KR20230152401A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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KR20230152401A
KR20230152401A KR1020220052101A KR20220052101A KR20230152401A KR 20230152401 A KR20230152401 A KR 20230152401A KR 1020220052101 A KR1020220052101 A KR 1020220052101A KR 20220052101 A KR20220052101 A KR 20220052101A KR 20230152401 A KR20230152401 A KR 20230152401A
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KR
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wall
chamber
insulation
insulating
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KR1020220052101A
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Korean (ko)
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류준열
박경완
민윤기
Original Assignee
주식회사 원익아이피에스
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 처리하기 위한 처리 공간이 구비된 챔버; 적어도 어느 하나의 상기 챔버의 벽체에 설치되어, 상기 벽체와 상기 벽체에 설치된 면 사이에 밀폐된 단열 공간이 형성되는 단열 플레이트; 상기 단열 공간에 진공을 형성하기 위하여 배기를 수행하는 배기부; 및 상기 단열 공간이 밀폐되도록 상기 챔버의 벽체 및 상기 단열 플레이트를 동시에 관통하는 관통부재;를 포함한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber provided with a processing space for processing a substrate; an insulating plate installed on the wall of at least one of the chambers to form a sealed insulating space between the wall and a surface installed on the wall; an exhaust unit that performs exhaust to create a vacuum in the insulated space; and a penetrating member that simultaneously penetrates the wall of the chamber and the insulating plate to seal the insulating space.

Description

기판 처리 장치 {Substrate processing apparatus}Substrate processing apparatus {Substrate processing apparatus}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 단열 성능이 개선된 챔버를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus having a chamber with improved thermal insulation performance.

기판처리 장치는, 평판 디스플레이, 반도체, 태양전지 등의 제조시 사용되고, 하나의 기판을 처리하는 매엽식(Single Substrate Type)과 복수의 기판을 처리하는 배치식(Batch Type)이 있다. 매엽식 기판 처리 장치는 구성이 간단한 이점이 있으나 생산성이 떨어지는 단점이 있어, 대량 생산에는 배치식 기판 처리 장치가 많이 사용된다.Substrate processing equipment is used in the manufacture of flat panel displays, semiconductors, solar cells, etc., and is divided into a single substrate type that processes one substrate and a batch type that processes multiple substrates. The single wafer type substrate processing device has the advantage of simple configuration, but has the disadvantage of low productivity, so the batch type substrate processing device is often used for mass production.

배치식 기판 처리 장치에는 기판처리 공간을 제공하는 챔버가 형성되고, 챔버에는 챔버로 로딩된 복수개의 기판을 각각 지지하는 지지부재인 기판 홀더가 설치될 수 있으며, 복수개의 기판을 기판처리하기 위해 각각의 기판 사이마다 히터가 설치될 수 있다.In the batch type substrate processing apparatus, a chamber is formed to provide a substrate processing space, and a substrate holder, which is a support member that supports each of a plurality of substrates loaded into the chamber, may be installed in the chamber, and each substrate is used to process the plurality of substrates. A heater may be installed between each of the substrates.

최근 디스플레이 및 태양전지용 글래스 기판의 사이즈가 대면적화 됨에 따라 기판처리 공정에서 소모되는 시간 및 비용이 증가하고 있으므로, 공정 처리 시간을 단축하여 공정 사이클을 늘리는 것이 생산성의 향상과 직결된다.Recently, as the size of glass substrates for displays and solar cells has become larger, the time and cost consumed in the substrate processing process are increasing. Therefore, shortening the processing time and increasing the process cycle is directly related to improving productivity.

본 발명은 챔버의 단열 성능을 개선하여 생산성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The present invention seeks to provide a substrate processing device that can improve productivity by improving the insulation performance of the chamber. However, these tasks are illustrative and do not limit the scope of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판 처리 장치가 제공된다. 기판 처리 장치는, 기판을 처리하기 위한 처리 공간이 구비된 챔버; 적어도 어느 하나의 상기 챔버의 벽체에 설치되어, 상기 벽체와 상기 벽체에 설치된 면 사이에 밀폐된 단열 공간이 형성되는 단열 플레이트; 상기 단열 공간에 진공을 형성하기 위하여 배기를 수행하는 배기부; 및 상기 단열 공간이 밀폐되도록 상기 챔버의 벽체 및 상기 단열 플레이트를 동시에 관통하는 관통부재;를 포함한다.According to one embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus is provided. A substrate processing apparatus includes a chamber provided with a processing space for processing a substrate; an insulating plate installed on the wall of at least one of the chambers to form a sealed insulating space between the wall and a surface installed on the wall; an exhaust unit that performs exhaust to create a vacuum in the insulated space; and a penetrating member that simultaneously penetrates the wall of the chamber and the insulating plate to seal the insulating space.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 단열 플레이트의 외면에 홈부가 형성되고, 상기 홈부는 상기 벽체로 밀폐되어 상기 단열 공간이 형성될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a groove may be formed on the outer surface of the insulation plate, and the groove may be sealed with the wall to form the insulation space.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 단열 공간이 밀폐될 수 있도록 상기 단열 공간 주변을 따라 상기 벽체와 상기 단열 플레이트를 실링하는 실링 부재;를 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a sealing member sealing the wall and the insulation plate along the periphery of the insulation space so that the insulation space can be sealed may be included.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 관통부재는, 상기 벽체 및 상기 단열 플레이트를 관통하여 상기 처리 공간을 가로지르는 복수의 히터로 형성되는 히터부;를 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the penetrating member may include a heater portion formed of a plurality of heaters that penetrate the wall and the insulation plate and cross the processing space.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 챔버는, 상기 히터부가 상기 챔버에 결합되도록 상기 벽체를 관통하는 홀형상으로 형성되는 제 1 히터홀부; 및 상기 단열 공간이 상기 배기부와 연결되어 진공 상태로 형성되기 위하여 상기 벽체를 관통하여 형성되는 진공홀부;를 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the chamber includes: a first heater hole portion formed in the shape of a hole penetrating the wall so that the heater portion is coupled to the chamber; and a vacuum hole portion formed through the wall so that the insulating space is connected to the exhaust portion to form a vacuum state.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 단열 플레이트는, 상기 히터부가 상기 단열 플레이트에 결합되도록 상기 단열 플레이트의 외면에서 내면으로 관통되는 제 2 히터홀부; 및 상기 히터부로부터 상기 단열 공간을 실링할 수 있도록 상기 히터부 주변을 둘러싸도록 형성되는 히터 실링부;를 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the insulation plate includes a second heater hole portion penetrating from the outer surface to the inner surface of the insulation plate so that the heater portion is coupled to the insulation plate; and a heater sealing portion formed to surround the heater portion to seal the insulating space from the heater portion.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 단열 플레이트는 금속 재질이며, 상기 처리 공간의 내부열을 보존할 수 있도록 상기 처리 공간을 바라보는 내면에 반사부가 형성될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the insulation plate is made of a metal material, and a reflective portion may be formed on the inner surface facing the processing space to preserve the internal heat of the processing space.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 배기부는, 상기 단열 공간을 진공으로 형성하기 위하여 상기 단열 공간 내부의 압력을 조절하는 진공 펌프; 및 상기 챔버와 상기 진공 펌프를 연결하는 배기 라인;을 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the exhaust unit includes a vacuum pump that adjusts the pressure inside the insulated space to form the insulated space into a vacuum; and an exhaust line connecting the chamber and the vacuum pump.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 벽체 및 상기 단열 플레이트는 복수개로 형성되어, 상기 단열 공간이 복수개 형성되고, 복수개로 형성된 상기 단열 공간은 상기 배기 라인에 각각 연결될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the wall and the insulating plate are formed in plural pieces, so that the plurality of insulating spaces are formed, and the plurality of insulating spaces can be respectively connected to the exhaust line.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 배기부는, 복수개로 형성된 상기 단열 공간의 각각의 진공도를 차등적으로 제어할 수 있도록 복수개로 형성된 상기 배기 라인에 각각 형성되는 진공 밸브;를 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the exhaust unit may include a vacuum valve formed in each of the plurality of exhaust lines to differentially control the vacuum degree of each of the plurality of insulated spaces.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 단열 플레이트는, 상기 단열 공간에서 상기 벽체와 상기 단열 플레이트가 변형되지 않도록 상기 벽체와 상기 단열 플레이트 사이를 지지하는 지지부;를 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the insulation plate may include a support portion supporting between the wall and the insulation plate so that the wall and the insulation plate are not deformed in the insulation space.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 지지부는 중공부가 관통되어 형성되고, 상기 중공부로 상기 처리 공간을 가로지르는 히터부가 삽입되도록 형성될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the support part may be formed by penetrating a hollow part, and a heater part crossing the processing space may be inserted into the hollow part.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 지지부는 중공부가 관통되어 형성되고, 상기 중공부로 상기 챔버와 상기 단열 플레이트를 결합하는 결합 부재가 삽입되도록 형성될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the support part may be formed by penetrating a hollow part, and a coupling member coupling the chamber and the insulating plate may be inserted into the hollow part.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 단열 플레이트는 단면이 사다리꼴 형상으로 형성될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the insulating plate may have a trapezoidal cross-section.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 기판 처리 장치는 챔버는 적어도 어느 하나의 벽체에 설치되어 벽체와 함께 진공 단열을 형성하는 단열 플레이트를 구비함으로써, 챔버의 단열 성능을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. As described above, in the substrate processing apparatus according to embodiments of the present invention, the chamber is provided with an insulation plate installed on at least one wall to form vacuum insulation with the wall, thereby improving the insulation performance of the chamber. It works.

