KR101375900B1 - 나노-크기 분말의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 나노-크기 금속-함유 분말과 도핑된 분말을 비-휘발성 금속-함유 전구체 분말 또는 분말 혼합물을 비교적 저온에서 뜨거운 가스 스트림에 분산시켜 합성하는 방법에 관한 것으로서,
제1 휘발성 반응물을 첨가하여 전구체의 금속을 휘발성 금속 화합물로 전환시키며, 이후에 제2 휘발성 반응물을 가스 스트림에 주입하여 휘발성 금속 화합물을 고체로 전환시키고, 상기 고체는 급냉시에 나노-크기 금속-함유 분말로 축합되고, 마지막으로 증기/금속-함유 분말 혼합물을 가스 스트림에서 분리하는 것을 특징으로 한다.

Description

나노-크기 분말의 제조 방법{PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF NANO-SIZED POWDERS}
본 발명은 일반적으로 나노-크기 입자를 합성하기 위한 방법 및 공정에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 내화성 또는 고-비점 전구체로부터 출발하여 금속-함유 나노-크기 분말의 제조에 관한 것이다.
나노입자는 통상적으로 1차원 이상이 100 nm 이하인 입자를 나타낸다. 이러한 작은 크기의 입자는 벌크 물질과 비교해서 특유의 기계적, 광학적, 전기적, 화학적, 자기적 및/또는 전자적 특성에 유리할 수 있다.
광범위한 범위의 합성 경로가 현재 나노분말을 제조하기 위해 개발되고 있다. 따라서, 소위 하향식 접근 방법(top-down approaches)이라고 하는 것은 입자 크기를 미크론 규모에서 나노분말로 감소시킴으로써 나노결정 분말을 제조하는 전통적인 방법의 확장된 방법이다. 이러한 방법들은 일반적으로 몇몇 고-에너지 밀링(high-energy milling) 형태를 포함한다. 이러한 고-에너지 밀링 공정의 주요한 단점은 밀링 시간이 수 시간에서 몇일까지로 길다는 것이다. 특히 고-에너지 밀링으로 밀링 매체(milling media)의 마모 때문에 최종 생성물의 오염이 심각한 위험하다.
나노분말 제조 기술의 가장 최근의 진전은 상향식 접근 방법(bottom-up approaches)에 있다. 이러한 모든 공정에서 극복해야 할 주요한 문제는 입자 성장과 핵형성을 제어하는 것이다. 상이한 기술들은 졸-겔 공정, 콜로이드 침전, 열수 공정(hydrothermal processes) 및 가스상 합성 경로를 포함하는 고체, 액체 및 증기 기술로 분류될 수 있다.
나노분말 제조를 위한 공지된 가스 상 합성 경로는 뜨거운 가스 스트림에 휘발성 전구체를 주입한 후에 상기 전구체와 가스 물질을 반응시켜 목적하는 화합물을 형성하는 것을 포함한다. 상기 화합물은 내화성 또는 고-비점인 경우에는 뜨거운 가스 스트림에서 또는 가스 냉각 시에 응축 및 핵형성된다.
US2004/0009118에서는 3500℃ 이상의 뜨거운 구역(hot zone)을 갖는 마이크로파 플라즈마를 이용하여 금속 산화물 나노입자를 제조하는 연속 방법을 기재하고 있다. US2004/0005485에서는 열 에너지를 제공하는 단계에서 3000 K 이상으로 피크 처리 온도를 올리는 나노-규모 분말의 제조 방법을 개시하고 있다. 고체 전구체의 증발은 특히 전구체 화합물이 내화성 또는 고-비점인 경우에 3000 K 이상의 매우 높은 온도를 의미할 수 있다. 이러한 극단적인 온도로 에너지 손실이 높아진다. 극단적인 조건에 견뎌야 하므로 이의 제조 장치는 고가가 된다.
