KR101472472B1 - 게르마늄 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 - Google Patents

게르마늄 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 게르마늄 전구체에 관한 것으로, 상기 게르마늄 전구체는 열적 안정성이 향상되고, 칼코겐을 포함하고 있는 전구체인 경우에는 박막 제조 중에 별도의 칼코겐을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있어 양질의 칼코겐이 포함된 게르마늄 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112012098823298-pat00009

(상기 식에서, A는 O 또는 S이고, E는 S, Se 또는 Te이고, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬 또는 플루오로알킬기이며, n은 1에서 3사이의 숫자에서 선택된다.)

Description

게르마늄 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법{GERMANIUM PRECURSORS, PREPARATION METHOD THEREOF AND PROCESS FOR THE FORMATION OF THIN FILMS USING THE SAME}
본 발명은 신규의 게르마늄 전구체에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 열적 안정성이 개선되고 낮은 온도에서 쉽게 양질의 게르마늄 박막의 제조가 가능한 게르마늄 전구체 및 이의 제조 방법, 그리고 이를 이용하여 게르마늄 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
비휘발성 메모리 장치의 메모리 소자에는 상변화 물질(Phase- Change Material)이사용되는데, 이는 온도에 따라 결정(crystalline) 상태 및 비정질(amorphous) 상태의 서로 다른 상태를 갖는 물질이다. 결정 상태는 비정질 상태에 비해 낮은 저항치를 나타내며, 질서 정연한 규칙적인 원자 배열을 지니고 있다. 결정 상태 및 비정질 상태는 상호 가역적인 변화가 가능하다. 즉, 결정 상태에서 비정질 상태로 변화시킬 수 있고, 비정질 상태에서 다시 결정 상태로 변화시킬 수 있다. 상호 변화 가능한 상태를 지니며, 명확하게 구별될 수 있는 저항 값을 지닌 특성을 메모리 소자에 적용시킨 것이 상변화 메모리 소자(Phase-Change Memory Device, PRAM)이다.
PRAM의 일반적인 형태는 트랜지스터의 소스 또는 드레인 영역에 콘택 플러그를 통해 전기적으로 연결된 상변화 막을 구비한다. 메모리로서의 동작은 상변화 막의 결정 구조 변화로 인한 저항 차이를 이용하여 수행한다. 즉, 인가 전류를 적절히 변화시켜 상변화 막의 결정 구조를 의도적으로 결정 상태 또는 비정질 상태로 변화시킨 후, 결정질 상태와 비정질 상태의 변화에 따른 저항 값이 변하게 되므로 저장된 이전 데이타 값을 구별할 수 있게 되는 것이다.
현재 메모리 소자에 응용할 수 있는 다양한 종류의 상변화 물질이 알려져 있는데, 특히, Gs-Sb-Te 박막은 PRAM(phase change random access memory)에서 상변화 물질 또는 광저장 매체에 널리 이용되고 있다. Ge-Sb-Te 박막을 증착하기 위해 여러 가지 방법이 이용되고 있는데, 이중 금속 유기 전구체(metalorganic precursor)를 이용한 CVD, ALD 방법을 이용한 박막 증착방법이 널리 이용되고 있다. 이러한 GST 합금의 제조에 필요한 금속의 박막 증착을 위하여 한국특허공개 제2011-0014160호, 한국특허공개 제2011-0049177호 등에서 텔루륨 전구체 및 Ge-Sb-Te와 같은 칼코제나이드계 박막의 제조방법을 연구한 바 있다.
그러나, 상기 문헌들의 게르마늄 전구체는 현재 PRAM의 성능을 개선하는데 문제가 있는 바, 열적 안정성, 화학적 반응성, 휘발성 및 게르마늄 금속의 증착 속도 등이 개선된 새로운 게르마늄 전구체에 대한 개발이 절실히 요구되고 있다.
한국특허공개 제2011-0014160호 한국특허공개 제2011-0049177호
