KR101544357B1 - 표면처리된 티타늄 임플란트의 전해연마를 이용한 표면개질 방법 - Google Patents

표면처리된 티타늄 임플란트의 전해연마를 이용한 표면개질 방법 Download PDF

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Abstract

표면처리된 티타늄 임플란트의 전해연마를 이용한 표면개질 방법이 개시된다. 본 표면처리된 티타늄 임플란트의 전해연마를 이용한 표면개질 방법은, 표면처리 된 티타늄 임플란트의 표면 오염물을 제거하여 표면을 활성화 처리하는 단계; 상기표면을 전해연마를 사용하여 기 표면처리 된 티타늄 임플란트의 표면 산화막을 제거하는 단계; 및 전해연마 처리된 표면의 잔류산을 중화하고 오염물을 제거하는 단계;를 포함한다. 이에 의해, 기 표면처리로 인해 생성된 산화막과 임플란트 표면에 잔존하는 오염물을 제거하고 안정된 결합력을 갖는 산화막을 형성함과 동시에 산에 노출된 임플란트 표면에 잔존하는 산 성분을 중화하고 제거함으로써 임플란트 시술시 오염물질의 유출로 인한 염증반응을 최소화 하여 수술 성공률을 높일 수 있는 표면처리를 할 수 있다.

