KR101493838B1 - 광발광 측정 및 이미징 장치 - Google Patents

광발광 측정 및 이미징 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101493838B1
KR101493838B1 KR20130144719A KR20130144719A KR101493838B1 KR 101493838 B1 KR101493838 B1 KR 101493838B1 KR 20130144719 A KR20130144719 A KR 20130144719A KR 20130144719 A KR20130144719 A KR 20130144719A KR 101493838 B1 KR101493838 B1 KR 101493838B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
sample
photoluminescence
detector
reflected
Prior art date
Application number
KR20130144719A
Other languages
English (en)
Inventor
조문호
이동훈
성지호
Original Assignee
포항공과대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 포항공과대학교 산학협력단 filed Critical 포항공과대학교 산학협력단
Priority to KR20130144719A priority Critical patent/KR101493838B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101493838B1 publication Critical patent/KR101493838B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • G01N1/42—Low-temperature sample treatment, e.g. cryofixation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/55—Specular reflectivity
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/06—Illumination; Optics
    • G01N2201/061—Sources
    • G01N2201/06113—Coherent sources; lasers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/06—Illumination; Optics
    • G01N2201/068—Optics, miscellaneous

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)

Abstract

본 발명은 상온과 저온에서 시료에 레이저의 입사위치를 연속적으로 변화시켜가면서 광발광 및 반사광을 검출하여 광발광 이미지와 반사 이미지를 얻을 수 있는 것을 특징으로 하는 광발광을 측정하고 이미징하는 장치 및 방법에 관한 것이다.

