KR101708769B1 - Method of fabricating in plane switching mode liquid crystal display device - Google Patents

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Abstract

본 발명의 횡전계(In Plane Switching; IPS)방식 액정표시장치 및 그 제조방법은 다중층 구조의 공통전극 및 화소전극의 상부층에 빛을 잘 흡수하고 친수성을 가지는 산화구리(Cu2O)를 적용함으로써 대조비(contrast ratio)를 향상시키는 동시에 난반사 및 배향막 인쇄불량을 해결하는 것을 특징으로 한다.The In-Plane Switching (IPS) type liquid crystal display device and its manufacturing method of the present invention include a common electrode of a multilayer structure and copper oxide (Cu 2 O) (contrast ratio) is improved and diffused reflection and alignment film printing defects are solved.

Description

횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법{METHOD OF FABRICATING IN PLANE SWITCHING MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a transverse electric field type liquid crystal display device,

본 발명은 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 대조비를 향상시키는 동시에 저반사 특성 및 배향막 도포성을 확보하도록 한 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a transverse electric field type liquid crystal display device and a manufacturing method thereof, and more particularly to a transverse electric field type liquid crystal display device and a method of manufacturing such a transverse electric field type liquid crystal display device in which a low contrast characteristic and an orientation film application property are secured, .

최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시장치인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT)을 대체하는 경량 박막형 평판표시장치(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다. 특히, 이러한 평판표시장치 중 액정표시장치(Liquid Crystal Display; LCD)는 액정의 광학적 이방성을 이용하여 이미지를 표현하는 장치로서, 해상도와 컬러표시 및 화질 등에서 우수하여 노트북이나 데스크탑 모니터 등에 활발하게 적용되고 있다.Recently, interest in information display has increased, and a demand for using portable information media has increased, and a light-weight flat panel display (FPD) that replaces a cathode ray tube (CRT) And research and commercialization are being carried out. Particularly, among such flat panel display devices, a liquid crystal display (LCD) is an apparatus for displaying an image using the optical anisotropy of a liquid crystal, and is excellent in resolution, color display and picture quality and is actively applied to a notebook or a desktop monitor have.

상기 액정표시장치는 크게 컬러필터(color filter) 기판과 어레이(array) 기판 및 상기 컬러필터 기판과 어레이 기판 사이에 형성된 액정층(liquid crystal layer)으로 구성된다.The liquid crystal display comprises a color filter substrate, an array substrate, and a liquid crystal layer formed between the color filter substrate and the array substrate.

상기 액정표시장치에 주로 사용되는 구동 방식인 능동 매트릭스(Active Matrix; AM) 방식은 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(Amorphous Silicon Thin Film Transistor; a-Si TFT)를 스위칭소자로 사용하여 화소부의 액정을 구동하는 방식이다.An active matrix (AM) method, which is a driving method mainly used in the liquid crystal display, is a method of driving a liquid crystal of a pixel portion by using an amorphous silicon thin film transistor (a-Si TFT) to be.

이하, 도 1을 참조하여 일반적인 액정표시장치의 구조에 대해서 상세히 설명한다.Hereinafter, the structure of a typical liquid crystal display device will be described in detail with reference to FIG.

도 1은 일반적인 액정표시장치를 개략적으로 나타내는 분해사시도이다.1 is an exploded perspective view schematically showing a general liquid crystal display device.

도면에 도시된 바와 같이, 상기 액정표시장치는 크게 컬러필터 기판(5)과 어레이 기판(10) 및 상기 컬러필터 기판(5)과 어레이 기판(10) 사이에 형성된 액정층(liquid crystal layer)(30)으로 구성된다.As shown in the figure, the liquid crystal display comprises a color filter substrate 5, an array substrate 10, and a liquid crystal layer (not shown) formed between the color filter substrate 5 and the array substrate 10 30).

상기 컬러필터 기판(5)은 적(Red; R), 녹(Green; G) 및 청(Blue; B)의 색상을 구현하는 다수의 서브-컬러필터(7)로 구성된 컬러필터(C)와 상기 서브-컬러필터(7) 사이를 구분하고 액정층(30)을 투과하는 광을 차단하는 블랙매트릭스(black matrix)(6), 그리고 상기 액정층(30)에 전압을 인가하는 투명한 공통전극(8)으로 이루어져 있다.The color filter substrate 5 includes a color filter C composed of a plurality of sub-color filters 7 implementing colors of red (R), green (G) and blue (B) A black matrix 6 for separating the sub-color filters 7 from each other and shielding light transmitted through the liquid crystal layer 30 and a transparent common electrode for applying a voltage to the liquid crystal layer 30 8).

또한, 상기 어레이 기판(10)은 종횡으로 배열되어 복수개의 화소영역(P)을 정의하는 복수개의 게이트라인(16)과 데이터라인(17), 상기 게이트라인(16)과 데이터라인(17)의 교차영역에 형성된 스위칭소자인 박막 트랜지스터(T) 및 상기 화소영역(P) 위에 형성된 화소전극(18)으로 이루어져 있다.The array substrate 10 includes a plurality of gate lines 16 and data lines 17 arranged vertically and horizontally to define a plurality of pixel regions P and a plurality of gate lines 16 and data lines 17 A thin film transistor T which is a switching element formed in the intersection region and a pixel electrode 18 formed on the pixel region P. [

이와 같이 구성된 상기 컬러필터 기판(5)과 어레이 기판(10)은 화상표시 영역의 외곽에 형성된 실런트(sealant)(미도시)에 의해 대향하도록 합착되어 액정표시패널을 구성하며, 상기 컬러필터 기판(5)과 어레이 기판(10)의 합착은 상기 컬러필터 기판(5) 또는 어레이 기판(10)에 형성된 합착키(미도시)를 통해 이루어진다.The color filter substrate 5 and the array substrate 10 constituted as described above are adhered to each other so as to oppose each other by a sealant (not shown) formed on the periphery of the image display area to constitute a liquid crystal display panel, 5 and the array substrate 10 are bonded together through a cemented key (not shown) formed on the color filter substrate 5 or the array substrate 10.

이때, 상기 액정표시장치에 일반적으로 사용되는 구동방식으로 네마틱상의 액정분자를 기판에 대해 수직 방향으로 구동시키는 트위스티드 네마틱(Twisted Nematic; TN)방식이 있으나, 상기 트위스티드 네마틱방식의 액정표시장치는 시야각이 90도 정도로 좁다는 단점을 가지고 있다. 이것은 액정분자의 굴절률 이방성(refractive anisotropy)에 기인하는 것으로 기판과 수평하게 배향된 액정분자가 액정표시패널에 전압이 인가될 때 기판과 거의 수직방향으로 배향되기 때문이다.In this case, there is a twisted nematic (TN) method in which a nematic liquid crystal molecule is driven in a direction perpendicular to a substrate by a driving method generally used in the liquid crystal display device. However, the twisted nematic liquid crystal display Has a disadvantage that the viewing angle is as narrow as 90 degrees. This is because of the refractive anisotropy of the liquid crystal molecules, and liquid crystal molecules aligned horizontally with the substrate are oriented in a direction substantially perpendicular to the substrate when a voltage is applied to the liquid crystal display panel.

이에 액정분자를 기판에 대해 수평한 방향으로 구동시켜 시야각을 170도 이상으로 향상시킨 횡전계(In Plane Switching; IPS)방식 액정표시장치가 개발되고 있다.An IPS (In Plane Switching) liquid crystal display device has been developed in which a liquid crystal molecule is driven in a horizontal direction with respect to a substrate to improve a viewing angle to 170 degrees or more.

