KR20180051914A - Loadlock chamber and substrate processing apparatus having the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a load-lock chamber and a substrate processing apparatus including the same and, more specifically, relates to a load-lock chamber to transfer a substrate between the outside of an atmospheric state and a processing chamber of a processing pressure state, capable of improving productivity of a substrate; and a substrate processing apparatus including the same. According to the present invention, the load-lock chamber (30) to transfer a substrate (S) between the outside of the atmospheric state and a processing chamber (10) of a preset processing pressure state comprises: a chamber body (310) forming a closed inner space, and having a pair of gates (311, 312) opened/closed to receive or discharge the substrate formed on a pair of side surface parts faced with each other; a substrate support unit (320) installed in the chamber body (310) to support the substrate (S) placed in the inner space; one or more gas injection units (330) installed in the chamber body (310) to inject gas into the inner space in order to cool the substrate (S) while changing the inner space into the atmospheric state from the processing pressure state, wherein a longitudinal direction of the gas injection unit (330) is arranged in parallel to a transfer direction of the substrate (S); a gas diffusion means to diffuse the gas injected from the gas injection unit (330) in the inner space; and a gas discharge unit installed in the chamber body (100) to discharge the gas from the inner space.

Description

로드락챔버 및 이를 포함하는 기판처리장치 {Loadlock chamber and substrate processing apparatus having the same}[0001] The present invention relates to a load lock chamber and a substrate processing apparatus including the same,

본 발명은 로드락챔버 및 이를 포함하는 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 대기압 상태의 외부와 공정압 상태의 공정챔버 사이에서 기판을 전달하는 로드락챔버 및 이를 포함하는 기판처리장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a load lock chamber and a substrate processing apparatus including the same, and more particularly, to a load lock chamber for transferring a substrate between an atmospheric pressure outside and a process- .

화학기상증착 공정 등을 수행하는 반도체 기판처리장치는 일반적으로, 기판처리공정을 수행하는 복수 개의 프로세스 챔버(Process Chamber)와, 해당 프로세스 챔버로 기판이 진입되기 전에 기판이 프로세스 챔버로 진입할 수 있도록 환경을 조성하는 로드락챔버(Load lock Chamber)와, 프로세스 챔버와 로드락챔버를 연결하며 로드락챔버 내의 기판을 해당 프로세스 챔버로 이송하거나 해당 프로세스 챔버 내의 기판을 로드락챔버로 이송하는 로봇 아암이 설치되는 트랜스퍼 챔버(Transfer Chamber)를 포함한다.A semiconductor substrate processing apparatus for performing a chemical vapor deposition process or the like generally includes a plurality of process chambers for performing a substrate processing process and a process chamber for allowing the substrate to enter the process chamber before the substrate is introduced into the process chamber. A robot arm connecting the process chamber and the load lock chamber for transferring the substrate in the load lock chamber to the process chamber or transferring the substrate in the process chamber to the load lock chamber; And a transfer chamber to be installed.

프로세스 챔버는, 일반적으로 고온 및 진공에 가까운 공정압 상태에서 기판처리공정을 진행한다. 이 때 대기압 상태에 있는 기판을 고온 및 공정압 상태인 프로세스 챔버로 진입시키는 과정이 어려움이 있기 때문에, 기판을 해당 프로세스 챔버로 이송하기 전에 프로세스 챔버와 동일한 환경을 조성해 주어야 하는데, 이러한 역할을 담당하는 것이 로드락챔버다. 즉, 로드락챔버는 외부로부터 기판이 프로세스 챔버로 인입되기 전 또는 프로세스 챔버로부터 기판이 외부로 인출되기 전에 프로세스 챔버의 환경 또는 외부의 환경과 실질적으로 동일한 상태로 기판을 수용하는 챔버를 가리킨다.The process chamber generally proceeds with the substrate processing process at a process pressure close to high temperature and vacuum. In this case, since it is difficult to enter the process chamber, which is a high-temperature and process-pressure state, atmospheric pressure, it is necessary to prepare the same environment as the process chamber before transferring the substrate to the process chamber. It is a load lock chamber. That is, the load lock chamber refers to a chamber that receives the substrate in a state substantially identical to the environment of the process chamber or the external environment before the substrate is drawn into the process chamber from the outside or before the substrate is taken out from the process chamber.

종래의 기판처리장치의 경우, 프로세스 챔버에서의 병목현상(bottle neck)을 제거하여 생산성을 향상시키기 위하여 프로세스 챔버의 갯수를 늘이는 등의 방법을 통하여 노력을 기울이고 있다. 그러한, 어떠한 방법이 되었든 프로세스 챔버에서의 병목현상이 해소된다면, 그 다음은 로드락챔버의 생산성이 시스템 전체의 병목지점이 된다.Conventional substrate processing apparatuses have been making efforts through methods such as increasing the number of process chambers in order to improve the productivity by removing bottlenecks in the process chambers. If such a bottleneck is eliminated in any way, then the productivity of the load lock chamber becomes the bottleneck of the entire system.

로드락챔버 내에서의 기판 처리에 있어 생산성을 높이기 위해서 챔버의 갯수를 늘이는 방법이 있겠으나, 시스템의 풋프린트(Foot-print)가 증가 하며 제조비용(Material cost)의 증가 대비 활용 효율이 높지 않은 문제점이 있다.There is a method of increasing the number of chambers in order to increase the productivity in the processing of the substrate in the load lock chamber. However, since the footprint of the system increases and the utilization efficiency of the material cost increases There is a problem.

한편, 로드락챔버 내에서의 기판 처리라 함은 단시간에 진행되는 트랜스퍼 챔버로부터의 기판 반입 게이트 열림, 기판 반입, 기판 반입 게이트 닫힘, 벤팅 가스 주입, 대기 반송으로의 기판 반출 게이트 열림, 기판 반출, 기판 반출 게이트 닫힘으로 이어지는 일련의 과정을 말한다.On the other hand, the substrate processing in the load lock chamber refers to the process of opening the substrate transfer gate from the transfer chamber in a short time, carrying the substrate, closing the substrate transfer gate, venting gas injection, opening the substrate transfer gate to the atmospheric transfer, This is a series of processes leading to the closing of the substrate carry-out gate.

상기 로드락챔버 내에서의 기판 처리 과정에 의하여 추가로 벤팅 가스로 인한 기판의 온도 하락(냉각)의 효과가 얻어질 수 있다.The effect of temperature drop (cooling) of the substrate due to the venting gas can be further obtained by the substrate processing process in the load lock chamber.

로드락챔버의 생산성 향상을 위하여 기판의 냉각 효과를 무시한 채 짧은 시간동안의 펌핑-벤트만을 진행하여 생산성을 증가시키는 극단적인 방법도 있겠으나, 로드락챔버에서 충분한 냉각 효과를 받지 못하고 반출된 기판은 온도 영역대가 높기 때문에 대기 반송 로봇의 핸드부 혹은 FOUP(Front Opening Unified Pod) 내부의 부재(part's)들에 열손상(Thermal damage)를 줄 수 있다는 문제점이 있다. In order to improve the productivity of the load lock chamber, there is an extreme method of increasing the productivity by proceeding only the pumping-vent for a short time while ignoring the cooling effect of the substrate. However, There is a problem that thermal damage can be given to the hands of the atmospheric carrier robot or the parts inside the FOUP (Front Opening Unified Pod) due to its high temperature range.

충분히 냉각되지 못한 기판을 트랜스퍼하는 동안 열손상(Thermal damage)의 영향을 받은 부재들은 가공 형태가 변형되거나 멜팅(melting)되어 본래 기능을 수행하기 어렵게 되거나 기판 상에 흔적을 묻힘으로써 칩을 제조하는데 파티클(오염물)로 작용하여 반도체 제품의 불량을 야기시킬 수 있는 요인이 될 수 있다. Members that are affected by thermal damage during the transfer of a substrate that has not cooled sufficiently are deformed or melted to make it difficult to perform its original function or to imprint traces on the substrate, (Contaminants), which may cause a defect in a semiconductor product.

이러한 이유로 로드락챔버의 생산성 향상 방안은 가열된 기판을 충분히 냉각 혹은 목표 온도까지 냉각 처리할 수 있는 것을 포함한 것이어야 한다. For this reason, the productivity improvement of the load lock chamber should include the ability to cool the heated substrate sufficiently or to cool it to the target temperature.

가열된 기판의 냉각 과정을 포함한 종래의 로드락챔버에서의 기판 처리는 다음과 같다. 프로세스 챔버에서 공정을 마친 기판은 가열된 상태로 로드락챔버에 반입된다. 로드락 내의 슬랏에 놓인 기판은 확산기(디퓨저)를 통하여 주입된 벤트 가스로 냉각 효과를 얻을 수 있고, 일정 시간이 지난 후에 대기 반송 로봇으로 반송되어 로드락챔버를 빠져나간다. The substrate processing in the conventional load lock chamber including the cooling process of the heated substrate is as follows. The substrate that has been processed in the process chamber is brought into the load lock chamber in a heated state. The substrate placed in the slot in the load lock can be cooled by the vent gas injected through the diffuser (diffuser), and after a certain period of time, it is transported to the atmospheric transport robot and exits the load lock chamber.

