KR20180055186A - Collet system and pickup method for semiconductor die - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a collet system and a pickup method for a semiconductor die which selectively pick up a defective die from a semiconductor wafer dice-cut into a plurality of semiconductor dies. The collet system for a semiconductor die picks up a normal die from a semiconductor wafer including the normal die, a mirror die, and a defective die on which a fail mark is displayed, and comprises: an illumination means to illuminate a semiconductor wafer; a photographing means to photograph each die of the semiconductor wafer by the illumination means; a light quantity setting means to reduce a quantity of light illuminating the semiconductor wafer more on a portion affected by reflection light from the mirror die than a portion which is not affected from the mirror die when photographing the die by the photographing means; and a determination means to emit light whose quantity is controlled by the light quantity setting means to the semiconductor wafer and photograph the semiconductor wafer by the photographing means to compare a photographing signal of the photographing means with a reference value to determine whether the die on the semiconductor wafer is a normal die or a defective die.

Description

반도체 다이 콜렛 시스템 및 픽업(pick up) 방법 {COLLET SYSTEM AND PICKUP METHOD FOR SEMICONDUCTOR DIE} Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor die collet system and a pick up method,

본 발명은 다수의 반도체 다이로 다이스 커팅(dice cutting) 된 반도체 웨이퍼에서 불량 다이를 선택적으로 픽업하는 반도체 다이 콜렛 시스템 및 픽업(pick up) 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor die collet system and a pick up method for selectively picking up a defective die in a semiconductor wafer dice-cut with a plurality of semiconductor die.

반도체 웨이퍼로부터 만들어진 다이를 기판에 실장하는 경우, 예를 들어 플립칩(flip-chip) 방식의 실장 장치가 사용된다. 이 실장 장치는 다이 공급부를 가지고, 이 다이 공급부의 X·Y테이블(table)상에는 다수의 다이에 다이스 커팅(dice cutting) 된 반도체 웨이퍼가 공급된다.When a die made of a semiconductor wafer is mounted on a substrate, for example, a flip-chip type mounting apparatus is used. This mounting apparatus has a die supply section, and a semiconductor wafer dice-cut into a plurality of dies is supplied on an XY table of the die supply section.

통상적으로, 다이스 커팅(dice cutting) 된 반도체 웨이퍼에는 주변부에 회로 패턴이 형성되지 않고 빛을 거의 전반사하는 미러 다이(mirror die)가 있고, 다른 부분에는 정상 다이 및 검사를 통해 불량품으로 판정되어 잉크로써 불량 마크(fail mark)가 표시되는 불량 다이가 혼재한다. 상기 잉크는 다이의 표면보다도 빛의 반사율이 낮은 색, 예를 들어 흑색의 잉크 등이 이용된다. Generally, a dice-cut semiconductor wafer has a mirror die that does not form a circuit pattern on the periphery and almost totally reflects light, and the other part is determined as a defective product through normal dies and inspection, And a defective die in which a fail mark is displayed are mixed. The ink is a color having a lower reflectance of light than the surface of the die, for example, black ink or the like.

상기 픽업(pick up) 위치에 배치된 다이는 촬상 카메라에 의해서 촬상되어 그 촬상된 영상에 따라 정상 다이에라고 판정되면, 그 정상 다이는 콜렛에 의하여 흡착되어 픽업(pick up)된다. 그리고, 콜렛으로부터 실장 툴에 제공된 정상 다이는 상기 기판에 실장하게 된다. When the die placed at the pick-up position is picked up by the image pickup camera and is judged to be a normal die according to the picked-up image, the normal die is picked up by the collet. Then, the normal die provided to the mounting tool from the collet is mounted on the substrate.

이때, 촬상 카메라에 의해서 다이를 촬상할 때, 픽업(pick up) 위치에 배치된 다이는 그 주변부의 다이들과 함께 조명 수단으로부터의 빛에 의해서 조명 된다. At this time, when the die is picked up by the image pickup camera, the die arranged at the pick up position is illuminated by the light from the lighting means together with the dies of the peripheral portion thereof.

픽업(pick up) 위치에 배치된 다이가 불량 마크(fail mark)가 표시된 불량 다이에고, 이 불량 다이의 근처에 미러 다이(mirror die)가 있는 경우, 조명 수단의 빛이 불량 다이와 미러 다이(mirror die)의 모두를 조명하는 경우가 있다. If the die placed in the pick up position is a bad die marked with a fail mark and there is a mirror die near the bad die, die. < / RTI >

이 경우, 미러 다이(mirror die)로부터 빛이 반사하기 때문에, 불량 다이를 촬상했을 때에 미러 다이(mirror die)로부터의 반사광이 촬상 수단에 입사되어, 불량 다이의 휘도가 이 불량 다이에 표시된 불량 마크(fail mark)와 함께 높아진다. 즉, 불량 마크(fail mark)의 휘도가 다이의 정상여부를 판정하는 판정부에 설정된 기준값보다도 높아진다. In this case, since light is reflected from the mirror die, the reflected light from the mirror die is incident on the image sensing means when the image of the defective die is picked up, and the brightness of the defective die is judged as the defective mark (fail mark). That is, the brightness of the fail mark is higher than the reference value set in the determination section for determining whether the die is normal or not.

그 때문에, 상기 판정부에서는 상기 촬상 카메라의 화상에 의해서 상기 다이에 표시된 불량 마크(fail mark)를 판별하지 못하고, 불량 다이를 정상 다이로 판정해 픽업(pick up)할 수 있다. Therefore, the judging unit can not determine the fail mark displayed on the die by the image of the image pickup camera, and can judge the defective die as a normal die and pick up it.

그러므로 종래의 기술에서는 불량 다이를 정확히 인식할 수 있기 위해, 촬상 카메라로부터의 화상을 처리할 때, 2개의 휘도의 기준값을 설정하도록 하고 있다. 즉, 제1의 기준값은 불량 다이에 표시된 불량 마크(fail mark)를 기준으로 인식할 수 있는 값으로, 제2의 기준값은 불량 다이에 표시된 불량 마크(fail mark)는 배제하고, 미러 다이(mirror die)를 기준으로하는 레벨치로 설정된다. Therefore, in order to correctly recognize a defective die in the conventional art, two reference values of luminance are set when processing an image from an image pickup camera. That is, the first reference value is a value that can be recognized based on the fail mark indicated on the defective die, the second reference value is the defective mark on the defective die, die. < / RTI >

아울러 미러 다이(mirror die)에도 불량 마크(fail mark)를 표시하도록 하여, 이들 불량 마크(fail mark)의 사이즈의 기준값을 설정하도록 하고 있다. 즉, 불량 다이에 표시된 불량 마크(fail mark)보다도 작은 사이즈를 제1의 마크 사이즈 기준값로 해, 미러 다이(mirror die)에 표시된 불량 마크(fail mark)의 사이즈보다도 큰 사이즈를 제2의 마크 사이즈 기준값으로서 설정한다. In addition, a fail mark is also displayed on the mirror die, and a reference value of the size of the fail mark is set. That is, the size smaller than the fail mark indicated on the defective die is set as the first mark size reference value, and the size larger than the size of the fail mark displayed on the mirror die is set as the second mark size Is set as a reference value.

그리고, 촬상 카메라에 의해서 촬상된 다이의 화상을 상기 4개의 기준값과 비교하여 정상 다이만을 픽업(pick up)할 수 있도록 하고 있다. Then, the image of the die picked up by the image pickup camera is compared with the four reference values, so that only the normal die can be picked up.

따라서 종래의 기술에 의하면 촬상 카메라에 의해서 촬상된 다이가 우량품인지 아닌지를 2개의 휘도의 기준값과 2개의 마크 사이즈 기준값을 이용하여 판정하므로, 다이의 양부의 판정을 얻을 수 있을 때까지의 공정수가 많아짐에 따라, 구성이 복잡하고 각 각의 불량 다이 및 미러 다이(mirror die)에 표시된 마크의 크기에 따라 불량 다이를 정상 다이로 잘못 판단할 소지가 여전히 남아 있다.Therefore, according to the conventional technique, whether or not the die picked up by the image pickup camera is a superior product is judged by using the reference value of two luminance values and the two mark size reference values, so that the number of steps until the determination of both sides of the die can be obtained is increased , There is still a tendency to misjudge the defective die as a normal die depending on the complexity of the structure and the size of the mark on each defective die and mirror die.