Description

광발광 측정 및 이미징 장치{Microscopy Scanning Photoluminescence.}
본 발명은 저온 및 상온에서 샘플을 이미징하는 기술로 회절한계까지 집속된 레이저를 이용하여 마이크로미터 이하의 해상도를 가지는 국소부위 광발광 측정 및 이미징 장치에 관한 것이다.
이미징 기술로는 STM(Scanning Tunneling Microscope), AFM(Atomic force microscopy), TEM(Transmission electron microscopy)가 사용되어 왔다. 이중 STM은 시료 표면에 전자를 쏘아준 후, 전자가 터널링을 일으키는 현상으로부터 시료의 구조를 알아내는 현미경이다. 전자가 파동성을 띠며 시료를 통과하는 현상을 터널링이라 하는데, 이러한 터널링 현상은 전자를 쏘아주는 위치와 시료가 놓여있는 위치의 거리가 가까울수록 잘 일어난다. 즉 시료의 표면 중 탐침과 가까이 있는 부분에서는 터널링을 일으킨 전자가 발견된 확률이 높고, 거리가 먼 부분은 터널링을 일으킨 전자를 발견할 확률이 낮다. 따라서 터널링 정도를 통해 시료 각 부분의 미세한 위치를 파악할 수 있는 것이다. 이렇게 주사터널링현미경을 이용하면 시료의 미세한 표면 구조를 알아낼 수 있다.
AFM은 STM에서는 전기 도체표면의 원자상에서 밖에 측정할 수 없었기 때문에 고안된 장치이다. 절연물의 미세한 탐침을 절연물 표면에 원자의 크기까지 근접시키면 양자의 원자간에 힘이 작용한다. 탐침을 캔틸레버(Cantilever ; 외팔보)의 끝에 매달아 놓고, 캔틸레버의 도중에 도전체의 작은 바늘을 달아 터널전류를 측정하든가, 광연자의 반사광의 편향을 검출하여 원자간의 힘을 측정하여 표면의 원자상을 측정한다.
TEM은 전자현미경 중에서 전자선을 집속하여 시료에 조사하여 시료를 투과한 전자선을 전자렌즈에 의해 확대하여 상을 얻는 것을 말한다. 시료 중을 전자가 통과하기 때문에 시료를 얇게 하거나, 시료 표면의 관찰에는 박막이나 레프리커를 이용한다.
하지만 STM과 AFM은 이미징을 하는데 걸리는 시간이 길어서 많은 수의 물질이나 대면적의 물질을 분석하는데 한계가 있다. 또한 TEM이나 STM의 경우 물질에 대한 많은 정보를 알려주기는 하나 샘플을 준비하는 것이 복잡하고 준비과정에서 물질에 데미지를 줄 수 있는 가능성이 있다.
이에 레이저를 이용한 이미징 기술의 중요성이 높아지고 있다. 레이저를 이용한 스캐닝은 이미징을 빨리 할 수 있기 때문에 대면적의 이미징을 가능하게 하고 샘플의 준비과정이 복잡하지 않으며 샘플에 데미지를 거의 주지 않으면서 파장을 조절하여 분광학적인 분석이 가능하다는 장점이 있기 때문이다.
대한민국 등록특허공보 등록번호 제 10-0918434는 구조가 간단하고 진공도가 향상된 주사광학현미경에 관한 것으로, 시료홀더를 구비하는 주사전자현미경 본체; 상기 주사전자현미경 본체에 상기 시료홀더에 대해 수직하게 설치되어 상기 시료홀더와 마주하며, 전자선을 가속 방출하는 전자총부와 상기 전자선을 상기 시료홀더로 안내하여 주사하는 경통부를 가지는 전자광학유닛; 상기 전자광학유닛과 나란하게 상기 주사전자현미경 본체 내부에 설치되어 상기 전자총부와 수평하게 직접 연결되는 진공펌프; 및 상기 주사전자현미경 본체의 내부에 설치되어 상기 전자광학유닛을 제어하는 제어부;를 포함하며, 상기 시료홀더는 상기 주사전자현미경 본체의 전면 하부에 외부로 개방 가능하게 설치되고, 상기 제어부는 상기 전자광학유닛과 진공펌프를 사이에 두고 상기 전면과 마주하는 상기 주사전자현미경 본체의 후면에 설치되는 주사전자현미경이다. 제어부가 주사전자현미경 본체와 구획되어 별도로 설치되지 않고 주사현미경본체 내부에 설치됨으로써 구조가 간단한 주사전자현미경을 제공할 수 있는 장점이 있다. 하지만 이미징을 하는데 걸리는 시간이 길어서 많은 수의 물질이나 대면적의 물질을 분석하는데 한계가 있고, 물질에 대한 많은 정보를 알려주기는 하나 샘플을 준비하는 것이 복잡하고 준비과정에서 물질에 데미지를 줄 수 있는 가능성이 있다.
종래기술은 이미징을 하는데 걸리는 시간이 길어서 많은 수의 물질이나 대면적의 물질을 분석하는데 한계가 있고 샘플을 준비하는 것이 복잡하고 준비과정에서 물질에 데미지를 줄 수 있는 가능성이 있어 이에 대한 개선이 요구되고 있다. 따라서 이미징 기술로서 샘플의 준비과정이 복잡하지 않으며 샘플에 데미지를 거의 주지 않으면서 파장을 조절하여 분광학적인 분석이 가능하며, 대면적의 이미징을 할 수 있는 광발광 측정장치 및 이미징 장치의 개발이 요구된다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해서 광원을 레이저로 사용하였고, 신속한 대면적의 이미징을 위해서 레이저가 샘플에 입사되는 입사위치를 스캐닝이동을 해가면서 광발광과 반사 빛의 세기를 측정하여 이로부터 광발광 이미지 및 반사 이미지를 얻게 되었다. 또한 본 발명은 상온 및 저온에서의 측정이 모두 가능한데, 상온에서의 측정에서는 피에조 스테이지를 사용하여 스테이지를 X-Y 방향으로 이동함으로써 스캐닝 이동에 의한 측정을 가능하게 하였고, 저온에서의 측정은 크라이오스탯을 사용하여 저온을 유지하게 하고, 이 경우 피에조 스테이지의 사용이 가능하지 않으므로 2D-스캐닝 미러를 사용하여 샘플은 고정시킨채 빛의 입사위치가 변함으로써 스캐닝 측정이 가능하게 하였다. 광원은 단파장 레이저를 사용할 수도 있고 또한 초연속 레이저를 사용하여 특정 파장을 선택하는 것도 가능하다. 따라서 샘플을 준비하는 과정이 복잡하지 않아 샘플에 데미지를 거의 주지 않으며, 파장을 조절하면서 분광학적인 분석이 가능하게 되고, 스캐닝 측정을 통한 신속한 대면적의 이미징을 할 수 있게 된다.
본 발명은 초연속 레이저(supercontinuum laser) 및 단색화 장치(monochromator)를 사용하여 400~2000nm 사이의 파장대에서 특정 파장을 선택하는 것이 가능하여 필요에 따라 파장을 변화시킬 수 있고 이를 통한 물질의 분광학적인 정보를 동시에 얻을 수 있다.
상온에서의 측정은 평면방향으로 100nm 이하의 분해능을 가지는 피에조 스테이지(Piezo stage)를 사용하여 스테이지를 이동하면서 스캐닝 이미징을 할 수 있기 때문에 대면적의 이미징을 가능하게 한다.
저온에서의 측정은 2D 스캐닝 거울을 사용하여 입사되는 빛이 스테이지를 이동하면서 스캐닝 이미징을 할 수 있기 때문에 대면적의 이미징을 가능하게 하고, 샘플의 준비과정이 복잡하지 않기 때문에 데미지를 주지 않으면서 분광학적인 분석이 가능하다는 장점이 있다.
