KR101361711B1 - Supporting unit for supporting a processing chamber and apparatus for processing a substrate including the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 내부에 기판이 처리되는 공간을 형성하고, 상벽, 측면 및 하벽을 포함하는 챔버바디를 포함하는 공정챔버, 상기 챔버바디의 하부에 구비되어 상기 챔버바디를 지지하는 지지유닛, 상기 챔버바디를 상기 지지유닛에 고정하는 복수 개의 고정부재, 상기 지지유닛의 상부에는 상기 고정부재가 삽입되는 복수 개의 삽입홈이 형성되며, 상기 삽입홈은 상기 고정부재의 외경에 대응되는 제1부와 상기 제1부의 일측에 연장된 적어도 하나의 제2부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 제공한다.The present invention provides a process chamber including a chamber body including an upper wall, a side surface, and a lower wall, the space in which a substrate is processed, a support unit provided below the chamber body to support the chamber body, and the chamber. A plurality of fixing members for fixing the body to the support unit, a plurality of insertion grooves are formed in the upper portion of the support unit, the insertion groove is the first portion corresponding to the outer diameter of the fixing member and the It provides a substrate processing apparatus comprising at least one second portion extending on one side of the first portion.
Description
본 발명은 챔버 내에 플라즈마를 발생시켜 기판 표면 처리 공정을 수행하는 공정챔버의 지지유닛 및 이를 포함하는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a support unit of a process chamber for generating a plasma in a chamber and performing a substrate surface treatment process, and a substrate processing apparatus including the same.
일반적으로 반도체나 평판표시소자(Flat Panel Display)를 제조하는 장치에서 기판처리장치는 기판(반도체 웨이퍼, 글라스 등)을 진공의 공정챔버(Process chamber) 내부에서 처리한다.
In general, in a device for manufacturing a semiconductor or a flat panel display, a substrate processing apparatus processes a substrate (semiconductor wafer, glass, etc.) in a vacuum process chamber.
평판표시소자를 제조하기 위한 평판표시소자 제조장치의 기판처리장치는 로드락 챔버(Load-Lock Chamber)와 공정챔버(Process Chamber)가 일 방향으로 배치된 인라인 타입(In-Line Type)과 하나의 로드락 챔버(또는 반송챔버) 주위에 복수 개의 공정챔버가 배치된 클러스터 타입(Cluster Type)이 사용된다. 클러스터 타입의 기판처리장치는 공정챔버와 로드락 챔버 사이에 설치되어 기판을 공정챔버로 반입하거나 그 반대로 반출함에 있어 경유지 역할을 하는 반송챔버를 더 구비한다.
Substrate processing apparatus of a flat panel display device manufacturing apparatus for manufacturing a flat panel display device is an in-line type and one in which a load-lock chamber and a process chamber are arranged in one direction. A cluster type in which a plurality of process chambers are disposed around the load lock chamber (or conveying chamber) is used. The cluster type substrate processing apparatus further includes a transfer chamber which is installed between the process chamber and the load lock chamber to serve as a stop for carrying the substrate into or out of the process chamber.
한편, 공정챔버, 로드락 챔버, 반송챔버는 지면과 일정간격 이상 이격되어 설치되는데, 이와 같이 공정챔버, 로드락 챔버, 반송챔버를 지면과 일정간격 이상 이격시키기 위해 지지유닛이 필요하다.On the other hand, the process chamber, the load lock chamber, the conveying chamber is installed spaced apart from the ground by a predetermined distance, in this way, the support unit is required to separate the process chamber, load lock chamber, the conveying chamber from the ground by a predetermined distance or more.
지지유닛은 공정챔버, 로드락 챔버, 반송챔버의 하부에 구비된다. 즉, 공정챔버, 로드락 챔버, 반송챔버는 지지유닛의 위에 놓인다.The support unit is provided at the bottom of the process chamber, the load lock chamber, and the transfer chamber. That is, the process chamber, the load lock chamber and the transfer chamber are placed on the support unit.
기판처리과정 또는 기판운송과정에서 상기 챔버의 이동을 방지하기 위해 각챔버는 상기 지지유닛에 고정부재 등을 통해 고정된다. 예를 들어, 핀과 같은 고정부재를 통해 각 챔버는 지지유닛에 고정된다.Each chamber is fixed to the support unit through a fixing member or the like to prevent movement of the chamber during substrate processing or substrate transport. For example, each chamber is fixed to the support unit through a fixing member such as a pin.
공정챔버 내부에서 기판을 처리하기 위해 고온의 플라즈마의 발생이 요구된다. 이때, 고온의 플라즈마는 공정챔버를 가열시키고 가열된 공정챔버의 챔버바디에 열변형이 발생할 수 있다.
Generation of high temperature plasma is required to process the substrate inside the process chamber. At this time, the high temperature plasma heats the process chamber and heat deformation may occur in the chamber body of the heated process chamber.
최근 기판이 대형화됨에 공정챔버의 챔버바디가 대형화되고 있으며, 이에 따라 고온의 플라즈마에 의한 공정챔버의 챔버바디의 열변형도 가중되는 문제가 있다. Recently, as the substrate is enlarged, the chamber body of the process chamber is enlarged, and accordingly, the thermal deformation of the chamber body of the process chamber due to the high temperature plasma is also increased.
