KR101354889B1 - 전계 감응 소자 및 그것을 이용한 표시 디바이스 - Google Patents
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Abstract
전계 감응 소자(1)는, 이산화주석, 이산화티탄 및 산화아연으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 금속 산화물과, 금속 산화물을 덮는 절연체로 구성되며, 전계의 인가에 의해 가시광 투과율의 값이 변화하는 광학 기능층(5)과, 광학 기능층(5)을 사이에 둔 제1 및 제2 전극층(7, 9)을 구비한다.
전계 감응 소자, 투광성 전극, 표시 디바이스, 가시광 투과율, 전극층
Description
본 발명은, 전계의 인가에 의해 가시광 투과율의 값을 제어하는 것이 가능한 소자 및 그것을 응용한 표시 디바이스에 관한 것이다.
인가되는 전계에 감응하여 광학 투과율의 값이 변화하는 재료로서, 액정 및 일렉트로 크로믹 물질이 알려져 있다. 액정은 이미 디스플레이에서 널리 이용되고 있다. 일렉트로 크로믹 물질은, 전기 화학적인 산화 환원 반응에 의한 크로미즘(가역적인 색 변화)을 나타내는 물질로서, 페이퍼-라이크 디스플레이(소위 '전자 페이퍼')를 비롯한 다양한 응용이 고려되는 물질이다. 이 종류의 전계에 감응하는 재료는, 광이나 열에 감응하는 물질과 비교하여 제어 수단의 구성의 관점에서 제어가 용이하다고 하는 이점을 갖는다.
일렉트로 크로믹 물질의 대부분은 화학적으로 합성되는 고분자 화합물이지만, 일본 특허 공표 제2000-502398호 공보에서, 안티몬 또는 니오븀이 도프된 산화주석이 일렉트로 크로미즘을 나타낸다라고 하는 개시가 있다. 이 공보에서는, 50mHz의 전기 신호에 추종하는 주기적인 색 변화가 생겼다고 하는 보고가 이루어져 있다(이 경우의 응답 속도는 20초임). 또한, 이산화티탄, 실리카, 알루미나 등의 명색 안료와 도프된 산화주석을 혼합하는 것이, 콘트라스트의 향상에 유효하다고 하는 기재가 상기 공보에 있다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공표 제2000-502398호 공보
<발명의 개시>
디스플레이에의 응용의 관점에서 액정과 비교하면, 일렉트로 크로믹 물질은 편광판이나 백라이트가 불필요하므로, 투광 상태에서의 투명성 및 소비 전력의 관점에서 우수하다. 그러나, 일렉트로 크로미즘은 전해액 내의 이온의 이동을 수반하므로, 일렉트로 크로믹 물질에서의 감응의 응답 속도를 액정의 응답 속도와 동일 정도 또는 그 이상으로까지 향상시키는 것은 어렵다고 생각된다. 전형적인 액정에서의 백과 흑의 변화의 응답 속도는 10∼20㎳이다.
본 발명은, 가시광 투과율의 값이 서로 다른 상태 간의 천이가 빠른, 금속 산화물을 함유하는 신규의 전계 감응 소자를 제공한다. 본 발명의 전계 감응 소자는, 이산화주석, 이산화티탄 및 산화아연으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 금속 산화물과, 상기 금속 산화물을 덮는 절연체로 구성되며, 전계의 인가에 의해 가시광 투과율의 값이 변화하는 광학 기능층과, 상기 광학 기능층을 사이에 둔 제1 및 제2 전극층을 구비한다.
본 발명이 제공하는 표시 디바이스는, 표면색이 명색인 지지체와, 상기 지지체에 고착하는 제1 투광성 전극층과, 상기 제1 투광성 전극층을 덮는 광학 기능층과, 상기 광학 기능층에 적층된 제2 투광성 전극층을 구비한다. 상기 광학 기능층은, 이산화주석, 이산화티탄 및 산화아연으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 금속 산화물과, 상기 금속 산화물을 덮는 절연체로 구성되며, 전계의 인가에 의해 가시광 투과율의 값이 변화한다.
