KR101562768B1 - Chamber for heat treatment equipment and heat treatment equipment - Google Patents
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Abstract
열처리 장치용의 챔버에 대해서, 대형이어도 제작에 드는 수고를 보다 줄일 수 있도록 한다.
열처리 장치(1)의 챔버(4)는, 피처리물을 둘러싸기 위한 통형상의 측벽(12)과, 측벽(12)의 일방의 개구부(12b)를 막는 단벽(13)을 가지고 있다. 챔버(4)는, 산화 규소를 주성분으로 하는 복수의 부재(측벽(12), 단벽(13), 제1 연결 부재(14), 제2 연결 부재(15)가 기계 결합되어 형성되어 있다. As for the chambers for the heat treatment apparatus, it is possible to further reduce the labor required for fabrication even in a large size.
The chamber 4 of the heat treatment apparatus 1 has a tubular sidewall 12 for surrounding the article to be processed and an end wall 13 for closing one of the openings 12b of the sidewall 12. The chamber 4 is formed by mechanically coupling a plurality of members (the side wall 12, the end wall 13, the first connecting member 14, and the second connecting member 15) which are made of silicon oxide as a main component.
Description
본 발명은 가열된 분위기 하에서 피처리물을 처리하기 위한, 열처리 장치의 챔버, 및 열처리 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a chamber of a heat treatment apparatus and a heat treatment apparatus for treating an object to be treated in a heated atmosphere.
유리 기판 등의 처리 기판에 열처리를 행하기 위한, 열처리 장치가 알려져 있다(예를 들어, 특허 문헌 1 참조). 열처리 장치의 일례로서, 특허 문헌 1에 기재된 열처리 장치는, 열처리 용기를 가지고 있다. 이 열처리 용기는 석영 튜브이다. BACKGROUND ART A heat treatment apparatus for performing a heat treatment on a processed substrate such as a glass substrate is known (see, for example, Patent Document 1). As an example of the heat treatment apparatus, the heat treatment apparatus disclosed in
최근, 처리 기판의 대형화에 수반하여, 석영 튜브의 사이즈도 대형화하는 경향이 있다. 여기서, 강도 상의 이유 등에 의해, 석영 튜브 대신에 금속제의 튜브를 이용하는 것은 곤란하다. 따라서, 보다 사이즈가 큰 석영 튜브가 요구되고 있다. 그렇지만, 대형의 석영 튜브를 제작하는 것은 난이도가 높다. 구체적으로는, 상기의 석영 튜브는 단일 부재이다. 이 때문에, 예를 들어, 석영 튜브 제작 시에는, 석영 튜브의 측벽과 단벽(端壁)을 따로 따로 제작하고, 그 후, 이들 대형의 측벽과 단벽을 용접하는 작업이 발생한다. 이러한 용접 작업은 시간이 든다. In recent years, with the increase in the size of the processed substrate, the size of the quartz tube tends to be increased. Here, it is difficult to use a metal tube instead of the quartz tube for reasons of strength or the like. Therefore, a quartz tube having a larger size is required. However, it is difficult to manufacture a large-sized quartz tube. Specifically, the quartz tube is a single member. For this reason, for example, at the time of manufacturing a quartz tube, the side wall and the end wall of the quartz tube are separately prepared, and then the work of welding these large side walls and the end wall occurs. These welding operations take time.
본 발명은, 상기 사정을 감안함으로써, 열처리 장치용의 챔버에 대해서, 대형이어도 제작에 드는 수고를 보다 줄일 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다. In view of the above circumstances, it is an object of the present invention to provide a chamber for a heat treatment apparatus capable of further reducing the labor required for fabrication even if it is large.
(1) 상기 과제를 해결하기 위해, 이 발명의 어느 국면에 관련된 열처리 장치용의 챔버는, 피처리물을 둘러싸기 위한 통형상의 측벽과, 상기 측벽의 일방의 개구부를 막는 단벽을 구비하고, 상기 챔버는, 산화 규소를 주성분으로 하는 복수의 부재가 기계 결합되어 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. (1) In order to solve the above problems, a chamber for a heat treatment apparatus according to any one aspect of the present invention includes a tubular sidewall for surrounding a material to be processed, and an end wall for closing one of the sidewalls, The chamber is characterized in that a plurality of members mainly composed of silicon oxide are formed by mechanical coupling.
또한, 상기의 「기계 결합」이란, 복수의 부재가 서로 별개의 부재인(분리 가능한) 상태가 유지된 상태로, 서로 결합되어 있는 것을 말한다. The above-mentioned " mechanical coupling " means that a plurality of members are coupled to each other in a state in which a plurality of members are separated from each other (detachable).
