KR101565534B1 - Vacuum Processing Apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 진공처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 진공상태에서 웨이퍼, LCD 패널용 유리기판 등의 기판을 처리할 수 있는 진공처리장치에 관한 것이다.
특히 본 발명은 상면에 개구부가 형성된 챔버본체와; 상기 챔버본체의 개구부를 복개하여 상기 챔버본체와 함께 진공처리를 위한 처리공간을 형성하는 상부리드와; 상기 상부리드에 설치되고, 외부로부터 가스를 공급받아 상기 처리공간에 분사하는 샤워헤드를 포함하고; 상기 상부리드는 상기 샤워헤드에 대응되는 부분에, 온도제어를 위한 전열매체의 전열유로가 형성되는 것을 특징으로 하는 진공처리장치를 제시함으로써, 상기 처리공간의 온도제어가 용이하다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum processing apparatus, and more particularly, to a vacuum processing apparatus capable of processing a wafer, a substrate such as a glass substrate for an LCD panel in a vacuum state.
In particular, the present invention relates to a plasma processing apparatus comprising: a chamber body having an opening formed on an upper surface thereof; An upper lead for covering an opening of the chamber body to form a processing space for vacuum processing together with the chamber body; And a showerhead installed in the upper lid and injecting gas into the processing space from the outside; Wherein the upper lid is provided with a heat transfer path for heat transfer medium for temperature control at a portion corresponding to the showerhead, thereby facilitating temperature control of the processing space.

Description

진공처리장치 {Vacuum Processing Apparatus}[0001] The present invention relates to a vacuum processing apparatus,

본 발명은 진공처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 진공상태에서 웨이퍼, LCD 패널용 유리기판 등의 기판을 처리할 수 있는 진공처리장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum processing apparatus, and more particularly, to a vacuum processing apparatus capable of processing a wafer, a substrate such as a glass substrate for an LCD panel in a vacuum state.

진공처리장치는 진공챔버에 의해 형성되는 처리공간에서 플라즈마를 형성하여 기판의 표면을 증착, 식각하는 등 진공처리공정을 수행하기 위한 장치이다.The vacuum processing apparatus is an apparatus for performing a vacuum processing process such as plasma deposition in a processing space formed by a vacuum chamber to deposit and etch the surface of a substrate.

이러한 진공처리장치에 의해 처리되는 기판 중 하나로는 LCD 패널용 유리기판이 있는데, LCD 패널용 유리기판은 LCD의 대형화 추세에 맞춰 그 크기가 증대되고 있고 수율성을 높이기 위해 대량 생산화하고 있어서, 상기와 같은 LCD 패널용 유리기판 등을 처리하기 위해 진공처리장치 또한 대형화되고 있다.One of the substrates to be processed by such a vacuum processing apparatus is a glass substrate for an LCD panel. The size of the glass substrate for an LCD panel is increased in accordance with the trend toward enlargement of an LCD, and mass production is performed in order to increase the yield. A vacuum processing apparatus for processing a glass substrate for an LCD panel and the like has also become larger.

그러나, 상기한 바와 같은 진공처리장치는 진공처리공정 수행시 열이 발생되어 샤워헤드, 챔버 등의 온도가 상승되는데, 이로 인해 진공처리에 영향을 받는 문제점을 갖는다. 또한, 처리공간의 구조적 특성 등으로 인해 처리공간 내 온도편차가 생기는데, 이로 인해 기판에 얼룩이 발생될 수 있고, 진공처리공정시 기판이 정전척에 의해 흡착 고정되는 경우 정전척의 수명이 단축될 수 있는 문제점을 갖는다.However, in the above-described vacuum processing apparatus, heat is generated when the vacuum processing process is performed, and the temperature of the shower head, the chamber, etc. is increased. In addition, due to the structural characteristics of the processing space, there is a temperature variation in the processing space, which may cause stains on the substrate, and when the substrate is adsorbed and fixed by the electrostatic chuck in the vacuum processing step, the life of the electrostatic chuck may be shortened .

특히 진공처리장치가 대형화됨에 따라 상기 처리공간에 더욱 열이 많이 발생됨으로써, 상기 처리공간의 과열 및 온도편차 문제는 더욱 심각하게 부각되고 있다.Particularly, as the vacuum processing apparatus is enlarged, more heat is generated in the processing space, so that the problem of overheating and temperature variation of the processing space becomes more serious.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 상부리드에 온도제어를 위한 전열매체의 전열유로가 형성됨으로써, 최적의 진공처리환경을 형성할 수 있는 진공처리장치를 제공함을 그 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a vacuum processing apparatus capable of forming an optimal vacuum processing environment by forming a heat transfer path of a heat transfer medium for temperature control on an upper lid do.

