KR101323401B1 - Light divice, method of fabricating the same, backlight unit and liquid crystal display divice having the same - Google Patents

Light divice, method of fabricating the same, backlight unit and liquid crystal display divice having the same Download PDF

Info

Publication number
KR101323401B1
KR101323401B1 KR1020060137816A KR20060137816A KR101323401B1 KR 101323401 B1 KR101323401 B1 KR 101323401B1 KR 1020060137816 A KR1020060137816 A KR 1020060137816A KR 20060137816 A KR20060137816 A KR 20060137816A KR 101323401 B1 KR101323401 B1 KR 101323401B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting chip
electrode
electrode lead
sub
Prior art date
Application number
KR1020060137816A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20080062259A (en
Inventor
양승훈
이철우
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020060137816A priority Critical patent/KR101323401B1/en
Publication of KR20080062259A publication Critical patent/KR20080062259A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101323401B1 publication Critical patent/KR101323401B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires

Landscapes

  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 균일한 휘도를 갖는 광원소자가 개시된다. 본 발명의 광원소자는 경사진 측면을 갖는 요홈브가 마련된 패키지 본체와, 요홈부의 중앙에 실장된 경사진 측면을 갖는 요홈부가 마련된 패키지 본체와, 요홈부의 중앙에 실장된 메인 발광칩과, 요홈부의 경사진 측면에 실장된 복수의 서브 발광칩을 포함하여 이루어진다.The present invention discloses a light source device having a uniform brightness. The light source device of the present invention includes a package main body having a groove having an inclined side surface, a package body having a groove having an inclined side surface mounted at the center of the groove portion, a main light emitting chip mounted at the center of the groove portion, and a groove portion It comprises a plurality of sub light emitting chip mounted on the inclined side.

휘도, 발광 다이오드, 서브 발광칩, 방사각, 출사각 Luminance, Light Emitting Diode, Sub Light Emitting Chip, Radiation Angle, Emission Angle

Description

광원소자, 그 제조방법, 이를 구비한 백라이트 유닛 및 액정표시장치{LIGHT DIVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, BACKLIGHT UNIT AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DIVICE HAVING THE SAME}LIGHT DIVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, BACKLIGHT UNIT AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DIVICE HAVING THE SAME}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 에지형 액정표시장치를 도시한 분해 사시도.1 is an exploded perspective view illustrating an edge type liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 절단한 발광 다이오드를 도시한 단면도.FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode cut along the line II ′ of FIG. 1. FIG.

도 3은 도 2의 발광 다이오드의 방사각이 넓어진 모습을 도시한 도면.3 is a view illustrating a state in which a radiation angle of the light emitting diode of FIG. 2 is widened.

도 4는 도 1의 발광 다이오드에서 출사된 광의 경로를 도시한 발광 다이오드 및 도광판의 평면도.4 is a plan view of a light emitting diode and a light guide plate illustrating a path of light emitted from the light emitting diode of FIG. 1.

도 5a 내지 도 5d는 도 1의 발광 다이오드의 제조방법을 나타낸 도면.5A to 5D illustrate a method of manufacturing the light emitting diode of FIG. 1.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*Description of the Related Art [0002]

200 : 발광 다이오드 201 : 패키지 본체200: light emitting diode 201: package body

210 : 리드프레임부 211 : 양극리드210: lead frame portion 211: anode lead

212 : 음극리드 213 : 양극 리드프레임212: cathode lead 213: anode lead frame

215 : 음극 리드프레임 220 : 메인 발광칩215: cathode lead frame 220: main light emitting chip

221, 223 : 제 1 금속와이어 230 : 서브 발광칩221, 223: first metal wire 230: sub light emitting chip

231, 233 : 제 2 금속와이어 240 : 반사층231 and 233: second metal wire 240: reflective layer

250 : 형광체 260 : 투명몰드부250: phosphor 260: transparent mold portion

본 발명은 광원소자에 관한 것으로, 특히 균일한 휘도를 갖는 광원소자, 그 제조방법, 이를 구비한 백라이트 유닛 및 액정표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light source device, and more particularly, to a light source device having a uniform brightness, a method of manufacturing the same, a backlight unit and a liquid crystal display device having the same.

액정표시장치(LCD : liquid crystal display divice)는 액정(Liquid crystal)을 이용하여 영상을 디스플레이하는 평판표시장치의 하나로서, 다른 디스플레이 장치에 비해 얇고 가벼우며, 낮은 소비전력을 갖는 장점으로 산업 전반에 걸쳐 광범위하게 사용되고 있다.Liquid crystal display (LCD) is a flat panel display that displays images using liquid crystals. It is thinner, lighter, and has lower power consumption than other display devices. Widely used throughout.

이와 같은 액정표시장치는 영상을 표시하기 위한 액정표시패널과, 상기 액정표시패널에 광을 공급하기 위한 백라이트 유닛으로 구성된다.Such a liquid crystal display device includes a liquid crystal display panel for displaying an image and a backlight unit for supplying light to the liquid crystal display panel.

상기 백라이트 유닛은 광원이 배치된 형태에 따라 에지형(edge type)과, 직하형(direct type)으로 분류된다. 상기 에지형 백라이트 유닛은 주로 중/소형 액정표시장치에 적용되는 것으로 측면에 광원이 구비되고, 액정표시패널의 전체에 광이 조사되도록 가이드하는 도광판을 구비한다. 상기 직하형 백라이트 유닛은 12인치 이상의 대형 액정표시장치에 적용되는 것으로 액정표시패널의 직하에서 광이 직접 조사되도록 액정표시패널의 배면에 다수의 광원이 구비된다.The backlight unit is classified into an edge type and a direct type according to the form of the light source. The edge type backlight unit is mainly applied to a medium / small liquid crystal display, and includes a light source on a side thereof, and a light guide plate for guiding light to the entire liquid crystal display panel. The direct type backlight unit is applied to a large liquid crystal display device of 12 inches or more, and a plurality of light sources are provided on a rear surface of the liquid crystal display panel so that light is directly irradiated directly under the liquid crystal display panel.

상기 백라이트 유닛의 광원으로는 EL(electro luminescence), CCFL(cold cathode fluorescent lamp), HCFL(hot cathode fluorescent lamp) 및 발광 다이오 드(LED) 등이 사용되고 있다.Electroluminescent (EL), cold cathode fluorescent lamp (CCFL), hot cathode fluorescent lamp (HCFL), light emitting diode (LED), and the like are used as light sources of the backlight unit.