또한, 단열 플레이트는 반사판 역할을 수행하기 때문에 챔버의 단열 성능을 더욱더 향상시킬 수 있는 효과가 있다.Additionally, since the insulation plate functions as a reflector, it has the effect of further improving the insulation performance of the chamber.

또한, 단열 플레이트는 인접한 단열 플레이트 사이에 이격 공간 없이 인접한 단열 플레이트들은 일부가 서로 접하도록 챔버 벽체에 설치됨으로써, 단열 부재 사이의 이격 공간을 통한 열손실을 원천적으로 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, the insulation plate is installed on the chamber wall so that some of the adjacent insulation plates are in contact with each other without a separation space between adjacent insulation plates, which has the effect of fundamentally preventing heat loss through the separation space between the insulation members.

또한, 단열 플레이트는 챔버 내벽에 결합되어 진공 단열을 형성함으로써, 챔버의 단열 성능을 향상시킴과 동시에 챔버의 크기 증가 방지 및 챔버의 강성과 같은 기계적 특성 열화를 방지할 수 있는 효과가 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.In addition, the insulation plate is coupled to the inner wall of the chamber to form vacuum insulation, thereby improving the insulation performance of the chamber and simultaneously preventing an increase in the size of the chamber and deterioration of mechanical properties such as chamber rigidity. Of course, the scope of the present invention is not limited by this effect.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 챔버를 나타내는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단열 플레이트를 나타내는 사시도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단열 플레이트를 나타내는 사시도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 챔버와 단열 플레이트를 지지하는 지지부를 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 사시도이다.
도 7은 종래의 단열 챔버와 본 발명의 단열 챔버의 열보존을 비교한 실험예이다.
도 8은 진공 단열재의 가스 압력에 따른 열전도율을 나타내는 그래프이다.
1 is a perspective view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a perspective view showing a chamber of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a perspective view showing an insulating plate of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a perspective view showing an insulating plate of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
Figure 5 is a cross-sectional view showing a support portion supporting a chamber and an insulation plate according to another embodiment of the present invention.
Figure 6 is a perspective view showing a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
Figure 7 is an experimental example comparing heat preservation between a conventional insulation chamber and the insulation chamber of the present invention.
Figure 8 is a graph showing the thermal conductivity of the vacuum insulation material according to gas pressure.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, various preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art, and the following examples may be modified into various other forms, and the scope of the present invention is as follows. It is not limited to the examples. Rather, these embodiments are provided to make the present disclosure more faithful and complete and to fully convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Additionally, the thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated for convenience and clarity of explanation.

이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will now be described with reference to drawings that schematically show ideal embodiments of the present invention. In the drawings, variations of the depicted shape may be expected, for example, depending on manufacturing technology and/or tolerances. Accordingly, embodiments of the present invention should not be construed as being limited to the specific shape of the area shown in this specification, but should include, for example, changes in shape resulting from manufacturing.

후술하는 본 발명은 챔버의 단열 성능 개선을 통해 기판처리 공정의 생산성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention, which will be described later, is intended to provide a substrate processing device that can improve the productivity of the substrate processing process by improving the insulation performance of the chamber.

참고로, 기존의 기판 처리 장치는 챔버의 단열을 위해 챔버 내부 벽체에 샤프트를 설치하고, 샤프트에 단열재를 조립하여 챔버 내부를 단열하였다. 이 경우, 단열재 재질의 특성으로 인해 단열재를 챔버 벽체에 부착할 수 없어 처리공간 확보를 위해 부득이하게 챔버의 크기가 증가하는 문제점이 있다. 또한, 챔버 내부에 형성된 단열재와 챔버 사이 및 단열재들 사이에 필연적으로 이격 공간이 발생하고, 이격 공간을 통해 형성되는 기류로 인해 단열 성능이 저하되는 문제점이 있다. 또한, 일반적으로 사용되는 단열재는 장파장 영역을 투과하여 실제 챔버 내부의 열보존이 어려워 단열 성능이 저하되고, 이를 방지하기 위해 별도의 반사 부재를 설치해야 하는 문제점이 있다. 또한, 단열 성능이 우수한 쿼츠 재질의 단열재의 취성이 강해 취급 및 유지보수가 어려운 문제점이 있다. For reference, the existing substrate processing device installs a shaft on the inner wall of the chamber to insulate the chamber, and insulates the inside of the chamber by assembling an insulating material on the shaft. In this case, due to the characteristics of the insulation material, the insulation material cannot be attached to the chamber wall, so there is a problem that the size of the chamber is inevitably increased to secure processing space. In addition, there is a problem that a separation space is inevitably created between the insulation material formed inside the chamber and the chamber and between the insulation materials, and the insulation performance is deteriorated due to airflow formed through the separation space. In addition, commonly used insulating materials transmit long-wavelength regions, making it difficult to preserve heat inside the actual chamber, thereby deteriorating the insulating performance, and there is a problem that a separate reflective member must be installed to prevent this. In addition, there is a problem in that the quartz insulation material, which has excellent insulation performance, is highly brittle, making handling and maintenance difficult.

