KR101517352B1 - 낮은 프로파일의 측면 방출 ｌｅｄ를 사용하는 박형의 플래시 또는 비디오 기록 광 - Google Patents

낮은 프로파일의 측면 방출 ｌｅｄ를 사용하는 박형의 플래시 또는 비디오 기록 광 Download PDF

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그레고리 잉
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코닌클리케 필립스 엔.브이.
필립스 루미리즈 라이팅 캄파니 엘엘씨
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Abstract

조명된 피사체에게 광의 점원으로서 보이지 않는, 카메라들을 위한 매우 박형의 플래시 모듈들이 개시되어 있다. 따라서, 플래시가 피사체에게 덜 거슬릴 수 있다. 일 실시예에서, 발광면 면적은 약 5㎜x10㎜이다. 고체 광가이드들에 광학적으로 커플링되는 낮은 프로파일의 측면 방출 LED들은 플래시 모듈이 2㎜보다 박형으로 되게 할 수 있다. 또한, 플래시 모듈은 비디오 기록을 위하여 연속적으로 전력이 공급될 수 있다(energized). 모듈은 휴대전화 카메라들 및 다른 박형의 카메라들에 특히 유용하다.

Description

낮은 프로파일의 측면 방출 ＬＥＤ를 사용하는 박형의 플래시 또는 비디오 기록 광{THIN FLASH OR VIDEO RECORDING LIGHT USING LOW PROFILE SIDE EMITTING LED}
본 발명은 카메라들을 위한 고상(solid state) 플래시들 또는 비디오 카메라들을 위한 조명 광들(illumination lights)에 관한 것으로서, 특히, 소형 카메라들을 위한 매우 박형(thin)의 플래시들 및 조명 광들에 관한 것이다.
카메라를 포함하는 휴대전화들에 플래시 모듈들이 있는 것은 이제 매우 흔한 일이다. 이러한 플래시 모듈들은 박형이어야 하는데, 왜냐하면 휴대전화들의 원하는 특징(feature)이 그들의 사이즈가 작은 것이기 때문이다. 또한, 많은 유형들의 휴대전화 카메라들은 디지털 영화들을 찍는데, 이는 비디오가 기록되고 있는 동안 조명기가 일정하게 ON 상태에 있을 것을 요구한다. 플래시들 및 비디오 조명을 위한 조명기를 편의상 플래시라고 부르도록 한다. 여기서 사용됨에 있어서, 카메라라는 용어는 정사진(still picture) 카메라 및/또는 비디오 레코더를 말한다.
신뢰성을 향상시키고, 비용을 절감시키고, 사이즈를 감소시키기 위하여, 통상적인 비 고상의(non-solid state) 플래시 벌브들을 백색광을 방출하는 고전력 발광 다이오드(LED)로 대체하는 것이 알려져 있다.
벌브들(예를 들어, 크세논)은 비교적 크고, 피사체(subject)를 향해 광을 지향시키기 위하여 커브형 미러를 사용한다. 이에 의해, 매우 박형인 것을 원하는 경우에는 거슬릴 수 있는(objectionable) 비교적 깊은 벌브 모듈로 된다. 또한, 이러한 모듈은 비교적 고가이고, 특정한 고전압 발생기를 필요로 하는데, 이는 크기가 크다. 벌브에 생성되는 아크(arc)는 실질적으로 점원(point source)에 모든 광출력 전력을 집중시키는 광의 강렬한 점(intense point)이다.
또한, 플래시들로서 사용되는 LED들은 통상적으로 미러형 용기(mirrored bowl)에 실장된다. LED들은 광을 램버시안(Lambertian) 패턴으로 출력하고, 커브형 미러는 광을 피사체를 향해 재지향시킨다. LED 다이들(dice)이 매우 박형이더라도, 다이들은 통상적으로 서브마운트 상에 실장되고 패키지된다. 패키지는 반사기 및 렌즈를 포함하고, 전반적인 패키지는 통상적으로 대략 5㎜의 두께를 갖는다. 패키지는 인쇄 회로 보드 상에 실장되고, 이는 모듈의 두께를 좀더 추가시킨다. LED 다이는 약 1x1㎜이기 때문에, LED 플래시는 실질적으로 점원이다.
벌브 또는 LED에 의해 방출되는 광의 강렬한 점(intense point)은 사진찍히는 피사체에게는 거슬릴 수 있다. 광이 점 광원과 분리된 확산 렌즈에 의해 확산되면, 전반적인 광 모듈의 두께는 크게 증가될 것이고, 점원에 필요한 과다한 확산으로 인해 본질적으로 점원 광 출력의 대부분이 산광기(diffuser)에 의해 흡수되거나 광원을 향해 다시 반사되게 될 것이다.
필요한 것은 카메라들, 특히 휴대전화 카메라들을 위한 매우 박형의 조명기로서, 조명기의 광 출력은 비교적 큰 면적 상에 퍼진다.
카메라를 위한 매우 박형의 플래시를 생성하기 위하여 다양한 측면 방출 LED 설계들이 여기에 개시되어 있다. LED 다이 위의 작은 반사기는 플래시 모듈의 광 출력 표면에 일반적으로 평행한 비교적 협소한 각도 내에서 광이 효율적으로 방출되게 한다. 측면 방출을 생성하는 데에 렌즈는 전혀 사용되지 않는다. LED들은 낮은 프로파일을 가져서, 전체 플래시 모듈을 1㎜보다 작게 할 수 있다.
하나 이상의 측면 방출 LED들은 상부 개구를 제외하고는, 반사벽들과 함께 박형의 광가이드 내에 배치된다. 광가이드의 바닥은 광을 상방으로 반사시키는 피쳐들을 갖는다. 광가이드의 상부 개구를 통해 방출되는 광은 광원이 피사체에게 비교적 큰 표면 면적, 이를 테면 0.5-2㎠ 이상의 표면 면적 위에서 퍼지는 것처럼 보이도록 충분히 확산된다. 다이로부터 방출되는 LED 광이 피사체에 의해 직접 보이지 않기 때문에, 피사체에 의해 보이는 광의 강렬한 점원은 없어지게 된다.
