KR101275134B1 - Semiconductor package inspecting device and semiconductor package inspecting method using the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 자재 검사장치 및 반도체 자재 검사방법에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 검사대상 반도체 자재를 직선 이송경로로 이송하며 복수 측면 이미지를 동시에 촬상하여 검사대상 반도체 자재의 불량여부를 판단할 수 있는 반도체 자재 검사장치 및 반도체 자재 검사방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor material inspection apparatus and a semiconductor material inspection method. More specifically, the present invention relates to a semiconductor material inspection apparatus and a semiconductor material inspection method capable of determining whether the inspection target semiconductor material is defective by transferring the semiconductor material to be inspected in a linear transport path and simultaneously imaging a plurality of side images.
반도체 자재의 불량여부를 판단하기 위하여 광학적 촬상방법이 많이 사용되고 있다. 반도체 자재의 검사부위를 촬상하여 촬상된 이미지를 기준 이미지 또는 기준 데이터와 비교하여 그 불량 여부를 판단하는 방법이 사용될 수 있다.In order to determine whether a semiconductor material is defective, many optical imaging methods are used. A method of capturing an inspection portion of a semiconductor material and comparing the photographed image with a reference image or reference data may be used to determine whether the defect is defective.
예를 들면, 반도체 자재의 리드 등의 성형 불량여부 등을 광학적 촬상 방법에 의하여 판단할 수 있다. 이와 같은 반도체 자재 등의 성형 불량 여부를 판단하기 위해서는 반도체 자재의 측면 이미지를 촬상해야 한다.For example, molding failure or the like of a lead of a semiconductor material can be determined by an optical imaging method. In order to determine whether or not such a molding failure of the semiconductor material, it is necessary to image the side image of the semiconductor material.
반도체 자재의 측면 이미지를 촬상하는 방법은 촬상 공간 내부로 반도체 자재를 하강시켜 촬상하고 다시 승강시키는 방법으로 일측면 등의 이미지를 얻을 수 있다. 그러나, 촬상 과정의 효율이 떨어지고, 반도체 자재가 복수 측면을 모두 촬상해야 하는 검사과정의 경우 그 검사효율은 더욱 떨어질 수 있다.In the method of imaging the side image of the semiconductor material, an image such as one side can be obtained by lowering the semiconductor material into the imaging space and imaging the image. However, the efficiency of the imaging process is reduced, and the inspection efficiency may be further reduced in the case of the inspection process in which the semiconductor material has to image all the plural aspects.
또한, 반도체 자재(반도체 패키지)는 기판에 실장되기 위한 접점 역할을 하는 리드 등이 돌출된 형태가 종래 많이 사용되었으나, 최근에는 돌출된 리드가 생략된 반도체 자재로서 QFN 반도체 자재(Quad Flat No Lead Semiconductor Package)가 많이 사용되고 있다.In addition, although a semiconductor material (semiconductor package) has been used in the form of a projected lead or the like which is a contact point for mounting on a substrate, a QFN semiconductor material (Quad Flat No Lead Semiconductor) has recently been used. Package) is used a lot.
QFN 반도체 자재는 종래의 반도체 자재에 구비되는 돌출된 리드 등이 생략되지만, 반도체 자재의 각각의 측면에 불량이 존재하는지 검토할 필요가 있다. 예를 들면, 각각의 측면에 구비된 리드 단자들 사이의 간격(Gap)이 일정한지, 싱귤레이션 과정에서 단자들이 번지는 현상(smear 현상), 반도체 자재의 측면에 몰딩재가 덜채워진 부분 또는 크랙 등이 존재하는지 여부 등이 QFN 반도체 자재의 측면에서 발생될 수 있는 문제점들의 예이다.In the QFN semiconductor material, a protruding lead or the like provided in the conventional semiconductor material is omitted, but it is necessary to examine whether a defect exists in each side surface of the semiconductor material. For example, whether the gaps between the lead terminals provided on each side are constant, the phenomenon of smearing of terminals during the singulation process, the part where the molding material is filled in the side of the semiconductor material, or the crack, etc. Presence or the like is an example of problems that may occur in terms of QFN semiconductor materials.
그리고, QFN 반도체 자재는 그 하면의 불량 여부를 검사할 수 있다. QFN 반도체 자재 하면 검사에서 수행되는 항목은 기본적으로 마킹검사, 사이즈(dimension) 검사 등이다.And the QFN semiconductor material can test whether the lower surface is defective. Basically, the items performed in QFN semiconductor material back inspection are marking inspection and dimension inspection.
또한, QFN 반도체 자재의 하면 검사에 의하여 발견될 수 있는 불량 사항은 스크레치, 크랙, 리드 단자가 싱귤레이션(절단 또는 커팅) 과정에서 산화되어 색이 변화되는 레진블리드(Resin Bleed) 또는 싱귤레이션 과정에서 리드 단자와 몰딩재 등이 늘어붙는 멜팅(Melting) 등의 문제점이 존재할 수 있다.In addition, defects that can be found by inspecting the lower surface of the QFN semiconductor material may be caused by resin bleed or singulation process in which the scratch, crack, and lead terminals are oxidized during singulation (cutting or cutting) to change color. There may be a problem such as melting such that the lead terminal and the molding material stick together.
상기에서는 QFN 반도체 자재를 예로 들어 설명하고 있으나, 이외에도 반도체 자재의 Sawing & Placement, Pick & Placement, WLP Pick & Placement, 3D Inspection 등을 위한 각종 반도체 제조장비에서 반도체 자재의 측면 및/또는 하면 의 불량의 존재 여부를 검사할 필요가 있다.In the above, QFN semiconductor material is described as an example, but in addition, defects of the side and / or bottom surface of the semiconductor material in various semiconductor manufacturing equipment for Sawing & Placement, Pick & Placement, WLP Pick & Placement, 3D Inspection, etc. You need to check for existence.
이와 같이, 반도체 자재의 측면 또는 하면에 불량 요소를 판단하는 검사과정의 효율성은 전제 반도체 자재의 제조공정의 효율을 결정할 수 있으므로, 효율적인 반도체 자재의 표면 불량의 검사방법이 요구된다.As described above, since the efficiency of the inspection process for determining the defective element on the side or the bottom of the semiconductor material can determine the efficiency of the manufacturing process of the entire semiconductor material, an efficient method for inspecting the surface defects of the semiconductor material is required.
본 발명은 검사대상 반도체 자재를 직선 이송경로로 이송하며 복수 측면 이미지를 동시에 촬상하여 검사대상 반도체 자재의 불량여부를 효율적으로 판단할 수 있는 반도체 자재 검사장치 및 반도체 자재 검사방법을 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.The present invention is to solve the problem to provide a semiconductor material inspection device and a semiconductor material inspection method that can efficiently determine whether the inspection target semiconductor material defects by transferring the semiconductor material to be inspected in a straight line transport path and simultaneously photographing multiple side images. We assume problem to do.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 서로 직교하는 x축 및 z축 방향과 각각 평행한 방향으로 이송 가능하고 상기 z축을 중심으로 하여 회전 가능하며, 검사대상 반도체 자재를 흡착 가능한 픽업부, 상기 픽업부에 의하여 흡착되어 이송되는 반도체 자재의 제1 내지 제4 측면 이미지를 촬상하는 제1 비전유닛, 상기 픽업부에 의하여 흡착되어 이송되는 반도체 자재의 제1 측면 이미지 내지 제4 측면 이미지를 상기 제1 비전유닛의 촬상을 위하여 반사시키는 제1 내지 제4 반사유닛, 상기 제3 반사유닛 및 상기 제4 반사유닛에 의해 반사된 제3 및 제4 측면 이미지를 상기 제1 비전유닛으로 각각 재반사하는 제1 및 제2 재반사유닛, 상기 제1 반사유닛 및 제2 반사유닛이 배치되는 제1 영역과 제3 반사유닛, 제4 반사유닛, 제1 재반사유닛 및 제2 재반사유닛이 배치되는 제2 영역 사이에 구비되는 반도체 자재의 이송경로인 반도체 자재 이송부 및, 상기 픽업부에 의해 흡착되어 이송되는 반도체 자재를 향해 조명을 제공하는 조명부를 포함하는 반도체 자재 검사장치를 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention can be transported in a direction parallel to each other orthogonal to the x-axis and z-axis direction, and can be rotated around the z-axis, the pickup unit capable of absorbing the semiconductor material to be inspected, the pickup A first vision unit for capturing first to fourth side images of the semiconductor material adsorbed and conveyed by the unit, and first to fourth side images of the semiconductor material adsorbed and conveyed by the pickup unit; A first to fourth reflecting unit for reflecting the vision unit, and a third and fourth side image reflected by the third reflecting unit and the fourth reflecting unit to reflect back to the first vision unit, respectively. The first and second reflecting units, the first reflecting unit and the first reflecting unit and the second reflecting unit, and the third reflecting unit, the fourth reflecting unit, the first reflecting unit, and the second reflecting unit are disposed. It provides a semiconductor material inspection device including a semiconductor material transfer unit which is a transfer path of the semiconductor material provided between the second area to be provided, and an illumination unit for providing illumination toward the semiconductor material that is absorbed and conveyed by the pickup unit.
이 경우, 반도체 자재를 정렬하는 기능을 수행하는 적재홈이 형성된 테이블을 포함하는 반도체 자재 공급부 및, 비전 검사가 완료된 반도체 자재가 검사결과에 따라 반출되는 반출부를 더 포함될 수 있다.In this case, the semiconductor material supply unit including a table formed with a loading groove for performing a function of aligning the semiconductor material, and the carrying-out unit for carrying out the vision inspection completed semiconductor material according to the inspection result may be further included.
또한, 반도체 자재의 제1 측면으로부터 제1 반사유닛을 거쳐 제1 비전유닛에 이르는 제1 경로와, 반도체 자재의 제2 측면으로부터 제2 반사유닛을 거쳐 제1 비전유닛에 이르는 제2 경로와, 반도체 자재의 제3 측면으로부터 제3 반사유닛 및 제1 재반사유닛을 거쳐 제1 비전유닛에 이르는 제3 경로와, 반도체 자재의 제4 측면으로부터 제4 반사유닛 및 제2 재반사유닛을 거쳐 제1 비전유닛에 이르는 제4 경로 간의 거리 편차는 상기 제1 비전유닛의 초점 심도 이내일 수 있다.
그리고, 제1 반사유닛은 반도체 자재의 제1 측면으로부터 제1 반사유닛에 이르는 제1 경로 방향으로 진퇴 이동 가능하고, 제3 반사유닛은 반도체 자재의 제3 측면으로부터 제3 반사유닛에 이르는 제3 경로 방향으로 진퇴 이동 가능하며, 제1 재반사유닛은 x축 및 z축과 직교하는 y축을 따라 진퇴 이동 가능 가능할 수 있다.A first path from the first side of the semiconductor material to the first vision unit via the first reflecting unit, a second path from the second side of the semiconductor material to the first vision unit via the second reflecting unit; A third path from the third side of the semiconductor material through the third reflecting unit and the first re-reflection unit to the first vision unit, and through the fourth reflecting unit and the second re-reflecting unit from the fourth side of the semiconductor material; The distance deviation between the fourth paths leading to the first vision unit may be within a depth of focus of the first vision unit.
The first reflecting unit is movable forward and backward in the first path direction from the first side of the semiconductor material to the first reflecting unit, and the third reflecting unit is the third from the third side of the semiconductor material to the third reflecting unit. It is possible to move forward and backward in the path direction, and the first re-reflection unit may be capable of moving forward and backward along the y axis orthogonal to the x axis and the z axis.
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여기서, 제1 경로 내지 제4 경로가 동일 길이일 수 있다.
또한, 제2 반사유닛은 반도체 자재의 제2 측면으로부터 제2 반사유닛에 이르는 제2 경로 방향으로 진퇴 이동 가능하고, 제4 반사유닛은 반도체 자재의 제4 측면으로부터 제4 반사유닛에 이르는 제4 경로 방향으로 진퇴 이동 가능하며, 제2 재반사유닛은 x축 및 z축과 직교하는 y축을 따라 진퇴 이동 가능할 수 있다.Here, the first to fourth paths may be the same length.
Further, the second reflecting unit is movable in the second path direction from the second side surface of the semiconductor material to the second reflecting unit, and the fourth reflecting unit is the fourth extending from the fourth side surface of the semiconductor material to the fourth reflecting unit. It is possible to move forward and backward in the path direction, and the second re-reflection unit may move forward and backward along the y axis orthogonal to the x axis and the z axis.
