KR101386754B1 - 탄성파 소자 - Google Patents

탄성파 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR101386754B1
KR101386754B1 KR1020120078110A KR20120078110A KR101386754B1 KR 101386754 B1 KR101386754 B1 KR 101386754B1 KR 1020120078110 A KR1020120078110 A KR 1020120078110A KR 20120078110 A KR20120078110 A KR 20120078110A KR 101386754 B1 KR101386754 B1 KR 101386754B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
piezoelectric thin
constant
piezoelectric
lower electrode
Prior art date
Application number
KR1020120078110A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130021319A (ko
Inventor
츠요시 요코야마
Original Assignee
다이요 유덴 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=47742634&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR101386754(B1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 다이요 유덴 가부시키가이샤 filed Critical 다이요 유덴 가부시키가이샤
Publication of KR20130021319A publication Critical patent/KR20130021319A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101386754B1 publication Critical patent/KR101386754B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/173—Air-gaps
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
    • H10N30/853—Ceramic compositions

Abstract

<과제> 큰 전기 기계 결합 정수를 가지는 탄성파 소자를 제공하는 것이다.
<해결 수단> 본 발명은, 기판(10)과, 기판(10) 상에 설치된 하부 전극(12)과, 하부 전극(12) 상에 설치되고, a축 방향의 격자 정수와 c축 방향의 격자 정수의 비가 1.6보다 작은 질화알루미늄으로 이루어지는 압전 박막(14)과, 압전 박막(14) 상에 설치되고, 압전 박막(14)을 사이에 두고 하부 전극(12)과 대향하는 상부 전극(16)을 구비하는 탄성파 소자이다. 본 발명에 의하면 큰 전기 기계 결합 정수를 가지는 탄성파 소자를 제공할 수가 있다.

