KR20100086399A - Heat processing apparatus - Google Patents

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사토히로 오카야마
고이치 마츠모토
야와라 모리오카
요시노리 메자키
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가부시키가이샤 알박
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Abstract

PURPOSE: A heat processing device is provided to improve the radiation efficiency of a heating member by forming a coating layer on the surface of the heating member. CONSTITUTION: A vacuum chamber(20) comprises a chamber body, a wall material and a cover member. The chamber body has a process space(A) for heating a substrate(S). The chamber body is comprised of a chamber member. A penetration hole is formed on each chamber member. The wall material seals the opening of the one side of the process space. The cover member covers the opening of the other side of the process space. A supporting member(30) is arranged on the process space to support substrate. A heating member(40) heats the substrate by the radiation heat.

Description

가열 처리 장치{HEAT PROCESSING APPARATUS}Heat treatment device {HEAT PROCESSING APPARATUS}

본 발명은, 기판을 진공 상태에서 가열하는 가열 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a heat treatment apparatus for heating a substrate in a vacuum state.

액정 디스플레이 등의 각종 장치를 제조할 때에는, 예를 들어, 기판의 탈기 처리 등, 진공하에서 기판을 가열 처리하는 공정이 필요해진다. 최근의 각종 장치의 대형화에 수반하여, 처리하는 기판의 대형화가 진행되고 있다. 예를 들어, 액정 디스플레이의 경우, 11 세대 (3000㎜ × 3320㎜) 사이즈의 유리 기판이 사용되도록 되어 왔다. 이 때문에, 기판을 가열 처리하는 가열 처리 장치의 진공 챔버도 대형화할 필요가 있다.When manufacturing various apparatuses, such as a liquid crystal display, the process of heat-processing a board | substrate under vacuum, such as a degassing process of a board | substrate, for example is required. In recent years, with the enlargement of the various apparatuses, the enlargement of the board | substrate to process is progressing. For example, in the case of liquid crystal displays, glass substrates of the 11th generation (3000 mm x 3320 mm) size have been used. For this reason, it is necessary to also enlarge the vacuum chamber of the heat processing apparatus which heat-processes a board | substrate.

여기서, 진공 챔버는, 예를 들어, 알루미늄 블록을 깎아냄으로써 형성된다. 그러나, 대형 기판에 대응한 진공 챔버를 알루미늄 블록에 의해 형성하면, 전용의 대형 절삭 가공 장치가 필요해지는 등, 진공 챔버 자체의 제작비가 비싸진다.Here, the vacuum chamber is formed by, for example, shaving off an aluminum block. However, when a vacuum chamber corresponding to a large substrate is formed of an aluminum block, the manufacturing cost of the vacuum chamber itself becomes expensive, for example, a dedicated large cutting apparatus is required.

이와 같은 제조 비용의 고등을 억제하기 위해, 예를 들어, 분할된 복수 개의 구성 부재가 용접에 의해 접합된 프레임상의 측벽부와, 이 측벽부에 대하여 볼트에 의해 고정되는 바닥판 및 덮개판으로 구성되는 진공 챔버가 알려져 있다 (예를 들어, 일본 공개특허공보 평8-64542호 참조).In order to suppress such a high manufacturing cost, for example, a plurality of divided structural members are composed of a frame side wall portion joined by welding, and a bottom plate and a cover plate fixed by bolts to the side wall portion. A vacuum chamber is known (see, for example, Japanese Patent Application Laid-open No. Hei 8-64542).

그러나, 대기 상태와 저압 상태를 반복하여 실시하기 위한 가열 처리 장치에, 상기 공보에 기재된 바와 같이 구성 부재가 용접에 의해 접합된 구조의 진공 챔버를 채용한 경우, 용접 부분으로부터 리크 (leak) 가 발생하기 쉽다는 문제가 있다.However, when a vacuum chamber having a structure in which a component member is joined by welding, as described in the publication, is employed in the heat treatment apparatus for repeatedly performing the atmospheric state and the low pressure state, leakage occurs from the welded portion. There is a problem that it is easy to do it.

또한, 프레임상의 측벽부만을 복수로 분할한다 하더라도, 바닥판 및 덮개판을 처리 장치의 설치 장소까지 수송하기 위해서는, 대형 트레일러 등의 수송 수단이 필요해져 불편하고, 또한 그 사이즈나 중량에 따라서는 법령 등의 제한을 받아 수송할 수 없다는 문제가 있다.In addition, even if only a plurality of side wall portions on the frame are divided, in order to transport the bottom plate and the cover plate to the installation place of the processing apparatus, a transportation means such as a large trailer is required, which is inconvenient, and depending on the size and weight, There is a problem that cannot be transported due to the limitation of the back.

그런데, 기판의 탈기 처리 등을 실시하는 가열 처리 장치에서는, 다수 장의 대형 기판을 동시에 처리하기 위해, 1 개의 처리 공간을 갖는 각 진공 챔버를 쌓아올리고 고정시켜, 다단의 처리 공간을 갖도록 구성한 진공 챔버를 사용하는 경우가 있다. 이 경우, 각 진공 챔버의 벽부는, 진공 상태로 한 처리 공간 내와 외부의 압력차에 의한 변형이 발생하지 않을 정도로 두껍게 형성할 필요가 있기 때문에, 진공 챔버의 높이가 높아진다. 이 때문에, 다단의 진공 챔버는 설치 장소가 한정되고, 또한 제조 재료가 많아진다는 문제도 있다.By the way, in the heat processing apparatus which performs the degassing process of a board | substrate, in order to process many sheets of large size board | substrate simultaneously, each vacuum chamber which has one processing space is piled up and fixed, and the vacuum chamber comprised so that it may have a multistage processing space is provided. I may use it. In this case, since the wall part of each vacuum chamber needs to be formed so thick that a deformation | transformation by the pressure difference inside and outside the process space which made into a vacuum state does not generate | occur | produce, the height of a vacuum chamber becomes high. For this reason, the installation place of a multistage vacuum chamber is limited and there also exists a problem that there are many manufacturing materials.