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여기서, 제1 비전유닛는 반도체 자재의 크기에 따라 초점을 변경하기 위하여, x축 및 z축과 직교하는 y축 방향으로 이동 가능할 수 있다.Here, the first vision unit may be movable in the y-axis direction orthogonal to the x-axis and the z-axis in order to change the focus according to the size of the semiconductor material.
이 경우, 상기 반도체 자재 이송부의 하부에 배치되어 상기 픽업부에 의해 이송되는 반도체 자재의 하면 이미지를 촬상하기 위한 제2 비전유닛을 더 포함할 수 있다.In this case, the semiconductor material transfer unit may further include a second vision unit for imaging the bottom surface of the semiconductor material conveyed by the pickup unit.
또한, 상기 조명부는 중심 영역에 관통구를 구비하며, 상기 제2 비전유닛은 상기 조명부의 관통구 하부에 배치되어 상기 조명부의 관통구를 통해 반도체 자재의 하면 이미지를 촬상할 수 있다.The lighting unit may include a through hole in a central area, and the second vision unit may be disposed under the through hole of the lighting unit to capture an image of the bottom surface of the semiconductor material through the through hole of the lighting unit.
그리고, 상기 조명부는 상기 제2 비전유닛과 x축 방향으로 이격 또는 나란히 배치되며, 상기 반도체 자재 이송부 방향으로 조명을 제공할 수 있다.The lighting unit may be spaced apart from or parallel to the second vision unit in the x-axis direction, and may provide illumination in the direction of the semiconductor material transfer unit.
여기서, 상기 조명부는 상기 반도체 자재 이송부의 하부에 x축 방향으로 상기 제2 비전유닛과 이격 또는 나란히 배치될 수 있다.Here, the lighting unit may be spaced apart from or parallel to the second vision unit in the x axis direction under the semiconductor material transfer unit.
또한, 상기 조명부는 제2 비전유닛에 구비될 수 있다.In addition, the lighting unit may be provided in the second vision unit.
그리고, 상기 반출부는 반도체 자재의 검사결과에 따라 반도체 자재를 적재하는 트레이 및 상기 트레이를 이송하기 위한 적어도 2개 이상의 반출 트레이 이송유닛을 포함할 수 있다.The carrying-out unit may include a tray for loading semiconductor materials and at least two or more export tray transfer units for transferring the trays according to the inspection result of the semiconductor material.
이 경우, 상기 테이블의 적재홈에 수용되어 정렬이 이루어진 반도체 자재가 상기 픽업부에 의해 흡착되어 반도체 자재 이송부를 따라 이송되는 과정 중에 반도체 자재의 측면 이미지가 촬상에 의하여 검사된 후 검사 결과에 따라 상기 트레이에 적재되어 상기 반출 트레이 이송유닛에 의하여 각각의 트레이가 반출될 수 있다.In this case, the side image of the semiconductor material is inspected by imaging while the semiconductor material accommodated and aligned in the loading groove of the table is absorbed by the pickup unit and transported along the semiconductor material conveying unit. Each tray may be taken out of the tray by the carrying-out tray transfer unit.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 전술한 반도체 자재 검사장치를 이용하여 반도체 자재를 검사하는 방법에 있어서, 상기 픽업부에 픽업된 반도체 자재가 z축을 중심으로 하여 소정 각도(a°)로 회전시키는 회전단계, 상기 픽업부에 픽업된 반도체 자재가 반도체 자재 이송부를 따라 이송하는 이송단계 및 상기 반도체 자재 이송부를 따라 이동하는 반도체 자재를 향해 조명부가 조명을 제공하며 제1 검사유닛이 상기 반도체 자재의 제1 내지 제4 측면 이미지를 촬상하는 촬상단계를 포함하는 반도체 자재 검사방법을 제공한다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the said subject, this invention is a method of test | inspecting a semiconductor material using the semiconductor material inspection apparatus mentioned above WHEREIN: The semiconductor material picked up by the said pick-up part rotates by a predetermined angle (a degree) about a z-axis. A rotating step to move the semiconductor material picked up by the pick-up unit along the semiconductor material transfer unit, and an illumination unit to provide illumination toward the semiconductor material moving along the semiconductor material transfer unit, and a first inspection unit provides It provides a semiconductor material inspection method comprising an imaging step of imaging the first to fourth side image.
그리고, 상기 픽업부에 픽업된 반도체 자재가 z축을 중심으로 하여 소정 각도(a°)로 회전시키는 회전단계는 상기 픽업부에 픽업된 반도체 자재가 반도체 자재 이송부를 따라 이송되는 동안 수행될 수 있다.The rotating step of rotating the semiconductor material picked up by the pick-up part at a predetermined angle (a °) about the z-axis may be performed while the semiconductor material picked up by the pick-up part is transferred along the semiconductor material transfer part.
여기서, 상기 촬상단계 후 상기 픽업부에 픽업된 반도체 자재를 z축을 중심으로 하여 소정 각도(b°, b°=-a°+(90 x N)° 또는 b°=(90-a)°+(90 x N)°; 여기서 N은 정수)로 회전시키는 재회전단계를 더 포함할 수 있다.Here, after the imaging step, the semiconductor material picked up by the pick-up unit has a predetermined angle (b °, b ° = -a ° + (90 x N) ° or b ° = (90-a) ° + around a z axis). (90 x N) °; where N is an integer).
또한, 상기 픽업부에 픽업된 반도체 자재의 하면 이미지를 촬상하는 보조 촬상단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include an auxiliary imaging step of imaging an underside image of the semiconductor material picked up by the pickup unit.
여기서, 상기 보조 촬상단계는, 상기 촬상단계에서 이용한 조명부를 이용하여 촬상하거나, 별도로 구비된 다른 조명부를 이용하여 촬상할 수 있다.Here, the auxiliary image capturing step may be imaged using the lighting unit used in the image capturing step, or may be imaged using another lighting unit provided separately.
이 경우, 상기 촬상단계는 상기 픽업부에 픽업된 반도체 자재의 크기에 따라 상기 반도체 자재의 측면 이미지의 초점을 맞추기 위하여, 제1 비전유닛을 이동시키는 과정을 포함할 수 있다.In this case, the imaging step may include moving the first vision unit to focus the side image of the semiconductor material according to the size of the semiconductor material picked up by the pickup unit.
또한, 상기 촬상단계에서 제1 비전유닛은 y축 방향 또는 z축 방향으로 이동될 수 있다.In addition, in the imaging step, the first vision unit may be moved in the y-axis direction or the z-axis direction.
그리고, 상기 촬상단계는 상기 픽업부에 픽업된 반도체 자재의 두께에 따라 상기 반도체 자재의 하면 이미지의 초점을 맞추기 위하여, 제2 비전유닛이 z축 방향으로 이동하거나 또는 픽업부가 z축 높이를 변화시키는 과정을 포함할 수 있다.The imaging may include moving the second vision unit in the z-axis direction or changing the z-axis height in order to focus the bottom image of the semiconductor material according to the thickness of the semiconductor material picked up by the pickup unit. Process may be included.
여기서, 상기 촬상단계의 검사 결과에 따라 검사된 반도체 자재를 서로 다른 트레이로 반출하는 반도체 자재 반출단계를 더 포함할 수 있다.Here, the method may further include a semiconductor material export step of exporting the inspected semiconductor material to different trays according to the inspection result of the imaging step.
본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치 및 반도체 자재 검사방법에 의하면, 검사대상 반도체 자재를 직선 이송경로로 이송하며 촬상 검사를 수행하므로 개별 반도체 자재의 촬상 검사를 위한 승강과정을 생략할 수 있으므로, 검사효율이 크게 향상될 수 있다.According to the semiconductor material inspection apparatus and the semiconductor material inspection method according to the present invention, since the inspection target is carried out by transferring the inspection target semiconductor material in a straight line transfer path, the lifting process for imaging inspection of individual semiconductor materials can be omitted, so that inspection efficiency This can be greatly improved.
또한, 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치 및 반도체 자재 검사방법에 의하면, 반도체 자재의 촬상 검사를 위한 정지과정 또는 승강과정을 생략하고, 플라잉 타입으로 구성될 수 있으므로, 검사효율이 크게 향상될 수 있다.In addition, according to the semiconductor material inspection apparatus and the semiconductor material inspection method according to the present invention, it can be configured as a flying type, eliminating the stop process or the lifting process for the imaging inspection of the semiconductor material, the inspection efficiency can be greatly improved. .
또한, 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치 및 반도체 자재 검사방법에 의하면, 검사대상 반도체 자재의 측면 촬상 검사를 하는 경우, 복수 측면을 동시에 촬상할 수 있으므로, 검사효율이 크게 향상될 수 있다.In addition, according to the semiconductor material inspecting apparatus and the semiconductor material inspecting method according to the present invention, when the side-image imaging inspection of the inspection target semiconductor material can be imaged at the same time, the inspection efficiency can be greatly improved.
또한, 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치에 의하면, 검사대상 반도체 자재의 측면 촬상 검사를 하는 경우, 복수 측면 이외에 반도체 자재의 하면을 촬상하여 검사할 수 있으므로, 촬상 검사효율이 크게 향상될 수 있다.In addition, according to the semiconductor material inspection apparatus according to the present invention, when the side-side imaging inspection of the inspection target semiconductor material can be imaged and inspected on the lower surface of the semiconductor material in addition to the plurality of side surfaces, the imaging inspection efficiency can be greatly improved.
또한, 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치 및 반도체 자재 검사방법에 의하면, 촬상공간으로 검사대상 반도체 자재를 픽업하여 이송하는 픽업부에 복수 개의 픽업유닛이 그 이송방향과 평행하게 일렬로 배치되므로, 촬상공간에서의 연속검사가 가능하므로 촬상 검사효율이 크게 향상될 수 있다.Further, according to the semiconductor material inspecting apparatus and the semiconductor material inspecting method according to the present invention, since a plurality of pickup units are arranged in a line parallel to the conveying direction, a plurality of pickup units are picked up to pick up and transport the inspection target semiconductor material into the imaging space. Since the continuous inspection in space is possible, the imaging inspection efficiency can be greatly improved.
또한, 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치 및 반도체 자재 검사방법에 의하면, 평행하게 이송가능한 픽업부를 복수 개 구비하여, 픽업과정, 촬상과정, 반출과정의 공정을 번갈아 수행할 수 있으므로, 비전 검사부에서의 검사과정 공백을 최소화할 수 있다.In addition, according to the semiconductor material inspection apparatus and the semiconductor material inspection method according to the present invention, it is provided with a plurality of pickup portions that can be transferred in parallel, it is possible to alternately perform the pickup process, the imaging process, and the export process, Minimization of inspection process can be minimized.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치를 도시한다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치를 구성하는 비전 검사부의 검사과정을 도시한다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치를 구성하는 비전 검사부의 평면도와 측면도를 도시한다.
도 4는 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치를 구성하는 비전 검사부의 다른 실시예를 도시한다.
도 5는 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치를 구성하는 비전 검사부의 다른 실시예를 도시한다.
도 6은 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치의 블록 구성도를 도시한다.
도 7은 본 발명에 따른 반도체 자재 검사방법의 블록 선도를 도시한다.1 shows a semiconductor material inspection apparatus according to the present invention.
Figure 2 shows the inspection process of the vision inspection unit constituting the semiconductor material inspection apparatus according to the present invention.
3 is a plan view and a side view of a vision inspection unit constituting a semiconductor material inspection apparatus according to the present invention.
Figure 4 shows another embodiment of the vision inspection unit constituting the semiconductor material inspection apparatus according to the present invention.
Figure 5 shows another embodiment of the vision inspection unit constituting the semiconductor material inspection apparatus according to the present invention.
6 shows a block diagram of a semiconductor material inspection apparatus according to the present invention.
