KR101591971B1 - Wafer bonding apparatus and wafer bonding system using the same - Google Patents

Wafer bonding apparatus and wafer bonding system using the same Download PDF

Info

Publication number
KR101591971B1
KR101591971B1 KR1020140172160A KR20140172160A KR101591971B1 KR 101591971 B1 KR101591971 B1 KR 101591971B1 KR 1020140172160 A KR1020140172160 A KR 1020140172160A KR 20140172160 A KR20140172160 A KR 20140172160A KR 101591971 B1 KR101591971 B1 KR 101591971B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
chamber
module
upper wafer
transfer
Prior art date
Application number
KR1020140172160A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
하동수
박정훈
김광일
이종웅
Original Assignee
빛기술 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 빛기술 주식회사 filed Critical 빛기술 주식회사
Priority to KR1020140172160A priority Critical patent/KR101591971B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101591971B1 publication Critical patent/KR101591971B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)

Abstract

The present invention provides a wafer bonding apparatus and a wafer bonding system using the same. The wafer bonding apparatus includes a transfer module which transfers a lower wafer to a first position and transfers an upper wafer to a second position; an alignment module which moves the upper wafer from the second position to a third position arranged with regard to the lower wafer; and a chamber module which comprises a lower chamber which has a jig which supports the lower wafer at the first position and the upper wafer at the third position, and an upper chamber which moves downward with regard to the lower chamber and pressurizes the upper wafer with regard to the lower wafer.

Description

웨이퍼 본딩 장치 및 그를 이용한 웨이퍼 본딩 시스템{WAFER BONDING APPARATUS AND WAFER BONDING SYSTEM USING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a wafer bonding apparatus and a wafer bonding system using the same,

본 발명은 웨이퍼 본딩 장치 및 그를 이용한 웨이퍼 본딩 시스템에 관한 것이다.
The present invention relates to a wafer bonding apparatus and a wafer bonding system using the same.

일반적으로, 반도체 제조 공정에서 2개의 웨이퍼를 서로 본딩하는 공정이 사용된다. In general, a process of bonding two wafers to each other in a semiconductor manufacturing process is used.

이를 위해서는, 웨이퍼 지그를 이용하여 2 개의 웨이퍼를 정렬한다. 그리고, 2개의 정렬된 웨이퍼를 웨이퍼 지그에 얹은 채로 웨이퍼 지그와 함께 챔버에 넣게 된다. 그 상태에서 고온 고압 분위기 하에 2개의 웨이퍼가 서로 합착되게 한다.To do this, two wafers are aligned using a wafer jig. Then, the two aligned wafers are put on the wafer jig and put into the chamber together with the wafer jig. In this state, the two wafers are bonded together under a high-temperature and high-pressure atmosphere.

그러나, 이러한 방식에서는, 웨이퍼 지그를 핸들링하기 위한 별도의 공간과, 공정이 추가되어야 한다. 예를 들어, 지그를 이송하고, 지그를 냉각하는 등의 공정이 필요하다.However, in this manner, a separate space and a process for handling the wafer jig must be added. For example, a process of transporting the jig and cooling the jig is required.

또한, 웨이퍼 지그 상에 위치한 2개의 웨이퍼의 정렬이, 웨이퍼 지그의 이송 중에 흐트러져서, 2개의 웨이퍼 간의 정확한 정렬을 보장하는데 한계가 있다.
Also, alignment of two wafers placed on the wafer jig is disturbed during transfer of the wafer jig, which limits the precise alignment between the two wafers.

본 발명의 일 목적은, 웨이퍼 간의 새로운 정렬 방식을 통해 이송되는 웨이퍼 지그의 사용을 위한 공간과 공정을 제거할 수 있는, 웨이퍼 본딩 장치 및 그를 이용한 웨이퍼 본딩 시스템을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a wafer bonding apparatus and a wafer bonding system using the same that can eliminate the space and the process for use of the wafer jig transferred through the new alignment method between the wafers.

본 발명의 다른 목적은, 웨이퍼 간의 새로운 정렬 방식에 의해 정렬된 웨이퍼들의 정렬이 웨이퍼 지그의 이송 중에 다시 흐트러지는 것을 구조적으로 해결할 수 있는, 웨이퍼 본딩 장치 및 그를 이용한 웨이퍼 본딩 시스템을 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide a wafer bonding apparatus and a wafer bonding system using the same that can structurally resolve the alignment of the wafers aligned by the new alignment method between the wafers during the transfer of the wafer jig.

본 발명의 또 다른 목적은, 웨이퍼 간의 새로운 정렬 방식에 의해 본딩을 위한 챔버의 증설을 용이하게 할 수 있는, 웨이퍼 본딩 장치 및 그를 이용한 웨이퍼 본딩 시스템을 제공하는 것이다.
Another object of the present invention is to provide a wafer bonding apparatus and a wafer bonding system using the same, which can facilitate the expansion of a chamber for bonding by a new alignment method between wafers.

상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명의 일 측면과 관련된 웨이퍼 본딩 장치는, 하측 웨이퍼를 제1 위치에 이송하고, 상측 웨이퍼를 제2 위치에 이송하도록 구성되는 이송 모듈; 상기 제2 위치에서의 상기 상측 웨이퍼를 상기 하측 웨이퍼에 대해 정렬된 제3 위치에 위치시키도록 구성되는 정렬 모듈; 및 상기 제1 위치에서의 상기 하측 웨이퍼 및 상기 제3 위치에서의 상기 상측 웨이퍼를 지지하는 지그를 구비하는 하부 챔버와, 상기 하부 챔버에 대해 하강하게 구성되어 상기 상측 웨이퍼를 상기 하측 웨이퍼에 대해 가압하는 상부 챔버를 구비하는 챔버 모듈을 포함할 수 있다.A wafer bonding apparatus according to one aspect of the present invention for realizing the above-mentioned object includes a transfer module configured to transfer a lower wafer to a first position and transfer an upper wafer to a second position; An alignment module configured to position the upper wafer at the second position at a third position aligned with respect to the lower wafer; And a lower chamber having a lower chamber having the lower wafer at the first position and a jig supporting the upper wafer at the third position, and a lower chamber configured to be lowered with respect to the lower chamber to press the upper wafer against the lower wafer, And a chamber module having an upper chamber.

여기서, 상기 이송 모듈은, 상기 하측 웨이퍼를 파지하는 하부 헤드; 및 상기 하부 헤드의 상측에 위치하고, 상기 상측 웨이퍼를 파지하는 상부 헤드를 포함하고, 상기 제1 위치는, 상기 제2 위치보다 낮은 높이를 가질 수 있다.Here, the transfer module may include: a lower head holding the lower wafer; And an upper head located above the lower head and holding the upper wafer, wherein the first position may have a height lower than the second position.

여기서, 상기 정렬 모듈은, 상기 상측 웨이퍼를 상기 제2 위치에서 상기 제1 위치의 상측으로 반송하도록 구성되는 반송 유닛; 상기 상측 웨이퍼 및 상기 하측 웨이퍼의 자세 정보에 기초하여, 상기 상측 웨이퍼가 상기 제3 위치에 위치하게 상기 반송 유닛을 조정하는 조정 유닛을 포함할 수 있다.Here, the alignment module may include: a transfer unit configured to transfer the upper wafer from the second position to the upper side of the first position; And an adjusting unit that adjusts the transfer unit such that the upper wafer is located at the third position based on attitude information of the upper wafer and the lower wafer.

