KR101452169B1 - 하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조방법 - Google Patents

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이재훈
홍광표
김성웅
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Abstract

하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조방법을 개시한다.
하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조방법은 웨이퍼 상면에 버퍼 레이어를 형성하는 단계; 상기 버퍼 레이어의 상면에 박막 PZT를 증착하는 단계; 상기 박막 PZT 표면을 연마하는 단계; 상기 박막 PZT 표면에 씨드 레이어를 증착하고 포토 공정을 통해서 전극을 패터닝하는 단계; 전해 도금하여 제1 전극 패드와 제2 전극 패드를 형성하는 단계; 불필요한 부분을 메탈 습식 에칭 공정을 거쳐서 제거하는 단계; 웨이퍼 배면을 폴리싱하는 단계; 일정크기로 절단하여 박막 PZT 칩을 형성하는 단계; 및 상기 박막 PZT 칩의 성능을 테스트하는 단계;로 구성된다.

Description

하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조방법{THIN FILM TYPE PZT SENSOR MANUFACTURING METHOD FOR HARD DISC}
본 발명은 하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조방법에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 기존 벌크 타입의 PZT 센서를 반도체 공정을 사용한 박막형 PZT 센서로 대체함으로써, 낮은 부상 높이와 민감도 및 무게나 부피의 비중을 최소화할 수 있는 하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 하드디스크는 자기기록 기술을 이용한 정보저장장치에서 자기기록매체에 정보를 기록하거나 또는 이와 반대로 자기적 신호를 전기적 신호로 읽어 들이는 역할을 하는 광범위한 과학의 총괄 집합체라 할 수 있다.
현재 2 테라바이트의 저장장치 시대가 개척되는 시점에 있어서 하드디스크의 선기록 밀도와 트랙 밀도의 증가가 중요한 요소이며, 이러한 기록밀도의 증가는 연간 약 50%의 증가 추세를 보이고 있다.
자기 헤드는 공기 베어링에 의하여 일정한 높이로 디스크 위를 떠서 이동하게 되는데, 저장밀도의 증가를 위해서는 부상 높이가 낮아져야 하므로, 현재 많은 연구기관에서 좀더 낮고 안정된 부상높이를 구현하기 위해 연구를 진행하고 있으며, 이와 더불어 저장밀도의 증가를 이루기 위해 소형화되는 추세에 있다.
하드디스크 장치에 사용되는 자기디스크는 원반형의 유리 또는 알루미늄 등의 비자성체 기판을 사용하고 있는데, 상기 비자성체 기판의 표면에 자성막과 주로 탄소로 이루어지는 보호막을 성막하고, 그 위에 플루오로 카본계의 윤활제를 도포하고 있다. 이렇게 만들어진 자기디스크는 자기헤드와 조합하여 정보를 기록 또는 재생하는 기록 장치로서 사용되고 있다.
자기 디스크용 글라이드 헤드는 이 자기 디스크의 표면에 발생한 미소한 돌기 또는 이물질 등을 검출하기 위한 센서로서, 자기 디스크의 검사공정에서 사용되고 있다.
글라이드 헤드는 몇 종류가 실용화되고 있지만, 압전소자를 탑재한 것과 헤드 외부에 AE 센서를 장착한 것이 주류로 되어 있다.
압전 소자 방식(PZT:lead zirconate titanate)과 AE 방식은 자기 디스크의 표면에 발생한 미소한 결함에 글라이드 헤드의 슬라이더가 충돌하여 생기는 진동을 전압으로 변환하는 방식이 다를 뿐이다. 이러한 압전소자 중 현재 상용화되고 있는 타입은 벌크 형태의 방식으로 부피나 무게로 인해 슬라이더의 부상높이에 한계가 있는 단점이 있다.
그러므로, 이러한 단점을 개선하기 위해서 벌크형의 압전소자보다 민감도가 좋으면서 무게나 부피의 비중을 최소화할 수 있는 하드디스크용 박막형 PZT 센서 제조방법의 개발이 절실히 요구되고 있는 실정이다.
