KR101352607B1

KR101352607B1 - 유전체 자기 조성물, 유전체 자기 조성물의 제조 방법 및 전자 부품

Info

Publication number: KR101352607B1
Application number: KR1020127016461A
Authority: KR
Inventors: 궤이빈 거; 훼이 린; 판 장; 지앤용 주앙; 마사카즈 히로세
Original assignee: 티디케이가부시기가이샤
Priority date: 2010-03-31
Filing date: 2010-03-31
Publication date: 2014-01-17
Also published as: WO2011120196A1; KR20120096550A; CN102781874A; JP2013523574A; TWI412504B; TW201132610A

Abstract

(Ba_xCa_y)TiO₃의 조성식으로 표시되는 주성분과 산화아연을 가지는 유전체 자기 조성물로서, 상기 조성식 중의 y가 0≤y≤0.08이고, 또한 상기 조성식 중의 x와 y의 합계가 0.975≤x+y≤1.010이며, 상기 산화아연이 상기 주성분 100 중량부에 대하여 2 중량부 ~ 12 중량부 함유되어 있는 유전체 자기 조성물.

Description

유전체 자기 조성물, 유전체 자기 조성물의 제조 방법 및 전자 부품{DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION, PRODUCTION METHOD THEREOF AND ELECTRONIC ELEMENT}

본 발명은 유전체 자기(磁器) 조성물, 유전체 자기 조성물의 제조 방법 및 전자 부품에 관한 것이다.

전자 부품의 일 예인 세라믹 콘덴서는 다양한 전자기기에 사용되고 있으며, 최근 고성능화에 대한 요구는 더욱 높아지고 있다.

예를 들어, 안전 규격 인정의 세라믹 콘덴서는 스위칭 전원의 스너버 회로(Snubber Circuit)에 사용되기 때문에 스파이크 전압을 받을 가능성이 있다. 이 때문에, 회로를 보호하기 위해서는 세라믹 콘덴서가 파괴(破壞)되지 않는 것, 즉 유전체 자기 조성물의 절연 파괴 전계(電界)(ACVB)를 높게 하는 것이 가장 중요하다.

특허문헌 1 및 특허문헌 2에는 비교적 교류 파괴 전계가 높은 유전체 자기 조성물이 개시되어 있다. 그러나, 모두 높아도 5kV/㎜ 정도이다.

특허문헌 1: 일본 특허 공개 2006-096576호 공보 특허문헌 2: 일본 특허 공개 2003-104774호 공보

본 발명은 이와 같은 실상을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 교류 파괴 전계 및 비유전율이 높고, 유전 손실이 낮은 유전체 자기 조성물 및 유전체 자기 조성물의 제조 방법을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명은 이와 같은 유전체 자기 조성물에 의해 구성되는 유전체층을 가지는 전자 부품을 제공하는 것도 목적으로 한다.

본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위하여 검토를 거듭한 결과, 유전체 자기 조성물의 조성을 특정한 성분으로 하고, 이것들의 비율을 소정 범위로 함으로써 상기 목적을 달성할 수 있음을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.

즉, 상기 과제를 해결하는 본 발명의 실시 형태에 따른 유전체 자기 조성물은, (Ba_xCa_y)TiO₃의 조성식으로 표시되는 주성분과 산화아연을 가지는 유전체 자기 조성물로서,

상기 조성식 중의 y가 0≤y≤0.08이고, 또한 상기 조성식 중의 x와 y의 합계가 0.975≤x+y≤1.010이며,

상기 산화아연이 상기 주성분 100 중량부에 대하여 2 중량부 ~ 12 중량부 함유되어 있는 유전체 자기 조성물이다.

본 발명에 따르면, 교류 파괴 전계 및 비유전율이 높고, 유전 손실이 낮은 유전체 자기 조성물을 제공할 수 있다.

