KR20240023756A - Apparatus and method for wafer pressurization hardening - Google Patents

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KR20240023756A
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wafers
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이승현
하재균
장현진
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코스텍시스템(주)
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Abstract

개시된 본 발명에 의한 웨이퍼 가압경화장치는, 제1웨이퍼가 로딩되는 제1척부, 제1웨이퍼와 마주하도록 제2웨이퍼가 로딩되는 제2척부, 제1 및 제2척부에 로딩된 제1 및 제2웨이퍼를 접착제를 사이에 두고 상호 가압시키는 가압부 및, 제1 및 제2척부 중 적어도 어느 하나에 마련되어, 제1 및 제2웨이퍼 사이의 접착제를 경화시키는 경화부를 포함하며, 경화부는 제1 및 제2웨이퍼가 상호 가압됨에 연동하여 접착제를 경화시킨다. 이러한 구성에 의하면, 같은 공간에서 웨이퍼들 사이의 가압과 접착제 경화가 동시에 이루어질 수 있어, 균일한 접합 품질을 가지는 고품질의 웨이퍼 본딩이 가능하다. The wafer pressure curing device according to the disclosed invention includes a first chuck unit on which the first wafer is loaded, a second chuck unit on which the second wafer is loaded to face the first wafer, and first and second chuck units loaded on the first and second chuck units. It includes a pressing part that presses the two wafers against each other with an adhesive in between, and a curing part provided on at least one of the first and second chuck parts to cure the adhesive between the first and second wafers, and the curing part includes the first and second chuck parts. The adhesive is cured in conjunction with the second wafer being pressed against each other. According to this configuration, pressurization and adhesive curing between wafers can occur simultaneously in the same space, enabling high-quality wafer bonding with uniform bonding quality.

Description

웨이퍼 가압경화장치 및 웨이퍼 가압경화방법{APPARATUS AND METHOD FOR WAFER PRESSURIZATION HARDENING}Wafer pressure hardening device and wafer pressure hardening method {APPARATUS AND METHOD FOR WAFER PRESSURIZATION HARDENING}

본 발명은 웨이퍼 가압경화장치 및 웨이퍼 가압경화방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 같은 공간에서 웨이퍼 사이의 가압과 접착제 경화가 동시에 이루어질 수 있어 접합 품질이 우수한 웨이퍼 가압경화장치 및 웨이퍼 가압경화방법에 관한 것이다. The present invention relates to a wafer pressure hardening device and a wafer pressure hardening method, and more specifically, to a wafer pressure hardening device and a wafer pressure hardening method that can simultaneously pressurize and cure adhesives between wafers in the same space, thereby providing excellent bonding quality. will be.

반도체 디바이스 및 자동차 MLA(Micro Lens Array) 제조 공정에서 적어도 한 쌍의 웨이퍼를 상호 접착시키는 본딩 공정은 일반적으로, UV 경화형 액상타입 및 필름타입의 접착제를 이용한다. 여기서, UV 경화형 접착제를 이용한 웨이퍼 본딩공정은 진공 챔버 내에서 웨이퍼들을 상호 가압한 후에, 접착제 경화를 위하여 진공 챔버의 외부로 이동하여 경화 공정이 별도로 이루어진다. In the semiconductor device and automobile MLA (Micro Lens Array) manufacturing process, the bonding process of bonding at least one pair of wafers to each other generally uses UV-curable liquid type and film type adhesives. Here, in the wafer bonding process using a UV curable adhesive, the wafers are pressed against each other in a vacuum chamber and then moved to the outside of the vacuum chamber to cure the adhesive, and the curing process is performed separately.

접착제가 미처 경화되지 않은 상태에서 상호 가압된 웨이퍼를 이동할 경우, 상부에 위치한 웨이퍼는 하부 웨이퍼에 대해 슬립(Slip)이 발생된다. 이러한 웨이퍼 슬립 발생은 상/하부 웨이퍼 간의 정렬도를 저해한다. 또한, 휨(Warpage)이 있는 웨이퍼를 가압하여 접합을 하여도 접착제가 경화되지 않아, 가압력이 해제되는 순간에 웨이퍼가 초기의 휨이 있는 상태로 복귀하는 불량이 야기된다. When mutually pressed wafers are moved while the adhesive has not yet hardened, the upper wafer slips with respect to the lower wafer. This occurrence of wafer slip impairs the alignment between the upper and lower wafers. In addition, even if a wafer with warpage is pressed and bonded, the adhesive does not harden, resulting in a defect in which the wafer returns to its initial warpage state at the moment the pressing force is released.

이에 따라, 근래에는 웨이퍼의 가압에 의한 본딩 공정에서의 웨이퍼의 접합 균일도(TTV, Total Thickness Variation)를 향상시키기 위한 다양한 연구가 지속적으로 요구되고 있다. Accordingly, in recent years, various studies have been continuously required to improve the bonding uniformity (TTV, Total Thickness Variation) of the wafer in the bonding process by pressing the wafer.

대한민국 등록특허공보 제10-1591971호Republic of Korea Patent Publication No. 10-1591971 대한민국 등록특허공보 제10-1712658호Republic of Korea Patent Publication No. 10-1712658

본 발명의 목적은 접착제를 사이에 두고 웨이퍼를 가압과 동시에 경화시킬 수 있어 웨이퍼의 접합 균일도가 유사한 웨이퍼 가압경화장치를 제공하기 위한 것이다. The purpose of the present invention is to provide a wafer pressure curing device that can simultaneously cure a wafer by pressing it with an adhesive in between, so that the wafer bonding uniformity is similar.

본 발명의 다른 목적은 상기 목적이 달성된 웨이퍼 가압경화장치를 이용한 웨이퍼 가압경화방법을 제공하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to provide a wafer pressure curing method using a wafer pressure curing device that achieves the above object.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 웨이퍼 가압경화장치는, 제1웨이퍼가 로딩되는 제1척부, 상기 제1웨이퍼와 마주하도록 제2웨이퍼가 로딩되는 제2척부, 상기 제1 및 제2척부에 로딩된 상기 제1 및 제2웨이퍼를 접착제를 사이에 두고 상호 가압시키는 가압부 및, 상기 제1 및 제2척부 중 적어도 어느 하나에 마련되어, 상기 제1 및 제2웨이퍼 사이의 상기 접착제를 경화시키는 경화부를 포함하며, 상기 경화부는 상기 제1 및 제2웨이퍼가 상호 가압됨에 연동하여 상기 접착제를 경화시킨상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 웨이퍼 가압경화장치는, 제1웨이퍼가 로딩되는 제1척부, 상기 제1웨이퍼와 마주하도록 제2웨이퍼가 로딩되는 제2척부, 상기 제1 및 제2척부에 로딩된 상기 제1 및 제2웨이퍼를 접착제를 사이에 두고 상호 가압시키는 가압부 및, 상기 제1 및 제2척부 중 적어도 어느 하나에 마련되어, 상기 제1 및 제2웨이퍼 사이의 상기 접착제를 경화시키는 경화부를 포함하며, 상기 경화부는 상기 제1 및 제2웨이퍼가 상호 가압됨에 연동하여 상기 접착제를 경화시킨다. The wafer pressure curing device according to the present invention for achieving the above object includes a first chuck portion on which a first wafer is loaded, a second chuck portion on which a second wafer is loaded to face the first wafer, and the first and second chuck portions. a pressurizing portion that presses the first and second wafers loaded to each other with an adhesive in between, and is provided in at least one of the first and second chuck portions to cure the adhesive between the first and second wafers. The wafer pressure curing device according to the present invention includes a curing unit that cures the adhesive in conjunction with mutual pressure between the first and second wafers. One chuck unit, a second chuck unit on which a second wafer is loaded to face the first wafer, a pressing unit that presses the first and second wafers loaded on the first and second chuck units to each other with an adhesive in between, and A curing part is provided on at least one of the first and second chuck parts and hardens the adhesive between the first and second wafers, and the curing part is interlocked with the first and second wafers as they are pressed against each other. Let the adhesive cure.

또한, 상기 제1 및 제2척부 및 경화부는 진공 가능한 진공 챔버 내부에 마련될 수 있다. Additionally, the first and second chuck parts and the hardening part may be provided inside a vacuum chamber capable of vacuum.

또한, 상기 제1 및 제2척부는 상기 가압부의 가압 방향으로 상호 마주하되, 상기 제1척부의 하부에 상기 제2척부가 위치하며, 상기 제2척부는 상기 가압부와 연결되어 상기 가압 방향으로 움직임 가능할 수 있다. In addition, the first and second chuck units face each other in the pressing direction of the pressing unit, and the second chuck unit is located below the first chuck unit, and the second chuck unit is connected to the pressing unit and moves in the pressing direction. Movement may be possible.

또한, 상기 가압부는 상기 제1 및 제2척부 중 적어도 어느 하나와 연결되는 서보 프레스(Servo Press)를 포함할 수 있다. Additionally, the pressing unit may include a servo press connected to at least one of the first and second chuck units.