없음
전술한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 하드디스크 드라이브 미디어의 표면 결함을 검출하는 PZT 센서를 제조함에 있어서, 기존 벌크형 PZT 센서를 박막형 PZT 센서로 제조함으로써, 기존의 벌크형 PZT 센서에 비해 슬라이더의 소형화가 이루어질 수 있음은 물론 그 크기도 초소형의 Femto Size에서 Pico Size까지의 적용 가능한 하드디스크용 박막형 PZT 센서 제조방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다.
또한, 본 발명의 목적은 기존의 벌크형의 PZT 센서를 반도체 공정을 사용한 박막형 PZT 센서로 대체함으로써, 낮은 부상 높이와 민감도 및 무게나 부피의 비중을 최소화할 수 있는 하드디스크용 박막형 PZT 센서 제조방법을 제공하는 데에 있다.
전술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 예에 따른 하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조방법은 웨이퍼 상면에 버퍼 레이어를 형성하는 단계; 상기 버퍼 레이어의 상면에 박막 PZT를 증착하는 단계; 상기 박막 PZT 표면을 연마하는 단계; 상기 박막 PZT 표면에 씨드 레이어를 증착하고 포토 공정을 통해서 전극을 패터닝하는 단계; 전해 도금하여 제1 전극 패드와 제2 전극 패드를 형성하는 단계; 불필요한 부분을 메탈 습식 에칭 공정을 거쳐서 제거하는 단계; 웨이퍼 배면을 폴리싱하는 단계; 일정크기로 절단하여 박막 PZT 칩을 형성하는 단계; 및 상기 박막 PZT 칩의 성능을 테스트하는 단계;를 포함한다.
상기 버퍼 레이어를 형성하는 단계에서는, 스퍼터링 공정을 통해서 Ti 또는 Pt를 증착할 수 있다.
상기 박막 PZT 표면을 연마하는 단계에서는, 화학연마 공정(CMP)으로 연마할 수 있다.
상기 박막 PZT 칩을 하드디스크의 글라이드 헤드에 부착하는 경우에는, 상기 글라이드 헤드 후면에 졸-겔, Sputter, CVD, 스크린 프린팅 방법 중에서 선택된 어느 하나로 압전소자용 재료인 상기 박막 PZT 칩을 증착 또는 코팅한다.
상기 제1 전극 패드와 상기 제2 전극 패드는 Reactive Ion Beam Etching 공정으로 연결한다.
상기 박막 PZT는 Aerogel Deposition, Sol-Gel, Sputter공정으로 제조한다.
상기 박막 PZT는 50~55:45~50(Pb:Zr)의 조성을 갖는다.
상기 박막 PZT 표면에 전극 형성을 위해서 씨드 레이어를 증착하는 단계에서는, 상기 씨드 레이어(Seed Layer)를 Co-Ni-Fe 합금을 사용하여 제작한다.
한편, 본 발명의 다른 예에 따른 하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조방법은 웨이퍼 상면에 버퍼 레이어를 형성하는 단계; 상기 버퍼 레이어의 상면에 박막 PZT를 증착하는 단계; 상기 박막 PZT를 에칭하는 단계; 상기 박막 PZT 표면을 연마하는 단계; 상기 박막 PZT 표면에 씨드 레이어를 증착하고 포토 공정을 통해서 전극을 패터닝하는 단계; 전해 도금하여 제1 전극 패드와 제2 전극 패드를 형성하는 단계; 불필요한 부분을 메탈 습식 에칭 공정을 거쳐서 제거하는 단계; 웨이퍼 배면을 폴리싱하는 단계; 일정크기로 절단하여 박막 PZT 칩을 형성하는 단계; 및 상기 박막 PZT 칩의 성능을 테스트하는 단계;를 포함한다.
상기 박막 PZT 표면을 연마하는 단계에서는, 화학연마 공정(CMP)으로 연마할 수 있다.
상기 제1 전극 패드와 제2 전극 패드를 형성하는 단계에서는, 리니어 타입(Linear type)과 캔틸레버 타입(Cantilever type)을 양극과 음극으로 사용한다.
상기 리니어 타입에서 전극의 극간 거리를 10㎛ ~ 100㎛로 제작한다.
상기 제1 전극 패드와 상기 제2 전극 패드는 Reactive Ion Beam Etching 공정으로 연결할 수 있다.
