KR101449771B1 - 레이저 가공방법 - Google Patents

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Abstract

가공대상물의 레이저광 조사면에 대해서 소망한 위치에 개질영역을 정밀도 좋게 형성한다. 트레이스 기록시, 평균차분(γ)이 소정의 문턱값을 넘은 값을 가지는 경우, 평균차분(γ)이 소정의 문턱값을 넘은 라인 구간(S)을 포함하는 파티클 구간(Z)을 결정한다. 이것에 의해, 절단예정라인(5) 위에 파티클이 존재하고, 해당 파티클에서 측정용 레이저광이 난반사하고 있는 것이 판단되며, 절단예정라인 구간에서 파티클의 존재에 의해서 제어신호에 영향이 미치는 구간이 파티클 구간(Z)으로서 검출된다. 그리고, 파티클 구간(Z)에서 제어신호를 보정하는 것에 의해, 파티클의 존재에 의한 영향으로 제어신호에 오차가 포함되기 때문에 집광용 렌즈가 필요이상으로 이동되는 것을 억제하여 표면(3)에 대해서 가공용 레이저광의 집광점을 정밀도 좋게 추종시킨다.

Description

레이저 가공방법{LASER PROCESSING METHOD}
본 발명은 판상(板狀)의 가공대상물을 절단예정라인에 따라서 절단하기 위한 레이저 가공방법에 관한 것이다.
종래의 레이저 가공방법으로서, 판상의 가공대상물의 내부에 집광점을 맞추어 가공용 레이저광을 조사하는 것에 의해, 가공대상물의 절단예정라인에 따라서 절단의 기점(起点)이 되는 개질영역을 가공대상물의 내부에 형성하는 것이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
이와 같은 레이저 가공방법에서는 가공대상물의 레이저광 조사면에 대해서 소망한 위치에 개질영역을 정밀도 좋게 형성하기 위해서, 레이저광 조사면의 변위를 측정하기 위한 측정용 레이저광을 절단예정라인에 따라서 조사하고, 이 조사에 따라 레이저광 조사면에서 반사된 반사광을 검출하는 경우가 있다.
[특허문헌 1] 일본국 특개2004-343008호 공보
<발명이 해결하고자 하는 과제>
그렇지만, 상술과 같은 레이저 가공방법에서는, 예를 들면 절단예정라인 위에 티끌이나 먼지 등의 파티클이 존재하면, 해당 파티클에서 측정용 레이저광이 난반사(亂反射)해 버려, 그 반사광을 정밀도 좋게 검출하지 못하고, 레이저광 조사면에 대해서 소망한 위치에 개질(改質)영역을 정밀도 좋게 형성할 수 없을 우려가 있다.
그래서, 본 발명은 가공대상물의 레이저광 조사면에 대해서 소망한 위치에 개질영역을 정밀도 좋게 형성할 수 있는 레이저 가공방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
<과제를 해결하기 위한 수단>
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 관한 레이저 가공방법은 판상의 가공대상물의 내부에 집광점을 맞추어 가공용 레이저광을 조사하는 것에 의해, 가공대상물의 절단예정라인에 따라서 절단의 기점이 되는 개질영역을 가공대상물의 내부에 형성하는 레이저 가공방법으로서, 절단예정라인에 따라서 측정용 레이저광을 조사하는 것에 의해, 가공대상물에서 측정용 레이저광이 조사되는 레이저광 조사면에서 반사하는 측정용 레이저광의 반사광에 따른 검출값을 검출하고, 해당 검출값이 소정값이 되도록 가공용 레이저광을 집광하는 집광용 렌즈를 레이저광 조사면에 대해서 소정의 위치에 이동시키는 것에 의해, 집광용 렌즈를 이동시키기 위한 신호값을 취득하는 공정과, 신호값에 근거하여 집광용 렌즈를 레이저광 조사면에 대해서 소정의 위치에 이동시키는 것에 의해, 가공용 레이저광의 집광점을 레이저광 조사면에 대해서 소정의 위치에 맞추면서, 집광용 렌즈를 절단예정라인에 따라서 상대이동시켜 개질영역을 가공대상물의 내부에 형성하는 공정을 포함하고, 신호값을 취득하는 공정에서는 검출값이 소정의 문턱값을 넘은 값을 가지는 경우, 검출값이 소정의 문턱값을 넘은 라인 구간을 포함하는 소정의 라인 구간을 결정하고 해당 소정의 라인 구간에서 신호값을 보정하는 것을 특징으로 한다.
이 본 발명에 관한 레이저 가공방법에서는 절단예정라인에 따라서 측정용 레이저광을 조사하는 것에 의해, 가공대상물의 레이저광 조사면에서 반사하는 측정용 레이저광의 반사광에 따른 검출값을 검출하지만, 그 검출값이 소정의 문턱값을 넘은 값을 가지는 경우, 검출값이 소정의 문턱값을 넘은 라인 구간을 포함하는 소정의 라인 구간을 결정하고 해당 소정의 라인 구간에서 신호값을 보정한다. 이것에 의해, 절단예정라인 위에 파티클이 존재해 해당 파티클에서 측정용 레이저광이 난반사하고 있는 것을 판단할 수 있고, 또한, 소정의 라인 구간으로 하여 파티클의 존재에 의해서 검출값에 영향이 미치는 구간을 검출하는 것이 가능하게 된다. 그리고, 소정의 라인 구간에서 신호값을 보정하는 것에 의해, 파티클의 존재에 의한 영향으로 신호값에 오차가 포함되기 때문에 집광용 렌즈가 필요이상으로 이동하는 것을 억제하여 레이저광 조사면에 대해서 가공용 레이저광의 집광점을 정밀도 좋게 추종시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 의하면, 가공대상물의 레이저광 조사면에 대해서 소망한 위치에 개질영역을 정밀도 좋게 형성할 수 있다. 또한, 라인 구간이라고 하는 것은 가공대상물의 절단예정라인에 따른 절단예정라인 구간에서 검출값이 소정의 문턱값을 넘은 구간을 가리키는 것이다.
또, 신호값을 취득하는 공정에서는 검출값이 소정의 문턱값을 넘은 값을 가지는 경우, 절단예정라인에 따라서 소정의 라인 구간 이외의 신호값을 재차 취득하는 것이 바람직하다. 여기서, 검출값에 대한 신호값의 응답성의 지연 때문에, 파티클의 존재에 의해서 검출값에 영향이 미치는 소정의 라인 구간의 근방에서 신호값을 정밀도 좋게 취득할 수 없는 경우가 있다. 그래서, 소정의 라인 구간 이외의 신호값을 재차 취득하는 것에 의해, 소정의 라인 구간의 근방에서도 레이저광 조사면에 대해서 가공용 레이저광의 집광점을 정밀도 좋게 추종시킬 수 있다.
