KR101274403B1 - 발광 반도체 장치 - Google Patents

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가즈노리 스미
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스탄레 덴끼 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 조명과 관련된 저감된 색 불균일성을 갖고, 조명광의 양 및 색도의 시간 경과에 따른 국소적인 열화를 억제한 발광 반도체 장치에 관한 것이다.
본 발명의 발광 반도체 장치는 3개의 별개의 본딩 패드(6a, 6b, 6c)를 포함한다. 이들 중에서, 중앙에 위치하는 본딩 패드(6a)는 동일한 재료 및 구조를 갖고 대체로 같은 크기를 갖지만 PN-전극의 배향 및 방향 특성이 상이한 2종류의 발광 소자(3a, 3b)에 다이 본딩된다. 가장 바깥쪽에 위치하는 본딩 패드(6b)는 발광 소자(3b)에 다이 본딩된다. 이 경우에, 발광 소자(3a)의 방향 특성은 대체로 뒤집힌 원뿔 형상을 나타내는 한편, 발광 소자(3b)의 방향 특성은 대체로 원뿔 형상을 나타낸다. 중앙 본딩 패드(6a) 상에 장착된 발광 소자(3a) 및 가장 바깥쪽 본딩 패드(6b) 상에 장착된 발광 소자(3b)는, 본딩 와이어(8)에 스티치 본딩되는(stitch-bonded) 와이어 본딩측 상에 각각의 전극을 갖는다.

Description

발광 반도체 장치{LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR APPARATUS}
도 1은 발광 반도체 소자의 사시도이다.
도 2는 다른 발광 반도체 소자의 사시도이다.
도 3은 또 다른 발광 반도체 소자의 사시도이다.
도 4는 도 1의 발광 반도체 소자의 방향 특성을 도시하는 도면이다.
도 5는 도 2의 발광 반도체 소자의 방향 특성을 도시하는 도면이다.
도 6은 도 3의 발광 반도체 소자의 방향 특성을 도시하는 도면이다.
도 7은 예 1의 정면도이다.
도 8은 도 7의 A-A 횡단면도이다.
도 9는 예 1에 장착된 발광 반도체 소자의 예시도이다.
도 10은 예 1에 장착된 발광 반도체 소자의 다른 예시도이다.
도 11은 예 1의 내부 배선도이다.
도 12는 예 2의 평면도이다.
도 13은 예 3의 평면도이다.
도 14는 종래 기술의 정면도이다.
도 15는 도 14의 A-A 횡단면도이다.
도 16은 다른 종래 기술의 정면도이다.
도 17은 도 16의 A-A 횡단면도이다.
본 발명은 발광 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 복수의 발광 반도체 소자를 포함하는 발광 반도체 장치에 관한 것이다.
발광 반도체 소자(이하 "발광 소자"라고 약술한다)는 광을 덜 발광하는 작은 외부 사이즈를 가지므로, 점 광원에 가까운 광학 성질을 갖는다. 발광원으로서 발광 소자를 구비하는 발광 반도체 장치가 예를 들면, LCD 백라이트(back-light), 프린터용 판독 광원, 패널 조명기구(panel illuminators), 일반 조명기구 및 여러 가지 인디케이터(indicator)에 조립된다. 그러한 경우에는, 대체로 동일한 발광 스펙트럼 분포 및 방향 특성을 갖는 복수의 발광 소자가 필요한 조명 광량을 보증하도록 장착된다. "방향 특성"은 "발광 반도체 소자의 광축에 대해 다른 각도에서 측정되어 연속적인 선으로 그래프화된 일련의 휘도의 상대값"으로 정의된다.
다른 제안된 발광 반도체 장치에서는, 발광 소자는 하나 이상의 형광체를 포함하는 광투과성 수지 내에 밀봉된다. 이 경우에는, 발광 소자로부터 방출된 광은 파장 변환을 위해 형광체를 여기시키고, 발광 소자로부터 방출된 광과 색도가 다른 광을 배출한다.