이 구성에 의하면, 챔버는, 산화 규소를 주성분으로 하는 부재에 의해 형성되어 있다. 이것에 의해, 챔버는, 강도 및 내열성이 우수하여, 고온 환경 하에서의 사용에 충분히 견딜 수 있다. 또, 챔버는, 복수의 부재가 기계 결합되어 형성되어 있다. 이 구성에 의해, 챔버의 제작 시, 복수의 부재를 용접시킨다는, 수고스러운 작업을 가급적으로 줄일 수 있다. 이 때문에, 챔버의 사이즈에 관계없이, 챔버의 제작에 드는 수고를 보다 줄일 수 있다. 이상과 같이, 본 발명에 의하면, 열처리 장치용의 챔버에 대해서, 대형이어도 제작에 드는 수고를 보다 줄일 수 있다. According to this structure, the chamber is formed by a member containing silicon oxide as a main component. Thus, the chamber is excellent in strength and heat resistance, and can withstand the use under a high temperature environment. The chamber is formed by mechanically coupling a plurality of members. With this configuration, it is possible to reduce the troublesome work of welding a plurality of members at the time of manufacturing the chamber as much as possible. Therefore, irrespective of the size of the chamber, the labor required for manufacturing the chamber can be further reduced. As described above, according to the present invention, it is possible to further reduce the labor required for fabrication of a chamber for a heat treatment apparatus even if it is large.
(2) 바람직하게는, 상기 복수의 부재의 재질은, 유리, 석영, 및 세라믹 중 적어도 1개를 포함한다. (2) Preferably, the material of the plurality of members includes at least one of glass, quartz, and ceramics.
이 구성에 의하면, 강도 및 내열성이 우수한 챔버를 비교적 용이하게 실현할 수 있다. According to this configuration, a chamber having excellent strength and heat resistance can be realized relatively easily.
(3) 바람직하게는, 상기 복수의 부재는, 복수의 평판형상 부재와, 복수의 제1 연결 부재를 포함하고, 복수의 상기 평판형상 부재는, 전체적으로 통형상을 구성하도록 배열되어 있으며, 상기 제1 연결 부재는, 인접하는 상기 평판형상 부재들을 연결한다. (3) Preferably, the plurality of members include a plurality of flat plate members and a plurality of first connecting members, and the plurality of flat plate members are arranged so as to form a tubular shape as a whole, 1 connecting member connects adjacent flat plate members.
이 구성에 의하면, 복수의 평판형상 부재를 조합함으로써, 통형상의 측벽을 실현할 수 있다. 또, 복수의 평판형상 부재는, 예를 들어, 겹쳐진 상태로 반송될 수 있다. 이 때문에, 평판형상 부재의 반송 작업, 즉, 측벽의 반송 작업을 용이하게 행할 수 있다. 또, 평면적인 형상인 평판형상 부재를 조합함으로써, 입체적인 형상인 측벽을 형성할 수 있다. 따라서, 측벽의 제조에 드는 수고를 보다 줄일 수 있다. According to this configuration, by combining a plurality of flat plate members, a cylindrical side wall can be realized. In addition, a plurality of flat plate members can be conveyed, for example, in an overlapped state. Therefore, the conveying operation of the flat plate member, that is, the conveying operation of the side wall can be easily performed. Further, by combining plate-like members having a planar shape, it is possible to form a three-dimensional side wall. Therefore, it is possible to further reduce the labor required for manufacturing the side wall.
(4) 보다 바람직하게는, 상기 복수의 부재는, 빔형상의 제2 연결 부재를 포함하고, 상기 제2 연결 부재는, 복수의 상기 평판형상 부재들을 연결하도록 복수의 상기 평판형상 부재에 걸쳐진다. (4) More preferably, the plurality of members includes a second connecting member in the form of a beam, and the second connecting member spans a plurality of the plate-like members to connect the plurality of the plate-like members .
이 구성에 의하면, 복수의 평판형상 부재는, 빔 부재에 의해 서로 결합된다. 이것에 의해, 측벽의 평판형상 부재가 넘어지는 것을 방지할 수 있다. According to this configuration, the plurality of flat plate members are coupled to each other by the beam member. Thus, the flat plate member of the side wall can be prevented from falling.
(5) 바람직하게는, 상기 단벽은, 평판형상으로 형성되어 있으며, 상기 측벽의 일단에 올려져 있다. (5) Preferably, the end wall is formed in a flat plate shape, and is mounted on one end of the side wall.
이 구성에 의하면, 측벽의 일단에 평판형상의 단벽을 올린다는 간이한 작업으로, 측벽의 일단을 단벽으로 덮는 구성을 실현할 수 있다. According to this configuration, it is possible to realize a configuration in which one end of the side wall is covered with the end wall by a simple operation of raising a flat-shaped end wall at one end of the side wall.
(6) 상기 과제를 해결하기 위해, 이 발명의 어느 국면에 관련된 열처리 장치는, 상기의 열처리 장치용의 챔버와, 상기 챔버 내의 공간의 기압을 상기 챔버 밖의 공간의 기압보다 높게 하기 위한 기압 조정 기구를 구비하고 있다. (6) In order to solve the above problems, a heat treatment apparatus according to one aspect of the present invention includes a chamber for the above-described heat treatment apparatus, and a pressure adjusting mechanism for adjusting a pressure of the space in the chamber to be higher than a pressure of the space outside the chamber. .
