KR101347030B1 - Semiconductor package sliming apparatus and method of the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 연마지석으로 반도체 패키지를 가압한 상태에서 목표 연마량을 한번에 연마함으로써 균일하게 연마할 수 있는 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 반도체 패키지를 슬림화하는 장치는 상기 반도체 패키지가 흡착되는 테이블; 상기 테이블에 흡착된 반도체 패키지를 연마하는 연마지석; 및 상기 반도체 패키지의 연마량을 설정하는 연마량 설정수단;을 포함한다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor package slimming apparatus and method, and more particularly, to a semiconductor package slimming apparatus and method that can be uniformly polished by polishing a target polishing amount at a time while the semiconductor package is pressed with an abrasive grinding paper.
An apparatus for slimming a semiconductor package according to the present invention includes a table on which the semiconductor package is adsorbed; A grinding wheel for polishing the semiconductor package adsorbed on the table; And polishing amount setting means for setting the polishing amount of the semiconductor package.

Description

반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법{SEMICONDUCTOR PACKAGE SLIMING APPARATUS AND METHOD OF THE SAME}Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor package slimming apparatus and method,

본 발명은 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 연마지석으로 반도체 패키지를 가압한 상태에서 목표 연마량을 한번에 연마함으로써 균일하게 연마할 수 있는 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor package slimming apparatus and method, and more particularly, to a semiconductor package slimming apparatus and method that can be uniformly polished by polishing a target polishing amount at a time while the semiconductor package is pressed with an abrasive grinding paper.

최근 들어, 반도체 소자 제조 기술의 개발에 따라, 단시간 내에 보다 많은 데이터를 처리하기에 적합한 반도체소자를 갖는 반도체 패키지들이 개발되고 있다.In recent years, with the development of semiconductor device manufacturing technology, semiconductor packages having semiconductor devices suitable for processing more data in a short time have been developed.

반도체 패키지는 리드프레임 또는 인쇄회로기판과 같은 기판자재(Substrate)의 패드 상에 반도체칩을 다이본딩하고 리드프레임의 리드 또는 인쇄회로기판의 단자와 반도체칩을 와이어 본딩한 후, 상기 본딩된 반도체칩 및 와이어의 연결부위를 보호하기 위해 그 주위를 수지(Epoxy Molding Compound ; EMC)로 몰딩한 것을 가리킨다.A semiconductor package is manufactured by die bonding a semiconductor chip on a pad of a substrate material such as a lead frame or a printed circuit board and wire bonding the lead of the lead frame or the terminal of the printed circuit board and the semiconductor chip, And an epoxy molding compound (EMC) around the wire to protect the connection part of the wire.

도 1 및 도 2는 일반적인 반도체 패키지(100)를 도시한 것이다. 도시된 바와 같이, 인쇄회로기판(110)상에 반도체칩(120)이 와이어 본딩되고, 몰딩부(130)가 형성된 것을 알 수 있다. 반도체 칩(120)은 웨이퍼(121)와 와이어본더(122)를 포함한다. Figures 1 and 2 illustrate a typical semiconductor package 100. As shown in the figure, the semiconductor chip 120 is wire-bonded on the printed circuit board 110 and the molding part 130 is formed. The semiconductor chip 120 includes a wafer 121 and a wire bonder 122.

그러나, 적층된 반도체 칩(120)들의 신호전달을 위해 인쇄회로기판(110)이나 리드 프레임을 이용하고, 또한 반도체 칩(120)을 보호하기 위해 수지로 몰딩한 몰딩부(130)의 형성이 불가피해 반도체 패키지(100)의 전체 두께(t0)가 상승하는 문제가 있다.However, the use of the printed circuit board 110 or the lead frame for signal transmission of the stacked semiconductor chips 120 and the formation of the molding part 130 molded by resin for protecting the semiconductor chip 120 are inevitable The total thickness t0 of the semiconductor package 100 is increased.