US6669823에서는 예를 들면 산화세륨 분말과 같은 화학량론적 나노-크기 물질을 플라즈마에 산화 가스를 도입시킴으로써 합성하였다. US6254940에서는 붕산, BCl3, SiCl4, 실란, 금속 할라이드, 금속 히드라이드, 금속 알콜레이트, 금속 알킬, 금속 아미드, 금속 아지드, 금속 보로네이트, 금속 카르보닐 및 이들 물질의 조합으로부터 출발하여 나노입자를 제조하는 방법을 개시하고 있다. 상기 물질들은 화염 반응기(flame reactor)에서 가열되어 평판 전극 사이를 통과한다. US5788738에서는 비활성 운반 가스와 함께 금속 분말을 주입시켜 나노-크기 산화물 분말을 합성한다. 그러나, 전구체로서 금속 분말을 주입하면 조작 중 안전성의 문제를 발생시킬 수 있다. 이러한 안전성 문제들은 주입 물질로서 비활성 내화성 분말을 사용하여 극복할 수 있다. 추가로 전구체의 부분적 용융은 공정에 해를 줄 수 있는 주입 중에 발생할 수 있다.
본 발명은 휘발성이 보다 적은 금속-함유 전구체를 휘발성이 보다 많은 중간체로 예비전환(preliminary conversion)을 포함하는 반응 기술(reaction scheme)을 제안함으로써 상기에서 언급한 문제점들을 해결한다. 이러한 전환은 전구체의 휘발화 온도보다 매우 낮은 비교적 낮은 온도에서 실현시킬 수 있다.
따라서, 나노-크기 금속-함유 분말을 제조하는 신규의 방법은 하기 단계들을 포함한다:
(a) 1000 K 내지 3000 K 온도의 뜨거운 가스 스트림을 제공하는 단계로서, - 고체 금속-함유 전구체 화합물(solid metal-bearing precursor compound)이 분산되고, 그리고 - 제1 휘발성 반응물(volatile reactant)이 도입되어, 가스 금속 중간체 화합물(gaseous metal intermediate compound)이 형성되며, 상기 화합물은 전구체의 휘발 온도보다 더 낮은 온도에서 휘발되고;
삭제
(b) 제2 휘발성 반응물을 가스 스트림으로 도입하는 단계로서, 상기 가스 금속 중간체 화합물은 나노-크기 금속-함유 분말로 전환되고; 및
(c) 상기 가스 스트림으로부터 상기 나노-크기 금속-함유 분말을 분리하는 단계.
상기 공정은 뜨거운 가스 스트림 온도에서 고체 금속-함유 전구체가 비-휘발성인 경우에 특히 적당하다.
나노-크기 분말의 제조는 제2 휘발성 반응물을 도입하는 단계 이후 및 나노-크기 금속-함유 분말을 분리하기 이전에 가스 스트림을 급냉(quenching)함으로써 추가로 향상되며, 대안적으로 상기 급냉은 가스 스트림의 제2 휘발성 반응물을 도입과 결합될 수 있다.
삭제
나노-크기 혼합 또는 도핑된 산화물은 또한 제2 금속-함유 액체 또는 가스 전구체에 분산되어 있는 고체 금속-함유 전구체 분말로부터 출발하여 제조될 수도 있다.
뜨거운 가스 스트림은 가스 버너, 수소 버너, RF 플라즈마 또는 DC 아크 플라즈마 중 어느 하나를 사용하여 발생될 수 있다.
상기 공정은 특히 고체 전구체로서 ZnO, GeO2, In2O3, 산화인듐주석(indium-tin-oxide), MnO2, Mn2O3 및 Al2O3 중 1개 이상의 사용에 적합하다.
효과적으로 제1 휘발성 반응물은 수소, 질소, 염소, CO, 또는 메탄 또는 에탄과 같은 휘발성 탄화수소 중 1개 이상을 포함한다. 제2 휘발성 반응물은 산소 또는 질소, 예컨대 공기를 포함하는 것이 바람직하다.
