KR101508738B1 - 고분자 박막의 패터닝 방법 - Google Patents

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KR101508738B1 KR20130102197A KR20130102197A KR101508738B1 KR 101508738 B1 KR101508738 B1 KR 101508738B1 KR 20130102197 A KR20130102197 A KR 20130102197A KR 20130102197 A KR20130102197 A KR 20130102197A KR 101508738 B1 KR101508738 B1 KR 101508738B1
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Abstract

본 발명의 실시 형태는 고분자 박막의 패터닝 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법은, 광학리소그래피(photolithography)를 이용한 고분자 박막의 패터닝 방법에 있어서, 기판 상에 고분자 박막을 형성하고, 상기 고분자 박막 상에 포토레지스트(photoresist)를 형성하는 형성단계; 상기 포토레지스트를 패터닝하는 포토레지스트 패터닝 단계; 상기 고분자 박막 상에 식각용액을 도포하는 식각용액 도포단계; 상기 기판을 기준으로 사선(diagonal line) 방향에서 기체를 분사하여 상기 식각용액이 상기 고분자 박막 상에 남지 않도록 제거하는 식각용액 제거단계; 및 상기 포토레지스트를 제거하는 포토레지스트 제거단계; 를 포함하고, 상기 포토레지스트는 양성(positive) 포토레지스트이다.

Description

고분자 박막의 패터닝 방법{PATTERNING OF POLYMER FILM}
본 발명은 고분자 박막의 패터닝 방법에 관한 것이다.
패터닝(patterning)은 기판 상에 있는 금속, 무기물, 유기물 등의 물질에 원하는 패턴(pattern)을 새기는 공정이다. 최근에는 전자소자, 미세 기계소자, 광학소자 등의 집적도가 중요시되는 소자들에서 미세 패턴을 형성하는 것이 고집적(high-integration) 시스템의 성능을 결정하는 주요 인자로 대두되고 있다.
패터닝을 하는 대표적인 공정에는 광학 리소그래피(photolithography) 공정과 소프트 리소그래피(soft lithography) 공정 등이 있다.
광학 리소그래피는 사진 인쇄 기술을 이용하여 패턴을 형성하는 공정이다. 광학 리소그래피는 현재 모든 실리콘 기반 전자소자 제조에 이용되고 있다.
소프트 리소그래피는 주입 몰딩(injection molding), 임프린팅(imprinting), 캐스트 몰딩(cast molding), 레이저 연마법(laser ablation), 전기화학적 마이크로머시닝(electrochemical micromachining), 스크린 프린팅(screen printing), 잉크젯 프린팅(ink-jet printing), 마이크로 컨택프린팅(micro-contact printing), 복제 몰딩(replica molding), 마이크로 전사 몰딩(micro-transfer molding), 모세관 마이크로 몰딩(micro-molding in capillaries) 및 용매 보조 마이크로 몰딩(solvent-assisted molding) 등의 방법을 포함한다.
소프트 리소그래피는 광학리소그래피보다 제조비용이 저렴하고 광학리소그래피보다 쉽게 패터닝할 수 있는 공정으로 광학 리소그래피를 대체하기 위해 개발되고 있는 공정이다. 특히, 소프트 리소그래피는 유기 전자소자 제작에 있어서 광학 리소그래피보다 대면적이면서 빠른 패터닝을 할 수 있다.
하지만, 소프트 리소그래피는 대량생산에 반드시 요구되는 재현성, 균일성 면에서 광학리소그래피에 비해 상당히 떨어지는 단점이 있다. 그러므로 유기 전자소자 제작에 있어서도 광학 리소그래피를 그대로 도입하려는 연구가 진행되고 있다. 하지만, 광학 리소그래피 또한 몇 가지 문제점이 발생하였다. 이하 도 1 및 도 2를 참조하여 설명하도록 한다.
도 1은 건식 식각(dry etch)에 의해 형성된 고분자 박막과 습식 식각(wet etch)에 의해 형성된 고분자 박막을 비교하기 위한 단면도이다.
구체적으로, LM은 패턴의 상면의 길이(length)이고, LPD는 건식 식각에 의해 형성된 고분자 박막의 상면의 길이이고, LPW는 습식 식각에 의해 형성된 고분자 박막의 상면의 길이이고, ΔL은 습식 식각에 의해 언더컷(undercut)된 부분의 길이이다.
도 1의 좌측을 참조하면, 건식 식각은 이방성(anisotropic) 식각이 가능하기 때문에 건식 식각에 의해 형성된 고분자 박막의 상면의 길이(LPD)는 패턴의 상면의 길이(LM)와 동일하게 제작된다.
