KR101316619B1 - 반도체 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전류를 주입하는 경우 발광이 가능한 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 소자의 표면에 텍스처링 (Texturing) 을 형성하여 발광 효율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자는 제1 타입의 제1 반도체층, 제2 타입의 제2 반도체층, 및 상기 제1 반도체층의 일측과 상기 제2 반도체층의 일측 사이에 형성되는 활성층을 포함하고, 상기 제2 반도체층의 타측은 반사층 또는 기계적 지지를 제공하는 금속 지지층에 접촉하고, 상기 제1 반도체층의 타측 상에는 제1 패턴의 요철과, 상기 제1 패턴의 요철 사이에 위치하며 상기 제1 패턴의 요철보다 작은 제2 패턴의 요철이 형성된다.

Description

반도체 소자 및 그 제조 방법 {SEMICONDUCTOR DEVICES AND FABRICATION METHOD THEREOF}
본 발명은 전류를 주입하는 경우 발광이 가능한 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 소자의 표면에 텍스처링 (Texturing) 을 형성하여 발광 효율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 PN접합을 가지며 순방향으로 전류를 주입했을 때 발광하는 반도체 소자를 발광 다이오드(LED: light emitting diode)라고 한다. 발광 다이오드는 원하는 특정 주파수의 빛을 간단히 얻을 수 있으며, 필라멘트를 사용하는 전구에 비하여 소형이며 진동에 강하고 전력 소비가 적어 긴 수명을 가지고 있다는 장점이 있다.
갈륨-질소 화합물(GaN) 기반의 발광 다이오드가 개발되어 청색광을 쉽게 얻을 수 있게 됨으로써 발광 다이오드를 이용하여 다양한 색상의 빛을 구현할 수 있게 되었으며 이로 인하여 발광 다이오드의 응용 범위는 더욱 확대되고 있다.
GaN 기반의 발광 다이오드는 일반적으로 p 타입 반도체층, n 타입 반도체층 및 활성층으로 형성된다. 발광 다이오드에 전류를 주입하면, p 타입 반도체층의 정공과 n 타입 반도체층의 전자가 활성층에서 재결합하면서 광을 발생한다. 활성층에서 발생한 광은 모든 방향으로 발산하고, 노출된 표면을 통해 방출된다.
이 때, GaN의 굴절률은 공기의 굴절률보다 크기 때문에 스넬의 법칙에 따라 반도체 소자와 공기의 경계면에서 전반사가 일어 날 수 있다. 즉, 활성층에서 발생한 광이 임계각 이상의 각도로 발광 다이오드의 표면에 도달하는 경우 전반사를 하게 된다. 전반사된 광은 발광측으로 방출되지 않고 손실되므로, 이 때문에 발광 다이오드의 발광 효율이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서 발광 효율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 매크로 패턴과 마이크로 패턴을 포함하는 2중의 텍스처링 패턴을 형성하여 발광 효율을 보다 향상시킬 수 있는 반도체 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 적은 비용 및 용이한 공정으로 2중의 텍스처링 패턴을 형성할 수 있는 반도체 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자는 제1 타입의 제1 반도체층, 제2 타입의 제2 반도체층, 및 상기 제1 반도체층의 일측과 상기 제2 반도체층의 일측 사이에 형성되는 활성층을 포함하고, 상기 제2 반도체층의 타측은 반사층 또는 기계적 지지를 제공하는 금속 지지층에 접촉하고, 상기 제1 반도체층의 타측 상에는 제1 패턴의 요철과, 상기 제1 패턴의 요철 사이에 위치하며 상기 제1 패턴의 요철보다 작은 제2 패턴의 요철이 형성된다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 방법은 제1 타입의 제1 반도체층, 제2 타입의 제2 반도체층 및 제1 반도체층의 일측과 제2 반도체층의 일측 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법에 있어서, 상기 제1 반도체층의 타측 상에 제1 패턴의 요철을 형성하는 단계, 및 상기 제1 패턴의 요철 사이에 상기 제1 패턴의 요철보다 작은 제2 패턴의 요철을 형성하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 제1 패턴의 요철을 형성하는 단계는 화학 용액을 이용한 습식 식각에 의해 상기 제1 반도체층의 상기 타측의 표면 상에 상기 제1 패턴의 요철을 형성하고, 상기 제2 패턴의 요철을 형성하는 단계는 상기 제1 패턴의 요철 사이에 복수의 입자를 형성하는 단계, 상기 복수의 입자 및 상기 제1 반도체층의 상기 타측의 표면 상에 금속을 증착하는 단계, 상기 금속이 증착된 상기 복수의 입자를 상기 제1 반도체층의 상기 타측의 표면으로부터 리프트 오프 (Lift-off)함으로써 제거하는 단계, 상기 복수의 입자가 제거된 상기 제1 반도체층의 상기 타측의 표면을 건식 식각 (Dry Etching) 하는 단계, 및 상기 건식 식각된 상기 제1 반도체층의 상기 타측의 표면으로부터 상기 금속을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 화학 용액은 H2SO4, HF, HCl, H3PO4, HNO3, CH3COOH 중 적어도 하나 이상을 포함하는 산 용액 또는 KOH, NaOH, NH4OH 중 적어도 하나 이상을 포함하는 알칼리 용액으로 구성될 수 있다.
