KR101525209B1 - 모듈 테스트 장치 및 그것을 포함하는 테스트 시스템 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시 예에 따른 테스트 시스템은 호스트, 호스트와 통신하는 모듈, 그리고 모듈을 테스트하기 위한 테스트 장치를 포함하고, 호스트는 모듈에 전원을 제공하기 위한 펄스 폭 변조 회로를 포함하고, 테스트 장치는 펄스 폭 변조 회로에 연결되는 피드백 저항을 가변한다.

Description

모듈 테스트 장치 및 그것을 포함하는 테스트 시스템{MODULE TEST DEVICE AND TEST SYSTEM INCLUDING THE SAME}
본 발명은 모듈 테스트 장치 및 그것을 포함하는 테스트 시스템에 관한 것이다.
컴퓨팅 시스템은 복수의 구성 요소들을 포함한다. 예를 들면, 컴퓨팅 시스템은 전원 공급 장치, 화면 표시 장치, 영상 신호 처리 장치, 저장 장치, 중앙 처리 장치 등의 다양한 구성 요소들을 포함한다. 컴퓨팅 시스템의 구성 요소들은 모듈화 되어 있다. 컴퓨팅 시스템의 구성 요소들 중 하나, 예를 들면 저장 장치를 교체하는 경우, 기존의 저장 장치를 인터페이스(예를 들면, IDE 장치, ATA 장치, DIMM 장치 등)로부터 분리하고, 새로운 저장 장치를 인터페이스에 연결하면 저장 장치의 교체가 완료된다.
컴퓨팅 시스템의 구성 요소들은 다양한 제조사들에 의해 생산된다. 따라서, 동일한 구성 요소, 예를 들면 동일한 메모리(16Gbyte DDR2)의 경우에도, 제조사에 따라 메모리의 동작 특성이 상이할 수 있다. 컴퓨팅 시스템은 복수의 구성 요소들을 포함하므로, 상이한 동작 특성을 갖는 구성 요소들 사이에서 충돌이 발생될 수 있다. 이와 같은 문제를 방지하기 위하여, 컴퓨팅 시스템의 구성 요소들에 대하여 실장 테스트가 수행된다. 실장 테스트는 구성 요소를 다양한 컴퓨팅 시스템에 실장하여 테스트하는 테스트 방법이다.
본 발명의 목적은 전력 소모 및 오류가 감소되는 테스트 장치 및 테스트 시스템을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 테스트 시스템은 호스트; 상기 호스트와 통신하는 모듈; 그리고 상기 모듈을 테스트하기 위한 테스트 장치를 포함하고, 상기 호스트는 상기 모듈에 전원을 제공하기 위한 펄스 폭 변조 회로를 포함하고, 상기 테스트 장치는 상기 펄스 폭 변조 회로에 연결되는 피드백 저항을 가변한다.
실시 예로서, 상기 테스트 장치는 가변 저항을 포함하고, 상기 가변 저항은 상기 펄스 폭 변조 회로의 피드백 단자에 연결된다. 상기 가변 저항은 상기 피드백 단자에 연결되어 있는 저항에 병렬 연결된다. 상기 가변 저항은 상기 펄스 폭 변조 회로의 피드백 단자에 연결되어 있는 저항을 대체한다.
실시 예로서, 상기 테스트 장치는 상기 호스트로부터 전원을 제공받는다.
실시 예로서, 상기 피드백 저항은 상기 모듈에 제공되는 전원을 분배하여 상기 펄스 폭 변조 회로의 피드백 단자에 전달한다.
실시 예로서, 상기 펄스 폭 변조 신호의 출력을 평활화하여 상기 모듈에 전 원으로 제공하는 평활 회로를 더 포함하고, 상기 피드백 저항은 상기 평활 회로의 출력을 분배하여 상기 펄스 폭 변조 회로의 피드백 단자에 전달한다.
본 발명의 실시 예에 따른 테스트 장치는 가변 저항; 그리고 상기 가변 저항의 저항값을 가변하기 위한 컨트롤러를 포함하고, 상기 가변 저항은 전원 공급 장치로 이용되는 외부의 펄스 폭 변조 회로의 피드백 단자에 연결되어 상기 외부의 펄스 폭 변조 회로의 출력을 가변한다.
실시 예로서, 상기 컨트롤러는 상기 가변 저항의 저항값을 미리 설정된 값으로 가변한다.
실시 예로서, 상기 컨트롤러는 상기 가변 저항의 저항값을 외부로부터 제공되는 제어 신호에 응답하여 가변한다.
