KR101585597B1 - 칩 컨베이어 장치 - Google Patents

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KR101585597B1
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(주)마스타텍
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Abstract

본 발명은 칩 컨베이어 장치에 관한 것으로서, 가공 소재, 가공 기계 및 칩의 종류에 상관없이 칩(연마 슬러지 포함)과 가공유를 처리할 수 있는 범용성과 우수한 필터링 성능 및 내구성을 가지는 칩 컨베이어 장치를 제공하는데 그 목적이 있다. 상기한 목적을 달성하기 위해, 구동모터를 포함하는 상측의 구동장치와; 공작기계로부터 칩과 슬러지, 쿨런트가 혼입된 상태로 유입되는 하측의 쿨런트 탱크와; 상기 구동장치에 의해 상측의 칩 분리부와 하측의 쿨런트 탱크 사이를 순환 이동하면서 쿨런트 탱크에서 칩 및 슬러지와 함께 유입된 쿨런트로부터 칩을 제거하는 필터러블 컨베이어를 구비한 컨베이어 유닛과; 상기 필터러블 컨베이어에 의해 상측으로 이송되어 상기 칩 분리부에 의해 분리된 칩이 저장되는 칩 저장부와; 상기 쿨런트 탱크에 연결되고 쿨런트 탱크로 유입되어 필터러블 컨베이어에 의해 필터링된 쿨런트를 추가로 필터링한 뒤 고압펌프를 통해 공작기계에 공급하는 고압 쿨런트 공급장치를 포함하는 칩 컨베이어 장치가 개시된다.

Description

칩 컨베이어 장치{CHIP CONVEYOR APPARATUS}
본 발명은 칩 컨베이어 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 선반, 머시닝 센터, 태핑기, 그라인더 등의 공작기계에서 피공작물의 가공 과정에서 발생하는 칩(chip)을 외부로 배출시키는 칩 컨베이어 장치에 관한 것이다.
일반적으로 선반 등의 공작기계는 피공작물을 정해진 모양으로 가공하기 위해 절삭, 연삭 등의 가공을 하는데, 이러한 가공 과정에서 공작물과 공구가 접촉하는 부위에서는 고열이 발생한다.
이때 발생하는 열은 공작물을 변질시키거나 공구를 소손시키므로 열이 발생하는 가공부위를 냉각제인 쿨런트(coolant)(절삭유, 가공유)로 냉각시키고 있으며, 이를 통해 가공속도를 보다 고속으로 할 수 있다.
그러나, 공작기계에서 공작물의 가공시 발생하는 다량의 칩(chip)과 쿨런트는 공작기계의 효율적인 작업을 위해 칩 컨베이어 장치를 이용하여 자동으로 반출하여야 하며, 반출되는 칩과 쿨런트는 반출 과정에서 분리되어 수거된다.
다만, 칩은 칩수거함으로 배출되지만 쿨런트는 저장탱크에 일시적으로 저장한 뒤 재사용을 위해 순환된다
가공 과정에서 배출되는 방대한 양의 칩이 공작기계의 내부에 쌓이게 되면 공작기계의 슬라이드 면을 손상시키거나 공작기계의 효율을 저하시키고, 더불어 불량품의 발생으로 인해 원가를 상승시키는 등의 문제를 일으킬 수 있다.
상기 칩 컨베이어 장치는 공작기계, 예를 들어 머시닝 센터(machining center, MCT), 선반, 태핑기, 그라인더 등과 같은 절삭가공기계에서 금속, 비금속 등의 가공시 발생하는 칩 또는 슬러지 등을 배출하는 장비로, 가공 소재 및 가공 용도에 따라 그 방식이 다르다.
현재 사용되는 방식으로는 힌지 컨베이어, 스크래퍼 컨베이어, 스파이럴 컨베이어, 마그네틱 컨베이어 방식 등이 가장 일반적이다.
이 중에서 힌지 컨베이어 방식은 CNC 선반, 머신(M/C) 가공시 배출되는 롱 칩(long chip) 및 쇼트 칩(short chip) 처리에 아주 적합하며, 소형 프레스 스크랩(press scrap) 처리에도 사용되고 있다.
이러한 힌지 컨베이어 방식은 공작기계의 베드(bed)에서 칩과 쿨런트가 혼입되어 유입되면 쿨런트와 미세 칩은 쿨런트 탱크로 유입되고, 롱 칩(long chip)과 쇼트 칩(short chip)은 외부로 배출시키는 구성을 가진다.
또한, 스크래퍼 컨베이어 방식은 CNC 선반, 전용기, 머신 등 가공시에 배출되는 쇼트 칩 처리에 주로 사용되며, 그 밖에 주물가공 칩 처리에도 사용되고, 고장이 적으면서 상대적으로 여과능력이 뛰어나 일반적으로 가장 많이 사용되고 있다.
스크래퍼 컨베이어 방식에서는 칩을 컨베이어 바닥에 침전시킨 뒤 정밀 스크래퍼(scraper)를 이용하여 칩을 제거하며, 베드에서 쿨런트 탱크로 칩과 쿨런트가 유입되면 이를 스크래퍼로 긁어 외부로 배출하는데, 이 과정에서 바닥면의 칩이 스크래퍼 사이에 러빙(rubbing) 현상을 발생시켜 잦은 고장의 원인이 되고 있다.
