KR20200038852A - Method for grinding rectangular substrate - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 직사각형 기판의 연삭 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for grinding a rectangular substrate.
반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서는, LSI 등의 회로가 형성된 복수의 반도체 칩이 프린트 기판 등에 마운트되어, 반도체 칩의 전극이 기판의 전극에 본딩 접속된 후, 수지에 의해 표면 또는 이면이 밀봉됨으로써 CSP(Chip Size Package) 기판 등의 패키지 기판이 형성된다.In the manufacturing process of a semiconductor device, a plurality of semiconductor chips on which circuits such as LSI or the like are mounted are mounted on a printed board or the like, and after the electrodes of the semiconductor chips are bonded and connected to the electrodes of the substrate, the surface or the back surface is sealed with resin to produce CSP ( Chip Size Package) A package substrate such as a substrate is formed.
최근의 전자 기기의 소형화·박형화에 따라, 반도체 디바이스도 소형화·박형화가 갈망되고 있고, 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서, 반도체 칩이 수지 밀봉된 패키지 기판의 수지 밀봉면을 연삭하여 박화하여 제조된다. 이러한 패키지 기판은 직사각형(정방형 및 장방형)으로 형성되는 것도 있고, 직사각형 기판의 연삭에서는, 척 테이블에 흡인 유지된 직사각형 기판의 상면에 대하여, 회전하는 연삭 지석을 접촉시킨다. 그리고, 직사각형 기판이 원하는 두께가 될 때까지 연삭 지석에 의한 연삭이 계속된다.2. Description of the Related Art With the recent miniaturization and thinning of electronic devices, semiconductor devices are also desired to be miniaturized and thinned, and in the manufacturing process of semiconductor devices, a semiconductor chip is manufactured by grinding and thinning the resin sealing surface of a resin-encapsulated package substrate. Some of these package substrates may be formed in a rectangular shape (square and rectangular), and in grinding of a rectangular substrate, a rotating grinding wheel is brought into contact with an upper surface of a rectangular substrate held by a chuck table. Then, grinding by the grinding wheel continues until the rectangular substrate has a desired thickness.
연삭 대상이 되는 직사각형 기판에 있어서는, 연삭 중에 접촉하는 연삭 지석의 연삭 면적(연삭 지석이 직사각형 기판에 닿는 면적)이 직사각형 기판 내에서 넓어지거나 좁아지거나 크게 상위하게 된다. 이러한 상위에 의해, 직사각형 기판에 대한 연삭 부하도 변화하여, 직사각형 기판에 대한 연삭 지석의 연삭 면적이 넓게 되어 있는 상태에 있어서는 연삭 부하가 커져 연삭력이 저하하여 연삭 후의 직사각형 기판의 두께가 다른 곳보다 두꺼워지고, 직사각형 기판에 대한 연삭 지석의 연삭 면적이 좁아져 있는 상태에 있어서는 연삭 부하가 작아져 연삭력이 상승하여 연삭 후의 직사각형 기판의 두께가 다른 곳보다 얇아진다.In the rectangular substrate to be ground, the grinding area (the area where the grinding wheel contacts the rectangular substrate) of the grinding wheel contacting during grinding becomes wider, narrower, or significantly different from the rectangular substrate. Due to this difference, the grinding load on the rectangular substrate also changes, and in a state where the grinding area of the grinding wheel for the rectangular substrate is wide, the grinding load increases and the grinding force decreases, so that the thickness of the rectangular substrate after grinding is higher than that of other places. In the state where it becomes thick and the grinding area of the grinding wheel for the rectangular substrate is narrow, the grinding load becomes small and the grinding force increases, so that the thickness of the rectangular substrate after grinding becomes thinner than elsewhere.
이와 같이 직사각형 기판 내에서 연삭력에 변화가 생기기 때문에, 연삭 후의 직사각형 기판의 두께 편차가 크게 발생한다고 하는 문제가 있다. 특히, 직사각형의 기판은, 단변, 장변, 대각선의 길이의 차가 더욱 커지기 때문에, 직사각형 기판 내에서 연삭력에 변화가 더욱 크게 생기기 때문에, 연삭 후의 직사각형 기판의 두께 편차가 더욱 크게 발생한다고 하는 문제가 있다.As described above, since a change in the grinding force occurs in the rectangular substrate, there is a problem that the thickness deviation of the rectangular substrate after grinding is large. Particularly, since the difference between the lengths of the short sides, the long sides, and the diagonal lines of the rectangular substrate becomes larger, a change in the grinding force occurs more in the rectangular substrate, and thus there is a problem that the thickness variation of the rectangular substrate after grinding occurs more. .
이 문제에 대처하기 위해, 연삭 지석에 대하여 연삭 면적이 커지는 직사각형 기판의 대각선 방향으로 연삭 지석이 근접하며 척 테이블의 회전 속도를 고속화하고, 연삭 지석이 직사각형 기판의 대각선 방향으로부터 멀어지며 유지 테이블의 회전 속도를 저속화시켜, 단위 시간당의 연삭 면적을 동일화시킴으로써, 두께 변동을 억제하는 기술이 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).To cope with this problem, the grinding wheel is approached diagonally to a rectangular substrate having a large grinding area with respect to the grinding wheel, speeding up the rotational speed of the chuck table, the grinding wheel is moving away from the diagonal direction of the rectangular substrate, and the rotation of the holding table There is a technique of suppressing the thickness fluctuation by slowing the speed and equalizing the grinding area per unit time (for example, see Patent Document 1).
그러나, 특허문헌 1에 기재된 기술에서는, 연삭 장치가 척 테이블의 회전이나 연삭 지석의 회전 등에 대해서 복잡한 제어를 행할 필요가 있기 때문에 문제가 된다.However, in the technique described in Patent Literature 1, the grinding device is problematic because it is necessary to perform complicated control on the rotation of the chuck table, the rotation of the grinding wheel, and the like.
