KR20090046726A - Loading table, processing apparatus and processing system - Google Patents

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KR20090046726A KR1020080109315A KR20080109315A KR20090046726A KR 20090046726 A KR20090046726 A KR 20090046726A KR 1020080109315 A KR1020080109315 A KR 1020080109315A KR 20080109315 A KR20080109315 A KR 20080109315A KR 20090046726 A KR20090046726 A KR 20090046726A
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도시히로 도조
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 과제는 다수의 피처리체를 일괄 수수 가능하고, 또한 일괄 처리하는 것이 가능한 탑재대를 제공하는 것이다. 서셉터(105)에 마련된 수수 기구부(111)에는, 복수의 판형상의 가동 실드 부재(123)가 서로 간극을 두고 같은 방향으로 승강 가능하게 배열되어 있다. 가동 실드 부재(123)는, 반송 장치(25)의 포크(23)와 간섭하는 일 없이, 포크(23)보다도 높은 위치까지 상승한다. 그 도중에, 포크(23)에 탑재되어 있던 소편 기판(S)은 가동 실드 부재(123)에 일괄해서 수수된다.An object of the present invention is to provide a mounting table capable of collectively carrying out a large number of objects to be processed and performing batch processing. A plurality of plate-shaped movable shield members 123 are arranged in the receiving and receiving mechanism portion 111 provided in the susceptor 105 so as to be lifted and lowered in the same direction with a gap therebetween. The movable shield member 123 ascends to a position higher than the fork 23 without interfering with the fork 23 of the conveying device 25. In the meantime, the small piece board | substrate S mounted in the fork 23 is received by the movable shield member 123 collectively.

Description

탑재대, 처리 장치 및 처리 시스템{LOADING TABLE, PROCESSING APPARATUS AND PROCESSING SYSTEM}Mounting table, processing unit and processing system {LOADING TABLE, PROCESSING APPARATUS AND PROCESSING SYSTEM}

본 발명은, 예를 들면 평판 디스플레이(FPD)용의 소형의 기판 등의 피처리체를 탑재하는 탑재대, 이 탑재대를 구비한 처리 장치 및 처리 시스템에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD This invention relates to the mounting table which mounts to-be-processed objects, such as a small board | substrate for flat panel displays (FPD), a processing apparatus and a processing system provided with this mounting table, for example.

액정 디스플레이(LCD)로 대표되는 FPD의 제조 과정에 있어서는, 진공하에서 유리 기판 등의 피처리체에, 에칭, 성막 등의 각종 처리를 실시하고, 피처리체 상에 TFT(박막 트랜지스터) 등의 전자 디바이스를 형성한다. FPD의 제조에서는, 처리 효율을 높이기 위해서, 한 변의 길이가 1∼2미터에 달하는 대형의 기판을 처리 용기 내의 탑재대에 탑재해서 각종의 처리를 실행한 후, 제품의 크기에 따라 기판을 분할하는 방법이 채용되어 왔다.In the manufacturing process of an FPD represented by a liquid crystal display (LCD), various processings, such as etching and film-forming, are performed to a to-be-processed object, such as a glass substrate, under vacuum, and the electronic device, such as TFT (thin film transistor), on a to-be-processed object is carried out. Form. In the manufacture of FPD, in order to increase processing efficiency, a large substrate having a side length of 1 to 2 meters is mounted on a mounting table in a processing container to perform various kinds of processing, and then the substrate is divided according to the size of the product. The method has been adopted.

그러나, 최근, 예를 들면 휴대 전화나 휴대 게임기 등의 소형의 FPD 제품이나, 태양 전지 패널 등의 수요 증가에 따라, 소형의 기판(소편 기판)에 대하여 직접 에칭이나 성막 등의 가공을 실행하는 검토도 이루어지고 있다. 소편 기판을 처리하는 경우에는, 제조 비용을 억제하는 관점으로부터, 대형의 처리 용기 내에서 복수매의 소편 기판을 일괄해서 패치 처리하는 것이 효율적이다.However, in recent years, studies have been carried out on direct processing of etching or film formation on small substrates (small substrates) in accordance with increasing demand for small FPD products such as mobile phones and portable game machines and solar panels. Is also being done. When processing a small piece board | substrate, it is efficient to patch-process a plurality of small piece board | substrates collectively in a large processing container from a viewpoint of suppressing manufacturing cost.

소편 기판을 패치 처리하는 경우, 접시 형상의 트레이에 복수매의 소편 기판을 탑재하여 처리 용기 내로 반송하고, 탑재대에 트레이마다 탑재해서 처리를 실행하는 것이 가능하다. 그러나, 트레이를 사용하는 방법의 문제점으로서, 예를 들면 플라즈마 에칭 처리 등의 경우에, 플라즈마의 작용에서 트레이가 손상을 받는다는 문제가 있다. 이 때문에, 트레이를 정기적으로 교환하거나, 내플라즈마성이 높은 소재로 트레이를 구성하는 등의 대책이 필요해서, 트레이의 사용 비용을 무시할 수 없다.When patch processing a small piece board | substrate, a some piece of small piece board | substrate can be mounted in a tray of tray shape, it can convey in a processing container, it can mount on every tray, and a process can be performed. However, as a problem of the method of using the tray, there is a problem that the tray is damaged by the action of the plasma, for example, in the case of plasma etching treatment. For this reason, countermeasures, such as replacing a tray regularly and forming a tray from a material with high plasma resistance, are needed, and the use cost of a tray cannot be ignored.

또한, 플라즈마 에칭 처리 등에서는, 통상, 에칭 처리의 정밀도를 올리기 위해서, 기판의 이면측에 냉각용 가스를 도입해서 기판의 온도 상승을 억제하는 조치를 강구할 수 있다. 이 경우, 트레이를 사용하는 방법의 다른 문제점으로서, 트레이를 사용하는 것에 의해 직접 기판을 냉각할 수 없게 되어, 냉각 효율이 저하한다는 문제가 있다.In the plasma etching process or the like, in order to increase the accuracy of the etching process, measures can be taken to suppress the temperature rise of the substrate by introducing a gas for cooling to the back surface side of the substrate. In this case, another problem with the method of using the tray is that the substrate cannot be directly cooled by using the tray, and there is a problem that the cooling efficiency is lowered.

트레이를 사용하는 방법의 또 다른 문제점으로서, 트레이에 피처리체를 탑재한 상태로 반송할 필요가 있기 때문에, 트레이의 중량분 만큼 피처리체를 반송하는 반송 기구에 가해지는 부하가 증가한다는 문제가 있다. 반송 기구로의 부담을 피하기 위해서, 트레이의 중량분 만큼 피처리체의 처리 매수를 줄이면, 1회의 처리에 있어서의 처리 효율이 저하해 버린다.As another problem of the method of using the tray, since it is necessary to convey the object to be loaded in the tray, there is a problem that the load applied to the conveying mechanism for conveying the object by the weight of the tray increases. In order to avoid the burden on a conveyance mechanism, when the number of sheets of a to-be-processed object is reduced by the weight of a tray, the processing efficiency in one process will fall.

트레이를 사용하지 않고 복수매의 기판을 일괄해서 탑재대에 반송하는 기판 반송 시스템으로서, 복수매의 기판을 동시에 지지 가능한 빗형 형상의 핸드를 갖춘 반송 암을 이용하는 기술이 제안되어 있다(예컨대, 특허 문헌 1). 이 특허 문헌 1의 기판 반송 시스템에서는, 빗살 사이에 진입 가능하게 배치되고, 또한 승강 변위 가능한 리프터 핀을 이용해서 상기 핸드와 탑재대의 사이에서 기판의 수수가 행하여진다.As a substrate conveying system which collectively conveys a plurality of substrates to a mounting table without using a tray, a technique using a conveying arm having a comb-shaped hand capable of simultaneously supporting a plurality of substrates has been proposed (for example, a patent document). One). In the board | substrate conveyance system of this patent document 1, the board | substrate is carried out between the said hand and a mounting table using the lifter pin arrange | positioned so that entry | entrance is possible between comb teeth, and a lifting-up displacement is possible.

특허 문헌 1 : 일본 특허 공개 제2006-294786호 공보 Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-294786

특허 문헌 1과 같이, 복수매의 소편 기판을 탑재대에 수수할 때에 리프터 핀을 이용하는 기술에서는, 한번에 수수하는 소편 기판의 수가 증가하면, 그에 따라 리프터 핀의 수도 증가시키지 않으면 안된다. 한 장의 소편 기판을 지지하기 위해서는, 3∼4개의 리프터 핀을 필요로 한다. 다수의 소편 기판을 승강 변위시키기 위해서는, 다수의 리프터 핀이 필요하게 되기 때문에 탑재대의 내부에 복잡한 기구를 마련할 필요가 있다. 또한, 리프터 핀을 이용하는 경우에는, 그들의 배치 간격이나 개수를 소편 기판의 매수나 크기에 따라 변경하는 것은 불가능하다. 따라서, 특허 문헌 1의 기술은, 예를 들면 몇십 매의 소편 기판을 일괄 처리하는 목적으로는 적합하지 않다.As in Patent Literature 1, in the technique of using a lifter pin when receiving a plurality of small piece substrates on a mounting table, if the number of small piece substrates to be received at once increases, the number of lifter pins must be increased accordingly. In order to support a single piece of substrate, three to four lifter pins are required. In order to raise and lower a large number of small piece substrates, a large number of lifter pins are required, and therefore, a complicated mechanism needs to be provided inside the mounting table. In addition, in the case of using the lifter pin, it is impossible to change the arrangement interval and the number thereof according to the number and size of the small piece substrates. Therefore, the technique of patent document 1 is not suitable for the purpose of carrying out batch processing of several small pieces of board | substrates, for example.

또한, 통상 플라즈마 처리를 실행하는 경우에는, 플라즈마의 포커스성을 높이는 동시에, 하부 전극을 겸하는 탑재대의 이상 방전을 방지하기 위해서, 탑재면의 주위에 절연성 부재로 이루어지는 포커스 링 혹은 실드 링이라고 지칭되는 절연성 부재를 배치하고 있다. 다수의 소편 기판을 일괄해서 플라즈마 처리하는 경우에도, 동일한 목적으로 소편 기판의 주위에 절연성 부재를 배치할 필요가 있다. 그러나, 소편 기판을 일괄 처리하는 경우에, 상기 기능을 실현하기 위한 절연성 부재에 관해서는, 검토가 이루어져 있지 않다.In addition, in the case of performing a plasma treatment in general, in order to increase the focusability of the plasma and to prevent abnormal discharge of the mounting table serving as the lower electrode, an insulation called a focus ring or a shield ring made of an insulating member around the mounting surface. The member is placed. Even when many small piece substrates are collectively plasma-processed, it is necessary to arrange | position an insulating member around the small piece substrate for the same purpose. However, in the case of batch processing of the small piece substrate, no examination has been made regarding the insulating member for realizing the above functions.

본 발명은, 상기 실정에 비추어 보아서 행해진 것으로서, 그 제 1 목적은, 다수의 피처리체를 일괄 수수하는 것이 가능한 탑재대를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 제 2 목적은, 다수의 피처리체를 일괄 처리하는 것이 가능한 탑재대를 제공하는 것이다.The present invention has been made in view of the above circumstances, and a first object thereof is to provide a mounting table capable of collectively receiving a large number of objects to be processed. Moreover, the 2nd objective of this invention is providing the mounting table which can process a large number of to-be-processed objects collectively.

본 발명의 제 1 관점에 따른 탑재대는, 처리 장치에 있어서 피처리체를 탑재하는 탑재대에 있어서, 복수매의 피처리체를 탑재하는 복수의 탑재면과, 상기 탑재면과 평행한 상태로 서로 간격을 두고 같은 방향으로 배열되고, 승강 가능하게 구성된 복수의 가동 부재를 가지며, 상기 가동 부재에 의해 피처리체를 지지하는 것에 의해 반송 장치와의 사이에서 복수매의 피처리체의 수수를 일괄해서 실행하는 수수 기구를 구비한다.The mounting table according to the first aspect of the present invention is a mounting table for mounting a target object in a processing apparatus, wherein the mounting table includes a plurality of mounting surfaces on which a plurality of target objects are mounted and a plurality of mounting surfaces in parallel with the mounting surface. A delivery mechanism having a plurality of movable members arranged in the same direction and configured to be able to move up and down, and collectively executing the transfer of a plurality of workpieces between the conveying apparatus by supporting the workpieces by the movable members. It is provided.

본 발명의 제 1 관점에 따른 탑재대에 있어서, 상기 가동 부재는, 복수매의 피처리체를 지지하면서 하강한 위치에서 상기 탑재면에 피처리체를 탑재하고, 복수매의 피처리체를 지지하면서 상승한 위치에서 상기 반송 장치와의 사이에서 피처리체의 수수를 실행하는 것이어도 좋다.In the mounting table according to the first aspect of the present invention, the movable member is mounted on the mounting surface at a position which is lowered while supporting a plurality of workpieces, and is raised while supporting a plurality of workpieces. The transfer of the object to be processed may be performed between the transport apparatus and the apparatus.

또한, 본 발명의 제 1 관점에 따른 탑재대에 있어서, 상기 가동 부재는, 절연성 재료로 구성되어 있으며, 상기 탑재면의 주위를 둘러싸고, 상기 탑재면을 구획하는 절연부의 일부분을 이루는 제 1 절연성 부재이어도 좋다.Moreover, in the mounting table which concerns on the 1st viewpoint of this invention, the said movable member is comprised from the insulating material, and surrounds the circumference | surroundings of the said mounting surface, and forms the part of the insulating part which partitions the said mounting surface, The 1st insulating member It may be.

또한, 본 발명의 제 1 관점에 따른 탑재대에 있어서, 상기 절연부는, 상기 제 1 절연성 부재와 조합되어 상기 탑재면의 주위를 둘러싸는 제 2 절연성 부재를 갖고 있어도 좋다.Moreover, in the mounting table which concerns on the 1st viewpoint of this invention, the said insulating part may have the 2nd insulating member which surrounds the periphery of the said mounting surface in combination with the said 1st insulating member.

또한, 본 발명의 제 1 관점에 따른 탑재대에 있어서, 상기 제 1 절연성 부재 와 상기 제 2 절연성 부재가 직교해서 배치되는 것에 의해 상기 절연 부재가 격자 형상으로 형성되어 있어도 좋다.Further, in the mounting table according to the first aspect of the present invention, the insulating member may be formed in a lattice shape by arranging the first insulating member and the second insulating member at right angles.

