부 사용하는 것이 바람직하고, 0.5 ∼ 10 중량부 사용하는 것이 보다 바람직하다.In the photosensitive resin composition of the present invention, the photoacid generator (B) is preferably used in an amount of 0.1 to 10 parts by weight, more preferably 0.5 to 10 parts by weight, per 100 parts by weight of the component (A).

(C) 식 (c1) 로 나타내는 부분 구조를 분자 내에 적어도 2 개 갖고, 분자량이 600 이상 2,000 이하인 화합물(C) a compound having at least two partial structures represented by formula (c1) in the molecule and having a molecular weight of 600 or more and 2,000 or less

본 발명의 감광성 수지 조성물에는, (C) 식 (c1) 로 나타내는 부분 구조를 분자 내에 적어도 2 개 갖고, 분자량이 600 이상 2,000 이하인 화합물 (이하, 적절히 「(C) 성분」, 「특정 페놀계 화합물 (C)」이라고도 한다) 을 함유한다.(C) a compound having at least two partial structures represented by the formula (c1) in the molecule and having a molecular weight of from 600 to 2,000 (hereinafter appropriately referred to as "component (C)", "specific phenol compound (C) &quot;).

[화학식 39][Chemical Formula 39]

Figure 112010066367407-pat00039
Figure 112010066367407-pat00039

(식 (c1) 중, R1 및 R2 는 각각 독립적으로 메틸기 또는 tert-부틸기를 나타내고, R1 및 R2 중 적어도 하나는 tert-부틸기이고, R3 은 -O- 또는 -NH- 를 나타낸다)(In the formula (c1), R 1 and R 2 each independently represents a methyl group or a tert-butyl group, at least one of R 1 and R 2 is a tert-butyl group, R 3 represents -O- or -NH- )

R1 및 R2 는 각각 독립적으로 메틸기 또는 tert-부틸기를 나타내고, R1 및 R2 중 적어도 하나는 tert-부틸기인데, R1 및 R2 의 쌍방이 tert-부틸기인 것이 바람직하다.R 1 and R 2 are each independently a methyl group or represents a tert- butyl, at least one of R 1 and R 2 is the tert- butyl group, and both of R 1 and R 2 is preferably tert- butyl group.

또, R3 은 -O- 또는 -NH- 를 나타내고, -O- 인 것이 바람직하다.R 3 represents -O- or -NH- and is preferably -O-.

특정 페놀계 화합물 (C) 을 함유시킴으로써, 베이크 공정시의 착색이 저감되어, 우수한 투명성을 갖는 층간 절연막 (경화막) 을 얻을 수 있다. 또한, 특정 페놀계 화합물 (C) 과 아세탈 구조를 갖는 수지를 조합하여 사용한 경우만, 층간 절연막의 컨택트 홀 직경이, 베이크 전후에서 변화하지 않는다는 놀랄만한 효과를 발현한다. 또한, 특정 페놀계 화합물 (C) 과 아크릴계 수지를 조합하여 사용한 경우만, 층간 절연막의 비유전율을 저하시킨다는 놀랄만한 효과를 발현한다.By containing the specific phenol compound (C), the coloring in the baking step is reduced, and an interlayer insulating film (cured film) having excellent transparency can be obtained. In addition, when the specific phenol compound (C) and the resin having an acetal structure are used in combination, the contact hole diameter of the interlayer insulating film does not change before and after the baking. In addition, only when a specific phenol compound (C) and an acrylic resin are used in combination, a remarkable effect of lowering the relative dielectric constant of the interlayer insulating film is exhibited.

특정 페놀계 화합물 (C) 은 분자 내에 상기 식 (c1) 로 나타내는 부분 구조를 분자 내에 2 개 이상 갖는데, 이 부분 구조는 2 개 이상 6 개 이하 포함하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는, 2 개 이상 4 개 이하의 범위에서 포함하는 화합물이다.The specific phenol compound (C) has two or more partial structures represented by the formula (c1) in the molecule in the molecule, and it is preferable that the partial structure contains two or more and six or less partial structures, more preferably two Or more and 4 or less.

이와 같은 화합물의 예로는, 테트라키스{메틸렌-3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트}메탄, 테트라키스{메틸렌-3-(3-tert-부틸-4-하이드록시-5-메틸페닐)프로피오네이트}메탄, 3,9-비스[2-[3-(3-tert-부틸-4-하이드록시-5-메틸페닐)프로피오닐옥시]-1,1-디메틸에틸]-2,4,8,10-테트라옥사스피로[5.5]운데칸, 3,9-비스[2-[3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오닐옥시]-1,1-디메틸에틸]-2,4,8,10-테트라옥사스피로[5.5]운데칸, N,N'-헥산-1,6-디일비스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐프로피온아미드)], N,N'-옥탄-1,8-디일비스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐프로피온아미드)] 등을 들 수 있다.Examples of such compounds include tetrakis {methylene-3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate} methane, tetrakis {methylene- Methylphenyl) propionate} methane, 3,9-bis [2- [3- (3-tert- butyl-4-hydroxy- Dimethylethyl] -2,4,8,10-tetraoxaspiro [5.5] undecane, 3,9-bis [2- [3- (3,5-di- tert- ) Propionyloxy] -1,1-dimethylethyl] -2,4,8,10-tetraoxaspiro [5.5] undecane, N, N'- Di-tert-butyl-4-hydroxyphenylpropionamide)], N, N'-octane-1,8-diylbis [3- (3,5- Propionamide)] and the like.

본 발명에 사용되는 특정 페놀계 화합물 (C) 의 분자량은 600 이상 2,000 이하인데, 분자량은 700 이상인 것이 바람직하다. 또, (A) 성분의 공중합체와의 상용성의 관점에서는, 상기와 같은 부분 구조를 갖는 반복 단위를 포함하는 중합체 (고분자 화합물) 가 아니라, 단분자 화합물인 것이 바람직하다.The specific phenolic compound (C) used in the present invention has a molecular weight of 600 or more and 2,000 or less, preferably a molecular weight of 700 or more. From the viewpoint of compatibility with the copolymer of the component (A), it is preferably a monomolecular compound, not a polymer (polymer compound) containing a repeating unit having a partial structure as described above.

본 발명에 사용되는 특정 페놀계 화합물 (C) 는 R3 이 -O- 인 에스테르 결합을 포함하는 것이 베이크 후의 투명성의 관점에서 바람직하다.From the viewpoint of transparency after baking, it is preferable that the specific phenol compound (C) used in the present invention contains an ester bond in which R 3 is -O-.

특정 페놀계 화합물 중에서도 베이크 후의 투명성의 관점에서 더욱 바람직한 특정 페놀계 화합물로는, 식 (c1-1), 식 (c1-2) 및 식 (c1-3) 으로 나타내는 화합물을 들 수 있고, 가장 바람직하게는 식 (c1-1) 로 나타내는 화합물이다.Among the specific phenol compounds, specific phenolic compounds more preferable in terms of transparency after baking include compounds represented by the formulas (c1-1), (c1-2) and (c1-3) Is a compound represented by the formula (c1-1).

[화학식 40](40)

Figure 112010066367407-pat00040
Figure 112010066367407-pat00040

특정 페놀계 화합물 (C) 는 시판품으로서도 입수할 수 있고, 예를 들어 상기 식 (c1-1) 로 나타내는 화합물로는, 상품명 이르가녹스 1010 (치바·스페셜티·케미컬즈사 제조), 아데카스타브 AO-60 ((주) ADEKA 제조) 등을, 상기 식 (c1-2) 로 나타내는 화합물의 상품명으로는, 스미라이저 GA-80 (스미토모 화학 (주) 제조), 아데카스타브 AO-80 ((주) ADEKA 제조) 등을, 상기 식 (c1-3) 으로 나타내는 화합물로는, 상품명 이르가녹스 1098 (치바·스페셜티·케미컬즈사 제조) 등을, 각각 들 수 있다.The specific phenolic compound (C) can also be obtained as a commercially available product. Examples of the compound represented by the formula (c1-1) include Irganox 1010 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals), Adecastab AO -60 (manufactured by ADEKA Co., Ltd.) and the trade name of the compound represented by the above formula (c1-2) may be SUMIRIZER GA-80 (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.), Adekastab AO- ) Manufactured by ADEKA), and the compound represented by the above formula (c1-3) can be exemplified by Irganox 1098 (manufactured by Chiba Specialty Chemicals Co., Ltd.) and the like.

특정 페놀계 화합물 (C) 는 본 발명의 감광성 수지 조성물에 1 종만을 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용할 수도 있다. 특정 페놀계 화합물 (C) 의 함유량은 감광성 수지 조성물의 전체 고형분에 대해 0.1 ∼ 6 중량% 인 것이 바람직하고, 0.2 ∼ 5 중량% 인 것이 보다 바람직하고, 0.5 ∼ 4 중량% 가 최적이다. 함유량을 0.1 % 중량% 이상 6 중량% 이하로 함으로써, 형성된 막의 충분한 투명성이 얻어지고, 또한 패턴 형성시의 우수한 감도가 발현된다.The specific phenolic compound (C) may be used alone or in combination of two or more in the photosensitive resin composition of the present invention. The content of the specific phenolic compound (C) is preferably 0.1 to 6% by weight, more preferably 0.2 to 5% by weight, and most preferably 0.5 to 4% by weight based on the total solid content of the photosensitive resin composition. When the content is 0.1% by weight or more and 6% by weight or less, sufficient transparency of the formed film is obtained, and excellent sensitivity at the time of pattern formation is exhibited.

(D) 용제(D) Solvent

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (D) 용제를 함유한다. 본 발명의 감광성 수지 조성물은 필수 성분인 상기 (A) ∼ (D) 성분, 바람직한 성분인 후술하는 (E) 성분, 또한 후술하는 임의의 성분을 (D) 용제에 용해시킨 용액으로서 조제되는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention contains (D) a solvent. The photosensitive resin composition of the present invention is preferably prepared as a solution prepared by dissolving the aforementioned components (A) to (D) as essential components, the component (E) described below as a preferable component, Do.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 (D) 용제로는, 공지된 용제를 사용할 수 있고, 에틸렌글리콜모노알킬에테르류, 에틸렌글리콜디알킬에테르류, 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 프로필렌글리콜디알킬에테르류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디에틸렌글리콜디알킬에테르류, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 디프로필렌글리콜디알킬에테르류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 에스테르류, 케톤류, 아미드류, 락톤류 등을 예시할 수 있다.As the solvent (D) used in the photosensitive resin composition of the present invention, known solvents may be used, and examples thereof include ethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol dialkyl ethers, ethylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl There may be mentioned ethers, propylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, diethylene glycol dialkyl ethers, diethylene glycol monoalkyl ether acetates, dipropylene glycol monoalkyl ethers, dipropylene glycol dialkyl ethers , Dipropylene glycol monoalkyl ether acetates, esters, ketones, amides, lactones, and the like.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 (D) 용제로는, 예를 들어As the (D) solvent used in the photosensitive resin composition of the present invention, for example,

ⓐ 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르류;(A) ethylene glycol monoalkyl ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether and ethylene glycol monobutyl ether;

ⓑ 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜디프로필에테르 등의 에틸렌글리콜디알킬에테르류;(B) ethylene glycol dialkyl ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether and ethylene glycol dipropyl ether;

ⓒ 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류;Ethylene glycol monoalkyl ether acetates such as ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monopropyl ether acetate and ethylene glycol monobutyl ether acetate;

ⓓ 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르류;(D) propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether and propylene glycol monobutyl ether;

ⓔ 프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 프로필렌글리콜디알킬에테르류;Propylene glycol dialkyl ethers such as propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether and diethylene glycol monoethyl ether;

ⓕ 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류;Propylene glycol monoalkyl ether acetates such as propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate and propylene glycol monobutyl ether acetate;

ⓖ 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 등의 디에틸렌글리콜디알킬에테르류;Diethylene glycol dialkyl ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether and diethylene glycol ethyl methyl ether;

ⓗ 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류;Diethylene glycol monoalkyl ether acetates such as diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monopropyl ether acetate and diethylene glycol monobutyl ether acetate;

ⓘ 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 디프로필렌글리콜모노알킬에테르류;Dipropylene glycol monoalkyl ethers such as dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether and dipropylene glycol monobutyl ether;

ⓙ 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜에틸메틸에테르 등의 디프로필렌글리콜디알킬에테르류;Dipropylene glycol dialkyl ethers such as dipropylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether and dipropylene glycol ethyl methyl ether;

ⓚ 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 디프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류;Dipropylene glycol monoalkyl ether acetates such as dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl ether acetate, dipropylene glycol monopropyl ether acetate and dipropylene glycol monobutyl ether acetate;

ⓛ 락트산메틸, 락트산에틸, 락트산n-프로필, 락트산이소프로필, 락트산n-부틸, 락트산이소부틸, 락트산n-아밀, 락트산이소아밀 등의 락트산에스테르류;Lactic acid esters such as methyl lactate, ethyl lactate, n-propyl lactate, isopropyl lactate, isobutyl lactate, isobutyl lactate, n-amyl lactate and isoamyl lactate;

ⓜ 아세트산n-부틸, 아세트산이소부틸, 아세트산n-아밀, 아세트산이소아밀, 아세트산n-헥실, 아세트산2-에틸헥실, 프로피온산에틸, 프로피온산n-프로필, 프로피온산이소프로필, 프로피온산n-부틸, 프로피온산이소부틸, 부티르산메틸, 부티르산에틸, 부티르산에틸, 부티르산n-프로필, 부티르산이소프로필, 부티르산n-부틸, 부티르산이소부틸 등의 지방족 카르복실산에스테르류;N-butyl acetate, isobutyl acetate, n-amyl acetate, isoamyl acetate, n-hexyl acetate, ethyl 2-ethylhexyl acetate, ethyl propionate, n-propyl propionate, isopropyl propionate, n-butyl propionate, Aliphatic carboxylic acid esters such as butyl, methyl butyrate, ethyl butyrate, ethyl butyrate, n-propyl butyrate, isopropyl butyrate, n-butyl butyrate and isobutyl butyrate;

ⓝ 하이드록시아세트산에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산에틸, 2-하이드록시-3-메틸부티르산에틸, 메톡시아세트산에틸, 에톡시아세트산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 3-메틸-3-메톡시부틸부틸레이트, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸 등의 다른 에스테르류;Hydroxyethyl methacrylate, ethyl methoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, methyl 3-methoxypropionate, 3-methoxypropionic acid, 3-methoxypropionic acid, Methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl propionate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, Methoxybutylbutylate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate and the like;

ⓞ 메틸에틸케톤, 메틸프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 2-헵타논, 3-헵타논, 4-헵타논, 시클로헥사논 등의 케톤류;Ketones such as methyl ethyl ketone, methyl propyl ketone, methyl n-butyl ketone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone and cyclohexanone;

ⓟ N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드류;Amides such as N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone;

ⓠ γ-부티로락톤 등의 락톤류 등을 들 수 있다.And lactones such as? -Butyrolactone.

또, 이들 용제에 추가로 필요에 따라, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 이소포론, 카프로산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노날, 벤질알코올, 아니솔, 아세트산벤질, 벤조산에틸, 옥살산디에틸, 말레산디에틸, 탄산에틸렌, 탄산프로필렌 등의 용제를 첨가할 수도 있다. 이들 용제는 1 종 단독으로 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 본 발명에 사용할 수 있는 용제는 1 종 단독 또는 2 종을 병용하는 것이 바람직하고, 2 종을 병용하는 것이 보다 바람직하고, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류와 디에틸렌글리콜디알킬에테르류를 병용하는 것이 더욱 바람직하다.In addition to these solvents, benzyl ethyl ether, dihexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, isophorone, caproic acid, caprylic acid, Solvents such as 1-octanol, 1-nonal, benzyl alcohol, anisole, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, ethylene carbonate and propylene carbonate may be added. These solvents may be used alone or in combination of two or more. The solvent usable in the present invention is preferably used alone or in combination of two or more, more preferably two solvents in combination, and the use of propylene glycol monoalkyl ether acetates and diethylene glycol dialkyl ethers in combination More preferable.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (D) 용제의 함유량은 (A) 성분 100 중량부당 50 ∼ 3,000 중량부인 것이 바람직하고, 100 ∼ 2,000 중량부인 것이 보다 바람직하고, 150 ∼ 1,500 중량부인 것이 더욱 바람직하다.The content of the solvent (D) in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 50 to 3,000 parts by weight, more preferably 100 to 2,000 parts by weight, more preferably 150 to 1,500 parts by weight, per 100 parts by weight of the component (A) Do.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물에는, (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분 및 (D) 성분 이외에 필요에 따라 (E) 가교제, (F) 밀착 개량제, (G) 염기성 화합물, (H) 계면 활성제, (I) 가소제 및 (J) 열 라디칼 발생제, 그리고 열산 발생제, 자외선 흡수제, 증점제 및 유기 또는 무기의 침전 방지제 등의 공지된 첨가제를 첨가할 수 있다.(E) a cross-linking agent, (F) an adhesion improver, (G) a basic compound, and (C) an antioxidant may be added to the positive-working photosensitive resin composition of the present invention in addition to the components (A) Known additives such as (H) a surfactant, (I) a plasticizer and (J) a thermal radical generator and a thermal acid generator, an ultraviolet absorber, a thickener and an organic or inorganic precipitation inhibitor.

(E) 가교제(E) Crosslinking agent

본 발명의 감광성 수지 조성물은 필요에 따라 (E) 가교제를 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains (E) a crosslinking agent, if necessary.

(E) 가교제로는, 예를 들어 이하에 서술하는 분자 내에 2 개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물, 알콕시메틸기 함유 가교제, 적어도 1 개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 첨가할 수 있다. (E) 가교제를 첨가함으로써, 경화막을 보다 강고한 막으로 할 수 있다. 가교제로는 이하의 것을 첨가할 수 있다.As the crosslinking agent (E), for example, a compound having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule, an alkoxymethyl group-containing crosslinking agent, and a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond may be added. By adding the crosslinking agent (E), the cured film can be made into a stronger film. As the crosslinking agent, the following may be added.

<분자 내에 2 개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물>&Lt; Compounds having two or more epoxy groups in the molecule &

분자 내에 2 개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물의 구체예로는, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지 등을 들 수 있다.Specific examples of the compound having two or more epoxy groups in the molecule include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin and aliphatic epoxy resin.