또한, 본 발명의 실시 형태에 따른 유전체 자기 조성물의 제조 방법은,

(Ba_xCa_y)TiO₃의 조성식으로 표시되는 주성분과 산화아연을 가지는 유전체 자기 조성물의 제조 방법으로서,

상기 산화아연이 상기 주성분 100 중량부에 대하여 1.6 중량부 ~ 12 중량부 함유되어 있고,

상기 주성분의 원료를 가소성하여, 가소성(假燒成)이 끝난 분체(粉體)를 얻는 공정과,

상기 가소성이 끝난 분체에 상기 산화아연의 원료를 첨가하여 유전체 자기 조성물 분말을 얻는 공정과,

상기 유전체 자기 조성물 분말을 성형하여 소성하는 공정을 가진다.

본 발명의 실시 형태에 따른 전자 부품은, 상기 유전체 자기 조성물 또는 상기 제조 방법에 의해 얻어지는 유전체 자기 조성물로 구성되어 있는 유전체층을 가진다.

본 발명의 실시 형태에 따른 전자 부품으로서는, 특별히 한정되지는 않지만, 단판형(單板型) 세라믹 콘덴서, 적층 세라믹 콘덴서가 예시된다.

도 1의 (A)는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 세라믹 콘덴서의 정면도이고, 도 1의 (B)는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 세라믹 콘덴서의 측면 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 유전체 자기 조성물의 제조 방법에 있어서의 산화아연을 첨가하는 타이밍과, 산화아연의 함유량이 교류 파괴 전계에 미치는 영향을 나타내는 그래프이다.

이하, 본 발명의 실시 형태를 도면에 나타내는 실시 형태에 기초하여 설명한다.

세라믹 콘덴서(2)

도 1의 (A) 및 도 1의 (B)에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 실시 형태에 따른 세라믹 콘덴서(2)는, 유전체층(10)과, 그 대향 표면에 형성된 한 쌍의 단자 전극(12, 14)과, 이 단자 전극(12, 14)에 각각 접속된 리드 단자(6, 8)를 가지는 구성으로 되어 있고, 이것들은 보호 수지(4)로 덮여 있다.

세라믹 콘덴서(2)의 형상은 목적과 용도에 따라 적절히 결정하면 되지만, 유전체층(10)이 원판(圓板) 형상으로 되어 있는 원판형의 콘덴서인 것이 바람직하다. 또한, 그 치수도 목적과 용도에 따라 적절히 결정하면 되지만, 통상적으로, 직경이 5 ~ 20㎜ 정도, 바람직하게는 5 ~ 15㎜ 정도이다.

(유전체층(10))

유전체층(10)은, 본 발명의 실시 형태에 따른 유전체 자기 조성물에 의해 구성된다.

본 발명의 실시 형태에 따른 유전체 자기 조성물은, (Ba_xCa_y)TiO₃의 조성식으로 표시되는 주성분과 산화아연을 가지며, 상기 조성식 중의 y는 0≤y≤0.08이고, 또한 상기 조성식 중의 x와 y의 합계가 0.975≤x+y≤1.010이다.

상기 조성식 중의 x는 Ba의 비율을 나타내고, x는 0.915≤x≤1.005, 바람직하게는 0.930≤x≤1.000이다. Ba이 이 범위로 함유됨으로써, 비유전율이 향상되는 경향이 된다.

상기 조성식 중의 y는 Ca의 비율을 나타내고, 0≤y≤0.08, 바람직하게는 0≤y≤0.07이다. Ca이 이 범위로 함유됨으로써, 소결성 및 교류 파괴 전계가 향상되는 경향이 된다. 한편, 본 실시 형태에 있어서 Ca은 임의의 성분이며, Ca을 함유하지 않는 경우에도 교류 파괴 전계를 향상시킬 수 있다.

상기 조성식 중의 x와 y의 합계, 즉 Ba과 Ca의 비율의 합계는 바람직하게는 0.975≤x+y≤1.010, 더 바람직하게는 0.980≤x+y≤1.005이다. x와 y의 합계량을 이 범위로 함으로써, 소결성, 교류 파괴 전계 및 비유전율이 향상되는 경향이 된다.

