KR102453258B1 - Apparatus and Method for Detecting of Awafer Edge - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼의 모서리 결함을 정확하게 검사할 수 있는 웨이퍼 모서리 결함 검사장치 및 검사방법에 대한 것이며, 구체적으로 판재형상의 웨이퍼와 웨이퍼를 고정하는 웨이퍼 파지부와 웨이퍼 모서리의 결함을 검측하는 에지검측부를 구비한다.The present invention relates to a wafer edge defect inspection apparatus and inspection method capable of accurately inspecting edge defects of a wafer, and specifically, a wafer holding part for fixing a wafer and a plate-shaped wafer and an edge detecting side part for detecting defects on the wafer edge be prepared

Description

웨이퍼 모서리 결함 검사장치 및 검사방법{Apparatus and Method for Detecting of Awafer Edge}Apparatus and Method for Detecting of Awafer Edge

본 발명은 웨이퍼의 모서리 결함을 정확하게 검사할 수 있는 웨이퍼 모서리 결함 검사장치 및 검사방법에 대한 것이다. The present invention relates to a wafer edge defect inspection apparatus and inspection method capable of accurately inspecting the edge defects of the wafer.

특허문헌 001은 웨이퍼 결함의 검사 장치는 웨이퍼 가장자리의 일정지점을 중심으로 상하 방향으로 연장되는 구형 띠 형상의 전방 조명 밴드; 전방 조명 밴드의 구형 띠 면을 따라 형성된 다수 개의 전방 고정 수단; 다수 개의 전방 고정 수단에 고정되는 조명등; 및 웨이퍼 가장자리의 일정한 지점을 향하여 배치된 광학 카메라를 포함하며, 웨이퍼 가장자리의 일정 지점을 중심으로 상하 방향으로 연장되는 구형 띠 형상의 1개 이상의 측면 조명 밴드; 측면 조명 밴드의 구형 띠 면을 따라 형성된 다수 개의 측면 고정 수단; 다수 개의 측면 고정 수단에 고정되는 조명등; 및 웨이퍼 가장자리의 일정한 지점을 향하여 배치된 광학 카메라를 포함하는 기술을 제시하고 있다.Patent Document 001 discloses an apparatus for inspecting wafer defects, comprising: a spherical band-shaped front light band extending in the vertical direction with respect to a predetermined point on the edge of the wafer; a plurality of front fixing means formed along the spherical strip face of the front light band; Lighting lamps fixed to a plurality of front fixing means; and an optical camera disposed toward a predetermined point on the edge of the wafer, wherein the side illumination band has a spherical band shape extending in the vertical direction with respect to the predetermined point on the edge of the wafer; a plurality of side fixing means formed along the spherical strip surface of the side light band; a lighting lamp fixed to a plurality of side fixing means; and an optical camera positioned toward a certain point on the edge of the wafer.

특허문헌 002는 웨이퍼를 지지하며, 제1 수평 방향으로 왕복 이동 가능하도록 구비되는 스테이지와, 상기 스테이지의 상방에 상기 제1 수평 방향과 수직하는 제2 수평 방향으로 연장하도록 구비되며, 상기 스테이지가 상기 제1 수평 방향을 따라 전진할 때 상기 웨이퍼의 지름보다 긴 바 타입의 명시야 조명광을 상기 웨이퍼로 조사하는 명시야 조명기와, 상기 스테이지의 상방에 상기 제2 수평 방향으로 연장하도록 구비되며, 상기 스테이지가 상기 제1 수평 방향을 따라 후진할 때 상기 웨이퍼의 지름보다 긴 바 타입의 암시야 조명광을 상기 웨이퍼로 조사하는 암시야 조명기 및 상기 스테이지의 상방에 구비되며, 상기 스테이지가 상기 제1 수평 방향을 따라 전진할 때 상기 웨이퍼의 명시야 이미지를 획득하고, 상기 스테이지가 상기 제1 수평 방향을 따라 후진할 때 상기 웨이퍼의 암시야 이미지를 획득하는 카메라를 포함되는 기술을 제시하고 있다.Patent Document 002 discloses a stage that supports a wafer and is provided to be reciprocally movable in a first horizontal direction, and is provided above the stage to extend in a second horizontal direction perpendicular to the first horizontal direction, wherein the stage is a brightfield illuminator irradiating a bar-type brightfield illumination light longer than a diameter of the wafer to the wafer when moving forward in a first horizontal direction, and extending above the stage in the second horizontal direction, the stage is provided above the stage and a dark field illuminator that irradiates a bar-type dark field illumination light longer than the diameter of the wafer to the wafer when moving backward in the first horizontal direction, wherein the stage moves in the first horizontal direction A technique is provided that includes a camera for acquiring a brightfield image of the wafer when advancing along, and acquiring a darkfield image of the wafer when the stage is retracted along the first horizontal direction.

특허문헌 003은 실리콘 웨이퍼의 결함 검사 장치로서, 실리콘 웨이퍼의 표면에 대치시켜 설치한 적외광 조명과, 상기 적외광 조명의 적외광에 감도를 갖는 라인 센서 어레이를 구비하는 촬상부와, 상기 촬상부의 화상으로부터 상기 실리콘 웨이퍼의 표면 혹은 내부에 있는 결함을 검출하는 화상 처리부를 구비하고, 상기 실리콘 웨이퍼의 비저항의 값을 미리 취득하고, 상기 적외광 조명은, 상기 취득한 상기 실리콘 웨이퍼의 비저항의 값에 따라서 조도를 조절함과 함께, 상기 촬상부는, 상기 취득한 상기 실리콘 웨이퍼의 비저항의 값에 따라서 적외광에 대한 감도를 조절하며, 실리콘 웨이퍼의 결함 검사 장치로서, 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 대치시켜 설치한 적외광 조명과, 상기 적외광 조명의 적외광에 감도를 갖는 라인 센서 어레이를 구비하는 촬상부와, 상기 실리콘 웨이퍼를 투과하는 적외광의 투과량의 값을 미리 측정하는 투과광량 측정부와, 상기 촬상부의 화상으로부터 상기 실리콘 웨이퍼의 표면 혹은 내부에 있는 결함을 검출하는 화상 처리부를 구비하고, 상기 실리콘 웨이퍼의 비저항의 값을 미리 취득하고, 상기 적외광 조명은, 상기 취득한 상기 실리콘 웨이퍼의 비저항의 값에 따라서 조도를 조절함과 함께, 상기 촬상부는, 상기 측정한 상기 실리콘 웨이퍼를 투과하는 적외광의 투과량의 값에 따라서 적외광에 대한 감도를 조절하는 기술을 제시하고 있다.Patent Document 003 discloses a defect inspection apparatus for a silicon wafer, comprising: an imaging unit including infrared illumination provided opposite to the surface of the silicon wafer; and a line sensor array sensitive to infrared light of the infrared illumination; An image processing unit for detecting defects on the surface or inside of the silicon wafer from an image is provided, the resistivity value of the silicon wafer is acquired in advance, and the infrared illumination is performed according to the acquired resistivity value of the silicon wafer In addition to adjusting the illuminance, the imaging unit adjusts the sensitivity to infrared light according to the acquired specific resistance value of the silicon wafer, and as a defect inspection device for a silicon wafer, it is installed opposite to the surface of the silicon wafer. An imaging unit comprising an external light illumination and a line sensor array sensitive to infrared light of the infrared light illumination, a transmitted light quantity measuring unit measuring in advance a value of a transmission amount of infrared light passing through the silicon wafer; An image processing unit for detecting defects on the surface or inside of the silicon wafer from an image is provided, the resistivity value of the silicon wafer is acquired in advance, and the infrared illumination is performed according to the acquired resistivity value of the silicon wafer In addition to adjusting the illuminance, the imaging unit proposes a technique for adjusting the sensitivity to infrared light according to the measured value of the amount of infrared light transmitted through the silicon wafer.

특허문헌 004는 반도체 웨이퍼에서 획득한 검사대상 이미지의 각 좌표에 해당하는 각 화소값에서 정상이미지의 각 좌표에 대응하는 각 화소값을 감산하여 얻은 차이값을 통해 차이이미지를 생성하는 차이이미지 생성단계, 정상이미지에서 셀영역과 교차에지영역, 수평에지영역 및 수직에지영역을 구분하도록 재연산한 에지이미지 생성단계, 에지이미지에서 셀영역에 해당되는 셀영역 좌표값과 교차에지영역에 해당되는 교차에지영역 좌표값과 수평에지영역에 해당되는 수평에지영역 좌표값과 수직에지영역에 해당되는 수직에지영역 좌표값을 얻는 단계, 차이이미지에서 셀영역 좌표값에 해당되는 차이이미지의 각 화소값을 연산하여 셀임계값(Ta)을 결정하는 단계, 차이이미지에서 교차에지영역 좌표값에 해당되는 차이이미지의 각 화소값을 연산하여 교차에지임계값(Tc)을 결정하는 단계, 차이이미지에서 수평에지영역 좌표값에 해당되는 차이이미지의 각 화소값을 연산하여 수평에지임계값(Th)을 결정하는 단계, 차이이미지에서 수직에지영역 좌표값에 해당되는 차이이미지의 각 화소값을 연산하여 수직에지임계값(Tv)을 결정하는 단계를 포함하여 이루어져, 셀임계값(Ta)과 교차에지임계값(Tc), 수평에지임계값(Th) 및 수직에지임계값(Tv)을 별도로 산출한 다음 상기 각 임계값을 통해 결함을 산출하는 기술을 제시하고 있다.Patent Document 004 discloses a difference image generation step of generating a difference image through a difference value obtained by subtracting each pixel value corresponding to each coordinate of a normal image from each pixel value corresponding to each coordinate of an image to be inspected obtained from a semiconductor wafer. , Recalculated edge image generation step to distinguish the cell region, the intersecting edge region, the horizontal edge region and the vertical edge region in the normal image, the cell region coordinate values corresponding to the cell region in the edge image and the intersecting edge corresponding to the crossing edge region Obtaining the area coordinate value and the horizontal edge area coordinate value corresponding to the horizontal edge area and the vertical edge area coordinate value corresponding to the vertical edge area, calculating each pixel value of the difference image corresponding to the cell area coordinate value in the difference image Determining the cell threshold (Ta), calculating each pixel value of the difference image corresponding to the coordinate value of the crossing edge region in the difference image to determine the crossing edge threshold value (Tc), the horizontal edge region coordinates in the difference image determining the horizontal edge threshold value (Th) by calculating each pixel value of the difference image corresponding to the value, calculating each pixel value of the difference image corresponding to the vertical edge region coordinate value in the difference image Tv), the cell threshold value Ta, the crossing edge threshold value Tc, the horizontal edge threshold value Th, and the vertical edge threshold value Tv are calculated separately, and then each threshold value We present a technique for calculating defects through

KR 10-2010-0053038 A (2010년05월20일)KR 10-2010-0053038 A (May 20, 2010) KR 10-2016-0068228 A (2016년06월15일)KR 10-2016-0068228 A (June 15, 2016) KR 10-2010-0023861 A (2010년03월04일)KR 10-2010-0023861 A (March 04, 2010) KR 10-2013-0049359 A (2013년05월14일)KR 10-2013-0049359 A (May 14, 2013)

본 발명은 웨이퍼의 모서리 결함을 정확하게 검사할 수 있는 웨이퍼 모서리 결함 검사장치 및 검사방법에 대한 것이다.The present invention relates to a wafer edge defect inspection apparatus and inspection method capable of accurately inspecting the edge defects of the wafer.