또한 가열 처리 장치에 있어서는, 예를 들어, 진공 챔버 내에 설치된 핫 플레이트 등의 가열 수단 상에 기판을 탑재하여 가열하고 있다. 이와 같은 진공 챔버 내로의 기판의 반송은 일반적으로 로봇 암 등에 의해 실시되는데, 이 때문에, 예를 들어, 기판을 승강시키는 승강 기구 등의 특수한 기구가 필요해져, 비용이 증가된다는 문제가 있다.Moreover, in a heat processing apparatus, a board | substrate is mounted and heated on heating means, such as a hotplate provided in the vacuum chamber, for example. Such transfer of the substrate into the vacuum chamber is generally carried out by a robot arm or the like. For this reason, for example, a special mechanism such as an elevating mechanism for elevating the substrate is required, resulting in an increase in cost.

본 발명은 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 저비용으로 제조할 수 있고, 고효율로 기판을 양호하게 가열 처리할 수 있는 가열 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of such a situation, Comprising: It aims at providing the heat processing apparatus which can be manufactured at low cost, and can heat-process a board | substrate favorably with high efficiency.

상기 과제를 해결하는 본 발명은, 기판을 삽입할 수 있도록 형성된 관통 구멍을 갖는 블록상의 복수의 챔버 부재로 이루어지고, 인접하는 챔버 부재의 적어도 일방에, 타방과의 맞닿음면의 상기 관통 구멍의 개구부 주위에 걸쳐 연속하여 홈부가 형성되고, 각 챔버 부재가, 상기 홈부에 장착된 시일 부재를 개재하여 각각 밀접한 상태에서 고정되고, 복수의 관통 구멍으로 구성되는 처리 공간을 갖는 챔버 본체와, 상기 처리 공간의 일방의 개구를 밀봉하는 벽면 부재와, 상기 처리 공간의 타방의 개구를 개폐할 수 있도록 막는 덮개 부재를 구비하는 진공 챔버와, 상기 처리 공간 내에 배치되고 상기 기판을 지지하는 지지 부재와, 그 지지 부재에 지지된 상기 기판에 서로 대향하여 설치되고 당해 기판을 방사열에 의해 가열하는 가열 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 가열 처리 장치에 있다.The present invention for solving the above problems consists of a plurality of block-like chamber members having a through hole formed so as to insert a substrate, wherein at least one of the adjacent chamber members is provided with the through hole in the contact surface with the other. A chamber body is formed continuously around the opening, and each chamber member is fixed in close contact with each other via a seal member attached to the groove portion, and has a chamber body having a processing space composed of a plurality of through holes; A vacuum chamber including a wall member for sealing one opening of the space, a lid member for blocking the opening of the other opening of the processing space, a support member disposed in the processing space and supporting the substrate; It is provided with the heating means which are provided to the said board | substrate supported by the support member mutually, and heats the said board | substrate by radiant heat. In the heat treatment apparatus as.

이러한 본 발명에서는, 진공 챔버를 구성하는 챔버 부재가 컴팩트화되기 때문에, 반송이나 설치가 용이해진다. 또한, 지지 부재에 지지된 기판이 가열 수단의 방사열에 의해 가열되기 때문에, 기판의 반송이 용이해지고, 가열 처리의 스루풋이 향상된다.In this invention, since the chamber member which comprises a vacuum chamber becomes compact, conveyance and installation become easy. Moreover, since the board | substrate supported by the support member is heated by the radiant heat of a heating means, conveyance of a board | substrate becomes easy and the throughput of heat processing improves.

여기서, 상기 챔버 부재 각각에는, 그 높이 방향을 따라 상기 관통 구멍이 소정 간격으로 복수 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이로써, 진공 챔버가 보다 컴팩트화되기 때문에, 제조 재료가 적어도 되어, 비용의 삭감을 도모할 수 있다.Here, it is preferable that a plurality of through holes are formed in each of the chamber members at predetermined intervals along the height direction thereof. Thereby, since a vacuum chamber becomes more compact, a manufacturing material becomes a minimum and cost can be reduced.

또한 상기 가열 수단의 표면에 방사 효율을 높이는 재료를 함유하는 피복막이 형성되어 있거나, 또는 상기 가열 수단 상에 방사 효율을 높이는 재료로 형성된 피복판이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이로써, 가열 수단의 방사열에 의한 기판의 가열 효과가 높아져, 기판을 양호하게 가열할 수 있다.Moreover, it is preferable that the coating film containing the material which improves spinning efficiency is formed on the surface of the said heating means, or the coating plate formed from the material which improves spinning efficiency is formed on the said heating means. Thereby, the heating effect of the board | substrate by the radiant heat of a heating means becomes high, and a board | substrate can be heated favorably.

또한 상기 가열 수단이, 가열원으로서의 시스 히터를 갖는 것이 바람직하다. 이로써, 가열 수단의 방사열에 의해 기판을 보다 양호하게 가열할 수 있다.Moreover, it is preferable that the said heating means has a sheath heater as a heating source. Thereby, a board | substrate can be heated more favorable by the radiant heat of a heating means.