여기서, 상기 반송 유닛은, 상기 상측 웨이퍼를 파지하는 파지 부재; 및 상기 파지 부재가 설치되며, 상기 파지 부재가 상기 제1 위치의 상측에 위치하도록 복수의 방향으로 구동되는 구동 부재를 포함할 수 있다.Here, the carrying unit includes: a holding member holding the upper wafer; And a driving member installed in the gripping member and driven in a plurality of directions such that the gripping member is positioned above the first position.

여기서, 상기 구동 부재는, 상기 하부 챔버의 측방에 배치되는 제1 구동부; 상기 제1 구동부의 연장 방향에 대해 교차하는 제1 교차축을 따라 배치되는 제2 구동부; 및 상기 제1 교차축과 교차하는 제2 교차축을 따라 배치되고, 상기 파지 부재가 설치된 제3 구동부를 포함할 수 있다.Here, the driving member may include: a first driving unit disposed on a side of the lower chamber; A second driving unit disposed along a first crossing axis that intersects the extending direction of the first driving unit; And a third driving unit disposed along a second intersecting axis intersecting the first intersecting axis and provided with the gripping member.

여기서, 상기 구동 부재는, 상기 파지 부재를 상기 파지 부재의 중심축을 기준으로 회전 구동하는 자전부를 포함할 수 있다.Here, the driving member may include a magnetic charger that rotationally drives the holding member with respect to the center axis of the holding member.

여기서, 상기 조정 유닛은, 상기 상측 웨이퍼의 자세 정보를 감지하도록 구성되는 제1 센서; 상기 하측 웨이퍼의 자세 정보를 감지하도록 구성되는 제2 센서; 및 상기 제1 센서 및 상기 제2 센서의 감지 결과에 기초하여, 상기 반송 유닛을 제어하는 제어기를 포함할 수 있다.Here, the adjustment unit may include: a first sensor configured to sense posture information of the upper wafer; A second sensor configured to sense posture information of the lower wafer; And a controller for controlling the transport unit based on the detection results of the first sensor and the second sensor.

여기서, 상기 제1 센서는, 상기 상측 웨이퍼의 하방에 배치되고, 상기 제2 센서는, 상기 하측 웨이퍼의 상방에 배치될 수 있다.Here, the first sensor may be disposed below the upper wafer, and the second sensor may be disposed above the lower wafer.

여기서, 상기 하부 챔버는, 상기 지그의 측방에 위치하고, 상기 하측 웨이퍼를 지지하는 클램프; 및 상기 하측 웨이퍼 상에서 진퇴되도록 구성되어, 상기 하측 웨이퍼에서 이격된 위치에서 상기 상측 웨이퍼를 지지하는 스페이서를 포함할 수 있다.Here, the lower chamber includes: a clamp located on a side of the jig and supporting the lower wafer; And a spacer configured to be advanced and retracted on the lower wafer and supporting the upper wafer at a position spaced apart from the lower wafer.

여기서, 상기 클램프는, 상기 하측 웨이퍼를 수용하는 홀더; 및 상기 홀더를 상기 하측 웨이퍼에 교차하는 방향으로 승강 구동하는 승강기를 포함할 수 있다.Here, the clamp may include: a holder for accommodating the lower wafer; And an elevator that elevates and drives the holder in a direction crossing the lower wafer.

여기서, 상기 이송 모듈이 이송할 상기 상측 웨이퍼 및 상기 하측 웨이퍼를 지지하는 지지판을 구비하는 로딩 모듈을 더 포함할 수 있다.The transfer module may further include a loading module including a top plate for supporting the upper wafer and a lower plate for supporting the lower wafer to be transferred by the transfer module.

본 발명의 다른 측면에 따른 웨이퍼 본딩 시스템은, 길이 방향으로 연장된 주행축과, 상기 주행축을 따라 이동하며 상측 웨이퍼 및 하측 웨이퍼를 이송하는 로봇을 구비하는 이송 모듈; 상기 주행축의 적어도 일 측에 배치되고, 상기 상측 웨이퍼 및 상기 하측 웨이퍼를 합착하여 본딩 웨이퍼를 생성하는 복수의 챔버 모듈; 상기 복수의 챔버 모듈 각각에 설치되어, 상기 상측 웨이퍼가 상기 하측 웨이퍼가 합착되기 전에 상기 상측 웨이퍼를 상기 하측 웨이퍼에 대해 정렬하도록 구성되는 정렬 모듈; 및 상기 주행축의 일 측에 배치되고, 상기 로봇이 상기 챔버 모듈에서 이송한 상기 본딩 웨이퍼를 지지하는 언로딩 스테이션을 포함할 수 있다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a wafer bonding system including a traveling module including a traveling axis extending in a longitudinal direction, a robot moving along the traveling axis and carrying an upper wafer and a lower wafer; A plurality of chamber modules which are disposed on at least one side of the running shaft and which join the upper wafer and the lower wafer to produce a bonding wafer; An alignment module disposed in each of the plurality of chamber modules, the alignment module configured to align the upper wafer with respect to the lower wafer before the upper wafer coalesces; And an unloading station disposed at one side of the running axis and supporting the bonding wafer transferred from the chamber module by the robot.

상기와 같이 구성되는 본 발명에 관련된 웨이퍼 본딩 장치 및 그를 이용한 웨이퍼 본딩 시스템에 의하면, 2개의 웨이퍼 간의 새로운 정렬 방식을 통해 웨이퍼 지그를 위한 공간과 공정이 제거될 수 있게 된다.According to the wafer bonding apparatus and the wafer bonding system using the same, the space and the process for the wafer jig can be eliminated through the new alignment method between the two wafers.

웨이퍼 본딩 장치 및 그를 이용한 웨이퍼 본딩 시스템에에 따라, 2개의 웨이퍼 간의 새로운 정렬 방식에 의해 정렬된 웨이퍼들의 정렬이 이송 중에 다시 흐트러지지 않게 될 수 있다.According to the wafer bonding apparatus and the wafer bonding system using the same, the alignment of the wafers aligned by the new alignment method between the two wafers can be prevented from being disturbed during transfer.

웨이퍼 본딩 장치 및 그를 이용한 웨이퍼 본딩 시스템에에 따라, 2개의 웨이퍼 간의 새로운 정렬 방식에 의해 본딩을 위한 챔버의 증설이 용이하게 이루어질 수 있다.
According to the wafer bonding apparatus and the wafer bonding system using the same, the chamber for bonding can be easily expanded by the new alignment method between the two wafers.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 본딩 장치(100)를 보인 사시도이다.
도 2는 도 1의 정렬 모듈(130)을 확대해서 보인 사시도이다.
도 3은 도 1의 정렬 모듈(130)과 챔버 모듈(150)의 관계를 보인 개념도이다.
도 4 내지 도 11은 도 1의 웨이퍼 본딩 장치(100)를 이용하여 웨이퍼를 본딩하는 공정을 설명하기 위한 개념도이다.
도 12는 도 1의 웨이퍼 본딩 장치(100)를 활용한 웨이퍼 본딩 시스템(200)에 대한 개념도이다.1 is a perspective view showing a wafer bonding apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.
2 is an enlarged perspective view of the alignment module 130 of FIG.
3 is a conceptual diagram showing the relationship between the alignment module 130 and the chamber module 150 of FIG.
FIGS. 4 to 11 are conceptual diagrams for explaining a process of bonding a wafer using the wafer bonding apparatus 100 of FIG.
12 is a conceptual diagram of the wafer bonding system 200 using the wafer bonding apparatus 100 of FIG.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 본딩 장치 및 그를 이용한 웨이퍼 본딩 시스템에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 명세서에서는 서로 다른 실시예라도 동일유사한 구성에 대해서는 동일유사한 참조번호를 부여하고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음한다.Hereinafter, a wafer bonding apparatus and a wafer bonding system using the same according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the present specification, the same reference numerals are assigned to the same components in different embodiments, and the description thereof is replaced with the first explanation.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 본딩 장치(100)를 보인 사시도이다.1 is a perspective view showing a wafer bonding apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.