또한, 상기 접착제는 자외선 경화형 접착제를 포함하며, 상기 경화부는, 상기 제1 및 제2척부 중 적어도 어느 하나에 마련되어 자외선으로 상기 자외선 경화형 접착제를 경화시키는 자외선부재, 상기 자외선부재와 상기 제1 또는 제2웨이퍼의 사이에 마련되어, 상기 자외선부재로부터 발생된 상기 자외선을 안내하는 안내부재 및, 상기 자외선부재를 냉각시키는 냉각부재를 포함할 수 있다. In addition, the adhesive includes an ultraviolet curing adhesive, and the curing unit includes an ultraviolet ray member provided on at least one of the first and second chuck portions to cure the ultraviolet curing adhesive with ultraviolet rays, the ultraviolet ray member and the first or second chuck portion. It may include a guiding member provided between the two wafers to guide the ultraviolet rays generated from the ultraviolet ray member, and a cooling member to cool the ultraviolet ray member.

또한, 상기 자외선부재는 상기 제1 및 제2척부 중 적어도 어느 하나에 단차지게 마련된 안착턱에 마련되되, 상기 제1 및 제2웨이퍼의 면방향으로 상호 이격되어 마련되는 복수의 자외선 LED 램프를 포함할 수 있다. In addition, the ultraviolet ray member is provided on a seating step provided on at least one of the first and second chuck parts and includes a plurality of ultraviolet LED lamps that are spaced apart from each other in the surface direction of the first and second wafers. can do.

또한, 상기 접착제는 1~30um의 두께를 가지며, 상기 자외선부재는 300~400nm 파장의 40~50mW/㎠의 조사 강도로 자외선-A를 조사할 수 있다. In addition, the adhesive has a thickness of 1 to 30 μm, and the ultraviolet ray member can irradiate ultraviolet-A with an irradiation intensity of 40 to 50 mW/cm2 with a wavelength of 300 to 400 nm.

또한, 상기 안내부재는 상기 자외선의 투과가 가능한 석영(Quartz)로 마련될 수 있다. Additionally, the guide member may be made of quartz, which is capable of transmitting ultraviolet rays.

또한, 상기 제1 및 제2척부는 상기 제1 및 제2웨이퍼가 각각 로딩되는 로딩면이 각각 마련되는 제1 및 제2척을 포함하고, 상기 자외선부재는 상기 제1 및 제2척 중 적어도 어느 하나의 상기 로딩면으로부터 단차지게 마련된 안착턱에 상기 제1 및 제2웨이퍼의 면방향으로 상호 이격되도록 복수개 마련되며, 상기 안내부재는 상기 자외선부재를 커버하도록 상기 안착턱에 안착되되, 상기 안내부재에 상기 제1 및 제2웨이퍼 중 적어도 어느 하나가 로딩되도록 상기 안내부재의 높이는 상기 로딩면의 높이와 일치할 수 있다. In addition, the first and second chuck units include first and second chucks provided with loading surfaces on which the first and second wafers are respectively loaded, and the ultraviolet ray member is at least one of the first and second chucks. A plurality of seating protrusions are provided to be stepped from any one of the loading surfaces to be spaced apart from each other in the surface direction of the first and second wafers, and the guide member is seated on the seating protrusion to cover the ultraviolet ray member, wherein the guide member The height of the guide member may match the height of the loading surface so that at least one of the first and second wafers is loaded onto the member.

또한, 상기 냉각부재는 상기 제1 및 제2척부 중 적어도 어느 하나와 상기 자외선부재의 사이에 마련되는 냉각 플레이트를 포함하며, 상기 냉각 플레이트에는 면방향으로 복수회 절곡되어 냉각수가 순환되는 냉각 라인이 형성될 수 있다. In addition, the cooling member includes a cooling plate provided between at least one of the first and second chuck parts and the ultraviolet ray member, and the cooling plate has a cooling line that is bent a plurality of times in the surface direction and circulates cooling water. can be formed.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 의한 웨이퍼 가압경화방법은, 상호 마주하는 제1 및 제2척부에 제1 및 제2웨이퍼가 각각 로딩되는 로딩단계, 상기 제1 및 제2척부에 로딩된 상기 제1 및 제2웨이퍼를 접착제를 사이에 두고 가압부가 상호 가압시키는 가압단계 및, 상기 제1 및 제2척부 중 적어도 어느 하나에 마련된 경화부가 상기 제1 및 제2웨이퍼 사이에서 상기 가압부에 의해 가압되는 상기 접착제를 경화시키는 경화단계를 포함한다. A wafer pressure curing method according to a preferred embodiment of the present invention includes a loading step in which first and second wafers are loaded on first and second chuck units facing each other, and the wafer loaded on the first and second chuck units. A pressing step in which the first and second wafers are pressed against each other by a pressing unit with an adhesive in between, and a curing unit provided on at least one of the first and second chuck units is pressed by the pressing unit between the first and second wafers. It includes a curing step of curing the adhesive.

또한, 상기 로딩단계, 가압단계 및 경화단계는 같은 공간에서 이루어지며, 상기 로딩단계 이후에 상기 가압단계 및 경화단계는 동시에 이루어질 수 있다. In addition, the loading step, the pressing step, and the curing step are performed in the same space, and the pressing step and curing step can be performed simultaneously after the loading step.

또한, 상기 제1 및 제2척부 및 경화부는 진공 가능한 진공 챔버 내부에 마련될 수 있다. Additionally, the first and second chuck parts and the hardening part may be provided inside a vacuum chamber capable of vacuum.

또한, 상기 제1 및 제2척부가 상기 가압부의 가압 방향으로 상호 마주하되, 상기 제1척부의 하부에 상기 제2척부가 위치하고, 상기 가압단계는 상기 가압부가 상기 제2척부와 연결되어 상기 가압 방향으로 상기 제1척부를 향해 가압시킬 수 있다. In addition, the first and second chuck portions face each other in the pressing direction of the pressing portion, and the second chuck portion is located below the first chuck portion, and in the pressing step, the pressing portion is connected to the second chuck portion and the pressing Direction may be applied toward the first chuck portion.

또한, 상기 가압부는 상기 제1 및 제2척부 중 적어도 어느 하나와 연결되는 서보 프레스(Servo Press)를 포함할 수 있다. Additionally, the pressing unit may include a servo press connected to at least one of the first and second chuck units.

또한, 상기 접착제는 자외선 경화형 접착제를 포함하며, 상기 경화부는, 상기 제1 및 제2척부 중 적어도 어느 하나에 마련되어 자외선으로 상기 자외선 경화형 접착제를 경화시키는 자외선부재, 상기 자외선부재와 상기 제1 또는 제2웨이퍼의 사이에 마련되어, 상기 자외선부재로부터 발생된 상기 자외선을 안내하는 안내부재 및, 상기 자외선부재를 냉각시키는 냉각부재를 포함하여, 상기 자외선 경화형 접착제를 경화시킬 수 있다. In addition, the adhesive includes an ultraviolet curing adhesive, and the curing unit includes an ultraviolet ray member provided on at least one of the first and second chuck portions to cure the ultraviolet curing adhesive with ultraviolet rays, the ultraviolet ray member and the first or second chuck portion. It is provided between two wafers and includes a guiding member that guides the ultraviolet rays generated from the ultraviolet ray member and a cooling member that cools the ultraviolet ray member, so that the ultraviolet curable adhesive can be cured.

또한, 상기 제1 및 제2척부는 상기 제1 및 제2웨이퍼가 각각 로딩되는 로딩면이 각각 마련되는 제1 및 제2척을 포함하고, 상기 자외선부재는 상기 제1 및 제2척 중 적어도 어느 하나의 상기 로딩면으로부터 단차지게 마련된 안착턱에 상기 제1 및 제2웨이퍼의 면방향으로 상호 이격되도록 복수개 마련되는 자외선 LED 램프를 포함하며, 상기 안내부재는 상기 자외선부재를 커버하도록 상기 안착턱에 안착되되, 상기 안내부재에 상기 제1 및 제2웨이퍼 중 적어도 어느 하나가 로딩되도록 상기 안내부재의 높이는 상기 로딩면의 높이와 일치할 수 있다. In addition, the first and second chuck units include first and second chucks provided with loading surfaces on which the first and second wafers are respectively loaded, and the ultraviolet ray member is at least one of the first and second chucks. It includes a plurality of ultraviolet LED lamps provided on a seating protrusion stepped from one of the loading surfaces to be spaced apart from each other in the surface direction of the first and second wafers, and the guide member is positioned on the seating protrusion to cover the ultraviolet light member. It is seated on the guide member, and the height of the guide member may match the height of the loading surface so that at least one of the first and second wafers is loaded on the guide member.

또한, 상기 안내부재는 상기 자외선의 투과가 가능한 석영(Quartz)로 마련될 수 있다. Additionally, the guide member may be made of quartz, which is capable of transmitting ultraviolet rays.

