KR20090069894A - 형광체를 포함한 태양전지 모듈 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따르면 태양전지 모듈에 있어서 효율이 낮은 영역인 400nm 근처 파장 영역의 광을 흡수한 후 장파장 영역의 광을 방출하여 광전변환층에 공급함으로써 태양전지 모듈이 고효율 영역에서 동작할 수 있고, 자외선에 대해 투과성을 보이지 않는 유리기판을 이용하여서도 제조할 수 있는 태양전지 모듈이 제공된다. 본 발명의 형광체를 채용한 태양전지 모듈은 광전변환층 상부에, 입사된 광의 파장보다 긴 파장으로 변환하여 광을 방출하는 파장변환 물질을 포함하는 것을 특징으로 하며, 상기 파장변환 물질은 단파장 영역의 광을 흡수하여 장파장 영역의 광을 방출하는 형광체일 수 있다.
태양전지, 유리판, 형광체, 파장변환
Description
본 발명은 형광체를 포함한 태양전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 태양전지 모듈에 있어서 효율이 낮은 영역인 단파장 영역의 광을 흡수한 후 장파장 영역의 광을 방출하여 광전변환층에 공급함으로써 태양전지 모듈이 고효율 영역에서 동작할 수 있도록 하는 형광체를 포함하는 태양전지 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근 치솟는 유가 상승과 지구환경문제와 화석에너지의 고갈, 원자력발전의 폐기물처리 및 신규발전소 건설에 따른 위치선정 등의 문제로 인하여 신·재생에너지에 대한 관심이 고조되고 있으며, 그 중에서도 무공해 에너지원인 태양전지에 대한 연구개발이 활발하게 진행되어 지고 있다.
태양전지란 광기전력 효과(Photovoltaic Effect)를 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 장치로서, 그 구성 물질에 따라서 실리콘 태양전지, 박막 태양전지, 염료감응 태양전지 및 유기고분자 태양전지 등으로 구분된다. 이러한 태양전지는 독립적으로는 전자시계, 라디오, 무인등대, 인공위성, 로켓 등의 주전력 원으로 이용되고, 상용교류전원의 계통과 연계되어 보조전력원으로도 이용되며, 최근 대체 에너지에 대한 필요성이 증가하면서 태양전지에 대한 관심이 높아지고 있다.
이러한 태양전지에서는, 입사되는 태양 광을 전기 에너지로 변환시키는 비율과 관계된 변환효율(Efficiency)을 높이는 것이 매우 중요하다. 변환효율을 높이기 위해서 여러가지 연구가 행해지고 있으며, 높은 광흡수 계수를 갖는 박막을 태양전지에 포함시킴으로써 변환효율을 높이고자 하는 기술 개발이 활발히 진행되고 있다. 일반적으로 벌크 실리콘 태양전지의 일반적으로 벌크 실리콘 태양전지의 이론적인 효율은 약 33%이나, 실제 변환효율은 약 24%가 최고인 정도이다. 이러한 차이는 태양전지 표면에서의 반사에 의한 손실, 전류를 포집하기 위한 메탈 배선의 저항 손실, 또한 메탈 배선에 의한 섀도잉(shadowing) 손실, 불완전한 실리콘 소재에 의한 재결합 손실 등에 의한 것이다.
도 1은 태양광의 스펙트럼을 나타내는 도면이고, 도 2는 여러 종류의 태양전지의 파장에 따른 효율을 보여주는 그래프이다.
도 1에 도시되는 바와 같이 태양광은 약 400nm 내지 800nm의 파장을 갖는 가시광선 영역에서 높은 파워(power)를 나타내며, 도 2에 도시되는 바와 같이 대부분의 태양전지는 약 600nm 내지 800nm 의 파장 대역에서 높은 변환효율, 즉, 고효율을 나타낸다. 실제로 실리콘 태양전지의 경우 약 400nm 내지 1100nm 의 파장 영역에서 전기를 발생시키기는 하지만, 약 600nm 내지 800nm 영역에서 고효율을 나타내는 반면, 단파장 영역에서는 효율이 낮은 특성을 보인다.
이러한 문제를 해결하기 위해 종래에는 자외선 영역의 빛을 흡수하여 가시광선 영역의 빛을 발하는 유, 무기 형광체를 실리콘 태양전지 표면에 코팅하거나, 태양전지 모듈의 유리판에 코팅하여 단파장 영역에서의 효율을 향상시켰다.