추가(further) 확산을 위하여, 박형의 산광기 층이 광가이드 위에 배치될 수 있다. 피사체의 방향의 휘도를 증가시키기 위하여, 휘도 강화층(brightness enhancement layer)이 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 플래시 모듈에서 사용되는 LED 다이(들)는 청색광을 방출하고, 하나 이상의 유형의 형광체가 적색, 녹색 및/또는 황색 구성성분들을 갖는 광을 방출하기 위하여 LED 위에 배치되어, 결과적인 방출들의 조합이 임의의 원하는 색온도의 백색광으로 되게 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플래시 모듈에서 사용되는 낮은 프로파일의 측면 방출 LED의 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED들을 통해 절단된 플래시 모듈의 단면도.
도 3은 도 2의 모듈의 조감도.
도 4는 여기서 개시되는 플래시 모듈들 중 임의의 것을 포함하는 휴대전화 카메라를 도시하는 도면.
도 5는 모듈의 두께를 감소시키기 위하여 LED가 광가이드의 공동(cavity)에 거꾸로 실장되는 플래시 모듈의 단면도.
도 6은 도 5의 모듈의 부분적으로 투명한 조감도.
도 7, 8 및 9는 플래시 모듈들의 추가적인 실시예들의 관련된 부분적인 단면도들.
여러 도면들에서 유사하거나 동일한 구성요소들에는 동일한 참조부호가 매겨져 있다.
본 발명의 실시예들은 비교적 큰 발광면을 제공하기 위하여 박형의 광가이드 설계들과 함께 낮은 프로파일(low profile)의 측면 방출(side-emitting) LED들을 포함하는 플래시 모듈들을 포함한다. 플래시는 등가의 광 출력 전력을 제공하는 점원 플래시보다 덜 거슬릴 수 있고, 플래시 모듈은 종래 기술의 플래시 모듈들보다 훨씬 박형이다.
도 1은 박형의 측면 방출 LED(10)의 일 실시예의 단면도이다. 플래시 모듈 실시예들에서 사용될 수 있는 박형의 측면 방출 LED들의 다른 실시예들은 본 양수인에게 양도된 US 출원 제11/423,419호(Oleg Shchekin 등에 의해 2006년 6월 9일에 출원되고, 발명의 명칭이 Low Profile Side Emitting LED임)에서 찾을 수 있으며, 이는 본원에 인용에 의해 포함된다.
일례에서, LED(10)의 활성층은 청색광을 발생시킨다. LED(10)는 사파이어, SiC 또는 GaN과 같은 성장 개시 기판 상에서 형성된다. 일반적으로, p-층(16)에 이어서 활성층(14)이, 그에 이어서 n-층(12)이 성장된다. p-층(16)은 n-층(12)의 밑에 있는 일부를 노출시키도록 에칭된다. 그 후, 반사형 금속 전극들(18)(예를 들어, 은, 알루미늄 또는 합금)이 n-층과 p-층들을 접촉시키기 위하여 LED의 표면 위에 형성된다. 다이오드가 순방향 바이어스되면, 활성층(14)은 활성층(예를 들어, AlInGaN)의 조성에 의해 파장이 결정되는 광을 방출한다. 이러한 LED들을 형성하는 것은 잘 알려져 있으므로, 여기서는 더욱 상세히 기재하지는 않도록 한다. LED들을 형성하는 것에 대한 추가적인 상세는 모두 본 양수인에게 양도된 U.S. 특허 No. 6,828,596(Steigerwald 등에 의함) 및 U.S. 특허 No. 6,876,008(Bhat 등에 의함)에 개시되어 있으며, 이는 본원에 인용에 의해 포함된다.
그 후, 반도체 LED는 플립 칩으로서 서브마운트(22) 상에 실장된다. 플립 칩은 서브마운트 또는 다른 실장 구조에 직접 본딩하기 위하여 칩의 "바닥" 면 상에 모든 전기 단자들을 갖는 칩이다. 서브마운트(22)는 솔더 볼들(solder balls)(26)을 통해 LED 상의 금속(18)에 솔더링(soldering)되거나 초음파적으로 용접(welding)되는 금속 전극들(24)을 포함한다. 또한, 다른 유형들의 본딩이 사용될 수 있다. 전극들 자체가 초음파적으로 함께 용접될 수 있는 경우에는, 솔더 볼들(26)이 제거될 수 있다.
서브마운트 전극들(24)은 서브마운트의 바닥 상의 패드들에 대해 비아들(vias)에 의해 전기적으로 접속되어, 서브마운트가 PCB(printed circuit board)(28) 상의 금속 패드들에 실장되는 표면이 되도록 할 수 있다. 회로 보드(28) 상의 금속 트레이스들(traces)은 패드들을 전원에 전기적으로 커플링한다. 서브마운트(22)는 세라믹, 실리콘, 알루미늄 등과 같은 임의의 적절한 재료로 형성될 수 있다. 서브마운트 재료가 도전성이면, 기판 재료 위에 절연층이 형성되고, 절연층 위에 금속 전극 패턴이 형성된다. 서브마운트(22)는 기계적 지지부(mechanical support)로서 동작하고, LED 칩 상의 정교한 n 및 p 전극들과 전원 사이에 전기 인터페이스를 제공하고, 열 싱킹(heat sinking)을 제공한다. 서브마운트들은 잘 알려져 있다.
