KR101565535B1 - Substrate treating apparatus and substrate treating method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 기판들이 적재될 수 있는 트레이; 플라즈마 처리 전의 상기 기판들이 적재된 상기 트레이를 반입하는 반입 유닛; 상부에 상기 트레이가 위치될 수 있는 지그; 상기 지그가 대기 할 수 있는 로드 포트; 상기 트레이 및 상기 지그가 반입되어, 상기 기판에 대한 플라즈마 처리가 수행될 수 있는 플라즈마 처리 유닛; 플라즈마 처리 후의 상기 기판들을 적재한 상기 트레이를 반출하는 반출 유닛을 포함한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a tray on which substrates can be loaded; A loading unit for loading the tray on which the substrates before plasma processing are loaded; A jig on which the tray can be placed; A load port on which the jig can stand; A plasma processing unit in which the tray and the jig are brought in and a plasma process can be performed on the substrate; And an unloading unit for unloading the tray on which the substrates after plasma processing are loaded.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treating apparatus and substrate treating method}[0001] DESCRIPTION [0002] Substrate treating apparatus and substrate treating method [

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

반도체 생산 과정 또는 휴대폰의 생산 과정에는 기판이 사용될 수 있다. 공정 진행 과정에서 기판은 회로가 형성된 다이(Die) 또는 다른 기판과 부착될 수 있다. 또한, 적층형 반도체 패키지의 생산을 위해 공정은 위 기판을 이용해 생산된 반도체 패키지와 또 다른 반도체 패키지가 상하로 적층될 수 있다. A substrate may be used in a semiconductor production process or a cellular phone production process. During the process, the substrate may be attached to a die or other substrate on which the circuit is formed. Further, in order to produce a stacked semiconductor package, the semiconductor package produced by using the upper substrate and another semiconductor package may be stacked up and down.

이와 같은 기판에는 다이, 다른 기판 또는 반도체 패키지와의 전기적 결합을 위한 단자가 제공된다. 이와 같은 단자에 이물질이 부착되어 있거나, 단자에 산화층이 형성된 경우, 다이 등과의 접촉성을 저해한다.Such a substrate is provided with a terminal for electrical coupling with a die, another substrate or a semiconductor package. When foreign matter is attached to such a terminal or an oxide layer is formed on the terminal, the contact with the die or the like is hindered.

본 발명은 기판 외면의 이물질 또는 산화층을 제거할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of removing a foreign substance or an oxide layer on an outer surface of a substrate.

또한, 본 발명은 트레이에 적재된 기판들을 일괄적으로 플라즈마 처리 할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of collectively plasma-processing substrates loaded on a tray.

또한, 본 발명은 기판의 양면에 대해 플라즈마 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of performing plasma processing on both surfaces of a substrate.

또한, 본 발명은 기판을 플라즈마 처리 중에, 기판 주위에 아크 또는 기생 플라즈마가 발생되는 것이 방지되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method in which arc or parasitic plasma is prevented from being generated around a substrate during plasma processing of the substrate.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판들이 적재될 수 있는 트레이; 플라즈마 처리 전의 상기 기판들이 적재된 상기 트레이를 반입하는 반입 유닛; 상부에 상기 트레이가 위치될 수 있는 지그; 상기 지그가 대기 할 수 있는 로드 포트; 상기 트레이 및 상기 지그가 반입되어, 상기 기판에 대한 플라즈마 처리가 수행될 수 있는 플라즈마 처리 유닛; 플라즈마 처리 후의 상기 기판들을 적재한 상기 트레이를 반출하는 반출 유닛을 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided an apparatus including: a tray on which substrates can be stacked; A loading unit for loading the tray on which the substrates before plasma processing are loaded; A jig on which the tray can be placed; A load port on which the jig can stand; A plasma processing unit in which the tray and the jig are brought in and a plasma process can be performed on the substrate; And a carry-out unit for taking out the tray loaded with the substrates after the plasma processing.

또한, 상기 기판 처리 장치는 상기 트레이를 상기 반입 유닛에서 픽업하여 상기 로드 포트에 대기하는 상기 지그의 상부에 위치시키는 로더를 더 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus may further include a loader for picking up the tray from the carry-in unit and positioning the tray on an upper portion of the jig waiting in the load port.

또한, 상기 기판 처리 장치는 상기 로드 포트에서 상부에 상기 트레이가 위치된 상기 지그를 상기 플라즈마 처리 유닛으로 반입하거나, 상기 플라즈마 처리 유닛에서 상기 로드 포트로 반출하는 로봇을 더 포함할 수 있다.Further, the substrate processing apparatus may further include a robot for bringing the jig having the tray placed thereon from the load port into the plasma processing unit, or taking out the jig from the plasma processing unit to the load port.

또한, 상기 기판 처리 장치는 상기 로드 포드에서 상기 지그의 상부에 위치된 상기 트레이를 픽업하여 상기 반출 유닛으로 이송하는 언로더를 더 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus may further include an unloader for picking up the tray positioned at the upper portion of the jig from the load pod and transferring the picked-up tray to the take-out unit.

또한, 상기 트레이의 하부에는 고정 돌기들이 형성되고, 상기 지그의 상면에는 상기 고정 돌기들이 삽입되는 결합 홈들이 형성될 수 있다.In addition, fixing projections are formed on the lower portion of the tray, and coupling grooves into which the fixing projections are inserted may be formed on the upper surface of the jig.

또한, 상기 트레이는, 하면의 중앙 부분이 함입되어 형성되는 유동 공간; 및 상기 유동 공간과 외부가 연통되도록 하는 유입부가 형성될 수 있다.In addition, the tray may include a flow space formed by a central portion of a lower surface being embedded therein; And an inflow portion for allowing the flow space to communicate with the outside.

또한, 상기 트레이는, 상부에 형성되고, 상기 기판들이 각각 수용될 수 있는 수용부들; 상기 수용부들의 가운데에 홈 형상으로 형성되는 단차부들; 상기 단차부들 각각의 가운데에 형성되는 홀을 포함할 수 있다.The tray may further include: receiving portions formed on the upper portion, the receiving portions being each capable of receiving the substrates; Stepped portions formed in a groove shape in the center of the accommodating portions; And a hole formed in the center of each of the stepped portions.

또한, 상기 홀은 상기 유동 공간과 연통될 수 있다.Further, the hole may communicate with the flow space.

또한, 상기 트레이는 절연체로 형성될 수 있다.Also, the tray may be formed of an insulator.

또한, 상기 트레이는 유전율이 3 이상인 물질로 제공될 수 있다.Also, the tray may be provided with a material having a dielectric constant of 3 or more.

또한, 상기 플라스마 처리 유닛은, 내부에 공간이 형성된 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부에 위치하며, 상기 기판을 지지하는 서셉터; 상기 공정 챔버 내부로 플라스마를 공급하는 플라스마 공급부를 포함할 수 있다.The plasma processing unit may further include: a process chamber having a space formed therein; A susceptor positioned within the process chamber and supporting the substrate; And a plasma supplying unit for supplying plasma into the process chamber.

또한, 상기 서셉터에는 바이어스 전원이 연결될 수 있다.A bias power source may be connected to the susceptor.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 플라즈마 처리 될 기판들이 적재된 트레이를 지그이 상부에 위치시킨 후, 상기 지그와 상기 기판을 플라즈마 처리 유닛에 함께 반입하여, 상기 기판들에 대해 플라즈마 처리 한 후, 상기 트레이 및 상기 지그를 함께 상기 플라즈마 처리 유닛에서 반출하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, after the tray on which the substrates to be plasma-processed are placed is placed on the upper side of the jig, the jig and the substrate are brought into the plasma processing unit together, And a substrate processing method in which the jig is carried out together with the plasma processing unit.

