KR101356212B1 - Ｃｉｓ계 박막태양전지 흡수층 제조방법 및 제조 장치 - Google Patents

Ｃｉｓ계 박막태양전지 흡수층 제조방법 및 제조 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 액체 유기금속 셀레늄 소스를 이용한 CIS계 박막태양전지 흡수층 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 캐리어 가스(carrier gas)를 사용하지 아니하고 액체 유기금속 셀레늄 소스의 증기압만을 이용한 셀렌화 공정을 포함하여 CIS계 박막태양전지 흡수층을 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 캐리어 가스 발생장치가 불필요하며, 그만큼 간단해져 장치설치 비용을 절약할 수 있을 뿐만 아니라, 반응제어가 용이하여 흡수층 박막 내에 셀레늄(Se) 함량이 50% 이상인 고품질의 CIS계 흡수층을 안전하고 저렴하게 제공할 수 있는 효과가 있다.

Description

ＣＩＳ계 박막태양전지 흡수층 제조방법 및 제조 장치{FABRICATION METHOD OF ABSORBER LAYERS IN THE CIS SOLAR SELL SYSTEM AND FABRICATION EQUIPMENT THEREOF}
본 발명은 CIS계 박막태양전지 흡수층 제조방법 및 제조 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 캐리어 가스(carrier gas)를 사용하지 아니하고 액체 유기금속 셀레늄 소스(Se source)의 증기압만을 사용하는 셀렌화 공정을 포함하여 CIS계 박막태양전지 흡수층을 제조하는 방법 및 그 장치에 관한 것이다.
칼코피라이트(chalcopyrite) 구조의 구리인듐셀레나이드(CuInSe2; CIS)계 화합물은 직접 천이형 반도체로서 높은 광흡수 계수(~1×105 ㎝-1)와 밴드갭 조절의 용이성 및 열적 안정성 등으로 인해 고효율 박막태양전지용 흡수층과 적외선영역의 광검출기 재료로 주목받고 있다.
특히, CIS계에 속하는 Cu(InGa)Se2(CIGS) 태양전지의 경우, 박막태양전지 중 세계 최고 효율인 20.1%를 달성한바 있으며, 이는 기존 다결정 웨이퍼형 실리콘 태양전지의 효율에 근접하는 수치이다.
현재까지 연구되고 있는 CIS계 박막태양전지의 흡수층 제작방법은 동시증착(co-evaporation)법, 스퍼터링(sputtering)법, 전착(electro-deposition)법, 유기금속 기상성장법(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD)법 등이 있고, 상용화가 추진 중인 제작방법은 동시증착법과 스퍼터링법이다.
이중 스퍼터링법은 비교적 장치가 간단하고 손쉽게 금속 또는 절연체를 증착할 수 있어, 연구용은 물론 생산용으로 폭넓게 활용되고 있다.
통상적으로 CIGS 박막은 몰리브덴(molybdenum; Mo) 배면전극이 증착된 유리기판 위에 Cu/In/Ga 금속을 스퍼터링 장비를 이용하여 증착하고 셀레늄(Se) 분위기에서 열을 가하여(열처리) 흡수층을 제조한다.
Mo 배면전극 위에 증착된 금속을 Se 분위기에서 열처리하는 공정을 셀렌화(selenization)라 하며, 일반적으로 셀렌화 공정에는 Se 공급 유량 조절이 용이하고 반응성이 좋은 H2Se 기체가 사용된다. 그러나, H2Se 기체는 독성이 강하여 사용상 가스 누출이 없는 안전한 장치가 필요할 뿐만 아니라 만약 장치에서 H2Se가 누출되었을 경우, 이를 알리는 안전장치가 설치되어야 함으로 장치의 추가적인 비용이 발생하는 문제가 있었다.
이를 해결하기 위해, 본 발명자들은 액체 상태의 유기금속 셀레늄 소스를 이용한 CIS계 박막태양전지 흡수층을 제조하는 방법을 제안하였다(국내공개특허 제10-2010-0067771호).
또한, 국내공개특허 제10-2008-0072663호(발명의 명칭: 전구체 층을 광전지 흡수체로 전환시키는 방법 및 장치)에서는 유연성 롤 표면상에 IBIIIAVIA족 화합물 층을 형성하는데, Se의 액체 공급원을 사용하기도 하였다.