또, 소정의 라인 구간에서 신호값을 일정하게 하는 것에 의해, 소정의 라인 구간에서 신호값을 보정하는 경우나, 소정의 라인 구간에서 신호값을 해당 소정의 라인 구간의 근방의 신호값으로 스무딩(smoothing)하는 것에 의해, 소정의 라인 구간에서 신호값을 보정하는 경우가 있다. 이러한 경우, 레이저광 조사면에 대해서 가공용 레이저광의 집광점을 부드럽게 추종시킬 수 있다.
또, 가공대상물이 반도체기판을 구비하고, 개질영역이 용융처리영역을 포함한 경우가 있다.
또, 개질영역을 절단의 기점으로 하여 절단예정라인에 따라서 가공대상물을 절단하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 가공대상물을 절단예정라인에 따라서 정밀도 좋게 절단할 수 있다.
<발명의 효과>
본 발명에 의하면, 가공대상물의 레이저광 조사면으로부터 소망한 위치에 개질영역을 정밀도 좋게 형성하는 것이 가능하게 된다.
도 1은 본 실시형태에 관한 레이저 가공장치에 의한 레이저 가공중의 가공대상물의 평면도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 가공대상물의 Ⅱ-Ⅱ선에 따른 단면도이다.
도 3은 본 실시형태에 관한 레이저 가공장치에 의한 레이저 가공후의 가공대상물의 평면도이다.
도 4는 도 3에 나타내는 가공대상물의 Ⅳ-Ⅳ선에 따른 단면도이다.
도 5는 도 3에 나타내는 가공대상물의 V-V선에 따른 단면도이다.
도 6은 본 실시형태에 관한 레이저 가공장치에 의해 절단된 가공대상물의 평면도이다.
도 7은 본 실시형태에 관한 레이저 가공장치에서의 전계강도와 크랙스폿의 크기와의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 8은 본 실시형태에 관한 레이저 가공장치의 제1 공정에서의 가공대상물의 단면도이다.
도 9는 본 실시형태에 관한 레이저 가공장치의 제2 공정에서의 가공대상물의 단면도이다.
도 10은 본 실시형태에 관한 레이저 가공장치의 제3 공정에서의 가공대상물의 단면도이다.
도 11은 본 실시형태에 관한 레이저 가공장치의 제4 공정에서의 가공대상물의 단면도이다.
도 12는 본 실시형태에 관한 레이저 가공장치에 의해 절단된 실리콘웨이퍼의 일부에 있어서의 단면의 사진을 나타내는 도이다.
도 13은 본 실시형태에 관한 레이저 가공장치에서의 레이저광의 파장과 실리 콘기판의 내부의 투과율과의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 14는 가공대상물을 나타내는 정면도이다.
도 15는 도 14 중의 ⅩⅤ-ⅩⅤ선에 따른 부분 단면도이다.
도 16은 본 발명의 일실시형태에 관한 레이저 가공방법에서의 평균 차분(差分)을 설명하기 위한 도이다.
도 17은 본 발명의 일실시형태에 관한 레이저 가공방법에서의 파티클 구간을 설명하기 위한 도이다.
도 18은 본 발명의 일실시형태에 관한 레이저 가공방법에서의 파티클 구간에서의 제어신호를 설명하기 위한 도이다.
도 19는 종래의 레이저 가공방법에서의 파티클 구간에서의 제어신호를 설명하기 위한 도이다.
<부호의 설명>
1 … 가공대상물, 3 … 표면(레이저광 조사면), 5 … 절단예정라인, L … 레이저광, P … 집광점, S … 라인 구간, V0 … 피드백 기준값(소정값), Z … 파티클 구간(소정의 라인 구간).
<발명을 실시하기 위한 바람직한 형태>
이하, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해서, 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 본 실시형태의 레이저 가공방법에서는 가공대상물의 내부에 개질영역을 형성하기 위해서 다광자 흡수라고 하는 현상을 이용한다. 그래서, 최초로 다광자 흡 수에 의해 개질영역을 형성하기 위한 레이저 가공방법에 대해 설명한다.
재료 흡수의 밴드 갭 EG보다도 광자의 에너지 hν가 작으면 광학적으로 투명하게 된다. 따라서, 재료에 흡수가 생기는 조건은 hν > EG이다. 그러나, 광학적으로 투명해도 레이저광의 강도를 매우 크게 하면 nhν > EG의 조건(n = 2, 3, 4, …)에서 재료에 흡수가 생긴다. 이 현상을 다광자 흡수라고 한다. 펄스파의 경우, 레이저광의 강도는 레이저광의 집광점의 피크파워밀도(W/㎠)로 정해지고, 예를 들면 피크파워밀도가 1 × 108(W/㎠) 이상의 조건에서 다광자 흡수가 생긴다. 피크파워밀도는 (집광점에서의 레이저광의 1펄스당 에너지) ÷ (레이저광의 빔스폿 단면적 × 펄스폭)에 의해 구해진다. 또, 연속파의 경우, 레이저광의 강도는 레이저광의 집광점의 전계강도(W/㎠)로 정해진다.
이와 같은 다광자 흡수를 이용하는 본 실시형태에 관한 레이저 가공방법의 원리에 대해서, 도 1 ~ 도 6을 참조하여 설명한다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 모양(판상)의 가공대상물(1)의 표면(3)에는 가공대상물(1)을 절단하기 위한 절단예정라인(5)이 있다. 절단예정라인(5)은 직선 모양으로 연장된 가상선이다. 본 실시형태에 관한 레이저 가공방법에서는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 다광자 흡수가 생기는 조건에서 가공대상물(1)의 내부에 집광점(P)을 맞추어 레이저광(L)을 조사하여 개질영역(7)을 형성한다. 또한, 집광점(P)은 레이저광(L)이 집광하는 개소이다. 또, 절단예정라인(5)은 직선 모양으로 한정하지 않고 곡선 모양이어도 되며, 가상선으로 한정하지 않고 가공대상물(1)에 실제로 그은 선이어도 된다.
