KR101294812B1 - 반도체 소자 제조장치 - Google Patents

반도체 소자 제조장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101294812B1
KR101294812B1 KR1020110037578A KR20110037578A KR101294812B1 KR 101294812 B1 KR101294812 B1 KR 101294812B1 KR 1020110037578 A KR1020110037578 A KR 1020110037578A KR 20110037578 A KR20110037578 A KR 20110037578A KR 101294812 B1 KR101294812 B1 KR 101294812B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
supply
process fluid
receiving groove
support
wafer
Prior art date
Application number
KR1020110037578A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120119564A (ko
Inventor
김진규
Original Assignee
주식회사 에이피테크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에이피테크 filed Critical 주식회사 에이피테크
Priority to KR1020110037578A priority Critical patent/KR101294812B1/ko
Priority to PCT/KR2011/002918 priority patent/WO2012144673A1/ko
Publication of KR20120119564A publication Critical patent/KR20120119564A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101294812B1 publication Critical patent/KR101294812B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76898—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics formed through a semiconductor substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 관통전극을 갖는 반도체 소자를 제조하기 위한 웨이퍼를 지지하는 지지부, 및 공정유체를 수용하기 위한 수용홈과 상기 수용홈에 수용된 공정유체가 이동되도록 수직방향에 대해 기울어지게 형성된 공급공을 갖는 공급부를 포함하는 반도체 소자 제조장치에 관한 것으로,
본 발명에 따르면, 습식공정에 의해 관통전극을 갖는 반도체 소자를 제조할 수 있고, 이에 따라 관통전극을 갖는 반도체 소자의 품질을 향상시킬 수 있다.

Description

반도체 소자 제조장치{Apparatus for manufacturing semiconductor device}
본 발명은 관통전극(Through Silicon Via, TSV)을 갖는 반도체 소자를 제조하기 위한 반도체 소자 제조장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 인쇄회로기판에 실장되고, 반도체 소자와 인쇄회로기판을 전기적으로 연결하기 위하여 반도체 소자와 인쇄회로기판을 와이어로 연결하는 와이어 본딩공정을 거치게 된다. 이와 같이 와이어를 이용하여 반도체 소자와 인쇄회로기판을 전기적으로 연결함에 따라, 신호 딜레이 등이 발생되고 반도체 소자 및 이를 포함한 최종 제품을 소형화하는데 한계가 있는 문제가 있다.
한편, 2개 이상의 반도체 소자를 적층하고, 적층한 반도체 소자들을 전기적으로 연결함으로써 반도체 소자 및 이를 포함한 최종제품이 갖는 성능을 향상시키는 기술이 개발된 바 있다. 적층된 2개 이상의 반도체 소자들은 와이어를 통해 서로 전기적으로 연결되는데, 이에 따라 신호 딜레이 등이 발생되고 반도체 소자 및 이를 포함한 최종제품을 소형화하는데 한계가 있는 문제가 있다.
상술한 바와 같은 문제를 해결하기 위해, 최근에는 관통전극(Through Silicon Via, TSV)을 갖는 반도체 소자의 개발이 활발하게 이루어지고 있다. 이러한 반도체 소자는 상기 관통전극을 이용하여 인쇄회로기판, 다른 반도체 소자 등과 전기적으로 연결될 수 있어 상술한 바와 같이 와이어를 통해 전기적으로 연결됨에 따른 문제를 해결할 수 있는 등 다양한 장점을 가지며, 이로 인해 관통전극을 갖는 반도체 소자를 여러 산업 분야에 적용하기 위한 기술 개발 또한 활발하게 이루어지고 있다.
이와 같이 관통전극을 갖는 반도체 소자는 주로 건식공정에 의해 제조되고 있는데, 건식공정에 의해서는 관통전극의 표면을 균일하게 형성시키는데 어려움이 있는 등 관통전극을 갖는 반도체 소자의 품질을 향상시키는데 한계가 있는 문제가 있다. 따라서, 최근 업계에서는 습식공정에 의해 관통전극을 갖는 반도체 소자를 제조할 수 있는 반도체 소자 제조장치의 개발이 활발하게 이루어지고 있다.
본 발명은 상술한 바와 같은 요구를 해소하고자 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 습식공정에 의해 관통전극을 갖는 반도체 소자를 제조할 수 있는 반도체 소자 제조장치를 제공하는 것이다.
상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 하기와 같은 구성을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치는 관통전극을 갖는 반도체 소자를 제조하기 위한 웨이퍼를 지지하는 지지부, 및 관통전극을 형성하기 위한 공정유체가 공급되는 공급부를 포함할 수 있다. 상기 공급부는 공정유체를 수용하기 위한 수용홈이 형성된 수용기구, 및 공정유체가 공급되는 제1유로가 형성된 공급기구를 포함할 수 있다. 상기 공급기구는 상기 제1유로로 공급된 공정유체가 상기 수용홈에 공급되도록 상기 제1유로와 상기 수용홈 각각에 연결되게 형성된 공급공을 포함할 수 있다. 상기 공급공은 상기 수용홈에 수용된 공정유체가 상기 공급공으로부터 배출되는 공정유체에 의해 이동되도록 상기 공급부에서 상기 지지부를 향하는 수직방향에 대해 기울어지게 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치는 관통전극을 갖는 반도체 소자를 제조하기 위한 웨이퍼를 지지하는 지지부; 관통전극을 형성하기 위한 공정이 이루어지는 수용홈을 포함하고, 상기 수용홈에 관통전극을 형성하기 위한 공정유체를 공급하는 공급부; 및 상기 수용홈을 밀폐시키기 위해 상기 공급부에 결합되는 밀봉부를 포함할 수 있다. 상기 공급부는 상기 수용홈에 수용된 공정유체가 상기 지지부에 지지된 웨이퍼의 중앙을 기준으로 회전되도록 상기 수용홈에 공정유체를 공급하기 위한 공급공을 포함할 수 있다. 상기 공급공은 상기 지지부에 지지된 웨이퍼의 중앙을 기준으로 원주방향으로 기울어지게 형성될 수 있다.
본 발명에 따르면 다음과 같은 효과를 이룰 수 있다.
본 발명은 습식공정에 의해 관통전극을 갖는 반도체 소자를 제조할 수 있고, 이에 따라 관통전극을 갖는 반도체 소자의 품질을 향상시킬 수 있는 효과를 도모할 수 있다.
도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치의 개략적인 단면도
도 3은 본 발명에 따른 공급기구에 대한 도 2의 A 부분의 확대 저면도
도 4는 본 발명에 따른 공급공에 대한 도 3의 I-I 선 단면도
도 5는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치에 있어서 수용홈에 수용된 공정유체가 회전 이동하는 상태를 설명하기 위한 개념적인 평면도
도 6 및 도 7은 본 발명에 따른 밀봉부에 대한 도 2의 B 부분의 확대도
도 8은 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치에 있어서 제1전극부재와 제2전극부재를 설명하기 위한 단면도
도 9는 본 발명의 변형된 실시예에 따른 제2전극부재에 대한 확대 단면도
도 10 내지 도 14는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치의 작동관계를 설명하기 위한 개략적인 단면도
도 15는 본 발명에 따른 배출공을 설명하기 위한 도 12의 Ⅱ-Ⅱ 선을 기준으로 한 단면도
도 16 및 도 17은 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치에 있어서 제2유로와 분사공을 설명하기 위한 개략적인 단면도
이하에서는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치의 개략적인 단면도, 도 3은 본 발명에 따른 공급기구에 대한 도 2의 A 부분의 확대 저면도, 도 4는 본 발명에 따른 공급공에 대한 도 3의 I-I 선 단면도, 도 5는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치에 있어서 수용홈에 수용된 공정유체가 회전 이동하는 상태를 설명하기 위한 개념적인 평면도, 도 6 및 도 7은 본 발명에 따른 밀봉부에 대한 도 2의 B 부분의 확대도, 도 8은 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치에 있어서 제1전극부재와 제2전극부재를 설명하기 위한 단면도, 도 9는 본 발명의 변형된 실시예에 따른 제2전극부재에 대한 확대 단면도, 도 10 내지 도 14는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치의 작동관계를 설명하기 위한 개략적인 단면도, 도 15는 본 발명에 따른 배출공을 설명하기 위한 도 12의 Ⅱ-Ⅱ 선을 기준으로 한 단면도, 도 16 및 도 17은 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치에 있어서 제2유로와 분사공을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 관통전극(Through Silicon Via, TSV)을 갖는 반도체 소자를 제조하기 위한 웨이퍼(10, Wafer)를 지지하는 지지부(2), 및 관통전극을 형성하기 위한 공정유체(100, 도 2에 도시됨)가 공급되는 공급부(3)를 포함한다. 상기 공정유체(100)는 전극층을 형성하기 위한 구리(Cu) 등이 포함된 액체, 절연층을 형성하기 위한 실리콘(Si) 등이 포함된 액체 등일 수 있다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 상기 지지부(2)는 상기 웨이퍼(10)를 지지한다. 상기 웨이퍼(10)에는 관통전극이 형성되기 위한 관통공이 형성되어 있다. 상기 웨이퍼(10)에는 복수개의 관통공이 형성될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 지지부(2)는 상기 공급부(3) 아래에 위치되게 설치될 수 있다.