최근에는 전자기기의 소형화(Minimization) 및 정보통신 기기의 두께 슬림(Slim)화 추세에 대응하기 어려운 문제점이 있다.
In recent years, there has been a problem in that it is difficult to cope with the trend of miniaturization of electronic devices and slimness of information communication devices.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 연마지석으로 반도체 패키지를 가압한 상태에서 목표 연마량을 한번에 연마함으로써 균일하게 연마할 수 있는 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법를 제공함에 있다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor package slimming apparatus and method which can be uniformly polished by polishing a target polishing amount at a time while the semiconductor package is pressed with an abrasive grind. have.

위와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 의한 반도체 패키지를 슬림화하는 장치는 상기 반도체 패키지가 흡착되는 테이블; 상기 테이블에 흡착된 반도체 패키지를 연마하는 연마지석; 및 상기 반도체 패키지의 연마량을 설정하는 연마량 설정수단;을 포함한다. In order to solve the above technical problem, an apparatus for slimming a semiconductor package according to the present invention includes a table on which the semiconductor package is adsorbed; A grinding wheel for polishing the semiconductor package adsorbed on the table; And polishing amount setting means for setting the polishing amount of the semiconductor package.

또한 상기 연마량 설정수단은 상기 연마지석을 승강하여 연마량을 설정하는 것이 바람직하다. In addition, it is preferable that the polishing amount setting means sets the polishing amount by lifting the polishing grindstone.

또한 상기 연마량 설정수단은 상기 반도체 패키지가 흡착된 테이블을 수평운동하면서 최종 목표 연마량을 한번에 연마하도록 연마량을 설정하는 것이 바람직하다. In addition, the polishing amount setting means preferably sets the polishing amount to polish the final target polishing amount at a time while horizontally moving the table on which the semiconductor package is adsorbed.

또한 상기 테이블 또는 연마지석을 수평왕복운동시키는 이송수단이 더 구비되는 것이 바람직하다. In addition, it is preferable that the transfer means for horizontal reciprocating movement of the table or abrasive grindstone.

또한 상기 연마지석은 상기 반도체 패키지의 몰딩면을 연마하는 것이 바람직하다. It is preferable that the abrasive wheel grinds the molding surface of the semiconductor package.

본 발명에 의한 반도체 패키지를 슬림화하는 방법은 1) 상기 반도체 패키지를 테이블에 진공흡착하는 단계; 2) 연마지석을 승강하여 연마량을 설정하는 단계; 및 3) 상기 테이블에 안착된 반도체 패키지를 연마지석으로 연마하는 단계;를 포함한다. The method for slimming the semiconductor package according to the present invention comprises the steps of: 1) vacuum-suctioning the semiconductor package on a table; 2) setting the polishing amount by lifting and lowering the abrasive grind; And 3) polishing the semiconductor package seated on the table with an abrasive grindstone.

또한 상기 2)단계는, 상기 반도체 패키지의 최종 목표 연마량을 한번에 연마할 수 있도록 연마량을 설정하는 것이 바람직하다.
In the step 2), it is preferable to set the polishing amount so that the final target polishing amount of the semiconductor package can be polished at once.

본 발명에 따르면, 연마지석으로 반도체 패키지를 가압한 상태에서 목표 연마량을 한번에 연마함으로써 균일하게 연마할 수 있는 효과가 있다. According to the present invention, there is an effect that the polishing can be uniformly carried out by polishing the target polishing amount at a time in the state in which the semiconductor package is pressed with the polishing grindstone.

이렇게 함으로써, 변형된 형태의 반도체 패키지를 연마할 경우에도 일정한 두께로 연마할 수 있는 것이다. In this way, even when the semiconductor package of the deformed form is polished, it can be polished to a certain thickness.