LED(10)가 매우 낮은 프로파일을 갖게 하고, 광이 성장 기판에 의해 흡수되는 것을 방지하기 위하여, CMP에 의해 또는 레이저 리프트-오프(lift-off) 방법(여기서, GaN으로부터 기판을 밀어내는 고압 가스를 생성하기 위하여 레이저는 GaN과 성장 기판의 계면(interface)을 가열함) 사용하는 것 등에 의해 성장 기판이 제거된다. 일 실시예에서, LED들의 어레이가 서브마운트 웨이퍼 상에 실장된 후에, 또한 LED(들)/서브마운트들이 싱귤레이트(singulate)되는 것(예를 들어, 소잉(sawing)에 의함)에 앞서, 성장 기판의 제거가 수행된다.
성장 기판이 제거된 후, 활성층(14)으로부터 방출되는 청색광을 파장 변환하기 위하여 평면 형광체층(planar phosphor layer)층(30)이 LED의 상부 위에 배치된다. 형광체층(30)은 세라믹 시트로서 수행되고, LED 층들에 부착될 수 있거나, 또는 형광체 입자들이 전기영동(electrophoresis) 등에 의해 박막 퇴적될 수 있다. 형광체 세라믹 시트는 소결(sinter)된 형광체 입자들이거나, 투명하거나 반투명한 바인더(binder)의 형광체 입자들일 수 있으며, 이는 유기 입자이거나 또는 무기 입자일 수 있다. 형광체층(30)에 의해 방출된 광은, 청색광과 혼합될 때, 백색광 또는 다른 원하는 색을 생성한다. 형광체는 황색광(Y+B=백색)을 생성하는 YAG 형광체일 수 있거나, 또는 적색 및 녹색 형광체(R+G+B=백색)일 수 있다.
YAG 형광체(즉, Ce:YAG)를 사용하면, 백색광의 색온도는 형광체의 Ce 도핑뿐만 아니라 형광체층(30)의 두께에도 크게 의존한다.
그 후, 형광체층(30) 위에 반사막(32)이 형성된다. 반사막(32)은 스페큘라형(specular) 또는 확산형(diffusing)일 수 있다. 스페큘라형 반사기(specular reflector)는 유기 또는 무기 층들로 형성되는 DBR(distributed Bragg reflector)일 수 있다. 또한, 스페큘라형 반사기는 알루미늄 또는 다른 반사형 금속, 또는 DBR과 금속의 결합의 층일 수 있다. 확산형 반사기는 거친 표면(roughed surface) 상에 퇴적된 금속, 또는 적절한 백색 페인트와 같은 확산형 재료로 형성될 수 있다. 또한, 형광체층(30)은 광 추출 효율을 향상시키기 위하여 광을 확산시키는 데에 도움을 준다.
측면 방출 렌즈들이 때로는 LED의 상면에 의해 방출된 광 전부를 원형의 측면 방출 패턴으로 전환(divert)시키는 데에 사용되긴 하지만, 이러한 렌즈들은 대부분 LED 자체의 두께이고, 초박형(ultrathin)의 플래시에는 적합하지 않다.
LED 반도체층들의 처리는 LED가 서브마운트(22) 상에 실장되기 전 또는 후에 일어날 수 있다.
활성층(14)에 의해 방출된 광의 거의 전부는 LED의 측면들을 통해 직접 방출되거나, 또는 하나 이상의 내부 반사 후에 측면들을 통해 방출된다.
일 실시예에서, 서브마운트(22)는 약 380 마이크로미터의 두께를 갖고, 반도체층들은 약 5 마이크로미터의 결합된 두께를 갖고, 형광체층(30)은 약 200 마이크로미터의 두께를 갖고, 반사막(32)은 약 150 마이크로미터의 두께를 가지므로, LED와 서브마운트를 합하면 1㎜ 두께보다 작다. 물론, LED(10)는 좀더 두껍게 만들어질 수 있다. LED의 각각의 측면의 길이는 통상적으로 1㎜보다 작다.
LED가 초박형일 필요가 없는 경우, 반사막(32)에 의해 하방 반사되는 광이 반도체층들에 의해 흡수되지 않도록, n-층(12) 위에 투명한 도파층(clear wave guiding layer), 반사형 입자들 또는 거친/프리즘 표면을 포함하는 형광체층 위에 산란층, 및 형광체층(30) 아래에 다이크로익(dichroic) 미러 또는 일방향 미러를 추가함으로써, 측면 방출의 효율이 증가될 수 있다.
도 2는 3개의 LED들(10)을 포함하는 플래시 모듈(34)의 단면도이고, 도 3은 LED들(10)이 노출된 모듈(34)의 조감도이다. 도 3의 조감도에서, 산광기 시트가 사용되는 경우, LED들(10)은 통상적으로 그 윤곽이 잘 나타나지 않는다.
LED들(10)은 박형의 PCB(28) 상에 실장된다. PCB(28)는 모듈(34)의 베이스를 제공할 수 있거나, 또는 반사 박스와 같은, 모듈(34)을 위한 별개의 지지 구조일 수 있다. 서브마운트 전극들(24)(도 1)은 PCB(28) 상의 통상의 금속 트레이스들에 초음파적으로 본딩되고, 모듈(34)의 에지에서의 접속 패드들(35)에서 종료된다. 핀들, 솔더 패드들, 플러그들 등과 같은 임의의 유형의 커넥터가 사용될 수 있고, 커넥터들은 임의의 위치에 존재할 수 있다. PCB(28) 상의 금속 트레이스들은 직렬 및/또는 병렬과 같은 임의의 적절한 방식으로 LED(들)(10)를 상호접속시킨다. 전류원(도시 생략)은 패드들(35)에 전기적으로 커플링되고, 모듈(34)의 일부일 수 있다.