또한, 본 발명의 제 1 관점에 따른 탑재대에 있어서, 상기 제 1 절연성 부재에, 피처리체를 위치 결정하는 단차부를 마련해도 좋다.Moreover, in the mounting table which concerns on the 1st viewpoint of this invention, you may provide the step part which positions a to-be-processed object in the said 1st insulating member.

또한, 본 발명의 제 1 관점에 따른 탑재대에 있어서, 상기 복수의 탑재면의 각각에 대응하여, 피처리체를 흡착 보지하는 정전 흡착 기구가 마련되어 있어도 좋다.Moreover, in the mounting table which concerns on the 1st viewpoint of this invention, the electrostatic adsorption mechanism which adsorption-holds a to-be-processed object may be provided corresponding to each of the said several mounting surfaces.

또한, 본 발명의 제 1 관점에 따른 탑재대에 있어서, 상기 탑재면에는, 피처리체의 이면을 냉각하는 냉각용 기체의 토출구가 마련되어 있어도 좋다.Moreover, in the mounting table which concerns on the 1st viewpoint of this invention, the discharge surface of the cooling gas which cools the back surface of a to-be-processed object may be provided in the said mounting surface.

본 발명의 제 2 관점에 따른 처리 장치는, 복수매의 피처리체를 일괄 처리하는 처리 장치에 있어서, 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에 배치된 상기 제 1 관점의 탑재대를 구비하고 있다.The processing apparatus which concerns on the 2nd viewpoint of this invention is equipped with the processing container and the mounting table of the said 1st viewpoint arrange | positioned in the said processing container in the processing apparatus which processes a plurality of to-be-processed object collectively.

본 발명의 제 2 관점에 따른 처리 장치는, 플라즈마에 의해 피처리체를 처리하는 플라즈마 처리 장치이어도 좋다.The processing apparatus according to the second aspect of the present invention may be a plasma processing apparatus for processing a target object by plasma.

본 발명의 제 3 관점에 따른 처리 시스템은, 복수매의 피처리체를 일괄 처리하는 처리 장치와, 복수매의 피처리체를 동시에 지지하는 빗살 형상의 지지 부재를 갖는 반송 장치를 구비한 처리 시스템에 있어서, 상기 처리 장치는, 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에서 복수매의 피처리체를 탑재하는 탑재대를 갖고 있고, 상기 탑재대는, 피처리체를 탑재하는 복수의 탑재면과, 상기 탑재면과 평행한 상태로 서로 간격을 두고 같은 방향으로 배열되어, 승강 가능하게 구성된 복수의 가동 부재 에 의해 피처리체를 지지하는 것에 의해 상기 빗살 형상의 지지 부재와의 사이에서 복수매의 피처리체의 수수를 일괄해서 실행하는 수수 기구를 구비하고 있다.The processing system which concerns on the 3rd viewpoint of this invention is a processing system provided with the processing apparatus which collectively processes a several sheets of to-be-processed object, and the conveying apparatus which has the comb-tooth shaped support member which supports a plurality of to-be-processed object simultaneously. The processing apparatus includes a processing container and a mounting table for mounting a plurality of objects to be processed in the processing container, and the mounting table includes a plurality of mounting surfaces on which the object to be processed is mounted and parallel to the mounting surface. The plurality of workpieces are collectively executed between the comb-shaped support members by supporting the workpieces by a plurality of movable members arranged in the same direction at intervals from each other in a state. It is provided with a feeding mechanism.

본 발명의 탑재대는, 탑재면과 평행한 상태로 승강 가능하게 구성된 복수의 가동 부재에 의해 소편 기판 등의 피처리체를 지지하고, 반송 장치와의 사이에서 복수매의 피처리체의 수수를 일괄해서 실행하는 수수 기구를 구비한 것에 의해, 트레이가 불필요해져서, 트레이를 이용하여 피처리체의 일괄 수수를 실행하는 종래 기술에 있어서의 상기의 여러 문제를 해결할 수 있다. 특히, 트레이를 사용하지 않는 것에 의해, 정전 흡착 기구나 피처리체의 이면으로의 백 쿨링 기구를 채용할 수 있다고 하는 효과가 있다. 또한, 리프터 핀을 이용하여 피처리체의 일괄 수수를 실행하는 종래 기술에 비하면, 가동 부재는 외부 부착의 간단한 승강 기구에 의해 상하로 변위시키는 것이 가능하기 때문에, 수수 기구의 구성을 각별히 간소화할 수 있어, 보다 많은 피처리체를 확실하게 일괄 수수하는 것이 가능하게 된다고 하는 효과가 있다.The mounting table of the present invention supports a to-be-processed object such as a small piece of substrate by a plurality of movable members configured to be movable up and down in a state parallel to the mounting surface, and collectively executes the reception of a plurality of to-be-processed objects between the conveying device. By providing a handing mechanism, a tray is unnecessary, and the above-mentioned various problems in the prior art which performs a collective handover of a to-be-processed object using a tray can be solved. In particular, by not using a tray, there is an effect that an electrostatic adsorption mechanism or a back cooling mechanism on the back surface of a workpiece can be employed. In addition, compared with the prior art of carrying out the collective transfer of the object to be processed by using the lifter pin, the movable member can be displaced up and down by a simple lifting mechanism with an external attachment, so that the structure of the receiving mechanism can be simplified significantly. In addition, there is an effect that it is possible to reliably carry out a larger number of objects to be processed.

또한, 본 발명의 탑재대에 있어서, 상기 가동 부재를 절연성 재료로 형성해서 제 1 절연성 부재로 하고, 제 2 절연성 부재와 함께 격자 형상의 절연부를 형성했을 경우에는, 피처리체를 일괄해서 플라즈마 처리할 시에, 탑재대의 상면에 있어서의 이상 방전을 확실하게 방지할 수 있다고 하는 효과가 있다. 더욱이, 격자 형상의 절연부는, 그 내측에 탑재된 피처리체를 향해서 플라즈마를 포커스시키는 역할을 가지므로, 장치 구성의 복잡화를 적극적으로 회피하여, 간이한 구성에 의해 처리 장치에 있어서의 피처리체의 일괄 대량 처리가 가능하게 된다고 하는 효과가 있다.In the mounting table of the present invention, when the movable member is formed of an insulating material to form a first insulating member, and a lattice-shaped insulating portion is formed together with the second insulating member, the object to be processed is collectively subjected to plasma treatment. At the time, there is an effect that the abnormal discharge on the upper surface of the mounting table can be reliably prevented. Furthermore, since the lattice-shaped insulator has a role of focusing the plasma toward the object to be mounted therein, the complexity of the device configuration is actively avoided, and the batch of the object to be processed in the processing device is simplified by a simple configuration. There is an effect that mass processing becomes possible.

[제 1 실시형태][First embodiment]

이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 여기에서는, 본 발명의 탑재대를 구비한 제 1 실시형태의 플라즈마 에칭 장치 및 해당 플라즈마 에칭 장치를 구비한 진공 처리 시스템을 예로 들어서 설명한다. 도 1은 진공 처리 시스템(100)을 개략적으로 도시하는 사시도이며, 도 2는 각 챔버의 내부를 개략적으로 도시하는 평면도이다. 이 진공 처리 시스템(100)은 복수의 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c)를 갖는 멀티 챔버 구조를 하고 있다. 진공 처리 시스템(100)은, 예를 들면 FPD용의 소편 유리 기판(이하, 간단히 「소편 기판」이라고 적는다)(S)에 대하여 플라즈마 처리를 실행하기 위한 처리 시스템으로서 구성되어 있다. 또한, FPD로서는, 액정 디스플레이(LCD), 전기 발광(Electro Luminescence ; EL) 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등이 예시된다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail with reference to drawings. Here, the plasma etching apparatus of the first embodiment including the mounting table of the present invention and the vacuum processing system including the plasma etching apparatus will be described as an example. 1 is a perspective view schematically showing the vacuum processing system 100, and FIG. 2 is a plan view schematically showing the interior of each chamber. This vacuum processing system 100 has a multi-chamber structure having a plurality of process chambers 1a, 1b, 1c. The vacuum processing system 100 is comprised as a processing system for performing a plasma process with respect to the small piece glass substrate (it abbreviates as "a small piece substrate" hereafter) S for FPD, for example. Moreover, as FPD, a liquid crystal display (LCD), an electroluminescence (EL) display, a plasma display panel (PDP), etc. are illustrated.

진공 처리 시스템(100)에서는, 복수의 대형 챔버가 평면에서 보았을때 십자형으로 연결되어 있다. 중앙부에는 반송실(3)이 배치되고, 그 3 방향의 측면에 인접해서 소편 기판(S)에 대하여 플라즈마 처리를 실행하는 3개의 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c)가 배치되어 있다. 또한, 반송실(3)의 나머지의 한쪽의 측면에 인접해서 로드록실(5)이 배치되어 있다. 이들 3개의 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c), 반송실(3) 및 로드록실(5)은, 어느 것이나 진공 챔버로서 구성되어 있다. 반송실(3)과 각 프 로세스 챔버(1a, 1b, 1c) 사이에는 도시하지 않은 개구부가 마련되어 있고, 해당 개구부에는, 개폐 기능을 갖는 게이트 밸브(7a)가 각각 배치되어 있다. 또한, 반송실(3)과 로드록실(5) 사이에는, 게이트 밸브(7b)가 배치되어 있다. 게이트 밸브(7a, 7b)는, 폐쇄된 상태에서 각 챔버 사이를 기밀하게 밀봉하는 동시에, 개방 상태에서 챔버 사이를 연통시켜서 소편 기판(S)의 이송을 가능하게 하고 있다. 또한, 로드록실(5)과 외부의 대기 분위기 사이에도 게이트 밸브(7c)가 배치되어 있어, 폐쇄된 상태에서 로드록실(5)의 기밀성을 유지하는 동시에 개방 상태에서 로드록실(5) 내부와 외부 사이에서 소편 기판(S)의 이송을 가능하게 하고 있다.In the vacuum processing system 100, a plurality of large chambers are crosswise connected in plan view. The conveyance chamber 3 is arrange | positioned at the center part, and the three process chambers 1a, 1b, 1c which perform a plasma process with respect to the small piece board | substrate S adjacent to the side surface of the three directions are arrange | positioned. Moreover, the load lock chamber 5 is arrange | positioned adjacent to one side surface of the remainder of the conveyance chamber 3. All of these three process chambers 1a, 1b, 1c, the conveyance chamber 3, and the load lock chamber 5 are comprised as a vacuum chamber. An opening not shown is provided between the transfer chamber 3 and each of the process chambers 1a, 1b, and 1c, and a gate valve 7a having an opening / closing function is disposed in the opening. In addition, a gate valve 7b is disposed between the transfer chamber 3 and the load lock chamber 5. The gate valves 7a and 7b hermetically seal between the chambers in the closed state, and communicate with the chambers in the open state to enable the transfer of the small piece substrate S. In addition, the gate valve 7c is disposed between the load lock chamber 5 and the external atmospheric atmosphere, thereby maintaining the airtightness of the load lock chamber 5 in the closed state, and inside and outside the load lock chamber 5 in the open state. It is possible to transfer the small piece substrate S in between.

로드록실(5)의 외측에는, 2개의 카세트 인덱서(9a, 9b)가 마련되어 있다. 각 카세트 인덱서(9a, 9b) 위에는, 각각 소편 기판(S)을 수용하는 카세트(11a, 11b)가 탑재되어 있다. 각 카세트(11a, 11b) 내에는, 복수매의 소편 기판(S)을 지지하는 기판 지지체(도시하지 않음)가, 상하에 간격을 두고 다단으로 배치되어 있다. 또한, 각 카세트(11a, 11b)는, 승강 기구부(13a, 13b)에 의해 각각 승강 가능하게 구성되어 있다. 본 실시형태에서는, 예를 들면 카세트(11a)에는 미처리 기판을 수용하고, 다른쪽의 카세트(11b)에는 처리 완료 기판을 수용할 수 있도록 구성되어 있다.Outside the load lock chamber 5, two cassette indexers 9a and 9b are provided. On each cassette indexer 9a, 9b, cassettes 11a, 11b, which accommodate small piece substrates S, are mounted, respectively. In each cassette 11a, 11b, the board | substrate support body (not shown) which supports the several sheet | seat small piece board | substrate S is arrange | positioned in multiple steps at intervals up and down. Moreover, each cassette 11a, 11b is comprised so that lifting / lowering mechanism parts 13a, 13b can respectively lift. In this embodiment, for example, the cassette 11a is configured to accommodate an unprocessed substrate, and the other cassette 11b can accommodate a processed substrate.

이들 2개의 카세트(11a, 11b) 사이에는, 소편 기판(S)을 반송하기 위한 반송 장치(15)가 마련되어 있다. 이 반송 장치(15)는, 상하 2단에 마련된 포크(17a, 17b)와, 이들 포크(17a, 17b)를 진출, 퇴피 및 선회 가능하게 지지하는 구동부(19)와, 이 구동부(19)를 지지하는 지지대(21)를 구비하고 있다.The conveying apparatus 15 for conveying the small piece board | substrate S is provided between these two cassettes 11a and 11b. This conveying apparatus 15 supports the forks 17a and 17b provided in the upper and lower two stages, the drive part 19 which supports these forks 17a and 17b so that advancing, evacuation, and rotation are possible, and this drive part 19 is supported. The support stand 21 is supported.

프로세스 챔버(1a, 1b, 1c)는, 그 내부 공간을 소정의 감압 분위기(진공 상태)로 유지할 수 있도록 구성되어 있다. 각 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c) 내에는, 도 2에 도시한 것과 같이, 복수의 소편 기판(S)을 탑재하는 탑재대로서의 서셉터(105)가 배치되어 있다. 그리고, 각 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c)에서는, 소편 기판(S)을 서셉터(105)에 탑재한 상태로, 소편 기판(S)에 대하여, 예를 들면 진공 조건에서의 에칭 처리, 애싱 처리, 성막 처리 등의 플라즈마 처리가 실행된다. 서셉터(105)의 상세한 구성에 대해서는 후술한다.Process chamber 1a, 1b, 1c is comprised so that the internal space can be maintained in predetermined | prescribed pressure-reduced atmosphere (vacuum state). In each process chamber 1a, 1b, 1c, as shown in FIG. 2, the susceptor 105 as a mounting table which mounts several small piece board | substrate S is arrange | positioned. And in each process chamber 1a, 1b, 1c, the small piece board | substrate S is mounted in the susceptor 105, and the small piece board | substrate S is etched and ashed, for example in vacuum conditions. Plasma processing, such as a process and a film-forming process, is performed. The detailed structure of the susceptor 105 is mentioned later.