광발광 이미지는 물질마다 다른 파장의 빛을 방출하는 특성을 이용하는 것이고, 반사이미지는 레이저를 반사하는 특성을 이용한 것인데, 광발광이미지와 반사이미지를 동시에 얻음으로써 기판위에서 물질의 위치와 방출된 빛의 위치를 매칭 할 수 있는 장점이 있다.
저온 또는 상온에서의 측정이 가능하고, 광발광 이미지와 반사 이미지를 스캐닝하면서 대면적으로 신속하게 얻을 수 있고, 다양한 파장을 사용하여 분광적인 정보를 얻을 수 있으며, 샘플 준비과정이 복잡하지 않는 효과가 있다.
물질의 국소적인 광발광 특성을 마이크로 미터 이하의 분해능을 가지는 집속된 빛을 이용하여 이미징할 수 있고, 반사된 빛의 세기를 동시에 측정하여 빛 반사에 대한 이미징을 하고 이를 통해 물질의 위치를 정확하게 파악할 수 있게 된다.
도 1은 본 발명인 광발광을 측정하고 이미징하는 장치의 일실시예를 나타내는 구성도이다.
도 2는 본 발명인 광발광을 측정하고 이미징하는 장치의 일실시예를 나타내는 구성도이다.
도 3은 (a)렌즈 페어가 없는 경우와 (b)렌즈페어가 있는 경우에 스캐닝 거울에 의해 어느 만큼 deflect되는지를 보여 주는 모식도이다.
도 4는 렌즈 페어로 빛의 직경을 조절하는 원리를 보여주는 모식도이다.
도 5는 빛의 직경에 따른 스캔할 수 있는 길이의 변화를 보여주는 모식도이다.
도 6은 본 발명인 광발광을 측정하고 이미징하는 장치로 측정한 (A) 파장에 따른 광발광 데이터, (B) 광발광 이미지, (C) 반사 이미지이다.
도 7은 본 발명인 광발광을 측정하고 이미징하는 방법을 단계별로 나타낸 순서도이다.
본 발명인 광발광을 측정하고 이미징하는 장치 및 방법의 일실시예를 하기 첨부된 도면을 참조하여 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명인 광발광을 측정하고 이미징하는 장치의 일실시예를 나타내는 구성도로서, 광발광을 측정하고 이미징하는 장치는 이미징하기 위한 시료를 배치하는 스테이지(600); 상기 시료로 빛을 조사하기 위한 광원(100); 반사 이미지를 얻기 위해 시료 표면에서 반사된 빛을 검출하는 반사광 검출기(400); 광발광 이미지를 얻기 위해 시료가 발광하는 빛을 검출하는 광발광 검출기(500); 상기 광원(100), 스테이지(600), 반사광 검출기(400), 광발광 검출기(500) 사이에 위치하여 상기 광원(100)에서 발생한 빛이 상기 스테이지(600) 상에 배치된 시료에 도달하고, 상기 시료에서 반사 또는 발광된 빛이 상기 반사광 검출기(400) 또는 광발광 검출기(500)에 도달할 수 있도록 빛의 경로를 사용자의 목적에 따라 조절하는 것이 가능하도록 하는 광경로 조절부(200);를 포함하여 구성되고, 상기 광발광 검출기(500)는 상기 시료에서 발광하는 빛을 파장에 따라 분해하는 분광기(510); 상기 분광기를 거친 빛을 파장에 따른 빛의 세기를 검출하는 광발광 디텍터(550);를 포함하여 구성하게 된다. 이때, 상기 분광기(510)를 거친 빛은 파장에 따라 상기 광발광 디텍터(550)에 도달되는 위치가 다르고, 상기 시료에서 발광한 빛의 파장은 광원에서 발생한 빛의 파장보다 길다는 원리를 이용하여 발광된 빛만을 검출하게 되고, 상기 광원(100)이 고정된 상태에서 상기 스테이지(600)의 이동을 이용하여 시료의 측정위치를 변화시킬 수 있다.
상기 스테이지(600)의 X 방향 또는 Y 방향의 이동을 조절하여, 동일한 광원의 위치에서 시료에 입사되는 빛의 위치를 연속적으로 변화시킴으로써, 시료에 대해 연속적인 광발광 또는 반사 이미지를 측정할 수 있다. 상기 스테이지(600)는 수직(Z-방향)으로 이동이 가능한 하부 스테이지, 상기 하부 스테이지 위에 수평 방향으로 이동이 가능한 X-Y 스캐닝 피에조 스테이지를 포함하여 구성될 수 있다. 상기 X-Y 스캐닝 피에조 스테이지(piezo-stage)는 가로 및 세로 방향(X-Y방향)으로 100nm 간격으로 움직일 수 있는데, 컴퓨터상의 프로그램의 명령에 따라 움직이게 된다.
상기 광경로 조절부(200)는 레이저 빛의 직경을 크게 만드는 빔 익스팬더(230), 분광 조성을 변경하지 않고 감광하는 ND 필터(210), 빛의 일부는 통과시키고 일부는 반사하여 광선속을 둘로 나누는 빔 스플리터(220), 빛을 반사하여 빛의 경로를 원하는 방향으로 조절하는 거울,선형 편광된 빛의 편광방향을 바꾸는 웨이브 플레이트, 빛을 상기 시료에 집광시키는 대물렌즈(270) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하여 구성된다. 도 1에서 광경로 조절부는 일실시예를 보여주는 것으로서 본 실시예로 제한되지 않음은 물론이고, 사용자의 목적에 맞게 광경로 조절부를 구성하여 사용하는 것이 가능할 것이다.
빔스플리터(220)는 언마운티드 빔스플리터(unmounted beam splitter)를 사용하는 것이 바람직한데 본 실시예로 제한되지 않음은 물론이고, 상기 언마운티드 빔스플리터(unmounted beam splitter)는 레이저의 파장에 따라 최소의 광손실(optical loss)를 가지는 것을 선택적으로 장착할 수 있다.
대물렌즈(270)는 대물렌즈의 색수차를 없애기 위해 리플렉티브 대물렌지(reflective objective lens)를 사용하는 것이 바람직하나 본 실시예로 제한되지 않음은 물론이다.
도 2는 본 발명인 광발광을 측정하고 이미징하는 장치의 일실시예를 나타내는 구성도로서, 저온에서 광발광을 측정하고 이미징하는 장치는 시료를 저온 상태로 유지하기 위한 저온 챔버(300); 상기 시료로 빛을 조사하기 위한 광원(100); 반사 이미지를 얻기 위해 시료 표면에서 반사된 빛을 검출하는 반사광 검출기(400); 광발광 이미지를 얻기 위해 시료가 발광하는 빛을 검출하는 광발광 검출기(500); 상기 광원(100), 스테이지(600), 반사광 검출기(400), 광발광 검출기(500) 사이에 위치하여 상기 광원(100)에서 발생한 빛이 상기 스테이지(600) 상에 배치된 시료에 도달하고, 상기 시료에서 반사 또는 발광된 빛이 상기 반사광 검출기(400) 또는 광발광 검출기(500)에 도달할 수 있도록 빛의 경로를 사용자의 목적에 따라 조절하는 것이 가능하도록 하는 광경로 조절부(200);를 포함하여 구성되고,상기 광발광 검출기(500)는 상기 시료에서 발광하는 빛을 파장에 따라 분해하는 분광기(510);상기 분광기(510)를 거친 빛을 파장에 따른 빛의 세기를 검출하는 광발광 디텍터(550);를 포함하여 구성된다.