Description

표면처리된 티타늄 임플란트의 전해연마를 이용한 표면개질 방법{The method of surface reforming using electrolytic polishing at the treated surface of titanium implant.}
본 발명은 표면처리된 티타늄 임플란트의 전해연마를 이용한 표면개질 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 샌드블라스팅, 산에 의한 에칭, 양극산화 및 레이저 등으로 표면처리 된 티타늄 임플란트의 표면을 전해연마를 이용하여 기 생성된 오염물을 제거함과 동시에 표면처리로 인해 생성된 불안정한 산화막을 제거한 후 임플란트의 표면을 중화하여 표면을 개질하는 표면처리된 티타늄 임플란트의 전해연마를 이용한 표면개질 방법에 관한 것이다.
티타늄 임플란트는 골과의 접촉을 통해 골융합이 이루어지며, 이때 골융합의 중요한 인자로 골과 임플란트의 접촉면적이 언급되어 왔다. 이와 관련하여 골과의 접촉면적을 증가시키기 위해 샌드블라스팅, 산에 의한 에칭, 수산화 인회석 피막 코팅, 양극산화 및 레이저를 이용한 표면처리 등의 다양한 방식이 선택적으로 사용되고 있다.
이러한 방법은 골과 임플란트의 계면 접촉 면적을 증가시켜 골세포가 임플란트 표면에 접촉할 수 있는 확률을 높임으로써 골융합 기간을 단축시키고 단기간에 임플란트를 안정화시킬 수 있는 장점이 있다.
그러나, 상기 샌드블라스팅, 산에 의한 에칭, 수산화 인회석 피막 코팅, 양극산화 및 레이저를 이용한 표면처리 방식의 경우, 표면처리 함과 동시에 표면이 불안정 하여 공기 중에 노출 시 산화막을 형성하며 산화막 중에는 다양한 오염물질이 흡착되는 단점이 있다.
또한, 상기 표면처리로 인해 생성된 산화막은 임플란트와의 계면 결합력이 매우 약하므로 임플란트 시술시 산화막층이 임플란트의 표면에서 박리되어 표면의 거칠기에 변화를 가져오며, 시술시 오염물질이 유출되어 인체내로 유입시 염증반응이나 이로 인해 시술의 성공률을 저하시키는 원인이 되기도 한다.
이러한 이유로 표면처리 후에 질산과 황산을 이용한 세척방식이나, 알카리 혼합물을 이용한 세척, 플라즈마 세척 등이 사용되고 있는데, 상기 질산과 황산을 이용한 세척 방식과 알카리 혼합물을 이용한 세척방식은 표면처리로 인해 생성된 산화막을 제거하기가 어렵고, 플라즈마를 이용한 방식은 산화막 제거 후 공기중에 노출되었을 시 불안정한 산화막을 형성하므로 오염물질이 흡착된 산화막을 제거하기에는 한계가 있었다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 표면처리된 임플란트에 전해 연마 처리를 함으로써, 표면처리로 인해 생성된 산화막과 임플란트 표면에 잔존하는 오염물을 제거하고, 안정된 결합력을 갖는 산화막을 형성시켜 임플란트 시술시 산화막층이 임플란트의 표면에서 박리되는 것을 방지함은 물론, 시술시 오염물질의 유출로 인한 염증반응을 최소화 하여 수술 성공률을 높이기 위한 표면처리된 티타늄 임플란트의 전해연마를 이용한 표면개질 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표면처리된 티타늄 임플란트의 전해연마를 이용한 표면개질 방법은, 표면처리 된 티타늄 임플란트의 표면 오물을 제거하여 표면을 활성화 처리하는 단계; 상기표면을 전해연마를 사용하여 기 표면처리 된 티타늄 임플란트의 표면 산화막을 제거하는 단계; 및 전해연마 처리된 표면의 잔류산을 중화하고 오염물을 제거하는 단계;를 포함한다.
여기서, 상기 표면을 활성화 처리하는 단계는 두 개 이상의 혼합된 화학용액에 모재를 담구고 반응시킴으로써 표면을 활성화 할 수 있다.
그리고, 상기 화학용액은 HF, HNO3, PO4 , H3PO4을 조합한 수용액일 수 있다.
또한, 상기 활성화 처리는, 1초 내지 300초 사이의 시간 구간에서 수행 될 수 있다.
그리고, 상기 활성화 처리는, 0℃ 내지 50℃ 사이의 온도 구간에서 수행될 수 있다.
또한, 상기 전해연마는 화학용액 내에서 기 표면처리 된 모재에 양극을 연결하고 전극에 음극을 연결하여 전류를 가함으로써 양극으로 연결된 모재 표면의 금속이 용출되는 원리를 이용하여 전해연마 할 수 있다.
그리고, 상기 화학용액은 HF, HNO3, HCl, H2SO4, PO4, H3PO4, H2O2 , NH3, N2H4, H2S 중 어느 하나의 용액이거나 둘 이상을 조합한 용액일 수 있다.
또한, 상기 전해연마는, 1초 내지 30초 사이의 시간 구간에서 수행 될 수 있다.
그리고, 상기 전해연마는, 1V 내지 30V 사이의 DC 전압을 인가하며 0℃ 내지 60℃사이의 온도 구간에서 수행될 수 있다.
또한, 상기 잔류산을 중화하고 오염물을 제거하는 처리는, 전해연마 표면처리가 완료된 모재를 즉시 알칼리 혼합 용액에 담구어 세정처리를 함으로써 표면의 잔류산을 중화처리 하여 오염물을 제거할 수 있다.
그리고 알카리 혼합 용액은, NaOH, Ca(OH)2, KOH, CaO, NaHCO3, NH3,?iOH, Sr(OH)2, Cu(OH)2 중 어느 하나의 용액이거나 둘 이상을 조합한 용액일 수 있다.
이에 의해, 기 표면처리로 인해 생성된 산화막과 임플란트 표면에 잔존하는 오염물을 제거하고 안정된 결합력을 갖는 산화막을 형성시킬 수 있는 표면처리가 가능하게 된다.