그러나, 종래 액체 셀레늄 소스를 이용한 방법의 경우, 셀렌화 공정은 가열된 액체 셀레늄 소스를 이동시키기 위해 반드시 캐리어 가스(carrier gas)를 동반하여 이루어 졌다.
액체 셀레늄 소스로서 다이에틸셀레나이드(DESe)를 사용했을 때, 캐리어 가스를 이용하는 종래 셀렌화 공정을 진행할 경우, 캐리어 가스 내에 있는 DESe의 농도 제어가 어려워 캐리어 가스 내 DESe 농도가 낮아지게 되고, 흡수층 박막내의 셀레늄(Se) 함량이 50%를 못 미치게 되는 문제가 발생하였다.
반면에, 본 발명에서는 이러한 캐리어 가스가 요구되지 아니할뿐더러, 셀레늄 함량이 50% 이상인 흡수층 박막의 제조가 가능하다.
결국, 본 발명의 주된 목적은 액체 유기금속 셀레늄 소스를 이용하여 흡수층 박막 내 셀레늄 함량이 50% 이상인 고품질의 CIS계 박막태양전지 흡수층 제조방법 및 제조 장치를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 액체 유기금속 셀레늄 소스를 사용하여 CIS계 박막태양전지의 흡수층을 제조하는데 있어서, 상기 액체 유기금속 셀레늄 소스로부터 캐리어 가스 없이 셀레늄 소스의 증기압만을 이용하는 셀렌화 공정을 포함하는 CIS계 박막태양전지 흡수층 제조방법을 제공한다.
본 발명에서, 상기 액체 유기금속 셀레늄 소스는 다이메틸셀레나이드(Dimethylselenide, (CH3)2Se), 다이에틸셀레나이드(Dimethylselenide, (CH3CH2)2Se), 다이터트부틸셀레늄(Di-tert-butylselenium, t-(C4H9)2Se), 메틸알리셀레늄(Methylallyselenium, (CH3)Se(C3H5)), 다이알리셀레늄(Diallyselenium, (C3H5)2Se), 다이이소필셀레늄(i-(C3H7)2Se) 등에서 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 다이에틸셀레나이드(Dimethylselenide, (CH3CH2)2Se)의 증기압만을 이용하여 셀렌화 공정에 이용하는 것이 좋다.
또한, 본 발명은 액체 유기금속 셀레늄 소스로부터 캐리어 가스 없이 셀레늄 소스의 증기압만을 이용하는 셀렌화 공정이 가능한 CIS계 박막태양전지 흡수층 제조 장치를 제공한다.
본 발명에서 있어서, 상기 장치는, 항온조, 질소유량계(MFC) 혹은 압력조절밸브, 및 챔버를 포함하며, 상기 챔버는 가열 챔버와 셀렌화 챔버로 분리되어 구성되는 것이 좋다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 캐리어 가스(carrier gas)를 제공하기 위한 캐리어 가스 발생장치가 불필요하며, 그만큼 간단해져 장치설치 비용을 절약할 수 있을 뿐더러, 반응제어가 용이하여 흡수층 박막 내에 셀레늄(Se) 함량이 50% 이상인 고품질의 CIS계 흡수층을 안전하고 저렴하게 제공할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 셀렌화 장치도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 흡수층 박막의 단면을 관찰한 SEM 사진이다.
도 3은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 흡수층 박막의 단면을 관찰한 SEM 사진이다.
도 4는 본 발명의 비교예에 따른 흡수층 박막의 단면을 관찰한 SEM 사진이다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명은 액체 유기금속 셀레늄 소스(source)를 사용하여 CIS계 박막태양전지의 흡수층을 제조하는데 있어서, 상기 액체 유기금속 셀레늄 소스로부터 캐리어 가스 없이 셀레늄 소스의 증기압만을 셀렌화 챔버에 도입하여 셀레늄 소스로 이용하는 셀렌화 공정을 포함하는 CIS계 박막태양전지 흡수층 제조방법을 제공한다.