이러한 스크래퍼 컨베이어 방식은 금속(Fe 계열)의 여과 정도를 향상시키기 위해 마그네틱 방식(Magnetic type)으로 제작하여 사용하기도 한다.
스파이럴 컨베이어 방식은 CNC 선반 및 머신 가공시에 배출되는 롱 칩과 쇼트 칩 처리에 사용하며, 주로 드라이 커팅(dry cutting)이나 비정밀 가공, 즉 쿨런트를 사용하지 않는 가공에 주로 사용되며, 베드에서 가공 칩이 스파이럴쪽으로 유입되면 스파이럴로 칩을 외부로 배출시키는 방식이다.
이러한 스파이럴 컨베이어 방식은 롱 칩의 부피를 줄여 작업의 효율성을 높일 수 있고, 적은 공간에 설치가 가능하다는 이점을 가진다.
마그네틱 컨베이어 방식은 베드에서 마그네틱 부위로 절삭유와 칩이 유입되면 자성에 의해 칩이 마그네틱 부위를 통과하는 동안 붙어 있다가 마그네틱 부위를 통과하면 칩을 배출하는 방식이며, 철(Fe) 계열만 가능하고, 연마 슬러지는 침수시켜 흡착하는 방식도 있다.
마그네틱 컨베이어 방식은 호빙(hobbing), 브로칭(broaching) 머신 가공시에 배출되는 전단형 칩 처리에 적합하고, 소형 프레스 스크랩 이송시에도 사용되며, 점성이 높은 비수용성 쿨런트의 칩 처리에 효율적이다.
한편, 칩 컨베이어 장치는 공작기계에 외부 쿨런트 및 내부 쿨런트를 공급하기 위한 쿨런트 1차 필터링에 있어서 매우 중요한 장치이다.
또한, 머시닝 센터, 선반, 보링기 등의 공작기계 및 가공기에서 발생하는 칩의 종류가 다르기 때문에 서로 다른 칩 컨베이어 장치를 사용하여야 하지만, 실제 작업현장에서는 그러하지 못하므로 잔고장의 주요 원인이 되고 있다.
이에 기능적인 개선은 물론, 어떤 종류의 공작기계 및 가공기에서도 사용 가능한 칩 컨베이어 장치, 즉 우수한 필터링 기능, 모든 공작기계 및 가공기에 사용 가능한 범용성, 잔고장 없는 내구성을 확보한 칩 컨베이어 장치가 필요하게 되었다.
최근 공작기계는 대형 가공, 초정밀 가공, 통합 가공화의 추세에 있으며, 이들 공작기계에서 사용되는 주요 주변 장치 중 가공유 처리장치의 중요성이 증대되고 있는바, 특히 칩 컨베이어 장치의 중요성 또한 증대되고 있다.
종래 일반적으로 적용되는 가공유 처리 장치에 있어서 그 기능의 핵심은 절삭 가공시 발생한 칩의 제거 및 미세 슬러지의 필터링이나, 종래의 칩 컨베이어 장치는 가공 소재 및 공작기계 종류 등에 따라 적용되는 칩 처리 방식이 다르고, 잔고장이 많으며, 칩 및 가공유를 원 스탑(One-Stop)으로 처리할 수 없다는 단점을 가진다.
한국 등록특허 제10-1179924호(2012.08.30) 한국 공개특허 제10-2012-0117259호(2012.10.24) 한국 공개특허 제10-2012-0069046호(2012.06.28) 한국 공개특허 제10-2012-0067587호(2012.06.26) 한국 등록실용신안 제20-0422685호(2006.07.24)
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출한 것으로서, 가공 소재, 가공 기계 및 칩의 종류에 상관없이 칩(연마 슬러지 포함)과 가공유를 처리할 수 있는 범용성과 우수한 필터링 성능 및 내구성을 가지는 칩 컨베이어 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 구동모터를 포함하는 상측의 구동장치와; 공작기계로부터 칩과 슬러지, 쿨런트가 혼입된 상태로 유입되는 하측의 쿨런트 탱크와; 상기 구동장치에 의해 상측의 칩 분리부와 하측의 쿨런트 탱크 사이를 순환 이동하면서 쿨런트 탱크에서 칩 및 슬러지와 함께 유입된 쿨런트로부터 칩을 제거하는 필터러블 컨베이어를 구비한 컨베이어 유닛과; 상기 필터러블 컨베이어에 의해 상측으로 이송되어 상기 칩 분리부에 의해 분리된 칩이 저장되는 칩 저장부와; 상기 쿨런트 탱크에 연결되고 쿨런트 탱크로 유입되어 필터러블 컨베이어에 의해 필터링된 쿨런트를 추가로 필터링한 뒤 고압펌프를 통해 공작기계에 공급하는 고압 쿨런트 공급장치를 포함하는 칩 컨베이어 장치를 제공한다.
