KR20040062015A - array substrate for liquid crystal display and fabricating method of the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An LCD(liquid crystal display) and a method for manufacturing the LCD are provided to form a common electrode on a lower substrate using a black matrix. CONSTITUTION: An LCD includes an insulating substrate(200), red, green and blue color filters(202) formed on the insulating substrate, a planarization layer(206) formed on the color filters, and a gate line(212) and a data line(215) formed on the planarization layer to define a pixel region. The LCD further includes a thin film transistor connected to the gate line and data line, a pixel electrode(240) connected to the thin film transistor, and a black matrix pattern(250) formed on the thin film transistor and made of an opaque conductive material. The LCD also has a common line(270) formed of the same material as the material of the black matrix along the data line, and a common electrode(250) extended from the common line. The common electrode and the pixel electrode are alternately arranged.

Description

액정 표시 장치 및 그의 제조 방법{array substrate for liquid crystal display and fabricating method of the same}Liquid crystal display device and its manufacturing method {array substrate for liquid crystal display and fabricating method of the same}

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 컬러필터가 어레이 기판 상에 형성된 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device having a color filter formed on an array substrate and a method of manufacturing the same.

최근 정보화 사회로 시대가 급발전함에 따라 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판 표시장치(flat panel display)의 필요성이 대두되었는데, 그 중 색 재현성 등이 우수한 액정 표시 장치(liquid crystal display)가활발하게 개발되고 있다.Recently, with the rapid development of the information society, there is a need for a flat panel display having excellent characteristics such as thinning, light weight, and low power consumption. Among them, a liquid crystal display having excellent color reproducibility, etc. display is being actively developed.

일반적으로 액정 표시 장치는 일측에 전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을, 두 전극이 형성되어 있는 면이 마주 대하도록 배치하고 두 기판 사이에 액정 물질을 주입한 다음, 두 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 액정 분자를 움직이게 함으로써, 이에 따라 달라지는 빛의 투과율에 의해 화상을 표현하는 장치이다.In general, a liquid crystal display device is formed by arranging two substrates having electrodes formed on one side thereof so that the surfaces on which the two electrodes are formed face each other, injecting a liquid crystal material between the two substrates, and then applying voltage to the two electrodes. By moving the liquid crystal molecules by the electric field is a device that represents the image by the transmittance of light that varies accordingly.

액정 표시 장치의 하부 기판은 화소 전극에 신호를 인가하기 위한 박막 트랜지스터를 포함하는 어레이 기판으로 박막을 형성하고 사진 식각하는 공정을 반복함으로써 이루어지고, 상부 기판은 컬러 필터를 포함하는 기판으로 컬러 필터는 적(R), 녹(G), 청(B)의 세 가지 색이 순차적으로 배열되어 있으며, 안료분산법이나 염색법, 전착법 등의 방법으로 제작된다.The lower substrate of the liquid crystal display is formed by repeating a process of forming a thin film and photolithography with an array substrate including a thin film transistor for applying a signal to a pixel electrode. The upper substrate is a substrate including a color filter. Three colors of red (R), green (G) and blue (B) are sequentially arranged, and are produced by methods such as pigment dispersion, dyeing, and electrodeposition.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 일반적인 액정 표시 장치의 구조에 대하여 설명한다.Hereinafter, a structure of a general liquid crystal display device will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일반적인 액정 표시 장치에 대한 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a general liquid crystal display.

도시한 바와 같이, 투명한 제 1 기판(11) 위에 금속과 같은 도전 물질로 이루어진 게이트 전극(12)이 형성되어 있고, 그 위에 실리콘 질화막(SiNx)이나 실리콘 산화막(SiO2)으로 이루어진 게이트 절연막(13)이 게이트 전극(12)을 덮고 있다. 게이트 전극(12) 상부의 게이트 절연막(13) 위에는 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(14)이 형성되어 있으며, 그 위에 불순물이 도핑된 비정질 실리콘으로 이루어진 오믹 콘택층(15a, 15b)이 형성되어 있다.As illustrated, a gate electrode 12 made of a conductive material such as a metal is formed on the transparent first substrate 11, and a gate insulating film made of silicon nitride (SiN x ) or silicon oxide (SiO 2 ) is formed thereon. 13 covers the gate electrode 12. An active layer 14 made of amorphous silicon is formed on the gate insulating layer 13 on the gate electrode 12, and ohmic contact layers 15a and 15b made of amorphous silicon doped with impurities are formed thereon.