또한 전해연마 처리된 표면의 잔류산을 중화하고 오염물을 제거하는 단계 효과로 산에 노출된 임플란트 표면에 잔존하는 잔류산을 중화하고 제거함으로써, 안정된 임플란트의 표면처리를 할 수 있다.
뿐만 아니라, 기 표면처리로 인해 생성된 오염물을 포함한 산화막을 제거하고 안정된 결합력을 갖는 산화막을 형성시켜 임플란트 시술시 오염물질의 유출로 인한 염증반응을 최소화 하여 수술 성공률을 높일 수 있는 표면처리를 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 표면처리된 티타늄 임플란트의 전해연마를 이용한 표면개질 방법의 흐름도
그리고, 도 2a 및 도2b 는 도 1의 제조방법을 부연설명하기 위한 개략도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 표면처리된 티타늄 임플란트의 전해연마를 이용한 표면개질 방법에 대하여 상세하게 설명한다.
먼저, 도1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 표면처리된 티타늄 임플란트의 전해연마를 이용한 표면개질 방법의 흐름도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 실시예에 따른 표면처리 된 티타늄 임플란트의 표면 오염물을 제거하여 표면을 활성화 처리하는 단계(S110), 상기표면을 전해연마를 사용하여 기 표면처리 된 티타늄 임플란트의 표면 산화막을 제거하는 단계(S120), 전해연마 처리된 표면의 잔류산을 중화하고 오염물을 제거하는 단계(S130)를 포함한다.
구체적으로, 표면처리 된 티타늄 임플란트의 표면 오염물을 제거하여 표면을 활성화 처리하는 단계(S110)는 티타늄 임플란트를 적정 조성으로 혼합된 용액에 담구어 표면처리 시 형성된 산화막을 얇게 제거하여 표면을 활성화 하고, 상기표면을 전해연마를 사용하여 기 표면처리 된 티타늄 임플란트의 표면 산화막을 제거하는 단계(S120)는 혼합된 용액내에 표면처리된 임플란트를 담구어 전류를 가함으로써 양극으로 연결된 티타늄 표면의 금속이 용출되어 산화막을 제거함과 동시에 오염물을 제거하며, 전해연마 처리된 표면의 잔류산을 중화하고 오염물을 제거하는 단계(S130)는 표면처리 후 표면에 잔류하는 산성분을 중화시켜 오염물을 제거한다.
이를 도 2a, 2b를 참조로 보다 구체적으로 설명한다.
먼저 도 2a에 도시된 바와 같이, 표면처리 된 티타늄 임플란트의 표면 오염물을 제거하여 표면을 활성화 처리하는 단계(S110)는 1%내지 50%의 중량기준으로 HF, HNO3, PO4 , H3PO4 중의 하나 또는 그 이상의 조합으로 이루어진 수용액을 사용하여 처리시간 1초 내지 300초 사이의 시간 구간, 0℃ 내지 50℃ 사이의 온도 구간에서 이들의 혼합액에 담구어 반응시킨다. 상기 활성화 처리는 용액의 조성 변화 및 온도를 변화시켜 표면반응 속도를 조절할 수 있는 원리를 이용하여 산용액과 금속의 반응에 의해 표면을 식각한 것이므로 기 표면처리 된 임플란트의 불안정한 산화막층을 얇게 제거하여 활성화된 표면을 얻어낼 수 있다.
다음 도 2a에 도시된 바와 같이, 상기표면을 전해연마를 사용하여 기 표면처리 된 티타늄 임플란트의 표면 산화막을 제거하는 단계(S120)는 샌드블라스팅, 산에 의한 에칭, 양극산화 및 레이저 등의 표면처리 인해 형성된 오염물이 포함된 산화막층을 제거하기 위하여 시행되며, 티타늄 임플란트에 양극부를 연결하고 전극에 음극부를 연결하여 정해진 조성의 화학용액에 담구어 전류를 가한다. 이 때 전해연마조에 HF, HNO3, HCl, H2SO4, PO4, H3PO4, H2O2 , NH3, N2H4, H2S 중 어느 하나의 용액이거나 둘 이상을 조합한 용액을 채워 넣고 1V 내지 30V 사이의 DC 전압을 인가하며 0℃ 내지 60℃ 사이의 온도 구간과 1초 내지 30초 사이의 시간 구간에서 수행한다. 상기 처리는 양극으로 연결된 모재 표면의 금속이 음극으로 연결된 화학용액과 환원 반응을 통해 표면의 산소원자를 떼어내어 산화막을 제거하는 원리로 오염물을 포함한 불순물을 전압과 연마 시간, 용액의 혼합비율 및 온도를 조절하여 원하는 두께만큼 산화막층을 제거할 수 있다.
다음 도 2a에 도시된 바와 같이, 전해연마 처리된 표면의 잔류산을 중화하고 오염물을 제거하는 단계(S130)는 기 표면처리나 전해연마를 이용한 표면처리로 인해 잔류하는 산 성분을 중화시킨 후 표면으로부터 제거하기 위해 수조에 알카리 용액을 채워 놓고 기 처리된 티타늄 임플란트를 담구어 초음파를 가하여 수행한다.
알카리 용액은, NaOH, Ca(OH)2, KOH, CaO, NaHCO3, NH3, LiOH, Sr(OH)2, Cu(OH)2 중 어느 하나의 용액이거나 둘 이상을 조합한 용액일 수 있다.
위 설명의 예를 돕기 위해 샌드블라스팅, 산에 의한 에칭을 이용해 생성된 티타늄 임플란트의 표면과 상기 방법에 의해 표면처리된 티타늄 임플란트의 표면을 도 2b에 예를 들어 도시하였다.
20 : 티타늄 임플란트 21 : 기 표면처리된 표면 형상
22 : 표면처리 후 생성된 산화물층 23 : 표면처리후의 표면형상
24 : 산화막층 내의 오염물 25 : 전해연마를 위한 장치의 모식도
26 : 중화처리를 위한 장치의 모식도
27 : 전해연마와 중화처리 완료 후 오염물이 제거된 표면
28 : 샌드블라스팅, 산에 의한 에칭을 이용해 생성된 티타늄 임플란트의 표면 사진
29 : 상기 방법에 의해 표면처리된 티타늄 임플란트의 표면 사진