또한, 상기 냉각부재는 상기 제1 및 제2척부 중 적어도 어느 하나와 상기 자외선부재의 사이에 마련되는 냉각 플레이트를 포함하며, 상기 냉각 플레이트에는 면방향으로 복수회 절곡되어 냉각수가 순환되는 냉각 라인이 형성될 수 있다. In addition, the cooling member includes a cooling plate provided between at least one of the first and second chuck parts and the ultraviolet ray member, and the cooling plate has a cooling line that is bent a plurality of times in the surface direction and circulates cooling water. can be formed.

또한, 상기 접착제는 1~30um의 두께를 가지며, 상기 경화단계는 300~400nm 파장의 40~50mW/㎠의 조사 강도로 자외선-A를 조사할 수 있다. In addition, the adhesive has a thickness of 1 to 30 μm, and the curing step may be performed by irradiating ultraviolet-A with an irradiation intensity of 40 to 50 mW/cm2 with a wavelength of 300 to 400 nm.

상기와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의하면, 첫째, 제1 및 제2웨이퍼가 접착제를 사이에 두고 상호 가압됨과 동시에 경화됨으로써, 접착제가 미처 경화되기 이전에 가압력에 해제됨에 따라 기존에 발생되었던 웨이퍼의 경화 불균일을 방지할 수 있다. 그로 인해, 접합 웨이퍼의 접합 균일도(TTV, Total Thickness Variation)가 우수하다. According to the present invention having the above configuration, first, the first and second wafers are pressed against each other with an adhesive in between and are cured at the same time, so that the pressing force is released before the adhesive is cured, thereby reducing the amount of wafer that was previously generated. Curing unevenness can be prevented. As a result, the bonding uniformity (TTV, Total Thickness Variation) of the bonded wafer is excellent.

둘째, 진공 챔버 내부에서 가압과 경화가 동시에 이루어짐에 따라, 경화를 위한 장비간의 이동 없이 공정시간 단축을 통해 생산량을 증대시킬 수 있으며, 설비 비용을 절감시킬 수 있다. 또한, 자외선 경화시 발생될 수 있는 유해가스를 진공 챔버내에서 자체적으로 처리할 수 있다. Second, as pressurization and curing occur simultaneously inside the vacuum chamber, production can be increased by shortening the process time without moving between equipment for curing, and facility costs can be reduced. Additionally, harmful gases that may be generated during ultraviolet curing can be treated within the vacuum chamber.

셋째, 한 파장 대역의 자외선만을 조사하여 접착제를 경화시킬 수 있음으로써, 황변 방지에 유리하다. Third, the adhesive can be cured by irradiating only ultraviolet rays in one wavelength band, which is advantageous in preventing yellowing.

넷째, 국소 영역이 아닌 웨이퍼 전체 영역에 대하여 경화시킬 수 있어, 경화 품질이 우수하다. Fourth, the curing quality is excellent because the entire wafer area, not just a local area, can be cured.

다섯째, 자외선부재의 자외선 발광시의 열을 냉각시킬 수 있어, 근거리에서 경화가 가능하다. 그로 인해, 자외선부재의 광효율 및 경화 효율을 극대화시킬 수 있다. Fifth, the heat generated when the ultraviolet ray member emits ultraviolet rays can be cooled, making curing possible at a short distance. As a result, the light efficiency and curing efficiency of the ultraviolet ray member can be maximized.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의한 웨이퍼 가압경화장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 일 실시예에 의한 웨이퍼 가압경화장치의 요부를 개략적으로 도시한 단면 사시도이다.
도 3은 도 1에 도시된 일 실시예에 의한 웨이퍼 가압경화장치의 가압 및 경화동작을 설명하기 위해 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 의한 웨이퍼 가압경화장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 그리고,
도 5는 종래와 본 발명에 의한 웨이퍼의 가압 및 경화 상태를 개략적으로 비교하여 도시한 도면들이다. 1 is a cross-sectional view schematically showing a wafer pressure curing device according to a preferred embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional perspective view schematically showing main parts of the wafer pressure curing device according to an embodiment shown in FIG. 1.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view to explain the pressing and curing operations of the wafer pressure curing device according to the embodiment shown in FIG. 1.
Figure 4 is a cross-sectional view schematically showing a wafer pressure curing device according to another preferred embodiment of the present invention. and,
Figure 5 is a diagram schematically comparing the pressing and curing states of wafers according to the prior art and the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 일 실시예를 첨부된 도면을 참고하여 설명한다. 다만, 본 발명의 사상이 그와 같은 실시예에 제한되지 않고, 본 발명의 사상은 실시예를 이루는 구성요소의 부가, 변경 및 삭제 등에 의해서 다르게 제안될 수 있을 것이나, 이 또한 발명의 사상에 포함되는 것이다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the attached drawings. However, the spirit of the present invention is not limited to such embodiments, and the spirit of the present invention may be proposed differently by adding, changing, or deleting components constituting the embodiments, but this is also included in the spirit of the invention. It will happen.

도 1 및 도 2를 참고하면, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의한 웨이퍼 가압경화장치(1)는 제1척부(10), 제2척부(20), 가압부(30) 및 경화부(40)를 포함한다. 여기서, 도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 웨이퍼 가압경화장치(1)를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 제2척부(20)에 경화부(40)가 마련된 상태를 개략적으로 도시한 단면 사시도이다. Referring to Figures 1 and 2, the wafer pressure curing device 1 according to a preferred embodiment of the present invention includes a first chuck unit 10, a second chuck unit 20, a pressurizing unit 30, and a curing unit 40. ) includes. Here, Figure 1 is a cross-sectional view schematically showing a wafer pressure curing device 1 according to an embodiment of the present invention, and Figure 2 shows a curing unit 40 provided in the second chuck unit 20 shown in Figure 1. This is a cross-sectional perspective view that schematically shows the state.

참고로, 본 발명에서 설명하는 웨이퍼 가압경화장치(1)는 마이크로 LED 디스플레이, 반도체 등과 같이 웨이퍼를 포함하는 웨이퍼의 제조 공정에 적용되는 것으로 예시하나, 한정 사항은 아니다. 또한, 웨이퍼 가압경화장치(1)는 진공의 내부 환경이 마련되는 진공 챔버(C)의 내부에 마련되며, 진공 챔버(C)의 일측에는 게이트(G)가 마련될 수 있다. For reference, the wafer pressure curing device 1 described in the present invention is exemplified as being applied to a wafer manufacturing process including wafers such as micro LED displays, semiconductors, etc., but is not limited. In addition, the wafer pressure curing device 1 is provided inside a vacuum chamber (C) in which a vacuum internal environment is provided, and a gate (G) may be provided on one side of the vacuum chamber (C).

제1척부(10)는 제1웨이퍼(W1)가 로딩된다. 제1척부(10)는 제1웨이퍼(W1)가 로딩되는 제1척(11)과, 제1척(11)의 움직임을 지지하는 제1지지축(12)을 포함한다. The first chuck unit 10 is loaded with the first wafer W1. The first chuck unit 10 includes a first chuck 11 on which the first wafer W1 is loaded, and a first support shaft 12 that supports the movement of the first chuck 11.

제1척(11)은 제1웨이퍼(W1)가 안착되어 로딩되는 평탄면인 제1로딩면(13)을 구비한다. 이러한 제1척(11)은 원반 형상을 가질 수 있으나, 도시된 예로만 한정되지 않는다. 여기서, 제1척(11)의 제1로딩면(13)과 마주하도록 제1웨이퍼(W1)가 미도시된 로딩수단에 의해 이송되면, 제1척(11)은 정전 흡착력을 이용해 제1로딩면(13)에 제1웨이퍼(W1)를 흡착하여 로딩시킬 수 있다. The first chuck 11 has a first loading surface 13, which is a flat surface on which the first wafer W1 is seated and loaded. This first chuck 11 may have a disk shape, but is not limited to the illustrated example. Here, when the first wafer W1 is transferred by a loading means (not shown) to face the first loading surface 13 of the first chuck 11, the first chuck 11 uses electrostatic adsorption to load the first wafer W1. The first wafer (W1) can be adsorbed and loaded on the surface 13.

제1지지축(12)은 제1척(11)을 지지한다. 여기서, 제1지지축(12)은 제1척(11)의 중심 축 방향에 일치하도록 마련되어, 제1베이스(B1)에 대해 제1척(11)을 지지한다. 여기서, 제1지지축(12)은 제1척(11)의 제1로딩면(13)과 마주하는 제1척(11)의 후측과 일단이 연결된다. The first support shaft 12 supports the first chuck 11. Here, the first support shaft 12 is provided to coincide with the direction of the central axis of the first chuck 11 and supports the first chuck 11 with respect to the first base B1. Here, the first support shaft 12 is connected at one end to the rear side of the first chuck 11 facing the first loading surface 13 of the first chuck 11.

제2척부(20)는 제2웨이퍼(W2)가 로딩된다. 제2척부(20)는 제2웨이퍼(W2)가 로딩되는 제2척(21)과, 제2척(21)의 움직임을 지지하는 제2지지축(22)을 포함한다. The second chuck unit 20 is loaded with the second wafer W2. The second chuck unit 20 includes a second chuck 21 on which the second wafer W2 is loaded, and a second support shaft 22 that supports the movement of the second chuck 21.