즉, 종래의 로드락챔버는 구조상 벤트 가스만으로 기판의 냉각 효과를 전달하는 구조를 기본으로 한다. 그렇기 때문에 로드락챔버 내의 압력을 진공→대기로 전환한 이후에도 일정 시간동안 계속 가스 분사가 이루어져야 하며, 이는 냉각만을 위한 목적으로 기판의 처리 시간에 포함되는 시간으로 이어진다.That is, the conventional load lock chamber is based on a structure that transmits the cooling effect of the substrate only by the vent gas. Therefore, gas injection must be continued for a certain period of time after the pressure in the load lock chamber is switched from vacuum to atmosphere, leading to the time included in the processing time of the substrate for cooling purposes only.

종래의 로드락챔버 내부는 확산기의 위치가 기판의 중앙으로부터 벗어나 한쪽으로 치우쳐 있고, 가스가 분사되어 나오는 입구부가 좁아 가스의 분산 분포 영역이 좁다. 또한 상기의 구조로 인하여 분사되는 가스 입자의 속도가 빠르며, 결과적으로 기판의 온도 그래프를 그려보았을 때 벤트 가스의 분사 입구부와 가장 가까운 영역 주변으로 온도가 가장 낮게 형성되어 있고 확산기에서 가장 먼 기판의 반대편으로는 20도 이상의 온도 차가 있음을 시뮬레이션을 통하여 확인할 수 있다. In the conventional load lock chamber, the position of the diffuser is shifted from the center of the substrate to one side, the inlet portion where the gas is injected is narrow, and the dispersion distribution region of the gas is narrow. Further, when the graph of the temperature of the substrate is plotted, the temperature of the gas nearest to the injection inlet of the vent gas is the lowest, and the temperature of the substrate farthest from the diffuser Simulation shows that there is a temperature difference of 20 degrees or more on the opposite side.

즉, 현재의 로드락챔버 구조로는 벤트 가스의 유동이 불균형적이며, 가스로 인한 냉각의 효과가 크지 않고, 냉각과정에서 기판 상의 온도 편차를 발생시켜 열스트레스(Thermal-stress)를 남기는 문제점이 있다.That is, the current load lock chamber structure has a problem that the flow of the vent gas is unbalanced, the effect of cooling due to the gas is not large, and a temperature deviation occurs on the substrate during the cooling process to leave a thermal stress have.

한편, 반도체기술 분야는 기존의 공냉방식에 수냉 방식을 추가하여 기판과 직접적인 접촉을 통하여 냉각을 보다 빠르게 하도록 설계하거나 또는 공냉 및 수냉 방식의 시퀀스(Sequence)를 변경하여 기판의 스트레스를 최소화하는 개선을 진행한 바 있다.On the other hand, in the field of semiconductor technology, an improvement in minimizing the stress of the substrate by changing the sequence of the air-cooling and water-cooling method by designing the cooling method to be faster through direct contact with the substrate by adding a water- I have done it.

상술한 반도체 분야에서의 로드락챔버 냉각 방안은 수냉 방식을 추가하는 것으로써 로드락챔버 내부에 냉각판, 기판 척킹/디척킹(Chucking/De-chucking)을 위한 상하(Up/Down) 구동 장치가 추가 구성된다. The cooling system of the load lock chamber in the semiconductor field described above is a water cooling system, and a cooling plate and an up / down driving device for substrate chucking / de-chucking are installed in the load lock chamber .

이 장치들은 로드락챔버 내부에 구성되어 벤트 가스의 유동(흐름)을 방해하여 벤트 가스의 확산을 방해하거나 혹은 가스의 와류를 생성시켜 파티클(Particle)을 누적시키는 요소가 될 수 있다. These devices can be configured inside the load lock chamber to interfere with the flow of the vent gas to interfere with the diffusion of the vent gas or to create a vortex of the gas to accumulate the particles.

또한, 이러한 추가 구성 장치들로 비용(Cost)이 상승하며 복잡한 장치 구성을 이루는 문제점이 있다. 즉, 로드락챔버 내에 구동 장치가 추가됨으로써 진동 및 파티클 이슈를 유발할 가능성이 있다. In addition, there is a problem in that the cost increases due to such additional constitution devices, resulting in complicated apparatus configuration. That is, the addition of a drive within the load lock chamber may cause vibration and particle issues.

한편, 디스플레이 분야는, 가스포트를 증가시키는 방식으로 기판 냉각기술을 개선하였는데, 이와 같이 가스 포트만 증가시키는 것은 기판의 뒤틀림 개선은 가능하겠으나 냉각 측면에서는 크게 효과적이지 않은 문제점이 있다.On the other hand, in the display field, the substrate cooling technique is improved by increasing the gas port. Increasing the gas port alone can improve warping of the substrate, but it is not effective in terms of cooling.

본 발명의 목적은, 로드락챔버에서의 기판 냉각효율을 증가시켜 로드락챔버에서의 기판처리에 소요되는 기판처리시간을 단축시킴으로써, 로드락챔버를 포함하는 기판처리장치의 기판 생산성을 향상시키는 로드락챔버를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing apparatus which can increase the substrate cooling efficiency in the load lock chamber and shorten the substrate processing time required for substrate processing in the load lock chamber, To provide a lock chamber.

본 발명은, 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 대기압상태의 외부 및 미리 설정된 공정압상태의 공정챔버(10) 사이에서 기판(S)을 전달하는 로드락챔버(30)로서, 밀폐된 내부공간을 형성하며, 평면형상이 직사각형으로 이루어져 기판도입 또는 기판배출을 위해 개폐되는 한 쌍의 게이트(311, 312)들이 대향하는 한 쌍의 측면부에 형성되는 챔버본체(310)와; 상기 챔버본체(310)에 설치되어 상기 내부공간에 위치된 기판(S)을 지지하는 기판지지부(320)와; 상기 챔버본체(310)에 설치되어 상기 내부공간을 상기 공정압상태에서 대기압상태로 변화시면서 기판(S)을 냉각시키기 위하여 상기 내부공간에 가스를 주입하며, 길이방향이 기판(S)의 배치평면에 수직하게 배치되는 하나 이상의 가스주입부(330)와; 상기 챔버본체(100)에 설치되어 상기 내부공간의 가스를 배기하는 가스배기부를 포함하는 것을 특징으로 하는 로드락챔버(30)를 개시한다.A load lock chamber (30) for transferring a substrate (S) between process chambers (10) in an atmospheric pressure state and in a predetermined process pressure state is provided. A chamber body 310 formed in a pair of opposed side surfaces, a pair of gates 311 and 312 formed in a rectangular shape and opened and closed for substrate introduction or substrate discharge, ; A substrate support 320 installed in the chamber body 310 to support a substrate S positioned in the inner space; The gas is injected into the inner space in order to cool the substrate S while being installed in the chamber body 310 and changing the inner space from the process pressure state to the atmospheric pressure state, At least one gas injecting part (330) arranged vertically to the gas injection part (330); And a gas exhaust unit installed in the chamber main body 100 to exhaust gas in the internal space.

상기 로드락챔버(30)는, 상기 가스주입부(330)에서 분사된 가스를 상기 내부공간에 확산시키기 위한 가스확산수단을 더 포함할 수 있다.The load lock chamber 30 may further include gas diffusion means for diffusing the gas injected from the gas injection unit 330 into the internal space.

상기 가스주입부(330)는, 파이프형상으로 이루어져 길이방향 일단에서 외부에 설치된 가스공급부로부터 가스를 공급받아 공급받은 가스를 상기 내부공간으로 분사하는 노즐부(332)를 포함할 수 있다.The gas injecting part 330 may include a nozzle part 332 which is formed in a pipe shape and injects gas supplied from the gas supplying part provided at the one end in the longitudinal direction to the internal space.

상기 노즐부(332)는, 측면의 적어도 일부에 가스분사를 위한 하나 이상의 가스분사홀(334)이 형성될 수 있다.At least a part of the side surface of the nozzle portion 332 may be formed with at least one gas injection hole 334 for gas injection.

상기 가스분사홀(334)은, 복수개로 이루어지며, 상기 노즐부(332)의 측면 전체에 균일하게 분포될 수 있다.The plurality of gas injection holes 334 may be uniformly distributed over the entire side surface of the nozzle unit 332.

상기 로드락챔버(30)는, 한 쌍의 가스주입부(330a, 330b)를 포함할 수 있다.The load lock chamber 30 may include a pair of gas injection portions 330a and 330b.

상기 한 쌍의 가스주입부(330a, 330b)는, 상기 기판(S)을 중심으로 대칭을 이룰 수 있다.The pair of gas injection parts 330a and 330b may be symmetrical about the substrate S. [

상기 가스주입부(330a, 330b)는, 상기 로드락챔버(30)의 내측벽과 상기 게이트(311, 312)가 인접한 영역에 설치될 수 있다.The gas injection portions 330a and 330b may be provided in the region where the inner wall of the load lock chamber 30 and the gates 311 and 312 are adjacent to each other.

상기 로드락챔버(30)는, 한 쌍의 가스주입부(330a, 330b)를 하나 이상 포함할 수 있다.The load lock chamber 30 may include at least one pair of gas injection units 330a and 330b.