반면, 도 1의 우측을 참조하면, 습식 식각은 등방성(isotropic) 식각이 되기 때문에 습식 식각에 의해 형성된 고분자 박막의 상면은 ΔL 만큼 그 길이가 줄어들게 된다. 따라서, 습식 식각에 의해 형성된 고분자 박막의 상면의 길이(LPW)는 패턴의 상면의 길이(LM)보다 짧게 제작된다.
이와 같이, 습식 식각의 경우 건식 식각에 비해 비용이 저렴하지만 고분자 박막의 언더컷에 의해 원하는 패턴이 형성되기 어려운 문제가 있었다. 이러한 문제로 인해 종래의 습식 식각으로 제조된 고분자 박막은 전자 소자로 제조될 때 전자 소자의 신호 처리 시간, 메모리 동작 속도, 신호 마진 및 메모리 집적도 등에 악영향을 미치게 되었다.
또한, 건식 식각의 경우 원하는 패턴과 동일하게 형성되지만, 플라스틱 기판 또는 다른 유기물에 플라즈마(plasma) 손상을 줄 수 있는 문제가 있었다. 이러한 문제로 인해 종래의 건식 식각으로 제조된 고분자 박막은 전자 소자로 제조될 때 전자 소자의 신뢰도(reliability), 균일도(uniformity) 및 재현성(reproducibility)을 저하시켰다.
따라서, 언더컷 부분을 최소화할 수 있으면서 유기물에 플라즈마 손상을 주지 않는 고분자 박막의 패터닝 방법의 연구가 필요하다.
본 발명은 언더컷 부분을 최소화할 수 있는 고분자 박막의 패터닝 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 유기물에 플라즈마 손상을 주지 않는 고분자 박막의 패터닝 방법을 제공한다.
본 발명의 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법은, 광학리소그래피(photolithography)를 이용한 고분자 박막의 패터닝 방법에 있어서, 기판 상에 고분자 박막을 형성하고, 상기 고분자 박막 상에 포토레지스트(photoresist)를 형성하는 형성단계; 상기 포토레지스트를 패터닝하는 포토레지스트 패터닝 단계; 상기 고분자 박막 상에 식각용액을 도포하는 식각용액 도포단계; 상기 기판을 기준으로 사선(diagonal line) 방향에서 기체를 분사하여 상기 식각용액이 상기 고분자 박막 상에 남지 않도록 제거하는 식각용액 제거단계; 및 상기 포토레지스트를 제거하는 포토레지스트 제거단계; 를 포함하고, 상기 포토레지스트는 양성(positive) 포토레지스트이다.
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여기서, 상기 기체는 비활성 기체일 수 있다.
본 발명의 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법은 언더컷 부분을 최소화 할 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명의 실시 형태는 유기물에 플라즈마 손상을 주지 않을 수 있는 이점이 있다.
도 1은 건식 식각(dry etch)에 의해 형성된 고분자 박막과 습식 식각(wet etch)에 의해 형성된 고분자 박막을 비교하기 위한 단면도이다.
도 2는 제1 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법의 순서를 나타내는 순서도이다.
도 3a 내지 도 3f는 제1 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 4는 도 1에서 설명한 고분자 박막의 현미경 사진이다.
도 5는 제2 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법의 순서를 나타내는 순서도이다.
도 6a 내지 도 6g는 제2 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 7은 제2 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법에 의해 형성된 고분자 박막의 현미경 사진이다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한, 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
본 발명에 따른 실시 형태의 설명에 있어서, 어느 한 element가 다른 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝(patterning) 방법을 설명한다.
<제1 실시 형태>
도 2는 제1 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법의 순서를 나타내는 순서도이고, 도 3a 내지 도 3f는 제1 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제1 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법은 기판, 고분자 박막 및 포토레지스트(photoresist)를 형성하는 제1 단계(S100), 포토레지스트를 패터닝하는 제2 단계(S200), 식각용액을 도포하는 제3 단계(S300) 및 포토레지스트를 제거하는 제4 단계(S400)를 포함한다.
도 2 및 도 3a 내지 도 3f를 참조하여 제1 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법을 상세하게 설명하면, 먼저 도 3a에 도시된 바와 같이, 기판(100), 고분자 박막(200) 및 포토레지스트(300)을 형성한다(S100). 구체적으로, 기판(100) 상에 패터닝하고자 하는 고분자 박막(200)을 형성하고, 고분자 박막(200) 상에 포토레지스트(300)를 형성한다.
