KR101505256B1 - 리소그래픽 시스템의 광학 소자의 조작을 포함하는 리소그래픽 시스템의 작동 방법 - Google Patents

리소그래픽 시스템의 광학 소자의 조작을 포함하는 리소그래픽 시스템의 작동 방법 Download PDF

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Abstract

리소그래픽 시스템 작동 방법에 관한 것이다. 리소그래픽 시스템은 투영 시스템 동공을 통해 이미지 필드에 오브젝트 필드를 투영하는 투영 시스템을 포함하고, 투영 시스템은 투영 시스템 동공에 위치한 광학 소자를 포함하며, 투영 시스템 동공은 정규화된 동공 높이에 대해 광학 소자에 의해 조작가능하다.

Description

리소그래픽 시스템의 광학 소자의 조작을 포함하는 리소그래픽 시스템의 작동 방법{PROCESS OF OPERATING A LITHOGRAPHIC SYSTEM COMPRISING A MANIPULATION OF AN OPTICAL ELEMENT OF THE LITHOGRAPHIC SYSTEM}
본 발명은 리소그래픽 시스템을 작동하는 방법에 관련된다. 뿐만 아니라, 본 발명은 리소그래픽 시스템의 제조 방법에 관련된다. 뿐만 아니라, 본 발명은 상기 제조 방법으로 제조되는 리소그래픽 시스템에 관련된다.
마이크로리소그래피를 위한 투영 노광 시스템, 줄여서 "리소그래픽 시스템"은 고도 정밀 광학 투영 시스템, 줄여서 "투영 시스템"을 포함한다. 이러한 투영 시스템은 렌즈나 미러와 같은 다수의 개별 광학 소자를 포함한다(예컨대, US 20080174858 A1을 비교). 이러한 다수의 광학 소자에 대한 필요성은 주로 큰 오브젝트 필드에 걸친 고해상도 이미징의 수요에 의해 유발된 것이다.
반대로, 더욱 정확하게, 예컨대 45nm 구조체 크기의 해상도로 구조체를 레티클에서 웨이퍼로 투영하는 것이 목적이다. 한계 해상도(resolution limit) R은
Figure 112012095477009-pct00001
에 의해 주어지며,
Figure 112012095477009-pct00002
는 투영광의 파장이고,
Figure 112012095477009-pct00003
는 투영 시스템의 이미지 측에서의 매질의 굴절률
Figure 112012095477009-pct00004
과 이미지 측
Figure 112012095477009-pct00005
에서의 최대 개구각의 사인의 적(product)인 이미지 측의 개구수이다. 상수 k 1은, 한계 해상도 R에 영향을 미치는 다양한 요인들, 예컨대, 웨이퍼에서의 레지스트 특성을 포함하는 방법 요인이다.
반대로, 고처리율에 대한 요구로 인하여, 투영은 가급적 큰 오브젝트 필드의 전체에서 수행되어야 한다.
게다가, 두 요구는, 거의 몇 퍼센트
Figure 112012095477009-pct00006
파면
Figure 112012095477009-pct00007
보다 작은 이미지 수차 및 건식 투영 시스템의 경우, 거의 최소 0.9의 이미지 측 개구수를 갖는, 거의 최소 57.5mm 직경의 오브젝트 필드를 이미징 할 필요성을 보여준다. 여기서,
Figure 112012095477009-pct00008
는 투영 광의 파장, 즉
Figure 112012095477009-pct00009
는 대략적으로 248nm 또는 193.3nm 또는 13.5nm이다.
여기서, "건식 투영 시스템"은 웨이퍼가 위치하는 이미지 플레인의 바로 앞의 가장 마지막 매질로서 기체형 매질을 갖는 투영 시스템으로 이해된다. "습식 투영 시스템"은 이미지 플레인 바로 앞에 가장 마지막 매질로서 액체를 갖는 것이다. 후자는 가장 마지막 매질이 약 1.0의 굴절률 대신 약 1.5의 굴절률을 가지기 때문에, 상응하는 건식 투영 시스템보다 약 1.5배 큰 이미지 측 개구수에 영향을 미친다. 본 발명은 습식(immersion) 투영 시스템의 경우만큼 건식 투영 시스템의 경우에서 사용될 수 있다.
이러한 도전적인(challenging) 투영 시스템을 제공하기 위해서, 해결할 3가지 주요 문제가 있다:
1. 원하는 대형 이미지 플레인, 이미지 측에서의 원하는 큰 개구수 및 원하는 낮은 이미지 수차를 가진 투영 시스템을 위한 광학 설계 발견,
2. 원하는 낮은 이미지 수차가 실제 투영 시스템에 대해서도 유효한 것을 보장하는 광학 구성요소에 대해 이러한 광학 설계를 오류 허용치 내에서 실제 투영 시스템으로 구축,
3. 이러한 실제 투영 시스템을 고객 요구에 맞추어 제작하고, 투영 시스템의 동작 및 이것의 전체 수명 동안 이것의 성능을 보장할 수단을 제공.
이하의 수차의 정의 및 광학 설계상 기타 기술 용어들은 광학 투영 시스템 안내서(Vol. 1, Wiley-VHC, 베를린, 2005)에서 차용되었다.
항목 1을 해결하기 위해, 이러한 광학 설계의 설계자는 오브젝트 필드의 크기 및 이미지 측 개구수에 대한 적정 목표값의 정의로 시작한다. 그 후에, 설계자는 후속 개선점에 대한 시작점으로서 투영 시스템의 기초 설계를 배열하여, 투영 시스템의 전체 이미지 수차를 줄인다.
광학 설계의 이러한 수차를 줄이기 위한 최우선 과제 중 하나는, 오브젝트 필드의 임의의 점의 입사 동공 내 투영 광의 강도의 각도 의존성이 이것의 출사 동공의 각도 의존성에 비례하는 것을 보장하는 소위 "애플러네틱 교정(aplanatic correction)"이다. 다시 말해서, 투영 시스템의 확대는 오브젝트 하이 및 동공 하이에 대해 일정해야 하며, 또한, 더욱 기하학적으로 이야기하면, 투영 시스템은 가급적 오브젝트 필드의 전체에 소위 "사인 조건(sine condition)"을 충족시켜야 한다.
그러나, 사인 조건은 입사 동공을 출사 동공과 관련시키는 요구이다. 투영 시스템의 기타 동공들에 관해 사인 조건을 충족시킬 필요는 없다.
이하에서, 입사 동공 및 출사 동공과 상이한 투영 시스템의 임의의 동공 P는 "투영 시스템 동공"으로 불릴 것이다. 이하에서, 사인 조건이 입사 동공에 관한 고정된 투영 시스템 동공 P에 대해 위반될 수 있다는 점은 "P에 대해 사인 조건에 위배된다"라고도 언급될 수 있다. 이러한 정의에서, 일반적으로 고려중인 관련 투영 시스템의 출사 동공에 대해 사인 조건의 위배가 존재하지 않으므로, 출사 동공은 입사 동공을 대체할 수 있다는 점이 주목된다.
투영 시스템 동공 P에 대한 사인 조건 위배는 투영 시스템 동공 P의 비상수 왜곡에 영향을 끼친다. 더욱 수학적으로 이야기하면, 입사 동공 내 동공 하이 및 출사 동공 내 동공 하이는 선형 함수에 대해 일대 일로 맵핑되지만, 일반적으로, 투영 시스템 동공 P의 동공 하이 r로 입사 동공의 동공 하이
Figure 112012095477009-pct00010
를 맵핑하는 단 하나의 단조(일반적으로 비선형) 함수 관계식
Figure 112012095477009-pct00011
이 존재한다. 그러므로, 투영 시스템 동공 P에 대한 사인 조건 위배는 비선형 함수
Figure 112012095477009-pct00012
로 수량화될 수 있다. 임의의 투영 시스템 동공P에 대해 이것의 동공 높이는 선형 함수에 의해 간격[0,1]에 일 대 일 맵핑될 수 있으므로, 이하에서,
Figure 112012095477009-pct00013
는 [0,1] 그 자신을 맵핑하는 함수, 즉,
Figure 112012095477009-pct00014
로 가정될 수 있으며, 동공 높이는 항상 이하에서 정규화되어, 즉, 간격[0,1]에 의해 파라미터화되고, 줄여서,
Figure 112012095477009-pct00015
은 투영 시스템 동공 P에 대해 사인 조건을 위배하는 것으로 언급된다.
항목 2를 해결하기 위해, 오류 허용치 내에서 투영 시스템을 구축하는 가장 중요한 수단 중 하나는 광학 소자의 표면 형태의 로컬 교정이다. 소위 "이온 빔 피규어링"은 나노미터 범위 내의 광학 소자에 대한 표면 변형을 제공하기에 적절한 연마재 프로파일 성형 기술(abrasive profile shaping technique)이다(예컨대, US 20030174297 A1 및 US 20040042094 A1). 투영 시스템 동공에 제공되는 각 교정 수단이 이미지 높이에서 독립된 출사 동공의 교정을 야기하므로, 투영 시스템의 광학 소자에 대한 이러한 로컬 교정을 제공하기 위한 투영 시스템 내의 최우선 위치는 투영 시스템 동공이다. 그러므로, 이하에서, 고정된 이미지 포인트에 관계없이, "출사 동공"이라는 단어는 교정이 투영 시스템 동공에서 수행될 경우에 사용될 수 있다.
여기서, 투영 시스템 동공 P와 더 가까운 광학 소자와는 상이한, 투영 시스템의 제 2 광학 소자가 없다는 것을 고려했을 때, 투영 시스템의 광학 소자는 "투영 시스템 동공 P에서 위치되는 것", 또는, 줄여서 "투영 시스템 동공 P에" 있는 것으로 기재된다. 광학 소자가 투영 시스템 동공 P에 있으며 그 표면이 광학 소자의 다른 표면보다 더 투영 시스템 동공 P에 가까운 것을 고려했을 때, 광학 소자의 표면은 "투영 시스템 동공 P에" 있는 것으로 기재된다. 이러한 정의는 복수의 광학 소자에 자연스럽게 적용된다: 이 소자들이 투영 시스템의 다른 광학 소자보다 더 가깝다는 것을 고려하면, 광학 시스템의 일련의 광학 소자는 "투영 시스템 동공 P에 위치"한다고 기재된다.
요약하자면, 교정 수단에 의해 오류 허용치를 완화하기 위한 가장 적절한 위치는 투영 시스템 동공이다. 그러나, (2)의 상기 비선형 함수
Figure 112012095477009-pct00016
의 관점에서, 이러한 수단은 방해받지 않는 방식으로 출사 동공을 교정하지 않는데, 예컨대, 투영 시스템 동공에 위치하고 대략 비점수차
Figure 112012095477009-pct00017
(광학 투영 시스템 안내서, Vol. 1, Wiley-VHC, Berlin 2005, section 11.5.4)의 형상을 따르는 광학 소자의 표면 변형은, 더 높은 비점수차 조건
Figure 112012095477009-pct00018
에 의해 동반되는 비점수차
Figure 112012095477009-pct00019
를 구성하는 출사 동공의 변형으로 나타난다.
항목 3을 해결하기 위해, 동작 동안 투영 시스템을 커스터마이즈하기 위한 가장 중요한 수단들 중 하나는 개구 조리개(aperture stop)를 셧다운(shut down)하는, 즉, 투영 시스템 조리개의 직경을 줄이는 것이다. 이것은 감소된 수차에 의해 동반되는 초점 심도를 증가하는데 영향을 미친다. 감수해야 할 단점은 줄어든 해상도이다((1) 참조). 그러나, (2)의 상기 비선형 함수
Figure 112012095477009-pct00020
의 관점에서, 개구 조리개와 이미지 측 개구 사이에는 비선형 관계가 존재한다. 예컨대, 10%의 셧다운은 일반적으로 10% 더 작은 개구를 야기하지 않는다.
그러나, 투영 시스템 동공에 위치한 투영 시스템의 수단 /조각은 이러한 비선형 함수
Figure 112012095477009-pct00021
로 인한 불이익이 있다(suffer from). 이러한 수단은 광학 소자를 구동하거나(예컨대, US 20030063268 A1, US 6191898 B1, US 6104472 참조) 또는 광학 소자의 굴절률의 형상을 변형(예컨대, WO 2008034636 A2, US 5805273, US 20060244940 A1 참조)하는 조작기이다.
다시 요약하면, 일반적으로, 입/출사 동공에 대한 사인 조건의 위배를 최소화할 필요는 다른 투영 시스템 동공 P에 관한 사인 조건
Figure 112012095477009-pct00022
에 대한 심각한 위배를 야기한다. 그러므로, 투영 시스템 동공 P에 위치한 투영 시스템의 수단을 개선하기 위해, 투영 시스템 동공 P에서 사인 조건
Figure 112012095477009-pct00023
에 대한 위배에 관해 이러한 수단을 커스터마이즈할 필요가 있다.
일반적으로, 이러한 수단들은 투영 시스템 동공 P 내의 파면을 조작하는, 줄여서 "시스템 동공 P를 조작하는" 광학 소자들이다. 사인 조건에 대한 위배는 동공 내에서 오직 방사상 구성요소에만 영향을 미치기 때문에, 조작이 방사상 구성요소들에 따라 변화하는 이러한 광학 소자들만이 관심 대상이다. 줄여서, "광학 소자는 그것의 동공 높이에 따라 투영 시스템 동공 P을 조작한다". 예컨대, 투영 시스템 동공 P에 위치한 광학 소자의 표면의 스톱(stop) 또는 변형은 그 동공 높이에 관하여 투영 시스템 동공 P를 조작하고, 투영 시스템 동공 P 내의 동공 높이에 의존하지 않는 전체 파면의 편광 상태를 변경하는 편광 광학 소자는 본 발명의 이점을 취하지 않을 것이다. 일반성의 상실 없이, 동공 높이는 유닛 간격[0,1]에 의해 파라미터화 되는 것으로 정규화될 수 있다.
본 발명의 이하 설명은 리소그래픽 시스템을 작동하는 커스터마이즈된 방법을 제공한다:
설명 1: 리소그래픽 시스템이 투영 시스템 동공 P를 통해 이미지 필드에 오브젝트 필드를 투영하는 투영 시스템을 포함하고, 투영 시스템이 투영 시스템 동공 P에 위치한 광학 소자를 포함하며, 투영 시스템 동공 P는 정규화된 동공 높이r에 관해 광학 소자에 의해 조작가능한 리소그래픽 시스템 작동 방법.
방법은 투영 시스템 동공 P를 통해 이미지 필드에 오브젝트 필드를 투영하는 단계 및 정규화된 동공 높이
Figure 112012095477009-pct00024
에서 출사 동공을 조작하기 위해 정규화된 동공 높이
Figure 112012095477009-pct00025
에서 광학 소자에 의해 투영 시스템 동공 P를 조작하는 단계를 포함한다. 여기서,
Figure 112012095477009-pct00026
은 투영 시스템 동공 P 에 관한 사인 조건
Figure 112012095477009-pct00027
의 위배에 근사한 비선형 함수이다.
여기서, "근사"는 일부 고정된 세트의 함수, 예컨대, 다항식에서, 그리고 일부 고정된 놈(norm), 예컨대 평균제곱근
Figure 112012095477009-pct00028
에 관한 최선의 근사로 이해되어야 한다.
설명 1과 같은 리소그래픽 시스템을 작동하는 방법은 투영 시스템 동공 P에 대한 사인 조건
Figure 112012095477009-pct00029
의 위배를 무시하지 않으며, 이것은 종래 기술의 리소그래픽 시스템의 작동 방법에서도 마찬가지이다.
Figure 112012095477009-pct00030
는
Figure 112012095477009-pct00031
에 근사하여, 상기 방법은 대략적으로 방해받지 않는 동공 높이에서 출사 동공의 조작을 허용한다.
예를 들면 US 6104472 5장 9행에서 투영 시스템 동공 P의 조작은 종종 알바레즈 판(alvarez plate)로 불리는 한 쌍의 유리 평판에 의해 수행된다. US6104472의 제 1 실시예는 다른 광학 특성에 역으로 영향을 미치지 않고(6장, 54째줄 다음 참조), 투영 시스템 동공 P에서 축방향 비점수차를 교정하고자 한다. 그러나, 3차까지 올라가는 다항식의 형태에서 이러한 판들의 비구면은(US6104472의 제 1 실시예 참조), 이러한 고정된 투영 시스템 동공 P에서의 축방향 비점수차의 교정에 영향을 미친다. 일반적으로, 이 고정된 투영 시스템 동공 P와 이미지 포인트의 출사 동공 사이의 동공 왜곡은 더 높은 차수의 비점수차 조건에 역으로 영향을 준다.
설명 2: 비선형 함수
Figure 112012095477009-pct00032
는 다항식
Figure 112012095477009-pct00033
이며, m≤5 또는, 바람직하게 m=2인, 설명 1의 방법.
설명 2와 같은 리소그래픽 시스템을 작동하는 방법은 다항식이 함수를 계산하기 쉬우므로 비선형 함수
Figure 112012095477009-pct00034
를 계산하기 쉽게 한다. 2차 다항식은
Figure 112012095477009-pct00035
의 비선형성을 따르는 최소 요구조건이다. 5차까지 올라가는 높은 차수의 다항식은 그 안에 근사화하는 보다 일반적인 세트의 함수를 제공하고, 이 근사는 2차 다항식의 그것보다 더욱 정확한 것으로 나타난다.
설명 3: 조작가능한 광학 소자는 투영 시스템 개구 조리개이며, 투영 시스템 동공의 조작은
Figure 112012095477009-pct00036
에 비례하여 상기 출사 동공을 조이도록
Figure 112012095477009-pct00037
에 비례하여 상기 조리개를 조임(stop down)에 의해 수행되는 설명 1 또는 설명 2의 방법.
설명 3과 같은 리소그래픽 시스템을 작동하는 방법은,
Figure 112012095477009-pct00038
에 비례하는 조이기는 개구의 제어된, 비례 감소를 나타낸다는 장점을 갖는다.
설명 4: 투영 시스템 동공 P는 출사 동공 내의 파면
Figure 112012095477009-pct00039
을 조작하기 위하여 광학 소자에 의해 조작되고, 이 조작은 유한 서브셋의 제르니케 계수
Figure 112012095477009-pct00040
에 상당히 영향을 미치는, 설명 1 또는 설명 2의 방법.
"상당히"라는 용어의 정의는 동반하는 도면의 설명으로 주어진다.
여기서, 출사 동공의 파면은 계수
Figure 112012095477009-pct00041
를 갖는 제르니케 다항식
Figure 112012095477009-pct00042
의 직교 확장
Figure 112012095477009-pct00043
으로 확장된다(광학 투영 시스템 안내서, Vol.1, Wiley-VHC, Berlin 2005, section 11.5.4).
설명 4와 같은 리소그래픽 시스템을 작동하는 방법은 출사 동공 내에서 제르니케 계수
Figure 112012095477009-pct00044
를 일련의 영향받은 제르니케 계수와 일련의 영향받지 않은 제르니케 계수로 분리시키는 장점을 갖는다. 추가 항에 대한 임의의 유한 세트의 제르니케 계수
Figure 112012095477009-pct00045
의 크로스톡(crosstalk)은 추가 제르니케 계수를 방해하는 부수 동작과 함께 이 유한 세트에 대한 교정 수단을 제공하므로, 이것은 유익하다.
본 발명의 이하의 설명은 리소그래픽 시스템을 제조하는 커스터마이즈된 방법을 제공한다:
설명 5: 리소그래픽 시스템이 투영 시스템 동공 P를 통해 이미지 필드 상에 오브젝트 필드를 투영하는 투영 시스템을 포함하고, 투영 시스템은 투영 시스템 동공P에 위치한 표면을 갖는 광학 소자를 포함하고, 방법은
Figure 112012095477009-pct00046
에 의한 출사 동공의 파면을 교정하기 위해 표면 변형
Figure 112012095477009-pct00047
을 갖는 표면을 제공하는 방법을 포함하며, 여기서
Figure 112012095477009-pct00048
이며
Figure 112012095477009-pct00049
은 정규화된 출사 동공과 정규화된 투영 시스템 동공 P 사이의 사인 조건
Figure 112012095477009-pct00050
의 위배에 근사한 비선형 함수인, 리소그래픽 시스템 제조 방법.
Figure 112012095477009-pct00051
와 같은 표면 변형의 정의는 도면의 설명을 동반하여 주어진다.
설명 5와 같은 리소그래픽 시스템의 제조 방법은, 출사 동공의 파면의 임의의 유한 세트의 제르니케 계수가 추가 계수에 대한 부작용 없이 교정될 수 있다는 것에 영향을 준다. 파면의 오류 허용치는 일반적으로 일부 낮은 단일 제르니케 계수에 의한 것이므로, 이것은 유리하다. 일반적으로, 다른 특별히 높은 계수들은
Figure 112012095477009-pct00052
의 형태로 합산되고(sum up) 이러한
Figure 112012095477009-pct00053
는 단일 허용치에 관계된다. 투영 시스템 동공 P에 관한 사인 조건의 위배를 무시하는 것은, 단일 제르니케 계수의 각 오류 허용치에서
Figure 112012095477009-pct00054
의 상기 오류 허용치로의 크로스톡을 나타낸다. 이것은 임의의 단일 제르니케 계수에 대해 유효하므로, 모든 이러한 크로스톡은 통제 불가능하게 작동할 수 있는 공통 단일 오류 허용치로 끝날 수 있다.
설명 6: 표면 변형은 이온 빔 피규어링(figuring)으로 제공되는, 설명 5의 방법.
설명 6과 같은 리소그래픽 시스템을 제조하는 방법은 투영 시스템 동공 P에 위치한 표면에서 소위 이온 빔 피규어링을 사용한다. 이것은 잘 알려진 기술이다(예컨대, US 2004/0169836 A1 참조). 그러나 US 2004/0169836 A1에서, 요구되는 표면 변형은 측정과 광선 추적으로 계산되고(US 2004/0169836 A1의 [0022] 및 [0023] 참조), 제조될 각각의 단일 투영 시스템에 대해 결정되어야 한다. 사인 조건
Figure 112012095477009-pct00055
에 대한 위배의 근사
Figure 112012095477009-pct00056
는 오직 한 번만 결정되어야 하고, 아프리오리 어셈블링(apriori assembling) 교정 수단이 되는 것으로 이해된다. 그러나, US 2004/0169836 A1는 제조자가 아포스테리오리 어셈블리(aposteriori assembly)인 오류를 정정하도록 한다. 그러므로, 설명 6은 투영 시스템의 제조자가 포스트-어셈블리에서 프리-어셈블리로 이것의 일부를 옮김으로써 어셈블리에 대한 오류 허용치를 완화하도록 한다.
설명 7: 투영 시스템의 이미지 측 개구는 건식 투영 시스템의 경우 0.9보다 크고, 바람직하게는, 0.95보다 크며, 또는 투영 시스템의 이미지 측 개구수는 습식 투영 시스템의 경우 1.35보다 크고, 바람직하게는, 1.425보다 크며, 및/또는 이미지 필드의 직경은 56mm보다 큰, 설명 1 내지 설명 6 중 어느 하나에 따른 방법.
설명 8: 투영 시스템은 반사 굴절형(catadioptric type) 및/또는 습식형(immersion type)인, 설명 1 내지 설명 7 중 어느 하나에 따른 방법.
설명 9: 투영 시스템은 투영 시스템 동공 P에 위치된 2개의 양볼록 렌즈를 포함하는, 설명 1 내지 설명 8 중 어느 하나에 따른 방법.
설명 10: 투영 시스템은 광학축을 가지고, 투영 시스템 동공 P에서의 투영광의 최외각(outermost) 광선이 광학축에 평행한 투영 광의 광선들에 의해 투영이 행해지는, 설명 1 내지 설명 9 중 어느 하나에 따른 방법.
설명 7 내지 10 중 어느 하나에 따른 방법은 시스템 동공이 사인 조건을 위반하는 이러한 투영 시스템을 로컬라이즈(localize)한다.
설명 11: 광학 소자는 렌즈 또는 미러인, 설명 1 내지 설명 10 중 어느 하나에 따른 방법.
설명 1 내지 설명 4 중 어느 하나와 결합된 설명 7 내지 설명 11과 같은 리소그래픽 시스템을 작동 방법 또는 설명 5 또는 설명 6 중 어느 하나와 결합한 설명 7 내지 설명 11과 같은 리소그래픽 시스템의 제조 방법은, 투영 시스템 동공 P에 관한 사인 조건
Figure 112012095477009-pct00057
에 대한 위배를 무시하는 것이 임의의 교정 수단 - 예컨대, 설명 1 내지 설명 4와 같은 조작가능한 광학 소자, 또는 설명 5 또는 설명 5에서 처럼, 투영 시스템 동공 P에 위치한 광학 소자의 변형된 표면 - 의 효율성의 심각한 단점에 영향을 미치는 경우의 투영 시스템을 식별한다.
설명 12: 조작이 광학 소자의 변형, 또는 열 및/또는 냉기의 로딩 또는 광학 소자의 시프트 또는 회전인, 설명 1 내지 설명 4 중 임의의 하나와 같은 리소그래픽 시스템을 작동하는 방법.
설명 1 내지 설명 4 중 임의의 하나와 결합한 설명 12와 같은 리소그래픽 시스템을 작동하는 방법은, 광학 소자가 투영 시스템 동공 P에 위치하고 투영 시스템 동공 P에 대한 사인 조건
Figure 112012095477009-pct00058
의 위배와 관련하여 구동되는 경우에 적은 크로스톡의 이익을 취하는 조작 가능한 광학 소자의 예시를 제공한다.
이러한 조작은 다양한 방식으로 주어질 수 있다: 예컨대, 투영 시스템의 광학축의 방향 광학 소자 구동방법(US20030063268 A1), 광학 축에 대한 직각 방향 광학 소자 구동방법(US6191898 B1), 광학 소자의 굴절형 또는 굴절률 변형 또는 알바레즈 판 구동방법(US 6104472), 렌즈의 굴절률을 변경하기 위하여 전류로 차지될 수 있는 전기 저항 와이어의 그리드를 광학 소자에 제공하는 방법(WO 2008034636 A2), 렌즈 변형 방법(WO 2008037496 A2), 또는 그 형상과 함께 렌즈의 굴절률을 변경하기 위해 적외선으로 렌즈를 차지하는 방법(US 20060244940 A1) 참조.
이하에서, 본 발명은 이하의 실시예와 동반하는 도면들에 관하여 도시될 것이다.
도 1은 리소그래픽 시스템을 도시한다.
도 2는 3개의 투영 시스템 동공을 포함하는 리소그래픽 시스템의 투영 시스템을 도시한다.
도 3은 도 2의 이미지 섹션으로서 제 3 투영 시스템 동공에서의 2개의 렌즈를 도시한다.
도 4는 도 1a의 투영 시스템의 입사 동공의 스폿 다이어그램(spot diagram)을 도시한다.
도 5는 도 1b의 제 1 렌즈의 제 2 표면의 스폿 다이어그램을 도시한다.
도 6은 입사 동공의 정규화된 동공 높이(가로축)의 함수으로서 도 1의 투영 시스템의 제 3 투영 시스템 동공의 정규화된 동공 높이(세로축)를 도시한다.
도 7은 추가 차수에 대한 도 1b의 제 1 렌즈의 제 2 표면상 표면 변형의 크로스톡을 도시한다.
도 8은 본 발명이 사용된 경우 추가 차수에 대한 도 1b의 제 1 렌즈의 제 2 표면 상 표면 변형의 크로스톡을 도시한다.
도 9는 중요한 제르니케 계수 Z28을 갖는 도 1의 투영 시스템의 탈-축 필드 포인트의 출사 동공의 파면을 도시한다.
도 10은 도 5a의 출사 동공의 파면을 야기하기 위해 사인 조건에 관해 교정되는 제 1 투영 시스템 동공의 파면을 도시한다.
도 1은 리소그래픽 시스템(100)을 도시한다. 리소그래픽 시스템(100)은 조명광(102)을 생성하는 광원(101)을 포함한다. 조명광(102)은 조명광 시스템(103)을 통해 준비된 조명광(104)으로 준비된다. 조명광(102)과 준비된 조명광(104) 사이의 가장 중요한 차이점은, 후자가 에텐듀(etendue)를 보인다는 점이다. 조명 시스템(103)은 준비된 조명광(104)으로 오브젝트 필드(105)에 위치한 레티클(미도시)을 조명한다. 레티클(105) 상에 위치한 구조체(미도시)가 준비된 조명광(104)을 회절된 광(106)으로 회절시켜서 회절된 광(106)이 투영 시스템(107)으로 진입한다. 회절된 광(106)은 투영 시스템(107)에 의해 투영된 광(108)으로 투영되어 이미지 필드(109)에 위치된 웨이퍼(미도시)를 노출시킨다.
도 2는 도 1의 리소그래픽 시스템(100)의 투영 시스템(107)을 도시한다. 회절된 광(106)은 오브젝트 필드(105)의 투영 시스템(107)으로 진입하고 투영 시스템(107)의 광학 소자(202)의 제 1 표면에 도착하여, 제 1(203), 제 2(204) 및 제 3 투영 시스템 동공(205)을 통과한다. 입사 동공(미도시)의 최대 동공 높이는 전체 투영 시스템(107)을 통과하는 회절된 광(106)의 최대 광선 각에 해당한다. 더 큰 각을 갖는 광선은, 렌즈들(215, 216) 사이에 위치되는 투영 시스템 조리개(206)에서 멈춰진다. 동공의 정의는 광학 시스템 안내서(Vol. 1, Wiley-VHC, Berlin 2005)와 상이한 것으로 이해된다: 입사 동공은 오브젝트 스페이스로의 투영 시스템 조리개(206)의 이미지, 즉, 투영 시스템 조리개 전에 위치한 투영 시스템의 모든 광학 요소들에 의해 생성된 투영 시스템 조리개의 이미지이다. 도 2에서, 광선은 좌측에서 우측으로 나아간다는 점이 주목된다. 출사 동공은 이미지 스페이스로의 투영 시스템 조리개(206)의 이미지, 즉, 투영 시스템 조리개(206) 뒤에 위치한 투영 시스템의 모든 광학 요소들에 의해 생성된 투영 시스템 조리개의 이미지이다. 더욱 일반적으로, 투영 시스템의 동공은 투영 시스템(107)의 광학 소자의 연속적인 시퀀스에 의해 생성되는 투영 시스템 조리개(206)의 이미지로 정의된다. 투영 시스템 조리개(206)의 실제 이미지인 동공들이 가장 중요하다. 이것들은 입사 동공, 출사 동공 및 투영 시스템 동공이다. 투영 시스템 동공은 (203, 204, 205)에 위치된다. 투영 시스템 동공(205)은 투영 시스템 조리개(206) 그 자체이며, 빈 세트의 광학 소자에 의한 투영 시스템 조리개(206)의 이미지로 이해될 수 있으며, 투영 시스템 동공(204)은 투영 시스템의 2개의 미러(207, 208) 사이에 위치하고 미러(208)와 함께 그룹(213)의 광학 소자에 의해 생성되는 투영 시스템 조리개(206)의 이미지이며, 투영 시스템 동공(205)은 투영 시스템(107)의 렌즈들(210, 211) 사이에 위치하고, 미러들(207, 208)과 함께 그룹들(213, 212)의 광학 소자에 의해 생성된 투영 시스템 조리개(206)의 이미지이다. 입사 동공은 오브젝트 플레인(105)의 좌측에 무한으로 위치하고 미러들(207, 208)과 함께 그룹들(213, 212 및 211)의 광학 요소들에 의해 생성되는 투영 시스템 조리개(206)의 이미지이다. 최종적으로, 출사 동공은 이미지 플레인의 우측에 무한으로 위치되고 그룹(214)의 광학 소자에 의해 생성되는 투영 시스템 조리개(206)의 이미지이다.
도 3은 투영 시스템 조리개(206)의 전후에 위치하는 렌즈들(215, 216)을 도시한다. 이것의 이미지에서의 투영 시스템의 개구수는 1.35이며 이것의 최대 오브젝트 높이는 3.5mm이다. 투영 시스템(107)은, 이미지 필드의 바로 앞의 1.436의 굴절률의 광학 매질을 갖는 습식형이다. 더욱이, 투영 시스템(107)의 배율(magnification)은 -0.25이며, 이로써 투영 시스템(107)의 입사 동공의 가장 큰 동공 높이에서 투영 시스템을 통과하는 회절된 광(106)의 광선(230)의 가장 큰 각은 대략적으로 10.5°인 것이 드러난다. 이 광선은 투영 시스템 조리개(205)에서의 최외각 광선(230)이다. 렌즈들(215, 216)을 통과하는 다른 광선(301)이 도시된다. 투영 시스템(107)의 입사 동공 내에 등거리 동공 높이를 가짐에도 불구하고 이 광선들은 등거리 높이를 보이지 않는다. 이것은 투영 시스템 동공(205)에 관해 사인 조건에 대한 위배를 도시한다.
도 4 및 도 5는 동공 내 광선의 투과점(penetration point)을 도시한다. 도 4는 입사 동공을 도시한다. 이 점은 방사상 좌표에 대해 등거리이다. 도 5는 투영 시스템 동공(205)을 도시한다. 이 점은 방사상 좌표에 대해 등거리가 아니다. 이것은 투영 시스템 동공(205)에 대해 사인 조건에 대한 위배를 도시한다.
도 6의 그래프는 투영 시스템 동공(205)에 관한 사인 조건의 위배를 정량화한다. 가로축은 입사 동공 내 등거리 동공 높이를 파라미터화 한다. 세로축은 투영 시스템 동공(205) 내 등거리 동공 높이를 파라미터화 한다. 양쪽 동공들은 정규화된다, 즉, 이들의 최대 동공 높이는 1이다. 점 그래프는 투영 시스템 동공(205) 내 동일 광선의 동공 높이로 입사 동공 내 등거리 광선의 동공 높이를 맵핑하는 사인 조건
Figure 112012095477009-pct00059
에 대한 위배이다. 점 그래프는 연속 스무스(smooth) 함수로 보간될 수 있다(예컨대, 2등급 스플라인, 도 6의 연속 그래프 참조). 이것은 또한, 예를 들면 5차계 즉,
Figure 112012095477009-pct00060
(미도시)의 다항식에 의해 근사될 수 있다. 명백하게, 사인 조건
Figure 112012095477009-pct00061
그 자신에 대한 위배 뿐만 아니라 보간, 근사는 비선형 함수이다.
도 7은, 본 발명이 이용되지 않을 경우 제르니케 계수의 추가 차수에 대한 크로스톡을 도시한다. 투영 시스템 동공(205)에 위치된 광학 소자(219)의 표면(209)는 제르니케 다항식
Figure 112012095477009-pct00062
의 10 나노미터의 표면 변형으로 제공된다. 더욱 정확하게, 유닛 서클
Figure 112012095477009-pct00063
은
Figure 112012095477009-pct00064
에 의해 주어진다.
유닛 서클
Figure 112012095477009-pct00065
은 최대값 1을 갖는다. 이것의 방사 변수
Figure 112012095477009-pct00066
는 렌즈(219)의 표면(209)의 실제 직경에 비례하여 설정되어야 하며 최대값 1은 10 나노미터의 실제 최대 표면 변형에 비례하여 설정되어야 한다. 이러한 표면 변형이 이온 빔 피규어링과 같은 국부 연마 기술에 의해 제공되는 경우, 유리 물질만이 제거될 수 있으므로 실 최대 표면 변형은 두 배가 되어야 한다.
도 7에서, 투영 시스템의 출사 동공 내 파면 확장의 계수 스펙트럼은 100 계수의 차수까지 상승한 것으로 도시된다. 이러한 스펙트럼은 조작 수단으로서 렌즈 표면(209)의 순수 변형의 광학 효과, 즉 변형된 렌즈 표면(209)을 갖는 투영 시스템의 출사 동공 내 파면의 스펙트럼과 변형을 갖지 않는 투영 시스템의 출사 동공 내 파면의 스펙트럼 간의 차이로 이해된다. 당업자는 49번째 계수에서의 약 2.3나노미터의 강한 피크를 식별할 수 있는데, 이는 투영 시스템 동공(205)에서 렌즈 표면(209)의 표면 변형이 출사 동공의 49번째 제르니케 다항식에도 영향을 준다는 것을 보여준다. 그러나, 한편으로, 49번째 계수의 절대값이 파면의 순수 Z49-변형의 경우 예상되는 것만큼 높지 않다. 즉, 당업자는 약 2.3 나노미터 대신에 약 5.0 나노미터를 예상할 것이다. 반대로, 낮은 차수 Z36, Z25, Z16, Z9 및 Z4 뿐만 아니라 더 높은 차수 Z64, Z81, Z100에 대한 크로스톡이 존재한다. 예를 들면, Z36의 계수는 Z49 자체의 것보다 더 높다. 이러한 강한 크로스톡은 도 6의
Figure 112012095477009-pct00067
와 동일한 투영 시스템 동공(205)에서의 사인 조건
Figure 112012095477009-pct00068
에 대한 위배에 의해 야기된다. 그러므로, 당업자는 출사 동공 내의
Figure 112012095477009-pct00069
의 계수 스펙트럼을 관찰한다. 여기서,
Figure 112012095477009-pct00070
는 함수의 결합으로서 이해되어야 한다.
도 8에서, 동일 계수 스펙트럼이
Figure 112012095477009-pct00071
대신
Figure 112012095477009-pct00072
의 표면 변형으로 도시되고,
Figure 112012095477009-pct00073
은
Figure 112012095477009-pct00074
의 역으로 이해되고,
Figure 112012095477009-pct00075
은 투영 시스템 동공(205)에서 사인 조건
Figure 112012095477009-pct00076
에 대한 위배의 5차까지의 다항식 근사이다. 이러한 경우,
Figure 112012095477009-pct00077
대신
Figure 112012095477009-pct00078
이 출사 동공 내에서 관찰될 수 있으므로, 당업자는 추가 제르니케 계수에 대한 낮은 크로스톡을 관찰할 수 있다.
일반적으로,
Figure 112012095477009-pct00079
가 아닌 임의의 제르니케 다항식에 대해 동일하게 적용된다.
Figure 112012095477009-pct00080
은 유닛 서클 내 방사 변수에만 영향을 미치므로, 당업자는 크로스톡이 동일한 방위 차수(azimuthal order)를 갖는 계수에만 일반적으로 영향을 미치는 것을 관찰할 수 있다. 즉, 방위 차수 m을 갖는 제르니케 다항식의 형태의 변형 역시 방위 차수 m을 갖는 계수에만 영향을 준다. 더욱 도식적으로, 크로스톡은 광학 투영 시스템 안내서(vol. 1, Wiley-VHC, Berlin 2005)의 도 11 내지 도 19의 표의 단일 라인 내에 남는다.
더욱 일반적으로, 광학 소자의 조작은
Figure 112012095477009-pct00081
(3)
일 경우에만 일련의 제르니케 계수
Figure 112012095477009-pct00082
에 "영향을 준다"고 언급되며, 여기서
Figure 112012095477009-pct00083
는 광학 소자가 조작되는 경우 출사 동공의 파면 확장이며
Figure 112012095477009-pct00084
는 광학 소자가 조작되지 않는 경우 출사 동공의 파면 확장이다. 예컨대, 도 7은 광학 소자(219)의 표면(209)의 Z49-변형은 I가 모든 스퀘어 정수로 구성되는 제르니케 계수의 세트에 영향을 미친다는 것을 도시하며, 이는 정확하게 전체 회전 대칭 제르니케 다항식이 조작에 의해 영향을 받는다는 것을 의미한다(광학 투영 시스템 안내서, vol. 1, Wiley-VHC, Berlin 2005 참조).
식 (3)에서 0은 거의 이론적인것이다. 이것을 수량화하기 위해서, 일련의 제르니케 계수
Figure 112012095477009-pct00085
는
Figure 112012095477009-pct00086
(4)
일 경우에만 조작에 의해 "상당히 영향받는"것으로 언급되며, 여기서,
Figure 112012095477009-pct00087
는 (1)에 의해 주어지고 (2)를 유지하는 I의 서브셋이 존재하지 않는다. 즉, 모든 제르니케 계수의 세트는 가장 작은 서브셋 I와 그것의 보수로 나누어서, 보수의 임의의 계수는 I의 임의의 소자의 절대값에서 1%보다 작다. 예컨대, 계수가
Figure 112012095477009-pct00088
로 주어질 경우, 계수의 세트에 상당한 영향은 없다. 도 7의 경우 및 렌즈(219)의 표면(209)의 Z49-변형의 경우, 역시 계수의 세트에 상당한 영향은 없다. 더욱 정확하게, 세트에 유한한 상당한 영향은 없다. 투영 시스템 동공(205)에 대한 사인 조건의 위배가 고려될 경우, 즉, 렌즈(219)의 표면(209)이 형태
Figure 112012095477009-pct00089
에 따라 변형될 경우, 당업자는 도면 8의 스펙트럼을 관찰하며 및 I={49}은 상당히 영향받는 세트이다.
변형 및 더욱 일반적인 조작 수단이 덧붙여질 수 있으므로, 본 발명은, 투영 시스템 동공(205)에 대한 사인 조건의 위배를 고려하여 출사 동공 내 파면의 제르니케 계수의 한정된 세트에 결정적으로 영향을 미치는 수단을 제공한다.
제르니케 다항식의 시스템은 본 발명을 한정하지 않으며 공식 4의 우측 상의 값 0.1에 대해서도 마찬가지이다. 파면이 내부로 확장되는 함수의 임의의 시스템이 본 발명의 이득을 설명하기 위하여 유사한 역할을 할 것이며, 계수의 크로스톡을 정량화하기 위해 0.1이 아닌 값이 사용될 수 있다. 투영 시스템 동공(205) 및 대응 수단에 대한 사인 조건
Figure 112012095477009-pct00090
의 위배를 고려하기 위해,
Figure 112012095477009-pct00091
에 의한 방사 변수
Figure 112012095477009-pct00092
의 변형이 본질이다.
더욱이, 렌즈의 표면의 변형은 본 발명을 도시하기 위한 단순 예시이다. 본 발명은 투영 시스템 내의 임의 투영 시스템 동공에 위치된 임의의 형태의 조작기에 영향을 미치도록 의도된 추가 제르니케 계수에 대한 크로스톡에 대한 대응 수단을 제공한다.
도 9는 US6104472 또는 WO2008034636 A2 또는 WO2008037496 A2 또는 US20060244940 A1(대응 수단의 상세 리스트를 위해 참조)에 설명된 것들 중 하나와 같은 조작 수단(222)으로 생성된 Z28-변형 파면(901)을 도시한다. 이러한 수단은 투영 시스템 동공(203)에 위치될 수 있다. 출사 동공에 이 Z28-변형을 생성하기 위하여, 도 10의 파면(1001)은 시스템 동공(203)에서의 조작 수단(222)에 의해 제공되어야 한다.
WO2008037496 A2와 마찬가지로 변형 수단(222)이 렌즈(210)를 변형하는 경우, 렌즈(210)의 주변에 토크가 제공된다. 파면(1001)의 변형을 제공하기 위하여, 렌즈의 주변의 토크와 힘은 파면(901)과 같은 파면의 변형을 제공하기 위해 제공될 토크와 힘과 관련해 변형되어야 한다.
조작 수단(222)이 US6104472와 마찬가지로 한 쌍의 알바레즈 판(223)으로 구성되는 경우, 당업자는 운동 좌표, 즉
Figure 112012095477009-pct00093
에 관한 프리미티브(primitive)를 계산해야한다. 계산될 프리미티브는 생성될 파면 변형의 프리미티브이다. 본 발명의 이하에서, 당업자는 도 9보다 도 10에 의해 주어진 함수의 프리미티브를 계산해야 한다. 더욱 수학적으로 이야기하자면, 당업자는
Figure 112012095477009-pct00094
의 표면 형태를 갖는 알바레즈 판을 제공해야하며, 여기서
Figure 112012095477009-pct00095
이고
Figure 112012095477009-pct00096
이다. 적분은 수치적으로 계산될 수 있다.

