KR101590346B1 - Thin film deposition apparatus - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a thin film deposition apparatus. According to the present invention, the thin film deposition apparatus comprises: a chamber which has a predetermined space therein, and comprises a chamber body of which an upper portion is opened, and a chamber lead which shields the opened upper portion of the chamber body and has an opening; and a gas supplier in which a plurality of gas supply modules with a plurality of gas supply units for respectively supplying a fuel gas, a reactive gas, and a purge gas, are detachably installed on an edge of the opening of the chamber lead and a remaining gas is exhausted through gaps between the gas supply units and the gas supply modules.

Description

박막증착장치 {Thin film deposition apparatus}[0001] The present invention relates to a thin film deposition apparatus,

본 발명은 박막증착장치에 대한 것이다.The present invention relates to a thin film deposition apparatus.

반도체 웨이퍼 등의 기판(이하, '기판'이라 한다) 상에 박막을 형성하기 위한 증착법으로 화학기상증착법(CVD, chemical vapor deposition), 플라즈마 화학기상증착법(PECVD, plasma enhanced chemical vapor deposition), 원자층증착법(ALD, atomic layer deposition) 등의 기술이 사용되고 있다.(CVD), plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), and atomic layer deposition (MOCVD) as a deposition method for forming a thin film on a substrate such as a semiconductor wafer A technique such as ALD (atomic layer deposition) is used.

도 8은 기판 증착법 중 원자층증착법에 관한 기본 개념을 도시하는 개략도이다. 도 8을 참조하면, 원자층증착법은 기판상에 트리메틸알루미늄(TMA, trimethyl aluminium) 같은 원료를 포함하는 원료가스를 분사한 후 아르곤(Ar) 등의 불활성 퍼지 가스를 분사하여 잔존가스 및 미반응 물질을 배기하여 기판상에 단일 분자층을 흡착시킨다. 그리고, 상기 원료와 반응하는 오존(O3) 같은 반응물을 포함하는 반응가스를 분사한 후 불활성 퍼지 가스를 분사하여 미반응 가스 및 부산물을 배기하고 기판상에 단일 원자층(Al-O)을 형성하게 된다.8 is a schematic diagram showing the basic concept of the atomic layer deposition method in the substrate deposition method. 8, in the atomic layer deposition method, a raw material gas containing a raw material such as trimethyl aluminum (TMA) is sprayed on a substrate, and an inert purge gas such as argon (Ar) is sprayed to remove residual gas and unreacted material Is evacuated to adsorb a single molecular layer on the substrate. Then, a reactive gas containing a reactant such as ozone (O 3 ) reacting with the raw material is injected, and an inert purge gas is injected to discharge unreacted gas and by-products to form a single atomic layer (Al-O) on the substrate .

그런데, 종래 원자층증착법에 의해 박막을 형성하는 박막증착장치를 살펴보면, 상기 기판이 안착되는 공간을 제공하는 챔버에 원료가스, 반응가스 및 퍼지가스를 공급하는 가스공급부를 구비한다. 이때, 상기 가스공급부는 하나의 일체형 몸체로 형성되어, 상기 가스공급부에 고장 또는 파손 등이 발생하는 경우에 상기 고장이 미세한 경우에도 상기 가스공급부 전체를 상기 챔버에서 분리해야하는 번거로움이 있었다. 이는 종래 박막증착장치에 있어서 유지보수를 어렵게 하는 요인으로 작용하였으며, 나아가 유지보수에 걸리는 시간 및 비용을 현저히 상승시키게 되었다.The thin film deposition apparatus for forming a thin film by the atomic layer deposition method includes a gas supply unit for supplying a source gas, a reactive gas, and a purge gas to a chamber for providing a space in which the substrate is seated. At this time, the gas supply unit is formed as one integral body, and when the gas supply unit is broken or broken, even if the trouble is minute, the entire gas supply unit has to be separated from the chamber. This has caused the maintenance of the conventional thin film deposition apparatus to be difficult, and the maintenance and repair time and cost have been significantly increased.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 가스공급부를 구비한 박막증착장치에 있어서, 상기 가스공급부의 유지보수가 편리한 박막증착장치를 제공하는데 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a thin film deposition apparatus having a gas supply unit for solving the above problems, and a thin film deposition apparatus in which maintenance of the gas supply unit is easy.

상기와 같은 본 발명의 목적은 내부에 소정의 공간을 구비하며 상부가 개구된 챔버몸체와 상기 챔버몸체의 개구된 상부를 밀폐하며 개구부를 구비한 챔버리드를 포함하는 챔버 및 원료가스, 반응가스 및 퍼지가스 중에 적어도 하나를 공급하는 복수의 가스공급유닛을 각각 구비한 복수개의 가스공급모듈이 상기 챔버리드의 개구부의 가장자리에 착탈 가능하게 구비되며, 상기 가스공급유닛 사이 및 상기 가스공급모듈 사이를 통해 잔존가스가 배기되는 가스공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치에 의해 달성된다.It is an object of the present invention to provide a chamber including a chamber body having a predetermined space therein and an upper chamber, a chamber including a chamber lid having an opening for sealing the upper portion of the chamber body, A plurality of gas supply modules each having a plurality of gas supply units for supplying at least one of purge gases are detachably provided at the edges of the openings of the chamber lids and between the gas supply units and between the gas supply modules And a gas supply portion through which the remaining gas is exhausted.

여기서, 상기 각 가스공급유닛으로 상기 원료가스, 반응가스 또는 퍼지가스를 각각 공급하는 복수의 가스공급유로를 상기 챔버리드에 구비하고, 상기 각 가스공급유닛에는 상기 복수의 가스공급유로에 각각 대응하는 연결유로를 구비하여, 상기 각 가스공급모듈을 상기 챔버리드의 개구부의 가장자리에 착탈 가능하게 연결하는 경우에 상기 가스공급유로와 상기 연결유로가 연결될 수 있다.Here, the chamber lid is provided with a plurality of gas supply channels for supplying the source gas, the reaction gas, or the purge gas to the gas supply units, respectively, and the gas supply units are provided with gas supply channels The gas supply channel and the connection channel may be connected when the respective gas supply modules are detachably connected to the edge of the opening of the chamber lid.

나아가, 상기 가스공급유로와 연결유로의 연결부에는 상기 원료가스, 반응가스 또는 퍼지가스의 누설을 방지하는 제1 실링부재를 더 구비할 수 있다.Furthermore, the connection portion between the gas supply passage and the connection passage may further include a first sealing member for preventing leakage of the source gas, the reaction gas, or the purge gas.