Description

탄성파 소자{ACOUSTIC WAVE DEVICE}
본 발명은 탄성파 소자에 관한 것이다.
최근에 휴대전화 등의 통신 기기가 보급되고 있다. 통신 기기의 필터, 듀플렉서(duplexer) 등으로서 탄성파를 이용한 탄성파 소자가 이용되는 일이 있다. 탄성파 소자의 예로서 표면 탄성파(SAW : Surface Acoustic Wave)를 이용하는 소자, 및 체적 탄성파(BAW : Bulk Acoustic Wave)를 이용하는 소자 등이 있다. 압전 박막 공진자는 BAW를 이용하는 소자이고, FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator), SMR(Solidly Mounted Resonator) 등의 형태가 있다. 또 램파(Lamb Wave)를 이용하는 소자도 있다. 압전막의 전기 기계 결합 정수가 커짐으로써 탄성파 소자의 주파수 특성이 개선되고, 또 광대역화도 가능하게 된다.
특허 문헌 1에는 알칼리토류 금속 및 희토류 금속을 함유하는 압전 박막을 이용함으로써 압전 박막 공진자의 특성을 개선하는 기술이 개시되어 있다. 특허 문헌 2에는 스칸듐(scandium)을 함유하는 압전 박막을 이용함으로써 압전 박막 공진자의 특성을 개선하는 기술이 개시되어 있다. 비특허 문헌 1에는, 질화알루미늄(AlN)으로 이루어지는 압전 박막의 배향성을 제어함으로써 압전 박막 공진자의 전기 기계 결합 정수를 개선하는 기술이 개시되어 있다.
일본국 특허공개 2002－344279호 공보 일본국 특허공개 2009－10926호 공보
IEEE TRANSACTIONS ON ULTRASONICS, FERROELECTRICS AND FREQUENCY CONTROL, vol.47, p.292, 2000
그렇지만, 종래 기술에서는 충분히 큰 전기 기계 결합을 얻을 수 없는 경우가 있다. 본 발명은 상기 과제를 감안하여 큰 전기 기계 결합 정수를 가지는 탄성파 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 기판과, 상기 기판 상에 설치된 하부 전극과, 상기 하부 전극 상에 설치되고, a축 방향의 격자 정수와 c축 방향의 격자 정수의 비가 1.6보다 작은 질화알루미늄으로 이루어지는 압전막과, 상기 압전막 상에 설치되고, 상기 압전막을 사이에 두고 상기 하부 전극과 대향하는 상부 전극을 구비하는 탄성파 소자이다. 본 발명에 의하면, 큰 전기 기계 결합 정수를 가지는 탄성파 소자를 제공할 수가 있다.
본 발명은, 기판과, 상기 기판 상에 설치된 하부 전극과, 상기 하부 전극 상에 설치되고, c축 방향의 격자 정수가 0.495㎚보다 작은 질화알루미늄으로 이루어지는 압전막과, 상기 압전막 상에 설치되고, 상기 압전막을 사이에 두고 상기 하부 전극과 대향하는 상부 전극을 구비하는 탄성파 소자이다. 본 발명에 의하면, 큰 전기 기계 결합 정수를 가지는 탄성파 소자를 제공할 수가 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 압전막의 잔류 응력은 인장 응력인 구성으로 할 수가 있다. 이 구성에 의하면, 격자 정수의 비 또는/및 격자 정수를 벌크(bulk) 값보다 작게 할 수가 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 압전막은 무첨가의 질화알루미늄으로 이루어지는 구성으로 할 수가 있다. 이 구성에 의하면, 탄성파 소자를 저비용화할 수가 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 압전막은 제3 원소가 첨가된 질화알루미늄으로 이루어지는 구성으로 할 수가 있다. 이 구성에 의하면, 격자 정수의 비 또는/및 격자 정수를 벌크 값보다 작게 할 수가 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 압전막은 티타늄(titanium), 지르코늄(zirconium) 및 하프늄(hafnium)의 적어도 하나가 첨가된 질화알루미늄으로 이루어지는 구성으로 할 수가 있다. 이 구성에 의하면, 격자 정수의 비 또는/및 격자 정수를 벌크 값보다 작게 할 수가 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 제3 원소는 상기 질화알루미늄의 알루미늄 사이트에 배치되어 있는 구성으로 할 수가 있다. 이 구성에 의하면, 격자 정수의 비 또는/및 격자 정수를 벌크 값보다 작게 할 수가 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 압전막에는 온도 보상막이 삽입되어 있는 구성으로 할 수가 있다. 이 구성에 의하면, 탄성파 소자의 온도 특성이 안정된다.
상기 구성에 있어서, 상기 온도 보상막은 산화실리콘을 포함하는 구성으로 할 수가 있다. 이 구성에 의하면, 탄성파 소자의 온도 특성이 안정된다.
본 발명에 의하면, 큰 전기 기계 결합 정수를 가지는 탄성파 소자를 제공할 수가 있다.
도 1(a)는 FBAR를 예시하는 평면도이고, 도 1(b)는 FBAR를 예시하는 단면도이다.
도 2(a)는 격자 정수의 비 c/a의 변화율과 압전 정수의 변화율의 관계를 나타내는 그래프이고, 도 2(b)는 격자 정수의 비 c/a의 변화율과 전기 기계 결합 정수의 변화율의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 3은 잔류 응력과 격자 정수의 비 c/a의 변화율의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 4는 압전 박막의 조성을 변경한 경우에 있어서의 격자 정수의 비 c/a의 변화율과 압전 정수의 변화율의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 5(a)는 도 4로부터 압전 박막의 조성과 격자 정수의 비의 변화율을 뽑아낸 그래프이다. 도 5(b)는 도 4로부터 압전 박막의 조성과 압전 정수의 변화율을 뽑아낸 그래프이다.
도 6(a) 내지 도 6(c)는 실시예 1과 관련되는 FBAR의 제조 방법을 예시하는 단면도이다.
도 7(a)는 압전 박막의 잔류 응력을 조정하는 예의 모식도이고, 도 7(b)는 실시예 1의 변형예와 관련되는 FBAR를 예시하는 단면도이다.
도 8(a) 및 도 8(b)는 탄성파 소자의 다른 예를 예시하는 단면도이다.
도 9(a) 및 도 9(b)는 탄성파 소자의 다른 예를 예시하는 단면도이다.
이하에서는, 탄성파 소자의 예로서 FBAR에 대해서 설명한다. 우선 FBAR의 구성에 대해서 설명한다. 도 1(a)는 FBAR를 예시하는 평면도이고, 도 1(b)는 FBAR를 예시하는 단면도이고, 도 1(a)의 A－A를 따른 단면을 도시하고 있다.
도 1(a) 및 도 1(b)에 나타내듯이, FBAR(100)는 기판(10), 하부 전극(12), 압전 박막(14), 및 상부 전극(16)을 구비한다. 하부 전극(12)은 기판(10) 상에 설치되어 있다. 기판(10)과 하부 전극(12)의 사이에는 돔(dome) 모양의 공극(18)이 형성되어 있다. 바꾸어 말하면, 공극(18)의 중앙부에 있어서 기판(10)과 하부 전극(12)의 거리가 크고, 공극(18)의 주변부에 있어서 기판(10)과 하부 전극(12)의 거리가 작다. 하부 전극(12)은 공극(18)에 노출되어 있다. 압전 박막(14)은 하부 전극(12) 상에 설치되어 있다. 상부 전극(16)은 압전 박막(14) 상에 설치되어 있다. 바꾸어 말하면, 하부 전극(12)과 상부 전극(16)은 압전 박막(14)을 사이에 둔다. 하부 전극(12), 압전 박막(14) 및 상부 전극(16)이 겹쳐 공진 영역(11)이 형성된다. 공진 영역(11)에 있어서 여진(勵振)된 탄성파는 두께 방향(도 1(b)의 세로 방향)으로 진동하고, 또한 면 방향(도 1(b)의 가로 방향)으로 진행한다. 압전 박막(14)의 개구부로부터 노출되는 하부 전극(12)의 일부는 전기신호를 취출하기 위한 단자부로서 기능한다. 하부 전극(12)에는 공극(18)과 연결하는 도입로(13)가 설치되어 있다. 도입로(13)의 선단에는 구멍부(15)가 형성되어 있다. 도입로(13) 및 구멍부(15)는 공극(18)을 형성하는 공정에 있어서 사용된다.