상기 지지부(2)에는 상기 웨이퍼(10)가 부착될 수 있다. 상기 웨이퍼(10)는 흡입력에 의해 상기 지지부(2)에 부착될 수 있다. 이를 위해, 상기 지지부(2)에는 흡입력을 제공하는 흡입장치(미도시)가 연결될 수 있다. 상기 지지부(2)는 상기 흡입장치로부터 제공되는 흡입력이 상기 웨이퍼(10)에 전달되도록 하기 위한 적어도 하나의 흡입공(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 웨이퍼(10)는 정전기에 의해 상기 지지부(2)에 부착될 수도 있다. 이 경우, 상기 지지부(2)는 정전척(ESC, Electrostatic Chuck)일 수 있다. 상기 지지부(2)는 전체적으로 원반 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 웨이퍼(10)를 안정적으로 지지할 수 있는 형태이면 사각판형 등 다른 형태로 형성될 수도 있다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 상기 공급부(3)에는 관통전극을 형성하기 위한 공정유체가 공급된다. 상기 공급부(3)는 상기 공정유체(100)가 저장된 공정유체저장부(20)에 연결될 수 있다. 상기 공급부(3)는 수용기구(31) 및 공급기구(32)를 포함할 수 있다.
상기 수용기구(31)는 상기 공정유체(100)를 수용하기 위한 수용홈(311)을 포함한다. 상기 수용홈(311)에는 상기 공정유체저장부(20)로부터 공급된 공정유체(100)가 수용될 수 있다. 상기 공정유체(100)는 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 대해 관통전극을 형성하기 위한 공정이 이루어지도록 상기 수용홈(311)에 수용되어 상기 웨이퍼(10)에 접촉될 수 있다. 상기 수용홈(311)은 전체적으로 원통 형태로 형성될 수 있다. 상기 수용기구(31)는 상기 수용홈(311)에 의해 일측이 개방된 원통 형태로 형성될 수 있다. 상기 수용기구(31)는 상기 공급기구(32)와 결합될 수 있다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 상기 공급기구(32)에는 상기 공정유체(100)가 공급된다. 상기 공정유체(100)는 상기 공정유체저장부(20)에서 상기 공급기구(32)에 공급되고, 상기 공급기구(32)를 통해 상기 수용홈(311)에 공급될 수 있다. 상기 공급기구(32)는 제1유로(321) 및 공급공(322)을 포함한다.
상기 제1유로(321)는 상기 공정유체(100)가 이동하기 위한 통로로 기능한다. 상기 제1유로(321)는 상기 공급공(322)에 연결되게 형성된다. 상기 공정유체(100)는 상기 제1유로(321)을 따라 이동한 후, 상기 공급공(322)을 통해 상기 수용홈(311)에 공급될 수 있다. 상기 제1유로(321)는 상기 공정유체저장부(20)에 연결될 수 있다. 상기 제1유로(321)는 상기 공급기구(32) 내측에 형성된 관통공일 수 있다. 상기 제1유로(321)는 전체적으로 원통 형태로 형성될 수 있다. 상기 공급기구(32)가 복수개의 공급공(322)을 포함하는 경우, 상기 공급공(322)들은 상기 제1유로(321)에 연결되게 형성될 수 있다.
도 2 내지 도 5를 참고하면, 상기 공급공(322)은 상기 제1유로(321)와 상기 수용홈(311) 각각에 연결되게 형성된다. 상기 공급공(322)은 상기 공급기구(32)의 일면(32a, 도 4에 도시됨)을 관통하여 형성될 수 있다. 상기 공급기구(32)의 일면(32a)은 상기 공급기구(32)가 갖는 면들 중에서 상기 지지부(2) 쪽을 향하는 면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 공급공(322)은 상기 공급부(3)에서 상기 지지부(2)를 향하는 수직방향(C 화살표 방향)에 대해 기울어지게 형성될 수 있다. 상기 공급공(322)으로부터 배출되는 공정유체(100)는, 상기 공급공(322)이 상기 수직방향(C 화살표 방향)에 대해 기울어지게 형성된 방향으로 상기 수용홈(311)에 수용된 공정유체(100)에 힘을 가할 수 있다. 즉, 상기 공정유체(100)는 상기 공급공(322)을 따라 경사진 각도로 상기 수용홈(311)에 공급됨으로써, 상기 수용홈(311)에 수용된 공정유체(100)에 힘을 가할 수 있다. 따라서, 상기 수용홈(311)에 수용된 공정유체(100)는, 상기 공급공(322)으로부터 배출되는 공정유체(100)에 의해 이동될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 다음과 같은 작용효과를 도모할 수 있다.
첫째, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 상기 수용홈(311)에 수용된 공정유체(100)가 이동하면서 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 대해 전체적으로 균일하게 전달될 수 있으므로, 상기 웨이퍼(10)에 향상된 품질을 갖는 관통전극을 형성할 수 있다.
둘째, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 임펠러(Imperller) 등과 같이 상기 수용홈(311)에 수용된 공정유체(100)를 이동시키기 위한 별도의 기구물을 구비하지 않고도, 상기 수용홈(311)에 수용된 공정유체(100)를 이동시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 저렴한 비용으로 상기 웨이퍼(10)에 향상된 품질을 갖는 관통전극을 형성할 수 있다.
도 2 내지 도 5를 참고하면, 상기 공급공(322)은 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)의 중앙(D, 도 2에 도시됨)을 기준으로 상기 수직방향(C 화살표 방향, 도 4에 도시됨)에 대해 원주방향(E 화살표 방향, 도 4에 도시됨)으로 기울어지게 형성될 수 있다. 상기 공급공(322)으로부터 배출되는 공정유체(100)는, 상기 원주방향(E 화살표 방향)으로 상기 수용홈(311)에 수용된 공정유체(100)에 회전력을 제공할 수 있다. 이에 따라, 상기 수용홈(311)에 수용된 공정유체(100)는 상기 공급공(322)으로부터 배출되는 공정유체(100)에 의해 상기 웨이퍼(10)의 중앙(D, 도 2에 도시됨)을 기준으로 회전 이동될 수 있다. 따라서, 상기 수용홈(311)에 수용된 공정유체(100)는, 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)의 중앙(D, 도 2에 도시됨)을 기준으로 회전 이동하면서 원심력에 의해 상기 웨이퍼(10)의 가장자리 부분까지 전달될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 상기 웨이퍼(10)의 가장자리 부분까지 향상된 품질을 갖는 관통전극을 형성할 수 있다.
도 2 내지 도 5를 참고하면, 상기 공급기구(32)는 상기 공급공(322)을 복수개 포함할 수 있다. 상기 공급공(322)들은 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)의 중앙(D, 도 2에 도시됨)을 기준으로 서로 다른 직경을 갖는 원주(圓周)들을 따라 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 수용홈(311)에 수용된 공정유체(100)는 상기 공급공(322)들로부터 배출되는 공정유체(100)에 의해 회전 이동될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 상기 웨이퍼(10)의 가장자리 부분까지 향상된 품질을 갖는 관통전극을 형성할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 상기 제1유로(321)로부터 공급된 공정유체(100)가 상기 공급공(322)들을 통해 분산되어 상기 수용홈(311)에 공급되므로, 상기 공정유체(100)가 상기 웨이퍼(10)에 대해 전체적으로 균일하게 공급되도록 할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 상기 웨이퍼(10)에 대해 전체적으로 균일성(Uniformity)이 향상된 관통전극을 형성할 수 있다.
상기 공급공(322)은 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)의 중앙(D, 도 3에 도시됨)을 기준으로 서로 다른 크기를 갖는 원주들을 따라 각각 복수개가 형성될 수 있다. 즉, 상기 공급공(322)은 N개(N은 1보다 큰 정수)의 원주 각각을 따라 복수개가 형성될 수 있다. 다른 원주에 비해 큰 직경을 갖는 원주에는, 그보다 작은 원주를 따라 형성된 공급공(322)의 개수와 대략 일치하거나 더 많은 개수의 공급공(322)이 형성될 수 있다. 상기 원주들은 동일한 지점을 중심으로 하는 원주이다. 상기 원주들의 중심은 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)의 중심과 대략 일치할 수 있다. 즉, 상기 원주들의 중심은 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)의 중앙(D)과 동일한 수직선 상에 위치할 수 있다.
