KR101395576B1 - 비접촉 웨이퍼 가공방법 - Google Patents

비접촉 웨이퍼 가공방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 비접촉 웨이퍼 가공방법으로써, 웨이퍼와 직접 접촉하지 않고 각 작업단계로 이동시켜 웨이퍼를 가공할 수 있는 비접촉 웨이퍼 가공방법에 관한 것이다.
본 발명의 비접촉 웨이퍼 가공방법은, 로봇암이 카세트스테이션에 수납된 웨이퍼의 하부에 위치하여 상기 웨이퍼를 상방향으로 부양시키는 제1부양단계; 상기 로봇암이 상기 웨이퍼를 웨이퍼 처리스테이션으로 이송하여 배치시키는 제1이송단계; 상기 웨이퍼 처리스테이션에서 웨이퍼의 일면을 코팅하는 제1처리단계; 일면이 코팅된 웨이퍼를 상기 로봇암이 이송하여 상기 카세트스테이션에 수납하는 제2이송단계; 를 포함하여 이루어지되, 상기 로봇암은 상기 웨이퍼를 부양시켜 비접촉 상태로 이송하는 것을 특징으로 한다.

Description

비접촉 웨이퍼 가공방법 { Non-contact manufacturing method of wafer }
본 발명은 비접촉 웨이퍼 가공방법으로써, 웨이퍼와 직접 접촉하지 않고 각 작업단계로 이동시켜 웨이퍼를 가공할 수 있는 비접촉 웨이퍼 가공방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정은 생산성 증대 및 장비 가동률 향상을 위해 보다 효율적인 공정으로 급속하게 발전하고 있다.
등록특허 제10-0914578호에는 이러한 반도체 제조 공정 중 반도체용 웨이퍼를 가공하는 방법이 개시되어 있다.
도 1은 종래의 웨이퍼 가공장치의 평면도이고, 도 2는 종래의 웨이퍼 가공장치를 이용한 웨이퍼 가공방법을 나타낸 블록도이다.
먼저, 웨이퍼를 로딩부(110)에 로딩하면, 로봇에 의해 웨이퍼는 측정부(120)로 이송된다.
상기 측정부(120)에서는 상기 웨이퍼의 물리적 변수, 특히 상기 웨이퍼의 직경과 중심값을 측정하게 된다.
상기 측정부(120)에서의 고정이 끝난 웨이퍼는 회전암(151,152)에 의해 선택적으로 제1가공부(131) 또는 제2가공부(132) 중 어느 한 곳으로 이송된다.
이때, 상기 제1가공부(131)로의 이송은 상기 제1회전암(151)이 담당하고, 상기 제2가공부(132)로의 이송은 상기 제2회전암(152)이 담당한다.
상기 가공부(131,132)에서는 상기 웨이퍼의 가공이 실시되고, 가공된 웨이퍼는 세정부 이동용 암에 의해 상기 세정부(141,142)로 이송된다.
이때, 상기 제1가공부(131)로부터 가공된 웨이퍼는 상기 제1세정부(141)로 이송되고, 상기 제2가공부(132)로부터 가공된 웨이퍼는 상기 제2세정부(142)로 이송되어 상기 웨이퍼의 세척이 실시된다.
세척이 끝난 웨이퍼는 언로딩되어 웨이퍼의 가공 단계가 마무리된다.
그러나 종래의 웨이퍼 가공방법은 웨이퍼의 한쪽 면만을 가공함으로써, 반도체 제조 공정의 생산성을 올리려면 디바이스의 면적을 줄여 적은 면적에 동일한 메모리 밀도를 갖는 디바이스를 만들어야 한다.
이를 위해서는 웨이퍼의 더욱 미세한 가공이 요구되고 각 작업단계별 작업이 쉽지 않다.
또한, 로봇에 의해 이송되는 웨이퍼는 로봇과 직접 접촉하게 되면 접촉부분이 손상되는 문제점이 발생한다.
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본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 비접촉식으로 웨이퍼를 이송하면서 웨이퍼를 가공하여 웨이퍼의 손상을 방지하고 가공이 용이하며 생산성을 증대시킬 수 있는 비접촉 웨이퍼 가공방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 비접촉 웨이퍼 가공방법은, 로봇암이 카세트스테이션에 수납된 웨이퍼의 하부에 위치하여 상기 웨이퍼를 상방향으로 부양시키는 제1부양단계; 상기 로봇암이 상기 웨이퍼를 웨이퍼 처리스테이션으로 이송하여 배치시키는 제1이송단계; 상기 웨이퍼 처리스테이션에서 웨이퍼의 일면을 코팅하는 제1처리단계; 일면이 코팅된 웨이퍼를 상기 로봇암이 이송하여 상기 카세트스테이션에 수납하는 제2이송단계; 를 포함하여 이루어지되, 상기 로봇암은 상기 웨이퍼를 부양시켜 비접촉 상태로 이송한다.
상기 제1처리단계는, 웨이퍼의 중심과 방향을 정렬하는 웨이퍼 정렬단계; 상기 웨이퍼를 냉각시키는 냉각단계; 상기 웨이퍼에 코팅액을 도포하는 코팅처리단계; 상기 웨이퍼를 가열하는 가열단계; 로 이루어진다.
상기 로봇암은 공기를 분사하여 발생하는 기류의 부압(負壓)에 의해 상기 웨이퍼를 부양시켜 비접촉 상태로 이송한다.
본 발명에 따른 비접촉 웨이퍼 가공방법은 다음과 같은 효과가 있다.
로봇암에 의해 비접촉식으로 웨이퍼가 이송되면서 웨이퍼를 가공함으로써, 웨이퍼의 손상을 방지하고 가공이 용이하며 생산성을 증대시킬 수 있다.
도 1은 종래의 웨이퍼 가공장치의 평면도,
도 2는 종래의 웨이퍼 가공장치를 이용한 웨이퍼 가공방법을 나타낸 블록도,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 비접촉 웨이퍼 가공방법을 나타낸 순서도,