상기 지지 부재는, 예를 들어, 상기 챔버 부재에 봉형상의 베이스 부재와 그 베이스 부재 상에 세워 설치된 복수의 기판 지지핀으로 구성되어 있다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 처리 공간 내에서 기판을 양호하게 지지할 수 있다.The said support member is comprised, for example by the rod-shaped base member and the some board | substrate support pin provided on the base member in the said chamber member. By setting it as such a structure, a board | substrate can be favorably supported in a process space.

또한 지지 부재가 베이스 부재와 기판 지지핀으로 구성되어 있는 경우, 상기 베이스 부재가, 그 축 방향의 복수 지점에 굴곡 가능한 힌지부를 갖도록 해도 된다. 이로써, 지지 부재의 취급이 용이해져, 유지보수 작업 등에 있어서의 안전성이나 작업성이 향상된다.Moreover, when a support member is comprised from a base member and a board | substrate support pin, you may make it the base member have the hinge part which can be bent at the several point of the axial direction. Thereby, handling of a support member becomes easy, and safety and workability in maintenance work etc. improve.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 가열 처리 장치는, 비교적 저비용으로 제조할 수 있다. 또한, 가열 처리의 스루풋, 요컨대 처리 효율을 향상시키면서 기판을 양호하게 가열 처리할 수 있다.As described above, the heat treatment apparatus of the present invention can be manufactured at a relatively low cost. Moreover, the board | substrate can be heat-processed favorably, improving the throughput of heat processing, ie, processing efficiency.

이하, 본 발명의 실시형태에 대해 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail.

도 1 은 일 실시형태에 관련된 가열 처리 장치의 단면도이다. 도 2 는 챔버 본체의 구성을 나타내는 모식적 사시도이고, 도 3 은 챔버 부재의 구성을 나타내는 모식도이며, 도 4 는 처리 공간의 내부를 나타내는 모식도이다.1 is a cross-sectional view of a heat treatment apparatus according to an embodiment. FIG. 2 is a schematic perspective view showing the configuration of the chamber body, FIG. 3 is a schematic diagram showing the configuration of the chamber member, and FIG. 4 is a schematic diagram showing the inside of the processing space.

도 1 에 나타내는 바와 같이, 가열 처리 장치 (10) 는, 기판 (S) 을 가열 처리하기 위한 처리 공간 (A) 을 갖는 진공 챔버 (20) 와, 처리 공간 (A) 내에서 기판 (S) 을 지지하는 지지 부재 (30) 와, 기판 (S) 을 가열하는 가열 수단 (40) 을 구비한다. 이 가열 처리 장치 (10) 는, 예를 들어, 기판 (S) 을 가열 처리함으로써 탈기 처리를 실시할 때에 사용된다.As shown in FIG. 1, the heat treatment apparatus 10 includes a vacuum chamber 20 having a processing space A for heat treating the substrate S and a substrate S in the processing space A. FIG. The support member 30 which supports is provided, and the heating means 40 which heats the board | substrate S is provided. This heat treatment apparatus 10 is used, for example, when performing a degassing process by heat-processing the board | substrate S. For example, as shown in FIG.

진공 챔버 (20) 는, 처리 공간 (A) 이 형성된 챔버 본체 (21) 와, 처리 공간 (A) 의 개구를 막는 벽면 부재 (22) 및 덮개 부재 (23) 로 구성되어 있다.The vacuum chamber 20 is comprised from the chamber main body 21 in which the process space A was formed, the wall surface member 22 and the cover member 23 which block the opening of the process space A. As shown in FIG.

챔버 본체 (21) 는, 기판 (S) 을 삽입할 수 있도록 형성된 관통 구멍 (24) 을 갖는 블록상 (대략 직육면체상) 의 복수의 챔버 부재 (25) 로 구성되어 있다. 관통 구멍 (24) 은, 챔버 본체 (21) 의 서로 대향하는 1 쌍의 벽면에 각각 개구된다. 이들 챔버 부재 (25) 는, 관통 구멍 (24) 이 개구되는 벽면끼리를 각각 밀접시킨 상태에서 고정되어 있다. 그리고, 각 챔버 부재 (25) 에 형성된 관통 구멍 (24) 이 각각 연통되어, 이들 복수의 관통 구멍 (24) 으로 처리 공간 (A) 이 구획 형성되어 있다.The chamber main body 21 is comprised from the several chamber member 25 of the block form (approximately rectangular parallelepiped) which has the through-hole 24 formed so that the board | substrate S can be inserted. The through holes 24 are respectively opened in a pair of wall surfaces of the chamber main body 21 that face each other. These chamber members 25 are fixed in a state where the wall surfaces on which the through holes 24 are opened are brought into close contact with each other. And the through-holes 24 formed in each chamber member 25 communicate with each other, and process space A is partitioned by these some through-holes 24. As shown in FIG.

각 챔버 부재 (25) 의 각각에는, 복수 (본 실시형태에서는, 5 개) 의 관통 구멍 (24) 이 챔버 부재 (25) 의 높이 방향 (도면 중 상하 방향) 을 따라 소정 간격으로 복수 형성되어 있다. 요컨대 챔버 본체 (21) 는, 처리 공간 (A) 을 다단으로 갖는다.In each of the chamber members 25, a plurality (through this embodiment, five) through holes 24 are formed in plural at predetermined intervals along the height direction (up and down direction in the drawing) of the chamber member 25. . That is, the chamber main body 21 has the process space A in multiple stages.