상기 분광기(510)를 거친 빛은 파장에 따라 상기 광발광 디텍터(550)에 도달되는 위치가 다르고, 상기 시료에서 발광한 빛의 파장은 광원(100)에서 발생한 빛의 파장보다 길다는 원리를 이용하여 발광된 빛만을 검출하게 된다.
상기 시료와 광원의 위치는 고정된 상태에서, 상기 광경로 조절부(200)만을 이용하여 시료의 측정위치를 변화시킬 수 있어 시료에 빛의 입사위치를 연속적으로 변화시키면서 광발광 또는 반사광을 검출하고 이를 데이터화하여 광발광 이미지와 반사 이미지를 얻을 수 있다.
저온 챔버(300)는 대물렌즈(270)와 마주보는 상부에 빛이 입사할 수 있도록 형성된 윈도우, 상기 시료가 저온 챔버 내부에 위치할 수 있는 스테이지(600), 액화기체를 순환시켜 저온을 유지하는 냉각부를 포함하여 구성된다. 액화기체는 액체 헬륨 또는 액체 질소를 사용할 수 있고, 5~475K 까지 온도 범위를 조절할 수 있다.
따라서, 상기 저온 챔버(300)는 내부에 위치한 샘플을 5~475K의 저온 상태로 유지할 수 있다. 이 때, 저온챔버로 크라이오스탯을 사용할 수 있으나 이로 제한되지 않음은 물론이다.
광경로 조절부(200)는 분광 조성을 변경하지 않고 감광하는 ND 필터(210), 빛을 반사하여 빛의 경로를 원하는 방향으로 조절하는 거울(260), 빛의 일부는 통과시키고 일부는 반사하여 광선속을 둘로 나눈는 빔 스플리터(220), 레이저 빛의 직경을 조절하고, 상기 시료에서 반사된 빛의 굴절을 작게 만들어 상기 반사된 빛이 상기 포토 디텍터에 모두 들어갈 수 있게 하는 렌즈 페어(250), 상기 시료에 입사되는 빛의 입사위치를 X 방향 또는 Y 방향으로 변화시켜 시료를 스캐닝하기 위한 2D 스캐닝 거울(240), 빛을 상기 시료에 집광시키는 대물렌즈(270) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하여 구성된다.
2D 스캐닝 거울(240)은 상기 시료에 입사되는 빛의 입사위치를 X축 방향으로 움직이는 제 1 거울과 Y축 방향으로 움직이는 제 2 거울을 포함하여 구성되고, 상기 거울을 회전함으로써 상기 시료에 입사되는 빛이 X 방향 또는 Y 방향으로 입사 위치가 변화게 되고, 상기 제 1 거울 또는 제 2 거울의 회전각도를 조절하여 시료에 입사되는 빛의 위치를 연속적으로 변화시킴으로써, 시료에 대해 연속적인 광발광 또는 반사광을 측정할 수 있게 된다. 저온에서는 피에조 스테이지를 사용할 수 없기 때문에 2D 스캐닝 거울(240)을 통해 빛의 입사위치를 변화시키는 것이다. 2D 스크린 거울(240)의 회전은 인가되는 전압의 크기에 비례하여 회전하게 되고, 인가되는 전압은 전자제어장치로 조절하게 되어 자동으로 거울의 회전이 이루어지고, 빛의 입사위치를 조절하게 된다.
저온챔버(300)를 사용하는 경우에는 저온챔버가 고정되어 있기 때문에, Z축 방향의 이동이 가능한 대물렌즈(270)를 사용하게 된다.
광원(100)은 450~2000nm의 파장을 가지는 초연속 레이저(supercontinuum laser), 405nm CW 레이저(continuous wave laser), 532nm CW 레이저(continuous wave laser) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하여 사용할 수 있다. 상기 광원(100)이 초연속 레이저(supercontinuum laser)인 경우에는 450~2000nm의 파장 중에서 특정 파장을 선택하기 위한 단색화 장치(monochromator)와 편광판(polaizer)을 더 포함하여 구성할 수 있다.
도 3은 (a)렌즈 페어가 없는 경우와 (b)렌즈 페어가 있는 경우에 스캐닝 거울에 의해 어느 만큼 deflect되는지를 보여 주는 모식도이다. 렌즈 페어(250)가 있음으로 인해 샘플에서 반사되는 빛이 2D 스캐닝 거울(240)을 통과할 때 deflect가 확연히 줄어들게 됨을 확인할 수 있고, 렌즈 페어(250)는 반사되는 빛이 반사광 검출기로 모두 도달할 수 있도록 하는 역할을 수행하게 된다.
도 4는 렌즈 페어로 빛의 직경을 조절하는 원리를 보여주는 모식도로서, 렌즈 페어(250)를 사용하여 빛의 직경을 자유자재로 조절하는 것이 가능하다.
도 5는 빛의 직경에 따른 스캔할 수 있는 길이의 변화를 보여주는 모식도로서, 빛의 직경을 크게 하는 경우 스캔할 수 있는 길이가 줄어든다는 것에 주의할 필요가 있다.
도 6은 본 발명인 광발광을 측정하고 이미징하는 장치로 측정한 (A) 파장에 따른 광발광 데이터, (B) 광발광 이미지, (C) 반사 이미지이다. 광발광 이미지와 반사 이미지를 동시에 얻음으로써 기판 위에서 물질의 위치와 방출된 빛의 위치 매칭 할 수 있어서 물질의 어떤 영역(부분)에서 어떠한 파장의 빛을 방출하는지를 알아낼 수가 있다.
반사광 검출기는 포토다이오드를 사용할 수 있다. 규소 포토다이오드, 게르마늄 포토다이오드를 사용할 수 있는데 이로 제한되지 않음은 물론이다.
광발광 디텍터는 CCD 카메라 또는 IR 디텍터 중에서 적어도 어느 하나를 포함하여 구성할 수 있다. 가시광선에서 적외선 영역의 빛까지 검출하는 것이 가능하고, CCD 카메라와 IR 디텍터를 동시에 포함하여 구성하는 경우에는 빛의 파장에 따라서 거울을 사용하여 CCD 카메라 또는 IR 디텍터로 빛이 도달하는 경로를 조정하게 된다.
도 7은 본 발명인 광발광을 측정하고 이미징하는 방법을 단계별로 나타낸 순서도이다. 광발광을 측정하고 이미징하는 방법은 (i)광원(100)에서 빛을 발생시키는 단계; (ii)상기 빛이 광경로 조절부(200)를 통과하여 시료에 도달하는 단계; (iii)상기 빛의 일부가 시료의 표면에서 반사되는 단계; (iv)상기 빛의 일부가 시료에 흡수되어 시료가 발광하는 단계; (v)상기 시료의 표면에서 반사된 빛이 광경로 조절부(200)를 통하여 반사광 검출기(400)에 도달하고, 상기 반사광 검출기(400)에서 상기 반사된 빛을 검출하는 단계; (vi) 상기 시료가 발광하는 빛이 광경로 조절부(200)를 통하여 광발광 검출기(500)에 도달하고, 상기 광발광 검출기(500)에서 상기 발광한 빛을 검출하는 단계; (vii) 상기 시료의 서로 다른 복수개의 위치에서 상기 (i)~(vi) 단계를 복수회 반복 실시하여 연속적으로 광발광 또는 반사된 빛을 검출하여 이를 데이터화하여 광발광 이미지 또는 반사 이미지를 얻는 단계;를 포함하여 이루어진다.