바람직한 실시양태에 따르면 전구체는 미크론-크기 또는 서브미크론-크기 ZnO 분말을 포함하며, 제1 휘발성 반응물은 메탄이며, 제2 휘발성 반응물은 공기이다.
추가의 바람직한 실시양태에서 제2 휘발성 반응물은 뜨거운 가스 스트림을 250 ℃ 이하의 온도로 급냉시키는데 사용된다.
추가의 바람직한 실시양태에서 고체 전구체는 ZnO와 Al2O3, Al 및 MnCl3 분말 중 1개 이상과의 혼합물이다.
금속-함유 전구체의 휘발 온도는 전구체가 1개 이상의 금속-함유 가스 종(species)로 분해되거나 또는 증발되는 온도를 의미한다.
본 발명의 상세한 설명은 하기 도 1 내지 4에서 설명한다:
- 도 1은 온도의 함수로서 산소의 존재하에 산화아연의 휘발을 나타내는 계산된 상 우세도(phase preponderance diagram)이며;
- 도 2는 온도의 함수로서 메탄의 존재하에 산화아연의 휘발을 나타내는 계산된 상 우세도이며;
- 도 3은 본 발명에 따라 수득된 나노-크기 산화아연의 SEM 사진을 나타내며; 및
- 도 4는 본 발명에 따라 수득된 나노-크기 Al-도핑된 ZnO 분말의 X선 회절 스펙트럼을 나타낸다.
본 발명의 하나의 이점은 전구체 화합물을 조작하는 것이 광범위한 범위로서 잠재적으로 용이하며, 저렴하게 이용가능하며, 내화성 또는 고-비점의 것에서 특히 그렇다.
본 발명의 추가 이점은 본 발명의 방법을 비교적 저온(1000 내지 3000 K, 또는 바람직하게는 2000 내지 3000 K)에서 실시할 수 있다는 것이다. 이것은 에너지 손실과 구성물질의 요구사항을 모두 완화시킨다.
또한, 가스 스트림에서의 전구체의 잔류 시간(residence time)이 짧아 콤택트한 장치에서 공정을 실시할 수 있다.
빠른 속도(fast kinetices)를 보장하기 위해서 가스 스트림의 온도는 중간체의 휘발성 온도보다 바람직하게는 500 K 이상, 보다 바람직하게는 800 K 이상을 사용할 수 있다. 그러면, 얻어진 속도는 단지 100 ms 이하의 뜨거운 가스 스트림 중의 전구체의 잔류 시간으로 전구체를 나노분말로 거의 완벽하게(>99.9 중량%) 전환한다.
열역학적 계산에 따르면, 관련된 많은 금속-함유 전구체의 휘발점(volatilization points)은 2000 K 이상이다. 휘발성 반응물(예컨대 수소, 메탄, 에탄, 프로판, 염소 또는 이의 조합)의 존재하에서, 매우 낮은 휘발 온도를 갖는 중간체 금속-함유 화합물의 형성을 촉진하는 열역학적 환경이 생성된다. 전구체보다 적어도 500 K 이상 더 낮은 휘발 온도를 갖는 중간체 금속-함유 화합물의 형성된다고 말할 수 있다.
도 1은 산소의 존재하의 산화아연의 휘발에 대한 열역학적 계산의 결과를 나타낸다. 정상적인 대기(산화성) 조건하에서 고체 ZnO는 2200 K 이상의 온도에서만 아연 가스를 완전하게 형성하는 것으로 나타나 있다.
도 2는 메탄의 존재하의 산화아연의 휘발에 대한 열역학적 테이터를 나타낸다. 가스 아연 화합물은 약 1100 K의 훨씬 더 낮은 온도에서 형성될 것이다. 신속한 급냉과 조합된 상기 아연 가스의 재산화는 나노-크기 ZnO 분말이 형성되게 한다.