일 예로, 8세대 기판을 처리하기 위한 공정챔버의 경우 기판 처리시 챔버바디의 온도가 120℃까지 상승하게 되고, 챔버바디의 열변형에 의한 변위는 최대 8mm가 발생한다. 챔버바디의 하벽의 지지유닛의 상부에 고정부재를 통해 고정되는데, 이러한 열변형이 발생하는 경우 챔버바디의 측벽 및 상벽은 열변형에 의해 팽창되나, 챔버바디의 하벽의 경우 상기 고정부재에 의해 고정되어 있어 변형이 제한된다. 이 경우, 챔버바디의 하벽의 열변형에 의해 고정부재가 파손되면서 챔버바디와 지지유닛 사이의 고정이 해제되는 위험이 존재한다.For example, in the case of a process chamber for processing an 8th generation substrate, the temperature of the chamber body is increased to 120 ° C. during substrate processing, and the displacement due to thermal deformation of the chamber body occurs at most 8 mm. It is fixed to the upper part of the support unit of the lower wall of the chamber body through a fixing member. When this thermal deformation occurs, the side wall and the upper wall of the chamber body are expanded by thermal deformation, but in the case of the lower wall of the chamber body, it is fixed by the fixing member. Deformation is limited. In this case, there is a risk that the fixing member is broken by thermal deformation of the lower wall of the chamber body and the fixing between the chamber body and the support unit is released.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 공정챔버의 챔버바디의 열변형이 발생하는 경우에, 지지유닛과 챔버바디의 고정이 안정되게 유지될 수 있는 공정챔버의 지지유닛 및 이를 포함하는 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the above-described problem, and in the case where the heat deformation of the chamber body of the process chamber occurs, the support unit of the process chamber that can be stably maintained the fixing of the support unit and the chamber body and includes the same An object of the present invention is to provide a substrate treating apparatus.
본 발명은 상술한 목적을 달성하기 위하여, 내부에 기판이 처리되는 공간을 형성하고, 상벽, 측면 및 하벽을 포함하는 챔버바디를 포함하는 공정챔버, 상기 챔버바디의 하부에 구비되어 상기 챔버바디를 지지하는 지지유닛, 상기 챔버바디를 상기 지지유닛에 고정하는 복수 개의 고정부재, 상기 지지유닛의 상부에는 상기 고정부재가 삽입되는 복수 개의 삽입홈이 형성되며, 상기 삽입홈은 상기 고정부재의 외경에 대응되는 제1부와 상기 제1부의 일측에 연장된 적어도 하나의 제2부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a process chamber including a chamber body including an upper wall, a side surface, and a lower wall to form a space in which a substrate is processed, and provided at a lower portion of the chamber body. A support unit for supporting, a plurality of fixing members for fixing the chamber body to the support unit, a plurality of insertion grooves are formed in the upper portion of the support unit, the insertion groove is formed in the outer diameter of the fixing member It provides a substrate processing apparatus comprising a corresponding first portion and at least one second portion extending on one side of the first portion.
상기 챔버바디의 하벽에는 상기 고정부재가 삽입되는 복수 개의 고정홈이 구비될 수 있다.A lower wall of the chamber body may be provided with a plurality of fixing grooves into which the fixing member is inserted.
상기 지지유닛은 상판과 상기 상판 위에 구비된 받침대를 포함하며, 상기 받침대의 상부에 상기 삽입홈이 형성될 수 있다.The support unit may include a top plate and a pedestal provided on the top plate, and the insertion groove may be formed on an upper portion of the pedestal.
상기 받침대는 상기 상판의 일측부와 타측부에 각각 2개가 구비되는 것이 바람직하다.Preferably, two pedestals are provided on one side and the other side of the upper plate.
상기 복수 개의 삽입홈은, 제1라인과 평행하게 연장된 적어도 하나의 제2부를 포함하는 제1형 삽입홈과 상기 제1라인 및 제2라인과 각각 평행하게 연장된 복수 개의 제2부를 포함하는 제2형 삽입홈을 포함하며, 상기 제1라인과 제2라인은 대략 수직이며, 상기 제1라인은 공정챔버와 상기 공정챔버의 일측에 구비되는 반송챔버의 중심을 연결한 직선과 평행한 직선일 수 있다.The plurality of insertion grooves may include a first type insertion groove including at least one second portion extending in parallel with the first line and a plurality of second portions extending in parallel with the first line and the second line, respectively. And a second type insertion groove, wherein the first line and the second line are substantially vertical, and the first line is a straight line parallel to a straight line connecting a process chamber and a center of a transfer chamber provided at one side of the process chamber. Can be.
상기 제1형 삽입홈은 상기 반송챔버와 인접한 위치에 구비되는 것이 바람직하다.The first type insertion groove is preferably provided at a position adjacent to the conveying chamber.