본 발명의 실시 예에 따른 테스트 시스템은 호스트, 호스트와 통신하는 모듈, 그리고 모듈을 테스트하기 위한 테스트 장치를 포함하고 호스트는 모듈에 전원을 제공하기 위한 펄스 폭 변조 회로를 포함하고, 테스트 장치는 상기 펄스 폭 변조 회로에 연결되는 피드백 저항을 가변한다. 본 발명에 따르면 전력 소모 및 오류가 감소된다.
본 발명의 실시 예에 따른 테스트 시스템은 호스트, 호스트와 통신하는 모듈, 그리고 모듈을 테스트하기 위한 테스트 장치를 포함하고 호스트는 모듈에 전원을 제공하기 위한 펄스 폭 변조 회로를 포함하고, 테스트 장치는 상기 펄스 폭 변 조 회로에 연결되는 피드백 저항을 가변한다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따른 테스트 장치는 가변 저항, 그리고 가변 저항의 저항값을 가변하기 위한 컨트롤러를 포함하고, 가변 저항은 전원 공급 장치로 이용되는 외부의 펄스 폭 변조 회로의 피드백 단자에 연결되어 외부의 펄스 폭 변조 회로의 출력을 가변한다. 이하에서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 테스트 시스템(10)을 보여주는 블록도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 테스트 시스템(10)은 호스트(100), 모듈(200), 그리고 테스트 장치(300)를 포함한다.
호스트(100)는 프로세서(110), 모듈 전원 공급 장치(120), 커넥터(130), 그리고 시스템 버스(140)를 포함한다. 프로세서(110)는 호스트(100)에 의해 수행되는 제반 동작을 제어한다. 모듈 전원 공급 장치(120)는 커넥터(130)를 통해 모듈(200)에 모듈 전원(Vdd)을 공급한다. 커넥터(130)는 모듈 전원 공급 장치(120)로부터 제공되는 모듈 전원(Vdd)을 모듈(200)에 전달한다. 또한, 커넥터(130)는 모듈(200)을 시스템 버스(140)에 연결한다.
예시적으로, 모듈(140)은 USB, MMC, PCI-E, AGP(Accelerated Graphic Port), ATA(Advanced Technology Attachment), Serial-ATA, Parallel-ATA, SCSI, ESDI, IDE(Integrated Drive Electronics), DIMM(Double In-line Memory Module), SIMM(Single In-line Memory Module) 등과 같은 다양한 인터페이스를 이용하여 커 넥터(130)를 통해 시스템 버스(140)와 통신할 것이다. 예시적으로, 커넥터(130)는 호스트(100) 및 모듈(200)을 연결하는 슬롯, 케이블, 소켓, 본딩 등과 같은 연결 수단일 것이다.
도 1에서, 호스트(100)는 프로세서(110), 모듈 전원 공급 장치(120), 그리고 커넥터(130)를 포함하는 것으로 도시되어 있다. 그러나, 호스트(100)는 프로세서(110), 모듈 전원 공급 장치(120), 그리고 모듈 인터페이스(130)를 포함하는 것으로 한정되지 않는다. 호스트(100)는 미리 설정된 동작을 수행하기 위한 다양한 구성 요소들을 포함할 것이다.
예시적으로, 호스트(100)는 범용 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 워크 스테이션, PDA, 포터블(portable) 컴퓨터, 웹 타블렛(web tablet), 무선 전화기(wireless phone), 모바일 폰(mobile phone), 디지털 뮤직 플레이어(digital music player), 또는 정보를 무선 환경에서 송수신할 수 있는 장치, 디지털 카메라, 가정용 게임기 등과 같은 다양한 전자 장치들 중 하나일 수 있음이 이해될 것이다.
예시적으로, 모듈(200)은 SRAM, DRAM, SDRAM 등과 같은 휘발성 메모리를 포함하는 메모리 모듈일 것이다. 모듈(200)은 ROM, PROM, EPROM, EEPROM, 플래시 메모리 장치, PRAM, MRAM, RRAM, FRAM 등과 같은 불휘발성 메모리를 포함하는 메모리 모듈일 것이다. 모듈(200)은 PC 카드(PCMCIA), 컴팩트 플래시 카드(CF), 스마트 미디어 카드(SM/SMC), 메모리 스틱, 멀티미디어 카드(MMC, RS-MMC, MMCmicro), SD 카드(SD, miniSD, microSD), 유니버설 플래시 기억장치(UFS) 등과 같은 메모리 카드일 것이다. 모듈(200)은 그래픽 장치, 무선 및 유선 통신 장치, 오디오 장치 등과 같은 전자 장치일 것이다. 모듈(200)은 ODD(Optical Disk Drive), HDD(Hard Disk Drive), SDD(Solid State Disk) 등과 같은 저장 장치일 것이다. 예시적으로, 호스트(100)는 메인 보드이고, 모듈(200)은 메모리(예를 들면, DRAM)일 것이다.