상기 가스확산수단은, 상기 챔버본체(310)의 내측벽에 상기 가스주입부(330)가 위치되는 가스확산공간(D)을 형성하는 요홈부(337)일 수 있다.The gas diffusion means may be a recessed portion 337 which forms a gas diffusion space D where the gas injection portion 330 is located on the inner wall of the chamber body 310.

상기 요홈부(337)는, 상기 챔버본체(310)의 내측벽과 일체로 형성될 수 있다.The recessed portion 337 may be formed integrally with the inner wall of the chamber body 310.

상기 가스확산수단은, 상기 가스주입부(330)로부터 분사된 가스가 기판(S)을 향하도록 상기 챔버본체(310)의 내측벽과 상기 가스주입부(330) 사이에 설치되는 가스확산부재(338)일 수 있다.The gas diffusion member may include a gas diffusion member (not shown) provided between the inner wall of the chamber body 310 and the gas injection unit 330 such that the gas injected from the gas injection unit 330 is directed to the substrate S 338).

본 발명은, 미리 설정된 공정압상태에서 기판(S)에 대한 기판처리를 수행하는 하나 이상의 공정챔버(10)와; 로드락챔버(30)와; 상기 공정챔버(10) 및 상기 로드락챔버(30)를 사이에서 기판(S)을 반송하는 반송챔버(20)를 포함하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention comprises at least one process chamber (10) for performing substrate processing on a substrate (S) in a predetermined process pressure state; A load lock chamber 30; And a transfer chamber (20) for transferring the substrate (S) between the process chamber (10) and the load lock chamber (30).

상기 로드락챔버(30)로 공급되는 가스의 온도를 조절하기 위한 온도조절부를 추가로 포함할 수 있다.A temperature control unit for controlling the temperature of the gas supplied to the load lock chamber 30 may be further included.

상기 온도조절부는, 상기 로드락챔버(30)로 공급되는 가스의 온도를 낮추기 위한 열전소자를 포함할 수 있다.The temperature controller may include a thermoelectric element for lowering the temperature of the gas supplied to the load lock chamber 30.

본 발명에 따른 로드락챔버는, 길이방향이 기판(S)의 배치평면에 수직하게 배치되는 하나 이상의 가스주입부와 가스주입부에서 분사된 가스를 로드락챔버의 내부공간으로 확산시키는 가스확산수단을 구비함으로써, 다량의 가스가 기판 전체에 고르게 분사되며 확산되므로 기판을 전체적으로 고르면서 빠르게 냉각시킬 수 있는 이점이 있다.The load lock chamber according to the present invention comprises at least one gas injection portion whose longitudinal direction is perpendicular to the plane of arrangement of the substrate S and gas diffusion means for diffusing the gas injected from the gas injection portion into the inner space of the load lock chamber So that a large amount of gas is uniformly sprayed and diffused over the entire substrate, which is advantageous in that the substrate can be cooled down while being wholly selected.

구체적으로, 본 발명에 따른 로드락챔버는, 하나 이상의 가스주입부를 포함하고 가스주입부에 형성된 가스분사홀을 넓은 면적에 분포되게 함으로써, 기판을 향해 다량의 가스가 분사될 수 있도록 하여 기판냉각 효율이 향상되는 이점이 있다.Specifically, the load lock chamber according to the present invention includes at least one gas injection portion, and the gas injection holes formed in the gas injection portion are distributed over a large area, so that a large amount of gas can be injected toward the substrate, There is an advantage to be improved.

그리고, 본 발명에 따른 로드락챔버는, 가스주입부를 챔버내벽의 요홈부에 의해 형성되는 가스확산공간에 설치함으로써, 기판을 향하지 않는 위치에 형성된 가스분사홀에서 분사되는 가스도 기판을 향하는 방향으로 전달되어 가스가 보다 용이하게 확산될 수 있는 이점이 있으며, 가스주입부를 설치하기 위해 별도로 챔버본체의 볼륨을 확장할 필요가 없어 로드락챔버가 차지하는 공간을 최소화 할 수 있는 이점이 있다.In the load lock chamber according to the present invention, the gas injection portion is provided in the gas diffusion space formed by the recessed portion of the inner wall of the chamber, so that the gas injected from the gas injection hole formed at the position not facing the substrate is also directed toward the substrate There is an advantage in that the gas can be diffused more easily, and it is not necessary to separately expand the volume of the chamber body to install the gas injection unit, and there is an advantage that the space occupied by the load lock chamber can be minimized.

즉, 본 발명에 따른 로드락챔버는 가스의 유동을 방해하는 복잡한 구조물이나 구동부와 같이 파티클 이슈를 발생시키는 추가 장치 없이, 가스주입부에서 분사되는 가스의 유동을 개선함으로써 적은 비용으로 기판 냉각에 소요되는 공정시간을 단축하여 로드락챔버 내에서의 기판처리 효율을 개선 할 수 있다.That is, the load lock chamber according to the present invention improves the flow of the gas injected from the gas injection portion, without requiring additional devices for generating particle issues, such as complicated structures obstructing the flow of gas, The substrate processing efficiency in the load lock chamber can be improved.

도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 개념도이다.
도 2는, 도 1의 로드락챔버의 구성 일부를 보여주는 사시도이다.
도 3a은, 도 2의 로드락챔버의 Ⅰ-Ⅰ 방향 단면도이다.
도 3b는, 도 3a의 로드락챔버의 평면도이다.
도 4 및 도 5은, 도 3a의 A 부분을 확대하여 보여주는 확대도이다.
도 6은, 도 1의 로드락챔버의 구성 일부를 보여주는 사시도이다.
도 7은, 종래 및 본 발명의 일 실시예에 따른 로드락챔버에서의 기판냉각에 관한 시간-온도 그래프이다.1 is a conceptual view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a perspective view showing a part of the structure of the load lock chamber of Fig. 1; Fig.
FIG. 3A is a sectional view in the I-I direction of the load lock chamber of FIG. 2. FIG.
Figure 3b is a top view of the load lock chamber of Figure 3a.
Figs. 4 and 5 are enlarged views showing a portion A in Fig. 3A.
Fig. 6 is a perspective view showing a part of the structure of the load lock chamber of Fig. 1;
7 is a time-temperature graph for substrate cooling in a load lock chamber in accordance with one embodiment of the present invention.

이하 본 발명에 따른 로드락챔버 및 이를 포함하는 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a load lock chamber and a substrate processing apparatus including the same according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 미리 설정된 공정압상태에서 기판(S)에 대한 기판처리를 수행하는 하나 이상의 공정챔버(10)와; 외부로부터 기판(S)이 공정챔버(10)로 인입되기 전 또는 공정챔버(10)로부터 기판(S)이 외부로 인출되기 전에 공정챔버(10)의 환경 또는 외부의 환경과 실질적으로 동일한 환경을 조성하는 로드락챔버(30)와, 공정챔버(10) 및 로드락챔버(30)를 사이에서 기판(S)을 반송하는 반송챔버(20)를 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention comprises at least one processing chamber 10 for performing substrate processing on a substrate S in a predetermined process pressure state; Substantially the same environment as the environment of the process chamber 10 or the environment before the substrate S is drawn into the process chamber 10 or before the substrate S is taken out from the process chamber 10 And a transfer chamber 20 for transferring the substrate S between the process chamber 10 and the load lock chamber 30. [

구체적으로, 상기 기판처리장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 적어도 하나 이상의 공정을 수행하는 복수개의 개별챔버(11,12)로 된 공정챔버(10)와, 복수의 개별 챔버(11,12)로 이루어진 공정챔버(10)를 공통으로 연결하는 반송챔버(20)를 포함하여 클러스터(cluster) 타입으로 구성 수 있으나, 이는 하나의 실시예일뿐 이에 한정되는 것은 아니다.1, the substrate processing apparatus includes a process chamber 10 composed of a plurality of individual chambers 11, 12 performing at least one process, and a plurality of individual chambers 11, 12 And a transfer chamber 20 which commonly connects the process chambers 10 formed of a plurality of process chambers 10 to each other. However, the present invention is not limited thereto.

상기 반송챔버(20)와 각 개별챔버(11,12) 사이에는 제어부(미도시)의 제어에 의해 개폐 동작되는 게이트 밸브가 마련된 게이트(G)를 더 포함하여 이루어질 수 있다.A gate G may be provided between the transfer chamber 20 and each of the individual chambers 11 and 12 and provided with a gate valve that is opened and closed under the control of a control unit (not shown).

또한, 상기 반송챔버(20)는, 로드락챔버(30)로부터 기판(S)을 인출하여 요구되는 소정 위치로 이송시키도록 하는 기판이송로봇(21)이 구비될 수 있다.The transfer chamber 20 may be provided with a substrate transfer robot 21 for transferring the substrate S from the load lock chamber 30 to a desired position.

상기 공정챔버(10)는, 플라즈마 반응 또는 화학기상방법을 이용한 식각 공정 또는 증착 공정과 같은 각종 공정이 진행되는 곳으로, 공정이 진행되기 전에 예비 동작으로 진공 펌프(미도시)에 의한 펌핑에 의해 진공 상태를 갖도록 설정한 후, 실제 공정이 수행될 경우 진공압을 조절하기 위한 압력조절밸브를 포함할 수 있다. The process chamber 10 is provided with various processes such as a plasma reaction or an etching process using a chemical vapor deposition process or a deposition process. The process chamber 10 is preliminarily operated by a vacuum pump (not shown) And a pressure regulating valve for adjusting the vacuum pressure when an actual process is performed after setting the vacuum state.