또한 본 발명은, 내부의 공간에서 기판을 처리하는 공정챔버를 지지하는 지지유닛에 있어서, 상기 지지유닛의 상부에는, 상기 공정챔버를 상기 지지유닛에 고정하는 복수 개의 고정부재가 삽입되는 복수 개의 삽입홈이 형성되며, 상기 삽입홈은 상기 고정부재의 외경에 대응되는 제1부와 상기 제1부의 일측에 연장된 적어도 하나의 제2부를 포함하는 것을 특징으로 공정챔버의 지지유닛을 제공한다.In addition, the present invention, in the support unit for supporting the process chamber for processing the substrate in the interior space, a plurality of inserts in which a plurality of fixing members for fixing the process chamber to the support unit is inserted in the upper portion of the support unit The groove is formed, and the insertion groove provides a supporting unit of the process chamber, characterized in that it comprises a first portion corresponding to the outer diameter of the fixing member and at least one second portion extending on one side of the first portion.
이때, 상기 복수 개의 삽입홈은, 제1라인과 평행하게 연장된 적어도 하나의 제2부를 포함하는 제1형 삽입홈과 상기 제1라인 및 제2라인과 각각 평행하게 연장된 복수 개의 제2부를 포함하는 제2형 삽입홈을 포함하며, 상기 제1라인과 제2라인은 대략 수직이며, 상기 제1형 삽입홈은 상기 공정챔버에 구비된 게이트와 인접한 위치에 배치되는 것이 바람직하다.In this case, the plurality of insertion grooves may include a first type insertion groove including at least one second portion extending in parallel with the first line and a plurality of second portions extending in parallel with the first line and the second line, respectively. And a second type insertion groove, wherein the first line and the second line are substantially vertical, and the first type insertion groove is disposed at a position adjacent to the gate provided in the process chamber.
본 발명은 공정챔버의 챔버바디의 열변형이 발생하는 경우에, 지지유닛과 챔버바디의 고정이 안정되게 유지될 수 있는 이점이 있다.The present invention has the advantage that the fixing of the support unit and the chamber body can be stably maintained when the heat deformation of the chamber body of the process chamber occurs.
도 1은 기판처리장치의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 공정챔버의 구성을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 지지유닛의 평면도이다.
도 4는 삽입홈의 구성을 나타낸 도면이다.
도 5는 공정챔버와 반송챔버의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 6은 공정챔버와 반송챔버의 지지유닛을 나타낸 평면도이다.
도 7은 제2형 삽입홈의 다른 실시예를 나타낸 도면이다.1 is a view schematically showing the configuration of a substrate processing apparatus.
2 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the process chamber.
3 is a plan view of the support unit.
4 is a view showing the configuration of the insertion groove.
5 is a view schematically showing the configuration of the process chamber and the transfer chamber.
6 is a plan view showing the support unit of the process chamber and the transfer chamber.
7 is a view showing another embodiment of a second type insertion groove.
이하 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명한다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
먼저, 평판표시소자를 제조하기 위한 평판표시소자 제조장치의 기판처리장치는 로드락 챔버(Load-Lock Chamber)와 공정챔버(Process Chamber)가 일 방향으로 배치된 인라인 타입(In-Line Type)과 하나의 로드락 챔버(또는 반송챔버) 주위에 복수 개의 공정챔버가 배치된 클러스터 타입(Cluster Type)이 사용된다. 이하에서는 클러스터 타입의 기판처리장치를 예를 들어 본 발명을 설명한다.
First, a substrate processing apparatus of a flat panel display device manufacturing apparatus for manufacturing a flat panel display device includes an in-line type in which a load lock chamber and a process chamber are arranged in one direction; A cluster type in which a plurality of process chambers are disposed around one load lock chamber (or conveying chamber) is used. Hereinafter, the present invention will be described taking a cluster type substrate processing apparatus as an example.
도 1을 참조하여 기판처리장치의 개략적인 구성에 대해 설명한다.A schematic configuration of a substrate processing apparatus will be described with reference to FIG. 1.
클러스터 타입의 기판처리장치는 하나의 로드락 챔버(30)와 두 개 이상의 공정챔버(10)가 연결되어 기판을 처리할 수 있도록 구성될 수 있다.The cluster type substrate processing apparatus may be configured such that one
도 1을 참조하면, 기판처리장치는 외부로부터 미처리된 기판을 받아서 보관하거나 처리된 기판을 외부로 내보내는 로드락 챔버(30)(Load-Lock Chamber)를 포함한다. 또한, 상기 로드락 챔버(30)로부터 반입된 기판을 진공상태에서 플라즈마 등을 이용하여 표면처리를 실시하는 등 기판을 처리하는 공정챔버(10)(Process Chamber)를 더 포함한다. 더불어, 상기 공정챔버(10)와 상기 로드락 챔버(30) 사이에 설치되어 기판을 공정챔버(10)로 반입하거나 그 반대로 반출함에 있어 경유지의 역할을 하는 반송챔버(20)(Transfer Chamber)를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus includes a
여기서 상기 반송챔버(20)의 내부에는 기판을 로드락 챔버(30)와 공정챔버(10)로 이송하는 반송로봇(미도시)이 설치된다.Here, a transport robot (not shown) for transporting the substrate to the
한편, 상기 공정챔버(10)와 반송챔버(20) 사이에는 기판의 반입 또는 반출 시 게이트를 선택적으로 개폐하는 게이트 장치(40)가 구비된다.