이들은 시판품으로서 입수할 수 있다. 예를 들어 비스페놀 A 형 에폭시 수지로는, JER827, JER828, JER834, JER1001, JER1002, JER1003, JER1055, JER1007, JER1009, JER1010 (이상, 재팬 에폭시 레진 (주) 제조), EPICLON860, EPICLON1050, EPICLON1051, EPICLON1055 (이상, DIC (주) 제조) 등을, 비스페놀 F 형 에폭시 수지로는, JER806, JER807, JER4004, JER4005, JER4007, JER4010 (이상, 재팬 에폭시 레진 (주) 제조), EPICLON830, EPICLON835 (이상, DIC (주) 제조), LCE-21, RE-602S (이상, 닛폰 화약 (주) 제조) 등을, 페놀 노볼락형 에폭시 수지로는, JER152, JER154, JER157S65, JER157S70 (이상, 재팬 에폭시 레진 (주) 제조), EPICLON N-740, EPICLON N-740, EPICLON N-770, EPICLON N-775 (이상, DIC (주) 제조) 등을, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지로는, EPICLON N-660, EPICLON N-665, EPICLON N-670, EPICLON N-673, EPICLON N-680, EPICLON N-690, EPICLON N-695 (이상, DIC (주) 제조), EOCN-1020 (이상, 닛폰 화약 (주) 제조) 등을, 지방족 에폭시 수지로는, ADEKA RESIN EP-4080S, 동 EP-4085S, 동 EP-4088S (이상, (주) ADEKA 제조), 셀록사이드 2021P, 셀록사이드 2081, 셀록사이드 2083, 셀록사이드 2085, EHPE3150, EPOLEAD PB 3600, 동 PB 4700 (이상, 다이셀 화학 공업 (주) 제조) 등을 들 수 있다. 그 외에도, ADEKA RESIN EP-4000S, 동 EP-4003S, 동 EP-4010S, 동 EP-4011S (이상, (주) ADEKA 제조), NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD-1000, EPPN-501, EPPN-502 (이상, (주) ADEKA 제조) 등을 들 수 있다. 이들은 1 종 단독 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.These are available as commercial products. Examples of the bisphenol A type epoxy resin include JER827, JER828, JER834, JER1001, JER1002, JER1003, JER1055, JER1007, JER1009, JER1010 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), EPICLON860, EPICLON1050, EPICLON1051, EPICLON1055 JER4005, JER4007, JER4010 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), EPICLON830, EPICLON835 (manufactured by DIC Corporation), and the like can be used as the bisphenol F type epoxy resin. JER152, JER154, JER157S65, and JER157S70 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.) were used as the phenol novolak type epoxy resin, and LCE-21 and RE-602S (manufactured by Nippon Kayaku Co., EPICLON N-760, EPICLON N-770 and EPICLON N-775 (manufactured by DIC Corporation), EPICLON N-760 and EPICLON N-760 were used as the cresol novolak type epoxy resin. EPICLON N-690 (manufactured by DIC Corporation), EOCN-1020 (manufactured by NIPPON KAYAKU CO., LTD.), EPICLON N-670, EPICLON N-670, To the aliphatic Examples of the epoxy resin include ADEKA RESIN EP-4080S, EP-4085S, EP-4088S (manufactured by ADEKA), Celloxide 2021P, Celloxide 2081, Celloxide 2083, Celloxide 2085, EHPE 3150, EPOLEAD PB 3600, and PB 4700 (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.). NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD-1000, EPP-4010S (manufactured by ADEKA) -501, and EPPN-502 (manufactured by ADEKA Corporation). These may be used alone or in combination of two or more.

이들 중에서 바람직한 것으로는, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지를 들 수 있다. 특히 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지가 바람직하다.Of these, preferred are bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, aliphatic epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin and cresol novolak type epoxy resin. Particularly preferred are bisphenol A type epoxy resins, phenol novolak type epoxy resins and aliphatic epoxy resins.

<분자 내에 2 개 이상의 옥세타닐기를 갖는 화합물>&Lt; Compounds having two or more oxetanyl groups in the molecule &gt;

분자 내에 2 개 이상의 옥세타닐기를 갖는 화합물의 구체예로서, OXT-121, OXT-221, OX-SQ, PNOX (이상, 토아 합성 (주) 제조) 를 사용할 수 있다.As specific examples of the compound having two or more oxetanyl groups in the molecule, OXT-121, OXT-221, OX-SQ and PNOX (manufactured by TOA Corporation) can be used.

에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물의 감광성 수지 조성물에 대한 첨가량은 (A) 성분의 총량을 100 중량부로 하였을 때, 1 ∼ 50 중량부가 바람직하고, 3 ∼ 30 중량부가 보다 바람직하다.The amount of the compound having an epoxy group or oxetanyl group added to the photosensitive resin composition is preferably 1 to 50 parts by weight, more preferably 3 to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total amount of the component (A).

<알콕시메틸기 함유 가교제><Crosslinking agent containing alkoxymethyl group>

알콕시메틸기 함유 가교제로는, 알콕시메틸화멜라민, 알콕시메틸화벤조구아나민, 알콕시메틸화글리콜우릴 및 알콕시메틸화우레아 등이 바람직하다. 이들은, 각각 메틸올화멜라민, 메틸올화벤조구아나민, 메틸올화글리콜우릴 또는 메틸올화우레아의 메틸올기를 알콕시메틸기로 변환함으로써 얻어진다. 이 알콕시메틸기의 종류에 대해서는 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 프로폭시메틸기, 부톡시메틸기 등을 들 수 있는데, 아웃 가스의 발생량의 관점에서 특히 메톡시메틸기가 바람직하다. 이들 가교성 화합물 중, 알콕시메틸화멜라민, 알콕시메틸화벤조구아나민, 알콕시메틸화글리콜우릴을 바람직한 가교성 화합물로서 들 수 있고, 투명성의 관점에서 알콕시메틸화글리콜우릴이 특히 바람직하다.As the alkoxymethyl group-containing crosslinking agent, alkoxymethylated melamine, alkoxymethylated benzoguanamine, alkoxymethylated glycoluril and alkoxymethylated urea are preferable. These are obtained by converting methylol groups of methylol melamine, methylol benzoguanamine, methylol glycoluryl or methylol urea into alkoxymethyl groups, respectively. The type of the alkoxymethyl group is not particularly limited, and examples thereof include a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group, a propoxymethyl group, and a butoxymethyl group. From the viewpoint of the amount of generated outgas, a methoxymethyl group is particularly preferable Do. Of these crosslinking compounds, alkoxymethylated melamine, alkoxymethylated benzoguanamine, and alkoxymethylated glycoluril are preferable crosslinking compounds, and from the viewpoint of transparency, alkoxymethylated glycoluril is particularly preferable.

이들 알콕시메틸기 함유 가교제는 시판품으로서 입수할 수 있고, 예를 들어 사이멜 300, 301, 303, 370, 325, 327, 701, 266, 267, 238, 1141, 272, 202, 1156, 1158, 1123, 1170, 1174, UFR65, 300 (이상, 미츠이 사이아나미드 (주) 제조), 니카락 MX-750, -032, -706, -708, -40, -31, -270, -280, -290, 니카락 MS-11, 니카락 MW-30HM, -100LM, -390 (이상, (주) 산와 케미컬 제조) 등을 바람직하게 사용할 수 있다.These alkoxymethyl group-containing crosslinking agents are commercially available, for example, as cyclamates 300, 301, 303, 370, 325, 327, 701, 266, 267, 238, 1141, 272, 202, 1156, 1158, 1123, 1170, 1174, UFR65, 300 (manufactured by Mitsui Cyanamid), NIKARAK MX-750, -032, -706, -708, -40, -31, -270, -280, -290, NIKARAK MS-11, NIKARAK MW-30HM, -100 LM, -390 (manufactured by SANWA CHEMICAL Co., Ltd.), and the like can be preferably used.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 알콕시메틸기 함유 가교제를 사용하는 경우의 알콕시메틸기 함유 가교제의 첨가량은 (A) 성분 100 중량부에 대해 0.05 ∼ 50 중량부인 것이 바람직하고, 0.5 ∼ 10 중량부인 것이 보다 바람직하다. 이 범위에서 첨가함으로써, 현상시의 바람직한 알칼리 용해성과, 경화 후의 막의 우수한 내용제성이 얻어진다.When the crosslinking agent containing an alkoxymethyl group is used in the photosensitive resin composition of the present invention, the addition amount of the alkoxymethyl group-containing crosslinking agent is preferably 0.05 to 50 parts by weight, more preferably 0.5 to 10 parts by weight, per 100 parts by weight of the component (A) . Addition in this range provides favorable alkali solubility during development and excellent solvent resistance of the film after curing.

<적어도 1 개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물>&Lt; Compounds having at least one ethylenically unsaturated double bond &gt;

적어도 1 개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물로는, 단관능 (메트)아크릴레이트, 2 관능 (메트)아크릴레이트, 3 관능 이상의 (메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴레이트 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다.As the compound having at least one ethylenic unsaturated double bond, a (meth) acrylate compound such as monofunctional (meth) acrylate, bifunctional (meth) acrylate or trifunctional or more (meth) acrylate is preferably used .

단관능 (메트)아크릴레이트로는, 예를 들어 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 카르비톨(메트)아크릴레이트, 이소보로닐(메트)아크릴레이트, 3-메톡시부틸(메트)아크릴레이트, 2-(메트)아크릴로일옥시에틸-2-하이드록시프로필프탈레이트 등을 들 수 있다.Examples of the monofunctional (meth) acrylate include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, carbitol (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, 3-methoxybutyl Acrylate, 2- (meth) acryloyloxyethyl-2-hydroxypropyl phthalate, and the like.

2 관능 (메트)아크릴레이트로는, 예를 들어 에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the bifunctional (meth) acrylate include ethylene glycol (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol (meth) acrylate, polypropylene glycol Di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, bisphenoxyethanol fluorene diacrylate, and bisphenoxyethanol fluorene diacrylate.

3 관능 이상의 (메트)아크릴레이트로는, 예를 들어 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 트리((메트)아크릴로일옥시에틸)포스페이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the trifunctional or more (meth) acrylate include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, tri ((meth) acryloyloxyethyl) Tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and the like.

이들 중 적어도 1 개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물은 1 종 단독 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.These compounds having at least one ethylenic unsaturated double bond among them may be used singly or in combination of two or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 적어도 1 개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 사용 비율은 (A) 성분 100 중량부에 대해 50 중량부 이하인 것이 바람직하고, 30 중량부 이하인 것이 보다 바람직하다. 이와 같은 비율로 적어도 1 개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 함유시킴으로써, 본 발명의 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 절연막의 내열성 및 표면 경도 등을 향상시킬 수 있다. 적어도 1 개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 첨가하는 경우에는, (J) 열 라디칼 발생제를 첨가하는 것이 바람직하다.The proportion of the compound having at least one ethylenically unsaturated double bond in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 50 parts by weight or less, more preferably 30 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the component (A). By containing a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond in such a ratio, the heat resistance and surface hardness of the insulating film obtained from the photosensitive resin composition of the present invention can be improved. When a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond is added, it is preferable to add the heat radical generator (J).

(F) 밀착 개량제(F) Adhesion improver

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (F) 밀착 개량제를 함유해도 된다. 본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용할 수 있는 (F) 밀착 개량제는 기재가 되는 무기물, 예를 들어 실리콘, 산화실리콘, 질화실리콘 등의 실리콘 화합물, 금, 구리, 알루미늄 등의 금속과 절연막의 밀착성을 향상시키는 화합물이다. 구체적으로는, 실란커플링제, 티올계 화합물 등을 들 수 있다. 본 발명에서 사용되는 (F) 밀착 개량제로서의 실란커플링제는 계면의 개질을 목적으로 하는 것으로서, 특별히 한정하지 않고, 공지된 것을 사용할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain (F) an adhesion improver. The adhesion improver (F) that can be used in the photosensitive resin composition of the present invention improves the adhesion of an inorganic substance as a base material, for example, a silicone compound such as silicon, silicon oxide, or silicon nitride, a metal such as gold, . Specific examples thereof include silane coupling agents and thiol compounds. The silane coupling agent as the (F) adhesion improver used in the present invention is not specifically limited and known ones can be used for the purpose of modifying the interface.

바람직한 실란커플링제로는, 예를 들어 γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필알킬디알콕시실란, γ-클로로프로필트리알콕시실란, γ-메르캅토프로필트리알콕시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리알콕시실란, 비닐트리알콕시실란을 들 수 있다. 이들 중, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란이나 γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란이 보다 바람직하고, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란이 더욱 바람직하다. 이들은 1 종 단독 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들은 기판과의 밀착성 향상에 유효함과 함께, 기판과의 테이퍼각의 조정에도 유효하다.Preferable silane coupling agents include, for example,? -Aminopropyltrimethoxysilane,? -Aminopropyltriethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane,? -Glycidoxypropylalkyldialkoxysilane,? -Methacryloxypropyltrialkoxysilane,? -Methacryloxypropylalkyldialkoxysilane,? -Chloropropyltrialkoxysilane,? -Mercaptopropyltrialkoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl tri Alkoxysilane, and vinyltrialkoxysilane. Among these,? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane and? -Methacryloxypropyltrialkoxysilane are more preferable, and? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane is more preferable. These may be used alone or in combination of two or more. These are effective for improving the adhesion with the substrate, and are also effective in adjusting the taper angle with the substrate.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (F) 밀착 개량제의 함유량은, (A) 성분 100 중량부에 대해 0.1 ∼ 20 중량부가 바람직하고, 0.5 ∼ 10 중량부가 보다 바람직하다.The content of the (F) adhesion improver in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 20 parts by weight, more preferably 0.5 to 10 parts by weight, per 100 parts by weight of the component (A).

(G) 염기성 화합물(G) Basic compound

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (G) 염기성 화합물을 함유해도 된다. (G) 염기성 화합물로는, 화학 증폭 레지스트에서 사용되는 것 중에서 임의로 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들어 지방족 아민, 방향족 아민, 복소고리형 아민, 제4급 암모늄하이드록사이드, 카르복실산의 제4급 암모늄염 등을 들 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain (G) a basic compound. As the basic compound (G), any of those used in the chemically amplified resist may be selected and used. For example, aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, quaternary ammonium salts of carboxylic acids, and the like.

지방족 아민으로는, 예를 들어 트리메틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리-n-프로필아민, 디-n-펜틸아민, 트리-n-펜틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디시클로헥실아민, 디시클로헥실메틸아민 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic amine include aliphatic amines such as trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di- , Triethanolamine, dicyclohexylamine, dicyclohexylmethylamine, and the like.

방향족 아민으로는, 예를 들어 아닐린, 벤질아민, N,N-디메틸아닐린, 디페닐아민 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic amine include aniline, benzylamine, N, N-dimethylaniline, diphenylamine and the like.

복소고리형 아민으로는, 예를 들어 피리딘, 2-메틸피리딘, 4-메틸피리딘, 2-에틸피리딘, 4-에틸피리딘, 2-페닐피리딘, 4-페닐피리딘, N-메틸-4-페닐피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 4-메틸이미다졸, 2-페닐벤즈이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸, 니코틴, 니코틴산, 니코틴산아미드, 퀴놀린, 8-옥시퀴놀린, 피라진, 피라졸, 피리다진, 푸린, 피롤리딘, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 4-메틸모르폴린, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨, 1,8-디아자비시클로[5.3.0]-7-운데센 등을 들 수 있다.Examples of the heterocyclic amine include pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, N-methyl- , 4-dimethylaminopyridine, imidazole, benzimidazole, 4-methylimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinamide, quinoline, 8 Diazabicyclo [4.3.0] -5-nonenes, such as oximequinoline, pyrazine, pyrazole, pyridazine, purine, pyrrolidine, piperidine, piperazine, morpholine, 4- methylmorpholine, , 1,8-diazabicyclo [5.3.0] -7-undecene, and the like.

제4급 암모늄하이드록사이드로는, 예를 들어 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드, 테트라-n-부틸암모늄하이드록사이드, 테트라-n-헥실암모늄하이드록사이드 등을 들 수 있다.Examples of the quaternary ammonium hydroxide include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide and tetra-n-hexylammonium hydroxide. have.

카르복실산의 제4급 암모늄염으로는, 예를 들어 테트라메틸암모늄아세테이트, 테트라메틸암모늄벤조에이트, 테트라-n-부틸암모늄아세테이트, 테트라-n-부틸암모늄벤조에이트 등을 들 수 있다.Examples of the quaternary ammonium salt of the carboxylic acid include tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate and tetra-n-butylammonium benzoate.

본 발명에 사용할 수 있는 염기성 화합물은 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 되는데, 2 종 이상을 병용하는 것이 바람직하고, 2 종을 병용하는 것이 보다 바람직하고, 복소고리형 아민을 2 종 병용하는 것이 더욱 바람직하다.The basic compounds which can be used in the present invention may be used singly or in combination of two or more kinds, preferably two or more kinds, more preferably two kinds, and heterocyclic amines It is more preferable to use them in combination.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (G) 염기성 화합물의 함유량은 (A) 성분 100 중량부에 대해 0.001 ∼ 1 중량부인 것이 바람직하고, 0.005 ∼ 0.2 중량부인 것이 보다 바람직하다.The content of the basic compound (G) in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.001 to 1 part by weight, more preferably 0.005 to 0.2 part by weight based on 100 parts by weight of the component (A).

(H) 계면 활성제(H) Surfactant

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (H) 계면 활성제를 함유해도 된다. (H) 계면 활성제로는, 아니온계, 카티온계, 노니온계 또는 양쪽성 중 어느 것이라도 사용할 수 있는데, 바람직한 계면 활성제는 노니온계 계면 활성제이다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain (H) a surfactant. As the surfactant (H), any of anionic, cationic, nonionic or amphoteric surfactants may be used. Preferred nonionic surfactants are nonionic surfactants.

노니온계 계면 활성제의 예로는, 폴리옥시에틸렌 고급 알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌 고급 알킬페닐에테르류, 폴리옥시에틸렌글리콜의 고급 지방산디에스테르류, 실리콘계, 불소계 계면 활성제를 들 수 있다. 또, 이하 상품명으로, KP (신에츠 화학 공업 (주) 제조), 폴리플로우 (쿄에이샤 화학 (주) 제조), 에프톱 (JEMCO 사 제조), 메가팩 (DIC (주) 제조), 플로라드 (스미토모 3M (주) 제조), 아사히가드, 서프론 (아사히 유리 (주) 제조), PolyFox (OMNOVA 사 제조) 등의 각 시리즈를 들 수 있다.Examples of nonionic surfactants include polyoxyethylene higher alkyl ethers, polyoxyethylene higher alkyl phenyl ethers, higher fatty acid diesters of polyoxyethylene glycol, silicones, and fluorine surfactants. (Trade name) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), Polyflow (manufactured by Kyowa Chemical Co., Ltd.), F-top (manufactured by JEMCO), Megapack (manufactured by DIC) (Manufactured by Sumitomo 3M Ltd.), Asahi Guard, Surfron (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), PolyFox (manufactured by OMNOVA), and the like.

또, 계면 활성제로서, 하기 식 (1) 로 나타내는 구성 단위 A 및 구성 단위 B 를 포함하고, 테트라하이드로푸란 (THF) 을 용매로 한 경우의 겔 투과 크로마토그래피로 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량 (Mw) 이 1,000 이상 10,000 이하인 공중합체를 바람직한 예로서 들 수 있다.The surfactant preferably has a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography in the case of using tetrahydrofuran (THF) as a solvent and containing the constituent unit A and the constituent unit B represented by the following formula (1) Mw) of not less than 1,000 and not more than 10,000 is a preferable example.