본 발명은 상기와 같이 챔버 내부에 단열재를 설치하여 단열 성능을 확보하는 기판 처리 장치에서 발생하는 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 일 과제는 챔버 벽면에 단열이 가능한 진공을 형성하여 열손실을 최소화하며, 열처리 시간의 단축하여 기판을 처리하는 공정 처리 시간을 단축하고, 기판처리 공정의 생산성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.The present invention is intended to solve problems occurring in a substrate processing apparatus that secures insulation performance by installing an insulation material inside the chamber as described above. One object of the present invention is to reduce heat loss by forming an insulating vacuum on the chamber wall. The aim is to provide a substrate processing device that can minimize the heat treatment time, shorten the processing time for processing the substrate, and improve the productivity of the substrate processing process.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 사시도이고, 도 2는 기판 처리 장치의 챔버(100)를 나타내는 사시도이고, 도 3 및 도 4는 본 발명의 여러 실시예들에 따른 기판 처리 장치의 단열 플레이트(200)를 나타내는 사시도들이다.FIG. 1 is a perspective view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view showing the chamber 100 of the substrate processing apparatus, and FIGS. 3 and 4 are according to various embodiments of the present invention. These are perspective views showing the insulation plate 200 of the substrate processing apparatus.

먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 크게, 챔버(100), 단열 플레이트(200), 배기부(300) 및 관통부재를 포함할 수 있다.First, as shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention may largely include a chamber 100, an insulating plate 200, an exhaust unit 300, and a penetrating member.

챔버(100)는 직육면체 형상뿐만 아니라, 기판의 형상에 따라 다양한 형상으로 형성될 수 있으며, 일면에 기판이 로딩 및 언로딩 되는 개구부가 형성될 수 있다.The chamber 100 may be formed not only in the shape of a rectangular parallelepiped, but also in various shapes depending on the shape of the substrate, and may have an opening for loading and unloading the substrate on one side.

상기 개구부에는 상기 개구부를 개폐할 수 있는 도어가 설치될 수 있으며, 챔버(100)는 상기 도어의 개폐에 따라 내부의 처리 공간(A)이 밀폐된 공간으로 형성될 수 있다.A door capable of opening and closing the opening may be installed in the opening, and the processing space A inside the chamber 100 may be formed as a sealed space according to the opening and closing of the door.

상기 도어를 열어 챔버(100)가 개방된 상태에서, 기판 이송 로봇(미도시) 등으로 상기 기판을 지지하여 챔버(100) 내부의 처리 공간(A)으로 로딩할 수 있다. 이어서, 상기 도어를 닫아 챔버(100)를 폐쇄한 상태에서, 상기 기판을 공정 처리할 수 있다.When the chamber 100 is opened by opening the door, the substrate can be supported by a substrate transfer robot (not shown) and loaded into the processing space A inside the chamber 100. Subsequently, the substrate can be processed in a state in which the chamber 100 is closed by closing the door.

또한, 챔버(100)의 다른 일면에는 챔버(100)의 내부에 설치되는 지지 유닛, 가스 공급관 및 가스 배출관 등의 수리 및 교체를 위한 커버(미도시)가 개폐 가능하도록 설치될 수 있다.In addition, on the other side of the chamber 100, a cover (not shown) for repair and replacement of the support unit, gas supply pipe, and gas discharge pipe installed inside the chamber 100 may be installed to be openable and closed.

도 2에 도시된 바와 같이, 챔버(100)는 기판을 처리하는 처리 공간(A)이 형성되고 적어도 하나의 벽체(110)로 형성될 수 있으며, 벽체(110)에는 진공홀부(120) 및 제 1 히터홀부(130)가 형성될 수 있다.As shown in FIG. 2, the chamber 100 has a processing space (A) for processing a substrate and may be formed of at least one wall 110, and the wall 110 includes a vacuum hole 120 and a second wall 110. 1 Heater hole portion 130 may be formed.

진공홀부(120)는 단열 공간(B)이 배기부(300)와 연결되어 진공 상태로 형성되기 위하여 벽체(110)를 관통하여 형성될 수 있다. 챔버(100)는 적어도 어느 하나의 벽체(110)에 설치되어 벽체(110)와 함께 진공 단열을 형성하는 단열 플레이트(200)를 구비함으로써, 챔버(100)의 단열 성능을 향상시킬 수 있다.The vacuum hole portion 120 may be formed through the wall 110 so that the insulating space B is connected to the exhaust portion 300 and formed in a vacuum state. The chamber 100 is provided with an insulation plate 200 that is installed on at least one wall 110 and forms vacuum insulation together with the wall 110, thereby improving the insulation performance of the chamber 100.

구체적으로, 챔버(100)와 단열 플레이트(200) 사이에 형성된 단열 공간(B)을 진공 분위기로 형성하기 위하여 챔버(100) 단열 플레이트(200)가 결합되는 면에 챔버(100) 외부와 연결될 수 있는 홀로 형성되는 진공홀부(120)가 형성될 수 있다.Specifically, in order to form the insulation space B formed between the chamber 100 and the insulation plate 200 in a vacuum atmosphere, the surface where the insulation plate 200 of the chamber 100 is coupled may be connected to the outside of the chamber 100. A vacuum hole portion 120 formed by a hole may be formed.

예컨대, 챔버(100)의 상부, 하부, 좌측부 및 우측부에 형성된 벽체(110)에 단열 플레이트(200)가 각각 형성될 경우, 상부 벽체, 하부 벽체, 좌측부 벽체 및 우측부 벽체를 포함하는 벽체(110)에 각각 진공홀부(120)가 형성될 수 있다.For example, when the insulation plate 200 is formed on the walls 110 formed on the upper, lower, left, and right sides of the chamber 100, the walls including the upper wall, lower wall, left wall, and right wall ( Vacuum hole portions 120 may be formed in each 110).

진공홀부(120)는 배기부(300)에 연결될 수 있다.The vacuum hole unit 120 may be connected to the exhaust unit 300.

제 1 히터홀부(130)는 히터부(500)가 챔버(100)에 결합되도록 벽체(110)를 관통하는 홀형상으로 형성될 수 있다.The first heater hole portion 130 may be formed in the shape of a hole penetrating the wall 110 so that the heater portion 500 is coupled to the chamber 100.

구체적으로, 챔버(100) 내부에서 처리되는 상기 기판을 가열하거나, 처리 공간(A)의 온도를 상승시키기 위한 히터가 챔버(100) 내부에 설치될 수 있다. 이때, 상기 히터는 처리 공간(A)을 가로질러 챔버(100)의 일측면의 벽체에서 타측면의 벽체에 삽입되어 지지될 수 있으며, 벽체(110)에는 상기 히터가 복수개 삽입되어 설치될 수 있도록 복수의 제 1 홀을 포함하는 제 1 히터홀부(130)가 형성될 수 있다.Specifically, a heater may be installed inside the chamber 100 to heat the substrate being processed inside the chamber 100 or to increase the temperature of the processing space A. At this time, the heater can be inserted and supported from the wall on one side of the chamber 100 to the wall on the other side across the processing space (A), and a plurality of heaters can be inserted and installed in the wall 110. A first heater hole portion 130 including a plurality of first holes may be formed.

예컨대, 챔버(100)의 좌측부에 형성된 벽체 및 우측부에 형성된 벽체에 서로 대응되는 위치에서 상기 복수의 제 1 홀을 포함하는 제 1 히터홀부(130)가 형성될 수 있다. 그리하여, 상기 복수의 제 1 홀에 삽입된 복수의 히터는 서로 수평이 되도록 설치될 수 있다.For example, the first heater hole portion 130 including the plurality of first holes may be formed at positions corresponding to the wall formed on the left side and the wall formed on the right side of the chamber 100. Thus, the plurality of heaters inserted into the plurality of first holes can be installed to be horizontal to each other.