그러나, 이러한 방식을 사용하게 되면 효율 향상은 이룰 수 있지만, 상기 형광체가 자외선 영역의 빛을 흡수해야 하므로 태양전지 모듈을 구성하는 부품 중 최상부에 위치하는 유리기판이 자외선 영역에서 높은 투과율을 보여야만 하는 제약이 따랐다.
따라서, 값싼 유리기판을 사용하면서도 높은 효율을 얻을 수 있는 태양전지 모듈에 대한 개발이 필요하다.
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 단파장의 빛을 흡수하여 장파장의 광을 방출하는 형광체를 채용함으로써 단파장 영역의 저효율을 극복할 수 있는 태양전지 모듈 및 그 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 400nm 근처의 광을 흡수하여 장파장의 광을 방출하는 형광체를 채용함으로써 태양전지 모듈의 최상부에 위치하는 유리기판이 자외선 영역에서 높은 투과율을 보이지 않아도 되는 태양전지 모듈 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 단파장의 광을 흡수하는 형광체를 채용함으로써 태양전지 모듈의 구성요소인 에틸렌-비닐아세테이트 공중합체(EVA) 필름이 자외선에 의해 변색되는 것을 방지할 수 있는 태양전지 모듈 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
상술한 문제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 광전변환층 상부에, 입사된 광의 파장보다 긴 파장으로 변환하여 광을 방출하는 파장변환 물질을 포함하는 파장변환층을 구비하는 태양전지 모듈이 제공된다.
상기 파장변환 물질은, 단파장 영역의 광을 흡수하여 장파장 영역의 광을 방출하는 형광체일 수 있다.
상기 단파장 영역은 300nm 내지 400nm이고, 장파장 영역은 500nm 내지 1000nm일 수 있다.
상기 형광체는 희토류 원소가 도핑되고 가시광선 영역에서의 투과율이 85% 이상인 무기형광체일 수 있다.
상기 형광체의 조성 물질은 La2O2S:Eu, (Ba,Sr)2SiO4:Eu, Sr5(PO4)3Cl:Eu 중 어느 하나일 수 있다.
상기 파장변환층은, 상기 광전변환층 상부에 형성된 유리판 하부면 혹은 상기 광전변환층 상부에 형성된 유리판과 접착필름 사이에 구비될 수 있다.
한편, 상기 파장변환층은 상기 파장변환 물질 외에 접착성이 있는 고분자 물질을 추가로 더 포함할 수도 있다.
상기 접착성이 있는 고분자 물질은 에틸렌-비닐아세테이트 공중합체(EVA)일 수 있다.
상기 파장변환층의 두께는 10㎛ 이하인 것이 바람직하다.
한편, 상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시형태에 따르면, 광전변환층과 그 상부에 유리판을 포함하는 태양전지 모듈의 제조 방법에 있어서, 상기 광전변환층과 그 상부의 유리판 사이에 입사된 광의 파장보다 긴 파장으로 변환하여 광을 방출하는 파장변환 물질을 포함하는 파장변환층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈의 제조 방법이 제공된다.
상기 파장변환 물질은, 단파장 영역의 광을 흡수하여 장파장 영역의 광을 방 출하는 형광체일 수 있으며, 상기 단파장 영역은 300nm 내지 400nm이고, 장파장 영역은 500nm 내지 1000nm일 수 있다.
상기 파장변환층은 파장변환 물질을 상기 유리판 하부면에 코팅하거나, 또는 파장변환 물질을 포함하는 박막을 상기 광전변환층과 그 상부의 유리판 사이에 적층하여 형성할 수 있다.
상기 파장변환 물질을 포함하는 박막은, 가장자리를 밀봉한 유리기판들 사이에 단파장 영역의 광을 흡수하여 장파장 영역의 광을 방출하는 형광체가 배합된 단위체(monomer) 용액을 주입한 후 경화하여 형성할 수 있다.
한편, 상기 파장변환층은 상기 광전변환층과 그 상부의 유리판 사이에 추가로 더 형성된 접착 필름의 상부에 구비될 수도 있다.
또한, 상기 파장변환층은, 단파장 영역의 광을 흡수하여 장파장 영역의 광을 방출하는 형광체와 접착성이 있는 고분자 물질을 포함할 수도 있으며, 상기 접착성이 있는 고분자 물질은 에틸렌-비닐아세테이트 공중합체(EVA)일 수 있다.
