KR101518871B1 - 염료감응 태양전지의 제조방법 - Google Patents

염료감응 태양전지의 제조방법 Download PDF

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본 발명은 염료감응 태양전지의 제조방법에 관한 것으로 특히 저융점 유리프릿 조성물과 광경화형 수지조성물을 적용하여 레이저의 저온 소성이 가능하여 열에 약한 소자에 데미지를 줄일 수 있으며, 광경화형 수지로 프리실링을 하여 유리 프릿 실링의 효율을 높이고 공정효율을 증대시킬 수 있으며, 이에 따라 가혹한 외부환경에 노출되어져 운용되는 태양전지의 전해질이 쉽게 기밀부위로부터 쉽게 휘발하는 것을 막아 내구수명을 연장할 수 있으며, 외부충격이나 손상에 대하여 저항성을 가지고, 높은 강도를 가지는 기밀을 제공하여 염료감응 태양전지의 수명을 연장하고 내구성을 높일 수 있는 효과를 얻을 수 있는 염료감응 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
Figure R1020080025962
유리 프릿, 광경화형 수지조성물, 기밀

Description

염료감응 태양전지의 제조방법 {Method of preparing the dye-sensitized solar cell}
본 발명은 염료감응 태양전지의 제조방법에 관한 것으로, 특히 저융점 유리프릿 조성물과 광경화형 수지조성물을 적용하여 레이저의 저온 소성이 가능하여 열에 약한 소자에 데미지를 줄일 수 있으며, 광경화형 수지로 프리실링을 하여 유리 프릿 실링의 효율을 높이고 공정효율을 증대시킬 수 있으며, 이에 따라 가혹한 외부환경에 노출되어져 운용되는 태양전지의 전해질이 쉽게 기밀부위로부터 쉽게 휘발하는 것을 막아 내구수명을 연장할 수 있으며, 외부충격이나 손상에 대하여 저항성을 가지고, 높은 강도를 가지는 기밀을 제공하여 염료감응 태양전지의 수명을 연장하고 내구성을 높일 수 있는 효과를 얻을 수 있는 염료감응 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
1991년도 스위스 국립 로잔 고등기술원(EPFL)의 마이클 그라첼(Michael Gratzel) 연구팀에 의해 염료감응 나노입자 산화티타늄 태양전지가 개발된 이후 이 분야에 관한 많은 연구가 진행되고 있다. 염료감응태양전지는 기존의 실리콘계 태양전지에 비해 제조단가가 현저기 낮기 때문에 기존의 비정질 실리콘 태양전지를 대체할 수 있는 가능성을 가지고 있으며, 실리콘 태양전지와 달리 염료감응태양전지는 가시광선을 흡수하여 전자-홀 쌍을 생성할 수 있는 염료분자와, 생성된 전자를 전달하는 전이금속 산화물을 주 구성 재료로 하는 광전기화학적 태양전지이다.
일반적인 염료감응 태양전지의 단위 셀 구조는 상, 하부 투명한 기판과 그 투명기판의 표면에 각각 형성되는 도전성 투명전극을 기본으로 하여, 제1전극에 해당하는 일 측의 도전성 투명전극위에는 그 표면에 염료가 흡착된 전이금속 산화물 다공질 층이 형성되어지고, 제2전극에 해당하는 타 측 도전성 투명전극 위에는 촉매박막전극이 형성되어지며, 상기 전이금속 산화물, 예를 들면 TiO2, 다공질 전극과 촉매박막전극 사이에는 전해질이 충진되어지는 구조를 가진다.
따라서 이러한 제1전극과 제2전극 사이에 충진되는 전해질을 안정적으로 유지하기 위하여 제1전극과 제2전극 사이에는 열가소성 고분자 필름을 두고 가열 압착 공정을 실시하여 이들을 접합시키고, 이를 통하여 상기 제1전극과 제2전극 사이에 전해질이 주입되어 보관될 수 있는 일정한 공간을 형성하여 유지하게 된다.
그러나 상기 열가소성 고분자 필름의 경우는 그 구조가 치밀하지 못하여 고온, 강열한 햇빛, 열싸이클링 등에 의하여 쉽게 열화되며, 전해질이 밤/낮 또는 겨울/여름 등의 열싸이클링을 통하여 미세하게 휘발하여 태양전지의 효율을 떨어뜨리고, 마침내는 수명을 다하게 만드는 요인이 되며, 고분자 필름의 가지는 기계적 강 도의 한계로 인하여 외부의 충격 등에 의하여 쉽게 손상이 되는 문제점이 있으며, 이와 같은 문제는 태양전지의 수명을 떨어뜨려 그 내구성에 치명적인 문제가 되고 있는 실정이다.