한편, 상기 각 가스공급모듈은 상기 반응가스를 활성화시키는 플라즈마 전극을 구비하여 상기 반응가스를 활성화시켜 공급하는 활성화유닛을 더 구비할 수 있다. 이때, 상기 활성화유닛에는 상기 플라즈마 전극을 냉각시키는 냉각유로를 구비하고, 상기 냉각유로로 냉각유체를 공급하는 냉각유체공급유로를 상기 챔버리드에 구비하여, 상기 각 가스공급모듈을 상기 챔버리드의 개구부의 가장자리에 착탈 가능하게 연결하는 경우에 상기 냉각유체공급유로와 상기 냉각유로가 연결될 수 있다. 또한, 상기 냉각유체공급유로와 냉각유로의 연결부에는 상기 냉각유체의 누설을 방지하는 제2 실링부재를 더 구비할 수 있다.Each of the gas supply modules may further include an activation unit having a plasma electrode for activating the reaction gas to activate and supply the reaction gas. At this time, the activation unit is provided with a cooling channel for cooling the plasma electrode, and a cooling fluid supply channel for supplying a cooling fluid to the cooling channel is provided in the chamber lead, The cooling fluid supply passage and the cooling passage may be connected to each other. The cooling fluid supply passage may further include a second sealing member for preventing leakage of the cooling fluid.

한편, 상기 챔버리드의 개구부를 선택적으로 개폐하는 커버를 더 구비할 수 있다. 이 경우, 상기 커버에 상기 잔존가스가 상기 챔버의 외부로 배기되는 배기홀을 구비할 수 있다. 또한, 상기 커버 내부에 상기 잔존가스의 버퍼공간이 형성될 수 있다.The apparatus may further include a cover selectively opening and closing the opening of the chamber lid. In this case, the cover may have an exhaust hole through which the residual gas is exhausted to the outside of the chamber. In addition, a buffer space of the residual gas may be formed inside the cover.

한편, 상기 챔버리드의 개구부의 가장자리를 따라 단턱부를 구비하고, 상기 각 가스공급모듈은 상기 단턱부에 안착되는 날개부를 구비할 수 있다.The gas supply module may include a step portion along an edge of the opening of the chamber lead, and the gas supply module may include a wing portion that is seated on the step portion.

전술한 구성을 가지는 본 발명에 따르면 상기 가스공급부를 복수개의 가스공급모듈로 구성하고, 상기 각 가스공급모듈이 상기 챔버에 착탈 가능하게 구비됨으로써, 어느 하나의 가스공급모듈에 고장 등이 발생하는 경우에는 해당 가스공급모듈만 분리하여 수리를 함으로써 상기 박막증착장치의 유지보수에 걸리는 시간 및 비용을 현격히 줄일 수 있다.According to the present invention having the above-described configuration, when the gas supply unit is constituted by a plurality of gas supply modules and each of the gas supply modules is detachably installed in the chamber, The time and cost required for maintenance and repair of the thin film deposition apparatus can be remarkably reduced by separating and repairing only the gas supply module.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막증착장치의 챔버를 도시한 개략도,
도 2는 챔버리드를 도시한 사시도,
도 3은 도 2에서 상기 챔버리드의 커버가 개방된 상태를 도시한 사시도,
도 4는 도 2의 'Ⅳ-Ⅳ' 선에 따른 단면도,
도 5는 가스공급모듈의 분해 사시도,
도 6은 도 3의 'Ⅵ-Ⅵ' 에 따른 단면도,
도 7은 도 3의 'Ⅶ-Ⅶ' 선에 따른 단면도이다.
도 8은 증착 장치의 기본 개념을 도시하는 개략도이다.1 is a schematic view showing a chamber of a thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention,
2 is a perspective view showing a chamber lead,
FIG. 3 is a perspective view showing a state in which the cover of the chamber lid is opened in FIG. 2;
4 is a sectional view taken along the line IV-IV in FIG. 2,
5 is an exploded perspective view of the gas supply module,
FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI in FIG. 3,
7 is a cross-sectional view taken along line VII-VII of FIG.
8 is a schematic view showing the basic concept of a deposition apparatus.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 박막증착장치에 대해서 상세하게 살펴보도록 한다.Hereinafter, a thin film deposition apparatus according to various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막증착장치의 챔버를 도시한 개략도이다.1 is a schematic view showing a chamber of a thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

상기 챔버(100)는 내부에 소정의 공간을 구비하여 기판(W)이 수용되는 공간을 제공하며 상부가 개구된 챔버몸체(110)와, 상기 챔버몸체(110)의 개구된 상부를 밀폐하며 개구부(132)를 구비한 챔버리드(130)를 포함할 수 있다.The chamber 100 includes a chamber body 110 having a predetermined space therein and provided with a space for accommodating the substrate W therein and having an upper portion opened therein and an upper opening of the chamber body 110, And a chamber lid 130 having a plurality of chambers 132.

상기 챔버몸체(110)는 양측 또는 적어도 일측에 상기 기판(W)이 출입하는 개구부(112, 114)를 구비할 수 있다. 상기 챔버몸체(110)의 내부에서 상기 기판(W)은 기판지지부(14)에 안착된다.The chamber body 110 may have openings 112 and 114 through which the substrate W may enter and exit from both sides or at least one side of the chamber body 110. Inside the chamber body 110, the substrate W is seated on the substrate support 14.

상기 챔버몸체(110)의 개구된 상부에는 챔버리드(130)가 구비된다. 상기 챔버리드(130)는 상기 챔버몸체(110)의 상부를 밀폐하도록 구성된다. 상기 챔버리드(130)에 상기 챔버몸체(110)의 내부로 원료가스(제1 공정가스 또는 소스가스) 및 반응가스(제2 공정가스 또는 리액턴트 가스) 등의 공정가스와 퍼지가스를 공급하는 가스공급부(300)가 구비된다. 상기 가스공급부(300)와 상기 기판지지부(14)는 서로 상대이동 가능하도록 구비될 수 있다. 이하에서는 상기 기판(W)이 안착되는 기판지지부(14)가 상기 챔버몸체(110)의 내부에서 상기 가스공급부(300)의 하부를 따라 소정거리 왕복 이동하는 경우를 예로 들어 설명한다.A chamber lid 130 is provided on the opened top of the chamber body 110. The chamber lid 130 is configured to seal the upper portion of the chamber body 110. A process gas such as a raw material gas (first process gas or source gas) and a reactive gas (a second process gas or a reactant gas) and a purge gas are supplied into the chamber body 110 into the chamber lid 130 A gas supply unit 300 is provided. The gas supply unit 300 and the substrate support unit 14 may be provided so as to be movable relative to each other. Hereinafter, a case where the substrate supporting part 14 on which the substrate W is mounted moves reciprocally a predetermined distance along the lower part of the gas supply part 300 in the chamber body 110 will be described.