본 발명의 다른 목적은 상부리드에 온도제어를 위한 전열매체의 전열유로가 형성됨으로써, 처리공간 내 온도편차가 방지될 수 있는 진공처리장치를 제공하는 데 있다.It is another object of the present invention to provide a vacuum processing apparatus capable of preventing the temperature deviation in the processing space from being formed by forming the heat transfer path of the heat transfer medium for temperature control in the upper lid.

본 발명의 또 다른 목적은 전열매체의 전열유로를 상부리드에 형성함으로써, 구조가 간소하며, 전열유로 형성으로 크기 및 중량을 현저하게 감소시킬 수 있는 진공처리장치를 제공하는데 또 다른 목적이 있다.
It is still another object of the present invention to provide a vacuum processing apparatus which is simple in structure and capable of remarkably reducing the size and weight by forming a heat transfer path by forming the heat transfer path of the heat transfer medium in the upper lead.

상기한 과제를 해결하기 위해 본 발명은 상면에 개구부가 형성된 챔버본체와; 상기 챔버본체의 개구부를 복개하여 상기 챔버본체와 함께 진공처리를 위한 처리공간을 형성하는 상부리드와; 상기 상부리드에 설치되고, 외부로부터 가스를 공급받아 상기 처리공간에 분사하는 샤워헤드를 포함하고; 상기 상부리드는 상기 샤워헤드에 대응되는 부분에, 온도제어를 위한 전열매체의 전열유로가 형성되는 것을 특징으로 하는 진공처리장치를 제시한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma display apparatus comprising: a chamber body having an opening formed on an upper surface thereof; An upper lead for covering an opening of the chamber body to form a processing space for vacuum processing together with the chamber body; And a showerhead installed in the upper lid and injecting gas into the processing space from the outside; Wherein the upper lead has a heat transfer path for heat transfer medium for temperature control formed in a portion corresponding to the showerhead.

상기 상부리드는 상기 샤워헤드가 삽입되도록 오목하게 형성된 샤워헤드 수용부가 형성되고; 상기 전열유로는 상기 샤워헤드 수용부의 둘레를 따라 추가로 형성될 수 있다.Wherein the upper lid is formed with a shower head receiving portion formed concavely for inserting the shower head; The heat transfer path may be further formed along the periphery of the shower head receiving portion.

상기 상부리드의 상면에는 적어도 하나의 요홈이 형성될 수 있다.At least one groove may be formed on the upper surface of the upper lead.

상기 요홈은 내부에 적어도 하나의 돌출부가 돌출 형성될 수 있다.The recess may have at least one protrusion protruded therein.

상기 전열유로는 하나의 전열유로 또는 독립적으로 제어되는 다수개의 전열유로로 구성될 수 있다.The heat transfer path may consist of one heat transfer path or a plurality of heat transfer paths that are independently controlled.

상기 전열유로는, 상기 상부리드에 적어도 하나의 천공이 형성되고, 상기 천공의 적어도 한쪽 끝단이 이웃한 천공과 연결되거나 상기 전열매체의 유입유로 또는 배출유로와 연결되거나 씰링재 또는 브레이징에 의해 밀봉될 수 있다.At least one end of the perforation may be connected to a neighboring perforation or may be connected to an inflow or outflow channel of the heat transfer medium or may be sealed by a sealing material or brazing have.

상기 샤워헤드는 서로 분리된 복수 개의 샤워헤드블록들을 포함하고, 상기 복수 개의 샤워헤드블록들은 하나의 분사면을 이룰 수 있다.
The showerhead includes a plurality of showerhead blocks separated from each other, and the plurality of showerhead blocks may form one spraying surface.

본 발명에 의한 진공처리장치는 상부리드에 온도제어를 위한 전열매체가 흐르는 전열유로가 형성됨으로써 샤워헤드, 나아가 처리공간의 온도제어가 가능하기 때문에 과열 및 온도편차가 방지됨으로써 최적의 진공처리환경이 조성될 수 있고, 이로 인해 수율이 향상될 수 있고, 과열 및 온도편차로 인한 대형화 제약이 해소될 수 있는 이점을 가질 수 있다.In the vacuum processing apparatus according to the present invention, the heat transfer path through which the heat transfer medium for temperature control flows is formed in the upper lid, so that the temperature of the shower head and further the processing space can be controlled. Thus, overheating and temperature deviation are prevented, And thus the yield can be improved, and it is possible to have the advantage that the over-heating and the over-sizing restriction due to the temperature deviation can be solved.