상기 박막 PZT은 Aerogel Deposition, Sol-Gel, Sputter공정으로 제조할 수 있다. 상기 박막 PZT은 50~55:45~50(Pb:Zr)의 조성을 갖는다.
상기 박막 PZT 표면에 전극 형성을 위해서 씨드 레이어를 증착하는 단계에서는, 상기 씨드 레이어를 Co-Ni-Fe 합금을 사용하여 제작한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 하드디스크 드라이브 미디어의 표면 결함을 검출하는 PZT센서를 제조함에 있어서, 기존 벌크형 PZT 센서를 박막형 PZT 센서로 제조함으로써, 기존의 벌크형 PZT 센서에 비해 슬라이더의 소형화가 이루어질 수 있음은 물론 그 크기도 초소형의 Femto Size에서 Pico Size까지의 적용 가능하다.
또한, 본 발명은 기존의 벌크형의 압전소자를 반도체 공정을 사용한 하드디스크용 박막형 PZT 센서로 대체함으로써, 낮은 부상 높이와 민감도 및 무게나 부피의 비중을 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 예에 따른 하드디스크용 박막형 피제티 센서를 종단면도
도 2는 본 발명의 일 예에 따른 하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조공정을 보인 종단면
도 3은 본 발명의 일 예에 따른 하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조공정을 설명하는 흐름도
도 4는 본 발명의 다른 예에 따른 하드디스크용 박막형 피제티 센서를 보인 종단면도
도 5는 본 발명의 다른 예에 따른 하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조공정을 보인 종단면
도 6은 본 발명의 다른 예에 따른 하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조공정을 설명하는 흐름도
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조방법에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 예에 따른 하드디스크용 박막형 피제티 센서를 보인 종단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 예에 따른 하드디스크용 박막형 피제티 센서(100)는 웨이퍼(기판)(110) 위에 Ti 또는 Pt의 버퍼 레이어(120)가 형성된다. 그리고, 상기 버퍼 레이어(120) 위에 박막 PZT(130)가 증착되며, 상기 박막 PZT(130) 위에 제1 전극 패드(150)와 제2 전극 패드(160)가 형성된다.
도 2는 본 발명의 일 예에 따른 하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조공정을 보인 종단면이고, 도 3은 본 발명의 일 예에 따른 하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조공정을 설명하는 흐름도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 예에 따른 하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조방법은 우선 웨이퍼(110) 상면에 버퍼 레이어(120)를 형성한다(S 10). 그 다음, 상기 버퍼 레이어(120)의 상면에 박막 PZT(130)를 증착한다(S 20).
그 다음, 박막 PZT(130) 표면을 연마하고(S 30), 상기 박막 PZT(130) 표면에 씨드 레이어를 증착하고 포토 공정을 통해서 전극을 패터닝한다(S 40).
그 다음, 전해 도금하여 제1 전극 패드(150)와 제2 전극 패드(160)를 형성한다(S 50).
그 다음, 불필요한 부분을 메탈 습식 에칭 공정을 거쳐서 제거하고(S 60), 배면(하면)을 폴리싱 한다(S 70).
그 다음, 일정크기로 절단하여 박막 PZT 칩(100)을 형성하고(S 80), 상기 박막 PZT 칩(100)의 성능을 테스트한다(S 90).
상기 버퍼 레이어(120)를 형성하는 단계(S 10)에서는, 스퍼터링 공정을 통해서 Ti 또는 Pt를 증착할 수 있다.
상기 버퍼 레이어(120)의 상면에 박막 PZT(130)를 증착하는 단계(S 20)에서는, 웨이퍼의 후면에 졸-겔, Sputter, CVD, 스크린 프린팅 방법 중에서 선택된 어느 하나로 압전소자용 재료인 PZT를 증착 또는 코팅하는 것이다. 여기서, 압전소자용 재료는 PZT(Lead zirconium titanate: Pb(ZrxTi1-x)O3, 0<x<1), PLZT(lanthanum-doped lead zirconate titanate: PbyLa1-y(ZrxTi1-x)O3), SBT(Strontium bismuth tantalite: SrBi2Ta2O9), BIT(bismuth titanate Bi4Ti3O12), BLT(bismuth lanthanum titanate: Bi4-xLaxTi3O12), PMN-PT(Lead magnesium niobate-lead titanate) 및 PZN-PT(Lead zinc niobate-lead titanate)의 perovskite계 압전 물질, ZnO(Zinc oxide), AlN(Aluminium nitride)의 이원계 압전 물질, PVDF(Polyvinylidene fluoride)의 고분자계 압전 물질을 포함한다.