본 발명은, 다이의 양부의 판정을 얻을 수 있을 때까지의 공정수가 많아지기 때문에, 사이클 시간(tact time)이 소요되고, 미러 다이(mirror die)에도 불량 마크(fail mark)를 부여해야하는 제약을 해결하기 위한 것으로서, 정상 다이의 판정을 간단하고 정확히 실시할 수 있도록 한 반도체 다이 콜렛 시스템 및 픽업(pick up) 방법을 제공하는 것에 있다.In the present invention, since the number of steps until the determination of both sides of the die can be obtained, the cycle time (tact time) is required, and the restriction that the mirror die must be given a fail mark The present invention provides a semiconductor die collet system and a pick up method capable of easily and accurately determining a normal die.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 정상 다이, 미러 다이(mirror die) 및 불량 마크(fail mark)가 표시된 불량 다이를 포함하는 반도체 웨이퍼로부터, 상기 정상 다이를 픽업(pick up)하는 반도체 다이 콜렛 시스템으로서,Technical Solution In order to accomplish the above object, the present invention provides a semiconductor device including a semiconductor die including a normal die, a mirror die, and a defective die marked with a fail mark, As a die collet system,

상기 반도체 웨이퍼를 조명하는 조명 수단과, 상기 반도체 웨이퍼의 각 다이를 촬상하는 촬상 수단과, 이 촬상 수단에 의해서 상기 다이를 촬상할 때, 상기 조명 수단에 의해서 상기 반도체 웨이퍼를 조명하는 빛의 광량을, 상기 미러 다이(mirror die)로부터의 반사광의 영향을 받는 부분에서는 반사광을 반영하여 여타의 부분보다도 광량을 감소시키는 광량 설정 수단과 이 광량 설정 수단에 의해서 광량이 제어된 빛으로써, 상기 반도체 웨이퍼를 조사하고 상기 촬상 수단으로 촬상하여, 이 촬상 수단의 촬상 신호를 기준값과 비교함으로써, 상기 다이의 정상 혹은 불량 여부를 판정하는 판정 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 다이 콜렛 시스템을 과제의 해결 수단으로 제공한다. An image pickup means for picking up an image of each die of the semiconductor wafer; and an image pickup means for picking up an amount of light for illuminating the semiconductor wafer by the illumination means Light quantity setting means for reducing the quantity of light reflected by the reflected light from the mirror die to reflect the reflected light and for reducing the quantity of light more than other portions, and light having a light quantity controlled by the light quantity setting means, And judging means for judging whether the die is normal or defective by comparing the image pickup signal of the image pickup means with a reference value, to provide.

상기 기준값은 상기 반도체 웨이퍼 상기 미러 다이(mirror die)로부터의 반사광의 영향을 받지 않는 부분의 다이에 빛이 조사되었을 때의 밝기와 거의 동등한 레벨로 설정되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 반도체 웨이퍼에는 지름 방향의 주변부에 상기 미러 다이(mirror die)가 구비되고, 상기 광량 설정 수단은 상기 조명 수단에 의한 조명이 상기 반도체 웨이퍼의 지름 방향 주변부로부터 중심부로 이동함에 따라 광량이 증가하도록 설정하는 것이 바람직하다. It is preferable that the reference value is set to a level substantially equal to the brightness when light is irradiated on the die of the portion not affected by the reflected light from the mirror die of the semiconductor wafer. Further, the semiconductor wafer is provided with a mirror die at a peripheral portion in the radial direction, and the light amount setting means increases the light amount as the illumination by the illumination means moves from the radial direction peripheral portion to the central portion of the semiconductor wafer .

본 발명은 정상 다이, 미러 다이(mirror die) 및 불량 마크(fail mark)가 표시된 불량 다이를 포함하는 반도체 웨이퍼로부터, 상기 정상 다이를 픽업(pick up)하는 반도체 다이 콜렛 시스템의 픽업(pick up) 방법으로써,The present invention relates to a pick up of a semiconductor die collet system for picking up a normal die from a semiconductor wafer comprising a defective die marked with a normal die, a mirror die and a fail mark, As a method,

상기 반도체 웨이퍼를 조명하는 단계와,Illuminating the semiconductor wafer;

상기 반도체 웨이퍼의 각 다이를 촬상하는 단계와,Imaging each die of the semiconductor wafer;

상기 다이를 촬상할 때, 상기 미러 다이(mirror die)로부터의 반사광의 영향을 받는 부분에서는 영향을 받지 않는 다른 부분보다도 상기 반도체 웨이퍼를 조명하는 빛의 광량을 감소시키는 단계와,Reducing the amount of light that illuminates the semiconductor wafer more than other portions that are unaffected in the portion affected by the reflected light from the mirror die when imaging the die;

광량이 제어된 빛에 의해서 상기 반도체 웨이퍼를 조사하고 촬상하여, 그 촬상 신호를 기준값과 비교해 상기 다이에 정상 다이 혹은 불량 다이인지를 판정하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 다이 콜렛 시스템의 픽업(pick up) 방법에 있다.And a step of irradiating the semiconductor wafer with the light whose intensity is controlled and imaging the semiconductor wafer and comparing the image pickup signal with a reference value to determine whether the die is a normal die or a defective die. pick up method.

이상에서와 같이 본 발명에 의하면, 미러 다이(mirror die)로부터의 반사광의 영향을 받는 부분에서는 영향을 받지 않는 다른 부분보다도 상기 반도체 웨이퍼를 조명하는 빛의 광량을 감소시킴에 따라, 미러 다이(mirror die)로부터의 반사광의 영향을 받는 부분에서는 그 반사광의 영향이 없는 상태로 촬상할 수 있기 때문에, 미러 다이(mirror die)로부터의 반사광의 영향을 받는 부분의 불량 다이를 포함하여 웨이퍼 전반의 불량 다이를 정확히 판별할 수 있다. As described above, according to the present invention, since the amount of light illuminating the semiconductor wafer is reduced more than other portions which are not affected by the reflected light from the mirror die, it is possible to detect the position of the defective die in the entire wafer including the defective die affected by the reflected light from the mirror die, Can be accurately determined.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 콜렛 시스템.
도 2는 그림 1에 나타낸 콜렛 시스템의 평면도.
도 3은 콜렛 시스템의 제어 계통도.
도 4는 (a)는 불량 다이의 일예 (b)는 불량 다이의 표시 예.
도 5는 반도체 웨이퍼의 일부를 확대하여 나타낸 그림.
도 6는 반도체 웨이퍼의 직경 방향에 따른 조명 빛의 밝기 레벨.
도 7은 불량 다이와 정상 다이의 휘도 임계값과의 관계.1 is a collet system according to an embodiment of the present invention;
Figure 2 is a top view of the collet system shown in Figure 1;
3 is a control system diagram of a collet system;
Fig. 4 (a) is an example of a defective die, and Fig. 4 (b) is a defective die.
5 is an enlarged view of a part of a semiconductor wafer.
6 is a brightness level of illumination light along the radial direction of the semiconductor wafer;
Figure 7 shows the relationship between a bad die and a threshold threshold of a normal die.

이하의 내용은 단지 본 발명의 원리를 예시한다. 이에 따라 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 본 발명의 원리를 구현하고 본 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시예들은 원칙적으로, 본 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 본 발명의 원리, 관점 및 실시예들 뿐만 아니라 특정 실시예를 열거하는 모든 상세한 설명은 이러한 사항의 구조적 및 기능적 균등물을 포함하도록 의도되는 것으로 이해되어야 한다.The following merely illustrates the principles of the invention. Accordingly, those skilled in the art will be able to devise various apparatuses which, although not explicitly described or shown herein, embody the principles of the invention and are included in the concept and scope of the invention. It is to be understood that all of the conditional terms and embodiments recited herein are expressly intended to be purely for purposes of understanding the concepts of the present invention and are not intended to be limiting to such specifically recited embodiments and conditions . It is also to be understood that the detailed description, as well as the principles, aspects and embodiments of the invention, as well as specific embodiments thereof, are intended to cover structural and functional equivalents thereof.