또한 반도체 패키지의 폭보다 더 큰 폭을 갖는 연마지석을 이용하여 반도체 패키지의 전면을 동시에 연마함으로써, 반도체 패키지 또는 연마지석의 폭 끝부분에서 발생하는 무리한 집중하중이 가해지는 것을 방지할 수 있다. In addition, by simultaneously polishing the entire surface of the semiconductor package using an abrasive grinding wheel having a width larger than the width of the semiconductor package, it is possible to prevent the excessive concentrated load generated at the end of the width of the semiconductor package or grinding abrasive.

또한 반도체 패키지의 몰딩면을 연마하여 반도체 패키지의 두께를 용이하게 감소시킬 수 있고, 그로 인해 반도체 패키지의 방열기능이 향상되는 효과도 있다.
Also, the thickness of the semiconductor package can be easily reduced by polishing the molding surface of the semiconductor package, thereby improving the heat radiation function of the semiconductor package.

도 1은 일반적인 반도체 패키지를 나타낸 것이다.
도 2는 도 1의 A-A선 단면도를 나타낸 것이다.
도 3 및 도 4는 본 발명에 의한 슬리밍장치를 나타낸 것이다.
도 5 내지 도 11은 본 발명에 의한 슬리밍장치의 사용상태를 나타낸 것이다. Figure 1 shows a typical semiconductor package.
2 is a sectional view taken along the line AA in Fig.
3 and 4 show a slimming apparatus according to the present invention.
5 to 11 show a state of use of the slimming device according to the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 슬리밍장치 및 방법을 설명한다. Hereinafter, a slimming apparatus and method according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명에 의한 슬리밍장치(1)는 테이블(10)과, 이송수단(30)과 연마수단(20)과 연마량 설정수단(40)을 포함한다. 3 and 4, the slimming device 1 according to the present invention includes a table 10, a conveying means 30, a polishing means 20 and a polishing amount setting means 40.

상기 테이블(10)은 반도체 패키지를 진공흡착하는 구성요소로서, 반도체 패키지보다 큰 면적을 갖는 플레이트 형태로서, 복수개의 진공홈(11)이 형성되어 있다. 또한 상기 진공홈(11)에는 복수의 진공홀(12)이 형성되어 있는데, 진공홀(12)은 진공압이 인가되는 진공수단(미도시)에 연결된다. The table 10 is a component for vacuum-adsorbing a semiconductor package, and has a plate shape having a larger area than the semiconductor package, and a plurality of vacuum grooves 11 are formed. A plurality of vacuum holes 12 are formed in the vacuum groove 11. The vacuum hole 12 is connected to a vacuum means (not shown) to which vacuum pressure is applied.

상기 이송수단(30)은 테이블(10)을 수평왕복운동시키는 구성요소이다. 상기 이송수단(30)은 상기 테이블(10)을 지지한 상태에서 구동원(미도시)에 의해 작동되어 안내부를 따라 수평왕복운동한다. The conveying means 30 is a component for horizontally reciprocating the table 10. The conveying means 30 is operated by a driving source (not shown) while supporting the table 10 and horizontally reciprocates along the guide portion.

상기 연마수단(20)은 상기 반도체 패키지를 연마하는 연마지석(21)과, 상기 연마지석(21)을 회전시키는 스핀들(22)을 포함한다. The polishing means 20 includes a polishing stone 21 for polishing the semiconductor package and a spindle 22 for rotating the polishing stone 21.

상기 연마량 설정수단(40)은 상기 반도체 패키지의 연마량을 설정하는 구성요소로서, 구체적으로 연마량에 따라 상기 연마지석(21)을 승강한다. 상기 연마량 설정수단(40)은 연마지석(21)을 승강하는 공지의 수단이 적용가능하다. 예를 들어 에어 실린더나 모터 등을 이용하여 연마지석(21)을 승강할 수 있다. The polishing amount setting means 40 is a component for setting the polishing amount of the semiconductor package. Specifically, the polishing grindstone 21 is moved up and down according to the polishing amount. The polishing amount setting means 40 may be a known means for moving the polishing grindstone 21 up and down. The polishing grindstone 21 can be raised and lowered by using, for example, an air cylinder or a motor.

