KR101613998B1 - 적응 가능한 파장 변환 디바이스 및 태양 전지 - Google Patents
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Abstract
적응 가능한 파장 변환 디바이스와 에너지 변환 디바이스가 개시된다. 적응 가능한 파장 변환 디바이스는, 파장 변환 물질로 구성되고 광빔을 수광하여 재방사하도록 배열된 적어도 하나의 층을 포함한다. 디바이스는 또한, 적어도 하나의 층이 실질적으로 파장 변환 물질로 덮이는 폐쇄 상태에서 작동하고 적어도 하나의 층이 실질적으로 파장 변환 물지로 덮이지 않는 개방 상태에서 작동하기 위해 상기 적어도 하나의 층을 조작하도록 배열된다. 적응 가능한 파장 변환 디바이스는 태양 전지 또는 광전지와 조합하여 적용될 수 있으며, 이에 의해, 태양 전지가 가변적인 조명 조건 하에서 적절한 스펙트럼을 가진 방사선을 수광하는 것을 가능하게 한다.
Description
본 발명은 광전지의 분야에 관한 것이고, 특히 광전지의 성능을 개선하도록 파장 변환 물질들의 사용에 관한 것이다.
현재, 또한 태양 전지로서 지칭되는 광전지들은 들어오는 전자기 방사선, 예를 들어 태양 복사를 흡수하고, 이를 전기 에너지로 변환하도록 폭넓게 적용된다. 현재, 실리콘(단결정, 다결정 또는 무정형), GaAs, 폴리머들, CdTe,...등과 같은 다양한 광(일반적으로, 방사선) 흡수 물질들로 구성될 수 있는 상이한 형태의 광전지 디자인들이 존재하고, 각각의 상기된 물질들은 고유 흡수 특성을 가진다. 현재, 대부분의 세계의 광전지 모듈 또는 전지들은 단결정 또는 다결정 실리콘으로 구성된다.
작동하기 위하여, 광전지는 전자-정공 쌍(electron-hole pair)을 분리하도록 고유 에너지 광자를 요구한다. 실리콘 기반 전지들에 대하여, 요구되는 에너지는 근 IR(적외선) 방사와 동등하다. 그러므로, 요구된 것보다 적은 에너지를 가지는 광자들, 즉 흡수 스펙트럼 밖에 있는 광자들은 흡수되지 않음으로써 폐기된다. 요구된 것보다 많은 에너지를 가지는 광자들은 잉여 부분을 열로서 폐기할 수 있다. 그 결과, 들어오는 방사선의 비교적 큰 부분이 전기 에너지를 발생시키도록 사용될 수 없다. 또한 광전지에서 발생된 열의 양이 전지의 성능을 더욱 저하시킬 수 있다는 것이 규정될 수 있다.
들어오는 방사선 스펙트럼의 보다 큰 부분을 전기 에너지로 변환하도록 다양한 해법들이 제안되었었다.
예로서, 보다 많은 태양 스펙트럼을 효과적으로 포획하도록 상이한 필요 에너지들로 다중 전지들을 가지는 광전지 어레이들을 적용하는 것이 제안되었다. 이러한 해법에 대하여, WO 2008/024201이 참조될 수 있다. WO 2008/024201은 입사광(incident light)을 다수의 광빔들로 분할하기 위한 스펙트럼 분할 조립체(spectral splitting assembly)의 사용을 개시하고, 각각의 광빔은 상이한 공칭 스펙트럼 대역폭(nominal spectral bandwidth)을 가진다. 다수의 태양 전지들의 적절한 공간적 배열에 의하여, 상이한 공칭 스펙트럼 대역폭에 응답하여, 입사광의 개선된 사용이 만들어질 수 있다. WO 2008/024201에 개시된 바와 같은 배열은 태양 전지들에 대한 입사광의 양을 증가시키기 위한 광 집중 장치의 사용을 또한 개시한다. 도시된 바와 같은 장치의 결점은, 각각이 상이한 스펙트럼 대역폭 및 스펙트럼 분할 조립체에 응답하는 상이한 형태의 태양 전지들을 요구하여, 장치를 오히려 비싸게 만드는 것이다.
상이한 밴드갭들을 가지는 태양 전지들을 적용하고 들어오는 광들의 파장을 그 파장에 대해 가장 적절한 전지로 안내할 수 있는 광학기기를 분산시키는 유사한 태양 전지 장치들이 또한 US 2007/0277869에 개시되어 있다.
들어오는 방사선 스펙트럼의 보다 많은 부분을 전기 에너지로 변환시키도록, 들어오는 스펙트럼의 사용 불가능한 부분을 필요한 에너지로 변환하는 광변환 물질로 광전지를 코팅하는 것이 제안되었다. 이러한 장치를 위해 예를 들어 EP 1 865 562를 참조한다. 이러한 해법의 결점은, 영구적인 변환을 제안하고 태양 전지의 가변적인 작동 조건들에 적응하는데 적합하지 않은 것이다. 이러한 작동 조건을 변화시키는 것은 태양 전지들이 가동성 디바이스들을 구동하는데 적용될 때 발생할 수 있다. 이러한 적용에 있어서, 입사광의 복사 스펙트럼은 디바이스가 사용되는 위치(예를 들어, 실내 또는 실외)에 따라서 변할 수 있다.