오믹 콘택층(15a, 15b) 상부에는 금속과 같은 도전 물질로 이루어진 소스 및 드레인 전극(16a, 16b)이 형성되어 있는데, 소스 및 드레인 전극(16a, 16b)은 게이트 전극(12)과 함께 박막 트랜지스터(T)를 이룬다.Source and drain electrodes 16a and 16b made of a conductive material such as a metal are formed on the ohmic contact layers 15a and 15b, and the source and drain electrodes 16a and 16b are formed together with the gate electrode 12. (T).

도시하지 않았지만, 게이트 전극(12)은 게이트 배선과 연결되어 있고, 소스 전극(16a)은 데이터 배선과 연결되어 있으며, 게이트 배선과 데이터 배선은 서로 직교하여 화소 영역을 정의한다.Although not shown, the gate electrode 12 is connected to the gate wiring, the source electrode 16a is connected to the data wiring, and the gate wiring and the data wiring are orthogonal to each other to define the pixel region.

이어, 소스 및 드레인 전극(16a, 16b) 위에는 실리콘 질화막이나 실리콘 산화막 또는 유기 절연막으로 이루어진 보호막(17)이 형성되어 있으며, 보호막(17)은 드레인 전극(16b)을 드러내는 콘택홀(17c)을 가진다.Subsequently, a passivation layer 17 made of a silicon nitride layer, a silicon oxide layer, or an organic insulating layer is formed on the source and drain electrodes 16a and 16b, and the passivation layer 17 has a contact hole 17c exposing the drain electrode 16b. .

보호막(17) 상부의 화소 영역에는 투명 도전 물질로 이루어진 화소 전극(18) 형성되어 있고, 화소 전극(18)은 콘택홀(17c)을 통해 드레인 전극(16b)과 연결되어 있다.A pixel electrode 18 made of a transparent conductive material is formed in the pixel area above the passivation layer 17, and the pixel electrode 18 is connected to the drain electrode 16b through the contact hole 17c.

한편, 제 1 기판(11) 상부에는 제 1 기판(11)과 일정 간격을 가지고 이격되어 있으며 투명한 제 2 기판(21)이 배치되어 있고, 제 2 기판(21)의 하부면에는 블랙 매트릭스(22)가 박막 트랜지스터(T)와 대응되는 위치에 형성되어 있는데, 도시하지 않았지만 블랙 매트릭스(22)는 화소 전극(18)과 대응하는 부분에 개구부를 가지고 기판 전면에 형성되어 있다. 이러한 블랙 매트릭스(22)는 화소 전극(18) 이외의 부분에서 빛이 새는 것을 방지하며, 또한 빛이 박막 트랜지스터(T)의 채널로 들어가는 것을 차단하여 광전류(photo current)가 발생하는 것을 방지한다. 블랙 매트릭스(22) 하부에는 서로 다른 색을 구현하는 컬러 필터(23a, 23b)가 형성되어 있는데, 두 컬러 필터(23a, 23b)는 적, 녹, 청의 색이 순차적으로 반복되어 있으며, 하나의 색이 하나의 화소 영역에 대응된다. 컬러 필터(23a, 23b) 하부에는 투명한 도전 물질로 이루어진 공통 전극(24)이 형성되어 있다.Meanwhile, the second substrate 21 is disposed on the first substrate 11 and spaced apart from the first substrate 11 at a predetermined interval, and the black matrix 22 is disposed on the lower surface of the second substrate 21. ) Is formed at a position corresponding to the thin film transistor T. Although not shown, the black matrix 22 is formed on the entire surface of the substrate with an opening in a portion corresponding to the pixel electrode 18. The black matrix 22 prevents light leakage from portions other than the pixel electrode 18, and also prevents light from entering the channel of the thin film transistor T to prevent photo current from occurring. Under the black matrix 22, color filters 23a and 23b are formed to realize different colors, and the two color filters 23a and 23b sequentially repeat red, green, and blue colors. It corresponds to this one pixel area. The common electrode 24 made of a transparent conductive material is formed under the color filters 23a and 23b.

다음, 화소 전극(18)과 공통 전극(24) 사이에는 액정층(30)이 주입되어 있다.Next, the liquid crystal layer 30 is injected between the pixel electrode 18 and the common electrode 24.