바람직한 실시예에서, 상기 필터러블 컨베이어는, 상기 쿨런트 탱크로 유입된 쿨런트를 통과시키고 쿨런트에 혼입되어 있던 칩이 위에 남아 있도록 하는 메쉬 형태로 제작되어 구비되며, 순환 이동됨에 따라 위에 남아 있는 칩을 상측의 칩 분리부로 이송시키도록 된 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 필터러블 컨베이어를 따라 스크래퍼가 설치되어, 메쉬 형태로 제작된 필터러블 컨베이어가 경사진 상태로 상측의 칩 분리부로 이동될 때 쿨런트가 필터링되고 남은 필터러블 컨베이어 위의 칩이 상기 스크래퍼에 의해 떨어지지 않도록 한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 칩 분리부는 클린 쿨런트를 공급하여 필터러블 컨베이어에 의해 이송된 칩을 필터러블 컨베이어로부터 분리하는 워터 나이프 형태의 칩 분리장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 공기 또는 역세펌프에 의해 압송되는 클린 쿨런트를 세척 노즐을 통해 메쉬 형태의 필터러블 컨베이어에 고압으로 분사하여 세척하는 역세 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 칩 저장부의 바닥면에 메쉬망이 설치되고, 상기 칩 저장부의 하측에는 상기 메쉬망을 통해 필터링되어 유입된 쿨런트를 회수펌프를 통해 쿨런트 탱크로 회수하는 쿨런트 회수장치가 구비되는 것을 특징으로 한다.
이에 따라, 본 발명의 칩 컨베이어 장치는 종래의 칩 컨베이어와 필터링 시스템을 통합한 구성을 가지는 것으로서, 가공 소재, 가공 기계 및 칩의 종류에 상관없이 칩(연마 슬러지 포함)과 가공유를 처리할 수 있는 범용성과 우수한 필터링 성능 및 내구성을 가진다.
특히, 러빙 현상과 그로 인한 구동모터 및 체인의 잦은 고장 문제 해소, 칩 제거의 정밀도 향상, 2차 필터의 부하 제거, 2차 필터 내구성 향상, 각종 펌프 및 부품 보호 등의 측면에 있어서 우수한 이점이 있다.
또한, 마지막으로 정밀 필터링 기능을 가지는 쿨런트 공급장치를 적용함으로써 페이퍼 필터 및 드럼 필터 등 정밀 필터링 기능의 통합, 잔고장 원인 제거 등으로 인한 생산성 증대, 원가절감 및 공간성 확보 등에 있어서 이점이 있게 된다.
도 1은 본 발명에 따른 칩 컨베이어 장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명에 따른 칩 컨베이어 장치의 정면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 칩 컨베이어 장치의 평면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 칩 컨베이어 장치의 측면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 칩 컨베이어 장치에서 스크래퍼와 칩 분리장치를 포함하여 도시한 측면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 칩 컨베이어 장치에서 필터러블 컨베이어와 고압 쿨런트 공급장치를 도시한 개략도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 칩 컨베이어 장치의 사시도이고, 도 2는 본 발명에 따른 칩 컨베이어 장치의 정면도이며, 도 3은 본 발명에 따른 칩 컨베이어 장치의 평면도, 도 4는 본 발명에 따른 칩 컨베이어 장치의 측면도이다.
또한, 도 5는 본 발명에 따른 칩 컨베이어 장치에서 스크래퍼와 칩 분리장치를 포함하여 도시한 측면도이고, 도 6은 본 발명에 따른 칩 컨베이어 장치에서 필터러블 컨베이어와 고압 쿨런트 공급장치를 도시한 개략도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 칩 컨베이어 장치는 구동모터(11)를 포함하는 상측의 구동장치부(10)와, 공작기계로부터 칩과 슬러지, 쿨런트가 혼입된 상태로 유입되는 하측의 쿨런트 탱크(20)와, 상기 구동장치부(10)에 의해 상측의 칩 분리부(30)와 하측의 쿨런트 탱크(20) 사이를 순환하는 필터러블 컨베이어(filterable conveyor)(42)를 구비한 컨베이어 유닛(40), 상기 컨베이어 유닛(40)에 의해 상측으로 이송된 칩이 낙하하여 저장되는 칩 저장부(50)를 포함하여 구성된다.
먼저, 상기 구동장치부(10)에서는 스프라켓 및 체인을 이용한 체인 동력 전달 방식으로 구동모터(11)의 회전력을 전달하여 필터러블 컨베이어(42)를 순환 이동시키는 구동 방식이 이용될 수 있다.
즉, 스크래퍼 컨베이어 방식의 칩 컨베이어 장치에서와 마찬가지로, 감속기가 내장된 구동모터(감속모터)(11)를 포함하고, 이에 더하여 도면에 예시하지는 않았으나 구동모터(11)의 회전력이 출력되는 회전축에 장착된 구동스프라켓과, 체인, 그리고 상기 구동스프라켓과의 사이에 회전력을 전달받을 수 있도록 상기 체인으로 연결되는 종동스프라켓을 더 포함하여 구성될 수 있다.
상기 종동스프라켓은 컨베이어 유닛(40)의 외곽 프레임(41) 상단부 외측에 회전 가능하게 장착되고, 이와 함께 상기 외곽 프레임(41) 상단부 내측에 상기 종동스프라켓의 회전시 일체로 회전되는 상부스프라켓(44)이 회전 가능하게 장착된다.
도 1을 참조하면 구동모터(11)의 회전력을 전달하는 구동스프라켓과 체인, 종동스프라켓의 주변을 둘러싸는 하우징(12)이 설치되어 있으며, 이에 하우징(12) 내부에 위치되는 구동스프라켓과 체인, 종동스프라켓에 대해서 도시를 생략하였다.