또한 본 발명에 의한 진공처리장치는 전열유로가 상부리드의 내부에 형성됨으로써 전열유로 형성을 위한 별도의 부재가 추가로 필요하지 않기 때문에 구조가 간소하고, 크기 및 중량 증대가 방지될 수 있으며, 유지,보수가 용이한 이점을 가질 수 있다.Further, since the heat transfer path is formed inside the upper lead, the vacuum processing apparatus according to the present invention is simple in structure, can be prevented from increasing in size and weight, , And can have an advantage of easy maintenance.

또한 본 발명에 의한 진공처리장치는 상부리드에 전열유로가 형성됨으로써 상부리드의 자중이 감소되어 상부리드의 운반 및 유지,보수를 위한 상부리드의 개폐가 용이해지는 이점을 가질 수 있다.In addition, the vacuum processing apparatus according to the present invention has an advantage in that the self-weight of the upper lead is reduced by forming the heat transfer path in the upper lead so that the upper lead can be easily opened and closed for transportation, maintenance and repair of the upper lead.

또한 본 발명에 의한 진공처리장치는 샤워헤드가 상부리드에 설치되고 이 상부리드에 전열유로가 형성됨으로써 공정에 많은 영향을 미치는 샤워헤드의 온도를 직접적으로 제어할 수 있어 온도제어가 더욱 용이하고, 온도제어 응답성이 빠른 이점을 가질 수 있다.In addition, since the showerhead is provided on the upper lid and the heat transfer path is formed in the upper lid, the temperature of the showerhead, which greatly affects the process, can be directly controlled, Temperature control responsiveness can be advantageous.

또한 본 발명에 의한 진공처리장치는 전열유로가 상부리드에 형성됨으로써 전열유로 형성에 있어서 샤워헤드의 구조에 의한 제약을 받지 않는 이점을 가질 수 있다.Further, in the vacuum processing apparatus according to the present invention, since the heat transfer path is formed in the upper lead, it can be advantageous in that the heat transfer path is not restricted by the structure of the shower head.

또한 본 발명에 의한 진공처리장치는 상부리드에 다수의 요홈이 형성됨으로써 상부리드의 자중이 감소될 수 있어 상부리드의 운반 및 유지,보수를 위한 상부리드의 개폐가 용이해 질 수 있는 이점을 가질 수 있다.
Further, since the vacuum processing apparatus according to the present invention has a plurality of recesses formed in the upper lid, the weight of the upper lid can be reduced, and the upper lid can be easily opened and closed for carrying and maintaining and repairing the upper lid. .

도 1은 본 발명의 제1실시 예에 따른 진공처리장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1실시 예에 따른 진공처리장치의 전열유로 구조를 나타내는 배치도이다.
도 3은 본 발명의 제1실시 예에 따른 진공처리장치의 상부리드 일부를 절개하여 도시한 사시도이다.
도 4는 본 발명의 제2실시 예에 따른 진공처리장치의 전열유로 구조를 나타내는 배치도이다.1 is a sectional view of a vacuum processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
2 is a layout diagram showing the heat transfer path structure of the vacuum processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
3 is a perspective view showing an incision of a part of the upper lead of the vacuum processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
4 is a layout diagram showing the heat transfer path structure of the vacuum processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.

이하, 본 발명에 따른 진공처리장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a vacuum processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1실시 예에 따른 진공처리장치의 단면도이고, 도 2는 본 발명의 제1실시 예에 따른 진공처리장치의 전열유로 구조를 나타내는 배치도이고, 도 3은 본 발명의 제1실시 예에 따른 진공처리장치의 상부리드 일부를 절개하여 도시한 사시도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view of a vacuum processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a layout diagram showing a heat transfer path structure of a vacuum processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, 1 is a perspective view showing an incision of a part of an upper lead of a vacuum processing apparatus according to an embodiment.

도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시 예에 따른 진공처리장치는 웨이퍼 또는 LCD 패널용 유리기판(10) 등 기판(10)의 표면을 식각하거나 표면에 소정의 특성을 가지는 박막을 형성하는 등 진공처리공정을 수행하는 장치로서, 진공챔버(20)에 의하여 형성되는 밀폐된 처리공간(20A)에 가스를 주입하면서 플라즈마를 형성하도록 구성될 수 있다.As shown in the drawing, the vacuum processing apparatus according to the first embodiment of the present invention is a vacuum processing apparatus for etching a surface of a substrate 10 such as a glass substrate 10 for a wafer or an LCD panel, or forming a thin film having a predetermined characteristic on a surface thereof An apparatus for performing a vacuum processing process, the apparatus may be configured to form a plasma while injecting a gas into an enclosed process space 20A formed by the vacuum chamber 20.