제2척(21)은 제2웨이퍼(W2)가 안착되어 로딩되는 제2로딩면(23)이 마련된다. 제2로딩면(23)은 상술한 제1척(11)의 제1로딩면(13)과 마주하며, 후술할 경화부(40)가 안착되기 위한 안착턱(24)이 단차지게 된다. The second chuck 21 is provided with a second loading surface 23 on which the second wafer W2 is seated and loaded. The second loading surface 23 faces the first loading surface 13 of the above-described first chuck 11, and the seating protrusion 24 for seating the hardened portion 40, which will be described later, is stepped.

이러한 제2척(21) 또한, 제1척(11)과 마찬가지로 원반 형상을 가질 수 있으나, 한정 사항은 아니다. 또한, 제1척(11)과 마찬가지로, 제2척(21)의 제2로딩면(23)과 마주하도록 제2웨이퍼(W2)가 미도시된 로딩수단에 의해 이송되면, 제2척(21)은 정전 흡착력을 이용해 제2로딩면(23)에 제2웨이퍼(W2)를 흡착하여 로딩시킬 수 있다.This second chuck 21 may also have a disk shape like the first chuck 11, but is not limited thereto. In addition, like the first chuck 11, when the second wafer W2 is transferred by a loading means (not shown) to face the second loading surface 23 of the second chuck 21, the second wafer W2 is transferred by a loading means (not shown). ) can load the second wafer (W2) by adsorbing it on the second loading surface 23 using electrostatic adsorption force.

제2지지축(22)은 제2척(21)을 지지한다. 여기서, 제2지지축(22)도 제1지지축(12)과 마찬가지로, 제2척(21)의 축 방향에 일치하도록 제2척(21)을 지지한다. 이러한 제2지지축(22)은 제2로딩면(23)과 마주하는 제2척(21)의 후측과 연결되어, 제2척(21)의 제2로딩면(23)에 제2웨이퍼(W2)가 안착되어 로딩되도록 가이드한다. The second support shaft 22 supports the second chuck 21. Here, like the first support shaft 12, the second support shaft 22 also supports the second chuck 21 so as to match the axial direction of the second chuck 21. This second support shaft 22 is connected to the rear side of the second chuck 21 facing the second loading surface 23, and holds the second wafer ( Guide W2) to be seated and loaded.

한편, 본 실시예에서 설명하는 웨이퍼 가압경화장치(1)는 서로 다른 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)을 상호 접합시키기 위해, 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)를 제1 및 제2척(11)(21)에 각각 로딩하는 것으로 설명한다. 보다 구체적으로, 제1척부(10)는 도 1의 도시 기준으로 제2척부(20)의 상부에 위치하며, 제2척부(20)는 제1척부(10)의 하부에 위치한다. 이때, 제1 및 제2척부(10)(20)는 축 방향으로 상호 마주하며, 제1 및 제2지지축(12)(22)는 제1 및 제2척(11)(21)을 축 방향으로 승하강 가능하게 지지한다. Meanwhile, the wafer pressure curing device 1 described in this embodiment is to bond the first and second wafers W1 and W2 to each other. This will be explained by loading the first and second chucks 11 and 21, respectively. More specifically, the first chuck unit 10 is located at the upper part of the second chuck unit 20 as shown in FIG. 1, and the second chuck unit 20 is located at the lower part of the first chuck unit 10. At this time, the first and second chuck portions 10 and 20 face each other in the axial direction, and the first and second support shafts 12 and 22 pivot the first and second chucks 11 and 21. It is supported so that it can be raised and lowered in any direction.

가압부(30)는 제1 및 제2척부(10)(20)에 로딩된 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)를 접착제(B)를 사이에 두고 상호 가압한다. 이를 위해, 가압부(30)는 제1 및 제2척부(10)(20) 중 적어도 어느 하나와 연결되는 서보 프레스(Servo Press)를 포함할 수 있다. 본 실시예에서는 가압부(30)가 제1 및 제2척부(10)(20) 중 하부에 위치하는 제2척부(20)의 제2지지축(22)과 연결되어, 제2척(21)을 제1척(11)을 향해 전진하는 가압력을 제공하는 것으로 예시한다. 그러나, 꼭 이에 한정하는 것은 아니며, 가압부(30)가 제1척부(10)와 연결되거나, 제1 및 제2척부(10)(20)와 모두 연결되어 가압력을 제공하는 것처럼 다양한 실시예가 가능하다. The pressing unit 30 presses the first and second wafers W1 and W2 loaded on the first and second chuck units 10 and 20 to each other with the adhesive B interposed therebetween. To this end, the pressing unit 30 may include a servo press connected to at least one of the first and second chuck units 10 and 20. In this embodiment, the pressing part 30 is connected to the second support shaft 22 of the second chuck part 20 located at the lower part of the first and second chuck parts 10 and 20, and the second chuck 21 ) is exemplified as providing a pressing force moving forward toward the first chuck (11). However, it is not necessarily limited to this, and various embodiments are possible, such as the pressing unit 30 being connected to the first chuck unit 10, or connected to both the first and second chuck units 10 and 20 to provide pressing force. do.

경화부(40)는 제1 및 제2척부(10)(20) 중 적어도 어느 하나에 마련되어, 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2) 사이의 접착제(B)를 경화시킨다. 이러한 경화부(40)는 상호 본딩되는 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)의 사이에 마련된 접착제(B)를 경화시켜, 본딩된 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)를 상호 접합된 상태로 유지시킨다. 여기서, 경화부(40)는 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)가 가압부(30)에 의해 상호 가압됨에 연동하여 접착제(B)를 경화시킨다. 즉, 경화부(40)는 가압부(30)에 의한 가압력이 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)에 가해짐과 동시에 접착제(B)를 경화시킴으로써, 동시에 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)의 사이를 가압과 경화시킨다. The curing unit 40 is provided on at least one of the first and second chuck units 10 and 20 to cure the adhesive B between the first and second wafers W1 and W2. This curing unit 40 hardens the adhesive B provided between the first and second wafers W1 and W2 to be bonded to each other, thereby bonding the first and second wafers W1 and W2 to each other. Maintain it in a joined state. Here, the curing unit 40 hardens the adhesive B in conjunction with the first and second wafers W1 and W2 being pressed against each other by the pressing unit 30. That is, the curing unit 40 cures the adhesive B at the same time that the pressing force by the pressing unit 30 is applied to the first and second wafers W1 and W2, thereby simultaneously curing the first and second wafers (W1) (W2). Pressurize and harden the space between W1) and (W2).

한편, 본 실시예에서는 접착제(B)가 UV 경화형 접착제를 포함하며, 이에 대응하여 경화부(40)는 자외선을 접착제(B)로 자외선을 조사한다. 이를 위해, 경화부(40)는 자외선부재(41), 안내부재(42) 및 냉각부재(43)를 포함하며, 제1 및 제2척부(10)(20)가 마련되는 진공 챔버(C)와 같은 공간에 마련된다. Meanwhile, in this embodiment, the adhesive (B) includes a UV curable adhesive, and correspondingly, the curing unit 40 irradiates ultraviolet rays to the adhesive (B). For this purpose, the curing unit 40 includes an ultraviolet ray member 41, a guide member 42, and a cooling member 43, and a vacuum chamber C in which the first and second chuck parts 10 and 20 are provided. It is provided in the same space as.

자외선부재(41)는 제1 및 제2척부(10)(20) 중 적어도 어느 하나에 마련되어 자외선으로 자외선(UV) 경화형 접착제를 포함하는 접착제(B)를 경화시킨다. 이러한 자외선부재(41)는 도 2의 도시와 같이, 제2척(21)의 제2로딩면(23)에 단차지게 마련된 안착턱(24)에 복수개가 다열 및 다행으로 배치될 수 있다. The ultraviolet ray member 41 is provided on at least one of the first and second chuck parts 10 and 20 to cure the adhesive B containing an ultraviolet (UV) curable adhesive with ultraviolet rays. As shown in FIG. 2, a plurality of such ultraviolet ray members 41 may be arranged in multiple rows and multiple rows on the seating protrusion 24 provided at a stepped level on the second loading surface 23 of the second chuck 21.

이때, 자외선부재(41)는 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)의 면방향으로 상호 이격되어 마련되어 복수의 자외선 LED 램프를 포함할 수 있다. 여기서, 자외선부재(41)로 채용 가능한 일반적인 자외선 램프의 경우 자외선 발광을 위한 워밍업 및 대기시간이 있을 수 있으나, 본 실시예에 의한 자외선 LED 램프의 경우 동작이 온(ON)되면 100% 발광하여 자외선 조사가 가능하다. 즉, 본 실시예에 의한 자외선부재(41)는 자외선 LED 램프를 포함함으로써, 자외선 조사 시간을 단축시킬 수 있다. At this time, the ultraviolet ray members 41 may be provided to be spaced apart from each other in the surface direction of the first and second wafers W1 and W2 and may include a plurality of ultraviolet LED lamps. Here, in the case of a general ultraviolet lamp that can be used as the ultraviolet member 41, there may be a warm-up and waiting time for ultraviolet light emission, but in the case of the ultraviolet LED lamp according to this embodiment, when the operation is turned on, it emits 100% of the ultraviolet rays. Investigation is possible. That is, the ultraviolet ray member 41 according to this embodiment includes an ultraviolet ray LED lamp, so that the ultraviolet ray irradiation time can be shortened.