도 2 에 나타내는 예에서는, 관통 구멍 (24) 이 형성된 챔버 부재 (25) 를 가로로 6 개씩 나열하여 각각 고정시킴으로써 6 개의 관통 구멍 (24) 으로 구성되는 처리 공간 (A) 이 5 단으로 형성되어 있다. 그리고, 이와 같이 처리 공간 (A) 이 5 단으로 형성된 각 챔버 부재 (25) 를 세로로 2 개 포개어 쌓음으로써 10 단의 처리 공간 (A) 을 갖는 챔버 본체 (21) 가 형성되어 있다. 즉, 본 실시형태에 관련된 챔버 본체 (21) 는, 전부 12 개의 챔버 부재 (25) 로 이루어진다. 또한 포개어 쌓인 각 챔버 부재 (25) 끼리는 반드시 고정되어 있을 필요는 없지만, 어긋남 방지를 위해 볼트 등으로 고정되어 있는 것이 바람직하다.In the example shown in FIG. 2, by arranging and fixing each of the chamber members 25 in which the through holes 24 are formed side by side, the processing space A composed of six through holes 24 is formed in five stages. have. And the chamber main body 21 which has 10 processing spaces A of 10 steps is formed by stacking two chamber members 25 formed in 5 steps of processing spaces A longitudinally. That is, the chamber main body 21 which concerns on this embodiment consists of 12 chamber members 25 in total. In addition, although each chamber member 25 piled up is not necessarily fixed, it is preferable to fix by bolt etc. in order to prevent a shift | offset | difference.

이와 같은 진공 챔버 (20) 를 구성하는 각 챔버 본체 (21) 는, 예를 들어, 가로 × 안쪽 길이 (기판 반송 방향) × 높이가 3200㎜ × 3600㎜ × 2200㎜ 정도인데 반해, 각 챔버 부재 (25) 는, 예를 들어, 가로 × 안쪽 길이 × 높이가 3200㎜ × 600㎜ × 2200㎜ 정도로 매우 컴팩트하고 중량도 비교적 가벼워진다. 따라서, 대형이고 특수한 수송 수단을 사용하지 않고 챔버 본체 (21) (챔버 부재 (25)) 를 비교적 용이하게 수송할 수 있다. 요컨대, 소정 수의 챔버 부재 (25) 를 가열 처리 장치 (10) 의 설치 장소까지 수송하고, 그곳에서 조립함으로써 임의의 대형 챔버 본체 (21) 를 제조할 수 있다.Each chamber main body 21 constituting such a vacuum chamber 20 has a horizontal × inner length (substrate conveyance direction) × height of about 3200 mm × 3600 mm × 2200 mm, whereas each chamber member ( 25) is extremely compact, for example, about 3200 mm x 600 mm x 2200 mm in width x inside length x height, and the weight becomes relatively light. Therefore, the chamber main body 21 (chamber member 25) can be transported relatively easily without using a large and special transportation means. That is, arbitrary large chamber main bodies 21 can be manufactured by transporting the predetermined number of chamber members 25 to the installation place of the heat processing apparatus 10, and assembling there.

또한 챔버 부재 (25) 의 제조 방법은 특별히 한정되지 않지만, 챔버 부재 (25) 는, 예를 들어, 알루미늄이나 스테인리스 등의 금속 블록을 깎아냄으로써 제조된다.Moreover, although the manufacturing method of the chamber member 25 is not specifically limited, The chamber member 25 is manufactured by shaving off metal blocks, such as aluminum and stainless steel, for example.

벽면 부재 (22) 는, 챔버 본체 (21) 의 처리 공간 (A) 이 개구되는 일방의 벽면 (21a) 에 고정되고, 덮개 부재 (23) 는, 챔버 본체 (21) 의 처리 공간 (A) 이 개구되는 타방의 벽면 (21b) 에 개폐 가능하게 고정되어 있다. 본 실시형태에서는, 이들 벽면 부재 (22) 및 덮개 부재 (23) 는 각 처리 공간 (A) 에 대응하여 각각 형성되어 있다.The wall surface member 22 is fixed to one wall surface 21a through which the processing space A of the chamber main body 21 is opened, and the lid member 23 has a processing space A of the chamber main body 21. It is fixed to the other wall surface 21b to be opened so that opening and closing is possible. In this embodiment, these wall surface members 22 and the cover member 23 are formed corresponding to each process space A, respectively.

또한, 이들 각 벽면 부재 (22) 및 덮개 부재 (23) 와 챔버 본체 (21) (챔버 부재 (25)) 의 사이, 그리고 각 챔버 부재 (25) 의 사이에는, O 링 등의 시일 부재 (26) 가 형성되어 있다. 구체적으로는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 각 챔버 부재 (25) 의 관통 구멍 (24) 이 개구되는 적어도 일방의 벽면에는, 관통 구멍 (24) 의 주위에 걸쳐 연속되는 홈부 (27) 가 형성되어 있고, 이 홈부 (27) 에 시일 부재 (26) 가 장착되어 있다. 이로써, 벽면 부재 (22) 및 덮개 부재 (23) 와 챔버 본체 (21) (챔버 부재 (25)) 의 사이, 그리고 각 챔버 부재 (25) 의 사이가 확실하게 밀봉된다.Moreover, between these wall surface members 22 and the lid member 23 and the chamber main body 21 (chamber member 25), and between each chamber member 25, sealing members 26, such as an O-ring, 26 ) Is formed. Specifically, as shown in FIG. 3, at least one wall surface through which the through hole 24 of each chamber member 25 is opened is provided with a groove portion 27 continuous over the periphery of the through hole 24. The seal member 26 is attached to this groove portion 27. Thereby, between the wall member 22 and the lid member 23 and the chamber main body 21 (chamber member 25), and between each chamber member 25 is reliably sealed.