또한, US 2007/0277869 또는 WO 2008/024201에 제안된 장치들이 어느 한쪽도 가변적인 작동 조건들에 적응하는데 적합하지 않다는 것을 더욱 유념하여야 한다.
가변적인 조건들 하에서 태양 전지 또는 광전지의 효율적인 적용을 용이하게 하는 디바이스를 제공하는 것이 필요할 수 있다. 본 발명 내에서, 태양 전지 또는 광전지는 예를 들어 태양 복사와 같은 들어오는 전자기 방사선을 흡수하여 전기 에너지로 변환할 수 있는 디바이스들을 지칭하는데 사용된다.
이러한 것을 달성하기 위하여, 본 발명의 한 양태에 있어서, 파장 변환 물질로 구성되고 광빔을 수광하여 재방사하도록 배열된 적어도 하나의 층을 포함하는, 적응 가능한 파장 변환 디바이스가 제공되며, 상기 디바이스는, 상기 적어도 하나의 층의 표면이 실질적으로 상기 파장 변환 물질로 덮이는 폐쇄 상태와, 상기 적어도 하나의 층의 표면이 실질적으로 상기 파장 변환 물질로 덮이지 않은 개방 상태에서 작동하기 위해 적어도 하나의 층을 조작하도록 배열된다. 본 발명에 따라서, 광 또는 광빔은 가시 스펙트럼 내의 전자기 방사선과 가시 스펙트럼 외측의 전자기 방사선 모두를 망라하도록 고려된다.
본 발명의 제 1 양태에 따른 디바이스는 적응 가능한 파장 변환을 가능하게 한다. 이러한 것을 달성하기 위하여, 디바이스는 파장 변환 물질로 구성된 적어도 하나의 층을 포함한다. 이러한 층은 예를 들어 파장 변환 물질에 의해 변환될 수 있는 투명 플레이트로 구성될 수 있다. 디바이스는 2개의 별개의 상태로 작동하기 위해 적어도 하나의 층을 조작하도록 추가로 배열된다. 제 1 상태(또한 폐쇄 상태로서 지칭되는)에서, 적어도 하나의 층의 표면은 실질적으로 파장 변환 물질로 덮인다. 제 2 상태(또한 개방 상태로서 지칭되는)에서, 적어도 하나의 층의 표면은 실질적으로 파장 변환 물질로 덮이지 않는다. 제 1 상태에서 작동할 때, 광빔은 층에 의해 수광되고, 층의 표면을 덮은 파장 변환 물질에 의해 변환될 수 있다. 그러므로, 파장 변환 물질은 입사 광빔의 스펙트럼으로 변환하여, 상이한 스펙트럼을 가지는 변형된 광을 유도할 수 있다. 제 2 상태에서 작동할 때, 고유 스펙트럼(specific spectrum)을 가지는 입사광은 사실상 파장 변환 물질에 의해 영향받지 않으며, 그러므로 동일한 스펙트럼으로 층을 떠날 수 있다. 본 발명의 제 1 양태에 따른 디바이스는 제 1 또는 제 2 상태에서 작동하도록 층을 조작하기 위해 추가로 배열된다. 제 1 상태에서의 작동으로부터 제 2 상태에의 작동으로(및 그 역으로) 이러한 변천을 가능하게 하는 다양한 해법(기계적 또는 전기적과 같은)들은 다음의 상세한 설명에 보다 상세하게 기술된다. 제 1 상태에서의 작동으로부터 제 2 상태에서의 작동으로 이러한 변천을 가능하게 하는 것에 의해, 디바이스는 입사 광빔의 적응 가능한 변환을 가능하게 하고; 입사 광빔의 스펙트럼은 영향받지 않은 채 있거나 또는 변환될 수 있다. 그러므로, 광전지와 조합하여 적용될 때, 디바이스는 가변적인 조건들 하에서 태양 전지 또는 광전지의 효율적인 적용을 촉진한다: 이용 가능한 광의 스펙트럼에 의존하여, 효과적인 이유들 때문에, 제 1 상태 또는 제 2 상태에서 디바이스를 작동하는 것이 결정될 수 있다.
한 실시예에서, 본 발명의 제 1 양태에 따른 디바이스는 다수의 층들을 구비하고, 이에 의해, 각각의 층은 상이한 파장 변환 물질을 구비할 수 있다. 다수의 층들을 조합하는 것에 의해, 입사광 빔의 이용 가능한 스펙트럼의 보다 큰 부분이 광전지를 작동시키는데 가장 적합한 파장으로 변환될 수 있다.