예컨대, 상기 공급기구(32)는 제1원주(R1, 도 3에 도시됨)를 따라 형성된 복수개의 제1공급공(322a), 및 제2원주(R2, 도 3에 도시됨)를 따라 형성된 복수개의 제2공급공(322b)을 포함할 수 있다. 상기 제1원주(R1)와 상기 제2원주(R2)는 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)의 중앙(D)을 기준으로 서로 다른 직경을 가질 수 있다. 상기 제1공급공(322a)들은 상기 제1원주(R1)를 따라 서로 동일한 간격으로 이격되어 형성될 수 있다. 상기 제2공급공(322b)들은 상기 제2원주(R2)를 따라 서로 동일한 간격으로 이격되어 형성될 수 있다. 도 3에는 상기 제1공급공(322a)들과 상기 제2공급공(322b)들이 각각 8개씩 형성된 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 제1공급공(322a)들과 상기 제2공급공(322b)들은 각각 2개씩 이상 7개씩 이하로 형성될 수도 있고, 9개 이상씩 형성될 수도 있다. 상기 제2원주(R2)는 상기 제1원주(R1)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 이 경우, 상기 제2원주(R2)를 따라 형성된 제2공급공(322b)들은, 상기 제1원주(R1)를 따라 형성된 제1공급공(322a)들과 대략 일치하거나 더 많은 개수로 형성될 수도 있다.
도 4 및 도 5를 참고하면, 상기 공급공(322)들은 각각 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)의 중앙(D, 도 5에 도시됨)을 기준으로 상기 수직방향(C 화살표 방향, 도 4에 도시됨)에 대해 원주방향(E 화살표 방향)으로 기울어지게 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 공급공(322)들로부터 배출되는 공정유체(100)는, 상기 원주방향(E 화살표 방향)으로 상기 수용홈(311, 도 2에 도시됨)에 수용된 공정유체(100)에 회전력을 제공할 수 있다. 따라서, 상기 수용홈(311, 도 2에 도시됨)에 수용된 공정유체(100)는 상기 공급공(322)들로부터 배출되는 공정유체(100)에 의해 상기 웨이퍼(10)의 중앙(D)을 기준으로 회전 이동될 수 있다. 상기 수용홈(311, 도 2에 도시됨)에 수용된 공정유체(100)는 상기 공급공(322)들이 기울어지게 형성된 방향에 따라 시계방향과 반시계방향 중 어느 한 방향으로 회전 이동할 수 있다. 예컨대, 도 5에 도시된 바와 같이 상기 수용홈(311, 도 2에 도시됨)에 수용된 공정유체(100)는 시계방향으로 회전 이동할 수 있다. 도 5에서 시계방향으로 표시된 복수개의 화살표는 상기 공정유체(100)가 상기 공급공(322)으로부터 배출되는 방향을 나타낸 것이다. 따라서, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 상기 웨이퍼(10)에 대해 전체적으로 균일성이 향상된 관통전극을 형성할 수 있고, 상기 웨이퍼(10)의 가장자리 부분까지 향상된 품질을 갖는 관통전극을 형성할 수 있다.
도 1, 도 2, 도 6 및 도 7을 참고하면, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 상기 수용홈(311)을 밀폐(密閉)시키기 위한 밀봉부(4), 및 상기 지지부(2)를 승강(昇降)시키기 위한 승강부(5)를 포함할 수 있다.
상기 밀봉부(4)는 상기 공급부(3)에 결합된다. 상기 밀봉부(4)는 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 접촉될 수 있다. 이에 따라, 상기 밀봉부(4)는 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 대해 관통전극을 형성하기 위한 공정이 이루어지도록 상기 수용홈(311)을 밀폐시킬 수 있다. 상기 밀봉부(4)는 상기 웨이퍼(10)가 갖는 가장자리 부분의 상면에 접촉될 수 있다. 상기 밀봉부(4)는 전체적으로 원형 고리형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 접촉되어 상기 수용홈(311)을 밀폐시킬 수 있는 형태이면 타원 형태 등 다른 형태로 형성될 수도 있다. 상기 밀봉부(4)는 상기 수용기구(31)에 결합될 수 있다. 상기 밀봉부(4)는 고정부재(41), 접촉부재(42), 및 이동홈(43)을 포함할 수 있다.
도 2, 도 6 및 도 7을 참고하면, 상기 고정부재(41)는 상기 공급부(3, 도 2에 도시됨)에 결합된다. 상기 고정부재(41)는 상기 수용기구(31)에 결합될 수 있다. 상기 고정부재(41)는 상기 수용기구(31)에 삽입되기 위한 돌출부재(411)를 포함할 수 있다. 상기 고정부재(41)는 상기 돌출부재(411)가 상기 수용기구(31)에 삽입됨으로써 억지끼워맞춤 방식에 의해 상기 수용기구(31)에 결합될 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 고정부재(41)는 볼트 등의 체결수단에 의해 상기 수용기구(31)에 결합될 수도 있다.
상기 접촉부재(42)는 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 접촉될 수 있다. 상기 지지부(2)가 상승하면, 상기 접촉부재(42)는 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 접촉될 수 있다. 상기 지지부(2)가 하강하면, 상기 접촉부재(42)는 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)로부터 이격될 수 있다. 상기 접촉부재(42)는 상기 이동홈(43)에 의해 상기 고정부재(41)에 가까워지거나 멀어지게 이동할 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이 상기 접촉부재(42)가 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 접촉되지 않은 상태인 경우, 상기 접촉부재(42)는 상기 이동홈(43)에 의해 상기 고정부재(41)로부터 소정 거리 이격된 위치에 위치될 수 있다. 상기 접촉부재(42)가 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 접촉된 이후 상기 승강부(5)가 상기 지지부(2)를 계속하여 상승시키면, 도 7에 도시된 바와 같이 상기 접촉부재(42)는 상기 고정부재(41)에 가까워지는 방향으로 이동될 수 있다.
따라서, 상기 밀봉부(4)는 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 접촉되어 상기 수용홈(311)을 밀폐시킬 수 있을 뿐만 아니라, 상기 수용홈(311)을 밀폐시키는 과정에서 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 가하여지는 힘을 완충시킴으로써, 상기 웨이퍼(10)가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 상기 밀봉부(4)는 탄성을 갖는 재질로 형성될 수 있고, 예컨대 실리콘, 고무 등으로 형성될 수 있다.
상기 이동홈(43)은 상기 고정부재(41)와 상기 접촉부재(42)가 연결되는 부분에 형성될 수 있다. 상기 이동홈(43)에 의해 상기 접촉부재(42)와 상기 고정부재(41)는 소정 거리로 이격될 수 있다. 상기 접촉부재(42)가 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 접촉되면, 상기 접촉부재(42)는 상기 고정부재(41)에 가까워지게 이동할 수 있다.
도 1, 도 2, 도 6 및 도 7을 참고하면, 상기 승강부(5)는 상기 지지부(2)를 제1위치 및 제2위치 간에 승강시킬 수 있다. 상기 지지부(2)가 상기 제1위치에 위치되면, 상기 밀봉부(4)는 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 접촉된다. 상기 밀봉부(4)가 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 접촉되면, 상기 수용홈(311)은 밀폐될 수 있다. 상기 지지부(2)가 상기 제2위치에 위치되면, 상기 밀봉부(4)는 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)로부터 이격된다. 상기 밀봉부(4)가 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)로부터 이격되면, 상기 수용홈(311)은 개방될 수 있다.
상기 승강부(5)는 상기 지지부(2)를 상승시킴으로써 상기 지지부(2)를 상기 제1위치에 위치시킬 수 있다. 상기 지지부(2)가 상기 제1위치에 위치되면, 상기 수용홈(311)에는 관통전극을 형성시키기 위한 공정유체(100)가 공급될 수 있다. 이에 따라, 상기 웨이퍼(10)에 대해 관통전극을 형성시키기 위한 공정이 이루어질 수 있다. 상기 웨이퍼(10)에 대해 관통전극을 형성시키기 위한 공정이 완료되면, 상기 승강부(5)는 상기 지지부(2)를 하강시킴으로써 상기 지지부(2)를 상기 제2위치에 위치시킬 수 있다. 상기 지지부(2)가 상기 제2위치에 위치되면, 상기 수용홈(311)이 개방될 수 있다. 이에 따라, 관통전극이 형성된 웨이퍼(10)가 상기 지지부(2)로부터 언로딩(Unloading)될 수 있고, 새로운 웨이퍼(10)가 상기 지지부(2)에 로딩(Loading)될 수 있다. 상기 지지부(2)로부터 웨이퍼(10)를 언로딩하는 공정과 상기 지지부(2)에 웨이퍼(10)를 로딩하는 공정은, 별도의 이송수단(미도시)에 의해 이루어질 수 있다.
상기 승강부(5)는 상기 지지부(2)에 결합될 수 있다. 상기 승강부(5)는 유압실린더 또는 공압실린더 등을 이용한 실린더방식, 모터와 랙기어(Rack Gear)와 피니언기어(Pinion Gear) 등을 이용한 기어방식, 모터와 볼스크류(Ball Screw) 등을 이용한 볼스크류방식, 모터와 풀리와 벨트 등을 이용한 벨트방식, 리니어모터를 이용한 방식 등을 이용하여 상기 지지부(2)를 승강시킬 수 있다. 상기 승강부(5)는 챔버(200, 도 1에 도시됨)에 설치될 수 있다. 상기 챔버(200)에는 상기 지지부(2), 상기 공급부(3) 및 상기 승강부(5)가 설치될 수 있다. 상기 지지부(2)는 상기 챔버(200)에 승강 가능하게 설치될 수 있다.