이 구성에 의하면, 챔버는, 산화 규소를 주성분으로 하는 부재에 의해 형성되어 있다. 이것에 의해, 챔버는, 강도 및 내열성이 우수하여, 고온 환경 하에서의 사용에 충분히 견딜 수 있다. 또, 챔버는, 복수의 부재가 기계 결합되어 형성되어 있다. 이 구성에 의해, 챔버의 제작 시, 복수의 부재를 용접시킨다는, 수고스러운 작업을 가급적으로 줄일 수 있다. 이 때문에, 챔버의 사이즈에 관계없이, 챔버의 제작에 드는 수고를 보다 줄일 수 있다. 이상과 같이, 본 발명에 의하면, 열처리 장치용의 챔버에 대해서, 대형이어도 제작에 드는 수고를 보다 줄일 수 있다. 또, 기압 조정 기구는, 챔버 내의 공간의 기압이, 챔버 밖의 공간의 기압보다 높아지도록 동작한다. 이것에 의해, 챔버의 외부에 존재하는 이물(파티클)이 챔버 내의 공간에 침입하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 만일, 조립식의 챔버의 측벽과 단벽의 사이 등에 간극이 발생하고 있어도, 챔버의 외부의 이물이 챔버 내의 공간에 침입하는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에, 상기 이물이 피처리물에 부착되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 본 발명의 열처리 조치에 의하면, 챔버가 단일 부품으로서 형성된 경우와 마찬가지로, 피처리물로의 이물 부착에 기인하는, 피처리물의 불량 발생을 억제할 수 있다. According to this structure, the chamber is formed by a member containing silicon oxide as a main component. Thus, the chamber is excellent in strength and heat resistance, and can withstand the use under a high temperature environment. The chamber is formed by mechanically coupling a plurality of members. With this configuration, it is possible to reduce the troublesome work of welding a plurality of members at the time of manufacturing the chamber as much as possible. Therefore, irrespective of the size of the chamber, the labor required for manufacturing the chamber can be further reduced. As described above, according to the present invention, it is possible to further reduce the labor required for fabrication of a chamber for a heat treatment apparatus even if it is large. The atmospheric pressure adjusting mechanism operates so that the atmospheric pressure of the space in the chamber becomes higher than the atmospheric pressure in the space outside the chamber. This makes it possible to prevent foreign matter (particles) present outside the chamber from entering the space in the chamber. Therefore, even when a clearance is generated between the side wall of the assembled chamber and the end wall, foreign matter outside the chamber can be prevented from entering the space inside the chamber. Therefore, the foreign matter can be prevented from adhering to the object to be treated. Therefore, according to the heat treatment measure of the present invention, it is possible to suppress the occurrence of defects in the object to be treated, which is caused by foreign substances adhering to the object to be treated, as when the chamber is formed as a single part.
본 발명에 의하면, 열처리 장치용의 챔버에 대해서, 대형이어도 제작에 드는 수고를 보다 줄일 수 있다. According to the present invention, it is possible to further reduce the labor required for fabrication of a chamber for a heat treatment apparatus even if it is large.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 관련된 열처리 장치의 단면도이다.
도 2는 열처리 장치의 챔버의 사시도이다.
도 3은 챔버의 분해 사시도이다.
도 4는 챔버의 단면도이며, 챔버를 상방에서 본 상태를 나타내고 있다.
도 5는 도 3의 주요부의 확대도이다.
도 6은 변형예의 주요부의 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view of the chamber of the heat treatment apparatus.
3 is an exploded perspective view of the chamber.
4 is a cross-sectional view of the chamber, showing the chamber viewed from above.
5 is an enlarged view of the main part of Fig.
6 is a cross-sectional view of a main portion of a modified example.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 본 발명은, 피처리물을 열처리하기 위한 열처리 장치로서 널리 적용할 수 있다. DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. Further, the present invention can be widely applied as a heat treatment apparatus for heat-treating an object to be treated.
도 1은, 본 발명의 실시 형태에 관련된 열처리 장치(1)의 단면도이며, 열처리 장치(1)를 측방에서 본 상태를 나타내고 있다. 도 2는, 열처리 장치(1)의 챔버(4)의 사시도이다. 도 3은, 챔버(4)의 분해 사시도이다. 도 4는, 챔버(4)의 단면도이며, 챔버(4)를 상방에서 본 상태를 나타내고 있다. 1 is a cross-sectional view of a
도 1을 참조하여, 열처리 장치(1)는, 피처리물(100)의 표면에 열처리를 실시하는 것이 가능하게 구성되어 있다. 보다 구체적으로는, 열처리 장치(1)는, 피처리물(100)을 향해 가열된 가스를 공급함으로써, 피처리물(100)의 표면에 열처리를 실시하는 것이 가능하게 구성되어 있다. Referring to Fig. 1, the
피처리물(100)은, 예를 들어, 유리 기판 또는 반도체 기판 등이며, 본 실시 형태에서는, 직사각형의 평판형상으로 형성되어 있다. The object to be processed 100 is, for example, a glass substrate or a semiconductor substrate, and in the present embodiment, it is formed into a rectangular flat plate shape.