기판(100)은 당업계에 공지된 것들 중에서 당업자가 적의 선택하여 제한 없이 사용할 수 있다. 기판(100)은 형상, 구조, 크기 등에 대해서는 특별히 제한은 없다. 일반적으로, 기판(100)의 형상은 판상인 것이 바람직하다.
고분자 박막(200)은 유기(organic) 고분자 박막일 수 있다. 또한, 고분자 박막은 폴리 파라 페닐렌 비닐렌(PPV, Poly-Paraphenylene Vinylene) 계 물질, 폴리티오핀(Polythiophene) 유도체 및 프탈로시아닌(Pthalocyanine) 계 물질 등을 포함할 수 있다.
포토레지스트(300)는 리소그래피 공정에서 사용되는 감광성 수지이다. 포토레지스트(300)는 양성(positive) 포토레지스트 및 음성(negative) 포토레지스트 중 어느 하나일 수 있다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 포토레지스트(300)를 패터닝한다(S200). 구체적으로, 포토레지스트(300) 상에 마스크(mask, 400)를 배치한다. 포토레지스트(300) 상에 마스크(400)가 배치되면, 노광(exposure) 공정을 이용하여 포토레지스트(300)를 자외선에 노출시키고, 마스크(400) 및 상기 자외선에 노출된 포토레지스트를 현상(develop) 공정을 이용하여 제거한다. 상기 현상 공정을 이용하면 도 3c와 같이 포토레지스트(300)의 패턴(pattern)이 형성된다.
여기서, 도면에서는 포토레지스트(300)가 양성 포토레지스트인 것으로 설명하였지만 포토레지스트(300)는 음성 포토레지스트일 수 있다. 구체적으로, 포토레지스트(300)가 음성 포토레지스트이면 상기 노광 공정에 의해 자외선에 노출된 부분을 제외한 부분이 현상 공정에 의해 제거된다.
도 3d에 도시된 바와 같이, 식각용액을 도포한다(S300). 구체적으로, 포토레지스트(300)의 패턴이 형성되면, 기판(100), 고분자 박막(200) 및 포토레지스트(300) 상에 식각용액(50)을 도포한다.
식각용액(50)은 기판(100) 및 포토레지스트(300)에 대하여 직교성(orthogonality)을 가지는 용액이다. 여기서, 직교성은 서로 독립적인 성질을 가지는 것으로, 기판(100) 및 포토레지스트(300)에 대하여 직교성을 가진 용액은 기판(100) 및 포토레지스트(300)를 녹이지 않는 특성을 가진다. 여기서, 식각용액(50)은 톨루엔(toluene) 및 모노클로로벤젠(monochloro benzene) 등을 포함할 수 있다. 고분자 박막(200)이 식각용액(50)에 의해 식각되면, 물과 같은 세척용액을 이용하여 식각용액(50)을 세척한다.
도 3e 및 도 3f에 도시된 바와 같이, 포토레지스트를 제거한다(S400). 구체적으로, 스트리퍼(stripper)를 이용하여 고분자 박막(200) 상에 있는 포토레지스트(300)를 제거한다.
도 4는 도 1에서 설명한 고분자 박막의 현미경 사진이다.
구체적으로, 도 4의 (a)는 건식 식각(dry etch) 공정에 의해 형성된 고분자 박막의 현미경 사진이다. 또한, 도 4의 (b) 내지 (f)는 제1 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법에 의해 형성된 고분자 박막의 현미경 사진이다. 여기서, 도 4는 언더컷을 확인하기 위해 포토레지스트를 제거하지 않은 상태의 현미경 사진이다.
여기서, 기판(100)은 실리콘 웨이퍼가 사용되었고, 고분자 박막(200)은 유기 반도체인 폴리-3-헥실티오핀(P3HT, Poly-3-HexylThiophene)이 사용되었고, 포토레지스트(300)는 양성 포토레지스트(AZ1512)가 사용되었다. 여기서, 건식 식각(dry etch)은 산소 플라즈마(plasma)를 이용하였고, 습식 식각(wet etch)은 톨루엔을 이용하였다.
먼저 도 4의 좌측 상단에 도시된 (a)는 건식 식각 공정에 의해 형성된 고분자 박막의 현미경 사진이다.
도 4의 (a)를 참조하면, 건식 식각에 의해 형성된 고분자 박막은 산소 플라즈마로 인한 이방성(anisotropic) 식각으로 인해 사각 패턴의 경계부분이 명확하게 식각되었다. 즉, 건식 식각에 의해 형성된 고분자 박막은 언더컷(undercut)이 발생하지 않는다.
도 4의 우측 상단에 도시된 (b)는 제1 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법에 의해 형성된 고분자 박막의 현미경 사진이다. 구체적으로, (b)의 고분자 박막은 상온에서 10초 동안 습식 식각된 고분자 박막이다. 여기서, 톨루엔은 상기 기판 및 상기 포토레지스트를 녹이지 않고, 상기 고분자 박막만을 녹일 수 있는 물질이다.
도 4의 (b)를 참조하면, 상온에서 10초 동안 습식 식각된 고분자 박막은 언더컷에 의해 완전히 용해(solution)된다.
도 4의 좌측 중간에 도시된 (c)는 제1 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법에 의해 형성된 고분자 박막의 현미경 사진이다. 구체적으로, (c)의 고분자 박막은 직경 15um의 원 패턴의 고분자 박막이다.
도 4의 (c)를 참조하면, 직경 15um의 원 패턴의 고분자 박막은 언더컷에 의해 완전히 용해된다. 즉, 제1 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법에 의해 형성된 고분자 박막의 언더컷은 직경 15um 이상일 수 있다.
도 4의 우측 중간에 도시된 (d)는 제1 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법에 의해 형성된 고분자 박막의 현미경 사진이다. 구체적으로, (d)의 고분자 박막은 상온에서 1초 동안 습식 식각된 고분자 박막이다.
도 4의 (d)를 참조하면, 상온에서 1초 동안 습식 식각된 고분자 박막은 사각 패턴의 모서리(edge)에 언더컷이 발생한다.
도 4의 좌측 하단에 도시된 (e)는 제1 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법에 의해 형성된 고분자 박막의 현미경 사진이다. 구체적으로, (e)의 고분자 박막은 0°C에서 1초 동안 습식 식각된 고분자 박막이다.
도 4의 (e)를 참조하면, 0°C에서 1초간 습식 식각 공정에 의해 형성된 고분자 박막은 사각 패턴의 모서리에 소정 길이의 언더컷이 발생한다.
도 4의 우측 하단에 도시된 (f)는 도 4의 (e)에 도시된 고분자 박막을 2.5배 확대한 현미경 사진이다. 도 4의 (f)를 참조하면, 0°C에서 1초간 습식 식각 공정에 의해 형성된 고분자 박막의 언더컷을 정밀하게 측정한 결과 약 15um 정도였다.
이와 같이, 도 4에 도시된 습식 식각에 의해 형성된 고분자 박막들은 언더컷을 줄이기 위해 식각 시간 및 온도를 낮추는 방법을 사용하였음에도 불구하고 건식 식각에 의해 형성된 고분자 박막과 달리 언더컷이 발생하였다.
제1 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법은 식각용액을 세척하는 시간 동안 계속적으로 고분자 박막이 식각된다. 따라서, 식각용액을 세척하는 시간 동안 추가적인 식각으로 인해 언더컷이 발생한다. 이하에서는 상기 내용과 달리 식각용액을 세척하는 시간을 줄임으로 언더컷이 발생하지 않는 제2 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법을 설명하도록 한다.
<제2 실시 형태>
도 5는 제2 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법의 순서를 나타내는 순서도이고, 도 6a 내지 도 6g는 제2 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 제2 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법은 기판, 고분자 박막 및 포토레지스트를 형성하는 제1 단계(S100'), 포토레지스트를 패터닝하는 제2 단계(S200'), 식각용액을 도포하는 제3 단계(S300'), 식각용액을 제거하는 제4 단계(S400') 및 포토레지스트를 제거하는 제5 단계(S500')를 포함한다.
여기서, 제1 단계(S100'), 제2 단계(S200') 및 제3 단계(S300')는 도 3a 내지 도 3d에서 설명한 제1 단계(S100), 제2 단계(S200) 및 제3 단계(S300)와 동일한 단계이기 때문에, 제1 단계(S100'), 제2 단계(S200') 및 제3 단계(S300')의 설명을 생략하도록 한다. 따라서, 이하에서는, 제4 단계(S400') 및 제5 단계(S500')를 설명하도록 한다.
도 5 및 도 6a 내지 도 6g를 참조하여 제2 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법을 상세하게 설명하면, 도 6e 및 도 6f에 도시된 바와 같이, 식각용액을 제거한다(S400'). 구체적으로, 고분자 박막(200)이 소정 시간 동안 식각되거나 또는 고분자 박막(200)이 미리 정한 두께만큼 식각되면, 기판(100)을 기준으로 사선(diagonal line) 방향에서 기체(70)를 분사하여 식각용액(50)을 제거한다. 여기서, 상기 소정 시간은 사용된 고분자 박막의 물질에 따라 달라질 수 있으며, 구체적으로, 고분자 박막(200)의 언더컷이 발생하기 전의 시간일 수 있다. 식각용액(50)이 제거되면, 도 6g와 같이 고분자 박막(200)에 패턴이 형성된다. 여기서, 상기 사선은 기판(100)에 수직이 아닌 선일 수 있다. 여기서, 기체(70)를 기판(100)과 수직이 아닌 방향에서 분사하면 기체(70)를 기판(100)과 수직한 방향에서 분사할 때보다 식각용액(50)을 빠르고 효과적으로 제거할 수 있다.