7 shows a block diagram of a semiconductor material inspection method according to the present invention.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명된 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록, 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure can be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Like numbers refer to like elements throughout.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치(1000)를 도시한다.1 shows a semiconductor
본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치(1000)는 서로 직교하는 x축 및 z축 방향과 각각 평행한 방향으로 이송 가능하고 상기 z축을 중심으로 하여 회전 가능하며, 검사대상 반도체 자재를 흡착 가능한 픽업부(210), 상기 픽업부(210)에 의하여 흡착되어 이송되는 반도체 자재의 제1 내지 제4 측면 이미지를 촬상하는 제1 비전유닛(330a), 상기 픽업부(210)에 의하여 흡착되어 이송되는 반도체 자재의 제1 측면 이미지 내지 제4 측면 이미지를 상기 제1 비전유닛의 촬상을 위하여 반사시키는 제1 내지 제4 반사유닛(321), 상기 제3 반사유닛 및 상기 제4 반사유닛에 의해 반사된 제3 및 제4 측면 이미지를 상기 제1 비전유닛으로 각각 재반사하는 제1 및 제2 재반사유닛(322), 상기 제1 반사유닛 및 제2 반사유닛이 배치되는 제1 영역과 제3 반사유닛, 제4 반사유닛, 제1 재반사유닛 및 제2 재반사유닛이 배치되는 제2 영역 사이에 구비되는 반도체 자재의 이송경로인 반도체 자재 이송부(311) 및, 상기 픽업부에 의해 흡착되어 이송되는 반도체 자재를 향해 조명을 제공하는 조명부를 포함할 수 있다.The semiconductor
본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치(1000)는 싱귤레이션 등이 완료된 반도체 자재를 픽업하여 이송하는 과정에서 검사를 위한 승강동작 등을 생략하여 검사대상 반도체 자재의 각각의 측면들을 동시에 촬상하여 반도체 자재의 불량 여부를 판단하기 위한 장치이다.The semiconductor
검사대상 반도체 자재들은 싱귤레이션 과정이 종료된 후 세척과정 등을 거친 후 드라이블록 등에서 건조된 후 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치의 반도체 자재 공급부(100)로 이송될 수 있다.The semiconductor material to be inspected may be transferred to the semiconductor
도 1에 도시된 상기 반도체 자재 공급부(100)는 복수 개의 반도체 자재의 정렬 기능을 수행할 수 있는 적재홈(112)이 구비된 테이블(110)이 구비될 수 있다.The semiconductor
상기 테이블(110)은 적재된 반도체 자재의 정렬 기능을 수행하는 적재홈(112)이 일정간격으로 형성되어 있는 시트블록 및 적재홈과 비적재영역이 상호 교차로 형성되어 있는 턴테이블을 포함할 수 있다.The table 110 may include a seat block in which stacking
상기 테이블(110)은 테이블 이송유닛(120)에 의하여 미리 결정된 방향(y축 방향)으로 이송될 수 있다. 또한, 상기 반도체 자재 공급부의 테이블(110)은 미리 결정된 방향(y축 방향)으로 이송됨과 별도로 회전가능하게 구성될 수도 있다. 상기 테이블(110)을 회전 가능하도록 구성하는 이유는 상기 테이블로 반도체 자재를 공급하는 픽커와 후술하는 픽업부의 픽업유닛의 배치관계 등을 조정하기 위함이다. The table 110 may be transferred in a predetermined direction (y-axis direction) by the
본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치(1000)는 상기 반도체 자재 공급부의 테이블에 안착된 검사대상 반도체 자재를 각각 픽업하여 이송하기 위한 복수 개의 픽업유닛이 구비되는 픽업부(210)를 포함할 수 있다.The semiconductor
상기 픽업부(210)는 복수 개의 픽업유닛(211)을 구비하며, 픽업부(210)의 이송을 위한 픽업부 이송유닛(220)에 의하여 픽업된 반도체 자재를 상기 테이블 이송유닛(120)에 의한 상기 테이블(110)의 이송방향과 수직한 방향으로 이송할 수 있다.The
도 1에 도시된 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치(1000)는 픽업부(210a, 210b) 및 각각의 픽업부 이송유닛(220a, 220b)이 한 쌍이 구비됨이 도시된다. In the semiconductor
상기 픽업부 이송유닛(220a, 220b)은 평행하게 구비되고, 각각의 픽업부(210a, 210b)는 각각의 픽업부 이송유닛(220a, 220b)에 평행한 방향으로 이송 가능하도록 장착될 수 있다.The pickup
각각의 픽업부(210a, 210b)는 복수 개의 픽업유닛(211)을 구비한다. 각각의 픽업부(210a, 210b)를 이송하기 위하여 각각의 픽업부(210a, 210b)가 장착되는 한 쌍의 이송유닛(220a, 220b)은 각각의 이송유닛에 장착된 픽업부의 이송시 픽업유닛(211) 간의 간섭이 발생하지 않는 최소 거리만큼 이격되어 배치될 수 있다. 따라서, 후술하는 비전 검사부(300)가 비전 검사를 위하여 각각의 픽업부 측으로 이송되어야 하는 이송거리를 최소화할 수 있다.Each
또한, 상기 픽업부(210a, 210b)는 상기 반도체 자재 공급부의 테이블(110)에 안착된 반도체 자재 중 상기 픽업부의 이송방향과 평행한 특정 행의 적재홈에 안착된 반도체 자재들을 함께 픽업하여 반도체 자재의 검사를 위하여, 반도체 자재의 이송경로이자 촬상공간인 반도체 자재 이송부(311)를 구비하는 비전 검사부(300)로 이송하게 된다.In addition, the
따라서, 상기 픽업부(210a, 210b)의 픽업유닛(211)은 픽업부의 이송방향과 평행한 방향으로 일렬로 배치될 수 있다.Therefore, the
그리고, 상기 테이블(110)은 테이블 이송유닛에 의하여 미리 결정된 방향인 y축 방향으로 이송되고, 상기 픽업부(210a, 210b)은 상기 테이블의 이송방향과 수직한 방향인 x 축방향으로 이송될 수 있으므로, 상기 픽업부(210a, 210b)는 상기 테이블의 특정 행의 적재홈에 안착된 반도체 자재들을 순차적으로 픽업하여 상기 비전 검사부(300)로 이송할 수 있다.In addition, the table 110 may be conveyed in the y-axis direction, which is a predetermined direction by a table conveying unit, and the
또한, 상기 픽업부(210a, 210b)는 미리 결정된 방향, 즉 x축 방향으로만 이송 가능하므로 픽업유닛(211)에 의한 y축 방향 픽업위치는 변화되지 않는다.In addition, since the
그리고, 상기 픽업부(210a, 210b)는 한 쌍이 평행하게 이송될 수 있도록 구비되므로, 결국 각각의 픽업부의 픽업유닛이 검사대상 반도체 소자를 픽업하기 위하여 상기 테이블(110)은 각각의 픽업부(210a, 210b)의 픽업위치로 번갈아 이송될 수 있다.In addition, since the pick-up
따라서, 상기 픽업부(210a, 210b)는 각각 픽업된 반도체 자재가 하나의 비전 검사부(300)에서 교대로 촬상되어 검사될 수 있으므로, 상기 픽업부(210a, 210b)에 의한 픽업과정도 번갈아 수행되도록 제어될 수 있다.Therefore, since the
도 1에 도시된 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치(1000)는 상기 픽업부(210a, 210b)에 의하여 픽업된 반도체 자재의 이송경로 상에 배치되어 상기 픽업부(210a, 210b)에 의하여 직선 이송경로로 이송되는 반도체 자재의 복수 측면을 동시에 촬상하는 비전 검사부(300)를 포함할 수 있다.The semiconductor
비전 검사부는 반도체 자재 공급부(100)를 구성하는 반도체 자재 공급부(100)를 구성하는 테이블(110)과 반출부(400) 사이에 구비될 수도 있고, 반도체 자재 공급부(100)를 구성하는 테이블(110) 일측에 구비될 수도 있다.The vision inspection unit may be provided between the table 110 constituting the semiconductor
전술한 바와 같이, 상기 픽업부(210a, 210b)는 평행한 방향으로 이송될 수 있도록 한 쌍이 구비되며, 각각의 픽업부(210a, 210b)에 의하여 이송되는 반도체 자재들을 하나의 비전 검사부(300)에 의하여 촬상하여 검사하기 위하여 상기 비전 검사부(300)는 상기 픽업부의 이송방향과 수직한 방향으로 이송될 수 있도록 배치될 수 있다.As described above, the pick-up
따라서, 상기 비전 검사부(300)는 비전 검사부 이송유닛(350)에 의하여 y축 방향으로 이송될 수 있다. 상기 비전 검사부와 관련된 자세한 설명은 뒤로 미룬다.Therefore, the
본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치(1000)는 상기 비전 검사부(300)에서 검사된 반도체 자재를 반출하기 위한 반출부(400)를 구비할 수 있다.The semiconductor
검사된 반도체 자재를 반출하기 위한 반출부(400)는 트레이, 튜브 오프로더, 시트블록 등이 사용될 수 있다.A tray, a tube offloader, a sheet block, or the like may be used as the carrying
도 1에서, 설명의 편의를 위하여, 상기 반출부(400)로서 트레이(410t, 420t)와 반출 트레이 이송유닛(410, 420)을 구비하는 예를 참조하여 설명한다.In FIG. 1, for convenience of description, a description will be given with reference to an
상기 반출부(400)는 상기 비전 검사부의 검사결과에 따라 반도체 자재를 분리하여 반출할 수 있도록 상기 픽업부의 이송방향과 수직한 방향으로 각각의 트레이(410t, 420t)를 이송하기 위한 적어도 2개 이상의 반출 트레이 이송유닛(410, 420)을 구비할 수 있다. The carrying
이 경우, 비전유닛 등에 의한 반도체 자재의 비전 검사가 완료된 반도체 자재는 검사결과에 따라 적재되는 트레이가 제공될 수 있으며, 상기 테이블(110)의 적재홈(112)에 수용되어 정렬이 이루어진 반도체 자재가 상기 픽업부(210a, 210b)에 의해 흡착되어 반도체 자재 이송부를 따라 이송되는 과정 중에 반도체 자재의 측면 이미지가 촬상에 의하여 검사된 후 검사 결과에 따라 각각의 트레이(410t, 420t)에 적재될 수 있다.In this case, the semiconductor material after the vision inspection of the semiconductor material by the vision unit or the like may be provided with a tray loaded according to the inspection result, the semiconductor material accommodated in the stacking
구체적으로, 도 1에 도시된 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치(1000)의 반출부(400)를 구성하는 상기 반출 트레이 이송유닛(410, 420)은 한 쌍이 평행하게 구비되며, 각각의 반출 트레이 이송유닛(410, 420)은 양품과 불량품 반도체 자재가 각각 적재되는 반출 트레이를 이송할 수 있다.Specifically, a pair of the transport
상기 픽업부(210a, 210b)는 상기 비전 검사부에서 촬상 검사가 완료된 반도체 자재를 각각의 반도체 자재의 검사결과에 따라 양품 또는 불량품 반도체 자재를 적재하기 위한 적재홈(412)이 구비된 양품 또는 불량품 반도체 자재를 각각 반출하기 위한 반출 트레이(410t, 420t)에 적재할 수 있다.The
따라서, 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치(1000)의 제어부는 상기 비전 검사부(300)에서 촬상된 반도체 자재의 이미지와 상기 제어부에 저장된 기준 이미지 또는 기준 데이터를 비교하여 양품과 불량품 반도체 자재를 식별하고 검사 완료된 각각의 반도체 자재를 해당 트레이에 안착시키도록 상기 픽업부를 제어할 수 있다.Accordingly, the control unit of the semiconductor
전술한 상기 픽업부(210a, 210b)는 상기 픽업부(210a, 210b)에 일렬로 구비된 픽업유닛(211)이 상기 테이블(110)의 특정 행에 안착된 반도체 자재를 함께 픽업하여 비전 검사부(300)에서 순차적으로 검사한 후 선택적으로 특정 트레이에 반도체 자재를 반출하도록 구성될 수 있다.The
따라서, 상기 픽업부(210a, 210b)의 픽업유닛(211)은 픽업부(210a, 210b)의 이송방향과 평행한 방향으로 일렬로 배치되며, 각각의 픽업유닛(211)은 독립적으로 회전, 승강, 픽업 또는 픽업 해제가 가능하도록 구성될 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 뒤로 미룬다.Accordingly, the
각각의 상기 반출 트레이 이송유닛(410, 420)은 각각 이송되는 트레이(410t, 420t)를 미리 결정된 방향(y축 방향)으로 이송시켜, 각각의 픽업부(210a, 210b)에 의하여 검사 완료된 반도체 자재를 반출할 수 있다.Each of the discharge
각각의 픽업부(210a, 210b)는 미리 결정된 방향(y축 방향)으로만 이송될 수 있으므로, 각각의 픽업부(210a, 210b) 중 반출과정을 수행하는 픽업부가 검사 완료된 픽업부를 반출할 수 있도록 각각의 상기 반출 트레이 이송유닛(410, 420)은 각각의 트레이를 반출과정을 위하여 반출부로 이송된 픽업부 하부로 이송시킬 수 있다.Since each
도 1에 도시된 실시예에서, 상기 반출 트레이 이송유닛과 트레이는 한 쌍이 구비되는 것으로 도시되었으나, 불량의 종류에 따라 더 세분화하여 반도체 자재를 반출하기 위하여 상기 반출 트레이 이송유닛과 트레이의 개수는 증가될 수도 있다.In the embodiment shown in FIG. 1, the carrying out tray transfer unit and the tray are shown as being provided with a pair, but the number of the carrying out tray transfer unit and the tray increases in order to further subdivide the semiconductor material according to the type of defect. May be