상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명은 저융점 유리프릿 조성물과 광경화형 수지조성물을 적용하여 레이저의 저온 소성이 가능하여 열에 약한 소자에 데미지를 줄일 수 있으며, 광경화형 수지로 프리실링을 하여 유리 프릿 실링의 효율을 높이고 공정효율을 증대시킬 수 있으며, 이에 따라 가혹한 외부환경에 노출되어져 운용되는 태양전지의 전해질이 쉽게 기밀부위로부터 쉽게 휘발하는 것을 막아 내구수명을 연장할 수 있으며, 외부충격이나 손상에 대하여 저항성을 가지고, 높은 강도를 가지는 기밀을 제공하여 염료감응 태양전지의 수명을 연장하고 내구성을 높일 수 있는 효과를 얻을 수 있는 염료감응 태양전지의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은
상판과 상기 상판과 결합하는 결합판의 합착을 포함하는 염료감응 태양전지의 제조방법에 있어서,
상기 상판 또는 상기 상판과 결합하는 결합판의 결합면에 상기 염료감응 태양전지의 기밀라인을 따라 유리 프릿을 도포하는 단계;
상기 상판 또는 상기 상판과 결합하는 결합판의 결합면에 상기 기밀라인과 이격하여 이의 외곽을 둘러싸는 위치에 광경화형 수지조성물을 도포하는 단계;
상기 상판 및 결합판을 합착하여 결합체를 만드는 단계;
상기 합착된 결합체에 상기 광경화형 수지조성물을 경화시키는 빛을 조사하여 경화하는 단계; 및,
상기 합착된 결합체의 상기 유리 프릿을 따라 레이저를 조사하여 소성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법을 제공한다.
또한 본 발명은 상기 제조방법에 의하여 제조된 염료감응 태양전지를 제공한다.
본 발명의 염료감응 태양전지의 제조방법에 의하면, 저융점 유리프릿 조성물과 광경화형 수지조성물을 적용하여 레이저의 저온 소성이 가능하여 열에 약한 소자에 데미지를 줄일 수 있으며, 광경화형 수지로 프리실링을 하여 유리 프릿 실링의 효율을 높이고 공정효율을 증대시킬 수 있으며, 이에 따라 가혹한 외부환경에 노출되어져 운용되는 태양전지의 전해질이 쉽게 기밀부위로부터 쉽게 휘발하는 것을 막아 내구수명을 연장할 수 있으며, 외부충격이나 손상에 대하여 저항성을 가지고, 높은 강도를 가지는 기밀을 제공하여 염료감응 태양전지의 수명을 연장하고 내구성을 높일 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
이하 본 발명에 대하여 도면을 참고하여 자세히 설명한다.
본 발명은 염료감응 태양전지의 제조방법은 상판과 상기 상판과 결합하는 결합판의 합착을 포함하는 염료감응 태양전지의 제조방법에 있어서, 상기 상판 또는 상기 상판과 결합하는 결합판(하판)의 결합면에 상기 염료감응 태양전지의 기밀라인을 따라 유리 프릿을 도포하는 단계; 상기 상판 또는 상기 상판과 결합하는 결합판의 결합면에 상기 기밀라인과 이격하여 이의 외곽을 둘러싸는 위치에 광경화형 수지조성물을 도포하는 단계; 상기 상판 및 결합판을 합착하여 결합체를 만드는 단계; 상기 합착된 결합체에 상기 광경화형 수지조성물을 경화시키는 빛을 조사하여 경화하는 단계; 및, 상기 합착된 결합체의 상기 유리 프릿을 따라 레이저를 조사하여 소성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
일반적인 염료감응 태양전지는 염료를 포함하는 다공질 막을 일 측에 가지는 기판으로 이루어진 제1전극(도 1의 하판-결합판에 해당)과 상기 제1전극(하판)에 대향하여 배치되는 제2전극(도 1의 상판)과, 이들 전극 사이에 충진되는 전해질을 포함하여 구성되어진다. 본 발명의 경우는 이와 같은 제1전극과 제2전극사이에 전해질을 장기간 안정적으로 보관하도록 하기 위하여 제1전극과 제2전극을 이격하여 배치하고 이들 사이의 공간을 유리 프릿 소성체에 의하여 기밀하고 이와 같이 형성되어진 기밀공간에 전해질이 채워지도록 하는 것으로, 상기 다공질 막은 염료가 결합(흡착)되는 공지의 다양한 다공질막이 이에 해당하고 이에 대한 구체적인 예로는 전이금속 산화물 다공질, 예를 들면 10 내지 15 nm크기의 TiO2를 도포하고 이를 소성하여 얻는 다공질 막을 들 수 있다. 