본 발명의 제 2 양태에 따라서, 본 발명의 제 1 양태에 따른 적응 가능한 파장 변환 디바이스와 태양 전지를 포함하는 에너지 변환 디바이스가 제공되며, 상기 태양 전지는 적응 가능한 파장 변환 디바이스의 재방사된 광빔(일반적으로, 전자기 방사선)을 수광하고 사용시에 수광된 광빔을 적어도 부분적으로 전기 에너지로 변환하도록 배열된다. 본 발명의 제 2 양태에 따른 에너지 변환 디바이스는 가변적인 조건들 하에서 효율적인 에너지 변환을 가능하게 한다. 본 발명의 제 2 양태에 따른 에너지 변환 디바이스는 적응 가능한 전자기 방사선이 태양 전지에 의한 변환을 위해 현저하게 비효율적인 환경에서 적용될 수 있다. 이러한 환경(예를 들어, 실내)에서, 에너지 변환 디바이스의 적응 가능한 파장 변환 디바이스는 제 1 상태에서 작동하도록 배열될 수 있고, 이에 의해, 입사 전자기 방사선을 태양 전지를 작동시키는데 보다 적합한 파장으로 변환한다.
에너지 변환 디바이스는 주요 주파수와 같은 입사광 빔의 주파수 특성, 또는 입사 방사선의 스펙트럼을 결정하기 위한 광 센서를 추가로 포함한다. 실시예의 제어 유닛은 광 센서에 의해 제공된 신호에 따라서 적응 가능한 파장 변환 디바이스를 제어하도록 배열된다. 그리하여, 가변적인 환경 조건들(즉, 가변적인 광 조건들)에 대한 작동 적응이 실현될 수 있다. 광 센서로부터 수신된 신호에 기초하여, 제어 유닛(예를 들어 마이크로프로세서 등을 포함할 수 있는)은 적응 가능한 파장 변환 디바이스의 가장 적절한 상태를 결정하여, 이 상태에서 작동하도록 적응 가능한 파장 변환 디바이스를 제어할 수 있다.
본 발명의 이들 및 다른 양태들은 다음의 상세한 설명을 참조하여 보다 잘 이해되고 동일한 도면 부호들이 동일한 부분을 지시하는 첨부된 도면과 관련하여 고려될 것이다.
본 발명에 따른 조립체의 추가의 유익한 실시예들은 특허청구범위와 도면을 참조한 다음의 설명에 기술된다.
도 1은 본 발명에 따른 에너지 변환 디바이스의 제 1 실시예의 단면도.
도 2a 및 도 2b는 폐쇄 상태 및 개방 상태에서의 적응 가능한 파장 변환 디바이스의 단면도.
도 3a 및 도 3b는 폐쇄 상태 및 개방 상태에서의 적응 가능한 파장 변환 디바이스의 추가적인 실시예의 단면도.
도 4a 및 도 4b는 폐쇄 상태 및 개방 상태에서의 적응 가능한 파장 변환 디바이스의 또 다른 실시예의 단면도.
도 5는 적응 가능한 파장 변환 디바이스의 또 다른 실시예의 단면도.
도 6a 및 도 6b는 2개의 상이한 폐쇄 상태들에서의 적응 가능한 파장 변환 디바이스의 또 다른 실시예의 단면도.
도 2a 및 도 2b는 폐쇄 상태 및 개방 상태에서의 적응 가능한 파장 변환 디바이스의 단면도.
도 3a 및 도 3b는 폐쇄 상태 및 개방 상태에서의 적응 가능한 파장 변환 디바이스의 추가적인 실시예의 단면도.
도 4a 및 도 4b는 폐쇄 상태 및 개방 상태에서의 적응 가능한 파장 변환 디바이스의 또 다른 실시예의 단면도.
도 5는 적응 가능한 파장 변환 디바이스의 또 다른 실시예의 단면도.
도 6a 및 도 6b는 2개의 상이한 폐쇄 상태들에서의 적응 가능한 파장 변환 디바이스의 또 다른 실시예의 단면도.
도 1에서, 본 발명에 따른 에너지 변환 디바이스의 제 1 실시예가 도시된다. 디바이스는 적응 가능한 파장 변환 디바이스(10) 및 태양 전지(12)를 포함한다. 적응 가능한 파장 변환 디바이스(10)는 파장 변환 물질로 구성된 층(11)을 포함한다. 층(11)은 화살표(13)에 의해 지시된 제 1 광빔을 수광하도록 배열된다. 층(11)은 파장 변환 물질을 포함하고, 제 1(폐쇄) 상태와 제 2(개방) 상태에서 작동될 수 있다. 폐쇄 상태에서, 층(11)은 파장의 제 1 고유 스펙트럼을 구비한 제 1 광빔(13)의 일정량의 에너지를 흡수하여, 화살표(14)로 지시되고 파장의 제 1 고유 스펙트럼과 다른 제 2 고유 스펙트럼을 구비한 제 2 광빔으로서 상기 에너지의 양을 적어도 부분적으로 재방사하도록 배열된다. 개방 상태에서, 광빔(13)은 실질적으로 파장 변환없이 층(11)을 통과한다. 적응 가능한 파장 변환 디바이스(10)는 제 1 상태 또는 제 2 상태에서 작동하기 위해 층(11)을 조작하도록 추가로 배열된다. 이러한 변이를 실현하기 위한 다양한 선택 방안들이 하기에 기술된다.