구체적으로, 상기 공정챔버(10)는, 기판처리가 이루어지는 밀폐된 처리공간을 형성하는 챔버본체(미도시)와, 기판(S)을 지지하는 기판지지부(미도시)와, 공정가스를 분사하는 공정가스 분사부(미도시)와, 공정챔버(10)의 온도를 제어하는 가열재킷(미도시)을 포함할 수 있다.Specifically, the process chamber 10 includes a chamber body (not shown) that forms a closed process space in which a substrate process is performed, a substrate support (not shown) that supports the substrate S, (Not shown) for controlling the temperature of the process chamber 10, and a heating jacket (not shown) for controlling the temperature of the process chamber 10.

한편, 상기 공정챔버(10)는, 복수의 개별챔버(11, 12)를 포함하여 기판 증착, 기판 식각 등의 기판처리가 이루어지는 기판처리공간을 복수개 구비할 수 있다. Meanwhile, the process chamber 10 may include a plurality of substrate processing spaces including a plurality of individual chambers 11 and 12 for substrate processing such as substrate deposition, substrate etching, and the like.

상기 복수의 개별챔버(11, 12)는, 나란히 배치되어 반송챔버(20)와 연결되는 복수개의 기판처리공간이 나란히 붙어서 배치 될 수 있다. The plurality of individual chambers 11 and 12 may be disposed side by side and a plurality of substrate processing spaces connected to the transfer chamber 20 may be arranged side by side.

여기서, 상기 공정챔버(10)는, 복수개의 기판 처리 공간을 구현하기 위하여 복수개의 개별 챔버(11,12)로서 이루어질 수 있지만, 하나의 챔버 내에 각각 독립된 2개의 기판 처리 공간을 가질 수 있으며, 이와 달리, 하나의 공정챔버(10)가 하나의 기판(S)을 처리하도록 구성될 수도 있음은 물론이다.Here, the process chamber 10 may be formed as a plurality of individual chambers 11, 12 for implementing a plurality of substrate processing spaces, but may have two independent substrate processing spaces in one chamber, It goes without saying that, in the alternative, one processing chamber 10 may be configured to process one substrate S.

상기 반송챔버(20)는, 로드락챔버(30)와 공정 챔버(10) 사이에 위치하여 공정챔버(10)의 각 기판처리공간으로 기판(S)을 이송하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The transfer chamber 20 is configured to transfer the substrate S to each substrate processing space of the process chamber 10 by being positioned between the load lock chamber 30 and the process chamber 10.

상기 반송챔버(20)는, 기판(S)이 통과되는 복수개의 게이트가 형성되며, 로드락챔버(30)와 공정챔버(10) 사이에서 기판(S)이 이송되는 공간을 형성하는 챔버본체를 포함할 수 있다.The transfer chamber 20 includes a chamber body having a plurality of gates through which the substrate S is passed and forming a space through which the substrate S is transferred between the load lock chamber 30 and the process chamber 10 .

상기 반송챔버(20)는, 기판 처리를 위하여 로드락챔버(30)로부터 이송되는 기판(S)을 공정챔버(10)의 각 개별챔버(11,12)로 이송하며, 반대로 기판 처리가 완료되어 공정챔버(10)의 각 개별챔버(11,12)로부터 이송되어 오는 기판(S)을 로드락챔버(30)로 이송할 수 있다.The transfer chamber 20 transfers the substrate S transferred from the load lock chamber 30 to the respective chambers 11 and 12 of the process chamber 10 for the substrate processing and conversely the substrate processing is completed The substrate S transferred from each of the individual chambers 11 and 12 of the process chamber 10 can be transferred to the load lock chamber 30.

구체적으로, 상기 반송챔버(20)반송챔버(20)는, 로드락챔버(30)로부터 기판(S)을 인출하여 요구되는 소정 위치로 이송시키고, 공정챔버(10)로부터 기판(S)을 인출하여 로드락챔버(30)로 이송시키는 기판이송로봇(21)이 구비될 수 있다.Specifically, the transfer chamber 20 of the transfer chamber 20 draws the substrate S from the load lock chamber 30, transfers the substrate S to a desired position, draws the substrate S from the process chamber 10, And a substrate transfer robot 21 for transferring the wafer W to the load lock chamber 30.

상기 기판이송로봇(21)은, 반송챔버(20)에 마련되며, 복수의 게이트를 통해 각 공정챔버(10)와 반송챔버(20)간에 기판(S)을 이송하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The substrate transfer robot 21 is provided in the transfer chamber 20 and is configured to transfer the substrate S between the process chambers 10 and the transfer chamber 20 through a plurality of gates, .

상기 기판이송로봇(21)은, 로드락챔버(30)로부터 이송되는 기판(S)을 게이트 모듈(G)을 통하여 각 개별챔버(11,12)로 이송시키며, 게이트 모듈(G)을 통해 공정챔버(10)의 각 개별챔버(11,12)로부터 이송되어 오는 기판(S)을 로드락챔버(30)로 이송한다.The substrate transfer robot 21 transfers the substrate S transferred from the load lock chamber 30 to each of the individual chambers 11 and 12 through the gate module G, The substrate S transferred from each of the individual chambers 11 and 12 of the chamber 10 is transferred to the load lock chamber 30.

상기 반송챔버(20)는, 항상 진공에 가까운 공정압상태를 유지할 수 있다.The transfer chamber 20 can always maintain a process pressure state close to vacuum.

다만, 상기 공정챔버(10)에서 반송챔버(20)로 또는 반송챔버(20)에서 공정챔버(10)로 기판(S) 이송 시에 공정 챔버(10) 내부의 파티클이 반송챔버(20)로 인입되는 것을 최소화하기 위하여 반송챔버(20)의 내부 압력은 공정챔버(10)의 압력보다 상대적으로 높은 상태(저진공)로 형성될 수 있다.When the substrate S is transferred from the process chamber 10 to the transfer chamber 20 or from the transfer chamber 20 to the process chamber 10, particles in the process chamber 10 are transferred to the transfer chamber 20 The internal pressure of the transfer chamber 20 may be formed in a state (low vacuum) that is relatively higher than the pressure of the process chamber 10 in order to minimize entry.

상기 로드락챔버(30)(load lock chamber)는, 반송챔버(20) 내의 환경 조건에 근접한 환경 조건을 접할 수 있도록 하고, 반송챔버(20) 내의 환경 조건이 외부로부터 영향을 받지 않도록 차단하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The load lock chamber 30 is configured to allow an environmental condition close to the environmental conditions in the transfer chamber 20 to be exposed and to prevent the environmental conditions in the transfer chamber 20 from being influenced from the outside Various configurations are possible.

즉, 상기 로드락챔버(30)는, 진공에 가까운 공정압상태에서 대기압상태로, 또는 대기압상태에서 공정압상태로 변화 가능하다. That is, the load lock chamber 30 can be changed from the process pressure state close to vacuum to the atmospheric pressure state, or from the atmospheric pressure state to the process pressure state.

또한 상기 로드락챔버(30)는, 대기압 상태의 외부, 예로서, 기판보관용기(미도시)에 연결된 로더부(미도시)로부터 기판(S)을 제공받을 수 있다. The load lock chamber 30 may also be provided with a substrate S from an atmospheric pressure outside, for example, a loader portion (not shown) connected to a substrate storage container (not shown).

상기 로드락챔버(30)의 일면은 로더부와 연결되어 있으며 다른 일면은 게이트 모듈(G)를 통하여 반송챔버(20)와 결합될 수 있다.One side of the load lock chamber 30 may be connected to the loader portion and the other side may be coupled to the transfer chamber 20 through the gate module G. [

예로서, 상기 로더부(미도시) 및 게이트모듈(G)는 로드락챔버(30)를 중심으로 대향되도록 배치될 수 있다.For example, the loader portion (not shown) and the gate module G may be arranged to be opposed with respect to the load lock chamber 30.

상기 로더부(미도시)를 통해 기판(S)이 대기 상태에서 기판 보관용기(FOUP)로부터 이송되어 온 후에는 로드락챔버(30)의 내부는 반송챔버(20)와 마찬가지의 진공에 가까운 공정압상태로 변화된다. After the substrate S is transferred from the substrate storage container (FOUP) through the loader unit (not shown) in the standby state, the interior of the load lock chamber 30 is subjected to a process similar to vacuum as the transfer chamber 20 Pressure state.

또한 상기 공정챔버(10)에서 처리된 기판(S)이 반송챔버(20)를 거쳐 로드락챔버(30)로 이송되어 오면, 로더부(미도시)를 거쳐서 외부의 기판 보관 용기(FOUP)로 기판(S)이 이송되기 위하여 로드락챔버(30) 내부가 대기압상태로 변화된다.When the substrate S processed in the process chamber 10 is transferred to the load lock chamber 30 through the transfer chamber 20, the substrate S is transferred to an external substrate storage container (FOUP) through a loader portion (not shown) The inside of the load lock chamber 30 is changed to the atmospheric pressure state in order for the substrate S to be transported.

