KR101591088B1 - Heat processing apparatus - Google Patents

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고이치 마츠모토
야와라 모리오카
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가부시키가이샤 알박
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Abstract

과제assignment

저비용으로 제조할 수 있고, 고효율로 기판을 양호하게 가열 처리할 수 있는 가열 처리 장치를 제공한다.Provided is a heat treatment apparatus which can be manufactured at a low cost and can heat-process a substrate with high efficiency.

해결 수단Solution

관통 구멍 (24) 을 갖는 복수의 챔버 부재 (25) 로 이루어지고, 인접하는 챔버 부재 (25) 의 적어도 일방에, 타방과의 맞닿음면의 관통 구멍 (24) 의 개구부 주위에 걸쳐 연속하여 홈부 (27) 가 형성되고, 각 챔버 부재 (25) 가, 홈부 (27) 에 장착된 시일 부재 (26) 를 개재하여 각각 밀접한 상태에서 고정되고, 복수의 관통 구멍 (24) 으로 구성되는 처리 공간 (A) 을 갖는 챔버 본체 (21) 와, 처리 공간 (A) 을 막는 벽면 부재 (22) 및 덮개 부재 (23) 를 구비하는 진공 챔버 (20) 와, 처리 공간 (A) 내에 배치되고 기판 (S) 을 지지하는 지지 부재 (30) 와, 기판 (S) 을 방사열에 의해 가열하는 가열 수단 (40) 을 구비하는 구성으로 한다.Wherein at least one of the adjacent chamber members has a through hole and a plurality of chamber members which are continuous with each other around the opening of the through hole in the contact face with the other, And each chamber member 25 is fixed in a state close to each other via a seal member 26 mounted on the groove portion 27 and has a through hole 24 A vacuum chamber 20 having a wall member 22 and a lid member 23 for closing the process space A and a vacuum chamber 20 disposed in the process space A and having a substrate S , And a heating means (40) for heating the substrate (S) by radiant heat.

챔버 부재, 홈부, 진공 챔버, 지지 부재, 가열 수단 Chamber member, groove portion, vacuum chamber, supporting member, heating means

Description

가열 처리 장치{HEAT PROCESSING APPARATUS}[0001] HEAT PROCESSING APPARATUS [0002]

본 발명은, 기판을 진공 상태에서 가열하는 가열 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a heat treatment apparatus for heating a substrate in a vacuum state.

액정 디스플레이 등의 각종 장치를 제조할 때에는, 예를 들어, 기판의 탈기 처리 등, 진공하에서 기판을 가열 처리하는 공정이 필요해진다. 최근의 각종 장치의 대형화에 수반하여, 처리하는 기판의 대형화가 진행되고 있다. 예를 들어, 액정 디스플레이의 경우, 11 세대 (3000㎜ × 3320㎜) 사이즈의 유리 기판이 사용되도록 되어 왔다. 이 때문에, 기판을 가열 처리하는 가열 처리 장치의 진공 챔버도 대형화할 필요가 있다.In manufacturing various devices such as a liquid crystal display, a step of heating the substrate under vacuum, for example, a degassing process of the substrate is required. Background Art [0002] With the recent enlargement of various types of apparatuses, the size of a substrate to be processed is increasing. For example, in the case of a liquid crystal display, a 11th generation (3000 mm x 3320 mm) glass substrate has been used. For this reason, it is necessary to increase the size of the vacuum chamber of the heat treatment apparatus for heating the substrate.

여기서, 진공 챔버는, 예를 들어, 알루미늄 블록을 깎아냄으로써 형성된다. 그러나, 대형 기판에 대응한 진공 챔버를 알루미늄 블록에 의해 형성하면, 전용의 대형 절삭 가공 장치가 필요해지는 등, 진공 챔버 자체의 제작비가 비싸진다.Here, the vacuum chamber is formed by, for example, carving out an aluminum block. However, when a vacuum chamber corresponding to a large substrate is formed by an aluminum block, a dedicated large-sized cutting device is required, and the production cost of the vacuum chamber itself becomes high.

이와 같은 제조 비용의 고등을 억제하기 위해, 예를 들어, 분할된 복수 개의 구성 부재가 용접에 의해 접합된 프레임상의 측벽부와, 이 측벽부에 대하여 볼트에 의해 고정되는 바닥판 및 덮개판으로 구성되는 진공 챔버가 알려져 있다 (예를 들어, 일본 공개특허공보 평8-64542호 참조).In order to suppress such a high manufacturing cost, for example, a plurality of divided component members are constituted by a side wall portion on a frame joined by welding, and a bottom plate and a cover plate fixed by bolts to the side wall portion (See, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-64542).

그러나, 대기 상태와 저압 상태를 반복하여 실시하기 위한 가열 처리 장치에, 상기 공보에 기재된 바와 같이 구성 부재가 용접에 의해 접합된 구조의 진공 챔버를 채용한 경우, 용접 부분으로부터 리크 (leak) 가 발생하기 쉽다는 문제가 있다.However, when a vacuum chamber having a structure in which constituent members are welded to each other is employed in a heat treatment apparatus for repeatedly performing the standby state and the low-pressure state, a leak occurs from the welded portion There is a problem that it is easy to do.

또한, 프레임상의 측벽부만을 복수로 분할한다 하더라도, 바닥판 및 덮개판을 처리 장치의 설치 장소까지 수송하기 위해서는, 대형 트레일러 등의 수송 수단이 필요해져 불편하고, 또한 그 사이즈나 중량에 따라서는 법령 등의 제한을 받아 수송할 수 없다는 문제가 있다.In addition, even if only the side wall portion on the frame is divided into a plurality of parts, transportation means such as a large trailer is required to transport the bottom plate and the cover plate to the installation place of the processing apparatus. There is a problem in that it can not be transported.