열처리 장치(1)는, 베이스판(2)과, 히터(3)와, 챔버(4)와, 시일 부재(5, 6)와, 보트(7)와, 승강 기구(8)와, 가스 공급 장치(9)를 가지고 있다. The
베이스판(2)은, 히터(3) 및 챔버(4)를 지지하는 부재로서 설치되어 있다. 베이스판(2)의 중앙에는, 관통 구멍이 형성되어 있다. 이 관통 구멍을 상방으로부터 막도록 하여, 히터(3)가 배치되어 있다. The
히터(3)는, 예를 들어 전열 히터이며, 본 실시 형태에서는, 600℃ 정도까지 기체를 가열하는 것이 가능하게 구성되어 있다. 히터(3)는, 전체적으로 상자형상으로 형성되어 있으며, 하향으로 개방된 개구부(3a)를 가지고 있다. 히터(3)의 개구부(3a)는, 베이스판(2)에 의해 받쳐져 있다. 히터(3)에 둘러싸인 공간에, 챔버(4)가 배치되어 있다. The
챔버(4)는, 피처리물(100)을 열처리하기 위한 처리실로서 구성되어 있다. 챔버(4)는, 전체적으로 상자형상으로 형성되어 있으며, 하향으로 개방된 개구부(4a)를 가지고 있다. 챔버(4)의 개구부(4a)는, 시일 부재(5)와 접촉하고 있으며, 이 시일 부재(5)를 통하여 베이스판(2)에 받쳐져 있다. 시일 부재(5)는, 내열성을 가지는 환형 부재이며, 챔버(4)의 개구부(4a)와 베이스판(2)의 상면 사이를 기밀적으로 시일하고 있다. 챔버(4) 내의 공간(4b)은, 베이스판(2)의 관통 구멍을 통하여, 베이스판(2)의 하방의 공간에 연속하고 있다. 챔버(4)의 상세한 구성은 후술한다. 열처리 장치(1)에 있어서의 열처리 동작 시, 챔버(4) 내의 공간(4b)에는, 피처리물(100)이 배치된다. 피처리물(100)은, 예를 들어, 수직으로 세워진 상태로, 보트(7)에 지지된다. The
보트(7)는, 피처리물(100)을 챔버(4) 내에 배치하기 위해 설치되어 있다. 보트(7)는, 예를 들어, 원판형상으로 형성되어 있으며, 중앙에 대좌를 가지고 있다. 이 대좌에, 복수의 피처리물(100)의 하단부가 고정된다. 각 피처리물(100)은, 서로 평행하게 배열된 상태로, 대좌에 지지되어 있다. 보트(7)의 외주부의 상면에는, 시일 부재(6)가 배치되어 있다. 시일 부재(6)는, 내열성을 가지는 환형 부재이며, 보트(7)의 외주부의 상면과, 베이스판(2)의 하면 사이를 기밀적으로 시일하고 있다. 보트(7)는, 승강 기구(8)에 의해 지지되어 있으며, 승강 기구(8)의 동작에 의해, 피처리물(100)과 함께 상하 방향으로 변위 가능하다. 보트(7)에는, 가스 공급 장치(9)가 부착되어 있다. The
가스 공급 장치(9)는, 챔버(4)의 내부에 열처리를 위한 가스를 공급하도록 구성되어 있다. 가스 공급 장치(9)는, 본 발명의 「기압 조정 장치」의 일례이다. 가스 공급 장치(9)는, 가스관(10)과, 펌프(11)를 가지고 있다. 가스관(10)은, 보트(7)를 관통하고 있으며, 가스관(10)의 일단은, 챔버(4) 내의 공간(4b)에 개방되어 있다. 펌프(11)는, 도시하지 않는 가스 탱크로부터의 가스를, 가스관(10)을 통하여 챔버(4) 내의 공간(4b)으로 공급한다. 이것에 의해, 챔버(4) 내의 공간(4b)이 미소하게나마 가압(미세 가압)된다. 따라서, 챔버(4) 내의 공간(4b)의 기압은, 챔버(4) 외의 기압보다 높게 된다. The
열처리 장치(1)에 있어서의 열처리 시의 동작으로서는, 우선, 피처리물(100)이, 보트(7)에 지지된 상태로 챔버(4) 내의 공간(4b)에 배치된다. 다음에, 가스 공급 장치(9)가 가스를 공간(4b) 내에 공급하면서, 히터(3)에 의한 가열 동작이 행해진다. 이것에 의해, 챔버(4) 내의 공간(4b)이 가열되어, 피처리물(100)의 열처리가 행해진다. The object to be treated 100 is first placed in the
다음에, 챔버(4)의 상세한 구성을 설명한다. 도 1~도 4를 참조하여, 챔버(4)는, 산화 규소(SiO2)를 주성분으로 하는 복수의 부재가 기계적으로 결합되어 형성되어 있다. Next, the detailed configuration of the
구체적으로는, 챔버(4)는, 측벽(12)과, 단벽(13)과, 제1 연결 부재(14)와, 제2 연결 부재(15)를 가지고 있다. Specifically, the
본 실시 형태에서는, 챔버(4)의 각 부재(측벽(12), 단벽(13), 제1 연결 부재(14), 제2 연결 부재(15))는, 모두, 석영제의 재료이다. 또한, 챔버(4)의 각 부재의 재질은, 석영에 한정되지 않고, 유리여도 되고, 세라믹이여도 된다. 이와 같이, 챔버(4)는, 예를 들어, 유리, 석영, 및, 세라믹 중 적어도 1개를 포함하고 있으면 된다. In this embodiment, all the members (the
측벽(12)은, 피처리물(100)을 둘러싸기 위해 설치되어 있으며, 전체적으로 통형상으로 형성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 측벽(12)은, 전체적으로, 다각형형상(팔각형형상)으로 형성되어 있다. 측벽(12)은, 복수의 피처리물(100)을 수용 가능한 크기로 형성되어 있다. The
측벽(12)은, 복수(본 실시 형태에서는, 8개)의 평판형상 부재(16)(16a~16h)를 가지고 있다. 또한, 복수의 평판형상 부재(16a~16h)를 총칭하는 경우는, 간단히 평판형상 부재(16)라고 한다. The