따라서, 직사각형 기판을 연삭하는 경우에 있어서는, 연삭 장치가 척 테이블의 회전 등에 대한 복잡한 제어를 행하지 않아도, 연삭 후의 직사각형 기판의 두께 편차를 작게 억제한다고 하는 과제가 있다.Therefore, in the case of grinding a rectangular substrate, there is a problem that the thickness variation of the rectangular substrate after grinding is suppressed small, even if the grinding device does not perform complicated control of rotation of the chuck table or the like.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명은, 직사각형 기판의 이면을 원하는 마무리 두께까지 연삭하는 직사각형 기판의 연삭 방법으로서, 연삭 유닛의 모터에 의해 회전 구동하는 스핀들에 장착된 연삭 지석에 의해, 척 테이블의 상기 직사각형 기판과 동일 형상의 직사각형의 유지면을 연삭하여, 상기 직사각형의 유지면의 변 또는 대각선의 길이가 상이한 것에 기인하는 상기 연삭 지석의 연삭 면적의 변화에 따라 상기 척 테이블의 유지면을 만곡면으로 형성하는 유지면 연삭 단계와, 상기 유지면 연삭 단계에서 연삭된 상기 척 테이블의 유지면에 상기 직사각형 기판의 표면을 유지하는 유지 단계와, 상기 연삭 유닛에 장착된 연삭 지석에 의해 상기 척 테이블의 유지면에 유지된 상기 직사각형 기판의 이면을 만곡면의 상태로 연삭하는 직사각형 기판 연삭 단계를 포함하고, 상기 직사각형 기판을 연삭할 때에 발생하는 연삭 면적 차이에 기인하는 상기 이면의 만곡을, 상기 유지면 연삭 단계에 있어서 상기 직사각형 기판과 동일 형상의 직사각형의 상기 유지면을 구비한 척 테이블의 상기 유지면에 미리 동일하게 형성함으로써, 연삭 후의 상기 직사각형 기판의 두께 정밀도를 향상시키는 것을 특징으로 하는 직사각형 기판의 연삭 방법이다.The present invention for solving the above problems is a method of grinding a rectangular substrate for grinding a back surface of a rectangular substrate to a desired finish thickness, by a grinding wheel mounted on a spindle that is rotationally driven by a motor of a grinding unit, the chuck table above Grinding the rectangular holding surface of the same shape as the rectangular substrate, the holding surface of the chuck table as a curved surface according to the change in the grinding area of the grinding wheel due to the difference in the length of the sides or diagonals of the rectangular holding surface. A holding surface grinding step to form, a holding step of holding the surface of the rectangular substrate on a holding surface of the chuck table ground in the holding surface grinding step, and holding the chuck table by a grinding wheel mounted on the grinding unit The rectangular substrate grinding which grinds the back surface of the said rectangular board | substrate hold | maintained on the surface in the state of a curved surface. A chuck table comprising a step, the curvature of the back surface resulting from the difference in the grinding area generated when grinding the rectangular substrate, and the holding surface of a rectangle having the same shape as the rectangular substrate in the holding surface grinding step. It is a grinding method of a rectangular substrate characterized in that the thickness precision of the rectangular substrate after grinding is improved by forming the same on the holding surface in advance.
상기 척 테이블의 유지면은 상기 직사각형 기판과 동일 재질이면 바람직하다.The holding surface of the chuck table is preferably the same material as the rectangular substrate.
본 발명에 따른 직사각형 기판의 연삭 방법은, 연삭 유닛의 모터에 의해 회전 구동하는 스핀들에 장착된 연삭 지석에 의해, 척 테이블의 직사각형 기판과 동일 형상의 직사각형의 유지면을 연삭하여(셀프 그라인드하여), 직사각형의 변 또는 대각선의 길이가 상이한 것에 기인하는 연삭 지석의 연삭 면적의 변화에 따라 척 테이블의 유지면을 만곡면으로 형성하는 유지면 연삭 단계와, 유지면 연삭 단계에서 연삭된 척 테이블의 유지면에 직사각형 기판의 표면을 유지하는 유지 단계와, 연삭 유닛에 장착된 연삭 지석에 의해 척 테이블의 유지면에 유지된 직사각형 기판의 이면을 만곡면의 상태로 연삭하는 직사각형 기판 연삭 단계를 포함하기 때문에, 직사각형 기판을 연삭할 때에 발생하는 연삭 면적 차이에 기인하는 직사각형 기판의 이면의 만곡을, 유지면 연삭 단계에 있어서 직사각형 기판과 동일 형상의 직사각형의 유지면을 구비한 척 테이블의 유지면에 미리 동일하게 형성함으로써, 연삭 후의 직사각형 기판의 두께 정밀도를 향상시키는 것이 가능해진다.In the method of grinding a rectangular substrate according to the present invention, a grinding surface mounted on a spindle that is rotationally driven by a motor of a grinding unit is used to grind a rectangular holding surface of the same shape as a rectangular substrate of a chuck table (by self-grinding). , Holding surface grinding step of forming the holding surface of the chuck table as a curved surface according to the change in the grinding area of the grinding wheel due to the difference in the length of the side or diagonal of the rectangle, and holding the chuck table ground in the holding surface grinding step Since it comprises a holding step of holding the surface of the rectangular substrate on the surface, and a grinding step of grinding the rectangular substrate held on the holding surface of the chuck table by the grinding wheel mounted on the grinding unit in a state of curved surface. , The curvature of the back surface of the rectangular substrate due to the difference in the grinding area that occurs when grinding the rectangular substrate, When it is possible that by forming in a rectangular substrate and in advance the same at a holding surface of a chuck table having a holding surface of the same shape in a rectangular grinding stage, improve the thickness accuracy of the rectangular substrate after the grinding.