이와 같은 액정 표시 장치는 어레이 기판과 컬러 필터 기판을 각각 형성하고 하부의 화소 전극과 상부의 컬러 필터가 일대일 대응되도록 배치하는 공정을 통해 형성되는데, 기판을 배치하는 과정에서 오정렬(misalign)이 발생하여 빛샘과 같은 불량이 생길 수 있다. 이를 방지하기 위해 상부 기판의 블랙 매트릭스 폭을 넓게 형성할 수 있는데, 이러한 경우 액정 표시 장치의 개구율이 낮아지게 된다.The liquid crystal display is formed through a process of forming an array substrate and a color filter substrate, and arranging the lower pixel electrode and the upper color filter in a one-to-one correspondence. In the process of disposing the substrate, misalignment occurs. Defects such as light leakage can occur. In order to prevent this, the width of the black matrix of the upper substrate may be widened. In this case, the aperture ratio of the liquid crystal display becomes low.

따라서, 최근에는 컬러필터를 어레이 기판 상에 형성함으로써 액정 표시 장치의 오정렬을 방지하고, 블랙 매트릭스의 폭을 감소시켜 개구율을 향상시킬 수 있는 액정 표시 장치의 구조가 제시되었는데, 컬러필터를 박막 트랜지스터 하부에 형성하는 구조를 박막 트랜지스터 온 컬러필터(thin film trnasistor on color filter : TOC) 구조라고 한다.Therefore, recently, a structure of a liquid crystal display device capable of preventing misalignment of the liquid crystal display device by forming a color filter on the array substrate and improving the aperture ratio by reducing the width of the black matrix has been proposed. The structure formed in the film is called a thin film transistor on color filter (TOC) structure.

상기 TOC 구조 액정 표시장치에 대해 도면을 참조하여 설명한다.The TOC structure liquid crystal display device will be described with reference to the drawings.

도 2에 도시한 바와 같이, 액정 표시 장치는 투명한 제 1 기판(111) 위에 컬러필터(112a, 112b)가 형성되어 있는데, 컬러필터(112a, 112b)는 적, 녹, 청의 세 가지 색이 순차적으로 반복되어 있다.As shown in FIG. 2, in the liquid crystal display, color filters 112a and 112b are formed on the transparent first substrate 111. Three colors of red, green, and blue are sequentially formed. Is repeated.

이어, 컬러필터(112) 상부에는 평탄화막(113)이 형성되어 있는데, 이 평탄화막 (113)은 컬러필터(112)를 보호하며, 컬러필터(112)가 형성된 기판을 평탄화하여 이후 공정을 안정적으로 진행하도록 하는 역할을 한다.Subsequently, a planarization layer 113 is formed on the color filter 112. The planarization layer 113 protects the color filter 112, and flattens the substrate on which the color filter 112 is formed to stabilize a subsequent process. It serves to proceed.

다음, 평탄화막(113) 상부에 금속과 같은 도전 물질로 게이트 전극(114)이 형성되어 있고, 게이트 절연막(115)이 게이트 전극(114)을 덮고 있다. 도시하지 않았지만 게이트 전극(114)은 주사 신호를 전달하는 게이트 배선과 연결되어 있다.Next, the gate electrode 114 is formed of a conductive material such as a metal on the planarization layer 113, and the gate insulating layer 115 covers the gate electrode 114. Although not shown, the gate electrode 114 is connected to a gate line for transmitting a scan signal.

게이트 전극(114) 상부의 게이트 절연막(115) 위에는 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(116)이 형성되어 있으며, 그 위에 불순물이 도핑된 비정질 실리콘으로 이루어진 오믹 콘택층(117a, 117b)이 형성되어 있다.An active layer 116 made of amorphous silicon is formed on the gate insulating layer 115 on the gate electrode 114, and ohmic contact layers 117a and 117b made of amorphous silicon doped with impurities are formed thereon.

오믹 콘택층(117a, 117b) 상부에는 소스 및 드레인 전극(118a, 118b)이 형성되어 있는데, 소스 및 드레인 전극(118a, 118b)은 게이트 전극(114)을 중심으로 마주 대하고 있으며, 게이트 전극(114)과 함께 박막 트랜지스터(T1)을 이룬다. 여기서, 소스 전극(118a)은 화상 신호를 전달하며 게이트 배선과 직교하는 데이터 배선(도시하지 않음)에 연결되어 있고, 데이터 배선과 게이트 배선은 화소 영역을 정의한다.Source and drain electrodes 118a and 118b are formed on the ohmic contact layers 117a and 117b, and the source and drain electrodes 118a and 118b face each other with respect to the gate electrode 114. Together with 114, a thin film transistor T1 is formed. Here, the source electrode 118a transmits an image signal and is connected to a data line (not shown) orthogonal to the gate line, and the data line and the gate line define the pixel region.