도 2는 챔버리드를 도시한 사시도이고, 도 3은 도 2에서 상기 챔버리드의 커버가 개방된 상태를 도시한 사시도이고, 도 4는 도 2의 'Ⅳ-Ⅳ' 선에 따른 단면도이다.FIG. 2 is a perspective view showing the chamber lead, FIG. 3 is a perspective view showing a state in which the cover of the chamber lead is opened in FIG. 2, and FIG. 4 is a sectional view taken along the line IV-IV in FIG.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 상기 챔버리드(130)는 상기 챔버몸체(110)의 개구된 상부를 밀폐하며, 대략 중앙부에 개구부(132)(도 4 참조)를 구비한다. 상기 개구부(132)의 가장자리를 따라 상기 가스공급부(300)가 착탈 가능하게 구비될 수 있다. 이 경우, 상기 챔버리드(130)의 개구부(132)를 선택적으로 개폐하는 커버(140)를 더 구비할 수 있다. 따라서, 본원발명에서는 상기 가스공급부(300)에 고장이 발생한 경우에 상기 챔버리드(130) 전체를 상기 챔버몸체(110)에서 분리하는 것이 아니라, 상기 커버(140)를 개방함으로써 상기 가스공급부(300)의 유지보수를 용이하게 할 수 있다.Referring to FIGS. 2 to 4, the chamber lid 130 seals the open top of the chamber body 110 and has an opening 132 (see FIG. 4) at a substantially central portion thereof. The gas supply unit 300 may be detachably installed along the edge of the opening 132. In this case, the apparatus may further include a cover 140 selectively opening and closing the opening 132 of the chamber lid 130. Therefore, in the present invention, when a failure occurs in the gas supply unit 300, the entire chamber lead 130 is not separated from the chamber body 110, but the gas supply unit 300 Can be easily maintained.

구체적으로, 상기 커버(140)는 상기 개구부(132)의 일측에 회동축(146)을 중심으로 회동 가능하게 구비될 수 있다. 상기 커버(140)에는 손잡이(145)가 구비되어 작업자가 상기 손잡이(145)를 잡고 상기 커버(140)를 회동시킴으로써 상기 챔버리드(130)의 개구부(132)를 개방할 수 있다. 일반적으로 상기 커버(140)는 상기 챔버리드(130)의 개구부(132)를 밀폐할 수 있도록 그 중량이 매우 무거울 수 있으므로 상기 커버(140)가 회동을 하는 경우에 상기 커버(140)의 회동운동을 도와주는 쇼크업소버(shock absorber)와 같은 댐퍼부재(147)를 구비할 수 있다.Specifically, the cover 140 may be provided on one side of the opening 132 so as to be rotatable about a pivot shaft 146. A handle 145 is provided on the cover 140 so that an operator can open the opening 132 of the chamber lead 130 by holding the handle 145 and rotating the cover 140. The cover 140 may be very heavy to seal the opening 132 of the chamber lid 130 so that when the cover 140 rotates, And a damper member 147 such as a shock absorber for assisting a shock absorber.

한편, 상기 커버(140)에는 적어도 하나의 배기홀(143)을 구비할 수 있다. 후술하는 가스공급부(300)에서 잔존가스를 배기하는 경우에 본 발명에서는 상기 챔버(100)의 상부를 통해 상기 잔존가스를 상기 챔버(100)의 외부로 배기한다. 구체적으로, 상기 커버(140)에 구비된 배기홀(143)을 통해 상기 가스공급부(300)에서 공급되어 상기 챔버(100) 내부에 잔존하는 가스를 배기하게 된다. 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 배기홀(143)에는 진공펌프와 같은 펌핑수단이 연결되어 음압을 제공함으로써 상기 챔버(100) 내부의 잔존가스를 상기 챔버(100) 외부로 배기할 수 있다. 그런데, 상기 커버(140)는 상기 개구부(132)에 밀착하도록 구비되므로 상기 배기홀(143)을 통해 상기 잔존가스를 배기하는 경우에 상기 잔존가스의 버퍼공간을 필요로 할 수 있다. 따라서, 상기 커버(140)가 상부를 향해 돌출 형성되고 그 내부에 버퍼공간(142)을 구비할 수 있다. 상기 배기홀(143)을 통해 상기 잔존가스를 배기하는 경우에 상기 버퍼공간(142)에 의해 보다 원활하게 배기할 수 있다. Meanwhile, the cover 140 may include at least one exhaust hole 143. The remaining gas is exhausted to the outside of the chamber 100 through the upper part of the chamber 100 when the remaining gas is exhausted from the gas supply part 300 described later. Specifically, the gas remaining in the chamber 100 is exhausted from the gas supply unit 300 through the exhaust hole 143 provided in the cover 140. Although not shown in the drawing, a pumping means such as a vacuum pump is connected to the exhaust hole 143 to provide a negative pressure to exhaust the residual gas inside the chamber 100 to the outside of the chamber 100. However, since the cover 140 is provided in close contact with the opening 132, when the remaining gas is exhausted through the exhaust hole 143, the buffer space of the remaining gas may be required. Accordingly, the cover 140 may protrude upward and have a buffer space 142 therein. The exhaust gas can be exhausted more smoothly by the buffer space 142 when the remaining gas is exhausted through the exhaust hole 143.

한편, 상기 가스공급부(300)는 상기 챔버리드(130)의 개구부(132)의 가장자리를 따라 착탈 가능하게 구비될 수 있다. 구체적으로, 상기 가스공급부(300)는 원료가스, 반응가스 및 퍼지가스를 각각 공급하는 복수의 가스공급유닛(3200, 3300, 3400, 3500, 3600)(도 5 참조)을 각각 구비한 복수개의 가스공급모듈(300A~300G)이 상기 챔버리드(130)의 개구부(132)의 가장자리에 착탈 가능하게 구비된다.The gas supply unit 300 may be detachably installed along the edge of the opening 132 of the chamber lid 130. Specifically, the gas supply unit 300 includes a plurality of gas supply units 3200, 3300, 3400, 3500, and 3600 (see FIG. 5) each of which supplies a source gas, a reaction gas, Supply modules 300A to 300G are detachably provided at the edge of the opening 132 of the chamber lid 130. [

도 5는 하나의 가스공급모듈의 분해 사시도이다.5 is an exploded perspective view of one gas supply module.

