JP2005117065A - Sealing method of electronic component - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sealing method of an electronic component which is excellent in cost, productivity and dimensional precision. <P>SOLUTION: An IC chip 7 which is an electronic component is mounted on a substrate 1 for mounting the electronic component. The whole IC chip 7 is coated by printing a resin 26 for sealing to the substrate 1 using a metal mask 5. Then, printed resin 26 for sealing is heat-cured. Then, the surface grinding of the top surface of the cured resin 26 for sealing with a surface grinding equipment 8 reduces the thickness of the resin 26 for sealing down to a predetermined thickness. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、電子部品の封止方法に関するものである。   The present invention relates to an electronic component sealing method.

従来、総厚の制限が厳しい半導体パッケージを製造するプロセスにおいては、電子部品搭載用基板上に搭載されたICチップやLSIチップ等の電子部品を外部の湿気から保護するために、樹脂による封止が行われることがある。   Conventionally, in the process of manufacturing a semiconductor package with severe restrictions on the total thickness, resin sealing is used to protect electronic components such as IC chips and LSI chips mounted on electronic component mounting boards from external moisture. May be performed.

樹脂による封止の方法としては、例えば、ICチップが搭載された基板を金型内にセットした状態でその中に封止用樹脂を注入し、樹脂を所定形状に成形する方法(トランスファ・モールド法)が知られている。   As a method for sealing with resin, for example, a method in which a substrate on which an IC chip is mounted is set in a mold and a sealing resin is injected therein and the resin is molded into a predetermined shape (transfer mold) Law) is known.

また、ICチップが搭載された基板上に一定厚みの封止枠を設け、その枠内にディスペンサ等により封止用樹脂を流し込む方法(ポッティング法)も知られている。
さらに、封止枠を使用しないポッティング法により形成された樹脂の上面を金属製の切削刃を持つ平削り盤等を用いて切削することによって、封止厚みを制御するという封止方法も行われている。
There is also known a method (potting method) in which a sealing frame having a constant thickness is provided on a substrate on which an IC chip is mounted, and a sealing resin is poured into the frame by a dispenser or the like.
Furthermore, a sealing method of controlling the sealing thickness by cutting the upper surface of the resin formed by the potting method without using a sealing frame with a planer or the like having a metal cutting blade is also performed. ing.

しかしながら、上記のトランスファ・モールド法には、専用の金型や成形を行うための大型の装置等が必要であることから、設備コストが高くなるという欠点がある。
ポッティング法には、封止枠が必要であるため基板の材料コストが高くなるという欠点がある。また、ディスペンサによる塗布であるため、一度に処理できる枚数が少なく、生産効率が悪いという欠点もある。
However, the above transfer molding method has a drawback that the equipment cost is increased because a dedicated die or a large-sized apparatus for performing molding is required.
Since the potting method requires a sealing frame, there is a drawback in that the material cost of the substrate becomes high. Moreover, since it is application | coating by a dispenser, there are also a fault that the number of sheets which can be processed at a time is small and production efficiency is bad.

ポッティング後に切削を行う方法には、ディスペンサに起因する生産効率の悪さに加えて、封止枠を使用しないことから封止用樹脂の厚み制御や範囲制御が充分にできず、製品の寸法精度が悪くなるという欠点がある。また、封止枠を用いないポッティング法であると樹脂がダレてしまい、どうしても樹脂の厚さばらつきが大きく(通常、±400μm〜±600μm程度)なってしまう。従って、多数個どり基板等の場合には切削すべき量が個々に異なり、充分な切削精度が得られない。その結果として、樹脂を所定の厚さに揃えることができないという欠点がある。   In addition to the poor production efficiency caused by the dispenser, the method of cutting after potting does not use a sealing frame, so the thickness control and range control of the sealing resin cannot be sufficiently performed, and the dimensional accuracy of the product is high. There is a drawback of getting worse. In addition, if the potting method does not use a sealing frame, the resin is sagged, and the thickness variation of the resin inevitably increases (usually about ± 400 μm to ± 600 μm). Therefore, in the case of a large number of substrates, etc., the amount to be cut differs individually, and sufficient cutting accuracy cannot be obtained. As a result, there is a drawback that the resin cannot be made to a predetermined thickness.

本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、その第1の目的は、コスト性、生産性及び寸法精度に優れた電子部品の封止方法を提供することにある。   The present invention has been made to solve the above problems, and a first object of the invention is to provide a method for sealing an electronic component that is excellent in cost, productivity, and dimensional accuracy.

上記の課題を解決するために、請求項1に記載の発明では、基板上に搭載された電子部品が被覆されるように同基板に対して封止用樹脂を印刷し、かつ封止用樹脂を硬化した後、硬化した封止用樹脂の上面を研削する電子部品の封止方法をその要旨としている。   In order to solve the above-described problems, in the invention according to claim 1, a sealing resin is printed on the substrate so that the electronic component mounted on the substrate is covered, and the sealing resin The gist of the method is to seal the electronic component by grinding the upper surface of the cured sealing resin.

特に請求項1において、封止されるべき電子部品の投影面積よりも大きな供給口が形成されたメタルマスクを基板上に配置し、スキージの移動によって封止用樹脂を電子部品搭載領域に印刷することもできる。さらに、研削については硬化した封止用樹脂の上面を平面研削装置を用いて研削することもできる。   In particular, in claim 1, a metal mask having a supply port larger than the projected area of the electronic component to be sealed is disposed on the substrate, and the sealing resin is printed on the electronic component mounting region by moving the squeegee. You can also. Further, for grinding, the upper surface of the cured sealing resin can be ground using a surface grinding apparatus.

180番手〜240番手の研磨材が表面に固着された研磨部材を用いて研削を行った後、320番手〜500番手の研磨材が表面に固着されたものを用いて研削を行うこともできる。また、電子部品搭載用基板上に電子部品を搭載した後、その電子部品を請求項1に記載の封止方法によって樹脂封止しかつ平面研削する半導体パッケージの製造方法もある。   After grinding using a polishing member having a 180th to 240th abrasive fixed to the surface, grinding can also be performed using a 320th to 500th abrasive fixed to the surface. There is also a method for manufacturing a semiconductor package in which an electronic component is mounted on an electronic component mounting substrate, and then the electronic component is resin-sealed and ground by the sealing method according to claim 1.

請求項2に記載の発明では、請求項1において、前記研削は、回転する研磨ベルトの表面に固着されている研磨材により行われる電子部品の封止方法をその要旨としている。
請求項3に記載の発明では、請求項1において、前記研削は、荒研削、仕上げ研削で行われる電子部品の封止方法をその要旨としている。
According to a second aspect of the present invention, the gist of the first aspect is a sealing method of an electronic component performed by an abrasive fixed to the surface of a rotating polishing belt.
According to a third aspect of the present invention, the gist of the first aspect of the present invention is based on a sealing method for electronic components performed by rough grinding or finish grinding.

