KR101324973B1 - Semiconductor Package Inspecting Unit, Semiconductor Package Inspecting Device and Semiconductor Package Inspecting method - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 패키지의 포밍 공정과 싱귤레이션 공정이 완료된 반도체 패키지를 촬상(撮像)하여 포밍된 리드 등의 성형 불량 여부를 효율적이고 정확하게 판단할 수 있는 반도체 패키지 검사장치 및 반도체 패키지 검사방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor package inspection device and a semiconductor package inspection method capable of efficiently and accurately determining whether or not a molding defect, such as a formed lead, is formed by imaging a semiconductor package in which a forming process and a singulation process of a semiconductor package have been completed. .
Description
본 발명은 반도체 패키지 검사장치 및 반도체 패키지 검사방법에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 반도체 패키지의 포밍 공정과 싱귤레이션 공정이 완료된 반도체 패키지를 촬상(撮像)하여 포밍된 리드 등의 성형 불량 여부를 효율적이고 정확하게 판단할 수 있는 반도체 패키지 검사장치 및 반도체 패키지 검사방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor package inspection apparatus and a semiconductor package inspection method. More specifically, the present invention provides a semiconductor package inspection device and semiconductor package inspection capable of efficiently and accurately determining whether or not molding defects, such as a formed lead, are formed by imaging a semiconductor package in which a forming process and a singulation process of a semiconductor package have been completed. It is about a method.
반도체 패키지는 리드 프레임의 리드와 리드 사이의 댐바(Dam-Bar)를 절단하는 트림(trim) 공정, 트림 공정이 끝난 패키지의 리드를 일정한 모양을 갖추도록 하는 포밍(forming) 공정, 리드 프레임에서 복수 개의 반도체 패키지들을 개별화하는 싱귤레이션(singulation) 공정 등으로 제조될 수 있다.The semiconductor package includes a trim process of cutting a dam-bar between a lead of the lead frame and a lead, a forming process of forming a lead of the package after the trim process, and a plurality of lead frames. And a singulation process for individualizing the two semiconductor packages.
포밍 공정은 반도체 패키지의 측면 등에 구비된 리드가 기판 상의 패턴 또는 접점에 접합될 수 있도록 리드를 미리 결정된 형상으로 프레스 등을 통하여 성형하는 공정이다.The forming process is a process of forming the lead into a predetermined shape through a press or the like so that the lead provided on the side surface of the semiconductor package and the like can be bonded to the pattern or the contact point on the substrate.
각각의 반도체 패키지에는 복수 개의 리드가 구비될 수 있으며, 각각의 리드는 접합되는 기판의 각각의 접점에 정확하게 접합될 수 있도록 성형되어야 한다.Each semiconductor package may be provided with a plurality of leads, and each lead must be shaped to be precisely bonded to each contact of the substrate to be bonded.
그러나, 포밍 공정에서 성형 불량이 발생된 경우에는 하방으로 절곡된 리드의 높이 편차 등이 발생될 수 있으며, 이와 같은 높이 편차는 반도체 패키지를 기판에 접합하는 접합과정의 불량을 야기할 수 있다.However, when a molding defect occurs in the forming process, a height deviation of the lead bent downward may occur, and such height deviation may cause a defect in the bonding process of bonding the semiconductor package to the substrate.
따라서, 기판에 접합하기 전에 트리밍 또는 포밍 공정에서 성형 불량이 발생된 반도체 패키지의 유무를 검사하여 불필요한 공정 또는 완제품 불량을 줄이기 위한 방법이 필요하다.Therefore, there is a need for a method for reducing unnecessary process or finished product defects by inspecting the presence or absence of a semiconductor package in which a molding defect occurs in a trimming or forming process before bonding to a substrate.
또한, 이러한 검사는 반도체 패키지의 리드 등을 촬상하여 촬상된 이미지를 근거로 리드의 성형 불량 여부를 판단하는 방법으로 수행될 수 있지만, 개별 반도체 패키지 단위로 검사공정이 수행되는 경우에는 검사효율이 지나치게 낮을 수 있다.In addition, the inspection may be performed by taking a lead or the like of the semiconductor package and determining whether the lead is poorly formed on the basis of the captured image. However, when the inspection process is performed in individual semiconductor package units, the inspection efficiency is excessive. Can be low.
또한, 반도체 패키지의 리드를 촬상하기 위하여 조명이 제공될 수 있으며, 제공된 조명이 리드 등에 반사되는 경우, 빛반사에 의한 반사광이 과다한 경우 정확한 리드의 이미지를 얻기 어렵다.In addition, illumination may be provided for imaging the lead of the semiconductor package, and when the provided illumination is reflected on the lead or the like, it is difficult to obtain an accurate lead image when the reflected light by the light reflection is excessive.
또한, 일반적으로 반도체 패키지의 리드는 반도체 자재의 측면 방향으로 대칭되도록 구비되며, 포밍 성형된 리드의 스탠드 오프(Stand Off: 반도체 패키지 하면에서부터 성형된 리드 끝단부 까지의 높이를 뜻함) 측정 시 반도체 패키지 하면 촬상을 위한 초점거리와 리드 끝단부 촬상을 위한 초점 거리가 상이하여 스탠드 오프를 측정하기 위한 광학 촬상시 초첨거리에 따라 영상이 선명하지 못한 영역이 발생될 수 있으며, 초점거리의 불일치에 의한 촬상 이미지의 뭉개짐이 발생되면, 촬상된 이미지에서 각각의 위치를 선정하기 어려워 스탠드 오프를 정확하게 측정할 수 없어 리드의 길이를 측정하여 리드의 성형 과정에서 발생되는 불량을 정확하게 판단하기 어렵다.In addition, the lead of the semiconductor package is generally provided to be symmetrical in the lateral direction of the semiconductor material, and when measuring the stand off of the formed molded lead (meaning the height from the bottom of the semiconductor package to the end of the molded lead) When the optical distance for measuring the standoff is different because the focal length for imaging and the lead end imaging are different from each other, an area in which the image is not clear may occur depending on the focal length. When the crushing of the image is generated, it is difficult to select each position in the captured image, it is difficult to accurately measure the standoff, it is difficult to accurately determine the defects generated during the molding process of the lead by measuring the length of the lead.
본 발명은 반도체 패키지의 포밍 공정과 싱귤레이션 공정이 완료된 반도체 패키지를 촬상하여, 포밍된 리드 등이 존재하는 반도체 패키지를 판별할 수 있으며, 검사효율이 향상되고, 검사의 정확성을 담보할 수 있는 반도체 패키지 검사장치 및 반도체 패키지 검사방법을 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.According to the present invention, a semiconductor package in which a forming process and a singulation process of a semiconductor package are completed may be photographed to determine a semiconductor package in which a formed lead or the like exists, and the inspection efficiency may be improved, and the semiconductor may be secured for inspection accuracy. It is an object of the present invention to provide a package inspection apparatus and a semiconductor package inspection method.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 반도체 패키지가 안착되는 안착부, 상기 반도체 패키지 리드의 측면 이미지를 하방으로 반사시키는 반사부 및 상면의 높이가 상기 안착부의 저면의 높이 보다 미리 결정된 수직거리만큼 더 높이 위치하는 돌출부를 구비하는 검사블록, 상기 검사블록 양측에 배치되어 상기 검사블록 방향으로 조명을 제공하는 적어도 1개 이상의 조명부 및, 상기 검사블록 하부에 구비되어 상기 검사블록의 반사부에서 반사된 이미지를 촬상하기 위한 비전유닛을 포함하는 반도체 패키지 검사유닛을 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention provides a mounting portion on which the semiconductor package is mounted, a reflecting portion reflecting the side image of the semiconductor package lead downward, and a height of an upper surface of the semiconductor package lead by a predetermined vertical distance more than the height of the bottom surface of the mounting portion. An inspection block having a protrusion positioned at a height, at least one illumination unit disposed at both sides of the inspection block to provide illumination in the direction of the inspection block, and an image provided below the inspection block and reflected from the reflection unit of the inspection block It provides a semiconductor package inspection unit comprising a vision unit for imaging.
또한, 상기 돌출부의 측단의 폭은 한 쌍의 반사부 상단 사이의 거리와 일치할 수 있다.In addition, the width of the side end of the protrusion may match the distance between the top of the pair of reflecting portion.
이 경우, 상기 검사블록의 돌출부의 안착부 저면으로부터의 돌출 높이는, 리드의 외측 단부에서부터 반사부까지의 수평 거리와 리드의 외측 단부에서부터 돌출부의 상면까지의 수직거리 간의 편차가 비전유닛의 초점심도(DOF: depth of field) 이내가 되도록 결정될 수 있다.In this case, the height of the projection from the bottom of the seating portion of the protrusion of the inspection block is the difference between the horizontal distance from the outer end of the lid to the reflecting portion and the vertical distance from the outer end of the lid to the top surface of the projection is the depth of focus of the vision unit ( Can be determined to be within depth of field (DOF).
그리고, 상기 돌출부의 측면 경사는 상기 반사부의 측면 경사보다 작을 수 있다.The side slope of the protrusion may be smaller than the side slope of the reflector.
여기서, 상기 돌출부의 측면과 상면은 평면(平面)이며, 선접촉(Line Contact)할 수 있다.Here, the side surface and the upper surface of the protruding portion may be flat and may be in line contact.
또한, 상기 비전유닛에서 촬상한 이미지로부터 리드의 외측 단부와 돌출부의 측면 단부 간의 수평방향 거리를 계산하여 각각의 리드의 스탠드 오프를 판단할 수 있다.In addition, the standoff of each lead may be determined by calculating a horizontal distance between the outer end of the lead and the side end of the protrusion from the image captured by the vision unit.
또한, 상기 조명부는 적어도 1개 이상의 광원, 상기 광원이 장착되는 기판 및 상기 광원 하부에 구비되어 상기 광원에서 조사되는 빛이 입사되어 확산되어 측부의 경사진 조사면을 통해 조명을 제공하는 확산부재를 포함할 수 있다.The lighting unit may further include at least one light source, a substrate on which the light source is mounted, and a diffusion member provided below the light source to diffuse light incident from the light source to diffuse and provide illumination through an inclined irradiation surface of the side. It may include.
이 경우, 상기 확산부재의 하단은 검사대상 반도체 패키지가 상기 안착부에 안착된 상태에서 상기 반도체 패키지의 리드의 하단보다 더 아래의 위치에 배치될 수 있다.In this case, the lower end of the diffusion member may be disposed at a position lower than the lower end of the lead of the semiconductor package while the inspection target semiconductor package is seated on the seating portion.
여기서, 상기 확산부재는 하방으로 갈수록 그 폭이 좁아질 수 있다.Here, the width of the diffusion member may be narrowed downward.
또한, 상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 포밍 성형된 리드를 구비하는 복수 개의 반도체 패키지를 함께 픽업하는 픽업부, 반도체 패키지가 안착되는 안착부, 상기 반도체 패키지 리드의 측면 이미지를 하방으로 반사시키는 반사부, 및 상면의 높이가 상기 안착부의 저면의 높이 보다 미리 결정된 수직거리만큼 더 높이 위치하는 돌출부를 구비하는 복수 개의 검사블록, 상기 검사블록 양측에 배치되어 상기 검사블록 방향으로 조명을 제공하는 적어도 1개 이상의 조명부, 상기 검사블록 하부에 구비되어 상기 검사블록의 반사부에서 반사된 이미지를 촬상하며, 복수 개의 상기 검사블록을 따라 변위 가능한 비전부 및, 상기 비전부에서 촬상된 이미지를 통해 반도체 패키지의 성형 불량 여부를 판단하며, 상기 픽업부, 상기 검사블록, 상기 조명부 및 상기 비전부를 제어하는 제어부를 포함하는 반도체 패키지 검사장치를 제공한다.In addition, in order to solve the above problems, the present invention provides a pickup portion for picking up a plurality of semiconductor packages having a molded molded lead together, a seating portion on which the semiconductor package is seated, and reflecting the side images of the semiconductor package leads downward. A plurality of inspection blocks having a reflecting portion and a protrusion having a height of an upper surface positioned by a predetermined vertical distance higher than a height of a bottom surface of the seating portion, at least disposed on both sides of the inspection block to provide illumination in the direction of the inspection block; One or more lighting units, provided under the inspection block to capture an image reflected by the reflecting portion of the inspection block, a vision unit that can be displaced along a plurality of the inspection block, and a semiconductor package through the image captured by the vision unit Determine whether the molding failure, the pickup, the inspection block, the lighting unit and It provides a semiconductor package inspection device including a control unit for controlling the vision unit.