도시되지 않았지만, 처리 공간(A)으로 가스를 공급 또는 배기할 수 있는 가스 공급 구조, 가스 배기 구조 등이 챔버(100)에 결합되도록 벽체(110)를 관통하는 홀형상으로 형성될 수 있다.Although not shown, a gas supply structure, a gas exhaust structure, etc. that can supply or exhaust gas to the processing space A may be formed in the shape of a hole penetrating the wall 110 to be coupled to the chamber 100.

도 3에 도시된 바와 같이, 단열 플레이트(200)는 벽체(110)에 설치되어, 벽체(110)와 벽체(110)에 설치된 면 사이에 밀폐된 단열 공간(B)이 형성될 수 있다.As shown in FIG. 3, the insulation plate 200 is installed on the wall 110, so that a sealed insulation space B can be formed between the wall 110 and the surface installed on the wall 110.

단열 플레이트(200)는 챔버(100) 내측에 설치되는 판형상의 부재로서, 내면(220)은 처리 공간(A) 방향으로, 외면(210)은 챔버(100)의 벽체(110) 방향으로 설치되며, 외면(210)의 중심부는 챔버(100)의 벽체(110)와 접촉되지 않도록 단열 플레이트(200) 홈부가 형성될 수 있다.The insulation plate 200 is a plate-shaped member installed inside the chamber 100. The inner surface 220 is installed in the direction of the processing space A, and the outer surface 210 is installed in the direction of the wall 110 of the chamber 100. , a groove in the insulation plate 200 may be formed so that the center of the outer surface 210 does not contact the wall 110 of the chamber 100.

이때, 상기 홈부는 벽체(110)로 밀폐되어 단열 공간(B)이 형성될 수 있다.At this time, the groove portion may be sealed with the wall 110 to form an insulating space B.

도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 단열 플레이트(200)의 단면은 사각형상 또는 사다리꼴 형상으로 형성되어 챔버(100)의 벽체(110)에 각각 결합될 수 있다. 이때, 사각형상의 일방향 또는 사다리꼴 형상의 길이가 긴방향에는 단열 공간(B)이 형성될 수 있다.As shown in Figures 3 and 4, the cross-section of the insulation plate 200 is formed in a square or trapezoidal shape and can be respectively coupled to the wall 110 of the chamber 100. At this time, an insulating space B may be formed in one direction of a square shape or a long direction of a trapezoid shape.

단열 플레이트(200)는 사각 형상으로 형성되어, 각각의 단열 플레이트(200) 사이에 이격된 공간이 없도록 겹쳐서 설치되어 이격 공간을 통한 열손실을 원천적으로 방지할 수 있다. 또한, 단열 플레이트(200)는 사다리꼴 형상으로 형성되어, 각각의 단열 플레이트(200) 사이에 이격된 공간이 없도록 사다리꼴의 기울어진 변이 서로 맞대어져 설치되어 이격된 공간 없이 설치되어 이격 공간을 통한 열손실을 원천적으로 방지할 수 있다.The insulating plates 200 are formed in a square shape and are installed in an overlapping manner so that there is no space between each of the insulating plates 200, thereby fundamentally preventing heat loss through the space. In addition, the insulation plate 200 is formed in a trapezoidal shape, and the inclined sides of the trapezoid are installed against each other so that there is no space between each of the insulation plates 200, so that heat loss through the space is prevented. can be prevented at the source.

또한, 단열 플레이트(200)는 사다리꼴 형상으로 형성되어 모서리 부분에서의 압력 분산이 용이하고, 인접한 단열 플레이트와의 조립성이 용이할 수 있다.In addition, the insulation plate 200 is formed in a trapezoidal shape to facilitate pressure distribution at the corners and facilitate assembly with adjacent insulation plates.

단열 플레이트(200)는 금속 재질이며, 처리 공간(A)의 내부열을 보존할 수 있도록 처리 공간(A)을 바라보는 내면(220)에 반사부가 형성될 수 있다.The insulation plate 200 is made of a metal material, and a reflective portion may be formed on the inner surface 220 facing the processing space A to preserve the internal heat of the processing space A.

단열 플레이트(200)에는 상기 복수의 히터가 삽입되어 설치될 수 있도록 복수의 제 2 홀을 포함하는 제 2 히터홀부(230)가 형성될 수 있다. 구체적으로, 제 2 히터홀부(230)는 히터부(500)가 단열 플레이트(200)에 결합되도록 단열 플레이트(200)의 외면(210)에서 내면(220)으로 관통되어 형성될 수 있다.A second heater hole portion 230 including a plurality of second holes may be formed in the insulation plate 200 so that the plurality of heaters can be inserted and installed. Specifically, the second heater hole portion 230 may be formed by penetrating from the outer surface 210 to the inner surface 220 of the insulating plate 200 so that the heater portion 500 is coupled to the insulating plate 200.

예컨대, 도 3에 도시된 바와 같이, 단열 플레이트(200)가 챔버(100)의 좌측 벽체 및 우측 벽체에 결합되고, 서로 대응되는 위치에서 각각의 단열 플레이트(200)에 상기 복수의 제 2 홀을 포함하는 제 2 히터홀부(230)가 형성될 수 있다. 그리하여, 상기 복수의 제 2 홀에 삽입된 상기 복수의 히터는 서로 수평이 되도록 설치될 수 있다.For example, as shown in FIG. 3, the insulation plate 200 is coupled to the left and right walls of the chamber 100, and the plurality of second holes are formed in each of the insulation plates 200 at corresponding positions. A second heater hole portion 230 may be formed. Thus, the plurality of heaters inserted into the plurality of second holes can be installed to be horizontal to each other.

이때, 제 2 히터홀부(230)는 제 1 히터홀부(130)는 상기 히터가 삽입될 수 있도록 일직선상에 형성될 수 있다.At this time, the second heater hole portion 230 and the first heater hole portion 130 may be formed in a straight line so that the heater can be inserted.

히터 실링부(240)는 히터부(500)로부터 단열 공간(B)을 실링할 수 있도록 히터부(500) 주변을 둘러싸도록 형성될 수 있다.The heater sealing portion 240 may be formed to surround the heater portion 500 to seal the insulating space B from the heater portion 500 .

구체적으로, 히터부(500)는 단열 플레이트(200)를 관통하고, 단열 공간(B)을 지나, 챔버(100)의 벽체(110)를 관통하여 설치될 수 있다. 이때, 히터부(500)가 단열 공간(B)을 지나감에 따라 히터부(500)의 주변을 실링하는 히터 실링부(240)가 형성된다.Specifically, the heater unit 500 may be installed to penetrate the insulation plate 200, pass through the insulation space B, and penetrate the wall 110 of the chamber 100. At this time, as the heater unit 500 passes through the insulating space B, a heater sealing unit 240 that seals the surroundings of the heater unit 500 is formed.

도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 히터 실링부(240)는 단열 플레이트(200)의 외면(210)에 단열 공간(B)을 지나가는 히터부(500)를 둘러싸는 원통형으로 형성될 수 있다. 이때, 히터 실링부(240)가 챔버(100)의 벽체(110)에 밀착될 수 있도록 히터 실링부(240)에는 오링(241)이 형성될 수 있다.As shown in FIGS. 3 and 5, the heater sealing portion 240 may be formed in a cylindrical shape surrounding the heater portion 500 passing through the insulating space B on the outer surface 210 of the insulating plate 200. . At this time, an O-ring 241 may be formed in the heater sealing part 240 so that the heater sealing part 240 can be in close contact with the wall 110 of the chamber 100.