그리고, 레이저광(L)을 절단예정라인(5)에 따라서(즉, 도 1의 화살표 A방향으로) 상대적으로 이동시키는 것에 의해, 집광점(P)을 절단예정라인(5)에 따라서 이동시킨다. 이것에 의해, 도 3 ~ 도 5에 나타내는 바와 같이, 개질영역(7)이 절단예정라인(5)에 따라서 가공대상물(1)의 내부에 형성되고, 이 개질영역(7)이 절단기점영역(8)이 된다. 여기서, 절단기점영역(8)은 가공대상물(1)이 절단될 때에 절단(갈라짐)의 기점이 되는 영역을 의미한다. 이 절단기점영역(8)은 개질영역(7)이 연속적으로 형성됨으로써 형성되는 경우도 있고, 개질영역(7)이 단속적으로 형성됨으로써 형성되는 경우도 있다.
본 실시형태에 관한 레이저 가공방법에서는 가공대상물(1)의 표면(3)에서는 레이저광(L)이 거의 흡수되지 않기 때문에, 가공대상물(1)의 표면(3)이 용융되지 않는다.
가공대상물(1)의 내부에 절단기점영역(8)을 형성하면, 이 절단기점영역(8)을 기점으로 하여 갈라짐이 발생하기 쉬워지기 때문에, 도 6에 나타내는 바와 같이, 비교적 작은 힘으로 가공대상물(1)을 절단할 수 있다. 따라서, 가공대상물(1)의 표면(3)에 불필요한 갈라짐을 발생시키지 않고, 가공대상물(1)을 고정밀도로 절단하는 것이 가능하게 된다.
이 절단기점영역(8)을 기점으로 한 가공대상물(1)의 절단에는 다음의 2가지 방법이 고려된다. 하나는 절단기점영역(8) 형성후, 가공대상물(1)에 인위적인 힘이 인가되는 것에 의해, 절단기점영역(8)을 기점으로 하여 가공대상물(1)이 갈라져 가공대상물(1)이 절단되는 경우이다. 이것은, 예를 들면 가공대상물(1)의 두께가 큰 경우의 절단이다. 인위적인 힘이 인가된다는 것은, 예를 들면, 가공대상물(1)의 절단기점영역(8)에 따라서 가공대상물(1)에 굽힘응력이나 전단응력을 가하거나, 가공대상물(1)에 온도차를 주는 것에 의해 열응력을 발생시키거나 하는 것이다. 다른 하나는 절단기점영역(8)을 형성하는 것에 의해, 절단기점영역(8)을 기점으로 하여 가공대상물(1)의 단면방향(두께방향)을 향하여 자연히 갈라져, 결과적으로 가공대상물(1)이 절단되는 경우이다. 이것은, 예를 들면 가공대상물(1)의 두께가 작은 경우에는 1열의 개질영역(7)에 의해 절단기점영역(8)이 형성되는 것으로 가능하게 되고, 가공대상물(1)의 두께가 큰 경우에는 두께방향으로 복수열 형성된 개질영역(7)에 의해 절단기점영역(8)이 형성되는 것으로 가능하게 된다. 또한, 이 자연히 갈라지는 경우도 절단하는 개소에서 절단기점영역(8)이 형성되어 있지 않은 부위에 대응하는 부분의 표면(3) 위에까지 갈라짐이 앞서 나아가지 않아 절단기점영역(8)을 형성한 부위에 대응하는 부분만을 할단(割斷, 클리빙(cleaving))할 수 있으므로, 할단제어를 좋게 할 수 있다. 최근, 실리콘웨이퍼 등의 가공대상물(1)의 두께는 얇아지는 경향이 있으므로, 이와 같은 제어성이 좋은 할단방법은 매우 유효하다.
그런데, 본 실시형태에 관한 레이저 가공방법에서 개질영역으로서는 다음의 (1) ~ (3)의 경우가 있다.
(1) 개질영역이 1개 또는 복수의 크랙을 포함한 크랙영역인 경우
가공대상물(예를 들면 유리나 LiTaO3로 이루어진 압전재료)의 내부에 집광점을 맞추고, 집광점에서의 전계강도가 1 × 108(W/㎠) 이상이며 또한 펄스폭이 1㎲ 이하의 조건에서 레이저광을 조사한다. 이 펄스폭의 크기는 다광자 흡수를 일으키게 하면서 가공대상물의 표면에 불필요한 데미지를 주지 않고 가공대상물의 내부에만 크랙영역을 형성할 수 있는 조건이다. 이것에 의해, 가공대상물의 내부에는 다광자 흡수에 의한 광학적 손상이라고 하는 현상이 발생한다. 이 광학적 손상에 의해 가공대상물의 내부에 열변형이 야기되고, 이것에 의해 가공대상물의 내부에 크랙영역이 형성된다. 전계강도의 상한값으로서는, 예를 들면 1 × 1012(W/㎠)이다. 펄스폭은 예를 들면 1㎱ ~ 200㎱가 바람직하다. 또한, 다광자 흡수에 의한 크랙영역의 형성은, 예를 들면, 제45회 레이저열가공 연구회 논문집(1998년 12월)의 제23 페이지 ~ 제28 페이지의 「고체레이저 고주파에 의한 유리기판의 내부마킹」에 기재되어 있다.
본 발명자는 전계강도와 크랙의 크기와의 관계를 실험에 의해 구했다. 실험 조건은 다음과 같다.
(A) 가공대상물 : 파이렉스(Pyrex)(등록상표) 유리(두께 700㎛)
(B) 레이저
광원 : 반도체 레이저 여기(勵起) Nd : YAG 레이저
파장 : 1064㎚
레이저광 스폿 단면적 : 3. 14 × 10-8㎠
발진(發振)형태 : Q스위치 펄스
반복 주파수 : 100㎑
펄스폭 : 30㎱
출력 : 출력 < 1mJ/펄스
레이저광 품질 : TEM00
편광특성 : 직선 편광
(C) 집광용 렌즈
레이저광 파장에 대한 투과율 : 60퍼센트
(D) 가공대상물이 놓여지는 재치대의 이동속도 : 100㎜/초
또한, 레이저광 품질이 TEM00이라는 것은 집광성이 높고 레이저광의 파장 정도까지 집광가능을 의미한다.