본 발명의 기술적 사상은 호스트(100)의 종류, 모듈(200)의 종류, 그리고 호스트(100) 및 모듈(200) 사이의 인터페이스에 한정되지 않는다. 본 발명의 기술적 사상은 호스트(100)가 모듈(200)에 전원을 공급하는 모든 시스템에 적용될 수 있다.
도 1에서, 모듈 인터페이스(130)는 시스템 버스(140)에 연결되는 것으로 도시되어 있다. 그러나, 모듈 인터페이스(130)는 시스템 버스(140)에 연결되는 대신 프로세서(110) 등과 같은 호스트(100)의 다양한 구성 요소들 중 하나에 직접 연결될 수 있음이 이해될 것이다.
테스트 장치(300)는 호스트(100)의 모듈 전원 공급 장치(120)에 연결된다. 테스트 장치(300)는 모듈 전원 공급 장치(120)를 제어하여 모듈 전원(Vdd)을 가변한다. 예시적으로, 호스트(100) 및 모듈(200)이 구동되는 동안 테스트 장치(300)는 모듈 전원 공급 장치(120)를 제어하여 모듈 전원(Vdd)을 가변할 것이다. 즉, 호스트(100), 모듈(200), 그리고 테스트 장치(300)는 테스트 시스템(10), 더 상세하게는 실장 테스트 시스템(10)을 형성한다.
테스트 시스템(10)은 호스트(100)에서 모듈(200)이 정상적으로 동작하는 지의 여부를 판별할 것이다. 호스트(100) 및 모듈(200)은 데이터의 저장 및 연산 등과 같은 노멀 동작을 수행하며, 테스트 장치(300)는 호스트(100)의 모듈 전원 공급 장치(120)를 제어하여 모듈 전원(Vdd)을 가변할 것이다. 즉, 본 발명의 실시 예에 따른 테스트 시스템(10)은 호스트(100)가 모듈(200)에 제공하는 모듈 전원(Vdd)이 불안정한 경우에 모듈(200)이 정상적으로 동작하는지의 여부를 판별할 것이다.
도 2는 도 1의 모듈 전원 공급 장치(120), 커넥터(130), 그리고 모듈(200)을 보여주는 블록도이다. 도 2를 참조하면, 모듈 전원 공급 장치(120)의 내부 구성 요소들이 도시되어 있다. 모듈 전원 공급 장치(120)는 펄스 폭 변조 회로(140), 평활 회로(150), 그리고 저항들(R1, R2)을 포함한다.
펄스 폭 변조 회로(140)는 피드백 단자(FB)에 전달되는 전압에 응답하여 출력 단자(OUT)로 출력되는 출력 펄스(Vpwm)의 펄스 폭을 변조한다. 피드백 단자(FB)에 전달되는 전압이 미리 설정된 전압보다 높으면, 펄스 폭 변조 회로(140)는 출력 펄스(Vpwm)의 펄스 폭이 좁아지도록 출력 펄스(Vpwm)를 변조한다. 피드백 단자(FB)에 전달되는 전압이 미리 설정된 전압보다 낮으면, 펄스 폭 변조 회로(140)는 출력 펄스(Vpwm)의 펄스 폭이 넓어지도록 출력 펄스(Vpwm)를 변조한다.
평활 회로(150)는 펄스 폭 변조 회로(140)의 출력 펄스(Vpwm)를 전달받아 평활하여 모듈 전원(Vdd)으로 출력한다. 예시적으로, 평활 회로(150)는 커패시터, 인덕터 등의 잘 알려진 구성 요소들을 포함할 것이다. 모듈 전원(Vdd)은 커넥터(130)를 통해 모듈(200)에 제공된다. 또한, 모듈 전원(120)은 저항들(R1, R2)에 의해 분배되고, 저항들(R1, R2) 사이의 노드(B)의 전압이 펄스 폭 변조 회로(140)의 피드백 단자(FB)에 제공된다. 즉, 저항들(R1, R2)은 펄스 폭 변조 회로(140)의 피드백 저항이다.
펄스 폭 변조 회로(140), 평활 회로(150), 그리고 피드백 저항(R1, R2)은 궤환 루프를 형성한다. 모듈 전원(Vdd)이 피드백 저항(R1, R2)에 의해 분배된 전압이 미리 설정된 레벨보다 높으면, 펄스 폭 변조 회로(140)는 출력 펄스(Vpwm)의 펄스 폭이 좁아지도록 출력 펄스(Vpwm)를 변조한다. 따라서, 모듈 전원(Vdd)의 레벨이 낮아지고, 모듈 전원(Vdd)이 피드백 저항(R1, R2)에 의해 분배된 전압 또한 낮아진다.