그리하여, 히터 실링부(240)는 히터부(500) 주변을 실링하여, 단열 공간(B)이 챔버(100) 내부의 처리 공간(A) 및 챔버(100) 외부 공간과 연통되지 않도록 밀폐시키고, 단열 공간(B)을 진공 상태로 형성시키고 유지할 수 있다.Therefore, the heater sealing unit 240 seals the area around the heater unit 500 to seal the insulating space (B) from communicating with the processing space (A) inside the chamber 100 and the space outside the chamber 100, The insulating space (B) can be formed and maintained in a vacuum state.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 챔버(100)와 단열 플레이트(200) 사이에 형성되는 실링 부재(400)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 3, the substrate processing apparatus according to the present invention may include a sealing member 400 formed between the chamber 100 and the insulation plate 200.

실링 부재(400)는 단열 공간(B)이 밀폐될 수 있도록 단열 공간(B) 주변을 따라 벽체(110)와 단열 플레이트(200)를 실링할 수 있다.The sealing member 400 may seal the wall 110 and the insulation plate 200 along the perimeter of the insulation space (B) so that the insulation space (B) can be sealed.

실링 부재(400)는 단열 공간(B)의 주변을 따라 결합될 수 있으며, 챔버(100)의 벽체(110)와 단열 플레이트(200)가 접촉하는 부분에 결합되어, 단열 공간(B)을 외부와 밀폐시킬 수 있다. 이때, 실링 부재(400)는 오링 등의 밀폐 부재를 포함할 수 있다.The sealing member 400 may be coupled along the periphery of the insulation space (B), and may be coupled to a portion where the wall 110 of the chamber 100 and the insulation plate 200 contact, thereby protecting the insulation space (B) from the outside. and can be sealed. At this time, the sealing member 400 may include a sealing member such as an O-ring.

즉, 단열 공간(B)의 외측으로는 챔버(100)의 벽체(110)와 단열 플레이트(200)의 외면(210)이 접촉되는 단열 공간(B)의 둘레에 실링 부재(400)가 결합되어 실링되고, 단열 공간(B)의 내측으로는 히터부(500)가 히터 실링부(240)에 결합되어 실링될 수 있다.That is, on the outside of the insulation space (B), a sealing member 400 is coupled to the perimeter of the insulation space (B) where the wall 110 of the chamber 100 and the outer surface 210 of the insulation plate 200 are in contact. It is sealed, and the heater unit 500 may be coupled to the heater sealing unit 240 to be sealed inside the insulating space B.

이에 따라, 단열 공간(B)이 챔버(100) 내부의 처리 공간(A) 및 챔버(100) 외부 공간과 연통되지 않도록 밀폐시키고, 단열 공간(B)을 진공 상태로 형성시키고 유지할 수 있다.Accordingly, the insulating space (B) can be sealed so as not to communicate with the processing space (A) inside the chamber 100 and the space outside the chamber 100, and the insulating space (B) can be formed and maintained in a vacuum state.

도 1에 도시된 바와 같이, 단열 플레이트(200)는 챔버(100)의 벽체(110)에 결합 부재(260)로 결합될 수 있다. 예컨대, 단열 플레이트(200)의 모서리 부분에 볼트 및 너트로 형성되는 결합 부재(260)가 단열 플레이트(200)와 벽체(110)를 관통하여 조립되어, 단열 플레이트(200)와 벽체(110)가 결합될 수 있다.As shown in FIG. 1, the insulation plate 200 may be coupled to the wall 110 of the chamber 100 with a coupling member 260. For example, the coupling member 260 formed of bolts and nuts at the corner of the insulation plate 200 is assembled to penetrate the insulation plate 200 and the wall 110, so that the insulation plate 200 and the wall 110 are can be combined

결합 부재(260)의 결합 위치는 단열 플레이트(200)의 결합에 따라 다양한 위치에서 선택적으로 결합될 수 있다.The coupling position of the coupling member 260 may be selectively coupled at various positions depending on the coupling of the insulating plate 200.

도 1에 도시된 바와 같이, 배기부(300)는 단열 공간(B)에 진공을 형성하기 위하여 배기를 수행할 수 있다.As shown in FIG. 1, the exhaust unit 300 may perform exhaust to create a vacuum in the insulating space B.

구체적으로, 배기부(300)는 진공 펌프(310), 배기 라인(320) 및 진공 밸브(330)를 포함할 수 있다.Specifically, the exhaust unit 300 may include a vacuum pump 310, an exhaust line 320, and a vacuum valve 330.

진공 펌프(310)는 단열 공간(B)을 진공으로 형성하기 위하여 단열 공간(B) 내부의 압력을 조절하는 펌프를 포함할 수 있다.The vacuum pump 310 may include a pump that adjusts the pressure inside the insulating space (B) to form the insulating space (B) into a vacuum.

배기 라인(320)은 챔버(100)와 진공 펌프(310)를 연결하는 배관을 포함할 수 있다.The exhaust line 320 may include a pipe connecting the chamber 100 and the vacuum pump 310.

배기 라인(320)은 챔버(100)의 외면에서 챔버(100)의 벽체(110)에 형성된 진공홀부(120)와 연결될 수 있다. 즉, 챔버(100)와 단열 플레이트(200) 사이에 형성된 단열 공간(B)의 내부 기체를 진공홀부(120)에 연결된 배기 라인(320)을 따라서 진공 펌프(310)로 배기할 수 있다.The exhaust line 320 may be connected to the vacuum hole 120 formed in the wall 110 of the chamber 100 on the outer surface of the chamber 100. That is, the gas inside the insulation space B formed between the chamber 100 and the insulation plate 200 can be exhausted to the vacuum pump 310 along the exhaust line 320 connected to the vacuum hole part 120.

이때, 배기 라인(320)에는 조절 밸브가 형성될 수 있다.At this time, a control valve may be formed in the exhaust line 320.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 챔버(100)는 단열 공간(B)이 밀폐되도록 챔버(100)의 벽체(110) 및 단열 플레이트(200)를 동시에 관통하는 관통부재를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 3, the substrate processing apparatus according to the present invention includes a chamber 100 with a penetrating member that simultaneously penetrates the wall 110 and the insulation plate 200 of the chamber 100 so that the insulation space B is sealed. may include.

상기 관통부재는 내부에 안착된 기판을 가열하는 히터부(500)를 포함할 수 있다.The penetrating member may include a heater unit 500 that heats the substrate seated therein.

히터부(500)는 벽체(110) 및 단열 플레이트(200)를 관통하여 처리 공간(A)을 가로지르는 복수의 히터로 형성될 수 있다.The heater unit 500 may be formed of a plurality of heaters that penetrate the wall 110 and the insulation plate 200 and cross the processing space A.

챔버(100)의 내부에는 상기 기판을 직접 가열하기 위해, 상기 기판의 적층 방향을 따라 일정 간격을 가지면서 배치되는 상기 복수의 히터가 설치될 수 있다. 상기 기판의 양면이 가열될 수 있도록 상기 기판은 하나의 히터와 이웃하는 다른 하나의 히터 사이에 배치될 수 있다.In order to directly heat the substrate, the plurality of heaters disposed at regular intervals along the stacking direction of the substrate may be installed inside the chamber 100. The substrate may be placed between one heater and another adjacent heater so that both sides of the substrate can be heated.