유사한 방법으로, 2000 K 보다 더 높은 휘발점을 갖는 GeO2는 예를 들면 메탄의 환원 환경의 존재하에서 1500 K 보다 낮은 휘발점을 갖는 서브-화학량론적 산화 GeO를 형성한다. 상기 GeO의 산화는 후속 신속 급냉에 의해 최종적으로 나노-크기 GeO2 분말이 수득되게 한다. 유사한 열역학적 계산이 표 1에서 나타낸 것과 같이 In2O3, Mn2O3, MnO2 및 Al2O3에 대해서도 실시되었다.
Figure 112009038642938-pct00001
본 발명에 사용되는 뜨거운 가스 스트림은 화염 버너, 플라즈마 토치, 예컨대 마이크로파 플라즈마, RF 또는 DC 플라즈마 아크, 전기 가열 또는 전도성 가열 노에 의해서 발생될 수 있다. 전자의 경우에는 전구체 중의 금속을 휘발성 중간체로 전환시키기 위해 필요한 휘발성 반응물을 이미 함유하는 연소 가스를 생성하는데 유용할 수 있다. 희박 연소 혼합물(lean combustion mixture)이 사용될 수 있고, 버너를 통해 환원 가스를 도입한다.
상기 공정은 조대(coarse) ZnO 분말로부터 출발하여 나노-크기 ZnO의 제조에 적용될 수 있다. 이러한 경우에 비-휘발성 금속-함유 전구체 분말은 (비교적 조대한) ZnO이며; 제1 휘발성 반응물은 환원 가스이고; 휘발성 금속 화합물은 금속성 Zn이고; 제2 휘발성 반응물은 공기이며; 그리고 나노-크기 금속-함유 분말은 또한 ZnO이다. 내화성인데도 불구하고 ZnO는 실제로 전구체로서 선택되며, 이것은 분말로서 저렴하고 광범위하게 이용가능하기 때문이다.
상기 공정은 추가로 산화인듐주석과 같은 혼합 산화물을 제조하는데 효과적으로 적용될 수 있다. 제1 휘발성 반응물은 수소 가스, 질소, 염소, 일산화탄소, 휘발성 탄화수소, 예컨대 메탄 또는 에탄 등을 포함할 수 있다. 제2 휘발성 반응물은 공기, 산소 및 질소를 포함할 수 있다.
최종 반응 생성물이 형성되면 반응물 뿐만 아니라 가스를 급냉시키는데 유용하다. 여기서, 급냉은 응집(aggregation), 소결 및 나노입자의 성장을 피하기 위해 뜨거운 가스와 분말을 신속하게 냉각시키는 것으로 정의된다. 상기 급냉은 예를 들어 비교적 다량의 냉각 공기를 가스와 나노입자 혼합물로 주입시킴으로써 실시될 수 있다. 나노입자는 가스 흐름에 의한 동반(entrain)이 용이하며, 예를 들면 여과기로 분리될 수 있다.
본 발명은 이제 하기 실시예에 의해서 추가로 설명될 것이다:
실시예 1
500 kW DC 플라즈마 토치를 플라즈마 가스로서 질소와 함께 사용하였다. 160 Nm3/시간의 레이트로 플라즈마에서 방출되는 가스는 약 2500 K이다. 비표면적이 9 m2/g인 비교적 조대한 ZnO 분말을 17.5 Nm3/시간의 흐름(률)의 천연 가스와 함께 주입 레이트 30 kg/시간으로 플라즈마 뒤쪽에 주입한다. 이 구역에서 조대 ZnO 분말은 휘발성 금속성 Zn 증기로 환원된다. 이후에 공기를 불어 넣어 Zn 증기 가스를 산화시킨다. 이어서 공기를 15000 Nm3/시간의 흐름 레이트로 불어 넣어 가스/고체 흐름을 급냉시키고, 나노-크기 ZnO 분말을 생성한다. 여과 후 비표면적 30 m2/g의 나노-분말을 수득한다. 상기 입자의 FEG-SEM 현미경 사진을 도 3에 나타냈으며, 이것은 100 nm 보다 훨씬 적은 평균 일차 입자 크기를 가지는 나노-크기 ZnO 분말을 나타낸다.