도 7은 상기 실험의 결과를 나타내는 그래프이다. 가로축은 피크파워밀도이며, 레이저광이 펄스 레이저광이므로 전계강도는 피크파워밀도로 나타낸다. 세로축은 1펄스의 레이저광에 의해 가공대상물의 내부에 형성된 크랙부분(크랙스폿)의 크기를 나타내고 있다. 크랙스폿이 모여 크랙영역이 된다. 크랙스폿의 크기는 크랙스폿의 형상 중 최대길이가 되는 부분의 크기이다. 그래프중의 검은점으로 나타내는 데이터는 집광용 렌즈(C)의 배율이 100배, 개구수(NA)가 0.80인 경우이다. 한편, 그래프중의 흰점으로 나타내는 데이터는 집광용 렌즈(C)의 배율이 50배, 개구수(NA)가 0.55인 경우이다. 피크파워밀도가 1011(W/㎠) 정도부터 가공대상물의 내부에 크랙스폿이 발생하고, 피크파워밀도가 커짐에 따라 크랙스폿도 커지는 것을 알 수 있다.
다음으로, 크랙영역 형성에 의한 가공대상물의 절단 메카니즘에 대해서, 도 8 ~ 도 11을 참조하여 설명한다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 다광자 흡수가 생기는 조건에서 가공대상물(1)의 내부에 집광점(P)을 맞추어 레이저광(L)을 조사하여 절단예정라인에 따라서 내부에 크랙영역(9)을 형성한다. 크랙영역(9)은 1개 또는 복수의 크랙을 포함한 영역이다. 이와 같이 형성된 크랙영역(9)이 절단기점영역이 된다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 크랙영역(9)을 기점으로 하여(즉, 절단기점영역을 기점으로 하여) 크랙이 더욱 성장하고, 도 10에 나타내는 바와 같이, 크랙이 가공대상물(1)의 표면(3)과 이면(21)에 도달하며, 도 11에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)이 갈라지는 것에 의해 가공대상물(1)이 절단된다. 가공대상물(1)의 표면(3)과 이면(21)에 도달하는 크랙은 자연히 성장하는 경우도 있고, 가공대상물(1)에 힘이 인가되는 것에 의해 성장하는 경우도 있다.
(2) 개질영역이 용융처리영역인 경우
가공대상물(예를 들면 실리콘과 같은 반도체재료)의 내부에 집광점을 맞추고, 집광점에서의 전계강도가 1 × 108(W/㎠) 이상이며 또한 펄스폭이 1㎲ 이하의 조건에서 레이저광을 조사한다. 이것에 의해 가공대상물의 내부는 다광자 흡수에 의해서 국소적으로 가열된다. 이 가열에 의해 가공대상물의 내부에 용융처리영역이 형성된다. 용융처리영역은 일단 용융후 재고화(再固化)한 영역이나, 확실히 용융상태인 영역이나, 용융상태로부터 재고화하는 상태인 영역이며, 상(相)변화한 영역이나 결정구조가 변화한 영역이라고 할 수도 있다. 또, 용융처리영역은 단결정구조, 비정질구조, 다결정구조에서, 어느 구조가 다른 구조로 변화한 영역이라고 할 수도 있다. 즉, 예를 들면, 단결정구조로부터 비정질구조로 변화한 영역, 단결정구조로부터 다결정구조로 변화한 영역, 단결정구조로부터 비정질구조 및 다결정구조를 포함하는 구조로 변화한 영역을 의미한다. 가공대상물이 실리콘 단결정구조인 경우, 용융처리영역은 예를 들면 비정질 실리콘 구조이다. 전계강도의 상한값으로서는, 예를 들면 1 × 1012(W/㎠)이다. 펄스폭은 예를 들면 1㎱ ~ 200㎱가 바람직하다.
본 발명자는 실리콘웨이퍼(반도체기판)의 내부에서 용융처리영역이 형성되는 것을 실험에 의해 확인했다. 실험 조건은 다음과 같다.
(A) 가공대상물 : 실리콘웨이퍼(두께 350㎛, 외경 4인치)
(B) 레이저
광원 : 반도체 레이저 여기 Nd : YAG 레이저
파장 : 1064㎚
레이저광 스폿 단면적 : 3. 14 × 10-8㎠
발진형태 : Q스위치 펄스
반복 주파수 : 100㎑
펄스폭 : 30㎱
출력 : 20μJ/펄스
레이저광 품질 : TEM00
편광특성 : 직선 편광
(C) 집광용 렌즈
배율 : 50배
N.A. : 0.55
레이저광 파장에 대한 투과율 : 60퍼센트
(D) 가공대상물이 놓여지는 재치대의 이동속도 : 100㎜/초
도 12는 상기 조건에서의 레이저 가공에 의해 절단된 실리콘웨이퍼의 일부에서의 단면의 사진을 나타낸 도이다. 실리콘웨이퍼(11)의 내부에 용융처리영역(13)이 형성되어 있다. 또한, 상기 조건에 의해 형성된 용융처리영역(13)의 두께방향의 크기는 100㎛정도이다.
용융처리영역(13)이 다광자 흡수에 의해 형성된 것을 설명한다. 도 13은 레이저광의 파장과 실리콘기판의 내부의 투과율과의 관계를 나타내는 그래프이다. 다만, 실리콘기판의 표면 측과 이면 측 각각의 반사성분을 제거하여 내부만의 투과율을 나타내고 있다. 실리콘기판의 두께(t)가 50㎛, 100㎛, 200㎛, 500㎛, 1000㎛의 각각에 대해 상기 관계를 나타냈다.
예를 들면, Nd : YAG 레이저의 파장인 1064㎚에서 실리콘기판의 두께가 500㎛이하인 경우, 실리콘기판의 내부에서는 레이저광이 80％이상 투과하는 것을 알 수 있다. 도 12에 나타내는 실리콘웨이퍼(11)의 두께는 350㎛이므로, 다광자 흡수에 의한 용융처리영역(13)은 실리콘웨이퍼(11)의 중심 부근, 즉 표면으로부터 175㎛의 부분에 형성된다. 이 경우의 투과율은 두께 200㎛의 실리콘웨이퍼를 참고로 하면, 90％이상이므로, 레이저광이 실리콘웨이퍼(11)의 내부에서 흡수되는 것은 거 의 없으며, 대부분이 투과한다. 이것은 실리콘웨이퍼(11)의 내부에서 레이저광이 흡수되어 용융처리영역(13)이 실리콘웨이퍼(11)의 내부에 형성(즉 레이저광에 의한 통상의 가열로 용융처리영역이 형성)된 것이 아니고, 용융처리영역(13)이 다광자 흡수에 의해 형성된 것을 의미한다. 다광자 흡수에 의한 용융처리영역의 형성은, 예를 들면, 용접학회 전국대회 강연개요 제66집(2000년 4월)의 제72 페이지 ~ 제73 페이지의 「피코(pico)초펄스 레이저에 의한 실리콘의 가공특성평가」에 기재되어 있다.