상기 횡전계방식 액정표시장치는 화소영역 내에 횡전계를 발생시키기 위한 공통전극과 화소전극이 교대로 배치되어 횡전계를 발생하게 되는데, 횡전계방식 액정표시장치의 대조비(contrast ratio; CR)를 향상시키기 위해서 블랙 휘도가 좋은 몰리브덴 계열의 금속을 상기 공통전극과 화소전극의 도전막으로 사용하고 있다.In the transverse electric field type liquid crystal display device, a common electrode and a pixel electrode for generating a transverse electric field are alternately arranged in the pixel region to generate a transverse electric field. The contrast ratio (CR) of the transverse electric field type liquid crystal display device is improved A molybdenum series metal having good black luminance is used as the conductive film of the common electrode and the pixel electrode.

이때, 도 2를 참조하면, 공통전극(8)과 화소전극(18)을 블랙 휘도가 좋은 몰리브덴 계열의 금속으로 사용한 경우 대조비가 향상되는 대신에 외부에서 입사된 빛의 난반사에 따른 무지개(rainbow) 불량이 발생하게 된다.2, when the common electrode 8 and the pixel electrode 18 are formed of a molybdenum-based metal having a good black luminance, the contrast ratio is improved. However, instead of using the rainbow according to the diffused reflection of light incident from the outside, Defects will occur.

본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 대조비를 향상시키도록 한 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a transverse electric field type liquid crystal display device and a method of manufacturing the same that improve the contrast ratio.

본 발명의 다른 목적은 상기 대조비의 향상과 함께 저반사 특성 및 배향막 도포성을 확보하도록 한 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a transverse electric field type liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, in which the low contrast property and the alignment film application property are secured together with the improvement of the contrast ratio.

본 발명의 다른 목적 및 특징들은 후술되는 발명의 구성 및 특허청구범위에서 설명될 것이다.Other objects and features of the present invention will be described in the following description of the invention and claims.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법은 박막 트랜지스터가 형성된 제 1 기판 위에 다중층 구조의 공통전극과 화소전극을 형성하는 단계와, 상기 공통전극과 화소전극이 형성된 상기 제 1 기판 위에 배향막을 형성하는 단계 및 상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함하여 구성될 수 있다.
이때, 상기 공통전극과 상기 화소전극은 몰리브덴 계열의 금속이나 티타늄 계열의 금속으로 이루어진 하부층과 구리 계열 금속의 산화물로 이루어진 상부층으로 형성하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a transverse electric field type liquid crystal display device, comprising: forming a common electrode and a pixel electrode of a multilayer structure on a first substrate on which a thin film transistor is formed; Forming an alignment film on the first substrate on which the first substrate and the second substrate are formed, and bonding the first substrate and the second substrate.
In this case, the common electrode and the pixel electrode are formed of a lower layer made of a molybdenum-based metal or a titanium-based metal, and an upper layer made of an oxide of a copper-based metal.

본 발명의 횡전계방식 액정표시장치는 박막 트랜지스터가 구비된 제 1 기판 위에 구비되는 다중층 구조의 공통전극과 화소전극과, 상기 공통전극과 화소전극이 구비된 상기 제 1 기판 위에 구비되는 배향막 및 상기 제 1 기판과 대향하여 합착되는 제 2 기판을 포함하여 구성될 수 있다.
이때, 상기 공통전극과 상기 화소전극은 몰리브덴 계열의 금속이나 티타늄 계열의 금속으로 이루어진 하부층과 구리 계열 금속의 산화물로 이루어진 상부층으로 구성되는 것을 특징으로 한다.The transverse electric field type liquid crystal display of the present invention includes a common electrode and a pixel electrode of a multilayer structure provided on a first substrate provided with a thin film transistor and an alignment film provided on the first substrate provided with the common electrode and the pixel electrode, And a second substrate bonded to the first substrate so as to be opposite to the first substrate.
Here, the common electrode and the pixel electrode may be formed of a lower layer made of a molybdenum-based metal or a titanium-based metal, and an upper layer made of an oxide of a copper-based metal.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법은 블랙 휘도가 좋은 몰리브덴 계열 또는 티타늄 계열의 금속을 다중층 구조의 공통전극과 화소전극의 도전막으로 사용함에 따라 횡전계방식 액정표시장치의 대조비를 향상시키는 효과를 제공한다.As described above, according to the transverse electric field type liquid crystal display device and the manufacturing method thereof, since the molybdenum-based or titanium-based metal having good black luminance is used as the common electrode of the multilayer structure and the conductive film of the pixel electrode, Type liquid crystal display device according to the present invention.

또한, 본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법은 상기 다중층 구조의 공통전극 및 화소전극의 상부층에 빛을 잘 흡수하고 친수성을 가지는 산화구리를 적용함으로써 난반사 및 배향막 인쇄불량을 해결하는 효과를 제공한다.In addition, the transverse electric field type liquid crystal display device and the method of manufacturing the same according to the present invention solve the diffuse reflection and alignment film printing defects by applying the copper oxide having the multilayer structure common to the upper layer of the pixel electrode and absorbing light well and having hydrophilic property. .

도 1은 일반적인 액정표시장치를 개략적으로 나타내는 분해사시도.
도 2는 일반적인 횡전계방식 액정표시장치에 있어서, 난반사에 따른 무지개 불량을 개략적으로 나타내는 단면도.
도 3은 핀홀의 발생에 따른 배향막 인쇄불량을 개략적으로 나타내는 단면도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 횡전계방식 액정표시장치에 있어서, 공통전극과 화소전극의 다중층 구조를 개략적으로 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 횡전계방식 액정표시장치의 어레이 기판 일부를 개략적으로 나타내는 평면도.
도 6은 상기 도 5에 도시된 어레이 기판의 A-A'선에 따른 단면을 개략적으로 나타내는 단면도.
도 7a 내지 도 7d는 상기 도 5에 도시된 어레이 기판의 제조공정을 순차적으로 나타내는 평면도.
도 8a 내지 도 8d는 상기 도 5에 도시된 어레이 기판의 A-A'선에 따른 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도.
도 9는 배향막에 대한 접촉 각도를 측정한 결과를 나타내는 그래프.1 is an exploded perspective view schematically showing a general liquid crystal display device.
BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention [0001] The present invention relates to a transverse electric field type liquid crystal display device.
Fig. 3 is a cross-sectional view schematically showing defective alignment film printing due to occurrence of pinholes. Fig.
4 is a cross-sectional view schematically showing a multilayer structure of a common electrode and a pixel electrode in a transverse electric field type liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
5 is a plan view schematically showing a part of an array substrate of a transverse electric field type liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view schematically showing a cross section taken along line A-A 'of the array substrate shown in FIG. 5;
FIGS. 7A to 7D are plan views sequentially showing the manufacturing steps of the array substrate shown in FIG. 5; FIG.
8A to 8D are cross-sectional views sequentially showing a manufacturing process along line A-A 'of the array substrate shown in FIG. 5;
9 is a graph showing a result of measuring a contact angle with respect to an alignment film.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of a transverse electric field type liquid crystal display device and a manufacturing method thereof according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

전술한 일반적인 횡전계방식 액정표시장치의 난반사에 의한 무지개 불량을 개선하고자 도 3에 도시된 바와 같이, 공통전극(8)과 화소전극(18)을 이중층 이상의 다중층 구조로 형성할 수 있다.3, the common electrode 8 and the pixel electrode 18 may be formed in a multi-layered structure or more, as shown in FIG. 3, in order to improve the irregularity defect caused by irregular reflection of the general transverse electric field liquid crystal display device.