상기 다공질막이 형성되는 투광판은 반드시 평판을 한정하는 것은 아니고 굴곡면을 가지는 판도 이에 포함될 수 있고, 가시광선 또는 이를 벗어나는 일정한 파장 대의 웨이브를 투과시키는 물질, 예를 들면 유리로 이루어진 판 등을 포함하여 태양전지에 적용되는 공지의 다양한 투광판이 이에 포함될 수 있고, 바람직하게는 전도성을 가지는 것이 전극으로서 역할을 수행하기 위하여 좋다. 이에 대한 구체적인 예로 상기 투광판은 공지의 투광유리, 투광수지, PET, ITO 또는 FTO 등이 이에 해당할 수 있고, 전도성을 띄게 하기 위하여 상기 재질에 추가하여 상기 다공질 막과 판 사이에 선택적으로 전도성 필름 또는 코팅층(ITO, FTO 또는 전도성 고분자)을 추가로 더 포함하도록 구성할 수 있다. 상기 제1전극의 반대편에 짝으로 이루어 대향하여 배치되는 제2전극(상판)으로는 공지의 태양전지 제2전극으로 적용되는 판이 이에 포함될 수 있으며, 반드시 평판을 한정하는 것은 아니고 굴곡면을 가지는 판도 이에 포함될 수 있고, 가시광선 또는 이를 벗어나는 일정한 파장 대의 웨이브를 투과시키는 물질로 이루어지는 것이 좋고, 이를 위하여 공지의 투광유리, PET유리, ITO유리 또는 FTO유리 등의 재질로 이를 구성할 수 있고, 바람직하게는 전도성을 띄게 하기 위하여 상기 재질에 선택적으로 전도성 필름 또는 코팅층(ITO, FTO 또는 전도성 고분자)을 추가로 더 포함하도록 구성할 수 있으며, 태양광의 흡수효율을 높이고, 반응의 활성화를 위하여 백금 등의 촉매금속층을 제1전극측 최외곽면에 더 포함하도록 할 수 있다.
상기 염료감응 태양전지는 상판이 유리기판으로 이루어지고, 하판 또는 결합판도 도 1에 도시한 바와 같이 필요에 따라서는 유리기판으로 이루어질 수도 있고, 기타의 다른 재질의 하판 또는 결합판(도 1에 도시한 바와 같이 상판 및 하판만의 구조인 경우에는 하판이 결합판이 되고, 이보다 더 많은 층을 가지는 다층구조인 경우에는 상판의 하면에 결합판이 결합하고 이의 하부에 추가적인 판(들)이 더 결합할 수 있다.)으로 이루어질 수 있다.
이러한 염료감응 태양전지는 도 1에 도시한 바와 같이 하나의 기판에 다수의 염료감응 태양전지 셀(도 1의 경우에는 2 × 2)을 제조할 수도 있고, 하나의 기판에 하나의 셀만을 제조할 수도 있다. 각각의 셀은 이의 결합면에서 기밀을 유지하는 것이 필요하므로 도 1에 도시한 바와 같이 셀의 외곽을 폐곡선으로 기밀하는 기밀라인을 따라 유리 프릿 조성물을 도포한다. 상기 기밀라인은 디바이스의 형상에 따라 다양한 형상으로 이를 구성할 수 있으며, 도 1에 도시한 바와 같이 결합면에 기밀라인을 따라 유리 프릿을 도포한다. 상기 결합면은 상판의 하면이 될 수도 있고 하판(또는 상기 상판과 결합하는 결합판)의 상면이 될 수도 있다. 이는 최종적으로 결합부위의 기밀을 유지하는 역할을 하게 된다. 상기 유리 프릿의 도포는 공지의 다양한 방법을 통하여 이를 수행할 수 있고, 그 예로는 상기 유리 프릿을 유리 페이스트로 제조하여 스크린 프린팅 기법으로 인쇄 및 건조할 수 있다.
상기 유리 프릿으로는 공지의 유리 프릿이 사용될 수 있으며, 바람직하게는 P2O5 0 ~ 30 몰%; V2O5 0 ~ 50 몰%; ZnO 0 ~ 20 몰%; BaO 0 ~ 15 몰%; As2O3 0 ~ 20 몰%; Sb2O3 0 ~ 20 몰%; In2O3 0 ~ 5 몰%; Fe2O3 0 ~ 10 몰%; Al2O3 0 ~ 5 몰%; B2O3 0 ~ 20 몰%; Bi2O3 0 ~ 10 몰%; 및 TiO2 0 ~ 10 몰%를 함유하는 유리 프릿을 사용하는 것이 좋다.
바람직하기로는 상기 유리 프릿을 함유하는 유리 프릿 페이스트를 가장자리를 따라 도포하며, 상기 유리 프릿 페이스트 조성물은 a) 상기 유리 프릿, b) 유기 바인더, 및 c) 유기용매를 포함할 수 있다. 바람직하기로는 a) 상기 유리 프릿 60 내지 90 중량부, b) 유기 바인더 0.1 내지 5 중량부, c) 유기용매 5 내지 35 중량부를 포함하는 것이 좋다.