기판(10)은 예를 들면 실리콘(Si), 유리, 갈륨비소(GaAs) 등의 절연체로 이루어진다. 하부 전극(12)은 루테늄(Ruthenium)/크롬(Ru/Cr)의 2층 구조를 가지고, 상부 전극(16)은 Cr/Ru의 2층 구조를 가진다. 바꾸어 말하면, 하부 전극(12) 및 상부 전극(16)은 각각 압전 박막(14)에 가까운 쪽으로부터 차례로 Cr층 및 Ru층을 적층한 것이다. 하부 전극(12)의 Cr층의 두께는 예를 들면 100㎚, Ru층의 두께는 예를 들면 250㎚이다. 상부 전극(16)의 Cr층의 두께는 예를 들면 20㎚, Ru층의 두께는 예를 들면 250㎚이다. 압전 박막(14)은 (002)방향을 주축으로 하는 질화알루미늄(AlN)으로 이루어진다. 바꾸어 말하면, 압전 박막(14)은 c축이 두께 방향을 향하고, a축이 면 방향을 향하는 것 같은 배향성을 가진다.
압전 박막(14)의 전기 기계 결합 정수 k33 2가 높을수록 FBAR(100)의 특성은 개선된다. 압전 박막(14)을 형성하는 AlN의 결정 구조가 전기 기계 결합 정수 k33 2에 영향을 준다. 결정 구조와 전기 기계 결합 정수 k33 2의 관계를 검증하기 위해서 시뮬레이션 및 실험을 하였다.
시뮬레이션은 계산 수법으로서 의사 포텐셜법(pseudo-potential method), 계산을 위한 프로그램으로서 ABINIT를 이용하고, AlN의 구조 최적화를 포함하는 전자 상태의 제1 원리 계산을 행한 것이다. 안정 구조에 있어서의 AlN의 전자 상태의 계산에 의해 c축 방향의 격자 정수 c, 및 a축 방향의 격자 정수 a와 격자 정수 c의 비(격자 정수의 비) c/a를 구할 수가 있다. 또 안정 구조의 AlN의 결정 격자에 뒤틀림을 가함으로써, c축 방향의 압전 정수 e33, 탄성 정수 C33 및 유전율 ε33을 구할 수가 있다. 바꾸어 말하면 격자 정수 c 및 c/a가 변화한 경우에 있어서의 압전 정수 e33, 탄성 정수 C33 및 유전율 ε33을 구할 수가 있다. 전기 기계 결합 정수 k33 2와 압전 정수 e33, 탄성 정수 C33 및 유전율 ε33과의 사이에는 다음의 관계가 성립한다.
Figure 112012057295599-pat00001
수학식 1에 기초하여 격자 정수 c 및 c/a가 변화한 경우에 있어서의 전기 기계 결합 정수 k33 2의 변화를 구할 수가 있다. 또한, JCPDS(Joint Committee on Powder Diffraction Standards) 카드 차트에 의하면 결정 격자에 뒤틀림이 없는 경우에 있어서의 격자 정수 c는 0.498㎚, 격자 정수의 비 c/a는 1.6이다. 즉 격자 정수 c의 벌크 값은 0.498㎚, 격자 정수의 비 c/a의 벌크 값은 1.6이다.
도 2(a)는 격자 정수의 비 c/a의 변화율과 압전 정수의 변화율의 관계를 나타내는 그래프이다. 가로축은 격자 정수의 비 c/a의 변화율, 세로축은 압전 정수 e33의 변화율을 각각 나타낸다. 격자 정수의 비 c/a의 변화율은 벌크 값인 1.6을 기준으로 한 변화율이다. 압전 정수 e33의 변화율은 결정 격자에 뒤틀림을 가하고 있지 않은 경우의 압전 정수 e33을 기준으로 한 변화율이다. 도 2(a)에 나타내듯이, c/a의 변화율이 부(negative)인 경우, 압전 정수 e33의 변화율은 정(positive)으로 된다. c/a의 변화율이 정인 경우, 압전 정수 e33의 변화율은 부로 된다. 바꾸어 말하면, c/a가 벌크 값인 1.6보다 작아짐으로써 압전 정수 e33은 커진다. 상기의 수학식 1로부터 분명하듯이 압전 정수 e33이 커짐으로써 전기 기계 결합 정수 k33 2도 커진다. c/a의 변화율이 부로 되는 것은 예를 들면 격자 정수 c가 벌크 값인 0.498㎚보다 커지는 경우이다.
도 2(b)는 격자 정수의 비 c/a의 변화율과 전기 기계 결합 정수의 변화율의 관계를 나타내는 그래프이다. 가로축은 격자 정수의 비 c/a의 변화율, 세로축은 전기 기계 결합 정수 k33 2의 변화율을 각각 나타낸다. 전기 기계 결합 정수 k33 2의 변화율은 결정 격자에 뒤틀림을 가하고 있지 않은 경우의 전기 기계 결합 정수 k33 2를 기준으로 한 변화율이다. 도 2(b)에 나타내듯이, c/a의 변화율이 부인 경우, 전기 기계 결합 정수 k33 2의 변화율은 정으로 된다. c/a의 변화율이 정인 경우, 전기 기계 결합 정수 k33 2의 변화율은 부로 된다. 바꾸어 말하면, c/a가 벌크 값인 1.6보다 작아짐으로써 전기 기계 결합 정수 k33 2는 커진다.
격자 정수 c 및 격자 정수의 비 c/a를 작게하기 위한 방법에 대해서 설명한다. 우선 잔류 응력과 격자 정수의 관계를 검증한 실험에 대해서 설명한다. 압전 박막(14)의 성막 조건을 변경한 복수의 표본에 있어서 잔류 응력과 격자 정수의 비 c/a를 측정하였다. 압전 박막(14)은 두께 1200㎚의 AlN으로 이루어진다. 도 3은 잔류 응력과 격자 정수의 비 c/a의 변화율의 관계를 나타내는 그래프이다. 가로축은 압전 박막(14)에 잔류하는 잔류 응력, 세로축은 격자 정수의 비 c/a의 변화율을 각각 나타낸다. 잔류 응력이 인장 응력인 경우, 잔류 응력은 정의 값을 취한다. 잔류 응력이 압축 응력인 경우, 잔류 응력은 부의 값을 취한다. 압축 응력은 도 1(b)에 있어서의 압전 박막(14)의 상면을 좁게 하는 방향의 응력이다. 인장 응력과는 압전 박막(14)의 상면을 넓게 하는 방향의 응력이다.
도 3에 나타내듯이, 잔류 응력이 부인 경우, c/a는 커진다. 잔류 응력이 정인 경우, c/a는 작아진다. 바꾸어 말하면 잔류 응력이 인장 응력인 경우, c/a의 변화율은 부로 되어 c/a는 벌크 값보다 작아진다. 이 결과, 도 2(a) 및 도 2(b)에 나타낸 것처럼 압전 정수 e33 및 전기 기계 결합 정수 k33 2를 크게 할 수가 있다.
다음에 압전 박막(14)의 조성과 격자 정수의 관계를 검증한 시뮬레이션에 대해서 설명한다. 압전 박막(14)을 형성하는 AlN에 Al 및 N 이외의 원소인 제3 원소를 도프하고, 알루미늄 사이트의 일부를 제3 원소로 치환한 예를 생각한다. 제3 원소가 도프된 AlN를 도프 AlN으로 하고, 제3 원소가 도프되어 있지 않은 AlN를 논도프(non-dope) AlN으로 한다. 도프 AlN의 전자 상태의 제1 원리 계산을 행함으로써 도프 AlN의 안정 구조를 구할 수가 있다. 바꾸어 말하면 도프 AlN에 있어서의 격자 정수의 비 c/a를 구할 수가 있다. 또, 안정 구조의 도프 AlN의 결정 격자에 뒤틀림을 가함으로써, 압전 정수 e33, 탄성 정수 C33 및 유전율 ε33을 구할 수가 있다. 도프 AlN의 제3 원소의 함유율은 12.5원자%로 하였다.