상온에서 광발광을 측정하고 이미징하는 경우에는 상기 (vii) 단계의 상기 서로 다른 복수개의 위치는 광원(100)의 이동 또는 광원(100)의 이동 없이 피에조 스테이지의 이동만을 조절함으로써, 시료의 측정위치를 변화시켜 결정되게 된다. 피에조 스테이지는 100nm 간격으로 X-Y 방향으로 움직이는데, 피에조 스테이지는 메카니컬 스테이지보다 기계적으로 좋은 해상도를 가지고 있다. 컴퓨터와 연결되어 있어 프로그램을 통하여 피에조 스테이지를 움직이는 명령을 할 수 있다. 상온에서 측정하는 경우에는 2D 스캐닝 거울(240)을 사용하는 것이 물론 가능하다. 하지만 2D 스캐닝 거울(240)을 사용하는 경우에는 피에조 스테이지를 사용할 때와는 달리 고정된 스테이지 상의 샘플에서 빛이 입사되는 위치를 변화시키는 것이어서, 빛이 기판에 수직으로 입사하지 않는 문제가 발생하는데 이러한 문제로 인해 반사광이 반사광 검출기(400)에 모두 도달하도록 하기 위해 렌즈 페어(250)를 사용하게 된다.
저온에서 광발광을 측정하고 이미징하는 경우, 앞서 살펴본 바와 같이 피에조 스테이지의 사용이 가능하지 않으므로, 상기 (vii) 단계의 상기 서로 다른 복수개의 위치는 광원의 이동 또는 광원의 이동 없이 2D 스캐닝 거울(240)의 각도만을 조절함으로써, 시료의 측정위치를 변화시켜 결정하게 된다. 2D 스캐닝 거울(240)은 샘플에 입사되는 빛의 입사위치를 X축 방향으로 움직이는 제 1 거울과 Y축 방향으로 움직이는 제 2 거울을 포함하여 구성되고, 상기 거울을 회전함으로써 상기 샘플에 입사되는 빛이 X 방향 또는 Y 방향으로 입사 위치가 변화게 되고, 상기 제 1 거울 또는 제 2 거울의 회전각도를 조절하여 샘플에 입사되는 빛의 위치를 연속적으로 변화시킴으로써, 샘플에 대해 연속적인 광전류 또는 이미지 전압신호를 측정할 수 있게 된다. 상기 거울의 회전은 인가되는 전압의 크기에 비례하여 회전하게 되고, 상기 인가되는 전압은 전자제어장치로 조절하게 되어 자동으로 상기 거울의 회전이 이루어지게 된다.
상온에서 광발광을 측정하고 이미징하는 경우, 상기 (ii) 단계는 도 1의 실시예와 같이, 상기 광원에서 발생한 빛이 빔 익스팬더(230)를 통과하여 빛의 직경이 확대되는 단계; 상기 직경이 확대된 빛이 ND 필터(210)를 통과하는 단계; 상기 ND 필터(210)를 통과한 빛이 제 1 빔 스플리터(221)를 통과하는 단계; 상기 제 1 빔 스플리터(221)를 통과한 빛이 제 2 빔 스플리터(222)에서 반사되는 단계; 상기 제 2 빔 스플리터(222)에서 반사된 빛이 대물렌즈(270)를 통과하는 단계;를 포함할 수 있으나 본 실시예로 제한되지 않음은 물론이다.
저온에서 광발광을 측정하고 이미징하는 경우, 상기 (ii) 단계는 도 2의 실시예와 같이 상기 광원(100)에서 발생한 빛이 ND 필터(210)를 통과하는 단계; 상기 ND 필터(210)를 통과한 빛이 제 1 빔 스플리터(221)를 통과하는 단계; 상기 제 1 빔 스플리터(221)를 통과한 빛이 2D 스캐닝 거울(240)을 통과하는 단계; 상기 2D 스캐닝 거울(240)을 통과한 빛이 렌즈 페어(250)를 통과하는 단계; 상기 렌즈 페어(250)를 통과한 빛이 제 2 빔 스플리터(222)에서 반사되는 단계;상기 제 2 빔 스플리터(222)에서 반사된 빛이 대물렌즈(270)를 통과하는 단계;를 포함할 수 있으나 본 실시예로 제한되지 않음은 물론이다.
상기 (i) 단계의 광원(100)은 450~2000nm의 파장을 가지는 초연속 레이저(supercontinuum laser), 405nm CW 레이저(continuous wave laser), 532nm CW 레이저(continuous wave laser) 중에서 어느 하나를 사용할 수 있고, 광원이 초연속 레이저(supercontinuum laser)인 경우, 상기 (i) 단계 및 (ii) 단계 사이에 상기 초연속 레이저(supercontinuum laser)가 단색화 장치(monochromator) 및 편광판(polarizer)을 통과하면서 400~2000nm의 파장 중 특정 파장을 갖는 레이저가 되도록 선택할 수 있는 단계를 더 포함할 수 있다.
시료에서 반사되는 빛과 발광하는 빛은 서로 구분되지 않고 동일한 경로를 따라 광발광 검출기(500)와 반사광 검출기(400)로 도달하게 된다. 시료에서 빛을 흡수하고 발광하는 빛만을 검출하기 위해서는 발광하는 빛의 파장이 광원의 레이저 파장보다 크다는 것을 이용하여 광발광 디텍터(550)의 검출 파장을 광원의 레이저 파장보다 크게 설정함으로써 광발광만을 검출할 수 있게 된다. 예를 들어 광원으로 405nm의 레이저를 사용할 때에는 CCD 카메라의 검출범위를 430~700nm의 파장만 검출하도록 지정할 수 있다. 반사광(400) 검출기의 경우 포토다이오드는 빛의 세기변화만 관찰하면 되어서 다른 파장의 빛이 검출되어도 문제가 없고, 또한 반사된 빛의 세기가 발광된 빛의 세기보다 커서 발광된 빛의 변화는 반사된 빛의 변화보다 미미하기 때문에 반사 이미지 얻는 데 문제가 없다.
본 발명을 첨부된 도면과 함께 설명하였으나, 이는 본 발명의 요지를 포함하는 다양한 실시 형태 중의 하나의 실시예에 불과하며, 당업계에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 하는 데에 그 목적이 있는 것으로, 본 발명은 상기 설명된 실시예에만 국한되는 것이 아님은 명확하다. 따라서, 본 발명의 보호범위는 하기의 청구범위에 의해 해석되어야 하며, 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서의 변경, 치환, 대체 등에 의해 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함될 것이다. 또한, 도면의 일부 구성은 구성을 보다 명확하게 설명하기 위한 것으로 실제보다 과장되거나 축소되어 제공된 것임을 명확히 한다.
100: 광원 200: 광경로 조절부
210: ND 필터 220: 빔 스플리터
221: 제 1 빔 스플리터 222: 제 2 빔 스플리터
230: 빔 익스팬더 240: 2D 스캐닝 거울
250: 렌즈 페어 260: 거울
270: 대물렌즈 300: 저온 챔버
400: 반사광 검출기 500: 광발광 검출기
510: 분광기 550: 광발광 디텍터
600: 스테이지