상술한 목적, 특징 및 장점들은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 더욱 분명해 질 것이다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. The above objects, features and advantages will become more apparent from the following detailed description in conjunction with the accompanying drawings. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

이하 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 첨부된 도면에 의거하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 콜렛 시스템의 일예, 도 2는 그림 1에 나타낸 콜렛 시스템의 평면도이다. 도시된 본 발명의 콜렛 시스템의 일예는 플립칩 본더(flip chip bonder) 로서, 장치 본체(1)의 전후 방향으로 중간 높이 위치에는 한 쌍의 가이드 레일(2)이 폭 방향으로 배치된다. FIG. 1 is an example of a collet system according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of the collet system shown in FIG. One example of the collet system of the present invention is a flip chip bonder. A pair of guide rails 2 are arranged in the width direction at a middle height position in the front-rear direction of the apparatus main body 1.

상기 한 쌍의 가이드 레일(2)에는 리드프레임(lead frame)이나 기판(W)이 이동 가능하게 지지된다. 가이드 레일(2)에 지지된 기판(W)는 반송 기구에 의해서 상기 가이드 레일(2)를 따라 이송되도록 구성된다. A lead frame or a substrate W is movably supported on the pair of guide rails 2. The substrate W supported by the guide rails 2 is configured to be transported along the guide rails 2 by a transport mechanism.

도 1에 나타낸 바와 같이 상기 장치 본체(1)에는 카세트(cassette)(3)으로부터 공급 테이블(4)가 상기 가이드 레일 (2)의 배치 방향에 대해서 직각방향으로 배치된다. 즉, 카세트(cassette)(3)은 장치 본체(1)의 앞부분에 설치되고, 공급 테이블(4)는 상기 카세트(cassette)(3)과 상기 가이드 레일 (2)와의 사이에 배치된다. As shown in FIG. 1, a supply table 4 is disposed in the apparatus main body 1 from a cassette 3 in a direction perpendicular to the direction in which the guide rails 2 are arranged. That is, the cassette 3 is installed at the front portion of the apparatus main body 1, and the supply table 4 is disposed between the cassette 3 and the guide rail 2.

상기 카세트(cassette)(3)은 제1 상하 구동 기구(6)에 의해서 상하 구동되는 카세트(cassette) 테이블(table)(7)상에 구비되고, 그 내부에는 도 2에 나타낸 바와 같이 복수의 웨이퍼 링(8)이 상하 방향으로 설치되어 웨이퍼들이 소정 간격으로 구비된다. 상기 카세트(cassette)(3)에 구비된 웨이퍼 링(8)은 상기 카세트(cassette)(3)의 한 측면으로부터 웨이퍼를 공급받고 배출한다. The cassette 3 is provided on a cassette table 7 which is driven up and down by a first up-and-down driving mechanism 6, and as shown in Fig. 2, A ring 8 is provided in the vertical direction, and wafers are provided at predetermined intervals. The wafer ring 8 provided in the cassette 3 feeds and discharges the wafer from one side of the cassette 3.

상기 웨이퍼 링(8)에는 수지 시트를 구비하여 반도체 웨이퍼(11)에 접촉된다. 이 반도체 웨이퍼(11)는 다이스 커팅(dice cutting) 되어 다수의 다이(12)로 형성된다. The wafer ring 8 is provided with a resin sheet and is brought into contact with the semiconductor wafer 11. The semiconductor wafer 11 is dice-cut to form a plurality of dies 12. [

상기 다이(12)는 정상 다이(12a), 불량 다이(12b) 및 미러 다이(mirror die)(12c)가 있을수 있으며, 이하에서는 상기 다이들을 다이(12)로 부르기로 한다. The die 12 may be a normal die 12a, a bad die 12b and a mirror die 12c, hereinafter the die 12 is referred to as a die 12.

상기 공급 테이블(4)는 도 1에 나타낸 바와 같이 제2 상하 구동 기구(13)과 수평 구동 기구(14)에 의해 X, Y 및 Z방향으로 구동된다. 이때, 상기 공급 테이블(4)은 θ방향으로 구동되도록 할 수도 있다. The supply table 4 is driven in the X, Y and Z directions by the second up-down driving mechanism 13 and the horizontal driving mechanism 14 as shown in Fig. At this time, the supply table 4 may be driven in the? Direction.

상기 공급 테이블(4)는 측면 형상이 L자 모양이고, 상하 방향으로 이격된 한 쌍의 받침부(15)가 설치되며, 그 중앙에는 이송수단(16)이 설치된다. 상기 이송수단(16)에는 나사 축(17)이 축선을 수직으로 결합되어있다. 이 나사 축(17)의 하단에는 종동 풀리(18)이 고정된다. The supply table 4 has an L-shaped side surface and is provided with a pair of vertically spaced support portions 15, and a conveying means 16 is provided at the center thereof. A screw shaft 17 is vertically coupled to the axis of the conveying means 16. A driven pulley 18 is fixed to the lower end of the screw shaft 17.

상기 수평 구동 기구(14)는 X, Y방향으로 구동되는 설치 테이블(table)(21)이 결합되고, 이 설치 테이블(table)(21)에는 상기 제2 상하 구동 기구(13)를 구동하는 가이드(22)가 형성된다. 이 가이드(22)의 수직부의 한측면에는 상기 공급 테이블(4)에 설치된 상기 받침부(15)가 슬라이드로서, 한 쌍의 가이드 레일 (24)이 상하 방향에 따라서 설치된다. 따라서, 상기 공급 테이블(4)은 상하 방향으로 이동 가능하게 구성된다. The horizontal driving mechanism 14 is coupled with an installation table 21 driven in the X and Y directions and a guide 21 for driving the second vertical driving mechanism 13 is connected to the installation table 21, (22) is formed. On one side of the vertical portion of the guide 22, the support portion 15 provided on the supply table 4 is a slide, and a pair of guide rails 24 are provided along the vertical direction. Therefore, the supply table 4 is configured to be movable up and down.

상기 가이드 레일 (24)의 타측면에는 구동부(25)가 설치된다. 이 구동부(25)의 출력축(25a)에는 구동 풀리(25b)가 결합된다. 상기 구동 풀리(25b)와 상기 나사 축(17)에 설치된 상기 종동풀리(18)에는 벨트(26)가 구비된다. 이에 따라, 상기 구동부(25)의 작동에 의해 상기 구동부 나사 축(17)이 회전되면, 그 회전 방향(direction of rotation)에 따라 상기 공급 테이블(4)이 상승 방향 혹은 하강 방향으로 이송된다. A driving unit 25 is installed on the other side of the guide rail 24. A driving pulley 25b is coupled to the output shaft 25a of the driving unit 25. [ A belt 26 is provided on the drive pulley 25b and the driven pulley 18 provided on the screw shaft 17. [ Accordingly, when the driving unit screw shaft 17 is rotated by the operation of the driving unit 25, the feeding table 4 is transported in the upward direction or the downward direction according to the direction of rotation.

도 2에 나타낸 바와 같이, 상기 장치 본체(1)내의 폭방향 일측에게는 상기 카세트(cassette)(3)에 대해서 웨이퍼 링(8)을 출납하기 위한 출납 장치(31)가 설치된다. 이 출납 장치(31)는 상기 장치 본체(1)내의 폭방향 일측에 전후 방향에 따라서 설치된 레일(32)을 구비하고, 상기 레일(32)을 따라 가동체(33)는 이동 가능하게 설치된다.2, a cash dispenser 31 for loading and unloading the wafer ring 8 with respect to the cassette 3 is provided at one side in the width direction in the apparatus main body 1. As shown in Fig. The cash drawer 31 is provided with a rail 32 provided on one side in the width direction in the apparatus main body 1 along the forward and backward direction and the movable member 33 is movably installed along the rail 32.