본 발명이 제공하는 제조 방법은, 지지체에 고착한 상기 제1 전극층을, 상기 금속 산화물과 그것을 덮는 절연체로 이루어지는 투광성의 층으로 피복하는 공정, 상기 투광성의 층에 자외선을 조사하고, 그것에 의해 상기 투광성의 층을 상기 광학 기능층으로 변질시키는 공정 및 상기 광학 기능층에 상기 제2 전극층을 고착시키는 공정을 구비한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전계 감응 소자의 구성을 나타내는 단면도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 표시 디바이스의 구성을 나타내는 사시도.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계 감응 소자의 응답성을 나타내는 오실로스코프 파형의 사진.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계 감응 소자의 응답성을 나타내는 오실로스코프 파형의 사진.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 전계 감응 소자의 동작 원리의 설명도.
<발명을 실시하기 위한 최량의 형태>
본 발명자는, 3.2eV 이상의 밴드갭을 갖는 반도체로서 투광성을 갖는 금속 산화물이, 절연 피복된 상태에서 유효한 여기 에너지가 공급되면, 전계의 인가에 의해 가시광 투과율의 값이 변화하는 물질로 되는 것을 발견하였다. 이산화주 석(SnO2), 이산화티탄(TiO2) 및 산화아연(ZnO)은 상기 금속 산화물에 해당한다. 절연 피복 재료로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스틸렌, 폴리부타디엔, 폴리염화비닐, 폴리메틸메타크리에이트, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 아세트산 셀룰로오스 등의 열가소성 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 알릴 수지, 알키드 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄, 실리콘 수지 등의 열경화성 수지가 있다. 그 밖에, 실리콘(폴리실록산), 파라핀, 광유, 산화마그네슘(MgO), 이산화규소(SiO2), 알루미나(Al2O3) 등이 있다.
상기 물질을 도 1과 같이 재질이 서로 다른 전극층 사이에 둠으로써, 가역적으로 가시광 투과율의 값이 변화하는 전계 감응 소자(1)가 실현된다. 도 1에서, 전계 감응 소자(1)는, 전계의 인가에 의해 가시광 투과율의 값이 변화하는 광학 기능층(5)과, 제1 전극층(7)과, 제2 전극층(9)을 구비한다. 예시에서는, 제1 전극층(7)은 단층인 것에 대하여, 제2 전극층(9)은, 재질이 제1 전극층(7)의 재질과 다른 하층(9A)과, 재질이 제1 전극층(7)의 재질과 동일한 상층(9B)으로 이루어진다. 단, 하층(9A)을 충분히 두껍게 형성하여 상층(9B)을 생략할 수도 있다.
도 1의 층 구조에서, 하층(9A)은 상층(9B)으로부터 광학 기능층(5)에의 불필요한 전자 주입을 방지하는 역할을 갖는다. 광학 기능층(5)과 접하는 2개의 도체의 재질을 서로 다르게 함으로써 가역적인 상태 변화를 발생시킬 수 있다.
전계 감응 소자(1)의 응용예로서 도 2에 도시한 반사형의 표시 디바이스(10)가 있다. 표시 디바이스(10)는, 표면색이 명색인 기판(11), 기판(11)에 고착하는 평행하게 배열된 띠 형상의 제1 전극(17), 광학 기능층(15) 및 광학 기능층(15)에 고착하는 평행하게 배열된 띠 형상의 제2 전극(19)을 구비한다. 제1 전극(17)과 제2 전극(19)이 교차하여, 전극 매트릭스를 구성한다. 그리고, 전극 매트릭스의 교점의 각각에 전계 감응 소자(1)가 대응한다. 즉, 제1 전극(17), 광학 기능층(15) 및 제2 전극(19)의 각각의 일부분이, 제1 전극층(7), 광학 기능층(5) 및 제2 전극층(9)에 대응한다. 도면에서는 1개의 전계 감응 소자(1)의 위치를 일점쇄선의 사각형으로 나타내고 있다.
표시 디바이스(10)에서는, 기판(11)에서 반사하는 외광의 광량을 소자마다 제어함으로써 매트릭스 표시를 행할 수 있다. 이 응용예와 같이 전계 감응 소자(1)를 적층 방향으로 제어 대상의 광이 관통하는 구성에서는, 전계 감응 소자(1)의 제1 및 제2 전극층(7, 9)으로서, 예를 들면 산화인듐주석(이하, 'ITO'라고 함)으로 이루어지는 투광성의 도전층을 형성할 필요가 있다. 제1 전극층(7)이 ITO인 경우, 제2 전극층(9)의 하층의 재질로서 투명한 반도체가 바람직하다.
표시 디바이스(10) 및 그에 포함되는 전계 감응의 제조 방법은 다음의 공정 1∼공정 4를 포함한다.