일 실시예에서, 본 발명의 일 실시예에 따른 로드락챔버(30)는, 밀폐된 내부공간을 형성하며, 평면형상이 직사각형으로 이루어져 기판도입 또는 기판배출을 위해 개폐되는 한 쌍의 게이트(311, 312)들이 대향하는 한 쌍의 측면부에 형성되는 챔버본체(310)와; 챔버본체(310)에 설치되어 내부공간에 위치된 기판(S)을 지지하는 기판지지부(320)와; 챔버본체(310)에 설치되어 내부공간을 공정압상태에서 대기압상태로 변화시면서 기판(S)을 냉각시키기 위하여 내부공간에 가스를 주입하며, 길이방향이 기판(S)의 배치평면과 수직하게 배치되는 하나 이상의 가스주입부(330)와; 가스주입부(330)에서 분사된 가스를 내부공간에 확산시키기 위한 가스확산수단과; 챔버본체(100)에 설치되어 내부공간의 가스를 배기하는 가스배기부를 포함할 수 있다.In one embodiment, the load lock chamber 30 according to one embodiment of the present invention forms a closed interior space, and has a pair of gates 311 A chamber body 310 formed on a pair of side surfaces opposite to each other; A substrate support 320 installed in the chamber body 310 to support a substrate S placed in an inner space; A gas is injected into the inner space in order to cool the substrate S while being installed in the chamber body 310 and changing the inner space from the process pressure state to the atmospheric pressure state so that the longitudinal direction is perpendicular to the arrangement plane of the substrate S At least one gas injection portion (330); Gas diffusion means for diffusing the gas injected from the gas injection unit 330 into the internal space; And a gas exhaust unit installed in the chamber body 100 to exhaust gas in the internal space.

상기 챔버본체(310)는, 밀폐된 내부공간을 형성하며, 기판도입 또는 기판배출을 위해 개폐되는 한 쌍의 게이트(311, 312)들이 기판(S)의 반송방향을 따라서 형성되는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The chamber body 310 forms a closed internal space and has a configuration in which a pair of gates 311 and 312 opened or closed for substrate introduction or substrate discharge are formed along the transport direction of the substrate S, This is possible.

상기 챔버본체(310)는, 평면형상이 직사각형으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The chamber body 310 may have a rectangular shape, but the present invention is not limited thereto.

이때, 상기 챔버본체(310)는, 복수의 공정챔버(10)에 대응되어 복수의 독립적인 기판처리영역을 형성하거나 또는 하나의 기판처리영역에서 복수의 기판(S)들을 처리하도록 구성될 수 있다.At this time, the chamber body 310 may be configured to correspond to a plurality of process chambers 10 to form a plurality of independent substrate processing regions, or to process a plurality of substrates S in one substrate processing region .

상기 한 쌍의 게이트(311, 312)는, 게이트밸브에 의하여 개폐되는 게이트모듈(G)로서, 로더부와 결합되는 제1게이트(311) 및 반송챔버(20)와 결합되는 제2게이트(312)를 포함할 수 있다.The pair of gates 311 and 312 includes a first gate 311 coupled to the loader portion and a second gate 312 coupled to the transfer chamber 20, ).

상기 한 쌍의 게이트(311, 312)는, 챔버본체(310)에서의 기판(S)의 반송방향에 따라서 서로 대향되도록 챔버본체(310)의 대향하는 한 쌍의 측면부에 각각 설치될 수 있다.The pair of gates 311 and 312 may be provided on a pair of opposite side surfaces of the chamber body 310 so as to face each other along the conveying direction of the substrate S in the chamber body 310.

상기 한 쌍의 게이트(311, 312)는, 챔버본체(310)가 독립된 복수의 기판처리영역으로 이루어지는 경우, 기판처리영역에 대응되어 복수로 형성될 수 있음은 물론이다.Needless to say, the pair of gates 311 and 312 may be formed in a plurality corresponding to the substrate processing region when the chamber body 310 is composed of a plurality of independent substrate processing regions.

상기 기판지지부(320)는, 상기 챔버본체(310)에 설치되어 상기 내부공간에 위치된 기판(S)을 지지하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The substrate supporting part 320 may be configured to support the substrate S placed in the inner space of the chamber main body 310 and may have various configurations.

상기 기판지지부(320)는, 챔버본체(310)가 독립된 복수의 기판처리영역으로 이루어지는 경우, 기판처리영역에 대응되어 복수로 이루어질 수 있다.When the chamber body 310 includes a plurality of independent substrate processing regions, the substrate supporting portion 320 may correspond to a plurality of substrate processing regions.

또한, 상기 기판지지부(320)는, 도 3 및 도 5a에 도시된 바와 같이, 하나의 기판처리영역에서 상하로 이격되어 적층된 복수의 기판(S)을 지지하도록 구성될 수도 있다.3 and 5A, the substrate support 320 may be configured to support a plurality of substrates S stacked up and down in one substrate processing area.

상기 가스주입부(330)는, 챔버본체(310)에 설치되어 내부공간을 공정압상태에서 대기압상태로 변화시면서 기판(S)을 냉각시키기 위하여 내부공간에 가스를 주입하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The gas injecting part 330 is installed in the chamber main body 310 and injects gas into the internal space to cool the substrate S while changing the internal space from the process pressure state to the atmospheric pressure state. Do.

상기 내부공간은, 챔버본체(310)가 독립된 복수의 기판처리영역으로 이루어지는 경우, 기판처리영역에 대응되어 복수로 형성될 수 있다.When the chamber main body 310 is composed of a plurality of independent substrate processing regions, the internal space may be formed in a plurality corresponding to the substrate processing regions.

상기 가스배기부(미도시)는, 챔버본체(100)에 설치되어 내부공간을 대기압상태에서 공정압상태로 변화시키기 위하여 내부공간에 가스를 배기하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The gas exhaust unit (not shown) is installed in the chamber main body 100 and exhausts gas to the internal space in order to change the internal space from the atmospheric pressure state to the process pressure state.

한편, 상기 가스주입부(330)가 분사하는 가스는, 로드락챔버(30)의 압력을 진공에 가까운 공정압에서 대기압상태로 변화시키기 위한 벤팅가스로, 예를들어, 질소가스일 수 있다.Meanwhile, the gas injected by the gas injection unit 330 may be a venting gas for changing the pressure of the load lock chamber 30 from a process pressure close to a vacuum to an atmospheric pressure state, for example, nitrogen gas.

상기 벤팅가스는, 로드락챔버(30)의 내부공간의 압력변화를 목적으로 하나 이와 함께 공정챔버(10)에서 도입되어 가열된 기판(S)이 그대로 배출되는 경우 발생할 수 있는 부재들의 열손상(thermal damage) 등을 방지하기 위하여 기판(S)을 미리 설정된 온도 까지 냉각시키는 목적도 갖는다.The venting gas is used for the purpose of changing the pressure of the internal space of the load lock chamber 30, but also the heat damage of the members that may be introduced when the heated substrate S is introduced directly from the process chamber 10 the substrate S is cooled to a predetermined temperature in order to prevent thermal damage or the like.

종래의 경우, 로드락챔버(30) 내에서의 가스의 유동이 불균일하게 형성되어 공정압에서 대기압으로의 벤팅과정을 마친 후에도 기판(S)의 냉각이 충분히 이루어 지지 않아 기판(S)의 냉각을 위한 오버벤팅 시간이 추가로 소요되고, 120℃ 내외로 냉각된 기판(S)의 경우에도 위치에 따른 온도편차가 30℃에 이르는 문제점이 있다.In the conventional case, the flow of the gas in the load lock chamber 30 is unevenly formed, and even after the venting process from the process pressure to the atmospheric pressure is completed, the substrate S is not sufficiently cooled, And the substrate S cooled to about 120 DEG C has a problem that the temperature deviation depending on the position is 30 DEG C. [

이에 본 발명에 따른 로드락챔버(30)는, 로드락챔버(30) 내에서의 가스유동을 개선하여 로드락챔버(30)에서의 기판처리시간을 단축하고 기판(S)의 위치에 따른 온도편차를 최소화 하기 위하여, 길이방향이 기판(S)의 배치평면에 수직하게 배치되는 하나 이상의 가스주입부(330)와, 가스주입부(330)에서 분사된 가스를 상기 내부공간에 확산시키기 위한 가스확산수단을 포함할 수 있다.Accordingly, the load lock chamber 30 according to the present invention improves the gas flow in the load lock chamber 30 to shorten the substrate processing time in the load lock chamber 30 and reduce the temperature according to the position of the substrate S In order to minimize the deviation, at least one gas injection portion 330 whose longitudinal direction is perpendicular to the plane of arrangement of the substrate S, gas for diffusing the gas injected from the gas injection portion 330 into the internal space Diffusion means.

상기 가스주입부(330)는, 길이방향이 기판(S)의 배치평면에 수직하게 배치되어 내부공간으로 가스를 분사하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The gas injecting part 330 may have various constructions in which the longitudinal direction of the gas injecting part 330 is perpendicular to the arrangement plane of the substrate S and the gas is injected into the inner space.