또한, 플라즈마 처리 전의 상기 기판들을 적재한 상기 트레이는 반입 유닛으로 이송된 후, 로드 포트에서 대기 중인 상기 지그의 상부로 로딩될 수 있다.Further, the tray on which the substrates before plasma processing are carried can be transferred to the carry-in unit, and then loaded onto the upper portion of the jig waiting in the load port.

또한, 플라즈마 처리 유닛에서 상기 기판에 대한 플라즈마 처리 후, 상기 트레이 및 상기 지그는 상기 로드 포트로 반출될 수 있다.Further, after the plasma treatment on the substrate in the plasma processing unit, the tray and the jig can be taken out to the load port.

또한, 플라즈마 처리 후의 상기 기판들이 적재된 상기 트레이는 상기 지그의 상부에서 반출 유닛으로 이송될 수 있다.Further, the tray on which the substrates after the plasma processing are stacked can be transferred from the upper portion of the jig to the carry-out unit.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 기판들이 적재된 트레이를 절연체로 제공되는 지그의 상부에 위치시킨 후, 플라즈마 처리 유닛으로 반입하여 상기 기판에 대한 플라즈마 처리를 수행하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method for placing a tray on which substrates are loaded on an upper portion of a jig provided with an insulator, and then bringing the tray into a plasma processing unit to perform plasma processing on the substrate .

또한, 상기 기판들은 회로가 형성된 다이와 부착되기 위한 단자가 제공될 수 있다.In addition, the substrates may be provided with terminals for attaching to a circuit-formed die.

또한, 상기 기판의 외면 또는 상기 단자에 있는 이물질 또는 산화층은 상기 플라즈마 처리에 의해 제거될 수 있다.Further, the foreign matter or the oxide layer on the outer surface of the substrate or the terminal can be removed by the plasma treatment.

또한, 상기 지그는 절연체로 제공되어, 상기 플라즈마 처리가 수행되는 동안 상기 기판의 주위에 아크 또는 기생 플라즈마가 발생되는 것을 차단할 수 있다.Further, the jig may be provided as an insulator so as to prevent arc or parasitic plasma from being generated around the substrate while the plasma process is performed.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판의 외면의 이물질 또는 산하층이 제거될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, foreign substances or sub-layers on the outer surface of the substrate can be removed.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판들이 트레이에 적재된 상태로 일괄적으로 플라즈마 처리 될 수 있다.Also, according to an embodiment of the present invention, the substrates may be collectively plasma-processed while being loaded on the tray.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판은 양면에 대해 플라즈마 처리될 수 있다.Further, according to an embodiment of the present invention, the substrate can be plasma-treated on both sides.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판이 플라즈마 처리 되는 과정에서, 기판 주위에 아크 또는 기생 플라즈마가 발생되는 것이 방지될 수 있다. Further, according to the embodiment of the present invention, arc or parasitic plasma can be prevented from being generated around the substrate in the process of plasma processing the substrate.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치에서 처리되는 기판을 나타내는 도면이다.
도 3은 도 1의 플라즈마 처리 유닛의 일 예로, 리모트 방식으로 제공된 플라즈마 처리 유닛의 단면도이다.
도 4는 도 1의 지그의 일 실시 예에 따른 사시도이다.
도 5는 도 1의 트레이의 일 실시 예에 따른 사시도이다.
도 6은 도 5의 트레이의 저면 사시도이다.
도 7은 트레이가 도 4의 지그의 상부에 위치된 상태의 사시도이다.
도 8은 기판을 적재한 트레이가 지그의 상부에 위치된 상태의 사시도이다.
도 9는 도 8의 A-A에 따른 단면도이다.
도 10은 도 8의 B-B에 따른 단면도이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing a substrate processed in the substrate processing apparatus of FIG.
3 is a cross-sectional view of a plasma processing unit provided in a remote manner as an example of the plasma processing unit of FIG.
4 is a perspective view according to an embodiment of the jig of FIG.
Figure 5 is a perspective view of one embodiment of the tray of Figure 1;
6 is a bottom perspective view of the tray of FIG.
Figure 7 is a perspective view of the tray with the jig of Figure 4 being positioned on top.
8 is a perspective view of the tray with the substrate placed thereon.
9 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG.
10 is a sectional view taken along the line BB of Fig.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치에서 처리되는 기판을 나타내는 도면이다.FIG. 1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a view showing a substrate processed in the substrate processing apparatus of FIG.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 반입 유닛(100), 플라즈마 처리 유닛(200) 및 반출 유닛(300)을 포함한다.1, the substrate processing apparatus 10 includes a carry-in unit 100, a plasma processing unit 200, and a carry-out unit 300.

반입 유닛(100)은 플라즈마 처리될 기판(S)을 공급한다. 반입 유닛(100)은 반입 레일(110) 및 반입 셔틀(120)을 포함한다.The carry-in unit 100 supplies a substrate S to be plasma-processed. The loading unit 100 includes a loading rail 110 and a loading shuttle 120.

반입 레일(110)은 길이 방향이 임의의 일 방향을 따라 위치되게 제공될 수 있다. 이하 반입 레일(110)의 길이 방향을 제 1 방향(X), 위쪽에서 볼 때 제 1 방향(X)에 수직한 반입 레일(110)의 폭 방향을 제 2 방향(Y)이라 한다. 반입 레일(110)은 반입 셔틀(120)이 이동되는 경로를 제공한다. 예를 들어, 반입 레일(110)은 서로 나란하게 위치되는 한 쌍의 레일 또는 컨베이어 벨트 등으로 제공될 수 있다. The carry-in rail 110 may be provided so that its longitudinal direction is located along any one direction. The lengthwise direction of the carry-in rail 110 is referred to as a first direction X and the width direction of the carry-in rail 110 perpendicular to the first direction X as viewed from above is referred to as a second direction Y. [ The loading rail 110 provides a path through which the loading shuttle 120 is moved. For example, the loading rails 110 may be provided with a pair of rails or conveyor belts or the like positioned in parallel with each other.

반입 셔틀(120)은 반입 레일(110)의 길이 방향을 따라 이동 가능하게 반입 레일(110)에 위치된다. 반입 셔틀(120)은 플라즈마 처리될 기판(S)을 이송한다. 구체적으로, 복수의 기판(S)들은 트레이(400)의 상부에 위치된다. 그리고, 트레이(400)는 반입 셔틀(120)에 위치되어 이송된다. 기판(S)은 반도체 패키지의 생산에 이용될 수 있다. 즉, 반도체 패키지는 이후 공정에서 기판(S)과 회로가 형성된 다이를 부착하여 생산될 수 있다. 예를 들어, 기판(S)은 리드 프레임 또는 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board, PCB)일 수 있다. 또한, 기판(S)은 휴대폰의 생산 과정에 사용되는 리드 프레임 또는 인쇄 회로 기판일 수 있다.The loading shuttle 120 is positioned on the loading rail 110 so as to be movable along the longitudinal direction of the loading rail 110. The transfer shuttle 120 transfers the substrate S to be plasma-treated. Specifically, the plurality of substrates S are positioned on the top of the tray 400. [ Then, the tray 400 is positioned and transported to the loading shuttle 120. The substrate S can be used for the production of a semiconductor package. That is, the semiconductor package can be produced by attaching a die in which a substrate S and a circuit are formed in a subsequent step. For example, the substrate S may be a lead frame or a printed circuit board (PCB). Further, the substrate S may be a lead frame or a printed circuit board used in the production process of the mobile phone.