종래발명들의 문제점을 해결하기 위한 것이며, 본 발명은 판재형상의 웨이퍼(100);, 상기 웨이퍼(100)를 고정하는 웨이퍼 파지부(200);, 상기 웨이퍼 모서리(110)의 결함을 검측하는 에지검측부(300);를 포함하는 구성으로 이루어진다.In order to solve the problems of the prior inventions, the present invention provides a plate-shaped wafer 100; a wafer gripper 200 for fixing the wafer 100; an edge for detecting defects in the wafer edge 110 The detection unit 300; consists of a configuration including.

본 발명은 웨이퍼 모서리 결함 검사장치 및 검사방법에 대한 발명이며, 앞에서 제시한 웨이퍼(100);, 웨이퍼 파지부(200);, 에지검측부(300);로 이루어지는 발명에 상기 웨이퍼 파지부(200)는 복수로 형성되며 상기 웨이퍼(100)의 면 또는 모서리와 접촉되는 접촉체(210);를 부가한다.The present invention is an invention for a wafer edge defect inspection apparatus and inspection method, and the wafer holding part 200 to the invention consisting of the wafer 100;, the wafer holding part 200; ) is formed in plurality and the contact body 210 is in contact with the surface or edge of the wafer 100; add.

본 발명은 웨이퍼 모서리 결함 검사장치 및 검사방법에 대한 발명이며, 앞에서 제시한 웨이퍼(100);, 웨이퍼 파지부(200);, 에지검측부(300);로 이루어지는 발명에 상기 에지검측부(300)는 일정한 조도의 빛을 상기 모서리에 발광하는 라이트(310);, 상기 웨이퍼 모서리(110)를 촬영하는 카메라(320);를 부가한다.The present invention is an invention for a wafer edge defect inspection apparatus and inspection method, and the edge detection side part 300 to the invention consisting of the wafer 100;, the wafer holding part 200; ) adds a light 310 that emits light of a certain illuminance to the corner, and a camera 320 that captures the wafer corner 110 .

본 발명은 웨이퍼 모서리 결함 검사장치 및 검사방법에 대한 발명이며, 앞에서 제시한 웨이퍼(100);, 웨이퍼 파지부(200);, 에지검측부(300);로 이루어지는 발명에 상기 카메라(320)의 화상 정보를 입력 받으며, 웨이퍼 모서리(110)의 결함여부를 판별하는 제어부(410);를 부가한다.The present invention is an invention for a wafer edge defect inspection apparatus and inspection method, and the above-mentioned wafer 100; A control unit 410 that receives image information and determines whether the wafer edge 110 is defective is added.

본 발명은 웨이퍼 모서리 결함 검사장치 및 검사방법에 대한 발명이며, 앞에서 제시한 웨이퍼(100);, 웨이퍼 파지부(200);, 에지검측부(300);로 이루어지는 발명에 내부공간을 형성하며, 상기 웨이퍼 파지부(200) 및 상기 에지검측부(300)를 수용하는 케이스(510); 상기 케이스(510) 외부와 결합되며, 복수의 웨이퍼(100)를 수용하는 웨이퍼카트리지(520); 상기 웨이퍼(100)카트리지 및 상기 웨이퍼 파지부(200)로 웨이퍼(100)를 이송하는 이송로봇(530);을 부가한다.The present invention is an invention for a wafer edge defect inspection apparatus and inspection method, and forms an internal space in the invention consisting of the wafer 100; a case 510 for accommodating the wafer holding part 200 and the edge detecting part 300; a wafer cartridge 520 coupled to the outside of the case 510 and accommodating a plurality of wafers 100; A transfer robot 530 for transferring the wafer 100 to the wafer 100 cartridge and the wafer holding unit 200 is added.

종래발명들의 문제점을 해결하기 위한 것이며, 웨이퍼 모서리 결함 검사방법에 있어서, 웨이퍼(100)를 웨이퍼 파지부(200)로 이송하는 이송단계(S100);, 상기 이송단계(S100) 후, 웨이퍼(100)의 모서리를 파지하는 파지단계(S200); 상기 파지단계(S200) 후, 웨이퍼 모서리(110)를 검지하는 검지단계(S300);를 포함하는 구성으로 이루어진다.In order to solve the problems of the prior inventions, in the wafer edge defect inspection method, the transfer step (S100) of transferring the wafer 100 to the wafer holding unit 200;, after the transfer step (S100), the wafer 100 ) gripping step of gripping the edge (S200); After the holding step (S200), the detecting step (S300) of detecting the wafer edge 110; consists of a configuration including a.

본 발명은 실리콘으로 형성되는 웨이퍼 모서리의 결함을 정확하게 측정할 수 있는 것이다.The present invention can accurately measure the defects of the wafer edge formed of silicon.

본 발명은 웨이퍼 모서리의 결함 및 패턴을 검사할 수 있는 것이다.The present invention is capable of inspecting defects and patterns of wafer edges.

본 발명은 웨이퍼를 회전시킴에 따라 웨이퍼 모서리 전체를 검사할 수 있는 것이다.According to the present invention, the entire edge of the wafer can be inspected by rotating the wafer.

본 발명은 웨이퍼를 파지하는 접촉체가 상하로 회동함에 따라 카메라에 걸리지 않고 원활하게 회전할 수 있는 것이다.According to the present invention, as the contact body holding the wafer rotates up and down, it can rotate smoothly without being caught by the camera.

본 발명은 웨이퍼를 향해 빛을 발광하며, 빛이 반사되어 카메라로 유입되지 않도록 일정한 각도를 유지하는 것이다.The present invention emits light toward the wafer and maintains a certain angle so that light is not reflected and introduced into the camera.

본 발명은 복수의 카메라가 형성되어 웨이퍼 모서리의 수직면과 경사면을 각각 검사할 수 있는 것이다.In the present invention, a plurality of cameras are formed so that the vertical and inclined surfaces of the wafer edges can be inspected, respectively.

도 1은 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치의 사시도.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 모서리 결함 검사장치의 측면도.
도 3 내지 도 4는 본 발명의 웨이퍼 파지부의 사시도
도 5는 도 4에 도시된 웨이퍼 파지부의 평면도.
도 6은 본 발명의 웨이퍼 파지부에 웨이퍼를 파지하는 모습을 나타낸 측면도.
도 7 내지 도 8은 본 발명의 에지검측부를 나타낸 측면도.
도 9는 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 감시방법을 나타낸 순서도.1 is a perspective view of a wafer edge defect inspection apparatus of the present invention.
Figure 2 is a side view of the wafer edge defect inspection apparatus shown in Figure 1;
3 to 4 are perspective views of a wafer holding part of the present invention;
FIG. 5 is a plan view of the wafer holding unit shown in FIG. 4;
Figure 6 is a side view showing the state of holding the wafer in the wafer holding unit of the present invention.
7 to 8 are side views showing the edge detection side of the present invention.
Figure 9 is a flow chart showing the wafer edge defect monitoring method of the present invention.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시 예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the most preferred embodiment of the present invention will be described in detail in order to be described in detail enough to be easily practiced by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains.

아래의 실시예에서 인용하는 번호는 인용대상에만 한정되지 않으며, 모든 실시예에 적용될 수 있다. 실시예에서 제시한 구성과 동일한 목적 및 효과를 발휘하는 대상은 균등한 치환대상에 해당된다. 실시예에서 제시한 상위개념은 기재하지 않은 하위개념 대상을 포함한다.The numbers cited in the examples below are not limited only to the objects of reference, and may be applied to all examples. An object that exhibits the same purpose and effect as the configuration presented in the embodiment corresponds to an equivalent replacement object. The higher-level concept presented in the examples includes sub-concept objects that are not described.

(실시예 1-1) 본 발명은 웨이퍼 모서리 결함 검사장치에 있어서 판재형상의 웨이퍼(100);, 상기 웨이퍼(100)를 고정하는 웨이퍼 파지부(200);, 상기 웨이퍼 모서리(110)의 결함을 검측하는 에지검측부(300);를 포함한다.(Embodiment 1-1) The present invention relates to a wafer edge defect inspection apparatus in which a plate-shaped wafer 100; a wafer holding part 200 for fixing the wafer 100; and defects of the wafer edge 110 It includes a; edge detection side unit 300 for detecting the.

(실시예 1-2) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 1-1에 있어서, 상기 웨이퍼(100)는 실리콘으로 형성되는 것;을 포함한다.(Embodiment 1-2) The wafer edge defect inspection apparatus of the present invention according to Embodiment 1-1, wherein the wafer 100 is formed of silicon.