예를 들면, 발광 소자로부터 방출된 광이 청색광이면, 발광 반도체 장치는 청색광에 의해 여기될 때, 청색광을 청색의 보색 또는 황색광으로 파장 변환할 수 있는 형광체를 사용해도 된다. 이 경우에는, 발광 소자로부터 방출된 청색광의 부분이 형광체를 여기시킬 때 파장 변환된 황색광과, 발광 소자로부터 방출된 청색광은 색채적으로 백색광에 가까운 광을 얻도록 추가의 색 혼합이 행해진다.
유사하게, 발광 소자로부터 방출된 광이 청색광이면, 발광 반도체 장치는 청색광에 의해 여기될 때, 청색광을 녹색 및 적색광으로 파장 변환할 수 있는 2종류의 형광체를 혼합하여 사용해도 된다. 이 경우에는, 발광 소자로부터 방출된 청색광의 부분이 형광체를 여기시킬 때 파장 변환된 녹색 및 적색광들과, 발광 소자로부터 방출된 청색광은 색채적으로 백색광과 대체로 같은 광을 얻도록 추가의 색 혼합이 행해진다.
또한, 발광 소자로부터 방출된 광이 자외광이면, 발광 반도체 장치는 자외광에 의해 여기될 때, 자외광을 청색, 녹색 및 적색광으로 파장 변환할 수 있는 3종류의 형광체를 혼합하여 사용해도 된다. 이 경우에는, 발광 소자로부터 방출된 자외광의 부분이 형광체를 여기시킬 때 파장 변환된 청색, 녹색 및 적색광들이 색채적으로 백색광과 대체로 같은 광을 얻도록 추가의 색 혼합이 행해진다.
더욱이, 발광 소자로부터 방출된 광의 종류와 형광체의 종류는 백색광과 대체로 같은 광이나 색채적으로 백색광에 가까운 광과는 다른 광과 같은 여러 가지 색채의 광을 얻기 위해 적절히 혼합되어도 된다(예를 들면, 특허 문헌 1: JP 2005-285874A 참조).
발광 소자가 동일한 반도체 재료 및 구조, 즉, 동일한 발광 스펙트럼 분포를 가질지라도, 발광 소자의 상이한 외형 및 크기가 발광 소자로부터 방출된 광의 방 향 특성을 변화시킨다. 외형 및 크기가 동일할지라도, 전극의 상이한 외형 및 크기가 방향 특성을 변화시킨다. 특히, 발광 소자의 광 출사면 상의 전극이 거기에 크게 영향을 미친다.
예를 들면, 아래의 3종류의 상이한 발광 소자는 동일한 재료 및 구조(동일한 발광 스펙트럼 분포)와, 외형에서만 다르고 대체로 동일한 크기를 갖는 것으로 가정된다. 발광 소자 A는 도 1에 도시된 바와 같이, 대체로 정육면체의 형태이다. 발광 소자 B는 도 2에 도시된 바와 같이, 대체로 사각뿔대의 형태이다. 발광 소자 C는 도 3에 도시된 바와 같이, 대체로 뒤집힌 사각뿔대의 형태이다. 이들 소자는 각각 발광 소자 A에 대해 도 4에, 발광 소자 B에 대해 도 5에, 및 발광 소자 C에 대해 도 6에 도시되어 있는 곡선의 방향 특성을 갖는다. 이들 도면은 광의 강도(광도: cd)를 극좌표(광도의 분포 곡선)로 나타내는 곡선을 도시하고, 이것은 광이 얼마나 강한지 그 방향으로 발광 소자 A, B, C로부터 광이 방출될 수 있는지를 나타낸다. 광 분포는 기본적으로는 다른 횡단면에서의 광도가 대체로 동일하므로, 단일 횡단면에서의 광도에 의해 나타나더라도 전체 횡단면을 가로질러 광의 강도를 측정함으로써 결정된다. 방향 특성의 외형은 아래와 같이 표현된다. 즉, 발광 소자 A는 도 4에 도시된 바와 같은 대체로 구 형상을 갖고, 발광 소자 B는 도 5에 도시된 바와 같은 대체로 뒤집힌 원뿔 형상을 가지며, 발광 소자 C는 도 6에 도시된 바와 같은 대체로 원뿔 형상을 갖는다.