이때, 도면에는 제 1 공통전극(8')과 제 2 공통전극(8")으로 이루어진 이중층 구조의 공통전극(8)과 제 1 화소전극(18')과 제 2 화소전극(18")으로 이루어진 이중층 구조의 화소전극(18)을 예를 들어 나타내고 있으나, 본 발명이 상기 이중층 구조의 공통전극(8)과 화소전극(18)에 한정되는 것은 아니며, 본 발명은 이중층 이상의 다중층 구조에 적용 가능하다.At this time, in the figure, the common electrode 8 having a bilayer structure composed of the first common electrode 8 'and the second common electrode 8 ", the first pixel electrode 18' and the second pixel electrode 18" The present invention is not limited to the bilateral common electrode 8 and the pixel electrode 18. The present invention can be applied to a multi-layered structure of more than two layers It is possible.

또한, 도면에는 동일한 층 내에 상기 공통전극(8)과 화소전극(18)이 함께 형성된 경우를 예를 들어 나타내고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 공통전극(8)과 화소전극(18)은 서로 다른 층에 형성될 수 있다.Although the common electrode 8 and the pixel electrode 18 are formed together in the same layer in the drawing, the present invention is not limited thereto. The common electrode 8 and the pixel electrode 18 May be formed on different layers.

이와 같은 이중층 구조의 공통전극(8)과 화소전극(18)은 하부층에 대조비를 향상시키기 위해 블랙 휘도가 좋은 몰리브덴(molybdenum; Mo), 몰리브덴 합금과 같은 몰리브덴 계열의 금속 또는 티타늄(titanium; Ti), 티타늄 합금과 같은 티타늄 계열의 금속 또는 몰리브덴 티타늄(MoTi)으로 이루어진 제 1 공통전극(8')과 제 1 화소전극(18')이 형성되고, 그 상부층에 상기 제 1 공통전극(8')과 제 1 화소전극(18')에 의한 외부 빛의 난반사를 방지하기 위해 질화구리(copper nitride; CuNx)로 이루어진 제 2 공통전극(8")과 제 2 화소전극(18")이 형성되게 된다.The common electrode 8 and the pixel electrode 18 having a bilayer structure may be formed of a molybdenum-based metal such as molybdenum (Mo) or molybdenum alloy or titanium (Ti) having good black luminance in order to improve the contrast ratio in the lower layer. A first common electrode 8 'and a first pixel electrode 18' made of a titanium-based metal or molybdenum titanium (MoTi) such as a titanium alloy are formed on the first common electrode 8 ' A second common electrode 8 "and a second pixel electrode 18" made of copper nitride (CuNx) are formed to prevent irregular reflection of external light by the first pixel electrode 18 ' .

다만, 상기의 이중층 구조의 공통전극(8)과 화소전극(18)은 상부층에 소수성을 가지는 질화구리의 사용으로 배향막(11)과의 접촉(contact) 특성이 좋지 않아 핀홀(h)의 발생으로 배향막(11) 인쇄불량이 발생하기도 한다.However, since the common electrode 8 and the pixel electrode 18 having the bilayer structure have poor contact properties with respect to the alignment layer 11 due to the use of copper nitride having hydrophobicity in the upper layer, Printing failure of the alignment film 11 may occur.

이에 따라 본 발명의 실시예에 따른 횡전계방식 액정표시장치는 상기 다중층 구조의 공통전극 및 화소전극의 상부층에 빛을 잘 흡수하는 동시에 친수성을 가지는 산화구리(Cu2O) 또는 구리 합금 산화물과 같은 구리 계열 금속의 산화물을 적용함으로써 대조비를 향상시키는 동시에 난반사 및 배향막 인쇄불량을 해결하고자 한다.Accordingly, the transverse electric field type liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention includes a common electrode of the multilayer structure and copper oxide (Cu 2 O) or copper alloy oxide which absorbs light well at the upper layer of the pixel electrode, By applying oxides of the same copper-based metal, the contrast ratio is improved and defects of the diffused reflection and alignment film printing are solved.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 횡전계방식 액정표시장치에 있어서, 공통전극과 화소전극의 다중층 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다.4 is a cross-sectional view schematically showing a multilayer structure of a common electrode and a pixel electrode in a transverse electric field type liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 횡전계방식 액정표시장치는 기판(110) 위에 이중층 이상의 다중층 구조로 이루어진 공통전극(108)과 화소전극(118)이 형성되어 있다.As shown in the drawing, a transverse electric field type liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention includes a common electrode 108 and a pixel electrode 118 formed on a substrate 110, the common electrode 108 having a multilayer structure or more.

이때, 전술한 바와 같이 도면에는 제 1 공통전극(108')과 제 2 공통전극(108")으로 이루어진 이중층 구조의 공통전극(108)과 제 1 화소전극(118')과 제 2 화소전극(118")으로 이루어진 이중층 구조의 화소전극(118)을 예를 들어 나타내고 있으나, 본 발명이 상기 이중층 구조의 공통전극(108)과 화소전극(118)에 한정되는 것은 아니며, 본 발명은 이중층 이상의 다중층 구조에 적용 가능하다.In this case, as shown in the figure, the common electrode 108 having a double-layer structure composed of the first common electrode 108 'and the second common electrode 108 ", the first pixel electrode 118' The present invention is not limited to the double-layer structure of the common electrode 108 and the pixel electrode 118, but the present invention can be applied to a multi-layered or multi-layered multi- Layer structure.

또한, 도면에는 동일한 층 내에 상기 공통전극(108)과 화소전극(118)이 함께 형성된 경우를 예를 들어 나타내고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 공통전극(108)과 화소전극(118)은 서로 다른 층에 형성될 수 있다.Although the common electrode 108 and the pixel electrode 118 are formed in the same layer in the drawing, the present invention is not limited thereto. The common electrode 108 and the pixel electrode 118 May be formed on different layers.

이와 같은 본 발명의 실시예에 따른 이중층 구조의 공통전극(108)과 화소전극(118)은 하부층에 대조비를 향상시키기 위해 블랙 휘도가 좋은 몰리브덴, 몰리브덴 합금과 같은 몰리브덴 계열의 금속 또는 티타늄, 티타늄 합금과 같은 티타늄 계열의 금속 또는 몰리브덴 티타늄으로 이루어진 제 1 공통전극(108')과 제 1 화소전극(118')이 형성되고, 그 상부층에 빛을 잘 흡수하는 동시에 친수성을 가지는 산화구리 또는 구리 합금 산화물과 같은 구리 계열 금속의 산화물로 이루어진 제 2 공통전극(108")과 제 2 화소전극(118")이 형성되게 된다. 이와 같이 친수성을 가지는 구리 계열 금속의 산화물을 다중층 구조의 공통전극(108)과 화소전극(118)의 상부층으로 사용함에 따라 배향막(111)과의 접촉 특성이 좋아 전술한 배향막(111) 인쇄불량을 해결할 수 있게 된다.The common electrode 108 and the pixel electrode 118 of the double layer structure according to the embodiment of the present invention may be formed of a molybdenum series metal such as molybdenum or molybdenum alloy having good black brightness or a metal such as titanium or titanium alloy A first common electrode 108 'and a first pixel electrode 118' made of a titanium-based metal or molybdenum titanium such as copper or copper alloy oxide having a hydrophilic property and capable of absorbing light at an upper layer thereof, A second common electrode 108 " and a second pixel electrode 118 " made of an oxide of a copper-based metal such as " Since the oxide of the copper-based metal having hydrophilicity is used as the upper layer of the common electrode 108 and the pixel electrode 118 in the multilayer structure, the contact property with the alignment film 111 is good, Can be solved.