On the other hand, between the
도 2를 참조하여, 공정챔버 및 지지유닛에 대해 설명한다.Referring to Figure 2, the process chamber and the support unit will be described.
공정챔버(10)는 내부에 기판이 처리되는 공간을 형성하는 챔버바디(110)를 포함한다. 또한, 챔버바디(110)가 형성하는 공간의 상부에 구비되는 상부전극(120)과 하부에 구비되는 하부전극(130)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 하부전극(130)에 놓인 기판(S)을 승하강시키는 리프팅 모듈(미도시)을 포함할 수 있다. The
상기 챔버바디(110)는 상벽(111), 측벽(112), 하벽(113)을 포함하여 구성되며, 상기 상벽(111), 측벽(112) 및 하벽(113)이 결합하여 내부에 기판이 처리되는 공간을 형성한다. 상벽(111)과 하벽(113)은 이격되어 있으며, 상기 상벽(111)과 하벽(113) 사이에 측벽(112)이 구비된다. 상기 측벽(112)은 상벽(111)과 하벽(113)의 양단에 구비된다. 더불어, 상기 상벽(111), 측벽(112) 및 하벽(113)은 적어도 2 파트로 구성되거나, 또는 일체로 형성될 수 있다. 또는 상벽(111)과 측벽(112)의 일부가 일체로 형성된 상부바디와 하벽(113)과 측벽(112)의 나머지 일부가 일체로 형성된 하부바디의 형태로 구성될 수 있다.The
상기 측벽(130)에는 기판의 반입 또는 반출을 위한 게이트(112a)가 구비될 수 있다. 또한, 상기 측벽(112)의 외측에는 상기 게이트(112a)를 개폐하기 위한 게이트장치(40)가 구비될 수 있다.The
상부전극(120)은 공정챔버(10)의 내측에 구비된다. 상부전극(120)은 상부전극(120)으로 고주파 전원을 인가하는 RF 전원 인가부(미도시)와 연결되어 있다. 상기 상부전극(120)과 하부전극(130)은 이격되어 배치되며, 서로 대향되도록 설치되는 것이 바람직하다. 상부전극(120)의 상부에는 챔버 내부로 반응가스를 공급하는 가스공급로(140)가 구비되어 있다. 상기 가스공급로(140)에는 반응가스의 공급을 제어하는 유량조절계(MFC, Mass Flow Controller)(미도시)가 구비되는 것이 바람직하다.The
상기 상부전극(120) 및 하부전극(130) 사이에 공급된 반응가스는 상기 상부전극으로 인가된 고주파 전력에 의해 플라즈마화되고, 이 플라즈마에 의해 기판의 표면이 처리된다.
The reaction gas supplied between the
지지유닛(200)은 상기 공정챔버(10)의 하부에 구비되어 공정챔버(10)를 지지한다. 상기 공정챔버(10)는 상기 지지유닛(200)에 의해 지면에서 일정간격 이격될 수 있다. 상기 지지유닛(200)은 상기 공정챔버(10)의 챔버바디(110)의 하부에 구비되어 챔버바디(110)를 지지한다.The
상기 지지유닛(200)은 본체(201), 본체(201)의 상부에 구비된 상판(202), 상기 상판(202)의 상부에 구비된 받침대(210)를 포함한다. 상기 받침대(210)는 상기 상판(202)의 상부에 구비되며, 상기 상판(202)의 가장자리 부근에 구비되는 것이 바람직하다. 상기 상판(202) 및 본체(201)는 일체로 구비될 수 있다. 또한, 상기 상판(202) 및 받침대(210)는 일체로 구비될 수 있다. 또한, 상기 상판(202), 본체(201) 및 받침대(210)는 일체로 구비될 수 있다.
The
상기 지지유닛(200)과 챔버바디(110)는 복수의 고정부재(204)에 의해 결합된다. 즉, 상기 고정부재(204)는 상기 챔버바디(110)를 상기 지지유닛(200)에 고정시켜 결합시킨다. 상기 지지유닛(200)의 상부에는 상기 고정부재(204)가 삽입되는 복수의 삽입홈(220)이 형성된다.(도 3 참조) 보다 구체적으로 상기 삽입홈(220)은 상기 받침대(210)에 구비되는 것이 바람직하다. 상기 삽입홈(220)에 대해서는 후에 상술한다. The
한편, 상기 챔버바디(110)의 하벽(113)에는 상기 고정부재(204)가 삽입되는 고정홈(113a)이 구비되는 것이 바람직하다. 따라서, 상기 고정부재(204)의 상부는 상기 삽입홈(220)에 삽입되어 설치되며, 하부는 상기 고정홈(113a)에 삽입되어 설치된다. 따라서, 상기 챔버바디(110)는 상기 지지유닛(200)에 고정되어 설치될 수 있다. 상기 고정부재(204)는 나사(screw) 또는 핀(pin)일 수 있다.On the other hand, the
더불어, 상기 본체(201)의 하부에는 상기 본체(201)를 지지하기 위한 지지다리(205)가 구비되는 것이 바람직하다.