바람직하기로는 상기 유리 프릿은 P2O5 10 ~ 25 몰%; V2O5 40 ~ 50 몰%; ZnO 10 ~ 20 몰%; BaO 1 ~ 15 몰%; Sb2O3 1 ~ 10 몰%; Fe2O3 1 ~ 10 몰%; Al2O3 0.1 ~ 5 몰%; B2O3 0.1 ~ 5 몰%; Bi2O3 1 ~ 10 몰%; 및 TiO2 0.1 ~ 5 몰%를 함유하는 것이 좋으며, 더욱 바람직하기로는 P2O5 15 ~ 20 몰%; V2O5 40 ~ 50 몰%; ZnO 10 ~ 20 몰%; BaO 5 ~ 10 몰%; Sb2O3 3 ~ 7 몰%; Fe2O3 5 ~ 10 몰%; Al2O3 0.1 ~ 5 몰%; B2O3 0.1 ~ 5 몰%; Bi2O3 1 ~ 5 몰%; 및 TiO2 0.1 ~ 5 몰%를 포함하는 것이 좋다.
본 발명을 구성하는 유리 프릿 성분의 함량은 상기 범위를 벗어날 경우 유리화가 되지 않거나, 내수성이 현저히 떨어지거나, 레이저 소성이 이루어지지 않을 수 있다.
바람직하기로는 상기 유리 프릿은 유리전이온도(Tg)가 300 내지 400 ℃이며, 연화온도(Tdsp)가 300 내지 400 ℃인 것이 좋다. 상기 범위 내인 경우 저온에서 소성안정성이 우수함을 나타낸다.
또한 상기 유리 프릿은 입자크기가 0.1 내지 20 ㎛의 크기를 가지는 것이 좋다. 상기 범위 내인 경우 저온 가공이 가능하여 열에 약한 소자의 기밀 밀봉에 적합하며, 레이저로 가공이 가능하여 전기소자의 밀봉효율을 높일 수 있다.
또한 상기 유리 프릿 페이스트 조성물에서 상기 a) 유리 프릿은 상술한 바와 같으며, 상기 b) 유기 바인더는 통상적으로 시판되는 유기 바인더를 사용할 수 있다. 유기 바인더의 구체적인 일로는 에틸 셀룰로오스 계열 또는 아크릴계 공중합체를 사용할 수 있다. 또한 상기 c) 유기용매는 본 발명의 유리 프릿 페이스트 조성물에 사용되는 유기 바인더와 상용 가능한 유기용매가 사용될 수 있음은 물론이며, 구체적인 일예로 유기 바인더가 에틸 셀룰로오스 계열인 경우 부틸카비톨아세테이트(BCA), 터피네올(TPN), 디부틸프탈레이트(DBP)를 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 바람직하기로는 상기 사용되는 유기용매 100 중량부 중 30 내지 70 중량부의 유기용매에 유기바인더를 먼저 혼합하여 비히클을 제조한 후, 제조된 비히클에 잔량의 유기용매와 유리 프릿을 혼합하여 유리 프릿 페이스트 조성물을 제조하는 것이 좋다. 이 경우 유리 프릿 페이스트 조성물의 분산성을 더욱 향상시킬 수 있다. 더욱 바람직하기로는 상기 비히클의 제조시 30 내지 70 중량부의 유기용매는 BCA 20 내지 55 중량부, TPN 3 내지 10 중량부, DBP 1 내지 5 중량부를 함유하는 것이 좋으며, 유리 프릿과 혼합시 사용하는 용매는 BCA를 사용하는 것이 좋다.
상기 유리 프릿 페이스트 조성물은 열팽창계수의 조절을 위해 필러를 더욱 포함할 수 있다. 상기 필러의 구체적인 예로는 0.1 내지 20 ㎛의 코디어라이트(cordierite)를 사용할 수 있으며, 함량은 0.1 내지 30 중량부인 것이 좋다.
또한 상기 유리 프릿 페이스트 조성물은 점도가 500 내지 50000 cps인 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 2000 내지 35000 cps인 것이다. 상기 범위 내의 점도를 가질 경우 스크린 프린팅 기법에 의한 도포를 가능하게 하여 작업성을 더욱 향상시킬 수 있다.
본 발명의 염료감응 태양전지의 제조방법은 다음으로 상기 상판 또는 상기 상판과 결합하는 결합판의 결합면에 상기 기밀라인과 이격하여 이의 외곽을 둘러싸는 위치에 광경화형 수지조성물을 도포한다. 이를 통하여 유리 프릿의 실링 효율을 더욱 높일 수 있다. 상기 광경화형 수지조성물은 도 1에 도시한 바와 같이 상판에 유리 프릿과 함께 같은 곳에 도포할 수도 있고, 하판의 상면에 도포할 수도 있으며, 바람직하게는 정렬측면에서 유리하도록 한쪽 면에 함께 도포하는 것이 바람직하다. 즉, 상기 제1전극인 하판(또는 결합판)은 도 1에 도시한 바와 같이 전극 및 염료를 포함하는 다공질 막을 구비하고 (필요에 따라서는 단위셀 사이를 연결하는 연결선도 추가적으로 더 구비할 수도 있다.), 제2전극인 상판은 상기 유리 프릿 및 광경화형 수지조성물이 도시한 바와 같이 한쪽 면에 함께 도포된다. 여기서 상기 도포 중에 유리 프릿 및 수지조성물 기밀을 기밀라인 전체에 대하여 수행하지 않고, 나중에 결합체의 결합면 사이의 공간에 전해질을 채울 수 있도록 일부분을 개방하여 전해질 주입구로서 준비하여 두는 것이 바람직하다.