이어, 소스 및 드레인 전극(118a, 118b) 위에는 보호막(119)이 형성되어 있고, 보호막(119)은 드레인 전극(118b)을 드러내는 콘택홀(119c)을 가진다.Subsequently, a passivation layer 119 is formed on the source and drain electrodes 118a and 118b, and the passivation layer 119 has a contact hole 119c exposing the drain electrode 118b.

다음, 박막 트랜지스터(T1) 상부의 보호막(119) 위에는 불투명한 도전성 물질로 이루어진 블랙 매트릭스(120)가 형성되어 있으며, 화소 영역의 보호막(119) 상부에는 투명 도전 물질로 이루어진 화소 전극(121)이 형성되어 있는데, 화소 전극(121)은 콘택홀(119c)을 통해 드레인 전극(118b)과 연결되어 있다.Next, a black matrix 120 made of an opaque conductive material is formed on the passivation layer 119 on the thin film transistor T1, and the pixel electrode 121 made of a transparent conductive material is formed on the passivation layer 119 of the pixel region. The pixel electrode 121 is connected to the drain electrode 118b through the contact hole 119c.

한편, 제 1 기판(111) 상부에는 제 1 기판(111)과 일정 간격을 가지고 이격되어 있으며 투명한 제 2 기판(131)이 배치되어 있고, 제 2 기판(131)의 안쪽면에는 ITO와 같은 투명 도전 물질로 이루어진 공통 전극(132)이 형성되어 있다.On the other hand, the second substrate 131 is disposed above the first substrate 111 at regular intervals and spaced apart from the first substrate 111, and the inner surface of the second substrate 131 is transparent, such as ITO. The common electrode 132 made of a conductive material is formed.

다음, 화소 전극(121)과 공통 전극(132) 사이에는 액정층(140)이 주입되어 있는데, 도시하지 않았지만 화소 전극(121)의 상부와 공통 전극(132)의 하부에는 각각 배향막이 형성되어 있어, 액정 분자의 초기 배열을 결정한다.Next, a liquid crystal layer 140 is injected between the pixel electrode 121 and the common electrode 132. Although not illustrated, an alignment layer is formed at an upper portion of the pixel electrode 121 and a lower portion of the common electrode 132, respectively. The initial arrangement of the liquid crystal molecules is determined.

본 발명은 상기한 종래의 TOC 구조의 액정표시장치에 있어서 BM형성시 상기 BM을 이용하여 공통전극을 하부기판에 형성함으로써 TOC 구조의 횡전계 액정표시장치를 제공하는 것이다. 이때 TOC 액정 표시장치의 제조 공정에 있어서, 추가되는 공정없이 빛샘현상을 방지하기 위해 형성하는 BM 공정진행시 데이터 배선과 중첩되도록 공통배선을 형성하고, 상기 공통배선에서 분기하는 공통전극을 형성하는 횡전계 액정표시장치의 제조 방법을 제공한다.The present invention provides a transverse electric field liquid crystal display device having a TOC structure by forming a common electrode on a lower substrate by using the BM in forming a BM in the liquid crystal display device having a conventional TOC structure. At this time, in the manufacturing process of the TOC liquid crystal display, the common wiring is formed so as to overlap with the data wiring during the BM process, which is formed to prevent light leakage without any additional process, and the common electrode is formed to branch from the common wiring. A method of manufacturing an electric field liquid crystal display device is provided.

도 1은 일반적인 액정 표시 장치의 단면도.1 is a cross-sectional view of a general liquid crystal display device.

도 2는 일반적인 TOC 구조 액정표시장치의 단면도.2 is a cross-sectional view of a general TOC structure liquid crystal display device.

도 3은 본 발명에 따른 TOC 구조 액정표시장치용 어레이 기판의 평면도.3 is a plan view of an array substrate for a TOC structure liquid crystal display device according to the present invention;

도 4는 본 발명에 따른 TOC 구조 액정표시장치용 어레이 기판의 단면도.4 is a cross-sectional view of an array substrate for a TOC structure liquid crystal display device according to the present invention;

도 5a 내지 도 5d는 도4의 제조 공정 단면도.5A-5D are cross-sectional views of the manufacturing process of FIG. 4.