Claims (20)

  1. 광발광을 측정하고 이미징하는 장치에 있어서,
    이미징하기 위한 시료를 배치하는 스테이지;
    상기 시료로 빛을 조사하기 위한 광원;
    반사 이미지를 얻기 위해 시료 표면에서 반사된 빛을 검출하는 반사광 검출기;
    광발광 이미지를 얻기 위해 시료가 발광하는 빛을 검출하는 광발광 검출기;
    상기 광원, 스테이지, 반사광 검출기, 광발광 검출기 사이에 위치하여 상기 광원에서 발생한 빛이 상기 스테이지 상에 배치된 시료에 도달하고, 상기 시료에서 반사 또는 발광된 빛이 상기 반사광 검출기 또는 광발광 검출기에 도달할 수 있도록 빛의 경로를 사용자의 목적에 따라 조절하는 것이 가능하도록 하는 광경로 조절부;
    를 포함하여 구성되고,
    상기 광발광 검출기는 상기 시료에서 발광하는 빛을 파장에 따라 분해하는 분광기;
    상기 분광기를 거친 빛을 파장에 따른 빛의 세기를 검출하는 광발광 디텍터;
    를 포함하고,
    상기 분광기를 거친 빛은 파장에 따라 상기 광발광 디텍터에 도달되는 위치가 다르고, 상기 시료에서 발광한 빛의 파장은 광원에서 발생한 빛의 파장보다 길다는 원리를 이용하여 발광된 빛만을 검출하게 되고,
    상기 광원이 고정된 상태에서 상기 스테이지의 이동을 이용하여 시료의 측정위치를 변화시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 광발광을 측정하고 이미징하는 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 스테이지의 X 방향 또는 Y 방향의 이동을 조절하여, 동일한 광원의 위치에서 시료에 입사되는 빛의 위치를 연속적으로 변화시킴으로써, 시료에 대해 연속적인 광발광 및 반사 이미지를 측정할 수 있는 것을 특징으로 하는 광발광을 측정하고 이미징하는 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 스테이지는 수직(Z-방향)으로 이동이 가능한 하부 스테이지,
    상기 하부 스테이지 위에 수평 방향으로 이동이 가능한 X-Y 스캐닝 피에조 스테이지를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 광발광을 측정하고 이미징하는 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 X-Y 스캐닝 피에조 스테이지(piezo-stage)는 가로 및 세로 방향(X-Y방향)으로 100nm 간격으로 움직이는 것을 특징으로 하는 광발광을 측정하고 이미징하는 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 광경로 조절부는 레이저 빛의 직경을 크게 만드는 빔 익스팬더(beam expander),
    분광 조성을 변경하지 않고 감광하는 ND 필터(neutral density filter),
    빛의 일부는 통과시키고 일부는 반사하여 광선속을 둘로 나누는 빔 스플리터(beam splitter),
    빛을 반사하여 빛의 경로를 원하는 방향으로 조절하는 거울,
    선형 편광된 빛의 편광방향을 바꾸는 웨이브 플레이트(wave plate),
    빛을 상기 시료에 집광시키는 대물렌즈 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 광발광을 측정하고 이미징하는 장치.
  6. 광발광을 측정하고 이미징하는 장치에 있어서,
    시료를 5 내지 475K 범위의 저온 상태로 유지하기 위한 저온 챔버;
    상기 시료로 빛을 조사하기 위한 광원;
    반사 이미지를 얻기 위해 시료 표면에서 반사된 빛을 검출하는 반사광 검출기;
    광발광 이미지를 얻기 위해 시료가 발광하는 빛을 검출하는 광발광 검출기;
    상기 광원, 스테이지, 반사광 검출기, 광발광 검출기 사이에 위치하여 상기 광원에서 발생한 빛이 상기 스테이지 상에 배치된 시료에 도달하고, 상기 시료에서 반사된 빛이 상기 반사광 검출기에 도달할 수 있고 상기 시료에서 발광된 빛이 상기 광발광 검출기에 도달할 수 있도록 빛의 경로를 사용자의 목적에 따라 조절하는 것이 가능하도록 하는 광경로 조절부;
    를 포함하여 구성되고,
    상기 광발광 검출기는 상기 시료에서 발광하는 빛을 파장에 따라 분해하는 분광기;
    상기 분광기를 거친 빛을 파장에 따른 빛의 세기를 검출하는 광발광 디텍터;
    를 포함하고,
    상기 분광기를 거친 빛은 파장에 따라 상기 광발광 디텍터에 도달되는 위치가 다르고, 상기 시료에서 발광한 빛의 파장은 광원에서 발생한 빛의 파장보다 길다는 원리를 이용하여 발광된 빛만을 검출하게 되고,
    상기 시료와 광원의 위치는 고정된 상태에서, 상기 광경로 조절부만을 이용하여 시료의 측정위치를 변화시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 광발광을 측정하고 이미징하는 장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 저온 챔버는 대물렌즈와 마주보는 상부에 빛이 입사할 수 있도록 형성된 윈도우,
    상기 시료가 저온 챔버 내부에 위치할 수 있는 스테이지,
    액화기체를 순환시켜 저온을 유지하는 냉각부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 광발광을 측정하고 이미징하는 장치.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 광경로 조절부는 분광 조성을 변경하지 않고 감광하는 ND 필터(neutral density filter),
    빛을 반사하여 빛의 경로를 원하는 방향으로 조절하는 거울,
    빛의 일부는 통과시키고 일부는 반사하여 광선속을 둘로 나눈는 빔 스플리터(beam splitter),
    레이저 빛의 직경을 조절하고, 상기 시료에서 반사된 빛의 굴절을 작게 만들어 상기 반사된 빛이 상기 포토 디텍터에 모두 들어갈 수 있게 하는 렌즈 페어(lens pair),
    상기 시료에 입사되는 빛의 입사위치를 X 방향 또는 Y 방향으로 변화시켜 시료를 스캐닝하기 위한 2D 스캐닝 거울,
    빛을 상기 시료에 집광시키는 대물렌즈 중에서 적어도 어느 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 광발광을 측정하고 이미징하는 장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 2D 스캐닝 거울은 상기 시료에 입사되는 빛의 입사위치를 X축 방향으로 움직이는 제 1 거울과 Y축 방향으로 움직이는 제 2 거울을 포함하여 구성되고,