이 경우, 각각의 검사블록 사이에 각각 구비되는 상기 조명부는 양측 검사블록에 조명을 제공할 수 있다.In this case, the lighting unit provided between each inspection block may provide illumination to both inspection blocks.
그리고, 상기 검사블록은 상기 검사블록의 안착부에 안착된 상기 반도체 패키지를 진공 흡착하기 위한 흡착홀을 구비할 수 있다.In addition, the inspection block may include an adsorption hole for vacuum adsorption of the semiconductor package seated on the seating portion of the inspection block.
여기서, 상기 픽업부는 한 쌍이 구비되고, 각각의 상기 픽업부는 복수 개의 반도체 패키지를 함께 픽업하기 위한 복수 개의 픽업유닛을 구비하고, 상기 한 쌍의 픽업부는 동일한 이송부에 장착될 수 있다.Here, the pick-up unit may be provided with a pair, and each of the pick-up units may include a plurality of pickup units for picking up a plurality of semiconductor packages together, and the pair of pick-up units may be mounted on the same transfer unit.
이 경우, 상기 한 쌍의 픽업부 중 어느 하나의 픽업부는 반도체 패키지를 싱귤레이션 공정이 수행되는 싱귤레이션 장치에서 상기 검사블록으로 검사대상 반도체 패키지를 이송하며, 다른 하나의 픽업부는 상기 검사블록에서 검사된 반도체 패키지를 반출장치로 이송할 수 있다.In this case, any one of the pair of pickups transfers the semiconductor package to the inspection block from the singulation device in which a singulation process is performed on the semiconductor package, and the other pickup is inspected by the inspection block. The semiconductor package can be transferred to the carrying device.
그리고, 상기 제어부는 상기 비전부에서 촬상된 이미지로부터 각각의 리드의 스탠드 오프를 판단하기 위한 수평방향 길이를 판단하고, 상기 제어부에 저장된 기준길이와 비교하여 반도체 패키지 리드의 성형 불량 여부를 판단할 수 있다.The controller may determine a horizontal length for determining a standoff of each lead from the image captured by the vision unit, and determine whether the semiconductor package lead is poorly formed by comparing the reference length stored in the controller. have.
여기서, 상기 제어부는 리드의 외측 단부와 돌출부 측면 단부 간의 수평방향 거리를 계산하여 스탠드오프 길이를 구할 수 있다.Here, the control unit may calculate the horizontal distance between the outer end of the lead and the side end of the protrusion to obtain the standoff length.
또한, 상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 반도체 패키지가 안착되는 안착부, 상기 반도체 패키지 리드의 측면 이미지를 하방으로 반사시키는 반사부, 및 상면의 높이가 상기 안착부의 저면의 높이 보다 미리 결정된 수직거리만큼 더 높이 위치하는 돌출부를 구비하는 검사블록의 상기 안착부 상에 반도체 패키지를 안착시키는 반도체 패키지 안착과정, 반도체 패키지가 안착된 검사블록의 양측에 구비된 조명부을 이용하여 조명을 제공하며, 상기 검사블록 하부에 구비되어 상기 검사블록의 반사부에서 반사된 이미지를 촬상하는 반도체 패키지 촬상과정, 촬상된 이미지로부터 기준위치 및 각각의 리드의 단부의 위치를 판단하여, 각각의 리드의 스탠드 오프를 판단하는 리드의 스탠드 오프 판단과정 및, 상기 리드의 스탠드 오프 판단과정에서 판단 결과에 따라 반도체 패키지의 리드의 불량을 판단하는 반도체 패키지 불량 판단과정;을 포함하는 반도체 패키지 검사방법을 제공한다.In addition, in order to solve the above problems, the present invention provides a mounting portion in which a semiconductor package is seated, a reflecting portion reflecting a side image of the semiconductor package lead downward, and a height of an upper surface of which is determined in advance than a height of a bottom surface of the mounting portion. A semiconductor package mounting process for seating a semiconductor package on the seating portion of the inspection block having a protrusion located higher by a distance, providing illumination by using lighting units provided on both sides of the inspection block on which the semiconductor package is seated. A semiconductor package imaging process for capturing an image reflected by the reflecting portion of the inspection block provided under the block, and determining a standoff of each lead by determining a reference position and an end position of each lead from the captured image. In the standoff determination process of the lead and the standoff determination process of the lead, Depending on the process result semiconductor package failure determination to determine a failure of the lead of a semiconductor package; provides a semiconductor package inspection method comprising a.
이 경우, 반도체 패키지 촬상과정은 하방으로 갈수록 상기 검사블록과 거리가 증가되도록 경사진 조명부를 구성하는 확산부재의 조명 조사면에서 조명을 제공하는 상태로 수행될 수 있다.In this case, the semiconductor package imaging process may be performed in a state in which the illumination is provided from the illumination irradiation surface of the diffusion member constituting the inclined illumination unit such that the distance from the inspection block is increased downward.
또한, 상기 리드의 스탠드 오프 판단과정은 촬상된 이미지에서 상기 돌출부의 측면 단부 위치와 리드의 외측 단부 위치 간의 수평거리를 측정하여 스탠드 오프를 판단할 수 있다.In addition, the standoff determination process of the lead may determine the standoff by measuring a horizontal distance between the side end position of the protrusion and the outer end position of the lead in the captured image.
본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치 및 반도체 패키지 검사방법에 의하면, 복수 개의 반도체 패키지를 함께 반도체 패키지 검사장치 및 반도체 패키지 검사방법으로 이송하여 안착시켜 검사 공정을 수행할 수 있으므로 반도체 패키지 검사 공정의 효율이 향상될 수 있다.According to the semiconductor package inspection apparatus and the semiconductor package inspection method according to the present invention, since the plurality of semiconductor packages can be transferred to the semiconductor package inspection device and the semiconductor package inspection method to be seated to perform the inspection process, the efficiency of the semiconductor package inspection process is improved. Can be improved.
또한, 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치 및 반도체 패키지 검사방법에 의하면, 적어도 1열 이상의 반도체 패키지를 각각의 안착부에 함께 안착시킨 뒤 검사 공정을 수행하며, 각각의 반도체 패키지 안착부 사이에 조명유닛을 구비하고 조명유닛에서 조사되는 조명을 양방향으로 공유하며, 반도체 패키지 검사 공정을 위한 비전유닛을 공유하게 되므로 복수 개의 반도체 패키지를 함께 검사하기 위한 검사장치의 설비비용을 최소화할 수 있다.In addition, according to the semiconductor package inspection apparatus and the semiconductor package inspection method according to the present invention, at least one or more rows of the semiconductor package is seated together in each seating portion and the inspection process is performed, the illumination unit between each semiconductor package seating portion And share the illumination irradiated from the lighting unit in both directions, and share the vision unit for the semiconductor package inspection process can minimize the installation cost of the inspection apparatus for inspecting a plurality of semiconductor packages together.
또한, 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치 및 반도체 패키지 검사방법에 의하면, 조명부를 구성하는 확산부재가 경사면이 되도록 구성하여 촬상대상 리드에 빛반사에 의한 반사광을 최소화하여 비전유닛에 의하여 촬상된 이미지의 정확성이 향상될 수 있다.In addition, according to the semiconductor package inspection apparatus and the semiconductor package inspection method according to the present invention, the diffusion member constituting the illumination unit is configured to be an inclined surface to minimize the reflected light by the light reflection on the lead to be captured to capture the image captured by the vision unit Accuracy can be improved.
또한, 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치 및 반도체 패키지 검사방법에 의하면, 검사대상 반도체 패키지의 리드의 스탠드 오프를 판단하기 위한 기준위치를 리드 끝단부의 촬상 초점거리와 동일한 초점거리를 갖는 검사블록의 특정 영역으로 선정하여 촬상된 이미지로부터 리드의 스탠드 오프를 판단하는 과정의 정확성을 향상시켜, 불량 반도체 패키지의 검출을 위한 검사장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Further, according to the semiconductor package inspection apparatus and the semiconductor package inspection method according to the present invention, the specification of the inspection block having a focal length equal to the imaging focal length of the lead end portion of the reference position for determining the stand off of the lead of the inspection target semiconductor package It is possible to improve the accuracy of the process of determining the standoff of the lead from the image picked up as the area, thereby improving the reliability of the inspection apparatus for detecting the defective semiconductor package.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치를 포함하는 반도체 패키지 제조설비를 도시한다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사방법을 간략화하여 도시한다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사유닛의 예를 도시한다.
도 4는 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사유닛에 의하여 촬상된 이미지의 일예를 도시한다.
도 5는 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사유닛을 구성하는 검사블록의 일예를 도시한다.
도 6은 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사유닛의 상세도를 도시한다.
도 7은 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사유닛에 의하여 촬상된 이미지의 다른 예를 도시한다.
도 8은 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치를 도시한다.
도 9는 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치의 안착부 근방의 단면도를 도시한다.
도 10은 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치의 측면도를 도시한다.
도 11은 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치의 블록 구성도를 도시한다.
도 12는 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사방법을 도시한다.1 shows a semiconductor package manufacturing apparatus including a semiconductor package inspection apparatus according to the present invention.
2 shows a simplified method of inspecting a semiconductor package according to the present invention.
3 shows an example of a semiconductor package inspection unit according to the present invention.
4 shows an example of an image captured by the semiconductor package inspection unit according to the present invention.
5 shows an example of an inspection block constituting a semiconductor package inspection unit according to the present invention.
6 shows a detailed view of a semiconductor package inspection unit according to the invention.
7 shows another example of an image picked up by the semiconductor package inspection unit according to the present invention.
8 shows a semiconductor package inspection apparatus according to the present invention.
9 is a sectional view of the vicinity of a seating portion of the semiconductor package inspection apparatus according to the present invention.
10 shows a side view of a semiconductor package inspection device according to the present invention.
11 is a block diagram of a semiconductor package inspection apparatus according to the present invention.
12 illustrates a semiconductor package inspection method according to the present invention.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명된 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록, 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure can be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Like numbers refer to like elements throughout.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치(1000)를 포함하는 반도체 패키지 제조설비(1)를 도시한다.1 shows a semiconductor
반도체 패키지는 리드 프레임의 리드와 리드 사이의 댐바를 절단하는 트림(trim) 공정, 트림 공정이 끝난 패키지의 리드를 일정한 모양을 갖추도록 하는 포밍(forming) 공정, 리드 프레임에서 복수 개의 반도체 패키지들을 개별화하는 싱귤레이션(singulation) 공정 등으로 제조될 수 있다.The semiconductor package includes a trim process of cutting the lead of the lead frame and a dam bar between the leads, a forming process of forming the lead of the trimmed package to have a uniform shape, and individualizing a plurality of semiconductor packages in the lead frame. It may be manufactured by a singulation process or the like.