또한, 컨베이어 유닛(40)의 외곽 프레임(41) 하단부에는 하부스프라켓(45)이 회전 가능하게 장착되며, 이때 하부스프라켓(45)은 쿨런트 탱크(20) 내측에 위치된다.
상기 상부스프라켓(44)과 하부스프라켓(45)은 스크래퍼 컨베이어 방식에서와 마찬가지로 각각 좌우 한 쌍으로 구비될 수 있는데, 이때 한 쌍의 상부스프라켓(44)이 연결축을 매개로 연결되어 일체 회전되고, 마찬가지로 한 쌍의 하부스프라켓(45) 또한 연결축을 매개로 연결되어 일체 회전되도록 구비된다.
또한, 좌측의 상부스프라켓(44)과 좌측의 하부스프라켓(45), 그리고 우측의 상부스프라켓(44)과 우측의 하부스프라켓(45) 사이에 체인이 연결되고, 좌측 체인과 우측 체인 사이에 필터러블 컨베이어(42)가 결합된다.
이러한 필터러블 컨베이어(42)는 컨베이어 유닛(40)의 외곽 프레임(41) 내측에서 상부스프라켓(44)과 하부스프라켓(45) 사이를 순환 이동하게 되는데, 구동모터(11)의 회전력이 구동스프라켓, 체인, 종동스프라켓을 통해 전달되어 상부스프라켓(44)이 회전되면, 체인이 하부스프라켓(45) 사이에서 순환 이동되면서 필터러블 컨베이어(42) 또한 상부스프라켓(44)이 위치된 상측의 칩 분리부(30)와 하부스프라켓(45)이 위치한 하측의 쿨런트 탱크(20) 사이를 순환 이동하게 된다.
또한, 필터러블 컨베이어(42)에는 스크래퍼(43)가 일정 간격으로 구비되는데, 상기 스크래퍼(43)는, 기존 스크래퍼 방식의 칩 컨베이어 장치에서와 달리, 스크래퍼 메쉬 형태로 제작된 필터러블 컨베이어(42)가 순환 이동하는 과정에서 필터러블 컨베이어(42)가 경사진 상태로 상측의 칩 분리부(30)로 이동될 때, 쿨런트가 필터링되어 필터러블 컨베이어(42) 위에 남은 칩이 경사도에 의해 떨어지지 않게 하는 용도로 사용된다.
이렇게 필터러블 컨베이어(42)에 의해 상측의 칩 분리부(30)로 이송된 칩은 칩 저장부(50)로 낙하되어 모이게 된다.
상기와 같이 스크래퍼(43)가 쿨런트 탱크(20)의 바닥을 긁는 용도로 사용되는 것이 아니므로, 종래의 문제점인 칩과 스크래퍼 간의 러빙(rubbing) 현상이 발생하지 않으며, 더불어 러빙에 의한 구동모터(11)의 손상이나 체인 끊어짐 등의 문제가 발생하지 않는다.
한편, 본 발명에 따른 칩 컨베이어 장치는 고압 쿨런트 공급장치(60)를 포함한다.
상기 고압 쿨런트 공급장치(60)로는 본원 출원인에 의해 "사이클론을 이용한 외부쿨런트 일체형 고압쿨런트 공급장치"의 명칭으로 출원 및 등록된 대한민국 등록특허 제10-1420707호(2014..7. 11)에 개시되어 있는 고압 쿨런트 공급장치가 적용 가능하다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 상기 고압 쿨런트 공급장치(60)에서는 쿨런트 탱크(20)에 연결되어 쿨런트 탱크로부터 슬러지를 포함한 쿨런트가 유입되면, 유입된 쿨런트를 사이클론 필터인 제1필터(61)를 통해 1차 필터링하고, 1차 필터링된 쿨런트를 마그네틱 필터인 제2필터(63)를 통해 2차 필터링한 뒤, 2차 필터링된 쿨런트를 내부 탱크(65)에 저장하였다가, 고압펌프(64)를 통해 공작기계에 고압으로 공급한다.
또한, 2차 필터링된 쿨런트가 쿨런트 탱크(20)에 저장되고, 쿨런트 탱크(20)에서는 필터링된 클린 쿨런트가 각각의 펌프(66,67,68)를 통해 공작기계의 베드 또는 클린 쿨런트가 필요한 그 밖의 곳에 공급되거나 역세를 위해 공급된다.
또한, 도 1에서 도면부호 70은 고압 쿨런트 공급장치(60)를 포함하여 칩 컨베이어 장치의 작동 전반을 제어하는 컨트롤 박스를 나타내며, 상기 컨트롤 박스(70)는 고압 쿨런트 공급장치(60) 일측에 부착되어 장착된다.
또한, 도면부호 80은 쿨런트 탱크(20) 상부 일측에 구비되어 공작기계의 베드(bed)로부터 칩과 미세 슬러지, 쿨런트(절삭유)가 혼합된 상태로 유입되는 셔터(shutter)부를 나타내며, 도면부호 90은 필터러블 컨베이어(42)의 역세(逆洗) 및 쿨런트 교반을 위한 역세펌프를 나타낸다.
상기 셔터부(80)를 통해서는 공작기계의 베드로부터 유입되는 칩과 쿨런트뿐만 아니라 고압 쿨런트 공급장치(60) 내부의 사이클론 필터인 제1필터(61)에 의해 분리된 후 슬러지아웃렛라인(62)을 통해 배출되는 슬러지가 포함된 더티 쿨런트가 유입된다.