각 평판형상 부재(16)는, 직사각형의 평판형상으로 형성되어 있다. 각 평판형상 부재(16)의 두께는, 예를 들어, 수mm 정도이다. 평판형상 부재(16)는, 서로 겹쳐진 상태로 반송될 수 있다. 각 평판형상 부재(16)의 가장자리부는, 기계 가공에 의해 정형되어 있다. 평판형상 부재(16)는, 전체적으로 통형상이 되도록 배열되어 있다. 구체적으로는, 서로 이웃하는 2개의 평판형상 부재(16)가, 평면에서 보았을 때에 서로 경사진 상태로 배치되어 있다. 서로 이웃하는 2개의 평판형상 부재(16)는, 제1 연결 부재(14)에 의해 서로 연결되어 있다. Each
도 5는, 도 3의 주요부의 확대도이다. 도 3~도 5를 참조하여, 본 실시 형태에서는, 제1 연결 부재(14)의 수는, 평판형상 부재(16)의 수와 동일하다. 제1 연결 부재(14)는, 서로 이웃하는 2개의 평판형상 부재(16) 사이에 배치되어 있다. 5 is an enlarged view of the main part of Fig. 3 to 5, in this embodiment, the number of the first connecting
각 제1 연결 부재(14)는, 상하로 가늘고 길게 연장되는 기둥 부재이며, 본 실시 형태에서는, 사각기둥형상으로 형성되어 있다. 각 제1 연결 부재(14)는, 한 쌍의 홈부(14a, 14b)를 가지고 있다. Each of the
홈부(14a, 14b)는, 인접하는 2개의 평판형상 부재(16)를 연결하는 부분으로서 설치되어 있다. 홈부(14a, 14b)는, 제1 연결 부재(14)의 한 쌍의 측면에 형성되어 있으며, 제1 연결 부재(14)의 상단에서 하단까지 연장되어 있다. 평면에서 보았을 때에, 홈부(14a, 14b)는, 서로 경사지는 방향으로 형성되어 있다. 홈부(14a, 14b)는, 대응하는 평판형상 부재(16)의 한 가장자리부와 끼워맞춤하고 있다. 이것에 의해, 인접하는 2개의 평판형상 부재(16)는, 제1 연결 부재(14)를 통하여 연결되어 있다. 각 제1 연결 부재(14)의 상면에는, 볼록부(14c)가 형성되어 있다. 이 볼록부(14c)는, 단벽(13)의 후술하는 관통 구멍에 끼워 넣어지는 돌기로서 설치되어 있다. 상기의 구성에 의해, 복수의 평판형상 부재(16)는, 기둥형상의 제1 연결 부재(14)에 의해 측벽(12)의 둘레 방향을 따라 순차적으로 연결되어, 다각형형상(통형상)의 닫힌 측면을 형성한다. The
제2 연결 부재(15)는, 2개의 평판형상 부재(16a, 16e)를 연결하는 빔형상의 부재로서 설치되어 있으며, 이들 평판형상 부재(16a, 16e)에 걸쳐진다. The
본 실시 형태에서는, 제2 연결 부재(15)는 2개 설치되어 있다. 각 제2 연결 부재(15)는, 서로 평행하게 늘어선 2개의 평판형상 부재(16a, 16e)들을 연결하고 있다. In the present embodiment, two second connecting
각 제2 연결 부재(15)는, 빔부(15a)와, 한 쌍의 단부(15b, 15c)를 가지고 있다. Each second linking
빔부(15a)는, 가늘고 긴 봉형상으로 형성되어 있으며, 본 실시 형태에서는, 사각기둥형상으로 형성되어 있다. 빔부(15a)는, 서로 평행하게 늘어선 2개의 평판형상 부재(16a, 16e)의 상단부 사이에 배치되어 있다. 빔부(15a)에, 한 쌍의 단부(15b, 15c)가 형성되어 있다. The
한 쌍의 단부(15b, 15c)는, 대응하는 평판형상 부재(16a, 16e)에 결합되는 부분으로서 설치되어 있다. 한 쌍의 단부(15b, 15c)는, 각각, 블록형상으로 형성되어 있다. 한 쌍의 단부(15b, 15c)는, 각각, 대응하는 평판형상 부재(16a, 16e)의 상단부에 결합되어 있다. The pair of
구체적으로는, 평판형상 부재(16a)의 상단부에는, 홈부(18a, 18a)가 형성되고, 평판형상 부재(16e)의 상단부에는, 홈부(18b, 18b)가 형성되어 있다. 홈부(18a, 18a)는, 제2 연결 부재(15)의 일방의 단부(15b, 15b)에 대응하여 형성되어 있다. 각 홈부(18a, 18a)는, 예를 들어, 측면에서 보았을 때에 직사각형으로 형성된 홈이다. 홈부(18a, 18a)에, 일방의 단부(15b, 15b)가 끼워 넣어져 있다. 일방의 단부(15b, 15b)의 하면에는, 각각, 패임부(15d)가 형성되어 있다. 이 패임부(15d)는, 대응하는 홈부(18a, 18a)의 저부에 받쳐져 있다. 또한, 각 제2 연결 부재(15)의 타방의 단부(15c)와 평판형상 부재(16e)의 대응하는 홈부(18b)의 기계적인 결합의 형상에 대해서도 상기와 동일하므로, 설명을 생략한다. Specifically,
상기의 구성에 의해, 제1 연결 부재(14)의 상면의 높이와, 제2 연결 부재(15)의 상면의 높이와, 평판형상 부재(16)(16a~16h)의 상단부의 높이가 맞춰져 있다. 각 제2 연결 부재(15)의 한 쌍의 단부(15b, 15c)의 상면에는, 볼록부(15e)가 예를 들어 2개 형성되어 있다. 이 볼록부(15e)는, 단벽(13)의 후술하는 관통 구멍에 끼워 넣어지는 돌기로서 설치되어 있다. The height of the upper surface of the first connecting