상기 형광체는 희토류 원소가 도핑되고 가시광선 영역에서의 투과율이 85% 이상인 무기형광체일 수 있다.
상기 형광체의 조성 물질은 La2O2S:Eu, (Ba,Sr)2SiO4:Eu, Sr5(PO4)3Cl:Eu 중 어느 하나일 수도 있다.
상기 파장변환층은 10㎛ 이하의 두께로 형성될 수 있다.
본 발명에 따르면, 태양전지 모듈에 있어서 단파장의 빛을 흡수하여 장파장의 광을 방출하는 형광체를 채용함으로써 단파장 영역의 저효율을 극복할 수 있다.
또한, 400nm 근처의 광을 흡수하여 장파장의 광을 방출하는 형광체를 채용함으로써 태양전지 모듈의 최상부에 위치하는 유리기판이 자외선 영역에서 높은 투과율을 보이지 않아도 되며, 이에 따라 값싼 유리기판을 사용하여 태양전지 모듈의 제조 원가를 절감할 수 있다.
한편, 단파장의 광을 흡수하는 형광체를 채용함으로써 태양전지 모듈의 구성요소인 에틸렌-비닐아세테이트 공중합체(EVA) 필름이 자외선에 의해 변색되는 것을 방지할 수 있다.
이하, 첨부되는 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태들을 상세하게 설명하도록 한다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 파장변환층을 채용한 태양전지 모듈의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 3에 도시되는 바와 같이, 본 발명의 태양전지 모듈(100)은 광전변환층(110)과 전면 유리판(130) 사이에 형성되는 파장변환층(170)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
파장변환층(170)은 광전변환층(110)과 전면 유리판(130) 사이에 개재되어 있을 수 있다. 광전변환층(110)은 통상의 태양전지이며, 어떠한 종류의 태양전지를 사용하더라도 상관이 없다. 광전변환층(110)은 유리판(130)과 파장변환층(170)을 통과한 태양광을 흡수하여 이를 전기 에너지로 변환시킨다. 전술한 바와 같이 광전변환층(110)은 약 600nm 내지 800nm 의 파장 영역에서는 고효율을 나타내지만 단파장 영역에서는 저효율을 나타낼 수 있으며, 이러한 문제를 해결하기 위해 파장변환층(170)이 적용된다.
파장변환층(170)은 파장 변환이 가능한 형광체를 포함한다. 형광체는 단파장의 광을 흡수하여 가시광선으로 광을 방출한다. 전술한 바와 같이 태양전지는 약 400nm 내지 1100nm 영역의 파장 대역을 갖는 광을 흡수하여 전기를 발생시키지만, 예를 들어 실리콘 태양전지와 같은 경우에는 600nm 내지 800nm 의 파장 대역을 갖는 가시광선 영역의 빛만을 흡수하고, 자외선 영역 및 단파장을 갖는 광은 흡수하지 못하여 600nm 내지 800nm 영역에서는 비교적 고효율을 나타내지만, 단파장 영역에서는 효율이 낮은 문제가 있는데, 본 발명의 태양전지 모듈(100)은 파장변환층(170)에 포함되어 있는 형광체가 파장이 짧은 근자외선 영역과 청색영역의 파장, 즉, 400nm 근처의 파장을 흡수한 후 이를 파장 변환시켜 장파장으로 방출하여 광전변환층(110)에 제공함으로써 광전변환층(110)이 장파장의 광만을 흡수하게 되며, 이에 따라 광전변환층(110)이 고효율을 보이는 장파장 영역에서 동작할 수 있게 된다.
이를 위해, 파장변환층(170)에 포함되는 형광체는 400nm 근처의 단파장을 갖는 광을 흡수한 후 이를 여기하여 500nm 이상의 파장을 방출하는 물질로 하는 것이 바람직하다. 또한, 파장변환층(170)에 의해 광전변환층(110)에 흡수되어야 할 장파장의 광이 차단되어서는 안되기 때문에, 파장변환층(170)에 포함되는 형광체는 400nm 이상의 장파장 영역에서는 그 투과율이 85% 이상인 물질로 하는 것이 바람직하다. 한편, 파장변환층(170)의 두께는 10㎛ 이하, 바람직하게는 10nm 이상 10㎛이하일 수 있다.