상기 광원 중에 최근 액정표시장치에서는 맹독성의 중금속인 수은을 사용하는 램프보다 박형화, 색재현성이 우수할 뿐만 아니라 소비전력이 적게 든다는 장점으로 발광 다이오드(LED)가 많이 사용되고 있다.Among the light sources, light emitting diodes (LEDs) have been widely used in liquid crystal display devices because of their thinness and color reproducibility as well as lower power consumption than lamps using mercury, which is a toxic heavy metal.

상기 발광 다이오드(LED)는 점광원으로써, 구조적으로 광이 출사되는 일정한 방사각(출사각)을 갖고 있다. 이에 따라 상기 발광 다이오드(LED)가 광원으로 구비되는 에지형 및 직하형 백라이트 유닛은 발광 다이오드(LED)가 배치된 영역과 배치되지 않은 영역에서 휘도차가 발생한다. 즉, 상기 휘도차는 발광 다이오드(LED)가 배치된 영역 및 배치되지 않은 영역에서 명부(明部; 밝은 부분) 및 암부(暗部; 어두운 부분)가 발생하는 것을 의미한다.The light emitting diode (LED) is a point light source and has a constant emission angle (emission angle) through which light is structurally emitted. Accordingly, in the edge type and direct type backlight units including the light emitting diodes (LEDs) as light sources, luminance differences occur in areas where the light emitting diodes (LEDs) are disposed and areas where the light emitting diodes (LEDs) are not disposed. That is, the luminance difference means that light and dark portions occur in regions where light emitting diodes (LEDs) are arranged and regions where light emitting diodes (LEDs) are arranged.

따라서, 이상에서 설명한 바와 같이, 발광 다이오드(LED)를 광원으로 사용하는 액정표시장치에서는 발광 다이오드(LED)의 방사각(출사각)에 의해 발생하는 휘도 불균형을 개선하기 위한 방안이 절실히 필요한 실정이다.Therefore, as described above, in a liquid crystal display device using a light emitting diode (LED) as a light source, a method for improving the luminance imbalance caused by the emission angle (emission angle) of the light emitting diode (LED) is urgently needed. .

본 발명은 방사각(출사각)을 최대화할 수 있는 광원 소자, 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a light source device capable of maximizing an emission angle (emergence angle), and a method of manufacturing the same.

또한, 본 발명은 방사각(출사각)을 넓어진 광원 소자를 구비하여 균일한 휘도를 갖는 백라이트 유닛 및 액정표시장치를 제공함에 그 목적이 있다.In addition, an object of the present invention is to provide a backlight unit and a liquid crystal display device having a uniform luminance by including a light source element having a wide radiation angle (emission angle).

상기한 목적을 달성하기 위한, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 광원소자는,In order to achieve the above object, a light source device according to a first embodiment of the present invention,

경사진 측면을 갖는 요홈부가 마련된 패키지 본체;A package body provided with a recess having an inclined side surface;

상기 요홈부의 중앙에 실장된 메인 발광칩; 및A main light emitting chip mounted in the center of the recess; And

상기 요홈부의 경사진 측면에 실장된 복수의 서브 발광칩을 포함하여 이루어진다.It includes a plurality of sub light emitting chip mounted on the inclined side surface of the groove portion.

또한, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 백라이트 유닛은,In addition, the backlight unit according to the second embodiment of the present invention,

경사진 측면을 갖는 요홈부가 마련된 패키지 본체와 상기 요홈부의 중앙에 실장된 메인 발광칩 및 상기 요홈부의 경사진 측면에 실장된 복수의 서브 발광칩을 포함하는 다수의 발광 다이오드; 및A plurality of light emitting diodes including a package body having a recessed portion having an inclined side, a main light emitting chip mounted in the center of the recess, and a plurality of sub light emitting chips mounted on the inclined side of the recess; And

상기 다수의 발광 다이오드로부터 발광된 광을 확산 및 집광시키는 광학시트들을 포함하여 이루어진다.It includes optical sheets for diffusing and condensing the light emitted from the plurality of light emitting diodes.

또한, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 액정표시장치는,In addition, the liquid crystal display device according to the third embodiment of the present invention,

경사진 측면을 갖는 요홈부가 마련된 패키지 본체와 상기 요홈부의 중앙에 실장된 메인 발광칩 및 상기 요홈부의 경사진 측면에 실장된 복수의 서브 발광칩을 포함하는 다수의 발광 다이오드; 및A plurality of light emitting diodes including a package body having a recessed portion having an inclined side, a main light emitting chip mounted in the center of the recess, and a plurality of sub light emitting chips mounted on the inclined side of the recess; And

상기 발광 다이오드로부터 조사된 광을 이용하여 소정의 영상을 디스플레이하는 액정표시패널을 포함하여 이루어진다.It includes a liquid crystal display panel for displaying a predetermined image using the light irradiated from the light emitting diode.

또한, 봉 발명의 제 4 실시예에 따른 광원소자의 제조방법은,In addition, the manufacturing method of the light source device according to the fourth embodiment of the rod invention,

패키지 본체의 요홈부 중앙에 메인 발광칩이 실장되는 단계;Mounting the main light emitting chip in the center of the recess of the package body;

상기 요홈부의 서로 대면되는 경사진 측면에 각각 서브 발광칩이 실장된는 단계; 및Mounting sub-light emitting chips on inclined side surfaces of the recessed portions facing each other; And

상기 메인 발광칩과 상기 서브 발광칩 사이에 광을 반사시키는 반사층이 형성되는 단계를 포함하여 이루어진다.And forming a reflective layer reflecting light between the main light emitting chip and the sub light emitting chip.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세히 설명하도록 한다Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 에지형 액정표시장치를 도시한 분해 사시도이고, 도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 절단한 발광 다이오드를 도시한 단면도이다.1 is an exploded perspective view illustrating an edge type liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode cut along the line II ′ of FIG. 1.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 에지형 액정표시장치는 영상을 디스플레이하는 액정표시패널(110)과, 상기 액정표시패널(110)의 배면에 배치되어 광을 제공하는 백라이트 유닛(120)을 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the edge type liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention includes a liquid crystal display panel 110 for displaying an image and a rear surface of the liquid crystal display panel 110. It is configured to include a backlight unit 120 to provide.