도시되지 않았지만, 상기 승강부(5)는 상기 공급부(3)를 승강시킬 수도 있다. 상기 승강부(5)는 상기 밀봉부(4)가 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 접촉되도록 상기 공급부(3)를 하강시킬 수 있다. 상기 승강부(5)는 상기 밀봉부(4)가 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)로부터 이격되도록 상기 공급부(3)를 상승시킬 수 있다. 이 경우, 상기 공급부(3)는 상기 챔버(200)에 승강 가능하게 설치될 수 있다. 상기 승강부(5)는 상기 지지부(2)와 상기 공급부(3) 모두를 승강시킬 수도 있다. 이 경우, 상기 승강부(5)는 상기 지지부(2)와 상기 공급부(3)를 서로 반대되는 방향으로 승강시킬 수 있다. 즉, 상기 승강부(5)는 상기 지지부(2)를 상승시킬 때 상기 공급부(3)를 하강시킬 수 있다. 상기 승강부(5)는 상기 지지부(2)를 하강시킬 때 상기 공급부(3)를 상승시킬 수 있다.
도 1, 도 2 및 도 8을 참고하면, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 제1전극부재(6) 및 제2전극부재(7)를 포함할 수 있다.
상기 제1전극부재(6)는 상기 공급부(3)에 결합된다. 상기 제1전극부재(6)는 상기 제1유로(321)에 위치되게 상기 공급기구(32)에 결합될 수 있다. 상기 제1전극부재(6)는 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 대해 상기 수용홈(311)에 수용된 공정유체(100)가 양극이 되도록 함으로써, 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 대해 관통전극을 형성시키는 공정이 이루어지도록 할 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 제1전극부재(6)는 상기 공급공(322)에 위치되게 상기 공급기구(32)에 결합될 수도 있다. 상기 제1전극부재(6)는 상기 제1유로(321)와 상기 공급공(322) 모두에 위치되게 상기 공급기구(32)에 결합될 수도 있다.
상기 제2전극부재(7)는 상기 공급부(3)에 결합된다. 상기 제2전극부재(7)는 상기 수용기구(31)에 결합될 수 있다. 상기 지지부(2)가 상기 제1위치에 위치될 때, 상기 제2전극부재(7)는 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 접촉될 수 있다. 상기 제2전극부재(7)는 상기 수용기구(31)에서 상기 밀봉부(4)가 결합된 위치보다 외측에 위치되게 상기 수용기구(31)에 결합될 수 있다. 즉, 상기 제2전극부재(7)는 상기 수용홈(311) 외측에 위치되게 상기 수용기구(31)에 결합될 수 있다. 상기 제2전극부재(7)는 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 접촉됨으로써, 상기 수용홈(311)에 수용된 공정유체(100)에 대해 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)가 음극이 되도록 할 수 있다. 이에 따라, 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 대해 관통전극을 형성시키는 공정이 이루어질 수 있다. 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 상기 제2전극부재(7)를 복수개 포함할 수 있고, 상기 제2전극부재(7)들은 서로 소정 거리로 이격되어 상기 공급부(3)에 결합될 수 있다.
도 8 및 도 9를 참고하면, 상기 제2전극부재(7)는 이동부재(71) 및 설치부재(72)를 포함할 수 있다.
상기 이동부재(71)는 상기 설치부재(72)에 결합될 수 있다. 상기 이동부재(71)는 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 접촉되기 위한 접촉면(711) 및 상기 접촉면(711)이 상기 설치부재(72)에 가까워지거나 멀어지게 이동되기 위한 이격홈(712)을 포함할 수 있다. 상기 지지부(2)가 상기 제1위치에 위치되면, 상기 접촉면(711)은 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 접촉될 수 있다. 상기 접촉면(711)이 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 접촉됨에 따라, 상기 접촉면(711)은 상기 설치부재(72)에 가까워지게 이동할 수 있다. 따라서, 상기 이동부재(71)는 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 접촉되는 과정에서 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 가하여지는 힘을 완충시킴으로써, 상기 웨이퍼(10)가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 상기 접촉면(711)은 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)로부터 이격됨에 따라 상기 설치부재(72)로부터 멀어지게 이동함으로써 본래의 형태로 복원될 수 있다. 상기 이동부재(71)는 탄성을 가질 수 있도록 얇은 두께로 형성될 수 있다.
상기 설치부재(72)는 상기 공급부(3, 도 2에 도시됨)에 결합된다. 상기 설치부재(72)는 상기 수용기구(31)에 결합될 수 있다. 상기 제2전극부재(7)는 상기 설치부재(72)가 상기 수용기구(31)에 삽입됨으로써 억지끼워맞춤 방식에 의해 상기 수용기구(31)에 결합될 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 제2전극부재(7)는 볼트 등의 체결수단에 의해 상기 수용기구(31)에 결합될 수도 있다.
도 10 내지 도 12를 참고하면, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)에 있어서 상기 수용기구(31)는 상기 공정유체(100)가 상기 수용홈(311)으로부터 배출되기 위한 배출유로(312)를 포함할 수 있다. 상기 배출유로(312)는 상기 공정유체저장부(20)에 연결될 수 있다. 상기 공정유체저장부(20)는 일측이 상기 제1유로(321)에 연결되고, 타측이 상기 배출유로(312)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 공정유체(100)는 상기 공정유체저장부(20)에서 상기 제1유로(321)를 통해 상기 수용홈(311)에 공급된 후, 상기 배출유로(312)를 통해 상기 수용홈(311)으로부터 배출되어 다시 상기 공정유체저장부(20)에 공급될 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 상기 공정유체(100)를 순환 이동시키면서 상기 웨이퍼(10)에 관통전극을 형성시키는 공정을 수행할 수 있다.
도 10 내지 도 12를 참고하면, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 상기 공정유체저장부(20)와 상기 수용홈(311) 간에 상기 공정유체(100)를 순환 이동시키기 위한 순환이동부(30)를 포함할 수 있다.
상기 순환이동부(30)는 상기 공정유체(100)가 상기 공정유체저장부(20)에서 상기 공급기구(32)를 통해 상기 수용홈(311)에 공급된 후, 상기 수용기구(31)를 통해 상기 수용홈(311)으로부터 배출되어 상기 공정유체저장부(20)에 공급되도록 상기 공정유체(100)를 순환 이동시킬 수 있다. 상기 공정유체(100)는 상기 공정유체저장부(20)에서 상기 제1유로(321) 및 상기 공급공(322)을 통해 상기 수용홈(311)에 공급된 후, 상기 배출유로(312)를 통해 상기 수용홈(311)으로부터 배출되어 상기 공정유체저장부(20)에 공급될 수 있다. 상기 순환이동부(30)는 순환펌프일 수 있다.
상기 순환이동부(30)는 상기 공정유체저장부(20)의 일측과 상기 공급부(3) 사이에 위치되게 설치되는 제1순환이동기구(310)를 포함할 수 있다. 상기 제1순환이동기구(310)는 상기 공정유체저장부(20)로부터 공정유체(100)를 흡입하고, 흡입한 공정유체(100)를 상기 제1유로(311)로 배출할 수 있다. 상기 순환이동부(30)는 상기 공정유체저장부(20)의 타측과 상기 공급부(3) 사이에 위치되게 설치되는 제2순환이동기구(320)를 포함할 수 있다. 상기 제2순환이동기구(320)는 상기 배출유로(312)를 통해 상기 수용홈(311)으로부터 공정유체(100)를 흡입하고, 흡입한 공정유체(100)를 상기 공정유체저장부(20)로 배출할 수 있다. 상기 순환이동부(30)는 상기 제1순환이동기구(310)와 상기 제2순환이동기구(320) 중 어느 하나를 선택적으로 포함할 수도 있고, 상기 제1순환이동기구(310)와 상기 제2순환이동기구(320)를 모두 포함할 수도 있다.
도 10 내지 도 12를 참고하면, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 제1공급연결부(40), 제2공급연결부(50) 및 공급개폐부(60)를 포함할 수 있다.
상기 제1공급연결부(40)는 상기 공정유체저장부(20)와 상기 공급기구(32)를 연결한다. 상기 제1공급연결부(40)는 상기 공정유체(100)가 이동하기 위한 통로로 기능한다. 상기 제1공급연결부(40)는 상기 제1유로(321)에 연결될 수 있다. 상기 공정유체저장부(20)에 저장된 공정유체(100)는 상기 제1공급연결부(40)를 통해 상기 제1유로(321)에 공급된 후, 상기 공급공(322)을 통해 상기 수용홈(311)에 공급될 수 있다.