상기 처리공간(20A)를 형성하는 진공챔버(20)는, 진공챔버(20)의 내부에 설치된 설치물들의 수리 또는 교체 등의 유지보수를 위하여, 상측이 개방된 챔버본체(22)와, 챔버본체(22)의 상측에 탈착 가능하게 결합되어 처리공간(20A)을 형성하는 상부리드(24)를 포함하여 구성될 수 있다. The vacuum chamber 20 forming the processing space 20A includes a chamber body 22 opened on the upper side for maintenance such as repair or replacement of the installation materials installed in the vacuum chamber 20, And an upper lead 24 detachably coupled to the upper side of the upper case 22 to form a process space 20A.

상기 챔버본체(22)의 측면 중 적어도 하나에는 기판(10)의 입출을 위해 게이트 밸브(미도시) 등에 의해 개폐되는 게이트(22A)가 형성된다. At least one of the side surfaces of the chamber body 22 is provided with a gate 22A which is opened or closed by a gate valve (not shown)

상기 상부리드(24)는 본 실시 예와 같이 후술할 샤워헤드(40)가 삽입되어 설치되도록 오목하게 형성된 샤워헤드 수용부(24A)가 형성될 수 있으며, 용기 구조로 제작될 수 있다. 이외에도 상기 상부리드(24)는 플레이트 구조 등 다양한 구조로 제작될 수 있다.The upper lid 24 may be formed with a showerhead receiving portion 24A having a concave shape so as to be installed with a showerhead 40 to be inserted therein as described later. In addition, the upper lead 24 may have various structures such as a plate structure.

상기 진공처리장치는 처리공간(20A)에 설치되어 기판(10)를 지지하는 기판지지부(30)를 포함할 수 있다. 상기 기판지지부(30)에는 기판(10)을 흡착 고정하기 위한 정전척(미도시), 기판(10)을 기판지지부(30)로부터 승하강시키기 위한 리프트핀(미도시), 기판(10)을 가열하기 위한 히터(미도시) 등이 설치될 수 있다.The vacuum processing apparatus may include a substrate support 30 installed in the processing space 20A to support the substrate 10. [ (Not shown) for attracting and fixing the substrate 10, a lift pin (not shown) for moving the substrate 10 up and down from the substrate support 30, a substrate 10 A heater (not shown) for heating may be installed.

또한 상기 진공처리장치는 처리공간(20A)에 플라즈마를 형성하기 위하여, 전원을 인가하는 전원인가부, 외부로부터 가스를 공급받아서 상기 처리공간(20A)에 분사하는 샤워헤드(40), 배기 및 압력제어를 위한 배기시스템(미도시) 등 다양한 모듈 및 장치들(설치물)이 설치될 수 있다.The vacuum processing apparatus includes a power supply unit for applying power to form a plasma in the processing space 20A, a showerhead 40 for supplying gas to the processing space 20A from the outside, And an exhaust system (not shown) for control may be installed.

상기 전원인가부는 전원인가방식 등에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 일예로써 상기 기판지지부(30)의 일부를 구성하며 RF전원이 인가되는 하부전극 및 상기 기판지지부(30)의 상측에 설치되는 상부전극으로 구성될 수 있다. 상기 상부전극은 단독으로 구성될 수 있다. 또는 상기 상부전극은 본 실시 예와 같이 상기 샤워헤드(40)의 적어도 일부에 금속재질이 사용되고 상기 샤워헤드(40)가 접지됨으로써, 상기 샤워헤드(40)와 일체로 구성될 수 있다. The power applying unit may include a lower electrode to which RF power is applied and an upper electrode that is provided on the upper side of the substrate supporting unit 30. The lower electrode may be formed as a part of the substrate supporting unit 30, Lt; / RTI > The upper electrode may be composed solely. Or the upper electrode may be integrally formed with the shower head 40 by using a metal material on at least a part of the showerhead 40 and grounding the showerhead 40 as in the present embodiment.