In addition, it is preferable that a
도 3을 참조하면, 상기 받침대(210)는 상기 상판(202)의 상부에 복수 개가 구비된다. 상기 받침대(210)는 4개가 구비될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 받침대(210)는 소정의 폭과 두께를 가지며, 상기 상판(202)의 가장자리에 구비되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 받침대(210)는 상기 상판(202)의 모서리 부근에 구비되는 것이 바람직하다. 상기 복수 개의 받침대(210)의 각각에는 삽입홈(220)이 구비된다. 상기 삽입홈(220)에는 상기 고정부재(204)가 삽입되어 설치된다.
Referring to FIG. 3, a plurality of
도 4를 참조하면, 상기 삽입홈(220)은 상기 고정부재(204)의 외경에 대응되는 제1부(221)와 상기 제1부(221)의 일측에 연장된 적어도 하나의 제2부(223)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the
상기 제1부(221)는 상기 고정부재(204)의 외경에 대응된다. 상기 제2부(223)는 상기 제1부(221)의 일측에 연장된 공간이다. 상기 제2부(223)의 형상은 상기 제1부(221)의 가장자리의 형상과 대응된다. 즉, 제2부(223)의 형상은 제1부(221)를 일측으로 이동시켰을 때 추가로 형성되는 크기에 대응된다. 예를 들어, 고정부재(204)가 원형의 핀인 경우, 상기 제1부(221)는 상기 핀의 외경에 대응되며 원형의 형상을 가진다. 제2부(223)는 상기 제1부(221)를 일측으로 이동시켰을 때, 새로이 형성되는 공간에 대응되며, 초승달 형상을 가질 수 있다.The
상기 제2부(223)는 상기 제1부(221)의 일측에 적어도 하나가 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2부(223)는 상기 제1부(221)의 좌측, 우측, 상측 및 하측 중 적어도 하나에 형성될 수 있다.At least one
도 4의 (a)는 제1형 삽입홈이며, (b)는 제2형 삽입홈이다.(A) of FIG. 4 is a 1st type insertion groove, (b) is a 2nd type insertion groove.
도 4를 참조하면, 상기 삽입홈(220)은 제2부(223)가 제1부(221)의 상측과 하측 중 적어도 하나, 또는 좌측과 우측 중 적어도 하나에 형성된 제1형 삽입홈(220a)과, 제2부(223)가 제1부(221)의 상측과 하측 중 적어도 하나 및 좌측과 우측 중 적어도 하나에 형성된 제2형 삽입홈(220b)으로 구분할 수 있다.Referring to FIG. 4, the
제1형 삽입홈(220a)에 복수 개의 제2부(223)가 구비되는 경우 복수 개의 제2부(223)는 일직선 상에 위치한다. 제2형 삽입홈(220b)은 일직선 상에 위치하지 않는 복수 개의 제2부(223)가 적어도 한 쌍은 존재한다.When the plurality of
도 4에서는, 제1형 삽입홈(220a)에서 제2부(223)가 제1부(221)의 상측에 구비된 것을 도시하였으나, 하측에만, 상측 및 하측 모두에 구비될 수 있다. 또한, 제2형 삽입홈(220b)의 제1부(221)의 상측 및 우측에 제2부(223)가 구비된 것을 도시하였으나, 상하좌우, 상측, 하측 및 우측, 또는 하측 및 우측에만 제2부(223)가 구비될 수 있다. 즉, 제2형 삽입홈(220b)은 동일선상에 위치하지 않는 적어도 한 쌍의 제2부(223)가 구비될 수 있다.
In FIG. 4, although the
도 5를 참조하면, 공정챔버(10)의 일측에는 반송챔버(20)가 구비된다 상기 공정챔버(10)와 반송챔버(20) 사이에는 게이트장치(40)가 구비되며, 공정챔버(10)의 측벽(112) 및 상기 측벽(112)과 마주보는 반송챔버(20)의 측벽에는 게이트(112a)(20a)가 구비된다. 공정챔버(10)의 게이트(112a)를 통해 공정챔버(10) 내에서 기판처리공정이 완료된 기판은 상기 게이트(112a)를 통해 반송챔버(20)로 이송되거나, 미처리된 기판이 반송챔버(20)에서 공정챔버(10)로 공급된다.Referring to FIG. 5, a
상기 공정챔버(10)의 하부에는 공정챔버(10)의 지지유닛(200)이 구비되며, 반송챔버(20)의 하부에는 반송챔버(20)의 지지유닛(21)이 구비된다.
The
도 6은 공정챔버 및 반송챔버의 지지유닛을 나타낸 평면도이다.6 is a plan view showing the support unit of the process chamber and the transfer chamber.
도 6을 참조하면, 공정챔버(10)의 지지유닛(200)은 4개의 받침대(211)(212)(213)(214)를 구비하며, 각 받침대(211)(212)(213)(214)에는 삽입홈(220a)(220b)이 구비된다.Referring to FIG. 6, the
이때, 복수 개의 받침대(211)(212)(213)(214)는 공정챔버(10)와 반송챔버(20) 사이의 게이트장치(40)와 인접한 위치에 배치되는 제1받침대(212)(214)와 상기 제1받침대(210)의 타측에 배치되는 제2받침대(211)(213)를 포함한다. 즉, 상기 제1받침대(212)(214)는 공정챔버(10)의 게이트(112a) 또는 게이트장치(40)와 인접하여 배치되며, 제2받침대(211)(213)는 상기 제1받침대(212)(214)가 설치되는 위치의 타측에 배치된다. 제1받침대(212)(214)는 상기 상판(202)의 일측에 구비되며, 상기 제2받침대(211)(213)는 상판(202)의 타측에 구비된다. 이때, 상기 게이트(112a) 또는 게이트장치(40)와 인접한 위치에 상기 제1받침대(212)(214)가 구비된다.
