KR101349987B1 - 용융 금속 토출 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 단일의 장비로 범프를 형성하고 또한 범프 형성 공정을 단순화시킬 수 있으며, 토출된 용융 금속의 산화를 억제하고 기판의 예열 을 통한 용융 금속의 경화 방지 및 범프의 크기를 조절할 수 있도록 구성한 용융 금속 토출 장치를 개시한다. 본 발명에 따른 용융 금속 토출 장치는 용융 금속 토출 유니트 및 불활성 가스 공급 유니트를 포함하되, 용융 금속 토출 유니트는 외부로부터 공급된 용융 금속을 소정 량씩 외부로 토출하는 토출부를 포함하며, 불활성 가스 공급 유니트는 용융 금속 토출 유니트의 일측에 배치되며, 외부에서 공급된 불활성 가스를 설정된 온도를 유지한 상태에서 용융 금속 토출 유니트로 공급하여 토출되는 용융 금속 주변으로 불활성 가스를 분사시킨다. 용융 금속 토출 유니트는, 단열 부재로 이루어진 제 1 블록; 열 전도 부재로 이루어지고, 제 1 블록 내에 배치되며, 일부 영역에 가열 수단이 장착되어 있는 제 2 블록; 및 제 2 블록의 내부 공간에 배치되며, 구동부, 구동부에 의하여 작동하는 작동부 및 작동부에 의하여 외부에서 공급된 융융 금속을 일정 량씩 외부로 토출하는 노즐부를 포함하는 토출부를 포함한다. 여기서, 제 2 블록의 가열 수단에서 발생된 열이 토출부 내의 용융 금속을 설정된 온도로 유지시킬 수 있다.

Description

용융 금속 토출 장치{Molten metal dispenser}
본 발명은 용융 금속 토출 장치에 관한 것으로, 특히 토출되는 용융 금속의 온도를 유지하고 산화를 방지할 수 있는 용융 금속 토출 장치에 관한 것이다.
휴대 전화로 대표되는 모바일 정보 단말기는 정보량의 급속한 증대에 따라 정보 처리 속도의 증가가 필연적으로 수반되어야 하며, 이를 위하여 대규모 집적 회로(large-scale integration; 이하, "LSI"라 칭함)의 개발이 진행되고 있다.
고성능 LSI를 구현하기 위해서는 한정된 면적의 기판 상에 다수의 전자 소자를 고밀도로 실장하고 이 전자 요소를 배선으로 연결해야 한다. 그러나, 다수의 전자 소자가 실장되는 기판의 면적은 한정되어 있으며, 따라서 한정된 면적의 기판 상에 최대의 전자 소자를 실장하는 기술이 LSI의 개발에 있어 필수적이다.
한편, 고성능 및 고기능화와 함께 용이한 휴대 및 운반을 위하여 모바일 정보 단말기의 소형화에 대한 요구가 지속되며, 이를 위해서는 LSI의 소형화가 반드시 고려되어야 한다.
이를 위하여, 배선 길이를 크게 줄이기 위하여 기판 상에 직접 회로 칩을 베어 칩 실장 기술 그리고 배선 길이를 현저하게 줄일 수 있는 플립 칩(flip chip) 실장 기술이 개발, 실용화되고 있다.
여기서, 플립 칩 실장 기술은 집적 회로 칩에 있는 금 성분과 연성 회로 기판(flexible printed circuit board)의 주석 성분을 열과 압력을 이용하여 직접 접합하는 기술이다. 이 기술은 집적 회로 칩을 원래 상태로 연성 회로 기판에 본딩(bonding)하기 때문에 기존의 볼 그리드 어레이(ball grid array) 기술과 비교하여 패키지 비용이 획기적으로 절감되며 그 크기 또한 1/4 수준으로 줄어든다. 또 금과 주석을 녹여서 붙이므로 기존의 이방 도전 필름(anisotropic conductive film)을 이용한 실장 방식에 비하여 제품 안정성 및 공간 활용도가 우수하다.
플립 칩 실장 기술로부터, 단일의 패키지 내에 반도체 칩을 다층으로 배치하는 기술, 예를 들어 시스템 온 칩(system on chip; SOC) 또는 시스템 인 패키지(sytem in pakage)가 개발되고 있다.
시스템 인 패키지 기술보다 고집적, 소형화에 적합한 전자 소자 실장 기술이 다중 적층 패키지(package on package) 제조 기술이다. 다중 적층 패키지는 전자 소자가 각각 실장된 다수의 기판(또는 패키지)이 적층된 상태로 전기적으로 연결되기 때문에 집적도가 크게 향상되며, 이러한 이유로 소형 및 고집적 전자 기기의 기본적인 기술로 간주된다.
다중 적층 패키지를 구성하는 다수의 기판(또는 패키지)은 도전성 재료로 이루어진 범프(bump)를 통하여 전기적으로 연결된다. 범프는 기본적으로는 금속, Au(금)으로 이루어지지만, In 합금, Au-Sn 합금, 폴리머 등의 재료가 이용될 수 있다.
도 1은 일반적인 패키지 온 패키지의 구성을 개략적으로 도시한 도면으로서, 제 1, 제 2 및 제 3 기판(1, 2 및 3)이 서로 적층된 상태에서 전기적으로 연결된 상태를 도시하고 있다.