본 실시형태에서는, 3개의 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c)에서 동종의 처리를 실행해도 좋고, 프로세스 챔버 마다 다른 종류의 처리를 실행해도 좋다. 또한, 프로세스 챔버의 수는 3개에 한정되지 않고, 4개 이상이어도 좋다.In this embodiment, the same kind of processing may be performed in three process chambers 1a, 1b, and 1c, and different kinds of processing may be performed for each process chamber. The number of process chambers is not limited to three, but may be four or more.

반송실(3)은, 진공 처리실인 프로세스 챔버(1a∼1c)와 같이 소정의 감압 분위기로 보지할 수 있도록 구성되어 있다. 반송실(3) 내에는, 도 2에 도시한 것과 같이, 상하 2단으로 마련된 포크(23a, 23b)[상단의 포크(23a)만 도시했다. 이하, 「포크(23)」로 적는다]를 구비한 반송 장치(25)가 배치되어 있다. 반송 장치(25)의 포크(23)는, 1개의 기부(26a)와, 이 기부(26a)에 고정된 복수(본 실시형태에서는 4개)의 가는 판형상의 지지 부재(26b)를 갖고 있다. 포크(23)는, 진출, 퇴피 및 선회 가능하게 구성되어 있다. 포크(23)는 복수매의 소편 기판(S)을 일괄해서 지지할 수 있다. 그리고, 반송 장치(25)에 의해, 3개의 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c) 및 로드록실(5) 사이에서 소편 기판(S)의 일괄 반송이 실행된다.The conveyance chamber 3 is comprised so that it may hold | maintain in predetermined pressure reduction atmosphere like the process chambers 1a-1c which are vacuum processing chambers. In the conveyance chamber 3, as shown in FIG. 2, only the forks 23a and 23b (upper fork 23a of upper stage) provided in the upper and lower two stages were shown. Hereinafter, the conveying apparatus 25 equipped with "fork 23" is arrange | positioned. The fork 23 of the conveying apparatus 25 has one base 26a and the plurality of thin plate-shaped support members 26b fixed to this base 26a (four in this embodiment). The fork 23 is comprised so that advancing, evacuation, and turning are possible. The fork 23 can collectively support the plurality of small piece substrates S. As shown in FIG. And the conveyance apparatus 25 performs collective conveyance of the small piece board | substrate S between three process chambers 1a, 1b, 1c, and the load lock chamber 5.

로드록실(5)은, 각 프로세스 챔버(1a∼1c) 및 반송실(3)과 마찬가지로 소정 의 감압 분위기로 보지할 수 있도록 구성되어 있다. 로드록실(5)은, 대기 분위기 에 있는 카세트(11a, 11b)와 감압 분위기의 반송실(3) 사이에서 소편 기판(S)의 수수를 실행하기 위한 것이다. 로드록실(5)은, 대기 분위기와 감압 분위기를 반복하는 관계상, 극히 그 내용적이 작게 구성되어 있다. 로드록실(5)에는, 소편 기판(S)을 일시적으로 수용하는 기판 수용부(27)가 상하 2단에 마련되어 있다(도 2에서는 상단만을 도시). 각 기판 수용부(27)에는, 소편 기판(S)을 지지하는 복수의 가늘고 긴 탑재 부재(29)가 마련되어 있다. 인접하는 탑재 부재(29) 사이는, 소편 기판(S)의 폭보다 좁고, 또한 반송 장치(15)의 포크(17a, 17b)나 반송 장치(25)의 포크(23)의 기판 지지부[예컨대, 포크(23)의 지지 부재(26b)]의 폭보다도 넓게 되어 있다. 따라서, 인접하는 탑재 부재(29)에 걸치도록 탑재된 소편 기판(S)을 포크(17a,17b)나 포크(23)로 건져 올리듯이 수취하거나, 반대로 포크(17a,17b)나 포크(23)로부터 탑재 부재(29)에 소편 기판(S)을 수수할 수 있도록 되어 있다.The load lock chamber 5 is comprised so that it may hold | maintain in predetermined pressure reduction atmosphere similarly to each process chamber 1a-1c and the conveyance chamber 3, respectively. The load lock chamber 5 is for carrying out the transfer of the small piece substrate S between the cassettes 11a and 11b in the air atmosphere and the transfer chamber 3 in the reduced pressure atmosphere. The load lock chamber 5 is configured to have a very small content in view of repeating the atmospheric atmosphere and the reduced pressure atmosphere. In the load lock chamber 5, the board | substrate accommodating part 27 which temporarily accommodates the small piece board | substrate S is provided in two upper and lower stages (it shows only an upper end in FIG. 2). Each board | substrate accommodation part 27 is provided with the some elongate mounting member 29 which supports the small piece board | substrate S. As shown in FIG. Between adjacent mounting members 29 is narrower than the width | variety of the small piece board | substrate S, and also the board | substrate support part (for example, the forks 17a and 17b of the conveying apparatus 15 and the fork 23 of the conveying apparatus 25). Wider than the width of the support member 26b of the fork 23]. Accordingly, the small piece substrate S mounted so as to extend over the adjacent mounting member 29 is received as if it is lifted up by the forks 17a, 17b or the fork 23, or conversely, the forks 17a, 17b or the fork 23 From this, the small piece substrate S can be delivered to the mounting member 29.

도 2에 도시한 것과 같이, 진공 처리 시스템(100)의 각 구성부는, 제어부(30)에 접속되어 제어되는 구성으로 되어 있다(도 1에서는 도시를 생략). 제어부(30)는, CPU를 구비한 컨트롤러(31)와, 유저 인터페이스(32)와 기억부(33)를 구비하고 있다. 컨트롤러(31)는, 진공 처리 시스템(100)에 있어서, 예를 들면 프로세스 챔버(1a∼1c), 반송 장치(15), 반송 장치(25) 등의 각 구성부를 통괄해서 제어한다. 유저 인터페이스(32)는, 공정 관리자가 진공 처리 시스템(100)을 관리하기 위해서 명령의 입력 조작 등을 실행하는 키보드나, 진공 처리 시스템(100)의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등으로 구성된다. 기억부(33)는, 진공 처리 시스템(100)에서 실행되는 각종 처리를 컨트롤러(31)의 제어로 실현하기 위한 제어 프로그램(소프트 웨어)이나 처리 조건 데이터 등이 기록된 레시피가 보존되어 있다. 유저 인터페이스(32) 및 기억부(33)는 컨트롤러(31)에 접속되어 있다.As shown in FIG. 2, each component of the vacuum processing system 100 is configured to be connected to and controlled by the control unit 30 (not shown in FIG. 1). The control unit 30 includes a controller 31 having a CPU, a user interface 32, and a storage unit 33. In the vacuum processing system 100, the controller 31 controls each component part, such as the process chamber 1a-1c, the conveying apparatus 15, the conveying apparatus 25, etc. collectively. The user interface 32 is composed of a keyboard on which the process manager executes a command input operation or the like for managing the vacuum processing system 100, a display for visualizing and displaying the operation status of the vacuum processing system 100, and the like. . The storage unit 33 stores recipes in which control programs (software), processing condition data, and the like are recorded for realizing various processes executed in the vacuum processing system 100 under the control of the controller 31. The user interface 32 and the storage unit 33 are connected to the controller 31.

그리고, 필요에 따라, 유저 인터페이스(32)로부터의 지시 등으로 임의의 레시피를 기억부(33)로부터 호출해서 컨트롤러(31)에 실행시키는 것으로, 컨트롤러(31)의 제어하에서, 진공 처리 시스템(100)에서의 원하는 처리가 실행된다.Then, if necessary, an arbitrary recipe is called from the storage unit 33 by the instruction from the user interface 32 and executed by the controller 31, and under the control of the controller 31, the vacuum processing system 100 is performed. ), The desired process is executed.

상기 제어 프로그램이나 처리 조건 데이터 등의 레시피는, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체, 예를 들면 CD-ROM, 하드 디스크, 플렉시블 디스크, 플래시 메모리 등에 저장된 상태의 것을 이용할 수 있다. 혹은, 다른 장치로부터, 예를 들면 전용 회선을 거쳐서 수시로 전송시켜서 온라인에서 이용하는 것도 가능하다.Recipes such as the control program and the processing condition data can be used in a computer-readable storage medium, for example, a CD-ROM, a hard disk, a flexible disk, a flash memory, or the like. Alternatively, it is also possible to frequently transmit from another device via, for example, a dedicated line and use it online.

다음에, 이상과 같이 구성된 진공 처리 시스템(100)의 동작에 대해서 설명한다. 우선, 반송 장치(15)의 2장의 포크(17a, 17b)를 진퇴 구동시켜서, 미처리 기판을 수용한 카세트(11a)로부터 복수매의 소편 기판(S)을 수취해서, 로드록실(5)의 상하 2단의 기판 수용부(27)에 각각 탑재한다.Next, operation | movement of the vacuum processing system 100 comprised as mentioned above is demonstrated. First, the two forks 17a and 17b of the conveying apparatus 15 are driven forward and backward to receive a plurality of small piece substrates S from the cassette 11a containing the unprocessed substrate, so that the top and bottom of the load lock chamber 5 are up and down. It is mounted in the two board | substrate accommodation part 27, respectively.

포크(17a,17b)를 퇴피시킨 후, 로드록실(5)의 대기측의 게이트 밸브(7c)를 폐쇄한다. 그 후, 로드록실(5) 내를 배기하고, 내부를 소정의 진공도까지 감압한다. 다음에, 반송실(3)과 로드록실(5) 사이의 게이트 밸브(7b)를 개방하고, 반송 장치(25)의 포크(23)에 의해, 로드록실(5)의 기판 수용부(27)에 수용된 복수매의 소편 기판(S)을 일괄해서 수취한다.After the forks 17a and 17b are retracted, the gate valve 7c on the atmospheric side of the load lock chamber 5 is closed. Thereafter, the inside of the load lock chamber 5 is exhausted, and the inside is reduced to a predetermined degree of vacuum. Next, the gate valve 7b between the conveyance chamber 3 and the load lock chamber 5 is opened, and the board | substrate accommodating part 27 of the load lock chamber 5 is opened by the fork 23 of the conveying apparatus 25. FIG. The small piece of board | substrate S accommodated in the package is collectively received.

다음에, 반송 장치(25)의 포크(23)에 의해, 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c) 중 어느한 곳에 복수매의 소편 기판(S)을 반입하고, 일괄해서 서셉터(105)에 수수한다. 그리고, 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c) 내에서 복수매의 소편 기판(S)에 대하여 에칭 등의 소정의 처리가 실시된다. 다음에, 처리 완료의 복수매의 소편 기판(S)은, 서셉터(105)로부터 반송 장치(25)의 포크(23)에 일괄해서 수수되어, 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c)로부터 반출된다. 이상의 과정에서 실행되는 포크(23)와 서셉터(105) 사이의 소편 기판(S)의 일괄 수수 기구에 대해서는 나중에 상세하게 설명한다. Next, the plurality of small piece substrates S are loaded into any one of the process chambers 1a, 1b, and 1c by the fork 23 of the conveying apparatus 25, and are collectively transferred to the susceptor 105. do. Then, predetermined processing such as etching is performed on the plurality of small piece substrates S in the process chambers 1a, 1b, and 1c. Next, the plurality of processed small piece substrates S are collectively received from the susceptor 105 to the forks 23 of the transfer device 25 and carried out from the process chambers 1a, 1b, and 1c. . The collective delivery mechanism of the small piece board | substrate S between the fork 23 and the susceptor 105 performed by the above process is demonstrated in detail later.

그리고, 복수의 소편 기판(S)은, 상기와는 반대의 경로로 로드록실(5)을 거쳐, 반송 장치(15)에 의해 카세트(11b)에 수용된다. 또한, 처리 완료의 소편 기판(S)을 원래의 카세트(11a)로 복귀시켜도 좋다.The plurality of small piece substrates S are accommodated in the cassette 11b by the transfer device 15 via the load lock chamber 5 in a path opposite to the above. In addition, you may return the processed small piece board | substrate S to the original cassette 11a.

다음에, 도 3 내지 도 8을 참조하면서, 본 실시형태에 따른 탑재대, 및 이 탑재대를 구비한 처리 장치의 일례인 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 플라즈마 에칭 장치에 대해서 설명한다. 도 3은, 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c)로서 적용 가능한 플라즈마 에칭 장치(200)의 개략 구성을 도시하는 단면도이다.Next, with reference to FIGS. 3-8, the plasma etching apparatus which concerns on the mounting table which concerns on this embodiment, and an example of the processing apparatus provided with this mounting board is demonstrated. 3 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a plasma etching apparatus 200 applicable as the process chambers 1a, 1b, 1c.

도 3에 도시한 것과 같이, 플라즈마 에칭 장치(200)는, 직사각형을 한 복수의 소편 기판(S)에 대하여 에칭을 실행하는 용량 결합형의 평행 평판 플라즈마 에칭 장치로서 구성되어 있다.As shown in FIG. 3, the plasma etching apparatus 200 is configured as a capacitively coupled parallel plate plasma etching apparatus that performs etching on a plurality of rectangular small piece substrates S. As shown in FIG.

이 플라즈마 에칭 장치(200)는, 예를 들면 표면이 알루마이트 처리(양극 산화 처리)된 알루미늄으로 이루어지는 각통 형상으로 성형된 처리 용기(101)를 갖고 있다. 이 처리 용기(101) 내의 바닥부에는, 프레임 형상의 절연성 부재(103)가 배 치되어 있다. 절연성 부재(103) 위에는, 복수매의 소편 기판(S)을 동시에 탑재 가능한 탑재대인 서셉터(105)가 마련되어 있다. 도 4에, 서셉터(105)의 외관 사시도를, 도 5에 서셉터(105)의 평면도를 각각 도시했다. 또한, 도 6에 도 5의 Ⅵ-Ⅵ선화살표의 단면을, 도 7에 동 Ⅶ-Ⅶ선 화살표의 단면을, 도 8에 동 Ⅷ-Ⅷ선 화살표의 단면을 각각 도시했다. 또한, 도 3에 있어서의 서셉터(105)의 단면 구조는 도 5내의 Ⅲ-Ⅲ선 화살표의 단면이다.This plasma etching apparatus 200 has the processing container 101 shape | molded in the shape of the square cylinder which consists of aluminum whose surface was anodized (anodic oxidation treatment), for example. The frame-shaped insulating member 103 is arrange | positioned at the bottom part in this processing container 101. As shown in FIG. On the insulating member 103, a susceptor 105 which is a mounting table on which a plurality of small piece substrates S can be mounted at the same time is provided. In FIG. 4, the external perspective view of the susceptor 105 was shown, and the top view of the susceptor 105 was shown in FIG. 6, the cross section of the VI-VI line arrow of FIG. 5 is shown, the cross section of the X-ray line arrow is shown in FIG. 7, and the cross section of the X-ray line arrow is shown in FIG. In addition, the cross-sectional structure of the susceptor 105 in FIG. 3 is a cross section of the III-III line arrow in FIG.