본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치(1000)에 의한 반도체 패키지 검사 공정은 상기 싱귤레이션 공정의 후속 공정으로 수행될 수 있다.The semiconductor package inspection process by the semiconductor
도 1에 도시된 바와 같이, 상기 싱귤레이션 공정을 위한 싱귤레이션 장치(2)는 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치(1000)와 나란히 구비되어 검사대상 반도체 패키지의 이송경로가 최소화될 수 있다.As illustrated in FIG. 1, the
또한, 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치(1000)를 구성하는 픽업부는 상기 싱귤레이션 장치(2)로부터 검사대상 반도체 패키지를 이송하도록 구성될 수 있다.In addition, the pickup unit constituting the semiconductor
본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치(1000)는 반도체 패키지 검사 공정의 효율을 향상시키기 위하여 복수 개의 반도체 패키지를 함께 이송, 안착 및 검사를 수행할 수 있다는 특징을 갖는다. 따라서, 상기 픽업부(110)는 복수 개의 검사대상 반도체 패키지를 함께 픽업할 수 있도록 복수 개의 픽업유닛(도면부호 미도시)을 구비할 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 뒤로 미룬다.The semiconductor
도 1에 도시된 바와 같이, 싱귤레이션 장치(2)에 의한 싱귤레이션 공정, 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사 공정이 완료되면, 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치(1000)를 구성하는 픽업부(110)에 의하여 검사완료된 반도체 패키지를 반출장치(3)에 이송할 수 있다.As shown in FIG. 1, when the singulation process by the
상기 반출장치(3)에 적재된 반도체 패키지 중 검사결과 불량이라고 판단되는 반도체 패키지는 후속공정으로 공급되지 않도록 분리되거나, 불량품으로 관리되도록 할 수 있다.Among the semiconductor packages loaded on the carrying
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치(1000)는 한 쌍의 픽업부(110a, 110b)를 구비할 수 있다. 따라서, 상기 싱귤레이션 장치(2)에서 픽업하는 픽업과정과 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치(1000)에서 검사가 완료된 반도체 패키지를 반출하기 위한 픽업과정은 각각의 픽업부(110a, 110b)에 의하여 수행될 수 있으며, 반도체 검사장치 및 반출장치(3)로 이송하는 과정도 각각의 픽업부(110a, 110b)에 의하여 독립적으로 수행될 수 있다. 그리고, 각각의 픽업부(110a, 110b)는 반도체 패키지를 픽업한 상태로 하나의 이송부(120)에 의하여 이송될 수 있다.As shown in FIG. 1, the semiconductor
한 쌍의 상기 픽업부(110a, 110b)는 각각 싱귤레이션 장치(2) 및 반도체 패키지 검사장치(1000)에서 픽업과정을 각각 수행하고, 상기 이송부(120)에 의하여 이송되어 반도체 패키지 검사장치(1000) 및 반출장치(3)로 이송하고, 픽업된 상태의 반도체 패키지를 반도체 패키지 검사장치(1000) 및 반출장치(3)에 각각 안착시킬 수 있다.The pair of
도 2는 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사방법을 간략화하여 도시한다.2 shows a simplified method of inspecting a semiconductor package according to the present invention.
전술한 바와 같이, 본 발명은 리드를 구비하는 반도체 패키지의 트리밍 또는 포밍 공정에서 반도체 패키지의 리드의 성형 불량을 판단하기 위한 검사장치이다.As described above, the present invention is an inspection apparatus for determining a molding failure of a lead of a semiconductor package in a trimming or forming process of a semiconductor package having a lead.
또한, 각각의 반도체 패키지의 측면에서 직접 리드의 측면 이미지를 촬상하기 위해서는 카메라를 복수 개 구비하거나 칩을 회전시켜야 하는 번거로움이 있으므로, 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치(1000)는 반도체 패키지(C)의 복수 측면에 구비된 리드가 포함된 이미지의 촬상(撮像) 횟수를 최소화하기 위하여 반도체 패키지의 리드의 측면 이미지를 하방으로 반사시켜 검사블록(200) 하부에 구비되는 비전유닛(510)에 의하여 촬상하여 촬상된 이미지를 분석하여 반도체 패키지의 하면으로부터 리드 끝단까지의 높이(Stand Off), 리드간의 왜곡(Skew) 등을 검사한다.In addition, in order to photograph the side image of the lead directly from the side of each semiconductor package, it is troublesome to have a plurality of cameras or to rotate the chip, the semiconductor
상기 검사블록(200)은 상면에 안착부(210)가 구비될 수 있으며, 하부에 경사진 반사부(213)가 구비될 수 있다.The
물론, 상기 반도체 패키지의 하면으로부터 리드 끝단까지의 높이(Stand Off)는 특정 반도체 패키지의 대향하는 측면에 구비된 리드들에서도 발생되어서는 안되지만, 동일한 측면에 구비된 리드들에서 발생되지 않는 것이 더 중요할 수 있다. 동일 측면에 구비된 리드들 중 특정 리드의 성형 불량이 발생되면 특정 리드가 구비된 측면의 리드들에서 접합불량이 발생될 가능성이 더 크기 때문이다.Of course, the height from the lower surface of the semiconductor package to the end of the lead should not occur in the leads provided on the opposing side of the specific semiconductor package, but more importantly, it does not occur in the leads provided on the same side. can do. This is because when a molding failure of a specific lead among the leads provided on the same side occurs, a bonding defect is more likely to occur in the leads on the side provided with the specific lead.
도 2에서는 특정 리드의 성형 불량을 설명하기 위하여 대향하는 측면에 구비된 리드들을 관찰하기 용이하도록 측면도를 예로 들어 설명한다.In FIG. 2, a side view is taken as an example to facilitate observing leads provided on opposite sides in order to explain molding failure of a specific lead.
구체적으로 도 2(a)는 정상적으로 트리밍 또는 포밍 공정이 수행된 반도체 패키지(C1)의 검사과정의 예를 도시하며, 도 2(b)는 비정상적으로 포밍 공정이 수행된 반도체 패키지(C2)의 검사과정의 예를 도시한다.Specifically, FIG. 2A illustrates an example of an inspection process of a semiconductor package C1 in which a trimming or forming process is normally performed, and FIG. 2B illustrates an inspection of a semiconductor package C2 in which an abnormally forming process is performed. An example of the process is shown.
구체적으로 도 2(a)에 도시된 예는 검사블록(200)에 안착된 반도체 패키지(C1)의 양측면에서 연장되어 절곡 성형된 리드(l)의 단부(le)의 포밍 각도(α)가 대칭적임을 확인할 수 있다. 물론, 각각의 리드의 수는 복수 개일 수 있으며, 모든 리드의 성형 공정에서 동일한 각도로 포밍 되었음을 전제한다.In detail, the example illustrated in FIG. 2 (a) shows that the forming angle α of the end le of the lead l which is bent and extended from both sides of the semiconductor package C1 seated on the
구체적으로 상기 검사블록(200) 하부에 경사진 상태로 구비되는 반사부(213)에 의하여 하방으로 반사된 이미지는 비전유닛(510)에서 촬상될 수 있으며, 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치(1000)의 제어부는 촬상된 이미지로부터 각각의 리드의 스탠드 오프의 판단을 위한 수평방향 길이(d, 이하 설명의 편의를 위하여 '스탠드 오프(stand off)'라 칭함)를 추출할 수 있다.Specifically, the image reflected downward by the
도 2(a)에 도시된 예는 좌측 및 우측 리드들의 스탠드 오프가 d1(d1=d2, 반사부 상단의 위치는 패키지 하면의 위치와 같으며, d1 및 d2는 기준길이와 동일하다고 가정)가 기준길이와 동일하면, 리드의 길이 또는 형상에 문제가 없다고 판단할 수 있다.In the example shown in FIG. 2 (a), the standoff of the left and right leads is d1 (d1 = d2, the position of the upper end of the reflector is the same as that of the lower surface of the package, and d1 and d2 are the same as the reference length). If it is equal to the reference length, it can be determined that there is no problem in the length or shape of the lead.
그러나, 도 2(b)에 도시된 예는 좌측 리드의 단부의 성형 각도는 문제가 없으나 우측 리드의 단부의 성형각도는 β이다. 즉, 기준 성형각도인 α보다 크다. 이는 충분한 포밍작업이 우측 리드의 단부에서 수행되지 못했음을 의미할 수 있다.However, in the example shown in Fig. 2B, the forming angle of the end of the left lead is not a problem, but the forming angle of the end of the right lead is β. That is, it is larger than α which is a reference molding angle. This may mean that sufficient forming has not been done at the end of the right lead.
따라서, 상기 반사부(213)에 의하여 반사되어 촬상된 이미지에서 판단된 리드의 길이 중 우측 리드의 스탠드 오프(d4)가 좌측 리드의 스탠드 오프(d3, d3은 기준길이와 동일하다고 가정) 보다 크다.Accordingly, the standoff d4 of the right lead is larger than the standoffs d3 and d3 of the left lead among the lengths of the lead determined by the image reflected and reflected by the
따라서, 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치(1000)의 제어부는 기준길이(d1, d2, d3)보다 긴 스탠드 오프(d4)를 갖는 도 2(b)에 도시된 반도체 패키지의 리드를 성형 불량이라고 판단할 수 있다.Accordingly, the control unit of the semiconductor
즉, 반도체 패키지의 하면으로부터 리드 끝단까지의 높이(Stand Off)가 도 2(b)에 도시된 반도체 패키지의 오른쪽 리드의 경우 정상적인 리드에 비해 크게 성형되어 접합불량이 발생될 수 있기 때문이다.That is, the height of the lead from the bottom surface of the semiconductor package to the end of the lead is larger than that of the normal lead in the case of the right lead of the semiconductor package shown in FIG.
이와 같이, 검사대상 반도체 패키지가 안착된 검사블록(200) 하부에 구비된 반사부(213)에 의하여 반사된 하나의 이미지를 통해 서로 마주보는 측면에 구비되는 리드(l)의 성형 상태의 불량 여부를 한번에 판단할 수 있다. As such, whether the molding state of the
일측면에 구비된 복수의 리드들 간의 높이편차를 판단할 수 있음은 물론이다. 만일 반도체 패키지의 4측면 모두에 리드가 구비되는 경우, 서로 대향하는 두 쌍의 측면에 구비되는 리드 등을 검사하는 과정을 두번 반복하는 방법으로 검사를 수행할 수 있다. 이 경우, 픽업부 등은 반도체 패키지를 픽업한 상태에서 반도체 패키지를 회전시킬 수 있는 회전기능을 구비할 수 있다.Of course, it is possible to determine the height deviation between the plurality of leads provided on one side. If the leads are provided on all four sides of the semiconductor package, the inspection may be performed by repeatedly repeating a process of inspecting the leads and the like provided on the two pairs of sides facing each other. In this case, the pickup unit or the like may have a rotation function capable of rotating the semiconductor package in the state of picking up the semiconductor package.
본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치(1000)는 적어도 1열 이상의 열로 반도체 패키지가 안착되는 검사블록(200)를 구비하여, 동시에 복수 개의 반도체 패키지의 검사공정을 수행할 수 있다는 특징을 갖는다. 이와 같은 특징을 갖기 위한 반도체 패키지 검사장치 및 반도체 패키지 검사방법의 구조적 특징에 대하여 설명한다.The semiconductor
도 3은 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사유닛의 예를 도시하며, 도 4는 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사유닛에 의하여 촬상된 이미지의 일예를 도시한다.3 shows an example of a semiconductor package inspection unit according to the present invention, and FIG. 4 shows an example of an image captured by the semiconductor package inspection unit according to the present invention.
설명의 편의를 위하여 조명부에 경사지지 않은 조명 조사면을 갖는 반도체 패키지 검사유닛을 포함하는 경우를 비교하여 설명한다.For convenience of description, a case of including a semiconductor package inspection unit having an illumination irradiation surface that is not inclined to the illumination unit will be described by comparing.