각 기판(1, 2 및 3)의 제 1 표면 상에는 반도체 칩과 같은 다수의 전자 소자(1A, 2B 및 3C)가 실장되어 있으며, 또한 각 기판(1, 2 및 3)의 제 1 표면 상에는 전자 소자를 전기적으로 연결하기 위한 도전성 패턴(도시되지 않음)이 형성되어 있다.
이와 같이 적층된 제 1, 제 2 및 제 3 기판(1, 2 및 3)은 다수의 도전성 범프(4 및 5)를 통하여 이웃하는 기판과 전기적으로 연결된다.
예를 들어, 제 1 기판(1)의 제 2 표면 상에는 다수의 범프(4)가 형성되어 있으며, 이 범프(4)는 제 1 기판(1)에 형성된 비아홀(via hole: 도시되지 않음)을 통하여 제 1 표면 상에 실장된 전자 소자(1A) 또는 도전성 패턴과 연결된다.
이와 같은 제 1 기판(1) 상의 범프(4)는 제 2 기판(2)의 제 1 표면 상에 실장된 전자 소자(2A) 또는 도전성 패턴과 연결됨으로써 제 1 기판(1)과 제 2 기판(2)은 전기적으로 연결된다. 또한, 제 2 기판(2)과 제 3 기판(3) 역시 제 2 기판(2)의 제 2 표면에 형성된 범프(5)를 통하여 전기적으로 연결된다.
도 2는 도 1에 도시된 범프를 형성하는 일반적인 공정을 순차적으로 도시한 도면이다.
기판(예를 들어, 도 1에 도시된 제 2 기판(2))의 제 1 표면 상에 도전성 패턴(2-1)을 형성하고(도 2a), 도전성 패턴(2-1) 상에 시트층(2-2)을 형성한다(도 2b). 이후, 범프 형성 예정 영역을 제외한 영역에 포토레지스트층(2-3)을 형성하고, 포토레지스트층(2-3)이 형성되지 않은 범프 형성 예정 영역에 용융 납(5-1)을 토출한다.
용융 납(5-1)이 경화된 후, 식각 공정을 통하여 포토레지스트층(2-3) 및 포토레지스트층(2-3) 하부의 시트층(2-2)을 제거한다(도 2d). 이후, 기판(2)에 대한 리플로우(reflow) 공정을 실시함으로써 경화된 용융 납(5-1)은 고온의 온도 하에서 볼 형태의 범프(5)로 그 형상이 변환된다.
범프를 형성하기 위해서는 위에서 설명한 바와 같은 포토레지스트층(2-3) 형성 공정, 식각 공정과 같은 포토레지스트층(2-3) 제거 공정 및 리플로우 공정 등을 수행해야 한다. 따라서 범프를 형성하기 위하여 장시간이 소요되며, 또한 각 공정을 수행하기 위한 다양한 장비가 요구된다.
한편, 위와 같은 리플로우 공정을 통하여 범프를 형성하는 공정 이외에, 페이스트 인쇄 기술, 반전 범프 전사 기술, 인젝션 기술 및 와이어 범프 기술 등을 이용하여 범프를 형성하는 방법이 알려져 있다.
그러나, 이와 같은 기술은 미세 피치의 고밀도 실장에 필요한 정도를 갖는 범프의 형성이 어렵고, 범프의 직경, 높이의 제어가 어렵다는 문제가 수반된다.
본 발명은 기판 상에 볼 형태의 범프를 형성하는 공정에서 나타나는 위와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 단일의 장비로 범프를 형성하고 또한 범프 형성 공정을 단순화시킬 수 있는 용융 금속 토출 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 토출된 용융 금속의 산화를 억제하고 기판의 예열 을 통한 용융 금속의 경화 방지 및 범프의 크기를 조절할 수 있도록 구성한 용융 금속 토출 장치를 제공하는 것이다.
위와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명에 따른 용융 금속 토출 장치는 용융 금속 토출 유니트 및 불활성 가스 공급 유니트를 포함하되, 용융 금속 토출 유니트는 외부로부터 공급된 용융 금속을 소정 량씩 외부로 토출하는 토출부를 포함하며, 불활성 가스 공급 유니트는 용융 금속 토출 유니트의 일측에 배치되며, 외부에서 공급된 불활성 가스를 설정된 온도를 유지한 상태에서 용융 금속 토출 유니트로 공급하여 토출되는 용융 금속 주변으로 불활성 가스를 분사시킨다.
용융 금속 토출 유니트는, 단열 부재로 이루어진 제 1 블록; 열 전도 부재로 이루어지고, 제 1 블록 내에 배치되며, 일부 영역에 가열 수단이 장착되어 있는 제 2 블록; 및 제 2 블록의 내부 공간에 배치되며, 구동부, 구동부에 의하여 작동하는 작동부 및 작동부에 의하여 외부에서 공급된 융융 금속을 일정 량씩 외부로 토출하는 노즐부를 포함하는 토출부를 포함한다. 여기서, 제 2 블록의 가열 수단에서 발생된 열이 토출부 내의 용융 금속을 설정된 온도로 유지시킬 수 있다.
또한, 용융 금속 토출 유니트의 토출부는 제 2 블록의 내부 공간에 배치되어 외부에서 공급된 용융 금속을 저장하고 저장된 용융 금속을 노즐부로 공급하는 용융 금속 저장조를 더 포함할 수 있다.