(실시예 1-3) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 1-1에 있어서, 상기 웨이퍼(100)의 평면(111)은 원형, 타원형 또는 다각형 중 선택된 어느 하나의 형상으로 형성되는 것;을 포함한다.(Example 1-3) The wafer edge defect inspection apparatus of the present invention in Example 1-1, wherein the plane 111 of the wafer 100 is formed in any one shape selected from a circle, an ellipse, or a polygon includes ;

(실시예 1-4) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 1-1에 있어서, 상기 웨이퍼(100)는 평면(111)과 수직하는 수직면(113); 상기 수직면(113) 및 평면(111) 사이에 위치하는 제 1경계면(114); 상기 평면(111)의 대응면에 위치하는 이면(112); 상기 이면(112) 및 수직면(113)에 위치하는 제 2경계면(115);을 포함한다.(Embodiment 1-4) In Embodiment 1-1, the wafer edge defect inspection apparatus of the present invention includes: a vertical plane 113 perpendicular to a plane 111; a first boundary surface 114 positioned between the vertical surface 113 and the plane 111; a back surface 112 positioned on a corresponding surface of the plane 111; and a second boundary surface 115 positioned on the rear surface 112 and the vertical surface 113 .

(실시예 1-5) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 1-4에 있어서, 상기 제 1경계면(114) 또는 제 2경계면(115)은 라운딩 또는 챔퍼링으로 형성되는 것;을 포함한다.(Embodiment 1-5) The wafer edge defect inspection apparatus of the present invention according to Embodiments 1-4, wherein the first boundary surface 114 or the second boundary surface 115 is formed by rounding or chamfering; do.

본 발명은 웨이퍼 모서리 결함 검사장치에 대한 것이며, 구체적으로 실리콘으로 형성되는 웨이퍼(100)의 모서리 결함을 검사하는 검사장치에 대한 것이다. 본 발명의 검사장치는 원형, 타원형 또는 다각형 등 다양한 형상의 평면(111)으로 형성되는 웨이퍼(100)의 모서리를 검사하는 것이며, 웨이퍼(100)의 모서리는 사선과 수직면(113)이 혼합되어 형성된다. 이러한 웨이퍼(100)는 실리콘 재질의 잉곳이 절단되어 형성되는 것이며, 웨이퍼(100)가 제조 중 발생하는 결함은 평면(111)이 아닌 모서리에 빈번하게 발생한다. 이를 위해 검사장치는 웨이퍼(100)를 고정하여 회전시킴에 따라 모서리의 결함을 감지한다. 검사장치에서 검사는 웨이퍼(100)의 모서리는 평면(111)과 이면(112) 사이에 수직하는 수직면(113)이 형성되고, 수직면(113)과 평면(111) 및 이면(112) 사이에 제 1경계면(114)과 제 2경계면(115)이 형성된다. 제 1경계면(114)은 수직면(113)과 평면(111) 사이에 위치하는 것이며, 라운딩 또는 챔퍼링으로 형성되고, 제 2경계면(115)은 수직면(113)과 하면 사이에 위치하여 제 1경계면(114)?? 동일하게 라운딩 또는 챔퍼링으로 형성된다. 이러한 웨이퍼(100)는 검사장치의 웨이퍼 파지부(200)에 고정되어 회전되며, 회전하는 웨이퍼(100)는 에지검측부(300)에 의하여 수직면(113)과 제 1경계면(114)과 제 2경계면(115)을 각각 검사하여 파손을 검사한다. The present invention relates to a wafer edge defect inspection apparatus, and more specifically, to an inspection apparatus for inspecting edge defects of a wafer 100 formed of silicon. The inspection apparatus of the present invention is to inspect the edge of the wafer 100 formed in the plane 111 of various shapes, such as circular, oval or polygonal, and the edge of the wafer 100 is formed by mixing the diagonal and the vertical plane 113. do. The wafer 100 is formed by cutting an ingot made of a silicon material, and defects occurring during the manufacturing of the wafer 100 frequently occur in the corners, not the plane 111 . To this end, the inspection apparatus detects a defect in the corner as the wafer 100 is fixed and rotated. In the inspection apparatus, the edge of the wafer 100 is formed with a vertical surface 113 perpendicular to the plane 111 and the back surface 112, and a second surface 113 is formed between the vertical surface 113 and the plane 111 and the back surface 112. A first boundary surface 114 and a second boundary surface 115 are formed. The first boundary surface 114 is located between the vertical surface 113 and the plane 111, and is formed by rounding or chamfering, and the second boundary surface 115 is located between the vertical surface 113 and the lower surface of the first boundary surface. (114)?? Equally formed by rounding or chamfering. The wafer 100 is fixed to the wafer holding part 200 of the inspection apparatus and rotated, and the rotating wafer 100 is rotated by the edge detection side part 300 with the vertical surface 113, the first boundary surface 114, and the second surface. The interface 115 is inspected for damage by inspecting each.

따라서, 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 웨이퍼(100)의 제조 과정 중 발생하는 모서리의 결함을 검사하는 것이며, 웨이퍼(100)를 고정하여 회전시킴에 따라 모서리를 검사하는 특징을 가진다.Accordingly, the wafer edge defect inspection apparatus inspects edge defects that occur during the manufacturing process of the wafer 100 , and has a feature of inspecting the edges as the wafer 100 is fixed and rotated.

(실시예 1-6) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 1-1에 있어서, 상기 웨이퍼 파지부(200)는 하나 또는 복수로 형성되는 것;을 포함한다.(Embodiment 1-6) The wafer edge defect inspection apparatus of the present invention according to Embodiment 1-1, wherein the wafer holding part 200 is formed in one or a plurality; includes.

(실시예 1-7) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 1-1에 있어서, 상기 에지검측부(300)는 하나 또는 복수로 형성되는 것;을 포함한다. (Embodiment 1-7) The wafer edge defect inspection apparatus of the present invention according to Embodiment 1-1, wherein the edge detection side portion 300 is formed in one or a plurality; includes.

본 발명은 웨이퍼 모서리 결함 검사장치에 대한 것이며, 구체적으로 웨이퍼 파지부(200)는 다양한 형상으로 형성되는 웨이퍼(100)를 고정하는 것이며, 에지검측부(300)는 웨이퍼 파지부(200)에 고정된 웨이퍼(100)의 모서리 결함을 검사하는 것이다. 이러한 웨이퍼 파지부(200)와 에지검측부(300)는 하나 또는 복수로 형성되며, 웨이퍼(100)를 고정 및 검사한다. 웨이퍼 파지부(200)는 웨이퍼(100)의 하단에 하나 또는 복수로 형성되어 웨이퍼(100)를 고정하는 것이며, 각각의 웨이퍼 파지부(200)에 웨이퍼(100)가 안착되어 고정되는 것이다. 그리고 에지검측부(300)는 웨이퍼(100)와 웨이퍼 파지부(200)의 측면에 형성되며, 웨이퍼(100)의 모서리 결함 및 제조 상태를 검사한다. The present invention relates to a wafer edge defect inspection apparatus, specifically, the wafer holding part 200 is to fix the wafer 100 formed in various shapes, and the edge detection side part 300 is fixed to the wafer holding part 200 It is to inspect the edge defects of the wafer (100). The wafer holding part 200 and the edge detecting part 300 are formed in one or a plurality, and fix and inspect the wafer 100 . One or more wafer holding units 200 are formed at the lower end of the wafer 100 to fix the wafer 100 , and the wafer 100 is seated and fixed to each wafer holding unit 200 . In addition, the edge detecting unit 300 is formed on the side surfaces of the wafer 100 and the wafer holding unit 200 , and inspects edge defects and manufacturing conditions of the wafer 100 .

따라서, 웨이퍼 파지부(200)와 에지검측부(300)가 하나 또는 복수로 형성됨에 따라 웨이퍼(100)를 효과적으로 고정시켜 검사할 수 있는 것이다.Accordingly, as the wafer holding part 200 and the edge detecting part 300 are formed in one or a plurality, the wafer 100 can be effectively fixed and inspected.

(실시예 2-1) 본 발명은 웨이퍼 모서리 결함 검사장치에 대한 것이며, 실시예 1-1에 있어서, 상기 웨이퍼 파지부(200)는 복수로 형성되며 상기 웨이퍼(100)의 면 또는 모서리와 접촉되는 접촉체(210);를 포함한다.(Embodiment 2-1) The present invention relates to a wafer edge defect inspection apparatus. In Embodiment 1-1, the wafer holding part 200 is formed in plurality and is in contact with a surface or edge of the wafer 100. It includes a contact 210;

(실시예 2-2) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 2-1에 있어서, 구동모터(240)로 회전되며, 복수의 상기 접촉체(210)를 동시에 회전시키는 홀더체결체(220); 상기 접촉체(210)를 홀더체결체(220)에서 개별적으로 선택 회동시키는 홀더엑츄에이터(230);를 포함한다. (Example 2-2) In Example 2-1, the wafer edge defect inspection apparatus of the present invention is rotated by a driving motor 240, and the holder fastener 220 rotates a plurality of the contact bodies 210 at the same time. ); and a holder actuator 230 for individually selectively rotating the contact body 210 in the holder fastening body 220 .

(실시예 2-3) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 2-2에 있어서, 상기 홀더엑츄에이터(230)는 상기 접촉체(210)와 접촉되며, 상기 에지검측부(300)의 간섭으로 작동되는 홀더작동캠(250);을 포함한다.(Embodiment 2-3) In Embodiment 2-2, in the wafer edge defect inspection apparatus of the present invention, the holder actuator 230 is in contact with the contact body 210, and interference of the edge detection side part 300 It includes a; holder operation cam 250 that is operated as