본 도면을 참조하면, 웨이퍼 본딩 장치(100)는, 이송 모듈(110), 정렬 모듈(130), 챔버 모듈(150), 및 로딩 모듈(170)을 가질 수 있다. Referring to the drawings, the wafer bonding apparatus 100 may have a transfer module 110, an alignment module 130, a chamber module 150, and a loading module 170.

이송 모듈(110)은 로딩 모듈(170)에 위치한 상측 웨이퍼(UW, 도 3 참조), 그리고 하측 웨이퍼(BW, 도 3 참조)를 이송하는 구성이다. 이를 위해, 이송 모듈(110)은, 상부 헤드(111), 하부 헤드(113), 및 포스트(115)를 가질 수 있다. The transfer module 110 transfers the upper wafer (UW, see FIG. 3) and the lower wafer (BW, see FIG. 3) located in the loading module 170. To this end, the transport module 110 may have an upper head 111, a lower head 113, and a post 115.

상부 헤드(111)는 상측 웨이퍼(UW)를 이송하는 팔이다. 상부 헤드(111)는 상측 웨이퍼(UW)를 제2 위치로 이송하도록 구성된다. 여기서, 제2 위치는 정렬 모듈(130)의 파지 부재(132, 도 2)에 대응하는 위치이다. The upper head 111 is an arm for transferring the upper wafer UW. The upper head 111 is configured to transport the upper wafer UW to the second position. Here, the second position corresponds to the holding member 132 (FIG. 2) of the alignment module 130.

하부 헤드(113)는 하측 웨이퍼(BW)를 이송하는 팔이다. 하부 헤드(113)는 하측 웨이퍼(BW)를 제1 위치로 이송하도록 구성된다. 여기서, 제1 위치는 하부 챔버(161)의 지그(163, 도 3)에 대응하는 위치이다. 이러한 제1 위치는 제2 위치 보다는 낮은 레벨이다.The lower head 113 is an arm for transferring the lower wafer BW. The lower head 113 is configured to transfer the lower wafer BW to the first position. Here, the first position corresponds to the jig 163 (FIG. 3) of the lower chamber 161. This first position is lower than the second position.

포스트(115)는 높이 방향으로 세워진 기둥이다. 포스트(115)의 낮은 부분에는 하부 헤드(113)가 설치되고, 높은 부분에는 상부 헤드(111)가 설치된다. The post 115 is a column erected in a height direction. The lower portion of the post 115 is provided with a lower head 113 and the upper portion thereof is provided with an upper head 111.

정렬 모듈(130)은 상측 웨이퍼(UW)를 상부 헤드(111)로부터 넘겨받아 하측 웨이퍼(BW) 상에 정렬된 제3 위치에 위치시키는 구성이다. 이를 위해, 정렬 모듈(130)은 반송 유닛(131)과, 조정 유닛(141)을 가질 수 있다. The alignment module 130 is configured to transfer the upper wafer UW from the upper head 111 and to position the upper wafer UW at a third position aligned on the lower wafer BW. To this end, the alignment module 130 may have a conveying unit 131 and an adjusting unit 141. [

반송 유닛(131)은 넘겨받은 상측 웨이퍼(UW)를 하측 웨이퍼(BW) 상측으로 옮기는 구성이다. 조정 유닛(141)은 상측 웨이퍼(UW)와 하측 웨이퍼(BW)의 자세 정보에 기초하여 반송 유닛(131)을 조정하여, 상측 웨이퍼(UW)가 하측 웨이퍼(BW)에 대해 정렬된 제3 위치에 최종적으로 위치하게 한다.The transfer unit 131 is configured to transfer the upper wafer UW transferred thereto to the upper side of the lower wafer BW. The adjusting unit 141 adjusts the transfer unit 131 based on the attitude information of the upper wafer UW and the lower wafer BW so that the upper wafer UW is moved to the third position aligned with the lower wafer BW As shown in FIG.

챔버 모듈(150)은 상측 웨이퍼(UW)와 하측 웨이퍼(BW)에 대한 가열, 가압, 및 합착을 위한 구성이다. 이를 위해, 챔버 모듈(150)은 상부 챔버(151)와, 하부 챔버(161)를 가질 수 있다. The chamber module 150 is a configuration for heating, pressurizing, and cementing the upper wafer UW and the lower wafer BW. To this end, the chamber module 150 may have an upper chamber 151 and a lower chamber 161.

상부 챔버(151)는 하부 챔버(161)의 상측에 위치하며, 하부 챔버(161)를 향해 승강되도록 구성된다. 하부 챔버(161)는 제1 위치의 하측 웨이퍼(BW) 및 제3 위치의 상측 웨이퍼(UW)를 지지하게 된다. The upper chamber 151 is located on the upper side of the lower chamber 161 and is configured to be raised and lowered toward the lower chamber 161. The lower chamber 161 supports the lower wafer BW in the first position and the upper wafer UW in the third position.

로딩 모듈(170)은 작업자가 웨이퍼 본딩 장치(100)에 상측 웨이퍼(UW) 및 하측 웨이퍼(BW)를 투입할 때, 그들을 처음으로 받아주는 구성이다. The loading module 170 is configured to receive the upper wafer UW and the lower wafer BW for the first time when the operator inserts the upper wafer UW and the lower wafer BW into the wafer bonding apparatus 100.

이를 위해, 로딩 모듈(170)은 상측 웨이퍼(UW) 및 하측 웨이퍼(BW)를 지하는 지지판(191 및 193)을 가질 수 있다. 여기서, 상측 웨이퍼(UW)를 지지하는 상부 지지판(191)은 반전기(195)에 의해 반전될 수 있다. 그에 의해, 상측 웨이퍼(UW)는 뒤집혀진 채로 상부 헤드(111)에 의해 파지될 수 있다.To this end, the loading module 170 may have support plates 191 and 193 underlying the upper wafer UW and the lower wafer BW. Here, the upper support plate 191 for supporting the upper wafer UW may be inverted by the inverter 195. Thereby, the upper wafer UW can be gripped by the upper head 111 while being turned upside down.

이상의 정렬 모듈(130)에 대해 도 2를 참조하여 설명한다.The above-described alignment module 130 will be described with reference to FIG.

도 2는 도 1의 정렬 모듈(130)을 확대해서 보인 사시도이다.2 is an enlarged perspective view of the alignment module 130 of FIG.

본 도면을 참조하면, 정렬 모듈(130)은, 앞서 기술된 바와 같이, 반송 유닛(131)과, 조정 유닛(141)을 가질 수 있다.Referring to this figure, the alignment module 130 may have a conveying unit 131 and an adjusting unit 141 as described above.

반송 유닛(131)은, 파지 부재(132)와, 구동 부재(133)를 가질 수 있다.The carrying unit 131 may have a holding member 132 and a driving member 133.

