KR102380752B1

KR102380752B1 - Jig for bonding wafer

Info

Publication number: KR102380752B1
Application number: KR1020210047166A
Authority: KR
Inventors: 이지훈; 김운수; 조원일; 최일석; 강병창; 신숙영
Original assignee: 이알케이(주)
Priority date: 2021-04-12
Filing date: 2021-04-12
Publication date: 2022-03-30

Abstract

According to an embodiment of the present invention a defect does not occur when a first wafer and a second wafer are bonded. Disclosed is a jig for wafer bonding, comprising: a base part on which a wafer can be seated; and an elastic guide part, disposed along the periphery on one surface of the base part and in contact with the periphery of the wafer to align a position of the wafer, which elastically supports and pressurized when an upper jig is in contact.

Description

Wafer bonding jig {JIG FOR BONDING WAFER}

본 발명은 웨이퍼 본딩용 지그에 관한 것이다.The present invention relates to a jig for bonding wafers.

특히, 웨이퍼를 접착 시 웨이퍼 사이에 이물질이 위치되지 않으며 웨이퍼를 접착할 수 있는 웨이퍼 본딩용 지그에 관한 것이다.In particular, it relates to a wafer bonding jig capable of adhering a wafer without foreign substances being positioned between the wafers when adhering the wafer.

웨이퍼는 반도체의 토대가 되는 얇은 플레이트로, 웨이퍼는 반도체의 정밀도에 큰 영향을 미치므로 정밀하고 세심하게 취급되어야 한다. 웨이퍼는 특정 물성의 특징을 넘어 다른 특성을 구현되기 위하여 이종 또는 동종의 웨이퍼간 본딩이 될 수 있다. A wafer is a thin plate that is the basis of a semiconductor, and the wafer has a great influence on the precision of the semiconductor, so it must be handled with precision and care. Wafers may be bonded between wafers of different types or the same type in order to realize other characteristics beyond specific physical properties.

웨이퍼를 본딩하는 것은 제1웨이퍼와 제2웨이퍼를 정렬하여 위치시키고, 그 사이에 본더를 도포한 후 제1웨이퍼와 제2웨이퍼를 상호 대응되는 방향으로 가압하여 수행될 수 있다. Bonding the wafer may be performed by aligning and positioning the first wafer and the second wafer, applying a bonder therebetween, and then pressing the first wafer and the second wafer in a direction corresponding to each other.

이 방식은 매우 간단해 보이나, 실제로는 다양한 문제를 발생하는데 대표적으로는 본더에서 발생된 가스가 제1웨이퍼와 제2웨이퍼 사이에 위치된 채 제1웨이퍼와 제2웨이퍼가 접착되는 것이다.Although this method looks very simple, in reality, various problems occur. Typically, the first wafer and the second wafer are adhered while the gas generated from the bonder is positioned between the first and second wafers.

본더는 제1웨이퍼와 제2웨이퍼 사이에 위치되며, 제1웨이퍼와 제2웨이퍼를 접착하게 위하여 고온으로 가열되는데 이 때 본더에서 예상하지 못한 가스가 발생되고 그로 인하여 제1웨이퍼와 제2웨이퍼 상호 반대 방향으로 가압되며 접착되는 제1웨이퍼와 제2웨이퍼 사이에 발생된 가스가 갇힌 채 접착되게 된다. The bonder is located between the first wafer and the second wafer, and is heated to a high temperature to bond the first wafer and the second wafer. The gas generated between the first and second wafers that are pressed in the opposite direction and adhered is adhered while being trapped.

이 가스는 거시 세계에서는 문제가 되지 않으나, 미시의 세계인 반도체에서는 큰 문제를 일으키게 되는 바, 위와 같이 본딩되는 웨이퍼들은 불량으로 취급되게 된다.This gas is not a problem in the macro world, but causes a big problem in the microscopic world of semiconductors, and the wafers bonded as above are treated as defective.

국내 등록특허 출원번호 10-2015-0133291Domestic Registered Patent Application No. 10-2015-0133291

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로 제1웨이퍼와 제2웨이퍼가 본딩 시 그 사이에 본더에서 발생된 가스가 위치되지 않으며 제1웨이퍼와 제2웨이퍼를 접착할 수 있는 웨이퍼 본딩용 지그를 제공하는데 목표가 있다.The present invention provides a wafer bonding jig capable of bonding the first wafer and the second wafer without the gas generated from the bonder being located between the first wafer and the second wafer when the first wafer and the second wafer are bonded. It aims to provide

본 발명인 웨이퍼 본딩용 지그는 웨이퍼가 안착될 수 있는 베이스부 및 상기 베이스부의 일면에 둘레를 따라 배치되며, 상기 웨이퍼의 둘레와 맞닿아 상기 웨이퍼의 위치를 정렬하며, 상부 지그가 맞닿으며 가압 시 탄성적으로 지지하며 가압되는 탄성가이드부를 포함한다.The jig for wafer bonding according to the present invention is disposed along the periphery of the base part on which the wafer can be mounted and one surface of the base part, and aligns the position of the wafer in contact with the periphery of the wafer, and the upper jig abuts and burns when pressed It includes an elastic guide part that is sexually supported and pressed.

상기 탄성가이드부는 상기 베이스부 내측으로 함몰되어 고정된 케이스부와, 상기 케이스부에 배치되는 스프링부와 상기 스프링부에 의하여 지지되는 가이드부를 포함하는 것을 특징으로 한다.The elastic guide part is characterized in that it includes a case part recessed into the base part and fixed, a spring part disposed in the case part, and a guide part supported by the spring part.

상기 가이드부는 상기 스프링부에 회전 가능하게 배치되는 것을 특징으로 한다.The guide part is characterized in that it is rotatably disposed on the spring part.

상기 베이스부의 둘레를 따라서 배치되며, 상기 베이스부의 중심과 상기 탄성가이드부 사이의 거리보다 반경 방향으로 이격되어 배치되며 상기 상부 지그의 둘레와 맞닿는 고정가이드부를 더 포함한다.It is disposed along the periphery of the base portion, is spaced apart in a radial direction than the distance between the center of the base portion and the elastic guide portion, and further includes a fixing guide portion in contact with the circumference of the upper jig.

상기 베이스부의 둘레에는 상기 베이스부와 상기 웨이퍼 사이에 배치되어 이격된 공간을 형성하는 스페이서부가 형성된 것을 특징으로 한다.A spacer portion disposed between the base portion and the wafer to form a spaced-apart space is formed around the base portion.

상기 스페이서부는 상기 상부 지그가 가압함에 따라 반경방향으로 점진적으로 이동되는 것을 특징으로 한다.The spacer part is characterized in that it is gradually moved in the radial direction as the upper jig is pressed.

상기 베이스부와 수평한 위치에는 상기 베이스부 방향으로 이동되어 상기 웨이퍼와 맞닿으며 상기 웨이퍼의 위치를 정렬하는 정렬부가 배치된 것을 특징으로 한다.In a position horizontal to the base part, an alignment part which moves in the direction of the base part and comes into contact with the wafer and aligns the position of the wafer is disposed.