상기 샤워헤드(40)는 외부로부터 공급받은 가스를 상기 처리공간(20A)에 분사함과 아울러 상부전극의 기능을 동시에 수행하기 위해 상기 처리공간(20A)의 상측에 설치될 수 있도록, 상기 상부리드(24)의 저면에 직접 결합되도록 설치된다.The showerhead 40 may be installed above the processing space 20A so as to inject gas supplied from the outside into the processing space 20A and to simultaneously perform the function of the upper electrode, (Not shown).

상기 샤워헤드(40)는 일체형 구조로 구성될 수 있지만, 상기 진공처리장치가 대형화됨에 따라 제조 및 운송상 용이성 등을 위해, 분리형 구조로 구성되는 것이 더욱 바람직하다. The showerhead 40 may be formed as an integral structure, but it is more preferable that the showerhead 40 is constructed as a separate structure for the purpose of ease of manufacture and transportation as the vacuum processing apparatus becomes larger.

특히 상기 분리형 구조의 샤워헤드(40)는 제조 및 운송 크기를 줄일 수 있도록, 높이방향을 따라서 분리되는 것보다는 면분할 방식으로 분리되는 것이 더 바람직하다. Particularly, it is preferable that the showerhead 40 of the detachable structure is separated in a face-divided manner rather than being separated along the height direction so as to reduce manufacturing and transportation size.

즉 상기 같은 분리형 구조의 샤워헤드(40)를 구성하기 위해, 상기 샤워헤드(40)는 하나의 분사면을 이루도록 면분할 방식으로 분리되고, 처리공간(20A)에 분사하는 복수 개의 샤워헤드블록(42)들을 포함하여 구성될 수 있다. That is, in order to constitute the showerhead 40 having the separated structure, the showerhead 40 is divided into a plurality of showerhead blocks (hereinafter, referred to as " showerheads " 42).

특히 상기 샤워헤드(40)의 분사면은, 상기 기판(10)의 크기 등에 대응하여 플라즈마를 신속하고 그 밀도가 균일하게 형성할 수 있도록 다수 개의 분사홀(40A)들의 패턴의 최적화를 위해, 다수 개의 분사홀(40A)들의 위치에 따라 분사량이 다른 2개 이상의 분사영역으로 이루어질 수 있다. Particularly, in order to optimize the pattern of the plurality of ejection holes 40A so that the plasma can be formed rapidly and uniformly in density corresponding to the size of the substrate 10, And may be formed of two or more injection regions having different injection amounts according to the positions of the plurality of injection holes 40A.

한편, 상기 샤워헤드(40)는 외부로부터 가스를 공급받기 위해 가스공급관(60)과 연결되는데, 가스공급관(60)은 플라즈마가 신속하고 그 밀도가 균일하거나 대칭적으로 형성될 수 있도록, 복수 개의 샤워헤드블록(42)들에 대응하여 분기되어 각각의 샤워헤드블록(42)과 연결될 수 있다. The showerhead 40 is connected to a gas supply pipe 60 for supplying a gas from the outside. The gas supply pipe 60 is connected to the showerhead 40 through a plurality of gas supply pipes 60 so that the plasma can be rapidly and uniformly or symmetrically formed. And may be branched corresponding to the showerhead blocks 42 and connected to the respective showerhead blocks 42.

즉 상기 가스공급관(60)은 각각의 샤워헤드블록(42)에 적어도 하나의 가스공급관(60)이 연결될 수 있도록 분기된다. 상기 가스공급관(60)은 구조적 간소화 등을 위해 진공챔버(20)의 외부에서 분기되도록 구성되는 것이 바람직하다.That is, the gas supply pipe 60 is branched so that at least one gas supply pipe 60 can be connected to each of the shower head blocks 42. The gas supply pipe 60 is preferably configured to be branched from the outside of the vacuum chamber 20 for structural simplification or the like.

또한 상기 진공처리장치는 상기 진공처리공정온도 및 분위기 형성,유지를 위해 온도를 제어할 수 있도록, 냉매 등의 전열매체에 의해 온도를 제어하는 전열부(70)를 포함한다.The vacuum processing apparatus includes a heat transfer unit 70 for controlling the temperature by a heating medium such as a refrigerant so as to control the temperature for forming and maintaining the vacuum processing process temperature and atmosphere.

상기 전열부(70)는 온도제어방식 등에 다양한 구성이 가능한데, 특히 구조 간소화 및 상부리드(24)의 자중 감소, 유지보수 용이성 등을 위해 상기 상부리드(24)에 상기 전열매체가 흐르는 전열유로(72)가 형성됨으로써 상기 상부리드(24)와 일체로 구성될 수 있다. In order to simplify the structure, reduce the weight of the upper lid 24, facilitate maintenance, etc., the heat transfer portion 70 is provided with a heat transfer channel (not shown) through which the heat transfer medium flows 72 may be formed integrally with the upper lead 24.