고체의 투명한 광가이드(36)는 LED들(10)이 삽입되는 공동들(37)을 갖는다. 광가이드(36)는 플라스틱(예를 들어, PMMA)일 수 있다. LED(들)(10)의 측면 발광 부분은 약 0.25-0.5㎜ 두께일 수 있기 때문에, 광가이드(36)의 두께는 약 0.3-0.5㎜ 두께일 수 있다. 광을 상방으로 반사하는 프리즘들과 같은 소형의 인덴테이션들(38)(indentations)은 광가이드(36)의 바닥에 몰딩된다. 인덴테이션들은 광가이드(36)의 상면을 통해 방출되는 광의 균일도를 최대화시키기 위하여 주기적으로 구성되거나 분포될 수 있다. 대신에, 인덴테이션들은 거친 바닥면을 생성하기 위하여 에칭 또는 샌드 블래스팅(sand blasting)에 의해 형성될 수 있다.
광가이드(36)는 반사벽들(40) 및 반사형 바닥면(42)을 갖는다. 광가이드(36)의 표면 상의 반사막은 반사기들로서 사용될 수 있거나, 또는 반사기들은 광가이드(36)가 배치되는 박스를 형성하는 별개의 부분들(pieces)일 수 있다. 반사막은 3M 사로부터 이용가능한 ESR(Enhanced Specular Reflector) 막일 수 있다. LED들(10)에 의해 발생되는 측면 광은 광가이드(36)의 상면에 걸쳐 실질적으로 균일한 휘도 패턴을 생성하기 위하여 광가이드(36) 내에서 반사되고, 인덴테이션들(38)에 의해 누설된다.
광가이드(36)의 상부 위에는 선택적인 산광기 시트(44)가 배치되며, 이는 광을 이용하여 LED들(10) 위에서 작고 어두운 스폿들을 채우는 데에 도움을 주고, 인덴테이션들(38) 위에서 임의의 휘도 스폿들을 확산시킨다. 산광기 시트(44)는 약 0.1㎜ 두께일 수 있다.
BEF들(Brightness enhancement films)(46 및 48)은 표면에 일반적으로 수직인 광을 재지향시키기 위하여 산광기 시트(44) 위에 배치된다. 선택된 각도를 통해 광을 재지향시키기 위한 BEF들이 알려져 있다. BEF의 일 유형은 피사체를 향해 광을 굴절시키는 프리즘 표면 피쳐들을 갖는다. BEF(46)는 수평 방출 각도를 한정할 수 있고, BEF(48)는 수직 방출 각도를 한정할 수 있다. 각각의 BEF(46 및 48)는 약 0.062㎜ 두께일 수 있다.
일 실시예에서, 모듈(34)의 전반적인 두께는 0.62㎜이다. 통상적인 총 두께는 0.3㎜와 2㎜ 사이의 범위일 수 있다. 플래시 모듈(34)의 발광면 면적은 0.5-2㎠ 이상과 같이 사실상 임의의 실제적인 사이즈일 수 있다.
다른 실시예에서, 광가이드는 웨지(wedge)로서 형성되며, 여기서 광은 각진 바닥면으로 인해 본질적으로 상방으로 반사된다. 그 후, 어떠한 광 산란 인덴션(indention)들도 광을 재지향시키는 데에 필요하지 않게 된다.
도 4는 비디오 또는 정사진들을 찍을 수 있는 휴대전화 카메라(50)의 간략화된 도면이다. 카메라(50)는 카메라가 정사진들을 찍든지 비디오를 찍든지 간에 임의의 유형의 카메라(디지털 또는 필름)를 나타낸다. 휴대전화 카메라(50)는 통상적인 키패드(52), 디스플레이(54) 및 카메라 렌즈(55)를 갖는다. 카메라(50)의 모든 양상들은 플래시 모듈(34)을 제외하고는 통상적이다. 플래시 모듈(34)은 점원보다 훨씬 큰 면적 위에 휘도를 퍼뜨리기 위하여 적어도 5㎜ 폭인 것이 바람직하다. 일 실시예에서, 모듈(34)의 발광면은 5x10㎜보다 크다. 다른 실시예에서는, 하나의 LED만이 사용되고, 모듈(34)은 5x5㎜이다. 모듈(34)의 두께는 그 발광면 면적에 따라 변하지 않는다.
도 5는 플래시 모듈(60)의 다른 실시예의 단면도이고, 도 6은 LED 다이(die)의 배치를 도시하는 도 5의 모듈(60)의 투시형 조감도이다.
폴리머 또는 유리로 형성되는 것과 같은 고체의 투명한 광가이드(62)는 그 안에 형성된 공동(64)을 갖고, 여기서 공동은 측면 방출 LED(66)(도 1의 LED(10)와 유사함)의 대략적인 치수들을 갖는다. 증가된 광 출력을 위하여 추가적인 공동들에 복수의 LED들이 삽입될 수 있다. 측면 방출 LED(66)는 그 광의 대부분을 LED 다이 주위에서 로우 각도(low angle) 360°로 방출한다. 따라서, LED(66)로부터의 대부분의 광은 광가이드(62)로 직접 전송된다. 반사기(도시 생략)는 광이 측벽들로부터 탈출하는 것을 방지하기 위하여 광가이드(62)의 측벽들 주위에 배치될 수 있다.
바닥 반사기(68)는 광가이드(62)의 광을 상방으로 반사한다. 바닥 반사기(68)는 LED(66)의 표면에 부착되는 별개의 반사기가 선택적이도록 LED(66) 아래로 연장된다. 광가이드(62)는 광이 광가이드(62)의 상면 바깥으로 누설될 수 있게 하기 위하여 면(facet)들, 거친 표면 또는 다른 변형(deformity)들을 가질 수 있다. 광가이드(62)는 심지어 웨지 형상일 수 있다. 광가이드의 바깥으로 균일하게 광을 누설시키는 많은 기술들이 잘 알려져 있다.
