KR101341783B1 - Liquid Crystal Display Device And Method For Fabricating The Same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 제2 기판에 블랙매트릭스를 형성하지 않아도 제1 기판에 형성된 제2 공통전극으로 인해 액정의 불균일한 구동으로 발생될 수 있는 빛샘을 차단하게 되고, 외부 광 입사에 따라 금속배선의 표면반사를 차단하게 되는 액정표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 액정표시장치는 제1 기판 상에 일방향으로 배열된 게이트 배선과 수직교차되는 데이터 배선으로 정의되는 화소영역과, 상기 화소영역의 일측단부에 형성된 박막 트랜지스터와, 상기 화소영역 내에서 데이터 배선과 인접 배치되는 제1 공통전극과, 상기 제1 공통전극과 상기 데이터 배선 상에 오버랩되면서 동시에 상기 화소영역 내에 배치되는 제2 공통전극과, 상기 화소영역 내에 배치된 제2 공통전극과 교차배열되는 화소전극을 포함한다. According to the present invention, the second common electrode formed on the first substrate blocks light leakage that may occur due to non-uniform driving of the liquid crystal even when the black matrix is not formed on the second substrate, and reflects the surface of the metal wiring according to external light incident. A liquid crystal display device and a method of manufacturing the same are provided. A liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention includes a pixel area defined as a data line perpendicularly intersecting with a gate line arranged in one direction on a first substrate, and a pixel area of the pixel area. A thin film transistor formed at one end, a first common electrode disposed adjacent to a data line in the pixel area, a second common electrode overlapping the first common electrode and the data line and simultaneously disposed in the pixel area; And a pixel electrode cross-aligned with a second common electrode disposed in the pixel area.

빛샘, 저반사, 블랙 매트릭스 Light leakage, low reflection, black matrix

Description

액정표시장치 및 그의 제조방법{Liquid Crystal Display Device And Method For Fabricating The Same}Liquid Crystal Display Device And Method For Fabricating The Same

도 1은 본 발명에 따른 액정표시장치를 도시한 평면도1 is a plan view showing a liquid crystal display device according to the present invention.

도 2는 도 1의 A-A'와 B-B'선상의 단면도2 is a cross-sectional view taken along line A-A 'and B-B' of FIG.

도 3a 내지 도 3e는 본 발명에 다른 액정표시장치의 제조방법을 단계적으로 설명하기 위한 단면도들3A to 3E are cross-sectional views for explaining a method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention step by step.

＜도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＞Description of the Related Art

12: 게이트 배선 12a: 제1 공통전극12: gate wiring 12a: first common electrode

18a: 데이터 배선 24a: 화소전극18a: data wiring 24a: pixel electrode

24b: 제2 공통전극24b: second common electrode

본 발명은 액정표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof.

통상 액정표시장치는 전압인가에 따라 배열을 달리하는 액정분자의 특성을 이용한 디스플레이장치로서, 음극선관에 비하여 낮은 전력으로 구동이 가능하며 소형화, 박형화에 더욱 유리한 장점을 지니므로 노트북 컴퓨터의 모니터와 벽걸이형 텔레비젼 등 차세대 디스플레이장치로서 각광을 받고 있다.A liquid crystal display is a display device using characteristics of liquid crystal molecules that vary in arrangement depending on the voltage applied, and can be driven at a lower power than a cathode ray tube, and is advantageous in miniaturization and thinning. It is attracting attention as a next generation display device such as a type television.

액정표시장치는 액정패널과, 액정 패널 후면에서 빛을 공급하기 위한 백라이트 유닛으로 크게 구분한다. 그리고, 액정패널은 박막 트랜지스터가 형성된 하부기판과, 컬러필터가 형성된 상부기판을 포함하며, 하부기판과 상부기판의 이격된 사이에 액정이 위치된다. The liquid crystal display is largely divided into a liquid crystal panel and a backlight unit for supplying light from the back of the liquid crystal panel. The liquid crystal panel includes a lower substrate on which a thin film transistor is formed and an upper substrate on which a color filter is formed, and the liquid crystal is positioned between the lower substrate and the upper substrate.