도 3 및 도 5를 참조하면, 상기 가스공급부(300)는 복수개의 가스공급모듈(300A~300G)을 구비하며, 상기 각 가스공급모듈(300A~300G)이 상기 챔버리드(130)의 개구부(132)에 착탈 가능하게 구비된다. 따라서, 상기 가스공급부(300)의 어느 하나의 가스공급모듈(300A~300G)에 고장 등이 발생한 경우에 상기 가스공급부의 전체 또는 상기 챔버리드의 전체를 분해할 필요가 없이, 상기 챔버리드(130)의 개구부(132)를 덮는 커버(140)를 개방하고 고장 등이 발생한 가스공급모듈만을 상기 챔버리드(130)에서 분리하여 유지보수를 수행함으로써 유지보수에 걸리는 시간 및 비용을 줄일 수 있다.3 and 5, the gas supply unit 300 includes a plurality of gas supply modules 300A to 300G, and the gas supply modules 300A to 300G are connected to the openings of the chamber lid 130 132, respectively. Therefore, it is unnecessary to disassemble the whole of the gas supply unit or the entire chamber lid when a failure occurs in one of the gas supply modules 300A to 300G of the gas supply unit 300, It is possible to reduce the time and cost required for the maintenance by opening the cover 140 covering the opening 132 of the chamber lead 130 and separating only the gas supply module in which the failure has occurred from the chamber lead 130.

상기 가스공급모듈(300A~300G)은 원료가스, 반응가스 및 퍼지가스 중에 적어도 하나를 공급하게 되며, 예를 들어 원료가스를 공급하는 제1 가스공급유닛(3400)과 반응가스를 공급하는 제2 가스공급유닛(3200)과, 퍼지가스를 공급하는 제3 가스공급유닛(3300, 3500)을 구비할 수 있다. 나아가, 상기 각 가스공급모듈(300A~300G)은 상기 반응가스를 활성화시키는 플라즈마 전극(3650)을 구비하여 상기 반응가스를 활성화시켜 공급하는 활성화유닛(3600)을 더 구비할 수 있다. The gas supply modules 300A to 300G supply at least one of a raw gas, a reactive gas and a purge gas. For example, the first gas supply unit 3400 for supplying a source gas and the second gas supply unit 3400 for supplying a reactive gas, A gas supply unit 3200, and third gas supply units 3300 and 3500 for supplying purge gas. Each of the gas supply modules 300A to 300G may further include an activation unit 3600 having a plasma electrode 3650 for activating the reaction gas to activate and supply the reaction gas.

전술한 제1 가스공급유닛(3400), 제2 가스공급유닛(3200), 제3 가스공급유닛(3300, 3500) 및 활성화유닛(3600)은 가스공급플레이트(3100)의 하부에 연결될 수 있다. 이 때, 도 5에 도시된 상기 가스공급모듈(300A)에서는 활성화유닛(3600)이 왼쪽에 위치하며 오른쪽으로 반응가스를 공급하는 제2 가스공급유닛(3200), 퍼지가스를 공급하는 제3 가스공급유닛(3300), 원료가스를 공급하는 제1 가스공급유닛(3400) 및 퍼지가스를 공급하는 제3 가스공급유닛(3500)이 순차적으로 배치된다. 이러한 가스공급유닛의 배치 및 숫자는 일예를 들어 설명한 것에 불과하며, 상기 가스공급유닛의 숫자 및 배치는 적절히 변형될 수 있다.The first gas supply unit 3400, the second gas supply unit 3200, the third gas supply units 3300 and 3500 and the activation unit 3600 may be connected to the lower portion of the gas supply plate 3100. In this case, in the gas supply module 300A shown in Fig. 5, the activation unit 3600 is located on the left side and a second gas supply unit 3200 for supplying the reaction gas to the right side, a third gas A supply unit 3300, a first gas supply unit 3400 for supplying a source gas, and a third gas supply unit 3500 for supplying a purge gas are sequentially arranged. The arrangement and the number of such gas supply units are merely described for example, and the numbers and arrangement of the gas supply units can be appropriately modified.

상기 제1 가스공급유닛(3400), 제2 가스공급유닛(3200) 및 제3 가스공급유닛(3300, 3500)은 소정의 두께를 가지는 플레이트 형상으로 구비되며, 각 가스공급유닛(3200, 3300, 3400, 3500, 3600)의 내부에는 공정가스 또는 퍼지가스가 유동하는 연결유로(260)(도 6 참조)를 구비할 수 있다. 또한, 각 가스공급유닛(3200, 3300, 3400, 3500, 3600)의 하부에는 상기 공정가스 또는 퍼지가스가 공급되는 분사구(미도시)를 구비할 수 있다.The first gas supply unit 3400, the second gas supply unit 3200 and the third gas supply units 3300 and 3500 are provided in a plate shape having a predetermined thickness, and each of the gas supply units 3200, 3300, 3400, 3500, and 3600 may have a connection passage 260 (see FIG. 6) through which a process gas or purge gas flows. In addition, a lower portion of each of the gas supply units 3200, 3300, 3400, 3500, and 3600 may have an injection port (not shown) through which the process gas or the purge gas is supplied.

한편, 상기 활성화유닛(3600)은 상기 반응가스를 활성화시켜 라디칼 상태의 반응가스를 상기 기판(W)을 향해 공급하게 된다. 이 경우, 상기 활성화유닛(3600)은 상부 및 측면이 막히고 하부가 개방된 구조를 가질 수 있다. 따라서, 상기 활성화유닛(3600)에 이웃한 상기 제2 가스공급유닛(3200)에서 하부의 기판(W)을 향해 공급된 상기 반응가스는 상기 기판(W)의 상부를 따라 유동하다가 상기 활성화유닛(3600)의 하부를 통해 상기 활성화유닛(3600)의 내부로 유입된다. 상기 활성화유닛(3600)의 내부로 유입된 상기 반응가스는 상기 플라즈마 전극(3650)에 의해 직접적으로 활성화되고, 상기 직접 활성화된 반응가스에 의해 상기 플라즈마 전극(3650)에서 이격된 반응가스를 간접적으로 활성화시킬 수 있다. 이와 같이 간접적으로 활성화된 반응가스가 상기 기판을 향해 공급되므로 이온 공급에 의한 기판 손상을 방지할 수 있게 된다. 비록 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 활성화유닛(3600)의 상부에서 하부를 향해 직접 상기 반응가스를 공급할 수 있다. 이 경우, 상기 가스공급모듈에서 상기 반응가스를 공급하는 상기 제2 가스공급유닛을 생략할 수 있을 것이다.Meanwhile, the activation unit 3600 activates the reaction gas to supply the reactive gas in a radical state toward the substrate W. In this case, the activation unit 3600 may have a structure in which the top and sides are closed and the bottom is opened. Accordingly, the reaction gas supplied from the second gas supply unit 3200 adjacent to the activation unit 3600 toward the lower substrate W flows along the upper portion of the substrate W, 3600 to the inside of the activation unit 3600. The reactive gas introduced into the activation unit 3600 is directly activated by the plasma electrode 3650 and the reactive gas spaced apart from the plasma electrode 3650 is indirectly activated by the directly activated reactive gas. Can be activated. Since the indirectly activated reaction gas is supplied toward the substrate, damage to the substrate due to ion supply can be prevented. Although not shown in the drawing, the reaction gas can be supplied directly from the upper portion to the lower portion of the activation unit 3600. In this case, the second gas supply unit for supplying the reaction gas in the gas supply module may be omitted.