상기 제2공급연결부(50)는 상기 공정유체저장부(20)와 상기 수용기구(31)를 연결한다. 상기 제2공급연결부(50)는 상기 공정유체(100)가 이동하기 위한 통로로 기능한다. 상기 수용기구(31)는 상기 제2공급연결부(50)로부터 공급된 공정유체(100)를 상기 수용홈(311)에 공급하기 위한 공급유로(313)를 포함한다. 상기 공급유로(313)는 일측이 상기 제2공급연결부(50)에 연결되고, 타측이 상기 수용홈(311)에 연결되게 형성된다. 상기 공정유체저장부(20)에 저장된 공정유체(100)는 상기 제2공급연결부(50)를 통해 상기 공급유로(313)에 공급된 후, 상기 공급유로(313)를 통해 상기 수용홈(311)에 공급될 수 있다. 상기 제2공급연결부(50)와 상기 제1공급연결부(40)는 상기 공정유체저장부(20)의 일측에 연결된 제1관로(210)로부터 분기되어 형성될 수 있다.
상기 공급개폐부(60)는 상기 제1공급연결부(40)와 상기 제2공급연결부(50) 중 어느 하나를 선택적으로 개폐(開閉)시킨다. 상기 공정유체저장부(20)에 저장된 공정유체(100)는, 상기 제1공급연결부(40)와 상기 제2공급연결부(50) 중에서 개방(開放)된 어느 하나를 통해 상기 제1유로(321)와 상기 공급유로(313) 중 어느 하나에 공급되고, 상기 제1유로(321)와 상기 공급유로(313) 중 어느 하나를 통해 상기 수용홈(311)에 공급된다. 상기 공급개폐부(60)는 상기 제1공급연결부(40)에 설치된 제1공급개폐기구(610) 및 상기 제2공급연결부(50)에 설치된 제2공급개폐기구(620)를 포함할 수 있다. 상기 공급개폐부(60)는 상기 제1공급개폐기구(610)와 상기 제2공급개폐기구(620) 중 어느 하나를 선택적으로 개폐시킴으로써, 상기 제1공급연결부(40)와 상기 제2공급연결부(50) 중 어느 하나를 선택적으로 개폐시킬 수 있다. 상기 제1공급개폐기구(610)와 상기 제2공급개폐기구(620)는 밸브일 수 있다.
도 10 내지 도 12를 참고하면, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 제1배출연결부(70), 제2배출연결부(80) 및 배출개폐부(90)를 포함할 수 있다.
상기 제1배출연결부(70)는 상기 공정유체저장부(20)와 상기 수용기구(31)를 연결한다. 상기 제1배출연결부(70)는 상기 공정유체(100)가 이동하기 위한 통로로 기능한다. 상기 제1배출연결부(70)는 상기 배출유로(312)에 연결될 수 있다. 상기 공정유체(100)는 상기 배출유로(312)를 통해 상기 수용홈(311)으로부터 배출된 후, 상기 제1배출연결부(70)를 통해 상기 공정유체저장부(20)에 공급될 수 있다.
상기 제2배출연결부(80)는 상기 공정유체저장부(20)와 상기 공급기구(32)를 연결한다. 상기 제2배출연결부(80)는 상기 공정유체(100)가 이동하기 위한 통로로 기능한다. 상기 제2배출연결부(80)는 상기 제1유로(321)에 연결될 수 있다. 상기 공정유체(100)는 상기 공급공(322)과 상기 제1유로(321)를 통해 상기 수용홈(311)으로부터 배출된 후, 상기 제2배출연결부(80)를 통해 상기 공정유체저장부(20)에 공급될 수 있다. 상기 제2배출연결부(80)와 상기 제1배출연결부(70)는 상기 공정유체저장부(20)의 타측에 연결된 제2관로(220)로부터 분기되어 형성될 수 있다.
상기 배출개폐부(90)는 상기 제1배출연결부(70)와 상기 제2배출연결부(80) 중 어느 하나를 선택적으로 개폐시킨다. 상기 공정유체(100)는, 상기 제1배출연결부(70)와 상기 제2배출연결부(80) 중에서 개방된 어느 하나를 통해 상기 수용홈(311)으로부터 배출된 후, 상기 공정유체저장부(20)에 공급될 수 있다. 예컨대, 상기 제1배출연결부(70)가 개방되고 상기 제2배출연결부(80)가 폐쇄된 경우, 상기 공정유체(100)는 상기 배출유로(312)를 통해 상기 수용홈(311)으로부터 배출된 후, 상기 제1배출연결부(70)를 통해 상기 공정유체저장부(20)에 공급될 수 있다. 상기 제2배출연결부(80)가 개방되고 상기 제1배출연결부(70)가 폐쇄된 경우, 상기 공정유체(100)는 상기 제1유로(321)를 통해 상기 수용홈(311)으로부터 배출된 후, 상기 제2배출연결부(80)를 통해 상기 공정유체저장부(20)에 공급될 수 있다. 상기 배출개폐부(90)는 상기 제1배출연결부(70)에 설치된 제1배출개폐기구(910) 및 상기 제2배출연결부(80)에 설치된 제2배출개폐기구(920)를 포함할 수 있다. 상기 배출개폐부(90)는 상기 제1배출개폐기구(910)와 상기 제2배출개폐기구(920) 중 어느 하나를 선택적으로 개폐시킴으로써, 상기 제1배출연결부(70)와 상기 제2배출연결부(80) 중 어느 하나를 선택적으로 개폐시킬 수 있다. 상기 제1배출개폐기구(910)와 상기 제2배출개폐기구(920)는 밸브일 수 있다.
도 13을 참고하면, 상기 수용기구(31)는 상기 수용홈(311)과 상기 배출유로(312) 각각에 연결되게 형성된 배출공(314)을 포함한다. 상기 배출공(314)은 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)와 상기 공급기구(32) 사이에 위치되게 형성될 수 있다. 즉, 상기 배출공(314)은 상기 공급기구(32)로부터 소정 거리 이격된 위치에 형성되고, 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)로부터 소정 거리 이격된 위치에 형성된다. 따라서, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 상기 공정유체(100)가 상기 공급공(322)과 상기 제1유로(321)를 통해 상기 수용홈(311)으로부터 배출되는 것과 비교할 때, 더 많은 양의 공정유체(100)를 상기 수용홈(311)으로부터 배출할 수 있다. 상기 수용홈(311)으로부터 공정유체(100)가 배출됨에 따라 상기 공정유체(100)의 수위(水位)가 낮아지게 되는데, 상기 공정유체(100)의 수위가 낮아지게 됨에 따라 상기 공급기구(32)가 고정된 상태에서는 상기 공급공(322)과 상기 제1유로(321)를 통해 상기 수용홈(311)으로부터 상기 공정유체(100)를 배출할 수 없기 때문이다. 한편, 상기 배출공(314) 또한 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)로부터 소정 거리 이격된 위치에 형성되기 때문에, 상기 수용홈(311)으로부터 공정유체(100)를 배출하는데 한계가 있다. 이를 해결하기 위해, 상기 공급부(3)는 상기 공급기구(32)를 승강시키는 승강기구(33)를 더 포함한다.
도 13 및 도 14를 참고하면, 상기 승강기구(33)는 상기 공급기구(32)를 상기 지지부(2) 쪽으로 하강시킬 수 있다. 상기 배출유로(312)를 통해 상기 수용홈(311)에 수용된 공정유체(100)가 배출됨에 따라, 상기 수용홈(311)에 수용된 공정유체(100)의 수위가 낮아지게 된다. 도 13에 도시된 바와 같이 상기 공정유체(100)의 수위가 상기 배출공(314)이 형성된 위치보다 낮아지게 되면, 상기 공정유체(100)는 상기 배출유로(312)를 통해 상기 수용홈(311)으로부터 배출될 수 없게 된다. 이 경우, 도 14에 도시된 바와 같이 상기 승강기구(33)는 상기 공급기구(32)가 상기 수용홈(311)에 남아있는 공정유체(100)에 가까워지도록 상기 공급기구(32)를 상기 지지부(2) 쪽으로 하강시킨다. 이에 따라, 상기 수용홈(311)에 남아있는 공정유체(100)는 상기 공급공(322)과 상기 제1유로(321)를 통해 상기 수용홈(311)으로부터 배출될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 상기 수용홈(311)으로부터 더 많은 양의 공정유체(100)를 상기 수용홈(311)으로부터 배출할 수 있다. 상기 승강기구(33)가 상기 공급기구(32)를 하강시키는 거리를 조절함으로써, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 상기 수용홈(311)으로부터 상기 공정유체(100)가 제거되도록 상기 수용홈(311)에 남아있는 공정유체(100)를 상기 공급공(322)과 상기 제1유로(321)를 통해 상기 수용홈(311)으로부터 배출할 수 있다.