도 4는 압전 박막의 조성을 변경한 경우에 있어서의 격자 정수의 비 c/a의 변화율과 압전 정수의 변화율의 관계를 나타내는 그래프이다. 가로축은 격자 정수의 비 c/a의 변화율, 세로축은 압전 정수 e33의 변화율을 각각 나타낸다. 격자 정수의 비 c/a의 변화율은 논도프 AlN에 있어서의 c/a를 기준으로 한 변화율이다. 압전 정수 e33의 변화율은 논도프 AlN에 있어서의 e33을 기준으로 한 변화율이다. 검은 색의 원은 압전 박막(14)이 논도프 AlN으로 이루어지는 예를 나타낸다. 흰색의 네모는 압전 박막(14)이 지르코늄(Zr)이 도프된 AlN으로 이루어지는 예를 나타낸다. 검은 색 네모는 압전 박막(14)이 하프늄(Hf)이 도프된 AlN으로 이루어지는 예를 나타낸다. 흰색 원은 압전 박막(14)이 티타늄(Ti)이 도프된 AlN으로 이루어지는 예를 나타낸다. 흰색 세모는 압전 박막(14)이 갈륨(Ga)이 도프된 AlN으로 이루어지는 예를 나타낸다. 검은 색 세모는 압전 박막(14)이 칼슘(Ca)이 도프된 AlN으로 이루어지는 예를 나타낸다.
도 5(a)는 도 4로부터 압전 박막의 조성과 격자 정수의 비의 변화율을 뽑아낸 그래프이다. 가로축은 압전 박막(14)의 조성을 나타낸다. 도 5(a) 중의 논도프는 압전 박막(14)이 논도프 AlN으로 이루어지는 것을 나타낸다. 도 5(a) 중의 원소명은 압전 박막(14)이 각 원소가 도프된 AlN으로 이루어지는 것을 나타낸다. 세로축은 격자 정수의 비 c/a의 변화율을 나타낸다. 도 5(b)는 도 4로부터 압전 박막의 조성과 압전 정수의 변화율을 뽑아낸 그래프이다. 가로축은 압전 박막(14)의 조성을 나타낸다. 세로축은 압전 정수 e33의 변화율을 나타낸다.
도 4 및 도 5(a)에 나타내듯이, Ga 또는 Ca가 도프된 경우, c/a의 변화율은 정이다. 또 한편 Zr, Hf 또는 Ti가 도프된 경우, c/a의 변화율은 부이다. 도 4 및 도 5(b)에 나타내듯이, Ga 또는 Ca가 도프된 경우, 압전 정수 e33의 변화율은 부이다. 또 한편 Zr, Hf 또는 Ti가 도프된 경우, 압전 정수 e33의 변화율은 정이다. 특히, Hf 또는 Ti가 도프된 경우, 압전 정수 e33의 변화율은 10%를 넘는다. Zr, Hf 또는 Ti가 도프된 도프 AlN를 이용함으로써 압전 정수 e33이 커지고, 전기 기계 결합 정수 k33 2도 커진다.
이와 같이 압전 박막(14)의 잔류 응력이 인장 응력이거나, 또는 압전 박막(14)이 도프 AlN으로 이루어짐으로써 격자 정수의 비 c/a는 작아지고, 전기 기계 결합 정수 k33 2는 커진다. 이상의 지견에 기초한 실시예에 대해서 설명한다.
<실시예 1>
실시예 1은 압전 박막(14)에 인장 응력이 잔류하는 예이다. 실시예 1과 관련되는 FBAR의 구성은 도 1(a) 및 도 1(b)에 나타낸 것과 같다. 압전 박막(14)(압전막)은 논도프(무첨가)의 AlN으로 이루어진다. 논도프는 의도적으로 원소를 도프하고 있지 않는 것을 의미한다.
다음에 실시예 1과 관련되는 FBAR의 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 6(a) 내지 도 6(c)는 실시예 1과 관련되는 FBAR의 제조 방법을 예시하는 단면도이다.
도 6(a)에 나타내듯이, 예를 들면 스퍼터링법(sputtering method) 또는 증착법을 이용하여 기판(10) 상에 희생층(17)을 형성한다. 희생층(17)은 예를 들면 산화마그네슘(MgO)으로 이루어지고, 공극(18)이 형성되는 영역에 설치된다. 희생층(17)의 두께는 예를 들면 20㎚이다.
도 6(b)에 나타내듯이, 예를 들면 스퍼터링법을 이용하여 하부 전극(12)을 형성한다. 스퍼터링법은 예를 들면 0.6~1.2Pa의 압력하 및 아르곤(Ar) 가스 분위기 중에서 행한다. 압력 및 분위기는 스퍼터링 장치 내의 압력 및 분위기이다. 성막 후, 예를 들면 노광 기술 및 에칭 기술 등을 이용하여 하부 전극(12)을 소정의 형상으로 한다. 도 6(b) 중의 우측에 나타내듯이, 하부 전극(12)의 일방의 단부와 희생층(17)의 일방의 단부는 겹친다. 한편, 도 6(c) 중의 좌측에 나타내듯이, 하부 전극(12)은 기판(10)의 상면으로 뻗는다.
도 6(c)에 나타내듯이, 예를 들면 스퍼터링법을 이용하여 압전 박막(14)을 형성한다. 압전 박막(14)은 막 두께가 예를 들면 400㎚, c축을 주축으로 하는 AlN으로 이루어진다. 스퍼터링법은 예를 들면 약 0.3Pa의 압력하 및 아르곤/질소(Ar/N2) 혼합 가스 분위기 중에서 행한다. Ar/N2 혼합 가스 중의 Ar 유량비를 증가시킴으로써 압전 박막(14)의 응력은 인장 응력으로 되고, Ar 유량비를 감소시킴으로써 압전 박막(14)의 응력은 압축 응력으로 된다. 실시예 1에서는 Ar 유량비를 예를 들면 Ar 유량/(Ar 유량＋N2 유량)=0.25로 증가시킴으로써 압전 박막(14)의 응력을 인장 응력으로 한다. 또한, Ar 유량비는 장치에 따라 변경해도 좋다.
예를 들면 스퍼터링법을 이용하여 상부 전극(16)을 형성한다. 스퍼터링법은 예를 들면 0.6~1.2Pa의 압력하 및 Ar가스 분위기 중에서 행한다. 예를 들면 노광 기술 및 에칭 기술 등을 이용하여 상부 전극(16) 및 압전 박막(14)을 소정의 형상으로 한다. 하부 전극(12), 압전 박막(14), 상부 전극(16) 및 희생층(17)이 겹치는 영역이 형성된다. 압전 박막(14)에 형성된 개구부로부터 하부 전극(12)이 노출된다. 도 1(a)에 나타낸 구멍부(15) 및 도입로(13)로부터 에칭액을 도입하여 희생층(17)을 제거한다. 하부 전극(12), 압전 박막(14), 및 상부 전극(16)으로 이루어지는 복합막의 응력은 압축 응력이다. 이 때문에, 희생층(17)의 에칭이 완료한 시점에서, 복합막은 부풀어올라, 하부 전극(12)과 기판(10)의 사이에 복합막측에 돔(dome) 모양을 가지는 공극(18)이 형성된다. 이상의 공정에 의해 실시예 1과 관련되는 FBAR이 형성된다.
실시예 1과 관련되는 FBAR는 기판(10)과, 기판(10) 상에 설치된 하부 전극(12)과, 하부 전극(12) 상에 설치된 압전 박막(14)과, 압전 박막(14)을 사이에 두고 하부 전극(12)과 대향하는 상부 전극(16)을 구비한다. 압전 박막(14)의 잔류 응력은 인장 응력이다. 따라서, 도 3에 나타낸 것처럼 격자 정수의 비 c/a는 벌크 값인 1.6보다 작아진다. 이 결과, 큰 압전 정수 e33 및 전기 기계 결합 정수 k33 2를 가지는 FBAR이 형성된다.
큰 전기 기계 결합 정수 k33 2를 얻기 위해서는 격자 정수의 비 c/a가 벌크 값인 1.6보다 작아도 좋고, 격자 정수 c가 벌크 값인 0.498㎚보다 작아도 좋다. 또, 예를 들면 c/a는 1.5, 1.4, 또는 1.3의 각각보다 작게 할 수가 있다. 격자 정수 c는 예를 들면 0.495㎚, 0.49㎚, 또는 0.485㎚의 각각보다 작게 할 수가 있다. 격자 정수의 비 c/a 및 격자 정수 c의 일방을 벌크 값보다 작게 해도 좋고, 양방을 벌크 값보다 작게 해도 좋다. 격자 정수의 비 c/a는 1.6 이하라도 좋다. 격자 정수 c는 0.498㎚ 이하라도 좋다. 압전 박막(14)은 무첨가의 AlN으로 이루어지기 때문에 압전 박막(14)을 형성하는 공정에 있어서 첨가물(불순물)의 농도를 조정하지 않아도 좋다. 이 때문에 공정을 간략화할 수 있어 압전 박막 공진자가 저비용화된다. 또, 첨가물 농도의 불균일에 기인한 탄성파 소자의 특성의 불균일을 억제할 수가 있기 때문에 제품 수율을 향상시킬 수가 있다.
압전 박막(14)의 잔류 응력을 인장 응력으로 하기 위해서, 예를 들면 상부 전극(16)의 잔류 응력을 이용해도 좋다. 도 7(a)는 압전 박막의 잔류 응력을 조정하는 예의 모식도이다. 압전 박막 공진자 중 압전 박막(14) 및 상부 전극(16)을 뽑아내고 또한 햇칭을 생략하여 도시한 것이다. 도 중의 화살표는 잔류 응력을 나타낸다. 또한, 도의 간략화를 위해 압전 박막(14)과 상부 전극(16)은 동일한 정도의 두께로 하고 있다.