모듈 전원(Vdd)이 피드백 저항(R1, R2)에 의해 분배된 전압이 미리 설정된 레벨보다 낮으면, 펄스 폭 변조 회로(140)는 출력 펄스(Vpwm)의 펄스 폭이 넓이지도록 출력 펄스(Vpwm)를 변조한다. 따라서, 모듈 전원(Vdd)의 레벨이 높아지고, 모듈 전원(Vdd)이 피드백 저항(R1, R2)에 의해 분배된 전압 또한 높아진다.
즉, 모듈 전원(Vdd)이 미리 설정된 레벨보다 낮으면 펄스 폭 변조 회로(140)는 모듈 전원(Vdd)을 상승시키고, 모듈 전원(Vdd)이 미리 설정된 레벨보다 높으면 펄스 폭 변조 회로(140)는 모듈 전원(Vdd)을 하강시킨다. 따라서, 펄스 폭 변조 회로(140), 평활 회로(150), 그리고 피드백 저항(R1, R2)이 형성하는 궤환 루프를 포함하는 모듈 전원 공급 장치(120)는 모듈 전원(Vdd)의 레벨을 미리 설정된 레벨로 유지한다.
호스트(120)에 연결된 모듈을 테스트(예를 들면, 실장 테스트)하기 위해, 모듈(200)에 제공되는 모듈 전원(Vdd)이 가변되어야 한다. 모듈 전원(Vdd)을 가변하기 위해, 두 가지 방법이 사용될 수 있다.
첫째로, 모듈 전원 공급 회로(120) 및 커넥터(130) 사이의 연결을 제거하고, 커넥터(130)에 별도의 배선(wire)을 연결함으로써 모듈(200)에 가변되는 모듈 전원이 제공될 수 있다. 예시적으로, 노드(A)가 제거되면, 모듈 전원 공급 회로(120)에서 발생되는 모듈 전원(Vdd)은 커넥터(130)에 제공되지 않을 것이다. 이후에, 가변되는 모듈 전원을 발생하는 테스트 장치(미도시)가 커넥터(130)에 연결될 것이다. 즉, 모듈(200)은 테스트 장치로부터 가변되는 모듈 전원을 직접 제공받을 것이다.
이때, 테스트 장치로부터 커넥터(130)로 가변되는 모듈 전원이 제공되는 배선(wire)에서 노이즈가 발생될 것이다. 배선의 노이즈로 인해 모듈 전원이 가변되는 속도가 설계값보다 증가할 수 있음이 이해될 것이다. 모듈 전원이 급격하게 가변되면, 호스트(120) 및 모듈(200)의 동작이 중지(halt)되는 현상이 발생될 수 있다. 즉, 테스트(예를 들면, 실장 테스트)에서 패스될 수 있는 모듈이 배선의 노이즈로 인해 페일로 판별될 수 있음이 이해될 것이다.
또한, 배선의 노이즈로 인해 모듈 전원의 가변 폭이 증가될 수 있음이 이해될 것이다. 모듈 전원의 가변 폭이 증가되면, 테스트(예를 들면, 실장 테스트)에서 패스될 수 있는 모듈이 배선의 노이즈로 인해 페일로 판별될 수 있음이 이해될 것이다.
즉, 모듈 전원 공급 회로(120) 및 커넥터(130) 사이의 연결을 제거하고, 커넥터(130)에 별도의 배선(wire)을 통해 가변되는 모듈 전원을 제공하여 모듈을 테스트하면, 모듈의 수율이 감소될 수 있음이 이해될 것이다.
둘째로, 노드(A) 및 노드(B)의 전압 차이를 조절하여 출력 펄스(Vpwm)의 펄스 폭을 조절하여 모듈 전원(Vdd)을 가변함으로써 모듈(200)에 가변되는 모듈 전원 이 제공될 수 있다. 예시적으로, 노드(A) 및 노드(B)는 각각 배선을 통해 테스트 장치(미도시)에 연결될 것이다. 테스트 장치는 노드(A) 전압보다 낮은 레벨의 전압을 노드(B)에 제공할 것이다. 그리고, 테스트 장치는 노드(A)의 전압과 노드(B)의 전압의 차이를 가변할 것이다. 즉, 테스트 장치는 모듈 전원(Vdd)과 가변되는 전압 차이를 갖는 전압을 펄스 폭 변조 회로(140)의 피드백 단자(FB)에 제공할 것이다. 피드백 단자(FB)에 제공되는 전압이 가변되면 모듈 전원(Vdd) 또한 가변될 것이다.