히터부(500)는 상기 기판의 단변 방향과 평행하게 일정한 간격을 가지는 상기 복수의 히터를 포함할 수 있다. 상기 히터는 통상적인 길이가 긴 원통형의 히터로서 석영관 내부에 발열체가 삽입되어 있고 양단에 설치된 단자를 통하여 외부의 전원을 인가받아 열을 발생시키는 히터부(500)를 구성하는 단위체라고 할 수 있다.The heater unit 500 may include the plurality of heaters spaced at regular intervals parallel to the short side direction of the substrate. The heater is a typical long cylindrical heater with a heating element inserted inside the quartz tube, and can be said to be a unit constituting the heater unit 500 that generates heat by receiving external power through terminals installed at both ends. .

상술한 바와 같이, 히터부(500)는 챔버(100)의 일측면의 벽체로부터 타측면의 벽체까지 관통하여 배치될 수 있다. 히터부(500)의 상기 히터의 개수는 챔버(100)의 크기 및 상기 기판의 크기에 따라 다양하게 변경될 수 있다.As described above, the heater unit 500 may be disposed to penetrate from the wall on one side of the chamber 100 to the wall on the other side. The number of heaters in the heater unit 500 may vary depending on the size of the chamber 100 and the size of the substrate.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 챔버(100)와 단열 플레이트(200)를 지지하는 지지부(250)를 나타내는 단면도이다.Figure 5 is a cross-sectional view showing the support portion 250 supporting the chamber 100 and the insulation plate 200 according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단열 플레이트(200)는 지지부(250)를 포함할 수 있다.The insulation plate 200 of the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention may include a support portion 250.

지지부(250)는 단열 공간(B)에서 벽체(110)와 단열 플레이트(200)가 압축되어 변형되지 않도록 벽체(110)와 단열 플레이트(200) 사이를 지지하는 구조체를 포함할 수 있다. 이때, 지지부(500)는 챔버(100)에 형성되어 벽체(110)와 단열 플레이트(200) 사이를 지지할 수 있다.The support portion 250 may include a structure that supports between the wall 110 and the insulation plate 200 to prevent the wall 110 and the insulation plate 200 from being compressed and deformed in the insulation space B. At this time, the support portion 500 may be formed in the chamber 100 to support between the wall 110 and the insulation plate 200.

예컨대, 단열 공간(B)이 진공 상태가 됨에 따라 단열 공간(B)의 내부 압력이 처리 공간(A)이나 챔버(100)의 외부 공간의 압력보다 낮아져, 챔버(100)의 벽체(110) 또는 단열 플레이트(200)의 변형이 발생될 수 있다.For example, as the insulation space (B) becomes a vacuum, the internal pressure of the insulation space (B) becomes lower than the pressure of the processing space (A) or the external space of the chamber 100, so that the wall 110 of the chamber 100 or Deformation of the insulation plate 200 may occur.

지지부(250)는 단열 플레이트(200)의 외면(210)에 형성되어, 단열 플레이트(200)가 챔버(100)의 벽체(110)와 일정 거리를 유지할 수 있도록 지지하는 기둥으로 형성된 구조체이다.The support portion 250 is a structure formed on the outer surface 210 of the insulation plate 200 and formed as a pillar to support the insulation plate 200 to maintain a certain distance from the wall 110 of the chamber 100.

지지부(250)가 단열 공간(B)에 형성됨에 따라, 단열 공간(B)의 밀폐를 유지하는데 문제가 될 수 있는 변형을 방지할 수 있으며, 챔버(100)의 벽체(110) 및 단열 플레이트(200)를 관통하여 결합되는 히터부(500)의 변형을 방지할 수 있다.As the support portion 250 is formed in the insulating space (B), deformation that may be problematic in maintaining the seal of the insulating space (B) can be prevented, and the wall 110 and the insulating plate ( It is possible to prevent deformation of the heater unit 500 that passes through and is coupled to 200.

이때, 지지부(250)는 히터 실링부(240)로 형성될 수 있다.At this time, the support part 250 may be formed as a heater sealing part 240.

예컨대, 도 5에 도시된 바와 같이, 히터 실링부(240)는 단열 공간(B)에서 히터부(500) 주변을 둘러싸는 원통형으로 형성되고, 챔버(100)의 벽체(110)와 접촉하여 단열 플레이트(200)가 챔버(100)의 벽체(110)와 일정 거리를 유지할 수 있도록 지지할 수 있다. 즉, 히터 실링부(240)가 단열 공간(B)을 지지하는 지지부(500)일 수 있다.For example, as shown in FIG. 5, the heater sealing part 240 is formed in a cylindrical shape surrounding the heater part 500 in the insulating space B, and is in contact with the wall 110 of the chamber 100 to insulate it. The plate 200 can be supported to maintain a certain distance from the wall 110 of the chamber 100. That is, the heater sealing part 240 may be a support part 500 that supports the insulating space (B).

본 발명에 따른 다른 실시예로, 지지부(250)는 결합 부재(260)가 삽입될 수 있다.In another embodiment according to the present invention, a coupling member 260 may be inserted into the support portion 250.

예컨대, 도 5에 도시된 바와 같이, 지지부(500)는 단열 공간(B)에서 볼트 및 너트를 둘러싸는 원통형으로 형성되고, 챔버(100)의 벽체(110)와 접촉하여 단열 플레이트(200)가 챔버(100)의 벽체(110)와 일정 거리를 유지할 수 있도록 지지할 수 있다. 즉, 지지부(500)는 단열 공간(B)을 지지할 수 있으며, 챔버(100)와 단열 플레이트(200)를 결합하는 결합 부재(260)가 형성될 수 있다.For example, as shown in FIG. 5, the support portion 500 is formed in a cylindrical shape surrounding the bolt and nut in the insulation space B, and is in contact with the wall 110 of the chamber 100 so that the insulation plate 200 is in contact with the wall 110 of the chamber 100. It can be supported to maintain a certain distance from the wall 110 of the chamber 100. That is, the support part 500 can support the insulation space B, and a coupling member 260 can be formed to couple the chamber 100 and the insulation plate 200.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 사시도이다.Figure 6 is a perspective view showing a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 기판 처리 장치의 배기 라인(320)은 복수의 배기 라인(320) 및 복수의 진공 밸브(330)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 6, the exhaust line 320 of the substrate processing apparatus of the present invention may include a plurality of exhaust lines 320 and a plurality of vacuum valves 330.

구체적으로, 단열 플레이트(200)는 복수개 형성되어 챔버(100)를 형성하는 각각의 벽체(110)에 결합될 수 있다. 이에 따라, 복수개로 형성된 단열 플레이트(200)에 단열 공간(B)이 각각 형성되고, 복수개로 형성된 단열 공간(B)은 배기 라인(320)에 각각 연결될 수 있다.Specifically, a plurality of insulation plates 200 may be formed and coupled to each wall 110 forming the chamber 100. Accordingly, the insulation spaces B are formed in each of the plurality of insulation plates 200, and the plurality of insulation spaces B may be respectively connected to the exhaust line 320.