하부 전극이기도 한 서셉터(105)는, 주요한 구성으로서, 기재(107)와, 기재(107)를 둘러싸는 절연성 부재(117a, 117b)와, 가동 부재로서의 가동 실드 부재(123)를 갖는 수수 기구부(111)를 구비하고 있다. 수수 기구부(111)는, 반송 장치(25)의 포크(23) 사이에서 소편 기판(S)을 일괄해서 수수할 수 있도록 되어 있다.The susceptor 105, which is also a lower electrode, has a main structure, which has a base material 107, an insulating member 117a and 117b surrounding the base material 107, and a movable shield member 123 as a movable member. 111 is provided. The delivery mechanism unit 111 can collectively receive the small piece substrate S between the forks 23 of the transfer device 25.

기재(107)는, 예를 들면 알루미늄이나 스테인리스강(SUS) 등의 도전성 재료로 형성되어 있다. 기재(107)는, 절연성 부재(103) 위에 배치되고, 양쪽 부재의 접합 부분에는 O링 등의 시일 부재(113)가 배치되어서 기밀성이 유지되어 있다. 절연성 부재(103)와 처리 용기(101)의 바닥벽(101a) 사이도, 시일 부재(114)에 의해 기밀성이 유지되어 있다. 기재(107)의 측부 외주는 절연성 부재(117a, 117b)에 의해 둘러싸여져 있다. 이에 의해, 서셉터(105)의 측면의 절연성이 확보되어, 플라즈마 처리 시의 이상 방전이 방지되어 있다.The base material 107 is formed of electroconductive material, such as aluminum and stainless steel (SUS), for example. The base material 107 is arrange | positioned on the insulating member 103, and sealing member 113, such as an O-ring, is arrange | positioned at the joint part of both members, and airtightness is maintained. The airtightness is also maintained by the sealing member 114 between the insulating member 103 and the bottom wall 101a of the processing container 101. The side outer periphery of the base material 107 is surrounded by insulating members 117a and 117b. As a result, insulation on the side surface of the susceptor 105 is secured, and abnormal discharge during plasma processing is prevented.

또한, 기재(107)의 상면에는, 격자 형상으로 요철이 형성되고, 그 볼록부에는, 복수의 소편 기판(S)을 보지하기 위한 복수의 탑재면(107a)이 형성되어 있다. 또한, 격자 형상의 요철의 오목부에는 고정 실드 부재(121) 및 가동 실드 부재(123)가 끼워넣어져 있다. 또한, 기재(107)의 표면은 알루마이트 처리되어 있다.Further, irregularities are formed in a lattice shape on the upper surface of the base material 107, and a plurality of mounting surfaces 107a for holding the plurality of small piece substrates S are formed in the convex portion. In addition, the fixed shield member 121 and the movable shield member 123 are fitted into the concave portions of the lattice irregularities. In addition, the surface of the base material 107 is anodized.

서셉터(105)의 상면에는, 도 4 및 도 5에도 도시한 것과 같이, 도면 중 X방향으로 배치된 복수의 고정 실드 부재(121)(제 2 절연성 부재)와, X방향과 직교하는 Y방향으로 배치된 복수의 가동 실드 부재(123)(제 1 절연성 부재)가 마련되어 있다. 고정 실드 부재(121)는 표면 부분만이 노출하도록 하여 서셉터(105)의 기재(107)내에 매설되어 있다. 장판 형상의 가동 실드 부재(123)는, 상기 탑재면(107a)에 대하여 평행한 상태를 유지한 채 승강 변위 가능하게 마련되어 있다. 가동 실드 부재(123)는, 하강시킨 위치에서는 기재(107)에 형성된 오목부(107b)에 끼워 넣어지고, 그 상면이 탑재면(107a)과 동일 평면 상에 있게 되어서 소편 기판(S)을 지지할 수 있도록 되어 있다. 또한, 가동 실드 부재(123)는, 그 상면에서 소편 기판(S)을 지지할 수 있는 것이면 그 형상은 상관없다.On the upper surface of the susceptor 105, as shown in FIGS. 4 and 5, a plurality of fixed shield members 121 (second insulating members) disposed in the X direction in the figure, and the Y direction perpendicular to the X direction A plurality of movable shield members 123 (first insulating members) are arranged. The fixed shield member 121 is embedded in the substrate 107 of the susceptor 105 so that only the surface portion thereof is exposed. The plate-shaped movable shield member 123 is provided to be capable of lifting and lowering while maintaining a state parallel to the mounting surface 107a. The movable shield member 123 is fitted into the recessed part 107b formed in the base material 107 at the lowered position, and its upper surface is on the same plane as the mounting surface 107a to support the small piece substrate S. I can do it. In addition, as long as the movable shield member 123 can support the small piece board | substrate S in the upper surface, the shape does not matter.

또한, 도 6 및 도 7에 도시한 것과 같이, 고정 실드 부재(121)의 상면에는, 단차부(121a)가 형성되어 있다. 또한, 가동 실드 부재(123)의 하면에는 단차부(123a)가 형성되어 있다. 그리고, 고정 실드 부재(121)의 상면의 단차부(121a)에 의한 요철과, 가동 실드 부재(123)의 하면의 단차부(123a)에 의한 요철이, 엇갈려서 맞물리도록 양쪽 부재가 교차해서 배치되어 있다. 이렇게, 고정 실드 부재(121)와 가동 실드 부재(123)는, 서로 교차해서 격자 형상 절연부(125)를 형성하고 있다. 이 격자 형상 절연부(125)에 의해 구획된 서셉터(105) 표면의 노출 부분 이, 상기 탑재면(107a)이 되어 있다. 즉, 서셉터(105)의 표면에 복수 형성된 각 탑재면(107a)의 주위는, 고정 실드 부재(121)와 가동 실드 부재(123)로 이루어지는 격자 형상 절연부(125)로 둘러싸여져 있다.6 and 7, the stepped portion 121a is formed on the upper surface of the fixed shield member 121. As shown in FIG. Moreover, the step part 123a is formed in the lower surface of the movable shield member 123. Then, both members are alternately arranged so that the unevenness caused by the stepped portion 121a of the upper surface of the fixed shield member 121 and the unevenness caused by the stepped portion 123a of the lower surface of the movable shield member 123 intersect with each other. have. Thus, the fixed shield member 121 and the movable shield member 123 cross each other to form a lattice insulating portion 125. An exposed portion of the surface of the susceptor 105 partitioned by the lattice-shaped insulating portion 125 serves as the mounting surface 107a. That is, the circumference | surroundings of each mounting surface 107a formed in multiple numbers on the surface of the susceptor 105 are surrounded by the grating-shaped insulation part 125 which consists of the fixed shield member 121 and the movable shield member 123. As shown in FIG.

고정 실드 부재(121)와 가동 실드 부재(123)로 이루어지는 격자 형상 절연부(125)는, 플라즈마의 포커스성을 높이고, 탑재면(107a)에 탑재된 소편 기판(S)에 플라즈마를 집중시키는 기능을 갖고 있다. 또한, 격자 형상 절연부(125)는, 플라즈마 처리 시에, 서셉터(105)를 구성하는 기재(107)에 있어서의 이상 방전을 방지하는 기능을 갖고 있다. 특히, 본 실시형태에서는, 고정 실드 부재(121)의 상면의 단차부(121a)에 의한 요철과, 가동 실드 부재(123)의 하면의 단차부(123a)에 의한 요철이, 엇갈려서 맞물리도록 배치한 구조에 의해 충분한 실드 기능이 확보되어 있다.The lattice-shaped insulating portion 125 composed of the fixed shield member 121 and the movable shield member 123 increases the focusability of the plasma and concentrates the plasma on the small piece substrate S mounted on the mounting surface 107a. Have In addition, the lattice-shaped insulator 125 has a function of preventing abnormal discharge in the base material 107 constituting the susceptor 105 at the time of plasma processing. In particular, in this embodiment, the unevenness | corrugation by the step part 121a of the upper surface of the fixed shield member 121, and the unevenness | corrugation by the step | step part 123a of the lower surface of the movable shield member 123 are arrange | positioned so that they may interlace | interlace. By the structure, sufficient shielding function is secured.

또한, 각 가동 실드 부재(123)는, 소편 기판(S)을 지지하면서 동기해서 승강 변위 가능하게 구성되어 있다. 그리고, 가동 실드 부재(123)는, 반송 장치(25)의 포크(23)와의 사이에서 복수의 소편 기판(S)의 일괄 수수를 실행하는 수수 기구부(111)의 구성 부재로서도 기능한다. 수수 기구부(111)의 상세한 내용에 대해서는 나중에 설명한다.Moreover, each movable shield member 123 is comprised so that a lifting-up displacement is possible synchronously, supporting the small piece board | substrate S. As shown in FIG. And the movable shield member 123 also functions as a structural member of the delivery mechanism part 111 which performs the collective delivery of the some small piece board | substrate S between the forks 23 of the conveying apparatus 25. As shown in FIG. The details of the delivery mechanism 111 will be described later.

도 3을 참조하면, 상기 서셉터(105)의 상방에는, 이 서셉터(105)와 평행하게, 또한 대향해서 상부 전극으로서 기능하는 샤워 헤드(131)가 마련되어 있다. 샤워 헤드(131)는 처리 용기(101)의 상부에 지지되어 있다. 샤워 헤드(131)는 중공 형상을 하고, 그 내부에는, 가스 확산 공간(133)이 마련되어 있다. 또한, 샤워 헤드(131)의 하면[서셉터(105)와의 대향면]에는, 처리 가스를 토출하는 복수의 가스 토출 구멍(135)이 형성되어 있다. 이 샤워 헤드(131)는 접지되어 있고, 서셉터(105)와 함께 한 쌍의 평행 평판 전극을 구성하고 있다.Referring to FIG. 3, above the susceptor 105, a shower head 131 is provided that functions as an upper electrode in parallel with and facing the susceptor 105. The shower head 131 is supported on the upper portion of the processing container 101. The shower head 131 has a hollow shape, and a gas diffusion space 133 is provided therein. Further, a plurality of gas discharge holes 135 for discharging the processing gas are formed on the lower surface of the shower head 131 (the surface facing the susceptor 105). The shower head 131 is grounded, and together with the susceptor 105 constitutes a pair of parallel flat electrodes.

샤워 헤드(131)의 상부 중앙 부근에는, 가스 도입구(137)가 마련되어 있다.이 가스 도입구(137)에는, 처리 가스 공급관(139)이 접속되어 있다. 이 처리 가스 공급관(139)에는, 2개 밸브(141, 141) 및 질량 유량 컨트롤러(143)를 거쳐서, 에칭을 위한 처리 가스를 공급하는 가스 공급원(145)이 접속되어 있다. 처리 가스로서는, 예를 들면 할로겐계 가스나 O2 가스 외에, Ar 가스 등의 희가스 등을 이용할 수 있다.A gas inlet 137 is provided near the upper center of the shower head 131. A process gas supply pipe 139 is connected to the gas inlet 137. The process gas supply pipe 139 is connected to a gas supply source 145 for supplying a process gas for etching via two valves 141, 141 and a mass flow controller 143. As the processing gas, for example, a rare gas such as Ar gas can be used in addition to the halogen gas and the O 2 gas.

상기 처리 용기(101)의 바닥부에는, 배기구(151)가 복수 개소(도 3에서는 2개소를 도시함)에 형성되어 있다. 배기구(151)에는 배기관(153)이 접속되어 있고, 이 배기관(153)은 배기 장치(155)에 접속되어 있다. 배기 장치(155)는, 예를 들면 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 구비하고 있고, 이로써 처리 용기(101) 내를 소정의 감압 분위기까지 진공 흡인 가능하게 구성되어 있다.In the bottom part of the said processing container 101, the exhaust port 151 is formed in multiple places (two places are shown in FIG. 3). An exhaust pipe 153 is connected to the exhaust port 151, and the exhaust pipe 153 is connected to the exhaust device 155. The exhaust device 155 includes, for example, a vacuum pump such as a turbo molecular pump, and is thus configured to be capable of vacuum suction of the inside of the processing container 101 to a predetermined reduced pressure atmosphere.

또한, 처리 용기(101)의 측벽에는, 도시하지 않은 기판 반입출구가 마련되어 있다. 이 기판 반입출구는 게이트 밸브(7a)에 의해 개폐된다(도 1 및 도 2 참조). 그리고, 이 게이트 밸브(7a)를 개방한 상태에서 소편 기판(S)이 인접하는 반송실(3)과의 사이에서 반송되도록 되어 있다(도 1 및 도 2 참조).Moreover, the board | substrate carrying in / out port which is not shown in figure is provided in the side wall of the processing container 101. FIG. This substrate inlet / outlet is opened and closed by the gate valve 7a (see FIGS. 1 and 2). And the small piece board | substrate S is conveyed between the adjacent transfer chambers 3 in the state which opened this gate valve 7a (refer FIG. 1 and FIG. 2).

서셉터(105)의 기재(107)에는, 급전선(171)이 접속되어 있고, 이 급전 선(171)에는 매칭 박스(M.B.)(173)를 거쳐서 고주파 전원(175)이 접속되어 있다. 이로써, 고주파 전원(175)으로부터 예를 들면 13.56MHz의 고주파 전력이, 하부 전극으로서의 서셉터(105)에 공급된다.The feed line 171 is connected to the base material 107 of the susceptor 105, and the high frequency power supply 175 is connected to the feed line 171 via a matching box (M.B.) 173. As a result, high frequency power of 13.56 MHz, for example, is supplied from the high frequency power supply 175 to the susceptor 105 as the lower electrode.

다음에, 수수 기구부(111)에 대해서 상세하게 설명한다. 수수 기구부(111)는, 도 4에도 도시한 것과 같이, 복수의 가동 실드 부재(123)와, 각 가동 실드 부재(123)를 양단에서 지지하는 복수의 로드(187)와, 서셉터(105)의 양측부에 있어서 이들의 로드(187)를 연결하는 연결 부재(189)와, 연결 부재(189)를 지지하면서 상하로 변위시키는 구동축(191)과, 구동축(191)을 상하로 구동하는 구동부(193)를 갖고 있다.Next, the delivery mechanism unit 111 will be described in detail. As shown in FIG. 4, the hand-mechanical mechanism part 111 includes a plurality of movable shield members 123, a plurality of rods 187 for supporting each movable shield member 123 at both ends, and the susceptor 105. A connecting member 189 for connecting these rods 187 at both sides of the driving member, a driving shaft 191 for vertically displacing while supporting the connecting member 189, and a driving part for driving the driving shaft 191 up and down ( 193).