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 열적 안정성이 개선되고 낮은 온도에서 쉽게 양질의 게르마늄 박막의 제조가 가능한 신규의 게르마늄 전구체를 제공하기 위한 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 하기 화학식1로 표시되는 게르마늄 전구체를 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112012098823298-pat00001
(상기 식에서, A는 O 또는 S이고, E는 S, Se 또는 Te이고, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬 또는 플루오로알킬기이며, n은 1에서 3사이의 숫자에서 선택된다.)
또한 본 발명은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물과 화학식 3으로 표시되는 화합물을 반응시키는 것을 포함하는, 상기 화학식 1로 표시되는 게르마늄 전구체의 제조방법을 제공한다.
[화학식 2]
Figure 112012098823298-pat00002
(상기 식에서, A는 O 또는 S이고, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬 또는 플루오로알킬기이며, n은 1에서 3사이의 숫자에서 선택된다.)
[화학식 3]
E
(상기 식에서, E 는 S, Se 또는 Te이다.)
또한 본 발명은 상기 화학식 1의 게르마늄 전구체를 이용하여 게르마늄 박막을 성장시키는 방법을 제공한다.
본 발명의 화학식 1로 표시되는 게르마늄 전구체는 열적 안정성이 개선되고, 칼코겐이 포함된 전구체인 경우에는 박막 제조 중에 별도의 칼코겐을 첨가시키지 않아도 되는 장점을 가지기 때문에 이를 이용하여 쉽게 양질의 칼코겐이 포함된 게르마늄 박막을 제조할 수 있다.
도 1은 실시예 1에 대한 1H NMR 스펙트럼이다.
도 2는 실시예 1에 대한 13C NMR 스펙트럼이다.
도 3은 실시예 1에 대한 FT-IR 스펙트럼이다.
도 4는 실시예 1에 대한 X-ray 결정구조이다.
도 5는 실시예 2에 대한 1H NMR 스펙트럼이다.
도 6은 실시예 2에 대한 13C NMR 스펙트럼이다.
도 7은 실시예 2에 대한 FT-IR 스펙트럼이다.
도 8은 실시예 2에 대한 X-ray 결정구조이다.
본 발명은, 하기 화학식 1로 표시되는 게르마늄 전구체에 관한 것이다:
[화학식 1]
Figure 112012098823298-pat00003
(상기 식에서, A는 O 또는 S이고, E는 S, Se 또는 Te이고, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬 또는 플루오로알킬기이며, n은 1에서 3사이의 숫자에서 선택된다.)
상기 화학식 1에 있어서, C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기로부터 선택되는 R1 내지 R4 중, R1, R2는 서로 독립적으로 CH3, C2H5, CH(CH3)2 및C(CH3)3로부터 선택되고, R3, R4는 서로 독립적으로 CH3, CF3, C2H5, CH(CH3)2 및 C(CH3)3로부터 선택되는 것을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 게르마늄 전구체는 출발물질로서 하기 화학식 2로 표시되는 화합물과 화학식 3으로 표시되는 화합물을 톨루엔 용매에서 반응시켜 치환 반응을 유도하여 제조될 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112012098823298-pat00004
(상기 식에서, A는 O 또는 S이고, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬 또는 플루오로알킬기이며, n은 1에서 3 사이의 숫자에서 선택된다.)
[화학식 3]
E
(상기 식에서, E 는 S, Se 또는 Te이다.)
상기 화학식 2에 있어서, C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기로부터 선택되는 R1 내지 R4 중, R1, R2는 서로 독립적으로 CH3, C2H5, CH(CH3)2 및C(CH3)3로부터 선택되고, R3, R4는 서로 독립적으로 CH3, CF3, C2H5, CH(CH3)2 및 C(CH3)3로부터 선택되는 것을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 용매로 바람직하게 톨루엔을 사용할 수 있다.
본 발명의 게르마늄 전구체를 제조하기 위한 구체적인 반응 공정은 하기 반응식 1로 나타낼 수 있다.
[반응식 1]
Figure 112012098823298-pat00005