예컨대, 도 6에 도시된 바와 같이, 챔버(100) 내부의 처리 공간(A)을 기준으로 상부 벽체, 하부 벽체, 좌측부 벽체 및 우측부 벽체를 포함하는 벽체(110)에 복수개로 형성된 단열 공간(B)이 형성될 수 있으며, 각각의 단열 공간(B)에 상부 배기 라인, 하부 배기 라인, 좌측부 배기 라인 및 우측부 배기 라인을 포함하는 배기 라인(320)이 형성될 수 있다.For example, as shown in FIG. 6, a plurality of insulating spaces ( B) may be formed, and an exhaust line 320 including an upper exhaust line, a lower exhaust line, a left exhaust line, and a right exhaust line may be formed in each insulated space B.

각각의 배기 라인(320)은 진공 펌프(310)에 연결되어 복수개로 형성된 단열 공간(B)이 진공 상태로 형성될 수 있다. 이때, 진공 펌프(310)는 하나의 펌프로 형성되어 각각의 배기 라인(320)이 모두 연결되어, 단일 펌프로 복수개로 형성된 단열 공간(B)을 제어할 수 있으며, 비용 및 공간적으로 높은 활용성을 가질 수 있다.Each exhaust line 320 is connected to the vacuum pump 310 so that a plurality of insulating spaces B can be formed in a vacuum state. At this time, the vacuum pump 310 is formed as a single pump, and each exhaust line 320 is connected, so that a single pump can control a plurality of insulated spaces (B), and has high cost and spatial usability. You can have

또한, 도시되지 않았지만, 진공 펌프(310)는 복수개로 형성되어 각각의 단열 공간(B)과 개별적으로 연결되어, 복수개로 형성된 단열 공간(B)이 각각 독립적으로 제어될 수 있다.In addition, although not shown, the vacuum pump 310 is formed in plural numbers and is individually connected to each insulating space (B), so that the plurality of insulating spaces (B) can be controlled independently.

진공 밸브(330)는 복수개로 형성된 단열 공간(B) 각각의 진공도를 차등적으로 제어할 수 있도록 복수개로 형성된 배기 라인(320)에 각각 형성되는 밸브를 포함할 수 있다.The vacuum valve 330 may include a valve formed in each of the plurality of exhaust lines 320 to differentially control the vacuum degree of each of the plurality of insulated spaces B.

예컨대, 도 6에 도시된 바와 같이, 복수개로 형성된 단열 공간(B)과 단일 펌프를 연결하는 복수개로 형성된 배기 라인(320)에 진공 밸브(330)가 각각 형성되고, 각각의 진공 밸브(330)는 개폐 시간을 통하여 복수개로 형성된 단열 공간(B)의 진공도를 개별적으로 제어할 수 있다.For example, as shown in FIG. 6, vacuum valves 330 are formed in a plurality of exhaust lines 320 connecting a plurality of insulation spaces B and a single pump, and each vacuum valve 330 Can individually control the vacuum degree of the plurality of insulated spaces (B) through the opening and closing time.

도 7은 종래의 단열 챔버와 본 발명의 단열 챔버의 열보존을 비교한 실험예이다.Figure 7 is an experimental example comparing heat preservation between a conventional insulation chamber and the insulation chamber of the present invention.

도 7(a)는 종래의 단열 챔버로서, 챔버 벽체(Al6061) 전면에 샤프트를 이용하여 단열재(N-11)가 부착 고정하고 있으며, 도 7(b)는 본 발명의 단열 챔버로서, 챔버 벽체(Al6061)에 서스 판을 가공(SUS304)하여 단열 진공 공간을 형성하였다.Figure 7(a) is a conventional insulation chamber, in which an insulation material (N-11) is attached and fixed to the front of the chamber wall (Al6061) using a shaft, and Figure 7(b) is an insulation chamber of the present invention, where the chamber wall is attached and fixed. An insulating vacuum space was formed by processing a SUS plate (SUS304) from (Al6061).

이때, 실험조건은 가열 온도는 470 ℃, 외부온도는 25 ℃이며, 종래의 챔버와 본 발명의 챔버의 단열재의 재질 및 형상 변경에 따른 챔버 내부 기류변화를 확인하고, 이에 따른 온도 분포의 변화를 확인하였다.At this time, the experimental conditions were a heating temperature of 470 ℃ and an external temperature of 25 ℃. Changes in air flow inside the chamber were confirmed according to changes in the material and shape of the insulation material of the conventional chamber and the chamber of the present invention, and the corresponding change in temperature distribution was confirmed. Confirmed.

도 7에 도시된 바와 같이, 종래의 단열 챔버의 챔버 벽체의 온도는 145.5℃이고, 내부 온도는 391.1℃로 나타나고 있으며, 본 발명의 단열 챔버의 챔버 벽체의 온도는 96.2℃이고, 내부 온도는 426.5℃로 나타나고 있다.As shown in Figure 7, the temperature of the chamber wall of the conventional insulation chamber is 145.5°C and the internal temperature is 391.1°C, and the temperature of the chamber wall of the insulation chamber of the present invention is 96.2°C and the internal temperature is 426.5°C. It is displayed in ℃.

이와 같이, 종래보다 본 발명의 단열재 형상이 처리 공간의 온도가 더 높고, 챔버 벽체의 온도가 낮아 우수한 단열 성능을 보이는 것으로 나타난다.In this way, the shape of the insulating material of the present invention appears to exhibit excellent insulating performance compared to the conventional one, with a higher temperature in the processing space and a lower temperature in the chamber wall.

도 8은 진공 단열재의 가스 압력에 따른 열전도율을 나타내는 그래프이다.Figure 8 is a graph showing the thermal conductivity of the vacuum insulation material according to gas pressure.

도 8에 도시된 바와 같이, 종래에 사용중인 단열재(N-11)의 경우 1.6W/m2K의 열전도율을 가지고 있으나, 본 발명의 진공 단열재는 0.0002 W/m2K 내지 0.0025 W/m2K의 극히 낮은 열전도율을 가지고 있다.As shown in Figure 8, the conventional insulating material (N-11) has a thermal conductivity of 1.6 W/m2K, but the vacuum insulating material of the present invention has an extremely low thermal conductivity of 0.0002 W/m2K to 0.0025 W/m2K. Have.

즉, 본 발명의 기판 처리 장치는, 챔버 벽면에 진공 단열을 형성하여 단열 성능이 뛰어나며, 진공 단열체가 반사판 역할을 하여 열보존이 뛰어난 효과를 가지고 있으며, 챔버 벽면과 단열구조 사이의 틈이 없어 기류에 의한 열손실 최소화할 수 있다.In other words, the substrate processing device of the present invention has excellent thermal insulation performance by forming a vacuum insulation on the chamber wall, and the vacuum insulation acts as a reflector, which has an excellent heat preservation effect. There is no gap between the chamber wall and the insulation structure, thereby preventing airflow. Heat loss can be minimized.

또한, 단열 플레이트(200)는 챔버(100)의 내벽에 결합되어 진공 단열을 형성함으로써, 챔버(100)의 단열 성능을 향상시킴과 동시에 챔버(100)의 크기 증가 방지 및 챔버(100)의 강성과 같은 기계적 특성 열화를 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, the insulation plate 200 is coupled to the inner wall of the chamber 100 to form vacuum insulation, thereby improving the insulation performance of the chamber 100, preventing an increase in the size of the chamber 100, and increasing the rigidity of the chamber 100. It has the effect of preventing deterioration of mechanical properties such as.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.The present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, but these are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true scope of technical protection of the present invention should be determined by the technical spirit of the attached patent claims.