반투명막일 수 있는 산광기 시트(70)는 표면 전반의 광의 균일도를 증가시키기 위하여 광가이드(62)로부터의 광을 확산시킨다. 적어도 하나의 BEF(brightness enhancement film)(72)는 그 각도 내에서의 휘도를 증가시키기 위하여 보다 협소한 각도로 광을 재지향시킨다.
LED(66)는 서브마운트(74) 상에 실장된다. 서브마운트(74)는 세라믹, 실리콘, 절연 금속판 또는 다른 적절한 재료로 형성될 수 있다. LED(66) 상의 금속 패드들은 서브마운트(74) 상의 대응하는 패드들(솔더 볼들(76)이 도시되어 있음)에 본딩된다. LED(66)는 두께를 최소화시키기 위하여 플립 칩인 것인 바람직하다.
서브마운트(74)는 정사진을 찍기 위하여 플래시에 대해 LED(66)로 전류의 펄스를 제공하거나, 또는 비디오를 찍기 위하여 연속적인 전류를 제공하는 LED 드라이버(80)에 접속하는 단자들(78)을 갖는다. 카메라 내의 통상적인 제어 회로(81)는 동작이 플래시인지 아니면 연속적인 조명인지를 결정한다. 플래시에 있어서, LED 드라이버(80)는 캐패시터를 충전하고, 그 후에 캐패시터 에너지를 고전력 펄스로서 LED로 방전시키는 부스터 조절기를 포함한다. 바람직하게는, 플래시 모듈의 광 출력은 적어도 10-15 lux.sec이며, 약 0.1초 동안 100lux 이상이 모듈에 의해 방출된다. 카메라 셔터가 단일의 사진에 대해 열려있는 동안, 총 광 에너지는 플래시에 대한 적절한 성능 지수(figure of merit)이다. 플래시 LED 드라이버들은 LED에 1amp를 공급할 수 있는, Micrel 사 등으로부터 상용적으로 이용가능한 것이다.
고전력 LED들은 양호한 비디오 품질을 위해 피사체를 조명하기 위해서는 0.5amps 이상을 필요로 하기 때문에, 비디오를 위한 연속적인 광 출력은 매우 견고한(robust) 전원을 필요로 한다.
서브마운트(74)가 드라이버(80)와 LED(66) 사이의 전기 인터페이스로서 작용하는 것 외에, 서브마운트(74)는 또한 LED(66)로부터의 열을 제거하기 위하여 열 싱크로서 작용한다. 서브마운트(74)의 표면은 LED 광을 광가이드(62)를 향해 다시 반사시키기 위하여 반사형일 수 있다.
서브마운트(74)와 LED 드라이버(80) 사이의 전기 접속은 Gould Electronics에 의해 제조되는 것과 같은, 예를 들어 JTC FlexTM과 같이 소위 말하는 플렉스 포일(flex foil) 상호접속들에 의해 용이하게 실현될 수 있다. 서브마운트가 너무 작아서 플렉스 포일에 부착될 수 없는 경우, 서브마운트의 측면에 클램프된 플렉스 포일에 전기 접속들을 행하기 위하여 와이어본딩이 사용될 수 있거나, 또는 서브마운트가 플렉스 포일의 홀에 배치(접착(glued))될 수 있거나, 또는 LED(66)가 박형의 플렉스 포일의 상부에 직접 부착될 수 있다. 플렉스 포일과 같은 전기 커넥터는 또한 LED 다이로부터의 열을 제거하기 위하여 열 싱크로서 기능할 수 있다.
금속 지지부(82)는 서브마운트(74)를 적소에 부착하고 추가적인 열 싱크로서 기능하게 하기 위하여 광가이드(62)와 서브마운트(74) 모두에 접속된다. 서브마운트(74)는 열적으로 전도성인 테이프 등과 같은 기타 적절한 수단에 의해 적소에 접착식으로 부착되거나 또는 고정(secure)될 수 있다. 다른 실시예에서, 서브마운트(74)는 임의의 지지 부재 없이 광가이드(62)에 직접 부착된다.
금속 지지부(82)는 리드 프레임일 수 있으며, 여기서 금속 지지부는 적어도 2개의 부분들로 분리되고, 그 각각의 부분은 LED 다이에 애노드 및 캐소드 전압들을 제공할 뿐만 아니라 기계적 지지부 및 열 싱킹을 제공하기 위한 전기 접속부이다. 비아들을 갖는 서브마운트는 리드 프레임에 대한 서브마운트 전극들의 직접 본딩에 사용되거나, 또는 서브마운트가 와이어본드들에 의해 리드 프레임에 접속된다.
LED(66) 및 서브마운트(74)가 기계적 지지부, 열 싱킹 및 전기 인터페이싱에 임의의 PCB(printed circuit board)를 필요로 하지 않기 때문에, 모듈(60)은 도 2의 모듈(34)보다 훨씬 박형일 수 있다.
서브마운트들을 갖는 복수의 LED는 추가적인 광 전력을 광가이드(62)의 하나 이상의 측면을 따라, 또는 광가이드(62)의 코너들에서, 또는 광가이드(62)의 중심선을 통해, 또는 임의의 다른 구성으로 광가이드(62)에 커플링하는 데에 사용될 수 있다. LED들은 적색, 녹색 및/또는 황색 구성성분들에 기여하는 형광체들 및 청색 LED 다이를 사용하여 백색광을 방출한다.
여러 층들의 두께는 도 2에 관하여 개시된 것과 동일할 수 있으며, 여기서 전체 모듈의 결과적인 두께는 2㎜보다 작다. 모듈(60)은 모듈(34) 대신에 도 4의 카메라(50)에서 사용될 수 있다. 표면 면적 치수들은 모듈(34)에 대하여 기술된 것과 동일할 수 있다. 드라이버(80)는 어느 모듈과 함께 사용될 수 있다.