상기 가스주입부(330)는, 기판반송을 방해하지 않는 위치, 즉, 기판(S)의 반송경로를 제외한 다양한 위치에 배치될 수 있음은 물론이다.Needless to say, the gas injection unit 330 may be disposed at various positions other than the position where the substrate transfer is not obstructed, that is, the transfer path of the substrate S.

상기 가스주입부(330)는, 기판반송을 방해하지 않으면서 챔버본체(310) 내에 존재하는 불필요한 공간(dead space)에 설치됨으로써, 가스주입부(330)의 설치를 위한 볼륨확장 없이 처리공간(S)내에 위치될 수 있다.The gas injection unit 330 is installed in a dead space existing in the chamber main body 310 without disturbing the transportation of the substrate, S, < / RTI >

예로서, 상기 가스주입부(330)는, 로드락챔버(30)의 내측벽과 게이트(311, 312)가 인접한 영역에 설치될 수 있다.For example, the gas injection unit 330 may be installed in an area where the inner wall of the load lock chamber 30 and the gates 311 and 312 are adjacent to each other.

보다 구체적으로, 상기 가스주입부(330)는, 로드락챔버(30)의 내측벽과 게이트(311, 312)가 인접하여 형성된 기판(S)의 배치평면에 수직한 로드락챔버(30)의 모서리에 대응되는 위치에 설치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.More specifically, the gas injecting portion 330 is formed in a region of the load lock chamber 30 perpendicular to the plane of arrangement of the substrate S on which the inner wall of the load lock chamber 30 and the gates 311 and 312 are formed adjacent to each other. But the present invention is not limited thereto.

일 실시예에서, 상기 가스주입부(330)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 파이프형상으로 이루어져 길이방향 일단에서 외부에 설치된 가스공급부로부터 가스를 공급받아 상기 내부공간으로 분사하는 노즐부(332)와, 가스공급부와 연결되어 노즐부(332)에 가스를 공급하는 공급배관(336)과, 상기 노즐부(332)의 길이방향 양 끝단에 결합되는 캡부재(331, 335)를 포함할 수 있다.6, the gas injecting part 330 includes a nozzle part 332 which is formed in a pipe shape and which receives gas from a gas supply part installed at an end in the longitudinal direction and injects the gas into the internal space, A supply pipe 336 connected to the gas supply unit and supplying gas to the nozzle unit 332 and cap members 331 and 335 coupled to both ends in the longitudinal direction of the nozzle unit 332 have.

상기 노즐부(332)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 파이프형상으로 이루어져 길이방향 일단에서 외부에 설치된 가스공급부로부터 가스를 공급받아 공급받은 가스를 상기 내부공간으로 분사하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.As shown in FIG. 6, the nozzle unit 332 has a pipe shape and is configured to inject gas supplied from the gas supply unit installed at the one end in the longitudinal direction to the internal space, Do.

상기 노즐부(332)는, 편의상 길이방향에 수직한 단면이 원형인 경우를 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Although the nozzle unit 332 has a circular cross section perpendicular to the longitudinal direction for the sake of convenience, the nozzle unit 332 is not limited thereto.

상기 노즐부(332)는, 길이방향 일단에 구비된 캡부재(335)와 결합된 공급배관(336)을 통해 가스공급부로부터 가스를 공급받을 수 있다.The nozzle unit 332 can be supplied with gas from the gas supply unit through a supply pipe 336 coupled with a cap member 335 provided at one end in the longitudinal direction.

상기 노즐부(332)는, 측면의 적어도 일부에 공급받은 가스의 분사를 위한 하나 이상의 가스분사홀(334)이 형성될 수 있다.The nozzle unit 332 may include at least one gas injection hole 334 for injecting gas supplied to at least a part of a side surface thereof.

상기 가스분사홀(334)는, 복수개로 이루어지며, 노즐부(332)의 측면 전체에 균일하게 분포되거나 또는 측면의 일부에만 분포될 수 있다.The plurality of gas injection holes 334 may be uniformly distributed on the entire side surface of the nozzle portion 332 or may be distributed only on a part of the side surface.

상기 가스분사홀(334)는, 공정조건에 따라 다양한 형상 및 크기로 형성될 수 있음은 물론이다.Needless to say, the gas injection holes 334 may be formed in various shapes and sizes according to processing conditions.

상기 가스확산수단은, 노즐부(332)에서 분사된 가스를 상기 내부공간에 확산시키는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The gas diffusing means diffuses the gas injected from the nozzle portion 332 into the internal space, and various configurations are possible.

상기 가스확산수단은, 필요에 따라 채택 가능한 선택적 구성으로 본 발명에 따른 로드락챔버(30)가 가스확산수단을 포함하는 경우 로드락챔버(30) 내에서의 가스의 유동이 보다 개선될 수 있는 이점이 있다.The gas diffusing means can be further improved in the flow of gas in the load lock chamber 30 if the load lock chamber 30 according to the invention comprises gas diffusing means in an optional configuration, There is an advantage.

예로서, 상기 가스확산수단은, 도 4에 도시된 바와 같이, 챔버본체(310)의 내측에 가스확산공간(D)을 형성하는 요홈부(337)를 포함할 수 있다.As an example, the gas diffusion means may include a recessed portion 337 which forms a gas diffusion space D inside the chamber body 310, as shown in FIG.

상기 요홈부(337)은, 챔버본체(310)의 내측벽과 일체로 형성될 수 있다.The recessed portion 337 may be formed integrally with the inner wall of the chamber body 310.

상기 요홈부(337)는, 가스주입부(330)의 형상, 크기, 가공비용 및 가스확산효과 등을 고려하여 다양한 형상 및 크기로 형성될 수 있다.The recessed portion 337 may be formed in various shapes and sizes in consideration of the shape, size, processing cost, and gas diffusion effect of the gas injection portion 330.

이때, 상기 노즐부(332)는, 요홈부(337)와는 이격된 상태로 챔버본체(310)의 내측벽에 형성된 가스확산공간(D)에 위치될 수 있다.At this time, the nozzle unit 332 may be positioned in the gas diffusion space D formed on the inner wall of the chamber body 310 in a state of being separated from the recessed part 337.

이러한 경우, 본 발명은, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 노즐부(332)를 가스확산공간(D)에 위치시킴으로써, 노즐부(332)의 가스분사공(334) 중 기판(S)을 향하지 않는 가스분사공(334)에서 분사된 가스 또한 기판(S)을 향하는 방향으로 전달되도록 하여 가스를 보다 용이하게 확산시킬 수 있는 이점이 있다.4, the nozzle portion 332 is positioned in the gas diffusion space D so that the substrate S in the gas injection hole 334 of the nozzle portion 332 The gas injected from the gas spray hole 334, which is not directed toward the substrate S, is also transmitted in the direction toward the substrate S, which is advantageous in that the gas can be more easily diffused.

또한, 상기 챔버본체(310)의 내측벽에 요홈부(337)을 형성하여 노즐부(332) 설치를 위한 추가공간을 형성하므로, 상기 노즐부(332)를 설치하기 위해 별도로 챔버본체(310)의 볼륨을 확장할 필요가 없어 로드락챔버가 차지하는 공간을 최소화 할 수 있는 이점이 있다.The chamber body 310 has a recessed portion 337 formed in an inner wall of the chamber body 310 to form an additional space for installing the nozzle portion 332. The chamber body 310 is separately provided for installing the nozzle portion 332, There is no need to expand the volume of the load lock chamber, thereby minimizing the space occupied by the load lock chamber.

다른 예로서, 상기 가스확산수단은, 도 5에 도시된 바와 같이, 가스주입부(330)로부터 분사된 가스가 기판(S)을 향하도록 챔버본체(310)의 내측벽과 가스주입부(330) 사이에 설치되는 가스확산부재(338)일 수 있다.As another example, the gas diffusion means may include a gas injection unit 330 for injecting the gas injected from the gas injection unit 330 into the chamber main body 310 such that the gas injected from the gas injection unit 330 is directed to the substrate S, The gas diffusion member 338 may be a gas diffusion member.

상기 가스확산부재(338)는, 챔버본체(310)의 내측벽과 노즐부(332) 사이에 설치되어 노즐부(332)의 가스분사홀(334) 중 기판(S)을 향하지 않는 가스분사홀(334)에서 분사된 가스가 기판(S)을 향하도록 하는 구성으로 다양한 형상이 가능하다.The gas diffusion member 338 is disposed between the inner wall of the chamber body 310 and the nozzle unit 332 and is connected to the gas injection hole 334 of the nozzle unit 332, And the gas injected from the nozzle 334 is directed toward the substrate S, so that various shapes are possible.

이때, 상기 가스확산부재(338)는, 노즐부(332)에서 분사된 가스를 내부공간으로 확산시키는 기능뿐만 아니라, 노즐부(332)의 가스분사홀(334) 중 기판(S)을 향하지 않는 가스분사홀(334)에서 분사된 가스가 기판(S)을 향하도록 가이드 하는 기능 또한 수행할 수 있다.The gas diffusion member 338 diffuses the gas injected from the nozzle unit 332 into the internal space as well as the gas diffusion hole 332 of the gas injection hole 334 of the nozzle unit 332, The function of guiding the gas injected from the gas injection hole 334 toward the substrate S can also be performed.