상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 어레이 기판은 절연기판과; 상기 절연기판 상에 적, 녹, 청색의 컬러필터층과; 상기 컬러필터층 위에 평탄화막과; 상기 평탄화막 위에 형성되며, 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선과; 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터와; 상기 데이터 배선과 일부 중첩하며, 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소전극 연결선에서 화소전극과; 상기 박막 트랜지스터 상부에 형성되고 불투명한 도전성 물질로 이루어진 블랙 매트릭스 패턴과; 블랙 매트릭스를 형성하는 금속물질로 이루어지며 데이터 배선과 중첩하고, 상기 데이터 배선을 따라 형성되는 공통배선과 상기 공통배선에서 분기하여 상기 화소전극과 엇갈리게 배치되는 공통전극을 포함한다.In order to achieve the above object, an array substrate for a liquid crystal display device according to the present invention includes an insulating substrate; A red, green, and blue color filter layer on the insulating substrate; A planarization film on the color filter layer; Gate wiring and data wiring formed on the planarization film and crossing each other to define a pixel region; A thin film transistor connected to the gate line and the data line; A pixel electrode on a pixel electrode connection line partially overlapping the data line and connected to the thin film transistor; A black matrix pattern formed on the thin film transistor and made of an opaque conductive material; And a common electrode formed of a metal material forming a black matrix and overlapping the data line, and having a common line formed along the data line and branched from the common line to be alternately arranged with the pixel electrode.

이때, 상기 블랙 매트릭스는 크롬과 몰리브덴, 티타늄 중의 어느 하나로 이루어진다.In this case, the black matrix is made of any one of chromium, molybdenum and titanium.

본 발명에 의한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법은 기판 상부에 컬러필터층을 형성하는 단계와; 상기 컬러필터층 상부에 평탄화막을 형성하는 단계와; 상기 평탄화막 위에 교차하는 게이트 배선과 데이터 배선, 그리고 상기 게이트 배선 및 데이터 배선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 데이터 배선, 상기 박막 트랜지스터를 덮는 보호막을 형성하는 단계와; 상기 박막 트랜지스터 상부의 보호막 위에 도전성 물질로 블랙 매트릭스와 공통배선 및 공통전극을 형성하는 단계와; 상기 보호막 상부에 상기 박막 트랜지스터와 연결되며, 공통전극과 화소상에서 서로 엇갈리게 배치하는 화소전극을 형성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device according to the present invention includes the steps of forming a color filter layer on the substrate; Forming a planarization layer on the color filter layer; Forming a thin film transistor connected to the gate line and the data line and the gate line and the data line to cross the planarization layer; Forming a passivation layer covering the gate line, the data line, and the thin film transistor; Forming a black matrix, a common wiring, and a common electrode with a conductive material on the passivation layer on the thin film transistor; Forming a pixel electrode connected to the thin film transistor on the passivation layer, the pixel electrode being alternately disposed on the common electrode and the pixel;

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a liquid crystal display and a manufacturing method thereof according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 평면도이다.First, FIG. 3 is a plan view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도시한 바와 같이, 제 1 방향으로 게이트 배선(210)이 형성되어 있고, 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 데이터 배선(215)이 형성되어 있으며, 게이트 배선(210) 및 데이터 배선(215)이 교차하며 화소영역(P)을 정의한다.As illustrated, the gate wiring 210 is formed in the first direction, the data wiring 215 is formed in the second direction crossing the first direction, and the gate wiring 210 and the data wiring 215 are formed. These intersect to define the pixel region P.

상기 게이트 배선(215) 및 데이터 배선(210)이 교차되는 지점에는 박막 트랜지스터가 형성되어 있고, 박막 트랜지스터와 연결되어 화소전극(240)이 형성되어 있다.A thin film transistor is formed at a point where the gate line 215 and the data line 210 cross each other, and the pixel electrode 240 is formed in connection with the thin film transistor.

또한, 상기 데이터 배선(215)과 일부 중첩되며, 제 2 방향으로 공통배선(270)이 형성되어 있으며, 상기 공통배선(217)으로부터 분기하여 제 1 방향으로 공통전극(250)이 상기 화소전극(240)과 서로 엇갈려 형성되어 있다.In addition, the common wiring 270 is partially overlapped with the data wiring 215, and the common wiring 270 is formed in the second direction, and the common electrode 250 branches in the first direction by branching from the common wiring 217. And 240).