한편, 상기 가스공급모듈(300A)의 상기 제1 가스공급유닛(3400) 및 제2 가스공급유닛(3200)에서 공급된 원료가스 및 반응가스가 상기 챔버(100)의 내부에 잔존하는 경우 상기 기판(W)의 박막 품질을 떨어뜨릴 수 있으므로 상기 잔존가스를 배기하는 수단이 필요하다. 본원 발명에서는 상기 잔존가스를 배기하기 위하여 별도의 구성요소를 필요로 하지 않으며, 상기 가스공급모듈(300A~300G)에서 상기 가스공급유닛(3200, 3300, 3400, 3500, 3600) 사이의 공간(3900) 및 상기 가스공급모듈(300A~300G) 사이의 공간을 통해 상기 잔존가스를 배기하게 된다.In the case where the source gas and the reactive gas supplied from the first gas supply unit 3400 and the second gas supply unit 3200 of the gas supply module 300A remain in the chamber 100, The quality of the thin film of the wafers W may be deteriorated. Therefore, means for evacuating the remaining gas is needed. In the present invention, no separate components are required for exhausting the residual gas, and the space 3900 between the gas supply units 3200, 3300, 3400, 3500, 3600 in the gas supply modules 300A to 300G And the space between the gas supply modules 300A to 300G.

즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제1 가스공급유닛(3400), 제2 가스공급유닛(3200) 및 제3 가스공급유닛(3300, 3500)의 사이의 공간(3900)이 상기 잔존가스를 배기하는 배기채널의 역할을 하게 된다. 상기 공간(3900)은 상부의 가스공급플레이트(3100)에 형성된 복수개의 배기구(3110)와 연결된다. 따라서, 전술한 바와 같이 상기 챔버리드(130)의 커버(140)에 구비된 배기홀(143)을 통해 음압이 걸리는 경우에 상기 잔존가스는 상기 제1 가스공급유닛(3400), 제2 가스공급유닛(3200) 및 제3 가스공급유닛(3300, 3500)의 사이의 공간(3900)과 상기 배기구(3110)를 통해 상부로 유동하고 상기 커버(140)의 배기홀(143)을 통해 외부로 배출된다. 이와 같이 상기 잔존가스의 배기를 위해 별도의 구성요소를 필요로 하지 않으며 가스공급유닛 사이의 공간을 배기채널로 활용하게 되면 상기 가스공급부를 구성하는 상기 가스공급모듈의 구성을 단순화하고 소형화가 가능하게 된다.5, a space 3900 between the first gas supply unit 3400, the second gas supply unit 3200, and the third gas supply units 3300 and 3500 is filled with the remaining gas The exhaust gas is exhausted through the exhaust pipe. The space 3900 is connected to a plurality of exhaust ports 3110 formed in the upper gas supply plate 3100. Therefore, when negative pressure is applied through the exhaust hole 143 provided in the cover 140 of the chamber lid 130 as described above, the residual gas is supplied to the first gas supply unit 3400, Flows through the space 3900 between the unit 3200 and the third gas supply units 3300 and 3500 and the exhaust port 3110 and is discharged to the outside through the exhaust hole 143 of the cover 140 do. When the space between the gas supply units is used as an exhaust channel without requiring any additional components for exhausting the remaining gas, the structure of the gas supply module constituting the gas supply unit can be simplified and miniaturized do.

한편, 전술한 바와 같이 상기 가스공급모듈(300A~300G)을 상기 챔버리드(130)에 착탈 가능하게 연결하는 경우에 상기 가스공급모듈(300A~300G)의 상기 제1 가스공급유닛(3400), 제2 가스공급유닛(3200) 및 제3 가스공급유닛(3300, 3500)으로 공정가스 또는 퍼지가스를 공급하기 위한 유로 구성이 곤란해질 수 있다. 즉, 상기 가스공급모듈(300A~300G)은 상기 챔버리드(130)에 착탈식으로 연결되므로 상기 공정가스 또는 퍼지가스가 누설될 수 있으며, 이러한 누설을 방지하기 위하여 상기 가스공급모듈과 별개의 유로를 구성하는 것은 제작비의 상승과 함께 가스공급부의 구조를 복잡하게 만들기 때문이다.When the gas supply modules 300A to 300G are detachably connected to the chamber lid 130 as described above, the first gas supply units 3400, The flow path configuration for supplying the process gas or the purge gas to the second gas supply unit 3200 and the third gas supply units 3300 and 3500 may be difficult. That is, since the gas supply modules 300A to 300G are detachably connected to the chamber lid 130, the process gas or the purge gas may be leaked. To prevent such leakage, This is because the production cost is increased and the structure of the gas supply part is complicated.

따라서, 본원발명에서는 상기 가스공급모듈(300A~300G)을 상기 챔버리드(130)에 연결시키는 경우에 상기 공정가스 또는 퍼지가스를 공급하기 위한 유로도 동시에 연결되는 구조를 채택한다. 이 경우, 상기 공정가스 또는 퍼지가스의 공급을 위한 별도의 유로 형성이 필요치 않으므로 비용 및 시간을 줄일 수 있으며, 상기 가스공급모듈(300A~300G)의 연결 시에 상기 공정가스 또는 퍼지가스의 누설을 방지하기 위한 실링수단을 구비함으로써 각종 가스의 누설을 방지할 수 있다.Accordingly, in the present invention, when the gas supply modules 300A to 300G are connected to the chamber lid 130, a flow path for supplying the process gas or the purge gas is simultaneously connected. In this case, since it is not necessary to form a separate flow path for supplying the process gas or the purge gas, it is possible to reduce cost and time and to prevent leakage of the process gas or purge gas when the gas supply modules 300A to 300G are connected It is possible to prevent leakage of various gases.