척 테이블의 유지면을 직사각형 기판과 동일 재질로 함으로써, 직사각형 기판 연삭 단계에 있어서, 직사각형 기판을 연삭할 때의 연삭 가공 조건을 유지면 연삭 단계에 있어서의 연삭 가공 조건과 동일하게 설정할 수 있기 때문에, 더욱 직사각형 기판 연삭 단계를 원활 또한 용이하게 실시하는 것이 가능해진다.Since the holding surface of the chuck table is made of the same material as the rectangular substrate, in the rectangular substrate grinding step, the grinding processing conditions when grinding the rectangular substrate can be set to be the same as the grinding processing conditions in the holding surface grinding step. Further, it becomes possible to smoothly and easily carry out the rectangular substrate grinding step.
도 1의 (A)는 척 테이블의 일례를 나타내는 평면도. 도 1의 (B)는 척 테이블의 일례를 나타내는 사시도.
도 2의 (A)는 유지면 연삭 단계를 설명하기 위한 볼록부의 폭 방향으로 척 테이블 및 연삭 유닛을 본 측면도. 도 2의 (B)는 유지면 연삭 단계를 설명하기 위한 볼록부의 길이 방향으로 척 테이블 및 연삭 유닛을 본 측면도.
도 3의 (A)는 유지면 연삭 단계 실시 후의 척 테이블의 볼록부를 폭 방향으로 본 측면도. 도 3의 (B)는 유지면 연삭 단계 실시 후의 척 테이블의 볼록부를 길이 방향으로 본 측면도.
도 4의 (A)는 직사각형 기판 연삭 단계를 설명하기 위한 볼록부의 폭 방향으로 직사각형 기판을 유지한 척 테이블 및 연삭 유닛을 본 측면도. 도 4의 (B)는 직사각형 기판 연삭 단계를 설명하기 위한 볼록부의 길이 방향으로 직사각형 기판을 유지한 척 테이블 및 연삭 유닛을 본 측면도이다.
도 5는 종래의 직사각형 기판의 연삭 방법에 있어서의 문제점을 설명하기 위한 사시도.1A is a plan view showing an example of a chuck table. 1B is a perspective view showing an example of a chuck table.
Figure 2 (A) is a side view of the chuck table and the grinding unit in the width direction of the convex portion for explaining the holding surface grinding step. Figure 2 (B) is a side view of the chuck table and the grinding unit in the longitudinal direction of the convex portion for explaining the holding surface grinding step.
3A is a side view of the convex portion of the chuck table in the width direction after the holding surface grinding step is performed. 3B is a side view of the convex portion of the chuck table after the holding surface grinding step is performed in the longitudinal direction.
4A is a side view of the chuck table and the grinding unit holding the rectangular substrate in the width direction of the convex portion for explaining the step of grinding the rectangular substrate. 4B is a side view of the chuck table and the grinding unit holding the rectangular substrate in the longitudinal direction of the convex portion for explaining the rectangular substrate grinding step.
5 is a perspective view for explaining a problem in a conventional rectangular substrate grinding method.
이하에, 본 발명에 따른 직사각형 기판의 연삭 방법의 각 단계에 대해서 설명한다.Hereinafter, each step of the method for grinding a rectangular substrate according to the present invention will be described.
(1) 유지면 연삭 단계(1) Grinding stage
도 1의 (A), (B)에 나타내는 척 테이블(3)은, 예컨대 그 외형이 원형 판형이며 수지 또는 합금 등으로 이루어지는 베이스부(30)를 구비하고 있고, 베이스부(30)의 상면에, 평면에서 보아 직사각 형상의 볼록부(31) 및 볼록부(32)가 돌출 설치되어 있다. 또한, 직사각 형상이란, 정방 형상 및 직방 형상을 포함한다. 본 실시형태에 있어서는, 볼록부(31)와 볼록부(32)가 베이스부(30)의 상면에 볼록부(31) 및 볼록부(32)의 폭 방향(X축 방향)으로 정해진 간격을 두고 2개 배치되어 있지만, 예컨대, 직사각 형상의 볼록부가 베이스부(30)의 상면에 4개 또는 6개로 수평면(X축 Y축 평면) 방향으로 등간격으로, 또는 1개 배치되어 있어도 좋다.The chuck table 3 shown in FIGS. 1 (A) and 1 (B) has, for example, a circular plate shape having a
예컨대, 볼록부[31(32)]의 폭 방향 길이는 69 ㎜이고, 길이 방향 길이는 232 ㎜로 되어 있다.For example, the length in the width direction of the convex portion 31 (32) is 69 mm, and the length in the length direction is 232 mm.