도 7(a)에 나타내듯이, 상부 전극(16)의 잔류 응력은 인장 응력이다. 상부 전극(16)을 압전 박막(14) 상에 설치함으로써 상부 전극(16)의 잔류 응력이 압전 박막(14)에 가해진다. 이 결과, 압전 박막(14)의 잔류 응력이 인장 응력으로 된다. 보다 효과적으로 잔류 응력을 조정하기 위해서는 압전 박막(14)과 상부 전극(16)이 접촉하는 것이 바람직하다. Ar가스 유량비의 증가와 상부 전극(16)의 잔류 응력의 양방을 이용하여 격자 정수의 비 c/a 또는 격자 정수 c를 벌크 값보다 작게 해도 좋다. 또 부가막을 이용하여 잔류 응력을 조정해도 좋다. 부가막을 이용하는 예를 실시예 1의 변형예로 한다.
도 7(b)는 실시예 1의 변형예와 관련되는 FBAR를 예시하는 단면도이다. 도 1(b)에 나타낸 구성과 같은 구성에 대해서는 설명을 생략한다. 실시예 1의 변형예와 관련되는 FBAR(110)는 부가막(30)을 구비한다. 부가막(30)은 상부 전극(16) 상에 설치되어 있다. 부가막(30)은 예를 들면 산화실리콘(SiO2), 질화실리콘(SiN) 등의 절연체로 형성되어도 좋고 금속으로 형성되어도 좋다. 상부 전극(16)의 잔류 응력과 부가막(30)의 잔류 응력에 의해 압전 박막(14)의 잔류 응력을 인장 응력으로 할 수가 있다.
하부 전극(12) 및 상부 전극(16)은 2층 구조로 했지만 단층 구조라도 좋고, 3층 이상의 구조라도 좋다. 하부 전극(12) 및 상부 전극(16)의 재료로서 알루미늄(Al), 동(Cu), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 탄탈륨(Ta), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 이리듐(Ir) 등의 금속을 이용할 수가 있다. 하부 전극(12)은 공극(18)에 노출되어도 좋고 노출되지 않아도 좋다.
<실시예 2>
실시예 2는 압전 박막(14)을 도프 AlN에 의해 형성하는 예이다. 실시예 2와 관련되는 FBAR의 구성은 압전 박막(14)을 형성하는 AlN의 조성을 제외하고 도 1(a) 및 도 1(b)에 나타낸 것 것과 같다. 압전 박막(14)은 제3 원소가 도프된 도프 AlN으로 이루어진다. 도프되는 제3 원소는, Ti, Zr, 및 Hf 등이다. 도프 AlN에 있어서의 제3 원소의 함유율은 예를 들면 12.5원자%이다. 도프된 제3 원소는 AlN의 알루미늄 사이트에 배치되어 있다. 바꾸어 말하면, 제3 원소와 Al이 치환되어 있다. 또한, 제3 원소의 함유율은 목적으로 하는 격자 정수의 값에 따라 변경 가능하다.
다음에 실시예 2와 관련되는 FBAR의 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 6(a) 내지 도 6(c)에 나타낸 단면도는 실시예 2에 대해서도 공통이다. 압전 박막(14)을 형성하기 위한 스퍼터링법에 있어서 Al 타겟과 Ti 타겟 등의 제3 원소 타겟(target)을 사용한다. 이에 의해 도프 AlN으로 이루어지는 압전 박막(14)을 형성한다. 또, 미리 Al 타겟으로 소망의 농도의 Ti를 도프하여 합금한 타겟을 사용할 수도 있다.
실시예 2와 관련되는 FBAR이 구비하는 압전 박막(14)은 제3 원소가 첨가된 AlN으로 이루어진다. 이 때문에 격자 정수의 비 c/a가 작아지고, 또한 압전 정수 e33이 커진다. 이 결과 큰 전기 기계 결합 정수 k33 2를 가지는 FBAR이 형성된다.
제3 원소로서 예를 들면 전이 금속 원소를 이용할 수가 있다. 도 4 내지 도 5(b)에 나타낸 것처럼 큰 전기 기계 결합 정수 k33 2를 얻기 위해서는 제3 원소로서 Ti, Zr 및 Hf 등을 압전 박막(14)에 도프하는 것이 바람직하다. 또, Ti, Zr 및 Hf 중 2개 또는 모두를 도프해도 좋다. 바꾸어 말하면, 압전 박막(14)은 Ti, Zr 및 Hf의 적어도 하나가 첨가된 AlN으로 이루어진다. 제3 원소의 도프에 의해 큰 전기 기계 결합 정수 k33 2를 얻을 수 있으면 좋다. 또한, 실시예 1과 실시예 2를 조합해도 좋다. 즉, 압전 박막(14)의 잔류 응력이 인장 응력이고, 또한 압전 박막(14)이 도프 AlN으로 이루어진다고 해도 좋다.
탄성파 소자의 예로서 FBAR를 들었지만, 실시예 1 및 실시예 2는 FBAR 이외의 탄성파 소자에도 적용 가능하다. 도 8(a) 내지 도 9(b)는 탄성파 소자의 다른 예를 예시하는 단면도이다. 도 1(a) 및 도 1(b)에 있어서 기술한 구성에 대해서는 설명을 생략한다.
도 8(a)에 나타내듯이, FBAR(120)의 기판(10)에는 공극(32)이 형성되어 있다. 공극(32)은 하부 전극(12), 압전 박막(14) 및 상부 전극(16)과 겹친다. 하부 전극(12)은 공극(32)에 노출되어 있다. 공극(32)은 예를 들면 에칭법 등에 의해 기판(10)의 일부를 제거함으로써 형성된다. 공극(32)은 기판(10)을 두께 방향으로 관통해도 좋다.
도 8(b)에 나타내듯이, SMR(130)은 음향 반사막(34)을 구비한다. 음향 반사막(34)은 기판(10)과 하부 전극(12)의 사이에 설치되어 있다. 음향 반사막(34)은 음향 임피던스(impedance)가 높은 막과 음향 임피던스가 낮은 막의 적층막이다.
도 9(a)에 나타내듯이, 탄성파 공진자(140)는 압전막(31), 제1 지지 기판(38), 제2 지지 기판(40), 및 전극(42)을 구비한다. 제1 지지 기판(38)의 하면은 제2 지지 기판(40)과 예를 들면 표면 활성화 접합, 수지 접합 등에 의해 접합되어 있다. 제1 지지 기판(38)의 상면에는 압전막(31)이 설치되어 있다. 제1 지지 기판(38)에는 제1 지지 기판(38)을 두께 방향으로 관통하는 구멍부가 형성되어 있다. 구멍부는 압전막(31)과 제2 지지 기판(40)의 사이의 공극(44)으로서 기능한다. 압전막(31)의 상면의 공극(44)과 겹치는 영역에는 전극(42)이 설치되어 있다. 압전막(31)은 c/a가 1.6보다 작은 AlN으로 형성되어도 좋고, 격자 정수 c가 0.498㎚보다 작은 AlN으로 형성되어도 좋다. 탄성파 공진자(140)는 램파를 이용하는 공진자이다.
도 9(b)에 나타내듯이, FBAR(150)은 온도 보상막(19)을 구비한다. 온도 보상막(19)은 압전 박막(14)에 삽입되어 압전 박막(14)과 접촉하고 있다. 온도 보상막(19)은 예를 들면 SiO2, 또는 SiO2에 예를 들면 불소(F) 등을 도프한 도프 SiO2 등으로 이루어진다. 바꾸어 말하면 온도 보상막(19)은 SiO2를 포함한다. 온도 보상막(19)의 탄성 정수의 온도 계수의 부호는 압전 박막(14)의 탄성 정수의 온도 계수의 부호와 반대이다. 따라서, FBAR(150)의 온도 특성이 안정된다. 또한, 도 8(a) 내지 도 9(a)에 나타낸 탄성파 소자가 온도 보상막(19)을 구비하여도 좋다. 실시예 1 또는 실시예 2는 공진자를 구비하는 필터 및 듀플렉서, 및 필터 및 듀플렉서 등을 포함하는 모듈 등의 탄성파 소자에도 적용이 가능하다.
이상, 본 발명의 실시예에 대해서 상술했지만, 본 발명과 관련되는 특정의 실시예에 한정되는 것은 아니고 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에 있어서 여러 가지의 변형 및 변경이 가능하다.
10　　기판
12　　하부 전극 14　　압전 박막
16　　상부 전극 17　　공진 영역
18, 32　공극
19　　온도 보상막
30　　부가막 31　　압전막
34　　음향 반사막
100, 110, 120, 150　FBAR 130　SMR
140　탄성파 공진자