본 발명에 따른 칩 컨베이어 장치에서는 공작기계의 베드에서 셔터부(80)를 통해 칩과 슬러지, 쿨런트가 쿨런트 탱크 내부로 혼입될 때, 쿨런트 탱크 내에 위치된 필터러블 컨베이어(42) 부분이 쿨런트 내 칩을 1차로 제거하여 필터링하고, 1차로 필터링된 쿨런트가 쿨런트 탱크(20) 내부로 유입된다.
이에 대해 좀더 설명하면, 종래의 칩 컨베이어 장치에서는 공작기계의 베드로부터 칩을 쿨런트와 함께 쿨런트 탱크(20)에 혼입시킨 상태에서 스크래퍼(또는 호퍼)로 긁어서 외부로 배출시키는 방식이며, 이때 쿨런트 탱크(20)의 바닥면과 스크래퍼 사이에 칩이 끼어 발생하는 러빙 현상(특히 연질 소재의 경우 심함)에 의해 체인이나 구동모터(11)의 잦은 고장이 발생한다.
반면, 본 발명에 따른 칩 컨베이어 장치에서는 필터 메쉬(filter mesh) 형태를 가지는(필터링이 가능한 메쉬 형태로 제작된) 컨베이어, 즉 필터러블 컨베이어(42)를 사용함으로써, 칩과 슬러지, 쿨런트가 쿨런트 탱크(20)로 유입될 때, 쿨런트 탱크(20) 내에서 상기 필터러블 컨베이어(42)에 의해 대략 100㎛ 이내, 더 나아가 20㎛ 이내로 자동 필터링 되면서, 그 이상의 크기를 가지는 칩과 슬러지가 필터러블 컨베이어를 따라 이송된 후 자동 배출된다.
또한, 상기 칩과 슬러지가 1차 제거된 쿨런트는 2차로 사이클론 필터를 가지는 고압 쿨런트 공급장치(60) 내에서 정밀 필터링(예, 5㎛ 보다 큰 입자 제거)되어, 탱크 청소와 동시에 슬러지가 외부 배출되고, 슬러지가 제거된 쿨런트는 외부쿨런트 및 고압쿨런트 펌프를 통해 공작기계로 공급된다.
이러한 본 발명에 따른 칩 컨베이어 장치는 롱 칩(long chip) 및 쇼트 칩(short chip), 미세 칩의 제거가 모두 가능하고, Fe 계열, SUS 계열, Cu 계열, Al 계열 등의 모든 금속류 칩에 대해서도 적용이 가능하다.
종래의 칩 컨베이어 장치는 가공품의 재질에 따라 칩 컨베이어의 방식을 달리하여야 하지만 본 발명에 따른 칩 컨베이어 장치는 가공품의 재질에 상관없이 사용할 수 있는 범용성을 가지고 있는 것이다.
또한, 연마 슬러지 제거 기능, 쿨런트 탱크(20) 청소 기능이 구현 가능하며, 구동모터(11)와 체인 등의 잦은 손상 문제가 해결 가능하며, 가격, 성능, 내구성 측면에서 우수한 장점을 갖는다.
종래의 칩 컨베이어 장치는 그 용도에 따라 페이퍼(paper) 필터, 마그네틱 필터, 드럼 필터, 백 필터 유닛 등의 별도 장치가 필요하고 비용과 공간성 유지 비용이 과다하게 소요되지만, 본 발명에 따른 칩 컨베이어 장치는 필터러블 컨베이어(42)의 빌트-인 필터(built-in filter) 방식과 고압 쿨런트 공급장치(60)의 사이클론 방식이 조합됨으로써 내구성, 공간성, 가격 경쟁력, 필터링 효율, 호완성, 범용성 등에 있어서 우수한 장점을 가지는 것이다.
한편, 필터러블 컨베이어(42)의 메쉬 필터에 대한 역세는 세척 노즐을 통해 공기 또는 역세펌프(90)에 의해 압송되는 클린 쿨런트(clean coolant)를 고압으로 분사하여 메쉬 필터를 세척하는 방식으로 이루어지며, 이러한 역세 장치를 통해 연속적으로 사용 가능한 오토-필터(auto-filter) 기능이 구현될 수 있도록 한다.
이때, 메쉬 필터의 효율적인 세척을 위해 각 세척 노즐에서의 균압 유지가 가능하도록, 즉 공기 또는 클린 쿨런트가 각 세척 노즐에서 균등한 압력으로 분사될 수 있도록 한다.
상기와 같이 이루어지는 역세 과정에서 역세된 쿨런트는 칩 저장부(50)로 유입되는데, 칩 저장부(50)의 하측에 쿨런트 회수장치(51)가 구성될 수 있고, 상기 쿨런트 회수장치(51)에서는 칩 저장부(50)의 바닥면에 설치된 메쉬망(50a)을 통해 필터링된 후 유입된 쿨런트를 회수펌프(52)에 의해 쿨런트 탱크(20)로 회수되도록 한다.