도 7-9는 광가이드(84)의 공동 내의 LED들의 근접도들이다. 광가이드(84)는 광가이드(36(도 2) 또는 62(도 5))와 동일할 수 있다. 도 7-9에서, LED는 광가이드(84)의 발광면 부분으로부터 측면(laterally) 이격되어 배치되기 때문에, 광은 광가이드(84)에 의해 보다 균일하게 방출된다.
도 7에서는, 그 표면에 형성되는 반사막(32)을 갖는, 도 1로부터의 LED(10)가 사용된다. LED 다이는 서브마운트(22) 상에 실장된다. 반사면들(88, 92 및 93)은 광이 광가이드(84)의 상면을 통하는 것을 제외하고는 탈출되는 것을 방지한다. 층들(96)은 도 2 및 도 5에 도시된 산광기 층들과 BEF와 동일할 수 있다. 복수의 측면 방출 LED가 증가된 광 출력 전력을 위하여 광가이드(84)에 걸쳐 분포되어 있을 수 있다. 결과적인 플래시 모듈은 카메라(50)(도 4)에서 사용하기 위하여 도 2의 모듈(34)과 동일한 두께 및 표면 치수들을 가질 수 있다.
도 8은 LED(98)가 그 위에 형성된 반사막을 갖지 않는 것을 제외하고는 도 7과 유사하다. 반사기(92)는 광가이드(84)로의 측면 방출만을 생성하고, 사진찍히는 피사체가 광의 점원을 보는 것을 방지하기 위한 것이다.
도 9는 LED(98)가 보다 박형의 플래시 모듈을 생성하기 위하여 반사기(92)에 인접한 것을 제외하고는 도 8과 유사하다.
비교적 큰 발광면 면적을 갖는 매우 박형의 카메라 조명기를 생성하기를 원하는 경우, 여러 실시예들의 피쳐들이 결합될 수 있다.
본 발명을 상세히 설명하였지만, 당업자들은 본 명세서가 주어지면, 여기서 설명된 사상 및 창의적인 개념들로부터 벗어나지 않고 본 발명에 수정들을 행할 수 있음을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 범주가 도시되고 설명된 특정 실시예들에 한정되는 것으로 의도되지 않는다.

Claims (17)

  1. 피사체(subject)를 조명하기 위한 카메라의 조명기(illuminator)로서,
    측면 방출(side-emitting)의 비 레이저(non-lasing) 발광 다이오드(LED)(10) - 상기 LED는, 제1 유형의 제1 반도체층(16); 제2 유형의 제2 반도체층(12); 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 있으며 주요 표면(major surface)을 갖는 활성층(14); 상기 제1 반도체층과 접촉하는 제1 전극(18); 상기 제2 반도체층과 접촉하는 제2 전극(18) - 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 LED가 플립 칩이도록 상기 LED의 제1 측면 상에 있고, 상기 제1 반도체층, 상기 제2 반도체층 및 상기 활성층이 성장된 투명 성장 기판이 상기 LED의 상기 제1 측면과 마주보는 상기 LED의 제2 측면 위로부터 제거됨 -; 및 상기 LED와 반사막 사이의 공기 갭 없이 상기 LED의 상기 제2 측면 상에 형성되는 균일한 상기 반사막(32)을 포함하고, 상기 반사막의 면적은 상기 LED의 상기 제2 측면의 면적에 의해 제한되고, 상기 반사막은, 반사기 상에 부딪치는(impinging) 모든 광이 상기 LED로 다시 재지향(redirect)되도록 상기 활성층의 상기 주요 표면에 평행한 반사기를 형성하고, 상기 LED는 측면 방출 렌즈를 사용하지 않고 그 측면들로부터의 광만을 방출함 -;
    광이 방출되는 상면을 갖고 반사형 바닥면을 갖는 광가이드(36) - 상기 광가이드는 상기 측면 방출 LED가 배치되는 적어도 하나의 개구(opening)를 갖고, 이에 의해 상기 LED의 측면들로부터 방출되는 광이 상기 광가이드로 광학적으로 커플링됨 -;
    LED(10, 66)를 지지하고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 전기 접촉을 제공하며, 상기 광가이드의 상기 상면에 평행한 지지 표면(22, 28, 74); 및
    상기 카메라에 의해 피사체의 이미지를 기록하기 위하여 상기 피사체를 조명하도록 상기 LED에 전력을 공급하기 위하여 상기 LED의 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 전기적으로 접속된 드라이버(80)
    를 포함하고,
    상기 LED 및 드라이버는 카메라(50)의 하우징 내에 실장되는 카메라의 조명기.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 카메라(50)는 정사진(still picture) 카메라이고, 상기 드라이버(80)는 상기 피사체의 정사진을 찍기 위하여 플래시를 출력하도록 상기 LED(10)를 제어하게 구성되는 카메라의 조명기.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 카메라(50)는 비디오 카메라이고, 상기 드라이버(80)는 상기 피사체의 비디오 기록을 찍기 위하여 광을 연속적으로 출력하도록 상기 LED(10)를 제어하게 구성되는 카메라의 조명기.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 반사기(32)의 바닥면 및 상기 활성층(14)은 상기 광가이드(36)의 상면 평면과 바닥면 평면과 평행하게(even) 배치되거나 그 사이에 배치되는 카메라의 조명기.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 광가이드(36)는 2㎜보다 작은 두께를 갖는 카메라의 조명기.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 LED(10)는 2㎜보다 작은 두께를 갖는 카메라의 조명기.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 LED(10)는 상기 반사기(32)와 상기 제2 반도체층(12) 사이에 형광체(phosphor)층(30)을 더 포함하는 카메라의 조명기.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 형광체층(30)을 포함하는 상기 LED(10)는 백색광을 방출하는 카메라의 조명기.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 LED(10)의 발광 측면들은 0.4㎜보다 작은 높이를 갖는 카메라의 조명기.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 활성층(14)은 청색광을 방출하는 카메라의 조명기.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 광가이드(36)의 상기 바닥면은 상기 상면을 향해 광을 산란시키는(scatter) 카메라의 조명기.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 광가이드(36)의 상기 상면은 25㎟보다 큰 발광면 면적을 갖는 카메라의 조명기.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 광가이드(36)의 상기 상면은 50㎟보다 큰 발광면 면적을 갖는 카메라의 조명기.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 조명기는 플래시 모듈인 카메라의 조명기.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 광가이드의 개구들 각각에 복수의 측면 방출 LED(10)를 더 포함하는 카메라의 조명기.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 카메라(50)는 휴대전화 카메라인 카메라의 조명기.