그런데, 기판의 탈기 처리 등을 실시하는 가열 처리 장치에서는, 다수 장의 대형 기판을 동시에 처리하기 위해, 1 개의 처리 공간을 갖는 각 진공 챔버를 쌓아올리고 고정시켜, 다단의 처리 공간을 갖도록 구성한 진공 챔버를 사용하는 경우가 있다. 이 경우, 각 진공 챔버의 벽부는, 진공 상태로 한 처리 공간 내와 외부의 압력차에 의한 변형이 발생하지 않을 정도로 두껍게 형성할 필요가 있기 때문에, 진공 챔버의 높이가 높아진다. 이 때문에, 다단의 진공 챔버는 설치 장소가 한정되고, 또한 제조 재료가 많아진다는 문제도 있다.However, in the heat treatment apparatus for performing the degassing treatment of the substrate, in order to simultaneously process a large number of large substrates, each of the vacuum chambers having one processing space is stacked and fixed and a vacuum chamber configured to have a multi- May be used. In this case, since the wall portions of the respective vacuum chambers must be formed thick enough not to cause deformation due to a pressure difference between the inside and the outside of the processing space in a vacuum state, the height of the vacuum chamber becomes high. For this reason, there is a problem that the location of the multi-stage vacuum chamber is limited and the manufacturing material is increased.

또한 가열 처리 장치에 있어서는, 예를 들어, 진공 챔버 내에 설치된 핫 플레이트 등의 가열 수단 상에 기판을 탑재하여 가열하고 있다. 이와 같은 진공 챔버 내로의 기판의 반송은 일반적으로 로봇 암 등에 의해 실시되는데, 이 때문에, 예를 들어, 기판을 승강시키는 승강 기구 등의 특수한 기구가 필요해져, 비용이 증가된다는 문제가 있다.In the heat treatment apparatus, for example, a substrate is mounted on heating means such as a hot plate provided in a vacuum chamber and heated. Such a transfer of the substrate into the vacuum chamber is generally performed by a robot arm or the like. Therefore, for example, a special mechanism such as a lifting mechanism for lifting and lowering the substrate is required, which increases the cost.

본 발명은 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 저비용으로 제조할 수 있고, 고효율로 기판을 양호하게 가열 처리할 수 있는 가열 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus which can be manufactured at low cost and which can heat-process a substrate with high efficiency.

상기 과제를 해결하는 본 발명은, 기판을 삽입할 수 있도록 형성된 관통 구멍을 갖는 블록상의 복수의 챔버 부재로 이루어지고, 인접하는 챔버 부재의 적어도 일방에, 타방과의 맞닿음면의 상기 관통 구멍의 개구부 주위에 걸쳐 연속하여 홈부가 형성되고, 각 챔버 부재가, 상기 홈부에 장착된 시일 부재를 개재하여 각각 밀접한 상태에서 고정되고, 복수의 관통 구멍으로 구성되는 처리 공간을 갖는 챔버 본체와, 상기 처리 공간의 일방의 개구를 밀봉하는 벽면 부재와, 상기 처리 공간의 타방의 개구를 개폐할 수 있도록 막는 덮개 부재를 구비하는 진공 챔버와, 상기 처리 공간 내에 배치되고 상기 기판을 지지하는 지지 부재와, 그 지지 부재에 지지된 상기 기판에 서로 대향하여 설치되고 당해 기판을 방사열에 의해 가열하는 가열 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 가열 처리 장치에 있다.According to a first aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: a plurality of chamber members on a block having through holes formed therein for inserting a substrate, wherein at least one of the adjacent chamber members has a through- A chamber body having a continuous groove formed around the opening and each chamber member being fixed in close contact with each other via a seal member mounted on the groove and having a processing space formed of a plurality of through holes, A vacuum chamber having a wall member for sealing one opening of the space and a lid member for opening and closing the other opening of the processing space; a supporting member disposed in the processing space and supporting the substrate; And a heating means provided on the substrate supported by the support member so as to face each other and heating the substrate by radiant heat, In the heat treatment apparatus as.

이러한 본 발명에서는, 진공 챔버를 구성하는 챔버 부재가 컴팩트화되기 때문에, 반송이나 설치가 용이해진다. 또한, 지지 부재에 지지된 기판이 가열 수단의 방사열에 의해 가열되기 때문에, 기판의 반송이 용이해지고, 가열 처리의 스루풋이 향상된다.In the present invention, since the chamber member constituting the vacuum chamber is made compact, the conveyance and installation can be facilitated. Further, since the substrate supported by the supporting member is heated by the radiant heat of the heating means, the substrate is easily transported, and the throughput of the heating process is improved.

여기서, 상기 챔버 부재 각각에는, 그 높이 방향을 따라 상기 관통 구멍이 소정 간격으로 복수 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이로써, 진공 챔버가 보다 컴팩트화되기 때문에, 제조 재료가 적어도 되어, 비용의 삭감을 도모할 수 있다.Here, it is preferable that a plurality of the through holes are formed in each of the chamber members along a height direction thereof at predetermined intervals. Thereby, since the vacuum chamber becomes more compact, the manufacturing material is reduced, and the cost can be reduced.