파지 부재(132)는 제2 위치로 이송된 상측 웨이퍼(UW)를 파지하는 구성이다. 파지 부재(132)는 상측 웨이퍼(UW)를 진공 흡착하도록 구성될 수 있다.The gripping member 132 is configured to grip the upper wafer UW transferred to the second position. The holding member 132 can be configured to vacuum-adsorb the upper wafer UW.

구동 부재(133)는 파지 부재(132)를 제2 위치에 대응하는 곳에서 제3 위치에 대응하는 곳으로 구동하는 구성이다. 이를 위해, 구동 부재(133)는, 제1 구동부(134), 제2 구동부(135), 제3 구동부(136), 자전부(137)를 가질 수 있다.The driving member 133 is configured to drive the holding member 132 to a position corresponding to the third position at a position corresponding to the second position. To this end, the driving member 133 may have a first driving part 134, a second driving part 135, a third driving part 136, and a charging part 137.

제1 구동부(134)는 하부 챔버(161)의 측방에 배치된다. 그에 의해, 제1 구동부(134)는 파지 부재(132)가 하부 챔버(161)의 중심에서 반경 방향을 따른 방향(M1)으로 이동되게 한다. 제1 구동부(134)는 서로 평행하게 배치되는 한 쌍으로 구비될 수 있다. The first driving part 134 is disposed on the side of the lower chamber 161. Thereby, the first driving portion 134 causes the gripping member 132 to move in the radial direction M 1 from the center of the lower chamber 161. The first driving units 134 may be provided as a pair arranged in parallel with each other.

제2 구동부(135)는 제1 구동부(134)의 연장 방향에 교차하는 제1 교차축을 따라 배치된다. 그에 의해, 제2 구동부(135)는 파지 부재(132)가 제1 교차축을 따른 방향(M2)으로 이동되게 한다. 제2 구동부(135)는 한 쌍의 제1 구동부(134) 각각에 연결되는 한 쌍으로 구비될 수 있다.The second driving unit 135 is disposed along a first crossing axis that intersects the extending direction of the first driving unit 134. Thereby, the second driving portion 135 causes the gripping member 132 to move in the direction M 2 along the first crossing axis. The second driving unit 135 may be provided as a pair connected to each of the pair of first driving units 134.

제3 구동부(136)는 제1 교차축과 교차하는 제2 교차축을 따라 배치된다. 그에 의해, 제3 구동부(136)는 파지 부재(132)가 제2 교차축을 따른 방향(M3)으로 이동되게 한다. 제3 구동부(136)는 한 쌍의 제2 구동부(135)에 대응하나 전체로서 단일 부재로 연결된 형태를 가질 수 있다. 제3 구동부(136)에는 파지 부재(132)가 설치될 수 있다. The third drive 136 is disposed along a second crossing axis that intersects the first crossing axis. Thereby, the third driving unit 136 to be moved to the holding member the direction (M 3) (132) according to a second axis crossing. The third driving unit 136 may correspond to the pair of the second driving units 135, but may have a single shape as a whole. The third driving unit 136 may be provided with a gripping member 132.

자전부(137)는 파지 부재(132)를 파지 부재(132)의 중심축을 기준으로 회전 구동하는 구성이다. 자전부(137)는 파지 부재(132)의 둘레를 따라 형성된 피동 기어를 구동하는 구동 기어와, 그 구동 기어를 회전시키는 모터를 가질 수 있다. The charging unit 137 rotates the gripping member 132 with respect to the center axis of the gripping member 132. [ The electric power unit 137 may have a drive gear for driving a driven gear formed along the periphery of the grip member 132 and a motor for rotating the drive gear.

조정 유닛(141)은 제1 센서(143)와, 제2 센서(145), 및 제어기(147)를 가질 수 있다. The adjustment unit 141 may have a first sensor 143, a second sensor 145, and a controller 147.

제1 센서(143)는 상측 웨이퍼(UW)의 자세 정보를 감지하도록 구성된다. 이를 위해, 제1 센서(143)는 상측 웨이퍼(UW)의 하측, 나아가 파지 부재(132)의 하측에 배치되는 카메라일 수 있다.The first sensor 143 is configured to sense the posture information of the upper wafer UW. To this end, the first sensor 143 may be a camera disposed on the lower side of the upper wafer UW, further below the gripping member 132.

제2 센서(145)는 하측 웨이퍼(BW)의 자세 정보를 감지하도록 구성된다. 이를 위해, 제2 센서(145)는 하측 웨이퍼(BW)의 상측, 예를 들어 정렬 모듈(130), 구체적으로 제3 구동부(136)에 설치되는 카메라일 수 있다. The second sensor 145 is configured to sense the posture information of the lower wafer BW. To this end, the second sensor 145 may be a camera mounted on the upper side of the lower wafer BW, for example, the alignment module 130, specifically, the third driver 136.

제어기(147)는 제1 센서(143)와 제2 센서(145)의 감지 결과에 기초하여, 반송 유닛(131)을 제어하도록 구성된다. The controller 147 is configured to control the transport unit 131 based on the detection results of the first sensor 143 and the second sensor 145. [

다음으로, 챔버 모듈(150)에 대해 도 3을 참조하여 설명한다. Next, the chamber module 150 will be described with reference to Fig.

도 3은 도 1의 정렬 모듈(130)과 챔버 모듈(150)의 관계를 보인 개념도이다.3 is a conceptual diagram showing the relationship between the alignment module 130 and the chamber module 150 of FIG.

본 도면을 참조하면, 챔버 모듈(150)은, 앞서 기술된 바와 같이, 상부 챔버(151)와, 하부 챔버(161)를 가질 수 있다.Referring to this figure, the chamber module 150 may have an upper chamber 151 and a lower chamber 161, as described above.

상부 챔버(151)는, 케이스(152), 발열부(153), 가열부(154), 승강부(155), 및 댐핑부(156)를 가질 수 있다.The upper chamber 151 may have a case 152, a heat generating portion 153, a heating portion 154, a lift portion 155, and a damping portion 156.

케이스(152)는 하측이 개방된 공간을 형성하는 구성이다. The case 152 is configured to form a space in which the lower side is opened.

발열부(153)는 열을 발생시키는 구성으로서, 예를 들어 알에프 히터(RF Heater)일 수 있다. The heat generating unit 153 may be, for example, an RF heater for generating heat.

가열부(154)는 발열부(153)로부터 열에 의해 가열되어, 상측 웨이퍼(UW)에 열적 영향을 미치는 구성이다. The heating unit 154 is heated by the heat from the heat generating unit 153 to have a thermal influence on the upper wafer UW.

승강부(155)는 가열부(154) 및 발열부(153)가 하부 챔버(161)를 향한 방향으로 승강되게 한다. 승강부(155)는 유압식 실린더로 구성될 수 있다. The elevating portion 155 causes the heating portion 154 and the heat generating portion 153 to be raised and lowered in the direction toward the lower chamber 161. The elevating portion 155 may be constituted by a hydraulic cylinder.

댐핑부(156)는 발열부(153)와 케이스(152) 사이에 설치되는 것으로서, 예를 들어 압축 스프링일 수 있다.The damping portion 156 is provided between the heat generating portion 153 and the case 152, and may be, for example, a compression spring.

하부 챔버(161)는, 케이스(162), 지그(163), 발열부(164), 댐핑부(165), 클램프(166), 및 스페이서(167)를 가질 수 있다. The lower chamber 161 may have a case 162, a jig 163, a heating portion 164, a damping portion 165, a clamp 166, and a spacer 167.