또한, 상기 복수의 입자는 폴리스틸렌 (polystyren), 실리카 (silica), 니켈, 수정 (quartz) 중 적어도 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 패턴의 요철 사이에 상기 복수의 입자를 형성하는 단계는 상기 복수의 입자를 구성하는 물질을 스핀 코팅, 스프레이 방식, 침착 방식, 페인팅 방식, 프린팅 방식, 몰딩 방식, 소성 방식 중 적어도 하나 이상의 방법을 이용하여 상기 제1 반도체층의 상기 타측의 표면 상에 코팅하는 단계, 및 상기 코팅된 물질을 플라즈마 환경에 노출시켜 상기 코팅된 물질 중 일부를 제거하고, 상기 코팅된 물질 중 나머지 부분을 상기 복수의 입자로 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 금속은 Ti, Cr, ITO 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 반도체 소자 및 그 제조 방법에 따르면, 반도체 소자의 표면에 임의의 텍스처링 패턴이 형성되어, 활성층에서 발생한 광이 내부에서 전반사 되지 않고 외부로 방출되므로 반도체 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 반도체 소자 및 그 제조 방법에 따르면, 2중의 텍스처링 패턴이 형성되어, 활성층에서 발생한 광의 방출 효과가 보다 개선되므로 반도체 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 반도체 소자 및 그 제조 방법에 따르면, 복수의 입자를 이용한 건식 식각에 의해, 적은 비용 및 용이한 공정으로 2중의 텍스처링 패턴을 형성할 수 있다. 이 때 2중의 텍스쳐링 패턴을 반드시 미리 설계해야 하는 것이 아니고 건식 또는 습식 식각 공정에 따르는 부산물을 이용할 수 있으므로, 2중의 텍스쳐링 패턴을 형성하기 위한 별도의 마스크를 제작할 필요가 없어 공정 비용을 줄일 수 있으며 공정이 용이하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 단면도를 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 반도체 소자의 단면도를 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 반도체 소자의 단면도를 나타낸 것이다.
도 4 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 방법의 공정 과정을 설명하기 위한 일 실시예의 단면도를 나타낸 것이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 방법의 개략적인 설명을 위한 흐름도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 방법의 제2 패턴의 요철을 형성하는 공정의 개략적인 설명을 위한 흐름도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 방법의 복수의 입자를 형성하는 공정의 개략적인 설명을 위한 흐름도이다.
이하에서, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명이 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.
이하의 도면들은 본 발명의 특징을 두드러지게 나타내기 위하여 간략화되고, 다소 과장되게 그려졌으며, 이하의 도면들의 치수는 실제 본 발명의 제품들의 치수와 정확하게 일치하지 않을 수 있다.
해당 기술 분야의 통상의 기술자라면, 이하의 도면들의 기재로부터 각 구성 요소의 길이, 둘레, 두께 등 치수를 용이하게 변형하여 실제 제품에 적용할 수 있을 것이며, 이러한 변형은 본 발명의 권리 범위에 속할 것임은 해당 기술 분야의 통상의 기술자에게 자명하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 단면도를 나타낸 것이다.
도 1을 참조하면, 반도체 소자(100)는 제1 타입의 제1 반도체층(110), 제2 타입의 제2 반도체층(130), 활성층(120) 및 반사층(140)을 포함한다. 상기 제1 반도체층(110)의 타측 상에는 제1 패턴의 요철(150)과, 상기 제1 패턴의 요철(150) 사이에 위치하며 상기 제1 패턴의 요철(150)보다 작은 제2 패턴의 요철(160)이 형성된다.