본 발명의 실시 형태에 따른 유전체 자기 조성물은, 산화아연을, 상기 주성분 100 중량부에 대하여 1.6 중량부 ~ 12 중량부, 바람직하게는 2 중량부 ~ 12 중량부, 더 바람직하게는 2.3 중량부 ~ 10 중량부, 한층 더 바람직하게는 4 중량부 ~ 10 중량부 함유한다. 산화아연이 이 범위로 함유됨으로써, 교류 파괴 전계 및 비유전율이 향상되고, 유전 손실이 저하되는 경향이 된다.

본 발명의 실시 형태에 따른 유전체 자기 조성물은, 산화지르코늄, 산화철 또는 산화니켈을, 상기 주성분 100 중량부에 대하여 1.0 중량부 미만 함유하고 있는 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 0 중량부 ~ 0.5 중량부이며, 한층 더 바람직하게는 0 중량부이다. 산화지르코늄, 산화철 또는 산화니켈이 이 범위를 초과하여 함유되면, 교류 파괴 전계가 저하되는 경향이 된다. 또한, 산화니켈이 이 범위를 초과하여 함유되면, 교류 파괴 전계가 저하될 뿐만 아니라, 유전 손실이 상승하는 경향이 된다.

이하, 산화아연을 ‘부성분’이라고 한다.

유전체층(10)의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 용도 등에 따라 적절히 결정하면 되지만, 바람직하게는 0.3 ~ 2㎜이다. 유전체층(10)의 두께를 이와 같은 범위로 함으로써, 중고압 용도에 적절하게 이용할 수 있다.

(단자 전극(12, 14))

단자 전극(12, 14)은 도전재로 구성된다. 단자 전극(12, 14)에 이용되는 도전재로서는, 예를 들어 Cu, Cu합금, Ag, Ag합금, In-Ga합금 등을 들 수 있다.

세라믹 콘덴서의 제조 방법

이어서, 세라믹 콘덴서의 제조 방법에 대하여 설명한다.

먼저, 소성 후에 도 1에 나타내는 유전체층(10)을 형성하게 되는 유전체 자기 조성물 분말을 제조한다.

주성분의 원료 및 각 부성분의 원료를 준비한다. 주성분의 원료로서는, Ba, Ca, Ti의 각 산화물 및/또는 소성에 의해 산화물이 되는 원료나, 이것들의 복합 산화물 등을 들 수 있으며, 예를 들어 BaCO₃, CaCO₃, TiO₂ 등을 이용할 수 있다. 이 밖에, 예를 들어 수산화물 등, 소성 후에 산화물이나 티타늄 화합물이 되는 여러 화합물을 이용하는 것도 가능하다. 이 경우, 금속 원소의 원소 수가 맞도록, 함유량을 적절히 변경하는 것이 바람직하다.

또한, 주성분의 원료는 고상법(固相法)에 의해 제조되어도 되고, 수열(水熱)합성법이나 옥살산염법(蓚酸鹽法) 등의 액상법에 의해 제조되어도 되지만, 제조 비용면에서 고상법에 의해 제조하는 것이 바람직하다.

각 부성분의 원료로서는 특별히 한정되지 않으며, 상기한 각 부성분의 산화물이나 복합 산화물, 또는 소성에 의해 이들 산화물이나 복합 산화물이 되는 각종 화합물, 예를 들어 탄산염, 질산염, 수산화물, 유기 금속 화합물 등으로부터 적절히 선택하여 이용할 수 있다.

본 발명의 실시 형태에 따른 유전체 자기 조성물의 제조 방법으로서는, 먼저, 주성분의 원료 또는, 주성분의 원료와 부성분의 원료를 배합하고, 지르코니아 볼 등에 의한 볼 밀 등을 이용하여 습식 혼합한다. 부성분을 이 시점에서 배합하는 경우에는, 상술한 유전체 자기 조성물의 조성이 되도록 각 부성분을 배합해도 되고, 일부만 배합하고 가소성 후에 나머지 부성분을 첨가해도 된다.