본 발명은 웨이퍼 파지부(200)에 대한 것이며, 구체적으로 웨이퍼 파지부(200)는 웨이퍼(100)를 고정하여 회전시키기 위한 것이다. 이러한 웨이퍼 파지부(200)는 실리콘 재질의 웨이퍼(100)를 고정하는 것으로 웨이퍼(100)의 이면(112) 및 모서리와 접촉되는 접촉체(210)가 형성된다. 이때. 접촉체(210)는 복수로 형성되어 웨이퍼(100)의 모서리에 접촉되는 것으로 웨이퍼(100)를 회전시키며 웨이퍼 모서리(110)의 결함을 감사한다. 그리고 접촉체(210)는 홀더체결체(220)에 구비되는 것으로 홀더체결체(220)는 구동모터(240)에 의하여 회전한다. 홀더체결체(220)는 상부에 웨이퍼(100)가 안착되는 안착대가 형성되며, 안착대는 복수의 접촉체(210)의 일단부가 돌출되어 웨이퍼(100)의 모서리를 고정하도록 복수의 관통홀이 형성된다. 그리고 안착대는 양측면이 서로 대응되는 형상으로 형성되며, 안착대에 형성되는 복수의 관통홀 사이에 간격판이 형성된다. 그리고 안착대의 중심에는 안착판이 형성되어 웨이퍼(100)가 안착되고 안착판의 하부에는 홀더체결체(220)가 형성된다. 그리고 홀더체결체(220)에는 복수의 체결체를 개별적으로 회동시키기 위한 홀더엑츄에이터(230)가 형성된다. 홀더엑츄에이터(230)는 홀더체결체(220)의 측면에 복수로 형성되며, 홀더체결체(220)에 의하여 접촉체(210)와 함께 회전한다. 이러한 홀더엑츄에이터(230)는 회전할 때 안착대의 간격판에 접촉체(210)가 걸리는 것을 방지하기 위하여 접촉체(210)를 상하로 회전시킨다. 또한, 홀더엑츄에이터(230)는 상기 접촉체(210)와 접촉되며, 에지검측부(300)의 간섭 및 간격판에 의하여 접촉체(210)가 접촉되지 않도록 작동되는 홀더작동캠(250)이 형성된다. 홀더작동캠(250)은 접촉체(210)가 회전할 때 에지검측부(300)에 간섭이 발생한다 판단되면 접촉체(210)를 상하로 회전시킨다. The present invention relates to a wafer holding unit 200 , and specifically, the wafer holding unit 200 is to fix and rotate the wafer 100 . The wafer gripper 200 holds the wafer 100 made of a silicon material, and the contact body 210 in contact with the back surface 112 and the edge of the wafer 100 is formed. At this time. The contact body 210 is formed in plurality and is in contact with the edge of the wafer 100 , rotates the wafer 100 and inspects the wafer edge 110 for defects. And the contact body 210 is provided in the holder fastening body 220 , and the holder fastening body 220 is rotated by the driving motor 240 . The holder fastening body 220 has a mounting base on which the wafer 100 is mounted, and the mounting base has one end of the plurality of contact bodies 210 protruding and a plurality of through holes are formed to fix the edges of the wafer 100 . do. In addition, the mounting table is formed in a shape corresponding to both sides thereof, and a spacer is formed between the plurality of through holes formed in the mounting table. In addition, a seating plate is formed in the center of the seating table, the wafer 100 is mounted, and a holder fastening body 220 is formed under the seating plate. In addition, a holder actuator 230 for individually rotating a plurality of fasteners is formed in the holder fastener 220 . A plurality of holder actuators 230 are formed on the side surface of the holder assembly 220 , and rotate together with the contact body 210 by the holder assembly 220 . The holder actuator 230 rotates the contact body 210 up and down in order to prevent the contact body 210 from being caught on the spacer plate of the seat when it rotates. In addition, the holder actuator 230 is in contact with the contact body 210, and a holder operation cam 250 that is operated so as not to contact the contact body 210 due to the interference of the edge detection side part 300 and the spacer is formed. do. The holder operation cam 250 rotates the contact body 210 up and down when it is determined that interference occurs in the edge detection side part 300 when the contact body 210 rotates.

따라서, 본 발명의 웨이퍼 파지부(200)는 복수로 형성되는 접촉체(210)에 의하여 웨이퍼(100)를 고정하며, 회전시킬 수 있는 특징을 가진다.Accordingly, the wafer holding unit 200 of the present invention has a feature of being able to fix and rotate the wafer 100 by the plurality of contact bodies 210 .

(실시예 2-4) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 2-1에 있어서, 복수의 상기 접촉체(210)를 위치시키는 홀더체결체(220); 상기 접촉체(210)를 작동시키는 홀더엑츄에이터(230);를 포함한다.(Embodiment 2-4) The wafer edge defect inspection apparatus of the present invention in Embodiment 2-1, includes a holder fastener 220 for positioning the plurality of contacts 210; and a holder actuator 230 for operating the contact body 210 .

(실시예 2-5) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 2-4에 있어서, 상기 홀더엑츄에이터(230)는 상기 에지검측부(300)의 이동을 감지하여 작동되는 홀더작동캠(250);을 포함한다. (Example 2-5) In the wafer edge defect inspection apparatus of the present invention, in Example 2-4, the holder actuator 230 detects the movement of the edge detection side part 300 and operates the holder operation cam 250 ); includes.

본 발명은 웨이퍼 파지부(200)에 대한 것이며, 구체적으로 웨이퍼 파지부(200)는 웨이퍼(100)를 고정시키는 접촉체(210)를 상하로 회전시키는 홀더엑츄에이터(230)가 형성된다. 이러한 웨이퍼 파지부(200)는 웨이퍼(100)를 복수의 접촉체(210)가 고정되는 홀더체결체(220)가 형성되며, 접촉체(210)는 홀더엑츄에이터(230)에 의하여 상하로 회전한다. 그리고 복수의 접촉체(210)는 웨이퍼(100)의 모서리를 고정하는 것이며, 접촉체(210)의 측면에는 웨이퍼(100)의 모서리 결함을 검사하기 위한 에지검측부(300)가 형성된다. 본 발명의 다른 실시예로 에지검측부(300)가 웨이퍼 모서리(110) 결함을 검사하기 위하여 홀더체결체(220)의 주변을 회전한다. 이때, 에지검측부(300)가 회전할 때 접촉체(210)가 걸리지 않도록 홀더엑츄에이터(230)에 의하여 접촉체(210)가 상하로 이동한다. 그리고 홀더작동캠(250)은 에지검측부(300)의 이동을 감지하여 접촉체(210)를 이동시키는 것으로 에지검측부(300)가 회전할 때 접촉체(210)가 이동하는 것이다.The present invention relates to a wafer holding unit 200 , and specifically, the wafer holding unit 200 includes a holder actuator 230 that vertically rotates the contact body 210 for fixing the wafer 100 . The wafer holding part 200 is formed with a holder assembly 220 to which a plurality of contact bodies 210 are fixed to the wafer 100 , and the contact body 210 is rotated up and down by a holder actuator 230 . . In addition, the plurality of contacts 210 fix the edge of the wafer 100 , and an edge detection side part 300 for inspecting edge defects of the wafer 100 is formed on the side of the contact body 210 . In another embodiment of the present invention, the edge detection unit 300 rotates around the holder assembly 220 in order to inspect the wafer edge 110 defect. At this time, the contact body 210 moves up and down by the holder actuator 230 so that the contact body 210 is not caught when the edge detection side part 300 rotates. And the holder operation cam 250 senses the movement of the edge detection side part 300 to move the contact body 210 , and the contact body 210 moves when the edge detection side part 300 rotates.

따라서, 웨이퍼 파지부(200)는 에지검측부(300)가 회전할 때 접촉체(210)를 작동시키는 특징을 가진다.Accordingly, the wafer holding unit 200 has a feature of operating the contact body 210 when the edge detection side unit 300 rotates.

(실시예 2-6) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 2-1에 있어서, 상기 접촉체(210)는 절연소재로 형성되는 것;을 포함한다. (Embodiment 2-6) The wafer edge defect inspection apparatus of the present invention according to Embodiment 2-1, wherein the contact body 210 is formed of an insulating material; includes.

(실시예 2-7) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 2-1에 있어서, 상기 접촉체(210)는 폴리머로 형성되는 것;을 포함한다.(Embodiment 2-7) The wafer edge defect inspection apparatus of the present invention according to Embodiment 2-1, wherein the contact body 210 is formed of a polymer; includes.

(실시예 2-8) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 2-1에 있어서, 상기 접촉체(210) 일면은 직선 또는 곡선으로 형성되는 것;을 포함한다.(Embodiment 2-8) The wafer edge defect inspection apparatus of the present invention according to Embodiment 2-1, wherein one surface of the contact body 210 is formed in a straight line or a curve.

(실시예 2-9) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 2-8에 있어서, 상기 접촉체(210)에 균일 접촉력을 발생시키는 탄성수단(211);을 포함한다.(Embodiment 2-9) The wafer edge defect inspection apparatus of the present invention includes an elastic means 211 for generating a uniform contact force to the contact body 210 according to Embodiment 2-8.

(실시예 2-10) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 2-1에 있어서, 상기 탄성수단은 스프링으로 형성되는 것;을 포함한다.(Example 2-10) The wafer edge defect inspection apparatus of the present invention according to Example 2-1, wherein the elastic means is formed of a spring; includes.

(실시예 2-11) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 2-1에 있어서, 상기 접촉체(210) 일면에 위치하며, 웨이퍼(100)의 접촉 압력을 측정하는 접촉압측정센서;를 포함한다.(Example 2-11) In Example 2-1, the wafer edge defect inspection apparatus of the present invention includes: a contact pressure sensor positioned on one surface of the contact body 210 and measuring the contact pressure of the wafer 100; includes

본 발명은 접촉체(210)에 대한 것이며, 구체적으로 접촉체(210)는 홀더체결체(220)의 측면에 복수로 형성되며, 홀더엑츄에이터(230)에 의하여 회동하며 웨이퍼(100)를 고정시키는 것이다. 이러한 접촉체(210)는 절연소재인 폴리머로 형성되며, 일면은 직선 또는 곡선으로 형성된다. 그리고 접촉체(210)는 일단부가 홀더엑츄에이터(230)에 의하여 회동하는 것으로 웨이퍼(100)를 회전시킬 때 하부로 회동하여 에지검측부(300)에 걸리지 않도록 한다. 접촉체(210)는 웨이퍼(100)와 균일 접촉력을 발생시키기 위하여 탄성수단이 형성되며, 탄성수단은 스프링으로 형성되나 본 발명에서는 탄성수단의 종류를 한정하지 않는다. 그리고 접촉체(210)는 일면에 웨이퍼(100)와의 접촉 압력을 측정하기 위한 접촉압측정센서가 형성되며, 접촉압측정센서에 의하여 실리콘으로 형성되는 웨이퍼(100)의 파손을 방지한 상태로 고정하여 회전시킬 수 있다. 이때, 접촉체(210)는 웨이퍼(100)가 회전할 때 접촉체(210)와 이탈되지 않도록 일정한 압력으로 웨이퍼(100)를 고정한다.The present invention relates to the contact body 210, and specifically, the contact body 210 is formed in a plurality on the side of the holder assembly 220, and rotates by the holder actuator 230 to fix the wafer 100. will be. The contact body 210 is formed of a polymer which is an insulating material, and one surface thereof is formed in a straight line or a curved shape. And, one end of the contact body 210 is rotated by the holder actuator 230 , so that when the wafer 100 is rotated, it is rotated downward so as not to be caught on the edge detection side part 300 . The contact body 210 is formed with an elastic means to generate a uniform contact force with the wafer 100, and the elastic means is formed of a spring, but the type of elastic means is not limited in the present invention. And a contact pressure sensor for measuring the contact pressure with the wafer 100 is formed on one surface of the contact body 210, and it is fixed in a state in which damage to the wafer 100 formed of silicon is prevented by the contact pressure sensor. can be rotated. At this time, the contact body 210 fixes the wafer 100 with a constant pressure so as not to separate from the contact body 210 when the wafer 100 rotates.