상기 반응식 1에서 게르마늄에 "1-dimethylamino-2-methyl-2-propanolate", 즉 "dmamp"를 리간드로 사용하는 게르마늄 전구체를 사용하였다. 상기 반응식 1에 따르면, 톨루엔 용매에서 실온에서 15시간 내지 24시간 동안 치환 반응을 진행한 뒤 혼합물을 여과하고 감압 하에서 용매를 제거하여 노란색 고체 화합물을 수득한다. 또한, 상기 반응식 1의 반응 중에 부산물이 생성될 수 있으며, 이들을 승화 또는 재결정법을 이용하여 제거함에 따라 고순도의 신규의 게르마늄 전구체를 얻을 수 있다.
본 발명의 게르마늄 전구체를 제조하기 위한 또 다른 반응 공정은 하기 반응식 2로 나타낼 수 있다.
[반응식 2]
Figure 112012098823298-pat00006
상기 반응식 2에서 게르마늄에 "1-(dimethylamino)-2-methylpropane-2-thiolate", 즉 "dmampS"를 리간드로 사용하는 게르마늄 전구체를 사용하였다. 상기 반응식 2에 따르면, 톨루엔 용매에서 실온에서 15시간 내지 24시간 동안 치환 반응을 진행한 뒤 혼합물을 여과하고 감압 하에서 용매를 제거하여 노란색 고체 화합물을 수득한다. 또한, 상기 반응식 2의 반응 중에 부산물이 생성될 수 있으며, 이들을 승화 또는 재결정법을 이용하여 제거함에 따라 고순도의 신규의 게르마늄 전구체를 얻을 수 있다.
상기 반응에서 반응물은 화학양론적 당량비로 사용된다.
상기 화학식 1로 표시되는 신규의 게르마늄 전구체는 상온에서 안정한 노란색 고체로서, 열적으로 안정하다.
상기 게르마늄 전구체를 이용하여 칼코겐이 포함된 게르마늄 박막을 성장시키는 경우, 박막 제조 공정 중에 별도의 칼코겐을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있다.
본 발명의 신규의 게르마늄 전구체는 화학기상증착법(CVD) 또는 원자층증착법(ALD)을 사용하는 공정에 바람직하게 적용될 수 있다.
본 발명은 하기의 실시예에 의하여 보다 더 잘 이해될 수 있으며, 하기의 실시예는 본 발명의 예시 목적을 위한 것이며 첨부된 특허청구범위에 의하여 한정되는 보호범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.
실시예
게르마늄 전구체 물질의 합성
실시예 1: Ge ( dmamp ) 2 (Te)의 제조
125 mL 슐렝크 플라스크에 Ge(dmamp)2 (3 g, 9.84 mmol, 1 eq)와 Tellurium (1.25 g, 9.84 mmol, 1 eq)를 톨루엔 (50 mL)에 녹인 후 실온에서 15시간 동안 치환 반응을 진행하였다. 이 혼합물을 여과한 후 감압 하에서 용매를 제거하여 노란색 고체 화합물을 얻었다. 얻어진 화합물을 재결정하여 노란색 결정을 얻었다.
상기 얻어진 화합물에 대한 1H-NMR, 13C-NMR, FT-IR data를 도 1 내지 3에 나타내었다.
1H NMR (C6D6, 300.13MHz): δ 1.02 (s, 6H), 1.52 (s, 6H), 1.60 (d, 2H), 2.20 (s, 6H), 2.37 (s, 6H), 2.82 (d, 2H)
13C NMR (C6D6, 75.04 MHz): δ 32.8, 33.2, 46.0, 48.3, 85.8, 70.0
실시예 2: Ge ( dmampS ) 2 (Te)의 제조
125 mL 슐렝크 플라스크에 Ge(dmampS)2 (2 g, 5.93 mmol, 1 eq)와 Tellurium (0.75 g, 5.93 mmol, 1 eq)를 톨루엔 (50 mL)에 녹인 후 실온에서 15시간 동안 치환 반응을 진행하였다. 이 혼합물을 여과한 후 감압 하에서 용매를 제거하여 주황색 고체화합물을 얻었다. 얻어진 화합물을 재결정하여 주황색 결정을 얻었다.
상기 얻어진 화합물에 대한 1H-NMR, 13C-NMR, FT-IR data를 도 5 내지 7에 나타내었다.
1H NMR (C6D6, 300.13MHz): δ 1.45 (s, 6H), 2.32 (s, 8H)
13C NMR (C6D6, 75.04 MHz): δ 35.3, 46.4, 47.7, 70.2
게르마늄 전구체 물질의 분석
상기 실시예 1 및 2에서 합성한 게르마늄 전구체 화합물의 구체적인 구조를 확인하기 위하여 Bruker SMART APEX II X-ray Diffractometer 를 이용하여 결정구조(X-ray structure)를 확인하여 도 4 및 8에 나타내었다. 이를 통하여 본 발명의 게르마늄 전구체의 구조를 확인할 수 있었다.