도 3(a)는 조명부의 조명 조사면이 수직한 반도체 패키지 검사유닛(10')을 도시하며, 도 3(b)는 조명부의 조명 조사면이 경사진 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사유닛(10)을 도시한다.Figure 3 (a) shows a semiconductor package inspection unit 10 'in which the illumination irradiation surface of the illumination unit is vertical, Figure 3 (b) shows a semiconductor
본 발명에 따른 반도체 패키지 검사유닛(10)은 반도체 패키지가 안착되는 안착부(210), 상기 반도체 패키지 리드의 측면 이미지를 하방으로 반사시키는 반사부(213) 및 상면의 높이가 상기 안착부의 저면의 높이 보다 미리 결정된 수직거리만큼 더 높이 위치하는 돌출부(215)를 구비하는 검사블록(200), 상기 검사블록 양측에 배치되어 상기 검사블록 방향으로 조명을 제공하는 적어도 1개 이상의 조명부(300) 및, 상기 검사블록(200) 하부에 구비되어 상기 검사블록(200)의 반사부(213)에서 반사된 이미지를 촬상하기 위한 비전유닛(510)을 포함할 수 있다.The semiconductor
상기 검사블록(200), 구체적으로 검사블록 상부 또는 상면에 형성된 안착부(210)는 각각의 반도체 패키지가 안착되어 검사 공정이 수행되는 거치대 역할을 수행할 수 있다. 이 경우, 상기 검사블록(200)의 안착부(210)는 상기 검사블록(200)의 상부에 상기 검사블록(200)의 길이 방향을 따라 적어도 2개 이상 구비될 수 있다. 이에 관하여는 후술한다.The
그리고, 상기 검사블록(200)은 안착된 반도체 패키지의 리드의 측면 이미지를 하방으로 반사시기키 위한 반사부(213) 또는 반사구조물이 구비될 수 있다.In addition, the
도 3에 도시된 실시예에서, 상기 검사블록(200)은 상부에 반도체 패키지가 안착되는 안착부(210) 및 하부에 반사부(213)가 구비되는 경우를 도시한다.In the embodiment shown in FIG. 3, the
도 3에 도시된 실시예에서, 상기 반사부(213)는 상기 검사블록(200) 하부에 경사진 상태로 구비될 수 있다. 상기 반사부(213)는 상기 안착부(210)가 구비되는 검사블록(200) 하부에 경사진 상태로 구비될 수 있다. In the embodiment shown in FIG. 3, the
상기 반사부(213)는 검사블록 하부에 부착되는 미러 또는 검사블록의 하부 경사면을 경면 가공하여 형성된 경면부 형태로 제공될 수 있다. 리드의 측면 이미지를 검사블록(200)의 반사부(213) 또는 반사면에 의하여 촬상하기 위해서는 각각의 촬상방향으로 조명이 제공되어야 한다. The
따라서, 상기 검사블록(200) 양측에 조명부(300)가 구비될 수 있다. 상기 조명부(300)는 검사블록(200) 하부에 구비된 비전유닛에 의한 촬상시 반도체 패키지의 측면 방향으로 조명을 제공하기 위하여 구비될 수 있다.Therefore, the
상기 조명부(300)는 적어도 1개 이상의 광원(310)과 상기 광원이 장착되는 기판(320) 및 상기 광원(310) 하부에 구비되어 상기 광원에서 조사되는 빛을 확산시키는 확산부재(330', 330)를 포함할 수 있다. The
상기 광원(310)은 LED 소자 등일 수 있으며, 상기 조명부(300)는 복수 개의 광원(310)이 구비된 PCB 기판(320)을 포함할 수 있다. 상기 광원(310)이 하방을 향하도록 뒤집힌 상태로 제공될 수 있으며, 상기 기판의 길이방향을 따라 복수 개의 광원(310, 도 8 참조)이 배치될 수 있다. 그리고, 각각의 광원(310) 하부에는 각각의 광원(310)에서 조사되는 빛이 입사되어 확산되는 확산부재(330', 330)가 구비된다.The
상기 확산부재(330', 330)는 안료가 혼입된 수지 재질 등으로 구성될 수 있으며, 상기 광원 등에서 입사된 빛이 확산되어 표면에서 영역별 밝기 편차가 최소화될 수 있다. 상기 확산부재(330', 330)는 반투명한 상태의 구조물일 수 있다.The
도 3(a)에 도시된 반도체 패키지 검사유닛의 조명부(300')는 수직한 조명 조사면을 통해 조명을 제공하는 것을 가정한다. 즉, 확산부재(330')의 조사면(331')이 경사진 상태이며, 도 3(b)에 도시된 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사유닛(10)의 조명부(300)는 경사진 조명 조사면(331)을 통해 조명을 제공한다. 즉, 확산부재(330)의 조사면(331)이 경사진 상태이다.It is assumed that the
본 발명에 따른 반도체 패키지 검사유닛(10)이 경사진 조사면을 구비하는 확산부재를 적용한 이유는 다음과 같다.The reason why the semiconductor
도 3(a)에 도시된 바와 같이, 조명 조사면에서 조사되는 빛이 리드(l)의 절곡 형태에 따라 빛이 간접조명이 아닌 직접 조명 형태로 반사되기 쉽다. 풀어서 설명하면, 반도체 패키지의 리드가 상기 반사부(213) 측으로 하방 절곡된 상태에서 상기 비전유닛(510) 측으로 돌출된 영역은 수직한 조명 조사면(331)에서 조사된 조명, 즉 빛이 조명으로 사용되는 정도를 넘어 빛의 직접적인 반사현상이 발생될 수 있으며, 이는 상기 비전유닛(510)에서 촬상되는 이미지에도 빛의 반사에 의한 반사광이 직접 촬상될 수 있다.As shown in FIG. 3 (a), the light irradiated from the illumination irradiation surface is likely to be reflected in the direct illumination form instead of the indirect illumination according to the bending form of the
확산부재에 의하여 확산(반사)되는 빛 중 상향으로 반사되는 빛은 리드 단부에서 절곡부 범위까지 도달하여 상기 반사광이 촬상 이미지에 영향을 줄 수 있기 때문이다.This is because the light reflected upward from the light diffused (reflected) by the diffusion member reaches the bend portion at the lead end, and the reflected light may affect the captured image.
즉, 도 3에 A로 표기된 부분은 도 4(a)에 도시된 촬상 이미지에서도 리드(l)의 높이(Stand Off) 판단을 위한 구간(D)에 반사광이 조사되어 높이(Stand Off) 판단을 위한 구간(D)의 정확한 측정을 불가능하게 한다.That is, in the portion indicated by A in FIG. 3, the reflected light is irradiated to the section D for determining the height of the lead l in the captured image shown in FIG. 4 (a) to determine the height of the standoff. This makes it impossible to accurately measure the interval D for
이와 같은 이미지는 리드의 불량 여부를 판단하는 과정의 정확성 및 검사유닛의 신뢰성을 저하시킬 수 있다. 상기 반사광으로 인하여 리드 끝단부에서 절곡부에 이르는 부분에서 반사된 반사광이 촬상되어 리드 끝단부의 위치를 선정하기 힘들고, 이로 인하여 각각의 리드의 스탠드 오프를 정확하게 측정하기 힘들다.Such an image may degrade the accuracy of the process of determining whether the lead is defective or the reliability of the inspection unit. Due to the reflected light, the reflected light reflected from the lead end portion to the bent portion is picked up, and thus it is difficult to select the position of the lead end portion, which makes it difficult to accurately measure the standoff of each lead.
즉, 스탠드 오프의 판단을 위한 구간(D)의 시점 또는 종점을 불분명하게 하기 때문이다.That is, it is because the starting point or the end point of the section D for the determination of the standoff is unclear.
그러나, 도 3(b)에 도시된 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사유닛(10)은 조명부(300)의 확산부재(330)의 조명 조사면(331)은 일정 각도 경사를 갖는다. 즉, 조명 조사면에 경사를 형성하여 절곡된 부분에서 반사될 수 있는 빛의 양이 최소화되도록 조명 조사면과 리드의 절곡부 등이 마주보지 않도록 확산부재를 하방으로 갈수록 검사블록에서 멀어지도록 경사면을 형성하여 리드의 절곡부 등에서 반사되어 비전유닛으로 투사되는 반사광을 최소화하고, 필요한 조명 기능을 제공할 수 있다.However, the semiconductor
이는 인물사진 또는 실내 사진 촬상시 피사체에 직접 조명을 사용하지 않고 실내공간의 천정 등을 통한 간접조명을 사용하는 것과 비슷한 원리이다. 이는 조명 조사면을 경사지게 형성하여 확산부재에 의하여 반사되는 빛의 주된 조사 방향을 하방으로 변경하여, 리드 단부에 도달되는 반사광을 최소화하여 반사광을 최소화할 수 있다.This is a similar principle to using indirect lighting through the ceiling of an indoor space instead of using a direct light on a subject when photographing a portrait or an indoor photo. This makes the illumination irradiation surface inclined to change the main irradiation direction of the light reflected by the diffusion member downward, thereby minimizing the reflected light reaching the lead end to minimize the reflected light.
따라서, 반도체 패키지의 리드의 하방으로 절곡된 부분(B)에서 반사되는 빛의 양이 줄어들 수 있으므로, 도 4(b)에 도시된 바와 같이, 비전유닛(510)에서 촬상된 높이(Stand Off) 판단을 위한 구간(D)의 이미지에서도 반사광의 양을 최소화할 수 있다.Therefore, since the amount of light reflected by the portion B bent downward of the lead of the semiconductor package may be reduced, as shown in FIG. 4B, the height of the image captured by the
그리고, 도 3(b)에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사유닛(10)의 조명부(300)를 구성하는 상기 확산부재(330)는 하방으로 갈수록 그 폭이 좁아지는 형태로 구성될 수 있다.And, as shown in Figure 3 (b), the
즉, 경사진 조명 조사면(331)을 구성하는 방법으로 상기 확산부재(330)는 등변 역삼각형 또는 등변 역사다리꼴 형태로 하방으로 갈수록 그 폭이 좁아지는 형태를 취하도록 하여 확산부재(330)의 측부의 조사면(331)을 일정 각도의 경사를 갖도록 할 수 있다.That is, the
후술하는 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 패키지 처리장치는 복수 열의 반도체 패키지를 동시에 픽업하고 검사하기 위한 장비이며, 각각의 검사블록 사이에 구비되는 조명부의 조명을 공유하기 위하여 상기 확산부재(330)의 양조사면을 모두 경사면이 되도록 상기 확산부재(330)는 등변 역삼각형 또는 등변 역사다리꼴 형태로 구성할 수 있다.As will be described later, the semiconductor package processing apparatus according to the present invention is a device for picking up and inspecting a plurality of rows of semiconductor packages at the same time, the sharing of the
그리고, 상기 확산부재(330)가 상기 리드(l)의 하부 영역에 충분한 조명을 제공할 수 있도록 상기 확산부재의 하단(330e)은 검사대상 반도체 패키지가 상기 안착부(210)에 안착된 상태에서 상기 반도체 패키지의 리드의 하단(le) 이하의 위치에 배치될 수 있다.In addition, the
반사되는 반사광은 최소화하도록 경사면을 형성하지만, 리드 등의 하부 방향으로도 충분한 조명 기능을 제공할 수 있어야 하기 때문이다.This is because the reflected light is formed to minimize the reflected light, but it must be able to provide a sufficient illumination function in the downward direction of the lead or the like.
상기 확산부재(330)의 측부의 경사진 조사면(331)의 수직방향에 대한 경사각도(θ)는 45도 이하일 수 있다.The inclination angle θ in the vertical direction of the
도 5는 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사유닛을 구성하는 검사블록의 일예를 도시하며, 도 6은 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사유닛의 상세도를 도시하며, 도 7은 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사유닛에 의하여 촬상된 이미지의 일다른 예를 도시한다.5 shows an example of an inspection block constituting a semiconductor package inspection unit according to the present invention, FIG. 6 shows a detailed view of a semiconductor package inspection unit according to the present invention, and FIG. 7 shows a semiconductor package inspection according to the present invention. Another example of the image picked up by the unit is shown.