상기 가스확산부재(338)은, 챔버본체(310)의 내측벽과 노즐부(332) 사이에 설치될 수 있다면 노즐부(332) 또는 챔버본체(310)의 내벽 등 다양한 부재와 결합될 수 있다.The gas diffusion member 338 may be coupled to various members such as the nozzle portion 332 or the inner wall of the chamber body 310 if it is installed between the inner wall of the chamber body 310 and the nozzle portion 332 .

일 실시예로서, 상기 가스확산부재(338)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 기판(S)을 향하지 않는 가스분사홀(334)에서 분사된 가스가 기판(S)을 향해 확산되도록 노즐부(332)를 향하는 면이 오목하게 형성될 수 있다.5, the gas diffusing member 338 is formed so that the gas injected from the gas injection hole 334 not directed to the substrate S is diffused toward the substrate S, And the surface facing the second electrode 332 may be concave.

이때, 상기 가스확산부재(338)은, 가스확산이 보다 잘 이루어지도록 표면에 요철이 형성될 수 있다.At this time, the gas diffusion member 338 may be provided with irregularities on the surface thereof so that gas diffusion can be performed more easily.

예로서, 상기 요철은, 딤플(dimple)과 같은 요홈으로 이루어질 수 있다.For example, the concavities and convexities may be grooves such as a dimple.

상기 가스확산부재(338)는, 로드락챔버(30)에서의 공정환경에 따라 금속, 세라믹 등 다양한 재질로 이루어질 수 있다.The gas diffusion member 338 may be made of various materials such as metals and ceramics according to the process environment in the load lock chamber 30.

상기 가스확산수단은, 챔버본체(310)의 내측에 가스확산공간(D)을 형성하는 요홈부(337)와 가스확산부재(338)을 모두 포함하여 구성될 수 있음은 물론이다.The gas diffusion means may be configured to include both the recessed portion 337 and the gas diffusion member 338 which form the gas diffusion space D inside the chamber body 310. [

이하, 도 2 내지 도 5를 참조하여, 본 발명에 따른 로드락챔버(30)를 자세히 설명한다.Hereinafter, the load lock chamber 30 according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 5. FIG.

여기서, 상기 로드락챔버(30)는, 한 쌍의 가스주입부(330a, 330b)를 하나 이상 포함할 수 있다.Here, the load lock chamber 30 may include at least one pair of gas injection units 330a and 330b.

상기 한 쌍의 가스주입부(330a, 330b)는, 도 2 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 기판(S)의 어느 일측에 편중되도록 가스가 분사되는 것을 방지하기 위하여 기판(S)을 기준으로 대칭을 이루도록 배치될 수 있다.As shown in FIGS. 2 to 5, the pair of gas injection units 330a and 330b may be formed on the substrate S in order to prevent gas from being injected to one side of the substrate S And may be arranged to be symmetrical.

상기 한 쌍의 가스주입부(330a, 330b)는, 게이트(311, 312)를 통한 기판(S)의 도입 및 배출을 방해하지 않는다면 다양한 위치에 설치될 수 있다.The pair of gas injection parts 330a and 330b may be installed at various positions as long as they do not interfere with the introduction and discharge of the substrate S through the gates 311 and 312.

예로서, 상기 한 쌍의 가스주입부(330a, 330b)는, 로드락챔버(30)의 내측벽과 게이트(311, 312)가 인접한 영역에 설치될 수 있다.For example, the pair of gas injection parts 330a and 330b may be provided in an area where the inner wall of the load lock chamber 30 and the gates 311 and 312 are adjacent to each other.

구체적으로, 상기 한 쌍의 가스주입부(330a, 330b)는, 챔버본체(310)의 모서리에 형성되는 공간을 활용하기 위하여, 챔버본체(310)의 기판(S)의 배치평면에 수직한 모서리들 중 대각선을 이루는 한 쌍의 모서리에 각각 대응되어 설치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specifically, the pair of gas injecting parts 330a and 330b may be formed at a corner perpendicular to the plane in which the substrate S of the chamber body 310 is arranged to utilize the space formed at the edge of the chamber body 310, But the present invention is not limited thereto.

본 발명은, 한 쌍 이상의 가스주입부(330a, 330b)를 포함함으로써, 하나의 가스주입부를 구비하는 경우에 대비하여 다량의 가스를 내부공간에 분사할 수 있으며, 한 쌍 이상의 가스주입부(330a, 330b)가 기판(S)을 기준으로 대칭이 되도록 배치함으로써, 가스주입모듈에서 분사되는 가스가 기판(S)의 특정 부분으로 편중되지 않도록 가스의 흐름(유동)을 개선 할 수 있는 이점이 있다.The present invention can inject a large amount of gas into the inner space in case of including one or more gas injecting parts 330a and 330b in the case of having one gas injecting part, , 330b are arranged symmetrically with respect to the substrate S, there is an advantage in that the flow of gas can be improved so that the gas injected from the gas injection module is not biased toward a specific portion of the substrate S .

한편, 상기 로드락챔버(30)가 두 쌍의 가스주입부(330a, 330b)를 포함하는 경우, 상기 두 쌍의 가스주입부(330a, 330b)는, 게이트(311, 312)를 통한 기판(S)의 도입 및 배출을 방해하지 않는다면 다양한 위치에 설치될 수 있다.When the load lock chamber 30 includes two pairs of gas injection units 330a and 330b, the two gas injection units 330a and 330b are connected to the substrate 311 and 312 through the gates 311 and 312, S < / RTI >

예로서, 상기 로드락챔버(30)가 한 쌍의 가스주입부(330a, 330b)를 포함하는 경우와 마찬가지로, 상기 가스주입부(330a, 330b)는, 로드락챔버(30)의 내측벽과 게이트(311, 312)가 인접한 영역에 설치될 수 있다.As in the case where the load lock chamber 30 includes a pair of gas injection portions 330a and 330b, the gas injection portions 330a and 330b may be formed on the inner wall of the load lock chamber 30, Gates 311 and 312 may be provided in adjacent regions.

구체적으로, 상기 두 쌍의 가스주입부(330a, 330b)는, 챔버본체(310)의 모서리에 형성되는 공간을 활용하기 위하여, 챔버본체(310)의 기판(S)의 배치평면에 수직한의 네 모서리에 대응되어 설치 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The two gas injection parts 330a and 330b may be formed to be perpendicular to the plane of arrangement of the substrate S of the chamber body 310 in order to utilize the space formed at the edge of the chamber body 310. [ But the present invention is not limited thereto.

도 3a 및 도 3b는, 상기 로드락챔버(330a, 330b)가 두 쌍의 가스주입부(330a, 330b)를 포함하는 경우를 도시하였으나, 이는 설명의 편의를 위한 것으로 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.3A and 3B illustrate a case where the load lock chambers 330a and 330b include two pairs of gas injection units 330a and 330b. However, the present invention is not limited thereto. It is not.

즉, 본 발명에 따른 로드락챔버(30)는, 가스주입부(330)가 게이트(311, 312)를 통한 기판(S)의 반송을 방해하지 않으면서 기판(S)의 배치평면에 수직으로 설치된다면, 다양한 배치를 이루는 다양한 개 수의 가스주입부(330)를 포함할 수 있다.That is, the load lock chamber 30 according to the present invention is configured such that the gas injection portion 330 is perpendicular to the arrangement plane of the substrate S without interfering with the transportation of the substrate S through the gates 311 and 312 If installed, it may include various numbers of gas injection portions 330 in various configurations.

따라서, 도 3a, 및 도 3b에서, 상기 로드락챔버(30)에 네 개의 가스주입부(330a, 330b) 중 일부 만이 설치되는 경우도 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Therefore, in FIGS. 3A and 3B, it is to be understood that only a part of the four gas injection units 330a and 330b is provided in the load lock chamber 30.

이하, 도 7을 참조하여, 상술한 실시예에 따른 로드락챔버(30)에서의 가스유동개선효과를 자세히 설명한다.Hereinafter, the effect of improving the gas flow in the load lock chamber 30 according to the above-described embodiment will be described in detail with reference to FIG.

도 7은, 상기 로드락챔버(30)에서의 시간에 따른 기판(S) 냉각곡선을 보여주는 그래프이다.FIG. 7 is a graph showing the cooling curve of the substrate S over time in the load lock chamber 30. FIG.

도 7에서, L1은, 종래의 로드락챔버(30)에서의 기판(S) 냉각곡선이며, L2는, 본 발명에 따른 로드락챔버(30)에서의 냉각곡선을 의미한다.In Fig. 7, L1 is the cooling curve of the substrate S in the conventional load lock chamber 30, and L2 is the cooling curve in the load lock chamber 30 according to the present invention.

도 7에 도시된 바와 같이, 공정챔버(10)에서 로드락챔버(30)로 도입된 기판(S)의 온도를 미리 설정된 온도(예를 들어, 128℃)까지 냉각시키는데 L1은 25s가 소요되고, L2는 17s가 소요됨을 확인 할 수 있다.As shown in FIG. 7, the temperature of the substrate S introduced into the load lock chamber 30 in the process chamber 10 is cooled to a predetermined temperature (for example, 128 DEG C) , And L2 is 17 s.