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 비접촉 웨이퍼 가공방법을 실시하기 위한 웨이퍼 가공장치를 간략히 표현하여 나타낸 평면도,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 비접촉 웨이퍼 가공방법을 나타낸 순서도이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 비접촉 웨이퍼 가공방법을 실시하기 위한 웨이퍼 가공장치를 간략히 표현하여 나타낸 평면도이다.
본 발명의 실시예에 따른 비접촉 웨이퍼 가공방법은 도 3에 도시된 바와 같이, 제1부양단계(S10), 제1이송단계(S20), 제1처리단계(S30), 제2이송단계(S40)로 이루어진다.
상기 제1부양단계(S10)는 로봇암(1)이 카세트스테이션(2)에 수납된 웨이퍼의 하부에 위치하여 상기 웨이퍼를 상방향으로 부양시킨다.
상기 카세트스테이션(2)은 웨이퍼가 수납되는 것으로써, 종래의 일반적인 카세트가 배치되어 있다.
상기 로봇암(1)은 공기를 분사하여 발생하는 기류의 부압(負壓)에 의해 상기 웨이퍼를 부양시켜 비접촉 상태로 이송한다.
구체적으로 상기 로봇암(1)에 의해 이송되는 웨이퍼는 상기 로봇암(1)에 발생된 기류층에 의해 상기 로봇암(1)에 접촉하지 않고 이격되며, 상기 로봇암(1)에 기류가 발생되면서 대기압에 비해 낮은 압력인 부압이 형성되어 기류가 형성된 로봇암(1)에 인접하게 배치되는 웨이퍼는 압력차에 의해 상기 로봇암(1) 방향으로 가압되게 된다.
이에 따라 상기 로봇암(1)은 웨이퍼와 접촉하지 않으면서 상기 웨이퍼와 이격된 상태로 웨이퍼를 고정하게 된다.
이와 같이 상기 로봇암(1)이 비접촉 상태로 웨이퍼를 고정함으로써, 상기 웨이퍼와 로봇암(1)의 접촉에 따른 웨이퍼의 손상을 방지할 수 있다.
이러한 부압을 이용하여 웨이퍼를 고정하는 기술은 이미 공지된 기술로써, 본 실시예에 따른 비접촉 웨이퍼 양면 가공방법을 수행하는데 적용할 수 있다.
상기 제1이송단계(S20)는 상기 로봇암(1)이 상기 웨이퍼를 웨이퍼 처리스테이션으로 이송하여 배치시킨다.
전술한 바와 같이 상기 웨이퍼는 부압에 의해 상기 로봇암(1)과 비접촉 상태로 상기 고정되어 있기 때문에 상기 로봇암(1)이 상기 웨이퍼를 안정적으로 이송시킬 수 있다.
상기 웨이퍼 처리스테이션은 상기 웨이퍼에 코팅작업을 하기 위한 것으로써, 상기 웨이퍼를 배치하여 다양한 작업을 수행하게 된다.
상기 웨이퍼 처리스테이션은 얼라이너(3)(Aligner), 냉각부(4), 코팅부(5), 가열부(6)로 이루어진다.
그리고 상기 웨이퍼 처리스테이션을 구성하는 각 장치의 구조는 도 4에 한정하지 않고 다양하게 배치될 수 있으며, 각 장치의 개수 또한 다양하게 하여 배치할 수 있다.
상기 제1처리단계(S30)는 상기 웨이퍼 처리스테이션에서 웨이퍼의 일면을 코팅한다.
구체적으로 상기 제1처리단계(S30)는 웨이퍼 정렬단계, 냉각단계, 코팅처리단계 및 가열단계로 이루어진다.
상기 웨이퍼 정렬단계는 웨이퍼의 중심과 방향을 정렬한다.
즉, 상기 웨이퍼 정렬단계에서는 상기 로봇암(1)에 의해 상기 웨이퍼가 상기 얼라이너(3)에 배치된다.
상기 얼라이너(3)는 상기 웨이퍼의 일정한 위치에 패턴을 형성하기 위하여 상기 웨이퍼의 중심과 방향을 정렬한다.
이에 따라 상기 웨이퍼는 상기 로봇암(1)에 의해 이송되면서 각 작업단계에서 일정한 위치 및 방향을 유지할 수 있다.
상기 냉각단계는 상기 냉각부(4)에서 상기 웨이퍼를 냉각시킨다.
상기 코팅처리단계는 상기 코팅부(5)에서 상기 웨이퍼에 코팅액을 도포한다.
구체적으로 상기 코팅처리단계는 감광제 도포단계와 현상액 도포단계로 이루어진다.
상기 감광제 도포단계는 상기 웨이퍼의 표면에 감광제를 도포하고, 상기 현상액 도포단계는 상기 웨이퍼의 표면에 현상액을 도포한다.
상기 가열단계는 상기 가열부(6)에서 상기 웨이퍼를 가열한다.
이러한 제1처리단계(S30)를 거친 웨이퍼는 일면이 코팅되어 회로 패턴이 형성된다.
상기 제2이송단계(S40)는 일면이 코팅된 웨이퍼를 상기 로봇암(1)이 이송하여 상기 카세트스테이션(2)에 수납한다.
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상술한 바와 같이 상기 로봇암(1)에 의해 비접촉식으로 웨이퍼가 이송되면서 웨이퍼를 가공함으로써, 웨이퍼의 손상을 방지하고 가공이 용이하며 생산성을 증대시킬 수 있다.
본 발명인 비접촉 웨이퍼 가공방법은 전술한 실시예에 국한되지 않고, 본 발명의 기술사상이 허용되는 범위 내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
1 : 로봇암, 2 : 카세트스테이션, 3 : 얼라이너, 4 : 냉각부, 5 : 코팅부, 6 : 가열부,
S10 : 제1부양단계, S20 : 제1이송단계, S30 : 제1처리단계, S40 : 제2이송단계,