상기 제1 반도체층(110)은 n 타입 반도체층일 수 있으며, 예를 들면 n 타입 GaN, AlGaN, InGaN 반도체층일 수 있다. 상기 활성층(120)은 상기 제1 반도체층(110)의 일측과 제2 반도체층(130)의 일측 사이에 형성되며, 다중양자우물 (Multi-Quantum Well) 구조일 수 있다. 상기 제2 반도체층(130)은 p 타입 반도체층일 수 있으며, 예를 들면 p 타입 GaN, AlGaN, InGaN 반도체층일 수 있다. 상기 제1 반도체층(110), 상기 활성층(120), 및 상기 제2 반도체층(130) 은 액상 성장법(LPE), 기상 성장법(VPE) 유기 금속 화학 기상 증착법(MOCVD), 분자빔 성장법(MBE) 등의 공정으로 형성될 수 있다. 상기 실시예에서 제1 반도체층(110)이 n 타입, 제2 반도체층(130)이 p 타입으로 설명되었으나, 이는 예시일 뿐이며 본 발명의 사상이 이에 한정되지 않는다. 제1 반도체층(110)과 제2 반도체층(130)은 서로 다른 극성을 가질 수 있다.
상기 반사층(140)은 상기 제2 반도체층(130)의 타측에 접촉하며, 상기 활성층(120)에서 발생되어 후방으로 진행하는 광을 전방으로 반사시킨다. 상기 반사층(140)은 Ag, Cu, Pd, Al, Pt, Ni, Au, ITO, TCO, ZnO 중 적어도 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 패턴의 요철(150)은 상기 제1 반도체층(110)의 타측 상에 화학 용액을 이용한 습식 식각을 함으로써 형성될 수 있다. 상기 화학 용액은 H2SO4, HF, HCl, H3PO4, HNO3, CH3COOH 중 적어도 하나 이상을 포함하는 산 용액 또는 KOH, NaOH, NH4OH 중 적어도 하나 이상을 포함하는 알칼리 용액으로 구성될 수 있다. 제1 패턴의 요철(150)의 형태 및 크기 등은 설계 또는 공정 방법에 따라 상이할 수 있다. 제1 패턴의 요철(150)은 미리 설계된 패턴(=마스크)에 의한 습식 식각에 의해서도 형성될 수 있으나, 반드시 미리 설계된 패턴이 필요한 것은 아니다. 습식 식각에서 선택된 에천트(etchant)와 제1 반도체층(110)의 물질의 종류에 따라서는, 별도의 마스크 패턴 없이도 습식 식각 후 자연스럽게 제1 반도체층(110)의 표면에 제1 패턴의 요철(150)이 형성될 수 있다. 예를 들어 이 때 형성되는 제1 패턴의 요철(150)은 1 ㎛ ~ 수십 ㎛ 의 크기를 가질 수 있다. 에천트의 선택에 따라서는 제1 패턴의 요철(150)을 1 ㎛ ~ 1.5 ㎛ 범위의 비교적 균일한 크기로 형성할 수도 있다.
이에 의하면, 제1 반도체층(110)의 타측 상에 임의의 패턴의 요철이 형성되고, 상기 활성층(120)에서 발생한 광은 반도체 소자(100)와 공기의 경계면에서 다양한 입사각으로 굴절 및 반사된다. 따라서 상기 활성층(120)에서 발생한 광이 상기 반도체 소자(100)의 내부에서 전반사되는 것이 방지되고, 광의 방출 효과가 개선될 수 있다. 또한, 본 발명은 2중의 텍스처링 패턴을 형성하므로 광의 방출 효과 및 발광 효율을 보다 향상시킬 수 있는 반도체 소자를 제공할 수 있다.도 2는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 반도체 소자의 단면도를 나타낸 것이다.
도 2를 참조하면, 반도체 소자(200)는 제1 타입의 제1 반도체층(210), 제2 타입의 제2 반도체층(230), 활성층(220) 및 금속지지층(240)을 포함한다. 상기 금속 지지층(240)은 기판(도시되지 않음)과 상기 반도체 소자(200)를 분리함에 있어서 기계적 지지를 제공하는데 사용되며, 상기 제2 반도체층(230)의 전극으로 사용될 수도 있다. 상기 금속 지지층(240)은 전기 전도도 및 열 전도도가 높고, 기계적인 강도가 상대적으로 높은 금속, 예를 들어 구리 또는 구리 화합물 등으로 형성되는 것이 바람직하다. 상기 제1 타입의 제1 반도체층(210), 상기 제2 타입의 제2 반도체층(230), 상기 활성층(220)에 대한 설명은 각각 도 1의 제1 반도체층(110), 제2 반도체층(130), 활성층(120)에 대하여 상술한 바와 같다.