한편, 본 실시예(1)에서는 이송수단(30)이 테이블(100을 수평왕복운동시키지만, 이와 달리 테이블은 고정되고 연마수단을 수평왕복운동시키는 것도 가능하다. 또한 이송수단은 LM가이드나 에어실린더 등 공지의 수단을 이용할 수 있다. In the present embodiment 1, although the table 100 is horizontally reciprocated by the transfer means 30, the table may be fixed and the polishing means may be reciprocated horizontally. Further, the transfer means may be an LM guide, Or the like can be used.

이하, 슬리밍장치의 작동상태 및 슬리밍방법을 설명한다. Hereinafter, the operation state of the slimming apparatus and the slimming method will be described.

도 5를 참조하면, 먼저, 반도체 패키지(100)를 테이블(10)에 진공흡착하고, 설정된 연마량에 따라 연마지석(21)을 하강한다. 이 상태에서 연마지석(21)을 회전하면서 테이블(10)을 수평이동시켜 반도체 패키지(100)를 연마하고 결과적으로 슬리밍하는 것이다. Referring to FIG. 5, first, the semiconductor package 100 is vacuum-adsorbed to the table 10, and the polishing grindstone 21 is lowered according to the set polishing amount. In this state, the table 10 is horizontally moved while the abrasive grind 21 is rotated, thereby polishing the semiconductor package 100 and consequently slimming.

도 6을 참조하면, 본 발명은 반도체 패키지(100)의 몰딩면을 연마하여 슬림화한다. 반도체 패키지(100)의 두께 감소량은 필요에 따라 설정할 수 있는데, 몰딩부(130) 이외에 경우에 따라서는 반도체칩(120)의 웨이퍼(121)의 일부를 연마하는 것도 가능하다. Referring to FIG. 6, in the present invention, the molding surface of the semiconductor package 100 is polished and slimmed. Although the thickness reduction amount of the semiconductor package 100 can be set as needed, it is also possible to grind a part of the wafer 121 of the semiconductor chip 120 in some cases other than the molding part 130.

반도체 패키지를 연마할 때, 목표 연마량을 복수번 나누어 연마할 수 있다. 도시된 바와 같이, 연마량 설정수단을 이용하여 1차적으로 연마지석을 하강하여 목표 연마량의 1/2에 해당하는 두께(t1)를 연마한 후, 연마지석을 다시 하강하여 최종 목표 연마량에 해당하는 두께(t2)를 연마하는 것이다.When polishing a semiconductor package, the target polishing amount can be divided and polished a plurality of times. As shown in the drawing, the grinding wheel is first lowered by using the grinding amount setting means to polish the thickness t1 corresponding to 1/2 of the target polishing amount, and then the grinding wheel is lowered again to reach the final target polishing amount. The thickness t2 is polished.

그러나 이와 같이 목표 연마량을 복수번 나누어 연마할 경우에는 반도체 패키지의 형태가 변형된 경우에는 연마 후 두께가 일정치 못하다는 문제점이 있다. However, in the case where the target polishing amount is divided and polished a plurality of times, there is a problem that the thickness after polishing is not constant when the shape of the semiconductor package is deformed.

도 7을 참조하면, 반도체 패키지(100)의 형태가 변형된 경우, 테이블에 흡착된 상태에서도 평탄하지 못하게 흡착된다. 이와 같이 흡착된 반도체 패키지(100)를 예를 들어 두 번에 나누어 연마하는 경우, 1차적으로 목표 연마량의 1/2의 두께(t3)를 연마할 때, 굴곡되어 상방으로 밴딩된 부분만 연마되게 된다. 다음으로 2차적으로 목표 연마량을 최종적으로 연마할 때는 동일한 두께(t4)로 연마된다(도 7의 (a)참조). Referring to FIG. 7, when the shape of the semiconductor package 100 is deformed, the semiconductor package 100 may be unevenly adsorbed even when adsorbed on the table. In the case where the adsorbed semiconductor package 100 is polished by dividing in two, for example, when polishing the thickness t3 of 1/2 of the target polishing amount first, only the bent and bent upward portion is polished. Will be. Next, in the final polishing of the target polishing amount, the polishing is performed to the same thickness t4 (see FIG. 7A).