상기 광경화형 수지조성물의 도포도 공지의 다양한 방법을 통하여 이를 수행할 수 있고, 그 예로는 스크린 프린팅 기법이나 그라비아 인쇄 등을 적용할 수 있다.
이와 같은 광경화형 수지조성물로는 통상의 광경화형 수지 조성물이 사용될 수 있으며, 바람직하기로는 본 발명에 사용되는 광경화성 수지 조성물은 (a) 에폭시 수지 100 중량부, (b) 광중합개시제 0.01~20 중량부, (c) 커플링제 0.01~10 중량부, (d) 무기충진제 0.01~100 중량부, 및 (e) 광산발생제를 0.05~10 중량부를 함유할 수 있다.
본 발명의 광경화성 수지 조성물은 5,000~150,000cps, 바람직하게는 10,000~100,000cps의 점도(25 ℃에서)를 가짐으로써 스크린 프린팅 공정이 가능하여 공정시간을 단축시킬 수 있고, 공정에 들어가는 비용을 절감할 수 있다는 장점을 갖는다.
상기 광경화성 수지 조성물의 바람직한 구체적인 성분을 설명하면 다음과 같다.
상기 a)의 에폭시 수지는 비스페놀(bisphenol) A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AD형 에폭시 수지, 나프탈렌(naphthalene)형 에폭시 수 지, 비페닐(biphenyl)형 에폭시 수지, 글리시딜 아민(glycidyl amine)형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔(dicyclo pentadiene)형 에폭시 수지, 페놀 노블락(phenol novolac)형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 상기 에폭시 수지의 프리폴리머(prepolymer), 폴리 에테르(poly ether) 변성 에폭시 수지, 실리콘(silicone) 변성 에폭시 수지, 상기 에폭시 수지와 다른 폴리머(polymer)와의 공중합체 등을 단독 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 b)의 광중합 개시제는 방향족 디아조늄염, 방향족 설포늄염, 방향족 요오드 알루미늄염, 방향족 설포늄 알루미늄염, 메탈로센(metallocene)화합물, 철어레인(arene)계 화합물 등을 사용할 수 있다.
특히, 광경화성의 측면에서는 방향족 설포늄염이 바람직하고, 경화성, 접착성 등의 측면에서는 방향족 설포늄(sulfonium) 헥사플루오르 포스페이트(hexa fluoro phosphate) 화합물, 방향족 설포늄(sulfonium) 헥사플루오르 안티모네이트(hexa fluoro antimonate) 또는 이들을 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다.
상기 광중합 개시제는 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 0.01 내지 20 중량부로 사용되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 10 중량부로 사용되는 것이며, 가장 바람직하게는 1 내지 6 중량부로 사용하는 것이다. 그 함량이 20 중량부를 초과할 경우에는 조성물의 반응에 참여하지 않고, 남는 성분들이 광경화형 수지 조성물의 물성을 저하시키는 요인으로 작용할 수 있다.
상기 c)의 커플링제는 접착력(밀착특성)을 높이기 위한 첨가제로서, 트리 메톡시 실릴 안식향산, γ-글리시독시 프로필 트리 메톡시 실란(methoxy silane) 등 의 실란(silane)계 커플링제, 티탄(Titan)계의 커플링제, 실리콘(silicone)화합물 등을 단독 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 커플링제는 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 0.01 내지 10 중량부로 사용되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 5 중량부로 사용되는 것이며, 가장 바람직하게는 0.1 내지 2 중량부로 사용되는 것이다. 그 함량이 10 중량부를 초과할 경우에는 조성물의 반응에 참여하지 않고, 남는 성분들이 광경화형 수지 조성물의 물성을 저하시키는 요인으로 작용할 수 있다.
상기 d)의 무기필러는-실리카(silica), 활석(talc), 산화마그네슘(MgO), 마이카(mica), 몬모릴노나이트(montmorillonite), 알루미나(alumina), 그라파이트(graphite), 베릴리아(beryllium oxide), 질화알루미늄(aluminium nitride), 탄화규소(silicon carbide), 멀라이트(mullite), 실리콘(silicon) 등의 판상형 또는 구형의 무기필러를 사용할 수 있다.
특히, 상기 무기필러는 수분에 대한 배리어 특성 및 광 투과성이 우수하고, 광경화 후 수축을 막아주는 활석(talc)을 사용하는 것이 좋다.
또한 상기 무기필러는 광경화형 수지 조성물에서 에폭시 수지와의 분산특성과 접착력증대를 위해 무기필러에 치환기를 도입하여 사용할 수도 있다.