케이스(162)는 상측이 개방된 공간을 형성하는 구성이다. 케이스(162)는, 앞서의 케이스(152)와 맞물려서 하나의 밀폐 공간을 형성할 수 있다.The case 162 is configured to form a space in which the upper side is opened. The case 162 can be engaged with the case 152 to form one closed space.

지그(163)는 케이스(162) 내에 위치하며, 하측 웨이퍼(BW), 나아가 상측 웨이퍼(UW)를 지지하는 구성이다. 이러한 지그(163)는 케이스(162) 내에 고정된다. 지그(163)는 발열부(164)의 열을 전달받아, 하측 웨이퍼(BW)에 열적 영향을 미친다. 그에 의해, 지그(163)는 상부 챔버(151)에서의 발열부(154)와 같은 기능도 수행할 수 있다. The jig 163 is disposed in the case 162 and supports the lower wafer BW and further the upper wafer UW. The jig 163 is fixed in the case 162. The jig 163 receives the heat of the heat generating portion 164 and has a thermal influence on the lower side wafer BW. Thereby, the jig 163 can perform the same function as the heating portion 154 in the upper chamber 151. [

발열부(164)는 열을 발생시키는 구성으로서, 예를 들어 알에프 히터(RF Heater)일 수 있다. The heat generating portion 164 may be, for example, an RF heater for generating heat.

댐핑부(165)는 발열부(164)를 케이스(162)에 대해 탄성적으로 지지한다. 댐핑부(165)는, 압축 코일 스프링을 가질 수 있다.The damping portion 165 elastically supports the heat generating portion 164 with respect to the case 162. The damping portion 165 may have a compression coil spring.

클램프(166)는 지그(163)의 측방에서, 하측 웨이퍼(BW)를 지지하는 구성이다. 이를 위해, 클램프(166)는 홀더(166a)와, 승강기(166b)를 가질 수 있다. The clamp 166 supports the lower wafer BW on the side of the jig 163. To this end, the clamp 166 may have a holder 166a and an elevator 166b.

홀더(166a)는 하측 웨이퍼(BW)의 가장 자지를 지지하는 밑판을 가진다. 또한, 홀더(166a)는 밑판에서 이격된 상판과, 밑판과 상판을 연결하는 측판을 가질 수 있다. 승강기(166b)는 홀더(166a)를 승강시키는 구성이다. 홀더(166a)의 하강에 의해, 밑판에 지지되던 하측 웨이퍼(BW)는 지그(163)에 의해 지지될 수 있다.The holder 166a has a bottom plate for supporting the bottom of the lower wafer BW. Further, the holder 166a may have a top plate spaced apart from the bottom plate and a side plate connecting the bottom plate and the top plate. The elevator 166b is configured to raise and lower the holder 166a. The lower wafer BW supported by the lower plate can be supported by the jig 163 by the lowering of the holder 166a.

스페이서(167)는 하측 웨이퍼(BW)의 상측에 위치하여 상측 웨이퍼{UW', 파지 부재(132)에 파지된 상측 웨이퍼(UW)와 구별하여 표시함)를 지지하는 구성이다. 스페이서(167)는 하측 웨이퍼(BW)의 가장자리에서 중심을 향한 방향으로 진퇴 되도록 구성된다. 이를 위해, 스페이서(167)는 도면상 상방 구동되는 부분과, 도면상 수평 방향으로 진퇴 되는 부분으로 구분될 수 있다. 이 두 부분은 서로 쐐기로서 맞물려, 상방 구동되는 부분의 상승시 수평 방향 부분이 하측 웨이퍼(BW)의 중심 측으로 전진하게 된다. 그에 의해, 스페이서(167)가 후퇴되면, 상측 웨이퍼(UW')는 하측 웨이퍼(BW)에 맞닿게 된다.The spacers 167 are disposed on the upper side of the lower wafer BW and support the upper wafer UW and the upper wafer UW gripped by the holding member 132 in a distinguishable manner. The spacer 167 is configured to be moved back and forth in the direction toward the center from the edge of the lower wafer BW. To this end, the spacer 167 may be divided into a portion driven upward in the drawing and a portion advanced and retracted horizontally in the drawing. These two parts engage with each other as a wedge so that the horizontal portion of the wafer W is advanced toward the center of the lower wafer BW when the upwardly driven portion rises. Thereby, when the spacer 167 is retracted, the upper wafer UW 'comes into contact with the lower wafer BW.

여기서, 클램프(166) 및 스페이서(167)는 지그(163)를 중심으로 서로 다른 각도에 위치하기에, 서로 간에 작동 시 간섭받지 않게 된다.Here, since the clamp 166 and the spacer 167 are located at different angles about the jig 163, they are not interfered with each other in operation.

이상의 웨이퍼 본딩 장치(100)를 이용한 웨이퍼 본딩 공정에 대해 도 4 내지 도 11을 참조하여 설명한다.Hereinafter, the wafer bonding process using the wafer bonding apparatus 100 will be described with reference to FIGS. 4 to 11. FIG.

도 4 내지 도 11은 도 1의 웨이퍼 본딩 장치(100)를 이용하여 웨이퍼를 본딩하는 공정을 설명하기 위한 개념도이다.FIGS. 4 to 11 are conceptual diagrams for explaining a process of bonding a wafer using the wafer bonding apparatus 100 of FIG.

도 4를 참조하면, 상부 챔버(151)는 하부 챔버(161)로부터 이격되어 위치한다. 그에 의해, 상부 챔버(151)의 케이스(152)와 하부 챔버(161)의 케이스(162) 사이에는 다른 구성, 예를 들어 상부 헤드(111)와 하부 헤드(113), 및 파지 부재(132)가 지나갈 수 있는 공간이 형성된다.Referring to FIG. 4, the upper chamber 151 is located apart from the lower chamber 161. The upper head 111 and the lower head 113 and the gripping member 132 are provided between the case 152 of the upper chamber 151 and the case 162 of the lower chamber 161. [ A space is formed through which the light can pass.

이 상태에서, 하부 헤드(113)는 하측 웨이퍼(BW)를 클램프(166)의 측방에서 홀더(166a)에 밀어 넣는다. 그에 의해, 홀더(166a)의 밑판은 하측 웨이퍼(BW)를 지지하게 된다. In this state, the lower head 113 pushes the lower wafer BW from the side of the clamp 166 to the holder 166a. Thereby, the bottom plate of the holder 166a supports the lower wafer BW.

상부 헤드(111)는 상측 웨이퍼(UW)를 정렬 모듈(130)의 파지 부재(132)로 이송하여, 파지 부재(132)가 상측 웨이퍼(UW)를 파지하게 한다.The upper head 111 transfers the upper wafer UW to the holding member 132 of the alignment module 130 so that the holding member 132 grasps the upper wafer UW.

도 5를 참조하면, 클램프(166)는 승강기(166b)에 의해 홀더(166a)가 하강된 상태가 된다. 그에 의해, 하측 웨이퍼(BW)는 홀더(166a)가 아닌 지그(163)에 의해 지지된 상태가 된다. Referring to Fig. 5, the clamp 166 is in a state in which the holder 166a is lowered by the elevator 166b. Thereby, the lower wafer BW is held by the jig 163, not by the holder 166a.

이때, 스페이서(167)도 하강하여 하측 웨이퍼(BW)의 상측에 위치하게 된다.At this time, the spacer 167 is also lowered and positioned on the upper side of the lower wafer BW.

도 6을 참조하면, 정렬 모듈(130)의 반송 유닛(131)이 작동함에 따라, 파지 부재(132)는 상측 웨이퍼(UW)를 파지하고서 케이스(162) 내로 진행하게 된다.Referring to FIG. 6, as the transfer unit 131 of the alignment module 130 is operated, the holding member 132 grasps the upper wafer UW and proceeds into the case 162.

이때, 제1 센서(143)는 상측 웨이퍼(UW)의 자세 정보를 획득한다. 또한, 제2 센서(145)는 하측 웨이퍼(BW)의 자세 정보를 획득한다. At this time, the first sensor 143 acquires attitude information of the upper wafer UW. Also, the second sensor 145 acquires attitude information of the lower wafer BW.

도 7을 참조하면, 제어기(147)는 제1 센서(143) 및 제2 센서(145)에서 얻어진 정보에 의해, 반송 유닛(131)을 최종적으로 제어한다. Referring to FIG. 7, the controller 147 finally controls the transport unit 131 based on the information obtained from the first sensor 143 and the second sensor 145.

그에 의해, 상측 웨이퍼(UW)는 하측 웨이퍼(BW)에 대해 정렬된 제3 위치에 위치하도록 파지 부재(132)의 위치가 조절될 수 있다. 그 상태에서, 상측 웨이퍼(UW)는 스페이서(167) 상에 놓여 질 수 있다. Thereby, the position of the holding member 132 can be adjusted so that the upper wafer UW is positioned at the third position aligned with the lower wafer BW. In this state, the upper wafer UW can be placed on the spacer 167. [

도 8을 참조하면, 상측 웨이퍼(UW)를 내려놓은 반송 유닛(131)은 케이스(162)에서 원래의 위치로 복귀하게 된다. Referring to FIG. 8, the transfer unit 131 with the upper wafer UW lowered is returned to its original position in the case 162.

도 9를 참조하면, 상부 챔버(151)의 케이스(152)가 하강하여, 하부 챔버(161)의 케이스(162)와 맞닿게 된다. 그에 의해, 케이스(152)와 케이스(162)에 의해 닫힌 공간이 형성된다.Referring to FIG. 9, the case 152 of the upper chamber 151 is lowered to abut the case 162 of the lower chamber 161. As a result, a closed space is formed by the case 152 and the case 162.

상기 닫힌 공간에 대해 진공 프로세스가 수행되어, 상기 닫힌 공간은 진공 상태가 된다. A vacuum process is performed on the closed space, so that the closed space is in a vacuum state.

도 10을 참조하면, 스페이서(167)는 하측 웨이퍼(BW)의 중심에서 멀어지는 방향으로 후퇴하게 된다. 그에 의해, 하측 웨이퍼(BW) 위에는 상측 웨이퍼(UW)가 놓여져서, 그들이 서로 맞닿게 된다. Referring to FIG. 10, the spacer 167 is retracted in a direction away from the center of the lower wafer BW. Thereby, the upper wafer UW is placed on the lower wafer BW, and they are brought into contact with each other.

또한, 상부 챔버(151)의 승강부(155)가 작동하여, 가열부(154)가 상측 웨이퍼(UW)에 힘을 가하게 된다. 그에 의해, 상측 웨이퍼(UW)가 하측 웨이퍼(BW)를 대해 압착되게 된다. Further, the elevating portion 155 of the upper chamber 151 is operated, and the heating portion 154 applies a force to the upper wafer UW. Thereby, the upper wafer UW is pressed against the lower wafer BW.

또한, 발열부(153 및 164)가 작동함에 의해, 가열부(154) 및 지그(163)에 의해 상측 웨이퍼(UW) 및 하측 웨이퍼(BW)가 가열된다.The upper wafer UW and the lower wafer BW are heated by the heating unit 154 and the jig 163 by the operation of the heat generating units 153 and 164.

이러한 가열 및 압착 공정을 통해, 상측 웨이퍼(UW) 및 하측 웨이퍼(BW)가 본딩되어 본딩 웨이퍼가 만들어진다.Through the heating and pressing process, the upper wafer UW and the lower wafer BW are bonded to form a bonding wafer.

도 11을 참조하면, 상부 챔버(151)가 하부 챔버(161)로부터 상승됨에 의해, 상기 닫힌 공간이 다시 개방된다. 이 상태에서, 이송 모듈(110)은 상기 본딩 웨이퍼를 지그(163)에서 언로딩할 수 있다. Referring to FIG. 11, as the upper chamber 151 is lifted from the lower chamber 161, the closed space is opened again. In this state, the transfer module 110 can unload the bonding wafer from the jig 163.

다음으로, 이상의 웨이퍼 본딩 장치(100)를 활용한 웨이퍼 본딩 시스템(200)에 대해 도 12를 참조하여 설명한다.Next, the wafer bonding system 200 utilizing the above-described wafer bonding apparatus 100 will be described with reference to FIG.

도 12는 도 1의 웨이퍼 본딩 장치(100)를 활용한 웨이퍼 본딩 시스템(200)에 대한 개념도이다.12 is a conceptual diagram of the wafer bonding system 200 using the wafer bonding apparatus 100 of FIG.

본 도면을 참조하면, 웨이퍼 본딩 시스템(200)은, 앞서의 정렬 모듈(130), 챔버 모듈(150) 등에 더하여, 이송 모듈(110'), 사전 조정기(210), 및 언로딩 스테이션(230)을 가질 수 있다.The wafer bonding system 200 includes a transfer module 110 ', a preconditioner 210, and an unloading station 230, in addition to the alignment module 130, the chamber module 150, Lt; / RTI >

이송 모듈(110')은 앞선 실시예의 이송 모듈(110)과 달리, 도면상 좌우로 연장된 주행축과, 그 주행축 상을 이동하는 로봇을 가질 수 있다. Unlike the feed module 110 of the previous embodiment, the feed module 110 'may have a running axis extending left and right in the drawing and a robot moving on the running axis.

챔버 모듈(150)은 상기 주행축의 양편에 복수 개로 배치될 수 있다. 또한, 정렬 모듈(130)은 각 챔버 모듈(150)에 하나씩 연관되어 배치된다. The plurality of chamber modules 150 may be disposed on both sides of the traveling axis. In addition, the alignment module 130 is associated with each chamber module 150 one by one.

사전 조정기(210)는 상기 로봇이 파지한 상측 웨이퍼(UW) 및 하측 웨이퍼(BW)를 챔버 모듈(150)에 로딩하기 전에 내려놓는 곳이다. 사전 조정기(210)는 상측 웨이퍼(UW) 및 하측 웨이퍼(BW)의 기준 방향을 조정하게 된다. The pre-adjuster 210 is a place where the upper wafer UW and the lower wafer BW held by the robot are lowered before being loaded on the chamber module 150. The preconditioner 210 adjusts the reference directions of the upper wafer UW and the lower wafer BW.

언로딩 스테이션(230)은 챔버 모듈(150)에서 완성된 본딩 웨이퍼를 언로딩하기 위한 구성이다.Unloading station 230 is a configuration for unloading the completed bonding wafer in chamber module 150.

이러한 구성에 의하면, 상기 로봇은 상측 웨이퍼(UW) 및 하측 웨이퍼(BW)를 파지하여, 사전 조정기(210)에 내려놓는다. 상기 로봇은 사전 조정기(210)에 의해 조정된 상측 웨이퍼(UW) 및 하측 웨이퍼(BW)를 다시 파지하여, 각각 정렬 모듈(130) 및 챔버 모듈(150)에 내려놓는다.According to such a configuration, the robot grasps the upper wafer UW and the lower wafer BW and places them on the pre-adjuster 210. The robot grasps the upper wafer UW and the lower wafer BW adjusted by the pre-adjuster 210 and places them on the alignment module 130 and the chamber module 150, respectively.