Claims (9)

  1. 표면처리된 티타늄 임플란트의 전해연마를 이용한 표면개질 방법에 있어서

    표면처리 된 티타늄 임플란트의 표면 오염물을 제거하여 표면을 활성화 처리하는 단계;

    상기표면을 전해연마를 사용하여 기 표면처리 된 티타늄 임플란트의 표면 산화막을 제거하는 단계; 및

    전해연마 처리된 표면의 잔류산을 중화하고 오염물을 제거하는 단계;를 포함하는
    것을 특징으로 하는 표면처리된 티타늄 임플란트의 전해연마를 이용한 표면개질 방
    법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 활성화 처리는,
    표면처리된 티타늄 임플란트를 화학용액에 내에서 티타늄 임플란트의 표면을 식각하여 불안정한 산화막층이 얇게 제거된 활성화된 표면을 얻어내는 것을 특징으로 하는 표면처리된 티타늄 임플란트의 전해연마를 이용한 표면개질 방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 화학용액은,
    1%내지 50%의 중량기준으로 HF, HNO3, PO4, H3PO4 중의 하나 또는 그 이상의 조합으로 이루어진 수용액인 것을 특징으로 하는 표면처리된 티타늄 임플란트의 전해연마를 이용한 표면개질 방법.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 활성화처리는,
    1초 내지 300초 사이의 시간 구간, 0℃ 내지 50℃ 온도 구간에서 수행되는 것을 특징으로 하는 표면처리된 티타늄 임플란트의 전해연마를 이용한 표면개질 방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 전해연마는,
    표면처리 된 티타늄 임플란트에 양극부를 연결하고 전극에 음극부를 연결하여 화학용액에 담구어 1V 내지 30V 사이의 DC 전압을 인가하여 수행되는 것을 특징으로 하는 표면처리된 티타늄 임플란트의 전해연마를 이용한 표면개질 방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 화학용액은,
    HF, HNO3, HCl, H2SO4, PO4, H3PO4, H2O2 , NH3, N2H4, H2S 중 어느 하나의 용액이거나 둘 이상을 조합한 용액인 것을 특징으로 하는 표면처리된 티타늄 임플란트의 전해연마를 이용한 표면개질 방법.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 전해연마는,
    0℃ 내지 60℃사이의 온도 구간과 1초 내지 30초 사이의 시간 구간에서 수행되는 것을 특징으로 하는 표면처리된 티타늄 임플란트의 전해연마를 이용한 표면개질 방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 중화처리는,
    초음파 세척기나 수조에 알카리 용액을 채워 놓고 기 처리된 티타늄 임플란트를 담구어 초음파를 가하여 수행되는 것을 특징으로 하는 표면처리된 티타늄 임플란트의 전해연마를 이용한 표면개질 방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 알카리 용액은,
    NaOH, Ca(OH)2, KOH, CaO, NaHCO3, NH3, LiOH, Sr(OH)2, Cu(OH)2 중 어느 하나의 용액이거나 둘 이상을 조합한 용액인 것을 특징으로 하는 표면처리된 티타늄 임플란트의 전해연마를 이용한 표면개질 방법.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101758853B1 (ko) 2017-01-16 2017-07-17 주식회사 쓰리디프리욜 3d 프린팅된 임플란트의 세정방법
KR101918743B1 (ko) 2018-01-26 2018-11-14 주식회사 메디파이브 치과용 또는 기공용 지르코니아 에칭 및 중화 방법
KR20190096121A (ko) 2018-02-08 2019-08-19 순천향대학교 산학협력단 세라믹 표면 에칭제 조성물 및 이를 이용한 세라믹의 표면처리방법
WO2020111556A1 (ko) * 2018-11-30 2020-06-04 주식회사 메디파이브 에칭 및 중화키트를 이용한 치과용 또는 기공용 지르코니아 표면처리방법 및 이를 위한 에칭 및 중화 반응용기