請求項4に記載の発明では、請求項1において、前記研削は、封止用樹脂を硬化させた基板を真空引きにより密着させてから行われる電子部品の封止方法をその要旨としている。   According to a fourth aspect of the present invention, in the first aspect, the grinding is based on a method for encapsulating an electronic component that is performed after a substrate on which a sealing resin is cured is brought into close contact with a vacuum.

請求項1に記載の発明によると、厚さ方向及び平面方向の形成精度に優れた印刷法によって封止用樹脂の形成を行っていることから、封止用樹脂の厚さばらつきが小さくなる。よって、後工程において平面研削を容易にかつ高精度に行うことができる。   According to the first aspect of the present invention, since the sealing resin is formed by a printing method having excellent formation accuracy in the thickness direction and the planar direction, variations in the thickness of the sealing resin are reduced. Therefore, surface grinding can be easily and highly accurately performed in the subsequent process.

印刷法では、スキージの移動により供給口から封止用樹脂が押し出されることにより、基板上の電子部品搭載領域に所定量の封止用樹脂が転写されるよう改良しうる。このとき、メタルマスクの厚さや供給口の大きさをあらかじめ設定しておくことにより、封止用樹脂の印刷厚さや印刷範囲が制御されるようになる。   The printing method can be improved so that a predetermined amount of the sealing resin is transferred to the electronic component mounting region on the substrate by pushing the sealing resin from the supply port by the movement of the squeegee. At this time, by setting the thickness of the metal mask and the size of the supply port in advance, the printing thickness and printing range of the sealing resin can be controlled.

また、研削については、回転する研磨ベルトを基板に接触させると、研磨ベルトの表面に固着されている研磨材によって、封止用樹脂の上面が平らに削り取られるような改良も可能である。その結果、封止用樹脂が所定厚さに制御される。また、研削液を使用しない乾式の研削であるため、研削液を供給・循環する設備等が不要であり、かつ研削液による基板の汚れ等もない。   Further, with respect to grinding, when the rotating polishing belt is brought into contact with the substrate, an improvement can be made such that the upper surface of the sealing resin is scraped flat by the abrasive fixed to the surface of the polishing belt. As a result, the sealing resin is controlled to a predetermined thickness. In addition, since the grinding is a dry grinding method that does not use a grinding fluid, there is no need for equipment for supplying and circulating the grinding fluid, and there is no contamination of the substrate due to the grinding fluid.

また、まず番手の小さな粗い研磨材によって荒研削を行った後、それより番手の大きな細かい研磨材によって仕上げ研削が行われるような改良もできる。このような研削であると、研削精度が向上するばかりでなく研削能率も向上する。   In addition, it is possible to improve such that rough grinding is first performed with a coarse abrasive having a small count, and then finish grinding is performed with a fine abrasive having a greater count. Such grinding not only improves the grinding accuracy but also improves the grinding efficiency.

また、吸引孔及び連通孔を介して真空引きがなされることによって基板が板状治具に密着し、その結果として基板がテーブルの上面に確実に固定される。従って、回転する研磨ベルトによる研削を行う際に、高い研削精度が確保される。また、基板とテーブルとの間に板状治具を配置しているため、テーブルの上面に基板が直接的に触れることがない。   Moreover, the substrate is brought into close contact with the plate-shaped jig by being evacuated through the suction hole and the communication hole, and as a result, the substrate is securely fixed to the upper surface of the table. Therefore, high grinding accuracy is ensured when grinding with the rotating abrasive belt. In addition, since the plate-shaped jig is disposed between the substrate and the table, the substrate does not directly touch the upper surface of the table.

以上詳述したように、本発明の電子部品の封止方法によれば、印刷法により形成された封止用樹脂に対して平面研削が行われること等から、コスト性、生産性及び寸法精度を向上することができる。特に改良案として記載した(実施例2)の発明によると、基板が研削液に晒されないことから、平面研削工程において基板の構成材料に及ぼす影響を少なくすることができる。   As described above in detail, according to the electronic component sealing method of the present invention, since surface grinding is performed on the sealing resin formed by the printing method, cost, productivity, and dimensional accuracy are reduced. Can be improved. In particular, according to the invention of (Example 2) described as an improvement plan, since the substrate is not exposed to the grinding liquid, the influence on the constituent material of the substrate in the surface grinding step can be reduced.

〔実施例1〕
以下、本発明をICカード用の半導体パッケージの製造方法に具体化した一実施例を図1〜図8に基づき詳細に説明する。
[Example 1]
Hereinafter, an embodiment in which the present invention is embodied in a method for manufacturing a semiconductor package for an IC card will be described in detail with reference to FIGS.

本実施例では、電子部品搭載用基板1に対するダイボンディング工程、ワイヤボンディング工程及び樹脂封止工程(樹脂印刷工程、樹脂硬化工程及び平面研削工程)を行うことによって、半導体パッケージ2を製造している。各工程について詳しく説明する前に、まず樹脂封止工程において使用される器具・装置等の構成について述べる。   In this embodiment, the semiconductor package 2 is manufactured by performing a die bonding process, a wire bonding process, and a resin sealing process (resin printing process, resin curing process, and surface grinding process) on the electronic component mounting substrate 1. . Before describing each process in detail, first, the configuration of instruments, devices, etc. used in the resin sealing process will be described.

この実施例の樹脂封止工程は、主に樹脂印刷工程、樹脂硬化工程及び平面研削工程といった3つの工程からなる。
図3に示されるように、樹脂印刷工程では、樹脂を印刷するための手段として、一般的なスクリーン印刷機3が使用される。スクリーン印刷機3は、印刷時に電子部品搭載用基板1を固定するためのテーブル4、メタルマスク5及びスキージ6等を備えている。メタルマスク5の所定の箇所(即ち、基板1の電子部品搭載領域Rに対応する箇所)には、複数個の供給口5aが形成されている。各供給口5aは、いずれも封止されるべき電子部品であるICチップ7の投影面積(5mm×5mm=25mm)よりも大きくなっている。メタルマスク5の厚さは、ICチップ7をワイヤボンディングしたときのワイヤループの高さよりも幾分大きくなるように設定される。この実施例では、メタルマスク5の厚さは500μmに設定されている。ここでは、メタルマスク5の厚さや供給口5aの大きさをあらかじめ設定しておくことにより、樹脂の印刷厚さや印刷範囲が制御されるようになっている。
The resin sealing process of this embodiment mainly includes three processes such as a resin printing process, a resin curing process, and a surface grinding process.
As shown in FIG. 3, in the resin printing process, a general screen printer 3 is used as a means for printing the resin. The screen printing machine 3 includes a table 4, a metal mask 5, a squeegee 6, and the like for fixing the electronic component mounting substrate 1 during printing. A plurality of supply ports 5 a are formed at predetermined locations on the metal mask 5 (that is, locations corresponding to the electronic component mounting region R of the substrate 1). Each supply port 5a is larger than the projected area (5 mm × 5 mm = 25 mm 2 ) of the IC chip 7 which is an electronic component to be sealed. The thickness of the metal mask 5 is set to be somewhat larger than the height of the wire loop when the IC chip 7 is wire bonded. In this embodiment, the thickness of the metal mask 5 is set to 500 μm. Here, by setting the thickness of the metal mask 5 and the size of the supply port 5a in advance, the printing thickness and printing range of the resin are controlled.