따라서, 접촉체(210)는 웨이퍼(100)를 고정함과 동시에 회전하기 위하여 웨이퍼(100)의 모서리를 고정하는 특징을 가진다.Accordingly, the contact body 210 has a feature of fixing the edge of the wafer 100 in order to fix and rotate the wafer 100 at the same time.

(실시예 3-1) 본 발명은 웨이퍼 모서리 결함 검사장치에 대한 것이며, 실시예 2-1에 있어서, 상기 에지검측부(300)는 일정한 조도의 빛을 상기 모서리에 발광하는 라이트(310); 상기 웨이퍼 모서리(110)를 촬영하는 카메라(320);를 포함한다.(Embodiment 3-1) The present invention relates to a wafer edge defect inspection apparatus. In Embodiment 2-1, the edge detecting unit 300 includes a light 310 that emits light of a constant illuminance to the corner; and a camera 320 for photographing the wafer edge 110 .

(실시예 3-2) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 3-1에 있어서, 상기 카메라(320) 또는 상기 라이트(310)는 하나 또는 복수로 형성되는 것;을 포함한다.(Embodiment 3-2) The wafer edge defect inspection apparatus of the present invention according to Embodiment 3-1, wherein the camera 320 or the light 310 is formed in one or a plurality; includes.

(실시예 3-3) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 3-1에 있어서, 상기 라이트(310) 및 카메라(320)를 고정하는 검측하우징(330);을 포함한다. (Embodiment 3-3) The wafer edge defect inspection apparatus of the present invention includes a detection housing 330 for fixing the light 310 and the camera 320 according to Embodiment 3-1.

(실시예 3-4) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 3-3에 있어서, 상기 검측하우징(330)은 하나 또는 복수로 형성되는 것;을 포함한다.(Embodiment 3-4) The wafer edge defect inspection apparatus of the present invention according to Embodiment 3-3, wherein the detection housing 330 is formed in one or a plurality; includes.

(실시예 3-5) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 3-4에 있어서, 상기 검측하우징(330)은 고정 또는 가변되는 것;을 포함한다.(Embodiment 3-5) The wafer edge defect inspection apparatus of the present invention according to Embodiment 3-4, wherein the detection housing 330 is fixed or variable.

본 발명은 에지검측부(300)에 대한 것이며, 구체적으로 에지검측부(300)는 웨이퍼 모서리(110)를 촬영하여 결함을 검사하는 것이다. 이러한 에지검측부(300)는 실리콘으로 형성되어 제조될 때 결함이 발생할 수 있는 모서리를 검사하기 위한 것으로 웨이퍼 파지부(200)의 측면에 배치된다. 에지검측부(300)는 웨이퍼(100)로 일정한 조도의 빛을 발광하는 라이트(310)가 형성되며, 라이트(310)는 일정한 각도로 빛을 발광하여 빛이 반사되어 카메라(320)로 유입되는 것을 방지한다. 또한, 라이트(310)는 하나 또는 복수로 형성되며, 검측하우징(330)에 고정되어 형성된다. 라이트(310)는 ‘C’형상의 곡면으로 형성되며, 라이트(310)의 평면(111), 수직면(113), 이면(112)으로 동시에 빛을 발광한다. 그리고 카메라(320)는 라이트(310)와 근접하게 배치되어 웨이퍼 파지부(200)에서 고정 및 회전하는 웨이퍼(100)의 모서리를 검사한다. 이때, 카메라(320)도 라이트(310)와 동일하게 하나 또는 복수로 형성되며, 검측하우징(330)에 고정된다. 그리고 카메라(320)는 웨이퍼 모서리(110)의 수직면(113)과 제 1경계면(114)과 제 2경계면(115)을 각각 촬영한다. 검측하우징(330)은 하나 또는 복수로 형성되어 라이트(310)와 카메라(320)를 동시에 고정하거나 라이트(310)와 카메라(320)를 각각 고정한다. 이때, 라이트(310)와 카메라(320)를 고정하는 검측하우징(330)은 웨이퍼 파지부(200)에 고정 또는 가변되며, 복수의 검측하우징(330) 간격은 카메라(320) 촬영에 필요한 조도가 유지되도록 일정하게 형성된다.The present invention relates to the edge detection side unit 300 , and specifically, the edge detection side unit 300 inspects the defect by photographing the wafer edge 110 . The edge detecting part 300 is formed of silicon and is disposed on the side of the wafer gripping part 200 to inspect an edge where defects may occur when manufactured. The edge detection side part 300 is formed with a light 310 that emits light of a constant illuminance to the wafer 100, and the light 310 emits light at a certain angle so that the light is reflected and flows into the camera 320. prevent that In addition, the light 310 is formed in one or a plurality and is fixed to the detection housing 330 . The light 310 is formed in a 'C'-shaped curved surface, and simultaneously emits light to the flat surface 111 , the vertical surface 113 , and the back surface 112 of the light 310 . In addition, the camera 320 is disposed close to the light 310 to inspect the edge of the wafer 100 fixed and rotated by the wafer holding unit 200 . At this time, the camera 320 is also formed in one or a plurality of lights 310 and is fixed to the detection housing 330 . In addition, the camera 320 photographs the vertical surface 113 , the first boundary surface 114 , and the second boundary surface 115 of the wafer edge 110 , respectively. The detection housing 330 is formed in one or a plurality to fix the light 310 and the camera 320 at the same time or the light 310 and the camera 320 respectively. At this time, the detection housing 330 for fixing the light 310 and the camera 320 is fixed or variable to the wafer holding unit 200, and the distance between the plurality of detection housings 330 is the illuminance required for the camera 320 photographing. formed to be constant.

(실시예 3-6) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 3-3에 있어서, 상기 검측하우징(330) 내면에 형성되는 반사부(331);를 포함한다.(Embodiment 3-6) In Embodiment 3-3, the wafer edge defect inspection apparatus of the present invention includes a reflection unit 331 formed on the inner surface of the detection housing 330;

(실시예 3-7) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 3-6에 있어서, 상기 검측하우징(330) 또는 라이트(310)에 부착되며, 라이트(310)의 빛을 확산시키는 확산판(332);을 포함한다.(Example 3-7) In Example 3-6, the wafer edge defect inspection apparatus of the present invention is attached to the detection housing 330 or the light 310, and a diffusion plate for diffusing the light of the light 310 (332);

(실시예 3-8) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 3-3에 있어서, 상기 검측하우징(330)은 라운드 형상 또는 다각형 형상으로 형성되는 것;을 포함한다.(Embodiment 3-8) The wafer edge defect inspection apparatus of the present invention according to Embodiment 3-3, wherein the detection housing 330 is formed in a round shape or a polygonal shape; includes.

본 발명은 검측하우징(330)에 대한 것이며, 구체적으로 검측하우징(330)은 라이트(310)의 빛을 반사 및 확산하는 것이다. 이러한 검측하우징(330)은 라이트(310)가 고정되는 제 1검측하우징(333)과 카메라(320)가 고정되는 제 2검측하우징(334)이 형성된다. 제 1검측하우징(333)은 라이트(310)가 고정되는 것으로 라운드 형상 및 다각형 형상의 곡면으로 형성됨에 따라 웨이퍼(100)의 모서리 전체로 빛을 발광한다. 그리고 제 1검측하우징(333)은 제 2검측하우징(334)에 연결되거나 웨이퍼 파지부(200)에 고정되도록 연결바가 형성된다. 제 1검측하우징(333)은 내면에 반사부(331)가 형성되며, 라이트(310)에서 발광하는 빛이 반사되어 웨이퍼(100)로 전달된다. 그리고 제 1검측하우징(333)은 라이트(310)의 빛을 확산시키기 위하여 확산판(332)이 형성되며, 확산판(332)은 웨이퍼(100) 전체로 빛을 발광하여 카메라(320)에서 보다 효과적으로 모서리를 감시하는 것이다. 제 2검측하우징(334)은 카메라(320)를 고정시키기 위하여 지면에 고정되어 형성되며, 웨이퍼 파지부(200)와 근접하도록 형성된다. The present invention relates to the detection housing 330 , and specifically, the detection housing 330 reflects and diffuses the light of the light 310 . The detection housing 330 is formed with a first detection housing 333 to which the light 310 is fixed and a second detection housing 334 to which the camera 320 is fixed. The first detection housing 333 emits light to the entire edge of the wafer 100 as the light 310 is fixed and is formed in a curved surface of a round shape and a polygonal shape. And the first detecting housing 333 is connected to the second detecting housing 334 or a connecting bar is formed so as to be fixed to the wafer holding unit 200 . The first detection housing 333 has a reflective portion 331 formed on its inner surface, and the light emitted from the light 310 is reflected and transmitted to the wafer 100 . And the first detection housing 333 is formed with a diffusion plate 332 to diffuse the light of the light 310, the diffusion plate 332 emits light to the entire wafer 100, the camera 320 than Effectively monitoring edges. The second detection housing 334 is fixed to the ground to fix the camera 320 , and is formed to be close to the wafer holding unit 200 .

따라서, 검측하우징(330)은 라이트(310) 및 카메라(320)를 고정하는 것으로 웨이퍼(100)가 회전할 때 효과적으로모서리의 결함을 검사하는 것이다.Therefore, the detection housing 330 is to fix the light 310 and the camera 320, and effectively inspects the defect of the edge when the wafer 100 is rotated.