특히 상기 전열유로(72)는, 플라즈마 형성을 위한 전극 및 가스공급의 역할을 하는 상기 샤워헤드(40)의 온도가 직접적으로 제어될 수 있도록, 상기 샤워헤드(40)에 대응되는 부분에 형성되는 것이 더욱 바람직하다. 이때, 상기 전열유로(72)는 상기 샤워헤드(40)의 상면에 대응되도록 하나의 평면상에 형성될 수도 있지만, 본 실시 예와 같이 상기 상부리드(24)에 상기 샤워헤드 수용부(24A)가 형성된 경우 상기 샤워헤드(40)의 상면뿐만 아니라 측면에도 대응되도록 상기 샤워헤드 수용부(24A)의 둘레를 따라 추가로 형성되는 것이 더욱 바람직하다.Particularly, the heat transfer path 72 is formed in a portion corresponding to the showerhead 40 so that the temperature of the showerhead 40 serving as an electrode and a gas supply for plasma formation can be directly controlled Is more preferable. At this time, the heat transfer channel 72 may be formed on one plane so as to correspond to the upper surface of the showerhead 40. However, the showerhead receiving portion 24A may be formed on the upper lead 24, It is further preferable that the shower head 40 is further formed along the periphery of the shower head receiving portion 24A so as to correspond to not only the upper surface but also the side surface of the shower head 40. [

한편, 상기 전열유로(72)는 상기 샤워헤드(40)를 비롯하여 상기 처리공간(20A)의 전체를 직접적으로 온도제어하기 위해 상기 상부리드(24)의 전부분에 걸쳐 형성된다.On the other hand, the heat transfer path 72 is formed over the entire portion of the upper lead 24 to directly control the temperature of the entire processing space 20A including the showerhead 40. [

그리고 상기 전열유로(72)는 본 실시 예와 같이 하나의 전열유로(72)로 구성될 수 있을 뿐만 아니라, 또 다른 실시 예로써 도 4에 도시된 바와 같이 독립적으로 제어되는 다수개의 전열유로(72)로 구성될 수 있음은 물론이다.In addition, the heat transfer path 72 may be constituted by one heat transfer path 72 as in the present embodiment, and in another embodiment, as shown in FIG. 4, a plurality of heat transfer paths 72 Of course.

상기 전열유로(72)는 상기 상부리드(24)에 하나 형성될 수도 있고, 다수개 형성될 수도 있다. 또한 상기 다수개의 전열유로(72)는 동일하게 온도제어될 수 있지만, 온도편차 방지 등을 위해 독립적으로 온도제어되는 것도 가능하다.The heat transfer path 72 may be formed on the upper lead 24 or may be formed on the upper lead 24. Also, the plurality of heat transfer channels 72 may be temperature-controlled in the same manner, but may be temperature-controlled independently to prevent temperature deviation.

상기 전열유로(72)는 본 실시 예와 같이 메쉬(mesh) 구조로 형성됨으로써, 전반적으로 균일하게 온도제어할 수 있다. 물론, 상기 전열유로(72)는 설계조건, 온도편차 등에 따라 스트라이프(stripe) 구조, 웨이브(wave) 구조, 스파이럴(spiral) 구조, 지그재그(zigzag) 구조, 동심원 구조, 비정형 구조 등 다양하게 형성될 수 있다. The heat transfer path 72 is formed in a mesh structure as in the present embodiment, so that the temperature can be uniformly controlled as a whole. Of course, the heat transfer path 72 may be formed in various forms such as a stripe structure, a wave structure, a spiral structure, a zigzag structure, a concentric structure, an irregular structure, etc. depending on design conditions, .

이때 상기 전열유로(72)가 상부리드(24)에 형성됨에 따라, 상기 전열유로(72)의 구조는 상기 샤워헤드(40)가 일체형으로 구성되든 다수개의 샤워헤드블록(42)들로 구성되든 상기 샤워헤드(40)의 구조에 의해 제약을 받지 않는다.In this case, since the heat transfer path 72 is formed in the upper lead 24, the structure of the heat transfer path 72 is not limited to the structure in which the shower head 40 is integrally formed or composed of a plurality of shower head blocks 42 And is not limited by the structure of the showerhead 40. [

상기 전열유로(72)는, 다양한 방식으로 상기 상부리드(24)에 일체형으로 형성될 수 있으며, 다만 상기 상부리드(24)가 통상적으로 패널 구조로 형성되는바 다음과 같이 천공방식으로 형성됨으로써 더욱 용이하게 형성될 수 있어 바람직하다.The heat transfer path 72 may be integrally formed with the upper lead 24 in various manners. However, since the upper lead 24 is generally formed in a panel structure, It can be easily formed.