대체로 동일한 발광 스펙트럼 분포 및 방향 특성을 갖는 복수의 발광 소자가 발광 반도체 장치를 구성하도록 하나 이상의 형광체를 포함하는 광투과성 수지로 구성되는 밀봉 수지 내에 장착되어 밀봉된다. 그러한 장치의 종래에 제안된 예는 도 14 및 15에 도시된 배치구조를 갖는다. 도 14는 정면도이고, 도 15는 도 14의 A-A 횡단면도이다.
도 14 및 15에 도시된 장치는 수지 내에 리드 프레임(lead frame)(50)을 삽입 성형하고 간극(52)을 갖는 리세스(recess)(53)를 형성함으로써 얻어지는 패키지의 수지 성형체(51)(이하 "램프 하우스(lamp house)(51)"라고 한다)를 포함한다. 리세스(53)는 내부 바닥을 갖고, 그것을 통해 4개의 본딩 패드(54)가 4개의 별개의 리드 프레임(50)의 각각의 일 단부 상에서 일렬로 노출된다. 그 중에서, 한 쌍의 가장 바깥쪽의 본딩 패드(54)가 램프 하우스(51)를 통해 연장되어, 램프 하우스(51)의 외주면에서 외부로 리드된다. 리드 프레임(50)의 타 단부 상의 한 쌍의 외부 접속 단자(55)는 램프 하우스(51)의 외주면을 따라 위치한다.
리세스(53)의 내부 바닥을 통해 노출되는 3개의 본딩 패드(54) 상에는 각각 도전성 본딩 부재(도시 생략)를 통해 다이 본딩된 도 3의 발광 소자 C(56)가 존재한다. 발광 소자 C(56)는 그 상에 발광 소자 C(56)가 장착되는 본딩 패드(54)에 전기적으로 도전되는 하부 전극을 갖는다.
한편, 발광 소자 C(56) 상의 상부 전극과 그 상에 발광 소자 C(56)가 장착되는 본딩 패드(54)에 인접한 본딩 패드(54)는 그 사이에 전기 도전성을 확립하도록 본딩 와이어(57)를 통해 서로 와이어 본딩된다.
또한, 리세스(53)는 수지로 발광 소자 C(56)와 본딩 와이어(57)를 밀봉하도록 하나 이상의 형광체를 포함하는 광투과성 수지로 구성된 밀봉 수지(58)로 충전 된다.
다른 종래 기술로서, 도 16 및 17에 도시된 발광 반도체 장치가 제안되어 왔다. 도 16은 정면도이고, 도 17은 도 16의 A-A 횡단면도이다. 이 발광 반도체 장치에서는, 상술한 발광 반도체 장치와 달리 발광 소자 C(56) 대신에 도 2의 발광 소자 B(59)가 장착된다.
종래 기술의 발광 반도체 장치의 어느 쪽에서도, 발광 소자(56, 59)는 직렬로 전기적으로 접속된다. 램프 하우스(51)의 외부로 리드되어 램프 하우스(51)의 외주면을 따라 위치하는 한 쌍의 외부 접속 단자(55, 55)에 걸쳐 전압이 인가될 때, 모든 발광 소자(56, 59)가 광을 방출하도록 구동된다.
발광 소자 C는 도 6에 도시된 방향 특성을 갖고, 발광 소자 B는 도 5에 도시된 방향 특성을 갖는다. 그러한 발광 소자를 포함하는 종래 기술의 2종류의 발광 반도체 장치는 각각 도 15 및 17에 도시된 방향 특성을 갖는다.
그들 중에서, 복수의 발광 소자 C를 포함하는 도 15의 발광 반도체 장치의 방향 특성은 그 광 분포가 도시된 바와 같이 넓게 중첩하는 인접하는 발광 소자 C 사이의 영역을 포함한다. 그러한 광 분포 중첩 영역의 존재로 인해, 발광 반도체 장치로서 아래의 문제가 일어난다.
먼저, 그러한 영역은 발광 소자 C의 광축의 근처에서와 같은 다른 영역보다 발광 소자 C로부터 방출된 더 많은 양의 광을 수광한다. 그러한 영역은 또한 다른 영역들과 비교하여, 발광 소자 C를 덮는 밀봉 수지에 포함되는 형광체에서 파장 변환되는 더 많은 양의 광을 수광한다.