상기 승강기구(33)는 유압실린더 또는 공압실린더 등을 이용한 실린더방식, 모터와 랙기어와 피니언기어 등을 이용한 기어방식, 모터와 볼스크류 등을 이용한 볼스크류방식, 모터와 풀리와 벨트 등을 이용한 벨트방식, 리니어모터를 이용한 방식 등을 이용하여 상기 공급기구(32)를 승강시킬 수 있다. 상기 승강기구(33)는 챔버(200, 도 1에 도시됨)에 설치될 수 있다. 상기 공급기구(32)는 상기 챔버(200)에 승강 가능하게 설치될 수 있다.
도 1 내지 도 15를 참고하면, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 상기 수용홈(311)에 상기 공정유체(100)를 공급한 후, 상기 공정유체저장부(20)와 상기 수용홈(311) 간에 상기 공정유체(100)를 순환 이동시키면서 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 대해 관통전극을 형성하는 공정을 수행한다. 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 대해 관통전극을 형성하는 공정이 완료되면, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 상기 수용홈(311)으로부터 상기 공정유체(100)를 배출한다. 이를 구체적으로 살펴보면, 다음과 같다.
우선, 도 1에 도시된 바와 같이 상기 지지부(2)와 상기 공급부(3)가 서로 이격된 상태에서 관통전극을 형성하기 위한 웨이퍼(10)가 상기 지지부(2)에 로딩된다. 이 경우, 상기 지지부(2)는 상기 제2위치에 위치되게 하강된 상태이다. 상기 웨이퍼(10)는 별도의 이송수단에 의해 상기 지지부(2)에 로딩될 수 있다.
다음, 도 10에 도시된 바와 같이 상기 승강부(5)는 상기 지지부(2)가 상기 제1위치에 위치되게 상기 지지부(2)를 상승시킨다. 이에 따라, 상기 밀봉부(4, 도 7에 도시됨)는 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 접촉됨으로써, 상기 수용홈(311)을 밀폐시킬 수 있다. 이 경우, 상기 제2전극부재(7, 도 9에 도시됨)는 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 접촉될 수 있다.
다음, 도 11에 도시된 바와 같이 상기 공급개폐부(60)는 상기 제2공급연결부(50)를 개방시키고, 상기 제1공급연결부(40)를 폐쇄시킨다. 이에 따라, 상기 공정유체저장부(20)에 저장된 공정유체(100)는, 상기 제2공급연결부(50)를 통해 상기 공급유로(313)에 공급된 후, 상기 수용기구(31)의 공급유로(313)를 통해 상기 수용홈(311, 도 10에 도시됨)에 공급된다. 따라서, 상기 수용홈(311)은 상기 공정유체(100)로 채워질 수 있다. 상기 공정유체(100)는 상기 공급기구(32)가 있는 위치 또는 이에 근접한 위치에 도달할 때까지 상기 공급유로(313)를 통해 상기 수용홈(311)에 공급될 수 있다. 상기 공급유로(313)에서 상기 수용홈(311)에 연결된 부분은, 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)와 상기 공급기구(32) 사이에 위치되게 형성될 수 있다. 즉, 상기 공급유로(313)에서 상기 수용홈(311)에 연결된 부분은, 상기 공급기구(32)가 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)로부터 이격된 거리보다, 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)로부터 짧은 거리로 이격되게 형성될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는, 상기 공정유체(100)가 상기 공급기구(32)를 통해 비어있는 수용홈(311)에 공급되는 것과 비교할 때, 상기 공정유체(100)가 비어있는 수용홈(311)에 공급되는 과정에서 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 가하여지는 힘을 줄일 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 비어있는 수용홈(311)에 상기 공정유체(100)가 공급되는 과정에서 웨이퍼(10)가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 이 경우, 상기 배출개폐부(90)는 상기 수용홈(311)이 상기 공정유체(100)로 채워지도록 상기 제1배출연결부(70) 및 상기 제2배출연결부(80)를 모두 폐쇄시킬 수 있다.
다음, 도 12에 도시된 바와 같이 상기 수용홈(311, 도 10에 도시됨)이 상기 공정유체(100)로 채워지면, 상기 공급개폐부(60)는 상기 제2공급연결부(50)를 폐쇄시키고, 상기 제1공급연결부(40)를 개방시킨다. 이에 따라, 상기 공정유체저장부(20)에 저장된 공정유체(100)는, 상기 제1공급연결부(40)를 통해 상기 제1유로(321)에 공급된 후, 상기 공급공(322)을 통해 상기 수용홈(311)에 공급된다. 이 경우, 상기 배출개폐부(90)는 상기 제1배출연결부(70)를 개방시키고, 상기 제2배출연결부(80)를 폐쇄시킨다. 이에 따라, 상기 수용홈(311)에 수용된 공정유체(100)는 상기 배출공(314)과 상기 배출유로(312)를 통해 상기 수용홈(311)으로부터 배출된 후, 상기 제1배출연결부(70)를 통해 상기 공정유체저장부(20)에 공급될 수 있다. 상기 공정유체저장부(20)에 공급된 공정유체(100)는, 상기 제1공급연결부(40)를 통해 상기 제1유로(321)에 공급된 후, 상기 공급공(322)을 통해 다시 상기 수용홈(311)에 공급된다. 즉, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 도 12에 도시된 바와 같이 상기 제1공급연결부(40), 상기 제1유로(321), 상기 공급공(322), 상기 배출공(314), 상기 배출유로(312) 및 상기 제1배출연결부(70)를 통해 상기 공정유체(100)를 상기 공정유체저장부(20)와 상기 수용홈(311) 간에 순환 이동시킬 수 있다. 이 과정에서, 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에는 관통전극을 형성하는 공정이 이루어질 수 있다. 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 대해 관통전극을 형성하는 공정이 이루어질 때, 상기 수용홈(311)에 수용된 공정유체(100)는 상기 제1전극부재(6, 도 8에 도시됨)에 의해 양극으로 되고, 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)는 상기 제2전극부재(7, 도 8에 도시됨)에 의해 음극이 될 수 있다.
여기서, 상기 수용홈(311, 도 10에 도시됨)에 수용된 공정유체(100)는 상기 공급공(322)으로부터 배출되는 공정유체(100)에 의해 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)의 중앙(D, 도 12에 도시됨)을 기준으로 회전 이동할 수 있다. 이 경우, 상기 수용홈(311)에 수용된 공정유체(100)가 상기 배출공(314)을 통해 상기 수용홈(311)으로부터 용이하게 배출될 수 있도록, 상기 배출공(314)은 다음과 같이 구현될 수 있다. 도 12 및 도 15를 참고하면, 상기 배출공(314)은 상기 수용홈(311)으로부터 공정유체(100, 도 12에 도시됨)가 유입되기 위한 입구공(3141), 상기 공정유체(100)가 상기 배출유로(312)로 배출되기 위한 출구공(3142), 및 상기 입구공(3141)과 상기 출구공(3142)을 연결하는 연결공(3143)을 포함한다. 상기 출구공(3142)은, 상기 웨이퍼(10)의 중앙(D, 도 15에 도시됨)과 상기 입구공(3141)을 잇는 가상의 직선(P, 도 15에 도시됨)으로부터 상기 수용홈(311)에 수용된 공정유체(100)가 회전 이동하는 방향(E 화살표 방향, 도 15에 도시됨)으로 이격된 위치에 형성될 수 있다. 즉, 상기 배출공(314)은 상기 수용홈(311)에 수용된 공정유체(100)가 회전 이동하는 방향(E 화살표 방향)으로 상기 직선(P)에 대해 기울어지게 형성될 수 있다. 따라서, 상기 수용홈(311)에 수용된 공정유체(100)는, 상기 공급공(322)으로부터 배출되는 공정유체(100)에 의해 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)의 중앙(D)을 기준으로 회전 이동하면서 상기 배출공(314)을 통해 상기 수용홈(311)으로부터 용이하게 배출될 수 있다. 상기 수용기구(31)에는 상기 배출공(314)이 복수개 형성될 수도 있다. 상기 배출공(314)은 상기 공정유체(100)가 회전 이동하는 방향(E 화살표 방향)으로 서로 소정 각도로 이격되게 상기 수용기구(31)에 형성될 수 있다. 상기 배출유로(312)는 상기 배출공(314)들을 감싸도록 상기 수용기구(31)에 형성될 수 있다. 상기 배출유로(312)는 전체적으로 원형 고리 형태로 형성될 수 있다. 상기 수용기구(31)에는 상기 배출유로(312)와 상기 공급유로(311)가 각각 별도로 형성될 수도 있다. 상기 수용기구(31)에는 하나의 유로가 형성될 수도 있고, 이 경우 해당 유로는 상기 제2공급연결부(50)와 상기 제1배출연결부(70) 중에서 어느 하나가 선택적으로 개폐됨에 따라 상기 배출유로(312)와 상기 공급유로(311) 중 어느 하나로 선택적으로 기능할 수 있다. 상기 배출공(314) 또한 상기 제1공급연결부(50)와 상기 제1배출연결부(70) 중에서 어느 하나가 선택적으로 개폐됨에 따라 상기 수용홈(311)으로부터 상기 공정유체(100)를 배출하기 위한 기능을 수행할 수도 있고, 상기 수용홈(311)에 상기 공정유체(100)를 공급하기 위한 기능을 수행할 수도 있다.