상측 웨이퍼(UW)는 정렬 모듈(130)에 의해 하측 웨이퍼(BW)에 대해 정렬된 상태로, 챔버 모듈(150) 내에 놓여 진다. 챔버 모듈(150)의 작동에 의해, 상측 웨이퍼(UW) 및 하측 웨이퍼(BW)는 가열, 가압, 합착되어 본딩 웨이퍼로 변화된다. The upper wafer UW is placed in the chamber module 150, with the alignment module 130 aligned with respect to the lower wafer BW. By the operation of the chamber module 150, the upper wafer UW and the lower wafer BW are heated, pressurized, joined together and changed into bonded wafers.

상기 로봇은 본딩 웨이퍼를 챔버 모듈(150)에서 언로딩하여, 언로딩 스테이션(230)에 내려놓게 된다. The robot unloads the bonding wafer from the chamber module 150 and places it on the unloading station 230.

이러한 구조에서는, 챔버 모듈(150) 및 정렬 모듈(130)을 상기 주행축의 양측에 배치하는 방식에 의해, 웨이퍼 본딩 시스템을 확장하는 것이 용이하다.With this structure, it is easy to expand the wafer bonding system by arranging the chamber module 150 and the alignment module 130 on both sides of the running axis.

상기와 같은 웨이퍼 본딩 장치 및 그를 이용한 웨이퍼 본딩 시스템은 위에서 설명된 실시예들의 구성과 작동 방식에 한정되는 것이 아니다. 상기 실시예들은 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 구성될 수도 있다.
The wafer bonding apparatus and the wafer bonding system using the same are not limited to the configuration and operation of the embodiments described above. The above embodiments may be configured so that all or some of the embodiments may be selectively combined to make various modifications.

100: 웨이퍼 본딩 장치 110: 이송 모듈
111: 상부 헤드 113: 하부 헤드
130: 정렬 모듈 131: 반송 유닛
141: 조정 유닛 150: 챔버 모듈
151: 상부 챔버 161: 하부 챔버
170: 로딩 모듈 200: 웨이퍼 본딩 시스템
210: 사전 조정기 230: 언로딩 스테이션100: Wafer bonding device 110: Feed module
111: upper head 113: lower head
130: alignment module 131:
141: adjusting unit 150: chamber module
151: upper chamber 161: lower chamber
170: Loading module 200: Wafer bonding system
210: preconditioner 230: unloading station

Claims (12)

하측 웨이퍼를 제1 위치에 이송하고, 상측 웨이퍼를 제2 위치에 이송하도록 구성되는 이송 모듈;
상기 제2 위치에서의 상기 상측 웨이퍼를 상기 하측 웨이퍼에 대해 정렬된 제3 위치에 위치시키도록 구성되는 정렬 모듈; 및
상기 제1 위치에서의 상기 하측 웨이퍼 및 상기 제3 위치에서의 상기 상측 웨이퍼를 지지하는 지그를 구비하는 하부 챔버와, 상기 하부 챔버에 대해 하강하게 구성되어 상기 상측 웨이퍼를 상기 하측 웨이퍼에 대해 가압하는 상부 챔버를 구비하는 챔버 모듈을 포함하는, 웨이퍼 본딩 장치.
A transfer module configured to transfer the lower wafer to the first position and to transfer the upper wafer to the second position;
An alignment module configured to position the upper wafer at the second position at a third position aligned with respect to the lower wafer; And
A lower chamber including a lower wafer at the first position and a jig for supporting the upper wafer at the third position and a lower chamber which is lowered with respect to the lower chamber to press the upper wafer against the lower wafer And a chamber module having an upper chamber.
제1항에 있어서,
상기 이송 모듈은,
상기 하측 웨이퍼를 파지하는 하부 헤드; 및
상기 하부 헤드의 상측에 위치하고, 상기 상측 웨이퍼를 파지하는 상부 헤드를 포함하고,
상기 제1 위치는, 상기 제2 위치보다 낮은 높이를 갖는, 웨이퍼 본딩 장치.
The method according to claim 1,
The transfer module includes:
A lower head holding the lower wafer; And
And an upper head located above the lower head and holding the upper wafer,
Wherein the first position has a height lower than the second position.
제1항에 있어서,
상기 정렬 모듈은,
상기 상측 웨이퍼를 상기 제2 위치에서 상기 제1 위치의 상측으로 반송하도록 구성되는 반송 유닛; 및
상기 상측 웨이퍼 및 상기 하측 웨이퍼의 자세 정보에 기초하여, 상기 상측 웨이퍼가 상기 제3 위치에 위치하게 상기 반송 유닛을 조정하는 조정 유닛을 포함하는, 웨이퍼 본딩 장치.
The method according to claim 1,
The alignment module comprises:
A transfer unit configured to transfer the upper wafer from the second position to an upper side of the first position; And
And an adjustment unit that adjusts the transfer unit so that the upper wafer is located at the third position based on the posture information of the upper wafer and the lower wafer.
제3항에 있어서,
상기 반송 유닛은,
상기 상측 웨이퍼를 파지하는 파지 부재; 및
상기 파지 부재가 설치되며, 상기 파지 부재가 상기 제1 위치의 상측에 위치하도록 복수의 방향으로 구동되는 구동 부재를 포함하는, 웨이퍼 본딩 장치.
The method of claim 3,
The transfer unit
A gripping member for gripping the upper wafer; And
And a driving member that is driven in a plurality of directions such that the holding member is provided and the holding member is positioned above the first position.
제4항에 있어서,
상기 구동 부재는,
상기 하부 챔버의 측방에 배치되는 제1 구동부;
상기 제1 구동부의 연장 방향에 대해 교차하는 제1 교차축을 따라 배치되는 제2 구동부; 및
상기 제1 교차축과 교차하는 제2 교차축을 따라 배치되고, 상기 파지 부재가 설치된 제3 구동부를 포함하는, 웨이퍼 본딩 장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the driving member comprises:
A first driving unit disposed on a side of the lower chamber;
A second driving unit disposed along a first crossing axis that intersects the extending direction of the first driving unit; And
And a third driving portion disposed along a second intersecting axis intersecting the first intersecting axis and provided with the holding member.
제4항에 있어서,
상기 구동 부재는,
상기 파지 부재를 상기 파지 부재의 중심축을 기준으로 회전 구동하는 자전부를 포함하는, 웨이퍼 본딩 장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the driving member comprises:
And a charging unit that rotatably drives the gripping member with respect to the central axis of the gripping member.
제3항에 있어서,
상기 조정 유닛은,
상기 상측 웨이퍼의 자세 정보를 감지하도록 구성되는 제1 센서;
상기 하측 웨이퍼의 자세 정보를 감지하도록 구성되는 제2 센서; 및
상기 제1 센서 및 상기 제2 센서의 감지 결과에 기초하여, 상기 반송 유닛을 제어하는 제어기를 포함하는, 웨이퍼 본딩 장치.
The method of claim 3,
The adjustment unit includes:
A first sensor configured to sense posture information of the upper wafer;
A second sensor configured to sense posture information of the lower wafer; And
And a controller for controlling the transfer unit based on the detection results of the first sensor and the second sensor.
제7항에 있어서,
상기 제1 센서는, 상기 상측 웨이퍼의 하방에 배치되고,
상기 제2 센서는, 상기 하측 웨이퍼의 상방에 배치되는, 웨이퍼 본딩 장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the first sensor is disposed below the upper wafer,
And the second sensor is disposed above the lower wafer.
제1항에 있어서,
상기 하부 챔버는,
상기 지그의 측방에 위치하고, 상기 하측 웨이퍼를 지지하는 클램프; 및
상기 하측 웨이퍼 상에서 진퇴되도록 구성되어, 상기 하측 웨이퍼에서 이격된 위치에서 상기 상측 웨이퍼를 지지하는 스페이서를 포함하는, 웨이퍼 본딩 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the lower chamber comprises:
A clamp located on a side of the jig and supporting the lower wafer; And
And a spacer configured to move on and move on the lower wafer and to support the upper wafer at a position spaced apart from the lower wafer.
제9항에 있어서,
상기 클램프는,
상기 하측 웨이퍼를 수용하는 홀더; 및
상기 홀더를 상기 하측 웨이퍼에 교차하는 방향으로 승강 구동하는 승강기를 포함하는, 웨이퍼 본딩 장치.
10. The method of claim 9,
The clamp
A holder for receiving the lower wafer; And
And an elevator that elevates and drives the holder in a direction crossing the lower wafer.
제1항에 있어서,
상기 이송 모듈이 이송할 상기 상측 웨이퍼 및 상기 하측 웨이퍼를 지지하는 지지판을 구비하는 로딩 모듈을 더 포함하는, 웨이퍼 본딩 장치.
The method according to claim 1,
Further comprising a loading module having a support plate for supporting the upper wafer and the lower wafer to be transferred by the transfer module.
길이 방향으로 연장된 주행축과, 상기 주행축을 따라 이동하며 상측 웨이퍼 및 하측 웨이퍼를 이송하는 로봇을 구비하는 이송 모듈;
상기 주행축의 적어도 일 측에 배치되고, 상기 상측 웨이퍼 및 상기 하측 웨이퍼를 합착하여 본딩 웨이퍼를 생성하는 복수의 챔버 모듈;
상기 복수의 챔버 모듈 각각에 설치되어, 상기 상측 웨이퍼가 상기 하측 웨이퍼가 합착되기 전에 상기 상측 웨이퍼를 상기 하측 웨이퍼에 대해 정렬하도록 구성되는 정렬 모듈; 및
상기 주행축의 일 측에 배치되고, 상기 로봇이 상기 챔버 모듈에서 이송한 상기 본딩 웨이퍼를 지지하는 언로딩 스테이션을 포함하는, 웨이퍼 본딩 시스템.A transporting module having a traveling axis extending in the longitudinal direction, and a robot moving along the traveling axis and transporting the upper wafer and the lower wafer;
A plurality of chamber modules which are disposed on at least one side of the running shaft and which join the upper wafer and the lower wafer to produce a bonding wafer;
An alignment module disposed in each of the plurality of chamber modules, the alignment module configured to align the upper wafer with respect to the lower wafer before the upper wafer coalesces; And
And an unloading station disposed on one side of the running axis and supporting the bonding wafer transferred from the chamber module by the robot.
KR1020140172160A 2014-12-03 2014-12-03 Wafer bonding apparatus and wafer bonding system using the same KR101591971B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140172160A KR101591971B1 (en) 2014-12-03 2014-12-03 Wafer bonding apparatus and wafer bonding system using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140172160A KR101591971B1 (en) 2014-12-03 2014-12-03 Wafer bonding apparatus and wafer bonding system using the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101591971B1 true KR101591971B1 (en) 2016-02-04