상기 PZT를 코팅하는 방법 중에서 졸-겔 방법은 스핀 코팅(4000rpm, 40sec), 소프트 베이킹(150℃, 10min), 하드 베이킹(350℃, 10min), 어닐링(RTA, 650℃, 10min)하여 PZT 박막을 형성하는 것이다.
상기 박막 PZT(130)은 Aerogel Deposition, Sol-Gel, Sputter 공정으로 제조할 수 있다. 상기 박막 PZT(130)는 50~55:45~50(Pb:Zr)의 조성을 갖는다.
상기 박막 PZT 표면을 연마하는 단계(S 30)에서는, 화학연마 공정(CMP)으로 연마할 수 있다.
상기 박막 PZT(130) 표면에 씨드 레이어를 증착할 때에는, 씨드 레이어를 Co-Ni-Fe 합금을 사용하여 제작할 수 있다.
전해 도금하여 제1 전극 패드(150)와 제2 전극 패드(160)를 형성하는 단계(S 50)에서는, 상기 PZT에 도금을 통해서 금(Gold)으로 전극을 형성하는 것이다. 여기서, 상기 PZT와 전극 사이에 CoNiFe를 증착하는 것도 가능할 것이다.
일정크기로 절단하여 박막 PZT 칩(100)을 형성하는 단계(S 80)에서는, 웨이퍼의 전면부에 에어 베어링 표면(ABS)이 형성되고, 웨이퍼의 배면에 PZT 면이 형성된 기판을 femto, Pico, Nano 크기 중에서 선택되는 크기로 가공하는 칩 크기로 절단하는 것이다. 여기서, 상기 Pico type은 1.25mmX1.0mmX0.43mm이고, Femto type은 0.85mmX0.7mmX0.3mm이며, Nano type은 2.5mmX1.6mmX0.43mm인 것이다. 또한 상기 에어 베어링 표면(ABS)은 2 rail type 및 NPAB type인 것이다.
상기 제1 전극 패드(150)와 상기 제2 전극 패드(160)는 Reactive Ion Beam Etching 공정으로 연결할 수 있다.
도면에 도시하지는 않았으나, 상기 박막 PZT 칩(100)을 하드디스크의 글라이드 헤드에 부착하는 경우에는, 상기 글라이드 헤드 후면에 졸-겔, Sputter, CVD, 스크린 프린팅 방법 중에서 선택된 어느 하나로 압전소자용 재료인 상기 박막 PZT 칩을 증착 또는 코팅한다.
한편, 도 4는 본 발명의 일 예에 따른 하드디스크용 박막형 피제티 센서를 보인 종단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 예에 따른 하드디스크용 박막형 피제티 센서(200)는 웨이퍼(기판)(210) 위에 Ti 또는 Pt의 버퍼 레이어(220)가 형성된다. 그리고, 상기 버퍼 레이어(220) 위에 박막 PZT(230)가 증착되며, 상기 박막 PZT(230) 위에 제1 전극 패드(250)가 형성되고, Ti 또는 Pt의 버퍼 레이어(220) 위에 제2 전극 패드(260)가 형성된다.
도 5는 본 발명의 다른 예에 따른 하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조공정을 보인 종단면이고, 도 6은 본 발명의 다른 예에 따른 하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조공정을 설명하는 흐름도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 예에 따른 하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조방법은 우선, 웨이퍼(210) 상면에 버퍼 레이어(220)를 형성한다(S 210).
그 다음, 상기 버퍼 레이어(220)의 상면에 박막 PZT(230)를 증착한다(S 220).
그 다음, 상기 박막 PZT(230)를 에칭하고(S 230), 박막 PZT(130) 표면을 연마(S 240)한다.
그 다음, 상기 박막 PZT(230) 표면에 씨드 레이어를 증착하고 포토 공정을 통해서 전극을 패터닝한다(S 250).