즉, 상기 전열유로(72)의 형성을 위해, 드릴 등의 천공공구에 의해 상기 상부리드(24)에 적어도 하나의 천공(72A)이 형성되고, 상기 천공(72A)의 적어도 한쪽 끝단이 이웃한 천공(72A)과 연결되거나 상기 전열매체의 유입유로(74) 또는 배출유로(75)와 연결되거나 플러그(72B) 또는 캡 또는 씰링재 또는 브레이징 등에 의해 밀봉될 수 있다. That is, at least one perforation 72A is formed in the upper lead 24 by a perforating tool such as a drill to form the heat conduction path 72, and at least one end of the perforation 72A is adjacent It may be connected to the perforations 72A or connected to the inflow passage 74 or the discharge passage 75 of the heat transfer medium or may be sealed by a plug 72B or a cap or a sealing material or brazing.

상기 유입유로(74)와 상기 배출유로(75)는 각각 하나만 구성될 수도 있고, 다수 개가 구성될 수도 있다. The inflow passage 74 and the discharge passage 75 may be formed of only one or a plurality of the inflow passage 74 and the discharge passage 75, respectively.

상기한 전열유로(72)를 형성하기 위한 일 예로써, 상기 상부리드(24)의 전후방향으로는 일정 깊이까지만 천공(72A)이 형성되고, 상기 상부리드(24)의 좌우방향으로는 상기 상부리드(24)를 관통하도록 천공(72A)이 형성되어 밀봉 처리될 수 있다.A perforation 72A is formed only up to a certain depth in the front and rear direction of the upper lead 24 and the upper end of the upper lead 24 is formed in the left and right direction of the upper lead 24, A perforation 72A may be formed to penetrate the lead 24 and be sealed.

한편, 상기 상부리드(24)의 상면에는 적어도 하나의 요홈(24B)이 형성됨으로써, 운반 및 유지,보수 용이성 등을 위해 그 자중을 줄일 수 있고, 아울러 필요에 따라 상기 전열유로(72)와 함께 무게 중심을 맞출 수 있다. At least one groove 24B is formed on the upper surface of the upper lead 24 to reduce the weight of the upper lead 24 for ease of transportation, maintenance, and maintenance. In addition, if necessary, The center of gravity can be aligned.

상기 요홈(24B)은 설계 조건 등에 따라 상기 상부리드(24)의 전부분에 형성되거나, 상기 상부리드(24)의 일부분에만 형성될 수도 있다. The grooves 24B may be formed on all the upper leads 24 or only a part of the upper leads 24 depending on design conditions and the like.

상기 요홈(24B)은 본 실시 예와 같이 사각형뿐만 아니라, 다각형, 원형 등 다양한 형상으로 형성될 수 있으며, 이외에도 설계조건 등에 따라 다양하게 형성될 수 있다.The groove 24B may be formed in various shapes such as a rectangular shape, a polygonal shape, and a circular shape as in the present embodiment, and may be formed variously according to design conditions and the like.

한편, 상기 요홈(24B)의 내부에는, 상기 상부리드(24)의 구조적 취약을 보완하기 위해 상기 상부리드(24)를 보강할 수 있도록, 적어도 하나의 돌출부(24C)가 돌출 형성될 수 있다. 이때, 상기 돌출부(24C)는 본 실시 예와 같이 리브(rib) 구조를 취할 수도 있고, 이외 실시 예로써 돌기 등 다양한 구조를 취할 수 있음은 물론이다. 또한 상기 돌출부(24C)는 본 실시 예와 같이 상기 요홈(24B)을 다수의 구간으로 구획토록 형성될 수 있으며, 상기 요홈(24B)을 다수의 구간으로 구획토록 형성되지 않아도 무방하다.At least one protrusion 24C may be formed in the recess 24B so as to reinforce the upper lead 24 to compensate for the structural weakness of the upper lead 24. [ At this time, the projecting portion 24C may have a rib structure as in the present embodiment, and may have various structures such as a projection as another embodiment. Also, the protrusion 24C may be formed by dividing the groove 24B into a plurality of sections as in the present embodiment, and the groove 24B may not be formed to be divided into a plurality of sections.