図7には、平面研削工程において使用される湿式かつ砥石車式の平面研削装置8が概略的に示されている。この平面研削装置8は、砥石車9を備える砥石ヘッド10、ベルトコンベア11、砥石ヘッド駆動手段(図示略)、鉄板12を上面に有するテーブル13、真空ポンプ(図示略)、研削液循環パイプ14、板状治具としてのマグネットシート15等を備えている。   FIG. 7 schematically shows a wet grinding wheel type surface grinding apparatus 8 used in the surface grinding process. This surface grinding apparatus 8 includes a grinding wheel head 10 provided with a grinding wheel 9, a belt conveyor 11, a grinding wheel head driving means (not shown), a table 13 having an iron plate 12 on its upper surface, a vacuum pump (not shown), and a grinding fluid circulation pipe 14. And a magnet sheet 15 as a plate-like jig.

ベルトコンベア11上には、テーブル13が水平移動可能に載置されている。テーブル13の内部には、テーブル13の外部に設けられた真空ポンプに連通する真空引き用の通路13aが形成されている。テーブル13の上面には、平坦性に優れた鉄板12が固定されている。図6に示されるように、鉄板12には、断面略円形状をした複数の吸引孔16が規則的に形成されている。鉄板12の上面には、板状治具としての可撓性を有するマグネットシート(厚さ約1mm)15が磁力によって吸着されている。マグネットシート15は、例えば磁性粉を含む樹脂ペーストを樹脂やゴム製のベースの表面に塗布すること等によって作製される。このマグネットシート15も鉄板12と同様に平坦性に優れている。マグネットシート15は、その磁性面を下側に向けた状態で鉄板12上に配置される。   A table 13 is placed on the belt conveyor 11 so as to be horizontally movable. A evacuation passage 13 a communicating with a vacuum pump provided outside the table 13 is formed inside the table 13. An iron plate 12 having excellent flatness is fixed to the upper surface of the table 13. As shown in FIG. 6, a plurality of suction holes 16 having a substantially circular cross section are regularly formed in the iron plate 12. On the upper surface of the iron plate 12, a flexible magnet sheet (thickness of about 1 mm) 15 as a plate-like jig is adsorbed by a magnetic force. The magnet sheet 15 is produced, for example, by applying a resin paste containing magnetic powder to the surface of a resin or rubber base. The magnet sheet 15 is also excellent in flatness like the iron plate 12. The magnet sheet 15 is disposed on the iron plate 12 with its magnetic surface facing downward.

マグネットシート15には、電子部品搭載領域Rの下部と吸引孔16との間を連通させる複数の連通孔17が形成されている。従って、テーブル13上に鉄板12及びマグネットシート15を配置して真空引きを行うと、連通孔17、吸引孔16及び通路13aを介して空気が排出される。すると、基板1がマグネットシート15に密着し、その結果として基板1がテーブル13の上面に確実に固定されるようになっている。   The magnet sheet 15 is formed with a plurality of communication holes 17 that allow communication between the lower part of the electronic component mounting region R and the suction holes 16. Accordingly, when the iron plate 12 and the magnet sheet 15 are arranged on the table 13 and evacuation is performed, air is discharged through the communication hole 17, the suction hole 16, and the passage 13a. Then, the substrate 1 comes into close contact with the magnet sheet 15, and as a result, the substrate 1 is securely fixed to the upper surface of the table 13.

図5,図7に示されるように、ベルトコンベア11の上方には、所定の距離を隔てて、砥石車9を備える砥石ヘッド10が配置されている。砥石ヘッド10は、図示しない高さ調整機構によって、数μmオーダーで位置調整することが可能になっている。砥石ヘッド10には、研磨液循環パイプ14から研削液が供給されるようになっている。また、供給された研削液は、図示しない回収手段、フィルタ及びポンプ等を経て、研削液循環パイプ14内を循環するようになっている。研削液は、回転する砥石車9の摺動抵抗を下げることによって、研削部分の温度上昇を回避するためのものである。   As shown in FIGS. 5 and 7, a grinding wheel head 10 including a grinding wheel 9 is disposed above the belt conveyor 11 at a predetermined distance. The position of the grinding wheel head 10 can be adjusted on the order of several μm by a height adjusting mechanism (not shown). A grinding fluid is supplied to the grinding wheel head 10 from a polishing fluid circulation pipe 14. The supplied grinding fluid is circulated in the grinding fluid circulation pipe 14 through a collection means, a filter, a pump, and the like (not shown). The grinding fluid is for avoiding the temperature rise of the grinding part by lowering the sliding resistance of the rotating grinding wheel 9.

図5に示されるように、砥石車9は、結合剤18によって台金19の外周面に研磨材20を固着してなるものである。この実施例では、240番手のCBN(Cubic boron nitride )製の研磨材20を用いた砥石車9、及び400番手のCBN製の研磨材20を用いた砥石車9の2つが使用される。   As shown in FIG. 5, the grinding wheel 9 is formed by fixing an abrasive 20 on the outer peripheral surface of a base metal 19 with a binder 18. In this embodiment, two wheels, a grinding wheel 9 using a 240th CBN (Cubic boron nitride) abrasive 20 and a 400th grinding wheel 20 using a CBN abrasive 20 are used.

次に、半導体パッケージ2を製造する手順について説明する。図1,図6には、ダイボンディング工程に供される電子部品搭載用基板1が概略的に示されている。この基板(長さ250mm,幅33mm,厚さ150μm)1は、電子部品搭載領域Rを36箇所に備えた、いわゆる多数個どり用のフレキシブル基板である。基板1の下面には導体パターン21が形成されている。導体パターン21には、薄い金めっき(図示略)が施されている。前記導体パターン21の一部は、電子部品搭載領域Rのすぐ周囲に設けられた5つの貫通孔22によって露出されている。即ち、この基板1においては、当該露出部分がボンディングパッド23となっている。   Next, a procedure for manufacturing the semiconductor package 2 will be described. 1 and 6 schematically show an electronic component mounting board 1 used in a die bonding process. This substrate (length 250 mm, width 33 mm, thickness 150 μm) 1 is a so-called multi-unit flexible substrate provided with 36 electronic component mounting regions R. A conductor pattern 21 is formed on the lower surface of the substrate 1. The conductor pattern 21 is subjected to thin gold plating (not shown). A part of the conductor pattern 21 is exposed by five through holes 22 provided immediately around the electronic component mounting region R. That is, in the substrate 1, the exposed part is the bonding pad 23.