그 다음, 전해 도금하여 제1 전극 패드(250)와 제2 전극 패드(260)를 형성한다(S 260).
그 다음, 불필요한 부분을 메탈 습식 에칭 공정을 거쳐서 제거하고(S 270), 웨이퍼 배면(하면)을 폴리싱 한다(S 280).
그 다음, 일정크기로 절단하여 박막 PZT 칩(200)을 형성하고(S 290), 상기 박막 PZT 칩(200)의 성능을 테스트한다(S 291).
상기 박막 PZT(230) 표면을 연마하는 단계(S 240)에서는, 화학연마 공정(CMP)으로 연마할 수 있다.
제1 전극 패드(250)와 제2 전극 패드(260)를 형성하는 단계(S 260)에서는, 리니어 타입(Linear type)과 캔틸레버 타입(Cantilever type)을 양극과 음극으로 사용한다. 상기 리니어 타입에서 전극의 극간 거리를 10㎛ ~ 100㎛로 제작한다.
상기 제1 전극 패드(250)와 상기 제2 전극 패드(260)는 Reactive Ion Beam Etching 공정으로 연결할 수 있다.
상기 박막 PZT(230)은 Aerogel Deposition, Sol-Gel, Sputter공정으로 제조할 수 있다. 상기 박막 PZT(230)은 50~55:45~50(Pb:Zr)의 조성을 갖는다.
상기 박막 PZT(230) 표면에 전극 형성을 위해서 씨드 레이어를 증착하는 단계(S 250)에서는, 상기 씨드 레이어를 Co-Ni-Fe 합금을 사용하여 제작할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 하드디스크 드라이브 미디어의 표면 결함을 검출하는 PZT센서를 제조함에 있어서, 기존 벌크형 PZT 센서를 박막형 PZT 센서로 제조함으로써, 기존의 벌크형 PZT 센서에 비해 슬라이더의 소형화가 이루어질 수 있음은 물론 그 크기도 초소형의 Femto Size에서 Pico Size까지의 적용 가능하다.
또한, 본 발명은 기존의 벌크형의 압전소자를 반도체 공정을 사용한 하드디스크용 박막형 PZT 센서로 대체함으로써, 낮은 부상 높이와 민감도 및 무게나 부피의 비중을 최소화할 수 있다.
본 발명은 한정된 실시 예와 도면을 통하여 설명되었으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재된 특허청구범위의 균등 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
100: 하드디스크용 박막형 피제티 센서
110: 웨이퍼(기판)
120: 버퍼 레이어
130: 박막 PZT
150: 제1 전극 패드
160: 제2 전극 패드

Claims (15)

  1. 웨이퍼 상면에 버퍼 레이어를 형성하는 단계;
    상기 버퍼 레이어의 상면에 박막 PZT를 증착하는 단계;
    상기 박막 PZT 표면을 연마하는 단계;
    상기 박막 PZT 표면에 씨드 레이어를 증착하고 포토 공정을 통해서 전극을 패터닝하는 단계;
    전해 도금하여 제1 전극 패드와 제2 전극 패드를 형성하는 단계;
    불필요한 부분을 메탈 습식 에칭 공정을 거쳐서 제거하는 단계;
    상기 웨이퍼 배면을 폴리싱하는 단계;
    일정크기로 절단하여 박막 PZT 칩을 형성하는 단계; 및
    상기 박막 PZT 칩의 성능을 테스트하는 단계;를 포함하되,
    상기 박막 PZT 표면을 연마하는 단계에서는, 화학연마 공정(CMP)으로 연마하는 것을 특징으로 하는 하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 버퍼 레이어를 형성하는 단계에서는, 스퍼터링 공정을 통해서 Ti 또는 Pt를 증착하는 것을 특징으로 하는 하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조방법.
  3. 삭제
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 전극 패드와 상기 제2 전극 패드는 Reactive Ion Beam Etching 공정으로 연결하는 것을 특징으로 하는 하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 박막 PZT는 Aerogel Deposition, Sol-Gel, Sputter공정으로 제조하는 것을 특징으로 하는 하드디스크용 박막형 센서 제조방법.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 박막 PZT는 50~55:45~50(Pb:Zr)의 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 박막 PZT 표면에 전극 형성을 위해서 씨드 레이어를 증착하는 단계에서는, 상기 씨드 레이어를 Co-Ni-Fe 합금을 사용하여 제작하는 것을 특징으로 하는 하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조방법.