도 1의 실시예에서, 태양 전지(12)는 층(11)이 폐쇄 상태에서 작동될 때 광빔(14)을 수광하도록 배열되고, 층(11)이 개방 상태로 작동될 때 광빔(13)을 수광하도록 배열된다. 태양 전지(12)는 수광된 광빔(13 또는 14)의 에너지를 전기 에너지로 변환하도록 배열된다. 태양 전지(12)는 예를 들어 실리콘 기반 광전지일 수 있다. 상기된 바와 같은 층(11)과 태양 전지의 협력 작용은 태양 전지가 디바이스의 들어오는 광빔(13)의 보다 효율적인 에너지 변환을 제공하는 것을 가능하게 한다: 일반적으로, 태양 전지(12)가 그 감광성이 최고 한도에 이르는 고유 파장 범위(specific wavelength range)를 가지기 때문에, 고유 파장 범위 밖에 있는 파장을 구비한 제 1 광빔(13)의 에너지를 고유 파장 범위 내에 있는 파장을 구비한 제 2 광빔(14)의 에너지로 변환하는 것이 유익할 수 있다.
예를 들어, 제 1 광빔(13)이 램프에 의해 방사된 광빔으로 구성되고 태양 전지(12)가 적외선 또는 근적외선 파장 범위(실리콘 기반 태양 전지의 경우에서와 같은) 내에 그 감광성 피크를 가질 때, 유로퓸(europium) 또는 프라세오디뮴(praseodymium, Y2O3:Eu3+ 및 Y2O3:Pr3+와 같은)으로 활성화된 희토류 인광체와 같은 파장 변환 물질을 사용하는 것이 이로울 수 있다. 이러한 물질들은 600-630㎚의 범위에 있는 피크 방사 파장을 가진다. 그러므로, 램프에 의해 방사된 광빔이 이러한 물질을 통과하면, 태양 전지는 광빔의 보다 많은 에너지를 전기 에너지로 변환할 수 있게 된다. 이러한 방식으로, 태양 전지의 효율이 개선될 수 있다.
파장 변환 물질의 다른 예들은 1,3,3,3-트리메틸인돌리노벤조스피로피렌(1,3,3,3-trimethylindolinobenzospiropyran), 1,3,3-트리메틸스피로인돌리노나프토옥사진(1,3,3-trimethylspiroindolinonaphthoxazine), 청색광을 흡수하여 적색광을 방사하는 로다민(rhodamine) B, 녹색광을 흡수하여 적색광을 방사하는 로다민 6G, 및 페릴렌 염료와 같은 광발색성 물질들이다.
선택적으로, 제어 유닛(15)과 스펙트럼 검출기(16, 일반적으로, 광 센서)는 적응 가능한 파장 변환 디바이스(10)를 제어하도록 제공될 수 있다. 제어 유닛(15)으로부터의 제어 신호(17)에 기초하여, 적응 가능한 파장 변환 디바이스(10)는 개방 또는 폐쇄 상태에서 작동하도록 층(11)을 조작할 수 있다. 제어 유닛(15)과 스펙트럼 검출기(16)는 도 1에서 개략적으로 도시되었다. 제어 유닛(15)은 스펙트럼 검출기(16)로부터의 신호(18)를 처리하고 층(11)이 개방 또는 폐쇄 상태에서 작동되는지를 평가하도록 배열된다. 신호(18)를 제공하기 위하여, 스펙트럼 검출기(16)는 광빔(13)의 비교적 작은 부분을 수광하여 광빔(13)의 고유 스펙트럼의 주파수 특성을 결정하도록 배열될 수 있다. 일반적으로, 스펙트럼 검출기 또는 광 센서(16)는 광빔(13)의 고유 스펙트럼에 관한 정보를 포함하는 신호를 제어 유닛(15)에 제공하도록 배열된다. 대안적으로, 층(11)은 예를 들어 디바이스(10) 상에 제공된 기계적 스위치 또는 선택기를 작동시키는 것에 의한 것과 같은 사용자 행위에 의해 개방 및 폐쇄 상태에서 작동되도록 조작될 수 있다.
고유 스펙트럼에서 비교적 많은 양의 에너지가 태양 전지의 고유 파장 범위 밖에 위치되고 파장 변환 물질이 이러한 에너지를 태양 전지의 고유 파장 범위 내에 있는 파장을 구비한 제 2 광빔의 에너지로 변환하기 위해 배열될 때, 제어 유닛(15)이 폐쇄 상태에서 층(11)을 작동시키도록 적응 가능한 파장 변환 디바이스를 제어할 수 있다는 것이 이해될 것이다.