상기 무기필러는 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 0.01 내지 100 중량부로 사용되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 80 중량부를 사용하는 것이다. 그 함량이 100 중량부를 초과할 경우에는 광경화형 수지 조성물의 반응을 방해하여 물성을 저하시키는 요인으로 작용할 수 있다. 상기 무기필러는 평균입경 이 0.1 내지 50 um의 입자를 사용하면 더욱 좋다.
상기 e)의 광산발생제는 노광에 의해 루이스산, 브론스테드산 성분을 생성하여, 빛에 의해 산을 발생할 수 있는 화합물이면 제한되지 않는다. 예를 들어, 상기 광산발생제로는 유기술폰산 등의 황화염계 화합물, 오니움염 등의 오니움염계 화합물 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 광산발생제의 비한정적인 예로는, 프탈이미도트리플루오로메탄술포네이트(phthalimidotrifluoromethane sulfonate), 디니트로벤질토실레이트(dinitrobenzyltosylate), n-데실디술폰(n-decyl disulfone), 나프틸이미도트리플루오로메탄술포네이트(naphthylimido trifluoromethane sulfonate), 디페닐요도염 헥사플루오로포스페이트, 디페닐요도염 헥사플루오로 아르세네이트, 디페닐요도염 헥사플루오로 안티모네이트, 디페닐파라메톡시페닐설포늄 트리플레이트, 디페닐파라톨루에닐설포늄 트리플레이트, 디페닐파라이소부틸페닐설포늄 트리플레이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로 아르세네이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로 안티모네이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트, 디부틸나프틸설포늄 트리플레이트 등이 있다.
상기 광산발생제는 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 0.05 내지 10 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 그 함량이 10 중량부를 초과할 경우에는 광산발생제가 원자외선을 많이 흡수하고, 산이 다량 발생되어 광경화형 수지 조성물의 물성을 저하시킬 수 있다.
또한 상기 광경화성 수지 조성물은 선택적으로 스페이서를 더욱 포함할 수 있다. 상기 광경화성 수지 조성물에 적용 가능한 스페이서로는 경화 후 패널의 두 께를 일정하게 유지시켜줄 수 있는 것이라면 특별히 한정되지 않으며, 패널의 두께를 5~50 um, 바람직하게는 5~25 um로 유지할 수 있는 것이 좋다. 스페이서의 모양은 구형, 통나무형 등이 있으며, 스페이서의 모양 역시 패널의 두께를 일정하게 유지시킬 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 상기 스페이서의 함량은 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 0.01 내지 10 중량부로 포함되는 것이 바람직하다.
이러한 성분으로 이루어지는 본 발명의 광경화성 수지 조성물은 그 경화물의 에폭시(epoxy) 변화율이 85 % 이상인 것이 바람직하다.
다음으로 이와 같이 준비된 상판 및 상기 상판에 결합하는 결합판을 합착하여 결합체를 준비하는데, 상기 결합판은 도1의 경우 하판이 이에 해당하고, 상기 결합체로 합착이 이루어진 후에는 더 이상의 내부접근이 제한되므로 상기 유리 프릿 또는 수지 조성물의 도포 단계를 전후하여 셀의 구성에 있어서 필요한 가공공정을 모두 마친 후에 상판 및 결합판의 합착을 수행하여야 한다. 이에는 도 1에 도시한 바와 같은 전극형성, 염료흡착 공정들이 적용될 수 있다.
또한 상기 유리 프릿 및 광경화형 수지 조성물의 도포에서 상기 기밀라인을 따라 도포하는 경우에 이를 모두 도포하여 완전히 기밀이 유지되도록 할 수 있으며, 필요에 따라서 내부공간과 연결되는 연결구를 남기고 이를 도포할 수도 있으며, 본 발명의 염료감응 태양전지의 경우, 전해질을 충진하는 것이 필요하므로 이를 위하여 전해질 주입구는 남기고 이를 도포할 수 있다.
이와 같이 합착된 결합체의 유리 프릿 및 광경화형 수지조성물은 아직 경화 되지 않은 상태이므로 다음으로 상기 합착된 결합체에 상기 광경화형 수지조성물을 경화시키는 빛을 조사하여 경화하는 단계를 수행한다. 도 1에 이에 대한 구체적인 예를 도시한 바와 같이 도포한 광경화형 수지조성물이 UV에 경화되는 경우에는 도시한 바와 같이 자외선을 조사하여 이를 경화시킨다. 다음으로 상기 합착된 결합체의 상기 유리 프릿을 경화시키는 것이 필요하므로 이를 위하여 상기 도포되어진 유리프릿을 따라 레이저를 조사하여 소성하는 단계를 수행한다. 상기 유리 프릿은 상기 기술한 바와 같이 바람직하게는 저융점 유리 프릿을 사용할 수 있고, 이에 따라 상기 조사되는 레이저는 그 출력이 낮은 레이저를 사용할 수 있으며, 이에 따라 디바이스에 미치는 열적 손상을 최소화할 수 있다. 이 경우에 이미 경화되어 유리 프릿을 감싸고 있는 수지 조성물 층은 유리 프릿의 소성시 가스발생 및 산소와의 접촉을 차단하는 역할을 수행하고, 유리 프릿 소성시 결합체를 지지하는 역할을 수행하므로 프리실링(pre-sealing)을 통하여 유리 프릿 실링의 효율을 높이고 공정 효율을 증대시키는 효과를 얻을 수 있다.