예컨대, 볼록부[31(32)]는 수지 또는 합금 등의 재료로 이루어지고, 두께 방향으로 복수의 흡인홈이나 복수의 흡인 구멍이 관통 형성되고, 상기 흡인홈이나 흡인 구멍은 베이스부(30) 내에 형성된 유로를 통해 도시하지 않는 흡인원에 연통한다. 그리고, 흡인원이 흡인함으로써 생겨난 흡인력이, 흡인홈이나 흡인 구멍을 통한 볼록부[31(32)]의 상면인 유지면[31a(32a)]에 전달됨으로써, 척 테이블(3)은 유지면[31a(32a)] 상에서 직사각형 기판(W)을 흡인 유지한다.For example, the convex portion 31 (32) is made of a material such as resin or alloy, and a plurality of suction grooves or a plurality of suction holes are formed through the thickness direction, and the suction groove or the suction hole is a
도 1의 (A), (B)에 있어서는, 척 테이블(3)의 유지면(31a) 및 유지면(32a)은 연삭되기 전의 상태이며, 대략 평탄면으로 되어 있다.In FIGS. 1A and 1B, the
볼록부[31(32)]의 구성은 상기 예에 한정되는 것이 아니다. 볼록부[31(32)]는, 예컨대 포러스 부재 등으로 이루어져 직사각형 기판(W)을 흡착 유지하는 직사각형 판형의 흡착부와, 흡착부가 끼워 넣어진 상태로 흡착부를 둘러싸 지지하는 프레임체를 구비하고 있어도 좋다. 흡착부는 베이스부(30) 내에 형성된 유로를 통해 도시하지 않는 흡인원에 연통하여, 흡인원이 흡인함으로써 생겨난 흡인력이, 흡착부의 노출면[볼록부[31(32)]의 상면]인 직사각 형상의 유지면[31a(32a)]에 전달됨으로써, 척 테이블(3)은 2개의 유지면(31a) 및 유지면(32a) 상에서 각각 직사각형 기판(W)을 흡인 유지한다.The configuration of the convex portion 31 (32) is not limited to the above example. The convex portion 31 (32) may be provided with, for example, a rectangular plate-shaped adsorption unit for holding and retaining the rectangular substrate W made of a porous member or the like, and a frame body surrounding and supporting the adsorption unit in a state where the adsorption unit is fitted. good. The adsorption portion communicates with a suction source (not shown) through a flow path formed in the
도 1의 (A), (B)에 나타내는 직사각형 기판(W)은, 본 실시형태에 있어서는, 볼록부[31(32)]의 유지면[31a(32a)]과 동일 재질의 수지 또는 합금으로 이루어지는 기판이다. 직사각형 기판(W)은, 예컨대 IC, LSI 등의 집적 회로가 형성된 칩이 수지에 의해 패키징된 CSP(Chip Size Package), QFN(Quad Flat NON-Leaded Package) 등의 직사각형 기판이나, 유리나 사파이어 등의 경질 취성재의 기판이어도 좋다.The rectangular substrate W shown in Figs. 1A and 1B is made of resin or alloy of the same material as the
도 2의 (A), (B)에 나타내는 바와 같이, 본 발명에 따른 직사각형 기판의 연삭 방법에 있어서는, 먼저 척 테이블(3)이 평탄한 유지면(31a) 및 유지면(32a)을 연삭 유닛(2)의 연삭 지석(24a)으로 연삭한다.As shown in Figs. 2A and 2B, in the method for grinding a rectangular substrate according to the present invention, first, the chuck table 3 has a
연삭 유닛(2)은, 축 방향이 Z축 방향인 스핀들(21)과, 스핀들(21)을 회전 구동하는 모터(22)와, 스핀들(21)의 하단측에 연결된 마운트(23)와, 마운트(23)의 하면에 착탈 가능하게 장착된 연삭 휠(24)을 구비한다. 연삭 유닛(2)은, 도시하지 않는 연삭 이송 수단에 의해 Z축 방향으로 왕복 이동 가능하게 되어 있다.The
연삭 휠(24)은, 원환형의 휠 베이스(24b)와, 휠 베이스(24b)의 하면에 환형으로 복수 배치된 대략 직방체 형상의 연삭 지석(24a)을 구비하고 있다. 연삭 지석(24a)은, 예컨대 적절한 바인더로 다이아몬드 지립 등이 고착되어 성형되어 있다.The
연삭 휠(24)의 직경은, 예컨대 척 테이블(3)의 베이스부(30)의 반경보다 크고, 베이스부(30)의 직경보다 작게 설정되어 있다.The diameter of the grinding
예컨대, 스핀들(21)의 내부에는, 연삭수 공급원에 연통하여 연삭수의 통로가 되는 도시하지 않는 유로가, 스핀들(21)의 축 방향으로 관통하여 형성되어 있고, 유로는 연삭 휠(24)의 바닥면에 있어서 연삭 지석(24a)을 향하여 연삭수를 분출할 수 있도록 개구하고 있다.For example, inside the
도 2의 (A), (B)에 있어서, 척 테이블(3)은 연삭 유닛(2)에 대하여 상대적으로 Y축 방향으로 왕복 이동 가능하며, 척 테이블(3)의 중심을 통과하는 Z축 방향의 축심 둘레로 회전 가능하게 되어 있다.2 (A) and 2 (B), the chuck table 3 can reciprocate in the Y-axis direction relative to the grinding
유지면 연삭 단계에서는, 척 테이블(3)이, 연삭 유닛(2)의 아래까지 Y축 방향으로 이동하여, 연삭 유닛(2)에 구비하는 연삭 휠(24)과 볼록부(31)의 유지면(31a) 및 볼록부(32)의 유지면(32a)의 위치 맞춤이 이루어진다. 위치 맞춤은, 예컨대, 도 2의 (A), (B)에 나타내는 바와 같이, 연삭 휠(24)의 회전 중심이 척 테이블(3)의 회전 중심에 대하여 정해진 거리만큼 수평 방향으로 틀어져, 연삭 지석(24a)의 회전 궤도가 척 테이블(3)의 회전 중심을 통과하도록 행해진다.In the holding surface grinding step, the chuck table 3 moves in the Y-axis direction to the bottom of the grinding