한편, 유기 형광체는 내구성에 문제가 있어 장기간 사용에 부적합하기 때문에 상기 형광체는 무기 형광체로 하는 것이 바람직하다. 한편, 형광체의 입경이 너무 클 경우에는 광전변환층(110)에 입사해야 하는 광을 반사, 흡수 또는 굴절하여 광 손실을 증가시켜 형광체가 자외선을 흡수하여 가시광선으로 방출함으로써 얻어지는 이득보다 더 큰 가시광선의 손실을 가져올 수가 있으며, 반대로 형광체의 입경이 너무 작을 경우에는 형광체의 발광 효율이 감소하는 것으로 알려져 있으므로, 형광체의 입경을 적절한 크기인 5~30㎛ 정도로 하는 것이 바람직하며, 더욱 적합하게는 5~10㎛ 정도의 입경으로 하는 것이 바람직하다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 10㎛이하의 입경을 가지는 형광체로 파장변환층(170)을 구현할 수도 있다.
파장변환층(170)에 포함되는 형광체는 발광 및 인광 현상을 주는 무기 물질일 수 있으며, 유기 형광체, 무기 형광체, 유기 인광체 등일 수도 있다. 이러한 물질로서는, 화학 조성이 La2O2S:Eu, (Ba,Sr)2SiO4:Eu, ZnS:(Cu,Al), Sr5(PO4)3:Eu, BaMg2Al16O27:Eu, Sr5(PO4)3Cl:Eu, 3(Ba,Mg)Oㆍ8Al2O3:Eu, ZnO:Zn, Zn2SiO4:Mn, Zn2GeO4:Mn, YVO4:Eu, Y2O2S:Eu, 0.5MgF2ㆍ3.5MgOㆍGeO2:Mn, ZnS:Cu, Y2O3:Eu 등의 무기 화합물을 예로 들 수 있고, 바람직하게는 La2O2S:Eu, (Ba,Sr)2SiO4:Eu, Sr5(PO4)3Cl:Eu 를 형광체의 물질로 채택할 수 있다. 한편, 자외선을 흡수하여 장파장을 방출하는 특성을 보이는 희토류 원소를 형광체 물질로서 채택할 수도 있다.
상기 희토류 원소들 중에서 선택된 하나 이상의 물질이 유기 형광체, 무기 형광체, 유기 인광체 등의 형광체에 도핑되어 파장변환층을 구현할 수도 있다.
이러한 파장변환층(170)은 형광체와 다양한 매질이 혼합된 형태일 수 있다. 예를 들어 상기 형광체는 일반적인 투명 고분자내에 도포 또는 배합될 수 있으며, 바람직한 고분자로는 에틸렌-비닐아세테이트 공중합체(EVA), 폴리비닐 부티랄(PVB), 폴리메틸메타 아크릴레이트, 폴리 카보네이트, 폴리에스터, 폴리 에틸렌, 폴리 프로필렌, 폴리 스티렌, 폴리 아클릴레이트 등이 있을 수 있다. 이 중에서도 내습성이 우수한 EVA를 상기 고분자로 하는 것이 가장 바람직하다.
이렇게 고분자 매질과 혼합된 형광체는 필름 형태로 제작되어 광전변환층(110)과 유리판(130) 사이에 개재될 수 있다. 구체적으로 설명하면, 가장자리를 밀봉한 얇은 유리기판들 사이에 형광체가 배합된 단위체(monomer) 용액을 주입한 후 자외선 등으로 경화시켜 파장변환층(170) 필름을 형성할 수 있고, 이러한 파장변환층(170) 필름을 광전변환층(110)과 유리판(130) 사이에 개재시킬 수 있다.
한편, 형광체를 상기 매질 등과 혼합시키지 않고, 유리판(130)의 하부에 코팅하여 파장변환층(170)을 형성시킬 수도 있다. 이러한 실시형태에 대해서는 도 4를 참조하여 설명하기로 한다.
도 4를 참조하면, 유리판(130)의 하부에 접착 필름(160)이 포함될 수 있는 데, 유리판(130)과 상기 접착 필름(160) 사이에 형광체를 코팅하고 경화시킴으로써 파장변환층(170)이 형성될 수 있다. 상기 접착 필름(160)은 통상의 태양전지 모듈에 포함될 수 있는 접착 필름으로서 에틸렌-비닐아세테이트 공중합체(EVA) 등의 고분자 물질로 이루어지는 접착 필름일 수 있다.