한편, 불활성 가스 공급 유니트는, 단열 부재로 이루어지며, 내부에는 한 종단이 토출부의 노즐부와 대응하는 공간이 형성되고, 상부에는 외부의 불활성 가스 공급 수단에 연결된 불활성 가스 공급구가 설치되어 있는 블록; 및 블록의 내부 공간에 배치된 가열 수단을 포함한다. 이러한 구조에서, 블록의 내부 공간 내로 공급된 불활성 가스가 가열 수단에서 발생한 열에 의하여 설정된 온도를 유지된 상태로 용융 금속 토출 유니트의 토출부의 노즐부로 공급된다.
용융 금속 토출 유니트의 노즐부는, 제 1 블록과 제 2 블록 내에 지지된 상태로 배치된 노즐 블록; 노즐 블록 내에 위치한 노즐을 포함할 수 있다. 노즐의 상단은 토출부의 용융 금속 유로에 대응하여 가압된 용융 금속이 노즐로 유입된 후 외부로 토출되며, 또한, 노즐 블록과 노즐 사이에는 종단이 외부로 노출된 유로가 형성되며, 이 유로는 불활성 가스 공급 유니트의 블록의 내부 공간과 유체 연결되어 노즐에서 토출되는 용융 금속의 주변으로 불활성 가스가 분사된다.
한편, 노즐 블록과 노즐 사이에 형성된 유로는 노즐의 전체 주변에 걸쳐 형성됨으로써 토출되는 용융 금속을 설정 온도로 유지시킬 수 있다.
본 발명에 따른 용융 금속 토출 장치는 용융 금속을 설정된 온도 상태로 저장하고 용융 금속 토출 유니트에 용융 금속을 공급하는 용융 금속 저장 유니트를 더 포함할 수 있다.
바람직하게는, 용융 금속 저장 유니트는, 단열 부재로 이루어진 제 1 블록; 제 1 블록 내에 위치하고, 열 전도 부재로 이루어지며, 어느 한 영역 내에는 가열 수단이 장착된 제 2 블록; 제 2 블록 내에 설치되며, 외부에서 공급된 용융 금속을 저장이 저장하는 용융 금속 저장 탱크; 및 용융 금속 저장 탱크와 용융 금속 저장 유니트를 유체 연결하여 용융 금속을 용융 금속 저장 유니트의 노즐부로 공급하는 연결 블록을 포함한다. 이러한 구조에 의하여, 용융 금속 저장 탱크 내의 용융 금속은 제 2 블록에 장착된 가열 수단에서 발생된 열에 의하여 용융 상태를 유지할 수 있다.
용융 금속 저장 유니트의 용융 금속 저장 탱크는 밀폐 부재에 의하여 상단 개방부가 밀폐되며, 밀폐 부재에는 외부의 불활성 가스 공급 수단과 연결된 불활성 가스 공급구가 설치되어 외부에서 공급된 불활성 가스가 용융 금속 저장 탱크에 존재할 수 있는 공기에 의하여 용융 금속이 산화되는 것을 억제한다.
용융 금속 저장 유니트의 연결 블록은 용융 금속 토출 유니트의 용융 금속 저장조와 용융 금속 저장 탱크를 연결하는 배관; 및 용융 금속 저장 유니트의 제 1 블록과 제 2 블록을 관통한 상태로 연장되며, 그 종단부는 용융 금속 토출 유니트의 제 1 블록과 제 2 블록을 관통하여 배관을 지지하는 배관 홀더를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 용융 금속 토출 장치는 용융 금속 토출 유니트의 제 2 블록, 용융 금속 저장 유니트의 제 2 블록 및 불활성 가스 공급 유니트의 블록에 각각 장착되어 용융 금속 토출 유니트로 공급되는 용융 금속의 온도, 용융 금속 저장 탱크 내의 용융 금속의 온도 및 노즐부로 공급되는 불활성 가스의 온도를 각각 측정하는 온도 센서; 온도 센서와 전기적으로 연결되며, 온도 센서와 각각 대응하는 가열 수단의 작동을 각각 제어하는 컨트롤러를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 용융 금속 토출 장치는, 수평 베이스; 수평 베이스에 일체화된 수직 베이스; 수평 베이스 상에 제 1 구동부에 의하여 수평의 제 1 방향으로 슬라이딩 가능한 상태로 설치된 제 1 슬라이더; 제 1 슬라이더 상에 제 2 구동부에 의하여 제 1 방향과 직교하는 방향으로 슬라이딩 가능한 상태로 설치된 제 2 슬라이더; 및 수직 베이스에 제 3 구동부에 의하여 수직 방향으로 슬라이딩 가능한 상태로 설치된 제 3 슬라이더로 구성된 테이블을 더 포함할 수 있다.
여기서, 제 1 슬라이더 상에는 용융 금속이 토출되는 대상물이 고정적으로 장착되고, 용융 납 토출 유니트, 용융 납 저장 유니트 그리고 불활성 가스 공급 유니트의 조립체는 제 3 슬라이더에 고정적으로 배치되어 대상물의 소정 영역이 용융 금속 토출 유니트의 노즐부의 하부에 정확하게 위치시키고 노즐부의 노즐의 토출구 종단과 대상물 표면 사이의 거리를 조절한다.
위와 같은 본 발명에 따른 용융 금속 토출 장치는 단일의 장비로 범프를 형성하고 또한 범프 형성 공정을 단순화시킬 수 있다. 또한, 토출된 용융 금속의 산화를 억제하고 기판의 예열을 통한 용융 금속의 경화 방지 및 범프의 크기를 조절할 수 있다.