공정 1에서는, 지지체와 반사 부재를 겸하는 기판(11) 상에 제1 전극(17)을 배열한다.
공정 2에서는, 기판(11)에 고착된 제1 전극(11)을, 금속 산화물과 그것을 덮는 절연체로 이루어지는 투광성의 층으로 피복한다. 금속 산화물은, 이산화주석, 이산화티탄 및 산화아연으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 화합물이다.
공정 3에서는, 투광성의 층에 자외선을 조사하고, 그것에 의해 투광성의 층을 크로미즘을 나타내는 광학 기능층(15)으로 변질시킨다. 변질에 대해서는, 후술하는 바와 같이 자외선 여기에 의해 금속 산화물에 에너지 준위가 형성된다고 생각된다.
공정 4에서는, 광학 기능층(15) 상에 제2 전극(19)을 배열한다.
이하, 전계 감응 소자(1)의 구체예를 나타낸다.
<실시예 1>
실시예 1에서, 광학 기능층(5)은 금속 산화물인 이산화주석(SnO2)과 절연물인 실리콘 오일을 재료로 하여 형성된다. 광학 기능층(5)의 두께는 1㎛이다. 제1 전극층(7)은 두께 0.4㎛의 ITO이다. 제2 전극층(9)의 하층(9A)은 두께 0.1㎛의 산화 니켈(NiO)이며, 상층(9B)은 두께 0.4㎛의 ITO이다.
지지체로서의 두께 1mm의 백판 글래스에 스퍼터링에 의해 제1 전극층(7)을 형성한 후, 광학 기능층(5)을 다음의 수순으로 형성하였다. 카프론산 주석 0.75g과 크실렌 1.28g과 실리콘 오일(도시바실리콘사 제조 TSF433) 0.1g의 혼합액을 준비하였다. 제1 전극층(7)이 고착된 백판 글래스에 상기 혼합액을 스핀 온(1200rpm, 10sec)에 의해 도포하고, 50℃의 분위기에서 10min 노출하여 건조시키고, 그 후에 소성하였다. 소성 온도는 320℃, 소성 시간은 10min이다. 다음으로 소성된 층에 저압 수은 램프를 이용하여 자외선을 조사하였다. 조사 조건은 200mW/㎠, 60min이다.
광학 기능층(5)을 형성한 후, 스퍼터링에 의해 하층(9A) 및 상층(9B)을 순서대로 적층하고, 전계 감응 소자(1)의 제작을 끝내었다.
전계 감응 소자(1)의 광학 기능을 확인하기 위해서, 전계 감응 소자(1)에 전압 펄스 신호를 인가하였다. 그 때, 제1 전극층(7)을 펄스 발생기의 전위 출력 단자에 접속하고, 제2 전극층(9)(엄밀하게는 상층(9B))을 접지 단자에 접속하였다. 도 3의 (A)의 상반부에 도시된 바와 같이, 진폭 +10V이고 펄스 폭 20㎳의 정극성 펄스와, 진폭 -20V이고 펄스 폭 20㎳의 부극성 펄스를 약 500㎳의 인터벌을 설정하여 반복하여 인가하였다. 이것과 병행하여, 발광 다이오드(LED)를 광원으로 하는 측정기를 이용하여 가시광에 대한 전계 감응 소자(1)의 투과율을 측정하였다.
도 3의 (A)의 하반부에 도시된 바와 같이, 반복하여 인가되는 펄스에 호응하여 투과율의 값이 주기적으로 변화하였다. 부극성 펄스에 감응하여 투과율의 값이 감소하는 상태 변화(이것을 '착색'이라고 함)가 생기고, 정극성 펄스에 감응하여 투과율의 값이 증대하는 상태 변화(이것을 '소색'이라고 함)가 생겼다. 펄스 인가의 인터벌 기간에서는, 직전의 변화 종료시의 상태가 유지되었다. 착색 종료시의 투과율은 80％이고 소색 종료시의 투과율은 86％이었다. 도 3의 (A)에 의해, 전계 감응 소자(1)의 실시예 1이 크로미즘을 나타내는 것을 알 수 있다.
도 3의 (B)는 도 3의 (A)의 시간축의 스케일을 확대한 파형도이며, 정극성 펄스에 대한 응답성을 나타내고 있다. 소색의 응답 시간은 5㎳이었다.
도 3의 (C)도 도 3의 (A)의 시간축의 스케일을 확대한 파형도이며, 부극성 펄스에 대한 응답성을 나타내고 있다. 착색의 응답 시간은 8㎳이었다.