본 발명에 따른 반도체 패키지 검사유닛을 구성하는 검사블록(200)은 반도체 패키지가 각각 안착될 수 있는 복수 개의 안착부(210)가 그 길이방향으로 이격된 위치에 구비될 수 있으며, 상기 안착부(210) 사이에 미리 결정된 높이로 돌출된 돌출부(215)가 구비될 수 있다.The
각각의 상기 검사블록(200)은 그 안착부(210)에 안착된 상기 반도체 패키지를 흡착하기 위한 흡착홀(211)이 안착부(210) 저면에 구비되고, 상기 흡착홀(211)에 선택적으로 음의 공압이 인가될 수 있도록 구성될 수 있다.Each
따라서, 각각의 검사블록(200)에는 검사 공정에서 선택적으로 공압을 인가하기 위한 공압유로(미도시, 도 9 참조)가 구비되며, 상기 흡착홀(211)과 연통되도록 구성될 수 있다.Therefore, each
하나의 검사블록(200)에 구비되는 각각의 안착부(210)는 동일한 공압유로에 연통될 수도 있고, 각각의 공압유로를 구비할 수도 있다.Each
상기 검사블록(200)의 안착부(210) 사이에 구비되는 돌출부(215)는 각각의 안착부(210)을 구획하는 역할과 후술하는 리드의 스탠드 오프를 측정함에 있어서 기준위치를 제공하는 역할도 수행할 수 있다. 이에 대한 설명은 뒤로 미룬다.Protruding
상기 안착부에 안착된 반도체 패키지의 위치 결정 또는 이탈 방지를 위하여 상기 안착부 둘레에 걸림턱(212)가 구비될 수 있으며, 상기 안착부의 하방 측면에 경사진 형태의 반사부(213)이 구비될 수 있다.A locking
하나의 검사블록에 구비되는 안착부의 개수는 후술하는 반도체 패키지 검사장치의 픽업부의 픽업유닛의 개수에 대응하여 그 개수가 증감될 수 있으며, 도 5를 포함한 도면에서는 하나의 검사블록에 2개의 안착부가 구비되는 경우를 도시한다.The number of seating units provided in one inspection block may be increased or decreased corresponding to the number of pickup units of a pickup unit of a semiconductor package inspection apparatus, which will be described later. In the drawing including FIG. 5, two seating units are included in one inspection block. The case provided is shown.
도 5에 도시된 검사블록의 안착부(210)의 저면으로부터 상기 돌출부(215)의 상면 까지의 돌출부의 돌출 높이는 h로 표시된다. 구체적인 돌출 높이 h를 결정하는 방법을 도 6을 참조하여 설명한다.The protrusion height of the protrusion from the bottom of the
도 6의 확대도를 참조하면, 상기 검사블록(200) 하부에 구비된 비전유닛(510)은 상기 검사블록(200)의 반사부에서 반사된 반도체 패키지의 리드들의 이미지를 함께 촬상하고, 그 리드들의 스탠드 오프를 측정하여 리드의 불량 여부를 판단한다.Referring to the enlarged view of FIG. 6, the
그리고, 리드의 스탠드 오프는 도 2를 참조한 설명에 기재된 바와 같이, 반사부의 상단과 각각의 리드의 하단 사이 영역의 반사된 이미지일 수 있다.And, the stand off of the lead may be a reflected image of the region between the top of the reflector and the bottom of each lead, as described in the description with reference to FIG. 2.
즉, 제1 이미지광(l1)은 각각의 리드(l)의 하단(le)의 이미지가 상기 반사부(213)에서 반사되어 비전유닛(510)으로 투사된다. 그리고, 제2 이미지광(l2)은 리드(l)의 중간지점에서 상기 반사부(213)의 상단에서 반사되어 상기 비전유닛(510)으로 전달된다.That is, in the first image light l1, an image of the lower end le of each
이 경우, 각각의 이미지광의 광경로를 검토하면 다음과 같다.In this case, the optical path of each image light is examined as follows.
제1 이미지광(l1)은 상기 반사부(213)에 반사되기 전 광경로의 길이(a+b, 상기 반사부에서 상기 안착부에 안착된 반도체 패키지의 리드 하단까지의 수평방향 길이)를 따라 투사되며, 제2 이미지광(l2), 구제적으로 반사부(213)의 경계영역을 식별하도록 하는 이미지광은 광경로의 길이(c)를 통하여 투사된다.The first image light l1 is along the length (a + b) of the optical path before being reflected by the
즉, 제1 이미지광(l1)의 반사 후 광경로와 제1 이미지광(l1) 및 제2 이미지광(l2)의 교차점 이후의 제2 이미지광(l2)의 광경로의 길이는 동일하다고 가정하면, 제1 이미지광(l1) 및 제2 이미지광(l2)의 광경로의 길이 편차는 광경로의 길이(a+b)와 광경로의 길이(c)의 편차로 계산될 수 있다. 도 6의 확대도에 도시된 바와 같이, 상기 광경로는 광경로의 길이(a+b) > 광경로의 길이(c) 임을 쉽게 확인할 수 있다. 따라서, 상기 비전유닛(510)의 초첨거리를 광경로의 길이(a+b)로 설정한 경우 리드의 내측 단부 영역의 초첨이 정확하게 맞지 않을 수 있으며, 초첨이 맞지 않으므로 리드의 스탠드 오프를 측정하기 위한 경계선 또는 기준위치를 명확하게 판단할 수 없거나, 측정오차를 유발하게 된다.That is, it is assumed that the lengths of the optical paths after the reflection of the first image light l1 and the optical paths of the second image light l2 after the intersection of the first image light l1 and the second image light l2 are the same. In other words, the length deviation of the optical paths of the first image light l1 and the second image light l2 may be calculated as the deviation of the length a + b of the optical path and the length c of the optical path. As shown in the enlarged view of FIG. 6, it can be easily confirmed that the optical path is the length of the optical path (a + b)> the length of the optical path (c). Therefore, when the focusing distance of the
상기 비전유닛(510)의 초점거리를 리드의 하단(le)로 설정한 경우, 도 7(a)에 도시된 바와 같이 상기 비전유닛(510)에서 촬상된 이미지에서 각각의 리드(l)의 높이(Stand Off) 판단을 위한 구간(D")의 반사부(213)측 경계는 초점거리 등의 불일치에 의하여 이미지 번짐 현상을 확인할 수 있으며, 각각의 리드의 높이(Stand Off) 판단을 위한 기준위치를 결정하기 어렵다.When the focal length of the
따라서, 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사유닛은 상기 반도체 패키지의 리드의 스탠드 오프를 측정하기 위한 기준위치를 반사부(213)의 경계영역이 아닌 검사블록의 특정 영역으로 선정할 수 있다.Therefore, the semiconductor package inspection unit according to the present invention may select the reference position for measuring the standoff of the lead of the semiconductor package as a specific region of the inspection block, not the boundary region of the
도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 검사블록(200)의 안착부(210) 사이에 구비되는 돌출부(215)의 테두리(215e)를 상기 비전유닛(510)에 촬상된 이미지의 기준위치로 결정할 수 있다.5 and 6, the
도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 반사부(213)의 상단과 상기 안착부(210)의 저면 높이가 동일함을 전제로 상기 돌출부(215)를 미리 결정된 높이 h만큼 돌출시키고 상기 비전유닛(510)에서 촬상된 이미지에서 상기 돌출부(215)의 테두리(215e) 부분을 기준위치로 설정하는 방법을 사용할 수 있다.5 and 6, the
상기 돌출부의 측면과 상면은 평면(平面)이며, 선접촉(Line Contact)을 하고 있으므로, 하방에서 촬영시 상기 돌출부(215)의 테두리(215e)의 정확한 촬영이 가능하다.Since the side surface and the upper surface of the protrusion are flat and line contact is made, accurate shooting of the
도 6의 확대도에 도시된 바와 같이, 상기 비전유닛(510)에서 촬상된 이미지에서 상기 돌출부(215)의 테두리(215e) 부분을 기준위치로 설정하면, 제1 이미지광(l1) 및 제2 이미지광(l2)의 광경로의 길이 편차는 광경로의 거리(a+b)와 광경로의 거리(c+h, 상기 반도체 패키지의 리드 하단에서 상기 돌출부의 상면까지의 수직방향 길이)의 편차로 계산될 수 있다.As shown in the enlarged view of FIG. 6, when the
여기서, 광경로의 편차가 제거되려면 a+b=c+h의 길이 관계가 성립하면 되고, 상기 돌출부(215)의 돌출높이 h는 a+b=c+h의 관계로부터 a+b-c의 크기로 설정하면 제1 이미지광(l1) 및 제2 이미지광(l2)의 광경로의 길이 편차가 제거되고, 상기 비전유닛(510)에 의한 이미지 촬상시 상기 리드의 하단(le)과 상기 돌출부(215)의 테두리(215e)의 초첨거리를 일치시킬 수 있다.Here, in order to remove the deviation of the optical path, a length relationship of a + b = c + h may be established, and the protrusion height h of the
여기서, 돌출부는 검사블록에 일체로 형성될 수도 있고, 별도로 구비될 수도 있다. 별도로 구비하는 경우, 상기 돌출부(215)의 돌출 높이의 선정이 자유로울 수 있다.Here, the protrusion may be formed integrally with the inspection block, it may be provided separately. When provided separately, the protrusion height of the
도 7(b)에 도시된 바와 같이, 촬상된 이미지 중 돌출부(215)의 테두리(215e)에 의하여 결정되는 경계선(P)을 각각의 리드의 스탠드 오프를 측정하기 위한 리드의 내측 기준위치(P)로 선정하고 각각의 상기 리드의 외측 하단(le)의 이미지로부터 추출되는 각각의 측정위치, 각각의 리드의 스탠드 오프 판단을 위한 구간(D)의 하부경계를 판단하여, 각각의 리드의 수평방향 길이(y축 방향)를 정확하게 판단할 수 있다.As shown in FIG. 7 (b), the reference P inside the lead for measuring the standoff of each lead is determined by the boundary line P determined by the
그리고, 상기 돌출부(215)에서 하방으로 연결되는 측면(217)의 경사(수직축에 대하여 이루는 경사)는 상기 반사부(213)의 경사보다 작게 구성하여, 상기 비전유닛(510)에 의하여 촬상된 이미지에서 돌출부 영역이 어느 부분인지 쉽게 확인이 가능하도록 할 수 있다.In addition, the inclination (inclined to the vertical axis) of the
또한, 도 6의 확대도에 도시된 바와 같이, 상기 돌출부의 측단의 폭은 한 쌍의 반사부 상단 사이의 거리와 일치될 수 있다. 장착의 용이성과 검사블록의 길이방향 최대폭이 일정하게 되도록 하기 위함이다.In addition, as shown in the enlarged view of FIG. 6, the width of the side ends of the protrusions may coincide with the distance between the upper ends of the pair of reflectors. The purpose is to make it easy to install and to make the maximum length of the inspection block constant.
정리하면, 상기 비전유닛(510)의 초점거리를 리드의 하단(le)로 설정한 경우, 상기 검사블록(200)의 반사부(213)에서 상기 안착부(210)에 안착된 반도체 패키지의 리드 하단(le)까지의 수평방향 거리(a+b)와 상기 반도체 패키지의 리드 하단(le)에서 상기 돌출부(215)의 상면까지의 수직방향 거리(c+h)가 같아지는 크기를 갖도록 하는 경우, 기준위치로 결정된 돌출부의 테두리(215e)와 각각의 리드의 하단(le)의 이미지가 모두 선명할 수 있으며, 각각의 리드의 높이(Stand Off) 판단을 위한 구간(D)의 크기를 정확하게 측정할 수 있다. In summary, when the focal length of the
그러나 초점거리를 동일하게 한다는 것은 이론적으로 가능할 뿐이므로, 상기 검사블록의 돌출부의 안착부 저면으로부터의 돌출 높이(h)는, 리드의 외측 단부에서부터 반사부까지의 수평 거리와 리드의 외측 단부에서부터 돌출부의 상면까지의 수직거리 간의 편차가 비전유닛의 초점심도(DOF: depth of field) 이내가 되도록 결정하면 된다.However, it is only theoretically possible to equalize the focal length, so that the height of the projection h from the bottom of the seating portion of the projection of the inspection block is the horizontal distance from the outer end of the lid to the reflecting portion and the projection from the outer end of the lid. The deviation between the vertical distances to the top of the plane is determined to be within the depth of field (DOF) of the vision unit.
도 8은 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치를 도시한다.8 shows a semiconductor package inspection apparatus according to the present invention.