도 1은 다중 적층 패키지(package on package)의 구성을 도시한 도면.
도 2는 도 1에 도시된 범프를 형성하는 공정을 순차적으로 도시한 도면.
도 3은 본 발명에 따른 용융 금속 토출 장치의 구성을 도시한 도면.
도 4는 도 3의 "A" 부분의 상세도로서, 노즐부의 구성을 도시한 도면.
도 5는 본 발명에 따른 용융 금속 토출 장치에 의하여 범프가 형성되는 과정을 순차적으로 도시한 도면.
도 6a 및 도 6b는 본 발명에 따른 용융 금속 토출 장치를 구성하는 X-Y-Z 테이블의 정면도 및 측면도.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 용융 금속 토출 장치를 첨부한 도면을 참고하여 상세히 설명한다.
한편, 다중 적층 패키지(package on package) 기술에서, 기판과 기판을 전기적으로 연결시키는 범프의 재료는 주로 금속이며, 이하에서는 범프용 금속 재료의 예로서 "납(용융 납)"을 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 용융 납 토출 장치의 구성을 도시한 도면으로서, 본 발명에 따른 용융 납 토출 장치는 용융 납 토출 유니트(100) 및 용융 납 토출 유니트(100)로 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급 유니트(300)를 포함한다.
한편, 본 발명에 따른 용융 납 토출 장치는 용융된 상태의 납을 저장하고 토출 유니트(100)로 공급하는 용융 납 저장 유니트(200)를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 용융 납 토출 장치를 구성하는 각 유니트의 구조 및 기능을 설명하면 다음과 같다.
용융 납 토출 유니트 (100)
용융 납 토출 유니트(100)는 제 1 블록(110), 제 1 블록(110) 내에 배치된 제 2 블록(120) 및 제 2 블록(120) 내에 설치된 토출부(130)를 포함한다.
제 1 블록(110)은 단열 부재로 이루어지며, 용융 납 저장 유니트(200)와 불활성 가스 공급 유니트(300)가 각각 연결되어 있다.
제 2 블록(120)은 제 1 블록(110) 내에 배치된다. 제 2 블록(120)은 열 전도 부재로 이루어지며, 어느 한 영역 내에는 가열 수단(121; 예를 들어, 히터)이 장착되어 있다.
제 2 블록(120)의 내부 공간에 배치된 토출부(130)는 외부에서 공급된 융융 납을 외부로 토출하는 장치이다. 토출부(130)는 제 1 블록(110)의 외부에 배치된 구동부(131), 제 2 블록(120)의 내부 공간에 배치되어 구동부(131)에 의하여 작동하는 작동부(132) 및 제 1 및 제 2 블록(110 및 120)에 배치되어 작동부(132)에 의하여 외부에서 공급된 융융 납을 일정 량씩 외부로 토출하는 노즐부(134)로 구성된다.
한편, 외부에서 노즐부(134)로 용융 납을 직접적으로 공급하지 않기 위하여, 토출부(130)는 제 2 블록(120)의 내부 공간에 배치되어 외부에서 공급된 용융 납을 저장하고 저장된 용융 납을 노즐부(134)로 공급하는 용융 납 저장조(133)를 더 포함할 수 있다.
작동부(132)는 구동부(131)에 의하여 작동되어 용융 납 저장조(133) 내에 저장된 용융 납을 소정 량씩 노즐부(134)로 공급하며, 노즐부(134)는 공급된 용융납을 외부로 토출한다.
한편, 이와 같은 토출부(130)는 본 발명자가 발명자로 등록되어 있는 한국특허출원 제10-2011-0114279호(발명의 명칭 : 캠식 유체 토출 장치, 출원일 : 2011년 11월 4일)에 개시되어 있으며, 단일의 구동부 및 2개의 캠부로 이루어진 단일의 캠 메커니즘을 이용하여 플런저의 회전 및 왕복 이동을 정확하게 구현함으로써 누출 없이 정량의 유체를 토출할 수 있으며, 토출량을 간단하게 조절할 수 있는 구조를 갖고 있다.
이와 같은 토출 장치는 하우징에 회전 가능하게 설치된 샤프트, 샤프트에 회전 가능하게 배치된 제 1 캠부 및 제 2 캠부를 포함하는 캠 메커니즘; 캠 메커니즘의 일측에 배치되며, 제 1 캠부와의 연동에 의하여 상하 회전 가능하게 구성된 상하 왕복 구동부; 상하 왕복 구동부의 회전에 의하여 하향 이동 가능하며, 캠 메커니즘의 제 2 캠부에 의하여 회전 가능하게 구성된 플런저부; 플런저부의 하부에 배치되며, 플런저부의 상하 이동에 의하여 유체의 유입 및 토출이 이루어지고 플런저부의 회전 운동에 의하여 유체의 유입 포트 및 배출 포트가 개폐되는 노즐부(유니트)를 포함한다.
이와 같은 토출부(130)에서, 용융 납 저장조(133)에서 배출된 용융 납은 플런저부의 회전 및 상하 이동에 의하여 소정 량씩 노즐부(134)로 공급되며, 이후 노즐부(134)를 통하여 외부로 토출된다.
한편, 이와 같은 토출부(130)의 구성 및 기능은 생략한다.