실시예 2 및 3
실시예 1에서와 동일한 장치를 표 2에 나타낸 조건에 따라 작동시킨다. 전구체 처리량(throughput)을 30에서 40 kg/h로 증가시켜도 여전히 ZnO 나노분말이 수득된다는 것을 알 수 있었다. 둘 다의 실험에서 평균 일차 입자 크기가 100 nm 보다 훨씬 더 작은 나노-크기 ZnO 분말이 수득된다.
실시예 4
본 실시예는 실시예 2와 유사하다. 그러나, 급냉 공기는 2 단계로 주입된다. 산화 공기 주입구 바로 뒤에 제1 급냉 단계를 500 Nm3/h의 공기흐름으로 실시하여 가스뿐만 아니라 ZnO 분말을 약 600℃ 온도로 냉각시킨다. 그 후 입자를 1 내지 10초 동안 상기 온도에 둔다. 이어서 14500 Nm3/h의 공기흐름을 이용하는 제2 급냉 단계를 적용시켜 250℃ 이하의 온도로 내린다. 표 2에서 알 수 있는 것과 같이, 상기 2 단계 급냉으로 입자의 비표면적을 37 m2/g에서 30 m2/g으로 감소시킬 수 있다. 표 2는 실시예 1 내지 4의 요약이다.
Figure 112009038642938-pct00002
실시예 5
3 Nm3/h의 아르곤 및 0.3 Nm3/h의 천연 가스의 아르곤/천연 가스 플라즈마를 사용하는 100 kW RF 유도 결합 플라즈마(ICP) 토치를 사용한다. 비교적 조대한 ZnO 분말을 플라즈마가 약 2000 K 온도에 도달하는 ICP 토치의 하류 영역에 500 g/시간의 레이트로 주입한다. 상기에서 언급한 것과 같이, ZnO 분말은 휘발되는 금속성 Zn으로 완전히 환원된다. 공기를 추가로 토치의 하류에 불어 넣어 Zn을 산화시키고, 나노-크기 ZnO를 생성한다. 더 많은 공기를 20 Nm3/h 레이트로 불어 넣어 가스/고체 흐름을 급냉(퀀칭)시킨다. 여과 후에, 비표면적이 20 m2/g인 나노-크기 ZnO 분말을 수득한다.
실시예 6
플라즈마 가스로서 15:1 아르곤:수소 가스 혼합물을 가지고 실시예 5의 ICP 토치를 사용한다. 평균 입자 크기가 0.5 ㎛인 비교적 조대한 GeO2 분말을 500 g/시간의 레이트로 ICP 토치에 주입한다. 이에 따라 상기 GeO2 분말은 휘발되는 GeO 서브-산화물로 환원된다. 산소를 플라즈마 토치 산출물(output)에 불어 넣어 GeO를 산화시키고, 나노-크기 GeO2를 제조한다. 더 많은 공기를 30 Nm3/시간의 레이트로 불어 넣어 가스/고체 흐름을 급냉시킨다. 여과 후, 평균 구형 입자 크기가 30 nm에 상응하는 35 m2/g의 비표면적을 갖는 나노-크기 GeO2 분말을 수득한다.