그리고, 기판(S)은 적층형 반도체 패키지의 생산에 이용될 수 있다. 예를 들어, 기판(S)을 이용하여 생산된 반도체 패키지는 다른 반도체 패키지와 상하로 결합될 수 있다. 또한, 기판(S)을 이용하여 생산된 반도체 패키지는 또 다른 기판(S) 또는 다이와 상하로 결합될 수 있다. 기판(S)의 일면 또는 양면에는 다이, 반도체 패키지 도는 다른 기판(S)과의 전기적 연결을 위한 단자(D)들이 제공될 수 있다.Then, the substrate S can be used for production of a stacked semiconductor package. For example, the semiconductor package produced using the substrate S can be coupled up and down with another semiconductor package. In addition, the semiconductor package produced using the substrate S can be coupled up and down with another substrate S or die. Terminals D for electrical connection with a die, a semiconductor package, or another substrate S may be provided on one side or both sides of the substrate S.

플라즈마 처리 유닛(200)은 반입 레일(110)의 일단에 인접하게 위치된다. 플라즈마 처리 유닛(200)은 플라즈마를 이용하여, 기판(S)의 표면 또는 단자(D)들에 있는 이물질과 산화층을 제거한다. 단자(D)들에 있는 이물질 또는 산화층은 이후 공정에서 기판(S)과 다이 또는 다른 기판과의 접촉성을 저해한다. 또는 기판(S)의 표면에 있는 이물질 또는 산화층은 몰딩 공정에서 몰딩 물질과 기판(S)의 접촉성 또는 몰딩 물질의 확산성을 저해한다. 따라서, 이물질 또는 산화층이 제거되면, 다이 또는 다른 기판과의 부착 공정 및 몰딩 공정에서의 효율이 향상된다.The plasma processing unit 200 is positioned adjacent to one end of the carry-in rail 110. The plasma processing unit 200 uses a plasma to remove foreign substances and oxide layers on the surface of the substrate S or the terminals D. [ The foreign matter or oxide layer on the terminals D hinders the contact between the substrate S and the die or other substrate in a subsequent process. Or the foreign substance or oxide layer on the surface of the substrate S hinders contact between the molding material and the substrate S in the molding process or diffusibility of the molding material. Therefore, when the foreign matter or the oxide layer is removed, the efficiency in the adhering process and the molding process with the die or other substrate is improved.

플라즈마 처리 유닛(200)은 리모트 방식으로 플라즈마를 생산한 후 기판(S)이 처리되는 공간으로 공급하도록 제공될 수 있다. 또한, 플라즈마 처리 유닛(200)은 할로우 캐소드 방식으로 플라즈마를 발생 시키도록 제공될 수 있다. 또한, 플라즈마 처리 유닛(200)은 유도 결합형 플라즈마(Inductively coupled plasma, ICP) 처리 유닛 또는 용량 결합형 플라즈마(Capacitively coupled plasma, CCP) 처리 유닛으로 제공될 수도 있다. 반입 유닛(100)에 위치된 트레이(400)는 이송 유닛(500)에 의해 플라즈마 처리 유닛(200)으로 반입된다. 구체적으로, 반입 레일(110)의 일단에는 로드 포트(600)가 제공될 수 있다. 로드 포트(600)에는 지그(700)가 대기 할 수 있다. 플라즈마 처리될 기판(S)이 적재된 트레이(400)는 지그(700)의 상부에 위치된 후, 지그(700)와 함께 플라즈마 처리 유닛(200)으로 반입된다. 그리고, 이송 유닛(500) 은 로더(500a), 로봇(500b) 및 언로더(500c)를 포함할 수 있다.The plasma processing unit 200 may be provided to supply the substrate S to the space in which the substrate S is processed after producing the plasma in a remote manner. Further, the plasma processing unit 200 may be provided to generate plasma in a hollow cathode manner. In addition, the plasma processing unit 200 may be provided as an inductively coupled plasma (ICP) processing unit or a capacitively coupled plasma (CCP) processing unit. The tray 400 placed in the carry-in unit 100 is carried into the plasma processing unit 200 by the transfer unit 500. Specifically, the load port 600 may be provided at one end of the carry-in rail 110. The jig 700 may stand by in the load port 600. [ The tray 400 on which the substrate S to be plasma-processed is placed is placed on the top of the jig 700 and then is brought into the plasma processing unit 200 together with the jig 700. The transfer unit 500 may include a loader 500a, a robot 500b, and an unloader 500c.

로더(500a)는 반입 유닛(100)의 일단으로 이송된 트레이(400)를 픽업하여 로드 포트(600)에 위치된 지그(700)의 상부에 위치시킬 수 있다. 또한, 로더(550a)는 트레이(400)의 상부에 위치된 기판(S)을 지그(700)의 상부에 위치된 다른 트레이(400)로 전달할 수 도 있다. 구체적으로, 로더(500a)는 트레이(400)가 로드 포트(600)로 이동되는 과정 또는 트레이(400)가 로드 포트(600)의 상부에 위치된 상태에서, 픽업 된 트레이(400)의 상하를 뒤집을 수 있다. 그리고, 지그(700)의 상부에는 다른 트레이(400)가 대기 상태이다. 따라서, 기판(S)은 반입 유닛(100)의 이송 과정에 사용된 트레이(400)에서 지그(700)의 상부에 대기 중인 트레이(400)로 전달 될수 있다. 이 과정에서, 기판(S)은 상하가 뒤집히게 된다.The loader 500a can pick up the tray 400 transferred to one end of the take-in unit 100 and place it on the jig 700 located in the load port 600. [ The loader 550a may also transfer the substrate S positioned on the top of the tray 400 to another tray 400 located above the jig 700. [ Specifically, the loader 500a moves up and down the picked-up tray 400 in a process of moving the tray 400 to the load port 600 or in a state where the tray 400 is positioned on the upper portion of the load port 600 It can be reversed. The other tray 400 is in the standby state at the upper portion of the jig 700. The substrate S can be transferred to the waiting tray 400 at the upper portion of the jig 700 in the tray 400 used for the conveyance of the conveyance unit 100. [ In this process, the substrate S is turned upside down.

로더(500a)는 반입 레일(110)의 일단과 로드 포트(600)가 인접한 곳에 위치될 수 있다. 예를 들어, 로더(500a)는 반입 레일(110)의 일단과 로드 포트(600)가 인접하는 영역에 대해 제 2 방향(Y)으로 인접하게 위치될 수 있다. 또한, 로더(500a)는 반입 레일(110)의 일단과 로드 포트(600) 사이에 위치될 수도 있다.The loader 500a may be located at a position where one end of the carry-in rail 110 and the load port 600 are adjacent to each other. For example, the loader 500a may be positioned adjacent to one end of the carry-in rail 110 and the region where the load port 600 is adjacent, in the second direction Y. [ In addition, the loader 500a may be positioned between one end of the loading rail 110 and the load port 600.

로봇(500b)은 로드 포트(600)에 위치된 지그(700) 및 트레이(400)를 픽업하여 플라즈마 처리 유닛(200)으로 반입시킨다. 또한, 로봇(500b)은 트레이(400)에 위치된 기판(S)에 플라즈마 처리가 완료된 후, 플라즈마 처리 유닛(200)에 위치된 지그(700) 및 트레이(400)를 픽업하여 로드 포트(600)로 반출한다. 플라즈마 처리 유닛(200)은 로드 포트(600)에 대해, 제 1 방향(X), 제 2 방향(Y) 또는 제 1 방향(X)에 대해 경사진 방향으로 이격되게 위치될 수 있다. 로봇(500b)은 로드 포트(600)과 플라즈마 처리 유닛(200)에 인접하게 위치될 수 있다. 일 예로, 로봇(500b)은 플라즈마 처리 유닛(200)과 로드 포트(600) 사이에 위치될 수 있다.The robot 500b picks up the jig 700 and the tray 400 located in the load port 600 and brings them into the plasma processing unit 200. [ The robot 500b also picks up the jig 700 and the tray 400 located in the plasma processing unit 200 after the plasma processing on the substrate S placed on the tray 400 is completed and the load port 600 ). The plasma processing unit 200 may be positioned to be spaced apart from the load port 600 in the oblique direction with respect to the first direction X, the second direction Y, or the first direction X. [ The robot 500b may be positioned adjacent to the load port 600 and the plasma processing unit 200. [ In one example, the robot 500b may be positioned between the plasma processing unit 200 and the load port 600.