여기서, 도 1의 (A), (B)에 있어서는, 상기한 바와 같이 연삭 유닛(2)에 구비하는 연삭 휠(24)과 볼록부(31)의 유지면(31a) 및 볼록부(32)의 유지면(32a)의 위치 맞춤이 이루어진 경우에, 유지면(31a) 및 유지면(32a)의 4변 또는 2개의 대각선의 길이가 상이한 것에 기인하는, 회전하는 연삭 지석(24a)의 연삭 면적[연삭 지석(24a)이 유지면[31a(32a)]에 닿는 면적]의 변화에 따라, 척 테이블(3)의 연삭되기 전의 대략 평탄한 유지면(31a) 및 유지면(32a)이 연삭 지석(24a)에 의해 어느 정도 연삭되기 쉬운지를, 색의 농담으로 나타내고 있다.Here, in Figs. 1A and 1B, as described above, the grinding
도 1의 (A), (B)에 있어서, 볼록부[31(32)]의 유지면[31a(32a)] 중에서 색이 상대적으로 짙은 부분은, 연삭 중에 유지면[31a(32a)]에 대한 연삭 지석(24a)의 연삭 면적이 넓어져 연삭 부하가 증가함으로써 연삭 지석(24a)의 연삭력이 저하하기 때문에, 연삭되기 어려운 부분을 나타내고 있다.In (A) and (B) of FIG. 1, a portion of the relatively dark color among the holding surfaces [31a (32a)] of the convex portions 31 (32) is attached to the holding surfaces [31a (32a)] during grinding. Since the grinding area of the
도 1의 (A), (B)에 있어서, 볼록부[31(32)]의 유지면[31a(32a)] 중에서 색이 상대적으로 옅은 부분은, 연삭 중에 유지면[31a(32a)]에 대한 연삭 지석(24a)의 연삭 면적이 좁아져 연삭 부하가 감소함으로써 연삭 지석(24a)의 연삭력이 높아지기 때문에, 연삭되기 쉬운 부분을 나타내고 있다.In (A) and (B) of FIG. 1, a portion of the relatively light color among the holding surfaces [31a (32a)] of the convex portions 31 (32) is attached to the holding surfaces [31a (32a)] during grinding. Since the grinding area of the
도 2의 (A), (B)에 나타내는 바와 같이, 모터(22)에 의해 스핀들(21)이 회전 구동됨에 따라, 연삭 휠(24)이 Z축 방향의 축심 둘레로 회전한다. 또한, 연삭 유닛(2)이 -Z 방향으로 강하해 가, 연삭 지석(24a)이 볼록부[31(32)]의 유지면[31a(32a)]에 접촉함으로써 연삭 가공이 행해진다. 연삭 중은, 척 테이블(3)도 Z축 방향의 축심 둘레로 회전하기 때문에, 연삭 지석(24a)이 볼록부[31(32)]의 유지면[31a(32a)]의 전체면의 연삭 가공을 행한다.As shown in Figs. 2A and 2B, as the
예컨대, 연삭 가공 중은, 연삭수를 스핀들(21) 중의 유로를 통하여 연삭 지석(24a)과 볼록부[31(32)]의 유지면[31a(32a)]의 접촉 부위에 대하여 공급하여, 접촉 부위를 냉각·세정한다.For example, during grinding, the grinding water is supplied through the flow path in the
정해진 시간 상기 연삭 가공을 실시함으로써, 도 3의 (A), (B)에 나타내는 바와 같이, 척 테이블(3)의 유지면(31a) 및 유지면(32a)의 4변 또는 2개의 대각선의 길이가 상이한 것에 기인하는, 회전하는 연삭 지석(24a)의 연삭 면적의 변화에 따라, 유지면(31a) 및 유지면(32a)이 만곡면으로 연삭된다. 이후, 만곡면이 된 유지면(31a)을 유지면(311a)으로 하고, 만곡면이 된 유지면(32a)을 유지면(322a)으로 한다.By performing the above-described grinding operation for a predetermined time, as shown in Figs. 3A and 3B, the lengths of four sides or two diagonal lines of the holding surfaces 31a and 32a of the chuck table 3 are maintained. The holding
그리고, 연삭 유닛(2)이 상승하여, 연삭 지석(24a)이 유지면(311a) 및 유지면(322a)으로부터 이격하여, 유지면 연삭 단계가 종료한다.Then, the grinding
도 3의 (A), (B)에 나타내는 만곡면인 유지면(311a) 및 유지면(322a)의 만곡의 방법은, 도 1의 (A), (B)에 나타내는 유지면(31a) 및 유지면(32a)의 연삭 지석(24a)에 의한 연삭의 되기 쉬움(되기 어려움)에 따라 정해지고 있다.The method of bending the holding
(2) 유지 단계(2) maintenance stage
다음에, 유지면 연삭 단계에서 연삭된 척 테이블(3)의 유지면(311a) 및 유지면(322a)에 2장의 직사각형 기판(W)의 표면(Wa)을 각각 유지한다. 즉, 도 4의 (A), (B)에 나타내는 바와 같이, 폭 방향 및 길이 방향을 맞추고, 또한 직사각형 기판(W)의 중심과 볼록부[31(32)]의 유지면[311a(322a)]의 중심이 대략 합치하도록 하여, 직사각형 기판(W)이 유지면[311a(322a)]에 배치된다. 그리고, 도시하지 않는 흡인원에 의해 생겨난 흡인력이, 유지면[311a(322a)]에 전달됨으로써, 척 테이블(3)이 유지면[311a(322a)]에서 직사각형 기판(W)을 흡인 유지한다.Next, the surface Wa of the two rectangular substrates W is held on the holding
흡인 유지된 직사각형 기판(W)은, 전체적으로 만곡면으로 되어 있는 유지면[311a(322a)]을 모방하여 그 이면(Wb)이 만곡면이 된다.The suction-held rectangular substrate W mimics the holding surface [311a (322a)] which is a curved surface as a whole, and its back surface Wb becomes a curved surface.