도 6은 도 3의 'Ⅵ-Ⅵ' 에 따른 단면도이다. 도 6에서는 하나의 가스공급모듈(300A)에서 원료가스를 공급하는 제1 가스공급유닛(3400)의 단면을 도시한다.6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI of FIG. 6 shows a cross section of a first gas supply unit 3400 for supplying a source gas in one gas supply module 300A.

도 6을 참조하면, 상기 가스공급모듈(300A)을 상기 챔버리드(130)의 개구부(132)를 따라 착탈 가능하게 연결하는 경우에 상기 챔버리드(130)의 개구부(132)의 가장자리를 따라 단턱부(134)를 구비하고, 상기 각 가스공급모듈(300A~300G)은 상기 단턱부(134)에 안착되는 날개부(3120)를 구비할 수 있다. 이 경우, 상기 가스공급모듈(300A~300G)에서 가스공급플레이트(3100)의 양단부가 날개부(3120)의 역할을 하게 된다. 따라서, 상기 가스공급모듈(300A~300G)의 가스공급플레이트(3100)의 양단부가 상기 단턱부(134)에 걸리어 상기 가스공급모듈(300A~300G)이 아래로 낙하하지 않고 고정될 수 있다. 6, when the gas supply module 300A is detachably connected along the opening 132 of the chamber lid 130, the gas supply module 300A is installed along the edge of the opening 132 of the chamber lid 130, And each of the gas supply modules 300A to 300G may have a wing portion 3120 that is seated on the step portion 134. [ In this case, both end portions of the gas supply plate 3100 in the gas supply modules 300A to 300G serve as the wing portions 3120. Therefore, both end portions of the gas supply plate 3100 of the gas supply modules 300A to 300G can be fixed to the step portions 134 without dropping down the gas supply modules 300A to 300G.

한편, 상기 가스공급모듈(300A~300G)이 상기 챔버리드(130)의 단턱부(134)에 연결되는 경우에 상기 챔버리드(130)에는 상기 각 가스공급유닛으로 상기 원료가스, 반응가스 또는 퍼지가스를 각각 공급하는 복수의 가스공급유로를 구비할 수 있다. 예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제1 가스공급유닛(3400)으로 원료가스를 공급하기 위하여 상기 챔버리드(130)에 상기 원료가스를 공급하는 제1 가스공급유로(250)를 구비할 수 있다. 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 제2 가스공급유닛(3200) 및 제3 가스공급유닛(3300, 3500)도 상기 제1 가스공급유닛(3400)의 구조와 마찬가지로 반응가스 및 퍼지가스를 공급하기 위하여 상기 챔버리드(130)에 제2 가스공급유로와 제3 가스공급유로를 구비할 수 있다. 한편, 상기 각 가스공급유닛에는 상기 복수의 가스공급유로에 각각 대응하는 연결유로를 구비할 수 있다. 예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이 상기 챔버리드(130)의 제1 가스공급유로(250)에 대응하는 제1 연결유로(260)를 상기 제1 가스공급유닛(3400)에 구비할 수 있다. 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 제2 가스공급유닛(3200) 및 제3 가스공급유닛(3300, 3500)에 상기 제2 가스공급유로와 제3 가스공급유로에 각각 대응하는 제2 연결유로와 제3 연결유로를 각각 구비할 수 있다.When the gas supply modules 300A to 300G are connected to the step portion 134 of the chamber lid 130, the chamber lid 130 is provided with the gas supply unit, the reaction gas, And a plurality of gas supply passages each for supplying gas. 6, a first gas supply channel 250 for supplying the source gas to the chamber lid 130 to supply the source gas to the first gas supply unit 3400 . Although not shown in the drawing, the second gas supply unit 3200 and the third gas supply units 3300 and 3500 are also configured to supply the reactive gas and the purge gas in the same manner as the structure of the first gas supply unit 3400 The chamber lid 130 may include a second gas supply channel and a third gas supply channel. The gas supply units may each include a connection channel corresponding to the plurality of gas supply channels. For example, as shown in FIG. 6, a first connection passage 260 corresponding to the first gas supply passage 250 of the chamber lid 130 may be provided in the first gas supply unit 3400 have. Although not shown in the drawing, the second gas supply unit 3200 and the third gas supply units 3300 and 3500 are provided with a second connection passage corresponding to the second gas supply passage and the third gas supply passage, And a connecting flow path.

상기 제1 연결유로(260)는 상기 제1 가스공급유닛(3400)에서 전술한 가스공급플레이트(3100)에 형성될 수 있다. 따라서, 상기 가스공급모듈(300A)을 상기 챔버리드(130)의 개구부(132)의 가장자리에 착탈 가능하게 연결하는 경우에 상기 단턱부(134)에 상기 가스공급모듈(300A)을 안착시키게 된다. 이 경우, 상기 가스공급플레이트(3100)의 양단부의 날개부(3120)가 상기 단턱부(134)에 안착되며, 이 때 상기 가스공급플레이트(3100)의 일단부에 연결된 상기 제1 연결유로(260)가 상기 단턱부(134)에 연결된 제1 가스공급유로(250)에 연결된다. 한편, 상기 가스공급유로와 연결유로의 연결부에는 상기 원료가스, 반응가스 또는 퍼지가스의 누설이 염려되므로 상기 누설을 방지하는 제1 실링부재(252)를 구비할 수 있다. 상기 제1 실링부재(252)는 오링 등으로 이루어져 상기 가스의 누설을 방지할 수 있다.The first connection passage 260 may be formed in the gas supply plate 3100 in the first gas supply unit 3400. Therefore, when the gas supply module 300A is detachably connected to the edge of the opening 132 of the chamber lead 130, the gas supply module 300A is seated on the step portion 134. [ In this case, the wing portions 3120 at both ends of the gas supply plate 3100 are seated on the step portion 134. At this time, the first connection channel 260 (not shown) connected to one end of the gas supply plate 3100 Is connected to a first gas supply passage (250) connected to the step portion (134). The first sealing member 252 may prevent leakage of the raw material gas, the reactive gas, or the purge gas to the connection portion between the gas supply passage and the connection passage. The first sealing member 252 is made of an O-ring or the like to prevent leakage of the gas.