ダイボンディング工程では、まず従来公知のダイボンディング装置の印刷手段を用いて、基板1の電子部品搭載領域Rにダイボンディング用樹脂24を印刷する。この実施例では、一般的に使用される絶縁性エポキシ樹脂が選択されている。次に、同じくダイボンディング装置のマウンタを用いて、ICチップ7をダイボンディング用樹脂24上に搭載する。この後、所定温度でのキュアによってダイボンディング用樹脂24を硬化させる。   In the die bonding step, first, the die bonding resin 24 is printed on the electronic component mounting region R of the substrate 1 by using a printing means of a conventionally known die bonding apparatus. In this embodiment, a generally used insulating epoxy resin is selected. Next, the IC chip 7 is mounted on the die bonding resin 24 using the mounter of the die bonding apparatus. Thereafter, the die bonding resin 24 is cured by curing at a predetermined temperature.

ダイボンディング工程を経た基板1は、次にワイヤボンディング工程を行うためのワイヤボンダに搬送される。ワイヤボンダでは、図2に示されるように、ICチップ7側の図示しない電極と、基板1側のボンディングパッド23とが金ワイヤ25を介して接合される。   The substrate 1 that has undergone the die bonding process is then transferred to a wire bonder for performing a wire bonding process. In the wire bonder, as shown in FIG. 2, an electrode (not shown) on the IC chip 7 side and a bonding pad 23 on the substrate 1 side are bonded via a gold wire 25.

ワイヤボンディング工程を経た基板1は、次いで上述したスクリーン印刷機3に搬送される。スクリーン印刷機3による樹脂印刷工程では、まずテーブル4上に固定された基板1の上面に、メタルマスク5が密着するように配置される。そして、メタルマスク5の上面に封止用樹脂26を供給した状態で、スキージ6を所定方向に移動させる。すると、移動するスキージ6により供給口5aから封止用樹脂26が押し出され、基板1上の電子部品搭載領域Rに所定量の封止用樹脂26が転写される。その結果、図3に示されるように、ICチップ7、金ワイヤ25及びボンディングパッド23が全体的に樹脂封止される。なお、この実施例では、封止用樹脂26として絶縁性エポキシ樹脂が選択されている。   The substrate 1 that has undergone the wire bonding process is then transported to the screen printer 3 described above. In the resin printing process by the screen printing machine 3, first, the metal mask 5 is disposed in close contact with the upper surface of the substrate 1 fixed on the table 4. Then, the squeegee 6 is moved in a predetermined direction with the sealing resin 26 supplied to the upper surface of the metal mask 5. Then, the sealing resin 26 is pushed out from the supply port 5 a by the moving squeegee 6, and a predetermined amount of the sealing resin 26 is transferred to the electronic component mounting region R on the substrate 1. As a result, as shown in FIG. 3, the IC chip 7, the gold wire 25, and the bonding pad 23 are entirely resin-sealed. In this embodiment, an insulating epoxy resin is selected as the sealing resin 26.

この後、メタルマスク5を取り外し、樹脂硬化工程を行うためのキュア装置において基板1を所定温度で加熱処理する。すると、図4に示されるように、未硬化状態であった封止用樹脂26が、印刷されたときの形状をある程度維持した状態で硬化する。この実施例では、キュア後における封止用樹脂26の設定厚さは600μmであり、設定厚さに対するばらつきは±120μm程度になる。   Thereafter, the metal mask 5 is removed, and the substrate 1 is heat-treated at a predetermined temperature in a curing apparatus for performing a resin curing process. Then, as shown in FIG. 4, the sealing resin 26 that has been in an uncured state is cured in a state in which the shape when printed is maintained to some extent. In this embodiment, the set thickness of the sealing resin 26 after curing is 600 μm, and the variation with respect to the set thickness is about ± 120 μm.

樹脂硬化工程を経た基板1は、次に上述した平面研削装置8に搬送される。平面研削装置8における平面研削工程では、まず鉄板12を備えたテーブル13の上面に、マグネットシート15を介して基板1が固定される。次に、砥石ヘッド10の高さを調整した後、ベルトコンベア11によってテーブル13を水平方向に往復動させる。すると、基板1が砥石ヘッド10の下側を通過するとき、図5に示されるように、回転する砥石車9が基板1の上面に接触する。その結果、突出部分である封止用樹脂26の上面が研磨材20により平らに削り取られる。   The substrate 1 that has undergone the resin curing step is then transported to the surface grinding device 8 described above. In the surface grinding process in the surface grinding apparatus 8, first, the substrate 1 is fixed to the upper surface of the table 13 including the iron plate 12 via the magnet sheet 15. Next, after adjusting the height of the grindstone head 10, the table 13 is reciprocated in the horizontal direction by the belt conveyor 11. Then, when the substrate 1 passes under the grinding wheel head 10, the rotating grinding wheel 9 contacts the upper surface of the substrate 1 as shown in FIG. 5. As a result, the upper surface of the sealing resin 26 that is the protruding portion is scraped flat by the abrasive 20.

この実施例では、まず240番手という粗い研磨材20を固着した砥石車9によって荒研削を行った後、400番手という細かい研磨材20を固着した砥石車9によって仕上げ研削が行われる。荒研削では約150μm〜200μm程研削され、仕上げ研削では30μm〜40μm程研削される。その結果、図8に示されるように、封止用樹脂26の最終設定厚さが580μmである半導体パッケージ2が製造される。このとき、最終設定厚さに対する封止用樹脂26のばらつきは±20μm程度になる。また、平面研削された封止用樹脂26の上面の表面粗さは、Ra=0.5μm〜2.5μm,Rmax=5μm〜20μmとなる。   In this embodiment, first, rough grinding is performed by the grinding wheel 9 to which the coarse abrasive 20 of 240 count is fixed, and then finish grinding is performed by the grinding wheel 9 to which the fine abrasive 20 of 400 count is fixed. In rough grinding, about 150 μm to 200 μm is ground, and in finish grinding, about 30 μm to 40 μm is ground. As a result, as shown in FIG. 8, the semiconductor package 2 in which the final set thickness of the sealing resin 26 is 580 μm is manufactured. At this time, the variation of the sealing resin 26 with respect to the final set thickness is about ± 20 μm. Further, the surface roughness of the upper surface of the sealing resin 26 subjected to surface grinding is Ra = 0.5 μm to 2.5 μm, and Rmax = 5 μm to 20 μm.

以上詳述した半導体パッケージ2の製造方法では、厚さ方向及び平面方向の形成精度に優れたスクリーン印刷法によって、封止用樹脂26の転写を行っている。このため、従来のポッティング法による形成方法に比較して、封止用樹脂26の厚さばらつきが小さくなる。従って、切削すべき量が個々の封止用樹脂26においてほぼ等しくなる。ゆえに、封止用樹脂26の上面を容易にかつ高精度に平面研削することができる。特に、本実施例では2種の砥石車9を用いて荒研削と仕上げ研削とを行っているため、研削精度ばかりでなく研削能率にも優れている。そして、このような高精度の研削であると、封止用樹脂26の上面が部分的に肉薄になったり、金ワイヤ25等が部分的に露出するなどの不具合も極めて起こりにくくなる。ゆえに、半導体パッケージ2の耐湿性や信頼性が向上する。   In the manufacturing method of the semiconductor package 2 described in detail above, the sealing resin 26 is transferred by a screen printing method having excellent formation accuracy in the thickness direction and the planar direction. For this reason, the thickness variation of the sealing resin 26 is reduced as compared with the conventional potting method. Therefore, the amount to be cut is substantially equal in each sealing resin 26. Therefore, the upper surface of the sealing resin 26 can be surface ground easily and with high accuracy. In particular, in this embodiment, since rough grinding and finish grinding are performed using two types of grinding wheels 9, not only grinding accuracy but also grinding efficiency is excellent. Such high-precision grinding makes it extremely difficult for problems such as partial thinning of the upper surface of the sealing resin 26 and partial exposure of the gold wire 25 and the like. Therefore, the moisture resistance and reliability of the semiconductor package 2 are improved.

この実施例ではメタルマスク5を用いたスクリーン印刷法を採用しているため、トランスファ・モールド法に比して設備コストが安くなる。また、スクリーン印刷法であると、一枚の基板1の複数箇所に電子部品搭載領域Rがあるときでも一度に処理することができる。このため、ディスペンサ等を用いるポッティング法に比して、生産効率に優れている。   In this embodiment, since the screen printing method using the metal mask 5 is adopted, the equipment cost is reduced as compared with the transfer molding method. Further, in the case of the screen printing method, even when there are electronic component mounting regions R at a plurality of locations on one substrate 1, processing can be performed at a time. For this reason, it is excellent in production efficiency compared with the potting method using a dispenser or the like.

本実施例の砥石車式の平面研削装置8によると、真空引きによって基板1がテーブル13の上面に確実に固定されることから、平面研削を行う際に高い研削精度を確保することができる。従って、本実施例のようにフレキシブルな基板1を選択したときに有効である。また、可撓性を有するマグネットシート15を使用しているため、平面研削加工時に基板1に加わる衝撃を確実に吸収することができる。よって、基板1を構成する軟質な材料(例えば、裏面側の導体パターン21の金めっき等)に傷がつきにくく、不良品発生率も低下する。   According to the grinding wheel type surface grinding apparatus 8 of the present embodiment, the substrate 1 is securely fixed to the upper surface of the table 13 by evacuation, so that high grinding accuracy can be ensured when performing surface grinding. Therefore, it is effective when the flexible substrate 1 is selected as in this embodiment. Moreover, since the flexible magnet sheet 15 is used, the impact applied to the substrate 1 during the surface grinding can be reliably absorbed. Therefore, the soft material constituting the substrate 1 (for example, gold plating of the conductor pattern 21 on the back surface side) is hardly damaged, and the defective product occurrence rate is also reduced.

また、連通孔17の形状の異なるマグネットシート15を複数作製しておけば、基板1の寸法が変わっても鉄板12における吸引孔16の位置を変更しなくてもよいというメリットがある。従って、平面研削装置8の汎用性を向上させることができる。加えて、マグネットシート15は着脱が容易であるというメリットもある。
〔実施例2〕
次に、実施例2の半導体パッケージの製造方法を図1〜図4,図6,図8〜図10に基づき詳細に説明する。
Further, if a plurality of magnet sheets 15 having different shapes of the communication holes 17 are prepared, there is an advantage that the position of the suction holes 16 in the iron plate 12 does not need to be changed even if the dimensions of the substrate 1 are changed. Therefore, the versatility of the surface grinding device 8 can be improved. In addition, the magnet sheet 15 has an advantage that it can be easily attached and detached.
[Example 2]
Next, the manufacturing method of the semiconductor package of Example 2 is demonstrated in detail based on FIGS. 1-4, FIG. 6, FIG.

本実施例でも、実施例1と同じく電子部品搭載用基板1に対するダイボンディング工程、ワイヤボンディング工程及び樹脂封止工程(樹脂印刷工程、樹脂硬化工程及び平面研削工程)によって半導体パッケージ2を製造している。ただし、実施例2では実施例1とは異なる構成の平面研削装置30によって平面研削が行われる。   Also in this embodiment, the semiconductor package 2 is manufactured by the die bonding process, the wire bonding process, and the resin sealing process (resin printing process, resin curing process, and surface grinding process) for the electronic component mounting substrate 1 as in the first embodiment. Yes. However, in Example 2, surface grinding is performed by the surface grinding apparatus 30 having a configuration different from that in Example 1.

図10には、実施例2において使用される平面研削装置30が概略的に示されている。この平面研削装置30は乾式かつベルト式であり、いわゆるベルトサンダと呼ばれるものである。   FIG. 10 schematically shows a surface grinding apparatus 30 used in the second embodiment. The surface grinding apparatus 30 is dry and belt type, and is called a so-called belt sander.

平面研削装置30は、駆動ローラ31、コンタクトローラ32、研磨ベルト33、モータ(図示略)を内蔵した支持ヘッド34、ベルトコンベア11、鉄板12を上面に有するテーブル13、真空ポンプ(図示略)、板状治具としてのマグネットシート15等を備えている。なお、乾式であるこの平面研削装置30には、実施例1のような研削液循環パイプ14は設けられていない。ベルトコンベア11、鉄板12、テーブル13及びマグネットシート15等の構成・機能については実施例1と基本的に差異がないため、ここでは詳細な説明を省略する。   The surface grinding apparatus 30 includes a driving roller 31, a contact roller 32, a polishing belt 33, a support head 34 incorporating a motor (not shown), a belt conveyor 11, a table 13 having an iron plate 12 on its upper surface, a vacuum pump (not shown), A magnet sheet 15 as a plate-like jig is provided. In addition, this dry surface grinding device 30 is not provided with the grinding fluid circulation pipe 14 as in the first embodiment. Since the configurations and functions of the belt conveyor 11, the iron plate 12, the table 13, the magnet sheet 15, and the like are basically not different from those of the first embodiment, detailed description thereof is omitted here.

支持ヘッド34に内蔵されたモータの回転軸には、駆動ローラ31が一体回転可能に固定されている。駆動ローラ31の下方には、所定の距離を隔ててコンタクトローラ32が回転可能に配設されている。駆動ローラ31とコンタクトローラ32との間には、研削工具としての無端状の研磨ベルト33が巻き掛けられている。よって、モータによって駆動ローラ31を回転させると、研磨ベルト33を介して駆動力が伝達され、コンタクトローラ32が追従して回転するようになっている。駆動ローラ31及びコンタクトローラ32は、図示しない高さ調整機構によって、数μmオーダーで位置調整することが可能となっている。   A drive roller 31 is fixed to a rotation shaft of a motor built in the support head 34 so as to be integrally rotatable. A contact roller 32 is rotatably disposed below the drive roller 31 at a predetermined distance. An endless polishing belt 33 as a grinding tool is wound between the drive roller 31 and the contact roller 32. Therefore, when the driving roller 31 is rotated by the motor, the driving force is transmitted through the polishing belt 33, and the contact roller 32 follows and rotates. The positions of the driving roller 31 and the contact roller 32 can be adjusted on the order of several μm by a height adjusting mechanism (not shown).

ここで研磨ベルト33とは、研磨布紙の形状による種類のなかでベルト状をなすものの総称であって、アブレシッブベルト(Abrasive belt )等と呼ばれるものを指す。周長を長く確保することができる研磨ベルト33は、比較的広い研磨面を有し、単位時間あたりに特定の研磨材20が受け持つ研削仕事量が小さい、という特徴がある。また、研削時に自動的に研磨ベルト33が空冷されるため、研削部分の温度上昇が起こりにくい、という特徴もある。   Here, the abrasive belt 33 is a generic term for belt-shaped belts among the types of abrasive cloths, and refers to what is called an abrasive belt. The polishing belt 33 that can ensure a long circumference has a characteristic that it has a relatively wide polishing surface and the amount of grinding work that the specific polishing material 20 takes up per unit time is small. Further, since the polishing belt 33 is automatically air-cooled at the time of grinding, there is also a feature that the temperature of the grinding portion is hardly increased.

図9に示されるように、研磨ベルト33は、結合剤18によって基材35の外周面に研磨材20を固着してなるものである。この実施例では、180番手の炭化珪素製の研磨材20を用いた研磨ベルト33、及び400番手の炭化珪素製の研磨材20を用いた研磨ベルト33の2つが使用される。   As shown in FIG. 9, the abrasive belt 33 is formed by fixing the abrasive 20 to the outer peripheral surface of the base material 35 with a binder 18. In this embodiment, two types are used: a polishing belt 33 using a 180th silicon carbide abrasive 20 and a polishing belt 33 using a 400th silicon carbide abrasive 20.

実施例2の半導体パッケージ2の製造方法では、実施例1の手順に従って、まずダイボンディング工程、ワイヤボンディング工程、樹脂印刷工程及び樹脂硬化工程が行われる。
樹脂硬化工程を経た基板1は、上述した平面研削装置30に搬送される。平面研削装置30における平面研削工程では、まず鉄板12を備えたテーブル13の上面に、マグネットシート15を介して基板1が固定される。次に、コンタクトローラ32の高さを調整した後、ベルトコンベア11によってテーブル13を水平方向に往復動させる。すると、基板1がコンタクトローラ32の下側を通過するとき、図9に示されるように、回転する研磨ベルト33が基板1の上面に接触する。その結果、突出部分である封止用樹脂26の上面が研磨材20によって平らに削り取られる。
In the method for manufacturing the semiconductor package 2 according to the second embodiment, a die bonding process, a wire bonding process, a resin printing process, and a resin curing process are first performed according to the procedure of the first embodiment.
The board | substrate 1 which passed through the resin hardening process is conveyed by the surface grinding apparatus 30 mentioned above. In the surface grinding process in the surface grinding apparatus 30, first, the substrate 1 is fixed to the upper surface of the table 13 including the iron plate 12 via the magnet sheet 15. Next, after adjusting the height of the contact roller 32, the table 13 is reciprocated in the horizontal direction by the belt conveyor 11. Then, when the substrate 1 passes under the contact roller 32, the rotating polishing belt 33 contacts the upper surface of the substrate 1 as shown in FIG. 9. As a result, the upper surface of the sealing resin 26 that is the protruding portion is scraped flat by the abrasive 20.

この実施例では、まず180番手という粗い研磨材20を固着した研磨ベルト33によって荒研削を行った後、400番手という細かい研磨材20を固着した研磨ベルト33によって仕上げ研削が行われる。荒研削では約150μm〜200μm程研削され、仕上げ研削では30μm〜40μm程研削される。その結果、図8に示されるように、封止用樹脂26の最終設定厚さが580μmである半導体パッケージ2が製造される。このとき、最終設定厚さに対する封止用樹脂26のばらつきは±20μm程度になる。また、表面研削された封止用樹脂26の上面の表面粗さは、Ra=0.5μm〜2.5μm,Rmax=5μm〜20μmとなる。   In this embodiment, first, rough grinding is performed by the polishing belt 33 to which the coarse abrasive material 20 of 180 count is fixed, and then finish grinding is performed by the polishing belt 33 to which the fine abrasive material 20 of 400 count is fixed. In rough grinding, about 150 μm to 200 μm is ground, and in finish grinding, about 30 μm to 40 μm is ground. As a result, as shown in FIG. 8, the semiconductor package 2 in which the final set thickness of the sealing resin 26 is 580 μm is manufactured. At this time, the variation of the sealing resin 26 with respect to the final set thickness is about ± 20 μm. Further, the surface roughness of the upper surface of the sealing resin 26 subjected to surface grinding is Ra = 0.5 μm to 2.5 μm and Rmax = 5 μm to 20 μm.

以上のような実施例2の半導体パッケージ2の製造方法であっても実施例1と同様の作用効果を奏することは明らかである。特に、この実施例では研削液を使用しない乾式の研削であるため、研削液を供給・循環するための設備等も不要である。このため、平面研削装置30の構成も簡単になり、全体的に低コスト化が図られる。また、基板1が研削液に晒されることがないため、例えば導体パターン21に施された金めっきに水垢等が付かないというメリットがある。ゆえに、後工程における洗浄等がおのずと不要になり、生産性の向上が図られる。   It is obvious that even the manufacturing method of the semiconductor package 2 of the second embodiment as described above has the same operational effects as the first embodiment. In particular, in this embodiment, since the grinding is dry-type without using a grinding fluid, facilities for supplying and circulating the grinding fluid are not required. For this reason, the structure of the surface grinding apparatus 30 is also simplified, and the overall cost can be reduced. In addition, since the substrate 1 is not exposed to the grinding liquid, there is an advantage that, for example, the gold plating applied to the conductor pattern 21 does not get water scale. Therefore, cleaning in the post-process is not necessary and productivity is improved.

さらに、研削部分の温度上昇が小さいこの研磨ベルト33であれば、基板1を構成する樹脂部分、特に封止用樹脂26が熱によって劣化するという事態を避けることができる。従って、不良品発生率を低減することができる。   Further, with this polishing belt 33 in which the temperature rise in the grinding portion is small, it is possible to avoid a situation in which the resin portion constituting the substrate 1, particularly the sealing resin 26, is deteriorated by heat. Therefore, the defective product generation rate can be reduced.

なお、本発明は上記実施例のみに限定されることはなく、例えば次のように変更することが可能である。
(1)実施例1の砥石車式の平面研削装置8を乾式として用いたり、実施例2のベルト式の平面研削装置30を湿式として用いてもよい。勿論、これらの実施例において例示した平面研削装置8,30と異なるタイプの平面研削装置を使用することも可能である。即ち、一般的な平面研削装置であれば、平削り盤等といった切削装置よりも高精度に平面研削を行うことができるからである。
In addition, this invention is not limited only to the said Example, For example, it can change as follows.
(1) The grinding wheel type surface grinding device 8 of Example 1 may be used as a dry type, or the belt type surface grinding device 30 of Example 2 may be used as a wet type. Of course, it is also possible to use a surface grinding device of a type different from the surface grinding devices 8 and 30 illustrated in these embodiments. That is, a general surface grinding device can perform surface grinding with higher accuracy than a cutting device such as a planer.

(2)封止用樹脂26は絶縁性エポキシ樹脂に限定されることはなく、例えば絶縁性ポリイミド樹脂等といった他の熱硬化性樹脂であってもよい。
(3)実施例1,2の平面研削装置8,30において、ベルトコンベア11以外の駆動手段を使用していもよい。また、ベルトコンベア11等によってテーブル13側を移動させるばかりでなく、砥石車9や研磨ベルト33という研削工具側を移動させてもよい。勿論、研削工具及びテーブル13の双方を移動させてもよい。
(2) The sealing resin 26 is not limited to an insulating epoxy resin, and may be another thermosetting resin such as an insulating polyimide resin.
(3) In the surface grinding apparatuses 8 and 30 of the first and second embodiments, driving means other than the belt conveyor 11 may be used. In addition to moving the table 13 side by the belt conveyor 11 or the like, the grinding tool side such as the grinding wheel 9 or the polishing belt 33 may be moved. Of course, both the grinding tool and the table 13 may be moved.

(4)研磨材20は実施例1,2において使用したCBN,炭化珪素に限定されることない。例えば、溶融アルミナ、ガーネット、エメリー、ケイ石、酸化鉄、炭化ジルコニウム、ケイ石、酸化鉄、ムライト、窒化チタン、窒化珪素、炭化チタン、ダイヤモンド、炭化ほう素等を研磨材20として選択してもよい。また、研磨材20の番手の変更も自由であり、必ずしも実施例1,2の組合せに限られない。   (4) The abrasive 20 is not limited to CBN and silicon carbide used in Examples 1 and 2. For example, fused alumina, garnet, emery, silica, iron oxide, zirconium carbide, silica, iron oxide, mullite, titanium nitride, silicon nitride, titanium carbide, diamond, boron carbide or the like may be selected as the abrasive 20. Good. In addition, the count of the abrasive 20 can be freely changed, and is not necessarily limited to the combination of the first and second embodiments.

(5)半導体パッケージ2の製造に使用される基板1はフレキシブルなものでなくてもよく、例えばリジッドな樹脂基板であってもよい。また、樹脂基板のみならずセラミックス基板等でもよい。   (5) The board | substrate 1 used for manufacture of the semiconductor package 2 may not be flexible, for example, may be a rigid resin substrate. In addition to a resin substrate, a ceramic substrate or the like may be used.

(6)裏面に導体パターン21がない場合など、基板1の種類・材料によっては、例えば板状治具15を可撓性を有しないマグネットシートに代えたり、可撓性を有しかつ磁石粉を含まないシートに代えてもよい。   (6) Depending on the type and material of the substrate 1, such as when there is no conductor pattern 21 on the back surface, for example, the plate-like jig 15 may be replaced with a non-flexible magnet sheet, or the flexible and magnet powder It may be replaced with a sheet that does not contain.

(7)スクリーン印刷機3のテーブル4にも平面研削装置8,30と同様に真空引きのための構造を設け、さらにその上面にマグネットシート15を配置してもよい。このようにすると、スクリーン印刷時に基板1がテーブル4に確実に固定されるため、封止用樹脂26の印刷精度がより向上し、平面研削工程における切削精度がよりいっそう高くなる。   (7) The table 4 of the screen printing machine 3 may be provided with a structure for evacuation similarly to the surface grinding devices 8 and 30, and the magnet sheet 15 may be disposed on the upper surface thereof. If it does in this way, since the board | substrate 1 will be reliably fixed to the table 4 at the time of screen printing, the printing precision of the resin 26 for sealing will improve more, and the cutting precision in a surface grinding process will become still higher.

(8)封止されるべき電子部品は実施例1,2に示したICチップ7に限られず、例えば各種チップ部品等であってもよい。勿論、ICチップ7とチップ部品とが搭載されている領域を、封止用樹脂26で全体的に封止することも可能である。   (8) The electronic component to be sealed is not limited to the IC chip 7 shown in the first and second embodiments, and may be various chip components, for example. Of course, the region where the IC chip 7 and the chip component are mounted can be entirely sealed with the sealing resin 26.

ここで、特許請求の範囲等に記載された技術的思想のほかに、前述した実施例及び別例によって把握される技術的思想をその効果とともに以下に列挙する。
(1)テーブル上面の鉄製板材と被加工物との間に配置されるマグネットシートであって、前記被加工物の所定領域の下部と前記鉄製板材の吸引孔とを連通させる連通孔を備えたマグネットシート。このマグネットシートであると、平面研磨装置等の汎用性を向上させることができる。
Here, in addition to the technical ideas described in the claims and the like, the technical ideas grasped by the above-described embodiments and other examples are listed below together with their effects.
(1) A magnet sheet disposed between an iron plate material on a table upper surface and a workpiece, and includes a communication hole that communicates a lower portion of a predetermined area of the workpiece and the suction hole of the iron plate material. Magnet sheet. When this magnet sheet is used, versatility of a planar polishing apparatus or the like can be improved.

(2)被印刷物の固定のために真空引き手段を備えるスクリーン印刷機であって、技術的思想1のマグネットシートを有するスクリーン印刷機。この構成であると、平面研削工程における切削精度がよりいっそう高くなる。   (2) A screen printing machine having a vacuum drawing means for fixing a substrate to be printed, and having a magnetic sheet of technical idea 1. With this configuration, the cutting accuracy in the surface grinding process is further increased.