In this case, the plurality of
상기 제1받침대(212)(214)에는 제1형 삽입홈(220a)이 구비된다. 또한, 제2받침대(211)(213)에는 제2형 삽입홈(220b)이 구비된다.The
이때, 제1받침대(212)(214)에 구비되는 제1형 삽입홈(220a)은 제2라인과 평행하게 연장된 적어도 하나의 제2부(223)를 포함한다. 또한, 제2받침대(211)(213)에 구비되는 제2형 삽입홈(220b)은 상기 제1라인 및 제2라인과 평행하게 연장된 복수의 제2부(223)를 포함한다. 여기서 제1라인과 제2라인은 대략 수직인 것이 바람직하다. 즉, 제1라인과 제2라인은 대략 직교한다. 보다 상세하게는 제1라인과 제2라인의 교차각은 50°내지 90°일 수 있으며, 바람직하게는 70°내지 90°이다. 여기서, 제1라인은 공정챔버(10)의 중심과 반송챔버(20)의 중심을 이은 직선과 평행한 직선을 의미한다. 또는 제1라인은 공정챔버(10)의 중심과 공정챔버(10)의 측벽에 구비되는 게이트(112a) 또는 게이트장치(40)를 이은 직선과 평행한 직선을 의미한다.
In this case, the first
상기 제1받침대(212)(214)에 구비된 제1형 삽입홈(220a)은 제2라인과 평행하게 연장된 적어도 하나의 제2부(223)를 가진다. 즉, 반송챔버(20)와 인접한 곳에 위치하는 제1형 삽입홈(220a)은 제2라인과 평행하게 연장된 적어도 하나의 제2부(223)를 가진다. The first
상기 제2받침대(211)(213)에 구비된 제2형 삽입홈(220b)은 제1라인 및 제2라인과 평행하게 연장된 복수의 제2부(223)를 가진다. 즉, 반송챔버(20)와 반대편에 위치하는 제2형 삽입홈(220b)은 제1라인 및 제2라인과 각각 평행하게 연장된 복수의 제2부(223)를 가진다.
The second
이때, 제1형 삽입홈(220a) 및 제2형 삽입홈(220b)의 제2부(223)는 지지유닛(200)의 외측방향에 구비되는 것이 바람직하다. 즉, 제1형 삽입홈(220a) 및 제2형 삽입홈(220b)의 제2부(223)는 지지유닛(200)의 내측에서 지지유닛(200)의 외측을 향하는 방향으로 연장되도록 구비되는 것이 바람직하다. At this time, it is preferable that the
챔버바디(110)에 열팽창이 발생하게 되면, 하벽(113)은 지지유닛(200)의 외측으로 팽창하게 된다. 따라서, 하벽(113)에 구비된 고정홈(113a)에 삽입된 고정부재(204)도 지지유닛(200)의 외측방향으로 이동하게 된다. 그러므로, 제1형 삽입홈(220a)과 제2형 삽입홈(220b)의 제2부(223)는 지지유닛(200)의 외측방향에 구비되는 것이 바람직하다.
When thermal expansion occurs in the
제1형 삽입홈(220a)은 제2라인과 평행하게 연장된 제2부(223)를 가지되, 상기 제2부(223)는 지지유닛(200)의 외측방향에 구비되는 것이 바람직하다. 즉, 제1형 삽입홈(220a)에 구비되는 제1받침대(212)(214)에서 상부 받침대(212)에 구비되는 제1형 삽입홈(220a)은 제1부(221)의 상측에만 제2부(223)가 구비되는 것이 바람직하다. 또한, 제1받침대(212)(214)의 하측 받침대(214)에 구비되는 제1형 삽입홈(220a)은 제1부(221)의 하측에만 제2부(223)가 구비되는 것이 바람직하다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제1형 삽입홈(220a)의 제2부(223)는 제1부(221)의 상측 및 하측에 모두 구비될 수 있다.