구체적으로 설명하면, 형광체를 유리판(130)의 하면에 코팅한 후, 상기 형광체가 코팅된 유리판(130)과 접착 필름(160)을 부착시킴으로써 파장변환층(170)을 형성시킬 수도 있고, 형광체를 접착 필름(160)의 상면에 코팅한 후, 이를 유리판(130)과 부착시킴으로써 파장변환층(170)을 형성시킬 수도 있다. 여기서 상기 코팅은 공지의 코팅법인 스핀 코팅법, 진공 증착법, 스프레이법 등을 이용하여 수행될 수 있다.
이렇게 형광체를 EVA 등의 고분자 접착 필름(160)에 코팅하거나, 고분자 물질을 매질로 하여 혼합한 후 파장변환층(170)을 형성시키게 되면, EVA 등의 고분자 물질의 변성을 막을 수 있게 된다. 즉, 형광체가 없는 태양전지 모듈(100)이라면 자외선 및 단파장 영역의 광을 흡수하므로 시간이 지남에 따라 EVA 등의 고분자 물질은 황색으로 변화하여 광 투과율을 낮추고 결과적으로 태양전지의 효율을 저하시킬 수 있는데, 형광체가 자외선 및 단파장 영역의 광을 모두 흡수하여 가시광선을 방출하므로, EVA 등의 고분자 물질이 자외선을 흡수하지 않게 되어 변성을 막을 수 있고 태양전지의 효율 저하를 방지할 수 있게 된다.
한편, 파장변환층(170)의 두께는 광전변환층(110)으로 입사되는 광을 손실시키지 않는 것과 동시에 형광체가 최적화된 광 파장전환을 할 수 있는 범위 내에서 선택되는 것이 바람직하며, 일례로서 파장변환층(170)의 두께를 10㎛ 이하로 할 수 있다.
유리판(130)은 파장변환층(170)을 외부환경으로부터 보호해주는 역할을 수행한다. 본 발명의 파장변환층(170)에 포함되는 형광체가 주로 400nm 근처의 파장을 갖는 광을 흡수하여 가시광선 영역의 광을 방출하기 때문에, 파장변환층(170)은 반드시 자외선을 흡수하지 않아도 되며, 이에 따라 유리판(130)은 단파장인 자외선에 대해 반드시 투과성을 지니지 않아도 된다. 따라서, 유리판(130)은 일반적인 값싼 유리로서도 구현이 가능하다.
본 발명의 태양전지 모듈은 단파장의 빛을 흡수하여 장파장의 광을 방출하는 형광체를 채용함으로써 단파장 영역의 저효율을 극복할 수 있고, 한편, 단파장의 광을 흡수하는 형광체를 채용함으로써 태양전지 모듈의 구성요소인 에틸렌-비닐아세테이트 공중합체(EVA) 필름이 자외선에 의해 변색되는 것을 방지할 수 있다.
이상 본 발명의 구체적 실시형태와 관련하여 본 발명을 설명하였으나 이는 예시에 불과하며 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 당업자는 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 설명된 실시형태를 변경 또는 변형할 수 있으며, 이러한 변경 또는 변형도 본 발명의 범위에 속한다. 또한, 본 명세서에서 설명한 각 구성요소는 이와 실질적으로 동일한 다양한 구성으로 대체할 수 있다. 또한 당업자는 본 명세서에서 설명된 구성요소 중 일부를 성능의 열화 없이 생략하거나 성능을 개선하기 위해 구성요소를 추가할 수 있다. 뿐만 아니라, 당업자는 공정 환경이나 장비에 따라 본 명세서에서 설명한 방법 단계의 순서를 변경할 수도 있다. 따라서 본 발명의 범위 는 설명된 실시형태가 아니라 특허청구범위 및 그 균등물에 의해 결정되어야 한다.
도 1은 태양광의 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.
도 2는 여러 종류의 태양전지에 대해 파장에 따른 효율을 나타내는 그래프이다.