실시예 7
플라즈마 가스로서 질소를 가지는 실시예 1 내지 4의 DC 플라즈마 토치를 사용한다. 160 Nm3/시간의 레이트로 플라즈마에서 방출되는 가스는 약 2500 K이다. 비표면적이 9 m2/g인 비교적 조대한 ZnO 분말을 미크론-크기 알루미늄 분말과 예비혼합(premix)한다. 상기 분말 혼합물을 17.5 Nm3/h 흐름의 천연 가스와 함께 40 kg/h의 주입 레이트로 플라즈마 뒤쪽에 주입한다. 이 구역에서 조대 Al/ZnO 분말 혼합물은 휘발성 금속성 Zn 및 Al 증기로 환원된다. 그 후 공기를 불어 넣어 증기를 산화시킨다. 이어서 공기를 15000 Nm3/h의 흐름 레이트로 불어 넣어 가스/고체 흐름을 급냉시키고 1 중량%의 Al을 갖는 나노-크기 Al-도핑된 ZnO 분말을 생성한다. 여과 후, 비표면적이 27 m2/g인 나노분말을 수득한다. 도 4에서 나타내는 XRD 스펙트럼으로, 작은 피크 이동이 있는 ZnO의 육방정 결정 구조(hexagonal crystal structure)를 밝혔으며, 상기에서 Al이 ZnO의 결정 격자에 박혀있음을 알 수 있다. 공급물(feed)에 Al의 상대량을 변화시킴으로서, 0.1, 0.5, 1, 2, 5, 10 및 15 중량%의 합금 수준(alloy level)을 수득하였다.
실시예 8
플라즈마 가스로서 질소를 가지는 실시예 1 내지 4의 DC 플라즈마 토치를 사용한다. 160 Nm3/시간의 레이트로 플라즈마에서 방출되는 가스는 약 2500 K이다. 비표면적이 9 m2/g인 비교적 조대한 ZnO 분말을 미크론-크기 알루미늄 산화물(Al2O3) 분말과 예비혼합한다. 상기 분말 혼합물을 17.5 Nm3/h 흐름의 천연 가스와 함께 40 kg/h의 주입 레이트로 플라즈마 뒤쪽에 주입한다. 이 구역에서 조대 Al2O3 및 ZnO 분말 혼합물은 휘발성 금속성 Zn 및 Al 증기로 환원된다. 그 후 공기를 불어 넣어 증기를 산화시킨다. 이어서 공기를 15000 Nm3/h의 흐름 레이트로 불어 넣어 가스/고체 흐름을 급냉시키고 1 중량%의 Al을 갖는 나노-크기 Al-도핑된 ZnO 분말을 생성한다. 여과 후, 비표면적이 26 m2/g인 나노분말을 수득한다. XRD 스펙트럼으로, 작은 피크 이동이 있는 ZnO의 육방정 결정 구조를 밝혔으며, 상기에서 Al이 ZnO의 결정 격자에 박혀있음을 알 수 있다.
실시예 9
플라즈마 가스로서 질소를 가지는 실시예 1 내지 4의 DC 플라즈마 토치를 사용한다. 160 Nm3/시간의 레이트로 플라즈마에서 방출되는 가스는 약 2500 K이다. 비표면적이 9 m2/g인 비교적 조대한 ZnO 분말을 흐름이 17.5 Nm3/h인 천연 가스와 함께 40 kg/h의 주입 레이트로 MnCl3와 함께 플라즈마 뒤쪽에 주입한다. 이 구역에서 조대 MnCl3/ZnO 혼합물은 휘발성 금속성 Zn 및 Mn 증기로 환원된다. 그 후 공기를 불어 넣어 증기를 산화시킨다. 이어서 공기를 10000 Nm3/h의 흐름 레이트로 불어 넣어 가스/고체 흐름을 급냉시키고 나노-크기 Mn-도핑된 ZnO 분말을 생성한다. 여과 후, 비표면적이 29 m2/g인 나노분말을 수득한다. XRD 스펙트럼으로 작은 피크 이동이 있는 ZnO의 육방정 결정 구조를 밝혔으며, 상기에서 Mn이 ZnO의 결정 격자에 박혀있음을 알 수 있다. 공급물에 MnCl3의 상대량을 변화시킴으로서 0.1, 0.5, 1, 2 및 5 중량%의 합금 수준을 수득하였다.