또한, 실리콘웨이퍼는 용융처리영역에 의해서 형성되는 절단기점영역을 기점으로 하여 단면방향을 향하여 갈라짐을 발생시키고, 그 갈라짐이 실리콘웨이퍼의 표면과 이면에 도달하는 것에 의해, 결과적으로 절단된다. 실리콘웨이퍼의 표면과 이면에 도달하는 이 갈라짐은 자연히 성장하는 경우도 있고, 실리콘웨이퍼에 힘이 인가되는 것에 의해 성장하는 경우도 있다. 그리고, 절단기점영역으로부터 실리콘웨이퍼의 표면과 이면에 갈라짐이 자연히 성장하는 경우에는 절단기점영역을 형성하는 용융처리영역이 용융하고 있는 상태로부터 갈라짐이 성장하는 경우와, 절단기점영역을 형성하는 용융처리영역이 용융하고 있는 상태로부터 재고화 할 때에 갈라짐이 성장하는 경우도 있다. 다만, 어느 쪽의 경우도 용융처리영역은 실리콘웨이퍼의 내부에만 형성되고, 절단후의 절단면에는 도 12와 같이 내부에만 용융처리영역이 형성되어 있다. 이와 같이, 가공대상물의 내부에 용융처리영역에 의해서 절단기점영역을 형성하면, 할단시, 절단기점영역 라인으로부터 벗어난 불필요한 갈라짐이 생기기 어렵기 때문에, 할단제어가 용이하게 된다. 덧붙여서, 용융처리영역의 형성 은 다광자 흡수가 원인인 경우뿐만 아니라, 다른 흡수작용이 원인인 경우도 있다.
(3) 개질영역이 굴절률 변화영역인 경우
가공대상물(예를 들면 유리)의 내부에 집광점을 맞추고, 집광점에서의 전계강도가 1 × 108(W/㎠) 이상이며 또한 펄스폭이 1㎱이하인 조건에서 레이저광을 조사한다. 펄스폭을 지극히 짧게 하여 다광자 흡수를 가공대상물의 내부에 일으키게 하면, 다광자 흡수에 의한 에너지가 열에너지로 바뀌지 않고, 가공대상물의 내부에는 이온가수변화, 결정화 또는 분극배향(分極配向) 등의 영속적인 구조변화가 야기되어 굴절률 변화영역이 형성된다. 전계강도의 상한값으로서는, 예를 들면 1 × 1012(W/㎠)이다. 펄스폭은 예를 들면 1㎱이하가 바람직하고, 1ps이하가 더욱 바람직하다. 다광자 흡수에 의한 굴절률 변화영역의 형성은, 예를 들면, 제42회 레이저열가공 연구회 논문집(1997년 11월)의 제105페이지 ~ 제111페이지의 「펨토(femto)초 레이저 조사에 의한 유리 내부로의 광야기구조 형성」에 기재되어 있다.
이상, 개질영역으로서 (1) ~ (3)의 경우를 설명했지만, 웨이퍼 모양의 가공대상물의 결정구조나 그 벽개성(劈開性) 등을 고려하여 절단기점영역을 다음과 같이 형성하면, 그 절단기점영역을 기점으로 하여 보다 한층 작은 힘으로, 게다가 정밀도 좋게 가공대상물을 절단하는 것이 가능하게 된다.
즉, 실리콘 등의 다이아몬드 구조의 단결정반도체로 이루어진 기판의 경우는 (111)면(제1 벽개면)이나 (110)면(제2 벽개면)에 따른 방향으로 절단기점영역을 형성하는 것이 바람직하다. 또, GaAs 등의 섬(閃)아연광형 구조의 Ⅲ-V족 화합물 반 도체로 이루어진 기판의 경우는 (110)면에 따른 방향으로 절단기점영역을 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 사파이어(Al2O3) 등의 육방정계(六方晶系)의 결정구조를 가지는 기판의 경우는 (0001)면(C면)을 주면(主面)으로 하여 (1120)면(A면) 혹은 (1100)면(M면)에 따른 방향으로 절단기점영역을 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 상술한 절단기점영역을 형성해야 하는 방향(예를 들면, 단결정 실리콘기판에서의 (111)면에 따른 방향) 혹은 절단기점영역을 형성해야 하는 방향에 직교하는 방향에 따라서 기판에 오리엔테이션 플랫(orientation flat)을 형성하면, 그 오리엔테이션 플랫을 기준으로 함으로써, 절단기점영역을 형성해야 하는 방향에 따른 절단기점영역을 용이하고 또한 정확하게 기판에 형성하는 것이 가능하게 된다.
다음으로, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해 설명한다.
도 14 및 도 15에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)은 실리콘웨이퍼(11)와, 복수의 기능소자(15)를 포함하여 실리콘웨이퍼(11)의 표면(11a)에 형성된 기능소자층(16)을 구비하고 있다. 기능소자(15)는, 예를 들면, 결정성장에 의해 형성된 반도체 동작층, 포토다이오드 등의 수광소자, 레이저 다이오드 등의 발광소자, 혹은 회로로서 형성된 회로소자 등이며, 실리콘웨이퍼(11)의 오리엔테이션 플랫(6)에 평행한 방향 및 수직인 방향으로 매트릭스 모양으로 다수 형성되고 있다. 이와 같은 가공대상물(1)은 서로 인접하는 기능소자 사이를 통과하도록 격자모양으로 설정된 절단예정라인(5)에 따라서 절단되어 예를 들면 칩 사이즈가 1㎜ × 1㎜의 칩으로 된다.
다음으로, 이 가공대상물(1)을 절단하는 경우의 일례에 대해 설명한다. 우선, 가공대상물(1)의 이면(21)에, 익스팬드 테이프를 부착하여 해당 가공대상물(1)을 재치대 위에 놓는다. 이어서, 집광용 렌즈에 의해 실리콘웨이퍼(11)의 내부에 집광점을 맞추어 다광자 흡수가 생기는 조건으로 가공대상물(1)의 표면(3) 측으로부터 가공용 레이저광을 조사하고, 각 절단예정라인(5)에 따라서, 절단의 기점이 되는 개질영역을 가공대상물(1)의 내부에 형성한다. 그리고, 익스팬드 테이프를 확장시키는 것에 의해, 개질영역을 절단의 기점으로 하여 가공대상물(1)이 절단예정라인(5)에 따라서 기능소자(15)마다 정밀도 좋게 절단되어 복수의 반도체 칩이 서로 떨어지게 된다. 또한, 개질영역은 용융처리영역 외에 크랙영역 등을 포함한 경우가 있다.