용융 납 저장 유니트 (200)
용융 납 저장 유니트(200)는 제 1 블록(210), 제 1 블록(210) 내에 배치된 제 2 블록(220), 제 2 블록(220) 내에 설치된 용융 납 저장 탱크(230) 및 용융 납 토출 유니트(100)와의 연결을 위한 연결 블록(240)를 포함한다.
제 1 블록(210)은 단열 부재로 이루어지며, 상단 개방부는 커버(211)에 의하여 밀폐된다.
제 2 블록(220)은 열 전도 부재로 이루어지며, 어느 한 영역 내에는 가열 수단(221; 예를 들어 히터)이 장착되어 있다. 바람직하게는, 가열 수단(221)은 제 2 블록(220)을 감싸는 형태로 장착된다. 제 2 블록(220)의 상단 개방부는 커버(211)에 의하여 제 1 블록(210)과 함께 밀폐될 수 있다.
용융 납 저장 탱크(230)는 제 2 블록(220) 내에 설치되며, 외부에서 공급된 용융 납이 저장된다. 용융 납 저장 탱크(230)에 저장된 용융 납은 제 2 블록(220)에 장착된 가열 수단(221)에서 발생된 열을 공급받으며, 따라서 용융 납은 경화되지 않고 용융 상태를 유지할 수 있다.
용융 납 저장 탱크(230)는 밀폐 부재(231)에 의하여 상단 개방부가 밀폐된다. 밀폐 부재(231)에는 외부의 불활성 가스 공급 수단(도시되지 않음)에서 연장된 파이프와 연결된 불활성 가스 공급구(232)가 연결될 수 있다.
외부에서 공급된 불활성 가스는 용융 납 저장 탱크(230)에 존재할 수 있는 공기에 의하여 용융 납이 산화되는 것을 억제한다.
연결 블록(240)은 용융 납 저장 유니트(200)와 용융 납 토출 유니트(100)를 유체 연결하는 블록으로서, 배관(241) 및 배관 홀더(242)를 포함한다.
배관(241)은 용융 납 토출 유니트(100)의 토출부(130)를 구성하는 용융 납 저장조(133)와 용융 납 저장 탱크(230)를 연결하며, 따라서 용융 납 저장 탱크(230)에 저장된 용융 납은 토출부(130)를 구성하는 용융 납 저장조(133)로 공급된다.
배관(241)을 둘러싸는 배관 홀더(242)는 용융 납 저장 유니트(200)의 제 1 블록(210)과 제 2 블록(220)을 관통한 상태로 연장되며, 그 종단부는 용융 납 토출 유니트(100)의 제 1 블록(110)과 제 2 블록(120)을 관통한다. 이러한 구조의 배관 홀더(242)에 의하여 배관(241)은 외력이 작용할지라도 견고하게 지지된다.
불활성 가스 공급 유니트 (300)
용융 납 토출 유니트(100)의 일측에 배치된 불활성 가스 공급 유니트(300)는 블록(310) 및 블록(310)에 가열 수단(320; 예를 들어, 히터)을 포함한다.
블록(210)은 단열 부재로 이루어지며, 한 종단은 용융 납 토출 유니트(100)의 토출부(130)를 구성하는 노즐부(134)에 대응된다.
블록(310)의 내부 공간(310-1)에는 가열 수단(320)이 배치되며, 상부 부재에는 외부의 불활성 가스 공급 수단(도시되지 않음)에 연결된 불활성 가스 공급구(311)가 설치되어 있다.
이와 같은 구조에서, 외부에서 블록(310)의 내부 공간(310-1) 내로 공급된 불활성 가스(예를 들어, 아르곤 가스)는 가열 수단(320)에서 발생한 열에 의하여 설정된 온도를 유지할 수 있다.
블록(310)의 내부 공간(310-1)은 불활성 가스가 유동하는 유로의 기능을 수행하며, 한 종단은 용융 납 토출 유니트(100)의 토출부(130)를 구성하는 노즐부(134)에 대응된다.
도 4는 도 3의 "A" 부분의 상세도로서, 용융 납 토출 유니트(100)의 노즐부(134)와 불활성 가스 공급 유니트(300)의 블록(310)의 상호 관계를 도시한다.
위에서 설명한 바와 같이, 용융 납 토출 유니트(100)의 노즐부(134)는 제 1 블록(110)과 제 2 블록(120) 내에 배치되며, 제 1 및 제 2 블록(110 및 120)에 지지된 노즐 블록(134-1) 및 노즐 블록(134-1) 내에 위치한 노즐(134-2)을 포함한다.
노즐(134-2)의 상단은 토출부(130)의 용융 납 유로(135)에 대응하며, 따라서 토출부(130)의 플런저(한국특허출원 제10-2011-0114279호 참조)에 의하여 가압된 용융 납은 노즐(134-2)로 유입된 후, 외부로 토출된다.
한편, 노즐 블록(134-1)과 노즐(134-2) 사이에는 소정 간격의 유로(F)가 형성되어 있다. 이 유로(F)는 노즐(134-2)의 전체 주변에 형성되며, 하단이 외부로 노출된다. 또한, 유로(F)는 불활성 가스 공급 유니트(300)의 블록(310)의 내부 공간(310-1)과 연결되어 있으며, 따라서, 노즐(134-2)에서 토출되는 용융 납의 주변으로 유로(F)를 따라 유동한 불활성 가스가 분사된다.