가동 부재로서의 가동 실드 부재(123)는, 복수(도 4에서는 5장)가 서로 간격을 두고 같은 방향으로 배열되어 있다. 인접하는 가동 실드 부재(123)끼리의 간격은, 소편 기판(S)의 폭보다도 좁게 형성되어 있어, 소편 기판(S)의 양단에 계합함으로써 인접하는 가동 실드 부재(123) 사이에 소편 기판(S)을 걸치도록 되어 있다. 또한, 가동 실드 부재(123)끼리의 간격은, 반송 장치(25)의 포크(23)의 지지 부재(26b)의 폭보다도 넓게 되어 있어, 가동 실드 부재(123)의 사이를 지지 부재(26b)가 간섭하지 않고 상하로 빠져나갈 수 있도록 되어 있다. 가동 실드 부재(123)는, 예컨대 세라믹스나 석영 등의 절연재료에 의해 구성되어 있다.In the movable shield member 123 as the movable member, a plurality (five in FIG. 4) are arranged in the same direction at intervals from each other. The space | interval of the adjacent movable shield members 123 is formed narrower than the width | variety of the small piece board | substrate S, and engages with both ends of the small piece board | substrate S, The small piece board | substrate S between adjacent movable shield members 123 is carried out. It is supposed to wear. Moreover, the space | interval of the movable shield members 123 comrades is wider than the width | variety of the support member 26b of the fork 23 of the conveying apparatus 25, and supports member 26b between the movable shield members 123. As shown in FIG. Can escape up and down without interference. The movable shield member 123 is made of an insulating material such as ceramics or quartz, for example.

로드(187)는, 서셉터(105)의 양측부에 있어서 각 가동 실드 부재(123)의 양단에 거의 직교해서 접합되어, 가동 실드 부재(123)를 수평으로 지지하고 있다. 각 로드(187)의 하단은, 서셉터(105)의 양측부에 있어서 각각 한개씩의 연결 부 재(189)에 의해 연결되어 있다. 각 로드(187)는, 가동 실드 부재(123)를 상승시킨 위치에서 연결 부재(189)가 반송 장치(25)의 포크(23)와 간섭하지 않도록 충분한 높이를 갖고 있다.The rod 187 is joined to both ends of each movable shield member 123 at right angles on both sides of the susceptor 105, and supports the movable shield member 123 horizontally. The lower end of each rod 187 is connected by one connecting member 189 in each of both side portions of the susceptor 105. Each rod 187 has a sufficient height so that the connecting member 189 does not interfere with the fork 23 of the conveying device 25 at the position where the movable shield member 123 is raised.

연결 부재(189)는, 2개의 구동축(191)에 의해 거의 수평으로 지지된 판형상부재이다. 연결 부재(189)와 로드(187)에 의해, 각 가동 실드 부재(123)의 상면의 높이는 같은 위치에서 수평으로 갖추어지고, 또한 동기해서 상하로 변위 가능하게 되어 있다.The connecting member 189 is a plate-like member supported substantially horizontally by the two drive shafts 191. By the connecting member 189 and the rod 187, the height of the upper surface of each movable shield member 123 is provided horizontally at the same position, and is synchronously displaceable up and down.

연결 부재(189)를 밑으로부터 지지하는 구동축(191)은, 처리 용기(101)의 바닥벽(101a)을 관통해서 마련되고, 처리 용기(101)의 바닥 외부에 배치된 구동부(193)에 접속되어 있다. 처리 용기(101)의 바닥벽(101a)을 관통하는 구동축(191)의 주위는, 도시하지 않는 벨로즈 등의 시일 기구에 의해 밀봉되어, 처리 용기(101) 내의 기밀성이 확보되어 있다.The drive shaft 191 which supports the connection member 189 from the bottom is provided through the bottom wall 101a of the processing container 101, and is connected to the drive part 193 arrange | positioned outside the bottom of the processing container 101. FIG. It is. The circumference | surroundings of the drive shaft 191 which penetrates the bottom wall 101a of the processing container 101 are sealed by sealing mechanisms, such as a bellows which are not shown in figure, and the airtightness in the processing container 101 is ensured.

구동부(193)는, 구동축(191)을 상하로 진퇴시켜서, 연결 부재(189), 로드(187) 및 가동 실드 부재(123)를 상하로 승강 변위시키는 동시에, 소정 높이에 정지·위치 결정할 수 있는 구동 장치를 갖고 있다. 이러한 구동 장치로서는, 예컨대, 모터에 의해 구동하는 볼 나사 기구, 에어 실린더 등을 이용할 수 있다.The drive unit 193 moves the drive shaft 191 up and down to move the connecting member 189, the rod 187, and the movable shield member 123 up and down, and at the same time, can stop and position a predetermined height. It has a driving device. As such a drive apparatus, the ball screw mechanism, an air cylinder, etc. which are driven by a motor can be used, for example.

로드(187), 연결 부재(189)의 재질은, 가동 실드 부재(123)와 마찬가지로 예컨대 세라믹스나 석영 등의 절연재료를 이용하는 것이 바람직하다.As for the material of the rod 187 and the connection member 189, it is preferable to use insulating materials, such as ceramics and quartz, like the movable shield member 123, for example.

본 실시형태에서는, 수수 기구부(111)를, 5장의 가동 실드 부재(123)를 좌우 5개씩의 로드(187)에 의해 연결 부재(189)에 연결하고, 좌우 2개씩의 구동축(191) 에 의해 연결 부재(189)를 승강 변위시키는 구성으로 했다. 그러나, 가동 실드 부재(123)나 로드(187), 구동축(191)의 개수는, 수수를 실행하는 소편 기판(S)의 매수 등에 따라 적절하게 변경 가능하다. 또한, 가동 실드 부재(123)를 서셉터(105)의 양측에서 지지하는 양쪽 지지 구조로 하지 않고, 한쪽만으로 지지하는 편 지지 구조로 해도 좋다. 더욱이, 수수 기구부(111)는, 복수의 소편 기판(S)을 지지하는 가동 실드 부재(123)의 수평 상태를 유지한, 또한 승강 변위시킬 수 있는 기구이면, 상기 구성에 제약되는 것은 아니다.In this embodiment, the transfer mechanism member 111 connects the five movable shield members 123 to the connecting members 189 by the five left and right rods 187, and the two driving shafts 191 by the two left and right drive shafts 191. It was set as the structure which raises and lowers the connection member 189. However, the number of the movable shield member 123, the rod 187, and the drive shaft 191 can be appropriately changed depending on the number of pieces of the small piece substrate S for carrying out the transfer. In addition, it is good also as a one support structure which supports only the movable shield member 123 by only one support rather than the both support structures which support by both sides of the susceptor 105. FIG. Furthermore, the delivery mechanism mechanism 111 is not limited to the above structure as long as it is a mechanism capable of raising and lowering the horizontal state of the movable shield member 123 supporting the plurality of small piece substrates S.

다음에, 이상과 같은 구성을 갖는 수수 기구부(111)에 의한 소편 기판(S)의 수수에 대해서 도 9 내지 도 12를 참조하면서 설명한다. 우선, 도 9에 도시한 것과 같이, 복수의 소편 기판(S)을 탑재한 반송 장치(25)의 포크(23)를, 프로세스 챔버(1a∼1c) 중 어느 한 곳에 삽입하고, 서셉터(105)의 상방 위치까지 진출시킨다.수수 기구부(111)의 가동 실드 부재(123)는, 복수매의 소편 기판(S)을 지지하면서 상승한 위치에서 반송 장치(25)의 포크(23)와의 사이에서 소편 기판(S)의 일괄 수수를 실행한다. 또한, 가동 실드 부재(123)는, 복수매의 소편 기판(S)을 지지하면서 하강한 위치에서 각 탑재면(107a)에 각 소편 기판(S)을 탑재한다. 다음에, 도 10에 도시한 것과 같이, 복수의 소편 기판(S)을 탑재한 포크(23)를, 서셉터(105) 상방의 소정의 높이 위치에서 정지시킨다. 이 정지 위치(A)는, 포크(23)의 각 지지 부재(26b)가 인접하는 가동 실드 부재(123)의 간극의 바로 위에 위치하도록 설정된다.Next, the delivery of the small piece substrate S by the delivery mechanism unit 111 having the above-described configuration will be described with reference to FIGS. 9 to 12. First, as shown in FIG. 9, the fork 23 of the conveying apparatus 25 in which the some small piece board | substrates S was mounted is inserted in any one of the process chambers 1a-1c, and the susceptor 105 is carried out. The movable shield member 123 of the water-receiving mechanism part 111 is a small piece between the forks 23 of the conveying apparatus 25 in the position which raised while supporting the several piece small piece board | substrate S. As shown in FIG. The collective delivery of the board | substrate S is performed. Moreover, the movable shield member 123 mounts each small piece board | substrate S on each mounting surface 107a in the lowered position, supporting a plurality of small piece board | substrates S. As shown in FIG. Next, as shown in FIG. 10, the fork 23 on which the plurality of small piece substrates S is mounted is stopped at a predetermined height position above the susceptor 105. This stop position A is set so that each support member 26b of the fork 23 may be located directly above the gap between the adjacent movable shield members 123.

다음에, 수수 기구부(111)의 가동 실드 부재(123)를 소정의 높이[위치(B)]까 지 상승시킨다. 즉, 구동부(193)를 구동시킴으로써 구동축(191)을 거쳐서 연결 부재(189)를 상승시키고, 가동 실드 부재(123)의 수평 상태를 유지한 채 상승시킨다. 상승시킨 가동 실드 부재(123)의 위치(B)는, 포크(23)의 정지 위치(A)보다도 높게 설정되어 있다. 가동 실드 부재(123)는, 포크(23)와 간섭하는 일 없이, 포크(23)보다도 높은 위치(B)까지 상승한다. 그 상승 도중에서, 포크(23)에 탑재되어 있었던 소편 기판(S)은, 도 11에 도시한 것과 같이, 그 양단부에 있어서 인접하는 가동 실드 부재(123)에 지지된 상태에서 가동 실드 부재(123)에 일괄해서 수수된다. 소편 기판(S)을 수수한 후에는, 포크(23)를 퇴피시킨다.Next, the movable shield member 123 of the delivery mechanism part 111 is raised to a predetermined height (position B). That is, by driving the drive unit 193, the connecting member 189 is raised via the drive shaft 191, and is raised while maintaining the horizontal state of the movable shield member 123. The position B of the movable shield member 123 which was raised is set higher than the stop position A of the fork 23. The movable shield member 123 ascends to a position B higher than the fork 23 without interfering with the fork 23. In the middle of the ascending, the small piece substrate S mounted on the fork 23 is movable shield member 123 in the state supported by the movable shield member 123 adjacent at both ends thereof, as shown in FIG. It is received collectively). After receiving the small piece board | substrate S, the fork 23 is evacuated.

다음에, 수수 기구부(111)의 가동 실드 부재(123)를 하강시킨다. 즉, 구동부(193)를 구동시킴으로써 구동축(191)을 거쳐서 연결 부재(189)를 하강시켜, 수평 상태를 유지한 채 가동 실드 부재(123)를 하강시킨다. 본 실시형태에서는, 하강 위치에서의 가동 실드 부재(123)의 상면은, 서셉터(105)의 상면과 동일 평면 상에 있게 되어 있다. 이로써, 도 12에 도시한 것과 같이, 소편 기판(S)은, 일괄해서 서셉터(105)에 탑재된다.Next, the movable shield member 123 of the delivery mechanism part 111 is lowered. That is, by driving the drive unit 193, the connecting member 189 is lowered via the drive shaft 191, and the movable shield member 123 is lowered while maintaining the horizontal state. In this embodiment, the upper surface of the movable shield member 123 in the lowered position is on the same plane as the upper surface of the susceptor 105. As a result, as shown in FIG. 12, the small piece substrate S is collectively mounted on the susceptor 105.

서셉터(105)로부터 반송 장치(25)의 포크(23)로의 소편 기판(S)의 수수는 상기와 반대의 순서로 실시할 수 있다.Transfer of the small piece board | substrate S from the susceptor 105 to the fork 23 of the conveying apparatus 25 can be performed in a reverse order to the above.

이상의 수수 동작에서는, 포크(23) 상에서의 소편 기판(S)의 위치를 결정해 두는 것에 의해, 서셉터(105)로 수수된 후의 각 소편 기판(S)을 서셉터(105)의 탑재면(107a)에 정확하게 위치 맞춤해서 탑재할 수 있다. 이 위치 맞춤을 확실하게 실행하기 위해서, 본 실시형태에서는, 예를 들면 도 13에 도시한 것과 같이, 포 크(23)의 각 지지 부재(26b)의 상면에 단차를 마련하여, 소편 기판(S)을 위치 결정하는 위치 결정용의 탑재부(300)를 형성해도 좋다. 이러한 탑재부(300)를 갖는 포크(23)를 이용하는 것에 의해, 가동 실드 부재(123)로 소편 기판(S)을 수수할 때에 정확한 위치에서 수수를 실행할 수 있다. 또한, 탑재부(300)에 의해, 가감속에 따른 포크(23)의 반송 도중에서의 소편 기판(S)의 위치 어긋남에 대해서도 방지할 수 있다.In the above-mentioned delivery operation, by mounting the small piece substrate S on the fork 23, the small piece substrate S after being received by the susceptor 105 is mounted on the mounting surface of the susceptor 105 ( 107a) can be accurately aligned and mounted. In order to reliably perform this positioning, in this embodiment, as shown, for example in FIG. 13, the level | step difference is provided in the upper surface of each support member 26b of the fork 23, and the small piece board | substrate S ) May be provided with a mounting portion 300 for positioning. By using the fork 23 which has such a mounting part 300, when handing over the small piece board | substrate S with the movable shield member 123, it can carry out in an accurate position. Moreover, the mounting part 300 can also prevent the position shift of the small piece board | substrate S in the middle of conveyance of the fork 23 by acceleration / deceleration.