이때, 모듈 전원(Vdd)이 피드백 저항(R1, R2)에 의해 분배된 전압이 피드백 단자(FB)에 제공되고, 모듈 전원(Vdd)과 가변되는 전압 차이를 갖는 전압 또한 테스트 장치로부터 피드백 단자(FB)에 제공될 것이다. 테스트 장치로부터 피드백 단자(FB)에 제공되는 전압과 모듈 전원(Vdd)의 전압 차이는 테스트 장치에 의해 가변된다. 즉, 테스트 장치로부터 피드백 단자(FB)에 제공되는 전압은 모듈 전원(Vdd)이 피드백 저항(R1, R2)에 의해 분배되어 피드백 단자(FB)에 제공되는 전압 레벨과 상이한 전압 레벨을 가질 것이다.
따라서, 테스트 장치로부터 피드백 단자(FB)에 제공되는 전압과 모듈 전원(Vdd)이 피드백 저항(R1, R2)에 의해 분배되어 피드백 단자(FB)에 제공되는 전압의 충돌로 인해 모듈 전원 공급 장치(120)의 동작이 중지(halt)되는 현상이 발생될 것이다. 모듈 전원 공급 장치(120)의 동작이 중지되면, 모듈이 테스트 페일로 설정된다. 즉, 노드(A) 및 노드(B)의 전압 차이를 조절하여 출력 펄스(Vpwm)의 펄스 폭을 조절하여 모듈 전원(Vdd)을 가변함으로써 모듈(200)에 가변되는 모듈 전원이 제공되면, 모듈(200)의 수율이 감소될 수 있음이 이해될 것이다.
상술한 바와 같은 문제를 해결하기 위하여, 본 발명의 실시 예에 따른 테스트 시스템은 호스트, 호스트와 통신하는 모듈, 그리고 모듈을 테스트하기 위한 테스트 장치를 포함하고 호스트는 모듈에 전원을 제공하기 위한 펄스 폭 변조 회로를 포함하고, 테스트 장치는 상기 펄스 폭 변조 회로에 연결되는 피드백 저항을 가변한다. 이하에서, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 예가 더 상세하게 설명된다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 모듈 전원 공급 장치(120), 커넥터(130), 모듈(200), 그리고 테스트 장치(300)를 보여주는 블록도이다. 도 3에 도시된 모듈 전원 공급 장치(120), 커넥터(130), 그리고 모듈(200)은 도 2를 참조하여 설명된 모듈 전원 공급 장치(120), 커넥터(130), 그리고 모듈(200)과 동일하다. 따라서, 상세한 설명은 생략된다.
본 발명의 실시 예에 따른 테스트 장치(300)는 가변 저항부(310) 및 가변 저항 컨트롤러(320)를 포함한다. 가변 저항부(310)는 가변 저항들(VR1, VR2)을 포함한다. 가변 저항 컨트롤러(320)는 가변 저항들(VR1, VR2)의 저항값을 제어한다. 가변 저항들(VR1, VR2)은 전원 공급 장치로 이용되는 외부의 펄스 폭 변조 회로(140)의 피드백 단자(FB)에 연결되어 펄스 폭 변조 회로(140)의 출력을 가변한다.
테스트 장치(300)의 가변 저항들(VR1, VR2)은 모듈 전원 공급 장치(120)의 펄스 폭 변조 회로(140)의 피드백 단자(FB)에 연결된다. 예시적으로, 가변 저항들(VR1, VR2)은 저항(R1, R2)에 병렬 연결된다. 즉, 저항(R1) 및 가변 저항(VR1)이 노드(B) 상부의 피드백 저항을 형성하고, 저항(R2) 및 가변 저항(VR2)이 노드(B) 하부의 피드백 저항을 형성할 것이다. 가변 저항 컨트롤러(320)에 의해 가변 저항 들(VR1, VR2)의 저항값이 가변되면, 펄스 폭 변조 회로(140)의 피드백 단자(FB)에 연결되는 피드백 저항(R1, VR1, R2, VR2)의 저항값이 가변될 것이다.
펄스 폭 변조 회로(140)는 모듈 전원(Vdd)이 피드백 저항(R1, VR1, R2, VR2)에 의해 분배되어 피드백 단자(FB)에 전달되는 전압을 미리 설정된 레벨로 유지한다. 가변 저항들(VR1, VR2)의 저항값이 가변되어 피드백 저항(R1, VR1, R2, VR2)의 저항값이 가변되면, 모듈 전원(Vdd)이 피드백 저항(R1, VR1, R2, VR2)에 의해 분배되어 피드백 단자(FB)에 전달되는 전압이 가변될 것이다. 따라서, 펄스 폭 변조 회로(140)는 출력 펄스(Vpwm)의 펄스 폭을 가변할 것이고, 모듈 전원(Vdd)의 레벨이 가변될 것이다. 즉, 테스트 장치(300)가 피드백 저항(R1, VR1, R2, VR2)을 가변하면, 모듈(200)에 제공되는 모듈 전원(Vdd)이 가변됨이 이해될 것이다.