도 1 내지 도 7은 반도체 패키지가 안착되는 검사블록이 하나인 경우와 각각의 검사블록의 양쪽에 조명을 제공하는 조명부가 구비되는 반도체 패키지 검사유닛에 관한 것이다.1 to 7 relate to a semiconductor package inspection unit having an illumination unit for providing illumination to both of each inspection block and one inspection block on which the semiconductor package is seated.
그러나, 검사효율을 향상시키고, 조명부 등을 효율적으로 공유하기 위하여 본 발명은 복수 개의 검사블록을 구비하고, 각각의 검사블록 사이에 조명부를 배치하여, 검사블록 사이에 개재되는 조명부가 인접한 검사블록 측으로 동시에 조명을 제공하는 반도체 자재 검사장치를 소개한다.However, in order to improve inspection efficiency and share the lighting unit and the like efficiently, the present invention includes a plurality of inspection blocks, and arranges lighting units between the inspection blocks so that the lighting units interposed between the inspection blocks are adjacent to the inspection blocks. At the same time, we introduce a semiconductor material inspection device that provides lighting.
전술한 반도체 패키지 검사유닛과 관련된 구성은 대부분 반도체 패키지 검사장치에 적용되므로 도 1 내지 도 7을 참조한 설명과 중복된 설명은 생략한다.Since the configuration related to the above-described semiconductor package inspection unit is mostly applied to the semiconductor package inspection apparatus, a description overlapping with the description with reference to FIGS. 1 to 7 will be omitted.
본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치(1000)는 포밍 성형된 리드를 구비하는 복수 개의 반도체 패키지를 함께 픽업하는 픽업부(도 1의 110 참조), 상기 반도체 패키지 리드의 측면 이미지를 하방으로 반사시키는 반사부(213) 및 상기 반도체 패키지가 안착되는 안착부(210)가 구비되는 복수 개의 검사블록(200), 상기 검사블록 양측에 각각 상하방향으로 배치되어, 경사진 조명 조사면을 통해 상기 검사블록 방향으로 조명을 제공하는 적어도 1개 이상의 조명부(300), 상기 검사블록(200) 하부에 구비되어 상기 검사블록(200)의 반사부에서 반사된 이미지를 촬상하며, 복수 개의 상기 검사블록을 따라 변위 가능한 비전부(500) 및, 상기 비전부(500)에서 촬상된 이미지를 통해 반도체 패키지의 성형 불량 여부를 판단하며, 상기 픽업부(110), 상기 검사블록(200), 상기 조명부(300) 및 상기 비전부(500)를 제어하는 제어부(도 6의 700 참조)를 포함할 수 있다.The semiconductor
본 발명에 따른 반도체 패키지 처리장치는 전술한 바와 같이, 동시에 복수 개의 검사대상 반도체 패키지를 이송 및 검사되도록 하기 위하여 복수 개의 반도체 패키지를 픽업할 수 있는 픽업부를 구비하고, 상기 픽업부에 의하여 픽업되어 반도체 패키지 검사장치(1000)로 이송된 반도체 패키지는 검사블록(200)에 안착되어 검사될 수 있다.As described above, the semiconductor package processing apparatus according to the present invention includes a pickup unit capable of picking up a plurality of semiconductor packages so as to simultaneously transport and inspect the plurality of inspection target semiconductor packages, and is picked up by the pickup unit and the semiconductors The semiconductor package transferred to the
포밍 성형된 리드가 구비된 반도체 패키지는 리드의 측면 높이의 편차가 발생되면 반도체 패키지의 접합과정에서 불량이 발생될 수도 있으므로, 반도체 칩의 측면 이미지를 촬상하여 상기 리드의 높이차 등을 판단할 필요가 있다.When the semiconductor package having the formed lead has a deviation in the side height of the lead, a defect may occur during the bonding process of the semiconductor package. Therefore, it is necessary to determine the height difference of the lead by capturing the side image of the semiconductor chip. There is.
또한, 반도체 패키지의 리드는 일반적으로 대칭형으로 반도체 패키지에 구비될 수 있으므로, 적어도 반도체 패키지의 2방향 측면으로 배치될 수 있다. 설명의 편의상 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치(1000)에서 검사되는 검사대상 반도체는 서로 마주보는 양측면에 리드가 구비되는 것으로 가정한다.In addition, since the leads of the semiconductor package may be generally provided in the semiconductor package in a symmetrical manner, the leads of the semiconductor package may be disposed at least in two directions of the semiconductor package. For convenience of description, it is assumed that the semiconductors to be inspected in the semiconductor
본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치(1000)는 적어도 1열 이상의 반도체 패키지를 함께 픽업하여 검사 공정을 수행할 수 있다. 이 경우, 싱귤레이션 공정에서 함께 싱귤레이션되는 반도체 패키지의 수와 상기 픽업부에 의하여 한번에 픽업되는 반도체 패키지의 수는 동일한 것이 바람직하다.The semiconductor
제품별 공정 관리의 효율성 차원에서도 싱귤레이션 공정에서 함께 싱귤레이션되는 반도체 패키지의 수와 상기 픽업부에 의하여 한번에 픽업되는 반도체 패키지의 수는 동일한 것이 유리하다.In terms of efficiency of process management for each product, it is advantageous that the number of semiconductor packages that are singulated together in the singulation process and the number of semiconductor packages that are picked up at once by the pickup unit are the same.
싱귤레이션, 픽업, 검사 공정 등에서 함께 작업되는 반도체 패키지의 수를 모두 일치시킬 수 있다.The number of semiconductor packages working together in singulation, pick-up, and inspection processes can all match.
구체적으로, 도 8에 도시된 한 쌍의 검사블록(200)은 2열로 안착되는 반도체 패키지 중 첫 번째 행의 반도체 패키지가 안착되기 위한 검사블록(200)이 도시되었다. 따라서, 상기 첫 번째 행과 수직한 방향으로 각각의 열을 구성하는 반도체 패키지가 안착되기 위한 검사블록(200)은 미리 결정된 간격으로 구비될 수 있다.In detail, the pair of
상기 검사블록(200)의 간격은 픽업부의 픽업유닛의 간격과 동일하게 구성되어 한번에 안착 및 픽업할 수 있도록 구성될 수도 있다. 상기 픽업부의 픽업유닛의 간격이 조절 가능하도록 구성되는 경우, 다양한 간격을 갖는 검사블록을 구비하는 경우에도 적용될 수 있다.The interval of the
검사대상 반도체 패키지가 단일 반도체 패키지라면 반도체 패키지의 양측면 방향으로 한 쌍의 조명이 구비되어야 한다. 그러나, 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치(1000)는 적어도 1열로 배치된 반도체 패키지를 함께 검사하도록 구성된다. 또한, 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치(1000)를 구성하는 조명부(300)는 광원에서 제공되는 빛을 직접 조사하지 않고, 확산부재 등에 의하여 확산되어 빛의 세기 등이 고르게 분포된 조명을 사용할 수 있다.If the semiconductor package to be inspected is a single semiconductor package, a pair of illuminations should be provided in both directions of the semiconductor package. However, the semiconductor
이러한 확산부재를 사용하는 경우, 각각의 조명부(300)에 인접한 검사블록(200)에 안착된 반도체 패키지 방향으로 조명을 제공할 수 있으므로, 각각의 검사블록(200)의 수보다 적은 수의 조명부(300)를 구비할 수 있다.When the diffusion member is used, illumination may be provided in the direction of the semiconductor package seated on the
즉, 상기 조명부(300)는 상기 검사블록(200) 중 최외곽 검사블록(200) 외측 및 각각의 검사블록(200) 사이에 구비될 수 있다. 또한, 각각의 조명부(300)를 구성하는 확산부재(330)는 경사진 조명 조사면을 갖는 것은 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명한 반도체 패키지 검사유닛과 마찬가지이며, 전술한 모든 실시예들은 본 발명에 따른 반도체 패키지 처리장치에도 그대로 적용될 수 있다.That is, the
도 8에 도시된 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치(1000)는 2열의 반도체 패키지를 함께 픽업하여 검사 공정을 수행할 수 있으며, 각각의 열은 8행이라고 가정하면, 최외곽 행 검사블록(200) 외곽 및 각각의 검사블록(200) 사이에 조명부(300)가 구비되면 9개의 조명부(300)를 구비하면 각각의 검사블록(200)에 안착된 반도체 패키지의 측면에 조명을 제공할 수 있다.The semiconductor
따라서, 각각의 조명부(300)의 조명을 인접한 검사블록(200)에 안착된 반도체 패키지에서 공유할 수 있으므로, 반도체 패키지 검사장치(1000)의 구성의 최소화할 수 있으며, 설비의 가격 경쟁력을 향상시킬 수 있다.Therefore, since the illumination of each
그리고, 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치(1000)의 검사블록(200) 및 조명부(300)는 각각의 영역이 구획되도록 홈이 형성된 바디프레임(400)을 매개로 설치될 수 있다.As illustrated in FIG. 8, the
즉, 각각의 검사블록(200)의 안착부(210)는 상기 바디프레임(400) 상에 형성된 장공 형태의 개구부(410)의 저면에 배치될 수 있으며, 상기 개구부(410)는 장공 형태로 구성되며, 하나의 홈 저면에 복수 열의 검사블록(200) 중 하나의 검사블록(200)의 안착부(210)가 나란히 배치될 수 있다.That is, the
상기 장공 형태의 개구부(410)은 서로 평행하게 이격되어 검사블록(200) 행의 수에 대응하는 개수가 형성될 수 있으며, 각각의 개구부 사이에는 조명홀(420)이 구비될 수 있으며, 각각의 조명홀(420)에는 내부에 확산부재(330)가 배치되고, 상기 확산부재(330) 상부에는 광원(310)이 배치될 수 있다.The
그리고, 상기 광원이 구비된 기판(320)은 상기 바디프레임(400) 상에 형성된 체결홀(421) 등에 체결부재에 의하여 체결될 수 있다.In addition, the
상기 확산부재(330)는 측면 방향으로 면광원 역할을 수행할 수 있다.The
즉, 상기 검사블록(200)에 안착된 반도체 패키지의 측면(+y축 방향 측면 및 -y축 방향 측면)에서 하방으로 절곡 및 연장된 리드의 측면 이미지를 하방(-z축 방향)으로 반사시킬 수 있다.That is, the side images of the leads bent and extended downward from the side surfaces (+ y axis direction side and -y axis direction side) of the semiconductor package seated on the
따라서, 상기 반사부(213)가 구비된 상기 검사블록(200) 하부의 단면은 역삼각형 형태를 갖을 수 있다.Therefore, the cross section of the lower portion of the
도 9는 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치(1000)의 검사블록(200) 근방의 단면도(x축 방향)를 도시한다.9 is a cross-sectional view (x-axis direction) of the vicinity of the
도 9에 도시된 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치(1000)는 2열의 반도체 패키지를 함께 안착시켜 검사를 수행할 수 있다. 환언하면, 상기 검사블록(200)에는 포밍 성형된 리드를 구비하는 반도체 패키지가 안착되는 안착부가 길이방향으로 적어도 2개 이상 구비되며, 복수 개의 검사블록(200)이 평행하게 배치되어 안착부가 복수 열로 배치되는 결과를 얻을 수 있다. The semiconductor
상기 안착부(210)는 흡착홀(211)이 구비될 수 있으며, 도 9에 도시된 실시예에서는 각각의 검사블록(200)은 별도의 공압유로(220)가 선택적으로 공압을 인가할 수 있도록 구비되는 경우를 도시하였으나, 하나의 안착부에 구비되는 공압유로는 서로 공유될 수 있음은 전술한 바와 같다.The
상기 검사블록(200)의 둘레는 상기 검사블록(200)이 거치되어 지지되는 지지블록(240)에 상기 검사블록(200)이 안정적으로 지지될 수 있도록 고정하는 고정블록(230)이 구비될 수 있다. 상기 검사블록(200)과 상기 고정블록(230)은 단턱을 형성하여 상기 고정블록(230)이 상기 검사블록(200)의 이탈을 방지하는 구조를 갖을 수 있다.The circumference of the
상기 검사블록(200) 및 상기 지지블록(240)은 각각 유로가 형성되어 하나의 공압유로를 연결하도록 구성되며, 상기 지지블록(240)에는 공압 구동부(250)가 연결되어, 검사과정에서 선택적으로 공압유로에 공압을 인가할 수 있도록 구성될 수 있다.The
도 10은 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치(1000)의 측면도를 도시한다. 도 10에 도시된 반도체 패키지 검사장치(1000)는 상기 검사블록(200) 하부에 구비되어 상기 검사블록(200)의 반사부에서 반사된 이미지를 촬상하며, 상기 검사블록(200)를 따라 변위가능하며, 비전부(500)를 구성하는 비전유닛(510)을 포함할 수 있다.10 is a side view of a semiconductor
상기 비전부(500)는 이미지를 촬상하는 비전유닛(510)과 상기 비전유닛(510)이 이송되기 위하여 장착되는 비전 이송부(520) 및 상기 비전 이송부(520)를 구동하여 상기 비전유닛(510)을 이송하는 비전 구동부(530)를 포함할 수 있다.The