Claims (10)

  1. 기판과,
    상기 기판 상에 설치된 하부 전극과,
    상기 하부 전극 상에 설치되고, a축 방향의 격자 정수와 c축 방향의 격자 정수의 비가 1.6보다 작은 질화알루미늄으로 이루어지는 압전막과,
    상기 압전막 상에 설치되고, 상기 압전막을 사이에 두고 상기 하부 전극과 대향하는 상부 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 탄성파 소자.
  2. 기판과,
    상기 기판 상에 설치된 하부 전극과,
    상기 하부 전극 상에 설치되고, c축 방향의 격자 정수가 0.495㎚보다 작은 질화알루미늄으로 이루어지는 압전막과,
    상기 압전막 상에 설치되고, 상기 압전막을 사이에 두고 상기 하부 전극과 대향하는 상부 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 탄성파 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 압전막의 잔류 응력은 인장 응력인 것을 특징으로 하는 탄성파 소자.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 압전막의 잔류 응력은 인장 응력인 것을 특징으로 하는 탄성파 소자.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 압전막은 무첨가의 질화알루미늄으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성파 소자.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 압전막은 제3 원소가 첨가된 질화알루미늄으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성파 소자.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 압전막은 티타늄, 지르코늄 및 하프늄의 적어도 하나가 첨가된 질화알루미늄으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성파 소자.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제3 원소는 상기 질화알루미늄의 알루미늄 사이트에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 소자.
  9. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 압전막에는 온도 보상막이 삽입되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 소자.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 온도 보상막은 산화실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성파 소자.
KR1020120078110A 2011-08-22 2012-07-18 탄성파 소자 KR101386754B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2011-180819 2011-08-22
JP2011180819A JP5815329B2 (ja) 2011-08-22 2011-08-22 弾性波デバイス