구체적으로, 본 발명은, (1) 기판 위에 배면전극을 증착하는 단계; (2) 상기 배면전극 위에 Cu-Ⅲ족 금속을 증착하는 단계; 및 (3) 상기 증착된 금속 위에 캐리어 가스를 사용하지 않고 액체 유기금속 셀레늄 소스의 증기압만을 이용하는 셀렌화 공정으로 CIS계 흡수층을 제조하는 단계;를 포함하여 CIS계 박막태양전지의 흡수층을 제조하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 기판은 유리 기판, 알루미나와 같은 세라믹 기판 또는 스테인리스 스틸과 같은 금속기판 중에서 선택되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 소다라임 유리기판인 것이 좋고, 상기 배면전극은 몰리브덴(Mo)인 것이 바람직하다.
또한, 상기 배면적극 위에 증착되는 Ⅲ족 금속은 In 및 Ga 중 하나 이상인 것이 바람직하다.
또한, 상기 셀렌화 공정에서는 종래 유독성의 H2Se 기체와 비교하여 상대적으로 독성이 적은 다이메틸셀레나이드(Dimethylselenide, (CH3)2Se), 다이에틸셀레나이드(Diethylselenide, (CH3CH2)2Se), 다이터트부틸셀레늄(Di-tert-butylselenium, t-(C4H9)2Se), 메틸알리셀레늄(Methylallyselenium, (CH3)Se(C3H5)), 다이알리셀레늄(Diallyselenium, (C3H5)2Se), 다이이소필셀레늄(i-(C3H7)2Se) 등에서 선택되는 1종 이상의 액체 유기금속 셀레늄 소스를 사용하는 것이 바람직한데, 이때 액체 유기금속 셀레늄 소스는 통상적인 질소(N2) 또는 아르곤(Ar) 등의 캐리어 가스로 기화하는 공정 없이 액체 유기금속 셀레늄 소스의 증기압만을 이용한다.
본 발명은 또한 액체 유기금속 셀레늄 소스(source)를 사용하여 CIS계 박막태양전지의 흡수층을 제조하는데 있어서, 상기 액체 유기금속 셀레늄 소스로부터 캐리어 가스 없이 셀레늄 소스의 증기압만을 이용하는 셀렌화 공정이 가능한 CIS계 박막태양전지 흡수층 제조 장치를 제조한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 셀렌화 장치도를 나타낸 것이다.
도 1을 참조하여 본 발명에 따른 CIS계 박막태양전지의 흡수층을 제조하는 방법을 설명한다.
먼저, Mo/유리기판 위에 스퍼터링법으로 증착된 Cu-Ⅲ족 금속 박막(Cu-Ⅲ 금속/Mo/유리)을 셀렌화 챔버에 도입한다.
셀렌화 챔버에 Cu-Ⅲ 금속/Mo/유리를 도입한 후에는 펌프로 챔버 내의 공기를 제거하고, 질량 유량계(Mass flow controller, MFC) 혹은 압력 조절 밸브를 이용하여 액체 유기금속 셀레늄 소스의 증기를 셀렌화 챔버로 주입한다. 이때, 액체 유기금속 셀레늄 소스는 캐리어 가스 없이 증기만을 직접 챔버쪽으로 공급되며, 상기 액체 유기금속 셀레늄 소스의 온도를 항온조로 조절하면 온도에 따라 유기 금속 셀레늄 소스의 증기압이 변화하고 그 증기압은 MFC 혹은 압력조절용 밸브를 이용하여 챔버의 셀레늄 소스 증기 압력을 적절하게 제어 할 수 있다.
상기 액체 셀레늄 소스의 온도 및 챔버의 압력은 액체 셀레늄 소스의 종류에 따라 달라질 수 있으며, 바람직하게 다이에틸셀레나이드(Diethylselenide; DESe)를 액체 셀레늄 소스로 사용할 경우에는, 상온에서 DESe 증기압은 약 30 Torr로 알려져 있으므로 챔버의 DESe 압력을 15 Torr로 제어하는 것이 바람직하다.