한편, 상기 제1 연결유로(260)는 상기 가스공급플레이트(3100)를 따라 연장되며, 그 하방으로 분기되는 분기유로(262, 264, 266)를 통해 상기 제1 가스공급유닛(3400)의 내부 공간으로 연결되고, 상기 제1 가스공급유닛(34000)의 하부를 통해 상기 기판으로 상기 원료가스를 공급하게 된다.The first connection passage 260 extends along the gas supply plate 3100 and is connected to the inside of the first gas supply unit 3400 through branching passages 262, And the source gas is supplied to the substrate through the lower portion of the first gas supply unit 34000. [

한편, 상기 제2 가스공급유닛(3200) 및 제3 가스공급유닛(3300, 3500)은 상기 제1 가스공급유닛의 구성과 유사하므로 반복적인 설명은 생략한다.Meanwhile, since the second gas supply unit 3200 and the third gas supply units 3300 and 3500 are similar to the first gas supply unit, repetitive description thereof will be omitted.

한편, 도 7은 도 3의 'Ⅶ-Ⅶ' 선에 따른 단면도이다. 도 7에서는 가스공급모듈에서 활성화된 반응가스를 공급하는 활성화유닛(3600)의 단면을 도시한다.7 is a cross-sectional view taken along line VII-VII in FIG. Fig. 7 shows a cross-section of the activation unit 3600 for supplying the activated reaction gas in the gas supply module.

도 7을 참조하면, 상기 활성화유닛(3600)에는 상기 플라즈마 전극(3650)을 냉각시키는 냉각유로(220)를 구비할 수 있다. 상기 플라즈마 전극(3650)은 전압이 인가되어 상기 반응가스를 활성화시키게 되므로 온도가 높게 상승할 수 있다. 따라서, 상기 플라즈마 전극(3650)을 관통하는 상기 냉각유로(220)를 구비하고, 상기 냉각유로(220)를 통해 냉각유체를 유동시켜 상기 플라즈마 전극(3650)과의 열교환을 통해 상기 플라즈마 전극(3650)을 냉각시키게 된다.Referring to FIG. 7, the activation unit 3600 may include a cooling channel 220 for cooling the plasma electrode 3650. Since the plasma electrode 3650 is activated by the application of the voltage, the temperature of the plasma electrode 3650 may rise. The plasma electrode 3650 includes the cooling channel 220 and the cooling fluid flows through the cooling channel 220 to exchange heat with the plasma electrode 3650, ).

한편, 상기 챔버리드(130)에는 상기 냉각유로(220)로 냉각유체를 공급하는 냉각유체공급유로(210)를 구비할 수 있다.The chamber lid 130 may include a cooling fluid supply channel 210 for supplying a cooling fluid to the cooling channel 220.

구체적으로, 상기 냉각유체공급유로(210)는 상기 챔버리드(130)의 단턱부(134)에 그 단부가 연결된다. 또한, 상기 냉각유로(220)는 상기 가스공급플레이트(3100)에 형성되어 그 단부가 상기 가스공급플레이트(3100)의 일단부와 연결되는 제1 냉각유로(220A)와, 상기 제1 냉각유로(220A)에서 하방으로 연결되는 제2 냉각유로(220B)와, 상기 제2 냉각유로(220B)와 연결되며 상기 플라즈마 전극(3650)을 관통하여 구비되는 제3 냉각유로(220C)와, 상기 제3 냉각유로(220C)에서 상방으로 연결되어 상기 냉각유체를 외부의 냉각유체 순환장치(미도시)로 배출하는 제4 냉각유로(220D)를 구비한다. Specifically, the cooling fluid supply passage 210 is connected to the end portion 134 of the chamber lead 130. The cooling channel 220 includes a first cooling channel 220A formed in the gas supply plate 3100 and an end connected to one end of the gas supply plate 3100, A third cooling channel 220C connected to the second cooling channel 220B and penetrating the plasma electrode 3650 and a third cooling channel 220C connected to the second cooling channel 220B, And a fourth cooling channel 220D connected upward from the cooling channel 220C and discharging the cooling fluid to an external cooling fluid circulating device (not shown).

따라서, 상기 가스공급모듈(300A)을 상기 챔버리드(130)의 개구부(132)의 가장자리에 착탈 가능하게 연결하는 경우에 상기 단턱부(134)에 상기 가스공급모듈(300A)을 안착시키게 된다. 이 경우, 상기 가스공급플레이트(3100)의 양단부가 상기 단턱부(134)에 안착되며, 이 때 상기 가스공급플레이트(3100)의 일단부에 연결된 상기 제1 냉각유로(220A)가 상기 단턱부(134)에 연결된 냉각유체공급유로(210)에 연결된다. 한편, 상기 냉각유체공급유로와 냉각유로의 연결부에는 상기 냉각유체의 누설이 염려되므로 상기 누설을 방지하는 제2 실링부재(212)를 구비할 수 있다. 상기 제2 실링부재(212)는 오링 등으로 이루어져 상기 냉각유체의 누설을 방지할 수 있다.Therefore, when the gas supply module 300A is detachably connected to the edge of the opening 132 of the chamber lead 130, the gas supply module 300A is seated on the step portion 134. [ In this case, both end portions of the gas supply plate 3100 are seated on the step portion 134, and the first cooling flow path 220A connected to one end of the gas supply plate 3100 is connected to the step portion 134 to the cooling fluid supply passage 210. Meanwhile, the second sealing member 212 may prevent leakage of the cooling fluid to the connection portion between the cooling fluid supply passage and the cooling passage. The second sealing member 212 is made of an O-ring or the like to prevent leakage of the cooling fluid.

한편, 상기 반응가스를 활성화시키기 위하여 전술한 상기 플라즈마 전극(3650)에는 전압이 공급되어야 한다. 이 경우, 상기 가스공급모듈(300A)이 착탈식으로 상기 챔버리드(130)에 연결되므로, 상기 플라즈마 전극(3650)에 전력을 공급하기 위한 전력공급수단을 구비할 수 있다.Meanwhile, in order to activate the reactive gas, a voltage must be supplied to the plasma electrode 3650 described above. In this case, since the gas supply module 300A is detachably connected to the chamber lead 130, it may include power supply means for supplying power to the plasma electrode 3650.

예를 들어 상기 전력공급수단은 상기 가스공급모듈(300A)의 일측에 구비되어 상기 플라즈마 전극(3650)과 전기적으로 연결되는 접속단자(230)와 상기 접속단자(230)에 대응하여 상기 챔버리드(130)에 구비되어 전력을 공급하는 소켓(136)을 포함할 수 있다.For example, the power supply means may include a connection terminal 230 provided at one side of the gas supply module 300A and electrically connected to the plasma electrode 3650, and a connection terminal 230 electrically connected to the chamber lead 130, and a socket 136 for supplying electric power.