또한, 도 14 및 도 15에 도시한 것과 같이, 가동 실드 부재(123)의 가장자리부에, 소편 기판(S)을 위치 결정하는 단차부로서의 위치 결정용 절결부(301)를 형성해 두는 것도 바람직하다. 이렇게, 가동 실드 부재(123)에 위치 결정용 절결부(301)를 마련하는 것에 의해, 가동 실드 부재(123) 상에서의 각 소편 기판(S)의 위치 맞춤이 용이해진다. 따라서, 가동 실드 부재(123)를 하강시킬 때에, 각 소편 기판(S)을 서셉터(105)의 각 탑재면(107a)에 정확하게 위치 맞춤해서 탑재할 수 있다. 이로써, 예를 들면 에칭 등의 처리를 실행하는 경우의 가공 정밀도를 확보할 수 있다. 또한, 위치 결정용 절결부(301)를 마련하는 것에 의해, 서셉터에 소편 기판(S)을 탑재한 상태에서, 소편 기판(S)의 상면과, 가동 실드 부재(123)의 상면을 동일 평면 상에 있게 할 수 있기 때문에, 소편 기판(S)으로의 플라즈마의 포커스성을 향상시킬 수 있다.As shown in Figs. 14 and 15, it is also preferable to form the positioning cutouts 301 as the stepped portions for positioning the small piece substrate S at the edges of the movable shield member 123. . Thus, by providing the positioning cutout 301 in the movable shield member 123, alignment of each small piece board | substrate S on the movable shield member 123 becomes easy. Therefore, when lowering the movable shield member 123, each small piece board | substrate S can be correctly mounted and mounted to each mounting surface 107a of the susceptor 105. FIG. Thereby, the processing precision at the time of performing processes, such as an etching, can be ensured. In addition, by providing the positioning cutout 301, the upper surface of the small piece substrate S and the upper surface of the movable shield member 123 are flush with each other in a state where the small piece substrate S is mounted on the susceptor. Since it can be in a phase, the focusability of the plasma to the small piece board | substrate S can be improved.

본 실시형태에 있어서, 반송 장치(25)의 포크(23)로부터 서셉터(105)로의 소편 기판(S)의 일괄 수수 방법은 상기 순서에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 포크(23)가 승강 가능하게 구성되어 있을 경우에는, 가동 실드 부재(123)를 상승시 킨 상태에서 포크(23)를 하강시킴으로써, 포크(23)로부터 가동 실드 부재(123)로의 소편 기판(S)의 일괄 수수를 실행해도 좋다. 이 경우는, 가동 실드 부재(123)를 미리 상승 위치에 설정해 두고, 그 상태에서 소편 기판(S)을 탑재한 포크(23)를 서셉터(105) 위로 이동시켜도 좋다. In this embodiment, the collective delivery method of the small piece board | substrate S from the fork 23 of the conveying apparatus 25 to the susceptor 105 is not limited to the said procedure. For example, when the fork 23 is configured to be liftable, the fork 23 is lowered from the fork 23 to the movable shield member 123 by lowering the fork 23 while the movable shield member 123 is raised. You may carry out collective delivery of the small piece board | substrate S. FIG. In this case, the movable shield member 123 may be set in advance in the raised position, and in this state, the fork 23 on which the small piece substrate S is mounted may be moved above the susceptor 105.

다음에, 이상과 같이 구성되는 플라즈마 에칭 장치(200)에 있어서의 처리 동작에 대해서 설명한다. 우선, 게이트 밸브(7a)가 개방된 상태에서, 피처리체인 복수매의 소편 기판(S)이, 반송 장치(25)의 포크(23)에 의해 반송실(3)로부터 도시하지 않은 기판 반입출구를 거쳐서 처리 용기(101) 내로 반입된다. 소편 기판(S)은, 반송 장치(25)의 포크(23)에 복수매 예컨대 20장이 일괄해서 지지된 상태에서 이송된다. 그리고, 상기 순서를 따라, 수수 기구부(111)의 가동 실드 부재(123)를 거쳐서 포크(23)로부터 서셉터(105)로 소편 기판(S)의 일괄 수수가 실행된다. 복수매의 소편 기판(S)은, 서셉터(105)에 형성된 각 탑재면(107a) 위로 위치 맞춤되어서 탑재된다. 그 후, 게이트 밸브(7a)가 닫히고, 배기 장치(155)에 의해, 처리 용기(101) 내가 소정의 진공도까지 진공 흡인된다.Next, the process operation in the plasma etching apparatus 200 comprised as mentioned above is demonstrated. First, in the state in which the gate valve 7a is opened, the several board | substrate S which is a to-be-processed object is the board | substrate carrying in / out port which is not shown from the conveyance chamber 3 by the fork 23 of the conveying apparatus 25. It is carried in into the process container 101 via the process. The small piece board | substrate S is conveyed in the state in which several pieces, for example, 20 pieces were collectively supported by the fork 23 of the conveying apparatus 25. In this order, the batch transfer of the small piece substrate S is performed from the fork 23 to the susceptor 105 via the movable shield member 123 of the delivery mechanism unit 111. The plurality of small piece substrates S is positioned and mounted on each mounting surface 107a formed in the susceptor 105. Thereafter, the gate valve 7a is closed, and the inside of the processing container 101 is vacuum sucked up to a predetermined vacuum degree by the exhaust device 155.

다음에, 밸브(141)를 개방하고, 가스 공급원(145)으로부터 처리 가스를 처리 가스 공급관(139), 가스 도입구(137)를 거쳐서 샤워 헤드(131)의 가스 확산 공간(133)으로 도입한다. 이때, 질량 유량 컨트롤러(143)에 의해 처리 가스의 유량제어가 실행된다. 가스 확산 공간(133)에 도입된 처리 가스는, 복수의 토출 구멍(135)을 더 거쳐서 서셉터(105) 위로 탑재된 소편 기판(S)에 대하여 균일하게 토출되어, 처리 용기(101) 내의 압력이 소정의 수치로 유지된다.Next, the valve 141 is opened, and the processing gas is introduced from the gas supply source 145 into the gas diffusion space 133 of the shower head 131 via the processing gas supply pipe 139 and the gas inlet 137. . At this time, the flow rate control of the processing gas is executed by the mass flow rate controller 143. The processing gas introduced into the gas diffusion space 133 is uniformly discharged with respect to the small piece substrate S mounted on the susceptor 105 via the plurality of discharge holes 135, and thus the pressure in the processing container 101. This predetermined value is maintained.

이 상태에서 고주파 전원(175)으로부터 고주파 전력이 매칭 박스(173)를 거쳐서 서셉터(105)에 인가된다. 이로써, 하부 전극으로서의 서셉터(105)와 상부 전극으로서의 샤워 헤드(131) 사이에 고주파 전계가 발생하고, 처리 가스가 분해해서 플라즈마화한다. 이 플라즈마에 의해, 소편 기판(S)에 에칭 처리가 실시된다. 각 소편 기판(S)은, 고정 실드 부재(121)와 가동 실드 부재(123)로 이루어지는 격자 형상 절연부(125)에 둘러싸여진 상태에서 플라즈마 처리되기 때문에, 격자 형상 절연부(125)가 플라즈마의 포커스성을 높여, 높은 처리 효율을 얻을 수 있다. 또한, 격자 형상 절연부(125)에 의해 고주파 전계중이라도 서셉터(105) 표면에 있어서의 이상 방전이 방지된다.In this state, high frequency power is applied from the high frequency power supply 175 to the susceptor 105 via the matching box 173. As a result, a high frequency electric field is generated between the susceptor 105 as the lower electrode and the shower head 131 as the upper electrode, so that the processing gas is decomposed to form a plasma. By this plasma, an etching process is performed to the small piece substrate S. FIG. Since each of the small piece substrates S is plasma-processed in a state surrounded by the lattice-shaped insulator 125 formed of the fixed shield member 121 and the movable shield member 123, the lattice-shaped insulator 125 is formed of plasma. It is possible to increase the focusability and obtain high processing efficiency. The grid-shaped insulator 125 prevents abnormal discharge on the susceptor 105 even during a high frequency electric field.

에칭 처리를 실시한 후, 고주파 전원(175)으로부터의 고주파 전력의 인가를 정지하고, 가스 도입을 정지한 후, 처리 용기(101) 내를 소정의 압력까지 감압한다. 다음에, 게이트 밸브(7a)를 개방하고, 수수 기구부(111)의 가동 실드 부재(123)로부터 반송 장치(25)의 포크(23)에 소편 기판(S)을 일괄해서 수수하고, 처리 용기(101)의 기판 반입출구(도시 생략)로부터 반송실(3)로 반출한다. 이상의 조작에 의해, 소편 기판(S)에 대한 일괄 에칭 처리가 종료한다.After performing the etching process, the application of the high frequency power from the high frequency power supply 175 is stopped, and after the gas introduction is stopped, the inside of the processing container 101 is reduced to a predetermined pressure. Next, the gate valve 7a is opened, the small piece substrate S is collectively received from the movable shield member 123 of the delivery mechanism part 111 to the fork 23 of the conveying apparatus 25, and the process container ( It carries out to the conveyance chamber 3 from the board | substrate carrying in / out port (not shown) of 101. FIG. By the above operation, the batch etching process with respect to the small piece board | substrate S is complete | finished.

본 실시형태에 따른 서셉터(105)는, 가동 실드 부재(123)를 이용하는 수수 기구(111)를 구비한 것에 의해, 복수의 소편 기판(S)을, 반송 장치(25)의 포크(23)로부터 일괄해서 수취하고, 또한 포크(23)에 일괄해서 수수할 수 있다. 따라서, 트레이를 이용하여 소편 기판(S)의 일괄 수수를 실행하는 종래 기술에 있어서의 상기의 여러 문제를 해결할 수 있다. 특히, 트레이를 사용하지 않는 것에 의해, 정 전 흡착 기구나 소편 기판(S)의 이면으로의 백쿨링 기구를 채용할 수 있는 이점이 있다(후기, 제 2 실시형태를 참조). 또한, 리프터 핀을 이용하여 소편 기판(S)의 일괄 수수를 실행하는 종래 기술에 비하면, 판형상의 가동 실드 부재(123)는, 서셉터(105)에 외부 부착된 간이한 기구로 상하로 승강 변위시킬 수 있으므로, 수수 기구의 구성을 각별히 간소화할 수 있어, 보다 많은 소편 기판(S)을 확실하게 일괄 수수하는 것이 가능하게 된다. 더욱이, 가동 실드 부재(123)를 이용하는 수수 기구(111)는, 구성이 간이하기 때문에, 가동 실드 부재(123)의 교환이나 인접하는 가동 실드 부재(123)의 간격의 조정 등을 용이하게 실행할 수 있다. 따라서, 소편 기판(S)의 크기나 수수의 매수에 따라, 가동 실드 부재(123)의 설치 수, 폭, 간격 등을 자유롭게 설정할 수 있다. 또한, 가동 실드 부재(123)의 교환이나 간격의 조정은, 예를 들면 연결 부재(189)를 포함해서 로드(187) 및 가동 실드 부재(123)를 일괄해서 교환하는 것에 의해 실행해도 좋고, 또는, 연결 부재(189)에 있어서의 로드(187)의 장착 개수나 장착 위치를 변경 가능하게 구성해도 좋다.The susceptor 105 which concerns on this embodiment is equipped with the water-receiving mechanism 111 which uses the movable shield member 123, and the several small piece board | substrates S are fork 23 of the conveying apparatus 25. Can be collectively received from the package, and can also be collectively received on the fork 23. Therefore, the above-mentioned various problems in the prior art which carry out the batch transfer of the small piece board | substrate S using a tray can be solved. In particular, there is an advantage that the electrostatic adsorption mechanism and the back cooling mechanism on the back surface of the small piece substrate S can be adopted by not using the tray (see later, the second embodiment). Moreover, compared with the prior art which carries out the collective transfer of the small piece board | substrate S using a lifter pin, the plate-shaped movable shield member 123 is a simple mechanism externally attached to the susceptor 105, and it raises and lowers displacements. Since the structure of the delivery mechanism can be simplified, the small piece of substrate S can be reliably collectively delivered. Furthermore, since the structure of the handing and receiving mechanism 111 using the movable shield member 123 is simple, the exchange of the movable shield member 123, adjustment of the space | interval of the adjacent movable shield member 123, etc. can be performed easily. have. Therefore, the installation number, width, space | interval, etc. of the movable shield member 123 can be set freely according to the magnitude | size of the small piece board | substrate S, or the number of sheets. In addition, the replacement of the movable shield member 123 and the adjustment of the interval may be performed by collectively replacing the rod 187 and the movable shield member 123 including the connecting member 189, or In addition, you may comprise so that attachment number and mounting position of the rod 187 in the connection member 189 can be changed.

또한, 절연 재료로 이루어지는 가동 실드 부재(123)는, 하강 위치 즉 서셉터(105)의 상면에 접촉한 위치에서는, 고정 실드 부재(121)와 함께 소편 기판(S)의 주위를 둘러싸는 격자 형상 절연부(125)를 형성해서 실드 기능을 가지므로, 서셉터(105)의 상면에 있어서의 이상 방전을 확실하게 방지할 수 있다. 더욱이, 격자 형상 절연부(125)는, 그 내측에 탑재된 소편 기판(S)을 향해서 플라즈마를 포커스시키는 역할을 한다. 이렇게, 가동 실드 부재(123)에 기판 수수 기능과 실드 기능과 플라즈마 포커스 기능을 갖게 하는 것에 의해, 장치 구성의 복잡화를 적극적으 로 회피해, 간이한 구성에 의해 서셉터(105)에 있어서의 소편 기판(S)의 일괄 대량 처리가 가능하게 되어, 처리 효율을 향상시킬 수 있다는 효과를 얻을 수 있다.In addition, the movable shield member 123 made of an insulating material has a lattice shape that surrounds the small piece substrate S together with the fixed shield member 121 at the lowered position, that is, the position in contact with the upper surface of the susceptor 105. Since the insulating part 125 is formed and has a shield function, abnormal discharge on the upper surface of the susceptor 105 can be reliably prevented. Further, the lattice-shaped insulating portion 125 serves to focus the plasma toward the small piece substrate S mounted therein. In this way, by providing the substrate shielding function, the shielding function, and the plasma focus function to the movable shield member 123, the complexity of the device configuration is actively avoided, and the small piece in the susceptor 105 is simplified by a simple configuration. The bulk processing of the board | substrate S becomes possible, and the effect that a processing efficiency can be improved can be acquired.