<실시예 2>
실시예 2에서, 광학 기능층(5)은 금속 산화물인 이산화티탄(TiO2)과 절연물인 실리콘 오일을 재료로 하여 형성된다. 광학 기능층(5)의 두께는 1㎛이다. 제1 전극층(7) 및 제2 전극층(9)의 재질, 두께 및 형성 방법은 상기 실시예 1과 마찬가지이다.
광학 기능층(5)을 다음의 수순으로 형성하였다. 카프론산티탄 0.72g과 크실렌 1.14g과 부틸셀로솔브 0.14g과 실리콘 오일(도시바실리콘사 제조 TSF433) 0.25g의 혼합액을 준비하였다. 제1 전극층(7)이 고착된 백판 글래스에 상기 혼합액을 스핀 온(600rpm, 10sec)에 의해 도포하고, 50℃의 분위기에서 10min 노출하여 건조시키고, 그 후에 소성하였다. 소성 온도는 320℃, 소성 시간은 10min이다. 다음으로 소성된 층에 저압 수은 램프를 이용하여 자외선을 조사하였다. 조사 조건은 실시예 1과 마찬가지의 200㎽/㎠, 60min이다.
실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 전계 감응 소자(1)의 광학 기능을 확인하였다. 즉, 도 4의 (A)의 상반부에 도시된 바와 같이, 진폭 +10V이고 펄스 폭 20㎳의 정극성 펄스와, 진폭 -20V이고 펄스 폭 20㎳의 부극성 펄스를 약 500㎳의 인터벌을 설정하여 반복하여 인가하였다. 이것과 병행하여, LED를 광원으로 하는 측정기를 이용하여 가시광에 대한 전계 감응 소자(1)의 투과율을 측정하였다.
도 4의 (A)의 하반부에 도시된 바와 같이, 반복하여 인가되는 펄스에 호응하 여 투과율의 값이 주기적으로 변화하였다. 부극성 펄스에 감응하여 투과율의 값이 감소하는 상태 변화(착색)가 생기고, 정극성 펄스에 감응하여 투과율의 값이 증대하는 상태 변화(소색)가 생기었다. 펄스 인가의 인터벌 기간에서는, 직전의 변화 종료시의 상태가 유지되었다. 착색 종료시의 투과율은 79％이고 소색 종료시의 투과율은 92％이었다. 도 4의 (A)에 의해, 전계 감응 소자(1)의 실시예 2가 크로미즘을 나타내는 것을 알 수 있다.
도 4의 (B)는 도 4의 (A)의 시간축의 스케일을 확대한 파형도이며, 정극성 펄스에 대한 응답성을 나타내고 있다. 소색의 응답 시간은 17㎳이었다.
도 4의 (C)도 도 4의 (A)의 시간축의 스케일을 확대한 파형도이며, 부극성 펄스에 대한 응답성을 나타내고 있다. 착색의 응답 시간은 18㎳이었다.
<실시예 3>
카프론산 주석 2g과 크실렌 3g과 실리콘 오일(도시바실리콘사 제조 TSF433) 0.5g의 혼합액을 준비하고, 실시예 1과 마찬가지로 혼합액의 도포, 건조, 소성 및 자외선 조사를 행하여 광학 기능층(5)을 형성하였다.
제2 전극층(9)을 접지하여 제1 전극층(7)에 진폭이 -20V이고 펄스 폭이 10㎳인 부극성 펄스를 인가하였다. 펄스 인가에 호응하여, 전계 감응 소자(1)의 투과율의 값이 85％로부터 56％로 변화하였다. 그 후, 인가 전압이 0인 기간에서 투과율의 값은 56％로 유지되었다.
<실시예 4>
실시예 3과 마찬가지의 혼합액을 준비하고, 도포 후에 실시예 3보다도 급격 하게 건조시켰다. 그 이외에는 실시예 3과 마찬가지로 하였다.
도포한 혼합액을 급격하게 건조시킴으로써, 용매 증발에 의한 공극이 남아서 소성 후의 층은 입자 응집체로 된다. 포러스한 광학 기능층(5)은 콘트라스트를 향상시킨다. 실시예 3과 마찬가지의 펄스 인가에 감응하여, 전계 감응 소자(1)의 투과율의 값이 85％로부터 24％로 변화하였다.