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130021319A KR20130021319A (ko) 2013-03-05
KR101386754B1 true KR101386754B1 (ko) 2014-04-18

Family

ID=47742634

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120078110A KR101386754B1 (ko) 2011-08-22 2012-07-18 탄성파 소자

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9160298B2 (ko)
JP (1) JP5815329B2 (ko)
KR (1) KR101386754B1 (ko)
CN (1) CN102957397B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180015338A (ko) 2016-08-03 2018-02-13 삼성전기주식회사 박막 벌크 음향 공진기 및 이를 포함하는 필터
KR101922878B1 (ko) 2016-07-14 2018-11-29 삼성전기 주식회사 탄성파 공진기 장치
KR20190008397A (ko) 2016-08-03 2019-01-23 삼성전기주식회사 박막 벌크 음향 공진기 및 이를 포함하는 필터

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6205937B2 (ja) * 2013-07-22 2017-10-04 セイコーエプソン株式会社 圧電膜製造方法、振動子製造方法、振動片、振動子、発振器、電子機器及び移動体
CN103532516B (zh) * 2013-08-05 2017-10-24 天津大学 体波谐振器及其制造方法
JP6284726B2 (ja) * 2013-09-11 2018-02-28 太陽誘電株式会社 窒化アルミニウム膜の成膜方法、弾性波デバイスの製造方法、及び窒化アルミニウム膜の製造装置
DE102014103229B3 (de) 2014-03-11 2015-07-23 Epcos Ag BAW-Resonator mit Temperaturkompensation
JP2015233042A (ja) 2014-06-09 2015-12-24 株式会社村田製作所 圧電薄膜及びその製造方法、並びに圧電素子
JP6255319B2 (ja) * 2014-08-01 2017-12-27 株式会社日立製作所 超音波探触子及び超音波探傷システム
US10009007B2 (en) 2015-06-16 2018-06-26 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Bulk acoustic wave resonator with a molybdenum tantalum alloy electrode and filter including the same
US11558031B2 (en) * 2017-03-08 2023-01-17 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Film bulk acoustic resonator and method of manufacturing the same
KR102461739B1 (ko) * 2017-07-07 2022-10-31 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 개선된 음향파 필터들을 위해 치환된 알루미늄 질화물
DE102018203812A1 (de) * 2018-03-13 2019-09-19 Christian-Albrechts-Universität Zu Kiel Ferroelektrisches material, mems-bauteil mit einem ferroelektrischen material, mems-vorrichtung mit einem ersten mems-bauteil, verfahren zur herstellung eines mems-bauteils und verfahren zur herstellung eines cmos-kompatiblen mems-bauteils
KR20200011141A (ko) * 2018-07-24 2020-02-03 삼성전기주식회사 체적 음향 공진기
CN111342808B (zh) * 2018-12-18 2023-08-15 天津大学 基于元素掺杂缩小有效面积的谐振器、滤波器和电子设备
JP7097074B2 (ja) * 2019-02-07 2022-07-07 国立研究開発法人産業技術総合研究所 窒化物圧電体およびそれを用いたｍｅｍｓデバイス
JP7425960B2 (ja) * 2019-10-29 2024-02-01 Tdk株式会社 圧電薄膜素子
US11942919B2 (en) 2021-01-11 2024-03-26 Raytheon Company Strain compensated rare earth group III-nitride heterostructures