이상과 같이 구성된 본 발명에 따른 용융 납 토출 장치를 통하여 기판 상에 범프를 형성하는 공정을 각 도면을 통하여 상세히 설명한다.
도 5는 본 발명에 따른 용융 납 토출 장치를 이용하여 범프를 형성하는 공정을 순차적으로 도시한 도면이다.
X-Y-Z 테이블(이에 대한 설명은 후술하기로 함) 상에 기판(2)을 위치시킨 상태에서 용융 납 토출 유니트(100)의 노즐부(134)를 기판(2)에 대응시킨다. 이때, 기판(2)의 표면 상에 형성된 패턴(2-2)과 노즐부(134) 간의 정렬 상태 및 기판(2)의 패턴(2-2)과 노즐부(134)의 하단(즉, 노즐(143-2)의 하단)과의 거리는 X-Y-Z 테이블을 이용하여 조절한다.
이때, 불활성 가스 공급 유니트(300)의 블록(310)의 내부 공간(310-1)으로 공급된 불활성 가스는 가열 수단(320)에 의하여 가열된 상태로서, 고온의 불활성 가스는 노즐 블록(134-1)과 노즐(134-2) 사이의 유로(F)를 통하여 기판(2) 상으로 분사되며, 따라서 용융 납 토출 전에 기판(2)은 예열된다 (도 5a의 상태).
이 상태에서, 용융 납 토출 유니트(100)의 토출부(130)가 작동하여 노즐부(134)의 노즐(134-2)을 통하여 토출된다 (도 5b 및 도 5c의 상태). 이 과정에서, 토출되는 용융 납(S) 주변으로 고온의 불활성 가스가 분사됨으로써, 용융 납(S)은 불활성 가스 분위기 하에서 토출되며, 또한 주변의 산소와 접촉하지 않아 산화되지 않는다.
이와 함께, 고온의 불활성 가스가 노즐 블록(134-1)과 노즐(134-2) 사이의 유로(F)를 통하여 계속적으로 분사되기 때문에 노즐부(134)의 노즐(134-2) 내에 존재하는 용융 납의 온도 역시 낮아지지 않는다.
노즐부(134)의 노즐(134-2)을 통하여 토출된 용융 납은 기판(2)의 패턴(2-2) 과 접촉하여 금속 결합이 시작된다. 이때, 기판(2) 및 패턴(2-2)은 고온의 불활성 가스에 의하여 예열된 상태이기 때문에 토출된 용융 납(S)의 용융 상태 및 기판(2)의 패턴(2-2)과의 금속 결합이 양호하다.
용융 납 토출 유니트(100)의 작동에 의하여 노즐(134-2)에서 토출된 용융 납(S)은 방울 상태로 기판(2) 및 패턴(2-2) 상에 토출된다(도 5d의 상태). 이때에도 불활성 가스는 기판(2)을 향하여 계속적으로 분사되며, 따라서 기판(2) 및 패턴(2-2) 상으로 토출된 용융 납(S)은 용융 상태를 유지한 상태에서 기판(2)의 패턴(2-2)과의 금속 결합이 계속적으로 진행된다. 이때, 용융 상태의 납(S)은 표면 장력에 의하여 반구 형상을 갖게 되며, 이후, 경화되어 반구 형상의 범프(5)로 형성된다.
한편, 도 5d에 도시된 바와 같이, 용융 납(S)이 토출되는 과정에서 끊어져 미량의 용융 납 조각(S-1)이 발생할 수 있지만, 중력의 영향으로 인하여 빠른 시간 내에 기판(2)의 패턴(2-2) 상으로 토출된 용융 납(S)으로 떨어져 단일의 용융 납 방울이 된다.
한편, 기판(2)의 패턴(2-2) 상의 용융 납 방울(S)은 패턴(2-2)과의 금속 결합된다. 금속 결합은 납의 재질, 패턴(2-2)의 재질, 용융 납(S)의 온도, 기판(2)과 패턴(2-2)의 예열 온도, 패턴(2-2)의 산화의 정도 그리고 주변 조건에 의하여 변화될 수 있다.
또한, 최종적으로 형성된 범프(5)의 형상은, 용융 납(S)의 토출 량에 따라 달라진다. 즉, 패턴(2-2)의 면적에 대하여 토출량이 적으면 패턴(2-2)을 따라 평탄회되어 구(球)형 형상을 이루지 못하지만, 패턴(2-2) 면적에 대하여 적정량의 용융 납(S)이 토출되며, 용융 납의 표면 장력에 따라 반구 형상을 갖게 된다. 용융 납(S)의 표면 장력은 재질과 온도에 따라서도 미세하게 다르므로 이 표면 장력도 재질 및 온도를 기초하여 계산하여 설정할 필요가 있다.
이하에서는 위와 본 발명에 따른 용융 납 토출 장치의 주변 구성 및 선택적인 설계 사항을 각 도면을 통하여 설명한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 용융 납 토출 유니트(100)의 제 2 블록(120)에는 가열 수단(121)이 장착되어 있다. 따라서, 제 2 블록(120) 내에 배치된 토출부(130) 내의 용융 납, 예를 들어 용융 납 저장조(133)에 담겨져 있는 용융 납은 소정의 온도를 유지할 수 있어 용융 납이 굳어 토출되지 않는 현상은 발생하지 않는다.