상기 가동체(33)는 상기 레일(32)에 설치된 코일과 상기 가동체(33)에 설치된 자석으로 구성된 리니어 모터에 의해서 상기 레일(32)에 따라서 구동된다. The movable member 33 is driven along the rail 32 by a linear motor composed of a coil provided on the rail 32 and a magnet provided on the movable member 33.

상기 가동체(33)에는 지주가 구비되고 상기 가이드 레일 (2)에서의 하부에는 암(arm)(35)가 설치된다. 이 암(arm)(35)의 선단은 상기 장치 본체(1)의 폭방향 중앙으로 연장되고, 그 선단에는 척(chuck)(work holding device)(36)이 설치된다. 상기 척(chuck)(work holding device)(36)은 장치 본체(1)의 폭방향 중앙부를 따라 전후 방향으로 구동된다. The movable member 33 is provided with a support, and an arm 35 is provided at a lower portion of the guide rail 2. The distal end of the arm 35 extends to the center in the width direction of the apparatus main body 1 and a chuck (work holding device) 36 is provided at the distal end thereof. The chuck (work holding device) 36 is driven in the front-rear direction along the widthwise center portion of the main assembly 1 of the apparatus.

상기 척(chuck)(work holding device)(36)은 상기 가이드 레일 (2)의 아래쪽 면을 통과하는 높이에 설치되어 장치 본체(1)의 전방으로 구동되면, 상기 카세트(cassette)(3)내로 척(chuck)(work holding device)(36)이 들어가고, 척(chuck)(work holding device)(36)으로 같은 높이에 배치된 웨이퍼 링(8)의 지름 방향의 일단을 지지할 수 있다. 이어 웨이퍼 링(8)을 지지한 척(chuck)(work holding device)(36)이 반대방향으로 구동되면 지지된 웨이퍼 링(8)은 상기 공급 테이블(4)의 상면으로 이송된다. The chuck (work holding device) 36 is installed at a height that passes through the lower surface of the guide rail 2 and is driven into the cassette 3 A chuck work holding device 36 is inserted and can support one radial end of the wafer ring 8 arranged at the same height as a chuck work holding device 36. [ When the chuck (work holding device) 36 supporting the wafer ring 8 is driven in the opposite direction, the supported wafer ring 8 is transferred to the upper surface of the supply table 4.

이 때, 공급 테이블(4)의 상면의 높이는 상기 가이드 레일 (2)의 아래쪽 면을 통과하는 상기 척(chuck)(work holding device)(36)의 하단보다도 조금 낮은 위치, 즉 척(chuck)(work holding device)(36)을 전후 방향으로 구동할 수 있는 높이에 배치된다. At this time, the height of the upper surface of the supply table 4 is slightly lower than the lower end of the chuck (work holding device) 36 passing through the lower surface of the guide rail 2, that is, work holding device 36 in the forward and backward directions.

상기 공급 테이블(4)에는 도 1에 점선으로 표시된 개구부(37)가 형성되고, 이 개구부(37)에 대향하는 상기 공급 테이블(4)의 하면측에는 콜렛핀(38) 을 포함하는 콜렛(39) 가 배치되어 있다. A collet 39 including a collet pin 38 is formed on the lower surface side of the supply table 4 opposite to the opening 37. The collet 39, Respectively.

상기 콜렛핀(38)은 상하 방향으로 구동된다. 이에 따라, 공급 테이블(4)에 상기 웨이퍼 링(8)을 공급 지지한 상태로, 상기 콜렛핀(38)은 상승 방향으로 구동되면, 상기 웨이퍼 링(8)에 수지 시트상의 다수의 다이(12)들중의 하나가 상기 콜렛핀(38)에 의해서 수지 시트를 탄성변형(elastic deformation)시키면서 흡착된다.The collet pin 38 is driven in the vertical direction. Thereby, when the collet pin 38 is driven in the upward direction with the wafer ring 8 being supplied to and supported on the supply table 4, the wafer ring 8 is provided with a plurality of dies 12 Is adsorbed by the collet pin 38 while elastically deforming the resin sheet.

상기 콜렛(39)은 고정적으로 설치되어 이 콜렛(39) 에 대해서 상기 공급 테이블(4)가 X, Y방향으로 배치되고, 반도체 웨이퍼(11)의 다수의 다이(12)가운데, 픽업(pick up)되는 다이(12)는 상기 콜렛(39)에 의해 흡착되는 픽업(pick up) 위치에 순차적으로 제어 배치된다.The collet 39 is fixedly installed so that the supply table 4 is arranged in the X and Y directions with respect to the collet 39 and picks up the plurality of dies 12 of the semiconductor wafer 11 ) Are sequentially controlled and arranged at a pick up position where they are sucked by the collet (39).

상기 반도체 웨이퍼(11)의 다수의 다이(12)의 상기 픽업(pick up) 위치에 대응하는 위치 결정(positioning)은 도 3에 나타내는 제어장치(terminal control unit)(41)에 접속된 설정부(42)에 의해서 설정된 위치 데이터에 따라 순차적으로 행해진다. Positioning corresponding to the pick up position of the plurality of dies 12 of the semiconductor wafer 11 is performed by a setting unit (not shown) connected to a terminal control unit 41 42 in accordance with the position data set by the user.

픽업(pick up) 위치에 배치된 다이(12)는 상기 공급 테이블(4)의 상부에 배치된 촬상 수단으로서의 촬상 카메라(43)에 의해서 촬상된다. 상기 반도체 웨이퍼(11)의 상기 촬상 카메라(43)에 의해서 촬상되는 부분, 즉 픽업(pick up)되는 다이(12)로 그 주변부에 위치하는 복수의 다이(12)는 조명 수단으로서의 광원(44)로부터의 조명광(L)에 의해서 조명 된다. 도 5에 상기 조명광(L)에 의해서 조사되는 영역 R을 점선으로 도시한다. 이때 광원(44)는 조명 광량을 순간적으로 변경 가능한 LED 라이트가 바람직하다. The die 12 disposed at the pick-up position is picked up by the image pickup camera 43 as the image pickup means disposed on the upper portion of the supply table 4. [ A plurality of dies 12 located at the periphery of the semiconductor wafer 11 by the die 12 to be picked up by the image pickup camera 43 are picked up by the light source 44 as illumination means, Is illuminated by the illumination light (L) 5, a region R irradiated by the illumination light L is indicated by a dotted line. At this time, the light source 44 is preferably an LED light capable of instantly changing the amount of illumination light.

그리고, 상기 광원(44)의 조명 광량의 제어는 상기 설정부(42)에 의해서 설정된 위치 데이터에 따라 상기 픽업(pick up) 위치에 위치 결정(positioning)되는 다이(12)가 반도체 웨이퍼(11)의 위치에 따라, 상기 제어장치(terminal control unit)(41)의 구동부(45)로부터 상기 광원(44)에 출력되는 구동 신호(driving signal)에 의해서 설정된다. The control of the amount of illumination light of the light source 44 is performed by controlling the amount of light emitted from the semiconductor wafer 11 to be positioned at the pick up position according to the position data set by the setting unit 42. [ Is set by a driving signal outputted from the driving unit 45 of the terminal control unit 41 to the light source 44 according to the position of the light source 44. [

상기 설정부(42)로 상기 제어장치(terminal control unit)(41)의 구동부(45)에 의해서 상기 광원(44)로부터의 조명광(L)의 광량을 설정 제어하는 광량 설정 수단이 구비되어 있다. The setting unit 42 is provided with light amount setting means for setting and controlling the light amount of the illumination light L from the light source 44 by the driving unit 45 of the terminal control unit 41. [

상기 촬상 카메라(43)의 촬상 신호는 화상 처리부(image processing)(46)를 통해 처리(예를들면 2치화) 되어 디지탈 신호(digital signal)로 변환된 후, 상기 제어장치(terminal control unit)(41)에 설치된 연산처리부(arithmetic processing)(47)에서 처리되고 판정 수단으로서의 판정부(48)를 통해 화상의 다이(12)가 정상 다이인지, 불량 다이인지의 여부가 판정된다. The image pickup signal of the image pickup camera 43 is processed (for example, binarized) through an image processing unit 46 to be converted into a digital signal and then transmitted to a terminal control unit 41 is processed by an arithmetic processing unit 47 and judged by the judging unit 48 as a judging means whether the image die 12 is a normal die or a defective die.