상기 서술한 바와 같이 진공 챔버 (20) 를 구성하는 챔버 본체 (21), 벽면 부재 (22) 및 덮개 부재 (23) 는, 처리 공간 (A) 을 밀봉할 수 있도록 각각 고정되어 있다. 즉, 처리 공간 (A) 을 구획 형성하는 각 부재가 용접에 의해 고정되는 것이 아니라, 시일 부재 (26) 를 사이에 두고 나사 등의 체결 부재에 의해 고정 됨으로써, 처리 공간 (A) 이 밀봉 가능하게 구성되어 있다. 이로써, 처리 공간 (A) 내를 대기 상태와 진공 상태로 반복하여 변화시킨다 하더라도, 처리 공간 (A) 을 구획 형성하는 각 부재 사이에서의 리크 발생이 억제된다.As above-mentioned, the chamber main body 21, the wall surface member 22, and the cover member 23 which comprise the vacuum chamber 20 are each fixed so that the process space A may be sealed. That is, each member which partitions the processing space A is not fixed by welding, but is fixed by fastening members, such as a screw, with the sealing member 26 in between, so that the processing space A can be sealed. Consists of. As a result, even if the inside of the processing space A is repeatedly changed to the atmospheric state and the vacuum state, the occurrence of leaks between the members forming the processing space A is suppressed.

또한 챔버 부재 (25) 는, 처리 공간 (A) 의 내부를 원하는 압력 (예를 들어 1㎩) 으로 한 경우에 주위 벽부의 변형을 억제하기 위해, 각 벽부의 두께를 소정의 두께 이상으로 설정할 필요가 있다. 단, 각 처리 공간 (A) 의 압력이 거의 일정하면, 각 관통 구멍 (24) 사이의 격벽부 (28) 에는 거의 휨이 발생하지 않기 때문에, 격벽부 (28) 의 두께는, 최상부의 관통 구멍 (24) 의 천정 벽부 및 최하부의 관통 구멍 (24) 의 바닥 벽부의 두께보다 얇게 할 수 있다. 이로써, 챔버 부재 (25) 를 보다 컴팩트하게 형성할 수 있기 때문에, 반송이나 설치가 더욱 용이해진다. 또한, 제조 재료가 적어도 되어, 비용의 삭감을 도모할 수도 있다.Moreover, the chamber member 25 needs to set the thickness of each wall part more than predetermined thickness, in order to suppress the deformation of the peripheral wall part, when the inside of the process space A is made into desired pressure (for example, 1 kPa). There is. However, when the pressure of each processing space A is substantially constant, since the warpage hardly occurs in the partition part 28 between each through hole 24, the thickness of the partition part 28 is the top through hole. The thickness of the ceiling wall portion 24 and the bottom wall portion of the lowermost through hole 24 can be made thinner. Thereby, since the chamber member 25 can be formed more compactly, conveyance and installation become easier. In addition, the manufacturing material can be at least reduced, and the cost can be reduced.

이하, 이와 같은 진공 챔버 (20) 의 처리 공간 (A) 내에 설치되는 지지 부재 (30) 및 가열 수단 (40) 에 대해 상세하게 설명한다.Hereinafter, the supporting member 30 and the heating means 40 provided in the processing space A of such a vacuum chamber 20 are demonstrated in detail.

가열 수단 (40) 은, 예를 들어 가열원으로서의 시스 히터를 갖고, 방사열에 의해 기판을, 예를 들어 120 ∼ 150℃ 정도로 가열하는 것이다. 본 실시형태에서는, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 가열 수단 (40) 은 기판 (S) 의 반송 방향을 따라 6 개 병설되어 각각 고정되어 있다. 즉, 가열 수단 (40) 은 각 챔버 부재 (25) 의 관통 구멍 (24) 내에 각각 설치되어 있다.The heating means 40 has a sheath heater as a heating source, for example, and heats a board | substrate about 120-150 degreeC by radiant heat, for example. In the present embodiment, as shown in FIG. 4, six heating means 40 are arranged in parallel along the conveying direction of the substrate S and are respectively fixed. That is, the heating means 40 is provided in the through-hole 24 of each chamber member 25, respectively.

가열 수단 (40) 의 표면에는, 표면 처리로서, 방사 효율을 높이는 재료, 예를 들어, 금속 재료 등을 함유하는 피복막 (41) 이 형성되어 있다. 이로써, 가 열 수단 (40) 의 방사 효율이 높아지기 때문에, 가열 수단 (40) 의 방사열에 의해 기판 (S) 을 효율적으로 가열할 수 있다. 피복막 (41) 은, 예를 들어, 가열 수단 (40) 의 표면에 재료를 용사함으로써 형성된다. 피복막 (41) 에 사용되는 재료로는 금속 재료, 예를 들어, 알루미늄, 티탄 또는 크롬, 혹은 이들을 함유하는 합금이나 이들의 산화물 등이 바람직하게 사용된다. 물론 피복막 (41) 에 사용되는 재료는, 방사 효율을 높일 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 단, 진공 가열 처리실의 관점에서, 방출 가스가 적은 재료를 사용하는 것이 바람직하다.On the surface of the heating means 40, as a surface treatment, the coating film 41 containing the material which improves spinning efficiency, for example, a metal material, is formed. Thereby, since the radiation efficiency of the heating means 40 becomes high, the board | substrate S can be heated efficiently by the radiation heat of the heating means 40. FIG. The coating film 41 is formed by spraying a material on the surface of the heating means 40, for example. As a material used for the coating film 41, a metal material, for example, aluminum, titanium, or chromium, an alloy containing these, oxides thereof, or the like is preferably used. Of course, the material used for the coating film 41 is not specifically limited as long as it can improve spinning efficiency. However, it is preferable to use a material with few emission gas from a viewpoint of a vacuum heat processing chamber.