이때, 상기 제 1 공통전극(108')과 제 1 화소전극(118')은 몰리브덴이나 티타늄에 N, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, W, Mn 등의 원소를 포함하여 형성할 수 있으며, 상기 제 2 공통전극(108")과 제 2 화소전극(118")은 50 ~ 1000Å의 두께로 형성할 수 있다.At this time, the first common electrode 108 'and the first pixel electrode 118' may be formed by including elements such as N, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, W, and Mn in molybdenum or titanium And the second common electrode 108 "and the second pixel electrode 118" may have a thickness of 50 to 1000 ANGSTROM.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 횡전계방식 액정표시장치의 어레이 기판 일부를 개략적으로 나타내는 평면도로써, 설명의 편의를 위해 화소부의 박막 트랜지스터를 포함하는 하나의 화소를 나타내고 있다.FIG. 5 is a plan view schematically showing a part of an array substrate of a transverse electric field type liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, and shows one pixel including a thin film transistor in a pixel portion for convenience of explanation.

또한, 도 6은 상기 도 5에 도시된 어레이 기판의 A-A'선에 따른 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.6 is a cross-sectional view schematically showing a cross section taken along the line A-A 'of the array substrate shown in FIG.

실제의 액정표시장치에서는 N개의 게이트라인과 M개의 데이터라인이 교차하여 MxN개의 화소가 존재하지만 설명을 간단하게 하기 위해 도면에는 하나의 화소를 나타내고 있다.In an actual liquid crystal display device, N number of gate lines and M number of data lines intersect to form MxN pixels, but one pixel is shown in the figure for simplicity.

이때, 본 발명은 상기 도 5 및 도 6에 도시된 횡전계방식 액정표시장치의 구조에 한정되는 것은 아니며, 다중층 구조의 공통전극 및 화소전극의 상부층에 빛을 잘 흡수하고 친수성을 가지는 구리 계열 금속의 산화물을 적용하는 경우에는 기타 다른 구조에 상관없이 본 발명이 적용 가능하다.In this case, the present invention is not limited to the structure of the transverse electric field type liquid crystal display device shown in FIGS. 5 and 6, but may be applied to a multi-layered common electrode and an upper layer of the pixel electrode, In the case of applying an oxide of a metal, the present invention is applicable regardless of other structures.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 어레이 기판(110)에는 상기 어레이 기판(110) 위에 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인(116)과 데이터라인(117)이 형성되어 있다. 또한, 상기 게이트라인(116)과 데이터라인(117)의 교차영역에는 스위칭소자인 박막 트랜지스터가 형성되어 있으며, 상기 화소영역 내에는 횡전계를 발생시켜 액정(미도시)을 구동시키는 다수개의 공통전극(108)과 화소전극(118)이 교대로 형성되어 있다.As shown in the drawing, a gate line 116 and a data line 117 are formed on an array substrate 110 on the array substrate 110 in the vertical and horizontal directions to define pixel regions have. A thin film transistor, which is a switching element, is formed in the intersection region of the gate line 116 and the data line 117. A plurality of common electrodes (not shown) for driving the liquid crystal A pixel electrode 108 and a pixel electrode 118 are alternately formed.

이때, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 어레이 기판(110)의 가장자리 영역에는 상기 데이터라인(117)과 게이트라인(116)에 각각 전기적으로 접속하는 데이터패드전극(미도시)과 게이트패드전극(미도시)이 형성되어 있으며, 외부의 구동회로부(미도시)로부터 인가 받은 데이터신호와 주사신호를 각각 상기 데이터라인(117)과 게이트라인(116)에 전달하게 된다.Although not shown in the drawing, a data pad electrode (not shown) and a gate pad electrode (not shown) electrically connected to the data line 117 and the gate line 116 are formed in the edge region of the array substrate 110, respectively And transmits a data signal and a scan signal applied from an external driving circuit unit (not shown) to the data line 117 and the gate line 116, respectively.

즉, 상기 데이터라인(117)과 게이트라인(116)은 구동회로부 쪽으로 연장되어 각각 해당하는 데이터패드라인(미도시)과 게이트패드라인(미도시)에 연결되며, 상기 데이터패드라인과 게이트패드라인은 상기 데이터패드라인과 게이트패드라인에 각각 전기적으로 접속된 데이터패드전극과 게이트패드전극을 통해 상기 구동회로부로부터 각각 데이터신호와 주사신호를 인가 받게 된다.That is, the data line 117 and the gate line 116 extend to the driving circuit portion and are connected to a corresponding data pad line (not shown) and a gate pad line (not shown), respectively. A data signal and a scan signal are respectively received from the driving circuit through a data pad electrode and a gate pad electrode electrically connected to the data pad line and the gate pad line, respectively.

상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트라인(116)의 일부를 구성하는 게이트전극(121), 상기 데이터라인(117)에 연결된 소오스전극(122) 및 상기 화소전극(118)에 전기적으로 접속된 드레인전극(123)으로 구성되어 있다. 또한, 상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트전극(121)에 공급되는 게이트 전압에 의해 상기 소오스전극(122)과 드레인전극(123) 간에 전도채널을 형성하는 액티브층(124)을 포함한다. 이때, 도면에는 상기 소오스전극(122)의 형태가 "U"자형으로 되어 있어 상기 액티브층(124)의 채널 형태가 "U"자형인 박막 트랜지스터를 예를 들어 나타내고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 본 발명은 상기 액티브층(124)의 채널 형태에 관계없이 적용 가능하다.The thin film transistor includes a gate electrode 121 constituting a part of the gate line 116, a source electrode 122 connected to the data line 117 and a drain electrode 123 electrically connected to the pixel electrode 118 ). The thin film transistor includes an active layer 124 which forms a conduction channel between the source electrode 122 and the drain electrode 123 by a gate voltage supplied to the gate electrode 121. At this time, although the thin film transistor in which the shape of the source electrode 122 is "U" shape and the channel shape of the active layer 124 is "U" shape is shown as an example in the drawing, the present invention is limited to this And the present invention is applicable irrespective of the channel shape of the active layer 124.

이때, 상기 소오스전극(122)의 일부는 일방향으로 연장되어 상기 데이터라인(117)의 일부를 구성하며, 상기 드레인전극(123)은 보호막(115b)에 형성된 제 1 콘택홀(140a)을 통해 화소전극라인(118L)에 전기적으로 접속하게 된다.A portion of the source electrode 122 extends in one direction to form a part of the data line 117. The drain electrode 123 is electrically connected to the pixel electrode 115a through the first contact hole 140a formed in the passivation layer 115b, And is electrically connected to the electrode line 118L.

전술한 바와 같이 상기 화소영역 내에는 횡전계를 발생시키기 위한 다수개의 공통전극(108)과 화소전극(118)이 교대로 배치되어 있다.As described above, in the pixel region, a plurality of common electrodes 108 and pixel electrodes 118 for generating a transverse electric field are alternately arranged.

여기서, 상기 다수개의 공통전극(108)은 상기 게이트라인(116)에 대해 실질적으로 평행하게 배열된 공통전극라인(108L")에 연결되며, 상기 공통전극라인(108L")은 상기 보호막(115b)에 형성된 제 2 콘택홀(140b)을 통해 제 1 연결라인(180a)과 제 2 연결라인(180b)에 전기적으로 접속하게 된다. 이때, 상기 제 1 연결라인(180a)은 상기 게이트라인(116)에 대해 실질적으로 평행하게 배열된 공통라인(108l)에 연결됨에 따라 상기 다수개의 공통전극(108)은 상기 공통라인(108l)을 통해 공통전압을 인가 받게 된다.Here, the plurality of common electrodes 108 are connected to a common electrode line 108L "arranged substantially parallel to the gate line 116, and the common electrode line 108L" The first connection line 180a and the second connection line 180b are electrically connected to each other through the second contact hole 140b formed in the second contact hole 140a. At this time, the first connection line 180a is connected to the common line 1081 arranged substantially parallel to the gate line 116, so that the plurality of common electrodes 108 are connected to the common line 1081 And a common voltage is applied thereto.