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1994026321A1 (en) 1993-05-10 1994-11-24 Universite De Montreal Modification of implant surface with bioactive conjugates for improved integration
JP2006514712A (ja) 2002-07-17 2006-05-11 メルフェール インストルメンツ ホールディング エスアエールエル ニッケル−チタン合金製歯科器具の電解研磨方法
JP2008525069A (ja) 2004-12-23 2008-07-17 プラスオーソペディックス アーゲー 骨移植組織片の表面仕上げ方法
KR101018838B1 (ko) 2008-03-24 2011-03-04 주식회사 서남 금속 테이프의 전해 연마를 위한 장치 및 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1994026321A1 (en) 1993-05-10 1994-11-24 Universite De Montreal Modification of implant surface with bioactive conjugates for improved integration
JP2006514712A (ja) 2002-07-17 2006-05-11 メルフェール インストルメンツ ホールディング エスアエールエル ニッケル−チタン合金製歯科器具の電解研磨方法
JP2008525069A (ja) 2004-12-23 2008-07-17 プラスオーソペディックス アーゲー 骨移植組織片の表面仕上げ方法
KR101018838B1 (ko) 2008-03-24 2011-03-04 주식회사 서남 금속 테이프의 전해 연마를 위한 장치 및 방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101758853B1 (ko) 2017-01-16 2017-07-17 주식회사 쓰리디프리욜 3d 프린팅된 임플란트의 세정방법
KR101918743B1 (ko) 2018-01-26 2018-11-14 주식회사 메디파이브 치과용 또는 기공용 지르코니아 에칭 및 중화 방법
WO2019146908A1 (ko) * 2018-01-26 2019-08-01 주식회사 메디파이브 치과용 또는 기공용 지르코니아 에칭 및 중화 방법
KR20190096121A (ko) 2018-02-08 2019-08-19 순천향대학교 산학협력단 세라믹 표면 에칭제 조성물 및 이를 이용한 세라믹의 표면처리방법
WO2020111556A1 (ko) * 2018-11-30 2020-06-04 주식회사 메디파이브 에칭 및 중화키트를 이용한 치과용 또는 기공용 지르코니아 표면처리방법 및 이를 위한 에칭 및 중화 반응용기

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