이상의 실시예에서 확인된 크로미즘에 대해서는, 도 5에서 도시된 동작 원리가 고려된다. 이산화주석을 예로 들지만, 이산화티탄 및 산화아연에 대해서도 다음 설명은 성립된다.
도 5의 (A)와 같이, 한쪽의 전극인 ITO 상의 금속 산화물인 이산화주석(아몰퍼스)에 자외선이 조사되면, 이산화주석의 가전자대의 전자가 전도대에 여기된다. ITO와의 계면 부근에서는, 이 전자가 임의의 확률로 절연물을 빠져나가 일시적으로 ITO에 포획되고, 가전자대의 전자가 빠진 부위의 원자간 거리가 변화된다. 포획되어 있던 전자는 다시 이산화주석의 가전자대로 되돌아가지만, 이 때의 준위는 도 5의 (B)와 같이 밴드갭 내로 이동하고 있다. 이와 같은 사상이 반복하여 일어나, 자외선이 조사되고 있는 동안에 도 5의 (C)와 같이 밴드갭 내에 다수의 준위가 가능하다. 그러나, 이들 준위에 포획될 전자는 자외선에 의해 여기되어 ITO로 이동한다. 이와 같이 하여 생긴 전자 부재의 밴드갭 내의 준위는, 자외선 조사를 끝낸 후에도 잔존한다. 금속 산화물이 흡수하는 광의 에너지(파장)는 밴드갭 내의 준위에 의존한다. 이산화주석의 경우, 밴드갭 내의 전자가 적은 상태에서는 투과율의 값이 크다(투명한 상태).
절연물의 역할은 ITO와 이산화주석 사이에 장벽을 만들어, 여기된 전자를 통과시키는 것이다. ITO와 이산화주석 사이에 절연물이 개재된 상태에서 자외선 조사를 받음으로써 이산화주석은 구조 변화를 일으킨다.
밴드갭 내에 준위를 갖는 투명한 상태의 이산화주석에 도 5의 (D)와 같이 바이어스하여 전계를 인가하면, ITO의 전자가 절연물에 의한 장벽을 넘어 이산화주석으로 옮긴다. 옮긴 전자가 이산화주석의 밴드갭 간 준위에 포획되면, 이산화주석의 투과율의 값이 작아진다. 즉, 투명한 상태로부터 암색을 나타내는 상태로 변한다. 전계를 제거하여도, 장벽의 대전하에 의해 암색의 상태가 유지된다.
도 5의 (E)와 같이 이전과는 반대인 극성의 전계를 가하면, 밴드갭에 포획되어 있던 전자는, 형광체 등의 실내 조명 정도의 광량의 외광에 의해, 임의의 확률로 전도대의 자유 전자로 된다. 이 자유 전자는 ITO로 이동한다. 이 때문에, 최종적으로는 밴드갭 내의 준위에 전자가 없는 상태로 된다. 이것에 의해 암색의 상태로부터 투명한 상태로 되돌아간다.
이상의 실시예에 의하면, 소색이 생긴 상태에서의 투과율의 값이 크므로, 고콘트라스트이고 또한 배경이 밝은 반사형의 표시 디바이스를 실현할 수 있다. 전계 감응 소자(1)의 주성분이 고체이므로, 전체 액체 또는 액체를 많이 함유하는 구성과 비교하여 기계적 충격에 의한 파손이 생기기 어렵다. 구조가 단순하므로, 저가격화에 유리하다.
상기 실시예의 제조 방법에서는 절연물이 소성에 견디는 내열성 재료로 한정되지만, 소성 후에 실리콘 오일을 세정 제거하여 새롭게 수지를 충전하는 제조 방 법을 채용하는 경우에는, 아크릴, 폴리카보네이트, 에폭시 등 수지를 이용할 수 있다.
상기 실시예 또는 그 변형에 의해 구체화되는 본 발명의 전계 감응 소자에는 다음의 응용이 있다.
투과율의 변화량은 인가하는 전압에 비례하므로, 인가 전압의 다치 제어에 의해 다계조 표현을 할 수 있다. 백라이트와 필터를 사용하여, 액정과 마찬가지의 풀 컬러 표시도 가능하다.
임의 패턴의 자외선 조사에 의해 부분적으로 구조가 변화한 광학 기능층(5)을 형성하고, 조사 패턴과 전극층의 패턴의 조합에 의해 임의 형상을 표시할 수 있다.
표시 디바이스(10)의 변형예로서, 강성 또는 유연성을 갖는 기재에 라미네이트나 도장에 의해 반사막을 고착시킨 기판을 전계 감응 소자(1)의 지지체로 할 수 있다.