상기 액정표시패널(110)은 상세히 도시되지는 않았지만, 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된 어레이 기판과, 상기 어레이 기판 상에 배치되어 컬러필터(color filter)가 형성된 컬러필터 기판 및 이들 사이에 개재된 액정을 포함하여 구성된다.Although not shown in detail, the liquid crystal display panel 110 includes an array substrate on which a thin film transistor (TFT) is formed, a color filter substrate on which a color filter is formed on the array substrate, and a liquid crystal interposed therebetween. It is configured to include.

상기 액정표시패널(110)에 광을 제공하는 백라이트 유닛(120)은 일단에 배치되어 광을 발광하는 다수의 발광 다이오드(200)와, 상기 발광 다이오드(200)가 실장되고 발광 다이오드(200)를 구동시키는 구동전압이 외부로부터 공급되는 인쇄회로기판(151)과, 상기 발광 다이오드(200)와 일면을 이루도록 배치되어 점광을 면광 으로 변환시키는 도광판(160)과, 상기 발광 다이오드(200) 및 인쇄회로기판(151)을 감싸는 형태로 구비되어 상기 발광 다이오드(200)로부터 출사된 광의 손실을 개선하기 위한 하우징(153)과, 상기 도광판(160)의 배면에 배치되어 광을 반사시키는 반사시트(170)와, 상기 도광판(160) 상에 배치되어 광을 확산 및 집광시키는 광학시트들(130)를 포함하여 구성된다.The backlight unit 120 that provides light to the liquid crystal display panel 110 includes a plurality of light emitting diodes 200 disposed at one end thereof to emit light, and the light emitting diodes 200 mounted thereon. A printed circuit board 151 to which a driving voltage to be driven is supplied from the outside, a light guide plate 160 arranged to form one surface with the light emitting diodes 200 to convert point light into surface light, and a light emitting diode 200 and a printed circuit The housing 153 is provided to surround the substrate 151 to improve the loss of light emitted from the light emitting diode 200, and the reflective sheet 170 disposed on the rear surface of the light guide plate 160 to reflect light. And optical sheets 130 disposed on the light guide plate 160 to diffuse and collect light.

상기 백라이트 유닛(120)은 이상에서 설명한 구성들이 수납되는 사각 테 형상의 몰드물로 이루어진 서포트 메인(180)을 더 포함한다.The backlight unit 120 further includes a support main 180 made of a square frame-shaped mold in which the above-described components are accommodated.

상기 발광 다이오드(200)는 백색(white) 광을 발광하는 다수의 백색(W) 발광 다이오드(200)로 이루어질 수 있다.The light emitting diode 200 may include a plurality of white light emitting diodes 200 emitting white light.

상기 발광 다이오드(200)는 백색(W) 발광 다이오드(200)로 한정하지 않고, 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue) 광을 발광하는 발광 다이오드(200)들의 조합으로 이루어질 수도 있고, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 및 백색(W) 광을 발광하는 발광 다이오드(200)들의 조합으로 이루어질 수도 있다.The light emitting diode 200 is not limited to the white (W) light emitting diode 200, and may be formed of a combination of the light emitting diodes 200 emitting red, green, and blue light. The light emitting diodes 200 may be formed of a combination of light emitting diodes 200 emitting red (R), green (G), blue (B), and white (W) light.

상기 발광 다이오드(200)는 발광시 발생되는 빛이 불필요하게 인접한 다른 부재에 흡수되어 광효율을 저하시키는 것을 방지하는 패키지 본체(201)와, 리드프레임부(210), 메인 발광칩(220), 복수의 서브 발광칩(230), 반사층(240), 형광체(250) 및 투명몰딩부(260)를 포함하여 구성된다.The light emitting diode 200 includes a package body 201, a lead frame portion 210, a main light emitting chip 220, and a plurality of packages to prevent light generated during light emission from being unnecessarily absorbed by another adjacent member to reduce light efficiency. And a sub light emitting chip 230, a reflective layer 240, a phosphor 250, and a transparent molding part 260.

상기 패키지 본체(201)는 일정크기의 요홈부(C)를 구비하는 플라스틱 수지체 구조물로 이루어진다.The package body 201 is made of a plastic resin structure having a recess portion C of a predetermined size.

상기 패키지 본체(201)의 요홈부(C) 내부 측면은 경사지게 이루어져 발광된 광을 도광판(160)으로 유도한다.An inner side surface of the recess C of the package body 201 is inclined to guide the emitted light to the light guide plate 160.

상기 리드프레임부(210)는 패키지 본체(201)의 사출성형시 상기 요홈부(C)를 통해 상부면이 외부노출되도록 일체로 구비되는 복수의 음극 리드프레임(215)과 복수의 양극 리드프레임(213)을 각각 구비하고, 상기 복수의 음극 리드프레임(215)과 복수의 양극 프레임(213)은 일정한 간격을 두고 분리배치된다.The lead frame part 210 includes a plurality of cathode lead frames 215 and a plurality of anode lead frames that are integrally provided such that an upper surface thereof is externally exposed through the recess C during injection molding of the package body 201. Each of the plurality of cathode lead frames 215 and the plurality of anode frames 213 is disposed at regular intervals.

상기 복수의 음극 리드프레임(215) 및 복수의 양극 리드프레임(213)은 상세히 도시되지는 않았지만, 상기 패키지 본체(201)의 배면에 구비된 음극리드(212) 및 양극리드(211)에 각각 연결된다. 즉, 도 2는 발광 다이오드(200)의 단면도이기 때문에 상세히 나타나 있지는 않지만, 상기 음극 리드프레임(215) 및 양극 리드프레임(213)은 음극리드(212) 및 양극리드(211)와 일체로 이루어진다. Although not shown in detail, the plurality of negative electrode lead frames 215 and the plurality of positive electrode lead frames 213 are respectively connected to the negative electrode leads 212 and the positive electrode leads 211 provided on the rear surface of the package body 201. do. That is, although not shown in detail because of the cross-sectional view of the light emitting diode 200, the negative lead frame 215 and the positive lead frame 213 is formed integrally with the negative lead 212 and the positive lead 211.

상기 음극리드(212) 및 양극리드(211)는 인쇄회로기판(151)의 도전성패턴(미도시)과 솔더링(soldering)되어 인쇄회로기판(151)과 전기적으로 접속된다.The cathode lead 212 and the anode lead 211 are soldered with a conductive pattern (not shown) of the printed circuit board 151 to be electrically connected to the printed circuit board 151.