예시적으로, 가변 저항 컨트롤러(320)는 가변 저항들(VR1, VR2)의 저항값을 미리 설정된 값으로 가변할 것이다. 즉, 가변 저항 컨트롤러(320)는 가변 저항들(VR1, VR2)의 저항값을 미리 설정된 값으로 가변하도록 프로그램될 것이다. 예를 들면, 가변 저항 컨트롤러(320)는 가변 저항들(VR1, VR2)의 저항값을 미리 설정된 제 1 값, 제 2 값, 제 3 값 등으로 순차적으로 가변할 것이다. 예를 들면, 가변 저항 컨트롤러(320)는 가변 저항들(VR1, VR2)의 저항값을 난수표에 따른 값으로 가변할 것이다.
다른 예로서, 가변 저항 컨트롤러(320)는 외부로부터 전달되는 제어 신호에 응답하여 가변 저항들(VR1, VR2)의 저항값을 가변할 것이다. 예를 들면, 외부로부터 전달되는 제어 신호는 가변 저항들(VR1, VR2)이 가변될 저항 값을 나타낼 것이 다. 예를 들면, 외부로부터 전달되는 제어 신호는 가변 저항들(VR1, VR2)의 저항값이 증가 또는 감소되도록 가변 저항 컨트롤러(320)를 제어할 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 테스트 장치(300) 및 테스트 시스템(10)은 펄스 폭 변조 회로(140)의 피드백 저항을 가변함으로써 모듈(200)에 제공되는 모듈 전원(Vdd)을 가변한다. 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 테스트 장치(300) 및 테스트 시스템(10)은 호스트(200)의 모듈 전원 공급 장치(120)를 이용하여 모듈 전원(Vdd)을 모듈(200)에 제공하므로 모듈 전원 공급 장치(120) 및 테스트 장치(300)의 충돌이 발생되지 않음이 이해될 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 테스트 장치(300) 및 테스트 시스템(10)은 가변 저항들(VR1, VR2)의 저항값을 가변함으로써 모듈 전원(Vdd)을 가변한다. 테스트 장치(300)가 케이블을 통해 가변되는 모듈 전원(Vdd)을 제공하거나 케이블을 통해 모듈 전원(Vdd)을 가변하기 위한 전압을 제공하지 않으므로, 케이블에 의한 노이즈가 제거된다. 따라서, 메모리 모듈(200)의 수율이 증가됨이 이해될 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 테스트 장치(300) 및 테스트 시스템(10)은 가변 저항들(VR1, VR2)의 저항값을 가변함으로써 모듈 전원(Vdd)을 가변한다. 테스트 장치(300)가 가변되는 모듈 전원(Vdd)을 발생하거나 모듈 전원(Vdd)을 가변하기 위한 전압을 발생하지 않으므로 테스트 장치(300)의 전력 소모가 감소됨이 이해될 것이다.
실장 테스트 시에, 테스트 장치(300)는 호스트(200)의 전원 공급 장치로부터 전원을 공급받을 것이다. 이때, 호스트(200)의 전원 공급 장치의 전원 공급 범위를 벗어날 정도로 테스트 장치(300)의 전력 소모가 증가하면, 테스트 시스템(10)이 중지(halt)될 것이다. 테스트 시스템(10)이 중지되면, 모듈(200)이 테스트 페일인 것으로 판별될 것이다. 즉, 테스트 패스될 수 있는 모듈이 테스트 페일로 판별될 수 있음이 이해될 것이다. 본 발명의 실시 예에 따른 테스트 장치(300) 및 테스트 시스템(10)은 전력 소모가 적으므로 모듈(200)의 수율이 증가됨이 이해될 것이다.
도 3에서, 가변 저항부(310)는 피드백 단자(FB) 상부의 저항(R1)에 연결되는 가변 저항(VR1) 및 피드백 단자(FB) 하부의 저항(R2)에 연결되는 가변 저항(VR2)을 포함하는 것으로 도시되어 있다. 그러나, 가변 저항부(310)는 가변 저항들(VR1, VR2)을 포함하는 것으로 한정되지 않는다. 예시적으로, 가변 저항부(310)는 피드백 단자(FB) 상부의 저항(R1)에 연결되는 가변 저항(VR1) 또는 피드백 단자(FB) 하부의 저항(R2)에 연결되는 가변 저항(VR2) 중 하나를 포함할 수 있음이 이해될 것이다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 모듈 전원 공급 장치(120'), 커넥터(130), 모듈(200), 그리고 테스트 장치(300)를 보여주는 블록도이다. 커넥터(130), 모듈(200), 그리고 테스트 장치(300)는 도 3을 참조하여 설명된 커넥터(130), 모듈(200), 그리고 테스트 장치(300)와 동일하다. 따라서, 상세한 설명은 생략된다. 모듈 전원 공급 장치(120')는 도 3의 저항들(R1, R2)이 제거된 것을 제외하면 도 3의 모듈 전원 공급 장치(120)와 동일하다.