한편, 본 발명과 또 다른 실시 예로써, 상기 진공챔버(20) 이외에, 상기 기판(10)의 또 다른 공정이 수행되는 로드락 챔버나 반송챔버 등에도 전열유로가 챔버와 일체로 형성될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 진공처리장치에 있어서, 상부리드에 전열유로가 형성되는 구성은 진공처리공정을 수행하는 기판처리장치 이외의 기판처리장치에도 적용될 수 있음은 물론이다.In another embodiment of the present invention, in addition to the vacuum chamber 20, a heat transfer channel may be integrally formed with the chamber in a load lock chamber or a transfer chamber in which another process of the substrate 10 is performed . It is needless to say that in the vacuum processing apparatus according to the present invention, the configuration in which the heat transfer path is formed in the upper lid may be applied to a substrate processing apparatus other than the substrate processing apparatus performing the vacuum processing process.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It is to be understood that both the technical idea and the technical spirit of the invention are included in the scope of the present invention.

10; 기판 20; 진공챔버
20A; 처리공간 22; 챔버본체
24; 상부리드 24A; 샤워헤드 수용부
24B; 요홈 30; 기판지지부
40; 샤워헤드 42; 샤워헤드블록
60; 가스공급관 70; 전열부
72; 전열유로10; A substrate 20; Vacuum chamber
20A; Processing space 22; Chamber body
24; Upper lead 24A; Showerhead receptacle
24B; Groove 30; The substrate support
40; Shower head 42; Shower head block
60; Gas supply pipe 70; The heat-
72; Heat conduction channel

Claims (6)

삭제delete 챔버본체와; 상기 챔버본체와 함께 진공처리를 위한 처리공간을 형성하는 상부리드와; 상기 상부리드의 저면에 직접 결합되어 설치되고, 외부로부터 가스를 공급받아 상기 처리공간에 분사하는 샤워헤드를 포함하며;
상기 샤워헤드는, 외부로부터 가스를 공급받기 위해 가스공급관과 연결되고, 상기 가스공급관은, 복수 개의 샤워헤드블록들에 대응하여 분기되어 각각의 샤워헤드블록과 연결되며,
상기 샤워헤드는, 서로 분리된 복수 개의 샤워헤드블록들을 포함하고, 상기 복수 개의 샤워헤드블록들은, 하나의 분사면을 이루고, 상기 복수 개의 샤워헤드블록들에 의하여 이루어지는 분사면은, 상기 처리공간에 직접 가스를 분사하는 면이며,
상기 상부리드는, 상기 샤워헤드의 상부 쪽에 온도제어를 위한 전열매체의 전열유로가 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.A chamber body; An upper lead for forming a processing space for vacuum processing together with the chamber body; And a shower head directly coupled to the bottom surface of the upper lead and spraying the processing space with gas supplied from the outside;
The shower head is connected to a gas supply pipe for supplying gas from the outside, and the gas supply pipe is branched corresponding to the plurality of shower head blocks and connected to each shower head block,
Wherein the showerhead includes a plurality of showerhead blocks separated from each other, the plurality of showerhead blocks forming one spraying surface, and the spraying surface formed by the plurality of showerhead blocks are arranged in the processing space Directly injecting gas,
Wherein the upper lid is provided with a heat transfer channel of a heat transfer medium for temperature control on the upper side of the showerhead. 청구항 2에 있어서,
상기 상부리드의 상면에는 적어도 하나의 요홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The method of claim 2,
And at least one groove is formed on the upper surface of the upper lead. 청구항 3에 있어서,
상기 요홈은 내부에 적어도 하나의 돌출부가 돌출 형성되는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The method of claim 3,
Wherein at least one protrusion is protruded inside the groove. 청구항 2 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전열유로는 하나의 전열유로 또는 독립적으로 제어되는 다수개의 전열유로로 구성되는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The method according to any one of claims 2 to 4,
Wherein the heat transfer path is constituted by one heat transfer path or a plurality of heat transfer paths which are independently controlled. 청구항 2 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전열유로는, 상기 상부리드에 적어도 하나의 천공이 형성되고, 상기 천공의 적어도 한쪽 끝단이 이웃한 천공과 연결되거나 상기 전열매체의 유입유로 또는 배출유로와 연결되거나 씰링재 또는 브레이징에 의해 밀봉되는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The method according to any one of claims 2 to 4,
At least one end of the perforation may be connected to a neighboring perforation or may be connected to an inflow or outflow channel of the heat transfer medium or may be sealed by a sealing material or brazing Wherein the vacuum processing device is characterized by:
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