얻어진 혼합물을 조립(造粒) 성형하고, 얻어진 성형물을 공기 분위기 중에서 가소성함으로써, 가소성 분말을 얻을 수 있다. 가소성 조건으로서는, 예를 들어 가소성 온도를 바람직하게는 1100 ~ 1300℃, 더 바람직하게는 1150 ~ 1250℃, 가소성 시간을 바람직하게는 0.5 ~ 4시간으로 하는 것이 좋다. 또한, 주성분의 원료와 부성분의 원료를 각각 가소성한 후, 혼합하여 유전체 자기 조성물 분말로 해도 된다.

이어서, 얻어진 가소성 분말을 조분쇄(粗粉碎)한다. 여기서 가소성 전에 첨가한 부성분의 원료와 합하여 상술한 유전체 자기 조성물의 조성이 되도록 부성분을 첨가하며, 산화아연의 원료는, 적어도 일부를 주성분 원료의 가소성 후에 첨가하는 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 전량을 주성분 원료의 가소성 후에 첨가한다. 이와 같이 함으로써, 유전체 자기 조성물의 교류 파괴 전계를 더욱 향상시킬 수 있어서, 산화아연의 첨가량이 적더라도 교류 파괴 전계를 향상시킬 수 있다.

가소성 분말 또는 가소성 분말과 부성분의 원료를 볼 밀 등에 의해 습식 분쇄하고, 혼합하고, 건조하여 유전체 자기 조성물 분말로 한다. 상술한 바와 같이 유전체 자기 조성물 분말을 고상법에 의해 제조함으로써, 원하는 특성을 실현하면서도 제조 비용의 저감을 도모할 수 있다.

이어서, 얻어진 유전체 자기 조성물 분말에 바인더를 적당량 첨가해 조립하여 얻어진 조립물을 소정의 크기를 가지는 원판상으로 성형함으로써, 그린 성형체로 한다. 그리고, 얻어진 그린 성형체를 소성함으로써, 유전체 자기 조성물의 소결체를 얻는다. 한편, 소성 조건으로서는 특별히 한정되지 않지만, 유지 온도가 바람직하게는 1200 ~ 1400℃, 더 바람직하게는 1250 ~ 1350℃이며, 소성 분위기를 공기 중으로 하는 것이 바람직하다.

얻어진 유전체 자기 조성물의 소결체의 주표면에 단자 전극을 인쇄하고, 필요에 따라 소성함으로써, 단자 전극(12, 14)을 형성한다. 그 후, 단자 전극(12, 14)에 납땜 등에 의해 리드 단자(6, 8)를 접합하고, 마지막으로, 소자 본체를 보호 수지(4)로 덮음으로써, 도 1의 (A) 및 도 1의 (B)에 나타내는 바와 같은 단판형 세라믹 콘덴서를 얻는다.

이와 같이 하여 제조된 본 발명의 세라믹 콘덴서는, 리드 단자(6, 8)를 개재하여 프린트 기판 위 등에 실장되어 각종 전자기기 등에 사용된다.

이상, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 전술한 실시 형태로 전혀 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위 내에서 여러 양태로 실시할 수 있음은 물론이다.

예를 들어, 상술한 실시 형태에서는 본 발명에 따른 전자 부품으로서 유전체층이 단층인 단판형 세라믹 콘덴서를 예시하였지만, 본 발명에 따른 전자 부품으로서 단판형 세라믹 콘덴서로 한정되지 않으며, 상기한 유전체 자기 조성물을 포함하는 유전체 페이스트 및 전극 페이스트를 이용한 통상의 인쇄법이나 시트법에 의해 제작되는 적층형 세라믹 콘덴서라도 된다.

실시예

이하, 본 발명을 더욱 상세한 실시예에 기초하여 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되지 않는다.

시료 1 ~ 31, 3a

주성분의 원료로서 BaCO₃, CaCO₃ 및 TiO₂을 각각 준비하였다. 그리고, 준비한 이들 원료를 표 1의 시료 1 ~ 31, 3a에 나타내는 조성이 되도록 각각 칭량하고, 용매로서 순수(純水)를 이용한 지르코니아 볼에 의한 볼 밀에 의해 습식 혼합하였다.