실시예 10
플라즈마 가스로서 질소를 사용하고, 파워 입력(power input)을 250 kW로 제한하여 실시예 1 내지 4의 DC 플라즈마 토치를 사용한다. 160 Nm3/시간의 레이트로 플라즈마에서 방출되는 가스는 약 1900 K이다. 비교적 조대한 ZnO 분말을 천연 가스와 함께 25 kg/h의 주입 레이트로 플라즈마 뒤쪽에 주입한다. 이 구역에서 조대 ZnO 분말은 휘발성 금속성 Zn 증기로 환원된다. 그 후 공기를 불어 넣어 Zn 증기를 산화시킨다. 이어서 공기를 15000 Nm3/h의 흐름 레이트로 불어 넣어 가스/고체 흐름을 급냉시키고 나노-크기 ZnO 분말을 생성한다. 여과 후, 비표면적이 35 m2/g인 나노-분말을 수득한다.

Claims (13)

  1. 나노-크기의 금속-함유 분말의 제조 방법으로서,
    (a) 1000 K 내지 3000 K 온도의 뜨거운 가스 스트림을 제공하는 단계로서, - 고체 금속-함유 전구체 화합물이 분산되고, - 제1 휘발성 반응물이 도입되어, 가스 금속 중간체 화합물이 형성되고, 상기 화합물은 전구체의 휘발 온도보다 더 낮은 온도에서 휘발되며;
    (b) 제2 휘발성 반응물을 상기 가스 스트림에 도입하는 단계로서, 상기 가스 금속 중간체 화합물이 나노-크기의 금속-함유 분말로 전환되고; 및
    (c) 상기 가스 스트림에서 상기 나노-크기의 금속-함유 분말을 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속-함유 분말의 제조방법:
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 고체 금속-함유 전구체는 상기 뜨거운 가스 스트림 온도에서 비-휘발성인 것을 특징으로 하는 금속-함유 분말의 제조방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제2 휘발성 반응물을 도입하는 단계와 상기 나노-크기의 금속-함유 분말을 분리하는 단계 사이에 상기 가스 스트림을 급냉하는 것을 특징으로 하는 금속-함유 분말의 제조방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제2 휘발성 반응물을 도입하는 단계 중에 상기 가스 스트림을 급냉하는 것을 특징으로 하는 금속-함유 분말의 제조방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    나노-크기의 도핑된 금속 함유 분말은 2개 이상의 금속을 함유하는 고체 금속-함유 전구체 분말 혼합물로부터 출발하여 제조되는 것을 특징으로 하는 금속-함유 분말의 제조방법.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    나노-크기의 도핑된 금속 함유 분말은 제2 금속-함유 액체 또는 가스 전구체에 분산되어 있는 고체 금속-함유 전구체 분말로부터 출발하여 제조되는 것을 특징으로 하는 금속-함유 분말의 제조방법.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 뜨거운 가스 스트림은 가스 버너, 수소 버너, RF 플라즈마 또는 DC 아크 플라즈마로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 사용하여 제공되는 것을 특징으로 하는 금속-함유 분말의 제조방법.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 고체 전구체는 ZnO, GeO2, In2O3, 산화인듐주석, MnO2, Mn2O3 및 Al2O3로 이루어진 군으로부터 선택된 1개 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속-함유 분말의 제조방법.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 휘발성 반응물은 수소, 질소, 염소, CO, 또는 메탄 또는 에탄과 같은 휘발성 탄화수소로 이루어진 군으로부터 선택된 1개 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속-함유 분말의 제조방법.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제2 휘발성 반응물은 공기이거나, 또는 산소 또는 질소를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속-함유 분말의 제조방법.
  11. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 고체 전구체는 미크론-크기 또는 서브-미크론-크기의 ZnO 분말을 포함하며, 제1 휘발성 반응물은 메탄이고, 제2 휘발성 반응물은 공기인 것을 특징으로 하는 금속-함유 분말의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제2 휘발성 반응물은 상기 뜨거운 가스 스트림을 250 ℃ 이하의 온도로 급냉하기 위해 사용하는 것을 특징으로 하는 금속-함유 분말의 제조방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 고체 전구체는 ZnO와 Al2O3, Al 및 MnCl3 분말 중 1개 이상과의 혼합물인 것을 특징으로 하는 금속-함유 분말의 제조방법.
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