따라서 결과적으로 도 7의 (b)와 같이 슬리밍 후 반도체 패키지(100)의 두께가 일정치 못한 문제가 발생된다. Therefore, as a result, as shown in FIG. 7B, the thickness of the semiconductor package 100 is not constant after slimming.

따라서 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여는 최종 목표 연마량만큼 한번에 연마할 수 있도록 연마량 설정수단(40)이 연마지석(21)을 하강시키고, 그에 따라 연마 중 연마지석(21)이 반도체 패키지(100)를 가압하는 힘에 의해 반도체 패키지(100)의 변형된 부분이 평탄하게 펴지게 되기 때문에 반도체 패키지(100)의 전체 두께가 일정하게 되는 것이다. Therefore, in order to solve such a problem, the polishing amount setting means 40 lowers the abrasive grind 21 so that the polishing target can be polished at the same time as the final target polishing amount. Since the deformed portion of the semiconductor package 100 is flattened by the force of pressing), the overall thickness of the semiconductor package 100 is constant.

도 8을 참조하면, 연마지석(21)의 폭이 반도체 패키지의 폭보다 작은 경우, 반도체 패키지(100)를 연마지석(21)의 폭에 따라 복수번 나누어 연마할 수 있다. 이 경우, 테이블(10)을 수평왕복운동시키는 이송수단 이외에 이송수단의 이송방향과 직교되는 방향으로 테이블(10)을 이동시키거나 또는 연마지석(21)을 전후진시키는 제2이송수단(미도시)이 별도로 구비되어야 한다. Referring to FIG. 8, when the width of the abrasive grind 21 is smaller than the width of the semiconductor package, the semiconductor package 100 may be divided and polished a plurality of times according to the width of the abrasive grind 21. In this case, in addition to the conveying means for horizontally reciprocating the table 10, a second conveying means (not shown) for moving the table 10 in the direction orthogonal to the conveying direction of the conveying means or advancing the grinding wheel 21 back and forth. ) Shall be provided separately.

그러나 이와 같이 연마지석(21)의 폭이 반도체 패키지의 폭보다 작은 경우, 도 9에 나타난 바와 같이, 연마지석(21)과 반도체 패키지(100)가 접촉되는 가장자리(p1,p2)에 무리한 집중하중이 가해져 반도체 패키지(100)가 손상될 수 있는 문제가 있다. 특히, 반도체 패키지(100)는 제조공정을 거치면서 굴곡이 생기는 등 형태가 변형되는 경우가 많은데, 이와 같이 형태가 변형된 반도체 패키지(100)를 연마할 때, 변형된 곳(p3)에서 연마지석(21)에서 가해지는 무리한 집중하중 때문에 손상되기도 한다. However, when the width of the abrasive grind 21 is smaller than the width of the semiconductor package as described above, as shown in FIG. 9, excessive concentrated load is applied to the edges p1 and p2 at which the abrasive grind 21 and the semiconductor package 100 come into contact with each other. As a result, there is a problem that the semiconductor package 100 may be damaged. In particular, the semiconductor package 100 is often deformed, such as bending occurs during the manufacturing process, when polishing the semiconductor package 100 deformed in this way, the abrasive grind in the deformed place (p3) It may be damaged by the excessive concentrated load applied in (21).