[화학식 41](41)

Figure 112010066367407-pat00041
Figure 112010066367407-pat00041

(식 (1) 중, R1 및 R3 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2 는 탄소수 1 이상 4 이하의 직사슬 알킬렌기를 나타내고, R4 는 수소 원자 또는 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, L 은 탄소수 3 이상 6 이하의 알킬렌기를 나타내고, p 및 q 는 중합비를 나타내는 중량 백분율이고, p 는 10 중량% 이상 80 중량% 이하의 수치를 나타내고, q 는 20 중량% 이상 90 중량% 이하의 수치를 나타내고, r 은 1 이상 18 이하의 정수를 나타내고, n 은 1 이상 10 이하의 정수를 나타낸다)(Wherein R 1 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, R 2 represents a linear alkylene group having 1 to 4 carbon atoms and R 4 represents a hydrogen atom or a C1- P represents an alkylene group having 3 to 6 carbon atoms, p and q represent weight percentages indicating polymerization ratios, p represents a value of 10 to 80 wt%, q represents 20 wt% Or more and 90% or less by weight, r is an integer of 1 or more and 18 or less, and n is an integer of 1 or more and 10 or less)

상기 L 은 하기 식 (2) 로 나타내는 분기 알킬렌기인 것이 바람직하다. 식 (2) 에 있어서의 R5 는, 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, 상용성과 피도포면에 대한 젖음성 면에서, 탄소수 1 이상 3 이하의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 2 또는 3 의 알킬기가 보다 바람직하다. p 와 q 의 합 (p + q) 은 p + q = 100, 즉 100 중량% 인 것이 바람직하다.It is preferable that L is a branched alkylene group represented by the following formula (2). R 5 in the formula (2) represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and from the viewpoints of compatibility and wettability with respect to the surface to be coated, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is preferable, and an alkyl group having 2 or 3 carbon atoms is more preferable desirable. The sum (p + q) of p and q is preferably p + q = 100, i.e., 100% by weight.

[화학식 42](42)

Figure 112010066367407-pat00042
Figure 112010066367407-pat00042

상기 공중합체의 중량 평균 분자량 (Mw) 은 1,500 이상 5,000 이하가 보다 바람직하다.The weight average molecular weight (Mw) of the copolymer is more preferably from 1,500 to 5,000.

이들의 계면 활성제는 1 종 단독으로 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.These surfactants may be used singly or in combination of two or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (H) 계면 활성제의 첨가량은 (A) 성분 100 중량부에 대해 10 중량부 이하인 것이 바람직하고, 0.01 ∼ 10 중량부인 것이 보다 바람직하고, 0.01 ∼ 1 중량부인 것이 더욱 바람직하다.The amount of the surfactant (H) added to the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 10 parts by weight or less, more preferably 0.01 to 10 parts by weight, and most preferably 0.01 to 1 part by weight, per 100 parts by weight of the component (A) More preferable.

(I) 가소제(I) a plasticizer

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (I) 가소제를 함유해도 된다. (I) 가소제로는, 예를 들어 디부틸프탈레이트, 디옥틸프탈레이트, 디도데실프탈레이트, 폴리에틸렌글리콜, 글리세린, 디메틸글리세린프탈레이트, 타르타르산디부틸, 아디프산디옥틸, 트리아세틸글리세린 등을 들 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain (I) a plasticizer. (I) plasticizers include, for example, dibutyl phthalate, dioctyl phthalate, didodecyl phthalate, polyethylene glycol, glycerin, dimethyl glycerine phthalate, dibutyl tartrate, dioctyl adipate, and triacetyl glycerin.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (I) 가소제의 첨가량은 (A) 성분 100 중량부에 대해 0.1 ∼ 30 중량부인 것이 바람직하고, 1 ∼ 10 중량부인 것이 보다 바람직하다.The amount of the plasticizer (I) added to the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 30 parts by weight, more preferably 1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the component (A).

(J) 열 라디칼 발생제(J) Thermal radical generator

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (J) 열 라디칼 발생제를 함유하고 있어도 되고, 전술한 적어도 1 개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물과 같은 에틸렌성 불포화 화합물을 함유하는 경우, (J) 열 라디칼 발생제를 함유하는 것이 바람직하다. 본 발명에 있어서의 열 라디칼 발생제로는, 공지된 열 라디칼 발생제를 사용할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain (J) a thermal radical generator, and when it contains an ethylenically unsaturated compound such as a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond as described above, (J) Containing agent. As the thermal radical generator in the present invention, a known thermal radical generator may be used.

열 라디칼 발생제는 열의 에너지에 의해 라디칼을 발생시켜, 중합성 화합물의 중합 반응을 개시 또는 촉진시키는 화합물이다. 열 라디칼 발생제를 첨가함으로써, 얻어진 경화막이 보다 강인해져, 내열성, 내용제성이 향상되는 경우가 있다.The thermal radical generator is a compound which generates radicals by the energy of heat to initiate or promote the polymerization reaction of the polymerizable compound. The addition of the heat radical generator may make the obtained cured film stronger and improve the heat resistance and solvent resistance in some cases.

바람직한 열 라디칼 발생제로는, 방향족 케톤류, 오늄염 화합물, 유기 과산화물, 티오 화합물, 헥사아릴비이미다졸 화합물, 케토옥심에스테르 화합물, 보레이트 화합물, 아디늄 화합물, 메탈로센 화합물, 활성 에스테르 화합물, 탄소할로겐 결합을 갖는 화합물, 아조계 화합물, 비벤질 화합물 등을 들 수 있다. (J) 열 라디칼 발생제는 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용할 수도 있다.Preferred thermal radical generators include aromatic ketones, onium salt compounds, organic peroxides, thio compounds, hexaarylbimidazole compounds, ketooxime ester compounds, borate compounds, adionium compounds, metallocene compounds, active ester compounds, A compound having a bond, an azo-based compound, and a non-benzyl compound. (J) One kind of thermal radical generator may be used alone, or two or more kinds may be used in combination.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (J) 열 라디칼 발생제의 첨가량은, 막 물성 향상의 관점에서 (A) 중합체를 100 중량부로 하였을 때, 0.01 ∼ 50 중량부가 바람직하고, 0.1 ∼ 20 중량부가 보다 바람직하고, 0.5 ∼ 10 중량부인 것이 가장 바람직하다.The amount of the heat radical generator (J) to be added to the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.01 to 50 parts by weight, more preferably 0.1 to 20 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polymer (A) And most preferably 0.5 to 10 parts by weight.

<증감제><Increase / decrease>

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (B) 광산 발생제와의 조합에 있어서, 그 분해를 촉진시키기 위해, 증감제를 함유하는 것이 바람직하다. 증감제는 활성 광선 또는 방사선을 흡수하여 전자 여기 상태가 된다. 전자 여기 상태가 된 증감제는 광산 발생제와 접촉하여, 전자 이동, 에너지 이동, 발열 등의 작용이 발생한다. 이로써 광산 발생제는 화학 변화를 일으켜 분해되어, 산을 생성한다. 바람직한 증감제의 예로는, 이하의 화합물류에 속해 있고, 또한 350 ㎚ 내지 450 ㎚ 의 파장역의 어느 것에 흡수 파장을 갖는 화합물을 들 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a sensitizer in combination with the photoacid generator (B) in order to accelerate the decomposition thereof. The sensitizer absorbs an actinic ray or radiation to become an electron-excited state. The sensitizer in the electron-excited state comes into contact with the photoacid generator to generate electron transfer, energy transfer, heat generation, and the like. As a result, the photoacid generator decomposes by chemical change to generate an acid. Examples of preferable sensitizers include compounds having an absorption wavelength in any of the wavelength ranges from 350 nm to 450 nm belonging to the following compounds.

다핵 방향족류 (예를 들어 피렌, 페릴렌, 트리페닐렌, 안트라센, 9,10-디부톡시안트라센, 9,10-디에톡시안트라센, 3,7-디메톡시안트라센, 9,10-디프로필옥시안트라센), 잔텐류 (예를 들어 플루오레세인, 에오신, 에리트로신, 로다민 B, 로즈벤갈), 크산톤류 (예를 들어 크산톤, 티옥산톤, 디메틸티옥산톤, 디에틸티옥산톤), 시아닌류 (예를 들어 티아카르보시아닌, 옥사카르보시아닌), 메로시아닌류 (예를 들어 메로시아닌, 카르보메로시아닌), 로다시아닌류, 옥소놀류, 티아진류 (예를 들어 티오닌, 메틸렌 블루, 톨루이딘 블루), 아크리딘류 (예를 들어 아크리딘 오렌지, 클로로플라빈, 아크리플라빈), 아크리돈류 (예를 들어 아크리돈, 10-부틸-2-클로로아크리돈), 안트라퀴논류 (예를 들어 안트라퀴논), 스쿠아륨류 (예를 들어 스쿠아륨), 스티릴류, 베이스스티릴류 (예를 들어 2-[2-[4-(디메틸아미노)페닐]에테닐]벤조옥사졸), 쿠마린류 (예를 들어 7-디에틸아미노4-메틸쿠마린, 7-하이드록시4-메틸쿠마린, 2,3,6,7-테트라하이드로-9-메틸-1H,5H,11H[1]벤조피라노[6,7,8-ij]퀴놀리딘-11-논).Polynuclear aromatic compounds such as pyrene, perylene, triphenylene, anthracene, 9,10-dibutoxyanthracene, 9,10-diethoxyanthracene, 3,7-dimethoxyanthracene, 9,10- ), Xanthones (such as xanthone, thioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone), xanthones (e. G., Fluorene, eosin, erythrosine, rhodamine B, (E.g., thiocarbocyanine, oxacarbocyanine), a merocyanine (e.g., merocyanine, carbomerocyanine), a rhodacyanine, oxonol, a thiazine (Such as thionine, methylene blue, toluidine blue), acridines (such as acridine orange, chloroflavin, acriflavine), acridones (such as acridone, (For example, anthraquinone), squarylium (for example squalium), styryls, basestirrins (for example, For example, 2- [2- [4- (dimethylamino) phenyl] ethenyl] benzoxazole), coumarins (for example, 7-diethylamino 4-methylcoumarin, 7- 2,3,6,7-Tetrahydro-9-methyl-1H, 5H, 11H [1] benzopyrano [6,7,8-ij] quinolizin-11-one).

이들 증감제 중에서도, 다핵 방향족류, 아크리돈류, 스티릴류, 베이스스티릴류, 쿠마린류가 바람직하고, 다핵 방향족류가 보다 바람직하다. 다핵 방향족류 중에서도 안트라센 유도체가 가장 바람직하다.Among these sensitizers, polynuclear aromatic compounds, acridones, styryls, base styryls and coumarins are preferable, and polynuclear aromatic compounds are more preferable. Of the polynuclear aromatics, anthracene derivatives are most preferred.

(경화막의 형성 방법)(Method of forming a cured film)

다음으로, 본 발명의 경화막의 형성 방법을 설명한다.Next, a method of forming the cured film of the present invention will be described.

본 발명의 경화막의 형성 방법은 이하의 (1) ∼ (5) 의 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.The method for forming a cured film of the present invention includes the following steps (1) to (5).

(1) 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 도포 공정(1) a coating step of applying the photosensitive resin composition of the present invention onto a substrate

(2) 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정(2) a solvent removing step of removing the solvent from the applied photosensitive resin composition

(3) 활성 광선에 의해 노광하는 노광 공정(3) an exposure process for exposing by an actinic ray

(4) 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정(4) a development step of developing with an aqueous developer

(5) 열 경화하는 포스트베이크 공정(5) Post-baking process for thermosetting

이하에 각 공정을 순서대로 설명한다.Each step will be described below in order.

(1) 의 도포 공정에서는, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하여 용제를 함유하는 습윤막으로 한다.(1), the photosensitive resin composition of the present invention is applied onto a substrate to form a wet film containing a solvent.

(2) 의 용제 제거 공정에서는, 도포된 상기 막으로부터 감압 (버큠) 및/또는 가열에 의해 용제를 제거하여 기판 상에 건조 도포막을 형성시킨다.In the solvent removing step (2), the solvent is removed from the coated film by reduced pressure (bubbling) and / or heating to form a dried coating film on the substrate.

(3) 의 노광 공정에서는, 얻어진 도포막에 파장 300 ㎚ 이상 450 ㎚ 이하의 활성 광선을 조사한다. 이 공정에서는, (B) 광산 발생제가 분해되어 산이 발생한다. 발생한 산의 촉매 작용에 의해, (A) 공중합체 중에 함유되는 산 분해성기가 가수분해되어, 카르복시기 또는 페놀성 수산기가 생성된다.In the exposure step of (3), an active ray having a wavelength of 300 nm or more and 450 nm or less is irradiated to the obtained coating film. In this step, (B) the photoacid generator is decomposed to generate acid. By the catalytic action of the generated acid, the acid-decomposable group contained in the (A) copolymer is hydrolyzed to produce a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group.

산 촉매가 생성된 영역에 있어서, 상기 가수분해 반응을 가속시키기 위해, 필요에 따라 노광 후 가열 처리:Post Exposure Bake (이하, 「PEB」라고도 한다) 를 실시할 수 있다. PEB 에 의해, 산 분해성기로부터의 카르복시기 또는 페놀성 수산기의 생성을 촉진시킬 수 있다.Post-exposure baking (hereinafter, also referred to as &quot; PEB &quot;) may be performed as needed in order to accelerate the hydrolysis reaction in the region where the acid catalyst is produced. With PEB, the generation of a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group from an acid-decomposable group can be promoted.

본 발명에 있어서의 식 (a1-1) 로 나타내는 모노머 단위 중의 산 분해성기는, 산 분해의 활성화 에너지가 낮고, 노광에 의한 산 발생제 유래의 산에 의해 용이하게 분해되어, 카르복시기 또는 페놀성 수산기를 발생시키기 때문에, 반드시 PEB 를 실시하지는 않고, 현상에 의해 포지티브 화상을 형성할 수도 있다.The acid decomposable group in the monomer unit represented by the formula (a1-1) in the present invention has a low activation energy for acid decomposition and is easily decomposed by an acid derived from an acid generator upon exposure to form a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group Therefore, a positive image can be formed by development without necessarily performing PEB.

또한, 비교적 저온에서 PEB 를 실시함으로써, 가교 반응을 일으키지 않고, 산 분해성기의 가수분해를 촉진시킬 수도 있다. PEB 를 실시하는 경우의 온도는, 30 ℃ 이상 130 ℃ 이하인 것이 바람직하고, 40 ℃ 이상 110 ℃ 이하가 보다 바람직하고, 50 ℃ 이상 80 ℃ 이하가 특히 바람직하다.Further, by conducting PEB at a relatively low temperature, the hydrolysis of the acid decomposable group can be promoted without causing a crosslinking reaction. The temperature at which PEB is carried out is preferably 30 占 폚 to 130 占 폚, more preferably 40 占 폚 to 110 占 폚, and particularly preferably 50 占 폚 to 80 占 폚.

(4) 의 현상 공정에서는, 유리된 카르복시기 또는 페놀성 수산기를 갖는 공중합체를 알칼리성 현상액을 사용하여 현상한다. 알칼리성 현상액에 용해되기 쉬운 카르복시기 또는 페놀성 수산기를 갖는 수지 조성물을 함유하는 노광부 영역을 제거함으로써, 포지티브 화상이 형성된다.(4), a liberated carboxyl group or a copolymer having a phenolic hydroxyl group is developed using an alkaline developer. A positive image is formed by removing the exposed region containing a resin composition having a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group that is easily dissolved in an alkaline developer.

(5) 의 포스트베이크 공정에 있어서, 얻어진 포지티브 화상을 가열함으로써, 모노머 단위 (a1) 중의 산 분해성기를 열분해하여 카르복시기 또는 페놀성 수산기를 생성시키고, 모노머 단위 (a2) 의 가교기와 가교시킴으로써, 경화막을 형성할 수 있다. 이 가열은 150 ℃ 이상의 고온으로 가열하는 것이 바람직하고, 180 ∼ 250 ℃ 로 가열하는 것이 보다 바람직하고, 200 ∼ 250 ℃ 로 가열하는 것이 특히 바람직하다. 가열 시간은 가열 온도 등에 따라 적절히 설정할 수 있는데, 10 ∼ 90 분의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.(A1) by thermal decomposition of the acid-decomposable group in the post-baking step (5) to form a carboxyl group or phenolic hydroxyl group, and crosslinking the crosslinked group of the monomer unit (a2) . This heating is preferably performed at a high temperature of 150 ° C or higher, more preferably 180 ° C to 250 ° C, and particularly preferably 200 ° C to 250 ° C. The heating time can be appropriately set depending on the heating temperature and the like, and is preferably within a range of 10 to 90 minutes.

포스트베이크 공정 전에 활성 광선, 바람직하게는 자외선을 현상 패턴으로 전체면 조사하는 공정을 추가하면, 활성 광선 조사에 의해 발생하는 산에 의해 가교 반응을 촉진시킬 수 있다.If a step of irradiating the entire surface with an actinic ray, preferably ultraviolet light, in a development pattern is added before the post-baking step, the crosslinking reaction can be promoted by an acid generated by actinic light irradiation.

다음으로, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막의 형성 방법을 구체적으로 설명한다.Next, a method for forming a cured film using the photosensitive resin composition of the present invention will be described in detail.

<감광성 수지 조성물의 조제 방법>&Lt; Preparation method of photosensitive resin composition &gt;

(A) ∼ (D) 의 필수 성분을 소정 비율로 또한 임의의 방법으로 혼합하고, 교반 용해시켜 감광성 수지 조성물을 조제한다. 예를 들어 (A) ∼ (C) 성분을 각각 미리 (D) 용제에 용해시킨 용액으로 한 후, 이들을 소정 비율로 혼합하여 수지 조성물을 조제할 수도 있다. 이상과 같이 조제한 조성물 용액은, 공경 0.2 ㎛ 의 필터 등을 이용하여 여과한 후에, 사용에 제공할 수도 있다.The essential components of (A) to (D) are mixed at a predetermined ratio and by any method, and dissolved by stirring to prepare a photosensitive resin composition. For example, it is also possible to prepare a solution in which the components (A) to (C) are each dissolved in the solvent (D) in advance, and then mix them in a predetermined ratio to prepare a resin composition. The composition solution prepared as described above may be used after being filtered using a filter having a pore size of 0.2 탆 or the like.

<도포 공정 및 용제 제거 공정><Coating Process and Solvent Removal Process>

감광성 수지 조성물을 소정 기판에 도포하고, 감압 및/또는 가열 (프리베이크) 에 의해 용제를 제거함으로써, 원하는 건조 도포막을 형성할 수 있다. 상기 기판으로는, 예를 들어 액정 표시 소자의 제조에 있어서는 편광판, 추가로 필요에 따라 블랙 매트릭스층, 컬러 필터층을 형성하고, 추가로 투명 도전 회로층을 형성한 유리판 등을 예시할 수 있다. 기판에 대한 도포 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 슬릿 코트법, 스프레이법, 롤 코트법, 회전 도포법 등의 방법을 이용할 수 있다. 그 중에서도 슬릿 코트법이 대형 기판에 적합하다는 관점에서 바람직하다. 대형 기판으로 제조하면 생산성이 높아 바람직하다. 여기서 대형 기판이란, 각 변이 1 m 이상인 크기의 기판을 말한다.A desired dry film can be formed by applying the photosensitive resin composition to a predetermined substrate and removing the solvent by reduced pressure and / or heating (prebaking). Examples of the substrate include a polarizing plate in the production of a liquid crystal display device, a glass plate in which a black matrix layer and a color filter layer are formed if necessary, and a transparent conductive circuit layer is additionally formed. The coating method for the substrate is not particularly limited, and for example, slit coat method, spray method, roll coating method, spin coating method and the like can be used. Among them, the slit coat method is preferable from the viewpoint of being suitable for a large-size substrate. If it is manufactured by a large-sized substrate, it is preferable because productivity is high. Here, a large substrate refers to a substrate having a size of 1 m or more on each side.