A: 처리 공간
B: 단열 공간
100: 챔버
110: 벽체
120: 진공홀부
130: 제 1 히터홀부
200: 단열 플레이트
210: 외면
220: 내면
230: 제 2 히터홀부
240: 히터 실링부
250: 지지부
260: 결합 부재
300: 배기부
310: 진공 펌프
320: 배기 라인
330: 진공 밸브
400: 실링 부재
500: 히터부
A: Processing space
B: Insulated space
100: chamber
110: wall
120: Vacuum hole part
130: 1st heater hole part
200: insulation plate
210: turn away
220: Inside
230: Second heater hole part
240: Heater sealing part
250: support part
260: coupling member
300: exhaust part
310: vacuum pump
320: exhaust line
330: vacuum valve
400: No sealing member
500: Heater unit

Claims (14)

기판을 처리하기 위한 처리 공간이 구비된 챔버;
적어도 어느 하나의 상기 챔버의 벽체에 설치되어, 상기 벽체와 상기 벽체에 설치된 면 사이에 밀폐된 단열 공간이 형성되는 단열 플레이트;
상기 단열 공간에 진공을 형성하기 위하여 배기를 수행하는 배기부; 및
상기 단열 공간이 밀폐되도록 상기 챔버의 벽체 및 상기 단열 플레이트를 동시에 관통하는 관통부재;
를 포함하는, 기판 처리 장치.
A chamber provided with a processing space for processing a substrate;
an insulating plate installed on the wall of at least one of the chambers to form a sealed insulating space between the wall and a surface installed on the wall;
an exhaust unit that performs exhaust to create a vacuum in the insulated space; and
a penetrating member simultaneously penetrating the wall of the chamber and the insulation plate to seal the insulation space;
Including, a substrate processing device.
제 1 항에 있어서,
상기 단열 플레이트의 외면에 홈부가 형성되고, 상기 홈부는 상기 벽체로 밀폐되어 상기 단열 공간이 형성되는, 기판 처리 장치.
According to claim 1,
A substrate processing apparatus in which a groove is formed on an outer surface of the insulation plate, and the groove is sealed with the wall to form the insulation space.
제 1 항에 있어서,
상기 단열 공간이 밀폐될 수 있도록 상기 단열 공간 주변을 따라 상기 벽체와 상기 단열 플레이트를 실링하는 실링 부재;
를 포함하는, 기판 처리 장치.
According to claim 1,
a sealing member sealing the wall and the insulation plate along the periphery of the insulation space so that the insulation space can be sealed;
Including, a substrate processing device.
제 1 항에 있어서,
상기 관통부재는,
상기 벽체 및 상기 단열 플레이트를 관통하여 상기 처리 공간을 가로지르는 복수의 히터로 형성되는 히터부;
를 포함하는, 기판 처리 장치.
According to claim 1,
The penetrating member is
a heater unit formed of a plurality of heaters that penetrate the wall and the insulation plate and cross the processing space;
Including, a substrate processing device.
제 4 항에 있어서,
상기 챔버는,
상기 히터부가 상기 챔버에 결합되도록 상기 벽체를 관통하는 홀형상으로 형성되는 제 1 히터홀부; 및
상기 단열 공간이 상기 배기부와 연결되어 진공 상태로 형성되기 위하여 상기 벽체를 관통하여 형성되는 진공홀부;
을 포함하는, 기판 처리 장치.
According to claim 4,
The chamber is,
a first heater hole portion formed in the shape of a hole penetrating the wall so that the heater portion is coupled to the chamber; and
a vacuum hole formed through the wall so that the insulating space is connected to the exhaust part to form a vacuum state;
A substrate processing device comprising:
제 4 항에 있어서,
상기 단열 플레이트는,
상기 히터부가 상기 단열 플레이트에 결합되도록 상기 단열 플레이트의 외면에서 내면으로 관통되는 제 2 히터홀부; 및
상기 히터부로부터 상기 단열 공간을 실링할 수 있도록 상기 히터부 주변을 둘러싸도록 형성되는 히터 실링부;
를 포함하는, 기판 처리 장치
According to claim 4,
The insulation plate is,
a second heater hole portion penetrating from the outer surface to the inner surface of the insulating plate so that the heater portion is coupled to the insulating plate; and
a heater sealing portion formed to surround the heater portion to seal the insulating space from the heater portion;
Including, substrate processing device
제 1 항에 있어서,
상기 단열 플레이트는 금속 재질이며, 상기 처리 공간의 내부열을 보존할 수 있도록 상기 처리 공간을 바라보는 내면에 반사부가 형성되는, 기판 처리 장치.
According to claim 1,
The insulation plate is made of a metal material, and a reflection portion is formed on an inner surface facing the processing space to preserve internal heat of the processing space.
제 1 항에 있어서,
상기 배기부는,
상기 단열 공간을 진공으로 형성하기 위하여 상기 단열 공간 내부의 압력을 조절하는 진공 펌프; 및
상기 챔버와 상기 진공 펌프를 연결하는 배기 라인;
을 포함하는, 기판 처리 장치.
According to claim 1,
The exhaust part,
a vacuum pump that adjusts the pressure inside the insulated space to form the insulated space into a vacuum; and
an exhaust line connecting the chamber and the vacuum pump;
A substrate processing device comprising:
제 8 항에 있어서,
상기 벽체 및 상기 단열 플레이트는 복수개로 형성되어, 상기 단열 공간이 복수개 형성되고, 복수개로 형성된 상기 단열 공간은 상기 배기 라인에 각각 연결되는, 기판 처리 장치.
According to claim 8,
The wall and the insulating plate are formed in plural pieces, so that the plurality of insulating spaces are formed, and the plurality of insulating spaces are respectively connected to the exhaust line.
제 9 항에 있어서,
상기 배기부는,
복수개로 형성된 상기 단열 공간의 각각의 진공도를 차등적으로 제어할 수 있도록 복수개로 형성된 상기 배기 라인에 각각 형성되는 진공 밸브;
를 포함하는, 기판 처리 장치.
According to clause 9,
The exhaust part,
Vacuum valves formed in each of the plurality of exhaust lines to differentially control the vacuum degree of each of the plurality of insulating spaces;
Including, a substrate processing device.
제 1 항에 있어서,
상기 단열 플레이트는,
상기 단열 공간에서 상기 벽체와 상기 단열 플레이트가 변형되지 않도록 상기 벽체와 상기 단열 플레이트 사이를 지지하는 지지부;
를 포함하는, 기판 처리 장치.
According to claim 1,
The insulation plate is,
a support portion supporting between the wall and the insulation plate so that the wall and the insulation plate are not deformed in the insulation space;
Including, a substrate processing device.
제 11 항에 있어서,
상기 지지부는 중공부가 관통되어 형성되고, 상기 중공부로 상기 처리 공간을 가로지르는 히터부가 삽입되도록 형성되는, 기판 처리 장치.
According to claim 11,
The support portion is formed by penetrating a hollow portion, and the heater portion crossing the processing space is formed into the hollow portion to be inserted into the hollow portion.
제 11 항에 있어서,
상기 지지부는 중공부가 관통되어 형성되고, 상기 중공부로 상기 챔버와 상기 단열 플레이트를 결합하는 결합 부재가 삽입되도록 형성되는, 기판 처리 장치.
According to claim 11,
The support portion is formed by penetrating a hollow portion, and is formed to insert a coupling member that couples the chamber and the insulating plate into the hollow portion.
제 1 항에 있어서,
상기 단열 플레이트는 단면이 사다리꼴 형상으로 형성되는, 기판 처리 장치.
According to claim 1,
A substrate processing device, wherein the insulating plate has a trapezoidal cross-section.
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