언로더(500c)는 로드 포트(600)에 위치된 트레이(400)를 픽업하여 반출 유닛(300)으로 이송한다. 언로더(500c)는 로드 포트(600)와 후술 할 반출 레일(310)이 인접한 곳에 위치될 수 있다. 예를 들어, 언로더(500c)는 로드 포트(600)와 반출 유닛(300)의 일단이 인접하는 영역에 대해 반출 유닛(300)의 길이방향에 수직한 방향으로 인접하게 위치될 수 있다. 또한, 언로더(500c)는 로드 포트(600)와 반출 유닛(300) 사이에 위치될 수 도 있다.The unloader 500c picks up the tray 400 located in the load port 600 and transfers it to the take-out unit 300. [ The unloader 500c can be positioned adjacent to the load port 600 and a later-described take-out rail 310. [ For example, the unloader 500c may be positioned adjacent to the load port 600 and one end of the carry-out unit 300 in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the carry-out unit 300 with respect to the adjacent region. In addition, the unloader 500c may be located between the load port 600 and the carry-out unit 300. [

또한, 이송 유닛(500)에서 로더(500a)와 언로더(500c)는 생략될 수 도 있다. 따라서, 로봇(500b)이 반입 유닛(100)에서 트레이(400)를 픽업하여 로트 포트(600)에 위치된 지그(700)로 로딩하는 작업, 지그(700) 및 트레이(400)를 플라즈마 처리 유닛(200)으로 반입하거나 플라즈마 처리 유닛(200)에서 반출하는 작업, 로트 포트(600)에서 트레이(400)를 픽업하여 반출 유닛(300)으로 이송하는 작업을 모두 수행할 수 있다.Further, the loader 500a and the unloader 500c in the transfer unit 500 may be omitted. The robot 500b picks up the tray 400 from the loading unit 100 and loads the jig 700 and the tray 400 into the jig 700 located in the lot port 600, The tray 400 can be picked up from the lot port 600 and transferred to the take-out unit 300. In this case,

반출 유닛(300)은 로드 포트(600)에 인접하게 위치되어, 플라즈마 처리된 기판(S)이 적재된 트레이(400)를 반출한다. 반출 유닛(300)은 반출 레일(310) 및 반출 셔틀(320)을 포함한다.The carry-out unit 300 is positioned adjacent to the load port 600 to take out the tray 400 on which the plasma-processed substrate S is loaded. The take-out unit 300 includes a take-out rail 310 and a take-out shuttle 320.

반출 레일(310)은 길이 방향이 임의의 일 방 방향을 따라 위치되게 제공될 수 있다. 예를 들어, 반출 레일(310)은 로드 포트(600)를 기준으로 반입 레일(110)의 반대쪽에 위치되고, 길이 방향이 제 1 방향(X)으로 제공될 수 있다. 또한, 반출 레일(310)은 길이 방향이 제 2 방향(Y) 또는 제 1 방향(X)에 대해 경사진 방향으로 제공될 수 도 있다. 반출 레일(310)은 반출 셔틀(320)이 이동되는 경로를 제공한다. 예를 들어, 반출 레일(310)은 서로 나란하게 위치되는 한 쌍의 레일 또는 컨베이어 벨트 등으로 제공될 수 있다.The carry-out rail 310 may be provided so that its longitudinal direction is positioned along any one direction. For example, the carry-out rail 310 may be located on the opposite side of the carry-in rail 110 with respect to the load port 600, and the longitudinal direction may be provided in the first direction X. Further, the carry-out rail 310 may be provided in the longitudinal direction in the second direction Y or in the direction inclined with respect to the first direction X. [ The exit rail 310 provides a path through which the exit shuttle 320 is moved. For example, the carry-out rails 310 may be provided with a pair of rails or conveyor belts that are positioned in parallel with each other.

반출 셔틀(320)은 반출 레일(310)의 길이 방향을 따라 이동 가능하게 반출 레일(310)에 위치된다. 반출 셔틀(320)은 상부에 플라즈마 처리된 기판(S)이 적재된 트레이(400)를 이송한다. 구체적으로, 먼저 트레이(400)의 반출을 위해 반출 셔틀(320)은 로드 포트(600)와 인접한 반출 레일(310)의 단부에 위치된다. 언로더(500c)는 로드 포트(600)에 있는 지그(700)의 상부에서 트레이(400)를 픽업하여 반출 셔틀(320)로 이송시킨다. 이후, 반출 셔틀(320)은 반출 레일(310)을 따라 이동하여 트레이(400)를 반출한다.The dispatching shuttle 320 is positioned on the dispatching rail 310 so as to be movable along the lengthwise direction of the dispensing rail 310. The transfer shuttle 320 transfers the tray 400 on which the plasma-processed substrate S is loaded. Specifically, first, the carry-out shuttle 320 is positioned at the end of the carry-out rail 310 adjacent to the load port 600 for carrying out the tray 400. The unloader 500c picks up the tray 400 from the upper part of the jig 700 in the load port 600 and transfers the picked up tray to the unloading shuttle 320. [ Then, the transporting shuttle 320 moves along the transporting rail 310 to transport the tray 400.

도 3은 도 1의 플라즈마 처리 유닛의 일 예로, 리모트 방식으로 제공된 플라즈마 처리 유닛의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a plasma processing unit provided in a remote manner as an example of the plasma processing unit of FIG.

도 3을 참조하면, 플라스마 처리 유닛(200a)은 공정 챔버(2100), 서셉터(2200), 샤워 헤드(2300) 및 플라스마 공급부(2400)를 포함한다.3, the plasma processing unit 200a includes a process chamber 2100, a susceptor 2200, a showerhead 2300, and a plasma supply 2400. [

공정 챔버(2100)는 공정 처리가 수행되는 공간을 제공한다. 공정 챔버(2100)는 바디(2110)와 밀폐 커버(2120)를 가진다. 바디(2110)는 상면이 개방되며 내부에 공간이 형성된다. 바디(2110)의 측벽에는 상부에 트레이(400)가 위치된 지그(700)가 출입하는 개구(미도시)가 형성되며, 개구는 슬릿 도어(slit door)(미도시)와 같은 개폐 부재에 의해 개폐될 수 있다. 개폐 부재는 공정 챔버(2100) 내에서 트레이(400)에 위치된 기판(S) 처리가 수행되는 동안 개구를 폐쇄하고, 기판(S)이 공정 챔버(2100) 내부로 반입될 때와 공정 챔버(2100) 외부로 반출될 때 개구를 개방한다. 개구가 개방된 상태에서 로봇(500b)의 핸드부가 공정 챔버(2100) 내부로 출입한다. The process chamber 2100 provides a space in which process processing is performed. The process chamber 2100 has a body 2110 and a seal cover 2120. The upper surface of the body 2110 is opened and a space is formed therein. The side wall of the body 2110 is provided with an opening (not shown) through which the jig 700 with the tray 400 positioned thereon enters and exits and the opening is closed by an opening / closing member such as a slit door Can be opened and closed. The opening and closing member closes the opening while the substrate S placed in the tray 400 is being processed in the processing chamber 2100 and the opening is closed when the substrate S is brought into the processing chamber 2100, 2100) < / RTI > The hand of the robot 500b goes into and out of the process chamber 2100 with the opening being opened.