또한 상기 가열 수단의 표면에 방사 효율을 높이는 재료를 함유하는 피복막이 형성되어 있거나, 또는 상기 가열 수단 상에 방사 효율을 높이는 재료로 형성된 피복판이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이로써, 가열 수단의 방사열에 의한 기판의 가열 효과가 높아져, 기판을 양호하게 가열할 수 있다.It is also preferable that a coating film containing a material for enhancing the radiation efficiency is formed on the surface of the heating means, or a cover plate formed of a material for enhancing the radiation efficiency is formed on the heating means. As a result, the heating effect of the substrate by the radiant heat of the heating means is enhanced, and the substrate can be heated well.

또한 상기 가열 수단이, 가열원으로서의 시스 히터를 갖는 것이 바람직하다. 이로써, 가열 수단의 방사열에 의해 기판을 보다 양호하게 가열할 수 있다.It is preferable that the heating means has a sheath heater as a heating source. Thereby, the substrate can be heated more favorably by the radiated heat of the heating means.

상기 지지 부재는, 예를 들어, 상기 챔버 부재에 봉형상의 베이스 부재와 그 베이스 부재 상에 세워 설치된 복수의 기판 지지핀으로 구성되어 있다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 처리 공간 내에서 기판을 양호하게 지지할 수 있다.The support member is constituted by, for example, a bar-shaped base member and a plurality of substrate support pins erected on the base member in the chamber member. With this configuration, the substrate can be well supported in the processing space.

또한 지지 부재가 베이스 부재와 기판 지지핀으로 구성되어 있는 경우, 상기 베이스 부재가, 그 축 방향의 복수 지점에 굴곡 가능한 힌지부를 갖도록 해도 된다. 이로써, 지지 부재의 취급이 용이해져, 유지보수 작업 등에 있어서의 안전성이나 작업성이 향상된다.When the support member is constituted by the base member and the substrate support pin, the base member may have a hinge portion capable of bending at a plurality of points in the axial direction. As a result, the handling of the support member is facilitated, and safety and workability in maintenance work and the like are improved.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 가열 처리 장치는, 비교적 저비용으로 제조할 수 있다. 또한, 가열 처리의 스루풋, 요컨대 처리 효율을 향상시키면서 기판을 양호하게 가열 처리할 수 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, the heat treatment apparatus of the present invention can be manufactured at a relatively low cost. Further, the substrate can be satisfactorily heat-treated while improving the throughput of the heat treatment, that is, the treatment efficiency.

이하, 본 발명의 실시형태에 대해 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.

도 1 은 일 실시형태에 관련된 가열 처리 장치의 단면도이다. 도 2 는 챔버 본체의 구성을 나타내는 모식적 사시도이고, 도 3 은 챔버 부재의 구성을 나타내는 모식도이며, 도 4 는 처리 공간의 내부를 나타내는 모식도이다.1 is a cross-sectional view of a heat treatment apparatus according to an embodiment. Fig. 2 is a schematic perspective view showing the configuration of the chamber body, Fig. 3 is a schematic view showing the configuration of the chamber member, and Fig. 4 is a schematic view showing the inside of the processing space.

도 1 에 나타내는 바와 같이, 가열 처리 장치 (10) 는, 기판 (S) 을 가열 처리하기 위한 처리 공간 (A) 을 갖는 진공 챔버 (20) 와, 처리 공간 (A) 내에서 기판 (S) 을 지지하는 지지 부재 (30) 와, 기판 (S) 을 가열하는 가열 수단 (40) 을 구비한다. 이 가열 처리 장치 (10) 는, 예를 들어, 기판 (S) 을 가열 처리함으로써 탈기 처리를 실시할 때에 사용된다.1, the heat treatment apparatus 10 includes a vacuum chamber 20 having a processing space A for heat-treating a substrate S, a vacuum chamber 20 for supplying a substrate S in the processing space A, (30) for supporting the substrate (S), and a heating means (40) for heating the substrate (S). This heat treatment apparatus 10 is used, for example, in performing the degassing treatment by heat-treating the substrate (S).

진공 챔버 (20) 는, 처리 공간 (A) 이 형성된 챔버 본체 (21) 와, 처리 공간 (A) 의 개구를 막는 벽면 부재 (22) 및 덮개 부재 (23) 로 구성되어 있다.The vacuum chamber 20 is constituted by a chamber main body 21 in which a processing space A is formed and a wall member 22 and a lid member 23 which block the opening of the processing space A.

챔버 본체 (21) 는, 기판 (S) 을 삽입할 수 있도록 형성된 관통 구멍 (24) 을 갖는 블록상 (대략 직육면체상) 의 복수의 챔버 부재 (25) 로 구성되어 있다. 관통 구멍 (24) 은, 챔버 본체 (21) 의 서로 대향하는 1 쌍의 벽면에 각각 개구된다. 이들 챔버 부재 (25) 는, 관통 구멍 (24) 이 개구되는 벽면끼리를 각각 밀접시킨 상태에서 고정되어 있다. 그리고, 각 챔버 부재 (25) 에 형성된 관통 구멍 (24) 이 각각 연통되어, 이들 복수의 관통 구멍 (24) 으로 처리 공간 (A) 이 구획 형성되어 있다.The chamber main body 21 is constituted by a plurality of chamber members 25 on a block-like (substantially rectangular parallelepiped) shape having a through hole 24 formed so as to allow the substrate S to be inserted therein. The through holes 24 are respectively opened in a pair of wall surfaces of the chamber body 21 facing each other. These chamber members 25 are fixed in a state in which the wall surfaces on which the through holes 24 are opened are in close contact with each other. The through holes 24 formed in the respective chamber members 25 are communicated with each other, and the processing space A is partitioned by the plurality of through holes 24. [

각 챔버 부재 (25) 의 각각에는, 복수 (본 실시형태에서는, 5 개) 의 관통 구멍 (24) 이 챔버 부재 (25) 의 높이 방향 (도면 중 상하 방향) 을 따라 소정 간격으로 복수 형성되어 있다. 요컨대 챔버 본체 (21) 는, 처리 공간 (A) 을 다단으로 갖는다.A plurality of (five in this embodiment) through-holes 24 are formed in each of the chamber members 25 at predetermined intervals along the height direction (vertical direction in the figure) of the chamber member 25 . In other words, the chamber body 21 has the processing space A in multiple stages.