도 2, 도 3 및 도 5를 참조하여, 단벽(13)은, 측벽(12)의 상부의 개구부(12a)를 막는 부분으로서 설치되어 있다. 단벽(13)은, 전체적으로 평판형상으로 형성되어 있으며, 측벽(12)의 상단에 올려진다. 평면에서 보았을 때에, 단벽(13)의 형상은, 측벽(12)의 형상에 대응하고 있다. 구체적으로는, 본 실시 형태에서는, 단벽(13)은, 팔각형형상으로 형성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 단벽(13)의 두께는, 측벽(12)의 두께와 동일하게 설정되어 있다. 2, 3 and 5, the
단벽(13)은, 복수(본 실시 형태에서는, 3개)의 평판형상 부재(19)(19a~19c)를 가지고 있다. 또한, 평판형상 부재(19a~19c)를 총칭하며 말하는 경우는, 간단히 평판형상 부재(19)라고 한다. The
평판형상 부재(19b)는, 직사각형의 평판형상으로 형성되어 있다. 평판형상 부재(19a, 19c)는, 대체로 사다리꼴형상으로 형성되어 있다. 평판형상 부재(19a, 19b, 19c)의 순서로, 이들 평판형상 부재(19)가 배치되어 있으며, 이것에 의해, 전체적으로 팔각형형상의 단벽(13)이 형성되어 있다. 평판형상 부재(19a~19c)는, 서로 겹쳐진 상태로 반송될 수 있다. 각 평판형상 부재(19a~19c)의 가장자리부는, 기계 가공에 의해 정형되어 있다. The flat plate-
단벽(13)의 평판형상 부재(19)에는, 제1 연결 부재(14)의 볼록부(14c)에 끼워맞춤하는 관통 구멍과, 제2 연결 부재(15)의 볼록부(15e)에 끼워맞춤하는 관통 구멍이 형성되어 있다. 단벽(13)의 평판형상 부재(19)의 이들 관통 구멍에, 대응하는 볼록부(14c, 15e)가 끼워 넣어진다. 또, 단벽(13)의 평판형상 부재(19)가, 측벽(12)의 평판형상 부재(16), 제1 연결 부재(14), 및 제2 연결 부재(15)에 받쳐진다. The
이것에 의해, 단벽(13)은, 제1 연결 부재(14), 제2 연결 부재(15), 및, 측벽(12)의 평판형상 부재(16)와 기계적으로 결합된다. 상기의 구성에 의해, 측벽(12)과 단벽(13)으로 둘러싸인 공간이, 챔버(4) 내의 공간(4b)이 된다. Thereby, the
챔버(4)의 각 부재(측벽(12), 단벽(13), 제1 연결 부재(14), 제2 연결 부재(15)) 간에는, 특히 시일 기구가 설치되어 있지 않다. 이 때문에, 챔버(4)의 외부의 공간에 부유하는 파티클 등이, 예를 들어, 평판형상 부재(16)와 제1 연결 부재(14) 사이, 또는, 평판형상 부재(16)와 단벽(13) 사이로부터 침입할 가능성을 생각할 수 있다. 그렇지만, 도 1에 나타내는 가스 공급 장치(9)에 의해, 챔버(4) 내의 공간(4b)의 기압이 챔버(4)의 외부의 기압보다 높게 설정되어 있다. 이것에 의해, 챔버(4)의 각 부재 간에 시일 구조가 설치되지 않아도, 챔버(4) 내의 공간(4b)으로의 파티클의 침입은 억제된다. A sealing mechanism is not particularly provided between the respective members of the chamber 4 (the
상기의 구성을 가지는 챔버(4)는, 반송 시에는, 분해된 상태가 된다. 챔버(4)의 반송 시에는, 측벽(12)의 각 평판형상 부재(16) 및 단벽(13)의 각 평판형상 부재(19)는, 예를 들어, 겹쳐진 상태로 반송된다. 그리고, 작업원이 챔버(4)를 조립할 때, 작업원은, 우선, 제1 연결 부재(14)를 이용하여, 인접하는 2개의 평판형상 부재(16)들을 서로 결합한다. 이것에 의해, 측벽(12)이 완성된다. 다음에, 작업원은, 측벽(12)의 서로 평행한 2개의 평판형상 부재(16a, 16e) 간에, 제2 연결 부재(15)를 걸친다. 이것에 의해, 측벽(12)의 각 평판형상 부재(16)가 넘어지는 것을 방지한다. 다음에, 작업원은, 단벽(13)을 측벽(12)의 상단에 설치한다. 단벽(13)은, 제1 연결 부재(14), 제2 연결 부재(15) 및 평판형상 부재(16)에 받쳐짐으로써, 휨이 억제된다. 이것에 의해, 챔버(4)가 완성된다. The
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 관련된 열처리 장치(1)에 의하면, 챔버(4)는, 산화 규소를 주성분으로 하는 부재(측벽(12), 단벽(13), 제1 연결 부재(14), 및, 제2 연결 부재(15))에 의해 형성되어 있다. 이것에 의해, 챔버(4)는, 강도 및 내열성이 우수하여, 고온 환경 하에서의 사용에 충분히 견딜 수 있다. 또, 챔버(4)는, 복수의 부재(측벽(12), 단벽(13), 제1 연결 부재(14), 및, 제2 연결 부재(15))가 기계 결합되어 형성되어 있다. 이 구성에 의해, 챔버(4)의 제작 시, 복수의 부재를 용접시킨다는, 수고스러운 작업을 가급적으로 줄일 수 있다. 이 때문에, 챔버(4)의 사이즈에 관계없이, 챔버(4)의 제작에 드는 수고를 보다 줄일 수 있다. 이상과 같이, 열처리 장치(1)의 챔버(4)에 대해서, 대형이어도 제작에 드는 수고를 보다 줄일 수 있다. As described above, according to the