(3) 직사각형 기판 연삭 단계(3) rectangular substrate grinding step
다음에, 연삭 유닛(2)에 장착된 연삭 지석(24a)에 의해 척 테이블(3)의 유지면[311a(322a)]에 유지된 2장의 직사각형 기판(W)의 이면(Wb)을 만곡면의 상태로 연삭한다.Next, the curved surface of the back surface Wb of the two rectangular substrates W held on the holding
직사각형 기판 연삭 단계에서는, 척 테이블(3)이, 연삭 유닛(2)의 아래까지 Y축 방향으로 이동하여, 연삭 유닛(2)에 구비하는 연삭 휠(24)과 2장의 직사각형 기판(W)의 위치 맞춤이 이루어진다. 위치 맞춤은, 예컨대, 도 4의 (A), (B)에 나타내는 바와 같이, 연삭 휠(24)의 회전 중심이 척 테이블(3)의 회전 중심에 대하여 정해진 거리만큼 수평 방향으로 틀어져, 연삭 지석(24a)의 회전 궤도가 척 테이블(3)의 회전 중심을 통과하도록 행해진다.In the rectangular substrate grinding step, the chuck table 3 moves in the Y-axis direction to the bottom of the grinding
그리고, 도 4의 (A), (B)에 나타내는 바와 같이, 모터(22)에 의해 스핀들(21)이 회전 구동됨에 따라, 연삭 휠(24)이 Z축 방향의 축심 둘레로 회전한다. 또한, 연삭 유닛(2)이 -Z 방향으로 강하해 가, 연삭 지석(24a)이 각 직사각형 기판(W)의 이면(Wb)에 접촉함으로써 연삭 가공이 행해진다. 연삭 중은, 척 테이블(3)도 Z축 방향의 축심 둘레로 회전하기 때문에, 연삭 지석(24a)이 각 직사각형 기판(W)의 만곡한 상태의 이면(Wb)의 전체면의 연삭 가공을 행한다.Then, as shown in Figs. 4A and 4B, as the
예컨대, 연삭 가공 중은, 연삭수를 스핀들(21) 중의 유로를 통하여 연삭 지석(24a)과 각 직사각형 기판(W)의 만곡한 상태의 이면(Wb)의 접촉 부위에 대하여 공급하여, 접촉 부위를 냉각·세정한다.For example, during the grinding process, the grinding water is supplied through the flow path in the
본 실시형태에 있어서는 직사각형 기판(W)이, 볼록부[31(32)]의 유지면[311a(322a)]과 동일 재질의 수지 또는 합금으로 이루어지는 기판이기 때문에, 직사각형 기판 연삭 단계에서는, 앞서 실시한 유지면 연삭 단계에 있어서의 연삭 가공 조건[연삭 유닛(2)의 -Z 방향으로의 연삭 이송 속도, 연삭 휠(24)의 회전 속도 및 척 테이블(3)의 회전 속도 등]을 그대로 적용할 수 있다.In the present embodiment, since the rectangular substrate W is a substrate made of a resin or alloy of the same material as the holding
한편, 직사각형 기판(W)이, 볼록부[31(32)]의 유지면[311a(322a)]과 상이한 재질로 이루어지는 기판인 경우에는, 직사각형 기판 연삭 단계에서는, 앞서 실시한 유지면 연삭 단계에 있어서의 연삭 가공 조건[연삭 유닛(2)의 -Z 방향으로의 연삭 이송 속도, 연삭 휠(24)의 회전 속도 및 척 테이블(3)의 회전 속도 등]을 적절하게 변경한다.On the other hand, when the rectangular substrate W is a substrate made of a material different from the holding surface [311a (322a)] of the convex portion 31 (32), in the rectangular substrate grinding step, in the holding surface grinding step previously performed The grinding processing conditions of (grinding feed rate of the grinding
여기서, 예컨대 종래의 직사각형 기판의 연삭 방법과 같이, 도 5에 나타내는 연삭되지 않은 척 테이블(3)의 유지면[31a(32a)]에서 직사각형 기판(W)을 흡인 유지하여 직사각형 기판(W)의 이면(Wb)의 연삭을 행하는 경우의 문제점에 대해서 설명한다.Here, for example, as in the conventional method for grinding a rectangular substrate, the rectangular substrate W is sucked and held by the holding
도 5에 있어서는, 연삭 휠(24)의 회전 중심이 2장의 직사각형 기판(W)을 유지한 척 테이블(3)의 회전 중심에 대하여 정해진 거리만큼 수평 방향으로 틀어져, 연삭 지석(24a)의 회전 궤도가 척 테이블(3)의 회전 중심을 통과하도록 위치되어 있다. 이 상태로, 연삭 유닛(2)이 -Z 방향으로 강하해 가, 회전하는 연삭 지석(24a)이 각 직사각형 기판(W)의 이면(Wb)에 접촉함으로써 연삭 가공이 행해진다. 연삭 중은, 척 테이블(3)도 Z축 방향의 축심 둘레로 회전하기 때문에, 연삭 지석(24a)이 각 직사각형 기판(W)의 만곡한 상태의 이면(Wb)의 전체면의 연삭 가공을 행한다.In Fig. 5, the rotation center of the
도 5에 있어서는, 직사각형 기판(W)의 4변 또는 2개의 대각선의 길이가 상이한 것에 기인하는, 회전하는 연삭 지석(24a)의 연삭 면적[연삭 지석(24a)이 직사각형 기판(W)에 닿는 면적]의 변화에 따라, 직사각형 기판이 연삭 지석(24a)에 의해 어느 정도 연삭되기 쉬운지를 색의 농담으로 나타내고 있다.In FIG. 5, the grinding area of the
도 5에 있어서, 평탄한 유지면[31a(32a)]에서 유지된 직사각형 기판(W)의 이면(Wb)에서 색이 상대적으로 짙은 부분은, 연삭 지석(24a)의 연삭 면적이 넓어져 연삭 부하가 증가함으로써 연삭 지석(24a)의 연삭력이 저하하기 때문에, 연삭되기 어려운 부분을 나타내고 있다.In FIG. 5, the portion of the relatively dark color on the back surface Wb of the rectangular substrate W held on the
도 5에 있어서, 평탄한 유지면[31a(32a)] 중에서 색이 상대적으로 옅은 부분은, 유지면[31a(32a)]에 대한 연삭 지석(24a)의 연삭 면적이 좁아져 연삭 부하가 감소함으로써 연삭 지석(24a)의 연삭력이 높아지기 때문에, 연삭되기 쉬운 부분을 나타내고 있다.In FIG. 5, the portion of the flat holding surface [31a (32a)] that is relatively light in color reduces the grinding area of the
