KR101452693B1 - 기판처리방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 생산효율을 향상시킬 수 있는 건식 세정방식의 기판처리방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기판처리방법은 에칭 공정을 통해 패턴이 형성되어 있는 기판 상에 존재하는 폴리머 잔유물을 제거하기 위한 것으로, 기판으로 불소 함유 가스를 공급하여 폴리머 잔유물과 반응시켜 반응생성물을 형성하는 반응생성물 형성단계와, 반응생성물이 형성된 기판을 가열하여 반응생성물을 제거하는 열처리단계와, 폴리머 잔유물에 포함된 탄소를 산화시키는 산화처리단계를 포함한다.

Description

기판처리방법{Substrate processing method}

본 발명은 기판처리방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 에칭 공정을 통해 기판 상에 패턴을 형성한 이후, 상기 기판의 패턴 상에 존재하는 폴리머 잔유물을 제거하기 위한 기판처리방법에 관한 것이다.

반도체 소자공정에는 에칭을 통해 기판 상에 패턴을 형성하는 과정이 필수적으로 포함되며, 이와 같이 패턴이 형성된 기판에는 폴리머 잔유물이 남아 있게 된다. 종래의 경우에는, 공개특허 10-2006-0050601호에 개시된 바와 같이 세정액을 이용한 습식 세정으로 기판 상의 폴리머 잔유물을 제거하였다.

하지만, 최근 들어 반도체 소자공정의 패턴 사이즈가 10~20nm 이하로 축소되고, aspect ratio가 증가함에 따라, 습식 세정방식을 사용할 때 패턴이 무너지거나(pattern leaning) 데미지가 발생하는 문제점이 발생하였다.

이에, 최근 들어서는 기존의 습식 세정공정이 건식 세정공정으로 대체되고 있는 추세이다.

도 1은 종래의 건식 세정공정의 개략적인 흐름도이다.

도 1을 참조하면, 먼저 패턴이 형성된 기판으로 HF/NH3 가스를 공급하면, 폴리머 잔유물(p)에 포함되어 있는 SiO2 성분과 HF/NH3 성분이 반응하여 반응생성물(r)이 형성되고(반응생성물 형성공정), 이후 기판을 가열하면 반응생성물이 제거된다(열처리 공정). 그런데, 이때 폴리머 잔유물이 SiO2 만으로 이루어진 것이 아니라, 탄소(C)-Si-O-할로겐원소(Br 또는 Cl 등으로 에칭공정시 에칭가스에 포함된 성분) 등이 포함된 복합폴리머 형태이기 때문에 한 번의 공정을 통해 폴리머 잔유물이 모두 제거할 수 없으며, 따라서 반응생성물 형성공정과 열처리공정을 복수 회 반복해야해서 생산효율(throughput)이 낮아지게 되는 문제점이 있다.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 생산효율을 향상시킬 수 있는 건식 세정방식의 기판처리방법을 제공하는 것이다.

본 발명에 따른 기판처리방법은 에칭 공정을 통해 패턴이 형성되어 있는 기판 상에 존재하는 폴리머 잔유물을 제거하기 위한 것으로, 상기 기판으로 불소 함유 가스를 공급하여 상기 폴리머 잔유물과 반응시켜 반응생성물을 형성하는 반응생성물 형성단계와, 상기 반응생성물이 형성된 기판을 가열하여 상기 반응생성물을 제거하는 열처리단계와, 상기 폴리머 잔유물에 포함된 탄소를 산화시키는 산화처리단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 상기 산화처리단계는 상기 반응생성물 형성단계 이전 상기 기판으로 오존 또는 활성화된 산소를 공급함으로써 수행되는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명에 따르면 상기 산화처리단계는 상기 열처리단계에서 상기 기판을 가열하는 동안 상기 기판으로 오존 또는 활성화된 산소를 공급함으로써 수행되는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명에 따르면 상기 산화처리단계는 상기 반응생성물 형성단계에서 상기 기판으로 오존 또는 활성화된 산소를 공급함으로써 수행되는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명에 따르면 상기 반응생성물 형성단계에서는 HF 가스와 NH3가스를 상기 기판으로 공급하는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명에 따르면 상기 반응생성물 형성단계, 상기 열처리단계 및 상기 산화처리단계는 사이클을 이루어 복수 회 반복되는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명에 따르면 상기 폴리머 잔유물은 탄소(C), 실리콘(Si), 할로겐 원소를 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명에 따르면 폴리머 잔유물에 포함된 탄소 성분을 산화시킴으로써 폴리머 제거를 위해 반복해야하는 공정 횟수를 감소시킬 수 있으며, 그 결과 생산효율을 향상시킬 수 있다.