도 3을 참조하여 설명된 본 발명의 제 1 실시 예의 모듈 전원 공급 장 치(120)와 비교하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 모듈 전원 공급 장치(120')는 펄스 폭 변조 회로(140)의 피드백 단자(FB)에 연결되는 저항들(R1, R2, 도 3 참조)을 포함하지 않는다. 펄스 폭 변조 회로(140)의 피드백 단자(FB)에 연결된 저항들(R1, R2)은 제거되고, 가변 저항들(VR1, VR2)이 펄스 폭 변조 회로(140)의 피드백 단자(FB)에 연결된다. 즉, 가변 저항들(VR1, VR2)은 펄스 폭 변조 회로(140)의 피드백 단자(FB)에 연결되어 있는 저항(R1, R2, 도 3 참조)을 대체한다. 가변 저항들(VR1, VR2)은 펄스 폭 변조 회로(140)의 피드백 저항을 형성한다.
저항값 컨트롤러(320)는 가변 저항들(VR1, VR2), 즉 피드백 저항의 저항값을 가변한다. 피드백 저항의 저항값이 가변되면 펄스 폭 변조 회로(140)의 피드백 단자(FB)에 전달되는 전압이 가변될 것이다. 따라서, 펄스 폭 변조 회로(140)는 출력 펄스(Vpwm)의 펄스 폭을 가변하고, 모듈 전원(Vdd)의 레벨이 가변될 것이다.
본 발명의 제 2 실시 예에 따른 테스트 장치(300) 및 테스트 시스템(10)은 펄스 폭 변조 회로(140)의 피드백 저항을 가변함으로써 모듈 전원(Vdd)을 가변한다. 따라서, 테스트 장치(300) 및 테스트 시스템(10)의 전력 소모가 감소되고, 모듈(200)의 수율이 증가됨이 이해될 것이다.
도 5는 본 발명의 실시 예들에 따른 테스트 방법을 보여주는 순서도이다. 도 3 내지 5를 참조하면, S110 단계에서, 모듈(200)에 전원을 공급하는 펄스 폭 변조 회로(140)의 피드백 저항을 가변시킨다. 테스트 장치(300)의 가변 저항들(VR1, VR2)이 펄스 폭 변조 회로(140)의 피드백 단자(FB)에 연결될 것이다. 예시적으로, 가변 저항들(VR1, VR2)은 펄스 폭 변조 회로(140)의 피드백 단자(FB)에 연결되어 있는 저항들(R1, R2)에 병렬 연결될 것이다. 즉, 저항들(R1, R2, VR1, VR2)이 피드백 저항을 형성할 것이다. 다른 예로서, 가변 저항들(VR1, VR2)은 펄스 폭 변조 회로(140)의 피드백 단자(FB)에 연결되어 있던 저항들(R1, R2)을 대체할 것이다. 즉, 저항들(VR1, VR2)이 피드백 저항을 형성할 것이다.
저항값 컨트롤러(320)는 가변 저항들(VR1, VR2)의 저항값을 가변할 것이다. 가변 저항들(VR1, VR2)의 저항값이 가변되면, 펄스 폭 변조 회로(140)의 피드백 저항이 가변될 것이다. 펄스 폭 변조 회로(140)의 피드백 저항이 가변되면, 모듈(200)에 제공되는 모듈 전원(Vdd)이 가변될 것이다.
S120 단계에서, 모듈을 구동한다. 피드백 저항이 가변되면, 모듈 전원(Vdd)이 가변된다. 즉, 모듈(200)에 가변되는 모듈 전원(Vdd)을 제공하며 모듈(200)이 구동된다. 모듈(200)이 메모리 장치인 경우, 모듈(200)에 가변되는 모듈 전원(Vdd)이 제공되는 동안 모듈(200)에 데이터를 쓰고, 읽고, 그리고 소거하는 동작이 수행될 것이다. 모듈(200)이 미리 설정된 동작을 수행하도록 설계된 전자 장치인 경우, 모듈(200)에 가변되는 모듈 전원(Vdd)이 제공되는 동안 모듈(200)의 미리 설정된 동작이 수행될 것이다.
가변되는 모듈 전원(200)이 제공되는 동안 모듈(200)이 구동되므로, 호스트(100)로부터 모듈(200)에 제공되는 모듈 전원(Vdd)이 불안정한 때에 모듈(200)이 정상적으로 동작하는 지의 여부가 판별될 것이다.
본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위와 기술적 사상에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능 함은 자명하다. 그러므로 본 발명의 범위는 상술한 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 발명의 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 테스트 시스템을 보여주는 블록도이다.