바디(2110)의 하부벽에는 배기홀(2111)이 형성된다. 배기홀(2111)은 배기 라인(2112)과 연결된다. 배기 라인(2112)을 통해 공정 챔버(2100)의 내부 압력이 조절되고, 공정에서 발생된 반응 부산물이 공정 챔버(2100) 외부로 배출된다.An exhaust hole 2111 is formed in the lower wall of the body 2110. The exhaust hole 2111 is connected to the exhaust line 2112. The internal pressure of the process chamber 2100 is controlled through the exhaust line 2112 and the reaction by-products generated in the process are discharged to the outside of the process chamber 2100.

밀폐 커버(2120)는 바디(2110)의 상부벽과 결합하며, 바디(2110)의 개방된 상면을 덮어 바디(2110) 내부를 밀폐시킨다. 밀폐 커버(2120)의 상단은 플라스마 공급부(2400)와 연결된다. 밀폐 커버(2120)에는 확산공간(2121)이 형성된다. 확산공간(2121)은 샤워 헤드(2300)에 가까워질수록 너비가 점차 넓어진다. 예를 들어, 확산공간(2121)은 역 깔때기 형상을 가질 수 있다.The sealing cover 2120 engages with the upper wall of the body 2110 and covers the open upper surface of the body 2110 to seal the inside of the body 2110. The upper end of the sealing cover 2120 is connected to the plasma supply part 2400. A diffusion space 2121 is formed in the sealing cover 2120. The diffusion space 2121 gradually gets wider as it gets closer to the shower head 2300. For example, the diffusion space 2121 may have an inverted funnel shape.

서셉터(2200)는 공정 챔버(2100) 내부에 위치된다. 서셉터의 상면에는 상부에 트레이(400)가 위치된 지그(700)가 놓여진다. 서셉터(2200)의 내부에는 냉각 유체가 순환하는 냉각 유로(미도시)가 형성될 수 있다. 냉각 유체는 냉각 유로를 따라 순환하며 서셉터(2200)와 지그(700)를 냉각한다. 서셉터(2200)에는 플라즈마에 의한 기판(s) 처리 정도를 조절하기 위해 바이어스 전원(2210)으로부터 전력이 인가될 수 있다. 바이어스 전원(2210)이 인가하는 전력은 라디오 주파수(radio frequency, RF) 전원일 수 있다. 서셉터(2200)는 바이어스 전원(2210)이 공급하는 전력에 의해 쉬즈를 형성하고, 그 영역에서 고밀도의 플라즈마를 형성하여 공정 능력을 향상시킬 수 있다.The susceptor 2200 is positioned within the process chamber 2100. On the upper surface of the susceptor, a jig 700 with a tray 400 positioned thereon is placed. A cooling passage (not shown) through which the cooling fluid circulates may be formed inside the susceptor 2200. The cooling fluid circulates along the cooling passage and cools the susceptor 2200 and the jig 700. The susceptor 2200 can be powered from the bias power supply 2210 to adjust the degree of processing of the substrate by the plasma. The power applied by the bias power supply 2210 may be a radio frequency (RF) power source. The susceptor 2200 forms sheath by the electric power supplied by the bias power source 2210, and high-density plasma is formed in the region to improve the process capability.

샤워 헤드(2300)는 바디(2110)의 상부벽에 결합된다. 샤워 헤드(2300)는 원판 형상으로, 서셉터(2200)의 상면과 나란하게 배치될 수 있다. 샤워 헤드(2300)는 표면이 산화 처리된 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 샤워 헤드(2300)에는 분배홀(2310)들이 형성된다. 분배홀(2310)들은 균일한 라디칼 공급을 위해 동심의 원주상에 일정 간격으로 형성될 수 있다. 확산공간(2121)에서 확산된 플라스마는 분배홀(2310)들에 유입된다. 이때 전자 또는 이온 등과 같은 하전 입자는 샤워 헤드(2300)에 갇히고, 산소 라디칼 등과 같이 전하를 띄지 않는 중성 입자들은 분배홀(2310)들을 통과하여 기판(S)으로 공급된다. 또한, 샤워 헤드는 접지되어 전자 또는 이온이 이동되는 통로를 형성할 수 있다.The shower head 2300 is coupled to the upper wall of the body 2110. The showerhead 2300 may have a disk shape and may be disposed in parallel to the upper surface of the susceptor 2200. The shower head 2300 may be provided with an aluminum material whose surface is oxidized. Discharge holes 2310 are formed in the shower head 2300. The distribution holes 2310 may be formed at regular intervals on the circumference of the concentric circle for uniform radical supply. The plasma diffused in the diffusion space 2121 flows into the distribution holes 2310. At this time, charged particles such as electrons or ions are trapped in the showerhead 2300, and neutral particles, such as oxygen radicals, which are not charged, are supplied to the substrate S through the distribution holes 2310. Further, the showerhead may be grounded to form a passage through which electrons or ions move.

플라스마 공급부(2400)는 플라스마를 생성하여, 공정 챔버(2100)로 공급한다. 플라스마 공급부(2400)는 공정 챔버(2100)의 상부에 제공될 수 있다. 플라스마 공급부(2400)는 발진기(2410), 도파관(2420), 유전체 관(2430) 및 공정 가스 공급부(2440)를 포함한다.A plasma supply 2400 generates a plasma and supplies it to the process chamber 2100. A plasma supply 2400 may be provided on top of the process chamber 2100. The plasma supply 2400 includes an oscillator 2410, a waveguide 2420, a dielectric tube 2430, and a process gas supply 2440.

발진기(2410)는 전자기파를 발생시킨다. 도파관(2420)은 발진기(2410)와 유전체 관(2430)을 연결하며, 발진기(2410)에서 발생된 전자기파가 유전체 관(2430) 내부로 전달되는 통로를 제공한다. 공정 가스 공급부(2440)는 유전체 관(2430) 내부로 공정 가스를 공급한다. 공정 가스는 산소 및 질소를 포함할 수 있다. 또한 공정 가스는 불소계열의 가스를 포함할 수 있다. 유전체 관(2430) 내부로 공급된 공정 가스는 전자기파에 의해 플라스마 상태로 여기된다. 플라스마는 유전체 관(2430)을 거쳐 확산공간(2121)으로 유입된다.The oscillator 2410 generates an electromagnetic wave. The waveguide 2420 connects the oscillator 2410 and the dielectric tube 2430 and provides a path through which electromagnetic waves generated from the oscillator 2410 are transmitted into the dielectric tube 2430. The process gas supply unit 2440 supplies the process gas into the dielectric pipe 2430. The process gas may include oxygen and nitrogen. The process gas may also include a fluorine-based gas. The process gas supplied into the dielectric tube 2430 is excited into a plasma state by electromagnetic waves. The plasma is introduced into the diffusion space 2121 through the dielectric tube 2430.

도 4는 도 1의 지그의 일 실시 예에 따른 사시도이다.4 is a perspective view according to an embodiment of the jig of FIG.

도 4를 참조하면, 지그(700)는 설정 두께를 갖는 플레이트 형상으로 제공된다. 지그(700)의 상면에는 결합 홈(710)들이 형성된다. 결합 홈(710)들은 지그(700) 상면의 가장 자리를 따라 형성되는 제 1 결합 홈(710a)들 및 지그(700) 상면의 중앙 영역에 형성되는 제 2 결합 홈(710b)들을 포함할 수 있다. 또한, 제 1 결합 홈(710a)들 또는 제 2 결합 홈(710b)들 가운데 하나는 생략될 수 있다.Referring to Fig. 4, the jig 700 is provided in the form of a plate having a predetermined thickness. On the upper surface of the jig 700, coupling grooves 710 are formed. The engaging grooves 710 may include first engaging grooves 710a formed along the edge of the upper surface of the jig 700 and second engaging grooves 710b formed in a central region of the upper surface of the jig 700 . Also, one of the first engaging grooves 710a or the second engaging grooves 710b may be omitted.