또한, 전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 칩 컨베이어 장치에서는 공작기계의 베드로부터 셔터부(80)를 통해 유입된 쿨런트(칩과 슬러지를 포함함)를 필터러블 컨베이어(42)에서 1차 필터링 처리하여 쿨런트는 쿨런트 탱크(20)로 유입되도록 하고, 칩은 필터러블 컨베이어(42)에 남도록 하는바, 필터러블 컨베이어(42)의 순환 이동에 따라 필터러블 컨베이어(42) 위의 분리된 칩이 상측의 칩 분리부(30)로 이송된 후 칩 저장부(50)에 저장된다.
이때, 칩 분리부(30)에서 컨베이어 유닛(40)의 외곽 프레임(41) 상단부 내측에 설치된 워터 나이프(water knife) 형태의 칩 분리장치(31)를 이용하여 필터러블 컨베이어(42) 위의 칩과 슬러지를 칩 저장부(50)로 분리 및 낙하시킴으로써 저장하게 된다.
상기 칩 분리장치(31)로는 통상의 세척수 공급용 워터 나이프 형태가 적용될 수 있고, 워터 나이프 형태의 칩 분리장치(31)를 통해 클린 쿨런트를 필터러블 컨베이어(42) 위에 고압으로 공급하여, 필터러블 컨베이어(42) 위의 칩이 클린 쿨런트에 의해 원활히 분리, 제거될 수 있도록 한다.
또한, 미세 슬러지를 함유한 쿨런트 탱크(20) 내의 쿨런트(외부쿨런트용으로 필터러블 컨베이어에 의해 1차 필터링된 쿨런트임)를 고압 쿨런트 공급장치(60) 내 주축 관통 내장 필터, 즉 제1필터와 마그네틱 필터인 제2필터를 통해 정밀 필터링한 뒤, 필터링된 쿨런트를 공작기계에 공급한다.
이러한 칩 콘베이어 장치에서 컨트롤 박스(70)는 타이머 설정이 가능하도록 구비되고, 쿨런트의 처리 유량이나 칩의 배출량에 따라, 즉 공작기계의 가공 조건에 따라 사용자가 타이머를 설정하여 사용할 수 있도록 하는 것도 실시 가능하다.
이 경우 쿨런트 탱크(20) 내에 유입된 칩을 제거하기 위해 연속 운전을 할 수도 있지만, 칩 제거를 위한 필터러블 컨베이어(42)를 구동시키는 구동모터(11)의 작동시간을 작업자가 원하는 시간으로 조정하는 것이 가능하다.
예를 들어, 30분 대기 5분 가동 또는 30분 대기 10분 가동 등의 방식으로 작동시간을 타이머를 통해 설정할 경우 에너지를 절감하는 것이 가능해진다.
한편, 칩 분리장치(31)는, 마모방지코팅층이 형성되는 바, 이 마모방지코팅층은, 산화크롬(Cr2O3) 96∼98중량% 및 이산화티타늄(TiO2) 2∼4중량%가 혼합되어 이루어진 분말이 칩 분리장치(31)에 용사되어서 이루어지고, 50∼600㎛의 두께로 이루어지며, 경도는 900∼1000HV를 유지하도록 플라즈마 코팅된다.
이 마모방지코팅층은, 산화크롬(Cr2O3) 96∼98중량% 및 이산화티타늄(TiO2) 2∼4중량%가 혼합되어 이루어진 분말이 용사되어서 이루어진다.
칩 분리장치(31)에 세라믹 코팅을 하는 이유는 마모 방지 및 부식 방지가 주목적이다. 세라믹 코팅은 크롬도금 또는 니켈크롬도금에 비해 내부식성, 내스크래치성, 내마모성, 내충격성 및 내구성이 뛰어나다.
산화크롬(Cr2O3)은, 금속 내부로 침입하는 산소를 차단시키는 부동태피막(Passivity Layer)의 역할을 함으로써 녹이 잘 슬지 않도록 하는 역할을 한다.
이산화티타늄(TiO2)은, 물리화학적으로 매우 안정적이고 은폐력이 높아서 백색안료로 많이 된다. 또한 굴절율이 높아서 고굴절율의 세라믹스에도 많이 이용되고 있다. 그리고 광촉매적 특성과 초친수성의 특성을 갖는다. 이산화티타늄(TiO2)은, 공기정화 작용, 항균작용, 유해물질 분해작용, 오염방지 기능, 변색 방지기능의 역할을 수행한다. 이러한 이산화티타늄(TiO2)은, 마모방지코팅층이 칩 분리장치(31)에 확실하게 피복되도록 하며, 마모방지코팅층에 부착된 이물질을 분해, 제거하여 마모방지코팅층의 손상을 방지시킨다.
여기서, 산화크롬(Cr2O3)과 이산화티타늄(TiO2)을 혼합하여서 사용할 경우, 이들의 혼합 비율은, 산화크롬(Cr2O3) 96∼98중량%에 이산화티타늄(TiO2) 2∼4중량%가 혼합되는 것이 바람직하다.
산화크롬(Cr2O3)의 혼합비율이 96∼98%보다 적을 경우, 고온 등의 환경에서 산화크롬(Cr2O3)의 피복이 파괴되는 경우가 종종 발생되었으며, 이에 따라 칩 분리장치(31)의 녹방지 효과가 급격이 저하되었다.