도 3은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 반도체 소자의 단면도를 나타낸 것이다.
도 3을 참조하면, 반도체 소자(300)는 제1 타입의 제1 반도체층(310), 제2 타입의 제2 반도체층(330), 활성층(320), 반사층(340) 및 금속지지층(350)을 포함한다. 상기 제1 타입의 제1 반도체층(310), 제2 타입의 제2 반도체층(330), 활성층(320), 반사층(340) 및 금속지지층(350)에 대한 설명은 도 1 및 도 2에서 상술한 바와 같다.
도 4 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 방법의 제2 패턴의 요철을 형성하는 공정을 설명하기 위한 일 실시예의 단면도를 나타낸 것이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 방법의 개략적인 설명을 위한 흐름도이다.
도 9를 참조하면, 제1 타입의 제1 반도체층(110)의 활성층과 접하지 않은 타측 상에 제1 패턴의 요철(150)을 형성한다(S910). 제1 패턴의 요철(150)은 제1 반도체층(110)의 타측의 표면상에 화학 용액을 이용한 습식 식각을 함으로써 형성될 수 있다. 예를 들면, 리소그래피 (lithography) 과정 없이 제1 패턴의 요철(110)을 임의의 패턴으로 형성할 수 있다. 이에 의하면, 패터닝 (patterning) 공정 과정 또는 마스크 제작 공정이 생략되므로 적은 비용 및 용이한 공정으로 제1 패턴의 요철을 형성할 수 있다.
제1 패턴의 요철(150)의 형태 및 크기 등이 설계 또는 공정 방법에 따라 상이할 수 있음은 상술한 바와 같다. 또한, 상기 화학 용액은 H2SO4, HF, HCl, H3PO4, HNO3, CH3COOH 중 적어도 하나 이상을 포함하는 산 용액 또는 KOH, NaOH, NH4OH 중 적어도 하나 이상을 포함하는 알칼리 용액으로 구성될 수 있다.
다음으로 제1 패턴의 요철(150) 사이에 제1 패턴의 요철(150)보다 작은 제2 패턴의 요철(160)을 형성한다(S920). 제2 패턴의 요철(160)을 형성하는 공정은 도 10을 통하여 보다 상세하게 설명한다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 방법의 제2 패턴의 요철을 형성하는 공정의 개략적인 설명을 위한 흐름도이다.
도 4 내지 도 8, 도 10을 참조하면, 반도체 소자(400)의 제1 반도체층(110)의 타측에 형성된 제1 패턴의 요철(150) 사이에 복수의 입자(410)를 형성한다(S1010). 예를 들어, 상기 제1 패턴의 요철(150)의 크기는 1 내지 1.5 ㎛이고, 상기 복수의 입자(410)의 크기는 30 ㎚ 이내가 바람직하다. 또한, 상기 복수의 입자는 제1 패턴의 요철(150) 사이에 일정 간격을 두고 배치되도록 형성하는 것이 바람직하다. 상기 복수의 입자는 폴리스틸렌 (polystyren), 실리카 (silica), 니켈, 수정 (quartz) 중 적어도 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
상기 복수의 입자(410) 및 상기 제1 반도체층(100)의 상기 타측의 표면 상에 금속을 증착한다(S1020). 상기 금속은 Ti, Cr, ITO 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 도 5에서는 금속이 증착된 상태의 반도체 소자(500)가 도시된다. 상기 금속은 제1 패턴의 요철(150) 상에 증착되는 제1 영역(510), 복수의 입자(410) 상에 증착되는 제2 영역(520) 및 제1 패턴의 요철(150) 및 복수의 입자(410) 사이에 증착되는 제3 영역(530)으로 구별될 수 있다.
상기 금속의 제2 영역(520)이 증착된 상기 복수의 입자(410)를 상기 제1 반도체층(110)의 상기 타측의 표면으로부터 리프트 오프 (Lift-off)함으로써 제거한다(S1030). 도 6에서는 복수의 입자(410)가 리프트 오프된 상태의 반도체 소자(600)가 도시된다. 그 결과 제1 반도체층(110) 상에는 상기 금속의 제1 영역(510) 및 제3 영역(530)만이 남아있게 된다.