또한, 상기 서술한 재료로 이루어지는 피복막 (41) 을 형성한 알루미늄 무구판으로 이루어지는 시료에 열전대를 형성하고 20㎜ 떨어진 위치에서 방사 온도계에 의해 히터의 온도를 측정하고 열전대의 온도와 비교하여 방사 효율을 조사한 결과, 산화티탄을 용사한 경우의 방사 효율은 0.89 이고, 산화크롬막을 형성한 경우의 방사 효율은 0.9 이었다. 또한, 동일하게 하여 측정한 알루미늄 무구판의 방사 효율은 0.3 이었으므로, 이들 표면 처리로서의 피복막 (41) 을 형성함으로써, 방사 효율이 높아지는 것을 알 수 있었다.In addition, a thermocouple was formed on a sample made of an aluminum solid plate on which a coating film 41 made of the above-described material was formed, and the temperature of the heater was measured by a radiation thermometer at a position 20 mm apart, and the radiation efficiency was compared with that of the thermocouple. The irradiation efficiency was 0.89 when the titanium oxide was sprayed and the radiation efficiency when the chromium oxide film was formed was 0.9. In addition, since the spinning efficiency of the aluminum aluminal plate measured similarly was 0.3, it turned out that spinning efficiency becomes high by forming the coating film 41 as these surface treatments.

또한 본 실시형태에서는, 가열 수단 (40) 의 표면에 피복막 (41) 을 형성하여 방사 효율을 높이도록 하였지만, 예를 들어, 피복막 (41) 대신에 가열 수단 (40) 과는 다른 부재인 금속 재료로 이루어지는 피복판을, 가열 수단 (40) 의 표면에 접촉시킨 상태로 형성하도록 해도 된다. 피복판을 형성하는 금속 재료로는, 피복막과 동일한 재료를 사용하면 된다. 이와 같은 구성으로 해도, 가열 수단 (40) 의 방사 효율을 높일 수 있다.In addition, in this embodiment, although the coating film 41 was formed in the surface of the heating means 40 to improve radiation efficiency, it is a member different from the heating means 40 instead of the coating film 41, for example. You may make the coating plate which consists of metal materials in the state which contacted the surface of the heating means 40. FIG. As a metal material which forms a coating plate, the same material as a coating film may be used. Even in such a configuration, the radiation efficiency of the heating means 40 can be increased.

지지 부재 (30) 는, 가열 수단 (40) 으로부터 소정 거리만큼 떨어진 위치에서 기판 (S) 을 지지한다. 본 실시형태에서는, 지지 부재 (30) 는 가열 수단 (40) 상에 배치되어 있고, 기판 (S) 의 반송 방향을 따라 형성된 봉형상의 복수의 베이스 부재 (31) (도 4 중에서는 예로서 8 개) 와, 베이스 부재 (31) 에 소정 간격으로 세워 설치된 복수의 기판 지지핀 (32) 으로 이루어진다. 그리고, 지지 부재 (30) 는 이들 복수의 기판 지지핀 (32) 의 선단에서 기판 (S) 을 지지한다.The support member 30 supports the board | substrate S in the position separated from the heating means 40 by the predetermined distance. In this embodiment, the support member 30 is arrange | positioned on the heating means 40, and several rod-shaped base members 31 formed along the conveyance direction of the board | substrate S (eight in the example in FIG. 4 are eight, for example). ) And a plurality of substrate support pins 32 provided upright on the base member 31 at predetermined intervals. And the support member 30 supports the board | substrate S at the front-end | tip of these some board | substrate support pin 32. As shown in FIG.

여기서, 기판 (S) 은, 예를 들어 로봇 암에 의해 처리 공간 (A) 내로 반송된다. 이 때, 기판 (S) 은 로봇 암에 의해 덮개 부재 (23) 측에서 처리 공간 (A) 내로 삽입되어, 기판 지지핀 (32) 상에 탑재된다. 그 후, 로봇 암은 이 기판 (S) 과 가열 수단 (40) 의 간극을 이동하여 덮개 부재 (23) 측에서 외부로 빼내어진다.Here, the board | substrate S is conveyed in process space A by a robot arm, for example. At this time, the substrate S is inserted into the processing space A on the lid member 23 side by the robot arm and mounted on the substrate support pin 32. Thereafter, the robot arm moves the gap between the substrate S and the heating means 40 and is pulled out from the cover member 23 side.

본 발명의 가열 처리 장치 (10) 에서는, 이와 같이 로봇 암에 의해 지지 부재 (30) 의 기판 지지핀 (32) 상에 기판 (S) 을 탑재하면, 그 상태에서 기판 (S) 을 가열 수단 (40) 의 방사열에 의해 가열 처리할 수 있다. 예를 들어, 가열 수단으로서 핫 플레이트 등을 채용하고 있는 종래의 가열 처리 장치에서는, 기판 지지핀 상에 기판을 탑재한 후, 추가로 가열 수단에 접촉시키기 위해 기판을 이동시킬 필요가 있지만, 본 발명의 가열 처리 장치에서는, 이와 같은 기판의 이동이 필요 없이 스루풋이 향상된다.In the heat processing apparatus 10 of this invention, when mounting the board | substrate S on the board | substrate support pin 32 of the support member 30 with a robot arm in this way, it heats the board | substrate S in that state ( It can heat-process by the radiant heat of 40). For example, in a conventional heat treatment apparatus employing a hot plate or the like as the heating means, after mounting the substrate on the substrate support pin, it is necessary to move the substrate so as to further contact the heating means. In the heat treatment apparatus, the throughput is improved without the need for such movement of the substrate.