다음, 상기 지지부(2)에 지지된 웨이퍼(10)에 대해 관통전극을 형성하는 공정이 완료되면, 도 13에 도시된 바와 같이 상기 수용홈(311)에 수용된 공정유체(100)는 상기 배출공(314)과 상기 배출유로(312)를 통해 상기 수용홈(311)으로부터 배출된다. 상기 공정유체(100)는 상기 제1배출연결부(70)를 통해 상기 공정유체저장부(20)로 공급될 수 있다. 이 경우, 상기 공급개폐부(60)는 상기 제1공급연결부(40)와 상기 제2공급연결부(50)를 모두 폐쇄시킨다. 이에 따라, 상기 수용홈(311)에 수용된 공정유체(100)는 상기 배출공(314)과 상기 배출유로(312)를 통해 상기 수용홈(311)으로 배출되면서 수위가 낮아지게 된다.
다음, 상기 수용홈(311)에 수용된 공정유체(100)의 수위가 상기 배출공(314)이 형성된 위치보다 낮아지게 되면, 도 14에 도시된 바와 같이 상기 승강기구(33)는 상기 공급기구(32)가 상기 수용홈(311)에 남아있는 공정유체(100)에 가까워지도록 상기 공급기구(32)를 상기 지지부(2) 쪽으로 하강시킨다. 이에 따라, 상기 수용홈(311)에 남아있는 공정유체(100)는 상기 공급공(322)과 상기 제1유로(321)를 통해 상기 수용홈(311)으로부터 배출될 수 있다. 이 경우, 상기 배출개폐부(90)는 상기 제1배출연결부(70)를 폐쇄시키고, 상기 제2배출연결부(80)를 개방시킨다. 이에 따라, 상기 수용홈(311)에 남아있는 공정유체(100)는 상기 공급공(322)과 상기 제1유로(321)를 통해 상기 수용홈(311)으로부터 배출된 후, 상기 제2배출연결부(80)를 통해 상기 공정유체저장부(20)에 공급될 수 있다.
다음, 상기 수용홈(311)으로부터 상기 공정유체(100)가 배출되면, 도 1에 도시된 바와 같이 상기 승강부(5)는 상기 지지부(2)가 상기 제2위치에 위치되게 상기 지지부(2)를 하강시킨다. 상기 지지부(2)가 상기 제2위치에 위치되면, 상기 이송수단(미도시)은 상기 지지부(2)로부터 상기 웨이퍼(10)를 언로딩한 후, 새로운 웨이퍼(10)를 상기 지지부(2)에 로딩할 수 있다. 이러한 공정은, 상기 승강기구(33)가 상기 공급기구(32)를 상승시킨 후에 이루어질 수 있다.
도 16을 참고하면, 상기 공급기구(32)는 제2유로(323) 및 분사공(324)을 포함할 수 있다.
상기 제2유로(323)는 유체공급부(8)에 연결된다. 상기 유체공급부(8)는 상기 수용기구(31)에서 상기 수용홈(311)이 형성된 측벽(31a)을 세척하기 위한 세척유체 및 상기 측벽(31a)을 건조하기 위한 건조유체 중 적어도 하나를 상기 제2유로(323)에 공급한다. 상기 세척유체는 물, 순수(DI, Disilled Water) 등일 수 있다. 상기 건조유체는 공기, 질소(N2) 등일 수 있다. 상기 제2유로(323)는 상기 공급기구(32)에서 상기 제1유로(321) 외측에 위치되게 형성된다. 상기 제1유로(321)는 원통 형태로 형성된 부분과 원반 형태로 형성된 부분을 포함한다. 상기 제1유로(321)에서 원통 형태로 형성된 부분은 상기 공정유체저장부(20)에 연결되고, 원반형태로 형성된 부분은 상기 공급공(322)들에 연결되게 형성된다. 상기 제2유로(323)는 상기 제1유로(321)를 따라 상기 제1유로(321) 외측에 위치되게 상기 공급기구(32)에 형성된다.
상기 분사공(324)은 상기 제2유로(323)에 연결되게 형성된다. 상기 분사공(324)은 상기 수용기구(31)의 측벽(31a)을 향하는 방향으로 상기 공급기구(32)를 관통하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 세척유체와 상기 건조유체는 상기 분사공(324)을 통해 상기 수용기구(31)의 측벽(31a)을 향해 분사될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 웨이퍼(10)에 대해 관통전극을 형성하는 공정을 수행한 이후, 상기 세척유체를 이용하여 상기 수용기구(31)의 측벽(31a)을 세척할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 상기 건조유체를 이용하여 상기 수용기구(31)의 측벽(31a)을 건조시킬 수 있다. 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 상기 세척유체를 이용하여 상기 수용기구(31)의 측벽(31a)을 세척한 후에, 상기 건조유체를 이용하여 상기 수용기구(31)의 측벽(31a)을 건조시킬 수도 있다.
상기 분사공(324)은 상기 공급기구(32)에서 상기 지지부(2) 쪽을 향하는 하측 방향(F 화살표 방향)으로 기울어지게 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 분사공(324)은 상기 세척유체가 상기 하측 방향(F 화살표 방향)으로 경사진 각도로 분사되도록 할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 상기 분사공(324)으로부터 분사되는 세척유체를 이용하여 상기 수용기구(31)의 측벽(31a)에 남아있는 공정유체(100), 이물 등을 상기 하측방향(F 화살표 방향)으로 이동시킴으로써, 상기 수용기구(31)의 측벽(31a)을 용이하면서도 효율적으로 세척할 수 있다. 또한, 상기 분사공(324)은 상기 건조유체가 상기 하측 방향(F 화살표 방향)으로 경사진 각도로 분사되도록 할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 상기 분사공(324)으로부터 분사되는 건조유체를 이용하여 상기 수용기구(31)의 측벽(31a)에 남아있는 수분 등을 상기 하측방향(F 화살표 방향)으로 이동시킴으로써, 상기 수용기구(31)의 측벽(31a)을 용이하면서도 효율적으로 건조시킬 수 있다. 상기 분사공(324)은 상기 공급기구(32)의 원주방향을 따라 서로 소정 거리 이격되어 복수개가 형성될 수 있다. 상기 분사공(324)들은 상기 제2유로(323)에 연결되게 형성될 수 있다.
도 16 및 도 17을 참고하면, 상기 제2유로(323)와 상기 분사공(324, 도 16에 도시됨)을 통해 상기 수용기구(31)의 측벽(31a)을 향해 세척유체가 분사될 때, 도 17에 도시된 바와 같이 상기 승강기구(33)는 상기 공급기구(32)를 상기 지지부(2) 쪽으로 하강시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 상기 분사공(324, 도 16에 도시됨)으로부터 분사되는 세척유체를 이용하여 상기 수용기구(31)의 측벽(31a) 전체를 세척할 수 있다. 상기 제2유로(323)와 상기 분사공(324, 도 16에 도시됨)을 통해 상기 수용기구(31)의 측벽(31a)을 향해 건조유체가 분사될 때, 도 17에 도시된 바와 같이 상기 승강기구(33)는 상기 공급기구(32)를 상기 지지부(2) 쪽으로 하강시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조장치(1)는 상기 분사공(324, 도 16에 도시됨)으로부터 분사되는 건조유체를 이용하여 상기 수용기구(31)의 측벽(31a) 전체를 건조시킬 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
1 : 반도체 소자 제조장치 2 : 지지부 3 : 공급부 4 : 밀봉부
5 : 승강부 6 : 제1전극부재 7 : 제2전극부재 10 : 웨이퍼

Claims (17)

  1. 관통전극을 갖는 반도체 소자를 제조하기 위한 웨이퍼를 지지하는 지지부; 및
    관통전극을 형성하기 위한 공정유체가 공급되는 공급부를 포함하고,
    상기 공급부는 공정유체를 수용하기 위한 수용홈이 형성된 수용기구, 및 공정유체가 공급되는 제1유로가 형성된 공급기구를 포함하며;
    상기 공급기구는 상기 제1유로로 공급된 공정유체가 상기 수용홈에 공급되도록 상기 제1유로와 상기 수용홈 각각에 연결되게 형성된 공급공을 포함하되,
    상기 공급공은 상기 수용홈에 수용된 공정유체가 상기 공급공으로부터 배출되는 공정유체에 의해 이동되도록 상기 공급부에서 상기 지지부를 향하는 수직방향에 대해 기울어지게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 수용홈을 밀폐시키기 위한 밀봉부, 및 상기 지지부를 수직방향으로 승강(昇降)시키는 승강부를 포함하고;
    상기 밀봉부는 상기 공급부에 결합되고,
    상기 승강부는 상기 밀봉부가 상기 지지부에 지지된 웨이퍼에 접촉되는 제1위치 및 상기 밀봉부가 상기 지지부에 지지된 웨이퍼로부터 이격되는 제2위치 간에 상기 지지부를 승강시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 공급기구는 상기 공급공을 복수개 포함하고;
    상기 공급공들은 상기 수용홈에 수용된 공정유체가 상기 공급공들로부터 배출되는 공정유체에 의해 회전 이동되도록 상기 지지부에 지지된 웨이퍼의 중앙을 기준으로 서로 다른 직경을 갖는 원주들을 따라 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 공급기구는 제1원주를 따라 형성된 복수개의 제1공급공, 및 제2원주를 따라 형성된 복수개의 제2공급공을 포함하되, 상기 제1원주와 상기 제2원주는 상기 지지부에 지지된 웨이퍼의 중앙을 기준으로 서로 다른 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1유로는 공정유체가 저장된 공정유체저장부의 일측에 연결되고;
    상기 수용기구는 공정유체가 상기 수용홈으로부터 배출되기 위한 배출유로를 포함하되, 상기 배출유로는 상기 공정유체저장부의 타측에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공급공은 상기 수직방향에 대해 상기 지지부에 지지된 웨이퍼의 중앙을 기준으로 하는 원주방향으로 기울어지게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 수용기구는 공정유체저장부에 연결되는 배출유로, 및 상기 수용홈과 상기 배출유로 각각에 연결되게 형성된 배출공을 포함하고;
    상기 배출공은 상기 수용홈으로부터 공정유체가 유입되기 위한 입구공, 공정유체가 상기 배출유로로 배출되기 위한 출구공, 및 상기 입구공과 상기 출구공을 연결하는 연결공을 포함하되,
    상기 출구공은 웨이퍼의 중앙과 상기 입구공을 잇는 가상의 직선으로부터 상기 수용홈에 수용된 공정유체가 회전 이동하는 방향으로 이격된 위치에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조장치.