도 10 및 도 11을 참조하면, 연마지석의 폭(t5)은 상기 반도체 패키지의 폭(t6)보다 더 큰 것을 알 수 있다(t5>t6). 이와 같이 구성함으로써, 반도체 패키지(100)의 전체 면적을 동시에 연마할 수 있는 것이다. 이렇게 반도체 패키지(100)의 전체 면적을 동시에 연마함으로써, 반도체 패키지(100)의 변형된 곳 또는 연마지석(21)의 지석폭 끝부분에서 발생되는 무리한 집중하중이 가해지는 것을 방지할 수 있고, 그로 인해 반도체 패키지(100)의 손상을 방지할 수 있는 것이다. 10 and 11, it can be seen that the width t5 of the abrasive wheel is larger than the width t6 of the semiconductor package (t5 > t6). With this configuration, the entire area of the semiconductor package 100 can be simultaneously polished. By polishing the entire area of the semiconductor package 100 at the same time, it is possible to prevent an excessive excessive concentrated load generated at the deformed portion of the semiconductor package 100 or the grinding wheel 21 of the abrasive wheel 21, The semiconductor package 100 can be prevented from being damaged.

본 실시예에서는 인쇄회로기판 상에 반도체칩이 실장된 반도체 패키지를 슬리밍하는 장치 및 방법을 설명하였으나, 본 발명에 의한 슬리밍장치 및 방법은 반도체칩이 리드프레임상에 실장된 반도체 패키지의 슬리밍에도 동일하게 적용할 수 있는 것은 당연하다.
In the present embodiment, an apparatus and a method for slimming a semiconductor package mounted with a semiconductor chip on a printed circuit board have been described. However, the slimming apparatus and method according to the present invention are also applicable to slimming of a semiconductor package mounted on a lead frame It is natural that it can be applied to.

1: 슬리밍장치 10: 테이블
11: 진공홈 12: 진공홀
20: 연마수단 21: 연마지석
22: 스핀들 30: 이송수단
40: 연마량 설정수단1: Slimming device 10: Table
11: Vacuum groove 12: Vacuum hole
20: Polishing means 21: Polishing stone
22: spindle 30: conveying means
40: polishing amount setting means

Claims (7)

반도체 패키지를 슬림화하는 장치에 있어서,
상기 반도체 패키지가 흡착되는 테이블;
상기 테이블에 흡착된 반도체 패키지의 몰딩면 또는 웨이퍼의 두께 일부를 연마하는 연마지석; 및
상기 연마지석을 승강하여 상기 반도체 패키지의 연마량을 설정하는 연마량설정수단;을 포함하며,
상기 연마량 설정수단은 최종 목표 연마량을 한번에 연마하도록 연마량을 설정하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 슬리밍장치.

An apparatus for slimming a semiconductor package,
A table on which the semiconductor package is adsorbed;
A grinding wheel for polishing a part of a thickness of a molding surface or a wafer of the semiconductor package adsorbed on the table; And
And polishing amount setting means for raising and lowering the polishing grind to set the polishing amount of the semiconductor package.
And the polishing amount setting means sets the polishing amount to polish the final target polishing amount at one time.

삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 테이블 또는 연마지석을 수평왕복운동시키는 이송수단이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 슬리밍장치.


The method of claim 1,
And a transfer means for horizontally reciprocating the table or abrasive grind.


삭제delete 반도체 패키지를 슬림화하는 방법에 있어서,
1) 상기 반도체 패키지를 테이블에 진공흡착하는 단계;
2) 연마지석을 승강하여 상기 반도체 패키지의 최종 목표 연마량을 한번에 연마할 수 있도록 연마량을 설정하는 단계; 및
3) 상기 테이블에 안착된 반도체 패키지의 몰딩면 또는 웨이퍼의 두께 일부를 연마지석으로 연마하는 단계;를 포함하는 반도체 패키지 슬리밍방법.

In the method of slimming the semiconductor package,
1) vacuum adsorbing the semiconductor package on a table;
2) setting the polishing amount to raise and lower the abrasive grind so that the final target polishing amount of the semiconductor package can be polished at once; And
3) polishing the molding surface of the semiconductor package seated on the table or a part of the thickness of the wafer with an abrasive grinding paper.

삭제delete
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