이때, 컬러필터가 형성되는 상부기판에는 화소영역내의 불균일한 액정 구동영역에서의 빛(백라이트유닛에서의 공급되는 빛)샘을 차단하고, 외부 광 입사에 따라 하부기판에 형성된 금속배선의 표면 반사를 차단하기 위해, 블랙매트릭스가 형성된다. At this time, the upper substrate on which the color filter is formed blocks light leakage from the non-uniform liquid crystal driving region in the pixel region, and reflects the surface of the metal wiring formed on the lower substrate according to external light incident. To block, a black matrix is formed.

한편, 최근에는 공정단계의 복잡화, 재료비 상승등의 원인으로 인해 상부기판에 형성되는 상기 블랙 매트릭스가 제거될 수 있는 액정표시장치의 개발이 요구되고 있다. On the other hand, recently, there has been a demand for the development of a liquid crystal display device capable of removing the black matrix formed on the upper substrate due to the complexity of the process step and the increase of the material cost.

따라서 본 발명의 목적은 블랙 매트릭스가 제거될 수 있는 액정표시장치 및 그의 제조방법을 제공함에 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, in which the black matrix can be removed.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정표시장치는 제1 기판 상에 일방향으로 배열된 게이트 배선과 수직교차되는 데이터 배선으로 정의되는 화소영역과, 상기 화소영역의 일측단부에 형성된 박막 트랜지스터와, 상기 화소영역 내에서 데이터 배선과 인접 배치되는 제1 공통전극과, 상기 제1 공통전극과 상기 데이터 배 선 상에 오버랩되면서 동시에 상기 화소영역 내에 배치되는 제2 공통전극과, 상기 화소영역 내에 배치된 제2 공통전극과 교차배열되는 화소전극을 포함한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device including: a pixel region defined by a data line perpendicular to a gate wiring arranged in one direction on a first substrate, a thin film transistor formed at one end of the pixel region; A first common electrode disposed adjacent to the data line in the pixel area, a second common electrode overlapping the first common electrode and the data line and simultaneously disposed in the pixel area, and disposed in the pixel area And a pixel electrode cross-aligned with the second common electrode.

상기 화소전극 및 제2 공통전극은 불투명 금속막 및 불투명 금속산화막의 이중막으로 형성되고, 상기 불투명 금속막은 크롬(Cr), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo)을 포함하는 금속그룹 중 선택된 어느 하나로 구성한다. The pixel electrode and the second common electrode are formed of a double layer of an opaque metal film and an opaque metal oxide film, and the opaque metal film is one selected from a metal group including chromium (Cr), copper (Cu), and molybdenum (Mo). Configure.

상기 제1 기판과 액정층을 사이에 두고 대향 합착되는 제2 기판이 더 구비되고, 상기 제2 기판은 상기 제1 기판의 화소영역에 대응되도록 형성되는 컬러필터층을 포함한다. A second substrate may be further provided to face each other with the first substrate and the liquid crystal layer interposed therebetween, and the second substrate may include a color filter layer formed to correspond to the pixel area of the first substrate.

상기 제1 공통전극은 상기 게이트 배선용 물질로 형성되고, 상기 게이트 배선과 동일층에 형성된다. The first common electrode is formed of the gate wiring material, and is formed on the same layer as the gate wiring.