상기 박막 트랜지스터에는, 상기 게이트 배선(210)에서 분기된 게이트 전극(208)과, 상기 데이터 배선(215)에서 분기된 소스 전극(220)과, 상기 소스 전극(220)과 일정간격 이격된 드레인 전극(225)으로 이루어진다.The thin film transistor includes a gate electrode 208 branched from the gate line 210, a source electrode 220 branched from the data line 215, and a drain electrode spaced apart from the source electrode 220 at a predetermined interval. 225.

상기 화소전극(240)은 전단 게이트 배선(210)과 일부 중첩되게 구성되며, 상기 화소전극(240)과 게이트 배선(210) 스토리지 캐패시터를 이루고 있다.The pixel electrode 240 partially overlaps the front gate line 210, and forms a storage capacitor of the pixel electrode 240 and the gate line 210.

또한 박막 트랜지스터 부분은 블랙매트릭스로 덮혀 있어 빛샘현상을 방지한다.The thin film transistor is also covered with a black matrix to prevent light leakage.

도 4는 상기 도 3의 A-A'에 따라 절단한 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 3.

도시한 바와 같이, 투명한 기판(200) 위에 컬러필터 패턴(202)이 형성되어 있다. 도면에는 나타나지 않았지만, 상기 컬러필터(202)는 적, 녹, 청의 세 가지색이 순차적으로 반복되어 형성되어 있다. 또한 상기 컬러필터 패턴(202) 상부에는 컬러필터 패턴(202)을 보호하며, 상기 컬러필터 패턴(202) 표면을 평탄화하여 이후 공정을 안정적으로 진행하기 위한 평탄화막(206)이 형성되어 있다. 그 상부에는 금속재질의 게이트 전극(212)이 형성되어 있고, 상기 게이트 전극(212) 위로 질화실리콘 또는 산화실리콘의 무기절연물질로 게이트 절연막(213)이 전면에 형성되어 있다.As illustrated, a color filter pattern 202 is formed on the transparent substrate 200. Although not shown, the color filter 202 is formed by sequentially repeating three colors of red, green, and blue. In addition, a planarization layer 206 is formed on the color filter pattern 202 to protect the color filter pattern 202 and to planarize the surface of the color filter pattern 202 so as to stably perform the subsequent process. A metal gate electrode 212 is formed thereon, and a gate insulating film 213 is formed on the entire surface of the gate electrode 212 using an inorganic insulating material of silicon nitride or silicon oxide.

또한, 상기 게이트 절연막(213) 위에는 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(219a)이 형성되어 있으며, 그 위에 불순물이 도핑된 비정질 실리콘으로 이루어진 오믹콘택층(219)이 형성되어 있다. 또한, 상기 오믹콘택층(219b) 상부에는 소스 및 드레인 전극(220, 225)이 형성되어 있다. 또한, 화소영역에 있어 게이트 절연막(213) 위로 데이터 배선(215)이 형성되어 있다. 또한, 상기 소스 및 드레인 전극(220, 225) 위에는 보호막(230)이 형성되어 있고, 보호막(230)은 드레인 전극(225)을 드러내는 콘택홀(231)을 가진다.An active layer 219a made of amorphous silicon is formed on the gate insulating layer 213, and an ohmic contact layer 219 made of amorphous silicon doped with impurities is formed thereon. In addition, source and drain electrodes 220 and 225 are formed on the ohmic contact layer 219b. In the pixel region, the data line 215 is formed over the gate insulating layer 213. In addition, a passivation layer 230 is formed on the source and drain electrodes 220 and 225, and the passivation layer 230 has a contact hole 231 exposing the drain electrode 225.

다음, 박막 트랜지스터 상부의 보호막(230) 위에는 불투명한 도전성 물질로 이루어진 블랙 매트릭스(250)가 형성되어 있다. 또한 상기 보호막(230) 위에는 드레인 콘택홀(231)을 통해 드레인 전극(225)과 연결되어 있는 화소전극(240)이 형성되어 있다.Next, a black matrix 250 made of an opaque conductive material is formed on the passivation layer 230 on the thin film transistor. In addition, a pixel electrode 240 connected to the drain electrode 225 through the drain contact hole 231 is formed on the passivation layer 230.

도 5a 내지 도 5d는 도4의 제조 공정에 따른 공정 단면도이다.5A through 5D are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of FIG. 4.