또한, 본 실시예에 의한 자외선부재(41)는 자외선-A와 같이 단일 파장만 조사함으로써 적외선(IR) 대역의 방사선을 포함하지 않는다. 그로 인해, 자외선부재(41)는 열에 의한 변형을 획기적으로 개선할 수 있다. In addition, the ultraviolet ray member 41 according to this embodiment irradiates only a single wavelength, such as ultraviolet-A, and does not include radiation in the infrared (IR) band. As a result, the ultraviolet ray member 41 can dramatically improve deformation due to heat.

안내부재(42)는 자외선부재(41)와 제1 또는 제2웨이퍼(W1)(W2)의 사이에 마련되어, 자외선부재(41)로부터 발생된 자외선을 안내한다. 여기서, 안내부재(42)는 자외선 투과가 가능한 투명한 석영(Quartz)으로 마련될 수 있다. 이러한 안내부재(42)는 복수의 자외선부재(41)를 커버할 수 있도록 적층되며, 상면에 제2웨이퍼(W2)가 안착된다. 이를 위해, 안내부재(42)가 안착턱(24)에 안착되는 높이는 제2척(21)의 제2로딩면(23)의 높이와 일치함이 좋다. The guide member 42 is provided between the ultraviolet ray member 41 and the first or second wafer (W1) (W2), and guides the ultraviolet rays generated from the ultraviolet ray member 41. Here, the guide member 42 may be made of transparent quartz capable of transmitting ultraviolet rays. These guide members 42 are stacked to cover a plurality of ultraviolet ray members 41, and a second wafer W2 is placed on the upper surface. For this purpose, the height at which the guide member 42 is seated on the seating ledge 24 preferably matches the height of the second loading surface 23 of the second chuck 21.

한편, 안내부재(42)는 고정블럭(25)에 의해 제2척(21)에 자세 고정된다. 이때, 자외선부재(41)는 안내부재(42)에 의해 제2척(21)의 안착턱(24)에 대해 밀착되어 자세 고정되며, 안내부재(42)에 의해 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)의 전영역에 대한 자외선이 간섭없이 통과하여 자외선 조사가 균일하게 이루어질 수 있게 된다. Meanwhile, the guide member 42 is fixed to the second chuck 21 by the fixing block 25. At this time, the ultraviolet ray member 41 is fixed in close contact with the seating jaw 24 of the second chuck 21 by the guide member 42, and the first and second wafers W1 by the guide member 42. ) Ultraviolet rays pass through the entire area of (W2) without interference, allowing uniform irradiation of ultraviolet rays.

냉각부재(43)는 자외선부재(41)를 냉각시킨다. 냉각부재(43)는 자외선부재(41)의 자외선 조사에 의해 발생된 열에 의해 경화부(40)가 마련되는 제2척부(20)가 손상됨을 방지하기 위해, 자외선부재(41)의 열을 냉각시킨다. 이러한 냉각부재(43)는 제2척(21)의 안착턱(24)에 안착된 자외선부재(41)와 제2척(21)의 사이에 마련되는 냉각 플레이트를 포함한다. The cooling member 43 cools the ultraviolet ray member 41. The cooling member 43 cools the heat of the ultraviolet ray member 41 in order to prevent the second chuck portion 20, where the curing portion 40 is provided, from being damaged by the heat generated by ultraviolet irradiation of the ultraviolet ray member 41. I order it. This cooling member 43 includes a cooling plate provided between the ultraviolet ray member 41 mounted on the seating jaw 24 of the second chuck 21 and the second chuck 21 .

참고로, 자외선부재(42)는 발광시의 고열로 인해, 일반적으로 조사 거리가 평균 200nm 이상 떨어져 설치되어야 한다. 그러나, 본 실시예에서와 같이, 자외선부재(42)가 접촉되어 적층되도록 냉각부재(43)가 마련되어 자외선부재(42)의 열을 냉각시킴으로써, 자외선부재(41)의 열에 의한 손상을 최소화할 수 있어 경화부(40)가 설치되는 제2척(21)의 두께를 최소화할 수 있다. For reference, due to the high heat generated when the ultraviolet ray member 42 emits light, the irradiation distance must generally be installed at an average distance of 200 nm or more. However, as in the present embodiment, a cooling member 43 is provided so that the ultraviolet ray members 42 are in contact and stacked to cool the heat of the ultraviolet ray members 42, thereby minimizing heat damage to the ultraviolet ray members 41. Therefore, the thickness of the second chuck 21 on which the hardening part 40 is installed can be minimized.

또한, 냉각부재(43)는 냉각수가 유입 및 배출되는 냉각 인라인(44) 및 냉각 아웃라인(45)과 연결되어, 냉각부재(43)의 면방향으로 복수회 절곡되어 냉각수가 순환되는 냉각 라인(46)이 형성된다. 이러한 구성으로 인해, 냉각부재(43)는 냉각 라인(46)을 따라 순환되는 냉각수로 인해 냉각됨으로써, 자외선부재(41)의 열을 냉각시킬 수 있다. In addition, the cooling member 43 is connected to the cooling inline 44 and the cooling outline 45 through which coolant flows in and out, and is bent multiple times in the direction of the surface of the cooling member 43, thereby forming a cooling line through which the coolant circulates ( 46) is formed. Due to this configuration, the cooling member 43 is cooled by the cooling water circulating along the cooling line 46, thereby cooling the heat of the ultraviolet ray member 41.

참고로, 자외선부재(41)는 300~400nm 파장의 40~50mW/㎠의 조사 강도로 자외선-A를 조사할 수 있으나, 접착제(B)의 두께, 종류, 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)의 사이즈 등에 따라 다양하게 조건 변경 가능하다. 예컨대, 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)를 Φ200mm로 예시할 경우, 자외선부재(41)는 자외선-A를 대략 365nm의 파장으로 조사하며, 대략 45mW/㎠의 조사 강도로 조사함이 좋다. 아울러, 접착제(B)의 두께는 1~30um일 수 있으며, 경화 시간은 대략 60sec임이 바람직하다. 여기서, 자외선부재(41)가 자외선-A와 같이 황변을 유발하는 파장을 포함하지 않음에 따라, 자외선 조사로 인한 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)의 황변을 방지할 수 있다. For reference, the UV member 41 can irradiate UV-A with an irradiation intensity of 40 to 50 mW/cm2 with a wavelength of 300 to 400 nm, but the thickness and type of the adhesive (B), the first and second wafers (W1) Conditions can be changed in various ways depending on the size of (W2), etc. For example, when the first and second wafers W1 and W2 are Φ200 mm, the ultraviolet ray member 41 irradiates ultraviolet rays-A with a wavelength of approximately 365 nm and with an irradiation intensity of approximately 45 mW/cm2. good night. In addition, the thickness of the adhesive (B) may be 1 to 30 um, and the curing time is preferably approximately 60 sec. Here, since the ultraviolet ray member 41 does not contain a wavelength that causes yellowing, such as ultraviolet ray-A, yellowing of the first and second wafers W1 and W2 due to ultraviolet irradiation can be prevented.

상기와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 웨이퍼 가압경화장치(1)의 가압경화방법에 의한 본딩 공정을 도 1 및 도 3을 참고하여 간략히 설명한다. The bonding process using the pressure curing method of the wafer pressure curing device 1 according to the present invention having the above configuration will be briefly described with reference to FIGS. 1 and 3.

웨이퍼 가압경화방법은 로딩단계, 가압단계 및 경화단계로 진행된다. The wafer pressure curing method proceeds through a loading step, a pressurizing step, and a curing step.

로딩단계는 도 1과 같이, 제1 및 제2척부(10)(20)의 제1 및 제2척(11)(21)에 상호 마주하는 제1 및 제2로딩면(13)(23)에 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)가 각각 로딩된다. 이때, 제1척부(10)의 하부에 위치하는 제2척부(20)의 제2척(21)에 로딩된 제2웨이퍼(W2)에는 자외선 경화형 접착제(B)가 마련된다. 참고로, 제1척(11)에 안착된 제1웨이퍼(W1)는 휨 상태일 수 있다. As shown in FIG. 1, the loading step involves first and second loading surfaces 13 and 23 facing each other on the first and second chucks 11 and 21 of the first and second chuck units 10 and 20. The first and second wafers W1 and W2 are loaded, respectively. At this time, an ultraviolet curing adhesive (B) is provided on the second wafer (W2) loaded on the second chuck (21) of the second chuck unit (20) located below the first chuck unit (10). For reference, the first wafer W1 placed on the first chuck 11 may be in a bent state.