도 10에 도시된 바와 같이, 상기 검사블록(200)에 구비된 반사부에 의하여 검사대상 반도체 패키지의 측면에서 돌출되어 하방으로 절곡 및 연장된 리드(l)의 측면 이미지는 각각의 검사블록(200)에 구비된 반사부(213)에 의하여 반사되어 상기 비전유닛(510)에 의하여 촬상될 수 있다.As shown in FIG. 10, the side image of the lead l protruding from the side surface of the semiconductor package to be inspected and extended downward by the reflector provided in the
상기 검사블록(200) 주변 상부에는 조명부(300)를 구성하는 확산부재(330)가 구비될 수 있으며, 상기 비전유닛(510)에 의한 촬상과정에서 조명기능을 제공한다. 상기 확산부재(330)는 그 측부의 조명 조사면이 경사면 형태로 구성되며, 그 하단이 리드의 하단보다 하부에 배치되므로, 촬상된 이미지에서 불필요한 반사광의 양을 최소화할 수 있으며, 리드 하방으로 충분한 조명을 제공할 수 있다. 확산부재를 통하여 균일하게 확산된 조명 조사면을 통해 리드의 하방으로 조명을 제공할 수 있다.A
상기 비전유닛(510)은 복수 개의 안착부의 열방향(y축 방향)으로 구동될 수 있고, 더 나아가 정밀한 촬상을 위하여, 안착부의 행방향(x축 방향)으로 구동되도록 구성될 수도 있다.The
이 경우, 상기 비전유닛(510)은 비전 구동부(530)에 의하여 안착부의 열방향(y축 방향) 또는 행방향(x축 방향)으로 구동된다.In this case, the
따라서, 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치(1000)의 제어부는 상기 비전유닛(510)을 각각의 검사블록(200) 하방 위치로 스텝 이송되도록 상기 비전 구동부(530)를 제어할 수 있다.Therefore, the control unit of the semiconductor
도 11은 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치(1000)의 블록 구성도를 도시한다.11 is a block diagram of the semiconductor
본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치(1000)의 제어부는 상기 비전유닛(510)에서 촬상된 이미지와 비교하기 위한 비교 데이터가 저장되는 메모리(710)와 메모리(710)에 저장된 정보와 촬상된 이미지를 비교하여 검사대상 반도체 패키지의 리드의 성형 불량 여부를 판단하는 프로세서(720)를 구비할 수 있다.The control unit of the semiconductor
또한, 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치(1000)는 선행 공정인 싱귤레이션 공정 또는 후속 반출 공정을 위한 싱귤레이션 장치(2) 또는 반출장치(3)와 통신을 위한 통신모듈(730)을 더 구비할 수 있다.In addition, the semiconductor
따라서, 통신모듈(730)을 통해 싱귤레이션 장치(2)로부터 새로운 검사대상 반도체 패키지의 싱귤레이션 완료여부 또는 반출장치(3)의 반출 상태 확인을 위한 통신 데이터의 교환이 가능할 수 있다.Therefore, the
또한, 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치 및 반도체 패키지 검사방법을 구성하는 각각의 구성요소들의 상태를 파악하기 위한 적어도 하나 이상의 감지부(S)가 구비될 수 있다.In addition, the semiconductor package inspection apparatus and at least one sensing unit (S) for identifying the state of each component constituting the semiconductor package inspection method according to the present invention may be provided.
통신 모듈(730)을 통하여 제공되는 정보를 통해 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치(1000)의 제어부(700)는 전체 반도체 제조공정에서 각각의 공정 간의 공백을 최소화할 수 있다.Through the information provided through the
본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치(1000)의 제어부(700)는 복수 개의 픽업유닛(111)이 구비된 픽업부(110)와 이송부(130)를 제어하여 검사대상 또는 검사 완료된 반도체 패키지를 각각 후속 공정을 위한 위치로 픽업하여 이송할 수 있다.The
또한, 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치(1000)의 제어부(700)는 검사대상 반도체 패키지가 각각의 검사블록(200)에 안착된 경우, 검사블록(200)와 공압유로에 의하여 연결된 공압 구동부(250)가 음의 공압을 인가하도록 제어할 수 있으며, 검사 공정에서는 상기 조명부(300)의 광원을 점등하고, 상기 비전유닛(510)으로 하여금 각각의 반도체 패키지의 리드를 포함하는 반사 이미지를 촬상하도록 제어할 수 있다.In addition, the
또한, 상기 제어부(700)는 비전유닛(510)이 순차적으로 이송되면서 각각의 검사블록(200)에 안착된 반도체 패키지의 이미지를 촬상할 수 있도록 상기 비전 구동부(530)를 제어할 수 있다.In addition, the
도 12는 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사방법을 도시한다. 도 1 내지 도 11을 참조한 설명과 중복된 설명은 생략한다.12 illustrates a semiconductor package inspection method according to the present invention. Descriptions duplicated with those described with reference to FIGS. 1 through 11 will be omitted.
본 발명에 따른 반도체 패키지 검사방법은 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사유닛 또는 본 발명에 따른 반도체 패키지 검사장치를 사용하여 리드를 구비하는 반도체 패키지의 포밍 등의 과정에서 발생된 불량을 검사할 수 있다.In the semiconductor package inspection method according to the present invention, a defect generated in a process such as forming a semiconductor package having a lead may be inspected using the semiconductor package inspection unit according to the present invention or the semiconductor package inspection device according to the present invention.
또한, 본 발명에 따른 반도체 패키기 검사방법은 반도체 패키지가 안착되는 안착부, 상기 반도체 패키지 리드의 측면 이미지를 하방으로 반사시키는 반사부, 및 상면의 높이가 상기 안착부의 저면의 높이 보다 미리 결정된 수직거리만큼 더 높이 위치하는 돌출부를 구비하는 검사블록의 상기 안착부 상에 반도체 패키지를 안착시키는 반도체 패키지 안착과정(S100), 반도체 패키지가 안착된 검사블록의 양측에 구비된 조명부을 이용하여 조명을 제공하며, 상기 검사블록 하부에 구비되어 상기 검사블록의 반사부에서 반사된 이미지를 촬상하는 반도체 패키지 촬상과정(S200), 상기 반도체 패키지 촬상과정(S200)에서 촬상된 이미지로부터 기준위치 및 각각의 리드의 단부의 위치를 판단하여, 각각의 리드의 스탠드 오프를 판단하는 리드의 스탠드 오프 판단과정(S300) 및, 상기 리드의 스탠드 오프 판단과정(S300)에서 판단 결과에 따라 반도체 패키지의 리드의 불량을 판단하는 반도체 패키지 불량 판단과정(S400)을 포함하는 반도체 패키지 검사방법을 제공한다.In addition, the semiconductor package inspection method according to the present invention includes a mounting portion in which the semiconductor package is seated, a reflecting portion reflecting the side image of the semiconductor package lead downward, and a height of an upper surface of the semiconductor package is determined in advance than a height of a bottom surface of the mounting portion. The semiconductor package seating process (S100) for mounting a semiconductor package on the seating portion of the inspection block having a protrusion located higher by a distance, provides lighting using the lighting unit provided on both sides of the inspection block on which the semiconductor package is seated A semiconductor package imaging process (S200) is provided below the inspection block to capture the image reflected by the reflecting portion of the inspection block, the reference position and the end of each lead from the image taken in the semiconductor package imaging process (S200) Judging the standoff of the lead to determine the standoff of each lead and A semiconductor package inspection method includes a semiconductor package failure determination process (S400) for determining a failure of a lead of a semiconductor package according to a determination (S300) and a result of the determination in the standoff determination process (S300) of the lead.
여기서, 반도체 패키지 촬상과정(S200)에서 제공되는 조명과 관련하여 하방으로 갈수록 상기 검사블록과 거리가 증가되도록 경사진 조명 조사면에서 조명을 제공한다. 경사진 조사면은 전술한 조명부를 구성하는 확산부재의 측부에 구비됨은 전술한 바와 같다.Here, the illumination is provided at an inclined illumination irradiation surface such that the distance from the inspection block increases with respect to the illumination provided in the semiconductor package imaging process S200. As described above, the inclined irradiation surface is provided at the side of the diffusion member constituting the above-described lighting unit.
상기 리드의 스탠드 오프 판단과정(S300)은 상기 반도체 패키지 촬상과정에서 촬상된 이미지 중 상기 검사블록의 특정 영역의 위치인 기준위치를 측정하는 기준위치 측정단계(S310)를 포함할 수 있다. 전술한 바와 같이, 상기 검사블록의 특정 영역은 상기 검사블록 안착부 사이에 돌출된 돌출부의 테두리일 수 있다.The standoff determination process (S300) of the lead may include a reference position measuring step (S310) of measuring a reference position, which is a position of a specific region of the inspection block, of the image captured in the semiconductor package imaging process. As described above, the specific region of the test block may be an edge of a protrusion protruding between the test block seats.
또한, 상기 반도체 패키지의 불량을 판단하기 위하여 촬상된 이미지로부터 상기 리드의 스탠드 오프를 판단하기 위하여 상기 리드의 스탠드 오프 판단과정(S300)은 상기 반도체 패키지 촬상과정(S200)에서 촬상된 이미지 중 리드의 외측 단부의 위치를 측정하는 리드 단부의 위치 측정단계(S320)를 포함할 수 있다.In addition, in order to determine the standoff of the lead from the image picked up to determine the defect of the semiconductor package, the standoff determination process S300 of the lead may be performed. It may include a position measuring step (S320) of the lead end for measuring the position of the outer end.
상기 리드의 스탠드 오프 판단과정(S300)은 상기 기준위치와 각각의 상기 리드의 외측 단부의 위치의 편차를 계산하여 각각의 리드의 스탠드 오프를 판단하는 리드의 스탠드 오프 판단단계(S330)를 포함할 수 있다.The standoff determination process (S300) of the lead may include a standoff determination step (S330) of the lead that determines the standoff of each lead by calculating a deviation between the reference position and the position of the outer end of each lead. Can be.
상기 반도체 패키지 촬상과정(S200)에서 촬상된 이미지는 상기 제어부의 메모리(710)에 저장되고, 상기 제어부에 입력된 알고리즘 등에 따라 상기 제어부(700)는 상기 리드 단부의 위치 측정단계(S320) 및 상기 리드의 스탠드 오프 판단단계(S330)를 수행하여, 상기 기준 위치 또는 리드 단부의 위치를 이미지 상에서 측정, 파악 또는 저장하여 그에 따른 상기 기준 위치 또는 리드 단부의 위치의 편차를 통해 상기 반도체 패키지의 리드의 스탠드 오프를 판단할 수 있다.The image captured in the semiconductor package imaging process (S200) is stored in the
구체적으로, 상기 리드의 스탠드 오프 판단과정(S300)은 촬상된 이미지에서 상기 돌출부의 측면 단부 위치와 리드의 외측 단부 위치 간의 수평거리를 측정하여 스탠드 오프를 계산하는 방법이 사용될 수 있다.Specifically, in the standoff determination process S300 of the lead, a method of calculating the standoff may be used by measuring a horizontal distance between the side end position of the protrusion and the outer end position of the lead in the captured image.