도 2는 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치를 구성하는 비전 검사부의 검사과정을 도시한다. 설명의 편의를 위하여 도 1에 도시된 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치(1000)의 픽업부 중 제2 픽업부(210b)에 픽업된 반도체 자재(sp)가 검사되는 과정을 도시한다.Figure 2 shows the inspection process of the vision inspection unit constituting the semiconductor material inspection apparatus according to the present invention. For convenience of description, the semiconductor material sp picked up by the
본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치(1000)는 상기 픽업부에 의하여 직선 이송경로(tp)로 이송되는 반도체 자재의 복수 측면을 동시에 촬상하는 비전 검사부(300)를 포함한다. 상기 비전 검사부(300)는 상기 픽업부의 픽업유닛에 의하여 픽업된 반도체 자재들의 상기 비전 검사부 통과 순서로 각각의 반도체 자재의 각각의 측면을 동시에 촬상할 수 있다.The semiconductor
따라서, 상기 비전 검사부(300)는 검사 대상 반도체 자재의 측면 이미지들을 비전 검사부(300)를 구성하는 제1 비전유닛(330a)의 촬상을 위하여 반사시키는 복수 개의 반사유닛(321)을 포함할 수 있다. 상기 반사유닛(321)은 검사블록(310)에 장착될 수 있다. 상기 검사블록(310)은 2개로 구획되어 제공될 수 있다.Therefore, the
상기 비전 검사부(300)의 검사블록(310)은 검사대상 반도체 자재가 촬상되는 반도체 자재의 이송경로이자 촬상공간인 반도체 자재 이송부(311)가 구비되며, 상기 반도체 자재 이송부(311)는 상기 픽업부(210)에 의한 반도체 자재의 이송경로(tp) 상에 배치될 수 있다.The
상기 비전 검사부(300)를 구성하는 제1 비전유닛(330a)에 의하여 검사대상 반도체 자재(sp)의 측면이 동시에 반사되어 촬상될 수 있도록 반사유닛(321)을 구비할 수 있다.The
여기서, 반도체 자재의 각각의 측면 이미지들의 반사 경로가 서로 간섭되지 않고 비전유닛에 도달될 수 있도록 각각의 반사유닛(321)이 배치되고, 반도체 자재의 각각의 측면이 반사유닛에 대향되도록 하기 위하여 반도체 자재(sp)를 회전시킬 수 있다.Here, each reflecting
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 픽업부(210)에 의하여 흡착되어 이송되는 반도체 자재의 제1 측면 이미지 내지 제4 측면 이미지를 상기 제1 비전유닛(330a)의 촬상을 위하여 반사시키는 제1 내지 제4 반사유닛(321a, 321b, 321c, 321d)이 구비된다.As shown in FIG. 2, the first to fourth side images of the semiconductor material adsorbed and transported by the
그리고, 상기 제3 반사유닛(321c) 및 상기 제4 반사유닛(321d) 에 의해 반사된 제3 및 제4 측면 이미지를 상기 제1 비전유닛(330a)으로 각각 재반사하는 제1 및 제2 재반사유닛(322x, 322y)를 더 포함할 수 있다.In addition, the first and second ashes reflecting the third and fourth side images reflected by the third reflecting
상기 비전 검사부(300)의 촬상 위치(PP)를 통과하는 반도체 자재(sp)는 반도체 자재의 대향하는 꼭지점을 연결하는 대각선 중 어느 하나와 상기 픽업부(210)의 이송경로가 평행하게 되도록 미리 결정된 각도로 회전된 상태일 수 있다.The semiconductor material sp passing through the imaging position PP of the
검사대상 반도체 자재(sp)가 정사각형 형태로 구성된 경우, 미리 결정된 각도는 45도(degree)일 수 있다. 물론, 상기 테이블(110)에 안착된 상태가 회전된 상태라면 별도로 픽업부(210)를 통해 검사대상 반도체 자재를 회전시킬 필요는 없다.When the semiconductor material sp to be inspected is configured in a square shape, the predetermined angle may be 45 degrees. Of course, if the state seated on the table 110 is rotated state, it is not necessary to rotate the inspection target semiconductor material through the
물론, 반사유닛의 배치에 따라서 자재의 꼭지점을 연결한 대각선이 이송경로와 평행하지 않고 반도체 자재의 회전각도가 45도가 아닐 수도 있다. 예를 들면, 반도체 자재가 직사각형으로 구성되는 경우 등이 대표적인 예일 수 있다. 따라서, 측면 검사 대상 반도체 자재의 형태에 따라 회전 각도는 달라질 수 있으며, 반도체 자재의 대향하는 꼭지점을 연결하는 대각선 중 어느 하나와 상기 픽업부(210)의 이송경로가 평행하지 않을 수도 있다.Of course, depending on the arrangement of the reflection unit, the diagonal connecting the vertices of the material may not be parallel to the transport path, and the rotation angle of the semiconductor material may not be 45 degrees. For example, the case in which the semiconductor material is composed of a rectangle may be a representative example. Accordingly, the rotation angle may vary according to the shape of the semiconductor material to be inspected sideways, and one of the diagonal lines connecting the opposite vertices of the semiconductor material may not be parallel to the transfer path of the
그리고, 각각의 반사유닛과 마주보도록 반도체 자재(sp)들을 회전시킬 수 있으므로 반도체 자재(sp) 이송경로와 반사유닛들 사이의 물리적 간섭은 방지될 수 있다.In addition, since the semiconductor materials sp may be rotated to face each reflection unit, physical interference between the semiconductor material sp transfer path and the reflection units may be prevented.
본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치(1000)를 구성하는 상기 비전 검사부(300)는 픽업부(210)에 의하여 픽업된 반도체 자재 이송경로 상에 배치되어 있으므로, 검사과정에서 픽업유닛(211)의 별도의 업다운 동작없이 비전 검사부의 반도체 자재 이송부(311)를 통과하면서 촬상이 가능하다.Since the
즉, 이와 같은 특징은 반도체 자재의 검사시 정지 동작 또는 승강 동작 없이 플라잉 방식의 검사과정이 수행될 수 있음을 의미한다.That is, such a feature means that the flying process can be performed without stopping or lifting during the inspection of the semiconductor material.
아울러, 상기 비전 검사부(300)가 테이블(110)과 반출부(400) 사이에 위치하는 경우에는 일방향 또는 플라잉 방식으로 진행하면서 비전검사가 가능하고, 테이블의 일측에 비전 검사부가 위치하는 경우에는 비전 검사부 위치 방향으로 이송할 때 일부 촬상하고, 반출부 방향으로 이송할 때 일부 촬상하는 것도 가능하다.In addition, when the
즉, 검사대상 반도체 자재가 복수 측면을 구비하는 경우, 복수 측면들의 이미지를 단계별로 촬상할 수도 있다.That is, when the inspection target semiconductor material has a plurality of side surfaces, images of the plurality of side surfaces may be captured step by step.
따라서, 상기 픽업부(210)의 픽업유닛(211)은 픽업부의 이송방향과 평행한 방향으로 일렬로 배치되며, 각각의 픽업유닛은 독립적으로 회전이 가능하도록 구성될 수 있다. 검사완료된 반도체 자재들의 반출을 위하여 촬상을 통한 검사 후 다시 반출 트레이의 적재홈의 적재방향으로 다시 회전될 수 있다.Therefore, the
구체적으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 비전 검사부(300)의 촬상공간으로 이송되는 반도체 자재를 픽업한 각각의 픽업유닛(211, 도 1 참조)은 상기 촬상공간의 촬상위치(PP)에 도달하기 전에 각각의 반도체 자재의 측면들이 각각의 반사유닛을 향하도록 순차적으로 회전시킬 수 있다.Specifically, as shown in FIG. 2, each pickup unit 211 (see FIG. 1) that picks up the semiconductor material transferred to the imaging space of the
또한, 상기 비전 검사부(300)의 촬상공간에서 촬상에 의한 검사가 완료된 반도체 자재를 픽업한 각각의 픽업유닛(211, 도 1 참조)은 상기 촬상공간의 촬상위치(PP)를 통과한 후 또는 촬상 후 각각의 반도체 자재를 회전시켜 반출 트레이의 적재홈의 적재방향으로 회전시킬 수 있다.In addition, each pickup unit 211 (see FIG. 1), which picks up the semiconductor material after inspection by imaging in the imaging space of the
각각의 반도체 자재들의 이송과정에서 각각의 반도체 자재들과 각각의 반사유닛(321)의 간섭되지 않고, 각각의 측면 이미지가 각각의 반사유닛에 의하여 반사될 수 있다.Each side surface image may be reflected by each reflecting unit without interfering with each of the semiconductor materials and the respective reflecting
더 상세하게, 검사완료된 반도체 자재들의 반출을 위하여 촬상을 통한 검사 후 다시 반출 트레이의 적재홈의 적재방향으로 다시 회전되는 경우 각각의 각도는 다음과 같이 설명될 수 있다.In more detail, each angle can be described as follows when it is rotated again in the loading direction of the loading groove of the carrying out tray after the inspection through imaging for the carrying out of the inspected semiconductor materials.
상기 픽업부(210)에 픽업된 반도체 자재가 z축을 중심으로 하여 소정 각도(a°)로 회전시켜 검사되고, 소정 각도(a°)로 회전시켜 검사되는 과정은 상기 픽업부(210)에 픽업된 반도체 자재가 반도체 자재 이송부(311)를 따라 이송되는 동안 수행될 수 있으며, 촬상에 의한 검사가 종료된 후 상기 픽업부(상기 픽업유닛 등)에 픽업된 반도체 자재를 z축을 중심으로 하여 소정 각도(b°, b°=-a°+(90 x N)° 또는 b°=(90-a)°+(90 x N)°; 여기서 N은 정수)로 재회전 시킬 수 있다. The semiconductor material picked up by the
소정 각도(a°)는 45°로 국한되지 않는다. 반도체 자재가 정사각형 형태가 아닌 경우에 각각의 반도체 측면과 각각의 반사유닛이 각각 마주보도록 회전시키기 위해서는 반도체 자재의 형태에 따라 소정 각도(a°)가 결정되어야 하기 때문이다.The predetermined angle a is not limited to 45 degrees. This is because a predetermined angle (a °) must be determined according to the shape of the semiconductor material in order to rotate each semiconductor side and each reflection unit to face each other when the semiconductor material is not square.
소정 각도(a°)만큼 회전시켜 검사한 후 소정 각도(-a°)만큼 재회전 시키는 것으로 한정되지 않을 수 있다. 검사된 반도체의 반출을 위하여 구비되는 트레이 등의 적재 방향에 대응시키기 위하여 (90-a)°만큼 더 회전시킬 수도 있고, 회전된 각도에 추가적으로 (90 x N)°만큼 더 회전시켜 다양한 형상을 갖는 반도체 자재와 트레이 적재방향에 대응시킬 수 있다.After inspection by rotating by a predetermined angle (a °) may not be limited to re-rotating by a predetermined angle (-a °). It may be rotated further by (90-a) ° to correspond to the loading direction of the tray or the like provided for carrying out the inspected semiconductor, and may be rotated further by (90 x N) ° in addition to the rotated angle to have various shapes. It can correspond to a semiconductor material and a tray stacking direction.
또한, 소정 각도가 b°, b°=-a°+(90 x N)° 또는 b°=(90-a)°+(90 x N)°로 결정될 수 있는 이유는 반도체 자재의 검사 종료 후 반도체 자재를 재회전 시키는 방향이 검사 전 회전 방향의 반대 방향으로 제한될 필요는 없기 때문이다.Further, the reason why a predetermined angle can be determined as b °, b ° = -a ° + (90 x N) ° or b ° = (90-a) ° + (90 x N) ° may be determined after the inspection of the semiconductor material. This is because the direction in which the semiconductor material is rotated again is not necessarily limited to the direction opposite to the direction of rotation before inspection.