도 2 에 나타내는 예에서는, 관통 구멍 (24) 이 형성된 챔버 부재 (25) 를 가로로 6 개씩 나열하여 각각 고정시킴으로써 6 개의 관통 구멍 (24) 으로 구성되는 처리 공간 (A) 이 5 단으로 형성되어 있다. 그리고, 이와 같이 처리 공간 (A) 이 5 단으로 형성된 각 챔버 부재 (25) 를 세로로 2 개 포개어 쌓음으로써 10 단의 처리 공간 (A) 을 갖는 챔버 본체 (21) 가 형성되어 있다. 즉, 본 실시형태에 관련된 챔버 본체 (21) 는, 전부 12 개의 챔버 부재 (25) 로 이루어진다. 또한 포개어 쌓인 각 챔버 부재 (25) 끼리는 반드시 고정되어 있을 필요는 없지만, 어긋남 방지를 위해 볼트 등으로 고정되어 있는 것이 바람직하다.In the example shown in Fig. 2, the processing space A composed of the six through holes 24 is formed in five stages by arranging the chamber members 25 each having the through-holes 24 arranged in six by six lines have. The chamber body 21 having the 10-stage processing space A is formed by vertically stacking the two chamber members 25 formed in five stages of the processing space A in this manner. That is, the chamber body 21 according to the present embodiment comprises twelve chamber members 25 in total. In addition, the chambers 25 are not always required to be fixed, but they are preferably fixed with bolts or the like to prevent the chambers 25 from being displaced.

이와 같은 진공 챔버 (20) 를 구성하는 각 챔버 본체 (21) 는, 예를 들어, 가로 × 안쪽 길이 (기판 반송 방향) × 높이가 3200㎜ × 3600㎜ × 2200㎜ 정도인데 반해, 각 챔버 부재 (25) 는, 예를 들어, 가로 × 안쪽 길이 × 높이가 3200㎜ × 600㎜ × 2200㎜ 정도로 매우 컴팩트하고 중량도 비교적 가벼워진다. 따라서, 대형이고 특수한 수송 수단을 사용하지 않고 챔버 본체 (21) (챔버 부재 (25)) 를 비교적 용이하게 수송할 수 있다. 요컨대, 소정 수의 챔버 부재 (25) 를 가열 처리 장치 (10) 의 설치 장소까지 수송하고, 그곳에서 조립함으로써 임의의 대형 챔버 본체 (21) 를 제조할 수 있다.Each of the chamber bodies 21 constituting the vacuum chamber 20 has a width x inner length (substrate transport direction) x height of about 3200 mm x 3600 mm x 2200 mm, for example, 25, for example, is very compact with a width x inner length x height of about 3200 mm x 600 mm x 2200 mm, and the weight is comparatively light. Therefore, the chamber body 21 (the chamber member 25) can be relatively easily transported without using a large and special transportation means. In short, any large chamber body 21 can be manufactured by transporting a predetermined number of chamber members 25 to the installation site of the heat treatment apparatus 10 and assembling them there.

또한 챔버 부재 (25) 의 제조 방법은 특별히 한정되지 않지만, 챔버 부재 (25) 는, 예를 들어, 알루미늄이나 스테인리스 등의 금속 블록을 깎아냄으로써 제조된다.The method of manufacturing the chamber member 25 is not particularly limited. However, the chamber member 25 is manufactured by, for example, carving out a metal block such as aluminum or stainless steel.

벽면 부재 (22) 는, 챔버 본체 (21) 의 처리 공간 (A) 이 개구되는 일방의 벽면 (21a) 에 고정되고, 덮개 부재 (23) 는, 챔버 본체 (21) 의 처리 공간 (A) 이 개구되는 타방의 벽면 (21b) 에 개폐 가능하게 고정되어 있다. 본 실시형태에서는, 이들 벽면 부재 (22) 및 덮개 부재 (23) 는 각 처리 공간 (A) 에 대응하여 각각 형성되어 있다.The wall member 22 is fixed to one wall surface 21a of the chamber main body 21 where the processing space A is opened and the lid member 23 is fixed to the processing space A of the chamber main body 21 And is openably and closably fixed to the other wall surface 21b which is opened. In the present embodiment, the wall members 22 and the lid member 23 are formed corresponding to the processing spaces A, respectively.

또한, 이들 각 벽면 부재 (22) 및 덮개 부재 (23) 와 챔버 본체 (21) (챔버 부재 (25)) 의 사이, 그리고 각 챔버 부재 (25) 의 사이에는, O 링 등의 시일 부재 (26) 가 형성되어 있다. 구체적으로는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 각 챔버 부재 (25) 의 관통 구멍 (24) 이 개구되는 적어도 일방의 벽면에는, 관통 구멍 (24) 의 주위에 걸쳐 연속되는 홈부 (27) 가 형성되어 있고, 이 홈부 (27) 에 시일 부재 (26) 가 장착되어 있다. 이로써, 벽면 부재 (22) 및 덮개 부재 (23) 와 챔버 본체 (21) (챔버 부재 (25)) 의 사이, 그리고 각 챔버 부재 (25) 의 사이가 확실하게 밀봉된다.A sealing member 26 such as an O-ring is provided between each of the wall members 22 and the lid member 23 and between the chamber main body 21 (chamber member 25) and each chamber member 25 Is formed. Concretely, as shown in Fig. 3, at least one wall surface of each chamber member 25 through which the through hole 24 is opened is provided with a groove portion 27 continuous over the periphery of the through hole 24 And a seal member 26 is mounted on the groove 27. [ This ensures reliable sealing between the wall member 22 and the lid member 23 and the chamber body 21 (chamber member 25) and between the chamber members 25.