또한, 챔버 내에 높은 증기 압력의 유기금속 셀레늄 소스를 제공하기 위해서는 액체 유기금속 셀레늄 소스의 온도를 높이는 것이 바람직하다. 따라서, 액체 유기금속 셀레늄 소스는 온도를 일정하게 유지해 주는 항온조 내에서 사용하는 것이 바람직하며, 이에 따라 높은 증기 압력의 셀레늄을 이용할 수 있고, 셀렌화 시간이 단축되어 흡수층 박막제조의 수율(시간당 흡수층 제조수)을 향상시키는 것이 가능하다.
챔버가 일정한 유기금속 셀레늄 소스의 압력에 도달하면 Cu-Ⅲ 금속/Mo/유리에 열을 가하는데, 이때 Cu/Ⅲ족 금속의 비율(조성)에 따라 달라질 수는 있으나 400~600℃의 열을 급속하게 가하는 것이 바람직하다. 급속가열은 공정시간을 단축함으로 CIS계 박막태양전지 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 400℃ 미만으로 가열할 경우 Cu2-xS 등과 같은 2차 상(2nd phase)이 CIS계 결정내에 포함되어 있어 박막태양전지의 성능을 떨어뜨릴 수 있으며, 600℃를 넘으면 과도한 열 공급으로 인해 오히려 CIS계 박막태양전지의 성능이 떨어지는 문제가 있으므로 400~600℃ 사이에서 가열하여야 양호한 박막태양전지가 제조될 수 있다.
또한, CIS계 박막의 특성은 박막의 조성뿐만 아니라 기판의 온도, 증착 시간 등에 의해서도 크게 변할 수 있기 때문에 엄밀한 공정의 제어가 필수적이며, 본 발명에서는 이를 위해 셀렌화 공정에서의 기판온도는 400 내지 500℃, 셀렌화 시간은 10 내지 50분으로 조절한다.
또한, 챔버 내 기판온도를 높이기 위한 기판 가열부는 셀렌화 챔버와 분리되어 차등 배기 하는 것이 바람직하다. 액체 유기금속 셀레늄을 셀레화 소스로 이용할 경우 약 10-2 Torr 이상의 셀레늄 소스 압력에서는 유기금속 증기가 도전성을 가지게 됨으로 가열부의 히터가 단락(short)되어 작동되지 않기 때문에, 상기 가열부는 반드시 셀레늄 소스로부터 분리되어 있어야 한다.
특히, 액체 유기금속 셀레늄 소스로서 다이에틸셀레나이드(DESe)를 사용하는 경우, 아르곤(Ar)을 캐리어 가스로 이용하여 증착했을 때에는 캐리어 가스 내에 있는 DESe의 농도(증기압) 제어가 어려웠으며, 이에 따라 흡수층 박막내의 셀레늄 함량이 45~48% 정도였다.
또한, 흡수층 박막의 셀레늄 함유량을 높이기 위해 (Ar+DESe)의 압력을 최대 500 Torr까지 높였으나, 제조된 흡수층 박막의 셀레늄 함량이 50%에 도달하지 못했다.
즉, 캐리어 가스 사용 시에는 셀레늄 함량이 충분한 CuInSe2 흡수층 박막은 제조가 어려웠다.
그러나, 캐리어 가스 없이, DESe를 액체 유기금속 셀레늄 소스로 하여 흡수층 박막을 제조시, DESe의 증기압(vapor pressure)만을 사용하고(상온에서 약 30 Torr), 챔버에 도입된 DESe의 압력을 9 및 15 Torr로 하여도 박막이 형성되며, 셀레늄도 50% 이상 함유되어 있다(도 2 및 도 3 참조).
상기와 같은 캐리어 가스 없이 액체 유기금속 셀레늄 소스를 사용하는 셀렌화 공정을 통해 CIS계 흡수층을 제조함에 따라 유독기체에 의한 위험을 방지하고, 유독기체 발생에 따른 안전장치뿐만 아니라 캐리어 가스 발생장치 등의 설비가 불필요하게 되어 공정의 단가가 저렴해 질 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 예시하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것으로 해석되지는 않는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명할 것이다.
실시예 1. 다이에틸셀레나이드(DESe)를 이용한 흡수층 박막제조(1)
Cu-In 금속/Mo/유리를 셀렌화 챔버에 도입하여, 챔버에 있는 공기를 로터리 펌프(rotary pump)를 이용하여 10-3 Torr까지 배기 시킨 후 터보-분자 펌프(turbo-molecular pump)를 이용하여 ~10-6 Torr 까지 압력을 낮추어 공기 중의 산소 등 반응성 기체를 제거하였다.