  8. 웨이퍼 상면에 버퍼 레이어를 형성하는 단계;
    상기 버퍼 레이어의 상면에 박막 PZT를 증착하는 단계;
    상기 박막 PZT를 에칭하는 단계;
    상기 박막 PZT 표면을 연마하는 단계;
    상기 박막 PZT 표면에 씨드 레이어를 증착하고 포토 공정을 통해서 전극을 패터닝하는 단계;
    전해 도금하여 제1 전극 패드와 제2 전극 패드를 형성하는 단계;
    불필요한 부분을 메탈 습식 에칭 공정을 거쳐서 제거하는 단계;
    웨이퍼 배면을 폴리싱하는 단계;
    일정크기로 절단하여 박막 PZT 칩을 형성하는 단계; 및
    상기 박막 PZT 칩의 성능을 테스트하는 단계;를 포함하되,
    상기 박막 PZT 표면을 연마하는 단계에서는, 화학연마 공정(CMP)으로 연마하는 것을 특징으로 하는 하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조방법.
  9. 삭제
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 전해 도금하여 제1 전극 패드와 제2 전극 패드를 형성하는 단계에서, 리니어 타입(Linear type)과 캔틸레버 타입(Cantilever type)을 양극과 음극으로 사용하는 것을 특징으로 하는 하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 리니어 타입에서 전극의 극간 거리를 10㎛ ~ 100㎛로 제작하는 것을 특징으로 하는 하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조방법.
  12. 청구항 8에 있어서,
    상기 제1 전극 패드와 상기 제2 전극 패드는 Reactive Ion Beam Etching 공정으로 연결하는 것을 특징으로 하는 하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조방법.
  13. 청구항 8에 있어서,
    상기 박막 PZT는 Aerogel Deposition, Sol-Gel, Sputter공정으로 제조하는 것을 특징으로 하는 하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조방법.
  14. 청구항 8에 있어서,
    상기 박막 PZT는 50~55:45~50(Pb:Zr)의 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조방법.
  15. 청구항 8에 있어서,
    상기 박막 PZT 표면에 전극 형성을 위해서 씨드 레이어를 증착하는 단계에서는, 상기 씨드 레이어를 Co-Ni-Fe 합금을 사용하여 제작하는 것을 특징으로 하는 하드디스크용 박막형 피제티 센서 제조방법.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008034091A (ja) * 2006-07-25 2008-02-14 Sae Magnetics Ltd マイクロアクチュエータ、これを備えたヘッドジンバルアセンブリ及びその製造方法
JP2011029394A (ja) * 2009-07-24 2011-02-10 Utec:Kk Ｐｚｔ膜、電子部品、酸化物材料膜の製造方法及び水蒸気加圧急速加熱装置
KR20120124755A (ko) * 2011-05-04 2012-11-14 (주)노바마그네틱스 하드디스크용 박막형 피제티 글라이드 헤드의 제조방법
KR20130028720A (ko) * 2010-03-12 2013-03-19 호쿠리쿠 덴키 고교 가부시키가이샤 Ｐｚｔ막을 구비한 센서 소자의 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008034091A (ja) * 2006-07-25 2008-02-14 Sae Magnetics Ltd マイクロアクチュエータ、これを備えたヘッドジンバルアセンブリ及びその製造方法
JP2011029394A (ja) * 2009-07-24 2011-02-10 Utec:Kk Ｐｚｔ膜、電子部品、酸化物材料膜の製造方法及び水蒸気加圧急速加熱装置
KR20130028720A (ko) * 2010-03-12 2013-03-19 호쿠리쿠 덴키 고교 가부시키가이샤 Ｐｚｔ막을 구비한 센서 소자의 제조 방법
KR20120124755A (ko) * 2011-05-04 2012-11-14 (주)노바마그네틱스 하드디스크용 박막형 피제티 글라이드 헤드의 제조방법

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