    상기 거울을 회전함으로써 상기 시료에 입사되는 빛이 X 방향 또는 Y 방향으로 입사 위치가 변화게 되고,
    상기 제 1 거울 또는 제 2 거울의 회전각도를 조절하여 시료에 입사되는 빛의 위치를 연속적으로 변화시킴으로써, 시료에 대해 연속적인 광발광 또는 반사광을 측정할 수 있는 것을 특징으로 하는 광발광을 측정하고 이미징하는 장치.
  10. 제 1항 또는 제 6항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 광원은 450~2000nm의 파장을 가지는 초연속 레이저(supercontinuum laser), 405nm CW 레이저(continuous wave laser), 532nm CW 레이저(continuous wave laser) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 광발광을 측정하고 이미징하는 장치.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 광원이 초연속 레이저(supercontinuum laser)인 경우에는 450~2000nm의 파장 중에서 특정 파장을 선택하기 위한 단색화 장치(monochromator)와 편광판(polaizer)을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 광발광을 측정하고 이미징하는 장치.
  12. 제 1항 또는 제 6항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 반사광 검출기는 포토다이오드인 것을 특징으로 하는 광발광을 측정하고 이미징하는 장치.
  13. 제 1항 또는 제 6항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 광발광 디텍터는 CCD 카메라 또는 IR 디텍터 중에서 적어도 어느 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 광발광을 측정하고 이미징하는 장치.
  14. 광발광을 측정하고 이미징하는 방법에 있어서,
    (i) 광원에서 빛을 발생시키는 단계;
    (ii) 상기 빛이 광경로 조절부를 통과하여 시료에 도달하는 단계;
    (iii) 상기 빛의 일부가 시료의 표면에서 반사되는 단계;
    (iv) 상기 빛의 일부가 시료에 흡수되어 시료가 발광하는 단계;
    (v) 상기 시료의 표면에서 반사된 빛이 광경로 조절부를 통하여 반사광 검출기에 도달하고, 상기 반사광 검출기에서 상기 (iii) 단계의 반사된 빛을 검출하는 단계;
    (vi) 상기 시료가 발광하는 빛이 광경로 조절부를 통하여 광발광 검출기에 도달하고, 상기 광발광 검출기에서 상기 (iv) 단계의 발광한 빛을 검출하는 단계;
    (vii) 상기 시료의 서로 다른 복수개의 위치에서 상기 (i)~(vi) 단계를 복수회 반복 실시하여 연속적으로 광발광 및 반사된 빛을 검출하여 이를 데이터화하여 광발광 이미지 및 반사 이미지를 얻는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 광발광을 측정하고 이미징하는 방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    상온에서 광발광을 측정하고 이미징하는 경우,
    상기 (vii) 단계의 상기 서로 다른 복수개의 위치는 광원의 이동 또는 광원의 이동 없이 피에조 스테이지의 이동만을 조절함으로써, 시료의 측정위치를 변화시켜 결정되는 것을 특징으로 하는 광발광을 측정하고 이미징하는 방법.
  16. 제 14항에 있어서,
    저온에서 광발광을 측정하고 이미징하는 경우,
    상기 (vii) 단계의 상기 서로 다른 복수개의 위치는 광원의 이동 또는 광원의 이동 없이 2D 스캐닝 거울의 각도만을 조절함으로써, 시료의 측정위치를 변화시켜 결정되는 것을 특징으로 하는 광발광을 측정하고 이미징하는 방법.
  17. 제 14항에 있어서,
    상온에서 광발광을 측정하고 이미징하는 경우,
    상기 (ii) 단계는
    (a) 상기 광원에서 발생한 빛이 빔 익스팬더를 통과하여 빛의 직경이 확대되는 단계;
    (b) 상기 직경이 확대된 빛이 ND 필터를 통과하는 단계;
    (c) 상기 ND 필터를 통과한 빛이 제 1 빔 스플리터를 통과하는 단계;
    (d) 상기 제 1 빔 스플리터를 통과한 빛이 제 2 빔 스플리터에서 반사되는 단계;
    (e) 상기 제 2 빔 스플리터에서 반사된 빛이 대물렌즈를 통과하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 광발광을 측정하고 이미징하는 방법.
  18. 제 14항에 있어서,
    저온에서 광발광을 측정하고 이미징하는 경우,
    상기 (ii) 단계는
    (a) 상기 광원에서 발생한 빛이 ND 필터를 통과하는 단계;
    (b) 상기 ND 필터를 통과한 빛이 제 1 빔 스플리터를 통과하는 단계;
    (c) 상기 제 1 빔 스플리터를 통과한 빛이 2D 스캐닝 거울을 통과하는 단계;
    (d) 상기 2D 스캐닝 거울을 통과한 빛이 렌즈 페어를 통과하는 단계;
    (e) 상기 렌즈 페어를 통과한 빛이 제 2 빔 스플리터에서 반사되는 단계;
    (f) 상기 제 2 빔 스플리터에서 반사된 빛이 대물렌즈를 통과하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 광발광을 측정하고 이미징하는 방법.
  19. 제 14항에 있어서,
    상기 (i) 단계의 광원은 450~2000nm의 파장을 가지는 초연속 레이저(supercontinuum laser), 405nm CW 레이저(continuous wave laser), 532nm CW 레이저(continuous wave laser) 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광발광을 측정하고 이미징하는 방법.
  20. 제 14항에 있어서,
    상기 (i) 단계의 광원이 초연속 레이저(supercontinuum laser)인 경우,
    상기 (i) 단계 및 (ii) 단계 사이에 상기 초연속 레이저(supercontinuum laser)가 단색화 장치(monochromator) 및 편광판(polarizer)을 통과하면서 400~2000nm의 파장 중 특정 파장을 갖는 레이저가 되도록 선택할 수 있는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광발광을 측정하고 이미징하는 방법.