상기 메인 발광칩(220)은 패키지 본체(201)의 내부 중앙에 위치하는 광원소자이며, 와이어 본딩 방법으로 상기 음극 리드프레임(215)의 상부면에 탑재된다.The main light emitting chip 220 is a light source device positioned in the center of the package body 201 and is mounted on the upper surface of the negative lead frame 215 by a wire bonding method.

상기 메인 발광칩(220)은 반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 주입된 소수캐리어(전자 또는 양공)를 만들어내고, 이들의 재결합(再結合)에 의하여 광을 발광시키는 것으로서, 금속소재로 이루어진 제 1 금속와이어(221, 223)를 매개로 하여 상기 음극 리드프레임(215) 및 양극 리드프레임(213)과 각각 전기적으로 연결된다.The main light emitting chip 220 forms a minority carrier (electron or hole) injected using a pn junction structure of a semiconductor, and emits light by recombination thereof. The metal leads 221 and 223 are electrically connected to the negative lead frame 215 and the positive lead frame 213, respectively.

상기 복수의 서브 발광칩(230)은 패키지 본체(201)의 내부 경사면에 각각 대면되도록 위치하고, 메인 발광칩(220)과 마찬가지로 와이어 본딩 방법으로 상기 경 사면에 구비된 음극 리드프레임(215)의 상부면에 탑재된다.The plurality of sub light emitting chips 230 are positioned to face the respective inclined surfaces of the package body 201, and similarly to the main light emitting chip 220, an upper portion of the negative lead frame 215 provided on the inclined surfaces by a wire bonding method. It is mounted on the surface.

상기 서브 발광칩(230)은 제 2 금속와이어(231, 233)를 매개로 하여 상기 음극 리드프레임(215) 및 양극 리드프레임(213)과 각각 전기적으로 연결된다.The sub light emitting chip 230 is electrically connected to the negative lead frame 215 and the positive lead frame 213 through second metal wires 231 and 233, respectively.

상기 메인 발광칩(220)과 서프 발광칩(230) 사이에는 반사층(240)이 구비되어 있다. 즉, 상기 반사층(240)은 메인 발광칩(220), 서브 발광칩(230) 및 제 1 및 제 2 금속와이어(221, 223, 231, 233)가 위치한 영역을 제외한 패키지 본체(201)의 내부면 상에 형성됨을 알 수 있다.The reflective layer 240 is provided between the main light emitting chip 220 and the surf light emitting chip 230. That is, the reflective layer 240 has an interior of the package body 201 except for regions where the main light emitting chip 220, the sub light emitting chip 230, and the first and second metal wires 221, 223, 231, and 233 are located. It can be seen that it is formed on the surface.

상기 반사층(240)은 확산 입자 또는 확산 패턴이 형성된 몰드 또는 금속으로 이루어진다.The reflective layer 240 is formed of a mold or a metal on which diffusion particles or diffusion patterns are formed.

상기 메인 발광칩(220) 및 서브 발광칩(230) 상에는 발광 다이오드(200)로부터 백색(white) 광이 출사되도록 적어도 하나 이상의 형광물질이 포함된 형광체(250)가 일정 두께 도포된다. 상기 형광체(250) 상에는 보호를 위한 투명몰딩부(260)가 채워진다.On the main light emitting chip 220 and the sub light emitting chip 230, a phosphor 250 including at least one fluorescent material is coated to have a predetermined thickness so that white light is emitted from the light emitting diode 200. The transparent molding part 260 for protection is filled on the phosphor 250.

본 발명에서는 광원으로 구비되는 발광 다이오드(200)가 백라이트 유닛(120)의 일측에 배치된 에지형을 일 예로 설명하고 있지만, 이에 한정하지 않고, 액정표시패널(110)의 배면에 다수의 광원이 구비되는 직하형도 포함될 수 있다.In the present invention, the edge type in which the light emitting diode 200 provided as the light source is disposed on one side of the backlight unit 120 is described as an example. However, the present invention is not limited thereto, and a plurality of light sources are provided on the rear surface of the liquid crystal display panel 110. Direct type provided may also be included.

이상에서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치는 패키지 본체(201) 내부 경사면에 복수의 서브 발광칩(230)을 구비함으로써, 서브 발광칩(230)으로부터 조사되는 광에 의해 발광 다이오드(200)의 자체 방사각을 120도 이상으로 확대할 수 있다.The liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention described above includes a plurality of sub light emitting chips 230 on the inclined surface of the package body 201, thereby emitting a light emitting diode by light emitted from the sub light emitting chips 230. The self-radiation angle of 200 can be extended to 120 degrees or more.

따라서, 본 발명은 종래의 방사각(약 120도)을 그 이상으로 확대하여 발광 다이오드(200)가 배치된 영역 주변에서 발생할 수 있는 불균일한 휘도를 개선할 수 있다.Accordingly, the present invention can extend the conventional radiation angle (about 120 degrees) or more to improve non-uniform luminance that may occur around the region where the light emitting diode 200 is disposed.

도 3은 도 2의 발광 다이오드의 방사각이 넓어진 모습을 도시한 도면이고, 도 4는 도 1의 발광 다이오드에서 출사된 광의 경로를 도시한 발광 다이오드 및 도광판의 평면도이다.FIG. 3 is a view illustrating an enlarged emission angle of the light emitting diode of FIG. 2, and FIG. 4 is a plan view of a light emitting diode and a light guide plate illustrating a path of light emitted from the light emitting diode of FIG. 1.

도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 에지형 액정표시장치는 방사각이 확대되도록 유도하는 복수의 서브 발광칩(230)을 포함하는 발광 다이오드(200)가 배치된다.As shown in FIGS. 3 and 4, in the edge type liquid crystal display according to the exemplary embodiment, a light emitting diode 200 including a plurality of sub-light emitting chips 230 for inducing an enlarged emission angle is disposed. do.

상기 발광 다이오드(200)는 내부 경사면에 복수의 서브 발광칩(230)이 구비되어 상기 서브 발광칩(230)으로부터 출사된 광에 의해 a각 정도의 방사각이 넓어지게 된다.The light emitting diode 200 is provided with a plurality of sub light emitting chips 230 on an inclined surface of the light emitting diode 200 so that a radiation angle of about a angle is widened by the light emitted from the sub light emitting chip 230.