도 2는 도 1의 모듈 전원 공급 장치, 커넥터, 그리고 모듈을 보여주는 블록도이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 모듈 전원 공급 장치, 커넥터, 모듈, 그리고 테스트 장치를 보여주는 블록도이다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 모듈 전원 공급 장치, 커넥터, 모듈, 그리고 테스트 장치를 보여주는 블록도이다.
도 5는 본 발명의 실시 예들에 따른 테스트 방법을 보여주는 순서도이다.

Claims (10)

  1. 펄스 폭 변조 회로를 포함하는 호스트 장치;
    상기 호스트 장치와 통신하고, 상기 펄스 폭 변조 회로로부터 전원을 수신하는 모듈; 그리고
    상기 모듈이 상기 호스트와 통신하는 동안 상기 모듈을 테스트하는 테스트 장치를 포함하고,
    상기 테스트 장치는 상기 모듈에 공급되는 상기 전원에 따라, 상기 펄스 폭 변조 회로에 연결되는 피드백 저항을 가변하고,
    상기 피드백 저항은, 상기 모듈로 출력되는 전원에 연결되고, 분배된 전압을 상기 펄스 폭 변조 회로의 피드백 단자로 전송하는 전압 분배기를 포함하는 테스트 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 테스트 장치는 가변 저항을 포함하고,
    상기 가변 저항은 상기 펄스 폭 변조 회로의 피드백 단자에 연결되는 테스트 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 가변 저항은 상기 피드백 단자에 연결되어 있는 저항에 병렬 연결되는 테스트 시스템.
  4. 펄스 폭 변조 회로를 포함하는 호스트 장치;
    상기 호스트 장치와 통신하고, 상기 펄스 폭 변조 회로로부터 전원을 수신하는 모듈; 그리고
    상기 모듈이 상기 호스트와 통신하는 동안 상기 모듈을 테스트하는 테스트 장치를 포함하고,
    상기 테스트 장치는 상기 모듈에 공급되는 상기 전원에 따라, 상기 펄스 폭 변조 회로에 연결되는 피드백 저항을 가변하고,
    상기 테스트 장치는 가변 저항을 포함하고,
    상기 가변 저항은 상기 펄스 폭 변조 회로의 피드백 단자에 연결되고,
    상기 펄스 폭 변조 회로의 상기 피드백 단자는 상기 테스트 장치의 상기 가변 저항에만 연결되는 테스트 시스템.
  5. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 테스트 장치는 상기 호스트 장치로부터 전원을 수신하는 테스트 시스템.
  6. 삭제
  7. 펄스 폭 변조 회로를 포함하는 호스트 장치;
    상기 호스트 장치와 통신하고, 상기 펄스 폭 변조 회로로부터 전원을 수신하는 모듈; 그리고
    상기 모듈이 상기 호스트와 통신하는 동안 상기 모듈을 테스트하는 테스트 장치를 포함하고,
    상기 테스트 장치는 상기 모듈에 공급되는 상기 전원에 따라, 상기 펄스 폭 변조 회로에 연결되는 피드백 저항을 가변하고,
    상기 호스트 장치는 상기 펄스 폭 변조 신호의 출력을 평활화하여 상기 모듈에 전원으로 제공하는 평활 회로를 더 포함하고,
    상기 평활 회로의 출력 전압은 상기 피드백 회로의 전압 분배기에 의해 분배되어 상기 펄스 폭 변조 회로의 피드백 터미널로 전송되는 테스트 시스템.
  8. 가변 저항부; 그리고
    상기 가변 저항부의 저항값을 가변하는 컨트롤러를 포함하고,
    상기 가변 저항부는 모듈로 공급되는 전원 신호를 제어하는 외부의 펄스 폭 변조 회로의 피드백 단자에 연결되고,
    상기 가변 저항부의 저항값은 상기 펄스 폭 변조 회로로부터 출력되는 상기 전원 신호를 가변하고,
    상기 컨트롤러는 상기 가변 저항부의 저항값을 미리 설정된 값으로 가변하는 테스트 장치.
  9. 삭제
  10. 가변 저항부; 그리고
    상기 가변 저항부의 저항값을 가변하는 컨트롤러를 포함하고,
    상기 가변 저항부는 모듈로 공급되는 전원 신호를 제어하는 외부의 펄스 폭 변조 회로의 피드백 단자에 연결되고,
    상기 가변 저항부의 저항값은 상기 펄스 폭 변조 회로로부터 출력되는 상기 전원 신호를 가변하고,
    상기 컨트롤러는 상기 가변 저항부의 저항값을 외부로부터 제공되는 제어 신호에 응답하여 가변하는 테스트 장치.
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