전계 감응 소자(1) 및 표시 디바이스(10)의 구성, 재질, 제조에 따른 방법 및 재료 등은 예시에 한정되지 않고, 본 발명의 주지를 따른 범위 내에서 적절히 변경할 수 있다.
본 발명은, 실질적으로 표시 내용을 갱신할 때에만 전력을 소비하는 전력 절약화 디스플레이에서 유용하다. 그 밖의 디스플레이, 광학 셔터를 포함하는 각종 광학 기능 디바이스에 이용할 수 있다.
Claims (10)
- 전계 감응 소자(electric-field-sensitive element)로서,이산화주석, 이산화티탄 및 산화아연으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 금속 산화물, 및 상기 금속 산화물을 덮는 절연체를 포함하고, 전계의 인가에 의해 가시광 투과율 값이 변화하는 광학 기능층을 포함하고,상기 전계 감응 소자의 형성 동안에, 제1 전극층 상에 마련된 상기 광학 기능층에 자외선 광이 조사되어 상기 광학 기능층이 상기 자외선 광에 의한 조사 이후에 전자들을 포함하지 않는 밴드 갭(band gap) 내의 레벨들을 갖고,상기 전계 감응 소자는 상기 광학 기능층을 자신들의 사이에 두도록, 상기 제1 전극층 및 그에 대한 제2 전극층을 더 포함하는 전계 감응 소자.
- 제1항에 있어서,크로미즘(chromism)을 나타내는 전계 감응 소자.
- 제2항에 있어서,상기 제1 전극층의 재료와 상기 제2 전극층의 재료가 서로 다른 전계 감응 소자.
- 제3항에 있어서,상기 제1 전극층은 상기 금속 산화물과는 다른 투명 도전 재료로 이루어지고,상기 제2 전극층은 적어도 상기 광학 기능층과 접촉하는 부분에서 P형 반도체로 이루어지는 전계 감응 소자.
- 제4항에 있어서,상기 제1 전극층은 산화인듐주석으로 이루어지고,상기 금속 산화물은 이산화주석이며,상기 제2 전극층은 상기 광학 기능층과 접촉하는 부분에서 산화니켈로 이루어지는 전계 감응 소자.
- 제4항에 있어서,상기 제1 전극층은 산화인듐주석으로 이루어지고,상기 금속 산화물은 이산화티탄이며,상기 제2 전극층은 상기 광학 기능층과 접촉하는 부분에서 산화니켈로 이루어지는 전계 감응 소자.
- 표시 디바이스로서,표면색이 명색(明色)인 지지체와,상기 지지체에 고착되는 제1 투광성 전극층과,상기 제1 투광성 전극층을 덮는 광학 기능층과,상기 광학 기능층 상에 적층된 제2 투광성 전극층을 구비하고,상기 광학 기능층은, 이산화주석, 이산화티탄 및 산화아연으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 금속 산화물, 및 상기 금속 산화물을 덮는 절연체를 포함하며, 전계의 인가에 의해 가시광 투과율 값이 변화하고,상기 표시 디바이스의 형성 동안에, 상기 제1 투광성 전극층 상에 마련된 상기 광학 기능층에 자외선 광이 조사되어 상기 광학 기능층이 상기 자외선 광에 의한 조사 이후에 전자들을 포함하지 않는 밴드 갭 내의 레벨들을 갖는 표시 디바이스.
- 이산화주석, 이산화티탄 및 산화아연으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 금속 산화물과 상기 금속 산화물을 덮는 절연체를 포함하고 또한 전계의 인가에 의해 가시광 투과율 값이 변화하는 광학 기능층, 및 상기 광학 기능층을 자신들의 사이에 둔 제1 전극 층 및 제2 전극층을 포함하는 전계 감응 소자의 제조 방법으로서,지지체에 고착된 상기 제1 전극층을, 상기 금속 산화물 및 상기 금속 산화물을 덮는 절연체로 이루어지는 투광성 층으로 피복하는 공정과,상기 투광성 층에 자외선을 조사하고, 그것에 의해 상기 투광성 층을 상기 광학 기능층으로 변질시키는 공정과,상기 광학 기능층에 상기 제2 전극층을 고착시키는 공정을 포함하는 전계 감응 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 금속 산화물은 상기 절연체로 덮여진 입자 응집체(particle aggregate)로 형성되는 전계 감응 소자.
- 삭제
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