도 3는 본 발명의 일 실시형태에 따른 파장변환층을 채용한 태양전지 모듈의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 파장변환층을 채용한 태양전지 모듈의 구성을 나타내는 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100: 태양전지 모듈 110: 광전변환층
130: 유리판 150: 후면 보호층
160 : 접착필름 170: 파장변환층
Claims (14)
- 광전변환층 상부에, 입사된 광의 파장보다 긴 파장으로 변환하여 광을 방출하는 파장변환 물질을 포함하는 파장변환층을 구비하는 태양전지 모듈.
- 제 1항에 있어서,상기 파장변환 물질은, 단파장 영역의 광을 흡수하여 장파장 영역의 광을 방출하는 형광체인 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈.
- 제 2항에 있어서,상기 단파장 영역은 300nm 내지 400nm이고, 장파장 영역은 500nm 내지 1000nm인 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈.
- 제 2항에 있어서,상기 형광체는 희토류 원소가 도핑되고 가시광선 영역에서의 투과율이 85% 이상인 무기형광체인 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈.
- 제 2항 또는 제 4항에 있어서,상기 형광체의 조성 물질은 La2O2S:Eu, (Ba,Sr)2SiO4:Eu, Sr5(PO4)3Cl:Eu 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈.
- 제 1항에 있어서,상기 파장변환층은, 상기 광전변환층 상부에 형성된 유리판 하부면 혹은 상기 광전변환층 상부에 형성된 유리판과 접착필름 사이에 구비된 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈.
- 제 1항에 있어서,상기 파장변환층은, 상기 파장변환 물질 외에 접착성이 있는 고분자 물질을 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈.
- 제 7항에 있어서,상기 접착성이 있는 고분자 물질은 에틸렌-비닐아세테이트 공중합체(EVA)인 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈.
- 제1항에 있어서,상기 파장변환층의 두께는 10㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈.
- 광전변환층과 그 상부에 유리판을 포함하는 태양전지 모듈의 제조 방법에 있어서,상기 광전변환층과 그 상부의 유리판 사이에 입사된 광의 파장보다 긴 파장으로 변환하여 광을 방출하는 파장변환 물질을 포함하는 파장변환층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈의 제조 방법.
- 제 10항에 있어서,상기 파장변환층은 파장변환 물질을 상기 유리판 하부면에 코팅하거나, 또는 파장변환 물질을 포함하는 박막을 상기 광전변환층과 그 상부의 유리판 사이에 적층하여 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈의 제조 방법.
- 제 11항에 있어서,상기 파장변환 물질을 포함하는 박막은, 가장자리를 밀봉한 유리기판들 사이에 단파장 영역의 광을 흡수하여 장파장 영역의 광을 방출하는 형광체가 배합된 단위체(monomer) 용액을 주입한 후 경화하여 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈의 제조 방법.
- 제 10항에 있어서,상기 파장변환층은 상기 광전변환층과 그 상부의 유리판 사이에 추가로 더 형성된 접착 필름의 상부에 구비되는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈의 제조방법.
- 제 10항에 있어서,상기 파장변환층은, 단파장 영역의 광을 흡수하여 장파장 영역의 광을 방출하는 형광체와 접착성이 있는 고분자 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈의 제조 방법.