상기 박막 트랜지스터와 상기 제1 공통전극 상에 형성되는 보호막을 더 포함하고, 상기 보호막은 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질그룹 중 선택된 어느 하나로 구성되는 제1 보호막과, 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴계 수지(acryl계 resin)를 포함하는 유기절연물질그룹 중 선택된 어느 하나로 구성되는 제2 보호막을 포함한다. And a passivation layer formed on the thin film transistor and the first common electrode, wherein the passivation layer comprises a first passivation layer formed of any one selected from an inorganic insulating material group including silicon nitride (SiNX) and silicon oxide (SiO 2); And a second passivation layer including any one selected from the group of organic insulating materials including benzocyclobutene (BCB) and acrylic resin.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정표시장치의 제조방법은 제1 기판 상에 게이트 배선, 게이트 전극, 제1 공통전극을 형성하는 단계와, 상기 제1 공통전극이 형성된 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극에 상응하는 게이트 절연막 상에 반도체층, 소스 및 드레인전극을 형성하는 단계와, 상기 소스 및 드레인 전극이 형성된 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계와, 상기 보호막이 형성된 기판 상에 불투명 금속막 및 불투명 금속산화막을 증착한 후 패터닝하여, 화소전극 및 공통전극을 형성하는 단계를 포함한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, the method including: forming a gate wiring, a gate electrode, and a first common electrode on a first substrate; Forming an insulating film, forming a semiconductor layer, a source and a drain electrode on a gate insulating film corresponding to the gate electrode, forming a protective film on an entire surface of the substrate on which the source and drain electrodes are formed, And depositing and patterning an opaque metal film and an opaque metal oxide film on the formed substrate, thereby forming a pixel electrode and a common electrode.

상기 불투명 금속막은 크롬(Cr), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo)을 포함하는 금속그룹 중 선택된 어느 하나로 구성하고, 상기 보호막은 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질그룹 중 선택된 어느 하나로 구성되는 제1 보호막과, 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴계 수지(acryl계 resin)를 포함하는 유기절연물질그룹 중 선택된 어느 하나로 구성되는 제2 보호막을 포함한다. The opaque metal film is made of any one selected from the group of metals including chromium (Cr), copper (Cu), and molybdenum (Mo), and the protective film is an inorganic insulating material including silicon nitride (SiNX) and silicon oxide (SiO 2). A first protective film composed of any one selected from the group and a second protective film composed of any one selected from the group of organic insulating materials including benzocyclobutene (BCB) and an acrylic resin.

상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 액정표시장치 및 그의 제조방법에 대한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다. An embodiment of a liquid crystal display and a manufacturing method thereof according to the present invention having the above characteristics will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 액정표시장치를 도시한 평면도이고, 도 2는 도 1의 A-A'와 B-B'선상의 단면도이다. 1 is a plan view illustrating a liquid crystal display according to the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A-A 'and B-B' of FIG. 1.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치는 박막 트랜지스터가 형성된 제1 기판(11)과, 블랙 매트릭스 없이 컬러필터층만 형성된 제2 기판(31)과, 제1 및 제2 기판(11, 31) 사이에 형성된 액정층(미도시)을 구비한다. As shown in FIGS. 1 and 2, the liquid crystal display according to the present invention includes a first substrate 11 having a thin film transistor, a second substrate 31 having only a color filter layer without a black matrix, A liquid crystal layer (not shown) formed between the two substrates 11 and 31 is provided.

상기 제1 기판(11)에는 기판(10)상에 일방향으로 배열된 게이트 배선(12)과, 상기 게이트 배선(12)과 수직 교차되어 화소영역을 정의하는 데이터배선(18a)과, 상기 화소영역의 일측 단부에 형성된 스위칭 소자인 박막 트랜지스터와, 상기 게이트배선용 금속으로 게이트 배선과 동일층에 형성되고, 상기 데이터배선과 인접 배치되는 제1 공통전극(12a)과, 상기 제1 공통전극(12a)과 상기 데이터배선(18a) 상에 오버랩되면서 동시에 화소영역 내에 배치되는 제2 공통전극(24b)과, 상기 화소 영역 내에 배치된 제2 공통전극(24b)과 교차 배열되는 화소전극(24a)을 포함한다. The first substrate 11 includes a gate wiring 12 arranged in one direction on the substrate 10, a data wiring 18a vertically intersecting with the gate wiring 12 to define a pixel region, and the pixel region. A thin film transistor, which is a switching element formed at one end of the gate, a first common electrode 12a formed on the same layer as the gate wiring with the gate wiring metal, and disposed adjacent to the data wiring, and the first common electrode 12a. And a second common electrode 24b overlapping the data line 18a and simultaneously arranged in the pixel region, and a pixel electrode 24a intersecting with the second common electrode 24b disposed in the pixel region. do.