이어서, 얻어진 혼합물을 건조한 후, 5 중량%의 물을 가하여 조립(造粒) 성형하였다. 그리고, 얻어진 성형물을, 공기 중, 1150℃, 2시간의 조건으로 가소성하였다. 가소성한 후의 분체를 뇌궤기(갈아서 혼합하는 기계)로 조분쇄하여 메시를 통과시킨 후, ZnO을 표 1에 나타내는 조성이 되도록 칭량해 첨가하고, 습식 분쇄를 행하였다. 이것을 건조함으로써, 표 1에 나타내는 각 조성(시료 1 ~ 31, 3a의 각 조성)을 가지는 유전체 자기 조성물 분말을 얻었다.

얻어진 유전체 자기 조성물 분말 100 중량부에 대하여 폴리비닐알코올 수용액 10 중량부를 첨가하고, 이어서 조립하여 메시를 통과시킨 후, 얻어진 조립 분말을 396MPa의 압력으로 성형하여 직경 16.5㎜, 두께 약 1.2㎜의 원판상의 그린 성형체를 얻었다.

얻어진 그린 성형체를, 공기 중, 1250 ~ 1350℃, 2시간의 조건으로 소성함으로써, 원판상의 소결체를 얻었다. 그리고, 얻어진 소결체의 주표면의 양면에 Ag 전극을 도포하고, 공기 중, 650℃에서 20분간 소성 처리를 더 행함으로써, 도 1에 나타내는 바와 같은 원판상의 세라믹 콘덴서의 시료를 얻었다. 얻어진 콘덴서 시료의 유전체층(10)의 두께는 약 1㎜이고, 소성 전극의 직경은 12㎜였다. 그리고, 얻어진 각 콘덴서 시료에 대하여, 이하의 방법에 의해 교류 파괴 전계, 비유전율, 유전 손실을 각각 평가하였다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.

(교류 파괴 전압(ACVB))

교류 파괴 전압(ACVB)은 콘덴서의 시료에 대하여, 콘덴서의 양단에 교류 전계를 100V/s로 서서히 인가하고, 100mA의 누설 전류가 흐른 시점에서의 전계치를 교류 파괴 전계로서 측정하였다. 교류 파괴 전계는 높은 편이 바람직하며, 본 실시예에서는 6.0kV/㎜ 이상을 양호로 하였다.

(비유전율(ε))

비유전율 ε은 콘덴서 시료에 대하여, 기준 온도 20℃에서 디지털 LCR 미터(애질런트 테크놀러지사 제품 4274A)를 이용하여 주파수 1kHz, 입력 신호 레벨(측정 전압) 1.0Vrms의 조건하에서 측정된 정전 용량으로부터 산출하였다(단위 없음). 비유전율은 높은 편이 바람직하며, 본 실시예에서는 2000 이상을 양호로 하였다.

(유전 손실(tanδ))

유전 손실(tanδ)은 콘덴서 시료에 대하여, 기준 온도 20℃에서 디지털 LCR 미터(애질런트 테크놀러지사 제품 4274A)를 이용하여 주파수 1kHz, 입력 신호 레벨(측정 전압) 1.0Vrms의 조건하에서 측정하였다. 유전 손실은 낮은 편이 바람직하며, 본 실시예에서는 3% 이하를 양호로 하였다.

시료 41 ~ 43

표 2의 시료 41 ~ 43에 나타내는 조성이 되도록 칭량한 ZnO을 주성분 원료와 함께 가소성하고, 가소성한 후에는 ZnO을 첨가하지 않고 그린 성형체를 얻고, 그린 성형체의 소성 온도를 1250℃로 한 것 외에는 시료 1 ~ 9와 동일하게 하여 각 콘덴서 시료를 얻고, 교류 파괴 전계, 비유전율 및 유전 손실을 평가하였다. 즉, 시료 41 ~ 43에서는 ZnO을 주성분 원료의 가소성 전에 첨가하였다. 한편, 교류 파괴 전계는 4개의 시료에 대하여 측정하고, 평균치를 구하였다. 각 시료의 조성 및 평가 결과를 표 2에 나타낸다.