상기 a각은 1도 내지 25도 정도로써, 상기 발광 다이오드(200)의 방사각은 120도+2a 로 이루어짐을 알 수 있다. 즉, 본 발명의 발광 다이오드(200)는 120도 이상의 방사각을 갖게 된다.The angle a is about 1 to 25 degrees, it can be seen that the emission angle of the light emitting diode 200 is made of 120 degrees + 2a. That is, the light emitting diode 200 of the present invention has a radiation angle of 120 degrees or more.

상기 발광 다이오드(200)의 방사각(B)은 일반적인 발광 다이오드의 방사각(A)보다 확대되어 도광판(160)의 일측면(입광부)의 모든 영역에는 균일하게 광이 입사될 수 있다.The radiation angle B of the light emitting diode 200 is larger than the radiation angle A of a general light emitting diode 200, so that light may be uniformly incident on all regions of one side (light receiving portion) of the light guide plate 160.

따라서, 본 발명은 패키지 본체(201)의 내부 경사면에 배치된 서브 발광칩(230)에 의해 발광 다이오드(200)의 방사각이 확대되어 균일한 휘도를 갖는 백라 이트 유닛(도1의 120)을 구현할 수 있다.Therefore, in the present invention, the emission angle of the light emitting diode 200 is enlarged by the sub light emitting chip 230 disposed on the inner inclined surface of the package body 201, so that the backlight unit (120 of FIG. 1) having uniform luminance is provided. Can be implemented.

도 5a 내지 도 5d는 도 1의 발광 다이오드의 제조방법을 나타낸 도면이다.5A through 5D are views illustrating a method of manufacturing the light emitting diode of FIG. 1.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드의 제조방법은 먼저,도 5a와 같이, 패키지 본체(201)의 사출성형시에 복수의 음극 리드프레임(215), 복수의 양극 리드프레임(213), 음극리드(212) 및 양극리드(211)가 일체로 구비된다.First, a method of manufacturing a light emitting diode according to an embodiment of the present invention, as shown in FIG. The lead 212 and the anode lead 211 are integrally provided.

도 5b와 같이, 상기 패키지 본체(201)의 요홈부(C) 중앙영역의 음극 리드프레임(215) 상에 메인 발광칩(220)이 실장되고, 요홈부(C) 내부 경사면의 음극 리드프레임(215) 상에 복수의 서브 발광칩(230)이 실장된다. 상기 메인 발광칩(220)의 P전극과 N전극에서 인출된 제 1 금속와이어(221, 223)는 와이어 본딩방법으로 음극 및 양극 리드프레임(215, 213)에 전기적으로 콘텍(contact)된다.As shown in FIG. 5B, the main light emitting chip 220 is mounted on the negative lead frame 215 of the center portion of the recess C of the package body 201, and the negative lead frame of the inclined surface inside the recess C is formed. A plurality of sub light emitting chips 230 are mounted on the 215. The first metal wires 221 and 223 drawn from the P electrode and the N electrode of the main light emitting chip 220 are electrically contacted to the cathode and anode lead frames 215 and 213 by a wire bonding method.

상기 메인 발광칩(220)과 마찬가지로 상기 서브 발광칩(230)의 P전극과 N전극에서 인출된 제 2 금속와이어(231, 233)는 와이어 본딩방법으로 음극 및 양극 리드프레임(215, 213)에 전기적으로 콘텍(contact)된다.Like the main light emitting chip 220, the second metal wires 231 and 233 drawn from the P electrode and the N electrode of the sub light emitting chip 230 are connected to the cathode and anode lead frames 215 and 213 by a wire bonding method. It is electrically contacted.

본 발명의 일 실시예에서는 메인 발광칩(220) 및 서브 발광칩(230)을 와이어 본딩 방법으로 실장되어 있지만, 이에 한정하지 않고, 플립칩 본딩 방법으로 실장할 수도 있다.In the exemplary embodiment of the present invention, the main light emitting chip 220 and the sub light emitting chip 230 are mounted by a wire bonding method. However, the present invention is not limited thereto and may be mounted by a flip chip bonding method.

도 5c와 같이, 상기 메인 발광칩(220)과 복수의 서브 발광칩(230) 사이의 음극 및 양극 리드프레임(215, 213)상에는 반사층(240)이 도포된다. 상기 반사층(240)은 확산 입자 또는 확산 패턴이 형성된 몰드 또는 금속으로 이루어질 수 있다.As illustrated in FIG. 5C, a reflective layer 240 is coated on the cathode and anode lead frames 215 and 213 between the main light emitting chip 220 and the plurality of sub light emitting chips 230. The reflective layer 240 may be formed of a mold or a metal on which diffusion particles or diffusion patterns are formed.

도 5d와 같이, 상기 메인 발광칩(220), 복수의 서브 발광칩(230) 및 반사층(240) 상에는 형광체(250)가 일정한 두께로 도포된다. 상기 형광체(250)는 디스펜싱공정으로 투명성 폴리머수지에 형광체분말을 혼합하여 마련될 수 있다.As illustrated in FIG. 5D, the phosphor 250 is coated on the main light emitting chip 220, the plurality of sub light emitting chips 230, and the reflective layer 240 to have a predetermined thickness. The phosphor 250 may be prepared by mixing phosphor powder in a transparent polymer resin in a dispensing process.

상기 형광체(250)가 도포되면, 형광체(250) 상에는 투명수지를 이용하여 투명몰딩부(260)가 형성된다.When the phosphor 250 is applied, the transparent molding part 260 is formed on the phosphor 250 using transparent resin.

이상에서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드(200)는 패키지 본체(201)내에 서브 발광칩(230)을 구비함으로써, 발광 다이오드(200)로부터 출사되는 광의 방사각(출사각)을 120도 이상 확대할 수 있다. 따라서, 본 발명의 발광 다이오드(200)는 도광판(도1의 160)의 일측면(입광부)로 입사되는 광을 균일하게 구현할 수 있다.The light emitting diode 200 according to the exemplary embodiment of the present invention described above includes a sub light emitting chip 230 in the package main body 201, whereby the emission angle of the light emitted from the light emitting diode 200 is 120. You can zoom in even more. Therefore, the light emitting diode 200 of the present invention can uniformly implement the light incident on one side (incident portion) of the light guide plate 160 of FIG. 1.