또, (2) 용제 제거 공정의 가열 조건은 미노광부에 있어서의 (A) 성분 중의 모노머 단위 (a1) 에 있어서 산 분해성기가 분해되고, (A) 성분을 알칼리 현상액에 가용성으로 하지 않는 범위로서, 각 성분의 종류나 배합비에 따라서도 상이한데, 바람직하게는 80 ∼ 130 ℃ 에서 30 ∼ 120 초간 정도이다.(2) The heating conditions in the solvent removal step are such that the acid-decomposable group is decomposed in the monomer unit (a1) in the component (A) in the unexposed portion and the component (A) is not soluble in the alkali developing solution, But it is preferably about 80 to 130 占 폚 for about 30 to 120 seconds.

<노광 공정 및 현상 공정 (패턴 형성 방법)>&Lt; Exposure step and development step (pattern formation method) &gt;

노광 공정에서는, 도포막을 형성한 기판에 소정 패턴을 갖는 마스크를 개재하여 활성 광선을 조사한다. 노광 공정 후, 필요에 따라 가열 처리 (PEB) 를 실시한 후, 현상 공정에서는, 알칼리성 현상액을 사용하여 노광부 영역을 제거하고 화상 패턴을 형성한다.In the exposure step, the substrate on which the coating film is formed is irradiated with an actinic ray through a mask having a predetermined pattern. After the exposure process, the substrate is subjected to heat treatment (PEB) as required. In the development process, an exposed area is removed using an alkaline developer to form an image pattern.

활성 광선에 의한 노광에는, 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 케미컬 램프, LED 광원, 엑시머 레이저 발생 장치 등을 사용할 수 있고, g 선 (436 ㎚), i 선 (365 ㎚), h 선 (405 ㎚) 등의 파장 300 ㎚ 이상 450 ㎚ 이하의 파장을 갖는 활성 광선을 바람직하게 사용할 수 있다. 또, 필요에 따라 장파장 컷 필터, 단파장 컷 필터, 밴드 패스 필터와 같은 분광 필터를 통과시켜 조사 광을 조정할 수도 있다.(436 nm), i-line (365 nm), h-line (405 nm), and the like can be used for the exposure by the active light beam. Nm) or the like having a wavelength of 300 nm or more and 450 nm or less can be preferably used. If necessary, the irradiation light may be adjusted by passing through a spectral filter such as a long wavelength cut filter, a short wavelength cut filter, or a band pass filter.

현상 공정에서 사용하는 현상액에는, 염기성 화합물이 함유되는 것이 바람직하다. 염기성 화합물로는, 예를 들어 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨 등의 알칼리 금속 수산화물류;탄산나트륨, 탄산칼륨 등의 알칼리 금속 탄산염류;중탄산나트륨, 중탄산칼륨 등의 알칼리 금속 중탄산염류;테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드, 콜린하이드록사이드 등의 암모늄하이드록사이드류;규산나트륨, 메타규산나트륨 등의 수용액을 사용할 수 있다. 또, 상기 알칼리류의 수용액에 메탄올이나 에탄올 등의 수용성 유기 용제나 계면 활성제를 적당량 첨가한 수용액을 현상액으로서 사용할 수도 있다.It is preferable that a developer to be used in the developing process contains a basic compound. Examples of the basic compound include alkali metal hydroxides such as lithium hydroxide, sodium hydroxide and potassium hydroxide; alkali metal carbonates such as sodium carbonate and potassium carbonate; alkali metal bicarbonates such as sodium bicarbonate and potassium bicarbonate; Ammonium hydroxides such as sodium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium hydroxide, sodium hydroxide, sodium hydroxide, sodium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide and the like; An aqueous solution in which an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant is added to the aqueous alkaline solution may be used as a developer.

현상액의 pH 는, 바람직하게는 10.0 ∼ 14.0 이다.The pH of the developing solution is preferably 10.0 to 14.0.

현상 시간은, 바람직하게는 30 ∼ 180 초간이고, 또한 현상 수법은 액 마운팅법, 딥법 등의 어느 것이어도 된다. 현상 후에는, 유수 세정을 30 ∼ 90 초간 실시하여, 원하는 패턴을 형성시킬 수 있다.The developing time is preferably 30 to 180 seconds, and the developing method may be liquid mounting, dipping or the like. After the development, water washing can be carried out for 30 to 90 seconds to form a desired pattern.

<포스트베이크 공정 (가교 공정)>&Lt; Post baking step (crosslinking step) &gt;

현상에 의해 얻어진 미노광 영역에 대응하는 패턴에 대해, 핫 플레이트나 오븐 등의 가열 장치를 이용하여, 소정 온도, 예를 들어 180 ∼ 250 ℃ 에서 소정 시간, 예를 들어 핫 플레이트 상이라면 5 ∼ 60 분간, 오븐이라면 30 ∼ 90 분간 가열 처리를 함으로써, (A) 성분에 있어서의 산 분해성기를 분해하여, 카르복시기 또는 페놀성 수산기를 발생시키고, 모노머 단위 (a2) 중의 가교성기와 반응시켜 가교시킴으로써, 내열성, 경도 등이 우수한 보호막이나 층간 절연막을 형성할 수 있다. 또, 가열 처리를 실시할 때에는 질소 분위기하에서 실시함으로써 투명성을 향상시킬 수도 있다.For example, 180 to 250 DEG C for a predetermined time, for example, in the case of a hot plate, the pattern corresponding to the unexposed area obtained by the development is heated at a predetermined temperature, for example, from 5 to 60 (A) by dissolving the acid-decomposable group in the component (A) to generate a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group by reacting with the crosslinkable group in the monomer unit (a2) , Hardness, and the like can be formed. When the heat treatment is carried out, the transparency can be improved by performing the heat treatment in a nitrogen atmosphere.

또한, 가열 처리에 앞서, 패턴을 형성한 기판에 활성 광선에 의해 재노광한 후, 포스트베이크함 (재노광/포스트베이크) 으로써 미노광 부분에 존재하는 (B) 성분으로부터 산을 발생시켜, 가교 공정을 촉진시키는 촉매로서 기능시키는 것이 바람직하다.Further, after the substrate having the pattern formed thereon is re-exposed by an actinic ray before the heat treatment, an acid is generated from the component (B) present in the unexposed portion by post-baking (re-exposure / post-baking) It is preferable to function as a catalyst for promoting the process.

즉, 본 발명의 경화막 형성 방법은, 현상 공정과 포스트베이크 공정 사이에, 활성 광선에 의해 재노광하는 재노광 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 재노광 공정에 있어서의 노광은, 상기 노광 공정과 동일한 수단에 의해 실시하면 되는데, 상기 재노광 공정에서는, 기판의 본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해 막이 형성된 측에 대해 전체면 노광을 실시하는 것이 바람직하다.That is, it is preferable that the cured film forming method of the present invention includes a re-exposure step of re-exposing by the actinic ray between the developing step and the post-baking step. The exposure in the re-exposure step may be carried out by the same means as in the above exposure step. In the re-exposure step, it is preferable to perform the entire surface exposure on the side of the substrate where the film is formed by the photosensitive resin composition of the present invention Do.

재노광 공정의 바람직한 노광량으로는, 100 ∼ 1,000 mJ/㎠ 이다.The preferable exposure amount of the re-exposure process is 100 to 1,000 mJ / cm &lt; 2 &gt;.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해, 절연성이 우수하고, 고온에서 베이크된 경우에도 높은 투명성을 갖는 층간 절연막이 얻어진다. 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하여 이루어지는 층간 절연막은, 높은 투명성을 갖고, 경화막 물성이 우수하기 때문에, 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치의 용도에 유용하다.By the photosensitive resin composition of the present invention, an interlayer insulating film having high transparency can be obtained even when the insulating resin is excellent in bake at a high temperature. The interlayer insulating film formed using the photosensitive resin composition of the present invention is useful for an organic EL display device or a liquid crystal display device because it has high transparency and excellent physical properties of a cured film.

본 발명의 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치로는, 상기 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성되는 평탄화막이나 층간 절연막을 갖는 것 이외에는 특별히 제한되지 않고, 여러가지 구조를 취하는 공지된 각종 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치를 들 수 있다.The organic EL display device and the liquid crystal display device of the present invention are not particularly limited except that they have a planarizing film or an interlayer insulating film formed by using the photosensitive resin composition of the present invention and various known organic EL displays Device or a liquid crystal display device.

또, 본 발명의 감광성 수지 조성물 및 본 발명의 경화막은 상기 용도에 한정되지 않고 다양한 용도에 사용할 수 있다. 예를 들어 평탄화막이나 층간 절연막 이외에도, 컬러 필터의 보호막이나, 액정 표시 장치에 있어서의 액정층 두께를 일정하게 유지하기 위한 스페이서나 고체 촬상 소자에 있어서 컬러 필터 상에 형성되는 마이크로 렌즈 등에 바람직하게 사용할 수 있다.In addition, the photosensitive resin composition of the present invention and the cured film of the present invention are not limited to the above-mentioned applications and can be used for various applications. For example, a protective film for a color filter, a spacer for keeping the thickness of the liquid crystal layer in a liquid crystal display device constant, or a microlens formed on a color filter in a solid-state image pickup device, in addition to a planarizing film or an interlayer insulating film .

도 1 은 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 보텀 이미션형의 유기 EL 표시 장치에 있어서의 기판의 모식적 단면도를 나타내고, 평탄화막 (4) 을 갖고 있다.Fig. 1 shows a configuration diagram of an example of an organic EL display device. 1 is a schematic cross-sectional view of a substrate in a bottom emission type organic EL display device, and has a planarization film 4.

유리 기판 (6) 상에 보텀 게이트형의 TFT (1) 를 형성하고, 이 TFT (1) 를 덮는 상태에서 Si3N4 로 이루어지는 절연막 (3) 이 형성되어 있다. 절연막 (3) 에, 여기서는 도시를 생략한 컨택트 홀을 형성한 후, 이 컨택트 홀을 통해 TFT (1) 에 접속되는 배선 (2) (높이 1.0 ㎛) 이 절연막 (3) 상에 형성되어 있다. 배선 (2) 은, TFT (1) 간, 또는 이후의 공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT (1) 를 접속시키기 위한 것이다.A bottom gate type TFT 1 is formed on a glass substrate 6 and an insulating film 3 made of Si 3 N 4 is formed in a state of covering the TFT 1. A wiring 2 (height 1.0 mu m) connected to the TFT 1 through the contact hole is formed on the insulating film 3 after forming a contact hole (not shown) in the insulating film 3. The wiring 2 is for connecting the organic EL element formed between the TFTs 1 or the subsequent steps and the TFT 1. [

또한, 배선 (2) 의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해, 배선 (2) 에 의한 요철을 매립하는 상태에서 절연막 (3) 상에 평탄화층 (4) 이 형성되어 있다.The flattening layer 4 is formed on the insulating film 3 in a state of embedding unevenness by the wiring 2 in order to planarize the unevenness due to the formation of the wiring 2. [

평탄화막 (4) 상에는, 보텀 이미션형의 유기 EL 소자가 형성되어 있다. 즉, 평탄화막 (4) 상에, ITO 로 이루어지는 제 1 전극 (5) 이 컨택트 홀 (7) 을 통해 배선 (2) 에 접속시켜 형성되어 있다. 또, 제 1 전극 (5) 은 유기 EL 소자의 양극에 상당한다.On the flattening film 4, a bottom emission type organic EL element is formed. That is, a first electrode 5 made of ITO is formed on the planarization film 4 by being connected to the wiring 2 through the contact hole 7. The first electrode 5 corresponds to the anode of the organic EL element.

제 1 전극 (5) 의 둘레 가장자리를 덮는 형상의 절연막 (8) 이 형성되어 있고, 이 절연막 (8) 을 형성함으로써, 제 1 전극 (5) 과 이 후의 공정에서 형성하는 제 2 전극 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.The insulating film 8 is formed so as to cover the periphery of the first electrode 5. By forming the insulating film 8, the short circuit between the first electrode 5 and the second electrode, which is formed in the subsequent step, Can be prevented.

또한, 도 1 에는 도시하지 않았으나, 원하는 패턴 마스크를 개재하여, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차적으로 증착하여 형성하고, 이어서, 기판 상방의 전체면에 Al 로 이루어지는 제 2 전극을 형성하고, 봉지용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 사용하여 첩합 (貼合) 함으로써 봉지하고, 각 유기 EL 소자에 이것을 구동시키기 위한 TFT (1) 가 접속되어 이루어지는 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치가 얻어진다.1, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, and an electron transporting layer are sequentially deposited by evaporation through a desired pattern mask, then a second electrode made of Al is formed on the entire surface above the substrate, An organic EL display device of an active matrix type in which an encapsulating glass plate and an ultraviolet curing type epoxy resin are used to bond each other to each other and the TFT 1 for driving each organic EL element is connected is obtained.

도 2 는 액티브 매트릭스 방식의 액정 표시 장치 (10) 의 일례를 나타내는 개념적 단면도이다. 이 컬러 액정 표시 장치 (10) 는 배면에 백라이트 유닛 (12) 을 갖는 액정 패널로서, 액정 패널은 편광 필름이 첩부된 2 장의 유리 기판 (14, 15) 사이에 배치된 모든 화소에 대응하는 TFT (16) 의 소자가 배치되어 있다. 유리 기판 상에 형성된 각 소자에는, 경화막 (17) 중에 형성된 컨택트 홀 (18) 을 통해, 화소 전극을 형성하는 ITO 투명 전극 (19) 이 배선되어 있다. ITO 투명 전극 (19) 위에는, 액정 (20) 의 층과 블랙 매트릭스를 배치한 RGB 컬러 필터 (22) 가 형성되어 있다.Fig. 2 is a conceptual cross-sectional view showing an example of the active matrix type liquid crystal display device 10. Fig. This color liquid crystal display device 10 is a liquid crystal panel having a backlight unit 12 on its back surface and the liquid crystal panel has TFTs (not shown) corresponding to all pixels arranged between two glass substrates 14, 16 are disposed on the substrate. In each element formed on the glass substrate, an ITO transparent electrode 19 for forming a pixel electrode is wired through a contact hole 18 formed in the cured film 17. On the ITO transparent electrode 19, an RGB color filter 22 in which a layer of the liquid crystal 20 and a black matrix are arranged is formed.

실시예Example

다음으로 실시예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.EXAMPLES The present invention will now be described more specifically with reference to the following examples. However, the present invention is not limited to these examples.

[합성예 1:A-1 의 합성][Synthesis Example 1: Synthesis of A-1]

메타크릴산1-n-부톡시에틸 44.8 g (0.24 몰), 메타크릴산벤질 21.1 g (0.12 몰), 메타크릴산 30.9 g (0.36 몰) 및 메틸이소부틸케톤 300 ㎖ 를 500 ㎖ 의 3 구 플라스크에 주입하고, 이것에 라디칼 중합 개시제로서, 촉매량의 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산메틸) 을 첨가하여, 질소 기류하, 70 ℃ 에서 6 시간 중합시켰다. 다음으로 메타크릴산글리시딜 71 g (0.5 몰), 디메틸벤질아민 1 g 첨가하고, 70 ℃ 에서 4 시간 교반하였다. 반응액을 냉각 후, 대량의 헵탄에 부어 폴리머를 석출시켰다. 결정을 여과 채취한 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트에 용해시키고, 용액 중에 함유되는 헵탄, 메틸이소부틸케톤을 감압 증류 제거함으로써, 폴리머 A-1 을 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 50 중량% 용액으로서 얻었다.(0.24 mol) of 1-n-butoxyethyl methacrylate, 21.1 g (0.12 mol) of benzyl methacrylate, 30.9 g (0.36 mol) of methacrylic acid, and 300 mL of methyl isobutyl ketone were placed in a 500 mL three- And a catalytic amount of 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate) as a radical polymerization initiator was added thereto, followed by polymerization in a nitrogen stream at 70 ° C for 6 hours. Subsequently, 71 g (0.5 mol) of glycidyl methacrylate and 1 g of dimethylbenzylamine were added, and the mixture was stirred at 70 캜 for 4 hours. The reaction solution was cooled and poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate, and heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to obtain polymer A-1 as a 50 wt% solution of propylene glycol monomethyl ether acetate .

[화학식 43](43)

Figure 112010066367407-pat00043
Figure 112010066367407-pat00043

[합성예 2:A-2 의 합성][Synthesis Example 2: Synthesis of A-2]

메타크릴산1-에톡시에틸 47.5 g (0.3 몰), 메타크릴산글리시딜 25.6 g (0.18 몰), 메타크릴산벤질 21.2 g (0.12 몰) 및 메틸이소부틸케톤 300 ㎖ 를 500 ㎖ 의 3 구 플라스크에 주입하고, 이것에 라디칼 중합 개시제로서 촉매량의 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산메틸) 을 첨가하여, 질소 기류하, 70 ℃ 에서 6 시간 중합시켰다. 반응액을 냉각 후, 대량의 헵탄에 부어 폴리머를 석출시켰다. 결정을 여과 채취한 후, 디에틸렌글리콜디메틸에테르에 용해시키고, 용액 중에 함유되는 헵탄과 메틸이소부틸케톤을 감압 증류 제거함으로써, 폴리머 A-2 (메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산글리시딜/메타크릴산벤질) 를 디에틸렌글리콜디메틸에테르 50 중량% 용액으로서 얻었다.47.5 g (0.3 mol) of 1-ethoxyethyl methacrylate, 25.6 g (0.18 mol) of glycidyl methacrylate, 21.2 g (0.12 mol) of benzyl methacrylate and 300 ml of methyl isobutyl ketone were dissolved in 500 ml of 3 And a catalytic amount of 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate) as a radical polymerization initiator was added thereto, followed by polymerization in a nitrogen stream at 70 ° C for 6 hours. The reaction solution was cooled and poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in diethylene glycol dimethyl ether, and heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to obtain polymer A-2 (1-ethoxyethyl methacrylate / Cidyl / benzyl methacrylate) as a 50 wt% solution of diethylene glycol dimethyl ether.

얻어진 폴리머의 메타크릴산1-에톡시에틸 단위, 메타크릴산글리시딜 단위 및 메타크릴산벤질 단위의 구성 비율은 NMR 측정으로부터 약 50:30:20 이었다. 또, 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 7,000 이고, 분자량 분포 (Mw/Mn) 는 1.7 이었다.The composition ratio of the 1-ethoxyethyl methacrylate unit, the glycidyl methacrylate unit and the benzyl methacrylate unit of the obtained polymer was about 50:30:20 from the NMR measurement. As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the weight average molecular weight was about 7,000 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.7.

[화학식 44](44)

Figure 112010066367407-pat00044
Figure 112010066367407-pat00044

[합성예 3:A-3 의 합성][Synthesis Example 3: Synthesis of A-3]

메타크릴산1-벤질옥시에틸 79.3 g (0.36 몰), 아크릴산글리시딜 23.1 g (0.18 몰), 메타크릴산2-하이드록시에틸 7.8 g (0.06 몰) 및 메틸이소부틸케톤 300 ㎖ 를 500 ㎖ 의 3 구 플라스크에 주입하고, 이것에 라디칼 중합 개시제로서 촉매량의 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산메틸) 을 첨가하여, 질소 기류하, 70 ℃ 에서 6 시간 중합시켰다. 반응액을 냉각 후, 대량의 헵탄에 부어 폴리머를 석출시켰다. 결정을 여과 채취한 후, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르에 용해시키고, 용액 중에 함유되는 헵탄과 메틸이소부틸케톤을 감압 증류 제거함으로써, 폴리머 A-3 (메타크릴산1-벤질옥시에틸/아크릴산글리시딜/메타크릴산2-하이드록시에틸) 을 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 50 중량% 용액으로서 얻었다.(0.36 mol) of 1-benzyloxyethyl methacrylate, 23.1 g (0.18 mol) of glycidyl acrylate, 7.8 g (0.06 mol) of 2-hydroxyethyl methacrylate and 300 mL of methyl isobutyl ketone were added to 500 mL , And a catalytic amount of 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate) as a radical polymerization initiator was added thereto, followed by polymerization in a nitrogen stream at 70 ° C for 6 hours. The reaction solution was cooled and poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in diethylene glycol ethyl methyl ether, and the heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to obtain polymer A-3 (1-benzyloxyethyl methacrylate / glycidyl acrylate Dile / 2-hydroxyethyl methacrylate) as a 50 wt% solution of diethylene glycol ethyl methyl ether.

얻어진 폴리머의 메타크릴산1-벤질옥시에틸 단위, 아크릴산글리시딜 단위 및 메타크릴산2-하이드록시에틸 단위의 구성 비율은 NMR 측정으로부터 약 60:30:10 이었다. 또, 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 10,000 이고, 분자량 분포 (Mw/Mn) 는 1.8 이었다.The composition ratio of the 1-benzyloxyethyl methacrylate unit, the glycidyl acrylate unit and the 2-hydroxyethyl methacrylate unit of the obtained polymer was about 60:30:10 from the NMR measurement. As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the weight average molecular weight was about 10,000 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.8.

[화학식 45][Chemical Formula 45]

Figure 112010066367407-pat00045
Figure 112010066367407-pat00045

[합성예 4:A-4 의 합성][Synthesis Example 4: Synthesis of A-4]

아크릴산 1-에톡시에틸 43.3 g (0.3 몰), 메타크릴산글리시딜 25.6 g (0.18 몰), 메타크릴산벤질 21.2 g (0.12 몰) 및 메틸이소부틸케톤 300 ㎖ 를 500 ㎖ 의 3 구 플라스크에 주입하고, 이것에 라디칼 중합 개시제로서 촉매량의 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산메틸) 을 첨가하여, 질소 기류하, 70 ℃ 에서 6 시간 중합시켰다. 반응액을 냉각 후, 대량의 헵탄에 부어 폴리머를 석출시켰다. 결정을 여과 채취한 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트에 용해시키고, 용액 중에 함유되는 헵탄과 메틸이소부틸케톤을 감압 증류 제거함으로써, 폴리머 A-4 (아크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산글리시딜/메타크릴산벤질) 를 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 50 중량% 용액으로서 얻었다.43.3 g (0.3 mol) of 1-ethoxyethyl acrylate, 25.6 g (0.18 mol) of glycidyl methacrylate, 21.2 g (0.12 mol) of benzyl methacrylate and 300 ml of methyl isobutyl ketone were placed in a 500 ml three- And a catalytic amount of 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate) as a radical polymerization initiator was added thereto, followed by polymerization in a nitrogen stream at 70 ° C for 6 hours. The reaction solution was cooled and poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate, and the heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to obtain polymer A-4 (1-ethoxyethyl acrylate / glycidyl methacrylate Dl / benzyl methacrylate) as a 50 wt% solution of propylene glycol monomethyl ether acetate.

얻어진 폴리머의 아크릴산1-에톡시에틸 단위와 메타크릴산글리시딜 단위와 메타크릴산벤질 단위의 구성 비율은 NMR 측정으로부터 약 50:30:20 이었다. 또, 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 8,000 이고, 분자량 분포 (Mw/Mn) 는 1.7 이었다.The composition ratio of the 1-ethoxyethyl acrylate unit, glycidyl methacrylate unit and benzyl methacrylate unit of the obtained polymer was about 50:30:20 from NMR measurement. As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the weight average molecular weight was about 8,000 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.7.

[화학식 46](46)

Figure 112010066367407-pat00046
Figure 112010066367407-pat00046

[합성예 5:A-5 의 합성][Synthesis Example 5: Synthesis of A-5]

메타크릴산1-시클로헥실옥시에틸 76.4 g (0.36 몰), 3,4-에폭시시클로헥실메틸메타크릴레이트 (다이셀 화학 공업 (주) 제조 사이크로머 M100) 35.3 g (0.18 몰), 메타크릴산2-하이드록시에틸 7.8 g (0.06 몰) 및 메틸이소부틸케톤 300 ㎖ 를 500 ㎖ 의 3 구 플라스크에 주입하고, 이것에 라디칼 중합 개시제로서 촉매량의 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산메틸) 을 첨가하여, 질소 기류하, 70 ℃ 에서 6 시간 중합시켰다. 반응액을 냉각 후, 대량의 헵탄에 부어 폴리머를 석출시켰다. 결정을 여과 채취한 후, 디에틸렌글리콜디메틸에테르에 용해시키고, 용액 중에 함유되는 헵탄과 메틸이소부틸케톤을 감압 증류 제거함으로써, 폴리머 A-5 (메타크릴산1-시클로헥실옥시에틸/3,4-에폭시시클로헥실메틸메타크릴레이트/메타크릴산2-하이드록시에틸) 를 디에틸렌글리콜디메틸에테르 50 중량% 용액으로서 얻었다.(0.38 mol) of 1-cyclohexyloxyethyl methacrylate, 35.3 g (0.18 mol) of 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate (Cyclomer M100, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.) 7.8 g (0.06 mol) of 2-hydroxyethyl and 300 ml of methyl isobutyl ketone were placed in a 500 ml three-necked flask, and a catalytic amount of 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate ), And the mixture was polymerized at 70 DEG C for 6 hours under a nitrogen stream. The reaction solution was cooled and poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in diethylene glycol dimethyl ether, and the heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to obtain Polymer A-5 (1-cyclohexyloxyethyl methacrylate / 3,4 -Epoxycyclohexylmethyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate) as a 50 wt% solution of diethylene glycol dimethyl ether.

얻어진 폴리머의 메타크릴산1-시클로헥실옥시에틸 단위, 3,4-에폭시시클로헥실메틸메타크릴레이트 단위 및 메타크릴산2-하이드록시에틸 단위의 구성 비율은 NMR 측정으로부터 약 60:30:10 이었다. 또, 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 6,000 이고, 분자량 분포 (Mw/Mn) 는 1.8 이었다.The composition ratio of 1-cyclohexyloxyethyl methacrylate unit, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate unit and 2-hydroxyethyl methacrylate unit of the obtained polymer was about 60:30:10 from NMR measurement . As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the weight average molecular weight was about 6,000 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.8.

[화학식 47](47)

Figure 112010066367407-pat00047
Figure 112010066367407-pat00047

[합성예 6:A-6 의 합성][Synthesis Example 6: Synthesis of A-6]

메타크릴산2-테트라하이드로피라닐 57.0 g (0.36 몰), p-비닐페닐글리시딜에테르 31.7 g (0.18 몰), 메타크릴산2-하이드록시에틸 7.8 g (0.06 몰) 및 메틸이소부틸케톤 300 ㎖ 를 500 ㎖ 의 3 구 플라스크에 주입하고, 이것에 라디칼 중합 개시제로서 촉매량의 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산메틸) 을 첨가하여, 질소 기류하, 70 ℃ 에서 6 시간 중합시켰다. 반응액을 냉각 후, 대량의 헵탄에 부어 폴리머를 석출시켰다. 결정을 여과 채취한 후, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르에 용해시키고, 용액 중에 함유되는 헵탄과 메틸이소부틸케톤을 감압 증류 제거함으로써, 폴리머 A-6 (메타크릴산2-테트라하이드로피라닐/p-비닐페닐글리시딜에테르/메타크릴산2-하이드록시에틸) 을 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 50 중량% 용액으로서 얻었다.57.7 g (0.36 mol) of 2-tetrahydropyranyl methacrylate, 31.7 g (0.18 mol) of p-vinylphenylglycidyl ether, 7.8 g (0.06 mol) of 2-hydroxyethyl methacrylate, 300 ml was injected into a 500 ml three-necked flask, and a catalytic amount of 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate) was added thereto as a radical polymerization initiator, followed by polymerization in a nitrogen stream at 70 ° C for 6 hours . The reaction solution was cooled and poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in diethylene glycol ethyl methyl ether, and the heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to obtain polymer A-6 (2-tetrahydropyranyl methacrylate / p- Vinyl phenyl glycidyl ether / 2-hydroxyethyl methacrylate) as a 50 wt% solution of diethylene glycol ethyl methyl ether.

얻어진 폴리머의 메타크릴산2-테트라하이드로피라닐 단위, p-비닐페닐글리시딜에테르 단위 및 메타크릴산2-하이드록시에틸 단위의 구성 비율은 NMR 측정으로부터 약 60:30:10 이었다. 또, 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 7,000 이고, 분자량 분포 (Mw/Mn) 는 1.8 이었다.The composition ratio of the 2-tetrahydropyranyl methacrylate unit, the p-vinylphenylglycidyl ether unit and the 2-hydroxyethyl methacrylate unit of the obtained polymer was about 60:30:10 from the NMR measurement. As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the weight average molecular weight was about 7,000 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.8.

[화학식 48](48)

Figure 112010066367407-pat00048
Figure 112010066367407-pat00048

[합성예 7:A-7 의 합성][Synthesis Example 7: Synthesis of A-7]

메타크릴산1-에톡시에틸 38.0 g (0.24 몰), 메타크릴산글리시딜 21.3 g (0.15 몰), 메타크릴산벤질 26.4 g (0.15 몰), 메타크릴산 5.2 g (0.06 몰) 및 메틸이소부틸케톤 300 ㎖ 를 500 ㎖ 의 3 구 플라스크에 주입하고, 이것에 라디칼 중합 개시제로서 촉매량의 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산메틸) 을 첨가하여, 질소 기류하, 70 ℃ 에서 6 시간 중합시켰다. 반응액을 냉각 후, 대량의 헵탄에 부어 폴리머를 석출시켰다. 결정을 여과 채취한 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트와 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르의 혼합 용제에 용해시키고, 용액 중에 함유되는 헵탄과 메틸이소부틸케톤을 감압 증류 제거함으로써, 폴리머 A-7 (메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산글리시딜/메타크릴산벤질/메타크릴산) 을 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트와 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르의 혼합 용제의 50 중량% 용액으로서 얻었다., Methacrylic acid (5.2 g, 0.06 mole), and methyl (3-methylphenyl) methacrylate were dissolved in a mixture of 38.0 g (0.24 mol) of 1-ethoxyethyl methacrylate, 21.3 g (0.15 mol) of glycidyl methacrylate, Azobis (2-methylpropionate) as a radical polymerization initiator was added to the flask, and the mixture was stirred at 70 占 폚 for 6 Lt; / RTI &gt; The reaction solution was cooled and poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in a mixed solvent of propylene glycol monomethyl ether acetate and diethylene glycol ethyl methyl ether, and heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to obtain polymer A-7 Acid 1-ethoxyethyl / glycidyl methacrylate / benzyl methacrylate / methacrylic acid) as a 50% by weight solution of a mixed solvent of propylene glycol monomethyl ether acetate and diethylene glycol ethyl methyl ether.

얻어진 폴리머의 메타크릴산1-에톡시에틸 단위, 메타크릴산글리시딜 단위, 메타크릴산벤질 단위 및 메타크릴산의 구성 비율은 NMR 측정으로부터 약 40:25:25:10 이었다. 또, 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 7,000 이고, 분자량 분포 (Mw/Mn) 는 1.7 이었다.The composition ratio of the 1-ethoxyethyl methacrylate unit, the glycidyl methacrylate unit, the benzyl methacrylate unit, and the methacrylic acid of the obtained polymer was about 40:25:25:10 as measured by NMR. As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the weight average molecular weight was about 7,000 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.7.

[화학식 49](49)

Figure 112010066367407-pat00049
Figure 112010066367407-pat00049

[합성예 8:A-8 의 합성][Synthesis Example 8: Synthesis of A-8]

메타크릴산1-에톡시에틸 47.5 g (0.3 몰), 메타크릴산(1-에틸-3-옥사시클로부틸)메틸 33.2 g (0.18 몰), 메타크릴산벤질 21.2 g (0.12 몰) 및 메틸이소부틸케톤 300 ㎖ 를 500 ㎖ 의 3 구 플라스크에 주입하고, 이것에 라디칼 중합 개시제로서 촉매량의 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산메틸) 을 첨가하여, 질소 기류하, 70 ℃ 에서 6 시간 중합시켰다. 반응액을 냉각 후, 대량의 헵탄에 부어 폴리머를 석출시켰다. 결정을 여과 채취한 후, 디에틸렌글리콜디메틸에테르에 용해시키고, 용액 중에 함유되는 헵탄과 메틸이소부틸케톤을 감압 증류 제거함으로써, 폴리머 A-8 (메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산(1-에틸-3-옥사시클로부틸)메틸/메타크릴산벤질) 을 디에틸렌글리콜디메틸에테르 50 중량% 용액으로서 얻었다.(0.18 mol) of methacrylic acid (1-ethyl-3-oxacyclobutyl) methyl, 21.2 g (0.12 mol) of benzyl methacrylate, and 47.5 g (0.3 mol) of 1-ethoxyethyl methacrylate, Azobis (methyl 2-methylpropionate) as a radical polymerization initiator was added to the flask, and the mixture was stirred at 70 ° C for 6 hours Lt; / RTI &gt; The reaction solution was cooled and poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in diethylene glycol dimethyl ether, and the heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to obtain polymer A-8 (1-ethoxyethyl methacrylate / Ethyl-3-oxacyclobutyl) methyl / benzyl methacrylate) as a 50 wt% solution of diethylene glycol dimethyl ether.

얻어진 폴리머의 메타크릴산1-에톡시에틸 단위, 메타크릴산(1-에틸-3-옥사시클로부틸)메틸 단위 및 메타크릴산벤질 단위의 구성 비율은 NMR 측정으로부터 약 50:30:20 이었다. 또, 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 8,000 이고, 분자량 분포 (Mw/Mn) 는 1.7 이었다.The composition ratio of the 1-ethoxyethyl methacrylate unit, the methacrylic acid (1-ethyl-3-oxacyclobutyl) methyl unit and the benzyl methacrylate unit of the obtained polymer was about 50:30:20 from NMR measurement. As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the weight average molecular weight was about 8,000 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.7.

[화학식 50](50)

Figure 112010066367407-pat00050
Figure 112010066367407-pat00050

[합성예 9:A-9 의 합성][Synthesis Example 9: Synthesis of A-9]

중합 개시제량을 감량한 것 이외에는 A-5 와 동일하게 합성하였다.A-5 was synthesized in the same manner as in A-5 except that the amount of the polymerization initiator was reduced.

폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 25,000 이고, 분자량 분포 (Mw/Mn) 는 1.8 이었다.As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the weight average molecular weight was about 25,000 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.8.

[합성예 10:A-10 의 합성][Synthesis Example 10: Synthesis of A-10]

중합 개시제량을 감량한 것 이외에는 A-8 과 동일하게 합성하였다.A-8 was synthesized in the same manner as in A-8 except that the amount of the polymerization initiator was reduced.

폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 35,000 이고, 분자량 분포 (Mw/Mn) 는 1.9 였다.As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the weight average molecular weight was about 35,000 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.9.

[합성예 11:A-11 의 합성][Synthesis Example 11: Synthesis of A-11]

메타크릴산1-에톡시에틸 0.4 몰, 메타크릴산글리시딜 0.6 몰 및 메틸이소부틸케톤 300 ㎖ 를 500 ㎖ 의 3 구 플라스크에 주입하고, 이것에 라디칼 중합 개시제로서 촉매량의 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산메틸) 을 첨가하여, 질소 기류하, 70 ℃ 에서 6 시간 중합시켰다.0.4 mol of 1-ethoxyethyl methacrylate, 0.6 mol of glycidyl methacrylate, and 300 mL of methyl isobutyl ketone were charged in a 500 mL three-necked flask, and a catalytic amount of 2,2'- Azobis (methyl 2-methylpropionate) was added, and polymerization was carried out at 70 占 폚 for 6 hours under a nitrogen stream.

다음으로 메타크릴산글리시딜 0.4 몰, 디메틸벤질아민 1 g 첨가하고, 60 ℃ 에서 4 시간 교반하였다. 반응액을 냉각 후, 대량의 헵탄에 부어 폴리머를 석출시켰다. 결정을 여과 채취한 후, 디에틸렌글리콜디메틸에테르에 용해시키고, 용액 중에 함유되는 헵탄과 메틸이소부틸케톤을 감압 증류 제거함으로써, 폴리머 A-11 을 디에틸렌글리콜디메틸에테르 50 중량% 용액으로서 얻었다. 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 8,000 이고, 분자량 분포 (Mw/Mn) 는 1.8 이었다.Next, 0.4 mol of glycidyl methacrylate and 1 g of dimethylbenzylamine were added, and the mixture was stirred at 60 캜 for 4 hours. The reaction solution was cooled and poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in diethylene glycol dimethyl ether, and the heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to obtain polymer A-11 as a 50 wt% solution of diethylene glycol dimethyl ether. As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the weight average molecular weight was about 8,000 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.8.

[화학식 51](51)

Figure 112010066367407-pat00051
Figure 112010066367407-pat00051

[합성예 12:A-12 의 합성][Synthesis Example 12: Synthesis of A-12]

메타크릴산1-에톡시에틸 47.5 g (0.3 몰), 메타크릴산글리시딜 25.6 g (0.18 몰), 메타크릴산t-부틸 0.12 몰 및 메틸이소부틸케톤 300 ㎖ 를 500 ㎖ 의 3 구 플라스크에 주입하고, 이것에 라디칼 중합 개시제로서 촉매량의 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산메틸) 을 첨가하여, 질소 기류하, 70 ℃ 에서 6 시간 중합시켰다. 반응액을 냉각 후, 대량의 헵탄에 부어 폴리머를 석출시켰다. 결정을 여과 채취한 후, 디에틸렌글리콜디메틸에테르에 용해시키고, 용액 중에 함유되는 헵탄과 메틸이소부틸케톤을 감압 증류 제거함으로써, 폴리머 A-12 를 디에틸렌글리콜디메틸에테르 50 중량% 용액으로서 얻었다.47.5 g (0.3 mole) of 1-ethoxyethyl methacrylate, 25.6 g (0.18 mole) of glycidyl methacrylate, 0.12 mole of t-butyl methacrylate and 300 ml of methyl isobutyl ketone were placed in a 500 ml three- And a catalytic amount of 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate) as a radical polymerization initiator was added thereto, followed by polymerization in a nitrogen stream at 70 ° C for 6 hours. The reaction solution was cooled and poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in diethylene glycol dimethyl ether, and the heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to obtain polymer A-12 as a 50 wt% solution of diethylene glycol dimethyl ether.

폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 7,000 이고, 분자량 분포 (Mw/Mn) 는 1.7 이었다.As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the weight average molecular weight was about 7,000 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.7.

[화학식 52](52)

Figure 112010066367407-pat00052
Figure 112010066367407-pat00052

[페놀 1 (4-하이드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르) 의 합성][Synthesis of phenol 1 (4-hydroxybenzoic acid (2-methacryloyloxyethyl) ester]

4-하이드록시벤조산(2-하이드록시에틸)에스테르 21 g 의 아세토니트릴 100 ㎖ 용액에, 교반하, N,N-디메틸아세트아미드 20 ㎖ 를 첨가하고, 추가로 메타크릴산클로라이드 20 g 을 첨가하였다. 35 ℃ 에서 8 시간, 교반하면서 반응시킨 후, 반응 혼합물을 빙수에 쏟아, 석출된 결정을 여과 채취하고, 아세트산에틸/n-헥산으로부터 재결정하여, 4-하이드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르를 얻었다.To a solution of 21 g of 4-hydroxybenzoic acid (2-hydroxyethyl) ester in 100 ml of acetonitrile, 20 ml of N, N-dimethylacetamide was added with stirring, and further 20 g of methacrylic acid chloride was added . The reaction mixture was poured into ice water and the precipitated crystals were collected by filtration and recrystallized from ethyl acetate / n-hexane to give 4-hydroxybenzoic acid (2-methacryloyloxy Ethyl) ester.

[페놀 2 (4-하이드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르) 의 합성][Synthesis of phenol 2 (4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester]

4-하이드록시벤조산(3-하이드록시프로필)에스테르 23 g 의 아세토니트릴 100 ㎖ 용액에, 교반하, N-메틸피롤리돈 20 ㎖ 를 첨가하고, 추가로 메타크릴산클로라이드 16 g 을 첨가하였다. 35 ℃ 에서 8 시간, 교반하면서 반응시킨 후, 반응 혼합물을 빙수에 쏟아, 석출된 결정을 여과 채취하고, 아세트산에틸/n-헥산으로부터 재결정하여, 4-하이드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르를 얻었다.To a solution of 23 g of 4-hydroxybenzoic acid (3-hydroxypropyl) ester in 100 ml of acetonitrile, 20 ml of N-methylpyrrolidone was added with stirring, and further 16 g of methacrylic acid chloride was added. The reaction mixture was poured into ice water and the precipitated crystals were collected by filtration and recrystallized from ethyl acetate / n-hexane to give 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy Propyl) ester.

[페놀 3 (4-하이드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-하이드록시프로필)에스테르) 의 합성][Synthesis of phenol 3 (4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester]

p-하이드록시벤조산 100 g, 글리시딜메타크릴레이트 100 g, 테트라부틸암모늄브로마이드 9.7 g 을 N-메틸피롤리돈 250 ㎖ 용액에 첨가하고, 90 ℃ 에서 6 시간, 교반하면서 반응시킨 후, 반응 혼합물을 물/아세트산에틸 혼합 용매에 쏟아, 석출된 결정을 여과 채취하고, 아세트산에틸/n-헥산으로부터 재결정하여, 4-하이드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-하이드록시프로필)에스테르를 얻었다.100 g of p-hydroxybenzoic acid, 100 g of glycidyl methacrylate, and 9.7 g of tetrabutylammonium bromide were added to a 250 ml solution of N-methylpyrrolidone and reacted at 90 DEG C for 6 hours with stirring, The mixture was poured into a water / ethyl acetate mixed solvent and the precipitated crystals were collected by filtration and recrystallized from ethyl acetate / n-hexane to give 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) .

[보호 페놀의 합성][Synthesis of protected phenol]

페놀 1, 2, 3 을 산 촉매하, 각각 에틸비닐에테르와 반응시킴으로써, 페놀성 수산기의 에틸아세탈 보호체 (보호 페놀 1, 2, 3) 를 얻었다.Phenol 1, 2, and 3 were reacted with ethyl vinyl ether, respectively, with an acid catalyst to obtain an ethyl acetal protective group (protective phenol 1, 2, 3) of a phenolic hydroxyl group.

[합성예 13:A-13 의 합성][Synthesis Example 13: synthesis of A-13]

A-8 의 합성에 있어서 메타크릴산1-에톡시에틸을 보호 페놀 1 로 변경한 것 이외에는 A-8 과 동일하게 합성하여, A-13 을 얻었다. 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 8,000 이고, 분자량 분포 (Mw/Mn) 는 1.7 이었다.A-13 was obtained in the same manner as A-8 except that 1-ethoxyethyl methacrylate was changed to protected phenol 1 in the synthesis of A-8. As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the weight average molecular weight was about 8,000 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.7.

[합성예 14:A-14 의 합성][Synthesis Example 14: Synthesis of A-14]

A-8 의 합성에 있어서 메타크릴산1-에톡시에틸을 보호 페놀 2 로 변경한 것 이외에는 A-8 과 동일하게 합성하여, A-14 를 얻었다. 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 8,000 이고, 분자량 분포 (Mw/Mn) 는 1.8 이었다.A-14 was obtained in the same manner as A-8 except that 1-ethoxyethyl methacrylate was changed to protected phenol 2 in the synthesis of A-8. As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the weight average molecular weight was about 8,000 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.8.

[합성예 15:A-15 의 합성][Synthesis Example 15: Synthesis of A-15]

A-8 의 합성에 있어서 메타크릴산1-에톡시에틸을 보호 페놀 3 으로 변경한 것 이외에는 A-8 과 동일하게 합성하여, A-15 를 얻었다. 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 8,000 이고, 분자량 분포 (Mw/Mn) 는 1.8 이었다.A-15 was obtained in the same manner as A-8 except that 1-ethoxyethyl methacrylate was changed to protected phenol 3 in the synthesis of A-8. As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the weight average molecular weight was about 8,000 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.8.

[합성예 16:A-16 의 합성][Synthesis Example 16: Synthesis of A-16]

A-9 의 합성에 있어서 메타크릴산1-시클로헥실옥시에틸을 보호 페놀 3 으로 변경하고, 개시제량을 더욱 감량한 것 이외에는 A-8 과 동일하게 합성하여, A-16 을 얻었다. 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 45,000 이고, 분자량 분포 (Mw/Mn) 는 2.1 이었다.A-16 was obtained in the same manner as A-8 except that 1-cyclohexyloxyethyl methacrylate was changed to protected phenol 3 in the synthesis of A-9 and the initiator amount was further reduced. As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the weight average molecular weight was about 45,000 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 2.1.

[합성예 17:A-17 의 합성][Synthesis Example 17: Synthesis of A-17]

3 구 플라스크에 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA) 12.4 g 을 넣고, 질소 분위기하에서 70 ℃ 로 승온시켰다. 그 용액에 메타크릴산 (MAA) 0.603 g, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트 (HEMA) 1.821 g, 메타크릴산테트라하이드로푸란-2-일 (MATHF) 4.373 g, 옥세탄메타크릴레이트 (OXE-30, 오사카 유기 화학 공업 (주) 제조) 3.868 g, V-65 (중합 개시제, 와코 순약 공업 (주) 제조) 1.217 g (모노머에 대해 7 mol %) 을 PGMEA 12.4 g 에 용해시키고, 2 시간에 걸쳐 적하하였다. 적하 종료 후 4 시간 교반하고, 반응을 종료시켰다. 중량 평균 분자량은 6,500 이었다. 분자량 분포 (Mw/Mn) 는 1.7 이었다.A three-necked flask was charged with 12.4 g of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), and the temperature was raised to 70 占 폚 under a nitrogen atmosphere. To this solution, 0.603 g of methacrylic acid (MAA), 1.821 g of 2-hydroxyethylmethacrylate (HEMA), 4.373 g of methacrylic acid tetrahydrofuran-2-ylmethacrylate (OXE- 30, manufactured by Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd.) and 1.217 g (7 mol% based on the monomer) of V-65 (polymerization initiator, Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were dissolved in 12.4 g of PGMEA, / RTI &gt; After completion of dropwise addition, stirring was performed for 4 hours, and the reaction was terminated. The weight average molecular weight was 6,500. The molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.7.

[화학식 53](53)

Figure 112010066367407-pat00053
Figure 112010066367407-pat00053

[합성예 18:A-18 의 합성][Synthesis Example 18: Synthesis of A-18]

3 구 플라스크에 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA) 32.75 g 을 넣고, 질소 분위기하에서 70 ℃ 로 승온시켰다. 그 용액에 메타크릴산 (MAA) 1.54 g, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트 (HEMA) 5.20 g, 메타크릴산테트라하이드로푸란-2-일 (MATHF) 12.80 g, 글리시딜메타크릴레이트 (GMA) 8.53 g, V-65 (중합 개시제, 와코 순약 공업 (주) 제조) 3.477 g (모노머에 대해 7 mol %) 을 PGMEA (32.75 g) 에 용해시키고, 2 시간에 걸쳐 적하하였다. 적하 종료 후 4 시간 교반하고, 반응을 종료시켰다. 중량 평균 분자량은 7,100 이었다. 분자량 분포 (Mw/Mn) 는 1.4 였다.32.75 g of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) was placed in a three-necked flask, and the temperature was raised to 70 占 폚 under a nitrogen atmosphere. To the solution was added 1.54 g of methacrylic acid (MAA), 5.20 g of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA), 12.80 g of methacrylic acid tetrahydrofuran-2-yl (MATHF), glycidyl methacrylate ) And 3.477 g (7 mol% based on the monomer) of V-65 (polymerization initiator, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were dissolved in PGMEA (32.75 g) and added dropwise over 2 hours. After completion of dropwise addition, stirring was performed for 4 hours, and the reaction was terminated. The weight average molecular weight was 7,100. The molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.4.

[화학식 54](54)

Figure 112010066367407-pat00054
Figure 112010066367407-pat00054

또한, 상기 합성예 A-17 및 A-18 에 있어서 사용한 MATHF 는 이하와 같이 하여 합성하였다.The MATHF used in Synthesis Examples A-17 and A-18 was synthesized as follows.

<MATHF (메타크릴산테트라하이드로푸란-2-일) 의 합성>&Lt; Synthesis of MATHF (tetrahydrofuran-2-yl methacrylate)

메타크릴산 (86 g, 1 mol) 을 15 ℃ 에 냉각시켜 두고, 캠퍼술폰산 (4.6 g, 0.02 mol) 첨가하였다. 그 용액에, 2,3-디하이드로푸란 (71 g, 1 mol, 1.0 당량) 을 적하하였다. 1 시간 교반한 후에, 포화 탄산수소나트륨 수용액 (500 ㎖) 을 첨가하고, 아세트산에틸 (500 ㎖) 로 추출하고, 황산마그네슘으로 건조 후, 불용물을 여과 후 40 ℃ 이하에서 감압 농축시키고, 잔사의 황색 오일상물을 감압 증류시켜 비점 (bp.) 54 ∼ 56 ℃/3.5 mmHg 유분 (留分) 의 메타크릴산테트라하이드로푸란-2-일 (MATHF) 125 g 을 무색 오일상물로서 얻었다 (수율 80 %).Methacrylic acid (86 g, 1 mol) was cooled to 15 DEG C and camphorsulfonic acid (4.6 g, 0.02 mol) was added. To the solution, 2,3-dihydrofuran (71 g, 1 mol, 1.0 equivalent) was added dropwise. After stirring for 1 hour, a saturated aqueous sodium hydrogen carbonate solution (500 ml) was added, extracted with ethyl acetate (500 ml), dried over magnesium sulfate, The yellow oily phase was distilled under reduced pressure to obtain 125 g of methacrylic acid tetrahydrofuran-2-yl methacrylate (MATHF) having a boiling point (bp.) Of 54 to 56 ° C / 3.5 mmHg as a colorless oily product 80%).

[합성예 19:A-19 의 합성][Synthesis Example 19: Synthesis of A-19]

A-17 의 합성에 있어서 MATHF 를 메타크릴산1-에톡시에틸로 변경한 것 이외에는 A-17 과 동일하게 합성하여, A-19 를 얻었다. 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 8,000 이고, 분자량 분포 (Mw/Mn) 는 1.8 이었다.A-19 was obtained in the same manner as in A-17 except that in the synthesis of A-17, MATHF was changed to 1-ethoxyethyl methacrylate. As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the weight average molecular weight was about 8,000 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.8.

[화학식 55](55)

Figure 112010066367407-pat00055
Figure 112010066367407-pat00055

[합성예 20:A-20 의 합성][Synthesis Example 20: Synthesis of A-20]

A-17 의 합성에 있어서, 모노머로서 추가로 스티렌을 첨가한 것 이외에는, A-20 의 합성과 동일하게 하여 A-20 을 합성하였다.A-20 was synthesized in the same manner as in the synthesis of A-20, except that styrene was further added as a monomer.

[화학식 56](56)

Figure 112010066367407-pat00056
Figure 112010066367407-pat00056

[합성예 21:B10 의 합성][Synthesis Example 21: Synthesis of B10]

2-나프톨 (10 g), 클로로벤젠 (30 ㎖) 의 현탁 용액에 염화알루미늄 (10.6 g), 2-클로로프로피오닐클로라이드 (10.1 g) 를 첨가하고, 혼합액을 40 ℃ 로 가열하여 2 시간 반응시켰다. 빙랭하, 반응액에 4NHCl 수용액 (60 ㎖) 을 적하하고, 아세트산에틸 (50 ㎖) 을 첨가하여 분액하였다. 유기층에 탄산칼륨 (19.2 g) 을 첨가하고, 40 ℃ 에서 1 시간 반응시킨 후, 2NHCl 수용액 (60 ㎖) 을 첨가하여 분액하고, 유기층을 농축 후, 결정을 디이소프로필에테르 (10 ㎖) 로 리슬러리하고, 여과, 건조시켜 케톤 화합물 (6.5 g) 을 얻었다.Aluminum chloride (10.6 g) and 2-chloropropionyl chloride (10.1 g) were added to a suspension of 2-naphthol (10 g) and chlorobenzene (30 ml), and the mixture was heated to 40 캜 for reaction for 2 hours . Under ice cooling, 4N HCl aqueous solution (60 ml) was added dropwise to the reaction solution, and ethyl acetate (50 ml) was added to separate the layers. Potassium carbonate (19.2 g) was added to the organic layer, and the mixture was reacted at 40 占 폚 for 1 hour. 2N HCl aqueous solution (60 ml) was added to the mixture to separate the layers. The organic layer was concentrated and the crystals were dissolved in diisopropyl ether Slurry, filtered, and dried to obtain a ketone compound (6.5 g).

얻어진 케톤 화합물 (3.0 g), 메탄올 (30 ㎖) 의 현탁 용액에 아세트산 (7.3 g), 50 중량% 하이드록실아민 수용액 (8.0 g) 을 첨가하고, 가열 환류하였다. 방랭 후, 물 (50 ㎖) 을 첨가하고, 석출된 결정을 여과, 냉메탄올 세정 후, 건조시켜 옥심 화합물 (2.4 g) 을 얻었다.Acetic acid (7.3 g) and a 50% by weight hydroxylamine aqueous solution (8.0 g) were added to the resulting suspension of the ketone compound (3.0 g) and methanol (30 ml), and the mixture was heated to reflux. After cooling, water (50 ml) was added, and the precipitated crystals were filtered, washed with cold methanol, and then dried to obtain an oxime compound (2.4 g).

얻어진 옥심 화합물 (1.8 g) 을 아세톤 (20 ㎖) 에 용해시키고, 빙랭하 트리에틸아민 (1.5 g), p-톨루엔술포닐클로라이드 (2.4 g) 를 첨가하고, 실온으로 승온시켜 1 시간 반응시켰다. 반응액에 물 (50 ㎖) 을 첨가하고, 석출된 결정을 여과 후, 메탄올 (20 ㎖) 로 리슬러리하고, 여과, 건조시켜 B10 (2.3 g) 을 얻었다.The resulting oxime compound (1.8 g) was dissolved in acetone (20 ml), triethylamine (1.5 g) and p-toluenesulfonyl chloride (2.4 g) were added under ice-cooling, and the mixture was allowed to react at room temperature for 1 hour. Water (50 ml) was added to the reaction solution, and the precipitated crystals were filtered out and then slurry was rinsed with methanol (20 ml), followed by filtration and drying to obtain B10 (2.3 g).

Figure 112010066367407-pat00057
Figure 112010066367407-pat00057

[화학식 57](57)

Figure 112010066367407-pat00058
Figure 112010066367407-pat00058

[합성예 22:B11 의 합성][Synthesis Example 22: Synthesis of B11]

1-1. 합성 중간체 B11-A 의 합성1-1. Synthesis of Synthetic Intermediate B11-A

2-아미노벤젠티올:31.3 g (토쿄 화성 공업 (주) 제조) 을 톨루엔:100 ㎖ (와코 순약 공업 (주) 제조) 에 실온 (25 ℃) 하 용해시켰다. 다음으로, 페닐아세틸클로라이드:40.6 g (토쿄 화성 공업 (주) 제조) 을 적하하고, 실온하 1 시간, 이어서 100 ℃ 에서 2 시간 교반하여 반응시켰다. 얻어진 반응액에 물 500 ㎖ 를 넣어 석출된 염을 용해시키고, 톨루엔 오일분을 추출, 추출액을 로터리 이배퍼레이터로 농축시켜, 합성 중간체 B11-A 를 얻었다.31.3 g (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) of 2-aminobenzenethiol was dissolved in 100 ml of toluene (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) at room temperature (25 占 폚). Then, 40.6 g of phenylacetyl chloride (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added dropwise, and the mixture was reacted by stirring at room temperature for 1 hour and then at 100 DEG C for 2 hours. To the reaction solution obtained, 500 ml of water was added to dissolve the precipitated salt, the toluene oil fraction was extracted, and the extract was concentrated with a rotary evaporator to obtain a synthetic intermediate B11-A.

1-2. B11 의 합성1-2. Synthesis of B11

상기와 같이 하여 얻어진 합성 중간체 B11-A 2.25 g 을 테트라하이드로푸란:10 ㎖ (와코 순약 공업 (주) 제조) 에 혼합시킨 후, 빙욕에 담그고 반응액을 5 ℃ 이하로 냉각시켰다. 다음으로, 테트라메틸암모늄하이드록사이드:4.37 g (25 중량% 메탄올 용액, Alfa Acer 사 제조) 을 적하하고, 빙욕하 0.5 시간 교반하여 반응시켰다. 추가로 아초산이소펜틸:7.03 g 을 내온 20 ℃ 이하로 유지하면서 적하하고, 적하 종료 후에 반응액을 실온까지 승온 후, 1 시간 교반하였다.2.25 g of the thus-obtained synthetic intermediate B11-A was mixed with 10 ml of tetrahydrofuran (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), immersed in an ice bath, and the reaction solution was cooled to 5 캜 or lower. Next, 4.37 g of tetramethylammonium hydroxide (25% by weight methanol solution, manufactured by Alfa Acer) was added dropwise, and the mixture was reacted with stirring on ice for 0.5 hour. 7.03 g of isopentyl acetate was added dropwise while keeping the internal temperature at 20 ° C or lower. After completion of dropwise addition, the reaction solution was warmed to room temperature and stirred for 1 hour.

이어서, 반응액을 5 ℃ 이하로 냉각시킨 후, p-톨루엔술포닐클로라이드 (1.9 g) (토쿄 화성 공업 (주) 제조) 를 투입하고, 10 ℃ 이하를 유지하면서 1 시간 교반하였다. 그 후 물 80 ㎖ 를 투입하고, 0 ℃ 에서 1 시간 교반하였다. 얻어진 석출물을 여과한 후, 이소프로필알코올 (IPA) 60 ㎖ 를 투입하고, 50 ℃ 로 가열하여 1 시간 교반하고, 열시 (熱時) 여과, 건조시킴으로써 (B11:상기 구조) 1.8 g 을 얻었다.Subsequently, the reaction solution was cooled to 5 占 폚 or lower, p-toluenesulfonyl chloride (1.9 g) (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added thereto, and the mixture was stirred for 1 hour while maintaining the temperature below 10 占 폚. Then, 80 ml of water was added thereto, and the mixture was stirred at 0 ° C for 1 hour. The resultant precipitate was filtered, and 60 ml of isopropyl alcohol (IPA) was added. The mixture was heated to 50 占 폚, stirred for 1 hour, filtered and dried (B11: the above structure).

Figure 112010066367407-pat00059
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상기 1H-NMR 측정 결과로부터, 얻어진 B11 은 1 종 단독의 기하 이성체인 것으로 추정된다.From the 1 H-NMR measurement results, it is estimated that the obtained B11 is a single geometric isomer.

[화학식 58](58)

Figure 112010066367407-pat00060
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(실시예 1)(Example 1)

표 1 에 나타내는 성분을 혼합하고, 추가로 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트와 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르의 1:1 혼합 용제를 첨가하여 고형분 농도 20 중량% 로 하고, 0.2 ㎛ 의 폴리테트라플루오로에틸렌제 필터를 사용해 여과하여, 포지티브형 감광성 수지 조성물을 조제하였다.The components shown in Table 1 were mixed, and a 1: 1 mixed solvent of propylene glycol monomethyl ether acetate and diethylene glycol ethyl methyl ether was further added to adjust the solid concentration to 20% by weight, and 0.2 탆 of polytetrafluoroethylene And then filtered using a filter to prepare a positive photosensitive resin composition.

<감도의 평가>&Lt; Evaluation of sensitivity &

실리콘 산화막을 갖는 실리콘 웨이퍼 상에 본 발명의 감광성 수지 조성물을 슬릿 코트한 후, 진공 건조시켜 막두께 3 ㎛ 의 도포막을 형성하였다.The photosensitive resin composition of the present invention was slit-coated on a silicon wafer having a silicon oxide film, followed by vacuum drying to form a coating film having a thickness of 3 占 퐉.

다음으로, i 선 스테퍼 (캐논 (주) 제조 FPA-3000i5+) 를 사용하여, 소정 마스크를 개재하여 노광하였다. 알칼리 현상액 (2.38 중량% 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액) 으로 23 ℃ 에서 65 초간 액 마운팅 현상한 후, 초순수로 1 분간 린스하였다. 이들 조작에 의해 5 ㎛ 의 라인 앤드 스페이스를 1:1 로 해상할 때의 최적 노광량을 감도로 하였다. 생산성의 관점에서 최적 노광량은 50 mJ/㎠ 이하인 것이 바람직하고, 20 mJ/㎠ 이하인 것이 보다 바람직하다.Next, using an i-line stepper (FPA-3000i5 + manufactured by Canon Inc.), exposure was performed through a predetermined mask. Mounted on a solution at 23 deg. C for 65 seconds with an alkali developing solution (2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution), and rinsed with ultrapure water for 1 minute. By these operations, the optimum exposure amount at the time of resolving the line-and-space of 5 mu m to 1: 1 was determined as the sensitivity. From the viewpoint of productivity, the optimum exposure dose is preferably 50 mJ / cm 2 or less, more preferably 20 mJ / cm 2 or less.

<현상시의 잔막률 평가>&Lt; Evaluation of residual film ratio at the time of development &

또, 현상 후의 미노광부의 막두께를 측정하여, 도포 후의 막두께에 대한 비율 (현상 후의 미노광부 막두께 ÷ 도포 후의 막두께 × 100 (%)) 을 구함으로써, 현상시의 잔막률을 평가하였다. 어느 실시예도 99 % 이상의 잔막률이며, 깨끗하게 패턴을 형성할 수 있었다.Further, the film thickness of the unexposed portion after development was measured, and the ratio of the film thickness after coating (unexposed film thickness after development divided by film thickness after coating 100 (%)) was evaluated to evaluate the remaining film ratio at the time of development . Any of the embodiments has a residual film ratio of 99% or more, and a clear pattern can be formed.

<컨택트 홀의 형성성 평가>&Lt; Evaluation of Formability of Contact Hole &gt;

상기와 동일하게 하여 실리콘 웨이퍼 상에 막두께 3.0 ㎛ 의 도포막을 형성하였다. 다음으로, i 선 스테퍼 (캐논 (주) 제조 FPA-3000i5+) 를 사용하여, 소정 마스크를 개재하여, 컨택트 홀에 상당하는 직경 10 ㎛ 의 펀칭 패턴을 갖는 패턴으로 최적 노광량 노광하였다.A coating film having a thickness of 3.0 mu m was formed on a silicon wafer in the same manner as described above. Next, an i-line stepper (FPA-3000i5 + manufactured by Canon Inc.) was used to expose a pattern having a punching pattern having a diameter of 10 mu m corresponding to the contact hole through the predetermined mask at the optimum exposure dose.

상기와 동일하게 현상, 린스하여, 컨택트 홀 패턴을 형성하였다. 여기서, 형성된 컨택트 홀 밑바닥의 직경을 전자 현미경에 의해 측정하였다. 또한, 컨택트 홀이 형성된 현상 후의 도포막에 대해, 초고압 수은등을 사용하여 파장 365 ㎚ 에 있어서 500 mJ/㎠ 의 광을 조사한 후, 오븐 중에서, 220 ℃ 에서 60 분간 가열하였다. 여기서, 컨택트 홀 밑바닥의 직경을 상기와 동일하게 하여 측정하였다.Development and rinsing were carried out in the same manner as described above to form a contact hole pattern. Here, the diameter of the bottom of the formed contact hole was measured by an electron microscope. The coated film after the development in which the contact holes were formed was irradiated with light of 500 mJ / cm 2 at a wavelength of 365 nm using an ultra-high pressure mercury lamp, and then heated in an oven at 220 캜 for 60 minutes. Here, the diameter of the bottom of the contact hole was measured in the same manner as described above.

본 평가에서는, 형성한 컨택트 홀 밑바닥의 직경에 대해, 가열 전후에 측정한 2 개의 측정값의 차이가 0.5 ㎛ 이하인 것을 「○」, 0.5 ㎛ 이상인 것을 「×」로서 평가하였다. 가열 전후에서의 직경의 차이가 작을수록, 컨택트 홀 직경의 제어가 용이해지기 때문에 바람직하다.In this evaluation, the difference between the two measured values measured before and after the heating with respect to the diameter of the bottom of the formed contact hole was evaluated as &quot;? &Quot; The smaller the difference in diameter before and after the heating, the better the control of the diameter of the contact hole is.

<투과율><Transmittance>

컨택트 홀의 평가에 있어서, 기판을 유리로 변경하고, 패턴 노광을 하지 않고, 최종 가열 처리를 220 ℃ 에서 90 분간으로 변경한 것 이외에는 동일하게 하여, 전체면 경화막을 얻었다.In the evaluation of the contact hole, the entire surface-cured film was obtained in the same manner as in the evaluation of the contact hole except that the substrate was changed to glass and the final heat treatment was performed at 220 캜 for 90 minutes without pattern exposure.

이 경화막의 투과율을, 분광 광도계 (U-3000:(주) 히타치 제작소 제조) 를 사용하여, 파장 400 ∼ 800 ㎚ 로 측정하였다. 최저 투과율을 표 1 ∼ 표 5 에 나타낸다. 최저 투과율은 90 % 이상인 것이 바람직하고, 95 % 이상인 것이 보다 바람직하다.The transmittance of the cured film was measured at a wavelength of 400 to 800 nm using a spectrophotometer (U-3000, manufactured by Hitachi, Ltd.). The lowest transmittance is shown in Tables 1 to 5. The minimum transmittance is preferably 90% or more, and more preferably 95% or more.

<ITO 스퍼터 적성><ITO sputter suitability>

투과율의 평가와 동일하게 하여, 최종 가열 처리 후의 경화막을 얻었다. 이 경화막 상에, ITO 투명 전극을 스퍼터 (ULVAC 사 제조, SIH-3030, 스퍼터 온도 200 ℃) 에 의해 형성하였다. 스퍼터 후의 경화막 표면을 광학 현미경 (500 배) 으로 관찰하고, 이하의 기준에 의해 평가하였다.The cured film after the final heat treatment was obtained in the same manner as in the evaluation of the transmittance. On this cured film, an ITO transparent electrode was formed by sputtering (SIH-3030, manufactured by ULVAC, sputtering temperature: 200 占 폚). The surface of the cured film after the sputtering was observed with an optical microscope (500 times) and evaluated according to the following criteria.

◎:경화막 표면에 전혀 주름 발생 없음◎: No wrinkles on the surface of the cured film at all

○:경화막 표면에 약간 주름이 보임 (허용 범위)○: Some wrinkles appear on the surface of the cured film (allowable range)

×:경화막 표면에 주름 발생 있음X: Wrinkles occur on the surface of the cured film

ITO 투명 전극을 스퍼터에 의해 형성한 후에, 경화막 표면에 주름이 관측된 경우, 경화막의 투과율 저하를 일으키기 때문에 바람직하지 않다.When wrinkles are observed on the surface of the cured film after the ITO transparent electrode is formed by sputtering, the transmittance of the cured film is lowered, which is undesirable.

(실시예 2 ∼ 113 및 비교예 1 ∼ 22)(Examples 2 to 113 and Comparative Examples 1 to 22)

표 1 ∼ 표 5 에 나타내는 실시예 2 ∼ 113 및 비교예 1 ∼ 22 의 감광성 수지 조성물을, 표 1 ∼ 표 5 에 나타내는 조성으로 실시예 1 과 동일하게 하여 조제하고, 실시예 1 과 동일하게 하여 평가하였다. 결과를 표 1 ∼ 표 5 에 나타냈다.The photosensitive resin compositions of Examples 2 to 113 and Comparative Examples 1 to 22 shown in Tables 1 to 5 were prepared in the same manner as in Example 1 with the compositions shown in Tables 1 to 5, Respectively. The results are shown in Tables 1 to 5.

Figure 112010066367407-pat00061
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Figure 112010066367407-pat00062
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Figure 112010066367407-pat00063
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Figure 112010066367407-pat00064
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Figure 112010066367407-pat00065
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표 1 ∼ 표 5 중의 약호는 하기와 같다.The abbreviations in Tables 1 to 5 are as follows.

(B) 성분Component (B)

B1:IRGACURE PAG 103 (치바·스페셜티·케미컬즈 제조)B1: IRGACURE PAG 103 (manufactured by Chiba Specialty Chemicals)

B2:IRGACURE PAG 108 (치바·스페셜티·케미컬즈 제조)B2: IRGACURE PAG 108 (manufactured by Chiba Specialty Chemicals)

B3:CGI 1380 (치바·스페셜티·케미컬즈 제조)B3: CGI 1380 (manufactured by Chiba Specialty Chemicals)

B4:IRGACURE PAG 121 (치바·스페셜티·케미컬즈 제조)B4: IRGACURE PAG 121 (manufactured by Chiba Specialty Chemicals)

B5:CGI 725 (치바·스페셜티·케미컬즈 제조)B5: CGI 725 (manufactured by Chiba Specialty Chemicals)

B6:4,7-디-n-부톡시-1-나프틸테트라하이드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트B6: 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate

B7:α-[(메틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴 (PAI-1001, 미도리 화학 (주) 제조)B7:? - [(methylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (PAI-1001, manufactured by Midori Kagaku Co., Ltd.)

B8:α-(4-톨루엔술포닐옥시이미노)벤질시아니드 (일본 공표특허공보 2002-528451호의 단락 0108 에 기재된 방법에 따라 합성)B8:? - (4-Toluenesulfonyloxyimino) benzyl cyanide (synthesized according to the method described in paragraph 0108 of Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-528451)

B9:α-[(4-톨루엔술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴 (PAI-101, 미도리 화학 (주) 제조)B9:? - [(4-toluenesulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (PAI-101, manufactured by Midori Kagaku Co., Ltd.)

B10:상기에 있어서 합성한 옥심술포네이트 화합물B10: The oxime sulfonate compound

B11:상기에 있어서 합성한 옥심술포네이트 화합물B11: The oxime sulfonate compound

[화학식 59][Chemical Formula 59]

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Figure 112010066367407-pat00066

(C) 성분(C) Component

AO60:아데카스타브 AO-60 ((주) ADEKA 제조)AO60: Adecastab AO-60 (manufactured by ADEKA Corporation)

AO70:아데카스타브 AO-70 ((주) ADEKA 제조)AO70: Adecastab AO-70 (manufactured by ADEKA Corporation)

AO80:아데카스타브 AO-80 ((주) ADEKA 제조)AO80: Adecastab AO-80 (manufactured by ADEKA Corporation)

AO30:아데카스타브 AO-30 ((주) ADEKA 제조, 1,1,3-트리스(2-메틸-4-하이드록시-5-t-부틸페놀)부탄)AO30: adecastab AO-30 (1,1,3-tris (2-methyl-4-hydroxy-5-t-butylphenol) butane manufactured by ADEKA)

AO330:아데카스타브 AO-330 ((주) ADEKA 제조, 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-t-부틸-4-하이드록시벤질)벤젠)AO330: adecastab AO-330 (1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene manufactured by ADEKA)

1098:이르가녹스 1098 (치바·스페셜티·케미컬즈사 제조)1098: Irganox 1098 (manufactured by Chiba Specialty Chemicals)

TP-D:스미라이저 TP-D (스미토모 화학 (주) 제조, 황계 산화 방지제)TP-D: Sumilizer TP-D (sulfur-based antioxidant manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.)

LA-62:아데카스타브 LA-62 ((주) ADEKA 제조, 아민계 산화 방지제)LA-62: Adecastab LA-62 (amine antioxidant manufactured by ADEKA Co., Ltd.)

PEP-36:아데카스타브 PEP-36 ((주) ADEKA 제조, 인계 산화 방지제)PEP-36: adecastab PEP-36 (manufactured by ADEKA, Inc., phosphorus-based antioxidant)

(C) 성분의 분자량, 에스테르기 또는 아미드기의 유무에 대해서는, 표 6 에 정리하였다.Table 6 summarizes the molecular weight of the component (C), the presence or absence of an ester group or an amide group.

[화학식 60](60)

Figure 112010066367407-pat00067
Figure 112010066367407-pat00067

Figure 112010066367407-pat00068
Figure 112010066367407-pat00068

(염기성 화합물)(Basic compound)

D1:4-디메틸아미노피리딘D1: 4-dimethylaminopyridine

D2:1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨D2: 1,5-Diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene

(가교제)(Crosslinking agent)

MX-270:(주) 산와 케미컬 제조 니카락 MX-270MX-270: NIKARAK MX-270 (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.)

JER157S70:재팬 에폭시 레진 (주) 제조 JER157S70JER157S70: JER157S70 manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.

[화학식 61](61)

Figure 112010066367407-pat00069
Figure 112010066367407-pat00069

(밀착제)(Adhesive agent)

KBM403:신에츠 화학 공업 (주) 제조 실란커플링제 KBM403KBM403: silane coupling agent KBM403 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co.,

[화학식 62](62)

Figure 112010066367407-pat00070
Figure 112010066367407-pat00070

(계면 활성제)(Surfactants)

F780F:DIC (주) 제조, 불소계 계면 활성제 F780FF780F: fluorochemical surfactant F780F manufactured by DIC Co., Ltd.

PF6320:PolyFox PF-6320 (OMNOVA 사 제조)PF6320: PolyFox PF-6320 (manufactured by OMNOVA)

W-3:하기 화합물W-3: The following compound

[화학식 63](63)

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Figure 112010066367407-pat00071

·실시예와 비교예의 비교, 특히 비교예 1 ∼ 10 과 실시예 18, 23 ∼ 29 의 비교:(C) 성분으로서 특정 페놀계 화합물 (C) 을 첨가한 경우만, 투과율이 비약적으로 향상되었다. 이 효과는 특정한 페놀계 화합물의 분자량이 클수록, 첨가량이 많을수록 현저하였다.Comparison of Examples and Comparative Examples, in particular, comparison of Comparative Examples 1 to 10 and Examples 18 and 23 to 29: The transmittance was remarkably improved only when a specific phenol compound (C) was added as the component (C). This effect was more remarkable as the molecular weight of a specific phenolic compound was larger and the addition amount was larger.

·실시예와 비교예 11 ∼ 14 의 비교:(a1) 을 포함하는 경우가 고감도였다.Comparison of Examples and Comparative Examples 11 to 14: The case of containing (a1) was highly sensitive.

·비교예 10 외:(a2) 가 없으면, 층간 절연막에 필요한 막 강도가 얻어지지 않았다.Comparative Example 10 Except for (a2), the film strength required for the interlayer insulating film was not obtained.

·실시예 1 ∼ 3 과 실시예 8 ∼ 10, 실시예 4 ∼ 6 과 실시예 11, 15, 18 의 비교:식 (b1) 로 나타내는 옥심술포네이트 잔기를 함유하는 광산 발생제가 오늄염계 광산 발생제보다 고감도인 것을 알 수 있었다.Comparison of Examples 1 to 3 and Examples 8 to 10, Examples 4 to 6, and Examples 11, 15, and 18: Onium salt-based photoacid generators containing an oxime sulfonate residue represented by formula (b1) And it was found that the sensitivity was higher than that.

·실시예 1 ∼ 3 과 실시예 4 ∼ 6, 실시예 8 ∼ 10 과 실시예 11, 15, 18 의 비교:가교제가 막 강도 (ITO 스퍼터 적성) 향상에 유효한 것을 알 수 있었다.Comparison of Examples 1 to 3 and Examples 4 to 6, Examples 8 to 10, and Examples 11, 15, and 18: It was found that the crosslinking agent is effective for improving the film strength (ITO sputter suitability).

·실시예 1 ∼ 45 와 실시예 46 ∼ 79 의 비교:실시예 46 ∼ 79 에서는, 실시예 1 ∼ 45 에 비해 (B) 성분을 B10 으로 변경하고, 또한 염기성 화합물을 증량하였다. 실시예 46 ∼ 79 는, 실시예 1 ∼ 45 에 비해 동등 이상의 감도인 점에서, 식 (OS-3) 으로 나타내는 화합물 B10 을 사용하면 특히 고감도화할 수 있는 것을 알 수 있다.Comparison of Examples 1 to 45 and Examples 46 to 79: In Examples 46 to 79, the component (B) was changed to B10 and the basic compound was increased in comparison with Examples 1 to 45. It can be seen that Examples 46 to 79 can be made particularly sensitive to use Compound B10 represented by the formula (OS-3) because the sensitivity is equal to or higher than that of Examples 1 to 45.

(실시예 a ∼ c 및 l, 그리고 비교예 d ∼ k, m 및 n)(Examples a to c and l, and Comparative Examples d to k, m and n)

<유전율의 측정><Measurement of Permittivity>

기판을 베어 웨이퍼 (N 형 저저항) (SUMCO 사 제조) 로 변경한 것 이외에는, 투과율의 평가와 동일하게 하여 최종 가열 처리 후의 경화막을 얻었다. 이 경화막에 대해 CVmap92A (Four Dimensions Inc. 사 제조) 를 사용하여, 측정 주파수 1 MHz 로 비유전율을 측정하였다. 표 7 에 나타내는 바와 같이 비유전율의 차이를 측정하여, 특정 페놀계 화합물 (C) 에 의한 유전율 저감 효과를 확인하였다.A cured film after the final heat treatment was obtained in the same manner as in the evaluation of the transmittance except that the substrate was changed to a bare wafer (N type low resistance) (manufactured by SUMCO). The relative dielectric constant of this cured film was measured using CVmap92A (manufactured by Four Dimensions Inc.) at a measurement frequency of 1 MHz. As shown in Table 7, the difference in dielectric constant was measured to confirm the effect of reducing the dielectric constant by the specific phenol compound (C).

Figure 112010066367407-pat00072
Figure 112010066367407-pat00072

(A) 성분과 특정 페놀계 화합물 (C) 을 병용한 경우에만 비유전율이 저하되었다. 이 효과는 첨가량이 많을수록, 분자량이 클수록 현저하였다.The specific dielectric constant decreased only when the component (A) and the specific phenol compound (C) were used in combination. This effect was more remarkable as the amount added was larger and the molecular weight was larger.

비교예 h, 비교예 i 에서는, 수지 성분에 모노머 단위 (a1) 가 없기 때문에, 특정 페놀계 화합물 (C) 이 함유되어 있어도 비유전율이 저하되지 않았다.In Comparative Example h and Comparative Example i, since the monomer unit (a1) was absent in the resin component, the relative dielectric constant did not decrease even when the specific phenol compound (C) was contained.

(실시예 114)(Example 114)

실시예 74 의 감광성 수지 조성물을 사용하고, 상기 실시예 74 와 동일한 평가를, 초고압 수은 램프로 바꾸어 UV-LED 광원 노광기를 사용하여 실시하였다. 결과, 실시예 74 와 동일한 결과가 얻어졌다.Using the photosensitive resin composition of Example 74, the same evaluations as those of Example 74 were carried out using a UV-LED light source exposure apparatus instead of an ultra-high pressure mercury lamp. As a result, the same results as in Example 74 were obtained.

(실시예 115)(Example 115)

박막 트랜지스터 (TFT) 를 사용한 유기 EL 표시 장치를 이하의 방법으로 제작하였다 (도 1 참조).An organic EL display device using a thin film transistor (TFT) was produced by the following method (see Fig. 1).

유리 기판 (6) 상에 보텀 게이트형의 TFT (1) 를 형성하고, 이 TFT (1) 를 덮는 상태에서 Si3N4 로 이루어지는 절연막 (3) 을 형성하였다. 다음으로, 이 절연막 (3) 에, 여기서는 도시를 생략한 컨택트 홀을 형성한 후, 이 컨택트 홀을 통해 TFT (1) 에 접속되는 배선 (2) (높이 1.0 ㎛) 을 절연막 (3) 상에 형성하였다. 이 배선 (2) 은 TFT (1) 간, 또는 이후의 공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT (1) 를 접속시키기 위한 것이다.A bottom gate type TFT 1 was formed on a glass substrate 6 and an insulating film 3 made of Si 3 N 4 was formed in a state of covering the TFT 1. Next, a contact hole (not shown) is formed in the insulating film 3, and a wiring 2 (height 1.0 mu m) connected to the TFT 1 through the contact hole is formed on the insulating film 3 . This wiring 2 is for connecting the organic EL element formed between the TFTs 1 or the subsequent steps and the TFT 1. [

또한, 배선 (2) 의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해, 배선 (2) 에 의한 요철을 매립하는 상태에서 절연막 (3) 상에 평탄화층 (4) 을 형성하였다. 절연막 (3) 상에 대한 평탄화막 (4) 의 형성은, 실시예 18 의 감광성 수지 조성물을 기판 상에 스핀 도포하고, 핫 플레이트 상에서 프리베이크 (90 ℃ × 2 분) 한 후, 마스크 상으로부터 고압 수은등을 사용하여 i 선 (365 ㎚) 을 45 mJ/㎠ (조도 20 mW/㎠) 조사한 후, 알칼리 수용액으로 현상하여 패턴을 형성하고, 230 ℃ 에서 60 분간의 가열 처리를 실시하였다. 그 감광성 수지 조성물을 도포할 때의 도포성은 양호하고, 노광, 현상, 소성 후에 얻어진 경화막에는 주름이나 크랙의 발생은 관찰되지 않았다. 또한, 배선 (2) 의 평균 단차는 500 ㎚, 제작한 평탄화막 (4) 의 막두께는 2,000 ㎚ 였다.In order to planarize the irregularities due to the formation of the wirings 2, the planarization layer 4 was formed on the insulating film 3 in the state of embedding the irregularities by the wirings 2. [ The planarizing film 4 was formed on the insulating film 3 by spin-coating the photosensitive resin composition of Example 18 on a substrate, pre-baking (90 占 폚 for 2 minutes) on a hot plate, (365 nm) was irradiated with 45 mJ / cm 2 (illuminance: 20 mW / cm 2) using a mercury lamp, and then developed with an aqueous alkaline solution to form a pattern and subjected to heat treatment at 230 ° C. for 60 minutes. The coating property when the photosensitive resin composition was applied was good, and wrinkles and cracks were not observed in the cured film obtained after exposure, development and firing. The mean step of the wiring 2 was 500 nm, and the thickness of the planarization film 4 was 2,000 nm.

다음으로, 얻어진 평탄화막 (4) 상에, 보텀 이미션형의 유기 EL 소자를 형성하였다. 먼저, 평탄화막 (4) 상에, ITO 로 이루어지는 제 1 전극 (5) 을, 컨택트 홀 (7) 을 통해 배선 (2) 에 접속시켜 형성하였다. 그 후, 레지스트를 도포, 프리베이크하고, 원하는 패턴의 마스크를 개재하여 노광하고, 현상하였다. 이 레지스트 패턴을 마스크로 하고, ITO 에천트를 사용한 웨트 에칭에 의해 패턴 가공을 실시하였다. 그 후, 레지스트 박리액 (모노에탄올아민과 디메틸술폭사이드 (DMSO) 의 혼합액) 을 사용하여 그 레지스트 패턴을 박리하였다. 이렇게 하여 얻어진 제 1 전극 (5) 은 유기 EL 소자의 양극에 상당한다.Next, a bottom emission type organic EL device was formed on the obtained flattening film 4. Then, First, a first electrode 5 made of ITO was formed on the flattening film 4 by connecting it to the wiring 2 through the contact hole 7. Thereafter, the resist was applied, pre-baked, exposed through a mask of a desired pattern, and developed. Using this resist pattern as a mask, patterning was carried out by wet etching using ITO etchant. Thereafter, the resist pattern was peeled off using a resist stripping solution (a mixture of monoethanolamine and dimethyl sulfoxide (DMSO)). The first electrode 5 thus obtained corresponds to the anode of the organic EL element.

다음으로, 제 1 전극 (5) 의 둘레 가장자리를 덮는 형상의 절연막 (8) 을 형성하였다. 절연막에는, 실시예 7 의 감광성 수지 조성물을 사용하고, 상기와 동일한 방법으로 절연막 (8) 을 형성하였다. 이 절연막을 형성함으로써, 제 1 전극 (5) 과 이 후의 공정에서 형성하는 제 2 전극 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.Next, an insulating film 8 having a shape covering the periphery of the first electrode 5 was formed. As the insulating film, the insulating film 8 was formed in the same manner as above using the photosensitive resin composition of Example 7. By forming this insulating film, it is possible to prevent a short circuit between the first electrode 5 and the second electrode formed in the subsequent step.

또한, 진공 증착 장치 내에서 원하는 패턴 마스크를 개재하여, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차적으로 증착하여 형성하였다. 이어서, 기판 상방의 전체면에 Al 로 이루어지는 제 2 전극을 형성하였다. 얻어진 상기 기판을 증착기로부터 꺼내, 봉지용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 사용하여 첩합함으로써 봉지하였다.Further, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, and an electron transporting layer were sequentially deposited by vapor deposition in a vacuum deposition apparatus through a desired pattern mask. Subsequently, a second electrode made of Al was formed on the entire surface above the substrate. The obtained substrate was taken out from the evaporator, and sealed by bonding using a sealing glass plate and an ultraviolet curable epoxy resin.

이상과 같이 하여, 각 유기 EL 소자에 이것을 구동시키기 위한 TFT (1) 가 접속되어 이루어지는 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치가 얻어졌다. 구동 회로를 개재하여 전압을 인가한 결과, 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치인 것을 알 수 있었다.As described above, an active matrix type organic EL display device in which TFTs 1 for driving the organic EL elements are connected to each organic EL element was obtained. As a result of applying a voltage through the driving circuit, it was found that the organic EL display device exhibits good display characteristics and is highly reliable.

(실시예 116)(Example 116)

실시예 115 에 있어서, 실시예 7 의 감광성 수지 조성물을 실시예 74 의 감광성 수지 조성물로 바꾼 것 이외에는 동일하게 유기 EL 장치를 제작하였다. 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치인 것을 알 수 있었다.An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 115 except that the photosensitive resin composition of Example 7 was changed to the photosensitive resin composition of Example 74. [ The organic EL display device exhibits good display characteristics and is highly reliable.

(실시예 117)(Example 117)

실시예 115 에 있어서, 실시예 7 의 감광성 수지 조성물을 실시예 108 의 감광성 수지 조성물로 바꾼 것 이외에는 동일하게 유기 EL 장치를 제작하였다. 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치인 것을 알 수 있었다.An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 115 except that the photosensitive resin composition of Example 7 was changed to the photosensitive resin composition of Example 108. [ The organic EL display device exhibits good display characteristics and is highly reliable.

(실시예 118)(Example 118)

일본 특허 제3321003호의 도 1 및 도 2 에 기재된 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에 있어서, 층간 절연막으로서 경화막 (17) 을 이하와 같이 하여 형성하고, 실시예 118 의 액정 표시 장치를 얻었다.In the active matrix type liquid crystal display device shown in Figs. 1 and 2 of Japanese Patent No. 3321003, a cured film 17 was formed as an interlayer insulating film in the following manner, and a liquid crystal display device of Example 118 was obtained.

즉, 실시예 19 의 감광성 수지 조성물을 사용하고, 상기 실시예 115 에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 평탄화막 (4) 의 형성 방법과 동일한 방법으로, 층간 절연막으로서 경화막 (17) 을 형성하였다.That is, the cured film 17 was formed as an interlayer insulating film in the same manner as the method for forming the planarization film 4 of the organic EL display device in Example 115, using the photosensitive resin composition of Example 19.

얻어진 액정 표시 장치에 대해, 구동 전압을 인가한 결과, 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치인 것을 알 수 있었다.As a result of applying the driving voltage to the obtained liquid crystal display device, it was found that the liquid crystal display device exhibited good display characteristics and was highly reliable.

(실시예 119)(Example 119)

실시예 118 에 있어서, 실시예 19 의 감광성 수지 조성물을 실시예 74 의 감광성 수지 조성물로 바꾼 것 이외에는 동일하게 액정 표시 장치를 제작하였다. 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치인 것을 알 수 있었다.A liquid crystal display device was prepared in the same manner as in Example 118 except that the photosensitive resin composition of Example 19 was changed to the photosensitive resin composition of Example 74. The liquid crystal display device exhibits good display characteristics and is a highly reliable liquid crystal display device.

(실시예 120)(Example 120)

실시예 118 에 있어서, 실시예 19 의 감광성 수지 조성물을 실시예 108 의 감광성 수지 조성물로 바꾼 것 이외에는 동일하게 액정 표시 장치를 제작하였다. 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치인 것을 알 수 있었다.A liquid crystal display device was prepared in the same manner as in Example 118 except that the photosensitive resin composition of Example 18 was changed to the photosensitive resin composition of Example 108. The liquid crystal display device exhibits good display characteristics and is a highly reliable liquid crystal display device.

1:TFT (박막 트랜지스터)
2:배선
3:절연막
4:평탄화막
5:제 1 전극
6:유리 기판
7:컨택트 홀
8:절연막
10:액정 표시 장치
12:백라이트 유닛
14, 15:유리 기판
16:TFT
17:경화막
18:컨택트 홀
19:ITO 투명 전극
20:액정
22:컬러 필터
1: TFT (thin film transistor)
2: Wiring
3: Insulating film
4: Planarizing film
5: First electrode
6: glass substrate
7: Contact hole
8: Insulating film
10: Liquid crystal display
12: Backlight unit
14, 15: glass substrate
16: TFT
17:
18: Contact hole
19: ITO transparent electrode
20: liquid crystal
22: Color filter

Claims (15)

(A) 카르복시기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위 또는 페놀성 수산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위 (a1) 과, 가교기를 갖는 모노머 단위 (a2) 를 함유하는 공중합체,
(B) pKa 가 3 이하인 산을 발생하는 광산 발생제,
(C) 식 (c1) 로 나타내는 부분 구조를 분자 내에 적어도 2 개 갖고, 분자량이 600 이상 2,000 이하인 화합물 및
(D) 용제를 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
[화학식 1]
Figure 112017026255967-pat00073

(식 (c1) 중, R1 및 R2 는 각각 독립적으로 메틸기 또는 tert-부틸기를 나타내고, R1 및 R2 중 적어도 하나는 tert-부틸기이고, R3 은 -O- 또는 -NH- 를 나타낸다)
(A) a copolymer containing a monomer unit having a carboxyl group protected by an acid-decomposable group or a monomer unit (a1) having a phenolic hydroxyl group protected by an acid-decomposable group and a monomer unit (a2)
(B) a photoacid generator that generates an acid having a pKa of 3 or less,
(C) a compound having at least two partial structures represented by formula (c1) in the molecule and having a molecular weight of 600 or more and 2,000 or less, and
(D) a solvent.
[Chemical Formula 1]
Figure 112017026255967-pat00073

(In the formula (c1), R 1 and R 2 each independently represents a methyl group or a tert-butyl group, at least one of R 1 and R 2 is a tert-butyl group, R 3 is -O- or -NH- )
제 1 항에 있어서,
화학 증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물인 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
A photosensitive resin composition which is a chemically amplified positive type photosensitive resin composition.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 (C) 의 화합물이 식 (c1-1), 식 (c1-2) 및 식 (c1-3) 으로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 하나의 화합물인 감광성 수지 조성물.
[화학식 2]
Figure 112010066367407-pat00074
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the compound (C) is at least one compound selected from the group consisting of compounds represented by formulas (c1-1), (c1-2) and (c1-3).
(2)
Figure 112010066367407-pat00074
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 (C) 의 화합물이 식 (c1-1) 로 나타내는 화합물인 감광성 수지 조성물.
[화학식 3]
Figure 112015098825013-pat00075
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the compound (C) is a compound represented by the formula (c1-1).
(3)
Figure 112015098825013-pat00075
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 (B) 광산 발생제가 식 (b1) 로 나타내는 옥심술포네이트 잔기를 함유하는 화합물인 감광성 수지 조성물.
[화학식 4]
Figure 112015098825013-pat00076

(식 (b1) 중, R5 는 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기를 나타낸다)
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the photoacid generator (B) is a compound containing an oxime sulfonate residue represented by formula (b1).
[Chemical Formula 4]
Figure 112015098825013-pat00076

(In the formula (b1), R 5 represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group)
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 (B) 광산 발생제가 식 (OS-3), 식 (OS-4) 또는 식 (OS-5) 로 나타내는 화합물인 감광성 수지 조성물.
[화학식 5]
Figure 112017026255967-pat00077

(식 (OS-3) ∼ 식 (OS-5) 중, R1 은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R2 는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내고, R6 은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 술폰산기, 아미노술포닐기 또는 알콕시술포닐기를 나타내고, X 는 O 또는 S 를 나타내고, n 은 1 또는 2 를 나타내고, 식 (OS-3) 및 (OS-4) 중 m 은 0 ∼ 6 의 정수를 나타내고, 식 (OS-5) 중 m 은 0 ~ 4 의 정수를 나타낸다)
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the photoacid generator (B) is a compound represented by formula (OS-3), formula (OS-4) or formula (OS-5).
[Chemical Formula 5]
Figure 112017026255967-pat00077

(Formula (OS-3) ~ formula (OS-5) of, R 1 is an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, R 6 (OS-3) and (OS-3) independently represent a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, X represents O or S, n represents 1 or 2, OS-4), m represents an integer of 0 to 6, and m in the formula (OS-5) represents an integer of 0 to 4)
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 (B) 광산 발생제가 식 (b2) 로 나타내는 화합물인 감광성 수지 조성물.
[화학식 6]
Figure 112015098825013-pat00078

(식 (b2) 중, R5 는 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기를 나타내고, X 는 알킬기, 알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타내고, m 은 0 ∼ 3 의 정수를 나타내고, m 이 2 또는 3 일 때, 복수의 X 는 동일해도 되고 상이해도 된다)
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the photoacid generator (B) is a compound represented by the formula (b2).
[Chemical Formula 6]
Figure 112015098825013-pat00078

(In the formula (b2), R 5 represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, X represents an alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom, m represents an integer of 0 to 3, and when m is 2 or 3, May be the same or different from each other)
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
(E) 가교제를 추가로 함유하는 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
(E) a crosslinking agent.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 가교기를 갖는 모노머 단위 (a2) 가 3 원자고리 또는 4 원자고리의 고리형 에테르 잔기, 그리고, 에틸렌성 불포화기로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 하나를 함유하는 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the monomer unit (a2) having a crosslinking group contains at least one member selected from the group consisting of a cyclic ether residue of a three-membered ring or a four-membered ring, and an ethylenic unsaturated group.
(1) 제 9 항에 기재된 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 도포 공정,
(2) 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정,
(3) 활성 방사선으로 노광하는 노광 공정,
(4) 수성 현상액으로 현상하는 현상 공정 및
(5) 열 경화하는 포스트베이크 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 경화막의 형성 방법.
(1) a coating step of applying the photosensitive resin composition according to claim 9 onto a substrate,
(2) a solvent removing step of removing the solvent from the applied photosensitive resin composition,
(3) an exposure process for exposing with active radiation,
(4) a development process for developing with an aqueous developer, and
(5) a post-baking step of thermally curing the cured film.
제 10 항에 있어서,
상기 현상 공정 후, 포스트베이크 공정 전에, 전체면 노광하는 공정을 포함하는 경화막의 형성 방법.
11. The method of claim 10,
And a step of exposing the entire surface after the development step and before the post-baking step.
제 10 항에 기재된 형성 방법에 의해 형성된 경화막.A cured film formed by the forming method according to claim 10. 제 12 항에 있어서,
층간 절연막인 경화막.
13. The method of claim 12,
A cured film which is an interlayer insulating film.
제 12 항에 기재된 경화막을 구비하는 유기 EL 표시 장치.An organic EL display device comprising the cured film according to claim 12. 제 12 항에 기재된 경화막을 구비하는 액정 표시 장치.A liquid crystal display device comprising the cured film according to claim 12.
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