예를 들면, 발광 소자 C로부터 방출된 광이 청색광이고, 장치가 색채적으로 백색광에 가까운 광을 얻기 위해 청색광에 의해 여기될 때 청색의 보색이나 황색광 으로 청색광을 파장 변환할 수 있는 형광체를 사용한다고 가정한다. 발광 반도체 장치가 조명의 방향으로부터 관측될 때, 발광 소자 C가 위치하는 영역으로부터 청색을 띤 백색광이 배출되는데, 그 이유는 그 영역이 발광 소자 C의 더 강한 광원색을 갖기 때문이다. 발광 소자 C 사이의 영역으로부터 황색을 띤 백색광이 배출되는데, 그 이유는 그 영역이 더 강한 파장 변환된 광을 갖기 때문이다. 그 결과, 발광 반도체 장치는 색 불균일성을 나타낸다.
광들 중에서 비교적 높은 에너지를 갖는 청색광으로 국소적으로 조사된 밀봉 수지 내에 포함되는 광 투과성 수지 및 형광체는 다른 영역에서의 광 투과성 수지 및 형광체보다 더욱 빠르게 열화된다.
따라서, 시간 경과에 따른 광 투과성 수지의 열화는 수지의 투과도 및 색의 변화의 저감을 초래한다. 유사하게, 시간 경과에 따른 형광체의 열화는 형광체의 파장 변환 효율의 저감을 초래한다. 그 결과, 발광 반도체 장치에서, 조명광의 양 및 색도의 시간 경과에 따른 국소적인 열화와 관련된 여러 가지 문제점이 발생한다.
구체적으로는, 밀봉 수지 내에 포함되는 광 투과성 수지와 형광체 사이의 국소 열화율의 차로 인해, 발광 반도체 장치에 대한 구동 누적 시간에 따라 휘도 및 색도가 현저히 변화한다.
한편, 복수의 발광 소자 B를 포함하는 도 17의 발광 반도체 장치의 방향 특 성은 또한 그 광 분포가 도시된 바와 같이 넓게 중첩하는 인접하는 발광 소자 B 사이의 영역을 포함한다.
또한, 도시된 바와 같이 발광 소자 B로부터의 더 적은 양의 광을 수광하는 영역이 또한 존재한다. 이 영역은, 형광체에 의해 파장 변환되는 적은 양의 광으로 인해 발광 반도체 장치의 색의 변화를 초래하는 인자가 된다.
따라서, 발광 반도체 장치에서는 또한, 상기와 유사하게, 조명광의 색의 변화 뿐만 아니라 조명광의 양 및 색도의 시간 경과에 따른 국소적인 열화와 관련된 여러 가지 문제점이 발생한다.
본 발명은 상기 문제점을 고려하여 이루어진 것으로, 조명과 관련된 저감된 색 불균일성을 갖고, 조명광의 양 및 색도의 시간 경과에 따른 국소적인 열화를 억제한 발광 반도체 장치를 제공하고자 하는 목적을 갖는다.
본 발명은, 기판 상에 장착되는 복수의 발광 반도체 소자를 포함하고, 상기 발광 반도체 소자는 형광체를 포함하는 광 투과성 수지로 밀봉되며, 상기 발광 반도체 소자는 2종류의 상이한 방향 특성을 갖고, 상이한 방향 특성을 갖는 상기 발광 반도체 소자는 서로 인접하게 배치되는, 발광 반도체 장치를 제공한다.
본 발명의 발광 반도체 장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 2종류의 방향 특성은 상기 발광 반도체 소자에 인접한 바닥을 갖는 대체로 원뿔의 형상과 상기 발광 반도체 소자에 인접한 정점을 갖는 대체로 뒤집힌 원뿔의 형상이다.