상기 복수의 입자(410)가 제거된 상기 제1 반도체층(110)의 상기 타측의 표면을 건식 식각 (Dry Etching) 한다(S1040). 상기 건식 식각에 의해 금속이 남아있지 않은 제1 반도체층(110)의 표면에 제2 패턴의 요철(160)이 형성된다. 도 7에서는 제2 패턴의 요철(160)이 형성된 상태의 반도체 소자(700)가 도시된다. 이 때 건식 식각의 방법으로는 예를 들어 기체 상태인 플라즈마를 이용하는 방법이 있을 수 있다. 상기 제2 패턴의 요철(160)의 크기, 및 형태 등은 플라즈마 세기 등 공정 방법에 따라 상이할 수 있다.
상기 건식 식각된 상기 제1 반도체층(110)의 상기 타측의 표면으로부터 상기 금속(510, 530)을 제거한다(S1050). 도 8에서는 금속(510, 530)이 제거된 상태의 반도체 소자의 표면이 도시된다. 결과적으로 금속이 제거된 제1 반도체층(110)의 표면에는 도 1에서와 같이 제1 패턴의 요철(150)과 제2 패턴의 요철(160)이 형성된다.
이에 의하면, 제1 패턴의 요철이 유지되는 상태에서 건식 식각에 의한 공정으로 제2 패턴의 요철을 용이하게 형성할 수 있으며, 적은 제조 비용으로도 가능하다는 이점이 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 방법의 복수의 입자(410)를 형성하는 공정의 개략적인 설명을 위한 흐름도이다.
도 11을 참조하면, 상기 복수의 입자(410)를 구성하는 물질을 스핀 코팅, 스프레이 방식, 침착 방식, 페인팅 방식, 프린팅 방식, 몰딩 방식, 소성 방식 중 적어도 하나 이상의 방법을 이용하여 상기 제1 반도체층(100)의 상기 타측의 표면 상에 코팅한다(S1110). 상기 복수의 입자(410)를 구성하는 물질은 폴리스틸렌 (polystyrene), 실리카 (silica), 니켈, 수정 (quartz) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있음은 상술한 바와 같다.
상기 코팅된 물질을 플라즈마 환경에 노출시켜 상기 코팅된 물질 중 일부를 제거하고, 상기 코팅된 물질 중 나머지 부분을 상기 복수의 입자(410)로 형성한다(S1120). 이 때 상기 복수의 입자(410)를 형성하는 과정은 미리 제작된 마스크 패턴에 의하여 이루어질 수도 있다.
이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.

Claims (7)

  1. 삭제
  2. 제1 타입의 제1 반도체층, 제2 타입의 제2 반도체층 및 제1 반도체층의 일측과 제2 반도체층의 일측 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법에 있어서,
    상기 제1 반도체층의 타측 상에 제1 패턴의 요철을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 패턴의 요철 사이에 상기 제1 패턴의 요철보다 작은 제2 패턴의 요철을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 패턴의 요철을 형성하는 단계는
    화학 용액을 이용한 습식 식각에 의해 상기 제1 반도체층의 상기 타측의 표면 상에 상기 제1 패턴의 요철을 형성하고,
    상기 제2 패턴의 요철을 형성하는 단계는
    상기 제1 패턴의 요철 사이에 복수의 입자를 형성하는 단계;
    상기 복수의 입자 및 상기 제1 반도체층의 상기 타측의 표면 상에 금속을 증착하는 단계;
    상기 금속이 증착된 상기 복수의 입자를 상기 제1 반도체층의 상기 타측의 표면으로부터 리프트 오프 (Lift-off)함으로써 제거하는 단계;
    상기 복수의 입자가 제거된 상기 제1 반도체층의 상기 타측의 표면을 건식 식각 (Dry Etching) 하는 단계; 및
    상기 건식 식각된 상기 제1 반도체층의 상기 타측의 표면으로부터 상기 금속을 제거하는 단계를 포함하는
    반도체 소자의 제조 방법.
  3. 삭제
  4. 제2항에 있어서,
    상기 화학 용액은 H2SO4, HF, HCl, H3PO4, HNO3, CH3COOH 중 적어도 하나 이상을 포함하는 산 용액 또는 KOH, NaOH, NH4OH 중 적어도 하나 이상을 포함하는 알칼리 용액으로 구성되는 반도체 소자의 제조 방법.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 복수의 입자는 폴리스틸렌 (Polystyren), 실리카 (Silica), 니켈, 수정 (Quartz) 중 적어도 하나 이상의 물질을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
  6. 삭제
  7. 제2항에 있어서,
    상기 금속은 Ti, Cr, ITO 중 적어도 하나 이상을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
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