그리고, 상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트 배선(12)에서 분기되어 형성된 게이트 전극(12b)과, 상기 게이트 전극(12b) 및 제1 공통전극(12a)을 포함한 기판 전면에 형성된 게이트 절연막(14)과, 상기 게이트 절연막(14) 상에 게이트 전극(12b)와 오버랩되는 반도체층(도 3c의 16)과, 상기 데이터배선(18a)에서 분기되어 상기 반도체층(16) 상에 형성된 소스/드레인전극(18b)과, 상기 소스/드레인 전극(18b)이 포함된 기판(10) 전면에 형성된 제1 및 제2 보호막(20, 22)을 포함한다. 또한, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극(18b)은 콘택홀(도 3e의 23)을 통해 상기 화소전극(24a)과 접촉된다. The thin film transistor may include a gate electrode 12b branched from the gate line 12, a gate insulating layer 14 formed on an entire surface of the substrate including the gate electrode 12b and the first common electrode 12a, A semiconductor layer (16 in FIG. 3C) overlapping the gate electrode 12b on the gate insulating layer 14 and a source / drain electrode 18b branched from the data line 18a and formed on the semiconductor layer 16. ) And first and second passivation layers 20 and 22 formed on an entire surface of the substrate 10 including the source / drain electrodes 18b. In addition, the drain electrode 18b of the thin film transistor is in contact with the pixel electrode 24a through a contact hole 23 of FIG. 3E.

한편, 상기 제1 공통전극(12a)은 화소영역 내에 형성된 공통전극 중 최외각에 배치되는 공통전극으로써, 화소영역내의 불균일한 액정 구동영역인 데이터 배선(18a)과 공통전극간의 거리를 줄이게 된다. 다시 말해, 공통전극 및 화소전극(24a) 간에 배열된 액정과 데이터 배선(18a)과 공통전극 간에 배열된 액정은 서로 다른 전계 분포를 가지게 되어 서로 상이하게 구동되므로, 데이터 배선(18a)에 인접하도록 최외각 공통전극인 제1 공통전극(12a)을 형성함으로써, 화소영역내의 불균일한 액정 구동영역인 데이터 배선(18a)과 공통전극간의 거리를 줄이게 된다. Meanwhile, the first common electrode 12a is a common electrode disposed at the outermost side of the common electrodes formed in the pixel region, and reduces the distance between the data line 18a and the common electrode, which is an uneven liquid crystal driving region in the pixel region. In other words, the liquid crystal arranged between the common electrode and the pixel electrode 24a and the liquid crystal arranged between the data line 18a and the common electrode have different electric field distributions and are driven differently from each other, so that they are adjacent to the data line 18a. By forming the first common electrode 12a, which is the outermost common electrode, the distance between the data line 18a, which is an uneven liquid crystal driving region in the pixel region, and the common electrode is reduced.

그리고, 제2 공통전극(24b)은 불투명 금속막 및 저반사 불투명 금속산화막의 이중막으로 형성하고, 화소영역 내의 불균일한 액정구동영역인 최외각 공통전극인 제1 공통전극(12a)과 이들 사이에 배치된 데이터배선(18a) 상에 오버랩되도록 형성함으로써, 불균일한 액정구동영역을 불투명금속막으로 덮어 액정의 불균일한 구동으로 발생될 수 있는 빛샘을 차단하게 된다. 또한, 불투명 금속막 상에 표면 반사 차단용 저반사 금속산화막이 형성된 제2 공통전극(24b)을 사용함으로써, 외부 광 입사에 따라 불투명금속막으로 형성된 금속배선의 표면 반사를 차단하게 된다. The second common electrode 24b is formed of a double layer of an opaque metal film and a low reflection opaque metal oxide film, and the first common electrode 12a, which is the outermost common electrode that is a non-uniform liquid crystal driving region in the pixel region, and therebetween. By forming an overlap on the data line 18a arranged in the above, the non-uniform liquid crystal driving region is covered with an opaque metal film to block light leakage that may be generated by non-uniform driving of the liquid crystal. In addition, by using the second common electrode 24b having the low reflection metal oxide film for blocking the surface reflection on the opaque metal film, the surface reflection of the metal wiring formed of the opaque metal film is blocked by external light incident.