다음으로, 상술한 개질영역의 형성에 대해보다 상세하게 설명한다. 여기서는, 가공대상물(1)의 두께방향을 Z축방향으로서 설명한다.
우선, 절단예정라인(5) 위에서 가공대상물(1)의 표면(3)을 예를 들면 CCD 카메라에 의해 집광용 렌즈를 통하여 촬상하고, 투영되는 래티클 패턴의 콘트라스트(contrast)가 최대가 되도록 재치대를 Z축방향으로 상대이동시킨다. 이 때의 표면(3)의 Z방향 위치를 핀트 위치(표면(3)의 변위가 0㎛)라고 한다.
이어서, 측정용 레이저광을 집광용 렌즈를 통하여 가공대상물(1)을 향하여 조사하고, 표면(3)에서 반사된 반사광을 예를 들면 4분할 포토다이오드로 수광한다. 이 반사광은, 예를 들면 실린더리컬(cylindrical) 렌즈와 평볼록 렌즈로 이루어지는 정형(整形) 광학계에 의해 비점수차(非点收差)가 부가되고, 4분할 포토다이 오드의 수광면에 집광되어 해당 수광면에 집광상을 형성한다. 그 때문에, 이 집광상의 형상은 가공대상물(1)의 표면(3)의 변위(표면(3)에 대한 측정용 레이저광의 집광점의 위치)에 따라 변화하게 되어 있다. 따라서, 4분할 포토다이오드로 반사광을 수광하는 것에 의해, 표면(3)의 변위가 비점수차 신호로서 검출됨과 동시에, 반사광의 전(全)광량값에 상당하는 전광량신호가 검출된다.
이어서, 예를 들면 콘트롤러에 의해, 비점수차 신호와 전광량신호로부터 변위센서신호를 구하고, 이 변위센서신호를 피드백 기준값(소정값)(V0)로서 보존한다. 즉, 핀트 위치에서의 변위센서신호를 피드백 목표신호(V0)로서 보존한다. 또한, 변위센서신호는 비점수차 신호를 전광량신호로 나눈 것이고, 수광한 전광량에 대한 비점수차 신호의 상대값이다. 이것에 의해, 광량이 변화하는 경우에도 표면(3)의 변위가 안정되게 검출된다.
이어서, 절단예정라인(5)에 따르도록, 예를 들면 300㎜/s의 속도로 재치대를 상대이동시키면서 측정용 레이저광을 조사하고, 변위센서신호를 산출해 해당 변위센서신호가 피드백 기준값(V0)을 유지하도록, 즉, 표면(3)과 집광용 렌즈와의 이간 거리가 핀트 위치에서의 이간 거리가 되도록, 예를 들면 피에조 소자에 의해 집광용 렌즈의 Z축방향 위치를 제어한다. 이와 함께, 해당 제어의 제어신호(신호값)를, 예를 들면 콘트롤러에 기록한다(트레이스 기록). 여기서는, 위치의 제어는 샘플링 주기를 0.05㎳로 하는 피드백 제어로 하고 있다. 또한, 가공대상물(1)의 절단예정라인(5)에 따른 구간을 절단예정라인 구간이라고 칭한다.
여기서, 가공대상물(1)의 표면(3)의 절단예정라인(5) 위에, 티끌, 먼지, 또 는 쓰레기 등의 파티클이 존재하는 경우가 있다. 이 경우, 종래의 레이저 가공방법에서는 절단예정라인 구간에 있어서 파티클이 존재하는 구간에서 측정용 레이저광이 난반사해 버린다. 그 때문에, 도 19에 나타내는 바와 같이, 변위센서신호가 크게 흐트러지고, 이것에 따라 피에조가 필요이상으로 구동되어 제어신호도 흐트러지고 있다(도면 중, 일점쇄선으로 표시한 네모칸 참조).
그래서, 본 실시형태에서는, 이하의 동작을 실행한다. 우선, 도 16에 나타내는 바와 같이, 상술한 트레이스 기록과 함께, 변위센서신호(α)를 모니터하고, 변위센서신호(α)의 예를 들면 8샘플링만큼의 평균값인 이동평균(β)을 산출한다. 그리고, 변위센서신호(α)에서 파티클이 존재하기 때문에 신호의 파형이 흐트러지는 부분을 보다 명확하게 하기 위해서 및 해당 부분 이외의 다른 부분에서의 미소한 신호의 변화(노이즈)를 억제하기 위해서, 변위센서신호(α)와 이동평균(β)의 차이인 평균차분(γ)을 산출한다.
이어서, 도 17에 나타내는 바와 같이, 평균차분(γ)이 소정의 문턱값을 넘었을 경우, 절단예정라인 구간에서 평균차분(γ)이 소정의 문턱값을 넘은 라인 구간(S)을 포함하는 소정의 라인 구간을 파티클 구간(Z)으로 한다. 구체적으로는, 절단예정라인 구간에서 평균차분(γ)의 절대값이 0.2V이상이 된 개소 P1로부터 평균차분(γ)의 절대값이 0.05V이하가 된 개소 P2에 이를 때까지의 절단예정라인 구간을 파티클 구간(Z)으로 한다. 이것에 의해, 절단예정라인 구간에 존재하는 파티클을 검출한다. 또한, 가공대상물(1)의 일단(도 16중의 거리 0㎜의 개소) 및 타단(도 16중의 거리 150㎜의 개소)은 측정용 레이저광의 진입단 및 발출단(拔出端, 빠져나 가는 단)이 되는 이유에 의해 일단 및 타단에서는 측정용 레이저광이 난반사하기 때문에, 본 실시형태에서는 이러한 단부에서의 신호값을 고려하지 않고 있다.
이어서, 취득한 절단예정라인 구간의 제어신호(도 18의 (a) 참조)에서 파티클 구간(Z)에서의 제어신호를 일정하게 하는(도 18의 (b)의 파선) 것에 의해, 해당 파티클 구간(Z)에서 제어신호를 보정하고, 파티클 구간(Z) 이외의 트레이스 기록을 재차 실시한다(재트레이스 기록).
구체적으로는, 다시 절단예정라인(5)에 따르도록 재치대를 상대이동시키면서 측정용 레이저광을 조사하고, 변위센서신호를 산출하여 해당 변위센서신호가 피드백 기준값(V0)을 유지하도록 피에조 소자에 의해 집광용 렌즈의 Z축방향 위치를 제어함과 동시에, 해당 제어의 제어신호를 재기록한다. 이 때, 파티클 구간(Z)에서는 피에조 소자를 고정한다. 바꾸어 말하면, 재트레이스 기록시에는 파티클 구간(Z)에서의 집광용 렌즈의 Z축방향 위치는 고정으로 하고 있다.