이를 통하여 염료감응 태양전지 셀의 기밀은 유리 프릿 및 수지조성물에 의하여 이중 기밀이 유지되고, 이후에 도 1에 그 구체적인 예를 도시한 바와 같이 상기 기밀라인과 광경화형 수지조성물 도포부분 사이를 절단하여 광경화형 수지조성물이 경화된 부분을 분리할 수 있다. 특히 도 1의 경우에는 다수의 셀을 하나의 기판에 제작한 경우이므로 이를 각각 절단하여 다수의 셀로 만드는 dicing 작업을 수행하게 된다. 또한 상기 유리 프릿 소성공정 이후 또는 dicing작업 이후에 상기 기술한 전해질 주입구에 상기 전해질을 주입한 후에 유리 프릿 등을 이용하여 최종 적으로 기밀작업을 수행하도록 하여 기밀을 완료하도록 할 수도 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 한정되는 것은 아니고, 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 해당 기술분야의 당업자가 다양하게 수정 및 변경시킨 것 또한 본 발명의 범위 내에 포함됨은 물론이다.
도 1은 본 발명의 염료감응 태양전지의 제조방법의 일실시예로 염료감응 태양전지의 제조방법을 개략적으로 도시한 도면이다.

Claims (12)

  1. 상판과 상기 상판과 결합하는 결합판의 합착을 포함하는 염료감응 태양전지의 제조방법에 있어서,
    상기 상판 또는 상기 상판과 결합하는 결합판의 결합면에 상기 염료감응 태양전지의 기밀라인을 따라 a) 유리 프릿 60 내지 90 중량부; b) 유기 바인더 0.1 내지 5 중량부; 및 c) 유기용매 5 내지 35 중량부를 포함하는 유리 프릿 페이스트를 도포하는 단계;
    상기 상판 또는 상기 상판과 결합하는 결합판의 결합면에 상기 기밀라인과 이격하여 이의 외곽을 둘러싸는 위치에 a) 에폭시 수지 100 중량부; b) 광중합 개시제 0.01 내지 20 중량부; c) 커플링제 0.01 내지 10 중량부; d) 무기필러 0.01 내지 100 중량부; 및 e) 광산발생제 0.05 내지 10 중량부를 포함하는 광경화형 수지조성물을 도포하는 단계;
    상기 상판 및 결합판을 합착하여 결합체를 만드는 단계;
    상기 합착된 결합체에 상기 광경화형 수지조성물을 경화시키는 빛을 조사하여 경화하는 단계; 및
    상기 합착된 결합체의 유리 프릿을 따라 레이저를 조사하여 소성하는 단계를 포함하고, 상기 d)의 무기필러는 실리카(silica), 활석(talc), 산화마그네슘(MgO), 마이카(mica), 몬모릴노나이트(montmorillonite), 알루미나(alumina), 그라파이트(graphite), 베릴리아(beryllium oxide), 질화알루미늄(aluminium nitride), 탄화규소(silicon carbide), 멀라이트(mullite) 및 실리콘(silicon)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상이며,
    상기 기밀라인과 광경화형 수지조성물 도포부분 사이를 절단하여 광경화형 수지조성물이 경화된 부분을 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 유리 프릿은 P2O5 10 ~ 25 몰%; V2O5 40 ~ 50 몰%; ZnO 10 ~ 20 몰%; BaO 1 ~ 15 몰%; Sb2O3 1 ~ 10 몰%; Fe2O3 1 ~ 10 몰%; Al2O3 0.1 ~ 5 몰%; B2O3 0.1 ~ 5 몰%; Bi2O3 1 ~ 10 몰%; 및 TiO2 0.1 ~ 5 몰%를 함유하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서,
    상기 a)의 에폭시 수지는 비스페놀(bisphenol) A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AD형 에폭시 수지, 나프탈렌(naphthalene)형 에폭시 수지, 비페닐(biphenyl)형 에폭시 수지, 글리시딜 아민(glycidyl amine)형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔(dicyclo pentadiene)형 에폭시 수지, 페놀 노블락(phenol novolac)형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 상기 에폭시 수지의 프리폴리머(prepolymer), 폴리 에테르(poly ether) 변성 에폭시 수지, 실리콘(silicone) 변성 에폭시 수지 및 상기 에폭시 수지와 다른 폴리머(polymer)와의 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 b)의 광중합 개시제는 방향족 디아조늄염, 방향족 설포늄염, 방향족 요오드 알루미늄염, 방향족 설포늄 알루미늄염, 메탈로센(metallocene) 화합물 및 철어레인(arene)계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 c)의 커플링제는 실란(silane)계 커플링제, 티탄(Titan)계의 커플링제 및 실리콘(silicone) 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법.