도 2에 도시된 비전 검사부(300)는 총 4개의 제1 내지 제4 반사유닛(321a, 321b, 321c, 321d)이 구비됨이 도시된다. 검사대상 반도체 자재(sp)가 정사각형 형태이므로, 각각의 측면(a,b,c,d) 이미지를 상기 제1 비전유닛(330a)의 촬상을 위하여 반사시킬 수 있다.The
상기 비전 검사부(300)를 구성하는 제1 내지 제4 반사유닛(321a, 321b, 321c, 321d) 중 일부는 검사대상 반도체 자재의 각각의 측면 이미지를 상기 비전 검사부(300)를 구성하는 제1 비전유닛(330a) 방향으로 반사시킬 수 있다.Some of the first to
도 2에 도시된 상기 픽업부(210b)에 의한 검사대상 반도체 자재(sp)의 이송경로(tp) 또는 반도체 자재 이송부(311)를 기준으로 이송경로 상부에 배치된 제1 및 제2 반사유닛(321a, 321b)은 각각 반도체 자재의 제1 및 제2 측면 이미지를 상기 제1 비전유닛(330a) 측으로 반사시킨다.First and second reflection units disposed above the transfer path based on the transfer path tp or the semiconductor
상기 비전 검사부(300)를 구성하는 반사유닛(321a, 321b, 321c, 321d) 중 다른 일부는 검사대상 반도체 자재의 각각의 측면이미지를 상기 제1 비전유닛(330a) 방향으로 반사시키는 재반사유닛(322)으로 반사시킬 수 있다.Another portion of the
구체적으로, 검사대상 반도체 자재(sp)의 제3 및 제4 측면 이미지는 별도의 반사유닛 없이도 상기 반사유닛(330)에 입사될 수 있으나, 제1 및 제2 반사유닛(321a, 321b)에 의하여 반사된 제1 및 제2 측면 이미지(la, lb)와 초점거리가 불일치하는 문제가 발생될 수 있으므로, 제3 및 제4 반사유닛(321c, 321d)을 제3 및 제4 측면(c,d)과 마주보는 위치에 배치하고, 제3및 제4측면 이미지(lc, ld)를 반사시킨다.Specifically, the third and fourth side images of the inspection target semiconductor material sp may be incident on the
여기서, 상기 비전 검사부(300)에서 검사되는 반도체 자재의 각각의 측면과 각각의 반사유닛 간의 거리는 동일하지 않을 수 있다. 구체적으로, 제1 및 제2 반사유닛(321a, 321b)에서 반사된 제1 및 제2 측면 이미지(la, lb)의 광경로와 제3 및 제4 반사유닛(321c, 321d) 간의 간섭을 방지하기 위하여, 제3 및 제4 반사유닛(321c, 321d)과 반도체 자재(sp)의 제3 및 제4 측면 사이의 거리를 제1 및 제2 반사유닛(321a, 321b)과 반도체 자재(sp)의 제1 및 제2 측면 사이의 거리보다 크게 구성할 수 있다.Here, the distance between each side of the semiconductor material inspected by the
물론, 그 반대의 경우도 가능하지만, 제1 및 제2 측면 이미지(la, lb)의 초점거리가 더 증가되는 것은 바람직하지 않으므로, 제3 및 제4 반사유닛(321c, 321d)과 반도체 자재(sp)의 제3 및 제4 측면 사이의 거리를 더 크게 설정할 수 있다.Of course, the reverse is also possible, but it is not desirable to further increase the focal length of the first and second side images la and lb, so that the third and fourth reflecting
또한, 본 발명에 따른 비전 검사부(300)는 제3 및 제4 반사유닛(321c, 321d)에 의하여 반사된 제3및 제4측면 이미지(lc, ld)의 초점거리 및 반사방향을 변경하기 위한 제1 및 제2 재반사유닛(322x, 322y)를 구비할 수 있다.In addition, the
제1 및 제2 측면 이미지(la, lb)는 이송경로(tp) 또는 반도체 자재 이송부(311) 상부에 구비된 제1 및 제2 반사유닛(321a, 321b)에 의하여 반사되므로, 초점거리가 제3및 제4측면 이미지(lc, ld)의 초점거리의 편차가 발생될 수 있으므로, 제1 및 제2 재반사유닛(322x, 322y)을 구비하여 제3 및 제4 반사유닛(321c, 321d)과 제1 및 제2 재반사유닛(322x, 322y) 사이의 거리만큼의 초점거리를 보상할 수 있으며, 상기 제3 및 제4 반사유닛(321c, 321d) 하부에 구비되는 비전유닛에 대한 반사방향을 제1 및 제2 재반사유닛(322x, 322y)을 통해 변경할 수 있다.Since the first and second side images la and lb are reflected by the first and second
따라서, 제1 내지 제4 반사유닛(321a, 321b, 321c, 321d)과 제1 및 제2 재반사유닛(322x, 322y)을 통해 비전 검사부는 정사각형 형태의 검사대상 반도체 자재(sp)의 4개의 측면 이미지를 동시에 상기 제1 비전유닛(330a) 측으로 반사시킬 수 있다.Accordingly, the vision inspecting unit is configured to have four squares of the inspection target semiconductor material sp having a square shape through the first to fourth
초점거리와 관련하여, 각각의 반사 이미지의 경로를 P(path)로 표시하면, 검사대상 반도체 자재의 제1 측면(a)으로부터 제1 반사유닛(321a)을 거쳐 제1 비전유닛(330a)에 이르는 제1 경로(P(la)), 반도체 자재의 제2 측면으로부터 제2 반사유닛을 거쳐 제1 비전유닛(330a)에 이르는 제2 경로(P(lb))와, 반도체 자재의 제3 측면으로부터 제3 반사유닛 및 제1 재반사유닛을 거쳐 제1 비전유닛(330a)에 이르는 제3 경로(P(lc))와, 반도체 자재의 제4 측면으로부터 제4 반사유닛 및 제2 재반사유닛을 거쳐 제1 비전유닛(330a)에 이르는 제4 경로(P(ld)) 간의 거리 편차는, 상기 제1 비전유닛(330a)의 초점 심도(焦點深度, depth of focus) 이내일 수 있다.In relation to the focal length, if the path of each reflection image is represented by P (path), the
여기서, 초점심도란 렌즈나 반사거울 등에서 피사체의 상을 맺게 할 때, 선명한 상을 얻을 수 있는 피사체의 결상 범위를 의미한다. 즉, 동일 초점 거리에 배치되지 않더라도 일정 범위까지는 초점이 맞는 범위가 존재할 수 있으므로, 각각의 측면 이미지의 경로(P(la), P(lb), P(lc), P(ld))의 거리 편차가 제1 비전유닛(330a)의 초점 심도 이내이면 제1 비전유닛(330a)에 의하여 각각의 측면의 선명한 이미지를 얻을 수 있음을 의미한다. Here, the depth of focus means an image forming range of a subject that can obtain a clear image when forming an image of a subject by a lens or a reflecting mirror. That is, even if they are not arranged at the same focal length, there may exist a focused range up to a certain range, so that the distances of the paths P (la), P (lb), P (lc), and P (ld) of the respective side images are provided. If the deviation is within the depth of focus of the
물론, 제1 경로P(la) 내지 제4 경로P(ld)의 거리 편차가 존재하지 않고 동일할 수 있다.Of course, the distance deviation of the first path P (la) to the fourth path P (ld) does not exist and may be the same.
그리고, 전술한 바와 같이, 상기 픽업부(210)의 픽업유닛(211)은 픽업부의 이송방향과 평행한 방향으로 일렬로 배치될 수 있다.As described above, the
복수 개의 픽업유닛(211)의 픽업부(210)의 이송방향으로의 피치와 관련하여, 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치(1000)에 의한 반도체 자재의 촬상 검사시 픽업유닛(211)의 피치는 반도체 자재 검사 시 반사유닛에 의하여 반사되어 비전유닛으로 입사되는 측면 이미지들과 간섭되지 않는 간격을 그 최소 간격으로 한다.Regarding the pitch in the conveying direction of the pick-up
도 2에 도시된 바와 같이, 각각의 픽업유닛(211)의 이송방향 간격, 즉 픽업유닛(211)의 피치는 각각의 측면 이미지의 경로 중 상기 반도체 자재 이송부(311) 상부에 배치된 반사유닛(321a, 321b)에서 반사된 제1 및 제2 측면 이미지의 광 경로(P(la), P(lb))와 간섭되지 않을 만큼 이격될 필요가 있다.As shown in FIG. 2, the distance in the transport direction of each
그리고, 상기 픽업부(210)의 픽업유닛(211)은 복수 개의 픽업유닛 사이의 간격(피치)이 가변 가능하도록 구성될 수도 있다.In addition, the
아울러, 픽업유닛의 피치가 가변되도록 구성되는 경우에는 반도체 자재 공급부 테이블(110)의 적재홈(112)의 피치에 맞게 또는 반출부(400)의 트레이 적재홈(412, 422)의 피치에 맞도록 픽업유닛의 피치를 가변하여 복수 개의 자재를 한번에 로딩 및/또는 언로딩이 가능하게 구성할 수도 있다.In addition, when the pitch of the pickup unit is configured to be variable, the pitch of the stacking
즉, 상기 반도체 자재 공급부(100)의 테이블(110)의 적재홈(112)의 피치와 상기 반출부(400)의 트레이(410t,420t)의 적재홈(412, 422)의 피치가 달라도 각각의 픽업유닛(211)의 이송방향 간격, 즉 픽업유닛(211)의 피치가 조절 가능하도록 구성된다면, 픽업유닛의 피치를 가변하여 복수 개의 자재를 한번에 픽업, 촬상, 검사 및/또는 반출이 가능할 수 있다.That is, even if the pitch of the
물론 픽업 유닛이 개별 업/다운 가능하게 구성되어 있으므로 순차적으로 로딩 및/또는 언로딩 할 수 있음은 물론이다.Of course, since the pickup unit is configured to be up / down individually, it is possible to load and / or unload sequentially.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 비전 검사부(300)를 구성하는 상기 반사유닛(321) 및 상기 재반사유닛(322)에서 반사된 반도체 자재의 측면 이미지들은 수평방향으로 상기 비전유닛에 입사될 수 있으며, 상기 비전 검사부(300)의 제1 비전유닛(330a)에 의하여 촬상되는 이미지는 검사대상 반도체 자재의 각각의 측면 이미지가 일렬로 배치된 하나의 이미지일 수 있다.As illustrated in FIG. 2, side images of the semiconductor material reflected by the
상기 제1 비전유닛(330a)은 반도체 자재(sp)의 4개의 측면 이미지를 하나의 촬상 이미지로 촬상할 수 있으며, 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치의 제어부는 상기 비전유닛(330)에서 촬상된 이미지와 상기 제어부에 저장된 기준 이미지 또는 기준 데이터를 비교하여 양품과 불량품 반도체 자재를 식별할 수 있다.The
그리고, 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치(1000)의 비전 검사부(300)를 구성하는 반사유닛(321) 및 재반사유닛(322)은 각각 독립 구동이 가능하며, 배치 위치와 배치 각도가 조절될 수 있다.In addition, the
도 2에 도시된 실시예에서, 전술한 바와 같이, 검사대상 반도체 자재는 정사각형 형태를 갖을 수 있으나, 경우에 따라 반도체 자재의 크기가 증가되거나, 정사각형이 아닌 형태(예를 들면 직사각형 형태)를 갖을 수 있다.In the embodiment shown in FIG. 2, as described above, the semiconductor material to be inspected may have a square shape, but in some cases, the size of the semiconductor material may be increased or may have a non-square shape (for example, a rectangular shape). Can be.