또한, 기판을 이동시켜 가열 수단에 접촉시키기 위해서는, 예를 들어, 기판 지지핀을 승강시킬 수 있도록 하기 위한 기구 등을 설치할 필요가 있는데, 본 발명의 가열 처리 장치에는 이와 같은 기구는 필요 없기 때문에, 가열 처리 장치를 비교적 저렴하게 제조할 수도 있다.Moreover, in order to move a board | substrate and to contact a heating means, for example, it is necessary to provide the mechanism etc. which can raise and lower a board | substrate support pin, but such a mechanism is not necessary for the heat processing apparatus of this invention, The heat treatment apparatus may be manufactured relatively inexpensively.

이상 본 발명에 관련된 가열 처리 장치의 일례에 대해 설명하였는데, 본 발명은 본 실시형태에 한정되는 것은 아니다.As mentioned above, although the example of the heat processing apparatus which concerns on this invention was described, this invention is not limited to this embodiment.

예를 들어, 상기 서술한 실시형태에서는, 1 개의 봉형상의 베이스 부재 (31) 상에 기판 지지핀 (32) 이 세워 설치된 지지 부재 (30) 를 예시하였지만, 지지 부재 (30) 의 구성은 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 도 5(a) 에 나타내는 바와 같이, 지지 부재 (30) 는 복수의 분할 베이스 부재 (33) 와, 각 분할 베이스 부재 (33) 를 접속시키는 힌지부 (34) 와, 각 분할 베이스 부재 (33) 상에 소정 간격을 두고 세워 설치된 기판 지지핀 (32) 으로 구성되어 있어도 된다. 힌지부 (34) 는 축 (35) 을 중심으로 하여 굴곡 가능하도록 구성되어 있다. 또한 인접하는 힌지부 (34) 는, 도 5(b) 에 나타내는 바와 같이, 각각 역방향으로 절곡되도록 배치되어 있는 것이 바람직하다. 이로써, 각 힌지부 (34) 의 축 (35) 을 중심으로 하여 지지 부재 (30) 를 접을 수 있기 때문에, 취급이 용이해진다. 예를 들어, 장치의 유지보수시에 지지 부재 (30) 를 처리 공간 (A) 으로부터 분리시키는 경우에는, 긴 지지 부재 (30) 를 접어 짧게 하면서 꺼낼 수 있으므로, 취급이 용이해진다.For example, in the above-mentioned embodiment, although the support member 30 in which the board | substrate support pin 32 was stood up on one rod-shaped base member 31 was illustrated, the structure of the support member 30 is not limited to this. It is not limited. For example, as shown in FIG. 5A, the supporting member 30 includes a plurality of divided base members 33, a hinge portion 34 connecting the divided base members 33, and each divided base. It may be comprised with the board | substrate support pin 32 provided standing up on the member 33 at predetermined intervals. The hinge portion 34 is configured to be bent about the axis 35. Moreover, it is preferable that the adjacent hinge part 34 is arrange | positioned so that it may respectively be bend in a reverse direction, as shown to FIG. 5 (b). Thereby, since the support member 30 can be folded about the axis | shaft 35 of each hinge part 34, handling becomes easy. For example, when the support member 30 is separated from the processing space A during maintenance of the apparatus, since the long support member 30 can be folded out and shortened, handling becomes easy.

또한 본 실시형태에서는, 챔버 본체 (21) 를 구성하는 각 챔버 부재 (25) 에 복수 (5 개) 의 관통 구멍 (24) 을 형성한 예를 설명하였지만, 챔버 본체 (21) 의 구성은 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 챔버 본체 (21A) 는, 1 개의 관통 구멍 (24) 이 형성된 챔버 부재 (25A) 가 소정 수만큼 쌓아 올려진 것이어도 된다.In addition, in this embodiment, the example in which the plurality of five through-holes 24 were formed in each chamber member 25 which comprises the chamber main body 21 was demonstrated, The structure of the chamber main body 21 is not limited to this. It is not limited. For example, as shown in FIG. 6, the chamber main body 21A may be one in which a predetermined number of chamber members 25A on which one through hole 24 is formed are stacked.

또한 본 실시형태에서는 가열 수단을 챔버 부재 (25) 에 맞춰 1 개의 처리 공간 (A) 에 대하여 6 개 설치하였지만, 처리 공간 (A) 의 크기에 맞춘 대형 가열 수단을 설치해도 된다. 또한 본 실시형태에서는, 처리 공간 (A) 내에 지지 부재 (30) 와 가열 수단 (40) 을 각각 설치하도록 하였지만, 이들은 일체적으로 설치되어 있어도 된다. 구체적으로는, 예를 들어, 가열 수단 (40) 상에 기판 지지핀 (32) 이 직접 형성되어 있어도 된다.In addition, in this embodiment, although 6 heating means were provided with respect to one process space A according to the chamber member 25, you may provide the big heating means according to the magnitude | size of the process space A. As shown in FIG. Moreover, in this embodiment, although the support member 30 and the heating means 40 were provided in the processing space A, respectively, these may be provided integrally. Specifically, for example, the substrate support pin 32 may be directly formed on the heating means 40.