지그(700)의 측면에는 이송 홈(720)이 형성될 수 있다. 이송 홈(720)은 서로 대향되는 지그(700)의 양측면에 쌍을 이루도록 형성될 수 있다. 이송 홈(720)은 지면에 나란한 방향으로 슬릿 형상으로 제공될 수 있다. 따라서, 로봇(500b)의 핸드(510b)가 슬라이드 되면서 이송 홈(720)에 삽입되는 방식으로 로봇(500b)은 지그(700)를 픽업할 수 있다.A feed groove 720 may be formed in the side surface of the jig 700. The transfer grooves 720 may be formed on both sides of the jig 700 facing each other. The feed groove 720 may be provided in a slit shape in a direction parallel to the paper surface. Accordingly, the robot 500b can pick up the jig 700 in such a manner that the hand 510b of the robot 500b is slid and inserted into the feed groove 720. [

또한, 이송 홈(720)은 생략될 수 있다. 이때, 로봇(500b)은 지그(700)의 측면을 그립하여 지그(700)를 픽업할 수 있게 제공된다.Further, the feed groove 720 may be omitted. At this time, the robot 500b is provided to pick up the jig 700 by gripping the side surface of the jig 700. [

지그(700)는 절연체로 제공된다. 지그(700)는 설정 값 이상의 유전율을 가는 재질로 선택될 수 있다. 예를 들어, 지그(700)는 유전율이 3 이상인 물질 가운데 선택될 수 있다. 일 예로, 지그(700)는 세라믹으로 제공될 수 있다.The jig 700 is provided as an insulator. The jig 700 can be selected as a material having a permittivity higher than a set value. For example, the jig 700 may be selected from materials having a dielectric constant of 3 or more. In one example, the jig 700 may be provided as a ceramic.

도 5는 도 1의 트레이의 일 실시 예에 따른 사시도이고, 도 6은 도 5의 트레이의 저면 사시도이고, 도 7은 트레이가 도 4의 지그의 상부에 위치된 상태의 사시도이다.Fig. 5 is a perspective view of the tray of Fig. 1, Fig. 6 is a bottom perspective view of the tray of Fig. 5, and Fig. 7 is a perspective view of the tray being positioned on top of the jig of Fig.

이하, 트레이(400)는 각각의 모서리가 제 1 방향(X), 제 2 방향(Y)에 대해 나란하게 되도록 위치된 상태를 기준으로 설명한다.Hereinafter, the tray 400 will be described with reference to a state where each of the corners is positioned so as to be parallel to the first direction X and the second direction Y. [

도 5 내지 도 7을 참조하면, 트레이(400)의 상부에는 복수의 수용부(410)들이 형성된다. 각각의 수용부(410)에는 기판(S)이 위치된다. 도면에서는 수용부(410)가 4개인 경우를 도시하였으나, 수용부(410)의 수는 필요에 따라 변경될 수 있다. 각각의 수용부(410)는 지지 돌기(420)들에 의해 구획될 수 있다. 제 1 방향(X) 또는 제 2 방향(Y)으로 서로 마주보는 지지 돌기(420)들 사이의 이격 거리는 기판(S)의 폭에 대응된다. 지지 돌기(420)들은 제 1 지지 돌기(420a)들 및 제 2 지지 돌기(420b)들을 포함한다. 제 1 지지 돌기(420a)는 제 1 방향(X)을 따라 트레이(400) 상부의 가장 자리 및 수용부(410)와 수용부(410) 사이에 형성된다. 그리고, 제 2 지지 돌기(420b)는 제 2 방향(Y)을 따라 트레이(400) 상부의 가장 자리 및 수용부(410)와 수용부(410) 사이에 형성된다. 지지 돌기(420)의 측면은 제 1 방향(X) 및 제 2 방향(Y)에 수직한 상하 방향과 나란하게 수직으로 형성될 수 있다. 따라서, 기판(S)이 수용부(410)에 위치되면, 기판(S)의 측면은 지지 돌기(420)들에 의해 지지되고, 기판(S)의 저면은 트레이(400)의 상면에 접하게 된다.Referring to FIGS. 5 to 7, a plurality of receiving portions 410 are formed on the tray 400. The substrate S is placed in each of the receiving portions 410. Although the figure shows the case where there are four receiving portions 410, the number of receiving portions 410 may be changed as needed. Each receiving portion 410 may be partitioned by the support protrusions 420. The distance between the support protrusions 420 facing each other in the first direction X or the second direction Y corresponds to the width of the substrate S. The support protrusions 420 include first support protrusions 420a and second support protrusions 420b. The first support protrusion 420a is formed at the edge of the upper portion of the tray 400 along the first direction X and between the receiving portion 410 and the receiving portion 410. The second support protrusion 420b is formed at the edge of the tray 400 along the second direction Y and between the receiving portion 410 and the receiving portion 410. The side surfaces of the support protrusions 420 may be formed to be perpendicular to the vertical direction perpendicular to the first direction X and the second direction Y. [ The side surface of the substrate S is supported by the supporting protrusions 420 and the bottom surface of the substrate S is brought into contact with the upper surface of the tray 400 .

또한, 제 1 지지 돌기(420a)들 및 제 2 지지 돌기(420b)들은 인접한 것들이 서로 연결되게 제공될 수 있다. 즉, 각각의 수용부(410)들은 트레이(400)의 상면에서 격자 형상으로 돌출된 리브들에 의해 구획될 수 도 있다.In addition, the first support protrusions 420a and the second support protrusions 420b may be provided so that adjacent ones are connected to each other. In other words, each of the receiving portions 410 may be partitioned by ribs protruding in a lattice form on the upper surface of the tray 400.

각각의 수용부(410)의 가운데에는 홈 형상의 단차부(411)가 형성된다. 그리고, 단차부(411)의 가운데에는 홀(412)이 형성된다.A groove-like stepped portion 411 is formed in the center of each of the receiving portions 410. A hole 412 is formed in the center of the stepped portion 411.

트레이(400) 하면에는 가장 자리를 따라 제 1 고정 돌기(430)들이 형성된다. 제 1 고정 돌기(430)들은 제 1 결합 홈(710a)에 대응되게 형성되어, 트레이(400)가 지그(700)의 상면에 위치되면, 제 1 고정 돌기(430)들은 제 1 결합 홈(710a)으로 삽입된다.The first fixing protrusions 430 are formed on the lower surface of the tray 400 along the edges. The first fixing protrusions 430 are formed to correspond to the first coupling grooves 710a so that when the tray 400 is positioned on the upper surface of the jig 700, the first fixing protrusions 430 are inserted into the first coupling grooves 710a ).

트레이(400)의 하면은 중앙 부분이 함입되어, 홈 형상을 유동 공간(440)을 형성한다. 그리고, 트레이(400)의 측면에는 유동 공간(440)과 트레이(400)의 외부가 연통되도록 하는 유입부(450)가 형성된다. 유입부(450)는 트레이(400)의 저면 가장 자리에서 상부로 함입되는 홈 형성으로 형성될 수 있다. 또한, 유입부(450)는 트레이(400)의 측면에 형성되고, 유동 공간(440)과 연결되는 홀로 형성될 수 도 있다.The lower surface of the tray 400 has a central portion thereof embedded therein, and a groove shape is formed in the flow space 440. An inlet 450 is formed in the side surface of the tray 400 to allow the flow space 440 and the outside of the tray 400 to communicate with each other. The inlet portion 450 may be formed by a groove formed at the bottom edge of the tray 400 to be inserted upward. The inlet 450 may be formed on the side surface of the tray 400 and may be formed as a hole connected to the flow space 440.