본 발명의 방사각(출사각)이 120도 이상으로 확대된 발광 다이오드(200)를 구비한 액정표시장치는 액정표시패널(도1의 110) 전면에 균일한 광이 조사됨으로써, 불균일한 휘도에 따른 화상 불량을 개선할 수 있다.In the liquid crystal display device having the light emitting diode 200 in which the emission angle (emission angle) of the present invention is expanded to 120 degrees or more, uniform light is irradiated to the entire surface of the liquid crystal display panel (110 in FIG. 1), resulting in uneven luminance. Image defects can be improved.

본 발명은 패키지 본체 내부의 경사면에 복수의 서브 발광칩을 실장함으로써, 발광 다이오드의 광 방사각(출사각)이 확대할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, by mounting a plurality of sub light emitting chips on an inclined surface inside the package main body, the light emission angle (emission angle) of the light emitting diode can be increased.

본 발명은 방사각(출사각)을 120도 이상으로 확대할 수 있는 서브 발광칩이 구비된 발광 다이오드를 구비함으로써, 균일한 휘도를 갖는 액정표시장치를 구현할 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of realizing a liquid crystal display device having a uniform luminance by providing a light emitting diode having a sub light emitting chip that can extend the emission angle (emission angle) to 120 degrees or more.

이상 설명한 내용을 통해 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various modifications, additions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention as disclosed in the accompanying claims.

Claims (23)