혹은, 파티클 구간(Z)에서의 제어신호를 해당 파티클 구간(Z)의 근방의 제어신호로 스무딩(smoothing)(도 18의 (c)의 파선)하는 것에 의해, 파티클 구간(Z)에서 제어신호를 보완하여 파티클 구간(Z) 이외의 트레이스 기록을 재차 실시한다.
구체적으로는, 파티클 구간(Z)보다 앞쪽 및 뒤쪽의 절단예정라인 구간에서의 제어신호에 근거하여 이들 앞쪽 및 뒤쪽의 절단예정라인 구간이 매끄럽게 연속하도록 파티클 구간(Z)에서의 제어신호를 곡선 보완한다. 그 후, 다시 절단예정라인(5)에 따르도록 재치대를 상대이동시키면서 측정용 레이저광을 조사하고, 변위센서신호를 산출하여 해당 변위센서신호가 피드백 기준값(V0)을 유지하도록 피에조 소자 에 의해 집광용 렌즈의 Z축방향 위치를 제어함과 동시에, 해당 제어의 제어신호를 재기록한다. 이 때, 파티클 구간(Z)에서는 피에조 소자를 곡선 보완한 제어신호에 의해 구동한다. 바꾸어 말하면, 재트레이스 기록시에는 파티클 구간(Z)에서의 집광용 렌즈의 Z축방향 위치는 곡선 보완한 제어신호에 의한 위치로 하고 있다.
마지막으로, 기록한 제어신호를 피에조 소자로 재생하는 것에 의해 집광용 렌즈를 Z축방향으로 동작시킴과 동시에, 실리콘웨이퍼(11)의 내부에 집광점을 맞추어 가공용 레이저광을 가공대상물(1)에 조사한다. 이 때, 파티클 구간(Z)에서는 가공용 레이저광을 오프로 한다. 바꾸어 말하면, 가공용 레이저광을 조사할 때에는 파티클 구간(Z)에서의 가공용 레이저광의 조사는 실시하지 않도록 하고 있다. 이것에 의해, 실리콘웨이퍼(11)의 내부에 절단의 기점이 되는 개질영역이 형성되게 된다.
또한, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 변위센서신호(α)와 이동평균(β)의 차이를 평균차분(γ)으로 하여, 해당 평균차분(γ)에 문턱값을 설정하여 절단예정라인 구간에 존재하는 파티클을 검출하지만, 변위센서신호(α)와 피드백 기준값(V0)과의 차이를 평균차분으로 하여 해당 평균차분에 문턱값을 설정하여도 된다. 또, 평균차분으로 하지 않고, 변위센서신호에 직접 문턱값을 설정하여 절단예정라인 구간에 존재하는 파티클을 검출하는 경우도 있다. 덧붙여서, 이들 어느 경우에서도 검출값에 소정의 문턱값을 설정하는 것에 상당한다.
이상, 본 실시형태에 의하면, 트레이스 기록시에, 평균차분(γ)의 절대값이 0.2V를 넘은 라인 구간(S)을 포함하는 파티클 구간(Z)을 결정하고, 해당 파티클 구 간(Z)에서 제어신호를 보정한다. 이것에 의해, 절단예정라인 구간에서 파티클이 존재하는 구간이 라인 구간(S)으로서 검출되고, 절단예정라인(5) 위에 파티클이 존재하며, 이 파티클에서 측정용 레이저광이 난반사하고 있는 것을 판단할 수 있다. 이와 함께, 절단예정라인 구간에서 파티클의 존재에 의해서 제어신호에 영향이 미치는 구간을 파티클 구간(Z)으로서 검출하는 것이 가능하게 된다. 그리고, 파티클 구간(Z)에서 제어신호를 보정하는 것에 의해, 파티클의 존재에 의한 영향으로 제어신호에 오차가 포함되기 때문에 집광용 렌즈가 필요이상으로 Z축방향으로 이동해 버리는 것을 억제해 가공대상물(1)의 표면(3)에 대해서 가공용 레이저광의 집광점을 정밀도 좋게 추종시킬 수 있다. 따라서, 표면(3)에 대해서 소망한 위치에 집광점을 맞출 수 있어 표면(3)에 대해서 소망한 위치에 개질영역을 정밀도 좋게 형성하는 것이 가능하게 된다. 그 결과, 가공용 레이저광이 파티클에 조사됨으로써 해당 파티클이 분쇄하여 주위로 흩뜨려지는 것이 방지되며, 나아가서는, 이러한 분쇄에 의해 가공대상물(1)의 전체에 데미지가 미치는 것이 방지된다.
여기서, 일반적인 레이저 가공방법에서는, 평균차분(γ)에 대한 제어신호의 응답성의 지연 때문에, 파티클 구간(Z)의 근방에서 제어신호를 정밀도 좋게 취득하지 못하는 일이 있다. 예를 들면, 절단예정라인 구간에서 파티클 구간(Z)보다 뒤쪽에서 평균차분(γ)의 파형에서는 흐트러짐이 수습해서 안정되어 있지만, 제어신호의 파형에서는 흐트러짐이 아직도 계속되고 있는 일이 있다. 그래서, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 파티클 구간(Z) 이외의 제어신호를 재차 취득하는 재트레이스 기록을 실시하는 것에 의해, 파티클 구간(Z)의 근방에서도 제어신호를 정밀 도 좋게 취득할 수 있어, 표면(3)에 대해서 가공용 레이저광의 집광점을 보다 정밀도 좋게 추종시키는 것이 가능하게 된다.
또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 파티클 구간(Z)에서 제어신호를 일정하게 하는 것 혹은 제어신호를 파티클 구간(Z)의 근방의 제어신호로 스무딩하는 것에 의해 제어신호를 보정하고 있다. 이들에 의해, 가공용 레이저광의 집광점의 표면(3)에 대한 추종이 부드럽게 된다.