가압단계는 도 3의 도시와 같이, 가압부(30)가 가압력을 발생시키면, 제2척(21)의 제2지지축(22)가 연결된 가압부(30)로부터 전달된 가압력에 의해 제2척부(20)가 제1척부(10)를 향해 화살표 방향으로 상승한다. 이러한 제2척부(20)의 가압부(30)에 의한 상승에 의해, 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)가 접착제(B)를 사이에 두고 상호 가압되어 본딩된다. In the pressing step, as shown in FIG. 3, when the pressing unit 30 generates a pressing force, the second support shaft 22 of the second chuck 21 is applied by the pressing force transmitted from the pressing unit 30 to which it is connected. The chuck portion 20 rises in the direction of the arrow toward the first chuck portion 10. As the second chuck portion 20 is raised by the pressing portion 30, the first and second wafers W1 and W2 are pressed and bonded to each other with the adhesive B interposed therebetween.

경화단계는 가압부(30)에 의해 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)가 상호 가압됨과 동시에, 경화부(40)의 자외선부재(41)가 동작되어 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2) 사이의 접착제(B)를 경화시킨다. 이때, 자외선부재(41)의 자외선은 자외선부재(41)와 제2웨이퍼(W2) 사이에 마련된 안내부재(42)에 의해 제2웨이퍼(W2)로 안내된다. 또한, 자외선부재(41)의 동작 중에 발생된 열은 자외선부재(41)와 제2척(21) 사이에 마련된 냉각부재(43)에 의해 냉각된다. In the curing step, the first and second wafers (W1) and (W2) are pressed against each other by the pressing unit 30, and at the same time, the ultraviolet ray member 41 of the curing unit 40 is operated to form the first and second wafers (W1). ) Harden the adhesive (B) between (W2). At this time, ultraviolet rays from the ultraviolet ray member 41 are guided to the second wafer (W2) by the guide member 42 provided between the ultraviolet ray member 41 and the second wafer (W2). In addition, the heat generated during the operation of the ultraviolet ray member 41 is cooled by the cooling member 43 provided between the ultraviolet ray member 41 and the second chuck 21.

이상과 같이, 가압부(30)가 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)를 경화시킴과 동시에, 복수의 자외선부재(41)가 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)의 면방향으로 복수개 마련되어 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)의 전체 영역에 대해 경화를 진행한다. 이때, 근거리에서 자외선부재(41)가 접착제(B)를 자외선으로 경화시킬 수 있어, 자외선부재(41)의 광효율 및 경화 효율을 극대화시킬 수 있다. As described above, the pressing unit 30 hardens the first and second wafers W1 and W2, and at the same time, the plurality of ultraviolet ray members 41 are applied to the surfaces of the first and second wafers W1 and W2. A plurality of wafers are provided in each direction, and curing is performed on the entire area of the first and second wafers (W1) and (W2). At this time, the ultraviolet ray member 41 can cure the adhesive B with ultraviolet rays at a short distance, thereby maximizing the light efficiency and curing efficiency of the ultraviolet ray member 41.

도 4를 참고하면, 본 발명의 다른 실시예에 의한 웨이퍼 가압경화장치(100)가 개략적으로 도시된다. Referring to FIG. 4, a wafer pressure curing apparatus 100 according to another embodiment of the present invention is schematically shown.

도 4의 도시와 같이, 다른 실시예에 의한 웨이퍼 가압경화장치(100)는 제1 및 제2척부(110)(120), 가압부(130) 및 경화부(140)를 포함한다. 여기서, 제1 및 제2척부(110)(120) 및 가압부(130)의 구성은 도 1 내지 도 3을 참고하여 설명한 일 실시예에 의한 웨이퍼 가압경화장치(1)와 유사하므로, 자세한 설명은 생략한다. As shown in FIG. 4 , the wafer pressure curing apparatus 100 according to another embodiment includes first and second chuck units 110 and 120, a pressing unit 130, and a curing unit 140. Here, the configuration of the first and second chuck units 110 and 120 and the pressurizing unit 130 is similar to the wafer pressure curing device 1 according to an embodiment described with reference to FIGS. 1 to 3, so detailed description is omitted.

다른 실시예에 의한 웨이퍼 가압경화장치(100)는 경화부(140)가 제1척부(110)에 마련된다. 이러한 경화부(140)는 복수의 자외선 LED 램프를 포함하는 자외선부재(141)가 제1척부(110)의 안착턱(114)에 안착되어 마련된다. 또한, 자외선부재(141)와 제1웨이퍼(W1)의 사이에는 쿼츠를 포함하는 안내부재(142)가 마련되어, 자외선부재(141)로부터 발생된 자외선을 제1웨이퍼(W1)로 안내한다. 이때, 안내부재(142)가 안착턱(114)에 안착되는 높이는 제1척(111)의 제1로딩면(113)의 높이와 같음으로써, 제1웨이퍼(W1)가 안내부재(142)에 로딩될 수 있다. In the wafer pressure curing apparatus 100 according to another embodiment, the curing unit 140 is provided in the first chuck unit 110. This curing unit 140 is prepared by seating an ultraviolet ray member 141 including a plurality of ultraviolet ray LED lamps on the seating protrusion 114 of the first chuck unit 110. In addition, a guide member 142 containing quartz is provided between the ultraviolet ray member 141 and the first wafer (W1) to guide the ultraviolet rays generated from the ultraviolet ray member 141 to the first wafer (W1). At this time, the height at which the guide member 142 is seated on the seating protrusion 114 is the same as the height of the first loading surface 113 of the first chuck 111, so that the first wafer W1 is attached to the guide member 142. can be loaded.

한편, 자세히 도시되지 않았으나, 자외선부재(141)와 제1척(111)의 사이에는 냉각부재(미도시)가 마련될 수 있다. 이러한 냉각부재(미도시)의 구성은 일 실시예에 의한 냉각부재(43, 도 2 참조)와 유사하다. Meanwhile, although not shown in detail, a cooling member (not shown) may be provided between the ultraviolet ray member 141 and the first chuck 111. The configuration of this cooling member (not shown) is similar to the cooling member 43 (see FIG. 2) according to one embodiment.

이러한 구성에 의한 다른 실시예에 의한 웨이퍼 가압경화장치(100) 또한, 제1 및 제2척(111)(121)의 제1 및 제2로딩면(113)(123)에 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)가 각각 안착되고, 제2웨이퍼(W2)에 접착제(B)가 놓여진 상태에서, 가압부(130)에 의한 가압력으로 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)가 상호 가압된다. 이때, 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2) 사이의 접착제(B)는 제1척부(110)에 마련된 경화부(140)에 의해 경화된다. The wafer pressure curing device 100 according to another embodiment according to this configuration also has first and second loading surfaces 113 and 123 of the first and second chucks 111 and 121. In a state where the wafers W1 and W2 are each seated and the adhesive B is placed on the second wafer W2, the first and second wafers W1 and W2 are pressed together by the pressing force exerted by the pressing unit 130. are pressed against each other. At this time, the adhesive B between the first and second wafers W1 and W2 is hardened by the curing portion 140 provided in the first chuck portion 110.

도 5를 참고하면, 본 발명의 바람직한 일 및 다른 실시예에 의한 웨이퍼 가압경화장치(1)(100)에 의해 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)의 본딩 상태를 종래와 비교하였다. 도 5의 (a), (b) 및 (c)는 종래에 의한 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)의 본딩 공정을 순차적으로 도시하며, 도 5의 (d), (e) 및 (f)는 본 실시예에 의한 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)의 본딩 공정을 순차적으로 도시한다. 여기서, 제1웨이퍼(W1)는 디바이스 웨이퍼(Device Wafer)를 포함할 수 있으며, 제2웨이퍼(W2)는 캐리어 웨이퍼(Carrier Wafer)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 5, the bonding state of the first and second wafers (W1) (W2) by the wafer pressure curing device (1) (100) according to a preferred and other embodiment of the present invention was compared with the conventional one. Figures 5 (a), (b), and (c) sequentially show the conventional bonding process of the first and second wafers (W1) (W2), and Figures 5 (d), (e) and (f) sequentially shows the bonding process of the first and second wafers W1 and W2 according to this embodiment. Here, the first wafer W1 may include a device wafer, and the second wafer W2 may include a carrier wafer.

도 5의 (a)와 같이, 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)가 로딩된 상태에서 제2웨이퍼(W2)에 접착제(B)가 도포된다. 이때, 접착제(B)는 대략 1μm~30μm의 두께로 도포될 수 있으며, 스핀 코팅(Spin Coating) 또는 필름 라미네이션(film Lamination)으로 제2웨이퍼(W2)에 도포될 수 있다. As shown in (a) of FIG. 5, while the first and second wafers W1 and W2 are loaded, the adhesive B is applied to the second wafer W2. At this time, the adhesive B may be applied to a thickness of approximately 1 μm to 30 μm, and may be applied to the second wafer W2 by spin coating or film lamination.