그리고, 상기 다수개의 화소전극(118)은 상기 게이트라인(116)에 대해 실질적으로 평행하게 배열된 상기 화소전극라인(118L)에 연결되며, 상기 화소전극라인(118L)의 일부는 상기 공통라인(108l) 상부에서 상기 공통라인(108l)의 일부와 오버랩(overlap)되어 스토리지 커패시터(storage capacitor; Cst)를 구성하게 된다.The plurality of pixel electrodes 118 are connected to the pixel electrode line 118L arranged substantially parallel to the gate line 116 and a part of the pixel electrode line 118L is connected to the common line 108l overlaps with a part of the common line 108l to constitute a storage capacitor Cst.

이때, 상기 화소전극라인(118L)은 상기 제 1 콘택홀(140a)을 통해 상기 드레인전극(123)과 전기적으로 접속하게 되며, 상기 스토리지 커패시터(Cst)는 액정 커패시터에 인가된 전압을 다음 신호가 들어올 때까지 일정하게 유지시키는 역할을 한다. 이러한 스토리지 커패시터는 신호 유지 이외에도 계조(gray scale) 표시의 안정과 플리커(flicker) 및 잔상(afterimage) 감소 등의 효과를 가진다.At this time, the pixel electrode line 118L is electrically connected to the drain electrode 123 through the first contact hole 140a, and the storage capacitor Cst applies the voltage applied to the liquid crystal capacitor to the next signal It keeps it constant until it comes in. These storage capacitors have effects such as stabilization of gray scale display and reduction of flicker and afterimage in addition to signal retention.

이와 같이 구성된 상기 본 발명의 실시예에 따른 횡전계방식 액정표시장치는 상기 공통전극(108)과 화소전극(118)이 이중층 이상의 다중층 구조로 이루어지며, 특히 하부층에 대조비를 향상시키기 위해 블랙 휘도가 좋은 몰리브덴, 몰리브덴 합금과 같은 몰리브덴 계열의 금속 또는 티타늄, 티타늄 합금과 같은 티타늄 계열의 금속 또는 몰리브덴 티타늄으로 이루어진 제 1 공통전극(108')과 제 1 화소전극(118')이 형성되고, 그 상부층에 빛을 잘 흡수하는 동시에 친수성을 가지는 산화구리 또는 구리 합금 산화물과 같은 구리 계열 금속의 산화물로 이루어진 제 2 공통전극(108")과 제 2 화소전극(118")이 형성되는 것을 특징으로 한다.In the transverse electric field type liquid crystal display device according to the present invention configured as described above, the common electrode 108 and the pixel electrode 118 have a multi-layer structure of a bilayer or more. In particular, in order to improve the contrast ratio, A first common electrode 108 'and a first pixel electrode 118' made of a molybdenum-based metal such as molybdenum or molybdenum alloy or a titanium-based metal such as titanium or titanium alloy or molybdenum titanium are formed, A second common electrode 108 " and a second pixel electrode 118 " made of an oxide of a copper-based metal such as copper oxide or copper alloy oxide having hydrophilicity while absorbing light well are formed on the upper layer .

이때, 상기 제 1 공통전극(108')과 제 1 화소전극(118')은 몰리브덴이나 티타늄에 N, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, W, Mn 등의 원소를 포함하여 형성할 수 있으며, 상기 제 2 공통전극(108")과 제 2 화소전극(118")은 50 ~ 1000Å의 두께로 형성할 수 있다.At this time, the first common electrode 108 'and the first pixel electrode 118' may be formed by including elements such as N, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, W, and Mn in molybdenum or titanium And the second common electrode 108 "and the second pixel electrode 118" may have a thickness of 50 to 1000 ANGSTROM.

또한, 상기 제 1 공통전극(108')과 제 2 공통전극(108") 및 상기 제 1 화소전극(118') 제 2 화소전극(118")은 동일한 마스크공정을 통해 형성하거나 서로 다른 마스크공정을 통해 형성할 수 있는데, 이를 다음의 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법을 통해 상세히 설명한다.In addition, the first common electrode 108 'and the second common electrode 108' 'and the first pixel electrode 118' and the second pixel electrode 118 'may be formed through the same mask process, Which will be described in detail with reference to the following method of manufacturing a transverse electric field type liquid crystal display device.

도 7a 내지 도 7d는 상기 도 5에 도시된 어레이 기판의 제조공정을 순차적으로 나타내는 평면도이며, 도 8a 내지 도 8d는 상기 도 5에 도시된 어레이 기판의 A-A'선에 따른 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도이다.FIGS. 7A to 7D are plan views sequentially illustrating the manufacturing process of the array substrate shown in FIG. 5, and FIGS. 8A to 8D are sectional views of the array substrate shown in FIG. Fig.

이때, 상기 도 7a 내지 도 7d 및 상기 도 8a 내지 도 8d는 한번의 마스크공정을 통해 제 1 공통전극과 제 2 공통전극 및 제 1 화소전극 제 2 화소전극을 형성한 경우를 예를 들어 설명하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.7A to 7D and FIGS. 8A to 8D illustrate a case where the first common electrode, the second common electrode, and the first pixel electrode and the second pixel electrode are formed through a single mask process However, the present invention is not limited thereto.

또한, 상기 도 7a 내지 도 7d 및 상기 도 8a 내지 도 8d는 한번의 마스크공정을 통해 동일한 층에 공통전극과 화소전극을 함께 형성한 경우를 예를 들어 설명하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.7A to 7D and FIGS. 8A to 8D illustrate the case where the common electrode and the pixel electrode are formed in the same layer through a single mask process, but the present invention is not limited thereto no.

도 7a 및 도 8a에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 투명한 절연물질로 이루어진 어레이 기판(110)에 게이트전극(121), 게이트라인(116), 제 1 연결라인(108a), 제 2 연결라인(108b) 및 공통라인(108l)을 형성하며, 상기 어레이 기판(110)의 게이트패드부에 게이트패드전극(116p)을 형성한다.As shown in FIGS. 7A and 8A, a gate electrode 121, a gate line 116, a first connection line 108a, a second connection line (not shown) are formed in an array substrate 110 made of a transparent insulating material such as glass 108b and a common line 1081. Gate pad electrodes 116p are formed in the gate pad portions of the array substrate 110. [

이때, 상기 공통라인(108l)과 제 2 연결라인(108b)은 상기 게이트라인(116)에 대해 실질적으로 평행한 방향으로 배열되며, 상기 제 1 연결라인(108a)은 후술할 데이터라인에 대해 실질적으로 평행한 방향으로 배열되게 된다.At this time, the common line 1081 and the second connection line 108b are arranged in a direction substantially parallel to the gate line 116, and the first connection line 108a is substantially As shown in FIG.

그리고, 상기 제 1 연결라인(108a)의 양단은 각각 상기 공통라인(108l)과 제 2 연결라인(108b)에 연결되게 된다.Both ends of the first connection line 108a are connected to the common line 1081 and the second connection line 108b, respectively.