일 실시예에 의한 본 발명은 제1웨이퍼와 제2웨이퍼가 아주 작은 갭(gap)을 사이에 두고 본더에서 발생된 가스가 제거 된 후 갭(gap)이 좁아져 접착되므로, 제1웨이퍼와 제2웨이퍼가 본딩 시 불량이 발생되지 않는다.In the present invention according to an embodiment, since the first wafer and the second wafer are bonded with a narrow gap after the gas generated from the bonder is removed with a very small gap therebetween, the first wafer and the second wafer No defects occur when bonding 2 wafers.

도 1은 일 실시예에 의한 본 발명인 웨이퍼 본딩용 지그의 측면도이다.
도 2는 일 실시예에 의한 상부 지그의 사시도이다.
도 3은 일 실시예에 의한 제1웨이퍼가 상부 지그에 배치된 상태의 사시도이다.
도 4는 일 실시예에 의한 얼라인부가 제1웨이퍼를 정렬하는 상태의 사시도이다.
도 5는 일 실시예에 의한 제1스페이서부가 제거되는 상태의 사시도이다.
도 6은 일 실시예에 의한 제1플랫부와 제2플랫부의 단면도이다.
도 7은 일 실시예에 의한 하부 지그의 사시도이다.
도 8은 일 실시예에 의한 탄성가이드부의 단면도이다.
도 9는 일 실시예에 의한 제2스페이서부의 단면도이다.
도 10은 일 실시예에 의한 정렬부의 확대도이다.
도 11은 일 실시예에 의한 본 발명인 웨이퍼 본딩용 지그의 사시도이다.1 is a side view of a jig for bonding a wafer according to the present invention according to an embodiment.
2 is a perspective view of an upper jig according to an embodiment.
3 is a perspective view of a state in which a first wafer is disposed on an upper jig according to an exemplary embodiment;
4 is a perspective view illustrating a state in which an aligning unit aligns a first wafer according to an exemplary embodiment.
5 is a perspective view of a state in which a first spacer part is removed according to an exemplary embodiment;
6 is a cross-sectional view of a first flat portion and a second flat portion according to an embodiment.
7 is a perspective view of a lower jig according to an embodiment.
8 is a cross-sectional view of an elastic guide part according to an embodiment.
9 is a cross-sectional view of a second spacer according to an embodiment.
10 is an enlarged view of an alignment unit according to an embodiment.
11 is a perspective view of a jig for bonding a wafer according to the present invention according to an embodiment.

이하, 본 발명의 일실시예를 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 그러나 이는 본 발명의 범위를 한정하려고 의도된 것은 아니다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. However, this is not intended to limit the scope of the present invention.

각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.In adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same components are given the same reference numerals as much as possible even though they are indicated on different drawings. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

또한, 도면에 도시된 구성요소의 크기나 형상 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시될 수 있다. 또한, 본 발명의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 것일 뿐이고, 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니다.In addition, the size or shape of the components shown in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of explanation. In addition, terms specifically defined in consideration of the structure and operation of the present invention are only for describing the embodiments of the present invention, and do not limit the scope of the present invention.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예를 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the present invention can apply various transformations and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated and described in detail in the detailed description. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

본 발명에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 발명에서, '포함하다' 또는 '가지다' 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. The terms used in the present invention are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In the present invention, terms such as 'comprising' or 'having' are intended to designate that the features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification exist, and one or more other features It should be understood that this does not preclude the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 이 때, 첨부된 도면에서 동일한 구성 요소는 가능한 동일한 부호로 나타내고 있음에 유의한다. 또한, 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략할 것이다. 마찬가지 이유로 첨부 도면에 있어서 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 개략적으로 도시되었다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In this case, it should be noted that in the accompanying drawings, the same components are denoted by the same reference numerals as much as possible. In addition, detailed descriptions of well-known functions and configurations that may obscure the gist of the present invention will be omitted. For the same reason, some components are exaggerated, omitted, or schematically illustrated in the accompanying drawings.

도 1은 일 실시예에 의한 본 발명인 웨이퍼 본딩용 지그의 측면도이다.1 is a side view of a jig for bonding a wafer according to the present invention according to an embodiment.

도 2는 일 실시예에 의한 상부 지그의 사시도이다.2 is a perspective view of an upper jig according to an embodiment.

도 3은 일 실시예에 의한 제1웨이퍼가 상부 지그에 배치된 상태의 사시도이다.3 is a perspective view of a state in which a first wafer is disposed on an upper jig according to an exemplary embodiment;

도 4는 일 실시예에 의한 얼라인부가 제1웨이퍼를 정렬하는 상태의 사시도이다.4 is a perspective view illustrating a state in which an aligning unit aligns a first wafer according to an exemplary embodiment.

도 5는 일 실시예에 의한 제1스페이서부가 제거되는 상태의 사시도이다.5 is a perspective view of a state in which a first spacer part is removed according to an exemplary embodiment;

도 6은 일 실시예에 의한 제1플랫부와 제2플랫부의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a first flat portion and a second flat portion according to an embodiment.

이하에서는 상부 지그(10)와 하부 지그(20) 중 동일한 명칭의 구성이 있는 경우 상부 지그(10)와 관련된 구성은 '제1'을 붙이고, 하부 지그(20)와 관련된 구성은 '제2'를 붙여서 명명하도록 하겠다. (예를 들면, 제1베이스부(110), 제2베이스부(210), 제1웨이퍼(1), 제2웨이퍼(2)와 같이 명명) 그러나 '제1'과 '제2'는 본 발명의 명확한 설명을 위하여 붙여진 것임을 유의하여야 할 것이다.Hereinafter, when there is a configuration with the same name among the upper jig 10 and the lower jig 20, 'first' is attached to the configuration related to the upper jig 10, and 'second' to the configuration related to the lower jig 20 I will name it by appending . (For example, names such as the first base part 110, the second base part 210, the first wafer 1, and the second wafer 2) However, 'first' and 'second' It should be noted that it is attached for a clear description of the invention.

본 발명인 웨이퍼 본딩용 지그는 상부 지그(10)와 하부 지그(20)를 포함한다.The jig for wafer bonding according to the present invention includes an upper jig 10 and a lower jig 20 .

상부 지그(10)는 상측에 위치되고, 하부 지그(20)는 하측에 위치된다. 상부 지그(10)와 하부 지그(20)에는 제1웨이퍼(1), 제2웨이퍼(2)가 각각 위치된 후, 상호 거리가 좁혀지는 방향으로 이동되어 제1웨이퍼(1)의 일면과 제2웨이퍼(2)의 타면이 맞닿으며 본딩된다. The upper jig 10 is located on the upper side, and the lower jig 20 is located on the lower side. After the first wafer 1 and the second wafer 2 are respectively located on the upper jig 10 and the lower jig 20, they are moved in a direction in which the mutual distance is narrowed, so that one surface of the first wafer 1 and the second wafer 1 2 The other surfaces of the wafers 2 are abutted and bonded.

여기서, 상부 지그(10)와 하부 지그(20)의 이격된 거리가 좁혀지는 방식은 다양한 방식이 있을 수 있으나, 일례로는 상부 지그(10)가 하측으로 이동되어 하부 지그(20) 방향으로 이동되는 방식일 수 있다. Here, there may be various methods in which the spaced distance between the upper jig 10 and the lower jig 20 is narrowed, but in one example, the upper jig 10 is moved downward to move in the lower jig 20 direction. could be the way it is.

상부 지그(10)는 제1웨이퍼(1)가 배치되어 위치가 가이드되고 정렬될 수 있다.In the upper jig 10 , the first wafer 1 is disposed so that the position is guided and aligned.

상부 지그(10)는 제1베이스부(110), 제1스페이서부(120), 얼라인부(130)를 포함할 수 있다. The upper jig 10 may include a first base unit 110 , a first spacer unit 120 , and an alignment unit 130 .

제1베이스부(110)는 적어도 일 부분은 평평하게 형성될 수 있다. 제1베이스부(110)의 평평한 부분에는 제1웨이퍼(1)가 배치될 수 있다. 제1베이스부(110)의 평평한 부분은 제1웨이퍼(1)를 고정할 수 있다. 제1베이스부(110)가 제1웨이퍼(1)를 고정하는 방식은 제1웨이퍼(1)와 맞닿아 제1웨이퍼(1)를 접착하는 합성제를 이용하는 것일 수 있다. At least one portion of the first base part 110 may be formed to be flat. The first wafer 1 may be disposed on a flat portion of the first base part 110 . The flat part of the first base part 110 may fix the first wafer 1 . The method in which the first base part 110 fixes the first wafer 1 may use a synthetic agent that contacts the first wafer 1 and adheres the first wafer 1 .

여기서 합성제는 PDMS일 수 있으며, PDMS는 제1베이스부(110)의 평평한 부분에 설정된 영역만큼 배치될 수 있다. 제1베이스부(110)에 제1웨이퍼(1)가 부착되기 전 제1베이스부(110)와 제1웨이퍼(1) 사이에는 후속 공정에서 제거 될 수 있는 제1스페이서부(120)가 배치될 수 있다.Here, the synthetic agent may be PDMS, and the PDMS may be disposed as much as an area set on the flat part of the first base unit 110 . Before the first wafer 1 is attached to the first base part 110 , a first spacer part 120 that can be removed in a subsequent process is disposed between the first base part 110 and the first wafer 1 . can be

제1스페이서부(120)는 제1베이스부(110)와 제1웨이퍼(1) 사이에 배치된다. 제1스페이서부(120)는 복수개로 구성될 수 있다. 복수개의 제1스페이서부(120)는 대칭되는 위치에 배치됨이 바람직하다. The first spacer part 120 is disposed between the first base part 110 and the first wafer 1 . The first spacer unit 120 may be configured in plurality. The plurality of first spacer parts 120 are preferably disposed at symmetrical positions.

일례로 제1스페이서부(120)는 도 5와 같이 제1웨이퍼(1)를 시계 방향을 따라 방향을 정렬 시 3시, 9시 방향에 배치될 수 있다. 제1스페이서부(120)는 제1베이스부(110)와 제1웨이퍼(1) 사이에 이격된 간격을 형성하여 제1웨이퍼(1)가 제1베이스부(110)에 정렬되어 부착되기 전, 제1베이스부(110)와의 간격을 형성하여 제1웨이퍼(1)의 위치를 정렬하도록 할 수 있다. For example, the first spacer unit 120 may be disposed at 3 o'clock and 9 o'clock when aligning the first wafer 1 in a clockwise direction as shown in FIG. 5 . The first spacer part 120 forms a spaced gap between the first base part 110 and the first wafer 1 before the first wafer 1 is aligned and attached to the first base part 110 . , it is possible to form a gap with the first base part 110 to align the positions of the first wafers 1 .

얼라인부(130)는 제1웨이퍼(1)가 제1베이스부(110)에 부착되기 전 제1웨이퍼(1)의 위치를 정렬한다. 얼라인부(130)는 제1웨이퍼(1)를 대칭되는 위치에서 맞닿으며 제1웨이퍼(1)의 위치를 정렬할 수 있다. 여기서 얼라인부(130)는 제1스페이서부(120)와 교차되는 위치에서 제1웨이퍼(1)와 맞닿으며 제1웨이퍼(1)를 정렬할 수 있다. 얼라인부(130)는 복수개로 구성될 수 있다. 일례로 얼라인부(130)는 두 개로 구성될 수 있다. 복수개로 구성된 얼라인부(130)는 대칭되는 위치에 배치될 수 있다. 여기서 얼라인부(130)는 제1스페이스와 교차되는 위치에 배치될 수 있다. 일례로 제1스페이서부(120)가 제1웨이퍼(1)의 3시, 9시 방향에 배치된 경우, 얼라인부(130)는 12시와 6시 방향에서 제1스페이서부(120)와 맞닿으며 배치될 수 있다. 얼라인부(130)는 제1웨이퍼(1)를 대칭되는 위치에서 탄성적으로 맞닿으며 제1웨이퍼(1)의 위치를 정렬한다.The alignment part 130 aligns the position of the first wafer 1 before the first wafer 1 is attached to the first base part 110 . The alignment unit 130 may abut the first wafer 1 at a symmetrical position and align the positions of the first wafer 1 . Here, the alignment unit 130 may contact the first wafer 1 at a position intersecting the first spacer unit 120 to align the first wafer 1 . The alignment unit 130 may be configured in plurality. For example, the alignment unit 130 may be configured in two pieces. The plurality of alignment units 130 may be disposed at symmetrical positions. Here, the alignment part 130 may be disposed at a position that intersects the first space. For example, when the first spacer part 120 is disposed in the 3 o'clock and 9 o'clock directions of the first wafer 1 , the alignment part 130 contacts the first spacer part 120 in the 12 o'clock and 6 o'clock directions. and can be placed. The alignment unit 130 elastically abuts the first wafer 1 at a symmetrical position to align the positions of the first wafer 1 .

복수개의 얼라인부(130) 중 어느 하나는 웨이퍼의 둘레의 형상과 같은 형태로 형성될 수 있다. 다른 하나는 그렇지 않을 수 있다. 얼라인부(130)는 거리가 좁혀지는 방향으로 이동되며 제1웨이퍼(1)의 위치를 정렬할 수 있다.Any one of the plurality of alignment units 130 may be formed to have the same shape as the circumference of the wafer. the other may not. The alignment unit 130 may move in a direction in which the distance is narrowed and may align the positions of the first wafer 1 .

여기서 제1베이스부(110)의 둘레에는 탄성가이드부(220)가 추가적으로 배치되어 제1웨이퍼(1)가 얼라인부(130)에 의하여 위치가 정렬될 때 그 위치가 함께 정렬될 수 있다. 탄성가이드부(220)에 대한 자세한 설명은 하부 지그(20)를 설명할 때 하도록 하겠다. Here, the elastic guide part 220 is additionally disposed around the first base part 110 so that when the positions of the first wafers 1 are aligned by the aligning part 130, their positions can be aligned together. A detailed description of the elastic guide unit 220 will be provided when the lower jig 20 is described.

한편, 제1베이스부(110)는 제1홀과 제2홀을 포함한다. 제1홀은 제1베이스부(110)의 형태를 따라서 설정된 간격을 두며 배치될 수 있다. 제2홀은 제1홀의 가운데에서 형성될 수 있다. 제2홀은 상측에서 하측으로 갈수록 설정된 길이를 가지며 연장되다가 방사방향으로 확장되어 제1홀과 연통될 수 있다. 이러한 제1홀에는 PDMS가 배치되고, 제2홀에는 제1플랫부(111)가 배치될 수 있다.
제1플랫부(111), 제2플랫부(112)로 구성될 수 있다. 제1베이스부(110)는 평평하게 관찰될 수 있으나 자세히 관찰하면 도 6과 같이 제1플랫부(111)와 제2플랫부(112)로 구성되어 단차가 형성될 수 있다. Meanwhile, the first base unit 110 includes a first hole and a second hole. The first hole may be disposed at a set interval along the shape of the first base unit 110 . The second hole may be formed in the middle of the first hole. The second hole may have a set length from the upper side to the lower side and may extend in a radial direction to communicate with the first hole. The PDMS may be disposed in the first hole, and the first flat part 111 may be disposed in the second hole.
It may be composed of a first flat portion 111 and a second flat portion 112 . The first base part 110 may be observed to be flat, but when observed in detail, as shown in FIG. 6 , the first base part 110 is composed of the first flat part 111 and the second flat part 112 , and a step may be formed.

제2플랫부(112)는 제1플랫부(111)보다 크게 형성되어 제2플랫부(112)의 중심측에 제1플랫부(111)가 배치되는 형태로 형성될 수 있다. The second flat part 112 may be formed to be larger than the first flat part 111 so that the first flat part 111 is disposed on the center side of the second flat part 112 .

제1웨이퍼(1)가 제1베이스부(110)에 위치되는 경우, 둘레는 제2플랫부(112)와 맞닿게 된다. 제1플랫부(111)에는 도면에서 확인될 수 있듯이 홈이 형성되며, 그 홈에는 전술한 합성제가 배치될 수 있다. 따라서 제1웨이퍼(1)의 중심 부근은 합성제와 맞닿아 고정될 수 있다. When the first wafer 1 is positioned on the first base part 110 , its circumference comes into contact with the second flat part 112 . A groove is formed in the first flat part 111 as can be seen in the drawing, and the above-described synthetic agent may be disposed in the groove. Accordingly, the vicinity of the center of the first wafer 1 may be fixed in contact with the synthetic agent.

본 발명은 이와 같은 구조를 통하여 합성제를 이용한 웨이퍼 부착의 단점을 해결할 수 있다. 합성제를 이용하여 웨이퍼를 고정하는 방식은 합성제의 부피 차이로 인하여 웨이퍼가 틸트된 채 고정되는 문제점이 많았다. 그러나 본 발명과 같이 제1플랫부(111)와 제2플랫부(112)로 구성하고, 제1플랫부(111)와 제2플랫부(112)가 상호 독립적으로 이동될 수 있도록 하여 단차 발생을 하지 않을 수 있다.The present invention can solve the disadvantage of wafer attachment using a synthetic agent through such a structure. The method of fixing the wafer using a synthetic agent has many problems in that the wafer is fixed while being tilted due to the volume difference of the synthetic agent. However, as in the present invention, it is composed of the first flat part 111 and the second flat part 112, and the first flat part 111 and the second flat part 112 can be moved independently of each other to generate a step difference. may not do

따라서 합성제를 제1플랫부(111)에 배치하면 제1웨이퍼(1)는 제2플랫부(112)와 맞닿아 수평이 맞게 된 채 제1플랫부(111) 부근에 접착되어 고정될 수 있다.Therefore, when the synthetic agent is disposed on the first flat part 111, the first wafer 1 comes into contact with the second flat part 112 so that it is leveled and adhered to and fixed in the vicinity of the first flat part 111. there is.

여기서, 제2플랫부(112)보다 합성제가 더 돌출되어 배치되거나 내측으로 위치되어 합성제가 제1웨이퍼(1)와 맞닿지 않는 경우, 제1플랫부(111)와 제2플랫부(112)의 위치를 조절하는 볼트를 회전시켜 제1플랫부(111)의 위치(돌출된 위치)를 변경하여 이를 해결할 수 있다.Here, when the synthetic agent does not come into contact with the first wafer 1 because the synthetic agent is disposed to protrude more than the second flat part 112 or is located inward, the first flat part 111 and the second flat part 112 . This can be solved by changing the position (protruding position) of the first flat part 111 by rotating the bolt for adjusting the position of the .

한편, 제1웨이퍼(1)가 얼라인부(130)에 의하여 위치가 정렬되면, 제1스페이서부(120)는 제거될 수 있다. 제1스페이서부(120)가 제거되면 제1베이스부(110)의 평평한 부분에 제1웨이퍼(1)가 배치될 수 있다. 이후 상부 지그(10)에서는 제1베이스부(110)에 부착된 제1웨이퍼(1)를 제외하고 나머지 구성들은 제거될 수 있다. On the other hand, when the positions of the first wafer 1 are aligned by the alignment part 130 , the first spacer part 120 may be removed. When the first spacer part 120 is removed, the first wafer 1 may be disposed on a flat portion of the first base part 110 . Thereafter, the remaining components may be removed from the upper jig 10 , except for the first wafer 1 attached to the first base unit 110 .

도 7은 일 실시예에 의한 하부 지그의 사시도이다.7 is a perspective view of a lower jig according to an embodiment.

도 8은 일 실시예에 의한 탄성가이드부의 단면도이다.8 is a cross-sectional view of an elastic guide part according to an embodiment.

도 9는 일 실시예에 의한 제2스페이서부의 단면도이다.9 is a cross-sectional view of a second spacer according to an embodiment.

도 10은 일 실시예에 의한 정렬부의 확대도이다.10 is an enlarged view of an alignment unit according to an embodiment.

도 11은 일 실시예에 의한 본 발명인 웨이퍼 본딩용 지그의 사시도이다.11 is a perspective view of a jig for bonding a wafer according to the present invention according to an embodiment.

하부 지그(20)에는 제2웨이퍼(2)가 로딩되어 배치될 수 있다.The second wafer 2 may be loaded and disposed on the lower jig 20 .

하부 지그(20)는 제2베이스부(210), 탄성가이드부(220)를 포함할 수 있다. 또한, 하부 지그(20)는 정렬부(230), 제2스페이서부(240), 고정가이드부(250)를 포함할 수 있다.The lower jig 20 may include a second base part 210 and an elastic guide part 220 . In addition, the lower jig 20 may include an alignment part 230 , a second spacer part 240 , and a fixing guide part 250 .

제2베이스부(210)는 제1베이스부(110)와 마찬가지로 평평한 부분을 포함한다. 제2베이스부(210)의 평평한 부분에는 제2웨이퍼(2)가 배치될 수 있다. 제2베이스부(210)의 둘레에는 탄성가이드부(220)가 제2베이스부(210)의 둘레를 따라서 배치될 수 있다. 탄성가이드부(220)는 제2웨이퍼(2)의 둘레에 맞닿으며 제2웨이퍼(2)를 지지할 수 있다. 탄성가이드부(220)는 제2웨이퍼(2)와 맞닿으며 제2웨이퍼(2)의 위치를 고정할 수 있다.The second base part 210 includes a flat portion like the first base part 110 . The second wafer 2 may be disposed on a flat portion of the second base portion 210 . The elastic guide part 220 may be disposed along the periphery of the second base part 210 around the second base part 210 . The elastic guide part 220 may be in contact with the periphery of the second wafer 2 and support the second wafer 2 . The elastic guide unit 220 may contact the second wafer 2 and fix the position of the second wafer 2 .

또한, 탄성가이드부(220)는 상부 지그(10)와 맞닿을 수 있다. 탄성가이드부(220)는 상부 지그(10)가 하측으로 이동되는 경우 상부 지그(10)와 맞닿으며 상부 지그(10)를 탄성적으로 지지할 수 있다. 그리고 상부 지그(10)의 지속적 이동에 의하여 점진적으로 하측으로 이동되어 제1웨이퍼(1)와 제2웨이퍼(2)가 부착되도록 할 수 있다. In addition, the elastic guide portion 220 may be in contact with the upper jig (10). The elastic guide part 220 may come into contact with the upper jig 10 when the upper jig 10 is moved downward and elastically support the upper jig 10 . And, by the continuous movement of the upper jig 10, it is gradually moved downward so that the first wafer 1 and the second wafer 2 are attached.

한편, 상부 지그(10)가 하부 지그(20) 방향으로 이동되는 경우 상부 지그(10)가 탄성가이드부(220)와 맞닿게 되면, 상부 지그(10)를 하부 지그(20)로 가압하지 않고, 본더를 제1웨이퍼(1)와 제2웨이퍼(2) 사이에 도포하고, 열을 인가하여 본더가 제1웨이퍼(1)와 제2웨이퍼(2)를 부착할 수 있는 상태로 만들 수 있다. 이 때 가스가 발생될 수 있는데, 공간을 진공 상태로 만들어 가스를 제거할 수 있다. (당연하게도 상부 지그(10), 하부 지그(20)는 챔버 내에 위치되어 있으며, 챔버는 진공 펌프 등의 동작으로 인하여 진공 상태가 될 수 있음)On the other hand, when the upper jig 10 is moved in the direction of the lower jig 20 and the upper jig 10 comes into contact with the elastic guide part 220 , the upper jig 10 is not pressed with the lower jig 20 . , a bonder is applied between the first wafer 1 and the second wafer 2, and heat is applied to make the bonder in a state in which the first wafer 1 and the second wafer 2 can be attached. . At this time, gas may be generated, and the gas may be removed by creating a vacuum in the space. (Of course, the upper jig 10 and the lower jig 20 are located in the chamber, and the chamber may be in a vacuum state due to the operation of a vacuum pump, etc.)

그러면 제1웨이퍼(1)와 제2웨이퍼(2) 사이에 이물질(예를 들어 본더에서 발생된 가스)이 제거될 수 있다. 그 후 상부 지그(10)가 하부 지그(20) 방향으로 이동되어 제1웨이퍼(1)와 제2웨이퍼(2)가 본딩될 수 있다.
한편, 탄성가이드부(220)는 정렬부(230)와 함께 제2웨이퍼(2)의 위치를 얼라인할 수 있다.Then, foreign substances (eg, gas generated from the bonder) may be removed between the first wafer 1 and the second wafer 2 . Thereafter, the upper jig 10 may be moved in the direction of the lower jig 20 to bond the first wafer 1 and the second wafer 2 .
Meanwhile, the elastic guide unit 220 may align the position of the second wafer 2 together with the alignment unit 230 .

우선 탄성가이드부(220)를 살펴보면, 탄성가이드부(220)는 케이스부(221), 스프링부(222), 가이드부(223)를 포함할 수 있다. 케이스부(221)는 일측(상측)이 개방된 형태로 형성될 수 있으며, 제2베이스부(210)의 내측으로 함몰되어 배치될 수 있다. 케이스부(221)는 내부에 공간이 형성될 수 있다. 케이스부(221)의 내부에는 스프링부(222)가 배치될 수 있다. First, looking at the elastic guide part 220 , the elastic guide part 220 may include a case part 221 , a spring part 222 , and a guide part 223 . The case part 221 may be formed in an open shape at one side (upper side), and may be disposed by being depressed inside the second base part 210 . The case part 221 may have a space formed therein. A spring part 222 may be disposed inside the case part 221 .

케이스부(221)는 경사진 부분이 형성될 수 있다. 즉, 도 8에서 확인될 수 있듯이 케이스부(221)의 좌상측은 내측으로 함몰되어 경사질 수 있다. 케이스부(221)의 경사진 부분에는 조절볼트가 맞닿으며 배치될 수 있다. 조절볼트는 제2베이스부(210)에 인입될 수 있다. 따라서 조절볼트의 인입 정도에 따라 케이스부(221)는 제2베이스부(210)와 고정력이 변화될 수 있다.The case portion 221 may have an inclined portion. That is, as can be seen in FIG. 8 , the upper left side of the case part 221 may be inclined inwardly. An adjustment bolt may be disposed in contact with the inclined portion of the case portion 221 . The adjustment bolt may be introduced into the second base part 210 . Accordingly, the fixing force of the case part 221 and the second base part 210 may be changed according to the degree of retraction of the adjustment bolt.

스프링부(222)는 일측이 케이스부(221)의 일면과 맞닿아 고정될 수 있다. 케이스부(221)의 일측의 개방된 부분에는 단턱이 형성되어 케이스부(221)의 개방된 공간을 좁히는 형태일 수 있다. One side of the spring unit 222 may be fixed in contact with one surface of the case unit 221 . A stepped portion may be formed in an open portion of one side of the case unit 221 to narrow the open space of the case unit 221 .

가이드부(223)는 케이스부(221)의 일측에 배치되며, 스프링부(222)에 의하여 지지되는 형태로 배치될 수 있다. 가이드부(223)의 하측에는 함몰된 형태의 홈이 형성된다. 가이드부(223)의 홈에는 스프링부(222)가 일부 수용될 수 있다. 가이드부(223)에도 단턱이 형성될 수 있다. 가이드부(223)의 단턱은 방사방향으로 형성되므로 가이드부(223)의 직경을 크게 형성하는 형태일 수 있다. 따라서 가이드부(223)가 케이스부(221)에 배치되면 케이스부(221)의 단턱과 가이드부(223)의 단턱으로 인하여 가이드부(223)는 케이스부(221)에서 이탈되지 않는다.
또한, 가이드부(223)에는 상과 하를 연통하는 홀이 형성될 수 있다. 즉, 도 8에서 확인할 수 있듯이 가이드부(223)에는 상측에서 하측의 홈까지 길이방향을 따라 홀이 형성될 수 있다.The guide part 223 is disposed on one side of the case part 221 , and may be disposed in a form supported by the spring part 222 . A recessed groove is formed on the lower side of the guide part 223 . The spring part 222 may be partially accommodated in the groove of the guide part 223 . A step may also be formed in the guide part 223 . Since the step of the guide part 223 is formed in a radial direction, the guide part 223 may have a large diameter. Accordingly, when the guide part 223 is disposed on the case part 221 , the guide part 223 does not separate from the case part 221 due to the step of the case part 221 and the step of the guide part 223 .
In addition, the guide part 223 may be formed with a hole communicating the top and bottom. That is, as can be seen in FIG. 8 , a hole may be formed in the guide part 223 along the longitudinal direction from the upper side to the lower side groove.

가이드부(223)는 케이스부(221)에 회전 가능하게 배치될 수 있다. 즉, 가이드부(223)는 자전 가능하게 케이스부(221)에 배치될 수 있다. 즉, 가이드부(223)는 스프링부(222)에 안착되어 배치될 수 있다. 따라서 가이드부(223)는 제2웨이퍼(2)의 위치를 지지함과 동시에 정렬부(230)의 동작으로 제2웨이퍼(2)가 얼라인 되는 경우 제2웨이퍼(2)의 얼라인을 보조할 수 있다.The guide part 223 may be rotatably disposed on the case part 221 . That is, the guide part 223 may be disposed on the case part 221 to be rotatable. That is, the guide part 223 may be disposed to be seated on the spring part 222 . Accordingly, the guide unit 223 supports the position of the second wafer 2 and, at the same time, assists the alignment of the second wafer 2 when the second wafer 2 is aligned by the operation of the alignment unit 230 . can do.

정렬부(230)는 제2웨이퍼(2)의 일면을 밀어서 제2웨이퍼(2)의 위치를 정렬할 수 있다. 즉, 정렬부(230)가 제2웨이퍼(2)를 일측에서 밀면, 가이드부(223)는 제2웨이퍼(2)에 가해진 충격에 따라 제2웨이퍼(2)가 회전되는 경우 제2웨이퍼(2)의 움직임에 맞춰서 회전되며 제2웨이퍼(2)의 얼라인을 보조할 수 있다. 한편, 정렬부(230)를 살펴보기 전 제2웨이퍼(2)와, 제2베이스부(210)의 형태를 먼저 살펴볼 필요가 있다.The alignment unit 230 may align the position of the second wafer 2 by pushing one surface of the second wafer 2 . That is, when the alignment part 230 pushes the second wafer 2 from one side, the guide part 223 rotates the second wafer 2 according to the impact applied to the second wafer 2 ( It is rotated according to the movement of 2) and can assist in the alignment of the second wafer 2 . Meanwhile, before examining the alignment unit 230 , it is necessary to first look at the shapes of the second wafer 2 and the second base unit 210 .

제2웨이퍼(2)는 완전한 원형의 형상이 아닐 수 있다. 즉, 도 7에서 도시된 바와 같이 제2웨이퍼(2)는 플랫한 부분을 포함할 수 있다. 제2웨이퍼(2)의 이 형상은 원형을 수평한 커터로 절단한 형태로 형성될 수 있다. The second wafer 2 may not have a perfect circular shape. That is, as shown in FIG. 7 , the second wafer 2 may include a flat portion. This shape of the second wafer 2 may be formed by cutting a circle with a horizontal cutter.

제2베이스부(210)는 제2웨이퍼(2)의 형상에 대응되도록 형성될 수 있다. 즉, 제2웨이퍼(2)의 형상이 원형으로 형성된 부분과 플랫한 형상으로 형성된 부분으로 형성된 바와 같이, 제2베이스부(210)의 형상 역시 그와 같이 원형으로 형성된 부분과 플랫한 형상으로 형성된 부분으로 형성될 수 있다.The second base part 210 may be formed to correspond to the shape of the second wafer 2 . That is, just as the shape of the second wafer 2 is formed of a circular part and a flat part, the shape of the second base part 210 is also formed in a circular shape and a flat shape. It can be formed in parts.

그리고 제2베이스부(210)의 플랫하게 형성된 부분에는 정렬부(230)가 위치될 수 있는 정렬홈(211)이 형성될 수 있다. 정렬홈(211)에는 정렬부(230)가 탄성적으로 위치되어 제2웨이퍼(2)의 제2베이스부(210)에서의 위치를 얼라인할 수 있다. In addition, an alignment groove 211 in which the alignment unit 230 can be positioned may be formed in a flat portion of the second base unit 210 . The alignment part 230 is elastically positioned in the alignment groove 211 to align the position of the second wafer 2 in the second base part 210 .

정렬부(230)는 제1푸쉬부(231), 제2푸쉬부(232), 연결부(233), 하우징부(234), 스톱부(235)를 포함할 수 있다. 그리고 정렬부(230)는 전술한 탄성가이드부(220)를 포함할 수 있다. The alignment unit 230 may include a first push unit 231 , a second push unit 232 , a connection unit 233 , a housing unit 234 , and a stop unit 235 . And the alignment unit 230 may include the aforementioned elastic guide unit 220 .

하우징부(234)는 내부에 공간이 형성되며, 정렬홈(211)과 대향되는 위치에 고정적으로 배치될 수 있다. 제1푸쉬부(231)와 제2푸쉬부(232)는 하우징부(234)를 기준으로 대칭되게 배치될 수 있다. 제1푸쉬부(231)와 제2푸쉬부(232) 사이는 연결부(233)가 배치될 수 있다. 제1푸쉬부(231)와 제2푸쉬부(232)는 연결부(233)를 통하여 연결될 수 있다. 연결부(233)는 제1푸쉬부(231)의 힘을 제2푸쉬부(232)에 탄성적으로 전달하는 역할을 한다.The housing part 234 has a space therein, and may be fixedly disposed at a position opposite to the alignment groove 211 . The first push unit 231 and the second push unit 232 may be symmetrically disposed with respect to the housing unit 234 . A connection part 233 may be disposed between the first push part 231 and the second push part 232 . The first push unit 231 and the second push unit 232 may be connected through the connection unit 233 . The connection part 233 serves to elastically transmit the force of the first push part 231 to the second push part 232 .

즉, 제1푸쉬부(231)가 제2푸쉬부(232) 방향으로 이동되는 경우, 연결부(233)는 제1푸쉬부(231)가 미는 힘을 탄성적으로 제2푸쉬부(232)로 전달하여 제2푸쉬부(232)가 밀려 정렬홈(211)으로 이동되도록 할 수 있다. 이 때 제2푸쉬부(232)가 정렬홈(211)으로 이동되는 경우 제2웨이퍼(2)는 제2푸쉬부(232)와 맞닿아 정렬될 수 있다. 보다 정확하게는 제2푸쉬부(232)에 배치된 탄성가이드부(220)에 의하여 제2웨이퍼(2)는 얼라인될 수 있다. That is, when the first push unit 231 is moved in the direction of the second push unit 232 , the connection unit 233 elastically applies the force pushed by the first push unit 231 to the second push unit 232 . It can be transferred so that the second push unit 232 is pushed and moved to the alignment groove 211 . At this time, when the second push unit 232 is moved to the alignment groove 211 , the second wafer 2 may come into contact with the second push unit 232 to be aligned. More precisely, the second wafer 2 may be aligned by the elastic guide part 220 disposed on the second push part 232 .

이와 같이 탄성가이드부(220)를 제2푸쉬부(232)에 배치한 이유는 제2웨이퍼(2)도 제1웨이퍼(1)와 같이 정렬을 위하여 제2베이스부(210) 사이에 제2스페이서부(240)가 배치되어 제2베이스부(210)와 이격되어 위치되기 때문이다. 이를 위하여 제2스페이서부(240)를 먼저 살펴볼 필요가 있다.The reason why the elastic guide part 220 is disposed on the second push part 232 as described above is that the second wafer 2 is placed between the second base part 210 in order to align the second wafer 2 like the first wafer 1 . This is because the spacer part 240 is disposed to be spaced apart from the second base part 210 . For this, it is necessary to first look at the second spacer unit 240 .

제2스페이서부(240)는 고정부(241), 지지부(242), 접촉부(243)를 포함할 수 있다. 그리고 미도시되어 있으나 탄성부를 포함할 수 있다.The second spacer part 240 may include a fixing part 241 , a support part 242 , and a contact part 243 . And although not shown, it may include an elastic part.

고정부(241)는 탄성가이드부(220)의 케이스부(221)와 마찬가지의 형상으로 형성될 수 있다. 즉, 제2베이스부(210)의 내측으로 함몰되어 위치되며 일측이 개방되어 있고, 그 내부에는 공간이 형성되어 있다. 그리고 고정부(241)의 개방된 일측은 공간의 크기를 좁히도록 내측으로 단차져서 형성되어 있다.The fixing part 241 may be formed in the same shape as the case part 221 of the elastic guide part 220 . That is, the second base portion 210 is located recessed inside, one side is open, and a space is formed therein. And the open side of the fixing part 241 is formed to be stepped inside to narrow the size of the space.

고정부(241)의 내부에는 탄성부가 추가적으로 배치될 수 있다. 탄성부도 전술한 스프링부(222)와 유사하게 탄성적으로 지지하는 역할을 한다. 고정부(241)의 개방된 일측에는 접촉부(243)가 배치된다. 접촉부(243)는 전술한 가이드부(223)와 마찬가지로 고정부(241)의 내부에 위치되고, 방사방향으로 단차진 부분이 형성되어 고정부(241) 내에서 탄성부에 의하여 지지되며 제1베이스부(110)와 맞닿게 되는 경우 하측으로 이동될 수 있다.An elastic part may be additionally disposed inside the fixing part 241 . The elastic part also serves to elastically support the spring part 222 similarly to the above-described spring part 222 . A contact part 243 is disposed on one open side of the fixing part 241 . The contact part 243 is located inside the fixing part 241 like the guide part 223 described above, a radially stepped part is formed, is supported by the elastic part in the fixing part 241, and is supported by the first base. When it comes into contact with the part 110, it may be moved downward.

접촉부(243)는 일측이 개방되어 있다. 즉, 접촉부(243)의 개방된 공간을 연결하면 'ㄱ'의 형태로 형성될 수 있다. 접촉부(243)의 하측을 제1개방부, 그리고 이 제1개방부와 교차되는 부분을 제2개방부라고 명명하면, 제2개방부는 제2베이스부(210)의 중심을 향하도록 배치된다. 그리고 제2개방부에 일부 돌출되도록 지지부(242)가 배치될 수 있다. One side of the contact part 243 is open. That is, when the open space of the contact part 243 is connected, it may be formed in the shape of 'a'. If the lower side of the contact part 243 is called a first opening part, and a portion intersecting the first opening part is called a second opening part, the second opening part is arranged to face the center of the second base part 210 . In addition, the support part 242 may be disposed to partially protrude from the second opening part.

지지부(242)는 일단부가 접촉부(243)와 탄성적으로 연결되어 있다. 지지부(242)의 단부는 제2개방부를 통하여 접촉부(243)의 외측으로 배치되어 있다. 따라서 제2웨이퍼(2)가 로딩되어 배치되는 경우 지지부(242)의 단부에 제2웨이퍼(2)가 걸리는 형태로 배치될 수 있다.One end of the support part 242 is elastically connected to the contact part 243 . The end of the support part 242 is disposed outside the contact part 243 through the second opening. Therefore, when the second wafer 2 is loaded and disposed, the second wafer 2 may be disposed so that the end of the support part 242 is caught.

지지부(242)는 접촉부(243)의 이동에 따라 제2베이스부(210)의 중심에서 방사방향, 즉, 멀어지는 방향으로 이동될 수 있다. 즉, 접촉부(243)가 하측으로 이동되면 지지부(242)는 접촉부(243)와 연결된 부분을 축으로 하여 접촉부(243)의 내측으로 점진적으로 이동될 수 있다. 반대로 접촉부(243)가 상측으로 이동되는 경우 지지부(242)는 점진적으로 위치가 복원될 수 있다. The support part 242 may be moved in a radial direction, that is, away from the center of the second base part 210 according to the movement of the contact part 243 . That is, when the contact part 243 is moved downward, the support part 242 may be gradually moved to the inside of the contact part 243 with the portion connected to the contact part 243 as an axis. Conversely, when the contact part 243 is moved upward, the position of the support part 242 may be gradually restored.

제2스페이서부(240)는 위와 같은 구조로 형성되어 접촉부(243)가 하측으로 이동되기 전까지는 제2웨이퍼(2)를 지지부(242)가 지지한다. 이로 인하여 제2웨이퍼(2)가 제2베이스부(210)와 이격되어 배치되고, 탄성가이드부(220)의 가이드부(223)에 의하여 지지될 수 있다. 즉, 제2웨이퍼(2)는 가압되기 전까지 제2베이스부(210)와 이격되어 배치되므로, 정렬부(230)가 동작되어 제2웨이퍼(2)와 맞닿을 때 제2웨이퍼(2)는 위치가 변경되거나 회전되며 얼라인될 수 있다.The second spacer part 240 is formed in the same structure as above, and the support part 242 supports the second wafer 2 until the contact part 243 moves downward. For this reason, the second wafer 2 may be disposed to be spaced apart from the second base part 210 , and may be supported by the guide part 223 of the elastic guide part 220 . That is, since the second wafer 2 is disposed to be spaced apart from the second base part 210 before being pressed, when the alignment part 230 is operated and abuts against the second wafer 2, the second wafer 2 is It can be repositioned, rotated and aligned.

다시 정렬부(230)를 살펴보면, 정렬부(230)가 정렬홈(211)에 위치되면 제2웨이퍼(2)는 제2베이스부(210)와 이격되어 배치되는 바, 제2웨이퍼(2)와 정렬부(230)의 제2푸쉬부(232)가 맞닿지 않게 되는데, 이를 위하여 제2푸쉬부(232)에는 탄성가이드부(220)가 배치될 수 있다. Referring back to the alignment unit 230 , when the alignment unit 230 is positioned in the alignment groove 211 , the second wafer 2 is disposed to be spaced apart from the second base unit 210 , the second wafer 2 . and the second push unit 232 of the alignment unit 230 do not come into contact with each other. For this purpose, an elastic guide unit 220 may be disposed in the second push unit 232 .

그러므로 제2푸쉬부(232)가 이동되는 경우 제2푸쉬부(232)의 탄성가이드부(220)가 제2웨이퍼(2)의 플랫한 부분과 맞닿으며 제2웨이퍼(2)의 위치를 가이드할 수 있다. 이 경우 전술한 바와 같이 탄성가이드부(220)의 가이드부(223)는 제2웨이퍼(2)의 움직임에 따라 회전되며, 제2웨이퍼(2)의 얼라인을 보조할 수 있다. Therefore, when the second push part 232 is moved, the elastic guide part 220 of the second push part 232 comes into contact with the flat part of the second wafer 2 and guides the position of the second wafer 2 . can do. In this case, as described above, the guide part 223 of the elastic guide part 220 rotates according to the movement of the second wafer 2 , and may assist in the alignment of the second wafer 2 .