이와 함께, 용융 납 저장 유니트(200)의 제 2 블록(220)에 장착된 가열 수단(221)에서 발생한 열은 제 2 블록(220) 내의 용융 납 저장 탱크(230)에 담겨져 있는 용융 납에 전달되며, 따라서 용융 납 저장 탱크(230)에 저장된 용융 납은 경화되지 않고 용융 상태를 유지할 수 있다.
한편, 불활성 가스 공급 유니트(300)의 블록(310) 내에 배치된 가열 수단(320)에서 발생된 열은 블록(310)의 내부 공간(310-1)을 통하여 용융 납 토출 유니트(100)의 노즐부(134)로 유동하는 불활성 가스에 열을 공급함으로써 기판(2)의 패턴(2-2) 및 노즐부(134)를 통하여 토출되는 용융 납의 온도를 적절하게 유지할 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 용융 납 토출 장치는 X-Y-Z 테이블(400)을 더 포함한다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명에 따른 용융 납 토출 장치를 구성하는 X-Y-Z 테이블의 정면도 및 측면도로서, 편의상 용융 납 토출 유니트(100), 용융 납 저장 유니트(200) 및 불활성 가스 공급 유니트(300)는 박스(B) 형태로 도시하였다.
X-Y-Z 테이블(400)은 수평 베이스(401), 수평 베이스(401)에 일체화된 수직 베이스(402), 수평 베이스(401) 상에 설치되어 제 1 구동부(도시되지 않음)에 의하여 수평의 Y 방향 (테이블을 기준으로 전후 방향)으로 슬라이딩하는 제 1 슬라이더(410), 제 1 슬라이더(410) 상에 설치되어 제 2 구동부(도시되지 않음)에 의하여 수평의 X 방향(테이블을 기준으로 좌우 방향으로서, 제 1 방향과 직교하는 방향)으로 슬라이딩하는 제 2 슬라이더(420) 및 수직 베이스(402)에 설치되어 제 3 구동부(도시되지 않음)에 의하여 Z 방향(테이블을 기준으로 수직 방향)으로 슬라이딩하는 제 3 슬라이더(430)를 포함한다.
제 1 슬라이더(430) 상에는 용융 납이 토출되는 기판(2)이 고정적으로 장착되고, 용융 납 토출 유니트, 용융 납 저장 유니트 그리고 불활성 가스 공급 유니트의 조립체(B)는 제 3 슬라이더(430)에 고정적으로 배치된다.
각 슬라이더(410, 420 및 430)의 슬라이딩에 의하여 기판(2)의 소정 영역은 용융 납 토출 유니트의 노즐부(134)의 하부에 정확하게 위치할 수 있으며, 또한 노즐부(134)의 노즐(134-2)의 토출구 종단과 기판(2; 패턴)의 표면 사이의 거리(h)를 정확하게 조절할 수 있다.
본 발명은 바람직한 실시예를 참고로 하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다.
예를 들어,용융 납 토출 유니트(100)의 제 2 블록(120), 용융 납 저장 유니트(200)의 제 2 블록(220) 그리고 불활성 가스 공급 유니트(300)의 블록(310)에는 온도 센서(T1, T2 및 T3)가 각각 장착되어 있어 용융 납 토출 유니트(100)로 공급되는 용융 납의 온도, 용융 납 저장 탱크(230) 내의 용융 납의 온도 그리고 노즐부(134)로 공급되는 불활성 가스의 온도를 각각 측정할 수 있다.
온도 센서(T1, T2 및 T3)는 컨트롤러(도시되어 있지 않으며, 가열 수단(121, 221 및 320)과 전기적으로 연결된 상태임)에 연결되어 있으며, 따라서 온도 센서(T1, T2 및 T3)에 의하여 측정된 온도가 설정된 온도보다 낮을 경우, 컨트롤러는 대응하는 가열 수단(121, 221 및 320)을 작동시켜 용융 납 및 불활성 가스의 온도를 최적의 조건으로 유지할 수 있다.