터보-분자 펌프와 셀렌화 챔버 사이에 있는 밸브를 닫으면 깨끗한 진공 상태의 셀렌화 챔버에 Cu-In 금속/Mo/유리 샘플이 놓이게 되는데, 다이에틸셀레나이드(DESe) 밸브를 열고 압력조절밸브를 이용하여 셀렌화 챔버에 DESe 증기를 주입하였다. 이때 DESe의 온도는 상온이었다.
챔버 내의 DESe 증기 압력이 9 Torr에 도달하면 압력조절밸브를 닫고, 가열부에 전력을 주입하여 기판온도를 상승시켜 온도가 480℃에 도달하면 30분간 유지하였다(셀렌화).
30분이 경과하면 가열부의 온도를 0℃로 설정하여 기판의 온도를 낮추어 자연 냉각하고, 셀렌화 후 챔버에 있는 DESe 증기를 펌프를 이용하여 배출하였다.
상기와 같이 제조된 CIS 박막 단면은 주사전자현미경(scanning electron microscope, SEM; Hitach S-4700, 일본)으로 관찰하였으며, 그 결과, 2.08 ㎛ 두께로 CuInSe2 박막이 증착되었음을 확인하였다(도 2 참조).
또한, 상기 CIS 박막 단면을 SEM 장치에 같이 장착되어 있는 에너지 분산 엑스선 분광기(energy dispersive x-ray spectroscope, EDX)로 CIS 박막 내 조성을 분석한 결과 Cu(구리) 22.42%, In(인듐) 27.28%, Se(셀레늄) 50.03%로 함유되어 있는 것을 확인하였다.
실시예 2. 다이에틸셀레나이드(DESe)를 이용한 흡수층 박막제조(2)
상기 실시예 1과 동일한 과정으로 제조하되, 셀렌화 공정 시 챔버 내의 DESe 증기 압력이 15 Torr에 도달하면 압력조절밸브를 닫고, 가열부에 전력을 주입하여 기판온도를 상승시켜 온도가 480℃에 도달하면 15분간 유지하였다.
15분이 경과하면 가열부의 온도를 0℃로 설정하여 기판의 온도를 낮추어 자연 냉각하고, 셀렌화 후 챔버에 있는 DESe 증기를 펌프를 이용하여 배출하였다.
그 결과, 도 3에서 볼 수 있는 바와 같이, 두께 2.13 ㎛의 CuInSe2 박막이 증착되었으며, EDX를 통해 CIS 박막 내 조성을 분석한 결과 Cu(구리) 23.42%, In(인듐) 26.67%, Se(셀레늄) 49.91%로 함유되어 있음을 확인하였다.
또한, DESe 증기압이 15 Torr로 상기 실시예 1(DESe 증기압 9 Torr)과 비교하여, 셀렌화 시간이 절반으로 줄었음에도 불구하고 박막이 형성되었으며, 셀레늄 함량도 49.9%로 적당량이 함유되어 있었다.
비교예. 다이에틸셀레나이드(DESe) 및 캐리어 가스를 이용한 흡수층 박막제조
Cu-In 금속/Mo/유리를 셀렌화 챔버에 도입하여, 챔버에 있는 공기를 로터리 펌프(rotary pump)를 이용하여 10-3 Torr까지 배기 시킨 후 터보분자 펌프(turbo-molecular pump)를 이용하여 ~10-6 Torr 까지 압력을 낮추어 공기 중의 산소 등 반응성 기체를 제거하였다.
터보 펌프와 셀렌화 챔버 사이에 있는 밸브를 닫으면 깨끗한 진공 상태의 셀렌화 챔버에 Cu-In 금속/Mo/유리 샘플이 놓이게 되는데, 아르곤(Ar) 캐리어 가스 밸브를 열어, DESe 보관용기의 캐리어가스 주입구와 캐리어 가스 배기구의 압력을 동일하게 한 다음 DESe 보관용기 양단의 밸브를 열었다.