이산화티타늄(TiO2)의 혼합비율이 2∼4중량%보다 적을 경우, 이를 산화크롬(Cr2O3)에 혼합하는 목적이 퇴색될 정도로 이산화티타늄(TiO2)의 효과가 미미하였다. 즉, 이산화티타늄(TiO2)은 칩 분리장치(31)에 부착되는 이물질을 분해, 제거하여서 칩 분리장치(31)가 부식되거나 손상되는 것을 방지시키는데, 그 혼합비율이 2∼4중량%보다 작을 경우, 부착된 이물질을 분해하는데 많은 시간이 소요되는 문제점이 있다.
이러한 재료들로 이루어진 코팅층은, 칩 분리장치(31)에 50∼600㎛의 두께로 이루어지고, 경도는 900∼1000HV, 표면조도는 0.1∼0.3㎛를 유지하도록 플라즈마 코팅된다.
이러한 마모방지코팅층은 상기의 분말가루와 1400℃의 가스를 마하 2정도의 속도로 칩 분리장치(31)에 제트분사하여서 50∼600㎛으로 용사한다.
마모방지코팅층의 두께가 50㎛ 미만일 경우, 상술한 세라믹 코팅층에 의한 효과가 보장되지 못하게 되며, 마모방지코팅층의 두께가 600㎛을 초과할 경우, 상술한 효과의 증대는 미미한 반면 과다한 세라믹코팅에 의해 작업시간 및 재료비가 낭비되는 문제점이 있다.
칩 분리장치(31)에 마모방지코팅층이 코팅되는 동안 칩 분리장치(31)의 온도는 상승되는데, 가열된 칩 분리장치(31)의 변형이 방지되도록 칩 분리장치(31)가 냉각장치(미도시)로 냉각되어서 150∼200℃의 온도를 유지하도록 된다.
마모방지코팅층의 둘레에는 금속계 유리 석영 계통으로 이루어진 무수크롬산(CrO3)으로 이루어진 실링재가 더 도포될 수 있다. 무수크롬산은 무기실링재로써 크롬니켈 분말로 이루어진 코팅층 둘레에 도포된다.
무수크롬산(CrO3)은, 높은 내마모, 윤활성, 내열성, 내식성, 이형성을 필요로 하는 곳에 사용되며, 대기중에서 변색이 안되고, 내구성이 크며, 내마모성과 내식성이 좋다. 실링재의 코팅 두께는 0.3∼0.5㎛ 정도가 바람직하다. 실링재의 코팅두께가 0.3㎛ 미만이면 약간의 스크래치홈에도 실링재가 쉽게 파이면서 벗겨지게 되므로 상술한 효과를 얻을 수 없게 된다. 실링재의 코팅두께가 0.5㎛를 초과할 정도로 두껍게 하면 도금면에 핀홀(pin hole), 균열 등이 많게 된다. 따라서 실링재의 코팅두께는 0.3∼0.5㎛ 정도가 바람직하다.
따라서 칩 분리장치(31)에 내마모성 및 내산화성이 뛰어난 코팅층이 형성되므로 칩 분리장치(31)가 마모되거나 산화되는 것이 방지되고, 이에 따라 제품의 수명이 연장된다.
또한 외곽 프레임(41)은 노듈러주철로 이루어질 수 있다. 이 노듈러주철을 1600∼1650℃로 가열시켜서 용탕으로 만든 다음 탈황처리를 하며, 마그네슘이 0.3∼0.7중량% 정도 포함된 구상화 처리제를 넣고 1500∼1550℃에서 구상화 처리를 실시한 후 열처리하여 이루어진다.
노듈러주철은, 일반 회주철의 용탕에 마그네슘 등을 첨가하여 응고과정에서 흑연이 구상으로 정출된 주철이므로 회주철에 비하여 흑연의 형태가 구상이다. 이러한 노듈러주철은 노치효과가 적기 때문에 응력 집중 현상이 감소되어 강도와 인성이 크게 향상된다.
본 발명의 외곽 프레임(41)은 노듈러주철을 1600∼1650℃로 가열시켜서 용탕으로 만든 다음 탈황처리를 하며, 마그네슘이 0.3∼0.7중량% 정도 포함된 구상화 처리제를 넣고 1500∼1550℃에서 구상화 처리를 실시한 후 열처리하여 이루어진다.
여기서, 노듈러주철을 1600℃ 미만으로 가열하면 전체 조직이 충분히 용융되지 못하며, 1650℃를 초과하여 가열시키면 불필요하게 에너지가 낭비된다. 그러므로 노듈러주철을 1600∼1650℃로 가열하는 것이 바람직하다.
용융된 노듈러주철에는 마그네슘이 0.3∼0.7중량% 정도 포함된 구상화 처리제를 넣는 바, 마그네슘이 0.3중량% 미만이면 구상화 처리제를 투입효과가 극히 미미해 지며, 0.7중량%를 초과하면 구상화 처리제의 투입효과가 크게 향상되지 않는 반면에, 고가의 재료비가 증가되는 문제점이 있다. 그러므로 구상화 처리제의 마그네슘 혼합비율은 0.3∼0.7중량% 정도가 적합하다.
용융된 노듈러주철에 구상화 처리제가 투입되면 이를 1500∼1550℃에서 구상화 처리를 실시한다. 구상화 처리 온도가 1500℃ 미만이면 구상화 처리가 제대로 이루어지지 않으며, 1550℃를 초과하면 구상화 처리 효과가 크게 개선되지 않는 반면에 불필요하게 에너지가 낭비된다. 그러므로 구상화 처리 온도는 1500∼1550℃가 적합하다.