(실시예 3-9) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 3-3에 있어서, 상기 카메라(320) 또는 상기 라이트(310) 위치를 상기 검측하우징(330) 내부에서 이동시키는 제 1이송장치(341); 상기 제 1이송장치(341)의 위치 이동을 제어하는 제 1이동제어기(342);를 포함한다.(Embodiment 3-9) The wafer edge defect inspection apparatus of the present invention in Embodiment 3-3, the first transfer for moving the position of the camera 320 or the light 310 inside the detection housing 330 device 341; and a first movement controller 342 for controlling the position movement of the first transfer device 341 .

(실시예 3-10) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 3-9에 있어서, 상기 웨이퍼(100)에 인접 위치하는 조도기(351); 상기 조도기(351)의 신호를 인지하며, 라이트(310)의 발광도를 가변시키는 조도제어기(352);를 포함한다.(Example 3-10) In Example 3-9, the wafer edge defect inspection apparatus of the present invention comprises: a roughener 351 positioned adjacent to the wafer 100; and an illuminance controller 352 for recognizing the signal of the illuminator 351 and varying the luminous intensity of the light 310 .

(실시예 3-11) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 3-9에 있어서, 상기 검측하우징(330)을 이송시키는 제 2이송장치(361);를 포함한다.(Embodiment 3-11) The wafer edge defect inspection apparatus of the present invention includes a second transfer apparatus 361 for transferring the detection housing 330 according to the embodiment 3-9.

(실시예 3-12) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 3-11에 있어서, 상기 모서리의 위치를 측정하는 위치측정센서(362); 상기 제 1위치측정센서(362)의 신호를 인지하며, 제 2이송장치(361)의 이송 궤적을 제어하는 이송제어기(363);를 포함한다.(Embodiment 3-12) In Embodiment 3-11, the wafer edge defect inspection apparatus of the present invention includes: a position measuring sensor 362 for measuring the position of the edge; and a transfer controller 363 that recognizes the signal of the first position measuring sensor 362 and controls the transfer trajectory of the second transfer device 361 .

본 발명은 검측하우징(330)에 대한 것이며, 구체적으로 검측하우징(330)은 카메라(320)와 라이트(310) 위치를 가변시키는 것이다. 검측하우징(330)은 웨이퍼 파지부(200)를 향해 균일한 빛을 발광하여 웨이퍼 모서리(110)를 검사하기 위하여 라이트(310)와 카메라(320)를 이송시킨다. 이때. 카메라(320)와 라이트(310)는 검측하우징(330) 내부에서 이동하도록 제 1이송장치(341)가 형성되며, 제 1이송장치(341)는 제 1이동제어기(342)에 의하여 위치 이동이 제어된다. 그리고 제 1이송장치(341)에 의하여 이동하는 라이트(310)의 발광도를 측정하기 위한 조도기(351)가 형성되며, 조도기(351)는 웨이퍼(100)와 인접 위치하도록 형성된다. 이러한 조도기(351)는 조도제어기(352)에 의하여 라이트(310)의 발광도를 가변시키는 특징을 가진다.The present invention relates to the detection housing 330, specifically, the detection housing 330 is to change the position of the camera 320 and the light 310. The detection housing 330 emits uniform light toward the wafer holding unit 200 to transport the light 310 and the camera 320 to inspect the wafer edge 110 . At this time. The camera 320 and the light 310 are formed with a first transfer device 341 to move inside the detection housing 330 , and the first transfer device 341 is moved by the first movement controller 342 . Controlled. And the illuminator 351 for measuring the luminous intensity of the moving light 310 by the first transfer device 341 is formed, and the illuminator 351 is formed to be positioned adjacent to the wafer 100 . The illuminator 351 has a characteristic of varying the luminous intensity of the light 310 by the illuminance controller 352 .

(실시예 4-1) 본 발명은 웨이퍼 모서리 결함 검사장치에 대한 것이며, 실시예 3-1에 있어서, 상기 카메라(320)의 화상 정보를 입력 받으며, 웨이퍼 모서리(110)의 결함여부를 판별하는 제어부(410);를 포함한다.(Embodiment 4-1) The present invention relates to a wafer edge defect inspection apparatus, and in Embodiment 3-1, receiving image information of the camera 320, and determining whether the wafer edge 110 is defective The control unit 410; includes.

(실시예 4-2) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 4-1에 있어서, 상기 카메라(320)의 화상을 검지하며, 초점을 제어하는 초점제어기(420);를 포함한다.(Embodiment 4-2) The apparatus for inspecting wafer edge defects of the present invention according to Embodiment 4-1, detects an image of the camera 320, and a focus controller 420 for controlling focus.

(실시예 4-3) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 4-1에 있어서, 상기 초점제어기(420)는 카메라(320) 렌즈를 왕복 이동시키는 렌즈구동장치(430);를 포함한다.(Embodiment 4-3) The wafer edge defect inspection apparatus of the present invention according to Embodiment 4-1, wherein the focus controller 420 includes a lens driving device 430 for reciprocating the camera 320 lens. .

(실시예 4-4) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 4-1에 있어서, 상기 화상정보를 입력받아 결함의 종류 및 위치를 판별하는 판단부(440);를 포함한다.(Embodiment 4-4) In Embodiment 4-1, the wafer edge defect inspection apparatus of the present invention includes a determination unit 440 that receives the image information and determines the type and location of the defect.

본 발명은 제어부(410)에 대한 것이며, 구체적으로 카메라(320)에서 측정한 웨이퍼 모서리(110)의 결함 여부를 판별하는 것이다. 이러한 제어부(410)는 에지검측부(300)의 카메라(320)에서 검측한 화상 정보를 수신받아 웨이퍼 모서리(110)의 결함 여부를 판별한다. 제어부(410)는 카메라(320)의 화상을 검지함과 동시에 초점을 제어하는 초점제어기(420)가 형성되며, 초점제어기(420)에 의하여 회전하는 웨이퍼(100)의 모서리를 측정한다. 그리고 초점제어기(420)는 카메라(320) 렌즈를 왕복 이동시키는 렌즈구동장치(430)가 형성되며, 렌즈구동장치(430)는 카메라(320) 렌즈를 상하 좌우로 이동시킨다. 이때, 렌즈구동장치(430)는 웨이퍼 모서리(110)의 수직면(113)과 제 제 1경계면(114)과 제 2경계면(115)을 각각 검측하는 복수의 카메라(320)를 동시에 이동시키거나 각각 이동시킨다. 이와 같이 웨이퍼 모서리(110)를 검측하는 카메라(320)의 화상 정보를 입력받아 판단부에서 웨이퍼(100)의 결함 종류 및 위치를 판별한다. 이때, 웨이퍼(100)의 결함은 찢어짐, 함몰, 크랙 등 다양하게 형성된다. 그리고 카메라(320)는 웨이퍼(100)가 회전할 때 결함을 측정하는 제 1카메라(321)와 웨이퍼(100)의 결함을 확대하여 측정하는 제 2카메라(322)가 형성된다. 제 1카메라(321)와 제 2카메라(322)는 서로 이격되어 형성되며, 제 2카메라(322)는 웨이퍼(100)의 모서리 결함을 확대하여 측정함과 동시에 결함 외의 이물질과 패턴 및 경계면의 굴곡을 검측한다.The present invention relates to the control unit 410, specifically to determine whether the wafer edge 110 measured by the camera 320 is defective. The control unit 410 receives image information detected by the camera 320 of the edge detection unit 300 and determines whether the wafer edge 110 is defective. The control unit 410 is provided with a focus controller 420 that detects the image of the camera 320 and controls the focus at the same time, and measures the edge of the rotating wafer 100 by the focus controller 420 . In addition, the focus controller 420 is formed with a lens driving device 430 that reciprocates the lens of the camera 320 , and the lens driving device 430 moves the lens of the camera 320 vertically and horizontally. At this time, the lens driving device 430 simultaneously moves a plurality of cameras 320 for detecting the vertical surface 113 and the first boundary surface 114 and the second boundary surface 115 of the wafer edge 110, respectively, or move it In this way, the image information of the camera 320 for detecting the edge of the wafer 110 is received, and the determination unit determines the type and location of the defect of the wafer 100 . At this time, the defects of the wafer 100 are variously formed, such as torn, dent, and crack. In addition, the camera 320 includes a first camera 321 that measures defects when the wafer 100 rotates and a second camera 322 that enlarges and measures defects of the wafer 100 . The first camera 321 and the second camera 322 are formed to be spaced apart from each other, and the second camera 322 enlarges and measures the edge defects of the wafer 100 and at the same time, foreign substances other than defects, patterns, and bending of the boundary surface. to detect

따라서, 본 발명의 제어부(410)는 카메라(320)를 제어하여 웨이퍼(100)를 효과적으로 검측할 수 있는 특징을 가진다. Accordingly, the controller 410 of the present invention has a feature that can effectively detect the wafer 100 by controlling the camera 320 .

(실시예 5-1) 본 발명은 웨이퍼 모서리 결함 검사장치에 대한 것이며, 실시예 1-1에 있어서, 내부공간을 형성하며, 상기 웨이퍼 파지부(200) 및 상기 에지검측부(300)를 수용하는 케이스(510); 상기 케이스(510) 외부와 결합되며, 복수의 웨이퍼(100)를 수용하는 웨이퍼카트리지(520); 상기 웨이퍼(100)카트리지 및 상기 웨이퍼 파지부(200)로 웨이퍼(100)를 이송하는 이송로봇(530);을 포함한다.(Example 5-1) The present invention relates to a wafer edge defect inspection apparatus. In Example 1-1, an inner space is formed, and the wafer holding part 200 and the edge detecting part 300 are accommodated. a case 510; a wafer cartridge 520 coupled to the outside of the case 510 and accommodating a plurality of wafers 100; and a transfer robot 530 for transferring the wafer 100 to the wafer 100 cartridge and the wafer holding unit 200 .

(실시예 5-2) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 5-1에 있어서, 상기 웨이퍼(100)파지부, 에지검측부(300), 웨이퍼(100)카트리지, 이송로봇에 전원을 공급하는 전원공급부(540);를 포함한다.(Example 5-2) In the wafer edge defect inspection apparatus of the present invention, in Example 5-1, power is supplied to the wafer 100 holding part, the edge detecting side part 300, the wafer 100 cartridge, and the transfer robot. It includes; a power supply unit 540 for supplying.