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100976583B1 (ko) * | 2010-02-03 | 2010-08-17 | 솔라비토(주) | 태양광 발전장치 |
WO2011078486A2 (ko) * | 2009-12-24 | 2011-06-30 | 한국에너지기술연구원 | 형광체를 사용한 고효율 태양전지 |
WO2012002602A1 (ko) * | 2010-06-29 | 2012-01-05 | Cho Sung Mea | 다결정 실리콘 태양전지용 합성 발광 컨버터 및 그에 기반을 둔 태양전지 소자 |
KR20120033021A (ko) * | 2010-09-29 | 2012-04-06 | 엘지전자 주식회사 | 솔라브릭 |
US20120204952A1 (en) * | 2011-02-10 | 2012-08-16 | Lg Chem, Ltd. | Front sheet of solar cell, method of manufacturing the same and photovoltaic module comprising the same |
WO2013023199A2 (en) * | 2011-08-11 | 2013-02-14 | Chidambaram Mahendran T | Photovoltaic module light manipulation for increased module output |
WO2013058459A1 (en) * | 2011-10-19 | 2013-04-25 | Lg Innotek Co., Ltd. | Solar cell module and preparing method of the same |
KR101404353B1 (ko) * | 2012-10-23 | 2014-06-12 | 전남대학교산학협력단 | 형광체를 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법 |
KR101404243B1 (ko) * | 2012-10-23 | 2014-06-13 | 전남대학교산학협력단 | 형광체를 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법 |
KR101632834B1 (ko) * | 2015-04-01 | 2016-06-22 | 경희대학교 산학협력단 | 난방 장치 및 구조 |
WO2016122286A1 (ko) * | 2015-01-31 | 2016-08-04 | 주식회사 엘지화학 | 광전환 소자 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
KR101653593B1 (ko) * | 2015-04-28 | 2016-09-02 | 부산대학교 산학협력단 | 태양광 모듈 |
-
2007
- 2007-12-26 KR KR1020070137716A patent/KR20090069894A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011078486A2 (ko) * | 2009-12-24 | 2011-06-30 | 한국에너지기술연구원 | 형광체를 사용한 고효율 태양전지 |
WO2011078486A3 (ko) * | 2009-12-24 | 2011-10-27 | 한국에너지기술연구원 | 형광체를 사용한 고효율 태양전지 |
US8664521B2 (en) | 2009-12-24 | 2014-03-04 | Korea Institute Of Energy Research | High efficiency solar cell using phosphors |
KR100976583B1 (ko) * | 2010-02-03 | 2010-08-17 | 솔라비토(주) | 태양광 발전장치 |
CN102511084A (zh) * | 2010-06-29 | 2012-06-20 | 赵诚梅 | 多晶硅太阳能电池用合成发光变换器及基于此的太阳能电池元件 |
WO2012002602A1 (ko) * | 2010-06-29 | 2012-01-05 | Cho Sung Mea | 다결정 실리콘 태양전지용 합성 발광 컨버터 및 그에 기반을 둔 태양전지 소자 |
KR20120033021A (ko) * | 2010-09-29 | 2012-04-06 | 엘지전자 주식회사 | 솔라브릭 |
US20120204952A1 (en) * | 2011-02-10 | 2012-08-16 | Lg Chem, Ltd. | Front sheet of solar cell, method of manufacturing the same and photovoltaic module comprising the same |
US9478678B2 (en) * | 2011-02-10 | 2016-10-25 | Lg Chem, Ltd. | Front sheet of solar cell, method of manufacturing the same and photovoltaic module comprising the same |
US20150340516A1 (en) * | 2011-02-10 | 2015-11-26 | Lg Chem Ltd. | Front sheet of solar cell, method of manufacturing the same and photovoltaic module comprising the same |
US9117952B2 (en) * | 2011-02-10 | 2015-08-25 | Lg Chem, Ltd. | Front sheet of solar cell, method of manufacturing the same and photovoltaic module comprising the same |
WO2013023199A2 (en) * | 2011-08-11 | 2013-02-14 | Chidambaram Mahendran T | Photovoltaic module light manipulation for increased module output |
WO2013023199A3 (en) * | 2011-08-11 | 2013-05-02 | Chidambaram Mahendran T | Photovoltaic module light manipulation for increased module output |
CN103999240A (zh) * | 2011-10-19 | 2014-08-20 | Lg伊诺特有限公司 | 太阳能电池模块及其制备方法 |
WO2013058459A1 (en) * | 2011-10-19 | 2013-04-25 | Lg Innotek Co., Ltd. | Solar cell module and preparing method of the same |
US9966482B2 (en) | 2011-10-19 | 2018-05-08 | Lg Innotek Co., Ltd. | Solar cell module and preparing method of the same |
KR101404243B1 (ko) * | 2012-10-23 | 2014-06-13 | 전남대학교산학협력단 | 형광체를 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법 |
KR101404353B1 (ko) * | 2012-10-23 | 2014-06-12 | 전남대학교산학협력단 | 형광체를 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법 |
WO2016122286A1 (ko) * | 2015-01-31 | 2016-08-04 | 주식회사 엘지화학 | 광전환 소자 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
US10193029B2 (en) | 2015-01-31 | 2019-01-29 | Lg Chem, Ltd. | Light conversion device and display device comprising same |
KR101632834B1 (ko) * | 2015-04-01 | 2016-06-22 | 경희대학교 산학협력단 | 난방 장치 및 구조 |
KR101653593B1 (ko) * | 2015-04-28 | 2016-09-02 | 부산대학교 산학협력단 | 태양광 모듈 |
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