그리고, 상기 리드의 스탠드 오프 판단과정(S300)에서 판단된 리드의 스탠드 오프에 따라 반도체 패키지의 리드의 불량을 판단하는 반도체 패키지 불량 판단과정(S400)을 수행할 수 있다.In addition, according to the standoff of the lead determined in the standoff determination process (S300) of the lead, the semiconductor package failure determination process (S400) may be performed to determine the failure of the lead of the semiconductor package.
전술한 바와 같이, 상기 제어부(700)는 상기 비전유닛 에서 촬상된 이미지에서 각각의 반도체의 측면에서 하방으로 포밍 및 연장된 리드의 촬상 이미지로부터 전술한 방법의 판단과정에 의하여 각각의 리드의 스탠드 오프를 판단하여, 상기 제어부에 저장된 기준길이와 비교하여 반도체 패키지 리드의 성형 불량 여부를 판단할 수 있다.As described above, the
본 명세서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to preferred embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the following claims. . It is therefore to be understood that the modified embodiments are included in the technical scope of the present invention if they basically include elements of the claims of the present invention.
1000 : 반도체 패키지 검사장치
10 : 반도체 패키지 검사유닛
110 : 픽업부 120 : 이송부
200 : 검사블록 210 : 안착부
300 : 조명부 400 : 바디프레임
500 : 비전부 700 : 제어부1000: semiconductor package inspection device
10: semiconductor package inspection unit
110: pickup portion 120: transfer portion
200: inspection block 210: seating portion
300: lighting unit 400: body frame
500: vision unit 700: control unit
Claims (19)
상기 검사블록 양측에 배치되어 상기 검사블록 방향으로 조명을 제공하는 적어도 1개 이상의 조명부; 및,
상기 검사블록 하부에 구비되어 상기 검사블록의 반사부에서 반사된 이미지를 촬상하기 위한 비전유닛;을 포함하며,
상기 비전유닛에서 촬상한 이미지로부터 리드의 외측 단부와 돌출부의 측면 단부 간의 수평방향 거리를 계산하여 각각의 리드의 스탠드 오프를 판단하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 검사유닛.An inspection block including a mounting portion on which the semiconductor package is mounted, a reflection portion reflecting the side image of the semiconductor package lead downward, and a protrusion having an upper surface height higher than a height of a bottom surface of the mounting portion by a predetermined vertical distance;
At least one lighting unit disposed at both sides of the inspection block to provide illumination in the inspection block direction; And
And a vision unit provided below the inspection block to capture an image reflected by the reflection part of the inspection block.
And a standoff of each lead is determined by calculating a horizontal distance between the outer end of the lead and the side end of the protrusion from the image captured by the vision unit.
상기 돌출부의 측단의 폭은 한 쌍의 반사부 상단 사이의 거리와 일치하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 검사유닛.The method of claim 1,
The width of the side end of the protrusion is a semiconductor package inspection unit, characterized in that coincides with the distance between the top of the pair of reflecting portion.
상기 검사블록의 돌출부의 안착부 저면으로부터의 돌출 높이는, 리드의 외측 단부에서부터 반사부까지의 수평 거리와 리드의 외측 단부에서부터 돌출부의 상면까지의 수직거리 간의 편차가 비전유닛의 초점심도(DOF: depth of field) 이내가 되도록 결정되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 검사유닛.The method of claim 1,
The height of the projection from the bottom of the seating portion of the protrusion of the inspection block is that the deviation between the horizontal distance from the outer end of the lid to the reflecting portion and the vertical distance from the outer end of the lid to the top surface of the protrusion is the depth of focus of the vision unit (DOF: depth). The semiconductor package inspection unit, characterized in that determined to be within.
상기 돌출부의 측면 경사는 상기 반사부의 측면 경사보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 검사유닛.3. The method of claim 2,
The side slope of the protrusion is smaller than the side slope of the reflector semiconductor package inspection unit.
상기 돌출부의 측면과 상면은 평면(平面)이며, 선접촉(Line Contact)을 하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 검사유닛.5. The method of claim 4,
A side surface and an upper surface of the protruding portion are flat, and the semiconductor package inspection unit characterized in that the line contact (Line Contact).
상기 조명부는 적어도 1개 이상의 광원, 상기 광원이 장착되는 기판 및 상기 광원 하부에 구비되어 상기 광원에서 조사되는 빛이 입사되어 확산되어 측부의 경사진 조사면을 통해 조명을 제공하는 확산부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 검사유닛. The method according to any one of claims 1 to 5,
The lighting unit includes at least one light source, a substrate on which the light source is mounted, and a diffusion member provided below the light source to diffuse light incident from the light source to diffuse and provide illumination through an inclined irradiation surface of the side part. Semiconductor package inspection unit, characterized in that.
상기 확산부재는 하방으로 갈수록 그 폭이 좁아지는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 검사유닛.The method of claim 7, wherein
The diffusion member is a semiconductor package inspection unit, characterized in that the width becomes narrower downward.
상기 확산부재의 하단은 검사대상 반도체 패키지가 상기 안착부에 안착된 상태에서 상기 반도체 패키지의 리드의 하단보다 더 아래의 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 검사유닛.9. The method of claim 8,
And a lower end of the diffusion member is disposed at a position lower than a lower end of a lead of the semiconductor package when the semiconductor package to be inspected is seated on the seating portion.
반도체 패키지가 안착되는 안착부, 상기 반도체 패키지 리드의 측면 이미지를 하방으로 반사시키는 반사부, 및 상면의 높이가 상기 안착부의 저면의 높이 보다 미리 결정된 수직거리만큼 더 높이 위치하는 돌출부를 구비하는 복수 개의 검사블록;
상기 검사블록 양측에 배치되어 상기 검사블록 방향으로 조명을 제공하는 적어도 1개 이상의 조명부;
상기 검사블록 하부에 구비되어 상기 검사블록의 반사부에서 반사된 이미지를 촬상하며, 복수 개의 상기 검사블록을 따라 변위 가능한 비전부; 및,
상기 비전부에서 촬상된 이미지를 통해 반도체 패키지의 성형 불량 여부를 판단하며, 상기 픽업부, 상기 검사블록, 상기 조명부 및 상기 비전부를 제어하는 제어부;를 포함하고,
상기 제어부는 상기 비전부에서 촬상된 이미지로부터 각각의 리드의 스탠드 오프를 판단하기 위한 수평방향 길이를 계산하고, 상기 수평방향 길이를 상기 제어부에 저장된 기준길이와 비교하여 반도체 패키지 리드의 성형 불량 여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 검사장치.A pickup unit for picking up a plurality of semiconductor packages having a molded molded lead together;
A plurality of mounting parts including a mounting part on which the semiconductor package is seated, a reflecting part reflecting the side image of the semiconductor package lead downward, and a protrusion having an upper surface positioned higher by a predetermined vertical distance than a height of the bottom surface of the mounting part; Inspection block;
At least one lighting unit disposed at both sides of the inspection block to provide illumination in the inspection block direction;
A vision unit provided below the inspection block to capture an image reflected by the reflection unit of the inspection block, the vision unit being displaceable along the plurality of inspection blocks; And
And a controller configured to determine whether the semiconductor package is poorly molded by the image captured by the vision unit, and to control the pickup unit, the inspection block, the lighting unit, and the vision unit.
The controller calculates a horizontal length for determining a standoff of each lead from the image captured by the vision unit, and compares the horizontal length with a reference length stored in the controller to determine whether the semiconductor package lead is defective. The semiconductor package inspection device, characterized in that judging.
각각의 검사블록 사이에 각각 구비되는 상기 조명부는 양측 검사블록에 조명을 제공하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 검사장치.The method of claim 10,
The illumination unit provided between each inspection block, the semiconductor package inspection apparatus, characterized in that for providing illumination to both inspection blocks.
상기 검사블록은 상기 검사블록의 안착부에 안착된 상기 반도체 패키지를 진공 흡착하기 위한 흡착홀을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 검사장치.12. The method of claim 11,
The inspection block is a semiconductor package inspection device, characterized in that the suction hole for vacuum suction the semiconductor package seated on the seating portion of the inspection block.
상기 픽업부는 한 쌍이 구비되고, 각각의 상기 픽업부는 복수 개의 반도체 패키지를 함께 픽업하기 위한 복수 개의 픽업유닛을 구비하고, 상기 한 쌍의 픽업부는 동일한 이송부에 장착되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 검사장치.The method of claim 10,
And a pair of pick-up parts, each of the pick-up parts including a plurality of pick-up units for picking up a plurality of semiconductor packages together, and the pair of pick-up parts mounted on the same transfer part.
상기 한 쌍의 픽업부 중 어느 하나의 픽업부는 반도체 패키지를 싱귤레이션 공정이 수행되는 싱귤레이션 장치에서 상기 검사블록으로 검사대상 반도체 패키지를 이송하며, 다른 하나의 픽업부는 상기 검사블록에서 검사된 반도체 패키지를 반출장치로 이송하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 검사장치.The method of claim 13,
One pick-up part of the pair of pick-up parts transfers the semiconductor package to be inspected by the singulation device in which the semiconductor package is subjected to a singulation process, and the other pick-up part is a semiconductor package inspected by the test block. The semiconductor package inspection device, characterized in that for transporting to the carrying device.
상기 제어부는 리드의 외측 단부와 돌출부 측면 단부 간의 수평방향 거리를 계산하여 각각의 리드의 스탠드 오프를 판단하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 검사장치.The method of claim 10,
And the control unit determines a standoff of each lead by calculating a horizontal distance between an outer end of the lead and an end portion of the protrusion side.
반도체 패키지가 안착된 검사블록의 양측에 구비된 조명부을 이용하여 조명을 제공하며, 상기 검사블록 하부에 구비되어 상기 검사블록의 반사부에서 반사된 이미지를 촬상하는 반도체 패키지 촬상과정;
촬상된 이미지로부터 기준위치 및 각각의 리드의 단부의 위치를 판단하여, 각각의 리드의 스탠드 오프를 판단하는 리드의 스탠드 오프 판단과정; 및,
상기 리드의 스탠드 오프 판단과정에서 판단 결과에 따라 반도체 패키지의 리드의 불량을 판단하는 반도체 패키지 불량 판단과정;을 포함하고,
상기 리드의 스탠드 오프 판단과정은 촬상된 이미지에서 상기 돌출부의 측면 단부 위치와 리드의 외측 단부 위치 간의 수평거리를 측정하여 각각의 리드의 스탠드 오프를 판단하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 검사방법.An inspection block having a seating portion on which a semiconductor package is seated, a reflecting portion reflecting a side image of the semiconductor package lead downward, and a protrusion having an upper surface located higher by a predetermined vertical distance than a height of a bottom surface of the seating portion. A semiconductor package mounting process of mounting a semiconductor package on the mounting portion of the semiconductor package;
A semiconductor package imaging process of providing illumination using illumination units provided on both sides of the inspection block on which the semiconductor package is mounted, and imaging the image reflected from the reflecting unit of the inspection block under the inspection block;
A standoff determination process of a lead for determining a standoff of each lead by determining a reference position and an end position of each lead from the captured image; And
And a semiconductor package failure determination step of determining a failure of a lead of the semiconductor package according to a determination result in the standoff determination process of the lead.
The standoff determination process of the lead is a semiconductor package inspection method, characterized in that for determining the standoff of each lead by measuring the horizontal distance between the side end position of the protrusion and the outer end position of the lead in the captured image.
반도체 패키지 촬상과정은 하방으로 갈수록 상기 검사블록과 거리가 증가되도록 경사진 조명부를 구성하는 확산부재의 조명 조사면에서 조명을 제공하는 상태로 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 검사방법.18. The method of claim 17,
The semiconductor package imaging process is a semiconductor package inspection method characterized in that the illumination is provided on the illumination irradiation surface of the diffusion member constituting the inclined illumination unit so as to increase the distance to the inspection block downward.
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