(실시예 5-3) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 5-1에 있어서, 상기 전원공급부에 형성되며, 전원을 저장하고 배출하는 전원충전기(541);를 포함한다.(Example 5-3) The apparatus for inspecting wafer edge defects of the present invention according to Example 5-1, is formed in the power supply unit, and includes a power charger 541 for storing and discharging power.

(실시예 5-4) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치는 실시예 5-1에 있어서, 상기 케이스(510)에 위치하며, 진동을 제거하는 제진장치(511);를 포함한다. (Example 5-4) The apparatus for inspecting wafer edge defects of the present invention according to Example 5-1, which is located in the case 510, includes a vibration damping device 511 for removing vibration.

본 발명은 웨이퍼 파지부(200) 및 에지검측부(300)를 수용하는 케이스(510)에 대한 것이며, 구체적으로 케이스(510)는 케이스(510) 외부와 결합되며, 웨이퍼(100)를 수용하는 웨이퍼(100)카트리지가 형성되는 것이다. 이러한 케이스(510)는 웨이퍼 파지부(200)와 에지검측부(300)를 수용하며, 케이스(510)는 웨이퍼 파지부(200)가 회전할 때 걸리지 않도록 형성된다. 그리고 케이스(510)의 외측에는 웨이퍼(100)카트리지가 형성되어 잉곳을 절단하여 형성되는 복수의 웨이퍼(100)를 수용하는 웨이퍼(100)카트리지가 형성된다. 웨이퍼(100)카트리지는 각각의 웨이퍼(100)를 웨이퍼 파지부(200) 상부로 공급하며, 웨이퍼(100)카트리지에서 공급하는 이송로봇은 로봇팔, 실린더 등에 의하여 웨이퍼(100)를 공급한다. 그리고 웨이퍼 파지부(200)와 에지검측부(300), 웨이퍼(100)카트리지, 이송로봇으로 전원을 공급하는 전원공급부가 형성되며, 전원공급부는 전원을 저장하고 배출하는 전원충전기가 형성된다. 또한, 케이스(510)는 웨이퍼(100)를 검측하는 과정에서 웨이퍼(100)의 진동을 제거하는 제진장치가 형성되며, 제진장치는 케이스(510) 외부에서 작용하는 진동을 제거한다.The present invention relates to a case 510 for accommodating the wafer holding part 200 and the edge detection side part 300 , and specifically, the case 510 is coupled to the outside of the case 510 and accommodates the wafer 100 . A wafer 100 cartridge is formed. The case 510 accommodates the wafer holding part 200 and the edge detection side part 300 , and the case 510 is formed so as not to be caught when the wafer holding part 200 rotates. And a wafer 100 cartridge is formed on the outside of the case 510 to accommodate a plurality of wafers 100 formed by cutting the ingot. The wafer 100 cartridge supplies each wafer 100 to the wafer holding part 200, and the transfer robot supplied from the wafer 100 cartridge supplies the wafer 100 by a robot arm, a cylinder, or the like. And a power supply unit for supplying power to the wafer holding unit 200, the edge detection side unit 300, the wafer 100 cartridge, and the transfer robot is formed, and the power supply unit is formed with a power charger for storing and discharging power. In addition, the case 510 is provided with a vibration damping device that removes vibrations of the wafer 100 in the process of detecting the wafer 100 , and the vibration damping device removes vibrations acting outside the case 510 .

따라서, 케이스(510)는 웨이퍼 파지부(200)와 에지검측부(300)를 수용하며, 복수의 웨이퍼(100)를 수용하여 공급하는 웨이퍼(100)카트리지와 이송로보곳이 형성되는 것이다. Accordingly, the case 510 accommodates the wafer holding part 200 and the edge detection side part 300 , and a wafer 100 cartridge and a transfer path bogot for accommodating and supplying a plurality of wafers 100 are formed.

(실시예 6-1) 본 발명은 웨이퍼 모서리 결함 검사방법에 대한 것이며, 웨이퍼 모서리 결함 검사방법에 있어서, 웨이퍼(100)를 웨이퍼 파지부(200)로 이송하는 이송단계(S100);, 상기 이송단계(S100) 후, 웨이퍼(100)의 모서리를 파지하는 파지단계(S200); 상기 파지단계(S200) 후, 웨이퍼 모서리(110)를 검지하는 검지단계(S300);를 포함한다.(Example 6-1) The present invention relates to a wafer edge defect inspection method, in the wafer edge defect inspection method, a transfer step (S100) of transferring the wafer 100 to the wafer holding unit 200; After the step (S100), a gripping step (S200) of gripping the edge of the wafer 100; After the holding step (S200), a detecting step (S300) of detecting the wafer edge 110; includes.

(실시예 6-2) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사방법은 실시예 6-1에 있어서, 상기 검지단계(S300) 중, 웨이퍼(100)를 파지하는 복수의 접촉체(210) 중 일부를 웨이퍼(100)로부터 이탈시키는 부분이탈단계(S310)를 포함한다. (Example 6-2) In the method of inspecting a wafer edge defect of the present invention, in Example 6-1, during the detecting step (S300), some of the plurality of contact bodies 210 holding the wafer 100 are applied to the wafer. (100) includes a partial departure step (S310) of leaving.

(실시예 6-3) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사방법은 실시예 6-1에 있어서, 상기 검지단계(S300) 중, 웨이퍼(100)를 회전하는 웨이퍼 회전단계(S410);를 포함한다. (Example 6-3) The wafer edge defect inspection method of the present invention includes a wafer rotation step (S410) of rotating the wafer 100 during the detection step (S300) in Example 6-1.

(실시예 6-4) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사방법은 실시예 6-1에 있어서, 상기 검지단계(S300) 중, 검지장치를 이동시키는 웨이퍼 이동단계(S420);를 포함한다.(Example 6-4) The wafer edge defect inspection method of the present invention includes a wafer moving step (S420) of moving the detection device during the detection step (S300) in Example 6-1.

본 발명은 웨이퍼 모서리 결함 검사방법에 대한 것이며, 구체적으로 웨이퍼(100)의 모서리 결함을 검측하기 위한 것으로 웨이퍼 모서리 결함 검사장치에 의하여 웨이퍼(100)의 모서리 결함을 검사한다. 이러한 웨이퍼(100)는 이송단계(S100)에 의하여 웨이퍼 파지부(200)로 웨이퍼(100)가 이송되며, 웨이퍼(100)는 파지단계(S200)에서 웨이퍼(100)의 모서리를 파지한다. 이때, 파지단계(S200)에서는 웨이퍼 파지부(200)에 복수로 형성되는 접촉체(210)에 의하여 웨이퍼 모서리(110)가 고정된다. 검지단계(S300)에서 웨이퍼 모서리(110)가 검지되며, 웨이퍼(100)는 회전함에 따라 에지검측부(300)에 의하여 웨이퍼(100)를 검사한다. 이때, 검지단계(S300)는 웨이퍼 회전단계(S410)에서 웨이퍼(100)를 회전시키는 것이나 웨이퍼(100) 이동단계에서 검지장치를 웨이퍼 파지부(200)의 주변에서 회전시킬 수 있다. 또한, 검지단계(S300)에서 웨이퍼(100)를 파지하는 복수의 접촉체(210)는 웨이퍼(100)와 에지검측부(300)가 접촉되는 것을 방지하기 위하여 접촉체(210)를 상하로 회동시키는 부분이탈단계(S310)가 형성된다.The present invention relates to a wafer edge defect inspection method, specifically for detecting edge defects of the wafer 100, and inspects the edge defects of the wafer 100 by a wafer edge defect inspection apparatus. The wafer 100 is transferred to the wafer gripper 200 by the transfer step S100 , and the wafer 100 grips the edge of the wafer 100 in the gripping step S200 . At this time, in the gripping step ( S200 ), the wafer edge 110 is fixed by the contact bodies 210 formed in a plurality of the wafer gripping parts 200 . In the detection step ( S300 ), the edge of the wafer 110 is detected, and as the wafer 100 rotates, the wafer 100 is inspected by the edge detection unit 300 . In this case, in the detection step S300 , the wafer 100 may be rotated in the wafer rotation step S410 or the detection device may be rotated around the wafer holding unit 200 in the wafer 100 movement step. In addition, the plurality of contacts 210 holding the wafer 100 in the detection step S300 rotate the contact bodies 210 up and down to prevent the wafer 100 and the edge detection side part 300 from coming into contact. A partial detachment step (S310) is formed.

따라서, 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사방법은 웨이퍼(100)를 파지하여 회전함에 따라 카메라(320)에 의하여 웨이퍼 모서리(110)를 검측하는 특징을 가진다. Therefore, the wafer edge defect inspection method of the present invention has a feature of detecting the wafer edge 110 by the camera 320 as the wafer 100 is gripped and rotated.

(실시예 6-5) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사방법은 실시예 6-1에 있어서, 상기 검지단계(S300) 중, 웨이퍼(100)의 모서리에 빛을 발산하는 조명단계(S320); 상기 검지단계(S300) 중, 웨이퍼(100)의 모서리를 촬영하는 촬영단계(S330); 상기 촬영단계(S330) 중, 촬영영상의 초점을 조절하는 초점조절단계(S340); 상기 촬영단계(S330) 중, 조도를 조절하는 조도조절단계(S350)를 포함한다. (Example 6-5) The wafer edge defect inspection method of the present invention according to Example 6-1, during the detection step (S300), an illumination step of emitting light to the edge of the wafer 100 (S320); During the detection step (S300), a photographing step of photographing the edge of the wafer 100 (S330); During the photographing step (S330), a focus adjustment step (S340) of adjusting the focus of the photographed image; In the photographing step (S330), an illuminance adjusting step (S350) of adjusting the illuminance is included.

(실시예 6-6) 본 발명의 웨이퍼 모서리 결함 검사방법은 실시예 6-1에 있어서, 상기 검지단계(S300) 중, 제어기에 의해 결함을 판단하는 결함판단단계(S500);를 포함한다.(Example 6-6) The wafer edge defect inspection method of the present invention includes a defect determination step (S500) of determining a defect by a controller during the detection step (S300) in Example 6-1.