상기 반도체 웨이퍼(11)는 도 5에 도시된 바와 같이, 다수의 다이(12)로 다이스 커팅(dice cutting) 되고, 주변에 위치하는 다이, 웨이퍼 가장 바깥쪽의 다이(12)는 회로 패턴이 형성될 수 있는 미러 다이(mirror die)(12c)로 되어 있고, 안쪽의 다이(12)는 상기 정상 다이(12a) 및 불량 다이(12b)가 형성된다. As shown in FIG. 5, the semiconductor wafer 11 is dice-cut into a plurality of dies 12, and the peripheral die 12 and the outermost die 12 of the wafer form a circuit pattern And the inner die 12 is formed of the normal die 12a and the defective die 12b.

그리고, 불량 다이(12b)에는 상기 촬상 카메라(43)의 촬상 신호에 의해서 판별할 수 있도록, 도 4(b)에 나타낸 바와 같이 다이(12)의 바탕색보다도 어두운 색의 잉크에 의해서 동그라미표 등의 불량 마크(fail mark)(m1)가 미리 표시된다. As shown in Fig. 4 (b), the defective die 12b is provided with a defective circle, such as a circle, by the ink of darker color than the background color of the die 12 so as to be discriminated by the imaging signal of the imaging camera 43 A mark (fail mark) m1 is displayed in advance.

즉, 반도체 웨이퍼(11)의 각 다이(12)를 검사했을 때에, 불량 다이(12b)이라고 판정되었다면, 그 다이(12)에 불량 마크(fail mark)(m1)가 표시된다. 또한 도 4(a)에 도시된 정상 다이(12a)와 도 4(b)에 도시된 불량 다이(12b)의 예를 들면 각 다이에는 위치 맞춤 마크(m2)가 표시된다. That is, when each of the dies 12 of the semiconductor wafer 11 is inspected, if it is determined that the defective die 12b is defective, a failure mark m1 is displayed on the die 12. Also, for example, the alignment mark m2 is displayed on each die of the normal die 12a shown in Fig. 4 (a) and the defective die 12b shown in Fig. 4 (b).

상기 연산처리부(arithmetic processing)(47)는 촬상 카메라(43)가 촬상한 다이(12)위치 맞춤 마크(m2)에 따라 X, Y좌표를 산출해, 그 산출 결과에 따라 상기 다이(12)의 픽업(pick up)을 위한 위치 결정(positioning)을 수행한다. 그리고, 상기 판정부(48)는 픽업(pick up) 위치에 배치된 상기 다이(12)에 불량 마크(fail mark) m1이 있는지를 판정하여 그 다이(12)의 양부를 판단한다. The arithmetic processing unit 47 calculates the X and Y coordinates according to the alignment mark m2 of the die 12 picked up by the image pickup camera 43 and calculates the X and Y coordinates of the die 12 according to the calculation result. And performs positioning for pick up. The determining unit 48 determines whether or not the die 12 disposed at the pick-up position has a fail mark m1 and judges both sides of the die 12.

상기 판정부(48)에 의해서 판정된 다이(12)가 불량품 다이(12b)인 경우에는 콜렛핀(38) 에 의해서 흡착되지 않고, 정상 다이(12a)의 경우에는 콜렛핀(38) 에 의해서 흡착된다. 이 콜렛핀(38) 이 설치된 콜렛(39)은 도 3에 나타내는 상기 구동부(45)로부터 구동 신호(driving signal)에 의해서 구동된다. When the die 12 determined by the determination section 48 is the defect die 12b, the die 12 is not attracted by the collet pin 38. In the case of the normal die 12a, do. The collet 39 provided with the collet pin 38 is driven by a driving signal from the driving unit 45 shown in Fig.

상기 콜렛핀(38) 에 의해서 흡착된 정상 다이(12a)는 픽업(pick up) 툴(53)에 의해서 흡착 보관 유지 픽업(pick up) 된다. 이 픽업(pick up) 툴(53)은 지축(54)를 지점으로 하는 회전 방향(direction of rotation) 및 X, Y, Z방향으로 구동 가능하다.The normal die 12a adsorbed by the collet pin 38 is picked up by the pick up tool 53. The pick-up tool 53 can be driven in the X, Y and Z directions and in the direction of rotation around the support shaft 54. [

그리고, 상기 콜렛핀(38) 에 의해서 흡착된 정상 다이(12a)가 상기 픽업(pick up) 툴(53)에 의해서 픽업(pick up)되면, 이 픽업(pick up) 툴(53)은 지축(54)를 지점으로서 도 1의 θ 방향으로 180 도 회전 한다. When the normal die 12a picked up by the collet pin 38 is picked up by the pick up tool 53, the pick up tool 53 picks up the pick- 54 in the direction of the &thetas; in Fig.

이에 따라, 픽업(pick up) 툴(53)에 보유된 정상 다이(12a)는 상하 방향이 반전된다. 즉, 정상 다이(12a)는 픽업(pick up) 툴(53)에 의해서 흡착된 회로 패턴 및 범프면이 하향이 된다.Thus, the vertical die 12a held in the pick-up tool 53 is inverted in the vertical direction. That is, the circuit pattern and the bump surface attracted by the pick-up tool 53 of the normal die 12a are downward.

픽업(pick up) 툴(53)에 의해서 반전 흡착된 정상 다이(12a)는 실장 툴(55)에 제공된다. 이 실장 툴(55)는 가이드체(56)를 따라 X, Y방향으로 구동 가능하고, Z테이블(table)(57)에 의해서 Z방향으로도 구동이 가능하다. 상기 실장 툴(53)은, 상기 픽업(pick up) 툴(43)으로부터 정상 다이(12a)를 제공받으면, 이 정상 다이(12a)를 상기 가이드 레일 (2)에 보유된 상기 기판(W)의 상부의 실장 위치에 배치한다. The normal die 12a reversely adsorbed by the pick up tool 53 is provided to the mounting tool 55. [ The mounting tool 55 can be driven in the X and Y directions along the guide body 56 and can also be driven in the Z direction by the Z table 57. [ The mounting tool 53 receives the normal die 12a from the pick up tool 43 and transfers the normal die 12a to the substrate W held by the guide rail 2. [ And placed at the upper mounting position.

다음으로, 픽업(pick up) 툴(53)은 하강 방향으로 구동되어 정상 다이(12a)를 상기 기판(W)에 실장한다. 이 때, 기판(W)의 반도체 다이(12)가 실장되는 부위의 아래쪽 면은 Z방향으로 구동되는 백업(back up) 스테이지(stage)(58)에 의해서 지지된다. Next, the pick-up tool 53 is driven in the downward direction to mount the normal die 12a on the substrate W. Then, At this time, the lower surface of the substrate W on which the semiconductor die 12 is mounted is supported by a back up stage 58 driven in the Z direction.

픽업(pick up) 위치에 위치 결정(positioning)되는 정상 다이(12a)나 불량 다이(12b)를 조명 하는 상기 광원(44)은 상기 설정부(42)에 의해서 설정된 위치 데이터에 따라 의한 조명광(L)의 광량이 설정된다. The light source 44 that illuminates the normal die 12a or the defective die 12b positioned at a pick up position is not illuminated by the illumination light L Is set.