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030090790A (ko) * 2001-05-11 2003-11-28 우베 일렉트로닉스 가부시끼 가이샤 압전 박막 공진자
JP2007110281A (ja) * 2005-10-12 2007-04-26 Ube Ind Ltd 窒化アルミニウム薄膜およびそれを用いた圧電薄膜共振子
JP2009252789A (ja) * 2008-04-01 2009-10-29 Seiko Epson Corp 圧電材料および圧電素子

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4478910B2 (ja) * 2001-05-11 2010-06-09 宇部興産株式会社 圧電薄膜共振子
JP3953315B2 (ja) * 2001-12-26 2007-08-08 宇部興産株式会社 窒化アルミニウム薄膜−金属電極積層体およびそれを用いた薄膜圧電共振子
JP2003051732A (ja) * 2001-08-08 2003-02-21 Murata Mfg Co Ltd 圧電共振子、フィルタおよび電子通信機器
JP4149416B2 (ja) 2004-05-31 2008-09-10 富士通メディアデバイス株式会社 圧電薄膜共振子およびフィルタならびにそれらの製造方法
JP2008235950A (ja) * 2005-05-26 2008-10-02 Murata Mfg Co Ltd 弾性境界波装置
JP4968900B2 (ja) 2006-10-17 2012-07-04 太陽誘電株式会社 ラダー型フィルタの製造方法
JP5080858B2 (ja) 2007-05-17 2012-11-21 太陽誘電株式会社 圧電薄膜共振器およびフィルタ
JP5190841B2 (ja) 2007-05-31 2013-04-24 独立行政法人産業技術総合研究所 圧電体薄膜、圧電体およびそれらの製造方法、ならびに当該圧電体薄膜を用いた圧電体共振子、アクチュエータ素子および物理センサー
CN101280412A (zh) 2007-12-29 2008-10-08 电子科技大学 一种氮化铝压电薄膜及其制备方法
US8058769B2 (en) * 2008-12-17 2011-11-15 Sand9, Inc. Mechanical resonating structures including a temperature compensation structure
JP2011041136A (ja) * 2009-08-17 2011-02-24 Taiyo Yuden Co Ltd 弾性波デバイスおよびその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030090790A (ko) * 2001-05-11 2003-11-28 우베 일렉트로닉스 가부시끼 가이샤 압전 박막 공진자
JP2007110281A (ja) * 2005-10-12 2007-04-26 Ube Ind Ltd 窒化アルミニウム薄膜およびそれを用いた圧電薄膜共振子
JP2009252789A (ja) * 2008-04-01 2009-10-29 Seiko Epson Corp 圧電材料および圧電素子

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101922878B1 (ko) 2016-07-14 2018-11-29 삼성전기 주식회사 탄성파 공진기 장치
KR20180015338A (ko) 2016-08-03 2018-02-13 삼성전기주식회사 박막 벌크 음향 공진기 및 이를 포함하는 필터
KR20190008397A (ko) 2016-08-03 2019-01-23 삼성전기주식회사 박막 벌크 음향 공진기 및 이를 포함하는 필터
US10193526B2 (en) 2016-08-03 2019-01-29 Samsung Electro-Machanics Co., Ltd. Bulk acoustic resonator and filter
US10554194B2 (en) 2016-08-03 2020-02-04 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Bulk acoustic resonator and filter

Also Published As

Publication number Publication date
US9160298B2 (en) 2015-10-13
CN102957397A (zh) 2013-03-06
JP5815329B2 (ja) 2015-11-17
CN102957397B (zh) 2015-12-02
US20130049544A1 (en) 2013-02-28
JP2013046111A (ja) 2013-03-04
KR20130021319A (ko) 2013-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101386754B1 (ko) 탄성파 소자
USRE47989E1 (en) Acoustic wave device
JP5957376B2 (ja) 圧電薄膜共振子
US7965015B2 (en) Lamb wave device
JP4870541B2 (ja) 圧電薄膜共振器およびフィルタ
DE102015117953B4 (de) Eine akustische Volumenwellen-Resonatoreinrichtung, die eine Temperaturkompensationsanordnung mit einer Schicht von niedriger akustischer Impedanz umfasst
US10469051B2 (en) Acoustic wave filter and duplexer
CN111245393B (zh) 体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备
JP5643056B2 (ja) 弾性波デバイス
US20080143215A1 (en) Piezoelectric thin-film resonator and filter using the same
JP6185292B2 (ja) 弾性波デバイス
US20170288121A1 (en) Acoustic resonator including composite polarity piezoelectric layer having opposite polarities
JP2007335977A (ja) 電子素子
JP2015119249A (ja) 圧電薄膜共振器およびその製造方法、フィルタ並びにデュプレクサ
JP7068011B2 (ja) 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ
CN107769749B (zh) 体声波谐振器
JP7269719B2 (ja) 圧電膜およびその製造方法、圧電デバイス、共振器、フィルタ並びにマルチプレクサ
JP5848549B2 (ja) 弾性波デバイスの製造方法
JP7299008B2 (ja) 圧電薄膜共振器、フィルタ、及びマルチプレクサ
TW202310460A (zh) 體聲波共振器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170322

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180316

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190319

Year of fee payment: 6