[제 2 실시형태] Second Embodiment

다음에, 도 16 및 도 17을 참조하면서, 본 발명의 제 2 실시형태에 대해서 설명한다. 도 16은 본 실시형태의 플라즈마 에칭 장치(201)의 개략 단면 구조를 도시한 도면이다. 본 실시형태에 있어서는, 서셉터(205)에, 소편 기판(S)을 흡착 보지하는 정전 흡착 기구 및 각 소편 기판(S)의 이면에 냉각용의 전열 가스를 도입하는 백쿨링 기구를 마련한 점에서, 제 1 실시형태와 다르다. 이하의 설명에서는, 제 1 실시형태와의 상위점을 중심으로 설명하고, 제 1 실시형태와 같은 구성에는 동일한 부호를 붙여서 설명을 생략한다.Next, 2nd Embodiment of this invention is described, referring FIG. 16 and FIG. 16 is a diagram showing a schematic cross-sectional structure of the plasma etching apparatus 201 of this embodiment. In this embodiment, in the susceptor 205, the electrostatic adsorption mechanism which adsorbs and holds the small piece board | substrate S, and the back cooling mechanism which introduces the heat transfer gas for cooling into the back surface of each small piece board | substrate S are provided. Is different from the first embodiment. In the following description, it demonstrates centering around difference with 1st Embodiment, and attaches | subjects the same code | symbol to the structure similar to 1st Embodiment, and abbreviate | omits description.

플라즈마 에칭 장치(201)는, 제 1 실시형태에 따른 플라즈마 에칭 장치(200)와 마찬가지로, 진공 처리 시스템(100)에 있어서, 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c)로서 적용 가능한 것이다(도 1 및 도 2 참조).The plasma etching apparatus 201 can be applied as the process chambers 1a, 1b, and 1c in the vacuum processing system 100 similarly to the plasma etching apparatus 200 according to the first embodiment (FIGS. 1 and FIG. 1). 2).

도 16에 도시한 것과 같이, 플라즈마 에칭 장치(201)에 있어서, 하부 전극이기도 한 서셉터(205)는, 주요한 구성으로서, 하부 기재(207)와, 이 하부 기재(207) 위에 적층된 상부 기재(209)와, 상부 기재(209) 위에 형성된 정전 흡착부(211)와, 정전 흡착부(211) 위에 소편 기판(S)을 일괄해서 수수하기 위한 수수 기구부(111)[가동 실드링(123)만 도시]를 구비하고 있다.As shown in FIG. 16, in the plasma etching apparatus 201, the susceptor 205, which is also a lower electrode, has, as a main configuration, a lower base material 207 and an upper base material laminated on the lower base material 207. 209, the electrostatic adsorption part 211 formed on the upper base material 209, and the receiving and receiving mechanism part 111 (movable shield ring 123) for carrying out the small piece board | substrate S on the electrostatic adsorption part 211 collectively. Bay City].

하부 기재(207) 및 상부 기재(209)는, 모두 예컨대 알루미늄이나 스테인리스강(SUS) 등의 재질로 형성되어 있다. 하부 기재(207)와 상부 기재(209) 사이에는 시일 부재(215)가 배치되어서 경계 부분의 기밀성이 유지되어 있다. 하부 기재(207)와 상부 기재(209)의 측부 외주는, 절연성 부재(117a, 117b)에 의해 둘러싸여 있는 것에 의해 절연성이 확보되어, 플라즈마 처리 시에 서셉터(205)의 측부에서의 이상 방전이 방지되어 있다.Both the lower base material 207 and the upper base material 209 are formed from materials, such as aluminum and stainless steel (SUS), for example. The sealing member 215 is disposed between the lower base material 207 and the upper base material 209 to maintain the airtightness of the boundary portion. The side outer periphery of the lower base material 207 and the upper base material 209 is surrounded by the insulating members 117a and 117b to ensure insulation, and abnormal discharge at the side of the susceptor 205 during plasma treatment is prevented. It is prevented.

정전 흡착부(211)는, 주요한 구성으로서, 상부 기재(209) 위에 적층된 유전체막(219)과, 유전체막(219)에 매설된 복수의 전극판(221)을 구비하고 있다. 각 전극판(221)은, 급전선(223)을 거쳐서 직류 전원(225)에 접속되어 있다.As the main configuration, the electrostatic adsorption unit 211 includes a dielectric film 219 stacked on the upper base material 209 and a plurality of electrode plates 221 embedded in the dielectric film 219. Each electrode plate 221 is connected to the DC power supply 225 via a feed line 223.

유전체막(219)은, 예를 들면 세라믹스 용사막 등에 의해 형성되어 있다. 유전체막(219)의 상면에는, 소편 기판(S)을 지지하는 복수의 탑재면(219a)이 형성되어 있다. 전극판(221)은, 금속 등의 도전성 재료로 이루어지고, 유전체막(219) 안에, 탑재면(219a)에 대응해서 복수로 분리해서 매설되어 있다. 그리고, 각 전극판(221)에 직류 전원(225)으로부터 직류 전압을 인가함으로써, 예컨대 쿨롱력에 의해 각각 소편 기판(S)을 흡착 보지할 수 있도록 구성되어 있다.The dielectric film 219 is formed of, for example, a ceramic thermal sprayed coating or the like. On the upper surface of the dielectric film 219, a plurality of mounting surfaces 219a for supporting the small piece substrate S are formed. The electrode plate 221 is made of a conductive material such as metal, and is separated and embedded in a plurality of dielectric films 219 corresponding to the mounting surface 219a. Then, by applying a direct current voltage to each electrode plate 221 from the direct current power source 225, the small piece substrate S can be held by, for example, a coulomb force.

본 실시형태에서는, 1개의 직류 전원(225)으로부터 급전선(223)을 분기시켜서 각 전극판(221)에 동시 급전하는 구성이 채용된다. 또한, 각 전극판(221)에, 별개의 직류 전원으로부터 개별적으로 급전하는 구성을 해도 좋다. 또한, 전극판(221)은, 탑재면(219a)에 대응해서 개별적으로 분리한 상태에서 배치하지 않고, 1개의 전극판(221)이 복수의 탑재면(219a)에 올라타도록 배치해도 좋다.In this embodiment, the structure which branches the feed line 223 from one DC power supply 225, and feeds power to each electrode plate 221 simultaneously is employ | adopted. In addition, the electrode plates 221 may be configured to be individually fed from separate DC power supplies. In addition, the electrode plate 221 may be arranged so that one electrode plate 221 rides on the plurality of mounting surfaces 219a without being disposed in a state in which the electrode plates 221 are separately separated corresponding to the mounting surfaces 219a.

유전체막(219)은, 유전성 재료로 구성되어 있으면 그 재료는 상관없다. 또한, 고절연성 재료 뿐만 아니라 전하의 이동을 허용하는 정도의 도전성을 갖는 것 도 사용할 수 있다. 이러한 유전체막(219)은, 내구성 및 내식성의 관점으로부터 세라믹스로 구성하는 것이 바람직하다. 이때의 세라믹스는 특히 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 Al2O3, Zr2O3, Si3N4 등의 절연재료를 들 수 있다. 또한, 유전체막(219)은 용사에 의해 형성하는 것이 바람직하다.The dielectric film 219 may be formed of a dielectric material. In addition, it is possible to use not only a highly insulating material but also one having a degree of conductivity that allows the transfer of charge. The dielectric film 219 is preferably made of ceramics from the viewpoint of durability and corrosion resistance. At this time, the ceramic may be an insulating material such as in particular not limited to, for example, Al 2 O 3, Zr 2 O 3, Si 3 N 4. In addition, the dielectric film 219 is preferably formed by thermal spraying.

하부 기재(207), 상부 기재(209) 및 유전체막(219)에는, 이들의 내부를 관통하는 가스 공급로(227)가 형성되어 있다. 가스 공급로(227)는, 하부 기재(207)와 상부 기재(209)의 경계에 형성된 수평 공급부(227a)와, 이 수평 공급부(227a)를 거쳐서 분기한 복수의 수직 공급 구멍(227b)을 갖고 있다. 수직 공급 구멍(227b)은, 1개의 탑재면(219a)에 복수 개소 형성되어 있다(도 16 및 도 17에서는, 1개소만을 도시했다). 이 가스 공급로(227)를 거쳐서, 예를 들면 He 가스 등의 열전도 가스가 피처리체인 소편 기판(S)의 이면에 공급된다. 또한, 하부 기재(207)의 내부에는, 도시하지 않는 냉매 순환로가 마련되어 있다. 이 냉매 순환로에 예를 들면 불소계 액체 등의 냉매를 순환시킴으로써, 그 냉열이 상기 열전도 가스를 거쳐서 소편 기판(S)에 대해 열전도된다.In the lower base 207, the upper base 209, and the dielectric film 219, a gas supply path 227 penetrating the inside thereof is formed. The gas supply passage 227 has a horizontal supply portion 227a formed at the boundary between the lower substrate 207 and the upper substrate 209, and a plurality of vertical supply holes 227b branched through the horizontal supply portion 227a. have. A plurality of vertical supply holes 227b are formed in one mounting surface 219a (only one position is shown in FIGS. 16 and 17). Through this gas supply path 227, heat conductive gas, such as He gas, is supplied to the back surface of the small piece substrate S which is an object to be processed. In addition, a refrigerant circulation path (not shown) is provided inside the lower base material 207. By circulating a refrigerant, such as a fluorine-based liquid, in the refrigerant circulation path, the cold heat is thermally conducted to the small piece substrate S through the heat conduction gas.

즉, 가스 공급로(227)에 공급된 열전도 가스는, 수평 공급부(227a)를 거쳐서 일단 수평 방향으로 확산한 후, 정전 흡착부(211) 내에 수직으로 형성된 복수의 수직 공급 구멍(227b)을 지나서, 정전 흡착부(211)의 표면으로부터 각 소편 기판(S)의 뒷편을 향해서 분출한다. 이렇게 하여, 서셉터(205)의 냉열이 각 소편 기판(S)에 전달되어, 각 소편 기판(S)이 소정의 온도로 유지된다.That is, the heat conductive gas supplied to the gas supply path 227 diffuses in the horizontal direction once through the horizontal supply part 227a, and then passes through the plurality of vertical supply holes 227b vertically formed in the electrostatic adsorption part 211. From the surface of the electrostatic adsorption part 211, it ejects toward the back side of each small piece board | substrate S. FIG. In this way, the cooling heat of the susceptor 205 is transmitted to each small piece board | substrate S, and each small piece board | substrate S is hold | maintained at predetermined temperature.

본 실시형태에서는, 정전 흡착부(211)를 마련했으므로, 각 소편 기판(S)을 서셉터(205)의 탑재면(219a)에 안정적으로 보지하는 것이 가능해진다. 또한, 정전 흡착부(211)에 유지된 각 소편 기판(S)의 이면측에 열전도 가스를 개별적으로 공급하는 분기한 가스 공급로(227)를 마련했으므로, 소편 기판(S)의 온도 조절이 가능하게 되어, 예를 들면 에칭 등의 처리의 정밀도를 향상시키는 것이 가능하다.In this embodiment, since the electrostatic adsorption part 211 was provided, it becomes possible to hold each small piece board | substrate S on the mounting surface 219a of the susceptor 205 stably. Moreover, since the branched gas supply path 227 which supplies a heat conduction gas separately is provided in the back surface side of each small piece board | substrate S hold | maintained by the electrostatic adsorption part 211, temperature control of the small piece board | substrate S is possible. For example, it is possible to improve the precision of processing, such as an etching.

본 실시형태에 따른 수수 기구부(111)의 구성 및 작용은 제 1 실시형태와 같다. 따라서, 본 실시형태에 있어서도, 가동 실드 부재(123)를 갖는 수수 기구부(111)에 의해, 소편 기판(S)의 일괄 수수가 가능하다. 이 경우, 제 1 실시형태 와 마찬가지로, 수수 기구부(111)의 가동 실드 부재(123)에 위치 결정용 절결부(301)를 마련할 수도 있다(도 14 및 도 15 참조). 또한, 고정 실드 부재(121)와 가동 실드 부재(123)로 구성되는 격자 형상 절연부(125)에 의해, 정전 흡착부(211)의 이상 방전을 방지하면서 탑재면(219a)에 탑재된 소편 기판(S)에 플라즈마를 포커스시키는 것이 가능하다.The structure and the function of the water delivery mechanism part 111 which concern on this embodiment are the same as that of 1st Embodiment. Therefore, also in this embodiment, the collective delivery of the small piece board | substrate S is possible by the delivery mechanism part 111 which has the movable shield member 123. FIG. In this case, the positioning cutout 301 can also be provided in the movable shield member 123 of the delivery mechanism part 111 (refer FIG. 14 and FIG. 15) similarly to 1st Embodiment. Moreover, the small piece board | substrate mounted in the mounting surface 219a by the lattice-shaped insulation part 125 comprised from the fixed shield member 121 and the movable shield member 123, preventing abnormal discharge of the electrostatic adsorption | suction part 211. It is possible to focus the plasma on (S).

또한, 본 실시형태에 있어서는, 소편 기판(S)의 이면으로 열전도 가스를 공급하기 위해서, 탑재면(219a)에 탑재한 소편 기판(S)과 탑재면(219a) 사이에 간극을 두는 것이 바람직하다. 이 목적을 위하여, 예를 들면 도 17에 확대해서 도시한 것과 같이, 가동 실드 부재(123)를 하강시킨 상태에서 가동 실드 부재(123)의 상면이 탑재면(219a)보다도 약간 높아지도록 구성할 수 있다. 이로써, 가동 실드 부재(123)에 양단부가 지지된 소편 기판(S)은, 탑재면(219a)으로부터 약간 뜬 상태가 되어 냉각 가스용 공간(302)이 형성된다. 이 냉각 가스용 공간(302)에 수직 공급 구멍(227b)으로부터의 열전도 가스를 공급하는 것에 의해 소편 기판(S)을 효율적으로 냉각할 수 있다. 이 경우, 도시는 생략하지만, 고정 실드 부재(121)의 상면도, 가동 실드 부재(123)의 상면에 맞추어 탑재면(219a)에 대해 약간 높게 형성해도 좋다. 이렇게, 격자 형상 절연부(125)로 사방을 둘러싸는 것에 의해, 냉각 가스용 공간(302)에 있어서의 열전도 가스에 의한 냉각 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.In addition, in this embodiment, in order to supply heat conduction gas to the back surface of the small piece board | substrate S, it is preferable to provide a clearance between the small piece board | substrate S mounted on the mounting surface 219a, and the mounting surface 219a. . For this purpose, for example, as enlarged in FIG. 17, the upper surface of the movable shield member 123 may be configured to be slightly higher than the mounting surface 219a in the state where the movable shield member 123 is lowered. have. Thereby, the small piece board | substrate S by which the both ends were supported by the movable shield member 123 became a state which floated slightly from the mounting surface 219a, and the space for cooling gas 302 is formed. The small piece board | substrate S can be cooled efficiently by supplying the heat conduction gas from the vertical supply hole 227b to this cooling gas space 302. In this case, although not shown, the upper surface of the fixed shield member 121 may be formed slightly higher with respect to the mounting surface 219a in accordance with the upper surface of the movable shield member 123. Thus, by surrounding all directions with the lattice-shaped insulating part 125, the cooling efficiency by the heat conductive gas in the space for cooling gas 302 can be improved further.