따라서, 다양한 형태와 다양한 크기의 반도체 자재를 검사하기 위하여 상기 비전 검사부(300)를 구성하는 반사유닛(321) 및 재반사유닛(322)을 반도체 자재의 이송경로로 접근시키거나 이격시킬 수 있도록 구성될 수 있으며, 그 설치각도가 조절될 수 있도록 구성되는 것이 바람직하다.Therefore, in order to inspect the semiconductor material of various shapes and various sizes, the
구체적으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 반도체 자재의 크기에 따라 제1 반사유닛(321a)은 반도체 자재의 제1 측면(a)에 수직한 방향(또는 반도체 자재의 제1 측면(a)으로부터 제1 반사유닛(321a)에 이르는 제1 경로 방향)으로 진퇴 이동 가능하고, 제3 반사유닛(321c)은 반도체 자재의 제3 측면(c)에 수직한 방향(또는 반도체 자재의 제3 측면(c)으로부터 제3 반사유닛(321c)에 이르는 제3 경로 방향)으로 진퇴 이동 가능하며, 제1 재반사유닛(322x)은 x축 및 z축과 직교하는 y축을 따라 진퇴 이동 가능할 수 있다. 상기 제1 재반사유닛(322x)을 y축 방향으로 진퇴 이동 가능하게 구성하는 이유는 상기 제3 반사유닛(321c)의 이동에 대응하여, 이동시키기 위함이다.Specifically, as shown in FIG. 2, according to the size of the semiconductor material, the first reflecting
다만, 제3 반사유닛(321c)은 반도체 자재의 제3 측면(c)에 수직한 방향(또는 반도체 자재의 제3 측면(c)으로부터 제3 반사유닛(321c)에 이르는 제3 경로 방향)으로 이송되어야 제3 측면의 이미지를 반사시킬 수 있지만, 상기 제1 재반사유닛(322x)은 상기 제3 반사유닛(321c)의 이동시 y 축방향으로만 이동이 가능하여도 상기 제3 반사유닛(321c)에서 반사된 이미지를 재반사 시킬 수 있고, 상기 제2 재반사유닛(322y)과의 간섭을 방지하기 위하여 y 축방향으로만 이동이 가능하도록 구성할 수 있다.However, the
같은 이유로, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제2 반사유닛(321b)은 반도체 자재의 제2 측면(b)에 수직한 방향(또는 반도체 자재의 제2 측면(b)으로부터 제2 반사유닛(321b)에 이르는 제2 경로 방향)으로 진퇴 이동 가능하고, 제4 반사유닛(321d)은 반도체 자재의 제4 측면(d)에 수직한 방향(또는 반도체 자재의 제4 측면(d)으로부터 제4 반사유닛에 이르는 제4 경로 방향)으로 진퇴 이동 가능하며, 제2 재반사유닛(322y)은 x축 및 z축과 직교하는 y축을 따라 진퇴 이동 가능하게 구성될 수 있다.For the same reason, as shown in FIG. 2, the second reflecting
그리고, 도 2에 도시된 제1 비전유닛(330a)은 반도체 자재의 크기에 따라 초점을 변경하기 위하여, x축 및 z축과 직교하는 y축 방향으로 이동 가능하게 구성할 수 있다.In addition, the
도 3은 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치를 구성하는 비전 검사부의 평면도와 측면도를 도시한다. 도 1 내지 도 2를 참조한 설명과 중복된 설명은 생략한다.3 is a plan view and a side view of a vision inspection unit constituting a semiconductor material inspection apparatus according to the present invention. Descriptions duplicated with those described with reference to FIGS. 1 and 2 will be omitted.
구체적으로, 도 3(a)는 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치의 비전 검사부(300)의 평면도를 도시하며, 도 3(b)는 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치의 비전 검사부(300)의 측면도를 도시한다.Specifically, Figure 3 (a) shows a plan view of the
본 발명에 따른 비전 검사부(300)를 구성하는 검사블록(310)과 제1 비전유닛(330a)은 장착부재(370) 상에 함께 장착될 수 있으며, 상기 장착부재(370)에 장착된 상태로 비전 검사부 이송유닛(350, 도 1 및 도 2 참조)에 의하여 y축 방향으로 이송될 수 있다.The
별도로 도시되지 않았으나, 상기 검사블록(310)과 제1 비전유닛(330a)은 별개로 구동되도록 상기 제1 비전유닛(330a)은 초점 거리 등을 맞추기 위하여 독립적으로 구동될 수도 있다.Although not separately illustrated, the
상기 비전 검사부 이송유닛(350)에 의한 상기 장착부재(370)의 이송경로는 상기 픽업부에 의한 검사대상 반도체 소자의 이송경로(tp)와 수직한 방향일 수 있다.The transfer path of the mounting
도 2(b)에 도시된 바와 같이, 상기 비전 검사부(300)를 구성하는 반사유닛(321)에 의하여 반사된 반도체 소자의 측면 이미지는 수평방향으로 상기 제1 비전유닛(330a)에 입사될 있다.As illustrated in FIG. 2B, the side image of the semiconductor device reflected by the
상기 제1 비전유닛(330a) 등이 장착된 장착부재(370)를 이송하는 상기 비전 검사부 이송유닛(350)의 설치 공간이 충분한 경우에는 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제1 비전유닛(330a)에 입사되는 반도체 자재의 측면 이미지들이 수평방향(테이블의 이송방향과 평행하고 상기 픽업부의 이송방향과 수직한 방향)으로 입사되도록 상기 제1 비전유닛(330a)을 설치할 수 있다.When the installation space of the vision inspection
또한, 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치의 비전 검사부(300)는 상기 비전유닛(330)의 촬상 조명을 제공하는 조명부(360)을 구비할 수 있다.In addition, the
그리고, 상기 반도체 자재 이송부(311) 하부에는 상기 픽업부(210)에 의해 흡착되어 이송되는 반도체 자재를 향해 조명을 제공하는 조명부(360)가 제공될 수 있다. 상기 조명부(360)는 상기 제1 반사유닛(321a) 및 제2 반사유닛(321b)이 배치되는 제1 영역(328)과 제3 반사유닛(321c), 제4 반사유닛(321d), 제1 재반사유닛 및 제2 재반사유닛이 배치되는 제2 영역(329) 사이에 구비되는 반도체 자재의 이송경로의 하부에 구비될 수 있다.In addition, a lower portion of the semiconductor
즉, 상기 검사블록(310)은 2개로 구획되어 제공될 수 있으며, 각각의 검사블록은 반사유닛 또는 재반사유닛이 장착되는 제1 영역(328)과 제2 영역(329)을 제공할 수 있다.That is, the
상기 조명부(360)는 기판(361)과 그 기판 상에 구비되는 LED 등의 적어도 1개 이상의 광원(363)일 수 있다.The
상기 조명부(360)는 상기 비전 검사부(300)의 검사블록 하부에 구비되어 상기 반도체 자재 이송부(311) 측으로 조명을 제공할 수 있다.The
상기 조명부(360)는 촬상되는 반도체 자재의 측면 방향으로 간접조명을 제공하여 상기 제1 비전유닛(330a)에 의하여 촬상되는 이미지의 품질을 향상시킬 수 있다.The
그리고, 상기 픽업부(210b)의 픽업유닛은 z축을 중심으로 회전 구동이 가능하므로 측면 이미지 촬상이 완료된 반도체 자재들을 다시 원래의 위치로 회전시킬 수 있음은 전술한 바와 같다.In addition, since the pickup unit of the
도 4는 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치를 구성하는 비전 검사부의 다른 실시예를 도시한다. 도 1 내지 도 3을 참조한 설명과 중복되는 설명은 생략한다.Figure 4 shows another embodiment of the vision inspection unit constituting the semiconductor material inspection apparatus according to the present invention. Description overlapping with the description with reference to FIGS. 1 to 3 will be omitted.
도 1 내지 도 3에 도시된 비전 검사부(300)의 제1 비전유닛(330a)은 전술한 바와 같이 수평방향으로 배치되어 수평방향으로 입사되는 이미지를 촬상한다. 그러나, 비전유닛의 설치공간의 제약 등이 있는 경우, 비전유닛을 수직방향으로 설치할 수 있다.As described above, the
따라서, 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치의 상기 비전 검사부(300)를 구성하는 상기 반사유닛 및 상기 재반사유닛은 검사대상 반도체 자재의 각각의 측면의 이미지를 제1 방향(예를 들면, 수평방향)으로 반사시키며, 수평방향으로 반사된 이미지들을 제2 방향(예를 들면, 수직방향)으로 함께 반사시키는 반사부재(325)를 더 포함할 수 있다.Therefore, the reflection unit and the re-reflection unit constituting the
상기 반사부재(325)에서 반사된 검사대상 반도체 자재들의 측면들의 이미지(la, lb, lc, ld)는 수직방향으로 설치된 제1 비전유닛(330a)에 의하여 촬상될 수 있다.Images la, lb, lc, and ld of the side surfaces of the inspection target semiconductor materials reflected by the
상기 반사부재(325)를 추가적으로 구비하여 상기 제1 비전유닛(330a)의 설치 위치를 다양하게 가변시킬 수 있다.The
그리고, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 픽업부(210)에 픽업된 반도체 자재의 크기에 따라 상기 반도체 자재의 측면 이미지의 초점을 맞추기 위하여, 제1 비전유닛(330a)을 이동시킬 필요가 있다.3 and 4, the
구체적으로, 상기 촬상단계에서 제1 비전유닛(330a)은 y축 방향(도 2 또는 도 3) 또는 z축 방향(반사부재가 사용된 도 4 참조)으로 이동될 수 있다.Specifically, in the imaging step, the
도 5는 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치를 구성하는 비전 검사부의 다른 실시예를 도시한다.Figure 5 shows another embodiment of the vision inspection unit constituting the semiconductor material inspection apparatus according to the present invention.
도 1 및 도 4를 참조한 실시예들은 반도체 자재의 측면에 존재하는 불량 요소를 파악하기 위하여 반도체 자재의 측면을 동시에 반사 및 촬상하여 반도체 자재의 불량 여부를 판단하였다.1 and 4, in order to identify the defective element present in the side of the semiconductor material, the side of the semiconductor material is simultaneously reflected and imaged to determine whether the semiconductor material is defective.
예를 들면, 검사대상 반도체 자재들이 QFN 자재 등인 경우에는 그 하면에도 결함이 있을 수 있으며, 결함의 예로서 마킹 불량, 사이즈(dimension) 불량, 스크레치, 크랙, 리드 단자가 싱귤레이션(절단 또는 커팅) 과정에서 산화되어 색이 변화되는 레진블리드(Resin Bleed) 또는 싱귤레이션 과정에서 리드 단자와 몰딩재 등이 늘어붙는 멜팅(Melting) 등이 있을 수 있다.For example, if the semiconductor materials to be inspected are QFN materials or the like, there may be defects on the lower surface thereof. Examples of defects include poor marking, poor dimension, scratch, crack, and lead terminal singulation (cutting or cutting). There may be a resin bleed (oxidized in the process of changing color) or a melting (melting) in which the lead terminal and the molding material are stacked in the singulation process.
이와 같은 결함을 발견하기 위해서는 상기 픽업부(210)에 의하여 이송되는 반도체 자재의 하면 결함을 촬상구간 하부에 z축 방향으로 장착된 제2 비전유닛(330b)를 통하여 촬상 검사할 수 있다.In order to find such a defect, an imaging inspection may be performed on the lower surface defect of the semiconductor material transferred by the
상기 반도체 자재 이송부(311)의 하부에 배치되어 상기 픽업부(210)에 의해 이송되는 반도체 자재의 하면 이미지를 촬상하기 위한 제2 비전유닛(330b)을 더 포함할 수 있으며, 상기 조명부(360)는 중심 영역에 관통구를 구비하며, 상기 제2 비전유닛(330b)은 상기 조명부(360) 하부에 배치되어 상기 조명부(360)의 관통구를 통해 반도체 자재의 하면 이미지를 촬상하여 검사할 수 있다.A
따라서, 상기 촬상공간 또는 상기 반도체 자재 이송부 하부에 구비되는 조명부(360)는 그 중심부에 개구부가 형성된 링형태로 구성될 수 있으며, 상기 제2 비전유닛(330b)이 이송되는 반도체 자재의 하면을 촬상할 수 있도록 한다.Therefore, the
정리하면, 상기 조명부(360)는 개구부가 형성된 링형태로 구성되며, 상기 비전 검사부는 반도체 자재의 측면 검사를 위한 제1 비전유닛(330a)과 상기 조명부(360)의 개구부를 통해 반도체 자재의 하면을 촬상하기 위하여 촬상공간 하부에 구비되는 제2 비전유닛(330b)을 구비할 수 있다.In summary, the
따라서, 도 5에 도시된 실시예는 사각형 형태를 갖는 검사대상 반도체 자재들의 측면들과 하면을 동시에 촬상하여 각각의 비전유닛에서 촬상된 이미지들을 통해 반도체의 불량여부를 판단할 수 있다.Accordingly, the embodiment illustrated in FIG. 5 may simultaneously photograph the side surfaces and the bottom surface of the semiconductor material to be inspected having the quadrangular shape to determine whether the semiconductor is defective through the images captured by each vision unit.