Claims (3)

  1. 로봇암이 카세트스테이션에 수납된 웨이퍼의 하부에 위치하여 상기 웨이퍼를 상방향으로 부양시키는 제1부양단계;
    상기 로봇암이 상방향으로 부양된 상기 웨이퍼를 비접촉 상태로 이송하여 웨이퍼 처리스테이션에 배치시키는 제1이송단계;
    상기 웨이퍼 처리스테이션으로 이송된 웨이퍼의 중심과 방향을 정렬하는 웨이퍼 정렬단계와, 상기 웨이퍼를 냉각시키는 냉각단계와, 상기 웨이퍼에 코팅액을 도포하는 코팅처리단계와, 상기 웨이퍼를 가열하는 가열단계의 순서로 이루어져 상기 웨이퍼의 일면을 코팅하는 제1처리단계;
    상기 로봇암이 일면이 코팅된 웨이퍼를 상방향으로 부양시켜 비접촉 상태로 이송하여 상기 카세트스테이션에 수납하는 제2이송단계; 를 포함하여 이루어지되,
    상기 제1부양단계, 제1이송단계 및 제2이송단계에서, 상기 로봇암은 공기를 분사하여 상기 로봇암과 웨이퍼 사이에 기류를 발생시키고, 상기 기류에 의해 웨이퍼가 상기 로봇암으로부터 부양되며, 상기 로봇암과 웨이퍼 사이에 발생하는 기류에 의한 압력과 상기 웨이퍼 상부의 대기압과의 기압 차이에 의해 상기 로봇암과 웨이퍼 사이에 부압(負壓)이 형성되어 상기 웨이퍼는 상기 로봇암으로부터 소정 간격 부양된 상태로 상기 로봇암의 상부에 고정되는 것을 특징으로 하는 비접촉 웨이퍼 가공방법.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970030232A (ko) * 1995-11-24 1997-06-26 김주용 감광제 도포 방법
KR20040090529A (ko) * 2003-04-17 2004-10-26 주식회사 제일 기판처리장치
KR20040090537A (ko) * 2003-04-17 2004-10-26 주식회사 제일 기판처리장치
KR20110021519A (ko) * 2009-08-26 2011-03-04 주식회사 씨엔디플러스 기판처리장치 및 이의 배치구조

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970030232A (ko) * 1995-11-24 1997-06-26 김주용 감광제 도포 방법
KR20040090529A (ko) * 2003-04-17 2004-10-26 주식회사 제일 기판처리장치
KR20040090537A (ko) * 2003-04-17 2004-10-26 주식회사 제일 기판처리장치
KR20110021519A (ko) * 2009-08-26 2011-03-04 주식회사 씨엔디플러스 기판처리장치 및 이의 배치구조

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