Family

ID=55356338

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140172160A KR101591971B1 (en) 2014-12-03 2014-12-03 Wafer bonding apparatus and wafer bonding system using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101591971B1 (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101930489B1 (en) * 2015-08-13 2018-12-19 주식회사 에프에스티 Wafer bonder and coil block apparatus using electromagnetic wave heating
KR20200008872A (en) 2018-07-17 2020-01-29 주식회사 에프에스티 Wafer alignment apparatus, wafer alignment method, and correction method of wafer alignment apparatus
CN112185884A (en) * 2020-09-29 2021-01-05 中国船舶重工集团公司第七二四研究所 Position multi-dimensional high-adaptation bonding tool and use method
KR102380752B1 (en) * 2021-04-12 2022-03-30 이알케이(주) Jig for bonding wafer
KR20240023756A (en) 2022-08-16 2024-02-23 코스텍시스템(주) Apparatus and method for wafer pressurization hardening

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101930489B1 (en) * 2015-08-13 2018-12-19 주식회사 에프에스티 Wafer bonder and coil block apparatus using electromagnetic wave heating
KR20200008872A (en) 2018-07-17 2020-01-29 주식회사 에프에스티 Wafer alignment apparatus, wafer alignment method, and correction method of wafer alignment apparatus
CN112185884A (en) * 2020-09-29 2021-01-05 中国船舶重工集团公司第七二四研究所 Position multi-dimensional high-adaptation bonding tool and use method
KR102380752B1 (en) * 2021-04-12 2022-03-30 이알케이(주) Jig for bonding wafer
KR20240023756A (en) 2022-08-16 2024-02-23 코스텍시스템(주) Apparatus and method for wafer pressurization hardening

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101591971B1 (en) Wafer bonding apparatus and wafer bonding system using the same
KR101369702B1 (en) Method for pre-heating probe card
JP6433618B2 (en) Ultrasonic welding equipment for semiconductor substrates
KR101519697B1 (en) Vertical heat treatment apparatus and driving method thereof
CN1149908C (en) Integrated circuit assembling and disassembling device and its assembling and disassembling head
TW201732980A (en) Cart of supplying tray for supplying electronic components and handler of processing electronic components achieving the effect of improving the operation efficiency of the handler
KR102043902B1 (en) Electrode Stacking Device for Secondary Cell
JP4635972B2 (en) Load lock device, method using the same, and wafer bonding system
JP5314607B2 (en) Joining apparatus, joining method, program, and computer storage medium
KR102156830B1 (en) Laser welding apparatus for stator core and welding method using the same
CN107968148A (en) A kind of semiconductor refrigerating welding device and welding procedure
KR102058008B1 (en) Electronic Device Handler
JP5935542B2 (en) Substrate bonding apparatus and substrate bonding method
JP2022122403A (en) Substrate bonding device and substrate bonding method
JP5459025B2 (en) Substrate laminating apparatus, laminated semiconductor device manufacturing method, laminated semiconductor device, substrate laminating method, and laminated semiconductor device manufacturing method
JP6808839B2 (en) Substrate holding device, substrate holding method and film forming device
KR20200021138A (en) Wafer jig for bonding wafers and wafer bonding equipment including the wafer jig
KR101968337B1 (en) A rotary type sealing apparatus for sealing a spout and pouch
KR102235493B1 (en) Substrate processing apparatus
JP5323730B2 (en) Joining apparatus, joining method, program, and computer storage medium
KR20220070985A (en) Die transfer module and die bonding apparatus including the same
JP4947675B1 (en) Polishing system
JP2005347703A (en) Tab lead fitting equipment for solar battery cell
JP7486617B2 (en) Multi-position working dispenser and working method thereof
JP2602876B2 (en) Semiconductor device assembly equipment

Legal Events

Date Code Title Description
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190111

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200114

Year of fee payment: 5