즉, 상기 반도체 웨이퍼(11)에는 도 5에 나타낸 바와 같이 주변부에 휘도(조명의 반사광의 양) 높은 미러 다이(mirror die)(12c)가 있으니까, 상기 반도체 웨이퍼(11)의 지름 방향에 따르는 휘도 곡선은 도 6에 A에서 가리키게 되어 있다. 즉, 반도체 웨이퍼(11)의 주변부에서는 휘도 곡선 A의 a1에서 가리키도록 휘도가 반도체 웨이퍼(11)의 지름방향 안쪽을 향해 서서히 저하해, 주변부보다도 소정 거리경편 안쪽에서는 a2에서 가리키도록 미러 다이(mirror die)(12c)의 영향을 받지 않고 일정한 휘도가 된다. That is, since the semiconductor wafer 11 has a mirror die 12c having a high luminance (the amount of reflected light of illumination) in the peripheral portion as shown in Fig. 5, the luminance along the radial direction of the semiconductor wafer 11 The curve is indicated in Fig. 6A. That is, at the peripheral portion of the semiconductor wafer 11, the brightness gradually decreases toward the inside in the radial direction of the semiconductor wafer 11 as indicated by a1 of the luminance curve A, and at a predetermined distance from the peripheral portion, the brightness is constant without being affected by the mirror die 12c.

한편, 상기 광원(44)에 의한 반도체 웨이퍼(11)의 조명은, 반도체 웨이퍼(11)의 주변부의 미러 다이(mirror die)(12c)의 부근의 다이(12)가 미러 다이(mirror die)(12c)에 의한 반사광의 영향이 제거되도록 조명광(L)의 광량이, 상기 설정부(42)로부터 입력된 데이터에 따라 제어장치(terminal control unit)(41)의 연산처리부(arithmetic processing)에서 처리되며 그 처리에 따라 상기 구동부(45)에 의해서 제어된다. On the other hand, the illumination of the semiconductor wafer 11 by the light source 44 is performed in such a manner that the die 12 in the vicinity of the mirror die 12c of the peripheral portion of the semiconductor wafer 11 is a mirror die The light amount of the illumination light L is processed by the arithmetic processing unit of the terminal control unit 41 according to the data input from the setting unit 42 so that the influence of the reflected light by the light- And is controlled by the driving unit 45 in accordance with the processing.

상기 조명광(L)의 광량은 도 6에 조명 곡선 B로 도시한다. 즉, 조명 곡선 B는 반도체 웨이퍼(11)의 주변부의 정상 다이(12a)나 불량 다이(12b)가 미러 다이(mirror die)(12c)의 반사광의 영향을 받는 부분에서는 상기 조명 곡선 B의 b1과 같이 그 영향이 제거되도록 조명광(L)의 광량이 반도체 웨이퍼(11)의 지름방향의 안쪽 방향으로 향할수록 서서히 감소되고 영향이 없어지는 부분에서는 b2와 같이 일정값을 유지한다. The light amount of the illumination light L is shown by an illumination curve B in Fig. That is, the illumination curve B is a value obtained by subtracting the light intensity of the normal die 12a and the defective die 12b of the periphery of the semiconductor wafer 11 from the light intensity b1 of the illumination curve B at the portion affected by the reflected light of the mirror die 12c The light amount of the illumination light L is gradually decreased toward the inner side in the radial direction of the semiconductor wafer 11 so that the influence thereof is eliminated and maintained at a constant value such as b2 in the portion where the influence disappears.

그 결과, 촬상 카메라(43)에 의해서 촬상되는 반도체 웨이퍼(11)의 휘도는 미러 다이(mirror die)(12c)의 부분, 미러 다이(mirror die)(12c)로부터의 반사광의 영향을 받는 부분 및 영향을 받지 않는 부분의 어느 부분이든, 도 6에 직선 C로 도시된 것과 같이 반도체 웨이퍼(11)의 지름 방향에 따르는 휘도 곡선 A와 조명 곡선 B와의 휘도의 값의 평균치로 설정 될 수 있다. 상기 직선 C를 휘도 평균 곡선으로 한다. As a result, the brightness of the semiconductor wafer 11 picked up by the image pickup camera 43 is reduced by the portion of the mirror die 12c, the portion affected by the reflected light from the mirror die 12c, Any part of the unaffected portion can be set as an average value of the luminance values of the luminance curve A and the illumination curve B along the diametrical direction of the semiconductor wafer 11 as shown by a straight line C in Fig. The straight line C is used as a luminance average curve.

상기 제어장치(terminal control unit)(41)의 판정부(48)에는 도 7에 S에서 가리키도록 촬상 카메라(43)에 의해서 촬상된 다이(12)가 정상 다이(12a)인지, 불량 다이(12c)인지를 판정하기 위한 기준값(S)가 설정된다. 이 기준값(S)는 상기 휘도 곡선 A와 조명 곡선 B와의 휘도의 값의 평균치로 휘도 평균 곡선 C와 같은 레벨로 설정된다. The determination unit 48 of the terminal control unit 41 determines whether the die 12 picked up by the image pickup camera 43 is a normal die 12a or not, 12c) is set. The reference value S is an average value of the luminance values of the luminance curve A and the illumination curve B and is set to the same level as the luminance average curve C. [

또한 도 6에 있어서, 휘도 곡선 A의 미러 다이(mirror die)(12c)의 반사광의 영향을 받지 않는 부분 a2의 휘도에 대해, 이 a2에 대응하는 조명 곡선 B의 부분 b2의 휘도를 조금 낮게 도시하고 있으나, 필요에 따라 조명 곡선 B의 b2의 부분의 휘도를 휘도 곡선 A의 a2의 부분의 휘도와 같게 설정할 수도 있다. 6, the luminance of the portion a2 of the illumination curve B corresponding to this portion a2 is slightly lower than the luminance of the portion a2 unaffected by the reflected light of the mirror die 12c of the luminance curve A The luminance of the portion of b2 of the illumination curve B may be set to be equal to the luminance of the portion of a2 of the luminance curve A as necessary.

즉, 조명광(L)의 휘도는 반도체 웨이퍼(11)의 지름 방향에 따르는 미러 다이(mirror die)(12c)의 반사광의 영향을 배제하고, 해당 반도체 웨이퍼(11)의 지름 방향에 따르는 휘도가 거의 일정하게 촬상되도록 설정하는 것이 바람직하다. That is to say, the brightness of the illumination light L is obtained by excluding the influence of the reflected light from the mirror die 12c along the diameter direction of the semiconductor wafer 11, and the brightness along the diameter direction of the semiconductor wafer 11 is almost It is preferable to set it so that the image is captured constantly.

덧붙여 상기 제어장치(terminal control unit)(41)의 구동부(45)는 상기 광원(44)외에, 도 3에 나타내는 제1 상하 구동 기구(6, 제2 상하 구동 기구(13), 수평 구동 기구(14) 및 콜렛(39) 의 구동을 제어하게 되어 있다. In addition to the light source 44, the driving unit 45 of the terminal control unit 41 includes a first vertical driving mechanism 6, a second vertical driving mechanism 13, a horizontal driving mechanism 14 and the collet 39 are controlled.

다음에, 상기 구성의 픽업(pick up) 장치에 의해서 반도체 웨이퍼(11)로부터 정상 다이(12a)를 픽업(pick up)하는 순서를 설명한다. Next, a procedure of picking up the normal die 12a from the semiconductor wafer 11 by the pick up apparatus having the above-described configuration will be described.

제어장치(terminal control unit)(41)는 공급 테이블(4)를 구동해, 설정부(42)에 의해서 미리 설정된 픽업(pick up) 순서에 따라 반도체 웨이퍼(11) 주변부의 다이(12)로부터 픽업하고 결정된 위치로 이송되도록 한다. The terminal control unit 41 drives the supply table 4 and picks up from the die 12 on the periphery of the semiconductor wafer 11 in accordance with a pick up sequence preset by the setting unit 42. [ And transferred to the determined position.

픽업(pick up) 위치에 배치된 다이(12) 및 그 부근의 다이들은 광원(44)로부터의 조명광(L)에 의해서 조명되고, 픽업(pick up) 위치에 배치된 다이(12)는 촬상 카메라(43)에 의해서 촬상된다. The die 12 disposed in the pick up position and the nearby dies are illuminated by the illumination light L from the light source 44 and the die 12 placed at the pick up position is illuminated by the illumination light L from the light source 44, (43).