압력 조절밸브를 열어 DESe와 Ar 캐리어 가스(DESe + Ar)를 챔버에 주입하였다. 이때 DESe의 온도는 상온이었다.
챔버 내의 (DESe + Ar) 압력이 325 Torr에 도달하면 압력조절밸브를 닫고, 가열부에 전력을 주입하여 기판온도를 상승시켜 온도가 480℃에 도달하면 30분간 유지하였다(셀렌화).
30분이 경과하면 가열부의 온도를 0℃로 설정하여 기판의 온도를 낮추어 자연 냉각하고, 셀렌화 후 챔버에 있는 DESe 증기를 펌프를 이용하여 배출하였다.
도 4는 상기와 같이 제조된 CIS 박막 단면의 SEM 사진으로, 두께 1.58 ㎛의 CuInSe2 박막이 증착되었으며, CIS 박막 내 조성을 분석한 결과 Cu(구리) 28.76%, In(인듐) 22.78%, Se(셀레늄) 48.46%로 함유된 것으로 나타나 캐리어 가스를 사용하지 않는 셀렌화 공정으로 제조한 박막(실시예 1 및 2)과 비교하여 셀레늄 량이 부족하였다.
이와 같은 결과는, (DESe + Ar)가 325 Torr로 높은 압력이지만 Ar 캐리어 가스 속의 DESe 분압이 작아 DESe 농도가 낮아졌기 때문인 것으로 판단된다.
이상, 본 발명의 내용의 특정한 부분을 상세히 기술하였는바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서, 이러한 구체적인 기술은 단지 바람직한 실시양태일 뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항들과 그것들의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.

Claims (7)

  1. (1) 기판 위에 배면전극을 증착하는 단계;
    (2) 상기 배면전극 위에 Cu-Ⅲ족 금속을 증착하는 단계;
    (3) 상기 (2)단계에서 Cu-Ⅲ족 금속을 증착한 기판을 셀렌화 챔버에 도입한 후 셀렌화 챔버 내의 공기를 제거하는 단계;
    (4) 상기 (3)단계에서 공기를 제거한 셀렌화 챔버 내로 질량 유량계 또는 압력 조절 밸브를 이용하여 캐리어 가스를 사용하지 않고 액체 유기금속 셀레늄 소스의 증기를 주입하는 단계; 및
    (5) 상기 (3)단계에서 셀렌화 챔버에 도입한 기판의 온도를 가열 챔버의 가열부에 전력을 투입하여 400 내지 500 ℃로 조절하고 10 내지 50 분간 셀렌화하는 단계;를 포함하되,
    상기 액체 유기금속 셀레늄 소스는 항온조에 저장되어 온도가 조절되고, 가열 챔버로부터 셀렌화 챔버 내의 기판으로 열전달이 가능하도록 셀렌화 챔버와 가열 챔버가 공간적으로 분리되어 구성된 장치를 이용하는 CIS계 박막태양전지의 흡수층 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 기판은 유리 기판, 세라믹 기판 또는 금속 기판이며 배면전극은 몰리브덴(Mo)인 것을 특징으로 하는 CIS계 박막태양전지의 흡수층 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 배면전극 위에 증착되는 Ⅲ족 금속은 In 및 Ga 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 CIS계 박막태양전지의 흡수층 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 액체 유기금속 셀레늄 소스는 다이메틸셀레나이드(Dimethylselenide, (CH3)2Se), 다이에틸셀레나이드(Diethylselenide, (CH3CH2)2Se), 다이터트부틸셀레늄(Di-tert-butylselenium, t-(C4H9)2Se), 메틸알리셀레늄(Methylallyselenium, (CH3)Se(C3H5)), 다이알리셀레늄(Diallyselenium, (C3H5)2Se), 다이이소필셀레늄(i-(C3H7)2Se)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 CIS계 박막태양전지의 흡수층 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 (5)단계에서 셀렌화한 다음 가열 챔버의 가열부의 온도를 0 ℃로 조절하여 기판의 온도를 낮춰 냉각시키고 셀렌화 챔버 내 존재하는 액체 유기금속 셀레늄 소스의 증기를 배출하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIS계 박막태양전지의 흡수층 제조방법.
  6. 삭제
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