이와 같이 구성된 상기 게이트전극(121), 게이트라인(116), 제 1 연결라인(108a), 제 2 연결라인(108b) 및 공통라인(108l)은 제 1 도전막을 상기 어레이 기판(110) 전면에 증착한 후 포토리소그래피공정(제 1 마스크공정)을 통해 선택적으로 패터닝하여 형성하게 된다.The gate electrode 121, the gate line 116, the first connection line 108a, the second connection line 108b, and the common line 1081, which are configured as described above, are electrically connected to the first conductive film on the front surface of the array substrate 110 And then selectively patterned through a photolithography process (first mask process).

여기서, 상기 제 1 도전막으로 알루미늄(aluminium; Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(tungsten; W), 구리(copper; Cu), 크롬(chromium; Cr), 몰리브덴(molybdenum; Mo) 및 몰리브덴 합금 등과 같은 저저항 불투명 도전물질을 사용할 수 있다. 또한, 상기 제 1 도전막은 상기 저저항 도전물질이 2가지 이상 적층된 다층구조로 형성할 수 있다.Here, the first conductive layer may be formed of aluminum (Al), aluminum alloy (Al alloy), tungsten (W), copper (Cu), chromium (Cr), molybdenum A low resistance opaque conductive material such as a molybdenum alloy can be used. The first conductive layer may have a multi-layer structure in which two or more low-resistance conductive materials are stacked.

다음으로, 도 7b 및 도 8b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트전극(121), 게이트라인(116), 제 1 연결라인(108a), 제 2 연결라인(108b) 및 공통라인(108l)이 형성된 어레이 기판(110) 전면에 게이트절연막(115a)과 비정질 실리콘 박막, n+ 비정질 실리콘 박막 및 제 2 도전막을 형성한다.Next, as shown in FIGS. 7B and 8B, the gate electrode 121, the gate line 116, the first connection line 108a, the second connection line 108b, and the common line 1081 are formed A gate insulating film 115a, an amorphous silicon thin film, an n + amorphous silicon thin film, and a second conductive film are formed on the entire surface of the array substrate 110.

이후, 포토리소그래피공정(제 2 마스크공정)을 통해 상기 비정질 실리콘 박막과 n+ 비정질 실리콘 박막 및 제 2 도전막을 선택적으로 제거함으로써 상기 게이트전극(121) 위에 상기 게이트절연막(115a)이 개재된 상태에서 상기 비정질 실리콘 박막으로 이루어진 액티브층(124)을 형성하는 한편, 상기 액티브층(124) 상부에 상기 제 2 도전막으로 이루어진 소오스전극(122)과 드레인전극(123)을 형성하게 된다.Thereafter, the amorphous silicon thin film, the n + amorphous silicon thin film, and the second conductive film are selectively removed through a photolithography process (second mask process) to form the gate insulating film 115a on the gate electrode 121, An active layer 124 made of an amorphous silicon thin film is formed while a source electrode 122 and a drain electrode 123 made of the second conductive film are formed on the active layer 124.

또한, 상기 제 2 마스크공정을 통해 상기 어레이 기판(110)의 데이터라인 영역에 상기 제 2 도전막으로 이루어진 데이터라인(117)을 형성하게 된다.In addition, a data line 117 made of the second conductive film is formed in the data line region of the array substrate 110 through the second mask process.

이때, 상기 액티브층(124) 상부에는 상기 n+ 비정질 실리콘 박막으로 이루어지며 상기 액티브층(124)의 소오스/드레인영역과 상기 소오스/드레인전극(122, 123) 사이를 오믹-콘택시키는 오믹-콘택층(125n)이 형성되게 된다.At this time, on the active layer 124, an n + amorphous silicon thin film is formed on the active layer 124, and an ohmic contact layer 123 is formed between the source / drain region of the active layer 124 and the source / (125n) is formed.

여기서, 본 발명의 실시예에 따른 상기 액티브층(124)과 소오스/드레인전극(122, 123) 및 데이터라인(117)은 회절마스크 또는 하프-톤 마스크(이하, 회절마스크를 지칭하는 경우에는 하프-톤 마스크를 포함하는 것으로 한다)를 이용함으로써 한번의 마스크공정(제 2 마스크공정)을 통해 동시에 형성할 수 있게 된다.Here, the active layer 124, the source / drain electrodes 122 and 123, and the data line 117 according to the embodiment of the present invention may be formed using a diffraction mask or a half-tone mask (hereinafter referred to as a half- (Including a tone mask), it is possible to form them simultaneously through a single mask process (second mask process).

이후, 도 7c 및 도 8c에 도시된 바와 같이, 상기 액티브층(124)과 소오스/드레인전극(122, 123) 및 데이터라인(117)이 형성된 어레이 기판(110) 전면에 보호막(115b)을 형성한다.7C and 8C, a protective film 115b is formed on the entire surface of the array substrate 110 on which the active layer 124, the source / drain electrodes 122 and 123, and the data lines 117 are formed do.

이때, 상기 보호막(115b)은 실리콘질화막(SiNx) 또는 실리콘산화막(SiO2)과 같은 무기절연막으로 이루어질 수 있으며, 상기 보호막(115b)은 포토 아크릴과 같은 감광성 유기물질로 이루어질 수 있다.In this case, the protective layer (115b) may be formed of an inorganic insulating film such as silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiO 2), the protection layer (115b) may be formed of a photosensitive organic material, such as a photo acrylic.

이후, 포토리소그래피공정(제 3 마스크공정)을 통해 상기 보호막(115b)의 일부를 선택적으로 제거함으로써 상기 드레인전극(123) 및 제 2 연결라인(108b)의 일부를 각각 노출시키는 제 1 콘택홀(140a) 및 제 2 콘택홀(140b)을 형성하게 된다.Thereafter, a part of the protective film 115b is selectively removed through a photolithography process (a third mask process) to expose portions of the drain electrode 123 and the second connection line 108b, 140a and a second contact hole 140b.

다음으로, 도 7d 및 도 8d에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 콘택홀(140a) 및 제 2 콘택홀(140b)이 형성된 어레이 기판(110) 전면에 제 3 도전막과 제 4 도전막을 형성한 후, 포토리소그래피공정(제 4 마스크공정)을 이용하여 상기 제 3 도전막과 제 4 도전막을 선택적으로 제거함으로써 상기 공통라인(108l)에 대해 실질적으로 평행한 방향으로 배열되며, 상기 제 1 콘택홀(140a)을 통해 상기 드레인전극(123)과 전기적으로 접속하는 화소전극라인(118L', 118L", 118L)을 형성한다.Next, as shown in FIGS. 7D and 8D, a third conductive film and a fourth conductive film are formed on the entire surface of the array substrate 110 on which the first contact hole 140a and the second contact hole 140b are formed And is arranged in a direction substantially parallel to the common line 1081 by selectively removing the third conductive film and the fourth conductive film using a photolithography process (fourth mask process), and the first contact hole The pixel electrode lines 118L ', 118L' 'and 118L are electrically connected to the drain electrode 123 through the through hole 140a.

또한, 상기 제 4 마스크공정을 통해 상기 제 3 도전막과 제 4 도전막을 선택적으로 제거함으로써 상기 화소영역 내에 교대로 배치되어 횡전계를 발생시키는 다수개의 공통전극(108)과 화소전극(118)을 형성하며, 상기 제 2 콘택홀(140b)을 통해 상기 제 2 연결라인(108b)에 전기적으로 접속하는 공통전극라인(108L")을 형성하게 된다.In addition, a plurality of common electrodes 108 and a plurality of pixel electrodes 118, which are alternately arranged in the pixel region to generate a transverse electric field, are selectively removed by selectively removing the third conductive film and the fourth conductive film through the fourth mask process And a common electrode line 108L "which is electrically connected to the second connection line 108b through the second contact hole 140b is formed.