또한 본 실시형태에서는, 각 챔버 부재 (25) 의 관통 구멍 (24) 이 개구되는 적어도 일방의 벽면에 관통 구멍 (24) 의 주위에 걸쳐 연속되는 홈부 (27) 를 형성하였지만, 이와 같은 홈부 (27) 는 인접하는 각 챔버 부재 (25) 의 벽면에 각각 형성되어 있어도 된다.In addition, in this embodiment, although the groove part 27 continuous over the periphery of the through-hole 24 was formed in the at least one wall surface through which the through-hole 24 of each chamber member 25 is opened, such a groove part 27 ) May be formed on the wall surfaces of the adjacent chamber members 25, respectively.

도 1 은 본 발명에 관련된 가열 처리 장치의 단면도.1 is a cross-sectional view of a heat treatment apparatus according to the present invention.

도 2 는 본 발명에 관련된 챔버 본체를 나타내는 모식적 사시도.2 is a schematic perspective view of a chamber body according to the present invention;

도 3 은 본 발명에 관련된 챔버 부재를 나타내는 모식적 사시도.3 is a schematic perspective view showing a chamber member according to the present invention.

도 4 는 본 발명에 관련된 처리 공간의 내부를 나타내는 모식도.4 is a schematic diagram showing an interior of a processing space according to the present invention;

도 5 는 본 발명에 관련된 유지 부재의 변형예를 나타내는 모식도.5 is a schematic view showing a modification of the holding member according to the present invention.

도 6 은 본 발명에 관련된 챔버 본체의 변형예를 나타내는 모식적 사시도.6 is a schematic perspective view showing a modification of the chamber body according to the present invention.

※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ※[Description of Reference Numerals]

10 : 가열 처리 장치 20 : 진공 챔버10 heat treatment device 20 vacuum chamber

21 : 챔버 본체 22 : 벽면 부재21 chamber main body 22 wall member

23 : 덮개 부재 24 : 관통 구멍23: cover member 24: through hole

25 : 챔버 부재 26 : 시일 부재25 chamber member 26 seal member

27 : 홈부 28 : 격벽부 27: groove portion 28: partition wall

30 : 지지 부재 31 : 베이스 부재30 support member 31 base member

32 : 기판 지지핀 33 : 분할 베이스 부재 32: substrate support pin 33: divided base member

34 : 힌지부 35 : 축34: hinge part 35: shaft

40 : 가열 수단 41 : 피복막40: heating means 41: coating film

A : 처리 공간 S : 기판A: processing space S: substrate

Claims (7)

기판을 삽입할 수 있도록 형성된 관통 구멍을 갖는 블록상의 복수의 챔버 부재로 이루어지고, 인접하는 챔버 부재의 적어도 일방에, 타방과의 맞닿음면의 상기 관통 구멍의 개구부 주위에 걸쳐 연속하여 홈부가 형성되고, 각 챔버 부재가, 상기 홈부에 장착된 시일 부재를 개재하여 각각 밀접한 상태에서 고정되고, 복수의 상기 관통 구멍으로 구성되는 처리 공간을 갖는 챔버 본체와, 상기 처리 공간의 일방의 개구를 밀봉하는 벽면 부재와, 상기 처리 공간의 타방의 개구를 개폐할 수 있도록 막는 덮개 부재를 구비하는 진공 챔버와,Comprising a plurality of chamber members on the block having a through hole formed so that the substrate can be inserted, grooves are formed continuously in the at least one adjacent chamber member around the opening of the through hole of the contact surface with the other Each chamber member is fixed in close contact with each other via a seal member attached to the groove portion, and seals the chamber body having a processing space composed of the plurality of through holes, and one opening of the processing space. A vacuum chamber having a wall member, and a lid member which closes and opens the other opening of the processing space; 상기 처리 공간 내에 배치되고 상기 기판을 지지하는 지지 부재와,A support member disposed in the processing space and supporting the substrate; 상기 지지 부재에 지지된 상기 기판에 서로 대향하여 설치되고 상기 기판을 방사열에 의해 가열하는 가열 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 가열 처리 장치.And heating means provided on the substrates supported by the supporting member so as to face each other and heating the substrates by radiant heat. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 챔버 부재 각각에는, 그 높이 방향을 따라 상기 관통 구멍이 소정 간격으로 복수 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가열 처리 장치.Each of the said chamber members is provided with two or more through-holes in predetermined intervals along the height direction, The heat processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가열 수단의 표면에 방사 효율을 높이는 재료를 함유하는 피복막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가열 처리 장치.A coating film containing a material for increasing the radiation efficiency is formed on the surface of the heating means. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가열 수단 상에 방사 효율을 높이는 재료로 형성된 피복판이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가열 처리 장치.A heating plate formed of a material for increasing the radiation efficiency on the heating means is formed. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가열 수단이, 가열원으로서의 시스 히터를 갖는 것을 특징으로 하는 가열 처리 장치.The said heating means has a sheath heater as a heating source, The heat processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,6. The method according to any one of claims 1 to 5, 상기 지지 부재는, 상기 챔버 부재에 봉형상의 베이스 부재와 상기 베이스 부재 상에 세워 설치된 복수의 기판 지지핀으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 가열 처리 장치.The said support member is comprised by the rod-shaped base member and the some board | substrate support pin standing up on the said base member, The said heat processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 베이스 부재는, 그 축 방향의 복수 지점에 굴곡 가능한 힌지부를 갖는 것을 특징으로 하는 가열 처리 장치.The base member has a hinge portion that can be bent at a plurality of points in the axial direction.
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