그런데, 가공대상물(1)의 이면(21) 측에 부착된 익스팬드 테이프와 재치대 사이에 파티클이 혼입하는 경우가 있다. 이 경우, 파티클이 혼입한 부분에서는 해당 파티클에 의해서 가공대상물(1)이 극단적으로 변형하여 표면(3)이 크게 변위해 버린다. 따라서, 종래, 측정용 레이저광에 의해 표면(3)의 변위를 검출하지 못하고, 가공용 레이저광의 집광점을 표면(3)에 정밀도 좋게 추종시킬 수 없을 우려가 있다. 그래서, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 파티클 구간(Z)을 결정하여 해당 파티클 구간(Z)에서 제어신호를 보정하는 것에 의해, 익스팬드 테이프와 재치대 사이에 파티클이 혼입하는 경우에 본 실시형태의 레이저 가공방법을 적용시킬 수 있고, 이 경우에서도 가공용 레이저광의 집광점을 표면(3)에 정밀도 좋게 추종시키는 것이 가능하게 된다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태로 한정되는 것은 아니다.
예를 들면, 상기 실시형태에서는, 재트레이스 기록을 실시했지만, 제어신호의 응답성의 지연을 고려할 필요가 적은 경우에는 재트레이스를 실시하지 않아도 좋다.
또, 상기 실시형태에서는, 산출 정밀도 및 산출 속도의 점에서 바람직한 것으로서, 이동평균(β)을 변위센서신호(α)의 8샘플링만큼의 평균값으로 했지만, 10샘플링만큼의 평균값으로 해도 되고, 적당하게 설정해도 된다.
또, 스무딩은 파티클 구간(Z)보다 앞쪽 또는 위쪽 중 어느쪽이든 한쪽의 절단예정라인 구간에서의 제어신호만으로 파티클 구간의 제어신호를 보완해도 된다. 또한, 곡선 보완에 대신해 직선 보완하는 경우도 있다.
또, 실리콘웨이퍼(11)가 아니어도, 예를 들면, 갈륨(gallium) 비소(砒素) 등의 반도체 화합물 재료, 압전재료, 사파이어 등의 결정성을 가지는 재료라도 된다. 또, 본 실시형태에서는 가공용 레이저광의 조사 조건은 펄스 피치폭이나 출력 등에 의해 한정되는 것은 아니고 여러가지 조사 조건으로 할 수 있다.
본 발명에 의하면, 가공대상물의 레이저광 조사면으로부터 소망한 위치에 개질영역을 정밀도 좋게 형성하는 것이 가능하게 된다.

Claims (13)

  1. 판상(板狀)의 가공대상물의 내부에 집광점을 맞추어 가공용 레이저광을 조사하는 것에 의해, 상기 가공대상물의 절단예정라인에 따라서 절단의 기점(起点)이 되는 개질(改質)영역을 상기 가공대상물의 내부에 형성하는 레이저 가공방법으로서,
    상기 절단예정라인에 따라서 측정용 레이저광을 조사하는 것에 의해, 상기 가공대상물에서 상기 측정용 레이저광이 조사되는 레이저광 조사면에서 반사하는 상기 측정용 레이저광의 반사광에 따른 검출값을 검출하고, 해당 검출값이 소정값이 되도록 상기 가공용 레이저광을 집광하는 집광용 렌즈를 상기 레이저광 조사면에 대해서 소정의 위치에 이동시키는 것에 의해, 절단예정라인 구간에서 상기 집광용 렌즈를 이동시키기 위한 신호값을 상기 절단예정라인에 따라서 취득하는 공정과,
    상기 신호값을 상기 절단예정라인에 따라서 취득하는 공정 후, 상기 신호값에 근거하여 상기 집광용 렌즈를 상기 레이저광 조사면에 대해서 소정의 위치로 이동시키는 것에 의해, 상기 가공용 레이저광의 집광점을 상기 레이저광 조사면에 대해서 소정의 위치에 맞추면서, 상기 집광용 렌즈를 상기 절단예정라인에 따라서 상대이동시켜서 상기 개질영역을 상기 가공대상물의 내부에 형성하는 공정을 포함하고,
    상기 신호값을 취득하는 공정에서는 상기 검출값이 소정의 문턱값을 넘은 값을 가지는 경우, 상기 검출값이 상기 소정의 문턱값을 넘은 라인 구간을 포함하는 소정의 라인 구간을 결정하고 해당 소정의 라인 구간에서 상기 신호값을 보정하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 신호값을 취득하는 공정에서는 상기 검출값이 상기 소정의 문턱값을 넘은 값을 가지는 경우, 상기 절단예정라인에 따라서, 상기 소정의 라인 구간 이외의 상기 신호값을 재차 취득하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 소정의 라인 구간에서 상기 신호값을 일정하게 하는 것에 의해, 상기 소정의 라인 구간에서 상기 신호값을 보정하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공방법.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 소정의 라인 구간에서 상기 신호값을 일정하게 하는 것에 의해, 상기 소정의 라인 구간에서 상기 신호값을 보정하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 소정의 라인 구간에서 상기 신호값을 해당 소정의 라인 구간의 근방의 상기 신호값으로 스무딩(smoothing)하는 것에 의해, 상기 소정의 라인 구간에서 상기 신호값을 보정하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공방법.
  6. 청구항 2에 있어서,
    상기 소정의 라인 구간에서 상기 신호값을 해당 소정의 라인 구간의 근방의 상기 신호값으로 스무딩(smoothing)하는 것에 의해, 상기 소정의 라인 구간에서 상기 신호값을 보정하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공방법.
  7. 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가공대상물은 반도체기판을 구비하고, 상기 개질영역은 용융처리영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공방법.
  8. 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 개질영역을 절단의 기점으로 하여 상기 절단예정라인에 따라서 상기 가공대상물을 절단하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공방법.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 개질영역을 절단의 기점으로 하여 상기 절단예정라인에 따라서 상기 가공대상물을 절단하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공방법.
  10. 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소정의 라인 구간을 결정할 때, 상기 가공대상물의 일단 및 타단에서의 상기 신호값을 고려하지 않는 것을 특징으로 하는 레이저 가공방법.
  11. 청구항 7에 있어서,
    상기 소정의 라인 구간을 결정할 때, 상기 가공대상물의 일단 및 타단에서의 상기 신호값을 고려하지 않는 것을 특징으로 하는 레이저 가공방법.
  12. 청구항 8에 있어서,
    상기 소정의 라인 구간을 결정할 때, 상기 가공대상물의 일단 및 타단에서의 상기 신호값을 고려하지 않는 것을 특징으로 하는 레이저 가공방법.
  13. 청구항 9에 있어서,
    상기 소정의 라인 구간을 결정할 때, 상기 가공대상물의 일단 및 타단에서의 상기 신호값을 고려하지 않는 것을 특징으로 하는 레이저 가공방법.
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