도 1은 종래에 시도되고 있는 건식 세정방식의 개략적인 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리방법의 개략적인 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리방법의 개략적인 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판처리방법의 개략적인 흐름도이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판처리방법에 관하여 설명한다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리방법의 개략적인 흐름도이다.

도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 기판처리방법(M100)은 기판 상에 잔존하는 폴리머 잔유물(p)을 건식 세정방식으로 제거하기 위한 것이다. 본 발명에서의 세정 대상물인 기판에 관하여 설명하면, 기판에는 에칭 공정을 통해 형성된 패턴이 형성되어 있으며, 이 패턴은 산화막층(Oxide), 폴리 실리콘층, 게이트 옥사이드층과 같이 복수 층의 막이 적층되어 있는 구조로 형성된다. 그리고, 이 패턴의 상측에는 탄소(C)-실리콘(Si)-할로겐 원소-산소(O)로 이루어지는 폴리머 잔유물(p)이 부착되어 있다. 이때, 할로겐 원소는 주로 에칭 공정시 에칭 가스에 포함되어 있던 것으로, Cl 또는 Br 등이 될 수 있다.

본 실시예에 따른 기판처리방법(M100)은 산화처리단계와, 반응생성물 형성단계와, 열처리단계를 포함한다.

먼저, 산화처리단계는 폴리머 잔유물에 포함되어 있는 탄소(C) 성분을 산화시키기 위한 것이다. 본 발명에서 폴리머 잔유물에 포함되어 있는 탄소 성분을 산화시키는 이유와 관련하여 설명하면, 앞서 설명한 바와 같이 폴리머 잔유물(p)은 C-Si-O-할로겐원소가 서로 복합적으로 결합되어 있는 것으로 분석되는데, 여기서 탄소 성분을 산화시키면 폴리머 잔유물(C 성분이 산화된 폴리머 잔유물)의 성질이 SiO2와 유사해지고, 이와 같이 폴리머 잔유물이 SiO2와 유사한 성질을 가지게 되면 후술하는 반응생성물 형성단계 및 열처리단계를 통해 더 많은 양의 폴리머 잔유물을 제거할 수 있기 때문이다.

그리고, 이러한 산화처리단계는 반응생성물 형성단계 및 열처리단계의 전이나 후, 또는 반응생성물 형성단계 또는 열처리단계와 함께 이루어질 수 있는데, 본 실시예의 경우 산화처리단계는 반응생성물 형성단계 이전에 이루어진다.

도 2의 (a)에 도시된 바와 같이 산화처리단계에서는 기판으로 오존을 공급하며, 이에 따라 폴리머 잔유물(p)에 포함된 탄소(C) 성분이 산화되며, 그 결과 폴리머 잔유물이 SiO2와 유사한 성질을 가지게 되고, 아울러 C-Si-O-할로겐원소 사이의 결합강도가 상대적으로 약해지게 되는 것으로 추정된다.

도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 반응생성물 형성단계에서는 기판으로 불소 함유 가스를 공급하는데, 본 실시예의 경우 HF 가스와, NH3 가스를 기판으로 공급한다. 그러면, 도 2의 (c)에 도시된 바와 같이 폴리머 잔유물(p)에 포함되어 있는 SiO2와 HF 가스 및 NH3 가스가 반응하여 반응생성물(r)을 형성한다.

도 2의 (d)에 도시된 바와 같이, 열처리단계에서는 기판을 고온(통상적으로 150~200℃)으로 가열하며, 이에 따라 반응생성물이 열분해되어 제거된다.