  17. 삭제
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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8080828B2 (en) * 2006-06-09 2011-12-20 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Low profile side emitting LED with window layer and phosphor layer
US7538359B2 (en) * 2007-08-16 2009-05-26 Philips Lumiled Lighting Company, Llc Backlight including side-emitting semiconductor light emitting devices
US8202741B2 (en) * 2009-03-04 2012-06-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of bonding a semiconductor device using a compliant bonding structure
CN102460005B (zh) 2009-06-10 2014-04-30 伦斯莱尔工艺研究院 固态光源灯泡
TW201109814A (en) * 2009-09-11 2011-03-16 Zonbest Technology Co Ltd Miniature xenon flash module and its manufacturing method thereof
US20110103418A1 (en) * 2009-11-03 2011-05-05 The Regents Of The University Of California Superluminescent diodes by crystallographic etching
GB2475705A (en) * 2009-11-26 2011-06-01 Sharp Kk Camera flash
DE102010010750A1 (de) * 2010-03-09 2011-09-15 Thomas Hofmann Multilayersubstrat mit flächigem Leuchtkörper
US8273589B2 (en) * 2010-03-19 2012-09-25 Micron Technology, Inc. Light emitting diodes and methods for manufacturing light emitting diodes
EP2447746A1 (en) 2010-10-28 2012-05-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting device with waveguide plate
KR101873996B1 (ko) * 2010-12-14 2018-08-02 엘지이노텍 주식회사 광원 장치 및 이를 포함하는 백라이트 유닛, 표시 장치
JP5947553B2 (ja) * 2012-01-27 2016-07-06 浜松ホトニクス株式会社 撮像装置及び撮像装置の製造方法
WO2013118072A2 (en) 2012-02-10 2013-08-15 Koninklijke Philips N.V. Wavelength converted light emitting device
WO2013120228A1 (zh) * 2012-02-17 2013-08-22 迟志均 带闪光灯功能的机头灯
JP5505446B2 (ja) * 2012-03-19 2014-05-28 ウシオ電機株式会社 フラッシュランプ
US9391243B2 (en) * 2012-07-05 2016-07-12 Koninklijke Philips N.V. Phosphor separated from LED by transparent spacer
DE102013104840A1 (de) * 2013-05-10 2014-11-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen
EP3021568A4 (en) 2013-07-12 2017-04-26 Hamamatsu Photonics K.K. Imaging apparatus and method for manufacturing imaging apparatus
US20170068038A1 (en) * 2013-09-23 2017-03-09 Glo Ab Integrated back light unit
JP6438648B2 (ja) * 2013-11-15 2018-12-19 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
DE102014105839A1 (de) * 2014-04-25 2015-10-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US9794462B2 (en) * 2015-03-31 2017-10-17 Microscan Systems, Inc. Illumination system with side-emitting illumination, targeting, and confirmation
EP3118843B1 (en) 2015-07-17 2020-04-08 Goodrich Lighting Systems GmbH Aircraft interior light unit and method of operating an aircraft interior light unit
JP6782783B2 (ja) 2016-01-21 2020-11-11 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 複数の面からの光を放出するｌｅｄを用いたカメラの均一、効率的、かつ色調整可能なリングフラッシュ
US11199755B2 (en) 2016-02-23 2021-12-14 Lumileds Llc Illumination device with light guide having angled light-accepting surfaces
CN115113457A (zh) 2016-08-09 2022-09-27 苏州立琻半导体有限公司 发光模块、闪光模块和包括该闪光模块的终端
CN109031856A (zh) * 2016-08-26 2018-12-18 常州爱上学教育科技有限公司 一种摄像镜头及其工作方法
JP6868388B2 (ja) * 2016-12-26 2021-05-12 日亜化学工業株式会社 発光装置および集積型発光装置
JP6575507B2 (ja) 2016-12-28 2019-09-18 日亜化学工業株式会社 発光装置および集積型発光装置
CN106850885B (zh) * 2017-01-18 2018-11-30 维沃移动通信有限公司 一种闪光灯结构及移动终端
DE102018116327A1 (de) * 2018-07-05 2020-01-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauteils
US12018832B2 (en) 2021-09-23 2024-06-25 Apple Inc. Light source module with adaptive illumination

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001068784A (ja) * 1999-02-17 2001-03-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ装置、光ディスク装置及び光集積化装置
JP2004119984A (ja) * 2002-09-27 2004-04-15 Lumileds Lighting Us Llc 波長変換した半導体発光デバイスの選択的フィルタリング
JP2007033860A (ja) * 2005-07-27 2007-02-08 Canon Inc 照明装置及び撮像装置

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0832110A (ja) * 1994-07-19 1996-02-02 Oki Electric Ind Co Ltd 端面発光型ｌｅｄ、端面発光型発光素子の製造方法、端面発光型発光素子の発光特性測定方法
JPH0936435A (ja) 1995-07-24 1997-02-07 Rohm Co Ltd チップ型発光ダイオード
US5886401A (en) * 1997-09-02 1999-03-23 General Electric Company Structure and fabrication method for interconnecting light emitting diodes with metallization extending through vias in a polymer film overlying the light emitting diodes
US7212556B1 (en) * 1999-02-17 2007-05-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser device optical disk apparatus and optical integrated unit
JP3887124B2 (ja) * 1999-04-30 2007-02-28 ローム株式会社 チップ型半導体発光素子
WO2002041406A1 (en) * 2000-11-16 2002-05-23 Emcore Corporation Microelectronic package having improved light extraction
JP4266551B2 (ja) * 2000-12-14 2009-05-20 三菱レイヨン株式会社 面光源システムおよびそれに用いる光偏向素子