따라서, 종래의 직사각형 기판의 연삭 방법에서는, 연삭 후의 직사각형 기판(W)은, 이면(Wb)의 색이 짙은 부분은 두꺼워지고, 이면(Wb)의 색이 옅은 부분은 얇아져 연삭 두께의 균일성이 떨어지는, 즉 연삭 후의 직사각형 기판(W)에 연삭 지석(24a)의 연삭 면적 차이에 기인한 이면(Wb)의 만곡이 존재한다고 하는 문제가 생길 수 있다.Therefore, in the conventional method of grinding a rectangular substrate, the rectangular substrate W after grinding has a thick portion of the dark color of the back surface Wb, a thin portion of the color of the back surface Wb becomes thinner, and uniformity in grinding thickness. Falling, that is, a problem that the curvature of the back surface Wb due to the difference in the grinding area of the
한편, 본 발명에 따른 직사각형 기판의 연삭 방법에 있어서는, 연삭 유닛(2)의 모터(22)에 의해 회전 구동하는 스핀들(21)에 장착된 연삭 지석(24a)에 의해, 척 테이블(3)의 직사각형 기판(W)과 동일 형상의 직사각형의 유지면[31a(32a)]을 연삭하여, 직사각형의 유지면[31a(32a)]의 변 또는 대각선의 길이가 상이한 것에 기인하는 연삭 지석(24a)의 연삭 면적의 변화에 따라 척 테이블(3)의 유지면[31a(32a)]을 만곡면[311a(322a)]으로 형성하는 유지면 연삭 단계와, 유지면 연삭 단계에서 연삭된 척 테이블(3)의 유지면[311a(322a)]에 직사각형 기판(W)의 표면(Wa)을 유지하는 유지 단계와, 연삭 유닛(2)에 장착된 연삭 지석(24a)에 의해 척 테이블(3)의 유지면[311a(322a)]에 유지된 직사각형 기판(W)의 이면(Wb)을 만곡면의 상태로 연삭하는 직사각형 기판 연삭 단계를 구비하고, 직사각형 기판(W)을 연삭할 때에 발생하는 연삭 면적 차이에 기인하는 이면(Wb)의 만곡을, 유지면 연삭 단계에 있어서 직사각형 기판(W)과 동일 형상의 직사각형의 유지면[31a(32a)]을 구비한 척 테이블(3)의 유지면[31a(32a)]에 미리 동일하게 형성함으로써, 연삭 후의 직사각형 기판(W)의 두께 정밀도를 향상시키는 것이 가능해진다.On the other hand, in the grinding method of the rectangular substrate according to the present invention, the
즉, 직사각형 기판 연삭 단계에 있어서, 종래는 더욱 연삭되기 어렵던 직사각형 기판(W)의 이면(Wb) 중의 어떤 영역이, 연삭 지석(24a)의 연삭면에 대하여 다른 영역보다 상대적으로 상방으로 올려진 상태로, 또한 종래는 더욱 연삭되기 쉽던 직사각형 기판(W)의 이면(Wb) 중의 어떤 영역이, 연삭 지석(24a)의 연삭면에 대하여 다른 영역보다 상대적으로 하방으로 내려진 상태로, 연삭을 행해 갈 수 있다. 따라서, 직사각형 기판(W)의 이면(Wb) 중의 더욱 연삭되기 어렵던 영역은, 종래와 같이 척 테이블(3)이 평탄한 유지면[31a(32a)]에서 직사각형 기판(W)을 흡인 유지하여 연삭하는 경우보다, 본 발명에 따른 연삭 방법에 있어서의 경우 쪽이 연삭 지석(24a)으로 국소적으로 연삭되기 쉬워진다. 또한, 직사각형 기판(W)의 이면(Wb) 중의 더욱 연삭되기 쉽던 영역은, 종래와 같이 척 테이블(3)이 평탄한 유지면[31a(32a)]에서 직사각형 기판(W)을 흡인 유지하여 연삭하는 경우보다, 본 발명에 따른 연삭 방법에 있어서의 경우 쪽이 연삭 지석(24a)으로 국소적으로 연삭되기 어려워진다. 그 결과, 도 4의 (A), (B)에 나타내는 직사각형 기판(W)의 이면(Wb) 전체면에 균일한 연삭 가공이 실시되어 간다.That is, in the step of grinding the rectangular substrate, a certain area of the back surface Wb of the rectangular substrate W, which was conventionally more difficult to grind, is raised upward relative to the grinding surface of the
직사각형 기판(W)의 이면(Wb)이 직사각형 기판(W)이 원하는 마무리 두께가 될 때까지 연삭된 후, 연삭 유닛(2)이 상승하여, 연삭 지석(24a)이 2장의 직사각형 기판(W)으로부터 이격하여, 직사각형 기판 연삭 단계가 종료한다. 또한, 척 테이블(3)에 의한 직사각형 기판(W)의 흡인 유지가 해제됨으로써, 만곡한 유지면[311a(322a)]을 모방하도록 유지되어 있던 직사각형 기판(W)이, 유지면[311a(322a)] 상에서 이면(Wb)이 대략 평탄한 상태가 된다.After the back surface Wb of the rectangular substrate W is ground until the rectangular substrate W has a desired finish thickness, the grinding
또한, 본 발명에 따른 직사각형 기판의 연삭 방법은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니며, 또한, 첨부 도면에 도시되어 있는 연삭 유닛(2) 및 척 테이블(3)의 구성 등에 대해서도, 이에 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 발휘할 수 있는 범위 내에서 적절하게 변경 가능하다.In addition, the method for grinding a rectangular substrate according to the present invention is not limited to the above embodiment, and the configuration of the grinding
W: 직사각형 기판 Wa: 직사각형 기판의 표면
Wb: 직사각형 기판의 이면 3: 척 테이블
30: 베이스부 31, 32: 볼록부
31a, 32a: 유지면 311a, 322a: 만곡한 유지면
2: 연삭 유닛 21: 스핀들
22: 모터 23: 마운트
24: 연삭 휠 24a: 연삭 지석
24b: 휠 베이스W: Rectangular substrate Wa: Surface of rectangular substrate
Wb: Back side of the rectangular substrate 3: chuck table
30:
31a, 32a: holding
2: Grinding unit 21: Spindle
22: motor 23: mount
24: grinding
24b: wheel base
Claims (2)
연삭 유닛의 모터에 의해 회전 구동하는 스핀들에 장착된 연삭 지석에 의해, 척 테이블의 상기 직사각형 기판과 동일 형상의 직사각형의 유지면을 연삭하여, 상기 직사각형의 유지면의 변 또는 대각선의 길이가 상이한 것에 기인하는 상기 연삭 지석의 연삭 면적의 변화에 따라 상기 척 테이블의 유지면을 만곡면으로 형성하는 유지면 연삭 단계와,
상기 유지면 연삭 단계에서 연삭된 상기 척 테이블의 유지면에 상기 직사각형 기판의 표면을 유지하는 유지 단계와,
상기 연삭 유닛에 장착된 연삭 지석에 의해 상기 척 테이블의 유지면에 유지된 상기 직사각형 기판의 이면을 만곡면의 상태로 연삭하는 직사각형 기판 연삭 단계를 포함하고,
상기 직사각형 기판을 연삭할 때에 발생하는 연삭 면적 차이에 기인하는 상기 이면의 만곡을, 상기 유지면 연삭 단계에 있어서 상기 직사각형 기판와 동일 형상의 직사각형의 상기 유지면을 구비한 척 테이블의 상기 유지면에 미리 동일하게 형성함으로써, 연삭 후의 상기 직사각형 기판의 두께 정밀도를 향상시키는 것을 특징으로 하는 직사각형 기판의 연삭 방법.As a grinding method of a rectangular substrate for grinding the back surface of the rectangular substrate to a desired finish thickness,