여기서, 용접 등에 의해 복수의 부재가 일체화된 종래의 석영제의 대형 챔버에 대해서 설명하면, 이러한 챔버이면, 제작 시에 공구 등이 석영에 접촉하기 쉬워, 석영 챔버에 파손이 발생하기 쉽다. 또, 종래의 대형 챔버는, 반송될 때에, 분해할 수 없어, 접촉 등에 기인하는 파손을 발생시키지 않도록 신중하게 취급될 필요가 있어, 취급이 어렵다. 또, 대형 챔버는 제조 비용이 높아진다. Here, the conventional large-sized quartz chamber in which a plurality of members are integrated by welding or the like will be described. With such a chamber, a tool or the like easily comes into contact with quartz at the time of fabrication, and breakage tends to occur in the quartz chamber. In addition, the conventional large-sized chamber can not be disassembled when it is transported, and it must be handled carefully so as not to cause breakage due to contact or the like, which makes handling difficult. In addition, the manufacturing cost of the large chamber is increased.
이에 반해, 본 실시 형태에 관련된 챔버(4)에 의하면, 챔버(4)의 제작 시에는, 챔버(4)의 개개의 부품(측벽(12), 단벽(13), 제1 연결 부재(14), 제2 연결 부재(15))이 별개로 형성된다. 이 때문에, 챔버(4)의 제작 시에 공구 등이 접촉할 우려를 적게 할 수 있어, 그 결과, 챔버(4)에 파손이 발생하기 어렵다. 또, 챔버(4)의 반송 시에는, 상기 개개의 부품을 따로 따로 반송할 수 있다. 따라서, 챔버(4)의 반송 시에, 상기 개개의 부품이 공구 등과 접촉하여 파손되는 것을 용이하게 억제할 수 있다. 따라서, 챔버(4)의 취급이 용이하다. 또, 챔버(4)의 상기 개개의 부품을 용접 등에 의해 일체화할 필요가 없어, 챔버(4)의 제조 비용을 보다 낮게 할 수 있다. On the contrary, according to the
또, 열처리 장치(1)에 의하면, 챔버(4)의 재질은, 유리, 석영, 및 세라믹 중 적어도 1개(본 실시 형태에서는, 석영)를 포함한다. 이 구성에 의하면, 강도 및 내열성이 우수한 챔버를 비교적 용이하게 실현할 수 있다. According to the
또, 열처리 장치(1)에 의하면, 복수의 평판형상 부재(16)(16a~16h)를 조합함으로써, 통형상의 측벽(12)을 실현할 수 있다. 또, 각 평판형상 부재(16a~16h)는, 예를 들어, 겹쳐진 상태로 반송될 수 있다. 이 때문에, 평판형상 부재(16)의 반송 작업, 즉, 측벽(12)의 반송 작업을 용이하게 행할 수 있다. 또, 평면적인 형상인 평판형상 부재(16)를 조합함으로써, 입체적인 형상인 측벽(12)을 형성할 수 있다. 따라서, 측벽(12)의 제조에 드는 수고를 보다 줄일 수 있다. According to the
또, 열처리 장치(1)에 의하면, 복수의 평판형상 부재(16a, 16e)는, 빔형상의 제2 연결 부재(15)에 의해 서로 결합된다. 이것에 의해, 측벽(12)의 평판형상 부재(16)가 넘어지는 것을 방지할 수 있다. Further, according to the
또, 열처리 장치(1)에 의하면, 단벽(13)은, 평판형상으로 형성되어 있으며, 측벽(12)의 상단에 올려져 있다. 이 구성에 의하면, 측벽(12)의 상단에 평판형상의 단벽(13)을 올린다는 간이한 작업으로, 측벽(12)의 상단을 단벽(13)으로 덮는 구성을 실현할 수 있다. According to the
또, 열처리 장치(1)에 의하면, 가스 공급 장치(9)는, 챔버(4) 내의 공간(4b)의 기압이, 챔버(4) 외의 공간의 기압보다 높아지도록 동작한다. 이것에 의해, 챔버(4)의 외부에 존재하는 이물(파티클)이 챔버(4) 내의 공간(4b)에 침입하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 만일, 조립식의 챔버의 측벽(12)과 단벽(13)의 사이 등에 간극이 발생하고 있어도, 챔버(4)의 외부의 이물이 챔버(4)의 내부의 공간에 침입하는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에, 상기 이물이 피처리물(100)에 부착되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 챔버(4)가 단일 부품으로서 형성된 경우와 마찬가지로, 피처리물(100)로의 이물 부착에 기인하는, 피처리물(100)의 불량 발생을 억제할 수 있다. According to the
이상, 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 상기 서술한 실시의 형태에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은, 특허 청구의 범위에 기재한 한정에 있어서 다양한 변경이 가능하다. The embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to the embodiments described above. The present invention can be modified in various ways within the limits defined in the claims.