상기 촬상 카메라(43)의 촬상 신호는 화상 처리부(image processing)(46)으로 2치화 처리되고, 판정부(48)에 출력되어 기준값(S)와 비교되어 상기 다이(12)에 불량 마크(fail mark)(m1)가 있는지의 여부가 판정된다. The image pickup signal of the image pickup camera 43 is subjected to binarization processing by an image processing unit 46 and output to the determining unit 48 to be compared with the reference value S, mark (m1) is present.

상기 화상 처리부(46)에서 2치화 처리되어 판정부(48)에 출력되는 불량 마크(fail mark)(m1)가 없는 정상 다이(12a)의 표면의 휘도는 도 7의 S1으로 도시된 기준값(S) 이상 값이다. The brightness of the surface of the normal die 12a which is binarized in the image processing unit 46 and is not output to the determining unit 48 and has no fail mark m1 is set to the reference value S ) Or more.

한편, 불량 다이(12b)의 불량 마크(fail mark)(m1)는 다이(12)의 바탕색보다도 휘도의 낮은 잉크 등에 의해서 표시된다. 따라서, 판정부(48)에 출력되는 촬상 신호의 휘도는 도 7에 S2로 표시된 것과 같이 기준값(S)보다도 작은 값이다. On the other hand, the fail mark m1 of the defective die 12b is displayed by an ink or the like having lower brightness than the background color of the die 12. [ Therefore, the luminance of the image pickup signal outputted to the determining section 48 is smaller than the reference value S as indicated by S2 in Fig.

따라서, 상기 촬상 카메라(43)에 의해서 촬상된 정해진 다이(12)의 화상으로부터 중심부의 휘도를 보았을 때, 그 휘도가 기준값(S)보다도 낮으면, 그 다이(12)는 불량 마크(fail mark)(m1)가 표시된 것으로 판별된다. Therefore, when the luminance of the center portion is found from the image of the predetermined die 12 picked up by the image pickup camera 43, and the luminance thereof is lower than the reference value S, the die 12 becomes a fail mark, (m1) is displayed.

즉, 다이(12)가 불량 다이(12b)이라고 판정되면 그 불량 다이(12b)는 픽업(pick up)되지 않고, 다음의 다이(12)가 픽업(pick up) 위치에 위치 결정(positioning)되도록, 반도체 웨이퍼(11)가 배치된다. That is, if the die 12 is determined to be a defective die 12b, then the defective die 12b is not picked up and the next die 12 is positioned to the pick up position And a semiconductor wafer 11 are arranged.

상술한 것처럼 상기 판정부(48)에 출력된 촬상 신호의 휘도가 기준값(S)보다도 크면, 그 다이(12)에는 불량 마크(fail mark)(m1)가 없으므로, 정상 다이(12a)라고 판정되어 픽업(pick up) 툴(53)에 의해서 픽업(pick up)되게 된다. As described above, if the luminance of the image pickup signal outputted to the determining section 48 is larger than the reference value S, since there is no fail mark m1 in the die 12, the normal die 12a is determined And picked up by a pick up tool 53.

픽업(pick up) 위치에 배치된 다이(12)의 근처에 미러 다이(mirror die)(12c)가 있는 경우, 조명광(L)가 미러 다이(mirror die)(12c)로 반사되어, 상기 촬상 카메라(43)으로부터의 촬상 신호의 휘도가 높아질 수 있다. When there is a mirror die 12c near the die 12 disposed at the pick up position, the illumination light L is reflected by the mirror die 12c, The luminance of the image pickup signal from the image pickup device 43 can be increased.

그 경우, 판정부(48)에 출력된 촬상 신호의 휘도가 기준값(S)보다도 커지기 때문에, 불량 마크(fail mark)(m1)가 표시된 불량 다이(12c)가 정상 다이(12a)로서 판정되어 픽업(pick up)될 우려가 있다. In this case, since the brightness of the image pickup signal outputted to the determining section 48 is larger than the reference value S, the defective die 12c in which the defective mark m1 is indicated is determined as the normal die 12a, there is a fear of being picked up.

그러나, 본 발명의 픽업(pick up) 위치에 배치된 다이(12)를 조명하는 광원(44) 조명광(L)은 픽업(pick up) 위치의 다이(12)의 근처에 미러 다이(mirror die)(12c)가 있어도, 그 미러 다이(mirror die)(12c)로부터의 반사광의 영향을 없애도록 그 휘도가 설정되어 있다. However, the light source 44 illuminating the die 12 disposed in the pick up position of the present invention is illuminated by a mirror die near the die 12 in the pick up position, The brightness is set so as to eliminate the influence of the reflected light from the mirror die 12c.

즉, 반도체 웨이퍼(11)에는 그 주변부에 미러 다이(mirror die)(12c)가 있으므로, 반도체 다이(12)를 조명하는 조명광(L)의 휘도는 미러 다이(mirror die)(12c)의 영향을 받는 범위에서는 반도체 웨이퍼(11)의 중심부로부터 주변부에 가는 것에 따라 낮아지도록 설정한다. That is, since the semiconductor wafer 11 has a mirror die 12c at the periphery thereof, the brightness of the illumination light L illuminating the semiconductor die 12 is influenced by the mirror die 12c Is set to be lower as it goes from the central portion of the semiconductor wafer 11 to the peripheral portion.

그 때문에, 픽업(pick up) 위치에 배치된 다이(12)는 미러 다이(mirror die)(12c)로부터의 반사광의 영향을 제거한 상태로 촬상되므로, 판정부(48)에서의 기준값(S)의 비교에 따라 그 다이(12)에 불량 마크(fail mark)(m1)가 있는지 아닌지를 정확히 판정할 수 있다. Therefore, the die 12 disposed at the pick-up position is picked up with the influence of the reflected light from the mirror die 12c removed, so that the value of the reference value S It is possible to accurately determine whether or not the die 12 has a fail mark m1 according to the comparison.

그 결과, 불량 다이(12b)의 불량 마크(fail mark)(m1)를 인식하지 못하고, 불량 다이(12b)를 정상 다이(12a)와 잘못 인식 해 픽업(pick up)하는 것을 정확히 방지할 수 있다. As a result, the failure mark m1 of the defective die 12b is not recognized, and it is possible to accurately prevent the defective die 12b from being erroneously recognized as a normal die 12a and picking it up .

따라서, 본 발명은 상기 다이(12)가 정상 다이(12a) 혹은 불량 다이(12b)의 인지의 여부를, 촬상 카메라(43)으로부터의 촬상 신호에 대해 판정부(48)로 설정된 1개의 기준값(S)과 비교하는 것으로 판단 할수 있도록 하고 있다. 그 때문에, 상기 다이(12)의 양부의 판정을 신속히, 그리고 정확히 실시하는 것이 가능해진다. Therefore, the present invention can determine whether or not the die 12 recognizes the normal die 12a or the defective die 12b based on one reference value (for example, S). Therefore, both sides of the die 12 can be judged quickly and accurately.

또한, 본 발명은 픽업(pick up) 위치에 배치된 다이(12)가 정상 다이(12a) 혹은 불량 다이(12b) 인지의 여부를 판단할 때, 픽업(pick up) 위치에 배치된 다이(12)를 조명하는 광원(44)으로부터의 조명광(L)의 광량을 제어해 조명함으로써, 미러 다이(mirror die)(12c)로부터의 반사광의 영향을 받지 않는 정확한 판단이 가능하다. The present invention also includes a die 12 disposed at a pick up position when determining whether the die 12 disposed at a pick up position is a normal die 12a or a defective die 12b. The light amount of the illumination light L from the light source 44 illuminating the light source 44 is controlled and illuminated to make an accurate judgment without being affected by the reflected light from the mirror die 12c.

픽업(pick up) 위치에 배치된 다이(12)가 정상 다이(12a) 혹은 불량 다이(12b)의 어느 쪽인지를 판정할 때, 픽업(pick up) 위치에 배치된 다이(12)를 조명하는 광원(44)로부터의 조명광(L)의 광량을 제어해 조명 하도록 한 것으로, 그 판정이 미러 다이(mirror die)(12c)로부터의 반사광의 영향을 받지 않게 했다. When the die 12 placed at the pick up position determines whether it is the normal die 12a or the defective die 12b, the die 12 placed at the pick up position is illuminated The light amount of the illumination light L from the light source 44 is controlled and illuminated so that the determination is not affected by the reflected light from the mirror die 12c.