The first
제1받침대(212)(214)에 구비되는 제1형 삽입홈(220a)의 제2부(223)를 제2라인과 평행하게 연장되게 함으로써 챔버바디(110)의 열팽창에 의해 고정부재(204)의 이동이 발생하는 경우 고정부재(204)는 제2라인과 평행한 방향으로만 이동하게 된다. 고정부재(204)가 공정챔버(10)에서 반송챔버(20) 방향으로 이동하는 경우 반송챔버(20)의 위치를 이동시킬 수 있으며, 공정챔버(10)와 반송챔버(20)의 결합이 손상될 수 있다. 더불어, 반송챔버(20)의 일측에 구비되는 로드락 챔버의 결합에도 손상을 가할 수 있다. 따라서, 제1받침대(212)(214)에 구비되는 제1형 삽입홈(220a)의 제2부(223)를 제2라인과 평행하게 연장되게 하여 고정부재(204)의 이동에 의해 각 챔버 사이의 결합이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
The fixing
제2형 삽입홈(220b)은 제1라인과 평행하게 연장된 적어도 하나의 제2부(223) 및 제2라인과 평행하게 연장된 적어도 하나의 제2부(223)를 포함한다. 제2형 삽입홈(220b)의 제2부(223)도, 제1형 삽입부(220a)와 마찬가지로, 지지유닛(200)의 외측방향에 구비되는 것이 바람직하다.The second
구체적으로, 제2받침대(211)(213)의 상부 받침대(211)에 구비되는 제2형 삽입홈(220b)은 제1부(221)의 상측과 우측에 제2부(223)가 구비되는 것이 바람직하다. 또한, 제2받침대(211)(213)의 하부 받침대(213)에 구비되는 제2형 삽입홈(220b)은 제1부(221)의 하측과 우측에 제2부(223)가 구비되는 것이 바람직하다.Specifically, the second
이와 같이 제2받침대(211)(213)의 제2형 삽입홈(220b)을 구비함으로써, 챔버바디(110)의 열팽창에 의해 고정부재(204)의 이동이 발생하게 되면, 제2형 삽입홈(220b)에 삽입된 고정부재(204)는 제1라인 및 제2라인의 방향을 따라 모두 이동할 수 있다.
As such, when the second
한편, 상술한 실시예에서는 받침대(210)가 4개가 구비되는 것을 설명하였으나, 받침대(210)의 개수는 제작환경에 따라 달라질 수 있다. 즉, 지지유닛(200)의 상판(202)에 3개, 5개, 또는 6개 이상의 받침대(210)를 구비할 수 있다. 이 경우에도 받침대(210)는 대칭을 이루도록 배치되는 것이 바람직하다. 더불어, 반송챔버(20)와 가장 인접한 위치에 배치되는 받침대(210)에는 제1형 삽입홈(220a)이 배치되는 것이 바람직하다.
Meanwhile, in the above-described exemplary embodiment, four
또한, 상술한 실시예에서는 받침대(210)에 고정부재(204)가 삽입되는 삽입홈(220)이 형성되는 것을 설명하였으나, 지지유닛(200)의 상판(202)에 삽입홈(220)이 형성될 수 있음은 물론이다. 즉, 받침대(210)를 구비하지 않고, 받침대(210)가 구비되는 위치에 삽입홈(220)에 구비될 수 있다. 이때, 복수 개의 삽입홈은 공정챔버(10)와 반송챔버(20) 사이의 게이트장치(40)와 인접한 위치에 배치되는 제1형 삽입홈(220a)과 상기 제1형 삽입홈의(220a)의 타측에 배치되는 제2형 삽입홈(220b)을 포함한다. 즉, 상기 제1형 삽입홈(220a)은 공정챔버(10)의 게이트(112a)의 인접하여 배치되며, 제2형 삽입홈(220b)은 상기 제1형 삽입홈(220a)이 구비되는 위치의 타측에 배치된다. 예를 들어, 제1형 삽입홈(220a)은 상기 상판(202)의 일측에 구비되며, 상기 제2형 삽입홈(220b)은 상판(202)의 타측에 구비된다. 이때, 상기 게이트(112a)와 인접한 위치에 상기 제1형 삽입홈(220a)이 구비된다.
In addition, in the above-described embodiment, the
또한, 도 7을 참조하면, 제2형 삽입부(220b)는 제1부(221)의 대각방향에 하나의 제2부만(223)을 구비할 수 있다. 즉, 제2형 삽입부(220b)는, 열팽창에 의해 고정부재(204)가 이동하는 경우 제1라인 방향의 변위벡터()와 제2라인 방향의 변위벡터()를 합한 방향()으로 연장된 제2부(223)를 포함할 수 있다. 이 경우, 도 7의 (a)를 참조하면, 상판(202)의 상부에 배치되는 제2형 삽입홈(220b)은 우상방향으로 연장된 제2부(223)를 가질 수 있다. 또한, 도 7의 (b)를 참조하면, 상판(202)의 하부에 배치되는 제2형 삽입홈(220b)은 우하방향으로 연장된 제2부(223)를 가질 수 있다.
In addition, referring to FIG. 7, the second
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명에 기재된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상이 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의해서 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments described in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention but to explain, and the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents thereof should be construed as being included in the scope of the present invention.