경사진 측면을 갖는 요홈부가 마련된 패키지 본체;A package body provided with a recess having an inclined side surface; 상기 요홈부의 중앙에 실장된 메인 발광칩; 및A main light emitting chip mounted in the center of the recess; And 상기 요홈부의 경사진 측면에 실장된 복수의 서브 발광칩을 포함하고,It includes a plurality of sub light emitting chip mounted on the inclined side surface of the groove, 상기 요홈부에는 복수의 제1 및 제2 전극 리드 프레임이 교대로 배치되고,A plurality of first and second electrode lead frames are alternately arranged in the groove portion, 상기 메인 및 서브 발광칩은 상기 제1 전극 리드 프레임 상에 배치되고,The main and sub light emitting chips are disposed on the first electrode lead frame, 상기 메인 발광칩은 제 1 금속와이어를 매개로 하여 상기 제1 및 제2 전극 리드 프레임에 연결되고,The main light emitting chip is connected to the first and second electrode lead frames through a first metal wire, 상기 서브 발광칩은 제 2 금속와이어를 매개로 하여 상기 제1 및 제2 전극 리드 프레임에 연결되고,The sub light emitting chip is connected to the first and second electrode lead frames through a second metal wire, 상기 제1 전극 리드 프레임은 제1 및 제2 전극을 포함하고,The first electrode lead frame includes first and second electrodes, 상기 제1 전극은 상기 요홈부의 바닥면의 가장자리 영역으로부터 상기 경사진 측면을 따라 형성되고,The first electrode is formed along the inclined side surface from the edge region of the bottom surface of the groove, 상기 제2 전극은 상기 요홈부의 바닥면의 중앙 영역에 형성되고,The second electrode is formed in the central region of the bottom surface of the groove portion, 상기 제2 전극 리드 프레임은 상기 요홈부의 바닥면 중에서 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 사이 영역에 형성되고,The second electrode lead frame is formed in a region between the first electrode and the second electrode of the bottom surface of the groove portion, 상기 메인 발광칩은 상기 제2 전극 상에만 배치되며,The main light emitting chip is disposed only on the second electrode, 상기 서브 발광칩은 상기 제1 전극 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 광원소자.The sub light emitting chip is disposed on the first electrode. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 복수의 서브 발광칩은 서로 대면되는 상기 요홈부의 경사면에 실장된 것을 특징으로 하는 광원소자.And the plurality of sub light emitting chips are mounted on an inclined surface of the recessed portion facing each other. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 메인 발광칩 및 상기 서브 발광칩 사이에는 광손실을 방지하기 위해 반사층이 형성된 것을 특징으로 하는 광원소자.And a reflective layer formed between the main light emitting chip and the sub light emitting chip to prevent light loss. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 메인 발광칩 및 상기 서브 발광칩 상에는 적어도 하나 이상의 형광체가 도포된 것을 특징으로 하는 광원소자.At least one phosphor is coated on the main light emitting chip and the sub light emitting chip. 제 4 항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 형광체 상에는 보호를 위한 투명몰딩부가 구비된 것을 특징으로 하는 광원소자.The light source device, characterized in that the transparent molding for protection provided on the phosphor. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 메인 발광칩 및 상기 서브 발광칩으로부터 출사되는 광의 방사각은 120도 이상인 것을 특징으로 하는 광원 소자.And a radiation angle of light emitted from the main light emitting chip and the sub light emitting chip is 120 degrees or more. 삭제delete 경사진 측면을 갖는 요홈부가 마련된 패키지 본체와 상기 요홈부의 중앙에 실장된 메인 발광칩 및 상기 요홈부의 경사진 측면에 실장된 복수의 서브 발광칩을 포함하는 다수의 발광 다이오드; 및A plurality of light emitting diodes including a package body having a recessed portion having an inclined side, a main light emitting chip mounted in the center of the recess, and a plurality of sub light emitting chips mounted on the inclined side of the recess; And 상기 다수의 발광 다이오드로부터 발광된 광을 확산 및 집광시키는 광학시트들을 포함하고,Optical sheets for diffusing and condensing the light emitted from the plurality of light emitting diodes, 상기 요홈부에는 복수의 제1 및 제2 전극 리드 프레임이 교대로 배치되고,A plurality of first and second electrode lead frames are alternately arranged in the groove portion, 상기 메인 및 서브 발광칩은 상기 제1 전극 리드 프레임 상에 배치되고,The main and sub light emitting chips are disposed on the first electrode lead frame, 상기 메인 발광칩은 제 1 금속와이어를 매개로 하여 상기 제1 및 제2 전극 리드 프레임에 연결되고,The main light emitting chip is connected to the first and second electrode lead frames through a first metal wire, 상기 서브 발광칩은 제 2 금속와이어를 매개로 하여 상기 제1 및 제2 전극 리드 프레임에 연결되고,The sub light emitting chip is connected to the first and second electrode lead frames through a second metal wire, 상기 제1 전극 리드 프레임은 제1 및 제2 전극을 포함하고,The first electrode lead frame includes first and second electrodes, 상기 제1 전극은 상기 요홈부의 바닥면의 가장자리 영역으로부터 상기 경사진 측면을 따라 형성되고,The first electrode is formed along the inclined side surface from the edge region of the bottom surface of the groove, 상기 제2 전극은 상기 요홈부의 바닥면의 중앙 영역에 형성되고,The second electrode is formed in the central region of the bottom surface of the groove portion, 상기 제2 전극 리드 프레임은 상기 요홈부의 바닥면 중에서 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 사이 영역에 형성되고,The second electrode lead frame is formed in a region between the first electrode and the second electrode of the bottom surface of the groove portion, 상기 메인 발광칩은 상기 제2 전극 상에만 배치되며,The main light emitting chip is disposed only on the second electrode, 상기 서브 발광칩은 상기 제1 전극 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.And the sub light emitting chip is disposed on the first electrode. 제 8 항에 있어서,9. The method of claim 8, 상기 발광 다이오드의 상기 서브 발광칩은 상기 요홈부의 서로 대면되는 경사면에 각각 실장된 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.And the sub light emitting chips of the light emitting diodes are mounted on inclined surfaces of the recessed portions. 제 8 항에 있어서,9. The method of claim 8, 상기 메인 발광칩과 상기 서브 발광칩 사이에는 광을 반사시키는 반사층이 형성된 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.And a reflective layer reflecting light between the main light emitting chip and the sub light emitting chip. 제 8 항에 있어서,9. The method of claim 8, 상기 발광 다이오드와 일면을 이루도록 배치되어 상기 발광 다이오드로부터 입사된 광을 면광으로 변환하는 도광판을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.And a light guide plate disposed to form one surface with the light emitting diode and converting light incident from the light emitting diode into surface light. 제 8 항에 있어서,9. The method of claim 8, 상기 메인 발광칩 및 상기 서브 발광칩 상에는 적어도 하나 이상의 형광체가 도포된 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.At least one phosphor is coated on the main light emitting chip and the sub light emitting chip. 제 12 항에 있어서,13. The method of claim 12, 상기 형광체 상에는 보호를 위한 투명몰딩부가 구비된 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.The backlight unit, characterized in that the transparent molding for protection provided on the phosphor. 제 8 항에 있어서,9. The method of claim 8, 상기 메인 발광칩 및 상기 서브 발광칩으로부터 출사되는 광의 방사각은 120 도 이상인 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.And a radiation angle of light emitted from the main light emitting chip and the sub light emitting chip is 120 degrees or more. 삭제delete 경사진 측면을 갖는 요홈부가 마련된 패키지 본체와 상기 요홈부의 중앙에 실장된 메인 발광칩 및 상기 요홈부의 경사진 측면에 실장된 복수의 서브 발광칩을 포함하는 다수의 발광 다이오드; 및A plurality of light emitting diodes including a package body having a recessed portion having an inclined side, a main light emitting chip mounted in the center of the recess, and a plurality of sub light emitting chips mounted on the inclined side of the recess; And 상기 발광 다이오드로부터 조사된 광을 이용하여 소정의 영상을 디스플레이하는 액정표시패널을 포함하고,It includes a liquid crystal display panel for displaying a predetermined image using the light irradiated from the light emitting diode, 상기 요홈부에는 복수의 제1 및 제2 전극 리드 프레임이 교대로 배치되고,A plurality of first and second electrode lead frames are alternately arranged in the groove portion, 상기 메인 및 서브 발광칩은 상기 제1 전극 리드 프레임 상에 배치되고,The main and sub light emitting chips are disposed on the first electrode lead frame, 상기 메인 발광칩은 제 1 금속와이어를 매개로 하여 상기 제1 및 제2 전극 리드 프레임에 연결되고,The main light emitting chip is connected to the first and second electrode lead frames through a first metal wire, 상기 서브 발광칩은 제 2 금속와이어를 매개로 하여 상기 제1 및 제2 전극 리드 프레임에 연결되고,The sub light emitting chip is connected to the first and second electrode lead frames through a second metal wire, 상기 제1 전극 리드 프레임은 제1 및 제2 전극을 포함하고,The first electrode lead frame includes first and second electrodes, 상기 제1 전극은 상기 요홈부의 바닥면의 가장자리 영역으로부터 상기 경사진 측면을 따라 형성되고,The first electrode is formed along the inclined side surface from the edge region of the bottom surface of the groove, 상기 제2 전극은 상기 요홈부의 바닥면의 중앙 영역에 형성되고,The second electrode is formed in the central region of the bottom surface of the groove portion, 상기 제2 전극 리드 프레임은 상기 요홈부의 바닥면 중에서 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 사이 영역에 형성되고,The second electrode lead frame is formed in a region between the first electrode and the second electrode of the bottom surface of the groove portion, 상기 메인 발광칩은 상기 제2 전극 상에만 배치되며,The main light emitting chip is disposed only on the second electrode, 상기 서브 발광칩은 상기 제1 전극 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the sub light emitting chip is disposed on the first electrode. 제 16 항에 있어서,17. The method of claim 16, 상기 서브 발광칩은 상기 요홈부의 서로 대면되는 경사면에 각각 실장된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the sub light emitting chips are mounted on inclined surfaces of the recessed portions. 제 16 항에 있어서,17. The method of claim 16, 상기 메인 발광칩과 상기 서브 발광칩 사이에는 광을 반사시키는 반사층이 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And a reflective layer reflecting light between the main light emitting chip and the sub light emitting chip. 제 16 항에 있어서,17. The method of claim 16, 상기 메인 발광칩 및 상기 서브 발광칩 상에는 적어도 하나 이상의 형광체가 도포된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And at least one phosphor is coated on the main light emitting chip and the sub light emitting chip. 제 19 항에 있어서,20. The method of claim 19, 상기 형광체 상에는 보호를 위한 투명몰딩부가 구비된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The liquid crystal display device, characterized in that the transparent molding for protection provided on the phosphor. 제 16 항에 있어서,17. The method of claim 16, 상기 메인 발광칩 및 상기 서브 발광칩으로부터 출사되는 광의 방사각은 120도 이상인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And an emission angle of light emitted from the main light emitting chip and the sub light emitting chip is 120 degrees or more. 삭제delete 패키지 본체의 요홈부에 복수의 제1 및 제2 전극 리드 프레임이 교대로 실장되는 단계;Alternately mounting a plurality of first and second electrode lead frames in a recess of the package body; 메인 발광칩이 상기 제1 전극 리드 프레임 상에 실장되는 단계;Mounting a main light emitting chip on the first electrode lead frame; 상기 요홈부의 서로 대면되는 경사진 측면 상의 상기 제1 전극 리드 프레임 상에 복수의 서브 발광칩이 실장되는 단계;Mounting a plurality of sub light emitting chips on the first electrode lead frame on the inclined side surfaces of the groove portion facing each other; 상기 메인 발광칩은 제 1 금속와이어를 매개로 하여 상기 제1 및 제2 전극 리드 프레임에 연결되는 단계;Connecting the main light emitting chip to the first and second electrode lead frames through a first metal wire; 상기 서브 발광칩은 제 2 금속와이어를 매개로 하여 상기 제1 및 제2 전극 리드 프레임에 연결되는 단계; 및Connecting the sub light emitting chip to the first and second electrode lead frames through a second metal wire; And 상기 메인 발광칩과 상기 서브 발광칩 사이에 광을 반사시키는 반사층이 형성되는 단계를 포함하고,Forming a reflective layer reflecting light between the main light emitting chip and the sub light emitting chip; 상기 제1 전극 리드 프레임은 제1 및 제2 전극을 포함하고,The first electrode lead frame includes first and second electrodes, 상기 제1 전극은 상기 요홈부의 바닥면의 가장자리 영역으로부터 상기 경사진 측면을 따라 형성되고,The first electrode is formed along the inclined side surface from the edge region of the bottom surface of the groove, 상기 제2 전극은 상기 요홈부의 바닥면의 중앙 영역에 형성되고,The second electrode is formed in the central region of the bottom surface of the groove portion, 상기 제2 전극 리드 프레임은 상기 요홈부의 바닥면 중에서 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 사이 영역에 형성되고,The second electrode lead frame is formed in a region between the first electrode and the second electrode of the bottom surface of the groove portion, 상기 메인 발광칩은 상기 제2 전극 상에만 배치되며,The main light emitting chip is disposed only on the second electrode, 상기 서브 발광칩은 상기 제1 전극 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 광원소자의 제조방법.And the sub light emitting chip is disposed on the first electrode.
KR1020060137816A 2006-12-29 2006-12-29 Light divice, method of fabricating the same, backlight unit and liquid crystal display divice having the same KR101323401B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060137816A KR101323401B1 (en) 2006-12-29 2006-12-29 Light divice, method of fabricating the same, backlight unit and liquid crystal display divice having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060137816A KR101323401B1 (en) 2006-12-29 2006-12-29 Light divice, method of fabricating the same, backlight unit and liquid crystal display divice having the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080062259A KR20080062259A (en) 2008-07-03
KR101323401B1 true KR101323401B1 (en) 2013-10-29