한편, 앞서 배경기술에서도 언급한 바와 같이 폴리머 잔유물이 C-Si-O-할로겐원소 등을 포함하기 때문에, 한 번의 공정을 통해 모든 폴리머 잔유물이 제거되기는 어렵다. 따라서, 폴리머 잔유물이 모두 제거(또는, 원하는 수준으로 제거)될 때까지 산화처리단계, 반응생성물 형성단계 및 열처리단계를 사이클을 이루어 반복함으로써 폴리머 잔유물을 제거한다. 단, 본 실시예에 따르면 산화처리공정을 통해 폴리머 잔유물에 포함된 탄소를 산화시킴으로써 한 번의 공정 사이클을 통해 더 많은 양의 폴리머 잔유물을 제거할 수 있고, 그 결과 폴리머 잔유물을 모두 제거하기 위해 반복해야만 하는 사이클의 횟수가 감소되므로 생산효율(throughput)이 향상된다.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리방법의 개략적인 흐름도이다.

도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 기판처리방법(M200)에서는 산화처리단계와 반응생성물 형성단계가 동시에 이루어진다. 즉, 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, 기판으로 HF 및 NH3 가스를 공급할 때 오존(O3)을 함께 공급한다. 그러면, 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이 폴리머 잔유물(p)에 포함된 탄소가 산화되면서 동시에, HF와 NH3 가스가 폴리머 잔유물과 반응하여 반응생성물(r)이 형성된다. 이후, 기판을 가열하면 반응생성물이 열분해되어 제거된다.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판처리방법의 개략적인 흐름도이다.

도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 기판처리방법(M300)에서는 산화처리단계가 열처리단계와 함께 이루어진다. 즉, 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 먼저 기판으로 HF/NH3 가스를 공급하여 반응생성물(r)을 형성한다. 이후, 기판을 가열하면서 기판으로 오존(O3)을 공급하면, 반응생성물(r)이 열분해되면서 동시에 오존에 의해 남아있는 폴리머 잔유물(p)이 산화처리된다. 특히, 본 실시예의 경우, 고온 상태에서 기판으로 오존이 공급되므로, 폴리머 잔유물의 산화가 앞서 설명한 실시예보다 더욱더 원활하게 일어나게 되는 장점이 있다.

한편, 앞서 설명한 실시예에서는 산화처리단계에서 기판으로 오존을 공급하여 폴리머 잔유물을 산화하였으나, 기판으로 활성화된 산소를 공급함으로써 폴리머 잔유물을 산화할 수 있다. 그리고, 기판으로 활성화된 산소를 공급하는 방식으로는, RPS(Remote Plasma Source) 장치에서 활성화된 산소를 생성하고, 이를 기판으로 공급할 수 있다. 또한, 산소를 고온으로 가열하여 활성화시킨 후, 이를 기판으로 공급할 수도 있다.

또한, 앞서 설명한 실시예에서는 HF 가스와 NH3 가스를 폴리머 잔유물로 공급하여 반응생성물을 형성하였으나, NF3 가스와 NH3 가스를 기판으로 공급하여 반응생성물을 형성할 수도 있다.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.

M100,M200,M300...기판처리방법
p...폴리머 잔유물 r...반응생성물

Claims (7)

1. 에칭 공정을 통해 패턴이 형성되어 있는 기판 상에 존재하며, 탄소(C), 실리콘(Si), 할로겐 원소 및 산소(O) 성분을 포함하여 이루어진 폴리머 잔유물을 제거하기 위한 것으로,
   상기 기판으로 불소 함유 가스를 공급하여 상기 폴리머 잔유물과 반응시켜 반응생성물을 형성하는 반응생성물 형성단계와,
   상기 반응생성물이 형성된 기판을 가열하여 상기 반응생성물을 제거하는 열처리단계와,
   상기 기판으로 오존 또는 활성화된 산소를 공급함으로써 상기 폴리머 잔유물에 포함된 탄소를 산화시키는 산화처리단계를 포함하되,
   상기 산화처리단계는 상기 열처리단계와 동시에 이루어지며,
   상기 반응생성물 형성단계, 상기 열처리단계 및 상기 산화처리단계는 사이클을 이루어 복수 회 반복되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
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