도 2a 및 도 2b에는 본 발명에 따른 적응 가능한 파장 변환 디바이스에 적용될 수 있는 바와 같은 층(11)이 도시되어 있다. 도 2a는 층(11)이 폐쇄 상태에 있는 것을 도시하고, 도 2b는 층이 개방 상태에 있는 것을 도시한다. 층(11)은 기판(21)과, 파장 변환 물질을 함유하는 액체(22)를 포함한다. 폐쇄 상태에서, 액체(22)는 실질적으로 기판(21)의 표면(23)을 덮도록 배열되고, 개방 상태에서, 액체는 실질적으로 기판(21)의 표면(23)을 덮지 않도록 배열된다. 폐쇄 상태에서, 층(11)으로 입사하는 광빔(13)은 파장 변환 물질을 포함하는 액체(22)에 의해 수광된다. 입사 광빔(13)이 파장 변환 물질을 포함하는 액체를 통과할 때, 광빔(14)은 파장 변환 물질에 의해 재방사된다. 광빔(14)은 투명 기판(21)을 또한 통과할 수 있다. 도 2b에 도시된 개방 상태에서, 광빔(13)은 실질적으로 액체(22)에 의해 수광됨이 없이 투명 기판(21)을 통과할 수 있으며, 이에 의해 광빔(13)의 제 1 스펙트럼이 실질적으로 변경되지 않고 떠난다.
도 3a 및 도 3b에는 본 발명에 따른 적응 가능한 파장 변환 디바이스의 추가의 실시예가 도시된다. 도 3a는 디바이스가 폐쇄 상태에 있는 것을 도시하고, 도 3b는 디바이스가 개방 상태에 있는 것을 도시한다. 도시된 바와 같은 실시예에서, 디바이스는 액체와 기판(21)을 포함하는 층을 포함한다. 도시된 바와 같은 실시예의 액체는 물-기반 용액(31), 및 오일-기반 용액(32)을 포함하고, 이에 의해, 파장 변환 물질은 오일-기반 용액에서 용해된다. 실시예에서 도시된 바와 같은 기판(21)은 소수성 절연체(hydrophobic insulator), 예를 들어, 불소 중합체 층으로 구성된다. 상기 실시예는 전극(35)과 물-기반 용액(31) 사이에서 소수성 절연체(21)를 교차하여 전압을 인가하도록 배열된 전극(35)을 추가로 포함하고, 이에 의해, 양전하(34, positive charge)가 물-기반 용액(31)에서 형성되고, 음전하(33)가 전극(35)에서 형성된다. 전압이 도 3b에도시된 바와 같이 인가될 때, 물-기반 용액(31)은 소수성 절연체(21)의 표면(23)의 모서리로 오일-기반 용액(32)을 변위시킬 수 있다. 이러한 상태(또한 개방 상태로서 지칭되는)에서 작동할 때, 층으로 입사하는 광빔(13)은 오일-기반 용액(32)으로 구성된 파장 변환 물질에 의해 실질적으로 영향받지 않고 층을 통과할 수 있다. 전압이 인가되지 않을 때(도 3a에 도시된 바와 같은 상태에 대응하는), 오일-기반 용액(32)은 소수성 절연체(21)의 표면(23)을 실질적으로 덮을 수 있다. 이러한 상태(또한 폐쇄 상태로서 지칭되는)에서 작동할 때, 층으로 입사하는 광빔(13)은 오일-기반 용액(32)으로 구성된 파장 변환 물질에 의해 광빔(14)으로 변환될 수 있다.
도 4a 및 도 4b에는 본 발명에 따른 적응 가능한 파장 변환 디바이스의 또 다른 실시예가 도시되어 있다. 디바이스는 액체와 기판(21)을 포함하며, 액체는 용적부(40)에 수용될 수 있는, 파장 변환 물질로 구성된 오일-기반 용액(32) 및, 물-기반 용액(31)을 포함한다. 도시된 실시예에서, 용적부(40)는 용적부에 수용된 액체의 변위를 가능하게 하는 입구 튜브(42)와 출구 튜브(41)를 포함한다. 디바이스는 도 2a 및 도 2b와 도 3a 및 도 3b에 도시된 실시예들과 유사하게 개방 상태와 폐쇄 상태에서 작동 가능하다. 도 4a에서, 디바이스는 개방 상태로부터 폐쇄 상태로 변한다. 이러한 변천동안, 오일-기반 용액(32)은 화살표(B)에 의해 지시된 방향으로 입구 튜브(42)를 통해 유동한다. 동시에, 물-기반 용액(31)은 화살표(A)에 의해 지시된 방향으로 출구 튜브(41)를 통해 유동한다. 용액들을 유동시키기 위하여, 펌프(도시되지 않음)가 튜브(41, 42)들 사이에 제공될 수 있다. 오일-기반 용액(32)이 실질적으로 기판(21)의 표면(23)을 덮을 때, 디바이스는 폐쇄 상태에 있다. 도 4b에서, 디바이스는 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 변한다. 이 동안, 오일-기반 용액(32)은 화살표(D)에 의해 지시된 방향으로 입구 튜브(42)를 통해 유동한다. 동시에, 물-기반 용액(31)은 화살표(C)에 의해 지시된 방향으로 출구 튜브(41)를 통해 유동한다. 오일-기반 용액(32)이 실질적으로 기판(21)의 표면(23)을 덮지 않을 때, 디바이스는 폐쇄 상태에 있다.
본 발명에 따른 적응 가능한 파장 변환 디바이스의 또 다른 실시예가 도 5에 도시되어 있다. 이 실시예에서, 디스크(51)는 4개의 투명 윈도우(52, 53, 54, 55)들을 구비한다. 각각의 이러한 윈도우는 파장 변환 물질로 덮이거나 또는 투명한 채로 있을 수 있다. 도 5의 실시예에서, 윈도우(53)는 덮이지 않는다. 디스크(51)는 디스크(51) 상의 특정 영역에서 디스크(51)에 대해 실질적으로 직각으로 광빔을 수광하도록 배열되고, 특정 영역은 예를 들어 윈도우(52)가 도 5에 도시된 곳에 위치될 수 있다. 디스크(51)는 디스크에 대해 직각인 그 축을 중심으로 회전하도록 배열된다. 디스크가 약 90°회전될 때, 또 다른 윈도우가 광빔을 수광하도록 위치되게 된다. 디스크를 90°, 180°또는 270°회전시키는 것에 의해, 다른 윈도우들이 광빔을 수광하도록 선택된다. 윈도우(53) 또는 파장 변환 물질에 의해 덮이지 않은 다른 윈도우가 광빔을 수광하도록 위치될 때, 디바이스는 개방 상태에 있다. 윈도우(52, 54, 또는 55) 또는 파장 변환 물질에 의해 덮인 다른 윈도우들이 광빔을 수광하도록 위치될 때, 디바이스는 폐쇄 상태에 있다. 상기로부터 다른 실시예들이 임의의 수의 윈도우들을 포함할 수 있다는 것이 이해될 것이다.
또한 2개의 상이한 윈도우들이 다른 파장 변환 물질들에 의해 덮일 수 있다는 것을 알 수 있다.
도 6a 및 도 6b에는 본 발명에 따른 적응 가능한 파장 변환 디바이스의 또 다른 실시예가 도시되어 있다. 이 실시예에서, 도 3a 및 도 3b에 도시된 다수의 층들이 적층된다. 각각의 층은 오일-기반 용액으로 구성되는 상이한 파장 변환 물질(61, 62, 및 63)로 구성될 수 있다. 도 6a 및 도 6b는 2개의 상이한 상태에 있는 디바이스를 도시한다. 도 6a에서, 파장 변환 물질(61)로 구성되는 층은 광빔(13)을 수광하고 광빔(14)을 재방사하도록 배열된다. 도 6b에서, 파장 변환 물질(63)로 구성된 층(11)은 광빔(13)을 수광하고 광빔(14)을 재방사하도록 배열된다.
도 5와 도 6a 및 도 6b로부터, 광빔을 수광하도록 선택된 층은 광빔의 스펙트럼에 적응될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 그 파장 변환 물질이 폐쇄 상태에서 작동하도록 광빔의 비교적 많은 양의 에너지를 변환하는 하나의 층을 선택하는 한편, 다른 층들이 개방 상태로 작동하도록 선택하는 것이 유익할 수 있다.
도 3a 및 도 3b, 도 4a 및 도 4b, 도 5, 및 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같은 본 발명에 따른 적응 가능한 파장 변환 디바이스의 실시예들이 본 발명에 따른 에너지 변환 디바이스를 얻기 위하여 태양 전지와 조합될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 에너지 변환 디바이스의 이러한 실시예들은 예를 들어 도 1에 도시된, 제어 유닛과 스펙트럼 검출기를 추가로 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 5에 도시된 실시에의 추가 실시예에서, 제어 유닛은 어떤 윈도우가 광빔을 수광하도록 위치되는지를 결정하도록 배열될 수 있다.
태양 전지가 예를 들어 도 3a 및 도 3b, 도 4a 및 도 4b, 도 5, 및 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같은 적응 가능한 파장 변환 디바이스로부터 재방사된 광빔을 수광하도록 제공될 때, 태양 전지의 효율은 체험하는 광 조건들에 따라서 입사광의 스펙트럼의 적절한 변환에 의해 최적화될 수 있다. 예를 들어, 실내 적용을 위하여, 입사광의 스펙트럼은 광빔의 소스가 태양, 네온등, LED 광 등일 수 있음에 따라서 변할 수 있다. 본 발명은 가변적인 실외 조명 조건들을 적응하도록 동등하게 적용될 수 있다. 이러한 가변적인 조건들은 예를 들어 상이한 위치(북극에서 수광된 광의 스펙트럼은 예를 들어 적도 근처에서 수광된 스펙트럼과 다를 수 있다), 하루의 상이한 시간(아침 또는 저녁에 수광된 광의 스펙트럼을 비교), 또는 상이한 날씨 조건들(맑은 날 또는 흐린 날에 수광된 강의 스펙트럼을 비교)로 인하여 마주칠 수 있다. 본 발명에 따른 에너지 변환 디바이스는 들어오는 광의 스펙트럼을 가변적인 조명 조건들, 실내 또는 실외에 따라서 태양 전지에 보다 적합한 스펙트럼으로의 적절한 변환(폐쇄 또는 개방 상태에서 작동하도록 적절한 층 또는 층들의 선택에 의해)을 보장하도록 적용될 수 있다.
적용된 바와 같은 층의 표면(전형적으로 수 평방 센티미터)이 태양 전지의 표면(수 평방 데시미터(decimeter)일 수 있는)과 비교하여 작기 때문에, 상기로부터, 본 발명의 또 다른 실시예가 태양 전지의 표면을 덮도록 서로 인접하여 위치된 다수의 층들 또는 층들의 적층들을 포함한다는 것이 이해될 것이다.
본 발명에 의해, 적응 가능한 파장 변환 디바이스 및 에너지 변환 디바이스가 기술된다. 적응 가능한 파장 변환 디바이스는, 파장 변환 물질로 구성되고 광빔을 수광하고 재방사하도록 배열된 적어도 하나의 층을 포함하며, 상기 디바이스는, 적어도 하나의 층의 표면이 실질적으로 파장 변환 물질로 덮인 폐쇄 상태와, 적어도 하나의 층의 표면이 실질적으로 파장 변환 물질로 덮이지 않는 개방 상태에서 작동하기 위해 적어도 하나의 층을 조작하도록 추가로 배열된다. 적응 가능한 파장 변환 디바이스는 태양 전지 또는 광전지와 조합하여 적용될 수 있으며, 이에 의해, 가변적인 조명 조건 하에서 적절한 스펙트럼을 가지는 방사선을 태양 전지가 수광하는 것을 가능하게 한다.
요구되는 바와 같이, 본 발명의 상세한 실시예들이 개시되고; 그러나, 개시된 실시예들은 단지 본 발명의 예시이고, 다양한 형태로 구현될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 그러므로, 본원에 개시된 특정 구조 및 기능 상세는 제한으로서 해석되서는 안되며, 단지 사실상 임의의 적절히 상세한 구조에서 본 발명의 다양하게 채택하도록 당업자에 대한 특허청구범위에 대한 근거 및 교시를 위한 대표적인 근거로서 해석되어야 한다. 또한, 본원에서 사용된 용어들 및 구문들은 제한으로서 의도되지 않고, 오히려 본 발명의 이해 가능한 설명을 제공하도록 의도된다.
본원에서 사용된 단수 표현은 하나 또는 하나 이상으로서 정의된다. 본원에서 사용된 다수는 2개 또는 2개 이상으로서 정의된다. 본원에서 사용된 용어 "또 다른"은 적어도 제 2 또는 그 이상으로서 정의된다. 본원에서 사용된 용어 "구비하는 및/또는 가지는"은 "포함하는"으로서(즉, 다른 요소들 또는 단계들을 배제하지 않는 개방어이다) 정의된다. 특허청구범위에서의 임의의 도면 부호들은 특허청구범위 또는 본 발명의 범위를 제한하는 것으로서 해석되지 않아야 한다.
특정 조치들이 상호 다른 청구항들에 인용되었다는 사실만으로도 이러한 조치들의 조합이 유익하도록 사용될 수 없다는 것을 나타내지 않는다.
Claims (13)
- 수광된 광빔(light beam)으로부터 에너지를 변환하기 위한 디바이스로서,
파장 변환 물질을 포함하고 상기 광빔을 수광하며 재방사하도록 배열되는 적어도 하나의 층을 포함하는 적응 가능한 파장 변환을 위한 디바이스(device for adaptable wavelength conversion)로서, 상기 적응 가능한 파장 변환을 위한 디바이스는 상기 적어도 하나의 층의 표면이 상기 파장 변환 물질로 덮이는 폐쇄 상태와, 상기 적어도 하나의 층의 표면이 상기 파장 변환 물질로 덮이지 않은 개방 상태에서 작동하기 위해 상기 적어도 하나의 층을 조작하도록 배열되는, 상기 적응 가능한 파장 변환을 위한 디바이스,
사용시에, 재방사된 상기 광빔을 수광하도록 배열되는 태양 전지,
제어 유닛, 및
사용시에, 수광된 상기 광빔의 주파수 특성을 결정하고 상기 제어 유닛에 신호를 제공하도록 배열되는 광센서를 포함하며,
상기 제어 유닛은 상기 신호에 따라서 상기 적응 가능한 파장 변환을 위한 디바이스를 제어하도록 배열되는, 에너지 변환 디바이스. - 제 1 항에 있어서, 상기 파장 변환 물질은 파장들의 제 1 고유 스펙트럼을 구비한 제 1 광빔의 일정량의 에너지의 양을 흡수하고, 상기 제 1 고유 스펙트럼과 다른, 파장들의 제 2 고유 스펙트럼을 구비한 제 2 광빔으로서 상기 에너지의 양을 적어도 부분적으로 재방사하도록 배열되는, 에너지 변환 디바이스.
- 제 2 항에 있어서, 파장들의 상기 제 1 고유 스펙트럼은 램프에 의해 방사되는 광빔의 파장들의 스펙트럼을 포함하는, 에너지 변환 디바이스.
- 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 파장들의 상기 제 2 고유 스펙트럼은 적외선 또는 근적외선을 포함하는, 에너지 변환 디바이스.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 층은 상기 파장 변환 물질을 포함하는 액체를 추가로 포함하고, 이에 의해, 상기 파장 변환 물질을 포함하는 상기 액체는 상기 폐쇄 상태에서 상기 층의 표면을 덮고 상기 개방 상태에서 상기 층의 표면을 덮지 않도록 배열되는, 에너지 변환 디바이스.
- 제 5 항에 있어서, 상기 파장 변환 물질을 포함하는 상기 액체는 물-기반 용액과 오일-기반 용액을 추가로 포함하고, 이에 의해, 상기 파장 변환 물질은 상기 오일-기반 용액에서 용해되는, 에너지 변환 디바이스.
- 제 5 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 층은 상기 표면을 제공하기 위한 제 1 투명 기판을 포함하는, 에너지 변환 디바이스.
- 제 7 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 층은 상기 제 1 투명 기판과 평행하게 배열되는 제 2 투명 기판을 포함하며, 상기 파장 변환 물질을 포함하는 상기 액체는 상기 제 1 투명 기판 및 제 2 투명 기판 사이에 제공되는, 에너지 변환 디바이스.
- 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 기판은 소수성 절연체를 포함하고, 상기 디바이스는 사용시에 전극과 상기 액체 사이에 있는 상기 소수성 절연체에 전압을 인가하도록 배열되는 상기 전극을 추가로 포함하는, 에너지 변환 디바이스.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 서로 인접하여 위치되는 2개 이상의 층들을 포함하는, 에너지 변환 디바이스.
- 제 10 항에 있어서, 상기 층들은 상기 표면에 대해 수직인 방향으로 서로 인접하여 배열되는, 에너지 변환 디바이스.
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Families Citing this family (7)
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| WO2016097199A1 (en) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | Chalmers Ventures Ab | Solar energy collector |
| US10310298B2 (en) * | 2016-10-25 | 2019-06-04 | GM Global Technology Operations LLC | Smart sensor-cover apparatus and methods and computer products for implementing same |
| TWI735393B (zh) * | 2020-12-10 | 2021-08-01 | 苗新元 | 能源採集裝置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4135537A (en) * | 1978-03-20 | 1979-01-23 | Atlantic Richfield Company | Light collector |
| WO2004027489A1 (en) | 2002-09-19 | 2004-04-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Switchable optical element |
| US20070273265A1 (en) * | 2004-04-15 | 2007-11-29 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Electrically Controllable Color Conversion Cell |
| US20080186581A1 (en) | 2007-02-01 | 2008-08-07 | Qualcomm Incorporated | Modulating the intensity of light from an interferometric reflector |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4149902A (en) * | 1977-07-27 | 1979-04-17 | Eastman Kodak Company | Fluorescent solar energy concentrator |
| US4270517A (en) | 1979-04-04 | 1981-06-02 | Exxon Research And Engineering Company | Fluid optical switch for a solar collector |
| US7027683B2 (en) * | 2000-08-15 | 2006-04-11 | Nanostream, Inc. | Optical devices with fluidic systems |
| US7468722B2 (en) * | 2004-02-09 | 2008-12-23 | Microsemi Corporation | Method and apparatus to control display brightness with ambient light correction |
| EP1761819A1 (en) * | 2004-06-23 | 2007-03-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Bi-stable electrowetting optical element and driving method therefore |
| JP2008203282A (ja) * | 2005-06-03 | 2008-09-04 | Sharp Corp | 画像表示装置 |
| WO2007127103A2 (en) | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Intematix Corporation | Systems and methods for enhanced solar module conversion efficiency |
| CN100448034C (zh) | 2006-06-06 | 2008-12-31 | 罗维鸿 | 自然光能电池及增效转光粉 |
| US8120239B2 (en) * | 2006-08-16 | 2012-02-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Infrared display with luminescent quantum dots |
| US20080048102A1 (en) | 2006-08-22 | 2008-02-28 | Eastman Kodak Company | Optically enhanced multi-spectral detector structure |
| KR100723431B1 (ko) * | 2006-09-11 | 2007-05-30 | 삼성전자주식회사 | 전기습윤 오일표시소자 및 전기습윤 오일표시소자의전압제어방법 |
| TW200834942A (en) * | 2007-02-12 | 2008-08-16 | Wang yong qi | Silicon solar cell with light conversion coating layer of strip-shaped polymers |
| US8264777B2 (en) * | 2007-06-26 | 2012-09-11 | Qd Vision, Inc. | Portable electronic device having an electro wetting display illuminated by quantum dots |
| US7898740B2 (en) * | 2008-04-09 | 2011-03-01 | Seereal Technologies S.A. | Tunable optical array device comprising liquid cells |
| WO2010050466A1 (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | 日産化学工業株式会社 | 光電変換装置用波長変換膜形成組成物及び光電変換装置用波長変換膜並びに光電変換装置 |
| KR101613998B1 (ko) * | 2008-11-13 | 2016-04-21 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 적응 가능한 파장 변환 디바이스 및 태양 전지 |
-
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2015
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4135537A (en) * | 1978-03-20 | 1979-01-23 | Atlantic Richfield Company | Light collector |
| WO2004027489A1 (en) | 2002-09-19 | 2004-04-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Switchable optical element |
| US20070273265A1 (en) * | 2004-04-15 | 2007-11-29 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Electrically Controllable Color Conversion Cell |
| US20080186581A1 (en) | 2007-02-01 | 2008-08-07 | Qualcomm Incorporated | Modulating the intensity of light from an interferometric reflector |
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