여기서, 전술한 바와 같이 상기 공통전극(108)과 화소전극(118)은 상기 제 3 도전막으로 이루어진 제 1 공통전극(108')과 제 1 화소전극(118') 및 상기 제 4 도전막으로 이루어진 제 2 공통전극(108")과 제 2 공통전극(118")으로 이루어진 이중층 이상의 다중층 구조를 가지는 것을 특징으로 한다.Here, as described above, the common electrode 108 and the pixel electrode 118 are electrically connected to the first common electrode 108 'and the first pixel electrode 118', which are the third conductive films, And a second common electrode 108 "and a second common electrode 118 ".

이때, 상기 제 3 도전막은 대조비를 향상시키기 위해 블랙 휘도가 좋은 몰리브덴, 몰리브덴 합금과 같은 몰리브덴 계열의 금속 또는 티타늄, 티타늄 합금과 같은 티타늄 계열의 금속 또는 몰리브덴 티타늄으로 이루어질 수 있으며, 상기 제 4 도전막은 빛을 잘 흡수하는 동시에 친수성을 가지는 산화구리 또는 구리 합금 산화물과 같은 구리 계열 금속의 산화물로 이루어질 수 있다.The third conductive layer may be formed of a molybdenum-based metal such as molybdenum or molybdenum alloy having good black brightness or a titanium-based metal such as titanium or titanium alloy or molybdenum titanium to improve the contrast ratio, And an oxide of a copper-based metal such as copper oxide or copper alloy oxide having hydrophilicity while absorbing light well.

또한, 상기 제 3 도전막은 상기 몰리브덴이나 티타늄에 N, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, W, Mn 등의 원소를 포함할 수 있으며, 상기 제 4 도전막은 50 ~ 1000Å의 두께로 형성할 수 있다.The third conductive layer may include an element such as N, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, W or Mn in the molybdenum or titanium. The fourth conductive layer may be formed to a thickness of 50 to 1000 angstroms can do.

이와 같이 친수성을 가지는 구리 계열 금속의 산화물을 다중층 구조의 공통전극(108)과 화소전극(118)의 상부층으로 사용함에 따라 배향막(미도시)과의 접촉 특성이 좋아 전술한 배향막 인쇄불량을 해결할 수 있게 된다.Since the oxide of the copper-based metal having hydrophilicity is used as the upper layer of the common electrode 108 and the pixel electrode 118 in the multilayer structure, the contact property with the alignment layer (not shown) is good, .

도 9는 배향막에 대한 접촉 각도(contact angle)를 측정한 결과를 나타내는 그래프로써, 상기 공통전극과 화소전극의 제 4 도전막으로 질화구리 및 산화구리를 사용한 경우의 배향막에 대한 접촉 각도를 몰리브덴 티타늄의 단일층으로 이루어진 공통전극과 화소전극의 경우에 대한 접촉 각도와 비교하여 나타내고 있다.9 is a graph showing the results of measurement of the contact angle with respect to the alignment film. When the contact angle with respect to the alignment film in the case of using copper nitride and copper oxide as the fourth conductive film of the common electrode and the pixel electrode was changed to molybdenum titanium And the contact angle of the pixel electrode with respect to the common electrode.

도면에 도시된 바와 같이, 대조비를 향상시키기 위해 다중층 구조의 공통전극과 화소전극의 상부층으로 질화구리를 사용하는 경우에는 소수성 표면으로 인해 배향막에 대한 접촉 각도가 증가하게 되어 배향막 인쇄불량이 발생하게 된다.As shown in the figure, when copper nitride is used as the upper layer of the common electrode and the pixel electrode in order to improve the contrast ratio, the contact angle to the alignment layer increases due to the hydrophobic surface, do.

그러나, 산화구리를 다중층 구조의 공통전극과 화소전극의 상부층으로 적용한 경우에 있어 배향막에 대한 접촉 각도는 몰리브덴 티타늄의 단일층으로 이루어진 공통전극과 화소전극의 경우에 대한 접촉 각도와 유사한 수준을 유지하는 것을 알 수 있다.However, when copper oxide is applied to the common electrode of a multilayer structure and the upper layer of the pixel electrode, the contact angle with respect to the alignment layer is maintained at a level similar to the contact angle with respect to the common electrode of a single layer of molybdenum titanium and the pixel electrode .

이와 같이 구성된 본 발명의 실시예에 따른 횡전계방식 액정표시장치는 상기 공통전극(108)과 화소전극(118) 및 데이터라인(117)을 꺾임 구조로 형성하여 액정분자의 구동방향이 대칭성을 가지는 멀티-도메인(multi-domain) 구조를 형성함으로써, 액정의 복굴절(birefringence) 특성에 의한 이상 광을 서로 상쇄시켜 색전이(color shift) 현상을 최소화할 수 있다. 즉, 액정분자의 복굴절 특성에 의해 액정분자를 바라보는 시야에 따라서 색전이가 발생하게 되는데, 특히 액정분자의 단축방향으로는 옐로우 쉬프트(yellow shift)가 관찰되고, 장축방향으로는 블루 쉬프트(blue shift)가 관찰되게 된다. 따라서, 상기 액정분지의 단축과 장축이 적절하게 배치되는 경우 복굴절 값을 보상하여 색전이를 감소시킬 수 있게 된다.In the liquid crystal display device of the transverse electric field type according to the embodiment of the present invention, the common electrode 108, the pixel electrode 118 and the data line 117 are formed in a bent structure so that the driving direction of the liquid crystal molecules is symmetrical By forming a multi-domain structure, abnormal light due to the birefringence characteristic of the liquid crystal can be offset to minimize the color shift phenomenon. That is, embolization occurs depending on the field of view of the liquid crystal molecules due to the birefringence characteristic of the liquid crystal molecules. In particular, a yellow shift is observed in the minor axis direction of the liquid crystal molecules, and a blue shift shift is observed. Therefore, when the short axis and the long axis of the liquid crystal branch are appropriately arranged, the birefringence value can be compensated to reduce embolization.

다만, 본 발명이 상기 멀티-도메인 구조의 횡전계방식 액정표시장치에 한정되는 것은 아니다.However, the present invention is not limited to the transverse electric field type liquid crystal display device having the multi-domain structure.

이와 같이 구성된 상기 본 발명의 실시예에 따른 어레이 기판은 화상표시 영역의 외곽에 형성된 실런트에 의해 컬러필터 기판과 대향하여 합착되게 되는데, 이때 상기 컬러필터 기판에는 상기 박막 트랜지스터와 게이트라인 및 데이터라인으로 빛이 새는 것을 방지하는 블랙매트릭스와 적, 녹 및 청색의 컬러를 구현하기 위한 컬러필터가 형성되어 있다.The array substrate according to an embodiment of the present invention configured as described above is adhered to the color filter substrate opposite to the color filter substrate by a sealant formed on the outer periphery of the image display area. A black matrix for preventing light from leaking, and a color filter for realizing red, green and blue colors are formed.

이때, 상기 컬러필터 기판과 어레이 기판의 합착은 상기 컬러필터 기판 또는 어레이 기판에 형성된 합착키를 통해 이루어진다.At this time, the color filter substrate and the array substrate are bonded together through a covalent key formed on the color filter substrate or the array substrate.

전술한 바와 같이 상기 본 발명의 실시예는 액티브층으로 비정질 실리콘 박막을 이용한 비정질 실리콘 박막 트랜지스터를 예를 들어 설명하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 본 발명은 상기 액티브층으로 다결정 실리콘 박막을 이용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터에도 적용된다.As described above, the amorphous silicon thin film transistor using the amorphous silicon thin film as the active layer is described as an example of the present invention, but the present invention is not limited thereto. Is also applied to a polycrystalline silicon thin film transistor.