  8. 제1항에 있어서,
    공정유체를 저장하기 위한 공정유체저장부와 상기 수용홈 간에 공정유체를 순환 이동시키는 순환이동부를 더 포함하고;
    상기 순환이동부는 공정유체가 상기 공정유체저장부에서 상기 공급기구를 통해 상기 수용홈에 공급된 후 상기 수용기구를 통해 상기 수용홈으로 배출되어 상기 공정유체저장부에 공급되도록 공정유체를 순환 이동시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조장치.
  9. 제1항에 있어서,
    공정유체를 저장하기 위한 공정유체저장부와 상기 제1유로를 연결하는 제1공급연결부, 상기 공정유체저장부와 상기 수용기구를 연결하는 제2공급연결부, 및 상기 제1공급연결부와 상기 제2공급연결부 중 어느 하나를 선택적으로 개폐시키는 공급개폐부를 더 포함하고;
    상기 수용기구는 상기 수용홈에 공정유체를 공급하기 위한 공급유로를 포함하되, 상기 공급유로는 일측이 상기 제2공급연결부에 연결되고 타측이 상기 수용홈에 연결되게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 수용기구에 형성된 배출유로와 공정유체를 저장하기 위한 공정유체저장부를 연결하는 제1배출연결부;
    상기 공정유체저장부와 상기 제1유로를 연결하는 제2배출연결부; 및
    상기 제1배출연결부와 상기 제2배출연결부 중 어느 하나를 선택적으로 개폐시키는 배출개폐부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 공급부는 상기 공급기구를 승강시키는 승강기구를 포함하고;
    상기 승강기구는 상기 배출유로를 통해 상기 수용홈에 수용된 공정유체가 배출된 후 상기 수용홈에 남아있는 공정유체가 상기 공급공과 상기 제1유로를 통해 배출되도록 상기 공급기구를 상기 지지부 쪽으로 하강시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조장치.
  12. 제2항에 있어서,
    상기 공급기구에 결합되는 제1전극부재, 및 상기 수용기구에 결합되는 제2전극부재를 더 포함하고;
    상기 지지부가 상기 제1위치에 위치될 때 상기 제2전극부재는 상기 지지부에 지지된 웨이퍼에 접촉되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제2전극부재는 상기 수용기구에 결합되는 결합부재, 및 상기 결합부재에 결합되는 이동부재를 포함하고;
    상기 이동부재는 상기 지지부에 지지된 웨이퍼에 접촉되기 위한 접촉면, 및 상기 접촉면이 상기 결합부재에 가까워지거나 멀어지게 이동되기 위한 이격홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조장치.
  14. 제2항에 있어서, 상기 밀봉부는
    상기 수용기구에 결합되는 고정부재,
    상기 지지부에 지지된 웨이퍼에 접촉되기 위한 접촉부재, 및
    상기 접촉부재가 상기 고정부재에 가까워지거나 멀어지게 이동되기 위한 이동홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조장치.
  15. 제1항에 있어서, 상기 공급기구는
    상기 수용기구에서 상기 수용홈이 형성된 측벽을 세척하기 위한 세척유체 및 상기 측벽을 건조하기 위한 건조유체 중 적어도 하나를 상기 수용홈에 공급하기 위한 제2유로; 및
    세척유체와 건조유체 중 적어도 하나가 상기 측벽을 향해 분사되도록 상기 제2유로에 연결되게 형성된 분사공을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 공급부는 상기 공급기구를 승강시키는 승강기구를 더 포함하고;
    상기 공급기구는 상기 분사공을 복수개 포함하되, 상기 분사공들은 상기 공급기구에서 상기 지지부 쪽을 향하는 하측 방향으로 기울어지게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조장치.
  17. 관통전극을 갖는 반도체 소자를 제조하기 위한 웨이퍼를 지지하는 지지부;
    관통전극을 형성하기 위한 공정이 이루어지는 수용홈을 포함하고, 상기 수용홈에 관통전극을 형성하기 위한 공정유체를 공급하는 공급부; 및
    상기 수용홈을 밀폐시키기 위해 상기 공급부에 결합되는 밀봉부를 포함하고,
    상기 공급부는 상기 수용홈에 수용된 공정유체가 상기 지지부에 지지된 웨이퍼의 중앙을 기준으로 회전되도록 상기 수용홈에 공정유체를 공급하기 위한 공급공을 포함하되,
    상기 공급공은 상기 지지부에 지지된 웨이퍼의 중앙을 기준으로 원주방향으로 기울어지게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조장치.
KR1020110037578A 2011-04-22 2011-04-22 반도체 소자 제조장치 KR101294812B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110037578A KR101294812B1 (ko) 2011-04-22 2011-04-22 반도체 소자 제조장치
PCT/KR2011/002918 WO2012144673A1 (ko) 2011-04-22 2011-04-22 반도체 소자 제조장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110037578A KR101294812B1 (ko) 2011-04-22 2011-04-22 반도체 소자 제조장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120119564A KR20120119564A (ko) 2012-10-31
KR101294812B1 true KR101294812B1 (ko) 2013-08-08

Family

ID=47041756

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110037578A KR101294812B1 (ko) 2011-04-22 2011-04-22 반도체 소자 제조장치

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101294812B1 (ko)
WO (1) WO2012144673A1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060096713A (ko) * 2005-03-02 2006-09-13 삼성전자주식회사 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장치

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3820409B2 (ja) * 2003-12-02 2006-09-13 有限会社ボンドテック 接合方法及びこの方法により作成されるデバイス並びに接合装置
WO2009091189A2 (en) * 2008-01-16 2009-07-23 Sosul Co., Ltd. Substrate holder, substrate supporting apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method using the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060096713A (ko) * 2005-03-02 2006-09-13 삼성전자주식회사 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장치

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012144673A1 (ko) 2012-10-26
KR20120119564A (ko) 2012-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101798320B1 (ko) 기판 처리 장치
US8267103B2 (en) Method and apparatus for cleaning substrates
US20170283977A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6934732B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR102348772B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 세정 방법 및 기억 매체
JP2015088598A (ja) 液処理装置
CN106816399B (zh) 基板处理装置及方法
KR102294642B1 (ko) 액 처리 장치
JP3958594B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US20120180829A1 (en) Liquid Processing Apparatus
KR20170014327A (ko) 스핀 헤드 및 기판 처리 장치
KR102454444B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20120008854A (ko) 기판처리장치
US20180033661A1 (en) Substrate treating system
KR102097009B1 (ko) 스핀척 및 기판처리장치
KR101294812B1 (ko) 반도체 소자 제조장치
KR102468100B1 (ko) 액처리 장치
CN107081673B (zh) 基板保持模块、基板处理装置及基板处理方法
US20220155011A1 (en) Spin Rinse Dryer with Improved Drying Characteristics
KR100634450B1 (ko) 화학적 기계적 연마 장치 및 이에 사용되는 플레이튼
CN112439737A (zh) 用于处理基板的装置和方法
US9159594B2 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
KR102193031B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR20070090316A (ko) 웨이퍼 세정장치
TWI837780B (zh) 鍍覆裝置及鍍覆方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
N231 Notification of change of applicant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160802

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170801

Year of fee payment: 5