또한, 상기 제2 기판(31)에는 상기 제1 기판(11)의 화소영역 각각에 대응되도록 기판(30)상에 형성되는 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 컬러필터층(32)을 포함한다. In addition, the second substrate 31 includes a color filter layer of red (R), green (G), and blue (B) formed on the substrate 30 so as to correspond to each pixel area of the first substrate 11. 32).

따라서, 상기 제2 기판(31)에 블랙매트릭스를 형성하지 않아도 제1 기판(11)에 형성된 제2 공통전극(24b)로 인해 액정의 불균일한 구동으로 발생될 수 있는 빛샘을 차단하게 되고, 외부 광 입사에 따라 금속배선의 표면반사를 차단하게 된다. Accordingly, even if the black matrix is not formed on the second substrate 31, the second common electrode 24b formed on the first substrate 11 blocks light leakage that may be generated by non-uniform driving of the liquid crystal. The surface reflection of the metal wiring is blocked by the incident light.

도 3a 내지 도 3e는 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법을 단계적으로 설명하기 위한 단면도들이다. 3A through 3E are cross-sectional views for explaining a method of manufacturing a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

우선, 도 3a에 도시된 바와 같이, 기판(10) 상에 도전성 금속을 증착하고 사진식각공정과 같은 패터닝공정을 수행하여 게이트 배선(도 1의 12), 게이트 전극(12b) 및 제1 공통전극(12a)을 형성한다. First, as shown in FIG. 3A, a conductive metal is deposited on the substrate 10 and a patterning process such as a photolithography process is performed to perform a gate wiring (12 of FIG. 1), a gate electrode 12b, and a first common electrode. (12a) is formed.

도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 제1 공통전극(12a) 등이 형성된 기판(10)의 전면에 절연물질을 증착하여 게이트 절연막(14)을 형성한다. As shown in FIG. 3B, an insulating material is deposited on the entire surface of the substrate 10 on which the first common electrode 12a and the like are formed to form a gate insulating layer 14.

도 3c에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 절연막(14)이 형성된 기판(10) 상에 순수 아몰퍼스실리콘(a-Si)과 불순물이 함유된 아몰퍼스실리콘(n+a-Si)을 적층한 후 패터닝하여, 반도체층(16)을 형성한다. 다음으로, 상기 반도체층(16)이 형성된 기판(10) 상에 전술한 도전성 금속을 증착하고 패터닝하여, 데이터배선(18a)과 소 스전극 및 드레인 전극(18b)을 형성한다. As shown in FIG. 3C, pure amorphous silicon (a-Si) and amorphous silicon (n + a-Si) containing impurities are stacked and patterned on the substrate 10 on which the gate insulating layer 14 is formed. The semiconductor layer 16 is formed. Next, the above-described conductive metal is deposited and patterned on the substrate 10 on which the semiconductor layer 16 is formed to form the data wiring 18a, the source electrode, and the drain electrode 18b.

도 3d에 도시된 바와 같이, 상기 소스전극 및 드레인전극(18b) 등이 형성된 기판(10) 전면에 제1 보호막(20) 및 제2 보호막(22)을 증착한다. 한편, 상기 제1 보호막(20)은 소스 전극과 드레인전극(18b)사이의 반도체층(16)에 형성되는 박막 트랜지스터의 채널영역을 보호하기 위해 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기 절연물질로 형성하고, 상기 제2 보호막(20)은 기판(10)상에 형성된 다수 개의 배선 및 막질들간의 단차를 최소화하기 위해 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴계 수지(acryl계 resin)를 포함하는 유기절연물질로 형성한다. As shown in FIG. 3D, the first passivation layer 20 and the second passivation layer 22 are deposited on the entire surface of the substrate 10 on which the source electrode and the drain electrode 18b and the like are formed. Meanwhile, the first passivation layer 20 includes silicon nitride (SiNX) and silicon oxide (SiO 2) to protect the channel region of the thin film transistor formed in the semiconductor layer 16 between the source electrode and the drain electrode 18b. It is formed of an inorganic insulating material, and the second protective film 20 is made of benzocyclobutene (BCB) and acrylic resin (acryl resin) in order to minimize the step between a plurality of wiring and film quality formed on the substrate 10 It is formed of an organic insulating material containing.