이와 같이 본 발명의 외곽 프레임(41)이 노듈러주철로 이루어지므로 노치효과가 적기 때문에 응력 집중 현상이 감소되어 강도와 인성이 크게 향상된다.
이상으로 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였는바, 본 발명의 권리범위가 이에 한정되는 것이 아니며, 다음의 특허청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당 업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 포함된다.
10 : 구동장치 11 : 구동모터
12 : 하우징 20 : 쿨런트 탱크
30 : 칩 분리부 31 : 칩 분리장치
40 : 컨베이어 유닛 41 : 외곽 프레임
42 : 필터러블 컨베이어 43 : 스크래퍼
44 : 상부스프라켓 45 : 하부스프라켓
50 : 칩 저장부 51 : 쿨런트 회수장치
60 : 고압 쿨런트 공급장치 70 : 컨트롤 박스
80 : 셔터부
90 : 역세펌프

Claims (6)

  1. 구동모터를 포함하는 상측의 구동장치와;
    공작기계로부터 칩과 슬러지, 쿨런트가 혼입된 상태로 유입되는 하측의 쿨런트 탱크와;
    상기 구동장치에 의해 상측의 칩 분리부와 하측의 쿨런트 탱크 사이를 순환 이동하면서 쿨런트 탱크에서 칩 및 슬러지와 함께 유입된 쿨런트로부터 칩을 제거하는 필터러블 컨베이어를 구비한 컨베이어 유닛과;
    상기 필터러블 컨베이어에 의해 상측으로 이송되어 상기 칩 분리부에 의해 분리된 칩이 저장되는 칩 저장부와;
    상기 쿨런트 탱크에 연결되고 쿨런트 탱크로 유입되어 필터러블 컨베이어에 의해 필터링된 쿨런트를 추가로 필터링한 뒤 고압펌프를 통해 공작기계에 공급하는 고압 쿨런트 공급장치를 포함하며, 상기 고압 쿨런트 공급장치는 상기 쿨런트 탱크로부터 슬러지를 포함한 쿨런트가 유입되면, 유입된 쿨런트를 사이클론 필터인 제1필터를 통해 1차 필터링하고, 1차 필터링된 쿨런트를 마그네틱 필터인 제2필터를 통해 2차 필터링된 쿨런트를 내부 탱크에 저장하였다가, 고압펌프를 통해 공작기계에 고압을 공급하고;
    상기 필터러블 컨베이어는, 상기 쿨런트 탱크로 유입된 쿨런트를 통과시키고 쿨런트에 혼입되어 있던 칩이 위에 남아 있도록 하는 메쉬 형태로 제작되어 구비되며, 순환 이동됨에 따라 위에 남아 있는 칩을 상측의 칩 분리부로 이송시키도록 되고;
    상기 필터러블 컨베이어를 따라 스크래퍼가 설치되어, 메쉬 형태로 제작된 필터러블 컨베이어가 경사진 상태로 상측의 칩 분리부로 이동될 때 쿨런트가 필터링되고 남은 필터러블 컨베이어 위의 칩이 상기 스크래퍼에 의해 떨어지지 않도록 하며;
    상기 칩 분리부는 클린 쿨런트를 공급하여 필터러블 컨베이어에 의해 이송된 칩을 필터러블 컨베이어로부터 분리하는 워터 나이프 형태의 칩 분리장치를 포함하고;
    공기 또는 역세펌프에 의해 압송되는 클린 쿨런트를 세척 노즐을 통해 메쉬 형태의 필터러블 컨베이어에 고압으로 분사하여 세척하는 역세 장치를 더 포함하며;
    상기 칩 저장부의 바닥면에 메쉬망이 설치되고, 상기 칩 저장부의 하측에는 상기 메쉬망을 통해 필터링되어 유입된 쿨런트를 회수펌프를 통해 쿨런트 탱크로 회수하는 쿨런트 회수장치가 구비되고;
    칩 분리장치(31)에는, 마모방지코팅층이 형성되되, 상기 마모방지코팅층은, 산화크롬(Cr2O3) 96∼98중량% 및 이산화티타늄(TiO2) 2∼4중량%가 혼합되어 이루어진 분말이 칩 분리장치(31)에 용사되어서 이루어지고, 50∼600㎛의 두께로 이루어지며, 경도는 900∼1000HV를 유지하도록 플라즈마 코팅되고, 상기 마모방지코팅층의 둘레에는 금속계 유리 석영 계통으로 이루어진 무수크롬산(CrO3)으로 이루어진 실링재가 더 도포되며, 상기 무수크롬산은 무기실링재로써 크롬니켈 분말로 이루어진 코팅층 둘레에 도포되고, 상기 무기실링재의 코팅 두께는 0.3∼0.5㎛이며;
    외곽 프레임(41)은 노듈러주철로 이루어지되, 상기 노듈러주철을 1600∼1650℃로 가열시켜서 용탕으로 만든 다음 탈황처리를 하며, 마그네슘이 0.3∼0.7중량% 정도 포함된 구상화 처리제를 넣고 1500∼1550℃에서 구상화 처리를 실시한 후 열처리하여 이루어진 것을 특징으로 하는 칩 컨베이어 장치.
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