시료 41a ~ 43a

유전체 자기 조성물 분말의 제조에 있어서, 주성분 원료의 가소성 후의 분체를 뇌궤기로 조분쇄하여 메시를 통과시킨 후, 표 2의 시료 41a ~ 43a에 나타내는 조성이 되도록 칭량한 ZnO을 가소성 분말에 첨가하고, 그린 성형체의 소성 온도를 1250℃로 한 것 외에는 시료 1 ~ 9와 동일하게 하여 각 콘덴서 시료를 얻고, 교류 파괴 전계, 비유전율 및 유전 손실을 평가하였다. 즉, 시료 41a ~ 43a에서는 시료 1 ~ 9와 마찬가지로 ZnO을 주성분 원료의 가소성 후에 첨가하였다. 한편, 교류 파괴 전계는 4개의 시료에 대하여 측정하고, 평균치를 구하였다. 각 시료의 조성 및 평가 결과를 표 2에 나타낸다.

시료 1s ~ 6s, 1 sa

유전체 자기 조성물 분말의 제조에 있어서, 주성분 원료의 가소성 후의 분체를 뇌궤기로 조분쇄하여 메시를 통과시킨 후, ZnO, Bi₂O₃, ZrO₂, Fe₂O₃ 또는 NiO을 표 3의 시료 1s ~ 6s, 1sa에 나타내는 조성이 되도록 첨가한 것 외에는 시료 1 ~ 9와 동일하게 하여 각 콘덴서 시료를 얻고, 교류 파괴 전계, 비유전율 및 유전 손실을 각각 평가하였다. 각 시료의 조성 및 평가 결과를 표 3에 나타낸다.

시료 6 sa , 6 sb

표 3의 시료 6sa, 6sb에 나타내는 조성이 되도록 칭량한 ZnO, Nb₂O₅ 또는 CuO를 주성분 원료와 함께 가소성한 것 외에는 시료 41 ~ 43과 동일하게 하여 각 콘덴서 시료를 얻고, 교류 파괴 전계, 비유전율 및 유전 손실을 각각 평가하였다. 각 시료의 조성 및 평가 결과를 표 3에 나타낸다.

시료 7s ~ 13s

ZnO을 포함하지 않고, 표 3의 시료 7s ~ 13s에 나타내는 조성이 되도록 칭량한 Bi₂O₃, ZrO₂, Fe₂O₃ 또는 NiO을 주성분 원료와 함께 가소성한 것 외에는 시료 41 ~ 43과 동일하게 하여 각 콘덴서 시료를 얻고, 교류 파괴 전계, 비유전율 및 유전 손실을 각각 평가하였다. 각 시료의 조성 및 평가 결과를 표 3에 나타낸다.

시료 1 ~ 9, 3a 및 4a 또는 41 ~ 43, 41a ~ 43a로부터, 산화아연의 함유량이 1.6 중량부 ~ 12 중량부인 경우(시료 3 ~ 8, 3a, 4a, 42, 43, 42a, 43a)에는, 이 범위로부터 벗어나는 경우(시료 1, 2, 9, 41, 41a)에 비해 교류 파괴 전계가 높아지고, 산화아연의 함유량이 2 중량부 ~ 12 중량부인 경우에는 교류 파괴 전계가 보다 한층 높아지는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 산화아연의 함유량이 12 중량부를 초과하는 경우(시료 9), 비유전율이 낮아지는 것을 확인할 수 있었다.

시료 10 ~ 17로부터, 조성식 중의 x와 y의 합계가 0.975≤x+y≤1.010인 경우(시료 11 ~ 16)에는, x와 y의 합계가 0.975 미만의 경우(시료 10)에 비해 교류 파괴 전계가 높아지는 것을 확인할 수 있었다. 또한, x와 y의 합계가 1.010을 초과하는 경우(시료 17)에는, 1350℃에서 소결이 완료되지 않는 것을 확인할 수 있었다. 한편, 소성 온도를 1350℃보다 높게 하는 것은 생산성이나 노(爐) 부재에 대한 영향을 고려하면 바람직하지 않다.