KR20130144719A 2013-11-26 2013-11-26 광발광 측정 및 이미징 장치 KR101493838B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130144719A KR101493838B1 (ko) 2013-11-26 2013-11-26 광발광 측정 및 이미징 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130144719A KR101493838B1 (ko) 2013-11-26 2013-11-26 광발광 측정 및 이미징 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101493838B1 true KR101493838B1 (ko) 2015-02-17

Family

ID=52593787

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20130144719A KR101493838B1 (ko) 2013-11-26 2013-11-26 광발광 측정 및 이미징 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101493838B1 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101782367B1 (ko) * 2016-01-20 2017-09-28 삼성디스플레이 주식회사 하향식 기판 에칭장치
CN109406562A (zh) * 2018-11-17 2019-03-01 金华职业技术学院 一种研究高压下样品相变的装置
KR20230018696A (ko) * 2021-07-30 2023-02-07 고려대학교 산학협력단 적외선 분광학용 저온 유지장치의 액체 시료 홀더
US11624710B2 (en) * 2019-05-24 2023-04-11 Lawrence Livermore National Security, Llc Fast image acquisition system and method using pulsed light illumination and sample scanning to capture optical micrographs with sub-micron features

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11118716A (ja) * 1997-10-09 1999-04-30 Nikon Corp 光学的検査方法及び光学的検査装置
JP2004219371A (ja) 2003-01-17 2004-08-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体多層膜の分光計測方法および分光計測装置
JP2005017210A (ja) 2003-06-27 2005-01-20 Astem:Kk 非破壊分光測定器
KR101296748B1 (ko) 2012-03-26 2013-08-20 한국전기연구원 광 기반의 전자기파를 이용한 고속／고분해능 분광／영상 측정 시스템

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11118716A (ja) * 1997-10-09 1999-04-30 Nikon Corp 光学的検査方法及び光学的検査装置
JP2004219371A (ja) 2003-01-17 2004-08-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体多層膜の分光計測方法および分光計測装置
JP2005017210A (ja) 2003-06-27 2005-01-20 Astem:Kk 非破壊分光測定器
KR101296748B1 (ko) 2012-03-26 2013-08-20 한국전기연구원 광 기반의 전자기파를 이용한 고속／고분해능 분광／영상 측정 시스템

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101782367B1 (ko) * 2016-01-20 2017-09-28 삼성디스플레이 주식회사 하향식 기판 에칭장치
CN109406562A (zh) * 2018-11-17 2019-03-01 金华职业技术学院 一种研究高压下样品相变的装置
CN109406562B (zh) * 2018-11-17 2024-01-30 金华职业技术学院 一种研究高压下样品相变的装置
US11624710B2 (en) * 2019-05-24 2023-04-11 Lawrence Livermore National Security, Llc Fast image acquisition system and method using pulsed light illumination and sample scanning to capture optical micrographs with sub-micron features
KR20230018696A (ko) * 2021-07-30 2023-02-07 고려대학교 산학협력단 적외선 분광학용 저온 유지장치의 액체 시료 홀더
KR102597624B1 (ko) * 2021-07-30 2023-11-01 고려대학교 산학협력단 적외선 분광학용 저온 유지장치의 액체 시료 홀더

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10942116B2 (en) Method and apparatus for enhanced photo-thermal imaging and spectroscopy
US11002665B2 (en) Method and apparatus for enhanced photo-thermal imaging and spectroscopy
US6229138B1 (en) Scanning probe microscope assembly and method for making confocal, spectrophotometric, near-field, and scanning probe measurements and associated images
US7091476B2 (en) Scanning probe microscope assembly
CN106645236B (zh) 一种超快透射电子显微镜系统及其使用方法
JP3174465B2 (ja) 原子間力顕微鏡
KR101493838B1 (ko) 광발광 측정 및 이미징 장치
JP6044045B2 (ja) 固体元素の高分解能マッピングおよび分析装置
WO2012153652A1 (ja) 欠陥観察方法及びその装置
JP2007086735A (ja) サイドローブが除去された共焦点自己干渉顕微鏡
US20120293791A1 (en) Sample Holder with Optical Features for Holding a Sample in an Analytical Device for Research Purposes
CN106932357B (zh) 一种超衍射分辨极限太赫兹光谱成像系统
US5859364A (en) Scanning probe microscope
CN113008849B (zh) 紫外-近红外宽波段微区光致发光光谱测试装置
JP4696197B2 (ja) カソードルミネッセンス検出装置
JP6215677B2 (ja) 顕微ラマン分光装置および顕微ラマン分光システム
CZ2014184A3 (cs) Analytický systém s Ramanovým mikroskopem a elektronovým mikroskopem
CN102192706B (zh) 一种原位测量聚焦激光光斑能量分布的装置及方法
JP6410902B2 (ja) 顕微ラマン分光装置および顕微ラマン分光システム
US20230236112A1 (en) Method and apparatus for enhanced photo-thermal imaging and spectroscopy
JP2006090715A (ja) 散乱型近接場顕微鏡およびその測定方法
JP3121902U (ja) 赤外顕微鏡
KR101493836B1 (ko) 광전류 및 광전압을 측정하고 이미징하는 장치
Karlsson et al. A confocal optical microscope for detection of single impurities in a bulk crystal at cryogenic temperatures
KR101493837B1 (ko) 저온에서 광전류 및 광전압을 측정하고 이미징하는 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee