KR101519470B1 - Sawing Apparatus of Semiconductor Materials and Sawing Method of Semiconductor Materials - Google Patents

Sawing Apparatus of Semiconductor Materials and Sawing Method of Semiconductor Materials Download PDF

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Abstract

반도체 자재의 워페이지를 완화하는 반도체 자재 절단장치 및 반도체 자재 절단방법이 개시된다. 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 자재 절단장치는 공급장치로부터 반출되는 반도체 자재가 안착되는 인렛부와, 인렛부의 반도체 자재를 픽업하여 반도체 자재를 개별단위로 절단하는 절단부로 반송하는 자재픽커를 포함하고, 인렛부는 반도체 자재를 가열하는 가열부를 포함하여 반도체 자재의 워페이지를 완화시켜 절단부에서 반도체 자재를 안정적으로 흡착 고정할 수 있다.Disclosed is a semiconductor material cutting apparatus and a semiconductor material cutting method that relax a warp page of a semiconductor material. The semiconductor material cutting apparatus according to an embodiment of the present invention includes an inlet unit on which a semiconductor material to be carried out from a supply device is placed and a material picker for picking up semiconductor material on an inlet unit and transporting the semiconductor material to a cutting unit for cutting the semiconductor material into individual units And the inlet portion includes a heating portion for heating the semiconductor material, so that the warpage of the semiconductor material can be relaxed, and the semiconductor material can be stably attracted and fixed at the cut portion.

Description

반도체 자재 절단장치 및 반도체 자재 절단방법{Sawing Apparatus of Semiconductor Materials and Sawing Method of Semiconductor Materials}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a semiconductor material cutting apparatus and a semiconductor material cutting method.

본 발명은 반도체 자재 절단장치 및 반도체 자재 절단 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 자재의 워페이지를 완화하여 척테이블에 안착시 척테이블의 진공압이 누설되지 않는 상태로 자재를 고정시킬 수 있는 반도체 자재 절단장치 및 반도체 자재 절단방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor material cutting apparatus and a semiconductor material cutting method, and more particularly, to a semiconductor material cutting apparatus and a semiconductor material cutting method capable of fixing a workpiece in a state in which vacuum pressure of a chuck table is not leaked, A semiconductor material cutting device, and a semiconductor material cutting method.

일반적으로, 반도체 자재에는 반도체 칩과 반도체 패키지가 있다. 반도체 칩(Semiconductor chip)은 원판 형상의 반도체 웨이퍼 표면의 격자형으로 배열된 다수의 영역에 트랜지스터 및 커패시터 등과 같은 고집적회로를 집적하여 만든 것이다. 이러한 회로가 형성된 각 영역은 절단장치를 이용하여 개개의 반도체 칩으로 절단하는 공정을 거치게 된다.Generally, semiconductor materials include semiconductor chips and semiconductor packages. 2. Description of the Related Art Semiconductor chips are formed by integrating highly integrated circuits such as transistors and capacitors in a plurality of regions arranged in a lattice pattern on the surface of a semiconductor wafer of a disk shape. Each region where such a circuit is formed is subjected to a step of cutting the semiconductor chip into individual semiconductor chips using a cutting apparatus.

실리콘으로 된 반도체 기판 상에 개별 단위로 쏘잉(Sawing)된 반도체 칩을 부착한 후, 반도체 기판의 상면에 EMC(Epoxy Molding Compound)로 몰딩하는 공정을 거친 후 반도체 기판의 하면에 리드프레임의 역할을 하는 솔더볼(BGA: Ball Grid Array) 또는 와이어를 부착시켜 칩과 통전하도록 한 것을 그 형상에 따라 스트립(Strip) 또는 웨이퍼 레벨 패키지(WLP: Wafer Lever Package)라고 한다. 이러한 스트립 또는 웨이퍼 레벨 패키지를 절단장치를 이용하여 개개의 반도체 패키지로 절단하게 되는데, 이러한 절단공정을 싱귤레이션(Singulation)이라 하며, 이에 사용되는 장치를 반도체 자재 절단장치라고 한다.After a semiconductor chip is mounted on a silicon semiconductor substrate as an individual unit, the semiconductor substrate is subjected to a molding process using an epoxy molding compound (EMC) on the top surface of the semiconductor substrate. A ball grid array (BGA) or a wire attached to a chip to conduct electricity to the chip is called a strip or a wafer level package (WLP) according to its shape. Such a strip or wafer level package is cut into individual semiconductor packages using a cutting device. This cutting process is referred to as singulation, and the device used for this is called a semiconductor material cutting device.

반도체 자재는 제조 공정중에서 휨이 나타나는 워페이지(warpage)가 발생할 수 있다. 특히, 최근들어 이동통신단말기, 휴대용 인터넷 디바이스, 휴대용 멀티미디어 단말기 등 다양한 기능을 갖는 소형 멀티 애플리케이션의 개발 추세에 따라 경박단소화를 구현하고자 반도체 자재를 더욱 얇게 할 것이 요구되고 있다. 따라서 워페이지가 발생하는 빈도가 증가하는 현실이다.Semiconductor materials can cause warpage that warps in the manufacturing process. Particularly, in recent years, in order to realize light weight shortening according to development trend of small multi-applications having various functions such as a mobile communication terminal, a portable Internet device, and a portable multimedia terminal, it is required to make the semiconductor material thinner. Therefore, the frequency of occurrence of warp pages increases.

일반적으로 워페이지가 심한 반도체 자재의 경우에는 패키지 단위로 절단하기 위해 척테이블에 반도체 자재를 안착시키기 위한 진공압을 확보하기가 어렵다. 이에 의해 반도체 자재가 척테이블에 제대로 고정되지 않은 채 절단 공정이 수행되는 경우 정확한 절단이 이루어지지 못할 뿐만 아니라 자재가 손상되는 등의 문제가 발생한다.Generally, in the case of a semiconductor material having a warpage severe, it is difficult to secure a vacuum pressure for placing a semiconductor material on a chuck table in order to cut it into a package unit. Thus, when the semiconductor material is not properly fixed to the chuck table and the cutting process is performed, not only the accurate cutting is performed but also the material is damaged.

한국 공개특허공보 제10-2013-0091835호에는 워페이지가 심한 자재의 경우 진공압 확보가 어려운 문제를 해결하기 위하여 반도체 자재의 절단 공정을 실행하기 전에 반도체 자재를 웨이퍼링 내에 위치시킨 후 반도체 자재의 일면과 웨이퍼링의 일면에 테이프를 접착하는 공정을 수행하는 반도체자재 절단장치 및 반도체자재의 절단방법이 개시되어 있다.Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2013-0091835 discloses a method for disposing a semiconductor material in a wafer ring before performing a cutting process of a semiconductor material in order to solve the problem of difficulty in obtaining vacuum pressure in the case of a heavy material having a warpage, There is disclosed a semiconductor material cutting apparatus and a method of cutting a semiconductor material, each of which performs a step of adhering a tape to one surface of a wafer ring.

한국 공개특허공보 제10-2013-0091835호(2013. 08. 20. 공개)Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2013-0091835 (published on June 20, 2013)

본 발명의 실시예는 반도체 자재의 워페이지를 완화할 수 있는 반도체 자재 절단장치 및 반도체 자재 절단방법을 제공하고자 한다.An embodiment of the present invention is to provide a semiconductor material cutting apparatus and a semiconductor material cutting method capable of mitigating warpage of a semiconductor material.

또한, 별도의 공정 또는 장치를 추가하지 않고도 워페이지를 완화할 수 있는 반도체 자재 절단장치 및 반도체 자재 절단방법을 제공하고자 한다.It is another object of the present invention to provide a semiconductor material cutting apparatus and a semiconductor material cutting method that can alleviate a warp page without adding a separate process or apparatus.

또한, 반도체 자재의 워페이지 정도를 완화시켜 척테이블 상에 안착시 진공압의 누설을 막고 반도체 자재를 완전히 고정시킬 수 있는 반도체 자재 절단장치 및 반도체 자재 절단방법을 제공하고자 한다.It is another object of the present invention to provide a semiconductor material cutting apparatus and a semiconductor material cutting method capable of mitigating the warpage of a semiconductor material and preventing leakage of vacuum pressure upon seating on a chuck table and completely fixing the semiconductor material.

또한, 척테이블의 홀딩력이 우수한 상태에서 반도체 자재의 절단을 수행하여 픽업 에러를 방지하고, 정확한 절단을 수행할 수 있는 반도체 자재 절단 장치 및 반도체 자재 절단방법을 제공하고자 한다.또한, 다양한 정도의 워페이지에 적용할 수 있는 반도체 자재 절단장치 및 반도체 자재 절단방법을 제공하고자 한다.It is another object of the present invention to provide a semiconductor material cutting apparatus and a semiconductor material cutting method which can cut a semiconductor material in a state where the holding force of a chuck table is excellent to prevent a pickup error and accurately perform cutting. The present invention provides a semiconductor material cutting apparatus and a semiconductor material cutting method that can be applied to a page.

본 발명의 일 측면에 따르면, 공급장치로부터 반출되는 반도체 자재가 안착되는 인렛부; 및 상기 인렛부의 반도체 자재를 픽업하여 상기 반도체 자재를 개별단위로 절단하는 절단부로 반송하는 자재픽커;를 포함하고, 상기 인렛부는 상기 반도체 자재를 가열하는 가열부를 포함하여 상기 반도체 자재의 워페이지를 완화할 수 있는 반도체 자재 절단장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising: an inlet section on which a semiconductor material carried from a supply device is seated; And a material picker for picking up the semiconductor material of the inlet section and transporting the semiconductor material to a cutting section for cutting the semiconductor material into individual units, wherein the inlet section includes a heating section for heating the semiconductor material, A semiconductor material cutting apparatus capable of cutting the semiconductor material can be provided.

상기 인렛부는 상기 공급장치로부터 반출되는 상기 반도체 자재의 양 측부를 지지하여 가이드하는 인렛레일을 포함하고, 상기 인렛레일은 상기 반도체 자재가 안착되는 안착면을 형성하고, 상기 가열부는 상기 자재픽커에 의해 상기 반도체 자재가 가압되는 가압면을 형성하는 반도체 자재 절단장치가 제공될 수 있다.Wherein the inlet portion includes an inlet rail for guiding and guiding both side portions of the semiconductor material carried out from the feeding device, the inlet rail forming a seating surface on which the semiconductor material is seated, A semiconductor material cutting apparatus for forming a pressing surface on which the semiconductor material is pressed can be provided.

상기 가압면은 상기 안착면보다 하부에 위치하고, 상기 인렛레일은 상기 자재픽커가 상기 반도체 자재를 픽업한 후에 외측으로 벌어져, 상기 자재픽커가 상기 반도체 자재를 상기 가압면으로 이동시키는데 간섭되지 않는 반도체 자재 절단장치가 제공될 수 있다.Wherein the pressurizing surface is located below the seating surface and the inlet rail extends outwardly after the material picker picks up the semiconductor material and the semiconductor material cutting is performed so that the material picker does not interfere with moving the semiconductor material to the pressing surface A device may be provided.

상기 가열부는 상기 인렛레일 사이에 마련되고, 상기 가압면과 상기 안착면은 동일 평면상에 위치하는 반도체 자재 절단장치가 제공될 수 있다.The heating unit may be provided between the inlet rails, and the pressing surface and the seating surface may be located on the same plane.

상기 인렛부는 상기 공급장치로부터 반출되는 상기 반도체 자재의 양 측부를 지지하여 가이드하는 인렛레일; 및 상기 인렛레일을 이동시키는 이동유닛;을 포함하는 반도체 자재 절단장치가 제공될 수 있다.The inlet unit includes an inlet rail for supporting and guiding opposite side portions of the semiconductor material carried out from the supply unit. And a moving unit for moving the inlet rail.

상기 인렛레일은 너트와 스크류 결합하여 상기 가열부에 대하여 외측으로 이동 가능하고, 상기 이동유닛은 상기 스크류를 회전하기 위한 구동부를 포함하는 반도체 자재 절단장치가 제공될 수 있다.The inlet rail may be screwed to the nut to move outward with respect to the heating unit, and the moving unit may include a driving unit for rotating the screw.

상기 가압면은 상기 반도체 자재의 워페이지 방향에 반대방향으로 곡면을 형성하거나 또는 양측으로 경사진 형상을 포함하는 반도체 자재 절단장치가 제공될 수 있다.The pressing surface may be provided with a semiconductor material cutting device including a curved surface in a direction opposite to the warp direction of the semiconductor material or inclined to both sides.

상기 가열부는 발열부를 포함하는 히팅블록과, 상기 히팅블록에 분리 가능하도록 결합하는 가압부재를 포함하는 반도체 자재 절단장치가 제공될 수 있다.The heating unit may include a heating block including a heating unit, and a pressing member detachably coupled to the heating block.

상기 가열부는 상승 및 하강 가능하도록 마련되는 반도체 자재 절단장치가 제공될 수 있다.The heating unit may be provided to raise and lower the semiconductor material.

상기 자재픽커는, 상기 반도체 자재를 흡착하는 흡착부재와, 상기 반도체 자재의 외부를 둘러싸도록 마련되고, 상기 인렛레일의 상부면에 접촉하여 상기 반도체 자재가 흡착되는 공간을 외부로부터 단절시키는 치마부재를 포함하는 반도체 자재 절단장치가 제공될 수 있다.Wherein the material picker includes a suction member for sucking the semiconductor material and a skirt member provided to surround the outside of the semiconductor material and for cutting a space in which the semiconductor material is sucked from the outside in contact with the upper surface of the inlet rail A semiconductor material cutting apparatus can be provided.

상기 치마부재는 플렉서블하여 상기 자재픽커가 상기 반도체 자재를 흡착할 때 진공압 형성을 돕는 반도체 자재 절단장치가 제공될 수 있다.The skirt member may be flexible to provide a semiconductor material cutting apparatus that assists vacuum pressure formation when the material picker adsorbs the semiconductor material.

상기 자재픽커는, 상기 반도체 자재를 흡착하는 흡착부재와, 상기 반도체 자재의 외부를 둘러싸도록 마련되고, 상기 절단부의 척테이블의 상부면에 접촉하여 상기 척테이블이 상기 반도체 자재를 흡착되는 공간을 외부로부터 단절시키는 치마부재를 포함하는 반도체 자재 절단장치가 제공될 수 있다.The semiconductor device according to claim 1, wherein the material picker comprises: an adsorption member for adsorbing the semiconductor material; a chuck table which is provided to surround the outside of the semiconductor material and contacts the upper surface of the chuck table of the cut- And a skirt member that disconnects the semiconductor wafer from the semiconductor wafer.

상기 치마부재는 플렉서블하여 상기 척테이블이 상기 반도체 자재를 흡착할 때 진공압 형성을 돕는 반도체 자재 절단장치가 제공될 수 있다.The skirt member may be flexible to provide a semiconductor material cutting apparatus that assists vacuum pressure formation when the chuck table adsorbs the semiconductor material.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 공급장치로부터 인렛부의 인렛레일을 통해 반도체 자재를 반출하고, 상기 반도체 자재를 가열 및 가압하여 상기 반도체 자재의 워페이지를 완화하고, 자재픽커가 상기 반도체 자재를 픽업하여 절단부의 척테이블로 반송하는 과정을 포함하는 반도체 자재 절단방법이 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: taking out a semiconductor material through an inlet rail of an inlet section from a supply device; heating and pressing the semiconductor material to relax a warp page of the semiconductor material; And transferring the semiconductor material to the chuck table of the cut portion.

상기 반도체 자재를 가압하는 과정은, 상기 자재픽커가 상기 인렛레일 상에 안착된 상기 반도체 자재를 픽업하고, 상기 반도체 자재의 양단을 지지하던 상기 인렛레일이 외측으로 벌어지고, 상기 자재픽커가 하강하여 상기 양측의 인렛레일 사이에 마련되는 가열부 상에 반도체 자재를 가압하는 반도체 자재 절단방법이 제공될 수 있다.Wherein the step of pressing the semiconductor material comprises the steps of: picking up the semiconductor material placed on the inlet rail by the material picker, opening the inlet rail supporting both ends of the semiconductor material, A semiconductor material cutting method for pressing a semiconductor material on a heating portion provided between the inlet rails on both sides can be provided.

상기 반도체 자재를 가압하는 과정은, 상기 반도체 자재의 양단을 지지하는 인렛레일의 안착면과 동일 평면상에 상기 양측의 인렛레일 사이에 마련되는 가열부의 가압면이 마련되고, 상기 자재픽커가 하강하여 상기 가열부 상에 반도체 자재를 가압하는 반도체 자재 절단방법이 제공될 수 있다.The process of pressing the semiconductor material includes a pressing surface of a heating unit provided between the inlet rails on both sides of the inlet rail for supporting both ends of the semiconductor material on the same plane as the seating surface of the inlet rail, And a semiconductor material cutting method for pressing the semiconductor material on the heating portion can be provided.

상기 반도체 자재를 가압하는 과정은, 상기 자재픽커가 하강하여 상기 인렛레일 상에 안착된 상기 반도체 자재의 상부면을 지지하고, 상기 양측의 인렛레일 사이에 마련되는 가열부가 상승하여 상기 반도체 자재의 하부면을 가압하는 반도체 자재 절단방법이 제공될 수 있다.Wherein the step of pressing the semiconductor material includes supporting the upper surface of the semiconductor material placed on the inlet rail by the lowering of the material picker and raising the heating part provided between the inlet rails on both sides, A semiconductor material cutting method for pressing a surface can be provided.

본 발명의 실시 예에 따른 반도체 자재 절단장치 및 반도체 자재 절단방법은 별도의 장치 또는 공정을 추가하지 않고도 기존의 작업 공정과 장치를 이용하여 반도체 자재의 워페이지를 완화할 수 있다.The semiconductor material cutting apparatus and the semiconductor material cutting method according to the embodiment of the present invention can alleviate the warpage of the semiconductor material by using the existing work process and apparatus without adding any additional apparatus or process.

또한, 가열 및 가압과정을 거침으로써 빠른 시간 내에 효과적으로 워페이지를 완화할 수 있다.In addition, by heating and pressurizing, the warpage can be effectively mitigated in a short period of time.

또한, 반도체 자재의 워페이지 정도를 완화시켜 척테이블에 안착시 척테이블의 진공압이 누설되지 않은 상태로 반도체 자재를 완전히 고정시킬 수 있으므로, 픽업 에러를 방지하고, 척테이블의 홀딩력이 좋아진 상태에서 절단 공정을 수행할 수 있다.In addition, since the warpage of the semiconductor material is reduced to secure the semiconductor material in a state that the vacuum pressure of the chuck table is not leaked when the chuck table is seated on the chuck table, pickup error can be prevented, A cutting process can be performed.

따라서, 자재를 척테이블에 완전히 고정된 상태에서 절단 공정을 수행할 수 있으므로, 정확한 절단을 수행할 수 있으며 칩핑(chipping), 버(burr) 등 자재 퀄리티에 문제를 주는 현상을 방지할 수 있다.Accordingly, since the cutting process can be performed while the material is completely fixed to the chuck table, precise cutting can be performed and problems such as chipping and burrs can be prevented.

또한, 분리 결합 가능한 가압부를 사용함으로써 다양한 정도의 워페이지에 적용할 수 있다.Further, by using a pressurizing portion capable of separable coupling, it can be applied to warp pages of various degrees.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 자재 절단장치를 나타내는 도면이다.
도 2 내지 도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 자재 절단장치의 인렛부를 나타내는 도면으로,
도 2는 반도체 자재가 반송되기 전의 상태를, 도 3은 워페이지가 형성된 반도체 자재가 인렛레일에 안착된 모습을, 도 4는 자재픽커가 반도체 자재의 상부면을 흡착한 모습을, 도 5는 자재픽커가 반도체 자재를 픽업하고, 인렛레일이 외측으로 벌어지는 모습을, 도 6은 자재픽커가 반도체 자재를 가압하는 모습을, 도 7은 자재픽커가 반도체 자재를 픽업한 모습을 나타내는 도면이다.
도 8 내지 도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 자재 절단장치의 인렛부를 나타내는 도면으로,
도 8은 반도체 자재가 반송되기 전의 상태를, 도 9는 워페이지가 형성된 반도체 자재가 인렛레일에 안착된 모습을, 도 10은 자재픽커가 반도체 자재를 가압하는 모습을, 도 11은 자재픽커가 반도체 자재를 픽업한 모습을 나타내는 도면이다.
도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 자재 절단장치의 인렛부를 나타내는 도면이다.
도 13 내지 도 15는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 자재 절단장치의 가열부를 나타내는 도면으로, 도 13은 상방으로 경사진 가압면을, 도 14는 상방으로 굽은 곡면을 형성하는 가압면을, 도 15는 하방으로 굽은 곡면을 형성하는 가압면을 구비하는 가열부를 나타내는 도면이다.
도 16 내지 도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 자재 절단장치의 자재픽커를 나타내는 도면으로,
도 16은 워페이지가 형성된 반도체 자재가 인렛레일에 안착된 모습을, 도 17은 자재픽커가 반도체 자재의 상부면을 흡착한 모습을, 도 18은 자재픽커가 척테이블에 반도체 자재를 전달하는 모습을 나타내는 도면이다.1 is a view showing a semiconductor material cutting apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 to 7 are views showing an inlet section of a semiconductor material cutting apparatus according to a first embodiment of the present invention,
3 shows a state in which a semiconductor material on which a warp page is formed is seated on an inlet rail, Fig. 4 shows a state in which a material picker adsorbs the upper surface of the semiconductor material, Fig. 5 FIG. 6 shows a state in which a material picker presses a semiconductor material, and FIG. 7 shows a state in which a material picker picks up a semiconductor material.
8 to 11 are views showing an inlet section of a semiconductor material cutting apparatus according to a second embodiment of the present invention,
Fig. 8 shows a state before the semiconductor material is conveyed, Fig. 9 shows a state in which the semiconductor material with the warp sheet is seated on the inlet rail, Fig. 10 shows a state in which the material picker presses the semiconductor material, And the semiconductor material is picked up.
12 is a view showing an inlet section of a semiconductor material cutting apparatus according to a third embodiment of the present invention.
13 to 15 are views showing the heating unit of the semiconductor material cutting apparatus according to the embodiment of the present invention. Fig. 13 shows a pressing surface inclined upward, Fig. 14 shows a pressing surface forming a curved surface upward, And 15 is a view showing a heating unit having a pressing surface forming a curved surface bent downward.
16 to 18 are views showing a material picker of a semiconductor material cutting apparatus according to another embodiment of the present invention,
17 shows a state in which a material picker adsorbs an upper surface of a semiconductor material, FIG. 18 shows a state in which a material picker transfers a semiconductor material to a chuck table, FIG. 16 shows a state in which a semiconductor material having a warp page is seated on an inlet rail, Fig.

이하에서는 본 발명의 실시 예들을 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 아래에서 소개하는 실시 예들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 사상을 충분히 전달하기 위해 제시하는 것이다. 본 발명은 제시하는 실시 예만으로 한정되지 않고 다른 형태로도 구체화될 수 있다. 도면은 본 발명을 명확히 하기 위해 설명과 관계 없는 부분의 도시를 생략할 수 있고, 이해를 돕기 위해 구성요소의 크기 등을 다소 과장하여 표현할 수 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects, features and advantages of the present invention will be more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. The present invention is not limited to the embodiments shown, but may be embodied in other forms. For the sake of clarity of the present invention, the drawings may omit the parts of the drawings that are not related to the description, and the size of the elements and the like may be somewhat exaggerated to facilitate understanding.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 자재 절단장치를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a semiconductor material cutting apparatus according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 반도체 자재는 웨이퍼(Wafer)를 개개의 회로형성 영역으로 절단하는 반도체 칩(Semiconductor chip)과 스트립(Strip) 또는 웨이퍼 레벨 패키지(WLP: Wafer Level Package)를 개개의 단위로 절단하는 반도체 패키지를 포함한다. 이하에서는 스트립 형태의 반도체 자재를 이용하여 본 발명의 실시예를 설명하고, 반도체 칩과 반도체 패키지를 통칭하여 반도체 자재라고 하기로 한다. 스트립 형태와 달리 원형의 웨이퍼(W)를 이용하는 경우도 본 발명의 실시예에 포함된다.The semiconductor material of the present invention includes a semiconductor chip for cutting a wafer into individual circuit forming regions and a semiconductor package for cutting a strip or a wafer level package (WLP) . Hereinafter, embodiments of the present invention will be described using a strip-shaped semiconductor material, and a semiconductor chip and a semiconductor package will be collectively referred to as a semiconductor material. The case of using a circular wafer W different from the strip form is also included in the embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 자재 절단장치는 스트립(S)이 공급되는 공급장치(10)와, 스트립(S)을 절단하는 절단장치(20)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a semiconductor material cutting apparatus according to an embodiment of the present invention may include a feeder 10 to which a strip S is fed, and a cutting device 20 for cutting the strip S. FIG.

공급장치(10)는 스트립(S)이 안착되는 복수의 수납부(11)를 포함한다. 수납부(11)는 수직 방향으로 층층이 마련되어 엘리베이터(미도시)에 의해 공급되는 위치로 이동할 수 있다. 도면에는 수평 방향으로 배치되는 수납부(11)를 도시하였다. 공급위치로 이동한 스트립(S)은 푸셔(12)에 의해 인렛부(100)로 반송될 수 있다. 푸셔(12)는 스트립(S)을 타격하여 절단장치(20)의 인렛부(100)로 반출시킨다.The feeding device 10 includes a plurality of receiving portions 11 on which the strip S is seated. The storage part 11 is provided with a layered layer in the vertical direction and can move to a position supplied by an elevator (not shown). The drawing shows the receiving portion 11 arranged in the horizontal direction. The strip S moved to the feeding position can be conveyed to the inlet section 100 by the pusher 12. [ The pusher 12 strikes the strip S and takes it out to the inlet section 100 of the cutting apparatus 20. [

절단장치(20)는 공급장치(10)로부터 반출된 스트립(S)이 안착되어 정렬되는 인렛부(100)와, 상기 인렛부(100)의 스트립을 픽업하여 절단부(30)로 반송하는 자재픽커(130)와, 상기 인렛부(100)로부터 반송된 스트립(S)을 개별 패키지 단위로 절단 가공되는 절단부(30)와, 상기 절단부(30)에서 절단된 스트립(S)을 픽업하여 분류적재장치(미도시)로 반송하는 유닛픽커(23)와, 상기 절단된 스트립(S)을 세정하는 세척부(22)를 포함할 수 있다.The cutting device 20 includes an inlet section 100 in which a strip S carried out from the feeding device 10 is seated and aligned and a material picker 100 for picking up a strip of the inlet section 100 and conveying the strip to the cutting section 30. [ A cutting unit 30 for cutting the strip S transported from the inlet unit 100 in units of individual packages and a strip S cut at the cutting unit 30, (Not shown), and a cleaning unit 22 for cleaning the cut strip S, as shown in FIG.

상기 장치의 구분은 물리적인 구분이 아닌 기능에 따른 구분으로써 편의상 구분한 것에 불과하다. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 자재 절단장치는 상기 장치들이 하나의 장치에 포함되어 일련의 기능할 수 있으나, 일부 구성이 별개의 장치로 되어 있다거나 다른 장치에 포함된다고 하여도 본 발명의 실시예에 포함된다 할 것이다.The division of the apparatus is merely a division according to the function, not the physical division, for convenience. Although the semiconductor material cutting apparatus according to the embodiment of the present invention can be included in one apparatus to function as a series of functions, even if some of the constitutions are constituted of separate apparatuses or are included in other apparatuses, .

이하에서는 절단장치(20)의 각각의 구성에 대하여 자세히 설명하도록 한다.Hereinafter, each configuration of the cutting apparatus 20 will be described in detail.

인렛부(100)는 공급장치(10)로부터 반출된 스트립(S)을 안내하여 안착하는 인렛레일(110)과, 스트립(S)을 가열하는 가열부(120)를 포함할 수 있다. 인렛레일(110)은 공급장치(10)의 반송위치에 대응하는 위치로부터 스트립(S)의 양 측부를 지지할 수 있도록 서로 이격되는 한 쌍의 레일을 포함한다. 또한, 가열부(120)는 양 측의 인렛레일(110) 사이에 마련되어 스트립(S)의 하부를 가열할 수 있다.The inlet unit 100 may include an inlet rail 110 for guiding and seating the strip S carried out from the supply unit 10 and a heating unit 120 for heating the strip S. The inlet rail 110 includes a pair of rails spaced from each other so as to support both sides of the strip S from a position corresponding to the feeding position of the feeding device 10. [ Further, the heating unit 120 may be provided between the inlet rails 110 on both sides to heat the lower portion of the strip S.

자재픽커(130)는 반송레일(21)에 설치되어 x축 방향으로 이동 가능하며, 인렛부(100)로부터 절단부(30)로 스트립(S)을 반송하는 수단이다. 자재픽커(130)는 흡착 방법을 이용하여 스트립(S)을 픽업할 수 있다.The material picker 130 is provided on the conveying rail 21 and is movable in the x-axis direction and is means for conveying the strip S from the inlet section 100 to the cut section 30. [ The material picker 130 may pick up the strip S using an adsorption method.

절단부(30)는 자재픽커(130)에 의해 반송된 스트립(S)이 안착되어 고정되며 y축 방향으로 수평 이동 가능하게 설치된 척테이블(31)과, 절단기 레일(33)을 따라 상기 척테이블(31)과 상대 이동하면서 척테이블(31) 상에 안착된 스트립(S)을 개별 반도체 자재 단위로 절단하는 절단기(32)를 포함한다.The cutting unit 30 includes a chuck table 31 on which a strip S conveyed by a material picker 130 is seated and fixed and horizontally movable in the y axis direction, And a cutter 32 for cutting the strip S, which is placed on the chuck table 31 while moving relative to the substrate table 31, on an individual semiconductor material unit.

절단부(30)는 상기 척테이블(31)의 이동 경로 상에 상하로 이동 가능하게 설치되어 절단 작업이 완료된 후 하측으로 이동하여 척테이블(31) 상에 놓여진 반도체 자재 이외의 스크랩(scrap)과 접촉하여 스크랩을 제거하는 브러쉬(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 브러쉬는 공압 실린더와 같은 선형운동장치에 의해 상하로 이동할 수 있다. 브러쉬에 의해 제거된 스크랩은 컨베이어 벨트(34)에 의해 제거될 수 있다.The cutting portion 30 is provided so as to be movable up and down on the movement path of the chuck table 31 so as to move downward after the cutting operation is completed and to contact the scrap other than the semiconductor material placed on the chuck table 31 And a brush (not shown) for removing scrap. The brush can be moved up and down by a linear motion device such as a pneumatic cylinder. The scrap removed by the brush can be removed by the conveyor belt 34.

척테이블(31)은 스트립(S)에 정렬되어 있는 개개의 반도체 자재의 위치와 대응하는 위치에 흡착 진공홀이 마련된다. 흡착 진공홀이 개개의 반도체 자재를 흡착하고 있으므로 절단 과정에서 발생하는 힘에 의해 반도체 자재가 틀어지는 것을 방지할 수 있다. 또한 척테이블(31)은 스트립(S)에 격자 모양으로 형성되는 반도체 자재 절단 라인에 대응하는 위치에 상기 절단기(32)의 블레이드 날끝이 비접촉되면서 수용될 수 있도록 블레이드 도피홈이 형성되어 있다. 따라서, 절단기(32)의 블레이드와 척테이블(31)이 상대 이동하면서 척테이블(31) 상의 스트립(S)을 절단 라인을 따라 절단할 때 상기 블레이드의 날끝이 상기 블레이드 도피홈을 지나가면서 척테이블(31)과 접촉하지 않고서 스트립(S)을 절단할 수 있게 된다.The chuck table 31 is provided with a suction vacuum hole at a position corresponding to the position of each semiconductor material aligned in the strip S. Since the suction vacuum holes adsorb the individual semiconductor materials, it is possible to prevent the semiconductor materials from being twisted by the forces generated in the cutting process. The chuck table 31 is formed with a blade escape groove so as to be received in a position corresponding to the semiconductor material cutting line formed in a lattice pattern on the strip S while the blade edge of the cutter 32 is not in contact. Therefore, when cutting the strip S on the chuck table 31 along the cutting line while the blade of the cutter 32 and the chuck table 31 move relative to each other, the blade edge of the blade passes through the blade escape groove, It is possible to cut the strip S without contacting the strip 31. [

도면에 도시하지는 않았으나, 상기 절단부(30) 상에는 상기 절단기(32)가 스트립(S)을 절단할 때 절단 과정에서 발생하는 열을 냉각시키고 이물질을 제거하기 위한 물분사노즐(미도시)이 설치될 수 있다.Although not shown in the drawing, a water spray nozzle (not shown) is installed on the cut portion 30 to cool the heat generated in the cutting process when the cutter 32 cuts the strip S and to remove foreign matter .

세척부(22)는 척테이블(31)에서 절단이 완료된 스트립(S)이 유닛픽커(23)에 의해 이송되면서 세척 및 건조되는 수단이다. 세척부(22)는 세척분사노즐(미도시)을 통해 세척수를 분사하여 개별 반도에 자재 단위로 분할된 스트립(S)을 효과적으로 세척 할 수 있는 장치이다. 이 때 세척분사노즐은 스트립(S)의 상면뿐만 아니라 저면에도 위치할 수 있어 스트립(S)의 양 면을 효과적으로 세척할 수 있다.The washing section 22 is a means for washing and drying the strip S having been cut off from the chuck table 31 while being transported by the unit picker 23. The washing unit 22 is a device capable of spraying washing water through a cleaning spray nozzle (not shown) to effectively wash the strip S divided on a material basis into individual peninsulas. At this time, the cleaning spray nozzle can be positioned not only on the upper surface but also on the lower surface of the strip S, so that both surfaces of the strip S can be effectively cleaned.

세척부(22)는 세척공정뿐만 아니라 건조공정을 수행할 수 있다. 건조시에는 스트립(S)을 가열하는 드라이블록(미도시)을 설치하거나 스트립(S)의 상측에서 고압의 공기를 분사하는 에어블러워(미도시)를 설치하여 건조작업을 수행할 수 있다.The cleaning unit 22 can perform a drying process as well as a cleaning process. In drying, a drying block (not shown) for heating the strip S may be provided or an air blur (not shown) for spraying high pressure air from the upper side of the strip S may be installed to perform the drying operation.

도 2 내지 도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 자재 절단장치(20)의 인렛부(100)를 나타내는 도면으로, 도 2는 반도체 자재가 반송되기 전의 상태를, 도 3은 워페이지가 형성된 반도체 자재가 인렛레일(110)에 안착된 모습을, 도 4는 자재픽커(130)가 반도체 자재의 상부면을 흡착한 모습을, 도 5는 자재픽커(130)가 반도체 자재를 픽업하고, 인렛레일(110)이 외측으로 벌어지는 모습을, 도 6은 자재픽커(130)가 반도체 자재를 가압하는 모습을, 도 7은 자재픽커(130)가 반도체 자재를 픽업한 모습을 나타내는 도면이다.2 to 7 show the inlet section 100 of the semiconductor material cutting apparatus 20 according to the first embodiment of the present invention. Fig. 2 shows a state before the semiconductor material is conveyed, Fig. 3 shows a state before the semiconductor material is conveyed, 4 shows a state in which the material picker 130 has adsorbed the upper surface of the semiconductor material, FIG. 5 shows a state in which the material picker 130 picks up the semiconductor material FIG. 6 illustrates a state in which the material picker 130 presses the semiconductor material, and FIG. 7 illustrates a state in which the material picker 130 picks up the semiconductor material.

스트립(S)은 지지프레임(F) 상에 반도체 칩(P)이 전기적으로 연결되고 몰딩 된 형태일 수 있다.The strip S may be in a form in which the semiconductor chip P is electrically connected and molded on the support frame F. [

인렛레일(110)은 스트립(S)의 양 측부를 지지할 수 있도록 양 측에 평행하게 배치될 수 있다. 인렛레일(110)은 반도체 자재(P)가 안착되는 제1 안착면(111)과, 지지프레임(F)이 안착되는 제2 안착면(112)을 포함할 수 있다. 도면에는 지지프레임(F)이 상부를 향하도록 인렛레일(110) 상에 안착되는 것을 도시하였지만, 이와 달리 지지프레임(F)이 하부를 향하도록 안착되는 것을 포함한다. 또한, 지지프렘임(F) 또는 반도체 자재(P) 중 어느 하나만을 안착할 수 있는 인렛레일(110)을 포함한다. 즉, 제1 안착면(111) 또는 제2 안착면(112)은 어느 하나만 존재하는 것이 가능하다.The inlet rail 110 may be disposed parallel to both sides so as to support both sides of the strip S. The inlet rail 110 may include a first seating surface 111 on which the semiconductor material P is seated and a second seating surface 112 on which the supporting frame F is seated. Although the figure shows that the support frame F is seated on the inlet rail 110 so as to face upwardly, the support frame F may alternatively be seated downward. It also includes an inlet rail 110 that can seat either the support frame (F) or the semiconductor material (P). That is, it is possible that only one of the first seating surface 111 or the second seating surface 112 exists.

자재픽커(130)는 상승 및 하강이 가능하도록 마련되고, 자재픽커(130)의 하면에는 흡착부(131)가 마련되어 스트립(S)의 상부면을 흡착할 수 있다. 흡착부(131)는 진공라인(미도시)이 연결되어 진공압을 형성할 수 있다. 자재픽커(130)가 스트립(S)을 픽업하는 방법으로는 진공흡착 방법뿐만 아니라 기계적인 구속에 의하여 픽업하는 방법을 포함한다. 도면에 도시하지는 않았지만 집게 방식을 이용하는 것도 가능하다.The material picker 130 can be raised and lowered and a suction unit 131 is provided on the lower surface of the material picker 130 to absorb the upper surface of the strip S. [ The adsorption part 131 may be connected to a vacuum line (not shown) to form a pneumatic pressure. The method by which the material picker 130 picks up the strip S includes a method of picking up by mechanical restraint as well as a vacuum adsorption method. Although not shown in the drawing, it is also possible to use a clamping method.

자재픽커에 의해 흡착된 스트립을 척테이블(31)에 안착시킬 때, 자재의 휘어짐 정도가 큰 자재의 경우에는 척테이블에 진공을 가한다 하더라도 자재가 떠있는 공간으로 진공압이 누설되게 되어 완전한 진공도를 확보할 수가 없다. 따라서, 척테이블의 홀딩력을 개선하기 위해 자재의 워페이지에 열을 가하여 자재를 평평하게 펴준 상태에서 척테이블에 안착시키는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 따른 반도체 자재 절단장치는 가열부(120)를 구비한다.When a strip attracted by the material picker is placed on the chuck table 31, the vacuum pressure is leaked to the space in which the material is floating, even if vacuum is applied to the chuck table, Can not be ensured. Therefore, in order to improve the holding force of the chuck table, heat is applied to the warp sheet of the material so that the material is placed flat on the chuck table. Accordingly, the semiconductor material cutting apparatus according to the present invention includes the heating unit 120. [

가열부(120)는 스트립(S)의 워페이지를 완화할 수 있도록 하기 위하여 스트립(S)을 가열 및 가압할 수 있다. 스트립(S)의 휨 현상인 워페이지는 적정 온도로 가열하는 것뿐만 아니라, 상하 방향으로 가압한 상태에서 일정시간 유지하여 수평 상태에 가깝게 할 수 있다. 가열부(120)는 인렛레일(110)에서 공급된 자재를 척테이블에 안착시키기 위하여 인렛레일과 척테이블 사이에 구비될 수 있다. 바람직하게는, 절단장치의 크기, 차지하는 면적 등을 줄이기 위하여 양 측의 인렛레일(110) 사이에 위치할 수 있으며, 스트립(S)을 가열하기 위해 열선(122)을 포함하는 히팅블록(121)을 포함할 수 있다. 가열부(120)의 가열방법에는 전기적 저항을 이용하는 열선(122)을 포함하여 다양한 방법이 사용될 수 있다.The heating unit 120 may heat and press the strip S so that the warp of the strip S can be relaxed. Warpage, which is a warp phenomenon of the strip S, can be brought close to a horizontal state by not only heating to a proper temperature but also maintaining a pressurized state in a vertical direction for a certain period of time. The heating unit 120 may be provided between the inlet rail and the chuck table to seat the material supplied from the inlet rail 110 on the chuck table. The heating block 121 may be positioned between the inlet rails 110 on both sides to reduce the size and occupied area of the cutting device and may include a heating wire 122 for heating the strip S, . ≪ / RTI > Various methods can be used for heating the heating unit 120, including the heating wire 122 using electrical resistance.

본 발명의 실시예에서는 가열부가 양측의 인렛레일 사이에 위치한 것을 위주로 설명하였으나, 인렛레일과 척테이블 사이에 구비되어 자재픽커가 인렛레일 상의 자재를 픽업한 후에 자재를 가열하고 그 후 가열에 의해 워페이지가 완화된 자재를 척테이블에 안착시킬 수도 있다.In the embodiment of the present invention, the heating unit is disposed between the inlet rails on both sides. However, it is provided between the inlet rail and the chuck table to heat the material after the material picker picks up the material on the inlet rail, The page may place the relaxed material on the chuck table.

가열부(120)는 스트립(S)의 하부를 지지할 수 있는 가압면(121a,124a,125a,126a)을 포함한다. 도면에서는 히팅블록(121)의 내부에 열선(122)이 마련되고, 히팅블록(121)의 상면이 가압면(121a,124a,125a,126a)을 형성하는 것을 도시한다. 가압방법으로는 자재픽커(130)가 스트립(S)을 흡착한 상태에서 하강하여 가압면(121a,124a,125a,126a)에 스트립(S)을 가압하고 가압면(121a,124a,125a,126a)은 스트립(S)의 하부를 지지할 수 있다. 이 때 스트립(S)의 하강 시에 인렛레일(110)이 간섭되는 것을 방지하기 위하여 인렛레일(110)은 외측으로 벌어질 수 있도록 마련될 수 있다.The heating unit 120 includes pressing surfaces 121a, 124a, 125a, and 126a capable of supporting the lower portion of the strip S. [ In the drawing, a heating wire 122 is provided inside the heating block 121, and the upper surface of the heating block 121 forms the pressing surfaces 121a, 124a, 125a, and 126a. As the pressing method, the material picker 130 descends while adsorbing the strip S to press the strip S against the pressing surfaces 121a, 124a, 125a, 126a and press the pressing surfaces 121a, 124a, 125a, 126a Can support the lower portion of the strip S. In order to prevent the inlet rail 110 from interfering with the lowering of the strip S at this time, the inlet rail 110 may be opened to the outside.

인렛레일(110)은 베이스(140)에 지지되고, 베이스(140)와 상대적으로 이동할 수 있도록 이동유닛에 의해 연결될 수 있다. 인렛레일(110)은 베이스(140)와 너트와 스크류 결합을 하여 병진운동 가능할 수 있다. 즉, 이동유닛은 인렛레일(110)과 연결되는 너트(141)와, 베이스(140)와 연결되는 스크류 또는 볼스크류(142)와, 스크류(142)를 회전시키기 위한 구동모터(143)를 포함할 수 있다. 구동모터(143)의 회전이 스크류(142)로 전달되는 방법의 일 예로 동력전달 벨트(144)를 사용할 수 있다. 물론 기어 조립체에 의해 동력이 전달되거나, 모터의 축이 직접 스크류에 전달되는 것을 포함한다. 동력전달 벨트(144)를 사용하여 구동모터(143)를 스크류(142) 하부에 위치함으로써 장비를 컴팩트하게 할 수 있다.The inlet rail 110 is supported on the base 140 and can be connected by a mobile unit to be relatively movable with respect to the base 140. The inlet rail 110 can be translationally moved by screwing the nut 140 with the nut. That is, the mobile unit includes a nut 141 connected to the inlet rail 110, a screw or ball screw 142 connected to the base 140, and a driving motor 143 for rotating the screw 142 can do. As an example of how the rotation of the drive motor 143 is transmitted to the screw 142, the power transmission belt 144 may be used. Of course, power is transmitted by the gear assembly or the shaft of the motor is directly transmitted to the screw. By using the power transmission belt 144 and positioning the drive motor 143 under the screw 142, the equipment can be made compact.

다음으로, 워페이지를 완화하는 과정을 도 2 내지 도 7을 참고하여 설명하도록 한다. 도 2와 같이 자재픽커(130)가 인렛레일(110)로부터 상측으로 이격된 상태에서 도 3과 같이 스트립(S)이 인렛레일(110)을 따라 이동하여 안착된다. 도 3에는 상방으로 휨이 발생한 스트립(S)을 도시하였지만, 이와 달리 하방으로 휨이 발생하는 스트립(S)을 포함할 수 있다. 또한, 도 3은 가열부(120)가 스트립(S)을 가열하는 상태를 도시한다. 가열부(120)는 열선(122)에 전류를 흘려서 저항에 의해 열을 발생시킨다. 가열된 가열부(120)는 가압면(121)에 안착된 스트립(S)을 가열한다. 가열부(120)의 가열에 의하여 워페이지가 형성된 스트립(S)은 강성이 약해지게 된다.Next, the process of relaxing the warp page will be described with reference to Figs. 2 to 7. Fig. As shown in FIG. 2, the strip S is moved along the inlet rail 110 and is seated as shown in FIG. 3 in a state where the material picker 130 is spaced upward from the inlet rail 110. Although FIG. 3 shows the strip S which is bent upward, the strip S may include a strip S which is bent downward. Fig. 3 shows a state in which the heating section 120 heats the strip S. Fig. The heating unit 120 generates electric current by flowing a current through the heating wire 122 to generate heat. The heated heating section 120 heats the strip S that is seated on the pressing surface 121. The strip S on which the warpage is formed due to the heating of the heating unit 120 is weakened in rigidity.

다음으로, 자재픽커(130)가 하강하여 흡착부(131)가 스트립(S)의 상부면과 접촉하는 것을 도 4에 도시하였다. 도 5는 흡착부(131)에 진공압이 형성되어 스트립(S)을 흡착하고, 자재픽커(130)가 상승한 모습을 나타낸다. 또한, 도 5는 자재픽커(130)가 상승함과 동시에(또는 상승한 후에) 인렛레일(110)이 스트립(S)의 외측으로 벌어지는 모습을 나타낸다. 스트립(S)의 양 측부를 지지하던 인렛레일(110)이 외측으로 벌어짐으로써 인렛레일(110)은 스트립(S)을 안착할 수 없는 상태가 된다. 인렛레일(110)을 이동하기 위하여 자재픽커(130)가 스트립(S)을 픽업하는 이유는 스트립(S)의 정렬 상태를 유지하기 위함이다. 스트립(S)이 안착된 상태에서 인렛레일(110)이 외측으로 벌어지는 경우 스트립(S)이 가열부(120)로 떨어지면서 불규칙하게 배치되게 된다.Next, the material picker 130 descends to contact the upper surface of the strip S with the adsorption portion 131 shown in Fig. 5 shows a state in which the material picker 130 is lifted by adsorbing the strip S with a vacuum pressure being formed in the adsorbing part 131. FIG. 5 shows a state in which the inlet rail 110 spreads out of the strip S simultaneously with (or after) the material picker 130 rises. The inlet rail 110 supporting the both sides of the strip S is opened outward so that the inlet rail 110 can not seat the strip S. The reason why the material picker 130 picks up the strip S to move the inlet rail 110 is to keep the strip S in alignment. When the inlet rail 110 spreads outward in a state where the strip S is seated, the strip S is irregularly arranged as it falls to the heating portion 120.

다음으로 자재픽커(130)가 다시 하강하여 가열부(120)의 가압면에 스트립(S)을 접촉하는 것을 도 6에 도시하였다. 이 때 인렛레일(110)이 외측으로 벌어진 상태이기 때문에 자재픽커(130)는 인렛레일(110)의 간섭 없이 스트립(S)을 가열부(120)로 안내할 수 있다. 도 6은 가열된 스트립(S)을 가압하는 상태를 도시한다. 도 6에는 자재픽커(130)의 가압에 의해 자재픽커(130)와 가열부(120) 사이에 위치하는 스트립(S)이 평편하게 되는 것을 도시한다. 이 상태에서 일정 시간이 지나면 스트립(S)의 워페이지는 완화되고, 도 7과 같이 가압상태가 해제된 때에도 평편한 상태를 유지할 수 있게 된다. 마지막으로 도 7은 척테이블(31)로 스트립(S)을 반송하기 위하여 자재픽커(130)가 스트립(S)을 흡착한 상태에서 상승하는 것을 도시한다.
Next, the material picker 130 descends again to contact the strip S against the pressing surface of the heating unit 120, as shown in FIG. At this time, the material picker 130 can guide the strip S to the heating unit 120 without interference of the inlet rail 110 because the inlet rail 110 is open to the outside. Fig. 6 shows a state in which the heated strip S is pressed. 6 shows that the strip S located between the material picker 130 and the heating unit 120 is flattened by the pressurization of the material picker 130. After a certain period of time in this state, the warp page of the strip S is relaxed, and even when the pressurized state is released as shown in Fig. 7, the flat state can be maintained. Finally, FIG. 7 shows that the material picker 130 is lifted with the strip S sucked to transport the strip S to the chuck table 31.

도 8 내지 도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 자재 절단장치(20)의 인렛부(101)를 나타내는 도면으로, 도 8은 반도체 자재가 반송되기 전의 상태를, 도 9는 워페이지가 형성된 반도체 자재가 인렛레일(110)에 안착된 모습을, 도 10은 자재픽커(130)가 반도체 자재를 가압하는 모습을, 도 11은 자재픽커(130)가 반도체 자재를 픽업한 모습을 나타내는 도면이다.8 to 11 are views showing the inlet section 101 of the semiconductor material cutting apparatus 20 according to the second embodiment of the present invention. Fig. 8 shows a state before the semiconductor material is conveyed, FIG. 10 shows a state in which the material picker 130 presses the semiconductor material, and FIG. 11 shows a state in which the material picker 130 picks up the semiconductor material. FIG.

본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 자재 절단장치(20)의 인렛부(101)는 제1 실시예와 비교할 때, 스트립(S)을 가압하기 위하여 인렛레일(110)이 외측으로 벌어지지 않아도 된다는 점에 특징이 있다. 즉, 스트립(S)이 안착되는 안착면(111)과 스트립(S)이 가압 지지되는 가압면(121a)이 동일 평면상을 형성하고 있다. 이 때 가압면(121a)과 동일 평면을 형성하는 안착면(111)은 반도체 자재(P)가 안착되는 제1 안착면(111)인 것이 바람직하다.The inlet section 101 of the semiconductor material cutting apparatus 20 according to the second embodiment of the present invention is different from the first embodiment in that the inlet rail 110 is not extended to the outside in order to press the strip S . That is, the seating surface 111 on which the strip S is seated and the pressing surface 121a on which the strip S is pressed are formed on the same plane. At this time, the seating surface 111 forming the same plane as the pressing surface 121a is preferably the first seating surface 111 on which the semiconductor material P is seated.

가열부(120-1)는 양 측에 위치하는 인렛레일(110)의 사이에 마련될 수 있다. 따라서 스트립(S)은 인렛레일(110)에 안착됨과 동시에 가압면(121a) 상에 위치하여 가압될 준비를 마칠 수 있다.The heating unit 120-1 may be provided between the inlet rails 110 located on both sides. Therefore, the strip S is seated on the inlet rail 110, and at the same time, it is positioned on the pressing surface 121a and can be ready to be pressed.

다음으로, 워페이지를 완화하는 과정을 도 8 내지 도 11을 참고하여 설명하도록 한다. 도 8과 같이 자재픽커(130)가 인렛레일(110)로부터 상측으로 이격된 상태에서 도 9와 같이 스트립(S)이 인렛레일(110)을 따라 이동하여 안착된다. 도 9에는 상방으로 휨이 발생한 스트립(S)을 도시하였다. 본 실시예는 제1 안착면(111)과 가압면(121a)이 동일 평면을 형성하기 때문에 하방으로 휨이 발생하는 스트립(S)은 인렛레일(110)을 따라 가이드될 수 없다. 가열부(120-1)에 걸리기 때문이다.Next, a process of mitigating the warp page will be described with reference to FIGS. 8 to 11. FIG. As shown in FIG. 8, the strip S is moved along the inlet rail 110 and is seated as shown in FIG. 9 when the material picker 130 is spaced upward from the inlet rail 110. Fig. 9 shows a strip S which is bent upward. Since the first seating surface 111 and the pressing surface 121a form the same plane, the strip S in which the downward bending occurs can not be guided along the inlet rail 110 in this embodiment. And is caught by the heating unit 120-1.

또한, 도 9는 가열부(120-1)가 스트립(S)을 가열하는 상태를, 도 10은 자재픽커(130)가 하강하여 스트립(S)을 가압하는 상태를, 도 11은 흡착부(131)에 진공압이 형성되어 스트립(S)을 흡착하고, 자재픽커(130)가 상승한 모습을 나타낸다. 본 실시예는 도 5 및 도 6과 비교할 때 자재픽커(130)가 스트립(S)을 가압하기 위하여 인렛레일(110)이 이동할 필요가 없음은 앞에서 설명한 바와 같다.
10 shows a state in which the material picker 130 is lowered and presses the strip S, FIG. 11 shows a state in which the heating unit 120-1 heats the strip S, 131, so that the strip S is adsorbed and the material picker 130 is elevated. The present embodiment is as described above in that the material picker 130 does not need to move the inlet rail 110 to press the strip S as compared with FIGS.

도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 자재 절단장치(20)의 인렛부(102)를 나타내는 도면이다.12 is a view showing the inlet section 102 of the semiconductor material cutting apparatus 20 according to the third embodiment of the present invention.

본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 자재 절단장치(20)의 인렛부(102)는 제2 실시예와 비교할 때, 가열부(120-2)가 상승 및 하강 가능하도록 설치된다는 데 특징이 있다. 가열부(120-2)는 유압 실린더(123)와 연결되어 상승 및 하강 운동할 수 있다. 가열부(120-2)의 상승 및 하강운동은 기어조립체 또는 너트와 스크류 결합 또는 에어의 주입 등에 의하여서도 가능하다.The inlet section 102 of the semiconductor material cutting apparatus 20 according to the third embodiment of the present invention is characterized in that the heating section 120-2 is installed so as to be movable up and down as compared with the second embodiment . The heating unit 120-2 is connected to the hydraulic cylinder 123 and can move up and down. The lifting and lowering motion of the heating unit 120-2 can also be performed by screw coupling with a gear assembly or a nut, injection of air, or the like.

가열부(120-2)의 상승 및 하강운동은 두 가지 측면에서 이점이 있다. 첫째로는, 하방으로 휨이 발생한 스트립(S)을 취급할 수 있다는 점이다. 도 12는 가열부(120-2)가 소정 정도 하강하여 하방으로 휨이 발생한 스트립(S)이 인렛레일(110)을 통해 반입되어도 가열부(120-2)와 간섭되지 않는 것을 도시하였다. 둘째로는, 자재픽커(130)가 위에서 누르는 힘뿐만 아니라 가열부(120-2)가 스트립(S)의 아래에서 들어올리는 힘을 가압력으로 사용할 수 있다는 데 있다. 이 때 가압력은 자재픽커(130) 및 가열부(120-2) 중 어느 하나 이상에서 발생할 수 있다.
The lifting and lowering motion of the heating unit 120-2 is advantageous in two respects. Firstly, it is possible to handle the strip S which is bent downward. 12 shows that the strip S, which is bent downward due to the lowering of the heating unit 120-2 by a predetermined degree, is not interfered with the heating unit 120-2 even if the strip S is carried in through the inlet rail 110. [ Secondly, it is possible to use, as a pressing force, the force that the material picker 130 lifts up below the strip S as well as the force that the material picker 130 presses from above. At this time, the pressing force may occur in at least one of the material picker 130 and the heating unit 120-2.

도 13 내지 도 15는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 자재 절단장치(20)의 가열부(120-3)를 나타내는 도면으로, 도 13은 상방으로 경사진 가압면(124a)을, 도 14는 상방으로 굽은 곡면을 형성하는 가압면(125a)을, 도 15는 하방으로 굽은 곡면을 형성하는 가압면(126a)을 구비하는 가열부(120-3)를 나타내는 도면이다.13 to 15 are views showing the heating unit 120-3 of the semiconductor material cutting apparatus 20 according to the embodiment of the present invention. FIG. 13 shows a pressing surface 124a inclined upward, Fig. 15 is a diagram showing a heating unit 120-3 having a pressing surface 126a forming a curved surface curving downward. Fig. 15 is a view showing a heating unit 120-3 having a pressing surface 125a forming an upward curved surface.

도 13 내지 도 15에 도시된 가열부(120-3)는 발열부(122)를 포함하는 히팅블록(121)과 가압부재(124)를 포함한다. 가압부재(124, 125, 126)는 스트립(S)의 하면을 지지하는 가압면(124a, 125a, 126a)이 마련되고, 히팅블록(121)과 분리 가능하도록 결합할 수 있다.The heating unit 120-3 shown in FIGS. 13 to 15 includes a heating block 121 including a heat generating unit 122 and a pressing member 124. As shown in FIG. The pressing members 124, 125 and 126 are provided with pressing surfaces 124a, 125a and 126a for supporting the lower surface of the strip S and can be detachably coupled to the heating block 121. [

가압면(124a, 125a, 126a)은 워페이지의 휨 방향과 반대방향으로 경사 또는 곡면을 형성할 수 있다. 스트립(S)은 가열 및 가압과정을 거친 후에 본래의 형상, 즉 워페이지 완화 공정을 거치기 전의 굽은 형상으로 돌아가려는 성질이 있다. 이러한 성질을 이용하여 평면상태에서 워페이지를 가열 및 가압하는 것이 아니라 역 휨 상태에서 워페이지를 가열 및 가압하여 워페이지가 본래의 굽은 방향으로 돌아가는 경우 평면 상태의 스트립(S)을 형성하도록 유도할 수 있다.The pressing surfaces 124a, 125a, and 126a may form an inclined or curved surface in a direction opposite to the warping direction of the warp sheet. The strip S has a property of returning to the original shape after the heating and pressurizing process, that is, the bent shape before the warpage relaxation process. By using such a property, it is not necessary to heat and press the warp sheet in the flat state, but to induce the warp sheet to form a flat strip S when the warp sheet returns to its original curved direction by heating and pressing the warp sheet in the reverse warp state .

가압부재(124)의 가압면(124a, 125a, 126a)은 다양한 형상으로 마련될 수 있다. 도 13에 도시한 것과 같이 상방으로 경사진 가압면(124a)이 마련될 수 있다. 즉, 지붕모양으로 양 측부에서 상승하는 경사면을 형성할 수 있다. 또한, 도 14에 도시한 것과 같이 상방으로 굽은 곡면(125a)을 형성할 수 있으며, 반대로 도 15와 같이 하방으로 굽은 곡면(126a)을 형성할 수 있다. 상방으로 경사지거나 굽은 가압면(124a, 125a)을 형성하는 가압부재(124, 125)는 하방으로 굽은 스트립(S)에 사용할 수 있고, 반대로 하방으로 경사지거나 굽은 가압면(126a)을 형성하는 가압부재(126)는 상방으로 굽은 스트립(S)에 사용할 수 있다.The pressing surfaces 124a, 125a, 126a of the pressing member 124 may be provided in various shapes. A pressing surface 124a which is inclined upward as shown in Fig. 13 may be provided. That is, it is possible to form a sloping surface rising from both side portions in a roof shape. 14, curved surfaces 125a curved upward can be formed, and curved surfaces 126a curved downwardly as shown in FIG. 15 can be formed. The pressing members 124 and 125 forming the upwardly inclined or curved pressing surfaces 124a and 125a can be used for the downwardly curved strip S and conversely the pressing members 124 and 125 can be used to press downwardly to form a downwardly inclined or curved pressing surface 126a, The member 126 may be used for the upwardly curved strip S.

가압부재(124, 125, 126)는 다양한 형태와, 다양한 굽힌 정도로 다수 개 마련할 수 있다. 워페이지가 형성된 정도는 스트립(S)마다 다르며, 그 방향도 다를 수 있다. 또한, 스트립(S)의 두께에 따라 같은 굽힘 정도의 워페이지라도 역굽힘을 형성하는 정도가 달라질 수 있다. 따라서, 가압부재(124, 125, 126)를 분리 가능하도록 결합하여 다양한 스트립(S)에 적용할 수 있다.The pressing members 124, 125, and 126 may be provided in various shapes and in a plurality of bent shapes. The degree to which the warp page is formed differs depending on the strip S, and the direction may also be different. Also, depending on the thickness of the strip S, the extent to which reverse bending is formed can be varied even if a warp sheet having the same degree of bending is used. Therefore, the pressing members 124, 125, and 126 can be detachably coupled to various strips.

이때, 워페이지 형태에 따라 가압면의 형상을 교체할 수도 있지만, 가압면의 형상에 맞추어 반도체 자재의 워페이지 정도 및 워페이지 방향 등에 따라 기 분류될 수도 있다. 또한 워페이지의 정도 및 방향을 측정하기 위한 센서,감지 장치 등이 추가로 구비될 수 있다.
At this time, the shape of the pressing surface may be changed according to the warp shape, but it may be classified according to the warp degree of the semiconductor material, the warp direction, etc. according to the shape of the pressing surface. Further, a sensor, a sensing device, and the like for measuring the degree and direction of the warp page may be further provided.

도 16 내지 도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 자재 절단장치(20)의 자재픽커(130)를 나타내는 도면으로, 도 16은 워페이지가 형성된 반도체 자재가 인렛레일(110)에 안착된 모습을, 도 17은 자재픽커(130)가 반도체 자재의 상부면을 흡착한 모습을, 도 18은 자재픽커(130)가 척테이블(31)에 반도체 자재를 전달하는 모습을 나타내는 도면이다.16 to 18 are views showing a material picker 130 of a semiconductor material cutting apparatus 20 according to another embodiment of the present invention. 17 shows a state in which the material picker 130 adsorbs the upper surface of the semiconductor material and FIG. 18 shows a state in which the material picker 130 transfers the semiconductor material to the chuck table 31.

다른 실시예에 따른 자재픽커(130)는 흡착부(131)의 외부를 둘러싸는 치마부재(132)를 포함할 수 있다. 치마부재(132)는 흡착부(131)가 스트립(S)을 흡착하기 용이하도록 스트립(S)의 주위를 둘러싸서 흡착공간을 외부와 단절시킬 수 있다. 치마부재(132)는 플렉서블한 재질을 사용할 수 있으며, 예를 들어 고무 재질을 사용할 수 있다.The material picker 130 according to another embodiment may include a skirt member 132 that surrounds the outside of the adsorption unit 131. The skirt member 132 can surround the strip S to easily separate the adsorption space from the outside so that the adsorption unit 131 can easily adsorb the strip S. [ The skirt member 132 may be made of a flexible material, for example, a rubber material.

자재픽커(130)가 하강하여 흡착부(131)가 스트립(S)의 상면을 접촉한 후 흡착부(131)는 진공압을 형성한다. 이 때 외부의 압력에 의해 진공압 형성이 약해질 수 있다. 치마부재(132)가 흡착 공간 외부를 둘러싸서 외부와 단절시킴으로써 흡착부(131)가 진공압을 형성하는 것이 용이해질 수 있다.After the material picker 130 descends and the adsorption unit 131 contacts the upper surface of the strip S, the adsorption unit 131 forms a vacuum pressure. At this time, vacuum pressure formation can be weakened by external pressure. The suction member 131 can be easily formed to form a vacuum by forming the skirt member 132 around the outside of the adsorption space and disconnecting it from the outside.

또한, 치마부재(132)는 척테이블(31)이 스트립(S)을 흡착하는 것을 용이하게 할 수 있다. 자재픽커(130)가 인렛부(100)로부터 스트립(S)을 픽업하여 절단부(30)의 척테이블(31)로 이동한 후 하강하여 척테이블(31)에 스트립(S)을 안착시킨다. 이 때 자재픽커(130)는 흡착력을 제거하게 되고, 반대로 척테이블(31)의 흡착부(32)가 스트립(S)의 하면을 흡착하게 된다. 위에서와 마찬가지로 치마부재(132)는 스트립(S)의 주위를 둘러싸서 외부와 단절시킴으로써 척테이블(31)이 진공압을 형성하여 스트립(S)을 견고하게 흡착할 수 있도록 한다.In addition, the skirt member 132 can facilitate the chuck table 31 to adsorb the strip S. The material picker 130 picks up the strip S from the inlet section 100 and moves to the chuck table 31 of the cut section 30 and then descends to seat the chuck table S on the chuck table 31. At this time, the material picker 130 removes the attraction force, and on the contrary, the suction portion 32 of the chuck table 31 adsorbs the lower surface of the strip S. As described above, the skirt member 132 surrounds the strip S and is disconnected from the outside, so that the chuck table 31 forms a vacuum pressure so that the strip S can be firmly adsorbed.

10: 공급장치, 20: 절단장치,
21: 반송레일, 22: 세척부,
23: 유닛픽커, 30: 절단부,
31: 척테이블, 100: 인렛부,
110: 인렛레일, 111, 112: 안착면,
120: 가열부, 121a,124a,125a,126a: 가압면,
130: 자재픽커, 131: 흡착부,
132: 치마부재, 140: 베이스,
141: 너트, 142: 볼스크류,
143: 구동모터, 144: 동력전달 벨트.10: feeder, 20: cutting device,
21: conveying rail, 22: washing unit,
23: a unit picker, 30: a cutter,
31: chuck table, 100: inlet portion,
110: inlet rail, 111, 112:
120: heating section, 121a, 124a, 125a, 126a: pressure face,
130: material picker, 131: adsorption part,
132: skirt member, 140: base,
141: nut, 142: ball screw,
143: drive motor, 144: power transmission belt.

Claims (16)

공급장치로부터 반출되는 반도체 자재가 안착되는 인렛부;
상기 인렛부의 반도체 자재를 픽업하여 절단부로 반송하는 자재픽커;
상기 인렛부로부터 반송된 반도체 자재를 개별 단위로 절단 가공하는 절단부;
상기 절단부로 반도체 자재를 반송하기 전에, 상기 반도체 자재를 가열하여 상기 반도체 자재의 워페이지를 완화시키는 가열부; 및
상기 절단부에서 절단된 반도체 자재를 픽업하여 분류적재장치로 반송하는 유닛픽커를 포함하는 반도체 자재 절단장치.An inlet portion on which a semiconductor material to be carried out from the supply device is seated;
A material picker for picking up the semiconductor material of the inlet section and transporting the semiconductor material to the cut section;
A cutting section for cutting the semiconductor material conveyed from the inlet section into individual units;
A heating unit for heating the semiconductor material to reduce the warpage of the semiconductor material before the semiconductor material is transported to the cutting unit; And
And a unit picker for picking up the semiconductor material cut at the cut portion and transporting the picked up semiconductor material to the classification stacking apparatus. 제1항에 있어서,
상기 가열부는 상기 인렛부의 하부에 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.The method according to claim 1,
Wherein the heating unit is installed at a lower portion of the inlet unit. 제1항에 있어서,
상기 인렛부는 상기 공급장치로부터 반출되는 상기 반도체 자재의 양 측부를 지지하여 가이드하는 한 쌍의 인렛레일을 포함하고,
상기 한 쌍의 인렛레일은 각각 상기 반도체 자재가 안착되는 안착면을 구비하고,
상기 가열부는 상기 자재픽커에 의해 상기 반도체 자재가 가압되는 가압면을 구비하는 반도체 자재 절단장치.The method according to claim 1,
Wherein the inlet portion includes a pair of inlet rails for supporting and guiding both side portions of the semiconductor material to be carried out from the feeding device,
Wherein the pair of inlet rails each have a seating surface on which the semiconductor material is seated,
Wherein the heating unit has a pressing surface on which the semiconductor material is pressed by the material picker. 제3항에 있어서,
상기 가압면은 상기 안착면보다 하부에 위치하고,
상기 한 쌍의 인렛레일은 상기 자재픽커가 상기 반도체 자재를 픽업한 후에 외측으로 벌어져, 상기 자재픽커가 상기 반도체 자재를 상기 가압면으로 이동시키는데 간섭되지 않는 반도체 자재 절단장치.The method of claim 3,
Wherein the pressing surface is located below the seating surface,
Wherein the pair of inlet rails extend outward after the material picker picks up the semiconductor material so that the material picker does not interfere with moving the semiconductor material to the pressing surface. 제3항에 있어서,
상기 가열부는 상기 한 쌍의 인렛레일 사이에 마련되고,
상기 가압면과 상기 안착면은 동일 평면상에 위치하는 반도체 자재 절단장치.The method of claim 3,
Wherein the heating unit is provided between the pair of inlet rails,
And the pressing surface and the seating surface are located on the same plane. 제1항에 있어서,
상기 인렛부는 상기 공급장치로부터 반출되는 상기 반도체 자재의 양 측부를 지지하여 가이드하는 한 쌍의 인렛레일; 및
상기 한 쌍의 인렛레일을 이동시키는 이동유닛;을 포함하는 반도체 자재 절단장치.The method according to claim 1,
Wherein the inlet portion includes a pair of inlet rails for supporting and guiding both side portions of the semiconductor material to be carried out from the feeding device; And
And a moving unit for moving the pair of inlet rails. 제6항에 있어서,
상기 한 쌍의 인렛레일은 너트와 스크류 결합하여 상기 가열부에 대하여 외측으로 벌어지도록 이동 가능하고,
상기 이동유닛은 상기 스크류를 회전하기 위한 구동부를 포함하는 반도체 자재 절단장치.The method according to claim 6,
Wherein the pair of inlet rails are screw-coupled to the nut so as to be movable toward the outside of the heating unit,
Wherein the moving unit includes a driving unit for rotating the screw. 제3항에 있어서,
상기 가압면은 상기 반도체 자재의 워페이지 방향에 반대방향으로 곡면을 형성하거나 또는 양측으로 경사진 형상을 포함하는 반도체 자재 절단장치.The method of claim 3,
Wherein the pressing surface includes a curved surface in a direction opposite to a warp direction of the semiconductor material or a shape inclined to both sides. 제1항에 있어서,
상기 가열부는 발열부를 포함하는 히팅블록과, 상기 히팅블록에 분리 가능하도록 결합하는 가압부재를 포함하는 반도체 자재 절단장치.The method according to claim 1,
Wherein the heating unit includes a heating block including a heating unit, and a pressing member detachably coupled to the heating block. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 가열부는 상승 및 하강 가능하도록 마련되는 반도체 자재 절단장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the heating unit is provided so as to be movable up and down. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 자재픽커는,
상기 반도체 자재를 흡착하는 흡착부재와,
상기 반도체 자재의 외부를 둘러싸도록 마련되고, 상기 절단부의 척테이블의 상부면에 접촉하여 상기 척테이블이 상기 반도체 자재를 흡착되는 공간을 외부로부터 단절시키는 치마부재를 포함하는 반도체 자재 절단장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The material picker,
An adsorption member for adsorbing the semiconductor material;
And a skirt member which is provided to surround the outside of the semiconductor material and which contacts the upper surface of the chuck table of the cut portion and disconnects the space in which the chuck table sucks the semiconductor material from the outside. 제11항에 있어서,
상기 치마부재는 플렉서블하여 상기 척테이블이 상기 반도체 자재를 흡착할 때 진공압 형성을 돕는 반도체 자재 절단장치.12. The method of claim 11,
Wherein the skirt member is flexible to assist in forming a vacuum pressure when the chuck table sucks the semiconductor material. 공급장치로부터 인렛부를 통해 반도체 자재를 반출하는 단계;
상기 반도체 자재의 양 측부를 지지하는 한 쌍의 인렛레일 사이에 마련되는 가열부 상에서 가열 및 가압하여 상기 반도체 자재의 워페이지를 완화시키는 단계; 및
자재픽커가 워페이지가 완화된 상기 반도체 자재를 픽업하여 절단부의 척테이블로 반송하는 단계를 포함하는 반도체 자재 절단방법.Removing the semiconductor material from the supply device through the inlet portion;
Heating and pressing on a heating unit provided between a pair of inlet rails supporting both side portions of the semiconductor material to relax a warp page of the semiconductor material; And
And picking up the semiconductor material in which the material pick-up is relaxed and transporting the semiconductor material to the chuck table of the cut-out portion. 제13항에 있어서,
상기 반도체 자재를 가압하는 단계는,
상기 반도체 자재의 하부면을 가압하는 상기 가열부의 가압면은 상기 반도체 자재가 안착되는 상기 한 쌍의 인렛레일의 안착면과 동일 평면상에 마련되고,
상기 자재픽커가 하강하여 상기 가열부 상에 반도체 자재를 가압하는 반도체 자재 절단방법.14. The method of claim 13,
Wherein pressing the semiconductor material comprises:
Wherein the pressing surface of the heating section for pressing the lower surface of the semiconductor material is provided on the same plane as the seating surface of the pair of inlet rails on which the semiconductor material is seated,
Wherein the material picker is lowered to press the semiconductor material on the heating unit. 제13항에 있어서,
상기 반도체 자재를 가압하는 단계는,
상기 자재픽커가 하강하여 상기 한 쌍의 인렛레일 상에 안착된 상기 반도체 자재의 상부면을 지지하고,
상기 가열부가 상승하여 상기 반도체 자재의 하부면을 가압하는 반도체 자재 절단방법.14. The method of claim 13,
Wherein pressing the semiconductor material comprises:
Wherein the material picker is lowered to support an upper surface of the semiconductor material that is seated on the pair of inlet rails,
And the heating portion is raised to press the lower surface of the semiconductor material. 공급장치로부터 인렛부를 통해 반도체 자재를 반출하는 단계;
자재픽커가 상기 반도체 자재의 양 측부를 지지하는 한 쌍의 인렛레일 상에 안착된 상기 반도체 자재를 픽업하는 단계;
상기 반도체 자재를 픽업한 상기 자재픽커가 상승하는 동안에 상기 한 쌍의 인렛레일이 외측으로 벌어지는 단계; 및
상기 자재픽커가 하강하여 상기 한 쌍의 인렛레일 사이에 마련되는 가열부 상에 반도체 자재를 가압하는 반도체 자재 절단방법.Removing the semiconductor material from the supply device through the inlet portion;
Picking up the semiconductor material seated on a pair of inlet rails on which material pickers support both sides of the semiconductor material;
The pair of inlet rails spread outward while the material picker picking up the semiconductor material is lifted up; And
Wherein the material picker is lowered to press the semiconductor material on a heating portion provided between the pair of inlet rails.
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