먼저, 도 5a에 도시한 바와 같이 투명한 절연 기판(200) 위에 컬러필터(202)를 형성한다. 컬러필터(202)는 안료분산법이나 염색법, 인쇄법 등으로 제작할 수있는데, 이 중 안료분산법이 정교성이 뛰어나고 재현성이 좋아 널리 사용되고 있다.First, as shown in FIG. 5A, the color filter 202 is formed on the transparent insulating substrate 200. The color filter 202 can be produced by a pigment dispersion method, a dyeing method, a printing method, etc. Among these, the pigment dispersion method is widely used because of its excellent precision and reproducibility.

이어, 상기 컬러필터(202) 상부에 평탄화막(206)을 형성하여 컬러필터(202)로 인한 단차를 없앤다.Subsequently, the planarization layer 206 is formed on the color filter 202 to eliminate the step caused by the color filter 202.

다음으로 도 5b에 도시한 바와 같이, 상기 평탄화막(206) 위에 금속과 같은 도전 물질로 게이트 전극(212)을 형성한다. 이때, 게이트 전극(212)과 연결되고 제 1 방향을 가지는 게이트 배선(미도시)도 함께 형성된다.Next, as shown in FIG. 5B, the gate electrode 212 is formed on the planarization layer 206 with a conductive material such as metal. In this case, a gate line (not shown) connected to the gate electrode 212 and having a first direction is also formed.

다음으로 게이트 전극(212) 상부에 게이트 절연막(213)과 비정질 실리콘층 및 불순물이 도핑된 비정질 실리콘층을 차례로 증착한 후, 패터닝하여 액티브층(219a)과 불순물 반도체층(219b)을 형성하고, 금속물질을 스퍼터링 방법으로 증착하고 패터닝하여 반도체층(119) 상부에 소스 전극(220)과 드레인 전극(225)을 형성한다. 이어, 소스 전극(220)과 드레인 전극(225) 사이에 드러난 오믹콘택층(219b)을 식각하여 액티부층(219a)을 노출시킨다. 이때, 소스 전극(220)과 연결되고 제 2 방향으로 연장되어 게이트 배선(미도시)과 교차함으로써, 화소 영역을 정의하는 데이터 배선(215)도 함께 형성된다. 여기서, 소스 및 드레인 전극(220, 225)은 게이트 전극(212)과 함께 박막 트랜지스터를 이룬다.Next, a gate insulating film 213, an amorphous silicon layer, and an amorphous silicon layer doped with impurities are sequentially deposited on the gate electrode 212, and then patterned to form an active layer 219a and an impurity semiconductor layer 219b. A metal material is deposited and patterned by a sputtering method to form a source electrode 220 and a drain electrode 225 on the semiconductor layer 119. Subsequently, the ohmic contact layer 219b exposed between the source electrode 220 and the drain electrode 225 is etched to expose the active part layer 219a. In this case, the data line 215, which is connected to the source electrode 220 and extends in the second direction and crosses the gate line (not shown), defines the pixel area. Here, the source and drain electrodes 220 and 225 together with the gate electrode 212 form a thin film transistor.

다음으로 도 5c에 도시한 바와 같이, 소스 및 드레인 전극(220, 225) 상부에 유전율이 낮은 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)이나 아크릴 계열의 유기 물질로 보호막(230)을 형성한 다음, 패터닝하여 드레인 전극(225)의 일부를 드러내는 드레인 콘택홀(231)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 5C, the passivation layer 230 is formed on the source and drain electrodes 220 and 225 with a low dielectric constant benzocyclobutene or an acryl-based organic material, and then patterned to form a drain electrode. A drain contact hole 231 exposing a portion of 225 is formed.

다음으로 도 5d에 도시한 바와 같이, 금속물질을 증착하고 패터닝하여 박막 트랜지스터 상부에 블랙 매트릭스 패턴과 데이터 배선(215)과 중첩하는 공통배선(270)과 상기 공통배선(270)에서 제 2 방향으로 분기한 공통전극(250)을 형성한다. 이때, 블랙 매트릭스는 크롬(Cr)이나 몰리브덴(Mo), 또는 티타늄(Ti) 중의 어느 하나로 이루어질 수 있다.Next, as shown in FIG. 5D, a metal material is deposited and patterned to overlap the black matrix pattern and the data line 215 on the thin film transistor in the second direction from the common line 270 and the common line 270. A branched common electrode 250 is formed. In this case, the black matrix may be formed of any one of chromium (Cr), molybdenum (Mo), or titanium (Ti).