즉, 본 발명에 따른 로드락챔버(30)는, 종래보다 8s의 시간을 단축할 수 있고 이를 통해 전체공정의 효율이 향상될 수 있다.That is, the load lock chamber 30 according to the present invention can shorten the time of 8s compared to the conventional one, thereby improving the efficiency of the entire process.

또한, 종래의 로드락챔버(30)의 경우 미리 설정된 온도 까지 기판(S)을 냉각한 후 기판(S)의 위치에 따른 온도편차가 30℃에 이르는 반면, 본 발명에 따른 로드락챔버(30)의 경우 미리 설정된 온도 까지 기판(S)을 냉각한 후 기판(S)의 위치에 따른 온도편차가 5℃ 내외로 감소됨이 확인되었다.In the case of the conventional load lock chamber 30, the temperature deviation according to the position of the substrate S reaches 30 DEG C after cooling the substrate S to a predetermined temperature, whereas the load lock chamber 30 ), It was confirmed that the temperature deviation according to the position of the substrate S was reduced to about 5 캜 after cooling the substrate S to a predetermined temperature.

한편, 본 발명에 따른 로드락챔버(30)를 포함하는 기판처리장치는, 로드락챔버(30)로 공급되는 가스의 온도를 조절하기 위한 온도조절부 (미도시)를 추가로 포함할 수 있다.Meanwhile, the substrate processing apparatus including the load lock chamber 30 according to the present invention may further include a temperature control unit (not shown) for controlling the temperature of the gas supplied to the load lock chamber 30 .

상기 온도조절부는, 상기 로드락챔버(30)로 공급되는 가스의 온도를 낮추기 위한 열전소자를 포함할 수 있다.The temperature controller may include a thermoelectric element for lowering the temperature of the gas supplied to the load lock chamber 30.

상기 기판처리장치는, 온도조절부를 통하여 노즐부(332)에서 분사되는 가스의 온도를 낮춤으로써 기판(S)에 대한 냉각효율을 보다 향상시킬 수 있다.The substrate processing apparatus can further improve the cooling efficiency with respect to the substrate S by lowering the temperature of the gas injected from the nozzle unit 332 through the temperature regulating unit.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It is to be understood that both the technical idea and the technical spirit of the invention are included in the scope of the present invention.

10: 공정챔버 20: 트랜스퍼챔버
30: 로드락챔버10: process chamber 20: transfer chamber
30: Load lock chamber

Claims (13)

대기압상태의 외부 및 미리 설정된 공정압상태의 공정챔버(10) 사이에서 기판(S)을 전달하는 로드락챔버(30)로서,
밀폐된 내부공간을 형성하며, 기판도입 또는 기판배출을 위해 개폐되는 한 쌍의 게이트(311, 312)들이 대향하는 한 쌍의 측면부에 형성되는 챔버본체(310)와;
상기 챔버본체(310)에 설치되어 상기 내부공간에 위치된 기판(S)을 지지하는 기판지지부(320)와;
상기 챔버본체(310)에 설치되어 상기 내부공간을 상기 공정압상태에서 대기압상태로 변화시면서 기판(S)을 냉각시키기 위하여 상기 내부공간에 가스를 주입하며, 길이방향이 상기 기판(S)의 배치평면에 수직하게 배치되는 하나 이상의 가스주입부(330)와;
상기 챔버본체(100)에 설치되어 상기 내부공간의 가스를 배기하는 가스배기부를 포함하는 것을 특징으로 하는 로드락챔버(30). A load lock chamber (30) for transferring a substrate (S) between an atmospheric pressure external and a predetermined process pressure process chamber (10)
A chamber body 310 forming a sealed inner space and having a pair of opposing side faces formed by a pair of gates 311 and 312 opened or closed for substrate introduction or substrate discharge;
A substrate support 320 installed in the chamber body 310 to support a substrate S positioned in the inner space;
The chamber S is installed in the chamber body 310 to inject gas into the inner space to cool the substrate S while changing the inner space from the process pressure state to the atmospheric pressure state, At least one gas injection part (330) arranged perpendicular to the plane;
And a gas exhaust part installed in the chamber body (100) to exhaust gas in the internal space. 청구항 1에 있어서,
상기 가스주입부(330)에서 분사된 가스를 상기 내부공간에 확산시키기 위한 가스확산수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 로드락챔버(30).The method according to claim 1,
Further comprising gas diffusing means for diffusing the gas injected from the gas injecting section (330) into the internal space. 청구항 1에 있어서,
상기 가스주입부(330)는,
파이프형상으로 이루어져 길이방향 일단에서 외부에 설치된 가스공급부로부터 가스를 공급받아 공급받은 가스를 상기 내부공간으로 분사하는 노즐부(332)를 포함하며,
상기 노즐부(332)는, 측면의 적어도 일부에 가스분사를 위한 하나 이상의 가스분사홀(334)이 형성되는 것을 특징으로 하는 로드락챔버(30).The method according to claim 1,
The gas injection unit 330 includes a gas-
And a nozzle unit (332) which is formed in a pipe shape and injects gas supplied from a gas supply unit installed at the one end in the longitudinal direction to the inner space,
Characterized in that the nozzle portion (332) is formed with at least one gas injection hole (334) for gas injection on at least a part of a side surface thereof. 청구항 3에 있어서,
상기 가스분사홀(334)은, 복수개로 이루어지며, 상기 노즐부(332)의 측면 전체에 균일하게 분포되는 것을 특징으로 하는 로드락챔버(30).The method of claim 3,
Wherein the plurality of gas injection holes (334) are uniformly distributed over the entire side surface of the nozzle unit (332). 청구항 1에 있어서,
상기 로드락챔버(30)는, 한 쌍의 가스주입부(330a, 330b)를 포함하며,
상기 한 쌍의 가스주입부(330a, 330b)는, 상기 기판(S)을 중심으로 대칭을 이루는 것을 특징으로 하는 로드락챔버(30).The method according to claim 1,
The load lock chamber 30 includes a pair of gas injection portions 330a and 330b,
Wherein the pair of gas injection parts (330a, 330b) are symmetrical about the substrate (S). 청구항 1에 있어서,
상기 가스주입부(330)는, 상기 로드락챔버(30)의 내측벽과 상기 게이트(311, 312)가 인접한 영역에 설치되는 것을 특징으로 하는 로드락챔버(30).The method according to claim 1,
Wherein the gas injection unit (330) is installed in an area adjacent to the inner wall of the load lock chamber (30) and the gates (311, 312). 청구항 6에 있어서,
상기 로드락챔버(30)는, 한 쌍의 가스주입부(330a, 330b)를 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 로드락챔버(30).The method of claim 6,
The load lock chamber (30) comprises at least one pair of gas injection parts (330a, 330b). 청구항 2에 있어서,
상기 가스확산수단은, 상기 챔버본체(310)의 내측벽에 상기 가스주입부(330)가 위치되는 가스확산공간(D)을 형성하는 요홈부(337)인 것을 특징으로 하는 로드락챔버(30).The method of claim 2,
Wherein the gas diffusion means is a recessed portion 337 which forms a gas diffusion space D in which the gas injection portion 330 is located on the inner wall of the chamber body 310 ). 청구항 8에 있어서,
상기 요홈부(337)는, 상기 챔버본체(310)의 내측벽과 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 로드락챔버(30).The method of claim 8,
Wherein the recessed portion (337) is formed integrally with an inner wall of the chamber body (310). 청구항 2에 있어서,
상기 가스확산수단은, 상기 가스주입부(330)로부터 분사된 가스가 기판(S)을 향하도록 상기 챔버본체(310)의 내측벽과 상기 가스주입부(330) 사이에 설치되는 가스확산부재(338)인 것을 특징으로 하는 로드락챔버(30).The method of claim 2,
The gas diffusion member may include a gas diffusion member (not shown) provided between the inner wall of the chamber body 310 and the gas injection unit 330 such that the gas injected from the gas injection unit 330 is directed to the substrate S 338). ≪ / RTI > 미리 설정된 공정압상태에서 기판(S)에 대한 기판처리를 수행하는 하나 이상의 공정챔버(10)와;
청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 하나에 따른 로드락챔버(30)와;
상기 공정챔버(10) 및 상기 로드락챔버(30)를 사이에서 기판(S)을 반송하는 반송챔버(20)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.At least one processing chamber (10) for performing substrate processing on the substrate (S) in a predetermined process pressure state;
A load lock chamber (30) according to any one of claims 1 to 10;
And a transfer chamber (20) for transferring the substrate (S) between the process chamber (10) and the load lock chamber (30). 청구항 11에 있어서,
상기 로드락챔버(30)로 공급되는 가스의 온도를 조절하기 위한 온도조절부를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 11,
Further comprising a temperature controller for controlling the temperature of the gas supplied to the load lock chamber (30). 청구항 12에 있어서,
상기 온도조절부는, 상기 로드락챔버(30)로 공급되는 가스의 온도를 낮추기 위한 열전소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 12,
Wherein the temperature regulating unit includes a thermoelectric element for lowering the temperature of the gas supplied to the load lock chamber (30).
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KR20230065616A (en) * 2021-11-05 2023-05-12 프리시스 주식회사 Loadlock module and substrate processing system having the same
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