물론, 도 5에 도시된 실시예에서, 반도체 자재의 측면검사가 불필요한 경우에는 상기 제1 비전유닛(330a)은 생략하고, 상기 제2 비전유닛(330b)만을 구비하여 픽업부(210)에 의하여 이송되는 반도체 소자의 하면의 불량여부를 판단할 수 있다.Of course, in the embodiment shown in Figure 5, when the side inspection of the semiconductor material is unnecessary, the
또한, 검사대상 반도체 자재에 조명을 제공하는 조명부는 도 5에 도시된 바와 같이, 링형태로 구성될 수도 있으나, 이런 형태에 국한되지 않는다.In addition, the illumination unit for providing illumination to the semiconductor material to be inspected may be configured in a ring shape, as shown in FIG. 5, but is not limited thereto.
즉, 상기 조명부는 상기 제2 비전유닛과 이격 또는 나란히 배치되어, 상기 반도체 자재 이송부의 하면에 조명을 제공하도록 배치될 수 있다.That is, the lighting unit may be disposed to be spaced apart or side by side with the second vision unit, to provide illumination to the lower surface of the semiconductor material transfer unit.
여기서, 상기 조명부(360)가 상기 제2 비전유닛(330b)과 이격 또는 나란히 배치되는 방법은 상기 조명부가 상기 반도체 자재 이송부 하부에서 상기 제2 비전유닛과 x축 방향으로 상기 제2 비전유닛과 이격되어 배치되거나 또는 나란히 배치될 수도 있다.Here, the method in which the
또한, 상기 조명부(360)는 제2 비전유닛(330b)과 별도로 구비될 수도 있으나, 상기 조명부(360)는 상기 조명부는 제2 비전유닛(330b)에 장착된 형태가 사용될 수도 있다.In addition, the
그리고, 전술한 조명부는 복수 개가 함께 구비될 수도 있다.In addition, a plurality of the above-described lighting units may be provided together.
그리고, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 픽업부(210)에 픽업된 반도체 자재의 두께에 따라 상기 반도체 자재의 하면 이미지의 초점을 맞추기 위하여, 제2 비전유닛(330b)을 z축 방향으로 이동시키거나 또는 픽업부(210)가 z축 높이가 가변되도록 할 수 있다.As shown in FIG. 5, the
도 6은 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치(1000)의 블록 구성도를 도시한다.6 is a block diagram of the semiconductor
본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치(1000)의 제어부는 상기 비전유닛(330, 제1 비전유닛 및/또는 제2 비전유닛)에서 촬상된 이미지와 비교하기 위한 비교 데이터가 저장되는 메모리(710)와 메모리(710)에 저장된 정보와 촬상된 이미지를 비교하여 검사대상 반도체 자재의 측면의 불량 여부를 판단하는 프로세서(720)를 구비할 수 있다.The controller of the semiconductor
또한, 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치(1000)는 선행 공정인 싱귤레이션 공정 또는 후속 반출 공정을 위한 싱귤레이션 장치 등과 통신을 위한 통신모듈(730)을 더 구비할 수 있다. 통신 모듈(730)을 통하여 제공되는 정보를 통해 본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치(1000)의 제어부(700)는 전체 반도체 제조공정에서 각각의 공정 간의 공백을 최소화할 수 있다.In addition, the semiconductor
본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치를 구성하는 각각의 구성요소들의 상태를 파악하기 위한 적어도 하나 이상의 감지유닛(500)이 구비될 수 있다.At least one
본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치(1000)의 제어부(700)는 검사대상 반도체 자재가 안착된 테이블(110) 및 테이블의 이송을 위한 테이블 이송유닛(120)을 제어하여 각각의 픽업부의 픽업유닛이 픽업할 수 있는 위치로 테이블을 회전 및 이송할 수 있다.The
본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치(1000)의 제어부(700)는 픽업부에 구비된 복수 개의 픽업유닛(211)과 픽업부 이송유닛(220)을 제어하여, 픽업부의 위치와 각각의 픽업유닛(211)의 작업을 제어할 수 있다.The
전술한 바와 같이, 상기 픽업유닛(211)이 구비된 픽업부는 한 쌍이 구비되므로 상기 제어부(700)는 상기 픽업유닛(211)이 구비된 픽업부에 의하여 각각 픽업된 반도체 자재가 하나의 비전 검사부(300)에서 교대로 촬상되어 검사될 수 있으므로, 상기 픽업유닛(211)이 구비된 픽업부에 의한 픽업과정도 번갈아 수행되도록 제어할 수 있다.As described above, since the pick-up unit provided with the pick-up
본 발명에 따른 반도체 자재 검사장치(1000)의 제어부(700)는 상기 비전 검사부를 구성하는 비전유닛(330)에서 촬상된 반도체 자재의 이미지와 상기 제어부(700)의 메모리(710)에 저장된 기준 이미지 또는 기준 데이터를 비교하여 양품과 불량품 반도체 자재를 식별하고 검사 완료된 각각의 반도체 자재를 선택적으로 반출부에 구비된 반출 트레이에서 픽업상태를 해제하여 반출과정을 수행할 수 있다.The
상기 제어부(700)는 상기 비전 검사부(300)를 구성하는 비전유닛(330), 비전 검사부 이송유닛(350) 및 조명부(360) 등을 제어하여 검사대상 반도체 자재의 측면 또는 하면 이미지를 촬상하여 검사용 이미지를 얻을 수 있다.The
이 경우, 상기 제어부(700)는 반출부의 반출 트레이 이송유닛(410, 420)을 각각 제어하여 각각의 픽업부의 픽업유닛에 대응되는 위치로 각각의 반출 트레이를 위치시킬 수 있다.In this case, the
도 7은 본 발명에 따른 반도체 자재 검사방법의 블록선도를 도시한다. 7 shows a block diagram of a semiconductor material inspection method according to the present invention.
도 7은 본 발명에 따른 반도체 자재 검사방법은 전술한 반도체 자재 검사장치를 이용하여 반도체 자재를 검사하는 방법에 관한 것이다.7 is a method for inspecting a semiconductor material according to the present invention relates to a method for inspecting a semiconductor material using the semiconductor material inspection apparatus described above.
본 발명에 따른 반도체 자재 검사방법은 상기 픽업부에 의한 픽업단계(S100)에서 픽업된 반도체 자재가 z축을 중심으로 하여 소정 각도(a°)로 회전시키는 반도체 자재 회전단계(S200), 상기 픽업부에 픽업된 반도체 자재가 반도체 자재 이송부를 따라 이송하는 반도체 자재 이송단계(S300) 및 상기 반도체 자재 이송부를 따라 이동하는 반도체 자재를 향해 조명부가 조명을 제공하며 제1 검사유닛이 상기 반도체 자재의 제1 내지 제4 측면 이미지를 촬상하는 반도체 자재 촬상단계(S400)를 포함할 수 있다.The semiconductor material inspection method according to the present invention is a semiconductor material rotation step (S200), wherein the semiconductor material picked up in the pickup step (S100) by the pickup unit rotates at a predetermined angle (a °) around the z-axis, the pickup unit The semiconductor material transfer step (S300) for transferring the semiconductor material picked up to the semiconductor material transfer unit and the illumination unit provides illumination toward the semiconductor material moving along the semiconductor material transfer unit and the first inspection unit is the first of the semiconductor material And a semiconductor material imaging step S400 for imaging the fourth to fourth side images.
상기 픽업부에 픽업된 반도체 자재가 z축을 중심으로 하여 소정 각도(a°)로 회전시키는 반도체 자재 회전단계(S200)는 상기 픽업부에 픽업된 반도체 자재가 반도체 자재 이송부를 따라 이송되는 반도체 자재 이송단계(S300) 동안 수행될 수 있다.In the semiconductor material rotating step (S200) in which the semiconductor material picked up by the pick-up unit is rotated at a predetermined angle (a °) about a z-axis, the semiconductor material transported by the semiconductor material picked up by the pick-up unit is transferred along the semiconductor material transfer unit. It may be performed during step S300.
즉, 상기 반도체 자재 회전단계(S200) 및 반도체 자재 이송단계(S300)는 동시에 수행될 수 있다.That is, the semiconductor material rotation step (S200) and the semiconductor material transfer step (S300) may be performed at the same time.
또한, 상기 픽업부에 픽업된 반도체 자재의 측면 이미지를 촬상하는 촬상단계(S400)와 함께 또는 독립적으로 반도체 자재의 하면 이미지를 촬상하는 보조 촬상단계(S500)를 더 포함할 수 있다. 상기 보조 촬상단계(S500)는 상기 촬상단계(S400)에서 이용한 조명부를 이용하여 촬상하거나, 별도로 구비된 다른 조명부를 이용하여 촬상될 수 있다.The method may further include an auxiliary imaging step (S500) of capturing an image of a bottom surface of the semiconductor material together with or independently of the imaging step (S400) of imaging the side image of the semiconductor material picked up by the pickup unit. The auxiliary image capturing step S500 may be imaged using the lighting unit used in the image capturing step S400, or may be captured using another lighting unit provided separately.
즉, 상기 조명부는 전술한 바와 같이 복수 개가 구비될 수 있다.That is, a plurality of lighting units may be provided as described above.
그리고, 상기 촬상단계(S400)는 상기 픽업부에 픽업된 반도체 자재의 크기에 따라 상기 반도체 자재의 측면 이미지의 초점을 맞추기 위하여, 제1 비전유닛을 이동시키는 과정을 포함시킬 수 있다. 제1 비전유닛의 이동방향은 반도체 자재의 이송방향과 수직한 두 방향 중 어느 하나의 방향일 수 있다.In addition, the imaging step S400 may include a process of moving the first vision unit to focus the side image of the semiconductor material according to the size of the semiconductor material picked up by the pickup unit. The moving direction of the first vision unit may be one of two directions perpendicular to the transfer direction of the semiconductor material.
마찬가지로, 상기 보조 촬상단계(S500)는 제2 비전유닛에 의하여 촬상되며, 상기 픽업부에 픽업된 반도체 자재의 두께에 따라 상기 반도체 자재의 하면 이미지의 초점을 맞추기 위하여, 제2 비전유닛이 z축 방향으로 이동하거나 또는 픽업부가 z축 높이를 변화시키는 과정을 포함할 수 있다.Similarly, the auxiliary imaging step S500 is captured by the second vision unit, and the second vision unit is z-axis to focus the bottom image of the semiconductor material according to the thickness of the semiconductor material picked up by the pickup unit. Direction or the pick-up unit may change the z-axis height.
그리고, 전술한 바와 같이, 상기 반도체 자재 촬상단계(S400) 또는 보조 촬상단계(S500) 후 상기 픽업부에 픽업된 반도체 자재를 z축을 중심으로 하여 소정 각도(b°, b°=-a°+(90 x N)° 또는 b°=(90-a)°+(90 x N)°; 여기서 N은 정수)로 회전시키는 재회전단계(S600)를 더 포함할 수 있다.As described above, after the semiconductor material imaging step S400 or the auxiliary imaging step S500, the semiconductor material picked up by the pickup unit is a predetermined angle (b °, b ° = −a ° + with respect to the z axis). (90 x N) ° or b ° = (90-a) ° + (90 x N) ° (where N is an integer) may further include a re-rotation step (S600).
그리고, 상기 촬상단계(S400) 또는 상기 보조 촬상단계(S500)의 검사 결과에 따라 검사된 반도체 자재를 각각의 트레이로 반출하는 반도체 자재의 반출단계(S700)를 더 포함할 수 있다. 즉, 검사결과 양품과 불량품을 각각 다른 트레이에 안착시켜 반도체 자재를 반출할 수 있다.In addition, the semiconductor material may further include a semiconductor material export step (S700) for carrying out the inspected semiconductor material to each tray according to the inspection result of the imaging step (S400) or the auxiliary imaging step (S500). In other words, the semiconductor material can be taken out by placing the good and defective items in different trays.
본 명세서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to preferred embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the following claims. . It is therefore to be understood that the modified embodiments are included in the technical scope of the present invention if they basically include elements of the claims of the present invention.