Claims (11)

  1. 용융 금속 토출 유니트 및 불활성 가스 공급 유니트를 포함하되,
    용융 금속 토출 유니트는 단열 부재로 이루어진 제 1 블록; 열 전도 부재로 이루어지고, 제 1 블록 내에 배치되며, 가열 수단이 장착되어 있는 제 2 블록; 및 제 2 블록 내에 배치되며, 구동부에 의하여 작동하는 작동부 및 외부에서 공급된 용융 금속을 작동부를 통하여 일정 량씩 외부로 토출하는 노즐부를 포함하는 토출부를 포함하며,
    불활성 가스 공급 유니트는 용융 금속 토출 유니트의 일측에 배치되며, 외부에서 공급된 불활성 가스가 설정된 온도로 유지된 상태에서 용융 금속 토출 유니트로 공급되어 토출되는 용융 금속 주변으로 불활성 가스가 분사되는 것을 특징으로 하는 용융 금속 토출 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 용융 금속 토출 유니트의 토출부는 제 2 블록의 내부 공간에 배치되어 외부에서 공급된 용융 금속을 저장하고 저장된 용융 금속을 노즐부로 공급하는 용융 금속 저장조를 더 포함하는 용융 금속 토출 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 불활성 가스 공급 유니트는;
    단열 부재로 이루어지며, 내부에는 한 종단이 토출부의 노즐부와 대응하는 공간이 형성되고, 상부에는 외부의 불활성 가스 공급 수단에 연결된 불활성 가스 공급구가 설치되어 있는 블록; 및
    블록의 내부 공간에 배치된 가열 수단을 포함하여,
    블록의 내부 공간 내로 공급된 불활성 가스가 가열 수단에서 발생한 열에 의하여 설정된 온도를 유지된 상태로 용융 금속 토출 유니트의 토출부의 노즐부로 공급되는 용융 금속 토출 장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 용융 금속 토출 유니트의 노즐부는,
    제 1 블록과 제 2 블록 내에 지지된 상태로 배치된 노즐 블록;
    노즐 블록 내에 위치한 노즐을 포함하되,
    노즐의 상단은 토출부의 용융 금속 유로에 대응하여 가압된 용융 금속이 노즐로 유입된 후 외부로 토출되며,
    노즐 블록과 노즐 사이에는 종단이 외부로 노출된 유로가 형성되며, 이 유로는 불활성 가스 공급 유니트의 블록의 내부 공간과 유체 연결되어 노즐에서 토출되는 용융 금속의 주변으로 불활성 가스가 분사되는 용융 금속 토출 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 노즐 블록과 노즐 사이에 형성된 유로는 노즐의 전체 주변에 걸쳐 형성되어 토출되는 용융 금속을 설정 온도로 유지시킬 수 있는 용융 금속 토출 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 용융 금속을 설정된 온도 상태로 저장하고 용융 금속 토출 유니트에 용융 금속을 공급하는 용융 금속 저장 유니트를 더 포함하되,
    용융 금속 저장 유니트는,
    단열 부재로 이루어진 제 1 블록;
    제 1 블록 내에 위치하고, 열 전도 부재로 이루어지며, 어느 한 영역 내에는 가열 수단이 장착된 제 2 블록;
    제 2 블록 내에 설치되며, 외부에서 공급된 용융 금속을 저장이 저장하는 용융 금속 저장 탱크; 및
    용융 금속 저장 탱크와 용융 금속 저장 유니트를 유체 연결하여 용융 금속을 용융 금속 저장 유니트의 노즐부로 공급하는 연결 블록을 포함하여,
    용융 금속 저장 탱크 내의 용융 금속은 제 2 블록에 장착된 가열 수단에서 발생된 열에 의하여 용융 상태를 유지하는 용융 금속 토출 장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 용융 금속 저장 탱크는 밀폐 부재에 의하여 상단 개방부가 밀폐되며, 밀폐 부재에는 외부의 불활성 가스 공급 수단과 연결된 불활성 가스 공급구가 설치되어 외부에서 공급된 불활성 가스가 용융 금속 저장 탱크에 존재할 수 있는 공기에 의하여 용융 금속이 산화되는 것을 억제하는 용융 금속 토출 장치.
  9. 제 7 항에 있어서, 연결 블록은,
    용융 금속 토출 유니트의 용융 금속 저장조와 용융 금속 저장 탱크를 연결하는 배관; 및
    용융 금속 저장 유니트의 제 1 블록과 제 2 블록을 관통한 상태로 연장되며, 그 종단부는 용융 금속 토출 유니트의 제 1 블록과 제 2 블록을 관통하여 배관을 지지하는 배관 홀더를 포함하는 용융 금속 토출 장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    용융 금속 토출 유니트의 제 2 블록, 용융 금속 저장 유니트의 제 2 블록 및 불활성 가스 공급 유니트의 블록에 각각 장착되어 용융 금속 토출 유니트로 공급되는 용융 금속의 온도, 용융 금속 저장 탱크 내의 용융 금속의 온도 및 노즐부로 공급되는 불활성 가스의 온도를 각각 측정하는 온도 센서;
    온도 센서와 전기적으로 연결되며, 온도 센서와 각각 대응하는 가열 수단의 작동을 각각 제어하는 컨트롤러를 더 포함하는 용융 금속 토출 장치.
  11. 제 1 항 또는 제 7 항에 있어서,
    수평 베이스;
    수평 베이스에 일체화된 수직 베이스;
    수평 베이스 상에 제 1 구동부에 의하여 수평의 제 1 방향으로 슬라이딩 가능한 상태로 설치된 제 1 슬라이더;
    제 1 슬라이더 상에 제 2 구동부에 의하여 제 1 방향과 직교하는 방향으로 슬라이딩 가능한 상태로 설치된 제 2 슬라이더; 및
    수직 베이스에 제 3 구동부에 의하여 수직 방향으로 슬라이딩 가능한 상태로 설치된 제 3 슬라이더를 포함하는 테이블을 더 포함하되,
    제 1 슬라이더 상에는 용융 금속이 토출되는 대상물이 고정적으로 장착되고, 용융 납 토출 유니트, 용융 납 저장 유니트 그리고 불활성 가스 공급 유니트의 조립체는 제 3 슬라이더에 고정적으로 배치되어 대상물의 소정 영역이 용융 금속 토출 유니트의 노즐부의 하부에 정확하게 위치시키고 노즐부의 노즐의 토출구 종단과 대상물 표면 사이의 거리를 조절하는 용융 금속 토출 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008109034A (ja) * 2006-10-27 2008-05-08 Koki Tec Corp はんだ噴流ノズル及びはんだ付け装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008109034A (ja) * 2006-10-27 2008-05-08 Koki Tec Corp はんだ噴流ノズル及びはんだ付け装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150104795A (ko) * 2014-03-06 2015-09-16 이구환 대용량 디스펜서액 공급구조를 갖는 디스펜서
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