다음으로 IZO, 또는 IZO와 같은 물질을 증착하고 패터닝하여 보호막(230) 상부의 화소 영역에 화소 전극(240)을 형성한다. 상기 화소전극(240)은 드레인 콘택홀(231)을 통해 드레인 전극(225)과 접촉한다.Next, a pixel electrode 240 is formed in the pixel region on the passivation layer 230 by depositing and patterning a material such as IZO or IZO. The pixel electrode 240 contacts the drain electrode 225 through the drain contact hole 231.

이후, 이러한 어레이 기판을 ITO만 가지는 상부 기판과 합착한 다음, 액정을 주입하여 TOC 구조의 횡전계형 액정 표시 장치를 완성할 수 있다.Thereafter, the array substrate may be bonded to an upper substrate having only ITO, and then liquid crystal may be injected to complete a transverse field type liquid crystal display device having a TOC structure.

본 발명에서는 컬러필터를 하부의 어레이 기판 상에 형성하고 블랙 매트릭스를 어레이 기판 상부의 박막 트랜지스터 위에 형성하고 동시에 상기 블랙 매트릭스로써 공통배선과 상기 공통배선에서 분기하여 화소전극과 엇갈려 배치하는 공통전극을 형성함으로써 공정추가없이 TOC 구조의 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판을 제공할 수 있다.In the present invention, a color filter is formed on a lower array substrate, and a black matrix is formed on a thin film transistor on an array substrate, and at the same time, a common electrode is formed to be alternated with the pixel electrode by branching from the common wiring and the common wiring as the black matrix. As a result, an array substrate for a transverse electric field type liquid crystal display device having a TOC structure can be provided without additional processing.

Claims (3)

절연기판과;An insulating substrate; 상기 절연기판 상에 적, 녹, 청색의 컬러필터층과;A red, green, and blue color filter layer on the insulating substrate; 상기 컬러필터층 위에 평탄화막과;A planarization film on the color filter layer; 상기 평탄화막 위에 형성되며, 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선과;Gate wiring and data wiring formed on the planarization film and crossing each other to define a pixel region; 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터와;A thin film transistor connected to the gate line and the data line; 상기 데이터 배선과 일부 중첩하며, 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소전극 연결선에서 화소전극과;A pixel electrode on a pixel electrode connection line partially overlapping the data line and connected to the thin film transistor; 상기 박막 트랜지스터 상부에 형성되고 불투명한 도전성 물질로 이루어진 블랙 매트릭스 패턴과;A black matrix pattern formed on the thin film transistor and made of an opaque conductive material; 블랙 매트릭스를 형성하는 금속물질로 이루어지며 데이터 배선과 중첩하고, 상기 데이터 배선을 따라 형성되는 공통배선과 상기 공통배선에서 분기하여 상기 화소전극과 엇갈리게 배치되는 공통전극A common electrode made of a metal material forming a black matrix and overlapping with the data line, and having a common line formed along the data line and branching from the common line to be alternately arranged with the pixel electrode. 을 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판.Array substrate for a liquid crystal display device comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 블랙 매트릭스는 크롬과 몰리브덴, 티타늄 중의 어느 하나로 이루어진액정 표시 장치.The black matrix is formed of any one of chromium, molybdenum and titanium. 기판 상부에 컬러필터층을 형성하는 단계와;Forming a color filter layer on the substrate; 상기 컬러필터층 상부에 평탄화막을 형성하는 단계와;Forming a planarization layer on the color filter layer; 상기 평탄화막 위에 교차하는 게이트 배선과 데이터 배선, 그리고 상기 게이트 배선 및 데이터 배선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와;Forming a thin film transistor connected to the gate line and the data line and the gate line and the data line to cross the planarization layer; 상기 게이트 배선과 데이터 배선, 상기 박막 트랜지스터를 덮는 보호막을 형성하는 단계와;Forming a passivation layer covering the gate line, the data line, and the thin film transistor; 상기 박막 트랜지스터 상부의 보호막 위에 도전성 물질로 블랙 매트릭스와 공통배선 및 공통전극을 형성하는 단계와;Forming a black matrix, a common wiring, and a common electrode with a conductive material on the passivation layer on the thin film transistor; 상기 보호막 상부에 상기 박막 트랜지스터와 연결되며, 공통전극과 화소상에서 서로 엇갈리게 배치하는 화소전극을 형성하는 단계Forming a pixel electrode connected to the thin film transistor on the passivation layer, the pixel electrode being alternately disposed on the common electrode and the pixel; 를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.Method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device comprising a.
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