Claims (22)

  1. 리소그래픽 시스템 작동 방법으로서,
    - 상기 리소그래픽 시스템은 투영 시스템 동공(P)을 통해 이미지 필드에 오브젝트 필드를 투영하는 투영 시스템을 포함하고,
    - 상기 투영 시스템은 상기 투영 시스템 동공(P)에 위치한 광학 소자를 포함하며,
    - 상기 투영 시스템 동공(P)은 정규화된 동공 높이 r에 관해 광학 소자에 의해 조작가능하고,
    상기 방법은
    - 상기 투영 시스템 동공(P)을 통해 상기 이미지 필드에 상기 오브젝트 필드를 투영하는 단계; 및
    - 정규화된 동공 높이
    Figure 112014115286732-pct00122
    에서 출사 동공을 조작하기 위해 정규화된 동공 높이
    Figure 112014115286732-pct00123
    에서 광학 소자에 의해 상기 투영 시스템 동공(P)을 조작하는 단계를 포함하며,
    Figure 112014115286732-pct00124
    은 상기 투영 시스템 동공 P 에 관해 사인 조건
    Figure 112014115286732-pct00125
    의 위배에 근사한 비선형 함수인, 리소그래픽 시스템 작동 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    비선형 함수
    Figure 112013117820502-pct00126
    는 다항식
    Figure 112013117820502-pct00127
    이며, m≤5 인, 리소그래픽 시스템 작동 방법.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 광학 소자는 투영 시스템 다이어프램(diaphragm)이고, 조작은
    Figure 112013117820502-pct00128
    에 비례하여 상기 출사 동공을 조이기 위하여,
    Figure 112013117820502-pct00129
    에 비례하여 상기 다이어프램을 조이는(stop down), 리소그래픽 시스템 작동 방법.
  4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 투영 시스템 동공(P)은 출사 동공내의 파면을
    Figure 112014115286732-pct00130
    으로 조작하기 위하여 광학 소자에 의해 조작되고, 상기 조작은 유한 서브셋의 제르니케 계수
    Figure 112014115286732-pct00131
    에 영향을 미치는, 리소그래픽 시스템 작동 방법.
  5. 청구항 2에 있어서,
    상기 m은 2인, 리소그래픽 시스템 작동 방법.
  6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 투영 시스템의 이미지 측 개구수는 건식 투영 시스템의 경우 0.9 이상이고, 또는 상기 투영 시스템의 상기 이미지 측 개구수는 이머전 형(immersion type) 투영 시스템의 경우 1.35 이상이고, 및/또는 상기 이미지 필드의 직경은 56mm 이상인, 리소그래픽 시스템 작동 방법.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 투영 시스템의 이미지 측 개구수는 건식 투영 시스템의 경우 0.95 이상이며, 또는 상기 투영 시스템의 상기 이미지 측 개구수는 이머전 형(immersion type) 투영 시스템의 경우 1.425 이상인, 리소그래픽 시스템 작동 방법.
  8. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 투영 시스템은 반사 굴절형(catadioptric type) 및/또는 이머전 형(immersion type)인, 리소그래픽 시스템 작동 방법.
  9. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 투영 시스템은 상기 투영 시스템 동공(P)에 위치된 2개의 양볼록 렌즈를 포함하는, 리소그래픽 시스템 작동 방법.
  10. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 투영 시스템은 광학축을 가지고, 상기 투영 시스템 동공(P)에서의 투영광의 최외각(outermost) 광선이 상기 광학축에 평행한 투영광의 광선들에 의해 상기 투영이 행해지는, 리소그래픽 시스템 작동 방법.
  11. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 광학 소자는 렌즈 또는 미러인, 리소그래픽 시스템 작동 방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 조작이 상기 광학 소자의 변형, 또는 열 및/또는 냉기의 로딩 또는 광학 소자의 시프트 또는 회전인, 리소그래픽 시스템 작동 방법.
  13. 리소그래픽 시스템 제조 방법으로서,
    - 상기 리소그래픽 시스템은 투영 시스템 동공(P)을 통해 이미지 필드 상에 오브젝트 필드를 투영하는 투영 시스템을 포함하고,
    - 상기 투영 시스템은 상기 투영 시스템 동공(P)에 위치한 표면을 갖는 광학 소자를 포함하고,
    상기 방법은
    출사 동공의 파면을
    Figure 112013117820502-pct00132
    으로 교정하기 위해 표면에 표면 변형
    Figure 112013117820502-pct00133
    을 제공하는 단계를 포함하며,
    여기서,
    Figure 112013117820502-pct00134
    이며
    Figure 112013117820502-pct00135
    은 출사 동공과 투영 시스템 동공(P) 사이의 사인 조건
    Figure 112013117820502-pct00136
    의 위배에 근사한 비선형 함수인, 리소그래픽 시스템 제조 방법.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 표면 변형은 이온 빔 피규어링(figuring)으로 제공되는, 리소그래픽 시스템 제조 방법.
  15. 청구항 13 또는 청구항 14에 있어서,
    상기 투영 시스템의 이미지 측 개구수는 건식 투영 시스템의 경우 0.9 이상이고, 또는 상기 투영 시스템의 상기 이미지 측 개구수는 이머전 형(immersion type) 투영 시스템의 경우 1.35 이상이고, 및/또는 상기 이미지 필드의 직경은 56mm 이상인, 리소그래픽 시스템 제조 방법.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 투영 시스템의 이미지 측 개구수는 건식 투영 시스템의 경우 0.95 이상이며, 또는 상기 투영 시스템의 상기 이미지 측 개구수는 이머전 형(immersion type) 투영 시스템의 경우 1.425 이상인, 리소그래픽 시스템 제조 방법.
  17. 청구항 13 또는 청구항 14에 있어서,
    상기 투영 시스템은 반사 굴절형(catadioptric type) 및/또는 이머전 형(immersion type)인, 리소그래픽 시스템 제조 방법.
  18. 청구항 13 또는 청구항 14에 있어서,
    상기 투영 시스템은 상기 투영 시스템 동공(P)에 위치된 2개의 양볼록 렌즈를 포함하는, 리소그래픽 시스템 제조 방법.
  19. 청구항 13 또는 청구항 14에 있어서,
    상기 투영 시스템은 광학축을 가지고, 상기 투영 시스템 동공(P)에서의 투영광의 최외각(outermost) 광선이 상기 광학축에 평행한 투영광의 광선들에 의해 상기 투영이 행해지는, 리소그래픽 시스템 제조 방법.
  20. 청구항 13 또는 청구항 14에 있어서,
    상기 광학 소자는 렌즈 또는 미러인, 리소그래픽 시스템 제조 방법.
  21. 청구항 20에 있어서,
    상기 투영 시스템 동공(P)은 정규화된 동공 높이 r에 관해 광학 소자에 의해 조작되고,
    상기 조작이 상기 광학 소자의 변형, 또는 열 및/또는 냉기의 로딩 또는 광학 소자의 시프트 또는 회전인, 리소그래픽 시스템 제조 방법.
  22. 청구항 13 또는 청구항 14에 따른 방법에 의해 제조되는 리소그래픽 시스템.
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