JP4816707B2 (ja) * 2002-03-20 2011-11-16 豊田合成株式会社 発光器及び自動車のバックライト
EP1349243B1 (en) * 2002-03-29 2008-04-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical device, method of manufacturing the same, optical module, optical transmission system
US6650018B1 (en) * 2002-05-24 2003-11-18 Axt, Inc. High power, high luminous flux light emitting diode and method of making same
US6828596B2 (en) * 2002-06-13 2004-12-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Contacting scheme for large and small area semiconductor light emitting flip chip devices
US6679621B2 (en) 2002-06-24 2004-01-20 Lumileds Lighting U.S., Llc Side emitting LED and lens
US7112916B2 (en) * 2002-10-09 2006-09-26 Kee Siang Goh Light emitting diode based light source emitting collimated light
JP2004319340A (ja) * 2003-04-17 2004-11-11 Kawaguchiko Seimitsu Co Ltd バックライトユニット
US6974229B2 (en) * 2003-05-21 2005-12-13 Lumileds Lighting U.S., Llc Devices for creating brightness profiles
US6876008B2 (en) * 2003-07-31 2005-04-05 Lumileds Lighting U.S., Llc Mount for semiconductor light emitting device
JP3686660B2 (ja) 2003-09-16 2005-08-24 シーシーエス株式会社 光照射装置及び光学ユニット
US7052152B2 (en) * 2003-10-03 2006-05-30 Philips Lumileds Lighting Company, Llc LCD backlight using two-dimensional array LEDs
US7808011B2 (en) * 2004-03-19 2010-10-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor light emitting devices including in-plane light emitting layers
TWI323368B (en) * 2004-04-09 2010-04-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd A back light module
JP2005310611A (ja) * 2004-04-23 2005-11-04 Hitachi Displays Ltd バックライト装置及び表示装置
JP2006019409A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置並びにそれを用いた照明、ディスプレイ用バックライト及びディスプレイ
JP4535792B2 (ja) * 2004-07-01 2010-09-01 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 バックライト及びそのバックライトを備えた液晶表示装置
US7161186B2 (en) * 2004-08-18 2007-01-09 Unity Opto Technology Co., Ltd. Sideway-emission light emitting diode
US7344902B2 (en) 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
US7452737B2 (en) * 2004-11-15 2008-11-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Molded lens over LED die
WO2006055872A2 (en) * 2004-11-17 2006-05-26 Fusion Optix, Inc. Enhanced light fixture
JP4384019B2 (ja) * 2004-12-08 2009-12-16 住友電気工業株式会社 ヘッドランプ
US7690829B2 (en) * 2005-03-29 2010-04-06 Konica Minolta Holdings, Inc. Surface light emitter and display apparatus
CN1881023B (zh) * 2005-06-16 2011-11-23 清华大学 背光模组
KR20060135207A (ko) 2005-06-24 2006-12-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 휘도를 개선한 발광다이오드 램프 및 이를 이용하는백라이트 어셈블리
KR100638874B1 (ko) * 2005-07-06 2006-10-27 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 광원이 도광판에 삽입된 백라이트 장치의광원-도광판 구조 및 이를 포함하는 백라이트 장치
US7293908B2 (en) * 2005-10-18 2007-11-13 Goldeneye, Inc. Side emitting illumination systems incorporating light emitting diodes
US7375379B2 (en) * 2005-12-19 2008-05-20 Philips Limileds Lighting Company, Llc Light-emitting device
KR101212210B1 (ko) * 2005-12-26 2012-12-13 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 그를 구비한 액정표시장치
JP4413186B2 (ja) * 2005-12-28 2010-02-10 三菱電機株式会社 面状光源装置及びこれを用いた表示装置
JP2007234385A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Yamaha Corp バックライト装置
US7626210B2 (en) * 2006-06-09 2009-12-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Low profile side emitting LED
US7534025B2 (en) * 2006-08-25 2009-05-19 Philips Lumiled Lighting Company, Llc Thin backlight with flipped light emitting diode
TWI324278B (en) * 2006-12-06 2010-05-01 Au Optronics Corp Backlight module
US7902564B2 (en) * 2006-12-22 2011-03-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Multi-grain luminescent ceramics for light emitting devices
JP5188077B2 (ja) 2007-03-02 2013-04-24 株式会社光波 光方向変換素子及び面状発光装置
JP2009033061A (ja) 2007-07-30 2009-02-12 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置および撮像装置
US20090046479A1 (en) * 2007-08-16 2009-02-19 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Thin Backlight Using Low Profile Side Emitting LED
US7652301B2 (en) * 2007-08-16 2010-01-26 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Optical element coupled to low profile side emitting LED
US7538359B2 (en) * 2007-08-16 2009-05-26 Philips Lumiled Lighting Company, Llc Backlight including side-emitting semiconductor light emitting devices

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001068784A (ja) * 1999-02-17 2001-03-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ装置、光ディスク装置及び光集積化装置
JP2004119984A (ja) * 2002-09-27 2004-04-15 Lumileds Lighting Us Llc 波長変換した半導体発光デバイスの選択的フィルタリング
JP2007033860A (ja) * 2005-07-27 2007-02-08 Canon Inc 照明装置及び撮像装置

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