또한, 본 실시형태에서는, 도 17에 도시한 것과 같이, 탑재면(219a)으로부터 냉각 가스용 공간(302)을 관통하도록 세워진 복수의 볼록 형상부(219b)를 마련했다. 볼록 형상부(219b)는, 그 정부에서 소편 기판(S)의 이면에 접촉하고, 소편 기판(S)을 지지하는 역할을 하는 것이다. 또한, 볼록 형상부(219b)는, 유전체막(219a)의 표면[탑재면(219a)]에 형성된 돌기이어도 좋고, 유전체막(219a)의 표면[탑재면(219a)]에 세겨진 홈에 의한 요철의 볼록 부분이어도 좋다.In addition, in this embodiment, as shown in FIG. 17, the some convex-shaped part 219b set up to penetrate the space 302 for cooling gas from the mounting surface 219a was provided. The convex part 219b contacts the back surface of the small piece board | substrate S in the part, and serves to support the small piece board | substrate S. As shown in FIG. The convex portion 219b may be a protrusion formed on the surface (mounting surface 219a) of the dielectric film 219a, and the unevenness due to the grooves engraved on the surface (mounting surface 219a) of the dielectric film 219a may be used. The convex part of may be sufficient.

본 실시형태에 있어서의 그 밖의 구성, 작용 및 효과는 제 1 실시형태와 같다.Other configurations, actions, and effects in the present embodiment are the same as those in the first embodiment.

이상, 본 발명의 실시형태를 서술했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 제약되지 않고, 여러 가지 변형이 가능하다. 예를 들면, 상기 실시형태에서는, 하부 전극[기재(107), 하부 기재(207) 및 상부 기재(209)]에 고주파 전력을 인가하는 RIE타입의 용량 결합형 평행 평판 플라즈마 에칭 장치를 예시해서 설명했지만, 상부 전극에 고주파 전력을 공급하는 타입이어도 좋고, 용량 결합형에 한정되지 않고 유도 결합형이어도 좋다.As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not restrict | limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible. For example, in the said embodiment, the RIE type capacitively coupled parallel plate plasma etching apparatus which applies a high frequency electric power to a lower electrode (base material 107, lower base material 207, and upper base material 209) is illustrated and demonstrated. However, the type which supplies high frequency electric power to an upper electrode may be sufficient, and it is not limited to a capacitive coupling type | mold, but may be an inductive coupling type | mold.

또한, 본 발명은 플라즈마 에칭 장치에 한정되지 않고, 애싱, CVD 성막 등의 다른 플라즈마 처리 장치에도 적용할 수 있다.In addition, this invention is not limited to a plasma etching apparatus, It is applicable to other plasma processing apparatuses, such as ashing and CVD film-forming.

또한, 복수의 소편 기판(S)의 일괄 수수 기구를 구비한 본 발명의 탑재대는, 진공 처리 장치나 플라즈마 처리 장치에 한정되지 않고, 예를 들면 열처리 장치 등에도 적용 가능하다. 더욱이, 소편 기판(S)의 일괄 수수 기구를 구비한 탑재대는, 프로세스 챔버 이외의 챔버 예컨대 로드록실에 배치하는 것도 가능하다.In addition, the mounting table of this invention provided with the package receiving mechanism of several small piece board | substrates S is not limited to a vacuum processing apparatus or a plasma processing apparatus, For example, it is applicable also to a heat processing apparatus. Furthermore, the mounting table provided with the collective handing-mechanism of the small piece board | substrate S can also be arrange | positioned in chambers other than a process chamber, for example, a load lock chamber.

또한, 피처리체로서의 소편 기판(S)은, FPD 제조용의 것에 한정되지 않고, 각종 용도의 것을 대상으로 할 수 있다. 소편 기판(S)은 반도체 웨이퍼이어도 좋다.In addition, the small piece board | substrate S as a to-be-processed object is not limited to the thing for FPD manufacture, It can target the thing of various uses. The small piece substrate S may be a semiconductor wafer.

도 1은 본 발명의 탑재대를 구비한 진공 처리 시스템을 개략적으로 도시하는 사시도.1 is a perspective view schematically showing a vacuum processing system having a mount of the present invention.

도 2는 도 1의 진공 처리 시스템의 평면도.2 is a plan view of the vacuum processing system of FIG.

도 3은 제 1 실시형태에 따른 플라즈마 에칭 장치의 개략적인 구성을 도시하는 단면도.3 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a plasma etching apparatus according to a first embodiment.

도 4는 서셉터에 있어서의 수수 기구의 구성을 도시하는 사시도.4 is a perspective view illustrating a configuration of a delivery mechanism in the susceptor.

도 5는 서셉터의 평면도.5 is a plan view of the susceptor.

도 6은 도 5에 있어서의 Ⅵ-Ⅵ선 화살표의 단면도.FIG. 6 is a cross-sectional view of the VI-VI line arrow in FIG. 5. FIG.

도 7은 도 5에 있어서의 Ⅶ-Ⅶ선 화살표의 단면도.FIG. 7 is a cross-sectional view of the VII-VII arrow in FIG. 5. FIG.

도 8은 도 5에 있어서의 Ⅷ-Ⅷ선 화살표의 단면도.FIG. 8 is a cross-sectional view of the VII-VII line arrow in FIG. 5. FIG.

도 9는 포크와 서셉터의 가동 실드 부재의 사이의 소편 기판의 일괄 수수를 설명하는 도면.It is a figure explaining the collective transfer of the small piece board | substrate between the fork and the movable shield member of a susceptor.

도 10은 복수의 소편 기판을 지지한 포크를 서셉터 위로 이동시킨 상태를 설명하는 도면.The figure explaining the state which moved the fork which supported the several small piece board | substrate to the susceptor.

도 11은 포크로부터 복수의 소편 기판을 가동 실드 부재가 수취한 상태를 설명하는 도면.It is a figure explaining the state which the movable shield member received the several small piece board | substrate from the fork.

도 12는 복수의 소편 기판을 서셉터에 탑재한 상태를 설명하는 도면.It is a figure explaining the state which mounted several small piece board | substrates to the susceptor.

도 13은 탑재부가 형성된 포크를 도시하는 사시도.Fig. 13 is a perspective view showing a fork with a mounting portion formed thereon.

도 14는 위치 결정용 절결부가 형성된 가동 실드 부재를 도시하는 주요부 사 시도.Fig. 14 is a main part trial showing a movable shield member on which a positioning cutout is formed.

도 15는 도 14의 가동 실드 부재를 구비한 서셉터에 소편 기판을 탑재한 상태를 설명하는 도면.It is a figure explaining the state which mounted the small piece board | substrate to the susceptor provided with the movable shield member of FIG.

도 16은 제 2 실시형태에 따른 서셉터를 구비한 플라즈마 에칭 장치의 개략적인 구성을 도시하는 단면도.16 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a plasma etching apparatus with a susceptor according to a second embodiment.

도 17은 도 16의 플라즈마 에칭 장치의 서셉터에 소편 기판을 탑재한 상태를 설명하는 도면.It is a figure explaining the state which mounted the small piece board | substrate to the susceptor of the plasma etching apparatus of FIG.

부호의 설명Explanation of the sign

1a, 1b, 1c : 프로세스 챔버, 3 : 반송실, 5 : 로드록실, 100 : 진공 처리 시스템, 101 : 처리 용기, 103 : 절연성 부재, 105 : 서셉터, 107 : 기재, 107a : 탑재면, 111 : 수수 기구부, 117a, 117b : 절연성 부재, 121 : 고정 실드 부재, 123 : 가동 실드 부재, 125 : 격자 형상 절연부, 131 : 샤워 헤드, 133 : 가스 확산 공간, 135 : 가스 토출 구멍, 137 : 가스 도입구, 139 : 처리 가스 공급관, 151 : 배기구, 153 : 배기관, 155 : 배기 장치, 171 : 급전선, 173 : 매칭 박스, 175 :고주파 전원, 187 : 로드, 189 : 연결 부재, 191 : 구동축, 193 : 구동부, 200, 201 : 플라즈마 에칭 장치1a, 1b, 1c: process chamber, 3: conveying chamber, 5: load lock chamber, 100: vacuum processing system, 101: processing container, 103: insulating member, 105: susceptor, 107: substrate, 107a: mounting surface, 111 : Handing-mechanism mechanism part, 117a, 117b: insulating member, 121: fixed shield member, 123: movable shield member, 125: lattice-shaped insulation part, 131: shower head, 133: gas diffusion space, 135: gas discharge hole, 137: gas Inlet port, 139: process gas supply pipe, 151: exhaust port, 153: exhaust pipe, 155: exhaust device, 171: feed line, 173: matching box, 175: high frequency power source, 187: rod, 189: connection member, 191: drive shaft, 193 : Driver, 200, 201: plasma etching apparatus

Claims (11)

처리 장치에 있어 피처리체를 탑재하는 탑재대에 있어서, In the mounting table to mount the object to be processed in the processing apparatus, 복수매의 피처리체를 탑재하는 복수의 탑재면과, A plurality of mounting surfaces for mounting a plurality of workpieces; 상기 탑재면과 평행한 상태로 서로 간격을 두고 동일 방향으로 배열되고, 승강 가능하게 구성된 복수의 가동 부재를 가지며, 상기 가동 부재에 의해 피처리체를 지지함으로써 반송 장치와의 사이에서 복수매의 피처리체의 수수를 일괄해서 실행하는 수수 기구를 구비한 것을 특징으로 하는It has a plurality of movable members arrange | positioned in the same direction at intervals mutually in parallel with the said mounting surface, and comprised so that elevation is possible, and it supports a to-be-processed object by the said movable member, and it carries a some object with a conveying apparatus. And a sorghum mechanism for collectively executing sorghum 탑재대. Mount. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가동 부재는, 복수매의 피처리체를 지지하면서 하강한 위치에서 상기 탑재면에 피처리체를 탑재하고, 복수매의 피처리체를 지지하면서 상승한 위치에서 상기 반송 장치와의 사이에서 피처리체의 수수를 실행하는 것을 특징으로 하는The movable member mounts a workpiece on the mounting surface at a position which is lowered while supporting a plurality of workpieces, and transfers the workpiece to and from the transfer device at a position that is raised while supporting the plurality of workpieces. Characterized by 탑재대.Mount. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 가동 부재는, 절연성 재료로 구성되어 있고, 상기 탑재면의 주위를 둘러싸며, 상기 탑재면을 구획하는 절연부의 일부분을 이루는 제 1 절연성 부재인 것을 특징으로 하는 The movable member is made of an insulating material and is a first insulating member that surrounds the mounting surface and forms a part of the insulating portion that partitions the mounting surface. 탑재대.Mount. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 절연부는, 상기 제 1 절연성 부재와 조합되어 상기 탑재면의 주위를 둘러싸는 제 2 절연성 부재를 갖는 것을 특징으로 하는 The insulating portion has a second insulating member which is combined with the first insulating member to surround the mounting surface. 탑재대.Mount. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제 1 절연성 부재와 상기 제 2 절연성 부재가 직교하여 배치됨으로써 상기 절연부가 격자 형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는The first insulating member and the second insulating member are arranged orthogonal to each other so that the insulating portion is formed in a lattice shape. 탑재대. Mount. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 제 1 절연성 부재에 피처리체를 위치 결정하는 단차부를 마련한 것을 특징으로 하는A stepped portion for positioning the object to be processed is provided in the first insulating member. 탑재대.Mount. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 복수의 탑재면 각각에 대응하여 피처리체를 흡착 보지하는 정전 흡착 기구가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 The electrostatic adsorption mechanism which adsorption-holds a to-be-processed object corresponding to each of the said several mounting surface is provided, It is characterized by the above-mentioned. 탑재대.Mount. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 탑재면에는 피처리체의 이면을 냉각하는 냉각용 기체의 토출구가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 The mounting surface is provided with a discharge port of the cooling gas for cooling the rear surface of the object to be processed, characterized in that 탑재대.Mount. 복수매의 피처리체를 일괄 처리하는 처리 장치에 있어서, A processing apparatus for collectively processing a plurality of workpieces, 처리 용기와, Processing container, 상기 처리 용기 내에 배치된 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 탑재대를 구비하는 것을 특징으로 하는The mounting base of Claim 1 or 2 arrange | positioned in the said processing container is provided, It is characterized by the above-mentioned. 처리 장치.Processing unit. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 플라즈마에 의해 피처리체를 처리하는 플라즈마 처리 장치인 것을 특징으로 하는 It is a plasma processing apparatus which processes a to-be-processed object by a plasma, It is characterized by the above-mentioned. 처리 장치.Processing unit. 복수매의 피처리체를 일괄 처리하는 처리 장치와, 복수매의 피처리체를 동시에 지지하는 빗살 형상의 지지 부재를 갖는 반송 장치를 구비한 처리 시스템에 있 어서, In the processing system provided with the conveying apparatus which has the processing apparatus which batch-processes a plurality of to-be-processed object, and the comb-shaped support member which supports a plurality of to-be-processed object simultaneously, 상기 처리 장치는 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에서 복수매의 피처리체를 탑재하는 탑재대를 가지며, The processing apparatus has a processing container and a mounting table for mounting a plurality of objects to be processed in the processing container, 상기 탑재대는, 피처리체를 탑재하는 복수의 탑재면과, The mounting table includes a plurality of mounting surfaces on which the target object is to be mounted; 상기 탑재면과 평행한 상태로 서로 간격을 두고 동일 방향으로 배열되어, 승강 가능하게 구성된 복수의 가동 부재에 의해 피처리체를 지지함으로써 상기 빗살 형상의 지지 부재와의 사이에서 복수매의 피처리체의 수수를 일괄해서 실행하는 수수 기구를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는A plurality of workpieces are received between the comb-shaped support members by supporting the workpieces by a plurality of movable members arranged in the same direction at intervals from each other in a state parallel to the mounting surface and configured to move up and down. And a delivery mechanism for collectively executing 처리 시스템.Processing system.
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