  10. 삭제
  11. 제1항에 있어서,
    상기 e)의 광산발생제는 황화염계 화합물, 오니움염계 화합물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법.
  12. 제1항, 제3항, 제7항, 제8항, 제9항, 제11항 중 어느 한 항 기재의 염료감응 태양전지의 제조방법에 의하여 제조된 염료감응 태양전지.
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5507954B2 (ja) * 2009-10-19 2014-05-28 三星エスディアイ株式会社 ガラスペースト組成物、電極基板とその製造方法、及び色素増感型太陽電池
KR101097270B1 (ko) * 2010-03-25 2011-12-21 삼성에스디아이 주식회사 광전변환소자
KR20120028494A (ko) * 2010-09-15 2012-03-23 주식회사 동진쎄미켐 효율이 개선된 염료감응 태양전지
CN101950690A (zh) * 2010-09-27 2011-01-19 彩虹集团公司 一种染料敏化太阳能电池及其密封方法
KR101144038B1 (ko) 2010-11-11 2012-05-24 현대자동차주식회사 곡면형 염료감응 태양전지 및 그 제조방법
KR20120087657A (ko) * 2011-01-28 2012-08-07 엘지이노텍 주식회사 태양 전지
CN102324308B (zh) * 2011-06-29 2012-10-17 西安建筑科技大学 一种改善染料敏化太阳能电池基板界面粘结性的方法
KR101349344B1 (ko) * 2011-12-06 2014-01-17 한국전기연구원 염료감응형 태양전지 내외부 보호용 유무기 실링재
CN102709062B (zh) * 2012-06-05 2016-07-13 南昌航空大学 一种染料敏化太阳电池的密封方法
KR101674449B1 (ko) * 2012-11-28 2016-11-09 주식회사 오리온 염료감응형 태양전지의 제조 방법
JP5960921B2 (ja) * 2013-08-30 2016-08-02 積水化学工業株式会社 色素増感太陽電池の対極活物質の再活性化方法、色素増感太陽電池の再生方法、触媒層、対極及び色素増感太陽電池
KR101570740B1 (ko) * 2014-05-21 2015-11-23 주식회사 오리온 대면적 염료감응형 태양전지 봉지용 유리 소재
CN105693097B (zh) * 2015-03-26 2018-12-18 王双喜 一种高导热低温封接玻璃粉
ES2803026T3 (es) * 2015-12-14 2021-01-22 Oxford Photovoltaics Ltd Encapsulación de módulo fotovoltaico
WO2017169985A1 (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 日本ゼオン株式会社 有機系太陽電池用シール剤組成物、有機系太陽電池用シール剤、有機系太陽電池用電極および有機系太陽電池

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002256058A (ja) * 2001-03-01 2002-09-11 Ricoh Co Ltd 光硬化型エポキシ樹脂組成物および光硬化型表示素子用シール剤
JP2004172048A (ja) * 2002-11-22 2004-06-17 Fujikura Ltd 光電変換素子の製法
JP2007220606A (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 Dainippon Printing Co Ltd 色素増感型太陽電池モジュール

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3885975A (en) * 1972-04-24 1975-05-27 Corning Glass Works Low melting vanadate glasses
CN1181565C (zh) * 2002-12-25 2004-12-22 中国科学院等离子体物理研究所 染料敏化纳米薄膜太阳电池的密封方法
JP2004319197A (ja) * 2003-04-15 2004-11-11 Fujikura Ltd 光電変換素子およびその製造方法
US8076570B2 (en) * 2006-03-20 2011-12-13 Ferro Corporation Aluminum-boron solar cell contacts
KR20070103204A (ko) * 2006-04-18 2007-10-23 주식회사 동진쎄미켐 우수한 열전도도를 갖는 광경화성 수지 조성물
US20080057390A1 (en) * 2006-08-31 2008-03-06 Seiko Epson Corporation Secondary battery
CN100495759C (zh) * 2007-04-26 2009-06-03 南京大学 染料敏化太阳电池的抗衰老封装方法
CN100511723C (zh) * 2007-05-29 2009-07-08 中国科学院等离子体物理研究所 染料敏化太阳电池板的封装结构

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002256058A (ja) * 2001-03-01 2002-09-11 Ricoh Co Ltd 光硬化型エポキシ樹脂組成物および光硬化型表示素子用シール剤
JP2004172048A (ja) * 2002-11-22 2004-06-17 Fujikura Ltd 光電変換素子の製法
JP2007220606A (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 Dainippon Printing Co Ltd 色素増感型太陽電池モジュール

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