이어, 도 3e에 도시된 바와 같이, 상기 제1 및 제2 보호막(20, 22)을 패터닝하여, 상기 드레인 전극(18b)을 노출하는 콘택홀(23)을 형성하고, 콘택홀이 형성된 기판(10) 상에 불투명 금속막 및 저반사 불투명 금속산화막을 순차적으로 증착한 후 사진 식각공정과 같은 패터닝공정을 수행하여, 상기 화소영역에 화소전극(24a) 및 공통전극(24b)을 형성한다. 이때, 화소전극(24a) 및 공통전극(24b)은 상기 불투명 금속물질이 크롬(Cr), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 등을 포함하는 불투명 금속물질 및 크롬(Cr), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo)등의 산화막인 크롬 산화막(CrO), 구리 산화막(CuO2), 몰리브덴 산화막(MoO)등의 불투명 금속물질의 산화막이 적층된 이중막으로 형성됨으로써, 본 공정을 완료한다. Subsequently, as illustrated in FIG. 3E, the first and second passivation layers 20 and 22 are patterned to form a contact hole 23 exposing the drain electrode 18b, and the substrate on which the contact hole is formed ( 10) the opaque metal film and the low reflection opaque metal oxide film are sequentially deposited on the substrate, and then a patterning process such as a photolithography process is performed to form the pixel electrode 24a and the common electrode 24b in the pixel region. In this case, the pixel electrode 24a and the common electrode 24b include an opaque metal material including chromium (Cr), copper (Cu), molybdenum (Mo), and chromium (Cr) and copper (Cu). The process is completed by forming a double film in which an oxide film of an opaque metal material such as a chromium oxide film (CrO), a copper oxide film (CuO 2 ), and a molybdenum oxide film (MoO), which are oxide films such as molybdenum (Mo), is laminated.

이와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치 및 그의 제조방법은 제2 기판에 블 랙매트릭스를 형성하지 않아도 제1 기판에 형성된 제2 공통전극으로 인해 액정의 불균일한 구동으로 발생될 수 있는 빛샘을 차단하게 되고, 외부 광 입사에 따라 금속배선의 표면반사를 차단하게 되는 효과가 있다. As described above, the liquid crystal display and the method of manufacturing the same according to the present invention block light leakage that may be generated due to uneven driving of the liquid crystal due to the second common electrode formed on the first substrate even without forming a black matrix on the second substrate. In addition, there is an effect of blocking the surface reflection of the metal wiring in accordance with the external light incident.

Claims (11)