Claims (5)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 게르마늄 전구체:
    [화학식 1]
    Figure 112014066101159-pat00007

    (상기 식에서, A는 O 또는 S이고, E는 S, Se 또는 Te이고, 상기 R1, R2는 서로 독립적으로 CH3, C2H5, CH(CH3)2 및 C(CH3)3로부터 선택되고, 상기 R3, R4는 서로 독립적으로 CH3, CF3, C2H5, CH(CH3)2 및 C(CH3)3로부터 선택되며, n은 1에서 3사이의 숫자에서 선택된다.)
  2. 삭제
  3. 하기 화학식 2로 표시되는 화합물과 화학식 3으로 표시되는 화합물을 반응시키는 것을 포함하는, 제1항에 따른 화학식 1로 표시되는 게르마늄 전구체의 제조방법:
    [화학식 2]
    Figure 112014066101159-pat00008

    (상기 식에서, A는 O 또는 S이고, 상기 R1, R2는 서로 독립적으로 CH3, C2H5, CH(CH3)2 및 C(CH3)3로부터 선택되고, 상기 R3, R4는 서로 독립적으로 CH3, CF3, C2H5, CH(CH3)2 및 C(CH3)3로부터 선택되며, n은 1에서 3사이의 숫자에서 선택된다.)
    [화학식 3]
    E
    (상기 식에서, E 는 S, Se 또는 Te이다.)
  4. 제1항의 게르마늄 전구체를 이용하여 게르마늄 박막을 성장시키는 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    박막 성장 공정이 화학기상증착법(CVD) 또는 원자층증착법(ALD)에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050116928A (ko) * 2004-06-09 2005-12-14 삼성전자주식회사 원자층 증착법을 이용한 물질 형성방법
KR20060085840A (ko) * 2005-01-25 2006-07-28 한국화학연구원 니켈 아미노알콕사이드 선구 물질을 사용하는 원자층침착법으로 니켈 산화물 박막을 제조하는 방법
KR100860140B1 (ko) * 2007-05-02 2008-09-25 한국화학연구원 신규한 게르마늄 아미노알콕사이드 화합물 및 그 제조 방법
KR20120118060A (ko) * 2006-11-02 2012-10-25 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 금속 박막의 ｃｖｄ/ａｌｄ용으로 유용한 안티몬 및 게르마늄 착체

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050116928A (ko) * 2004-06-09 2005-12-14 삼성전자주식회사 원자층 증착법을 이용한 물질 형성방법
KR20060085840A (ko) * 2005-01-25 2006-07-28 한국화학연구원 니켈 아미노알콕사이드 선구 물질을 사용하는 원자층침착법으로 니켈 산화물 박막을 제조하는 방법
KR20120118060A (ko) * 2006-11-02 2012-10-25 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 금속 박막의 ｃｖｄ/ａｌｄ용으로 유용한 안티몬 및 게르마늄 착체
KR100860140B1 (ko) * 2007-05-02 2008-09-25 한국화학연구원 신규한 게르마늄 아미노알콕사이드 화합물 및 그 제조 방법

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