상기 서술한 바와 같이 진공 챔버 (20) 를 구성하는 챔버 본체 (21), 벽면 부재 (22) 및 덮개 부재 (23) 는, 처리 공간 (A) 을 밀봉할 수 있도록 각각 고정되어 있다. 즉, 처리 공간 (A) 을 구획 형성하는 각 부재가 용접에 의해 고정되는 것이 아니라, 시일 부재 (26) 를 사이에 두고 나사 등의 체결 부재에 의해 고정 됨으로써, 처리 공간 (A) 이 밀봉 가능하게 구성되어 있다. 이로써, 처리 공간 (A) 내를 대기 상태와 진공 상태로 반복하여 변화시킨다 하더라도, 처리 공간 (A) 을 구획 형성하는 각 부재 사이에서의 리크 발생이 억제된다.The chamber body 21, the wall member 22 and the lid member 23 constituting the vacuum chamber 20 are fixed to seal the processing space A, respectively. That is, each member for partitioning the processing space A is not fixed by welding but is fixed by a fastening member such as a screw with the seal member 26 interposed therebetween, so that the processing space A can be sealed Consists of. Thus, even if the inside of the processing space A is repeatedly changed in the standby state and the vacuum state, the occurrence of leakage between the respective members forming the processing space A is suppressed.

또한 챔버 부재 (25) 는, 처리 공간 (A) 의 내부를 원하는 압력 (예를 들어 1㎩) 으로 한 경우에 주위 벽부의 변형을 억제하기 위해, 각 벽부의 두께를 소정의 두께 이상으로 설정할 필요가 있다. 단, 각 처리 공간 (A) 의 압력이 거의 일정하면, 각 관통 구멍 (24) 사이의 격벽부 (28) 에는 거의 휨이 발생하지 않기 때문에, 격벽부 (28) 의 두께는, 최상부의 관통 구멍 (24) 의 천정 벽부 및 최하부의 관통 구멍 (24) 의 바닥 벽부의 두께보다 얇게 할 수 있다. 이로써, 챔버 부재 (25) 를 보다 컴팩트하게 형성할 수 있기 때문에, 반송이나 설치가 더욱 용이해진다. 또한, 제조 재료가 적어도 되어, 비용의 삭감을 도모할 수도 있다.Further, in order to suppress deformation of the peripheral wall portion when the inside of the processing space A is set to a desired pressure (for example, 1 Pa), the chamber member 25 needs to set the thickness of each wall portion to a predetermined thickness or more . However, when the pressure in each processing space A is substantially constant, almost no warpage occurs in the partition wall portion 28 between the respective through holes 24. Therefore, the thickness of the partition wall portion 28 is set to be equal to the thickness of the uppermost through- It is possible to make the thickness of the bottom wall portion of the bottom wall portion of the lowermost portion 24 and the thickness of the bottom wall portion of the lowermost portion of the through hole 24 thinner. Thereby, the chamber member 25 can be formed more compactly, which makes it easier to carry and install. In addition, the manufacturing material is minimized, and the cost can be reduced.

이하, 이와 같은 진공 챔버 (20) 의 처리 공간 (A) 내에 설치되는 지지 부재 (30) 및 가열 수단 (40) 에 대해 상세하게 설명한다.Hereinafter, the supporting member 30 and the heating means 40 provided in the processing space A of the vacuum chamber 20 will be described in detail.

가열 수단 (40) 은, 예를 들어 가열원으로서의 시스 히터를 갖고, 방사열에 의해 기판을, 예를 들어 120 ∼ 150℃ 정도로 가열하는 것이다. 본 실시형태에서는, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 가열 수단 (40) 은 기판 (S) 의 반송 방향을 따라 6 개 병설되어 각각 고정되어 있다. 즉, 가열 수단 (40) 은 각 챔버 부재 (25) 의 관통 구멍 (24) 내에 각각 설치되어 있다.The heating means 40 has, for example, a sheath heater as a heating source, and heats the substrate to, for example, about 120 to 150 DEG C by radiant heat. In the present embodiment, as shown in Fig. 4, six heating units 40 are juxtaposed along the conveying direction of the substrate S, and are fixed. That is, the heating means 40 are provided in the through holes 24 of the chamber members 25, respectively.

가열 수단 (40) 의 표면에는, 표면 처리로서, 방사 효율을 높이는 재료, 예를 들어, 금속 재료 등을 함유하는 피복막 (41) 이 형성되어 있다. 이로써, 가 열 수단 (40) 의 방사 효율이 높아지기 때문에, 가열 수단 (40) 의 방사열에 의해 기판 (S) 을 효율적으로 가열할 수 있다. 피복막 (41) 은, 예를 들어, 가열 수단 (40) 의 표면에 재료를 용사함으로써 형성된다. 피복막 (41) 에 사용되는 재료로는 금속 재료, 예를 들어, 알루미늄, 티탄 또는 크롬, 혹은 이들을 함유하는 합금이나 이들의 산화물 등이 바람직하게 사용된다. 물론 피복막 (41) 에 사용되는 재료는, 방사 효율을 높일 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 단, 진공 가열 처리실의 관점에서, 방출 가스가 적은 재료를 사용하는 것이 바람직하다.On the surface of the heating means 40, a coating film 41 containing a material for enhancing the radiation efficiency, for example, a metal material or the like is formed as a surface treatment. As a result, the radiation efficiency of the heating unit 40 is increased, so that the substrate S can be efficiently heated by the radiation heat of the heating unit 40. [ The coating film 41 is formed, for example, by spraying a material on the surface of the heating means 40. As the material used for the coating film 41, a metal material, for example, aluminum, titanium or chromium, an alloy containing them, an oxide thereof, or the like is preferably used. Of course, the material used for the coating film 41 is not particularly limited as long as it can increase the radiation efficiency. However, from the viewpoint of the vacuum heat treatment chamber, it is preferable to use a material having a low emission gas.

또한, 상기 서술한 재료로 이루어지는 피복막 (41) 을 형성한 알루미늄 무구판으로 이루어지는 시료에 열전대를 형성하고 20㎜ 떨어진 위치에서 방사 온도계에 의해 히터의 온도를 측정하고 열전대의 온도와 비교하여 방사 효율을 조사한 결과, 산화티탄을 용사한 경우의 방사 효율은 0.89 이고, 산화크롬막을 형성한 경우의 방사 효율은 0.9 이었다. 또한, 동일하게 하여 측정한 알루미늄 무구판의 방사 효율은 0.3 이었으므로, 이들 표면 처리로서의 피복막 (41) 을 형성함으로써, 방사 효율이 높아지는 것을 알 수 있었다.Further, a thermocouple was formed on a sample made of an aluminum plate on which a coating film 41 made of the above-described material was formed, and the temperature of the heater was measured by a radiation thermometer at a position 20 mm away. As a result, the radiation efficiency in the case of spraying titanium oxide was 0.89, and the radiation efficiency in the case of forming a chromium oxide film was 0.9. In addition, since the radiation efficiency of the aluminum flat plate measured in the same manner was 0.3, it was found that the radiation efficiency was increased by forming the coating film 41 as the surface treatment.

또한 본 실시형태에서는, 가열 수단 (40) 의 표면에 피복막 (41) 을 형성하여 방사 효율을 높이도록 하였지만, 예를 들어, 피복막 (41) 대신에 가열 수단 (40) 과는 다른 부재인 금속 재료로 이루어지는 피복판을, 가열 수단 (40) 의 표면에 접촉시킨 상태로 형성하도록 해도 된다. 피복판을 형성하는 금속 재료로는, 피복막과 동일한 재료를 사용하면 된다. 이와 같은 구성으로 해도, 가열 수단 (40) 의 방사 효율을 높일 수 있다.In the present embodiment, the coating film 41 is formed on the surface of the heating means 40 to enhance the radiation efficiency. However, for example, the coating film 41 may be replaced by a member different from the heating means 40 The cover plate made of a metal material may be formed in contact with the surface of the heating means 40. [ As the metal material forming the cover plate, the same material as that of the coating film may be used. Even with this configuration, the radiation efficiency of the heating means 40 can be increased.

지지 부재 (30) 는, 가열 수단 (40) 으로부터 소정 거리만큼 떨어진 위치에서 기판 (S) 을 지지한다. 본 실시형태에서는, 지지 부재 (30) 는 가열 수단 (40) 상에 배치되어 있고, 기판 (S) 의 반송 방향을 따라 형성된 봉형상의 복수의 베이스 부재 (31) (도 4 중에서는 예로서 8 개) 와, 베이스 부재 (31) 에 소정 간격으로 세워 설치된 복수의 기판 지지핀 (32) 으로 이루어진다. 그리고, 지지 부재 (30) 는 이들 복수의 기판 지지핀 (32) 의 선단에서 기판 (S) 을 지지한다.The support member (30) supports the substrate (S) at a position spaced a predetermined distance from the heating means (40). In the present embodiment, the support member 30 is disposed on the heating means 40 and includes a plurality of rod-like base members 31 (eight in the example shown in Fig. 4) formed along the conveying direction of the substrate S And a plurality of substrate support pins 32 provided upright on the base member 31 at predetermined intervals. The support member 30 supports the substrate S at the tips of the plurality of substrate support pins 32. [

여기서, 기판 (S) 은, 예를 들어 로봇 암에 의해 처리 공간 (A) 내로 반송된다. 이 때, 기판 (S) 은 로봇 암에 의해 덮개 부재 (23) 측에서 처리 공간 (A) 내로 삽입되어, 기판 지지핀 (32) 상에 탑재된다. 그 후, 로봇 암은 이 기판 (S) 과 가열 수단 (40) 의 간극을 이동하여 덮개 부재 (23) 측에서 외부로 빼내어진다.Here, the substrate S is transported into the processing space A by, for example, a robot arm. At this time, the substrate S is inserted into the processing space A from the side of the lid member 23 by the robot arm, and mounted on the substrate support pin 32. Thereafter, the robot arm moves through the gap between the substrate S and the heating means 40 and is taken out from the lid member 23 side.

본 발명의 가열 처리 장치 (10) 에서는, 이와 같이 로봇 암에 의해 지지 부재 (30) 의 기판 지지핀 (32) 상에 기판 (S) 을 탑재하면, 그 상태에서 기판 (S) 을 가열 수단 (40) 의 방사열에 의해 가열 처리할 수 있다. 예를 들어, 가열 수단으로서 핫 플레이트 등을 채용하고 있는 종래의 가열 처리 장치에서는, 기판 지지핀 상에 기판을 탑재한 후, 추가로 가열 수단에 접촉시키기 위해 기판을 이동시킬 필요가 있지만, 본 발명의 가열 처리 장치에서는, 이와 같은 기판의 이동이 필요 없이 스루풋이 향상된다.In the heat treatment apparatus 10 of the present invention, when the substrate S is mounted on the substrate support pin 32 of the support member 30 by the robot arm in this manner, the substrate S is heated by the heating means 40). For example, in a conventional heat treatment apparatus employing a hot plate or the like as the heating means, it is necessary to move the substrate to place the substrate on the substrate support pin and further to contact the heating means. However, The throughput is improved without requiring such a movement of the substrate.

또한, 기판을 이동시켜 가열 수단에 접촉시키기 위해서는, 예를 들어, 기판 지지핀을 승강시킬 수 있도록 하기 위한 기구 등을 설치할 필요가 있는데, 본 발명의 가열 처리 장치에는 이와 같은 기구는 필요 없기 때문에, 가열 처리 장치를 비교적 저렴하게 제조할 수도 있다.In order to move the substrate and bring it into contact with the heating means, it is necessary to provide, for example, a mechanism for raising and lowering the substrate support pin. Since the heating mechanism of the present invention does not need such a mechanism, The heat treatment apparatus can be manufactured at a relatively low cost.

이상 본 발명에 관련된 가열 처리 장치의 일례에 대해 설명하였는데, 본 발명은 본 실시형태에 한정되는 것은 아니다.The above is a description of one example of the heat treatment apparatus according to the present invention, but the present invention is not limited to this embodiment.

예를 들어, 상기 서술한 실시형태에서는, 1 개의 봉형상의 베이스 부재 (31) 상에 기판 지지핀 (32) 이 세워 설치된 지지 부재 (30) 를 예시하였지만, 지지 부재 (30) 의 구성은 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 도 5(a) 에 나타내는 바와 같이, 지지 부재 (30) 는 복수의 분할 베이스 부재 (33) 와, 각 분할 베이스 부재 (33) 를 접속시키는 힌지부 (34) 와, 각 분할 베이스 부재 (33) 상에 소정 간격을 두고 세워 설치된 기판 지지핀 (32) 으로 구성되어 있어도 된다. 힌지부 (34) 는 축 (35) 을 중심으로 하여 굴곡 가능하도록 구성되어 있다. 또한 인접하는 힌지부 (34) 는, 도 5(b) 에 나타내는 바와 같이, 각각 역방향으로 절곡되도록 배치되어 있는 것이 바람직하다. 이로써, 각 힌지부 (34) 의 축 (35) 을 중심으로 하여 지지 부재 (30) 를 접을 수 있기 때문에, 취급이 용이해진다. 예를 들어, 장치의 유지보수시에 지지 부재 (30) 를 처리 공간 (A) 으로부터 분리시키는 경우에는, 긴 지지 부재 (30) 를 접어 짧게 하면서 꺼낼 수 있으므로, 취급이 용이해진다.For example, in the above-described embodiment, the support member 30 provided with the substrate support pin 32 standing on one bar-shaped base member 31 is illustrated. However, the structure of the support member 30 is not limited thereto. But is not limited thereto. 5 (a), the support member 30 includes a plurality of divided base members 33, a hinge portion 34 for connecting the divided divided base members 33, And a substrate support pin 32 provided upright on the member 33 at a predetermined interval. The hinge portion (34) is configured to be able to bend around the shaft (35). 5 (b), the adjacent hinge portions 34 are preferably arranged to be bent in opposite directions. As a result, the supporting member 30 can be folded around the shaft 35 of each hinge portion 34, thereby facilitating handling. For example, when the support member 30 is separated from the processing space A during maintenance of the apparatus, the long support member 30 can be taken out while being folded, thereby facilitating handling.

또한 본 실시형태에서는, 챔버 본체 (21) 를 구성하는 각 챔버 부재 (25) 에 복수 (5 개) 의 관통 구멍 (24) 을 형성한 예를 설명하였지만, 챔버 본체 (21) 의 구성은 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 챔버 본체 (21A) 는, 1 개의 관통 구멍 (24) 이 형성된 챔버 부재 (25A) 가 소정 수만큼 쌓아 올려진 것이어도 된다.In the present embodiment, a plurality of (five) through holes 24 are formed in each of the chamber members 25 constituting the chamber main body 21. However, the configuration of the chamber main body 21 is not limited thereto But is not limited thereto. For example, as shown in Fig. 6, the chamber main body 21A may be formed by stacking a predetermined number of chamber members 25A each having one through hole 24 formed therein.

또한 본 실시형태에서는 가열 수단을 챔버 부재 (25) 에 맞춰 1 개의 처리 공간 (A) 에 대하여 6 개 설치하였지만, 처리 공간 (A) 의 크기에 맞춘 대형 가열 수단을 설치해도 된다. 또한 본 실시형태에서는, 처리 공간 (A) 내에 지지 부재 (30) 와 가열 수단 (40) 을 각각 설치하도록 하였지만, 이들은 일체적으로 설치되어 있어도 된다. 구체적으로는, 예를 들어, 가열 수단 (40) 상에 기판 지지핀 (32) 이 직접 형성되어 있어도 된다.Further, in the present embodiment, six heating units are provided for one processing space A in accordance with the chamber member 25, but a large heating unit adapted to the size of the processing space A may be provided. In the present embodiment, the support member 30 and the heating means 40 are provided in the processing space A, but they may be integrally provided. Specifically, for example, the substrate support pin 32 may be directly formed on the heating means 40. [

또한 본 실시형태에서는, 각 챔버 부재 (25) 의 관통 구멍 (24) 이 개구되는 적어도 일방의 벽면에 관통 구멍 (24) 의 주위에 걸쳐 연속되는 홈부 (27) 를 형성하였지만, 이와 같은 홈부 (27) 는 인접하는 각 챔버 부재 (25) 의 벽면에 각각 형성되어 있어도 된다.In the present embodiment, at least one wall surface of the chamber member 25 through which the through hole 24 is opened is provided with a groove portion 27 continuous over the periphery of the through hole 24. However, the groove portion 27 May be formed on the wall surfaces of the adjoining chamber members 25, respectively.

도 1 은 본 발명에 관련된 가열 처리 장치의 단면도.1 is a sectional view of a heat treatment apparatus according to the present invention;

도 2 는 본 발명에 관련된 챔버 본체를 나타내는 모식적 사시도.2 is a schematic perspective view showing a chamber body according to the present invention.

도 3 은 본 발명에 관련된 챔버 부재를 나타내는 모식적 사시도.3 is a schematic perspective view showing a chamber member according to the present invention.

도 4 는 본 발명에 관련된 처리 공간의 내부를 나타내는 모식도.4 is a schematic view showing the inside of a processing space according to the present invention.

도 5 는 본 발명에 관련된 유지 부재의 변형예를 나타내는 모식도.5 is a schematic view showing a modification of the holding member according to the present invention.

도 6 은 본 발명에 관련된 챔버 본체의 변형예를 나타내는 모식적 사시도.6 is a schematic perspective view showing a modification of the chamber body according to the present invention.

※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ※[Description of Reference Numerals]

10 : 가열 처리 장치 20 : 진공 챔버10: heat treatment apparatus 20: vacuum chamber

21 : 챔버 본체 22 : 벽면 부재21: chamber body 22: wall member

23 : 덮개 부재 24 : 관통 구멍23: lid member 24: through hole

25 : 챔버 부재 26 : 시일 부재25: chamber member 26: seal member

27 : 홈부 28 : 격벽부 27: groove portion 28: partition wall portion

30 : 지지 부재 31 : 베이스 부재30: support member 31: base member

32 : 기판 지지핀 33 : 분할 베이스 부재 32: substrate support pin 33: divided base member

34 : 힌지부 35 : 축34: hinge portion 35: shaft

40 : 가열 수단 41 : 피복막40: Heating means 41: Coating film

A : 처리 공간 S : 기판A: processing space S: substrate

Claims (7)

기판을 삽입할 수 있도록 형성된 관통 구멍을 갖는 블록상의 복수의 챔버 부재로 이루어지고, 인접하는 챔버 부재의 적어도 일방에, 타방과의 맞닿음면의 상기 관통 구멍의 개구부 주위에 걸쳐 연속하여 홈부가 형성되고, 각 챔버 부재가, 상기 홈부에 장착된 시일 부재를 개재하여 각각 밀접한 상태에서 고정되고, 복수의 상기 관통 구멍으로 구성되는 처리 공간을 갖는 챔버 본체와, 상기 처리 공간의 일방의 개구를 밀봉하는 벽면 부재와, 상기 처리 공간의 타방의 개구를 개폐할 수 있도록 막는 덮개 부재를 구비하는 진공 챔버와,A plurality of chamber members on a block having a through hole formed so as to be capable of inserting a substrate, wherein at least one of the adjacent chamber members is provided with a groove portion continuously around the opening portion of the through- And each of the chamber members is fixed in close contact with each other via a seal member mounted on the groove portion and has a processing space formed by a plurality of the through holes; A vacuum chamber having a wall member and a lid member for closing the other opening of the processing space, 상기 처리 공간 내에 배치되고 상기 기판을 지지하는 지지 부재와,A support member disposed in the processing space and supporting the substrate; 상기 지지 부재에 지지된 상기 기판에 서로 대향하여 설치되고 상기 기판을 방사열에 의해 가열하는 가열 수단을 갖고, And heating means provided on the substrate supported by the support member so as to face each other and for heating the substrate by radiant heat, 상기 지지 부재는 복수의 분할 베이스 부재, 각 분할 베이스 부재를 접속시키는 힌지부 및 각 분할 베이스 부재 상에 소정 간격을 두고 세워 설치된 기판 지지핀으로 이루어지고, Wherein the support member comprises a plurality of divided base members, a hinge portion for connecting the divided divided base members, and a substrate support pin erected on the divided base members at predetermined intervals, 상기 힌지부는 그 축을 중심으로 굴곡 가능하도록 구성되어, 인접하는 힌지부 각각이 서로 역방향으로 절곡되도록 배치된 것을 특징으로 하는 가열 처리 장치.Wherein the hinge unit is configured to be able to bend about an axis of the hinge unit so that adjacent hinge units are bent in opposite directions to each other. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 챔버 부재 각각에는, 그 높이 방향을 따라 상기 관통 구멍이 소정 간격으로 복수 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가열 처리 장치.Wherein a plurality of through holes are formed in each of the chamber members along a height direction thereof at predetermined intervals. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 가열 수단의 표면에 방사 효율을 높이는 재료를 함유하는 피복막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가열 처리 장치.Wherein a coating film containing a material for increasing radiation efficiency is formed on a surface of the heating means. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 가열 수단 상에 방사 효율을 높이는 재료로 형성된 피복판이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가열 처리 장치.And a cover plate formed of a material for increasing radiation efficiency is formed on the heating means. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 가열 수단이, 가열원으로서의 시스 히터를 갖는 것을 특징으로 하는 가열 처리 장치.Wherein said heating means has a sheath heater as a heating source. 삭제delete 삭제delete
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