(1) 상기 실시 형태에서는, 챔버(4)의 하방에 배치된 가스 공급 장치(9)에 의해, 챔버(4) 내의 공간(4b)의 기체가 가압되는 형태를 예로 설명했다. 그렇지만, 이 대로가 아니어도 된다. 예를 들어, 기둥형상의 제1 연결 부재(14)와 측벽(12)의 평판형상 부재(16) 사이에, 질소 등의 불활성 가스를 도입하는 구성이 이용되어도 된다. 불활성 가스를 챔버(4) 내의 공간(4b)에 도입하는 구성이면, 저산소 농도의 프로세스에 본 발명을 적용할 수 있다. (1) In the above embodiment, the
(2) 또, 상기 서술한 실시 형태에서는, 평면에서 보았을 때에 측벽(12)이 팔각형형상인 형태를 예로 설명했다. 그렇지만, 이 대로가 아니어도 된다. 예를 들어, 측벽(12)은, 평면에서 보았을 때에 사각형형상이어도 된다. 이 경우, 도 6에 나타내는 바와 같이, 제1 연결 부재(14)의 홈부(14a, 14b)는, 평면에서 보았을 때에 서로 직교하도록 형성된다. 이 경우, 평판형상 부재(16)는 4장 이용되며, 단벽(13)은, 직사각형으로 형성된다. (2) In the above-described embodiment, the
본 발명은, 가열된 분위기 하에서 피처리물을 처리하기 위한, 열처리 장치용의 챔버, 및, 열처리 장치로서, 널리 적용할 수 있다. INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be widely applied as a chamber for a heat treatment apparatus and a heat treatment apparatus for treating an object to be treated in a heated atmosphere.
1 열처리 장치 4 챔버
9 가스 공급 장치(기압 조정 기구) 12 측벽(복수의 부재)
13 단벽(복수의 부재) 14 제1 연결 부재(복수의 부재)
15 제2 연결 부재(복수의 부재) 16 평판형상 부재
100 피처리물 1
9 gas supply device (air pressure adjusting mechanism) 12 side wall (plural members)
13 end wall (plural members) 14 first connecting member (plural members)
15 second connecting member (plural members) 16 flat plate member
100 to be treated
Claims (5)
피처리물을 둘러싸기 위한 통형상의 측벽과,
상기 측벽의 일방의 개구부를 막는 단벽(端壁)을 구비하고,
상기 챔버는, 산화 규소를 포함하는 복수의 부재가 기계 결합되어 형성되어 있으며,
상기 복수의 부재는, 복수의 평판형상 부재를 포함하고,
복수의 상기 평판형상 부재는, 전체적으로 통형상을 구성하도록 배열되어 있으며,
상기 복수의 부재는 빔 형상의 연결 부재를 포함하고,
상기 연결 부재는, 복수의 상기 평판형상 부재들을 연결하도록 복수의 상기 평판형상 부재에 걸쳐지는 것을 특징으로 하는 열처리 장치용의 챔버. A chamber for a thermal processing apparatus,
A tubular sidewall for surrounding the object to be processed,
(End wall) closing one opening of the side wall,
Wherein the chamber is formed by mechanically combining a plurality of members including silicon oxide,
The plurality of members include a plurality of flat plate members,
The plurality of flat plate members are arranged so as to form a tubular shape as a whole,
Wherein the plurality of members includes a beam-shaped connecting member,
Wherein the connecting member spans a plurality of the flat plate members to connect the plurality of flat plate members.
상기 복수의 부재는, 복수의 연결부를 포함하고,
상기 연결부는, 인접하는 상기 평판형상 부재들을 연결하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치용의 챔버. The method according to claim 1,
Wherein the plurality of members include a plurality of connection portions,
Wherein the connecting portion connects the adjacent flat plate members.
상기 복수의 부재의 재질은, 유리, 석영, 및 세라믹 중 적어도 1개를 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치용의 챔버.The method according to claim 1,
Wherein the material of the plurality of members includes at least one of glass, quartz, and ceramics.
상기 단벽은, 평판형상으로 형성되어 있으며, 상기 측벽의 일단에 올려져 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치용의 챔버. The method according to claim 1,
Wherein the end wall is formed in a flat plate shape and is mounted on one end of the side wall.
상기 챔버 내의 공간의 기압을 상기 챔버 밖의 공간의 기압보다 높게 하기 위한 기압 조정 기구를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. A chamber for a heat treatment apparatus according to any one of claims 1 to 4,
And an atmospheric pressure adjusting mechanism for making the atmospheric pressure of the space in the chamber higher than the atmospheric pressure in the space outside the chamber.
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