상기 광원(44)으로서는, LED 라이트를 적용하여 조명광(L)의 광량의 설정에 따라 빠른 응답과 정확한 광량으로 제어될수 있기 때문에, 반도체 기판(W)의 지름 방향에 따르는 조명광(L)의 광량의 제어를 간단하고 정확히 실시하는 것이 가능해진다. The light source 44 can be controlled with a fast response and an accurate light amount in accordance with the setting of the light amount of the illumination light L by applying the LED light so that the light amount of the illumination light L along the diameter direction of the semiconductor substrate W It is possible to perform the control simply and accurately.

그리고, 본 발명에서는 반도체 웨이퍼 주변부를 조명하는 빛의 광량을, 중심부를 조명하는 광량에 비해 낮아지도록 제어하며 동시에, 판정부에 단일의 기준값를 설정해, 이로부터 미러 다이(mirror die)로부터 반사광의 영향을 받는 다이에 정상 다이과 불량 다이의 어느 쪽인지를 판정하도록 한다. In the present invention, the light amount of the light illuminating the peripheral portion of the semiconductor wafer is controlled to be lower than the light amount illuminating the central portion, and a single reference value is set to the determination portion, and the influence of the reflected light from the mirror die Determine whether the receiving die is a normal die or a defective die.

이상과 같이 본 발명에서는, 플립칩 본더(flip chip bonder) 를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 플립칩 본더(flip chip bonder) 외에 웨이퍼 링에 붙여진 시트상의 반도체 웨이퍼의 다이를 픽업(pick up)하여 기판에 공급하는 제반장치, 즉 다이본더(die bonder) 등에도 본 발명을 적용할 수 있다. As described above, the flip chip bonder has been described as an example of the present invention. However, the present invention can also be applied to a flip chip bonder by picking up a die of a semiconductor wafer on a sheet attached to a wafer ring The present invention can also be applied to various apparatuses for supplying a substrate, that is, a die bonder or the like.

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명하였으나, 이는 예시적인 것이며, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims.

(11) 반도체 웨이퍼
(12) 다이
(12a) 정상 다이
(12b) 불량 다이
(12c) 미러 다이(mirror die)
(38) 콜렛핀
(39) 콜렛
(41) 제어장치(terminal control unit)
(42) 설정부
(43) 촬상 카메라(촬상 수단)
(44) 광원
(46) 화상 처리부(image processing)
(47) 연산처리부(arithmetic processing)
(48) 판정부
(53) 픽업(pick up) 툴(11) Semiconductor wafer
(12) die
(12a)
(12b)
(12c) a mirror die
(38) Collet pin
(39) Collet
(41) a terminal control unit
(42) Setting section
(43) An image pickup camera (image pickup means)
(44) Light source
(46) image processing section
(47) Arithmetic processing
(48)
(53) pick up tool

Claims (5)

정상 다이와 미러 다이(mirror die) 및 불량 마크(fail mark)가 표시된 불량 다이를 포함하는 반도체 웨이퍼로부터, 상기 정상 다이를 픽업(pick up)하는 반도체 다이 콜렛 시스템에 있어서,

상기 반도체 웨이퍼를 조명하는 조명 수단과
상기 조명수단에 의하여 상기 반도체 웨이퍼의 각 다이를 촬상하는 촬상 수단과

상기 촬상 수단에 의해 상기 다이를 촬상할 때, 상기 미러 다이(mirror die)로부터의 반사광의 영향을 받는 부분에서는 상기 미러 다이(mirror die)로부터의 영향을 받지 않는 부분보다도 상기 반도체 웨이퍼를 조명하는 빛의 광량을 감소시키는 광량 설정 수단과

이 광량 설정 수단에 의해서 광량이 제어된 빛에 의해서 상기 반도체 웨이퍼를 조사하고 상기 촬상 수단으로 촬상하여, 이 촬상 수단의 촬상 신호를 기준값과 비교하여 반도체 웨이퍼 상의 다이가 정상 다이인지 불량 다이인지의 여부를 판정하는 판정 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 다이 콜렛 시스템. A semiconductor die collet system for picking up a normal die from a semiconductor wafer comprising a normal die and a defective die marked with a mirror die and a fail mark,

An illumination means for illuminating the semiconductor wafer;
Imaging means for imaging each die of the semiconductor wafer by the illumination means;

Wherein when the semiconductor wafer is picked up by the image pickup means, light that illuminates the semiconductor wafer more than a portion that is not influenced by the mirror die in a portion affected by the reflected light from the mirror die, Light amount setting means for reducing the light amount of the light source

Irradiating the semiconductor wafer with light whose light amount is controlled by the light amount setting means, imaging the semiconductor wafer with the imaging means, and comparing the imaging signal of the imaging means with a reference value to determine whether the die on the semiconductor wafer is a normal die or a defective die And judging means for judging whether or not the semiconductor die is mounted on the semiconductor die. 제 1항에 있어서,
상기 기준값은 상기 반도체 웨이퍼 상기 미러 다이(mirror die)로부터의 반사광의 영향을 받지 않는 부분의 다이에 상기 빛에 의해서 조사되었을 때의 밝기의 레벨로 설정되는 것을 특징으로 하는 반도체 다이 콜렛 시스템. The method according to claim 1,
Wherein the reference value is set to a level of brightness when the semiconductor wafer is irradiated with light by a die in a portion not affected by the reflected light from the mirror die. 제 1항에 있어서,
상기 조명 수단은 LED 라이트인 것을 특징으로 하는 반도체 다이 콜렛 시스템.The method according to claim 1,
Wherein the illumination means is an LED light. 제 1항에 있어서,
상기 반도체 웨이퍼에는 지름 방향의 주변부에 상기 미러 다이(mirror die)가 설치되고,
상기 광량 설정 수단은 상기 조명 수단에 의한 조명이 상기 반도체 웨이퍼의 지름 방향 주변부로부터 중심부 방향으로 광량이 증가하도록 설정되는 것을 특징으로 하는 반도체 다이 콜렛 시스템. The method according to claim 1,
The semiconductor wafer is provided with a mirror die at a peripheral portion in the radial direction,
Wherein the light amount setting means is set such that the illumination by the illumination means increases the amount of light in the radial direction peripheral portion to the central portion direction of the semiconductor wafer. 정상 다이와 미러 다이(mirror die) 및 불량 마크(fail mark)가 표시된 불량 다이를 포함하는 반도체 웨이퍼로부터, 상기 정상 다이를 픽업(pick up)하는 반도체 다이 콜렛 시스템의 구동 방법에 있어서,

반도체 웨이퍼 주변의 미러 다이(mirror die) 부근과 반도체 웨이퍼 내측의 다이(die)들에 대하여 상이한 광량이 제어된 빛에 의하여 상기 반도체 웨이퍼를 조명하는 단계;와

촬상 수단에 의해 상기 반도체 웨이퍼의 각 다이를 촬상하는 단계;와

상기 촬상수단에 의해 촬상된 신호를 기준값과 비교하여 정상 다이 또는 불량 다이의 여부를 판정하는 단계;

를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 다이 콜렛 시스템의 픽업(pick up) 방법. A method of driving a semiconductor die collet system for picking up a normal die from a semiconductor wafer comprising a normal die and a defective die marked with a mirror die and a fail mark,

Illuminating the semiconductor wafer with light controlled by a different amount of light for a mirror die near the semiconductor wafer and for dies inside the semiconductor wafer;

Imaging each die of the semiconductor wafer by imaging means;

Comparing a signal picked up by the image pickup means with a reference value to judge whether the image is a normal die or a defective die;

Wherein the semiconductor die collet system is a semiconductor die collet system.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN110571174A (en) * 2019-09-11 2019-12-13 四川洪芯微科技有限公司 Chip crystal grain selecting device and working method thereof
CN110571174B (en) * 2019-09-11 2024-05-03 林上煜 Chip grain selecting device and working method thereof

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