도 5의 (b) 및 (e)와 같이, 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)는 접착제(B)를 사이에 두고 상호 가압된다. 이때, 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)는 진공 챔버(C)의 외부에서 접착제(B)가 도포된 상태로 진공 챔버(C)의 내부로 진입하여, 가압부(30(130)(도 3 및 도 4 참조)에 의해 가압된다. As shown in Figures 5 (b) and (e), the first and second wafers W1 and W2 are pressed against each other with the adhesive B interposed therebetween. At this time, the first and second wafers (W1) (W2) enter the inside of the vacuum chamber (C) with the adhesive (B) applied from the outside of the vacuum chamber (C), and are pressed into the pressurizing unit (30). (see Figures 3 and 4).

여기서, 종래의 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)는 접착제(B)가 가압된 후에 진공 챔버(C)를 벗어나 접착제(B)의 경화 공정이 이루어진다. 그로 인해, 도 5의 (c)와 같이, 상호 가압되었던 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)는 접착제(B)를 경화시키기 위한 경화 장비로 이동하는 도중에, 미처 경화되지 못한 접착제(B)로 인해 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)가 초기 상태로 휘어짐에 따라 정렬 상태가 틀어지게 된다. 그로 인해, 종래의 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)는 접착제(B)의 경화 공정 이후에도 접합 두께가 불균일함으로써 불량을 야기한다. Here, the conventional first and second wafers (W1) (W2) leave the vacuum chamber (C) after the adhesive (B) is pressed and the curing process of the adhesive (B) is performed. Therefore, as shown in Figure 5 (c), the first and second wafers (W1) (W2), which were pressed against each other, are transferred to the curing equipment for curing the adhesive (B), while the adhesive (B) has not yet been cured. ), the first and second wafers (W1) (W2) are bent to their initial state and their alignment becomes distorted. As a result, the conventional first and second wafers W1 and W2 have non-uniform bonding thickness even after the curing process of the adhesive B, causing defects.

이에 반해, 도 5의 (e)와 같이, 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)가 상호 가압됨과 동시에 경화부(40)(140)에 의해 접착제(B)의 전 영역이 균일하게 경화된다. 즉, 진공 챔버(C)의 내부에서 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)가 상호 가압됨과 동시에 접착제(B)가 근거리에 위치한 자외선부재(40)(140)에 의해 경화될 수 있게 된다. 이때, 자외선부재(40)(140)의 발광시의 열은 냉각부재(43)(도 2 참조)에 의해 냉각된다. On the other hand, as shown in (e) of FIG. 5, the first and second wafers W1 and W2 are pressed against each other, and at the same time, the entire area of the adhesive B is cured uniformly by the curing portions 40 and 140. do. That is, the first and second wafers (W1) and (W2) are pressed against each other inside the vacuum chamber (C), and at the same time, the adhesive (B) can be cured by the ultraviolet ray members (40) (140) located at a short distance. . At this time, the heat generated when the ultraviolet ray members 40 and 140 emit light is cooled by the cooling member 43 (see FIG. 2).

이러한 구성으로 인해, 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)의 본딩 시, 접착제(B)가 균일한 상태로 경화될 수 있어, 도 5의 (f)와 같이 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2)는 균일한 접합 두께를 가질 수 있게 된다. 여기서, 제1 및 제2웨이퍼(W1)(W2) 사이의 접착제(B)를 자외선부재(41)가 경화시킴에 있어서, 자외선 경화시 접착제(B)로부터 발생되는 유해가스는 진공 챔버(C) 내부에서 자체 처리됨으로써, 환경 친화적이다. Due to this configuration, when bonding the first and second wafers (W1) (W2), the adhesive (B) can be cured in a uniform state, so that the first and second wafers (W1) (W2) can be cured as shown in (f) of FIG. W1)(W2) can have a uniform joint thickness. Here, when the adhesive (B) between the first and second wafers (W1) (W2) is cured by the ultraviolet ray member (41), the harmful gas generated from the adhesive (B) during ultraviolet curing is emitted from the vacuum chamber (C). As it is processed internally, it is environmentally friendly.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although the present invention has been described with reference to preferred embodiments, those skilled in the art may make various modifications and changes to the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. You will understand that you can do it.

1: 웨이퍼 가압경화장치 W1: 제1웨이퍼
W2: 제2웨이퍼 10: 제1척부
11: 제1척 12: 제1지지축
20: 제2척부 21: 제2척
22: 제2지지축 30: 가압부
40: 경화부 41: 자외선부재
42: 안내부재 43: 냉각부재1: Wafer pressure curing device W1: First wafer
W2: 2nd wafer 10: 1st wafer
11: 1st chuck 12: 1st support axis
20: 2nd ship 21: 2nd ship
22: second support shaft 30: pressurizing part
40: hardening part 41: ultraviolet ray member
42: guiding member 43: cooling member

Claims (20)