시료 18 ~ 31로부터, 조성식 중의 y가 0≤y≤0.08인 경우(시료 18 ~ 24, 27 ~ 31)에는, y가 0.08을 넘는 경우(시료 25, 26)에 비해 비유전율이 높아지는 것을 확인할 수 있었다.

시료 42, 43, 42a, 43a로부터, 주성분의 원료를 가소성한 후에 산화아연을 첨가한 경우(시료 42a, 43a), 주성분의 원료와 함께 산화아연을 가소성한 경우(시료 42, 43)에 비해 교류 파괴 전계가 높아지는 것을 확인할 수 있었다.

또한, 시료 41 ~ 43, 41a ~ 43a로부터, 주성분의 원료를 가소성한 후에 산화아연을 첨가한 경우, 주성분의 원료와 함께 산화아연을 가소성한 경우에 비해 교류 파괴 전계가 높아지는 효과는, 산화아연을 1.6 중량부 이상 함유하는 경우에 나타나는 것을 확인할 수 있었다.

시료 1s로부터, 산화비스무트를 1 중량부를 초과하여 함유하는 경우에는, 교류 파괴 전계 및 비유전율이 낮아지는 것을 확인할 수 있었다.

시료 2s로부터, 산화지르코니아를 2.0 중량부 함유하는 경우에는, 교류 파괴 전계가 낮아지는 것을 확인할 수 있었다.

시료 3s, 4s로부터, 산화철을 0.2 ~ 2 중량부 함유하는 경우에는, 교류 파괴 전계가 낮아지는 것을 확인할 수 있었다.

시료 5s, 6s로부터, 산화니켈을 0.2 ~ 2 중량부 함유하는 경우에는, 교류 파괴 전계가 낮아지고, 유전 손실이 높아지는 것을 확인할 수 있었다.

시료 6sa, 6sb로부터, 산화니오븀이 2 중량부를 초과하고, 산화구리가 0.1 중량부 이상 함유되는 경우(시료 6sa)에는, 교류 파괴 전계가 저하되는 것을 확인할 수 있었다.

시료 7s ~ 13s로부터, 주성분의 조성식 중의 y가 0≤y≤0.08이고, 또한 x+y가 0.975≤x+y≤1.010이어도, 산화아연을 함유하지 않으면서 산화지르코늄, 산화철 또는 산화니켈을 함유하는 경우에는, 교류 파괴 전압 및 비유전율이 낮아지고, 유전 손실이 높아지는 것을 확인할 수 있었다.

Claims

삭제
삭제
(Ba_xCa_y)TiO₃의 조성식으로 표시되는 주성분과 산화아연을 가지는 유전체 자기 조성물의 제조 방법으로서,
상기 조성식 중의 y가 0≤y≤0.08이고, 또한 상기 조성식 중의 x와 y의 합계가 0.975≤x+y≤1.010이며,
상기 산화아연이 상기 주성분 100 중량부에 대하여 1.6 중량부 ~ 12 중량부 함유되어 있고,
상기 주성분의 원료를 가소성하여, 가소성이 끝난 분체를 얻는 공정과,
상기 가소성이 끝난 분체에 상기 산화아연의 원료를 첨가하여 유전체 자기 조성물 분말을 얻는 공정과,
상기 유전체 자기 조성물 분말을 성형하여 소성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 유전체 자기 조성물의 제조 방법.
(Ba_xCa_y)TiO₃의 조성식으로 표시되는 주성분과 산화아연을 가지는 유전체 자기 조성물로서, 상기 조성식 중의 y가 0≤y≤0.08이고, 또한 상기 조성식 중의 x와 y의 합계가 0.975≤x+y≤1.010이며, 상기 산화아연이 상기 주성분 100 중량부에 대하여 2.3 중량부 ~ 10 중량부 함유되어 있는 유전체 자기 조성물의 제조 방법으로서,
상기 주성분의 원료를 가소성하여, 가소성이 끝난 분체를 얻는 공정과,
상기 가소성이 끝난 분체에 상기 산화아연의 원료를 첨가하여 유전체 자기 조성물 분말을 얻는 공정과,
상기 유전체 자기 조성물 분말을 성형하여 소성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 유전체 자기 조성물의 제조 방법.
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