트레이(400)의 중앙부에는 리브(460)가 형성될 수 있다. 리브(460)는 홀(412)이 형성되지 않은 부분에서 저면을 향해 돌출되게 형성된다. 리브(460)는 제 2 결합 홈(710b)들이 형성된 부분에 대응되게 돌출된다. 리브(460)의 상하 방향 단부는 제 1 고정 돌기(430)들이 형성된 트레이(400)의 저면 가장 자리에 대응되게 위치될 수 있다. 그리고, 리브(460)의 단부에는 제 2 고정 돌기(461)들이 형성될 수 있다. 제 2 고정 돌기(461)들은 제 2 결합 홈(710b)들에 대응되게 형성되어, 트레이(400)가 지그(700)의 상부에 위치되면, 제 2 고정 돌기(461)들은 제 2 결합 홈(710b)들에 삽입된다. 또한, 지그(700)에서 제 1 결합 홈(710a)들 또는 제 2 결합 홈(710b)들 가운데 하나는 생략된 경우, 그에 대응하여 제 1 고정 돌기(430) 또는 제 2 고정 돌기(461)는 생략될 수 있다.A rib 460 may be formed at the center of the tray 400. The rib 460 is formed so as to protrude from the portion where the hole 412 is not formed toward the bottom surface. The ribs 460 protrude corresponding to the portions where the second engagement grooves 710b are formed. The upper and lower ends of the ribs 460 may be positioned corresponding to the bottom edge of the tray 400 on which the first fixing protrusions 430 are formed. The second fixing protrusions 461 may be formed at the end of the rib 460. The second fixing protrusions 461 are formed to correspond to the second engaging grooves 710b so that when the tray 400 is positioned on the upper side of the jig 700, 710b. When one of the first engaging grooves 710a or the second engaging grooves 710b in the jig 700 is omitted, the first fixing protrusion 430 or the second fixing protrusion 461 corresponding thereto Can be omitted.

도 8은 기판을 적재한 트레이가 지그의 상부에 위치된 상태의 사시도이다.8 is a perspective view of the tray with the substrate placed thereon.

도 1 내지 도 8을 참조하면, 트레이(400)에 적재된 기판(S)은 트레이(400)를 반입 유닛(100), 플라즈마 처리 유닛(200) 및 반출 유닛(300)의 순서로 이동시키면서 플라즈마 처리될 수 있다. 구체적으로, 반입 유닛(100)으로 이송된 트레이(400)는 지그(700)에 적재된 후, 지그(700)와 함께 플라즈마 처리 유닛(200)으로 반입된다. 기판(S)에 플라즈마 처리가 완료되면, 트레이(400)는 지그(700)와 함께 플라즈마 처리 유닛(200)에서 로드 포트(600)로 반출된다. 그리고, 트레이(400)는 지그(700)에서 언로딩 된 후, 반출 유닛(300)으로 이동 된다. 따라서, 플라즈마 처리를 위해 기판(S)을 플라즈마 처리 유닛(200)으로 반입 및 반출하는 과정에서, 기판(S)은 트레이(400)에 적재된 상태로 이동된다. 따라서, 기판(S)을 개별적으로 로딩 또는 언로딩 할 필요가 없어, 기판(S)을 플라즈마 처리하는 공정의 속도가 향상될 수 있다.1 to 8, the substrate S mounted on the tray 400 moves the tray 400 in the order of the carry-in unit 100, the plasma processing unit 200, and the carry-out unit 300, Lt; / RTI > Specifically, the tray 400 transferred to the carry-in unit 100 is loaded on the jig 700 and then carried into the plasma processing unit 200 together with the jig 700. When the plasma processing is completed on the substrate S, the tray 400 is carried out together with the jig 700 to the load port 600 in the plasma processing unit 200. Then, the tray 400 is unloaded from the jig 700 and then moved to the take-out unit 300. Thus, in the process of bringing the substrate S into and out of the plasma processing unit 200 for plasma processing, the substrate S is moved to the state loaded on the tray 400. [ Therefore, it is not necessary to separately load or unload the substrate S, and the speed of the process of plasma-processing the substrate S can be improved.

도 9는 도 8의 A-A에 따른 단면도이고, 도 10은 도 8의 B-B에 따른 단면도이다.9 is a sectional view taken along the line A-A in Fig. 8, and Fig. 10 is a sectional view taken along line B-B in Fig.

도 1 내지 도 10을 참조하면, 기판(S)은 양면 모두에 플라즈마 처리될 수 있다.Referring to Figures 1 to 10, the substrate S may be plasma treated on both sides.

구체적으로, 플라즈마 처리 유닛(200)의 내부에서 생성된 플라즈마는 기판(S)의 상면으로 공급되어, 기판(S)의 상면을 플라즈마 처리한다.Specifically, the plasma generated inside the plasma processing unit 200 is supplied to the upper surface of the substrate S, and the upper surface of the substrate S is plasma-processed.

또한, 트레이(400)의 측면 또는 지그(700)의 측면 주면에 있는 플라즈마는 유입부(450)를 통해 유동 공간(440)으로 유입된다. 유동 공간(440)은 홀(412)을 통해 단차부(411)와 연결되게 형성된다. 따라서, 유동 공간(440)으로 유입된 플라즈마는 단차부(411)로 공급되어, 기판(S)의 저면을 플라즈마 처리할 수 있다.The plasma on the side of the tray 400 or the side surface of the jig 700 flows into the flow space 440 through the inlet 450. The flow space 440 is formed to be connected to the step portion 411 through the hole 412. Therefore, the plasma introduced into the flow space 440 is supplied to the stepped portion 411, so that the bottom surface of the substrate S can be plasma-processed.

또한, 지그(700)는 기판(S)이 플라즈마 처리 되는 과정에서 손상되는 것이 방지된다. 구체적으로, 기판(S) 주위에는 전하를 띠는 플라즈마가 존해할 수 있다. 또한, 서셉터(2200)에는 바이어스 전원(2210)에 의한 전위가 발생될 수 있다. 이와 같은, 플라즈마와 서셉터(2200)의 전위차에 의해 기판(S) 주위에는 기생 플라즈마 또는 아크가 발생될 수 있다. 그러나, 지그(700)가 절연체로 제공되는 경우, 기판(S)이 위치된 주위에서 플라즈마와 서셉터(2200)사이에 직접적으로 전기장이 형성되는 것이 차단되어, 기생 플라즈마 또는 아크가 발생되는 것이 방지된다.Further, the jig 700 is prevented from being damaged in the course of plasma processing of the substrate S. Specifically, plasma around the substrate S may be affected by electric charges. Further, a potential by the bias power supply 2210 may be generated in the susceptor 2200. By such a potential difference between the plasma and the susceptor 2200, parasitic plasma or arc can be generated around the substrate S. However, when the jig 700 is provided as an insulator, it is prevented that an electric field is directly formed between the plasma and the susceptor 2200 in the circumference where the substrate S is located, thereby preventing generation of parasitic plasma or arc do.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover further embodiments.