With the grinding wheel mounted on the spindle rotationally driven by the motor of the grinding unit, the rectangular holding surface of the same shape as the rectangular substrate of the chuck table is ground, and the side or diagonal length of the rectangular holding surface is different. A holding surface grinding step of forming a holding surface of the chuck table as a curved surface according to a change in the grinding area of the grinding abrasive caused;
A holding step of holding the surface of the rectangular substrate on the holding surface of the chuck table ground in the holding surface grinding step;
And a rectangular substrate grinding step of grinding the back surface of the rectangular substrate held on the holding surface of the chuck table by a grinding wheel mounted on the grinding unit in a curved surface state,
The curvature of the back surface resulting from the difference in the grinding area that occurs when grinding the rectangular substrate is previously applied to the holding surface of a chuck table having the holding surface of a rectangular shape having the same shape as the rectangular substrate in the holding surface grinding step. By forming in the same manner, a rectangular substrate grinding method characterized by improving the thickness precision of the rectangular substrate after grinding.
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Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7228438B2 (en) * | 2019-03-27 | 2023-02-24 | 株式会社東京精密 | Substrate processing equipment |
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CN112548845B (en) * | 2021-02-19 | 2021-09-14 | 清华大学 | Substrate processing method |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6292958B2 (en) | 2014-04-18 | 2018-03-14 | 株式会社ディスコ | Grinding equipment |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000198069A (en) * | 1998-10-30 | 2000-07-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Work holding disc for polishing, manufacture of the same, and work polishing method and device thereof |
JP3623122B2 (en) * | 1999-02-12 | 2005-02-23 | 信越半導体株式会社 | Polishing work holding plate, work polishing apparatus, and work polishing method |
JP2001198809A (en) * | 2000-01-14 | 2001-07-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Polishing work holding board, polishing device and work polishing method |
EP1437767A1 (en) * | 2001-09-28 | 2004-07-14 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd | Grinding work holding disk, work grinding device and grinding method |
JP5003015B2 (en) | 2006-04-25 | 2012-08-15 | 東ソー株式会社 | Substrate grinding method |
JP4906445B2 (en) | 2006-09-01 | 2012-03-28 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
JP5184910B2 (en) * | 2008-02-13 | 2013-04-17 | 株式会社岡本工作機械製作所 | Substrate surface grinding machine |
JP5349910B2 (en) * | 2008-11-05 | 2013-11-20 | 株式会社ディスコ | Adsorption plate and production method of adsorption plate |
JP2015223665A (en) * | 2014-05-28 | 2015-12-14 | 株式会社ディスコ | Griding device and grinding method for rectangular substrate |
JP6305212B2 (en) * | 2014-05-28 | 2018-04-04 | 株式会社ディスコ | Grinding apparatus and rectangular substrate grinding method |
JP6370148B2 (en) * | 2014-07-30 | 2018-08-08 | 株式会社ディスコ | Holding jig generator |
JP6195677B2 (en) * | 2014-09-30 | 2017-09-13 | 富士フイルム株式会社 | Lens manufacturing method and lens holding device |
JP6423738B2 (en) | 2015-02-19 | 2018-11-14 | 株式会社ディスコ | Grinding equipment |
JP6751301B2 (en) * | 2016-03-14 | 2020-09-02 | 株式会社ディスコ | Grinding machine |
-
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Patent Citations (1)
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