(3)研磨面を有する砥石車と、前記砥石車を回転させるための回転駆動手段と、封止用樹脂が印刷された基板を固定するためのテーブルと、前記砥石車と前記テーブルとを相対的に移動させるための駆動手段と、前記テーブルの上面において開口する吸引孔を介して真空引きを行う真空引き手段と、前記基板と前記テーブルとの間に配置されるとともに、少なくとも電子部品搭載領域の下部と前記吸引孔との間を連通させる連通孔を有する板状治具とを備えた封止用樹脂を研削するための砥石車式の平面研削装置。この装置であると、不良品発生率の低下、研削精度の確保、生産性及び汎用性の向上を図ることができる。   (3) A grinding wheel having a polishing surface, a rotation driving means for rotating the grinding wheel, a table for fixing a substrate on which a sealing resin is printed, and the grinding wheel and the table are relative to each other. And at least an electronic component mounting area disposed between the substrate and the table, a driving means for moving the vacuum, a vacuuming means for performing vacuuming through a suction hole opened on the upper surface of the table, A grinding wheel type surface grinding apparatus for grinding a sealing resin comprising a plate-like jig having a communication hole for communicating between a lower part of the suction hole and the suction hole. With this apparatus, it is possible to reduce the incidence of defective products, ensure grinding accuracy, and improve productivity and versatility.

なお、本明細書中において使用した技術用語を次のように定義する。
「電子部品:シリコンやガリウム砒素等からなるICチップやLSIチップなどといった半導体部品をいうほか、例えばチップトランジスタ、チップダイオード、チップ抵抗、チップコンデンサ、チップインダクタ等といったチップ部品もいう。」
The technical terms used in this specification are defined as follows.
“Electronic components: Semiconductor components such as IC chips and LSI chips made of silicon, gallium arsenide, etc., as well as chip components such as chip transistors, chip diodes, chip resistors, chip capacitors, chip inductors, etc.”

実施例1の半導体パッケージの製造方法において、ICチップが搭載される前の電子部品搭載用基板を示す概略断面図である。In the manufacturing method of the semiconductor package of Example 1, it is a schematic sectional drawing which shows the electronic component mounting board | substrate before mounting an IC chip. 同じく、基板上に搭載されたICチップに対してワイヤボンディングを行った状態を示す概略断面図である。Similarly, it is a schematic sectional view showing a state where wire bonding is performed on an IC chip mounted on a substrate. 同じく、封止用樹脂を印刷した状態を示す概略断面図である。Similarly, it is a schematic sectional drawing which shows the state which printed resin for sealing. 同じく、印刷された封止用樹脂を硬化させた状態を示す概略断面図である。Similarly, it is a schematic sectional view showing a state in which the printed sealing resin is cured. 同じく、封止用樹脂の研削状態を示す概略断面図である。Similarly, it is a schematic sectional drawing which shows the grinding state of resin for sealing. 同じく、基板、マグネットシート及び鉄板を示す部分概略分解斜視図である。Similarly, it is a partial schematic exploded perspective view showing a substrate, a magnet sheet, and an iron plate. 同じく、封止用樹脂を研削するための湿式かつ砥石車式の平面研削装置を示す部分概略正面図である。Similarly, it is the partial schematic front view which shows the wet and grinding wheel type surface grinding apparatus for grinding resin for sealing. 同じく、封止用樹脂の研削終了状態を示す概略断面図である。Similarly, it is a schematic sectional drawing which shows the grinding completion state of resin for sealing. 実施例2の半導体パッケージの製造方法において、封止用樹脂を研削している状態を示す概略断面図である。In the manufacturing method of the semiconductor package of Example 2, it is a schematic sectional drawing which shows the state which grinds sealing resin. 同じく、封止用樹脂を研磨するための乾式かつベルト式の平面研削装置を示す部分概略正面図である。Similarly, it is a partial schematic front view showing a dry and belt type surface grinding apparatus for polishing a sealing resin.

符号の説明Explanation of symbols

1…(電子部品搭載用)基板、2…半導体パッケージ、13…テーブル、5a…供給口、5…メタルマスク、6…スキージ、7…電子部品としてのICチップ、8,30…平面研削装置、11…駆動手段としてのベルトコンベア、15…板状治具としてのマグネットシート、16…吸引孔、17…連通孔、20…研磨材、26…封止用樹脂、31…駆動ローラ、32…コンタクトローラ、33…研磨ベルト、R…電子部品搭載領域。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... (Electronic component mounting) board | substrate, 2 ... Semiconductor package, 13 ... Table, 5a ... Supply port, 5 ... Metal mask, 6 ... Squeegee, 7 ... IC chip as electronic components, 8, 30 ... Surface grinding apparatus, DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Belt conveyor as drive means, 15 ... Magnet sheet as plate-shaped jig, 16 ... Suction hole, 17 ... Communication hole, 20 ... Abrasive material, 26 ... Resin for sealing, 31 ... Drive roller, 32 ... Contact Roller, 33 ... Abrasive belt, R ... Electronic component mounting area.

Claims (4)

基板上に搭載された電子部品が被覆されるように同基板に対して封止用樹脂を印刷し、かつ封止用樹脂を硬化した後、硬化した封止用樹脂の上面を研削する電子部品の封止方法。 An electronic component that prints a sealing resin on the substrate so that the electronic component mounted on the substrate is covered, cures the sealing resin, and then grinds the upper surface of the cured sealing resin Sealing method. 前記研削は、回転する研磨ベルトの表面に固着されている研磨材により行われる請求項1に記載の電子部品の封止方法。 The electronic component sealing method according to claim 1, wherein the grinding is performed with an abrasive fixed to a surface of a rotating abrasive belt. 前記研削は、荒研削、仕上げ研削で行われる請求項1に記載の電子部品の封止方法。 The electronic component sealing method according to claim 1, wherein the grinding is performed by rough grinding or finish grinding. 前記研削は、封止用樹脂を硬化させた基板を真空引きにより密着させてから行われる請求項1に記載の電子部品の封止方法。 The electronic component sealing method according to claim 1, wherein the grinding is performed after the substrate on which the sealing resin is cured is brought into close contact by vacuuming.
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JP2015005616A (en) * 2013-06-20 2015-01-08 住友電工プリントサーキット株式会社 Flexible printed wiring board, and method for manufacturing flexible printed wiring board
JP2019192777A (en) * 2018-04-25 2019-10-31 株式会社ディスコ Chuck table and manufacturing method of the chuck table
TWI771836B (en) * 2019-12-25 2022-07-21 日商Towa股份有限公司 Grinding mechanism and grinding apparatus

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101448502B1 (en) * 2012-03-21 2014-10-08 주식회사 케이엔제이 Semiconductor package sliming apparatus and method of the same
JP2015005616A (en) * 2013-06-20 2015-01-08 住友電工プリントサーキット株式会社 Flexible printed wiring board, and method for manufacturing flexible printed wiring board
JP2019192777A (en) * 2018-04-25 2019-10-31 株式会社ディスコ Chuck table and manufacturing method of the chuck table
TWI771836B (en) * 2019-12-25 2022-07-21 日商Towa股份有限公司 Grinding mechanism and grinding apparatus

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