10 공정챔버 20 반송챔버
30 로드락 챔버 40 게이트장치
110 챔버바디 111 상벽, 112 측벽, 113 하벽
113a 112a 게이트
120 상부전극 130 하부전극
140 가스 공급로 200 지지유닛
201 본체 202 상판
204 고정부재 205 지지다리
210 받침대 212, 214 제1받침대
211, 213 제2받침대 220 삽입홈
220a 제1형 삽입홈, 220b 제2형 삽입홈
221 제1부 223 제2부10
30
110
113a 112a gate
120
140
201
204 Fixing
210
211, 213
221
Claims (7)
상기 챔버바디의 하부에 구비되어 상기 챔버바디를 지지하는 지지유닛; 및
상기 챔버바디를 상기 지지유닛에 고정하는 복수 개의 고정부재;를 포함하며,
상기 지지유닛의 상부에는 상기 고정부재가 삽입되는 복수 개의 삽입홈이 형성되며, 상기 삽입홈은 상기 고정부재의 외경에 대응되는 제1부와 상기 제1부의 일측에 연장된 적어도 하나의 제2부를 포함하되,
상기 복수 개의 삽입홈은,
제1라인과 평행하게 연장된 적어도 하나의 제2부를 포함하는 제1형 삽입홈과 상기 제1라인 및 제2라인과 각각 평행하게 연장된 복수 개의 제2부를 포함하는 제2형 삽입홈을 포함하고,
상기 제1라인과 제2라인은 수직이며,
상기 제1라인은 공정챔버와 상기 공정챔버의 일측에 구비되는 반송챔버의 중심을 연결한 직선과 평행한 직선인 것을 특징으로 하는 기판처리장치. A process chamber forming a space in which the substrate is processed and including a chamber body including an upper wall, a side surface, and a lower wall;
A support unit provided below the chamber body to support the chamber body; And
Includes; a plurality of fixing member for fixing the chamber body to the support unit,
A plurality of insertion grooves into which the fixing member is inserted is formed at an upper portion of the support unit, and the insertion groove includes a first portion corresponding to an outer diameter of the fixing member and at least one second portion extending at one side of the first portion. Including,
The plurality of insertion grooves,
A first type insertion groove including at least one second portion extending in parallel with the first line, and a second type insertion groove including a plurality of second portions extending in parallel with the first line and the second line, respectively. and,
The first line and the second line is vertical,
And the first line is a straight line parallel to a straight line connecting a process chamber and a center of a transfer chamber provided at one side of the process chamber.
상기 챔버바디의 하벽에는 상기 고정부재가 삽입되는 복수 개의 고정홈이 구비된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 1,
Substrate processing apparatus, characterized in that the lower wall of the chamber body is provided with a plurality of fixing grooves for the fixing member is inserted.
상기 지지유닛은 상판과 상기 상판 위에 구비된 받침대를 포함하며, 상기 받침대의 상부에 상기 삽입홈이 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 1,
The support unit includes a top plate and a pedestal provided on the top plate, characterized in that the insertion groove is formed in the upper portion of the substrate processing apparatus.
상기 제1형 삽입홈은 상기 반송챔버와 인접한 위치에 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 1,
And the first type insertion groove is provided at a position adjacent to the transfer chamber.
상기 지지유닛의 상부에는, 상기 공정챔버를 상기 지지유닛에 고정하는 복수 개의 고정부재가 삽입되는 복수 개의 삽입홈이 형성되며,
상기 삽입홈은 상기 고정부재의 외경에 대응되는 제1부와 상기 제1부의 일측에 연장된 적어도 하나의 제2부를 포함하되,
상기 복수 개의 삽입홈은,
제1라인과 평행하게 연장된 적어도 하나의 제2부를 포함하는 제1형 삽입홈과 상기 제1라인 및 제2라인과 각각 평행하게 연장된 복수 개의 제2부를 포함하는 제2형 삽입홈을 포함하고,
상기 제1라인과 제2라인은 수직이며,
상기 제1형 삽입홈은 상기 공정챔버에 구비된 게이트와 인접한 위치에 배치되는 것을 특징으로 공정챔버의 지지유닛.A support unit for supporting a process chamber for processing a substrate in an interior space,
In the upper portion of the support unit, a plurality of insertion grooves are formed is inserted into which a plurality of fixing members for fixing the process chamber to the support unit,
The insertion groove includes a first portion corresponding to the outer diameter of the fixing member and at least one second portion extending on one side of the first portion,
The plurality of insertion grooves,
A first type insertion groove including at least one second portion extending in parallel with the first line, and a second type insertion groove including a plurality of second portions extending in parallel with the first line and the second line, respectively. and,
The first line and the second line is vertical,
The first type insertion groove is disposed in a position adjacent to the gate provided in the process chamber support unit of the process chamber.
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002014310A (en) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Minolta Co Ltd | Holder for conveying film substrate and film substrate |
JP2006515039A (en) * | 2003-04-16 | 2006-05-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Gas distribution plate assembly for large area plasma chemical vapor deposition |
KR20100011536A (en) * | 2008-07-25 | 2010-02-03 | 주식회사 에스에프에이 | Loadlock chamber assembly of chemical vapored deposition apparatus |
KR20110084271A (en) * | 2008-10-31 | 2011-07-21 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | Self-centering susceptor ring assembly |
-
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- 2011-12-30 KR KR1020110147866A patent/KR101361711B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002014310A (en) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Minolta Co Ltd | Holder for conveying film substrate and film substrate |
JP2006515039A (en) * | 2003-04-16 | 2006-05-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Gas distribution plate assembly for large area plasma chemical vapor deposition |
KR20100011536A (en) * | 2008-07-25 | 2010-02-03 | 주식회사 에스에프에이 | Loadlock chamber assembly of chemical vapored deposition apparatus |
KR20110084271A (en) * | 2008-10-31 | 2011-07-21 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | Self-centering susceptor ring assembly |
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