상기 접속단자(230)는 상기 플라즈마 전극(3650)과 전기적으로 연결되어 상기 가스공급플레이트(3100)의 타단부에 하방을 향해 연장되도록 구비될 수 있다. 한편, 상기 소켓(136)은 상기 챔버리드(130)의 단턱부(134)에 상방을 향하도록 구비될 수 있다. 따라서, 상기 가스공급모듈(300A)을 상기 챔버리드(130)의 개구부(132)의 가장자리에 착탈 가능하게 연결하는 경우에 상기 단턱부(134)에 상기 가스공급모듈(300A)을 안착시키게 되므로 상기 접속단자(230)가 상기 소켓(136)에 전기적으로 연결되어, 상기 소켓(136)으로부터 공급된 전력이 상기 접속단자(230)를 통해 상기 플라즈마 전극(3650)으로 공급된다.The connection terminal 230 may be electrically connected to the plasma electrode 3650 so as to extend downward at the other end of the gas supply plate 3100. Meanwhile, the socket 136 may be provided so as to be upwardly directed to the step portion 134 of the chamber lid 130. Therefore, when the gas supply module 300A is detachably connected to the edge of the opening 132 of the chamber lid 130, the gas supply module 300A is seated on the step portion 134, A connection terminal 230 is electrically connected to the socket 136 so that power supplied from the socket 136 is supplied to the plasma electrode 3650 through the connection terminal 230. [

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. You can do it. It is therefore to be understood that the modified embodiments are included in the technical scope of the present invention if they basically include elements of the claims of the present invention.

100...챔버
130...챔버리드
140...커버
300...가스공급부
300A~300G...가스공급모듈
3200...제2 가스공급유닛
3300, 3500...제3 가스공급유닛
3400...제1 가스공급유닛
3600...활성화유닛 100 ... chamber
130 ... chamber lead
140 ... cover
300 ... gas supply unit
300A ~ 300G ... gas supply module
3200 ... second gas supply unit
3300, 3500 ... Third gas supply unit
3400 ... first gas supply unit
3600 ... activation unit

Claims (10)

내부에 소정의 공간을 구비하며 상부가 개구된 챔버몸체와 상기 챔버몸체의 개구된 상부를 밀폐하며 개구부를 구비한 챔버리드를 포함하는 챔버; 및
원료가스, 반응가스 및 퍼지가스 중에 적어도 하나를 공급하는 복수의 가스공급유닛을 각각 구비한 복수개의 가스공급모듈이 상기 챔버리드의 개구부의 가장자리에 착탈 가능하게 구비되며, 상기 가스공급유닛 사이 및 상기 가스공급모듈 사이를 통해 잔존가스가 배기되는 가스공급부;를 포함하고,
상기 각 가스공급유닛으로 상기 원료가스, 반응가스 또는 퍼지가스를 각각 공급하는 복수의 가스공급유로를 상기 챔버리드에 구비하고, 상기 각 가스공급유닛에는 상기 복수의 가스공급유로에 각각 대응하는 연결유로를 구비하여, 상기 각 가스공급모듈을 상기 챔버리드의 개구부의 가장자리에 착탈 가능하 게 연결하는 경우에 상기 가스공급유로와 상기 연결유로가 연결되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.A chamber comprising a chamber body having an open top and an open top, and a chamber lid having an opening to close the open top of the chamber body; And
A plurality of gas supply modules each having a plurality of gas supply units for supplying at least one of a source gas, a reaction gas and a purge gas are detachably provided at the edges of the opening of the chamber lid, And a gas supply part through which the remaining gas is exhausted between the gas supply modules,
Wherein the chamber lid is provided with a plurality of gas supply channels for supplying the source gas, the reaction gas, or the purge gas to the gas supply units, respectively, and the gas supply units are each provided with a connection channel Wherein the gas supply passage and the connection passage are connected to each other when the gas supply module is detachably connected to the edge of the opening of the chamber lead. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 가스공급유로와 연결유로의 연결부에는 상기 원료가스, 반응가스 또는 퍼지가스의 누설을 방지하는 제1 실링부재를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.The method according to claim 1,
Further comprising a first sealing member for preventing the leakage of the raw material gas, the reactive gas, or the purge gas to the connection portion between the gas supply passage and the connection passage. 제1항에 있어서,
상기 각 가스공급모듈은
상기 반응가스를 활성화시키는 플라즈마 전극을 구비하여 상기 반응가스를 활성화시켜 공급하는 활성화유닛을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.The method according to claim 1,
Each gas supply module
Further comprising an activation unit having a plasma electrode for activating the reaction gas to activate and supply the reaction gas. 제4항에 있어서,
상기 활성화유닛에는 상기 플라즈마 전극을 냉각시키는 냉각유로를 구비하고, 상기 냉각유로로 냉각유체를 공급하는 냉각유체공급유로를 상기 챔버리드에 구비하여,
상기 각 가스공급모듈을 상기 챔버리드의 개구부의 가장자리에 착탈 가능하게 연결하는 경우에 상기 냉각유체공급유로와 상기 냉각유로가 연결되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.5. The method of claim 4,
Wherein the activation unit is provided with a cooling flow path for cooling the plasma electrode and a cooling fluid supply flow path for supplying a cooling fluid to the cooling flow path,
Wherein the cooling fluid supply passage and the cooling passage are connected to each other when the gas supply module is detachably connected to the edge of the opening of the chamber lead. 제5항에 있어서,
상기 냉각유체공급유로와 냉각유로의 연결부에는 상기 냉각유체의 누설을 방지하는 제2 실링부재를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.6. The method of claim 5,
Further comprising a second sealing member for preventing the leakage of the cooling fluid to the connection portion between the cooling fluid supply passage and the cooling passage. 제1항에 있어서,
상기 챔버리드의 개구부를 선택적으로 개폐하는 커버를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.The method according to claim 1,
Further comprising a cover selectively opening and closing the opening of the chamber lid. 제7항에 있어서,
상기 커버에 상기 잔존가스가 상기 챔버의 외부로 배기되는 배기홀을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.8. The method of claim 7,
And an exhaust hole through which the residual gas is exhausted to the outside of the chamber. 제8항에 있어서,
상기 커버 내부에 상기 잔존가스의 버퍼공간이 형성되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.9. The method of claim 8,
Wherein a buffer space of the residual gas is formed inside the cover. 제1항에 있어서,
상기 챔버리드의 개구부의 가장자리를 따라 단턱부를 구비하고, 상기 각 가스공급모듈은 상기 단턱부에 안착되는 날개부를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
The method according to claim 1,
Wherein each of the gas supply modules has a blade portion that is seated on the step portion.
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