한편, 제1푸쉬부(231)의 측면에는 스톱부(235)가 배치될 수 있다. 스톱부(235)는 제1푸쉬부(231)의 일측에 힌지 연결되며, 'ㄱ'의 형상으로 형성된다. 스톱부(235)가 일방향으로 배치된 경우에는 제1푸쉬부(231)의 움직임을 방해하지 않으나, 회전되어 타방향으로 배치된 경우 하우징부(234)와 맞닿게 된다. 이 경우 제1푸쉬부(231)는 더 이상 움직이지 않으며, 제1푸쉬부(231)가 움직이지 않으므로, 제2푸쉬부(232)도 더 이상 움직이지 않게 된다. 제2웨이퍼(2)가 얼라인된 경우 이를 통하여 정렬부(230)는 동작을 중지하게 되며, 제2푸쉬부(232)도 정렬홈(211)에서 이격된 위치에 위치된 채 움직이지 않을 수 있다.Meanwhile, a stop part 235 may be disposed on a side surface of the first push part 231 . The stop part 235 is hingedly connected to one side of the first push part 231 and is formed in the shape of 'a'. When the stop part 235 is disposed in one direction, it does not interfere with the movement of the first push part 231 , but when it is rotated and disposed in the other direction, it comes into contact with the housing part 234 . In this case, the first push unit 231 does not move any more, and since the first push unit 231 does not move, the second push unit 232 does not move any more. When the second wafer 2 is aligned, the aligning unit 230 stops the operation through this, and the second push unit 232 may not move while being located at a position spaced apart from the alignment groove 211 . there is.

이와 같이 정렬부(230)가 동작되어 제2웨이퍼(2)가 제2베이스부(210)에 얼라인된 경우 제1베이스부(110)가 하측으로 이동될 때 탄성가이드부(220)와 제2스페이서부(240)의 동작을 살펴보도록 하면, 제1베이스부(110)와 제2스페이서부(240)의 접촉부(243), 그리고 가이드부(223)가 맞닿게 된다. 제1베이스부(110)가 하측으로 천천히 점진적으로 이동될수록 접촉부(243)와 가이드부(223)는 제2베이스부(210)의 내측으로 이동되게 되고, 그에 따라 지지부(242)는 회동되며 접촉부(243) 내부로 인입되게 된다.As described above, when the alignment unit 230 is operated to align the second wafer 2 with the second base unit 210 , the elastic guide unit 220 and the first base unit 110 move downward when the first base unit 110 is moved downward. When looking at the operation of the second spacer part 240 , the contact part 243 of the first base part 110 , the second spacer part 240 , and the guide part 223 come into contact with each other. As the first base part 110 is slowly and gradually moved downward, the contact part 243 and the guide part 223 are moved to the inside of the second base part 210 , and accordingly the support part 242 is rotated and the contact part (243) is introduced into the interior.

제1베이스부(110)가 점점 하측으로 이동될수록 지지부(242)는 접촉부(243) 내부로 회동되며 들어가고, 가이드부(223) 역시 제2베이스부(210)의 내측으로 이동되게 되며, 제2웨이퍼(2)는 제2베이스부(210)에 정렬된 채 위치되게 되고, 제1웨이퍼(1)의 일면과 제2웨이퍼(2)의 타면과 맞닿게 되며, 본딩되게 된다.As the first base part 110 is gradually moved downward, the support part 242 is rotated and entered into the contact part 243 , and the guide part 223 is also moved to the inside of the second base part 210 , and the second The wafer 2 is positioned aligned with the second base part 210 , and comes into contact with one surface of the first wafer 1 and the other surface of the second wafer 2 , and is bonded.

또한, 제2베이스부(210)에는 고정가이드부(250)가 배치될 수 있다. 고정가이드부(250)는 제2베이스부(210)의 둘레를 따라서 배치되되, 제1베이스부(110)의 둘레와 맞닿는다. 즉, 고정가이드부(250)는 하측으로 이동되는 제1베이스부(110)의 둘레와 맞닿아 제1베이스부(110)의 위치를 가이드할 수 있다.In addition, the fixing guide part 250 may be disposed on the second base part 210 . The fixing guide part 250 is disposed along the circumference of the second base part 210 , and is in contact with the circumference of the first base part 110 . That is, the fixed guide part 250 may be in contact with the circumference of the first base part 110 moving downward to guide the position of the first base part 110 .

이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.In the above, an embodiment of the present invention has been described, but those of ordinary skill in the art can add, change, delete or add components within the scope that does not depart from the spirit of the present invention described in the claims. It will be possible to variously modify and change the present invention by, etc., which will also be included within the scope of the present invention.

본 발명은 특정한 실시 예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 특허청구범위에 의해 제공되는 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 한도 내에서, 본 발명이 다양하게 개량 및 변화될 수 있다는 것은 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명할 것이다.Although the present invention has been shown and described in relation to specific embodiments, it is within the art that the present invention can be variously improved and changed without departing from the spirit of the present invention provided by the following claims. It will be obvious to those of ordinary skill in the art.

1 : 제1웨이퍼
2 : 제2웨이퍼
10 : 상부 지그
110 : 제1베이스부
111 : 제1플랫부
112 : 제2플랫부
120 : 제1스페이서부
130 : 얼라인부
20 : 하부 지그
210 : 제2베이스부
211 : 정렬홈
220 : 탄성가이드부
221 : 케이스부
222 : 스프링부
223 : 가이드부
230 : 정렬부
231 : 제1푸쉬부
232 : 제2푸쉬부
233 : 연결부
234 : 하우징부
235 : 스톱부
240 : 제2스페이서부
241 : 고정부
242 : 지지부
243 : 접촉부
250 : 고정가이드부1: first wafer
2: second wafer
10: upper jig
110: first base part
111: first flat part
112: second flat part
120: first spacer part
130: align part
20: lower jig
210: second base part
211: alignment groove
220: elastic guide part
221: case part
222: spring part
223: guide unit
230: alignment unit
231: first push unit
232: second push unit
233: connection part
234: housing part
235: stop part
240: second spacer part
241: fixed part
242: support
243: contact
250: fixed guide part

Claims

an upper jig including a first base on which the first wafer can be seated and capable of moving up and down;
A second base portion on which a second wafer can be seated and a second base portion are disposed along the periphery on one surface of the second base portion, abutting the periphery of the second wafer to align the position of the wafer, and the upper jig abutting and pressing Including an elastic guide part that is elastically supported and pressurized when
The first base part includes a plurality of PDMS to which the first wafer can be adhered, a first flat part that can be moved up and down from one side of the PDMS to move the PDMS and is formed flat, and the PDMS is disposed in the center. A plurality of first holes that can be formed are formed, and a second flat part communicating with the first hole on one side and having a second hole in which the first flat part can be disposed is formed,
The elastic guide part is recessed and fixed to the inside of the second base part, a case part formed with an upper part inclined in a diagonal direction, a spring part disposed in the case part, a groove is formed to accommodate a part of the spring part, and a longitudinal direction A hole is formed along the to communicate and includes a guide part supported by a partially accommodated spring part,
The inclined portion of the case portion is in contact with an adjustment bolt capable of adjusting the depression position of the second base portion, so that the fixing force of the case portion depression can be adjusted.
The guide part is rotatably supported by the spring part,
A jig for wafer bonding disposed along the periphery of the second base part and spaced apart in a radial direction from the distance between the center of the second base part and the elastic guide part and including a fixing guide part in contact with the circumference of the upper jig.

delete

According to claim 1,
A second spacer portion disposed between the second base portion and the second wafer to form a spaced apart space is formed around the second base portion
Wafer bonding jig, characterized in that.

6. The method of claim 5,
The second spacer part
As the upper jig is pressed, the lower side of the second base and moving in the radial direction
Wafer bonding jig, characterized in that.

According to claim 1,
An alignment part that moves in the direction of the second base part and comes into contact with the second wafer and aligns the position of the second wafer is disposed at a position horizontal to the second base part
Wafer bonding jig, characterized in that.