제1웨이퍼가 로딩되는 제1척부;
상기 제1웨이퍼와 마주하도록 제2웨이퍼가 로딩되는 제2척부;
상기 제1 및 제2척부에 로딩된 상기 제1 및 제2웨이퍼를 접착제를 사이에 두고 상호 가압시키는 가압부; 및
상기 제1 및 제2척부 중 적어도 어느 하나에 마련되어, 상기 제1 및 제2웨이퍼 사이의 상기 접착제를 경화시키는 경화부;
를 포함하며,
상기 경화부는 상기 제1 및 제2웨이퍼가 상호 가압됨에 연동하여 상기 접착제를 경화시키는 웨이퍼 가압경화장치. A first chuck unit onto which the first wafer is loaded;
a second chuck unit on which a second wafer is loaded to face the first wafer;
a pressing unit that presses the first and second wafers loaded on the first and second chuck units to each other with an adhesive therebetween; and
a curing unit provided on at least one of the first and second chuck units to cure the adhesive between the first and second wafers;
Includes,
The curing unit is a wafer pressure curing device that hardens the adhesive in conjunction with mutual pressure of the first and second wafers. 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2척부 및 경화부는 진공 가능한 진공 챔버 내부에 마련되는 웨이퍼 가압경화장치.According to paragraph 1,
A wafer pressure curing device in which the first and second chuck units and the curing unit are provided inside a vacuum chamber capable of vacuum. 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2척부는 상기 가압부의 가압 방향으로 상호 마주하되, 상기 제1척부의 하부에 상기 제2척부가 위치하며,
상기 제2척부는 상기 가압부와 연결되어 상기 가압 방향으로 움직임 가능한 웨이퍼 가압경화장치. According to paragraph 1,
The first and second chuck units face each other in the pressing direction of the pressing unit, and the second chuck unit is located below the first chuck unit,
The second chuck portion is connected to the pressing portion and is capable of moving in the pressing direction. 제1항에 있어서,
상기 가압부는 상기 제1 및 제2척부 중 적어도 어느 하나와 연결되는 서보 프레스(Servo Press)를 포함하는 웨이퍼 가압경화장치. According to paragraph 1,
A wafer pressure curing device wherein the pressing unit includes a servo press connected to at least one of the first and second chuck units. 제1항에 있어서,
상기 접착제는 자외선 경화형 접착제를 포함하며,
상기 경화부는,
상기 제1 및 제2척부 중 적어도 어느 하나에 마련되어 자외선으로 상기 자외선 경화형 접착제를 경화시키는 자외선부재;
상기 자외선부재와 상기 제1 또는 제2웨이퍼의 사이에 마련되어, 상기 자외선부재로부터 발생된 상기 자외선을 안내하는 안내부재; 및
상기 자외선부재를 냉각시키는 냉각부재;
를 포함하는 웨이퍼 가압경화장치. According to paragraph 1,
The adhesive includes an ultraviolet curing adhesive,
The hardening part,
an ultraviolet ray member provided on at least one of the first and second chuck parts to cure the ultraviolet curing adhesive with ultraviolet rays;
a guide member provided between the ultraviolet ray member and the first or second wafer to guide the ultraviolet rays generated from the ultraviolet ray member; and
A cooling member that cools the ultraviolet ray member;
A wafer pressure curing device comprising a. 제5항에 있어서,
상기 자외선부재는 상기 제1 및 제2척부 중 적어도 어느 하나에 단차지게 마련된 안착턱에 마련되되, 상기 제1 및 제2웨이퍼의 면방향으로 상호 이격되어 마련되는 복수의 자외선 LED 램프를 포함하는 웨이퍼 가압경화장치. According to clause 5,
The ultraviolet ray member is provided on a step provided on at least one of the first and second chuck portions, and includes a plurality of ultraviolet ray LED lamps that are spaced apart from each other in the surface direction of the first and second wafers. Pressure hardening device. 제5항에 있어서,
상기 접착제는 1~30um의 두께를 가지며,
상기 자외선부재는 300~400nm 파장의 40~50mW/㎠의 조사 강도로 자외선-A를 조사하는 웨이퍼 가압경화장치. According to clause 5,
The adhesive has a thickness of 1 to 30 um,
The ultraviolet member is a wafer pressure curing device that irradiates ultraviolet rays-A with an irradiation intensity of 40 to 50 mW/cm2 with a wavelength of 300 to 400 nm. 제5항에 있어서,
상기 안내부재는 상기 자외선의 투과가 가능한 석영(Quartz)로 마련되는 웨이퍼 가압경화장치.According to clause 5,
A wafer pressure curing device in which the guide member is made of quartz capable of transmitting ultraviolet rays. 제5항에 있어서,
상기 제1 및 제2척부는 상기 제1 및 제2웨이퍼가 각각 로딩되는 로딩면이 각각 마련되는 제1 및 제2척을 포함하고,
상기 자외선부재는 상기 제1 및 제2척 중 적어도 어느 하나의 상기 로딩면으로부터 단차지게 마련된 안착턱에 상기 제1 및 제2웨이퍼의 면방향으로 상호 이격되도록 복수개 마련되며,
상기 안내부재는 상기 자외선부재를 커버하도록 상기 안착턱에 안착되되, 상기 안내부재에 상기 제1 및 제2웨이퍼 중 적어도 어느 하나가 로딩되도록 상기 안내부재의 높이는 상기 로딩면의 높이와 일치하는 웨이퍼 가압경화장치. According to clause 5,
The first and second chuck units include first and second chucks respectively provided with loading surfaces on which the first and second wafers are loaded, respectively;
A plurality of the ultraviolet ray members are provided on a seating protrusion stepped from the loading surface of at least one of the first and second chucks to be spaced apart from each other in the surface direction of the first and second wafers,
The guide member is seated on the seating protrusion to cover the ultraviolet ray member, and the height of the guide member matches the height of the loading surface to press the wafer so that at least one of the first and second wafers is loaded on the guide member. Curing device. 제5항에 있어서,
상기 냉각부재는 상기 제1 및 제2척부 중 적어도 어느 하나와 상기 자외선부재의 사이에 마련되는 냉각 플레이트를 포함하며,
상기 냉각 플레이트에는 면방향으로 복수회 절곡되어 냉각수가 순환되는 냉각 라인이 형성되는 웨이퍼 가압경화장치.According to clause 5,
The cooling member includes a cooling plate provided between at least one of the first and second chuck parts and the ultraviolet ray member,
A wafer pressure curing device in which the cooling plate is bent multiple times in the surface direction to form a cooling line through which coolant circulates. 상호 마주하는 제1 및 제2척부에 제1 및 제2웨이퍼가 각각 로딩되는 로딩단계;
상기 제1 및 제2척부에 로딩된 상기 제1 및 제2웨이퍼를 접착제를 사이에 두고 가압부가 상호 가압시키는 가압단계; 및
상기 제1 및 제2척부 중 적어도 어느 하나에 마련된 경화부가 상기 제1 및 제2웨이퍼 사이에서 상기 가압부에 의해 가압되는 상기 접착제를 경화시키는 경화단계;
를 포함하는 웨이퍼 가압경화방법. A loading step of loading first and second wafers onto first and second chuck units facing each other;
A pressing step of pressing the first and second wafers loaded on the first and second chuck units by a press unit with an adhesive in between; and
A curing step of curing the adhesive pressed by the pressing unit between the first and second wafers by a curing unit provided on at least one of the first and second chuck units;
A wafer pressure curing method comprising. 제11항에 있어서,
상기 로딩단계, 가압단계 및 경화단계는 같은 공간에서 이루어지며, 상기 로딩단계 이후에 상기 가압단계 및 경화단계는 동시에 이루어지는 웨이퍼 가압경화방법. According to clause 11,
The loading step, the pressing step, and the curing step are performed in the same space, and the pressing step and the curing step are performed simultaneously after the loading step. 제11항에 있어서,
상기 제1 및 제2척부 및 경화부는 진공 가능한 진공 챔버 내부에 마련되는 웨이퍼 가압경화방법.According to clause 11,
A wafer pressure curing method in which the first and second chuck units and the curing unit are provided inside a vacuum chamber capable of vacuum. 제11항에 있어서,
상기 제1 및 제2척부가 상기 가압부의 가압 방향으로 상호 마주하되, 상기 제1척부의 하부에 상기 제2척부가 위치하고,
상기 가압단계는 상기 가압부가 상기 제2척부와 연결되어 상기 가압 방향으로 상기 제1척부를 향해 가압시키는 웨이퍼 가압경화방법. According to clause 11,
The first and second chuck portions face each other in a pressing direction of the pressing portion, and the second chuck portion is located below the first chuck portion,
The pressing step is a wafer pressure curing method in which the pressing unit is connected to the second chuck unit and presses the press unit toward the first chuck unit in the pressing direction. 제11항에 있어서,
상기 가압부는 상기 제1 및 제2척부 중 적어도 어느 하나와 연결되는 서보 프레스(Servo Press)를 포함하는 웨이퍼 가압경화방법. According to clause 11,
A wafer pressure curing method wherein the pressing unit includes a servo press connected to at least one of the first and second chuck units. 제11항에 있어서,
상기 접착제는 자외선 경화형 접착제를 포함하며,
상기 경화부는, 상기 제1 및 제2척부 중 적어도 어느 하나에 마련되어 자외선으로 상기 자외선 경화형 접착제를 경화시키는 자외선부재, 상기 자외선부재와 상기 제1 또는 제2웨이퍼의 사이에 마련되어, 상기 자외선부재로부터 발생된 상기 자외선을 안내하는 안내부재 및, 상기 자외선부재를 냉각시키는 냉각부재를 포함하여, 상기 자외선 경화형 접착제를 경화시키는 웨이퍼 가압경화방법. According to clause 11,
The adhesive includes an ultraviolet curing adhesive,
The curing unit is an ultraviolet ray member provided in at least one of the first and second chuck parts to cure the ultraviolet ray curing adhesive with ultraviolet rays, and is provided between the ultraviolet ray member and the first or second wafer to generate ultraviolet rays generated from the ultraviolet ray member. A wafer pressure curing method for curing the ultraviolet curing adhesive, including a guiding member for guiding the ultraviolet rays and a cooling member for cooling the ultraviolet rays. 제16항에 있어서,
상기 제1 및 제2척부는 상기 제1 및 제2웨이퍼가 각각 로딩되는 로딩면이 각각 마련되는 제1 및 제2척을 포함하고,
상기 자외선부재는 상기 제1 및 제2척 중 적어도 어느 하나의 상기 로딩면으로부터 단차지게 마련된 안착턱에 상기 제1 및 제2웨이퍼의 면방향으로 상호 이격되도록 복수개 마련되는 자외선 LED 램프를 포함하며,
상기 안내부재는 상기 자외선부재를 커버하도록 상기 안착턱에 안착되되, 상기 안내부재에 상기 제1 및 제2웨이퍼 중 적어도 어느 하나가 로딩되도록 상기 안내부재의 높이는 상기 로딩면의 높이와 일치하는 웨이퍼 가압경화방법. According to clause 16,
The first and second chuck units include first and second chucks respectively provided with loading surfaces on which the first and second wafers are loaded, respectively;
The ultraviolet ray member includes a plurality of ultraviolet LED lamps provided on a seating protrusion stepped from the loading surface of at least one of the first and second chucks to be spaced apart from each other in the surface direction of the first and second wafers,
The guide member is seated on the seating protrusion to cover the ultraviolet ray member, and the height of the guide member matches the height of the loading surface to press the wafer so that at least one of the first and second wafers is loaded on the guide member. Curing method. 제16항에 있어서,
상기 안내부재는 상기 자외선의 투과가 가능한 석영(Quartz)로 마련되는 웨이퍼 가압경화방법. According to clause 16,
A wafer pressure curing method in which the guide member is made of quartz capable of transmitting the ultraviolet rays. 제16항에 있어서,
상기 냉각부재는 상기 제1 및 제2척부 중 적어도 어느 하나와 상기 자외선부재의 사이에 마련되는 냉각 플레이트를 포함하며,
상기 냉각 플레이트에는 면방향으로 복수회 절곡되어 냉각수가 순환되는 냉각 라인이 형성되는 웨이퍼 가압경화방법.According to clause 16,
The cooling member includes a cooling plate provided between at least one of the first and second chuck parts and the ultraviolet ray member,
A wafer pressure curing method in which the cooling plate is bent multiple times in the surface direction to form a cooling line through which coolant circulates. 제11항에 있어서,
상기 접착제는 1~30um의 두께를 가지며,
상기 경화단계는 300~400nm 파장의 40~50mW/㎠의 조사 강도로 자외선-A를 조사하는 웨이퍼 가압경화방법.According to clause 11,
The adhesive has a thickness of 1 to 30 um,
The curing step is a wafer pressure curing method in which ultraviolet rays are irradiated with UV-A at an irradiation intensity of 40 to 50 mW/cm2 with a wavelength of 300 to 400 nm.
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KR101712658B1 (en) 2015-05-27 2017-03-06 안성룡 The apparatus for attaching the substrates

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101591971B1 (en) 2014-12-03 2016-02-04 빛기술 주식회사 Wafer bonding apparatus and wafer bonding system using the same
KR101712658B1 (en) 2015-05-27 2017-03-06 안성룡 The apparatus for attaching the substrates

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