또한, 본 발명은 액정표시장치뿐만 아니라 박막 트랜지스터를 이용하여 제작하는 다른 표시장치, 예를 들면 구동 트랜지스터에 유기전계발광소자(Organic Light Emitting Diodes; OLED)가 연결된 유기전계발광 디스플레이장치에도 이용될 수 있다.In addition, the present invention can be applied not only to a liquid crystal display device but also to other display devices manufactured using thin film transistors, for example, organic electroluminescent display devices in which organic light emitting diodes (OLEDs) have.

상기한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.While a great many are described in the foregoing description, it should be construed as an example of preferred embodiments rather than limiting the scope of the invention. Therefore, the invention should not be construed as limited to the embodiments described, but should be determined by equivalents to the appended claims and the claims.

108,108',108" : 공통전극 108l : 공통라인
110 : 어레이 기판 116 : 게이트라인
117 : 데이터라인 118,118',118" : 화소전극
118l : 화소전극라인 121 : 게이트전극
122 : 소오스전극 123 : 드레인전극
124 : 액티브층108, 108 ', 108 ": common electrode 108l: common line
110: array substrate 116: gate line
117: Data lines 118, 118 ', 118 "
118l: pixel electrode line 121: gate electrode
122: source electrode 123: drain electrode
124: active layer

Claims (12)

제 1 기판 위에 게이트전극과, 액티브패턴 및 소오스/드레인전극으로 이루어진 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 박막 트랜지스터가 형성된 상기 제 1 기판 위에 다중층 구조의 공통전극과 화소전극을 형성하는 단계;
상기 공통전극과 화소전극이 형성된 상기 제 1 기판 위에 배향막을 형성하는 단계; 및
상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함하며,
상기 공통전극과 상기 화소전극은 몰리브덴 계열의 금속이나 티타늄 계열의 금속으로 이루어진 하부층과 구리 계열 금속의 산화물로 이루어진 상부층으로 형성하는 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법.Forming a thin film transistor having a gate electrode, an active pattern and a source / drain electrode on a first substrate;
Forming a multi-layered common electrode and a pixel electrode on the first substrate on which the thin film transistor is formed;
Forming an alignment film on the first substrate on which the common electrode and the pixel electrode are formed; And
And bonding the first substrate and the second substrate,
Wherein the common electrode and the pixel electrode are formed of a lower layer made of a molybdenum-based metal or a titanium-based metal, and an upper layer made of an oxide of a copper-based metal. 제 1 항에 있어서, 상기 몰리브덴 계열의 금속은 몰리브덴, 또는 몰리브덴 합금을 포함하며, 상기 티타늄 계열의 금속은 티타늄, 또는 티타늄 합금을 포함하는 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법.The method according to claim 1, wherein the molybdenum-based metal comprises molybdenum or a molybdenum alloy, and the titanium-based metal comprises titanium or a titanium alloy. 제 1 항에 있어서, 상기 공통전극과 화소전극의 하부층은 블랙 휘도가 좋은 몰리브덴 티타늄으로 형성하는 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법.The method according to claim 1, wherein the lower layer of the common electrode and the pixel electrode is formed of molybdenum titanium having good black luminance. 제 2 항에 있어서, 상기 공통전극과 화소전극의 하부층은 상기 몰리브덴이나 상기 티타늄에 N, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, W, 또는 Mn의 원소를 포함하여 형성하는 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법.3. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein the lower layer of the common electrode and the pixel electrode comprises a liquid crystal material of a transverse electric field type formed by the element of molybdenum or the titanium including N, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, W, A method of manufacturing a display device. 제 1 항에 있어서, 상기 공통전극과 화소전극의 상부층은 50 ~ 1000Å의 두께로 형성하는 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법.The method of manufacturing a transverse electric field type liquid crystal display device according to claim 1, wherein the upper layer of the common electrode and the pixel electrode is formed to a thickness of 50 to 1000 angstroms. 제 1 항에 있어서, 상기 공통전극과 화소전극의 상부층은 빛을 잘 흡수하는 동시에 친수성을 가지는 산화구리로 형성하여 상기 배향막과의 접촉 특성이 좋은 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법.The method according to claim 1, wherein the upper layer of the common electrode and the pixel electrode is formed of copper oxide that absorbs light well and is hydrophilic and has good contact property with the alignment layer. 제 1 기판 위에 구비되며, 게이트전극과, 액티브패턴 및 소오스/드레인전극으로 이루어진 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터가 구비된 상기 제 1 기판 위에 구비되는 다중층 구조의 공통전극과 화소전극;
상기 공통전극과 화소전극이 구비된 상기 제 1 기판 위에 구비되는 배향막; 및
상기 제 1 기판과 대향하여 합착되는 제 2 기판을 포함하며,
상기 공통전극과 상기 화소전극은 몰리브덴 계열의 금속이나 티타늄 계열의 금속으로 이루어진 하부층과 구리 계열 금속의 산화물로 이루어진 상부층으로 구성되는 횡전계방식 액정표시장치.A thin film transistor provided on the first substrate and including a gate electrode, an active pattern and a source / drain electrode;
A common electrode and a pixel electrode of a multilayer structure provided on the first substrate provided with the thin film transistor;
An alignment layer provided on the first substrate including the common electrode and the pixel electrode; And
And a second substrate which is adhered to and opposed to the first substrate,
Wherein the common electrode and the pixel electrode are composed of a lower layer made of a molybdenum-based metal or a titanium-based metal, and an upper layer made of an oxide of a copper-based metal. 제 7 항에 있어서, 상기 몰리브덴 계열의 금속은 몰리브덴, 또는 몰리브덴 합금을 포함하며, 상기 티타늄 계열의 금속은 티타늄, 또는 티타늄 합금을 포함하는 횡전계방식 액정표시장치.The transverse electric field type liquid crystal display according to claim 7, wherein the molybdenum-based metal comprises molybdenum or a molybdenum alloy, and the titanium-based metal comprises titanium or a titanium alloy. 제 7 항에 있어서, 상기 공통전극과 화소전극의 하부층은 블랙 휘도가 좋은 몰리브덴 티타늄으로 이루어진 횡전계방식 액정표시장치.8. The transverse electric field type liquid crystal display of claim 7, wherein the lower layer of the common electrode and the pixel electrode comprises molybdenum titanium with good black luminance. 제 8 항에 있어서, 상기 공통전극과 화소전극의 하부층은 상기 몰리브덴이나 상기 티타늄에 N, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, W, 또는 Mn의 원소를 포함하는 횡전계방식 액정표시장치.The transverse electric field type liquid crystal display device according to claim 8, wherein the lower layer of the common electrode and the pixel electrode is made of molybdenum or a transverse electric field type liquid crystal display device including the elements of N, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, W, . 제 7 항에 있어서, 상기 공통전극과 화소전극의 상부층은 50 ~ 1000Å의 두께로 이루어진 횡전계방식 액정표시장치.The transverse electric field type liquid crystal display according to claim 7, wherein the upper layer of the common electrode and the pixel electrode has a thickness of 50 to 1000 angstroms. 제 7 항에 있어서, 상기 공통전극과 화소전극의 상부층은 빛을 잘 흡수하는 동시에 친수성을 가지는 산화구리로 이루어져 상기 배향막과의 접촉 특성이 좋은 횡전계방식 액정표시장치.The transverse electric field type liquid crystal display device according to claim 7, wherein the upper layer of the common electrode and the pixel electrode is made of copper oxide which absorbs light and has hydrophilic property and has good contact property with the alignment layer.
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