제1 기판 상에 일방향으로 배열된 게이트 배선과 수직교차되는 데이터 배선으로 정의되는 화소영역과, A pixel region defined as a data line perpendicularly intersecting with the gate line arranged in one direction on the first substrate; 상기 화소영역의 일측단부에 형성된 박막 트랜지스터와, A thin film transistor formed at one end of the pixel region; 상기 화소영역 내에서 데이터 배선과 인접 배치되는 제1 공통전극과,A first common electrode disposed adjacent to the data line in the pixel region; 상기 제1 공통전극과 상기 데이터 배선 사이의 영역을 가리도록 상기 제1 공통전극과 상기 데이터 배선 상에 오버랩되면서 동시에 상기 화소영역 내에 배치되는 제2 공통전극과, A second common electrode overlapping the first common electrode and the data line so as to cover an area between the first common electrode and the data line and simultaneously disposed in the pixel region; 상기 화소영역 내에 배치된 제2 공통전극과 교차배열되는 화소전극을 포함하며;A pixel electrode cross-aligned with a second common electrode disposed in the pixel region; 상기 화소전극 및 제2 공통전극은, 불투명 금속막 및 불투명 금속산화막의 이중막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the pixel electrode and the second common electrode are formed of a double layer of an opaque metal film and an opaque metal oxide film. 삭제delete 제1 항에 있어서, 상기 불투명 금속막은 크롬(Cr), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo)을 포함하는 금속그룹 중 선택된 어느 하나로 구성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치. The liquid crystal display device of claim 1, wherein the opaque metal film is formed of any one selected from a group of metals including chromium (Cr), copper (Cu), and molybdenum (Mo). 제1 항에 있어서, 상기 제1 기판과 액정층을 사이에 두고 대향 합착되는 제2 기판이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치. The liquid crystal display device according to claim 1, further comprising a second substrate facing each other with the first substrate and the liquid crystal layer interposed therebetween. 제4 항에 있어서, 상기 제2 기판은 상기 제1 기판의 화소영역에 대응되도록 형성되는 컬러필터층을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치. The liquid crystal display of claim 4, wherein the second substrate comprises a color filter layer formed to correspond to the pixel area of the first substrate. 제1 항에 있어서, 상기 제1 공통전극은 The method of claim 1, wherein the first common electrode 상기 게이트 배선용 물질로 형성되고, 상기 게이트 배선과 동일층에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치. And a gate wiring material, and formed on the same layer as the gate wiring. 제1 항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터 상에 형성되는 보호막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치. The liquid crystal display of claim 1, further comprising a passivation layer formed on the thin film transistor. 제7 항에 있어서, 상기 보호막은 The method of claim 7, wherein the protective film 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질그룹 중 선택된 어느 하나로 구성되는 제1 보호막과, 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴계 수지(acryl계 resin)를 포함하는 유기절연물질그룹 중 선택된 어느 하나로 구성되는 제2 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치. A group of the first protective film composed of any one selected from the group of inorganic insulating materials including silicon nitride (SiNX) and silicon oxide (SiO 2), and an organic insulating material group including benzocyclobutene (BCB) and an acrylic resin. And a second passivation layer formed of any one selected from among the groups. 제1 기판 상에 게이트 배선, 게이트 전극, 제1 공통전극을 형성하는 단계와,Forming a gate wiring, a gate electrode, and a first common electrode on the first substrate; 상기 제1 공통전극이 형성된 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계 와,Forming a gate insulating film on an entire surface of the substrate on which the first common electrode is formed; 상기 게이트 전극에 상응하는 게이트 절연막 상에 반도체층, 소스 및 드레인전극을 형성하는 단계와, Forming a semiconductor layer, a source and a drain electrode on the gate insulating film corresponding to the gate electrode; 상기 소스 및 드레인 전극이 형성된 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계와,Forming a protective film on an entire surface of the substrate on which the source and drain electrodes are formed; 상기 보호막이 형성된 기판 상에 불투명 금속막과 불투명 금속산화막을 차례로 증착한 후 패터닝하여, 화소전극 및 공통전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치의 제조방법. Forming a pixel electrode and a common electrode by sequentially depositing and patterning an opaque metal film and an opaque metal oxide film on the protective film-formed substrate. 제9 항에 있어서, 상기 불투명 금속막은 크롬(Cr), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo)을 포함하는 금속그룹 중 선택된 어느 하나로 구성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법. The method of claim 9, wherein the opaque metal film is formed of any one selected from a group of metals including chromium (Cr), copper (Cu), and molybdenum (Mo). 제9 항에 있어서, 상기 보호막은 The method of claim 9, wherein the protective film 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질그룹 중 선택된 어느 하나로 구성되는 제1 보호막과, 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴계 수지(acryl계 resin)를 포함하는 유기절연물질그룹 중 선택된 어느 하나로 구성되는 제2 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법. A group of the first protective film composed of any one selected from the group of inorganic insulating materials including silicon nitride (SiNX) and silicon oxide (SiO 2), and an organic insulating material group including benzocyclobutene (BCB) and an acrylic resin. And a second passivation layer formed of any one selected from the group consisting of a liquid crystal display device.
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