100: 반입 유닛 110: 반입 레일
120: 반입 셔틀 200: 플라즈마 처리 유닛
300: 반출 유닛 310: 반출 레일
320: 반출 셔틀 400: 트레이
410: 수용부 411: 단차부
412: 홀 420: 지지 돌기
500: 이송 유닛 500a: 로더
500b: 로봇 500c: 언로더
600: 로드 포트 700: 지그
710: 결합 홈 720: 이송 홈100: Bringing unit 110: Bringing rail
120: Transfer shuttle 200: Plasma processing unit
300: carry-out unit 310: carry-out rail
320: Exit shuttle 400: Tray
410: receiving portion 411: stepped portion
412: hole 420: support projection
500: transfer unit 500a: loader
500b: robot 500c: unloader
600: load port 700: jig
710: engaging groove 720:

Claims (20)

기판들이 적재될 수 있고, 하면의 중앙 부분이 함입되어 형성되는 유동 공간과 상기 유동 공간과 외부가 연통되도록 하는 유입부가 형성된 트레이;
플라즈마 처리 전의 상기 기판들이 적재된 상기 트레이를 반입하는 반입 유닛;
상부에 상기 기판이 적재된 상태의 상기 트레이가 위치될 수 있는 지그;
상기 지그가 대기 할 수 있는 로드 포트;
상기 기판들이 적재된 상태의 상기 트레이를 상기 반입 유닛에서 픽업하여 상기 로드 포트에 대기하는 상기 지그의 상부에 위치시키는 로더;
상기 트레이 및 상기 지그가 반입되어, 상기 기판에 대한 플라즈마 처리가 수행될 수 있는 플라즈마 처리 유닛;
플라즈마 처리 후의 상기 기판들을 적재한 상기 트레이를 반출하는 반출 유닛을 포함하는 기판 처리 장치.A tray on which substrates can be stacked and on which a central portion of a lower surface is embedded, and an inlet portion through which the flow space is communicated with the outside;
A loading unit for loading the tray on which the substrates before plasma processing are loaded;
A jig on which the tray with the substrate loaded thereon can be placed;
A load port on which the jig can stand;
A loader for picking up the tray in a state in which the boards are loaded in the carry-in unit and placing the tray on an upper portion of the jig waiting on the load port;
A plasma processing unit in which the tray and the jig are brought in and a plasma process for the substrate can be performed;
And a carry-out unit for carrying out the tray on which the substrates after the plasma processing are stacked. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는 상기 로드 포트에서 상부에 상기 트레이가 위치된 상기 지그를 상기 플라즈마 처리 유닛으로 반입하거나, 상기 플라즈마 처리 유닛에서 상기 로드 포트로 반출하는 로봇을 더 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the substrate processing apparatus further comprises a robot for bringing the jig into which the tray is placed from the load port to the plasma processing unit or from the plasma processing unit to the load port. 제 1 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는 상기 로드 포트에서 상기 지그의 상부에 위치된 상기 트레이를 픽업하여 상기 반출 유닛으로 이송하는 언로더를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the substrate processing apparatus further comprises an unloader for picking up the tray positioned at the top of the jig at the load port and transferring the tray to the take-out unit. 제 1 항에 있어서,
상기 트레이의 하부에는 고정 돌기들이 형성되고,
상기 지그의 상면에는 상기 고정 돌기들이 삽입되는 결합 홈들이 형성되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Fixing projections are formed on a lower portion of the tray,
And coupling grooves into which the fixing protrusions are inserted are formed on an upper surface of the jig. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 트레이는,
상부에 형성되고, 상기 기판들이 각각 수용될 수 있는 수용부들;
상기 수용부들의 가운데에 홈 형상으로 형성되는 단차부들;
상기 단차부들 각각의 가운데에 형성되는 홀을 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The tray may include:
Receiving portions formed on the substrate, the receiving portions being capable of receiving the substrates, respectively;
Stepped portions formed in a groove shape in the center of the accommodating portions;
And a hole formed in the center of each of the stepped portions. 제 7 항에 있어서,
상기 홀은 상기 유동 공간과 연통되는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
And the hole communicates with the flow space. 제 1 항에 있어서,
상기 트레이는 절연체로 형성되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the tray is formed of an insulator. 제 1 항에 있어서,
상기 트레이는 유전율이 3 이상인 물질로 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the tray is provided with a material having a dielectric constant of 3 or more. 제 1 항에 있어서,
상기 플라스마 처리 유닛은,
내부에 공간이 형성된 공정 챔버;
상기 공정 챔버 내부에 위치하며, 상기 기판을 지지하는 서셉터;
상기 공정 챔버 내부로 플라스마를 공급하는 플라스마 공급부를 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The plasma processing unit includes:
A process chamber in which a space is formed;
A susceptor positioned within the process chamber and supporting the substrate;
And a plasma supply unit for supplying plasma into the process chamber. 제 11 항에 있어서,
상기 서셉터에는 바이어스 전원이 연결되는 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
And a bias power source is connected to the susceptor. 하면의 중앙 부분이 함입되어 형성되는 유동 공간과 상기 유동 공간과 외부가 연통되도록 하는 유입부가 형성되고 플라즈마 처리 전의 기판들이 적재된 트레이를 반입 유닛을 통해 이송하는 단계;
상기 기판들이 적재된 상태의 상기 트레이를 상기 반입 유닛에서 로드 포트에 대기 중인 지그의 상부에 위치시키는 단계;
상기 지그, 상기 트레이, 및 상기 기판을 플라즈마 처리 유닛에 함께 반입하여, 상기 기판들에 대해 플라즈마 처리 하는 단계; 및
상기 트레이 및 상기 지그를 함께 상기 플라즈마 처리 유닛에서 반출하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.Transferring a tray in which the substrates before the plasma processing are stacked, through the carrying unit, in which a flow space formed by the central part of the lower surface is embedded, and an inlet part through which the flow space and the outside communicate with each other;
Positioning the tray in a state in which the substrates are loaded on an upper portion of a jig waiting in a load port in the carry-in unit;
Bringing the jig, the tray, and the substrate together into a plasma processing unit to perform plasma processing on the substrates; And
And removing the tray and the jig together from the plasma processing unit. 삭제delete 제 13 항에 있어서,
플라즈마 처리 유닛에서 상기 기판에 대한 플라즈마 처리 후, 상기 트레이 및 상기 지그는 상기 로드 포트로 반출되는 기판 처리 방법.14. The method of claim 13,
And after the plasma treatment on the substrate in the plasma processing unit, the tray and the jig are carried out to the load port. 제 15 항에 있어서,
플라즈마 처리 후의 상기 기판들이 적재된 상기 트레이는 상기 지그의 상부에서 반출 유닛으로 이송되는 기판 처리 방법.16. The method of claim 15,
Wherein the tray loaded with the substrates after plasma processing is transferred from the top of the jig to the carry-out unit. 회로가 형성된 다이와 부착되기 위한 단자가 제공된 기판들이 적재된 트레이를 절연체로 제공되고, 하면의 중앙 부분이 함입되어 형성되는 유동 공간과 상기 유동 공간과 외부가 연통되도록 하는 유입부가 형성된 지그의 상부에 위치시킨 후, 플라즈마 처리 유닛으로 반입하여 상기 기판에 대한 플라즈마 처리를 수행하는 기판 처리 방법.A tray provided with a substrate on which a circuit for forming a circuit is provided is provided as an insulator and is provided on an upper portion of a jig having a flow space formed by the central portion of the lower surface being embedded and an inflow portion communicating with the flow space, And then carrying it into the plasma processing unit to perform plasma processing on the substrate. 삭제delete 제 17 항에 있어서,
상기 기판의 외면 또는 상기 단자에 있는 이물질 또는 산화층은 상기 플라즈마 처리에 의해 제거되는 기판 처리 방법.18. The method of claim 17,
Wherein an outer surface of the substrate or a foreign substance or oxide layer on the terminal is removed by the plasma treatment. 제 17 항에 있어서,
상기 지그는 절연체로 제공되어, 상기 플라즈마 처리가 수행되는 동안 상기 기판의 주위에 아크 또는 기생 플라즈마가 발생되는 것을 차단하는 기판 처리 방법.18. The method of claim 17,
Wherein the jig is provided as an insulator so as to prevent arc or parasitic plasma from being generated around the substrate while the plasma process is being performed.
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