1000 : 반도체 자재 검사장치
100 : 반도체 자재 공급부
210 : 픽업부
220 : 픽업부 이송유닛
300 : 비전 검사부
330 : 비전유닛
350 : 비전부 이송유닛
360 : 조명부1000: semiconductor material inspection device
100: semiconductor material supply unit
210: pickup section
220: pickup unit transfer unit
300: vision inspection unit
330 vision unit
350: non-transport unit
360: lighting unit
Claims (23)
상기 픽업부에 의하여 흡착되어 이송되는 반도체 자재의 제1 내지 제4 측면 이미지를 촬상하는 제1 비전유닛;
상기 픽업부에 의하여 흡착되어 이송되는 반도체 자재의 제1 측면 이미지 내지 제4 측면 이미지를 상기 제1 비전유닛의 촬상을 위하여 반사시키는 제1 내지 제4 반사유닛;
제3 반사유닛 및 제4 반사유닛에 의해 반사된 제3 및 제4 측면 이미지를 상기 제1 비전유닛으로 각각 재반사하는 제1 및 제2 재반사유닛;
제1 반사유닛 및 제2 반사유닛이 배치되는 제1 영역과 제3 반사유닛, 제4 반사유닛, 제1 재반사유닛 및 제2 재반사유닛이 배치되는 제2 영역 사이에 구비되는 반도체 자재의 이송경로인 반도체 자재 이송부; 및,
상기 픽업부에 의해 흡착되어 이송되는 반도체 자재를 향해 조명을 제공하는 조명부;를 포함하는 반도체 자재 검사장치.A pickup unit capable of being transported in a direction parallel to each of the x and z axis directions orthogonal to each other, rotatable about the z axis, and capable of adsorbing a semiconductor material to be inspected;
A first vision unit configured to capture first to fourth side images of the semiconductor material adsorbed and transferred by the pickup unit;
First to fourth reflection units reflecting first to fourth side images of the semiconductor material absorbed and transferred by the pickup unit for imaging of the first vision unit;
First and second re-reflection units that re-reflect the third and fourth side images reflected by the third and fourth reflection units to the first vision unit, respectively;
Of the semiconductor material provided between the first region where the first reflecting unit and the second reflecting unit are disposed and the second region where the third reflecting unit, the fourth reflecting unit, the first re-reflection unit, and the second re-reflection unit are disposed. A semiconductor material transfer unit which is a transfer path; And
And an illumination unit providing illumination toward the semiconductor material adsorbed and transported by the pickup unit.
반도체 자재를 정렬하는 기능을 수행하는 적재홈이 형성된 테이블을 포함하는 반도체 자재 공급부; 및,
비전 검사가 완료된 반도체 자재가 검사결과에 따라 반출되는 반출부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사장치.The method of claim 1,
A semiconductor material supply unit including a table on which a loading groove for performing a function of aligning semiconductor materials is formed; And
And a carrying-out unit to which the vision inspection-completed semiconductor material is carried out according to the inspection result.
반도체 자재의 제1 측면으로부터 제1 반사유닛을 거쳐 제1 비전유닛에 이르는 제1 경로와,
반도체 자재의 제2 측면으로부터 제2 반사유닛을 거쳐 제1 비전유닛에 이르는 제2 경로와,
반도체 자재의 제3 측면으로부터 제3 반사유닛 및 제1 재반사유닛을 거쳐 제1 비전유닛에 이르는 제3 경로와,
반도체 자재의 제4 측면으로부터 제4 반사유닛 및 제2 재반사유닛을 거쳐 제1 비전유닛에 이르는 제4 경로 간의 거리 편차는,
상기 제1 비전유닛의 초점 심도 이내인 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사장치.The method according to claim 1 or 2,
A first path from the first side of the semiconductor material to the first vision unit via the first reflecting unit,
A second path from the second side of the semiconductor material to the first vision unit via the second reflecting unit,
A third path from the third side of the semiconductor material to the first vision unit via the third reflection unit and the first re-reflection unit;
The distance deviation between the fourth path from the fourth side of the semiconductor material to the first vision unit via the fourth reflecting unit and the second re-reflection unit is
Semiconductor material inspection apparatus, characterized in that within the depth of focus of the first vision unit.
제1 경로 내지 제4 경로가 동일 길이인 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사장치.The method of claim 3,
A semiconductor material inspection apparatus, wherein the first to fourth paths have the same length.
제1 반사유닛은 반도체 자재의 제1 측면으로부터 제1 반사유닛에 이르는 제1 경로 방향으로 진퇴 이동 가능하고,
제3 반사유닛은 반도체 자재의 제3 측면으로부터 제3 반사유닛에 이르는 제3 경로 방향으로 진퇴 이동 가능하며,
제1 재반사유닛은 x축 및 z축과 직교하는 y축을 따라 진퇴 이동 가능한 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사장치.The method of claim 3,
The first reflecting unit is movable in the first path direction from the first side of the semiconductor material to the first reflecting unit,
The third reflecting unit is movable in the third path direction from the third side of the semiconductor material to the third reflecting unit,
And the first re-reflection unit is capable of moving forward and backward along the y axis orthogonal to the x and z axes.
제2 반사유닛은 반도체 자재의 제2 측면으로부터 제2 반사유닛에 이르는 제2 경로 방향으로 진퇴 이동 가능하고,
제4 반사유닛은 반도체 자재의 제4 측면으로부터 제4 반사유닛에 이르는 제4 경로 방향으로 진퇴 이동 가능하며,
제2 재반사유닛은 x축 및 z축과 직교하는 y축을 따라 진퇴 이동 가능한 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사장치.The method of claim 3,
The second reflecting unit is movable in the second path direction from the second side surface of the semiconductor material to the second reflecting unit,
The fourth reflecting unit is movable in the fourth path direction from the fourth side of the semiconductor material to the fourth reflecting unit,
And the second re-reflection unit is capable of moving forward and backward along the y axis orthogonal to the x and z axes.
제1 비전유닛는 반도체 자재의 크기에 따라 초점을 변경하기 위하여, x축 및 z축과 직교하는 y축 방향으로 이동 가능한 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사장치.The method according to claim 1 or 2,
The first vision unit is movable in the y-axis direction orthogonal to the x-axis and z-axis in order to change the focus according to the size of the semiconductor material.
상기 반도체 자재 이송부의 하부에 배치되어 상기 픽업부에 의해 이송되는 반도체 자재의 하면 이미지를 촬상하기 위한 제2 비전유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사장치.The method according to claim 1 or 2,
And a second vision unit disposed under the semiconductor material transfer unit and configured to capture an image of a bottom surface of the semiconductor material transferred by the pickup unit.
상기 조명부는 중심 영역에 관통구를 구비하며, 상기 제2 비전유닛은 상기 조명부의 관통구 하부에 배치되어 상기 조명부의 관통구를 통해 반도체 자재의 하면 이미지를 촬상하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사장치.9. The method of claim 8,
The lighting unit has a through hole in a central area, and the second vision unit is disposed under the through hole of the lighting unit, and the semiconductor material inspection device according to claim 1, wherein the semiconductor material is photographed through the through hole of the lighting unit. .
상기 조명부는 상기 제2 비전유닛과 x축 방향으로 이격 또는 나란히 배치되며, 상기 반도체 자재 이송부 방향으로 조명을 제공하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사장치.9. The method of claim 8,
The lighting unit is spaced apart or parallel to the second vision unit in the x-axis direction, the semiconductor material inspection device, characterized in that to provide illumination in the direction of the semiconductor material transfer unit.
상기 조명부는 상기 반도체 자재 이송부의 하부에 x축 방향으로 상기 제2 비전유닛과 이격 또는 나란히 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사장치.The method of claim 10,
The illumination unit is a semiconductor material inspection device, characterized in that spaced apart from or parallel to the second vision unit in the x-axis direction below the semiconductor material transfer unit.
상기 조명부는 제2 비전유닛에 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사장치.The method of claim 10,
The lighting unit is a semiconductor material inspection device, characterized in that provided in the second vision unit.
상기 반출부는 반도체 자재의 검사결과에 따라 반도체 자재를 적재하는 트레이 및 상기 트레이를 이송하기 위한 적어도 2개 이상의 반출 트레이 이송유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사장치.The method of claim 2,
And the carrying-out unit includes a tray for loading semiconductor materials and at least two carrying tray transfer units for transferring the trays according to the inspection result of the semiconductor material.
상기 테이블의 적재홈에 수용되어 정렬이 이루어진 반도체 자재가 상기 픽업부에 의해 흡착되어 반도체 자재 이송부를 따라 이송되는 과정 중에 반도체 자재의 측면 이미지가 촬상에 의하여 검사된 후 검사 결과에 따라 상기 트레이에 적재되어 상기 반출 트레이 이송유닛에 의하여 각각의 트레이가 반출되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사장치.The method of claim 13,
While the semiconductor material accommodated and aligned in the loading groove of the table is absorbed by the pickup unit and transported along the semiconductor material transfer unit, the side image of the semiconductor material is inspected by imaging and then loaded into the tray according to the inspection result. And the respective trays are taken out by the carrying out tray transfer unit.
상기 픽업부에 픽업된 반도체 자재가 z축을 중심으로 하여 소정 각도(a°)로 회전시키는 회전단계;
상기 픽업부에 픽업된 반도체 자재가 반도체 자재 이송부를 따라 이송하는 이송단계; 및
상기 반도체 자재 이송부를 따라 이동하는 반도체 자재를 향해 조명부가 조명을 제공하며 제1 검사유닛이 상기 반도체 자재의 제1 내지 제4 측면 이미지를 촬상하는 촬상단계;를 포함하는 반도체 자재 검사방법.In the method of inspecting a semiconductor material using the semiconductor material inspection device according to claim 1,
A rotating step of rotating the semiconductor material picked up by the pick-up unit at a predetermined angle (a °) about a z-axis;
A transfer step of transferring the semiconductor material picked up by the pickup unit along a semiconductor material transfer unit; And
And an imaging unit, wherein an illumination unit provides illumination toward a semiconductor material moving along the semiconductor material transfer unit, and the first inspection unit captures the first to fourth side images of the semiconductor material.
상기 픽업부에 픽업된 반도체 자재가 z축을 중심으로 하여 소정 각도(a°)로 회전시키는 회전단계는 상기 픽업부에 픽업된 반도체 자재가 반도체 자재 이송부를 따라 이송되는 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사방법.16. The method of claim 15,
The rotating step of rotating the semiconductor material picked up in the pickup unit at a predetermined angle (a °) about the z axis is performed while the semiconductor material picked up in the pickup unit is transferred along the semiconductor material transfer unit. Material inspection method.
상기 촬상단계 후 상기 픽업부에 픽업된 반도체 자재를 z축을 중심으로 하여 소정 각도(b°, b°=-a°+ (90 x N)° 또는 b°=(90-a)°+ (90 x N)°; 여기서 N은 정수)로 회전시키는 재회전단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사방법.17. The method according to claim 15 or 16,
After the imaging step, the semiconductor material picked up by the pick-up unit has a predetermined angle (b °, b ° = -a ° + (90 x N) ° or b ° = (90-a) ° + (90) about a z axis. x N) °; where N is an integer) and a re-rotation step.
상기 픽업부에 픽업된 반도체 자재의 하면 이미지를 촬상하는 보조 촬상단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사방법.16. The method of claim 15,
And an auxiliary image pickup step of picking up an image of the bottom surface of the semiconductor material picked up by the pickup unit.
상기 보조 촬상단계는, 상기 촬상단계에서 이용한 조명부를 이용하여 촬상하거나, 별도로 구비된 다른 조명부를 이용하여 촬상하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사방법.19. The method of claim 18,
The auxiliary imaging step, the semiconductor material inspection method characterized in that the imaging using the illumination unit used in the imaging step, or imaging using another illumination unit provided separately.
상기 촬상단계는 상기 픽업부에 픽업된 반도체 자재의 크기에 따라 상기 반도체 자재의 측면 이미지의 초점을 맞추기 위하여, 제1 비전유닛을 이동시키는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사방법.16. The method of claim 15,
And the imaging step includes moving the first vision unit to focus the side image of the semiconductor material according to the size of the semiconductor material picked up by the pick-up unit.
상기 촬상단계에서 제1 비전유닛은 y축 방향 또는 z축 방향으로 이동되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사방법.21. The method of claim 20,
And the first vision unit is moved in the y-axis direction or the z-axis direction in the imaging step.
상기 촬상단계는 상기 픽업부에 픽업된 반도체 자재의 두께에 따라 상기 반도체 자재의 하면 이미지의 초점을 맞추기 위하여, 제2 비전유닛이 z축 방향으로 이동하거나 또는 픽업부가 z축 높이를 변화시키는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사방법.16. The method of claim 15,
In the imaging step, the second vision unit moves in the z-axis direction or the pickup unit changes the z-axis height in order to focus the bottom image of the semiconductor material according to the thickness of the semiconductor material picked up by the pickup unit. Semiconductor material inspection method comprising a.
상기 촬상단계의 검사 결과에 따라 검사된 반도체 자재를 서로 다른 트레이로 반출하는 반도체 자재 반출단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사방법.The method of claim 15 or 18,
And a semiconductor material carrying-out step of carrying out the semiconductor material inspected according to the inspection result of the imaging step to different trays.
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