Family

ID=39814406

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060137816A KR101323401B1 (en) 2006-12-29 2006-12-29 Light divice, method of fabricating the same, backlight unit and liquid crystal display divice having the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101323401B1 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101055081B1 (en) * 2010-01-15 2011-08-08 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device, light emitting device manufacturing method and backlight unit
KR101719627B1 (en) * 2010-12-23 2017-03-24 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device module and display device including the same
KR20200019514A (en) * 2018-08-14 2020-02-24 서울반도체 주식회사 Light emitting diode package and display device including the same
KR101970938B1 (en) 2019-02-11 2019-04-19 진재언 Light emitting device package having a controlled beam angle and light emitting apparatus using the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060041086A (en) * 2004-11-08 2006-05-11 서울반도체 주식회사 Light emitting diode package employing a heat-sinking body and method of fabricating the same
JP2006286935A (en) * 2005-03-31 2006-10-19 Sharp Corp Optical module, backlight unit, and liquid crystal display device
JP2006339060A (en) * 2005-06-03 2006-12-14 Akita Denshi Systems:Kk Lighting system
KR20070104145A (en) * 2006-04-21 2007-10-25 삼성전기주식회사 Led package

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060041086A (en) * 2004-11-08 2006-05-11 서울반도체 주식회사 Light emitting diode package employing a heat-sinking body and method of fabricating the same
JP2006286935A (en) * 2005-03-31 2006-10-19 Sharp Corp Optical module, backlight unit, and liquid crystal display device
JP2006339060A (en) * 2005-06-03 2006-12-14 Akita Denshi Systems:Kk Lighting system
KR20070104145A (en) * 2006-04-21 2007-10-25 삼성전기주식회사 Led package

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080062259A (en) 2008-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9705054B2 (en) Light emitting device module
US7942546B2 (en) Light guide member having light mixing protrusion, flat light source device, and display device
JP5530221B2 (en) Light emitting module and light unit including the same
US7375384B2 (en) Side structure of a bare LED and backlight module thereof
US20120305976A1 (en) Light emitting device package and lighting system including the same
KR101323401B1 (en) Light divice, method of fabricating the same, backlight unit and liquid crystal display divice having the same
KR101850434B1 (en) Light emitting device module and lighting system including the same
CN109638137A (en) Flip LED chips and down straight aphototropism mode set
KR101454608B1 (en) Display device
KR20070099350A (en) Light emitting diode package and lighting apparatus using its
US8816512B2 (en) Light emitting device module
CN210402971U (en) Four-side light emitting source and backlight module
KR101796584B1 (en) LED Module
KR101274789B1 (en) Backlight assembly and liquid crystal display device having the same
KR101813167B1 (en) Light emitting device module and lighting system including the same
JP2009099881A (en) Light-emitting device, and light-emitting module and backlight device using the device
KR101266703B1 (en) Liquid crystal display divice
KR100795178B1 (en) Led package for back light unit
KR20130072997A (en) Light emitting module and lighting system having the same
KR101746846B1 (en) Backlgiht unit and liquid crystal display device the same
KR20070115433A (en) Led and liquid crystal display device using thereof
KR101874903B1 (en) Light emitting device module and lighting system including the same
KR101797600B1 (en) Light emitting device module
KR101735310B1 (en) Light Emitting Device Package
KR20070099733A (en) Light divice, method of fabricating the same, backlight assembly having the same and liquid crystal display divice

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180917

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190917

Year of fee payment: 7