여기서, 기체(70)는 비활성 기체(inert gas)인 질소(N), 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 제논(Xe) 및 라돈(Rn) 등일 수 있다.
도 6g에 도시된 바와 같이, 포토레지스트를 제거한다(S500'). 구체적으로, 스트리퍼를 이용하여 고분자 박막(200) 상에 있는 포토레지스트(300)를 제거한다.
도 7은 제2 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법에 의해 형성된 고분자 박막의 현미경 사진이다.
구체적으로, 도 7의 (a) 내지 (c)는 제2 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법에 의해 형성된 고분자 박막의 현미경 사진이다. 여기서, 도 7은 언더컷을 확인하기 위해 포토레지스트를 제거하지 않은 상태의 현미경 사진이다.
여기서, 기판(100)은 실리콘 웨이퍼가 사용되었고, 고분자 박막(200)은 유기 반도체인 폴리-3-헥실티오핀(P3HT)이 사용되었고, 포토레지스트(300)는 양성 포토레지스트(AZ1512)가 사용되었다. 여기서, 습식 식각은 톨루엔을 이용하였다.
도 6a 내지 도 6g 및 도 7을 참조하면, 도 7의 좌측 상단에 도시된 (a)는 제2 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법에 의해 형성된 고분자 박막의 현미경 사진이다.
도 7의 (a)를 참조하면, 제2 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법에 의해 형성된 고분자 박막은 도 4의 (e)의 제1 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법에 의해 형성된 고분자 박막보다 언더컷이 적게 발생한다.
도 7의 우측에 도시된 (b)는 도 7의 (a)의 고분자 박막을 2.5배 확대한 현미경 사진이다.
도 7의 (b)를 참조하면, 제2 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법에 의해 형성된 고분자 박막은 언더컷 현상이 발생하지 않는다.
도 7의 좌측 하단에 도시된 (c)는 제2 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법에 의해 형성된 고분자 박막의 현미경 사진이다. 구체적으로, (c)의 고분자 박막은 직경 15um의 원 패턴의 고분자 박막이다.
도 7의 (c)를 참조하면, 제2 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법에 의해 형성된 고분자 박막은 도 4의 (c)의 제1 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법에 의해 형성된 고분자 박막보다 언더컷이 발생하지 않는다.
이와 같이, 제2 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법에 의해 형성된 고분자 박막은 제1 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법에 의해 형성된 고분자 박막보다 식각 용액을 세척(제거)하는 시간이 짧기 때문에 언더컷이 적게 발생하는 이점이 있다.
또한, 제2 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법은 습식 식각을 이용하기 때문에 플라즈마 손상을 주지 않고도 도 4의 (a)의 건식 식각에 의해 형성된 고분자 박막과 유사한 패턴을 형성할 수 있는 이점이 있다.
또한, 제2 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법은 15um의 크기에서도 패턴이 형성될 수 있는 이점이 있다. 여기서, 제2 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법은 리소그래피에 사용되는 광원, 포토레지스트의 두께 및 종류에 따라서 15um 이하의 크기에서도 패턴이 형성될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 형태의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 형태에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 기판 200: 고분자 박막
300: 포토레지스트 400: 마스크

Claims (3)

  1. 광학리소그래피(photolithography)를 이용한 고분자 박막의 패터닝 방법에 있어서,
    기판 상에 고분자 박막을 형성하고, 상기 고분자 박막 상에 포토레지스트(photoresist)를 형성하는 형성단계;
    상기 포토레지스트를 패터닝하는 포토레지스트 패터닝 단계;
    상기 고분자 박막 상에 식각용액을 도포하는 식각용액 도포단계;
    상기 기판을 기준으로 사선(diagonal line) 방향에서 기체를 분사하여 상기 식각용액이 상기 고분자 박막 상에 남지 않도록 제거하는 식각용액 제거단계; 및
    상기 포토레지스트를 제거하는 포토레지스트 제거단계; 를 포함하고, 상기 포토레지스트는 양성(positive) 포토레지스트인, 고분자 박막의 패터닝 방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기체는 비활성 기체인, 고분자 박막의 패터닝 방법.
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