본 발명은 검지단계(S300)에 대한 것이며, 구체적으로 검지단계(S300)에서는 웨이퍼(100)에 빛을 발산하여 웨이퍼 모서리(110)의 결함을 촬영하는 것이다. 이러한 검지단계(S300)는 웨이퍼(100)의 모서리를 빛을 발산하는 조명단계(S320)가 형성되며, 곡면으로 형성되는 라이트(310)에 의하여 웨이퍼 모서리(110)로 빛을 발산한다. 그리고 웨이퍼(100)의 모서리를 카메라(320)로 촬영하는 촬영단계(S330)가 형성되며, 카메라(320)는 모서리의 수직면(113), 제 1경계면(114), 제 2경계면(115)을 각각 촬영하여 측정한다. 이때, 카메라(320)는 하나 또는 복수로 형성되어 웨이퍼 모서리(110)의 결함을 촬영하거나 웨이퍼 모서리(110)를 확대하여 검측한다. 그리고 촬영단계(S330)는 제어부(410)에 의하여 초점을 조절하는 초점조절단계(S340)와 조도를 조절하는 조도조절단계(S350)가 형성된다. 또한, 검지단계(S300) 중 제어기에 의하여 결함을 판단하는 결함판단단계(S500)가 형성된다. The present invention relates to the detection step (S300), and specifically, in the detection step (S300), light is emitted to the wafer 100 to photograph the defects of the wafer edge 110 . In this detection step (S300), an illumination step (S320) of emitting light to the edge of the wafer 100 is formed, and light is emitted to the edge of the wafer 110 by the light 310 formed in a curved surface. And a photographing step (S330) of photographing the edge of the wafer 100 with the camera 320 is formed, and the camera 320 has the vertical surface 113 of the edge, the first boundary surface 114, and the second boundary surface 115. Each is photographed and measured. At this time, the camera 320 is formed in one or a plurality to photograph the defect of the wafer edge 110 or detect by enlarging the wafer edge 110 . In the photographing step (S330), a focus adjusting step (S340) of adjusting the focus by the control unit 410 and an illuminance adjusting step (S350) of adjusting the illuminance are formed. In addition, a defect determination step (S500) of determining a defect by the controller during the detection step (S300) is formed.

100: 웨이퍼 110: 웨이퍼 모서리
111: 평면 112: 이면
113: 수직면 114: 제 1경계면
115: 제 2경계면 200: 웨이퍼 파지부
210: 접촉체 220: 홀더체결체
230: 홀더엑츄에이터 240: 구동모터
250: 홀더작동캠 300: 에지검측부
310: 라이트 320: 카메라
321: 제 1카메라 322: 제 2카메라
330: 검측하우징 331: 반사부
332: 확산판 341: 제 1이송장치
342: 제 1이동제어기 351: 조도기
352: 조도제어기 361: 제 2이송장치
362: 위치측정센서 363: 이송제어기
410: 제어부 420: 초점제어기
430: 렌즈구동장치 510: 케이스
S100: 이송단계 S200: 파지단계
S300: 검지단계 S310: 부분이탈단계
S320: 조명단계 S330: 촬영단계
S340: 초점조절단계 S350: 조도조절단계
S500: 결함판단단계 S410: 웨이퍼 회전단계
S420: 웨이퍼 이동단계?100: wafer 110: wafer edge
111: plane 112: back side
113: vertical surface 114: first boundary surface
115: second boundary surface 200: wafer holding part
210: contact 220: holder fastening body
230: holder actuator 240: drive motor
250: holder operation cam 300: edge detection side
310: light 320: camera
321: first camera 322: second camera
330: detection housing 331: reflector
332: diffuser plate 341: first transfer device
342: first movement controller 351: illuminator
352: illuminance controller 361: second transfer device
362: position measurement sensor 363: feed controller
410: controller 420: focus controller
430: lens driving device 510: case
S100: transfer step S200: gripping step
S300: detection step S310: partial departure step
S320: lighting stage S330: shooting stage
S340: focus adjustment step S350: illuminance adjustment step
S500: Defect determination step S410: Wafer rotation step
S420: Wafer moving stage?

Claims (6)

판재형상의 웨이퍼(100);
상기 웨이퍼(100)를 고정하는 웨이퍼 파지부(200);
상기 웨이퍼 모서리(110)의 결함을 검측하는 에지검측부(300);
상기 웨이퍼 파지부(200)는 복수로 형성되며 상기 웨이퍼(100)의 면 또는 모서리와 접촉되는 접촉체(210);
구동모터(240)에 의하여 회전되며, 복수의 상기 접촉체(210)를 동시에 회전시키는 홀더체결체(220);
상기 접촉체(210)를 홀더체결체(220)에서 개별적으로 선택 회동시키는 홀더엑츄에이터(230);
상기 홀더엑츄에이터(230)는 상기 접촉체(210)와 접촉되며, 상기 에지검측부(300)의 간섭으로 작동되는 홀더작동캠(250);을 포함하는 웨이퍼 모서리 결함 검사장치.
a plate-shaped wafer 100;
a wafer holding part 200 for fixing the wafer 100;
an edge detection unit 300 for detecting defects of the wafer edge 110;
The wafer holding part 200 includes a plurality of contact bodies 210 that are in contact with a surface or an edge of the wafer 100 ;
a holder fastening body 220 which is rotated by a driving motor 240 and simultaneously rotates a plurality of the contact bodies 210;
a holder actuator 230 for individually rotating the contact body 210 in the holder fastening body 220;
The holder actuator 230 is in contact with the contact body 210, the holder operation cam 250 operated by the interference of the edge detection side portion 300; Wafer edge defect inspection apparatus comprising a.
 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 에지검측부(300)는 일정한 조도의 빛을 상기 웨이퍼 모서리(110)에 발광하는 라이트(310);
상기 웨이퍼 모서리(110)를 촬영하는 카메라(320);를 포함하는 웨이퍼 모서리 결함 검사장치.
The method according to claim 1,
The edge detection unit 300 includes a light 310 that emits light of a constant illuminance to the wafer edge 110;
A wafer edge defect inspection device comprising a; a camera 320 for photographing the wafer edge 110 .
 청구항 3에 있어서,
상기 카메라(320)의 화상 정보를 입력 받으며, 상기 웨이퍼 모서리(110)의 결함여부를 판별하는 제어부(410);를 포함하는 웨이퍼 모서리 결함 검사장치.
4. The method according to claim 3,
A wafer edge defect inspection apparatus comprising a; receiving the image information of the camera 320, and determining whether the wafer edge 110 is defective.
 청구항 1에 있어서,
내부공간을 형성하며, 상기 웨이퍼 파지부(200) 및 상기 에지검측부(300)를 수용하는 케이스(510);
상기 케이스(510) 외부와 결합되며, 복수의 웨이퍼(100)를 수용하는 웨이퍼카트리지(520);
상기 웨이퍼카트리지(520) 및 상기 웨이퍼 파지부(200)로 웨이퍼(100)를 이송하는 이송로봇(530);을 포함하는 웨이퍼 모서리 결함 검사장치.
The method according to claim 1,
a case 510 forming an inner space and accommodating the wafer holding part 200 and the edge detecting part 300;
a wafer cartridge 520 coupled to the outside of the case 510 and accommodating a plurality of wafers 100;
A wafer edge defect inspection apparatus comprising a; a transfer robot 530 for transferring the wafer 100 to the wafer cartridge 520 and the wafer holding unit 200 .
 청구항 1, 청구항 3 내지 5 중 어느 한 항의 웨이퍼 모서리 결함 검사장치를 활용한 웨이퍼 모서리 결함 검사방법에 있어서,
웨이퍼(100)를 상기 웨이퍼 파지부(200)로 이송하는 이송단계(S100);
상기 이송단계(S100) 후, 상기 웨이퍼 모서리(110)를 파지하는 파지단계(S200);
상기 파지단계(S200) 후, 상기 웨이퍼 모서리(110)를 검지하는 검지단계(S300);
상기 검지단계(S300) 중, 웨이퍼(100)를 파지하는 복수의 상기 접촉체(210) 중 일부를 웨이퍼(100)로부터 이탈시키는 부분이탈단계(S310);
상기 검지단계(S300) 중, 웨이퍼(100)를 회전하는 웨이퍼 회전단계(S410);를 포함하는 웨이퍼 모서리 결함 검사방법.

In the wafer edge defect inspection method utilizing the wafer edge defect inspection apparatus of any one of claims 1, 3 to 5,
A transfer step of transferring the wafer 100 to the wafer holding unit 200 (S100);
After the transfer step (S100), a gripping step (S200) of gripping the wafer edge (110);
After the holding step (S200), the detecting step (S300) of detecting the wafer edge (110);
During the detection step (S300), a partial detachment step (S310) of separating a part of the plurality of contacts 210 for holding the wafer 100 from the wafer 100;
Wafer edge defect inspection method comprising a; wafer rotation step (S410) of rotating the wafer 100 during the detection step (S300).
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Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3629244B2 (en) * 2002-02-19 2005-03-16 本多エレクトロン株式会社 Wafer inspection equipment
JP4358889B1 (en) 2008-06-27 2009-11-04 日本エレクトロセンサリデバイス株式会社 Wafer defect inspection equipment
KR101001113B1 (en) 2008-11-12 2010-12-14 주식회사 코로 Apparatus for Detecting Wafer Crack and Method for Detecting Wafer Defect
FR2959864B1 (en) 2010-05-06 2013-01-18 Altatech Semiconductor DEVICE AND METHOD FOR INSPECTING SEMICONDUCTOR MOVING PLATELETS.
KR101207470B1 (en) * 2010-11-16 2012-12-03 한미반도체 주식회사 Wafer inspection device and wafer inspection system having the same
JP5769572B2 (en) 2011-03-30 2015-08-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate inspection apparatus and substrate inspection method
KR101297209B1 (en) 2011-11-04 2013-08-16 (주)오로스 테크놀로지 Defect analyzing method of semiconductor wafer
US9645097B2 (en) * 2014-06-20 2017-05-09 Kla-Tencor Corporation In-line wafer edge inspection, wafer pre-alignment, and wafer cleaning
KR20160050112A (en) * 2014-10-28 2016-05-11 주식회사 트라이비스 System for check the side of solar cell wafer used line scan camera
KR102350549B1 (en) 2014-12-05 2022-01-14 세메스 주식회사 Apparatus for inspecting defects of a substrate
KR102062120B1 (en) * 2018-02-09 2020-01-06 코리아테크노주식회사 System and method for inspecting wafer chipping

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