본 발명의 발광 반도체 장치에 있어서, 상기 발광 반도체 소자가 홀수개 일렬로 배치되고, 그렇지 않으면, 상기 발광 반도체 소자가 홀수개의 행 및 홀수개의 열을 갖는 행렬 형태로 배치되며, 상기 행 및 열은 각각 홀수개의 상기 발광 반도체 소자를 포함하고, 상기 일렬 배치의 경우에 양 단부에 위치하는 상기 발광 반도체 소자는 대체로 원뿔 형상의 방향 특성을 가지며, 상기 행렬 배치의 경우에 코너에 위치하는 상기 발광 반도체 소자는 대체로 원뿔 형상의 방향 특성을 갖는다.
본 발명의 발광 반도체 장치에 있어서, 상기 복수의 발광 반도체 소자는 다이 본딩이나 와이어 본딩을 통해 교대로 접속되는 N-전극 및 P-전극을 갖고, 인접한 2개의 발광 반도체 소자 상의 상기 전극은 다이 본딩을 통해 접속되지 않으면, 와이어 본딩을 통해 서로 접속된다.
본 발명의 발광 반도체 장치는 조명광과 관련된 색 불균일성을 저감할 수 있고, 조명광의 양 및 색도의 시간 경과에 따른 국소적인 열화를 억제할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예를 이하 도 1∼13(동일한 부품에는 동일한 참조 번호로 나타냄)을 참조하여 상세히 설명한다. 이하 설명하는 실시예들은 본 발명의 바람직한 구체예들이고, 본 발명은 본 발명을 제한하고자 하는 이하의 설명에서의 어떤 특별한 언급이 없이는 이들 실시예에 제한되는 것은 아니지만 여러 가지 기술적으로 바람직한 제한들이 부여된다.
[예 1]
도 7은 본 발명의 발광 반도체 소자와 관련된 예 1의 정면도이다.
도 8은 도 7의 A-A 횡단면도이다. 도 9 및 10은 장착된 발광 반도체 소자의 예시도이다. 도 11은 내부 배선도이다.
도 7 및 8에서, 수지 부재로 구성된 램프 하우스(1)와 금속 부재로 구성된 기판(리드 프레임(2a, 2b, 2c))이 삽입 성형을 통해 일체화되어 있다.
램프 하우스(1)는 간극(4)을 갖는 리세스(5)를 구비한다. 리세스(5)는 내부 바닥을 갖고, 그것을 통해 3개의 별개의 리드 프레임(2a, 2b, 2c)의 각각의 일 단부 상에서 일렬로 노출된다. 가장 바깥쪽에 위치하는 한 쌍의 본딩 패드(2b, 2c)는 램프 하우스(1)를 통해 연장하여, 램프 하우스(1)의 외주면에서 외부(도시 생략)까지 리드되어, 리드 프레임(2b, 2c)의 타 단부 상에 한 쌍의 외부 접속 단자(7b, 7c)를 형성한다. 단자(7a, 7b)는 램프 하우스(1)의 외주면을 따라 위치한다.
본 예에서는, 3개의 발광 소자(3a, 3a 및 3b)가 사용된다. 발광 소자(3a 및 3b)는 재료 및 구조가 동일하지만(발광 스펙트럼 분포가 동일하지만) 방향 특성이 상이하다. 외형에 따라, 발광 소자는 도 5에 도시된 바와 같은 대체로 뒤집힌 원뿔 형상의 방향 특성이나, 도 6에 도시된 바와 같은 대체로 원뿔 형상의 방향 특성 중 하나를 가질 수 있다.
램프 하우스(1)의 내부 바닥을 통해 노출되는 3개의 본딩 패드(6a, 6b, 6c) 중에서, 중앙에 위치하는 본딩 패드(6a)는 2개의 발광 소자(3a, 3b)에 다이 본딩된다. 램프 하우스(1)의 내부 바닥을 통해 노출되는 3개의 본딩 패드(6a, 6b, 6c) 중에서, 가장 바깥쪽에 위치하는 한 쌍의 본딩 패드(6b, 6c) 중 하나인 본딩 패드(6b)는 하나의 발광 소자(3b)에 다이 본딩된다. 본딩 패드(6c) 상에는 발광 소 자가 장착되지 않는다. 이들 3개의 발광 소자(3a, 3b)는 일렬로 장착된다.
중앙에 위치하는 본딩 패드(6b) 상에 장착되는 2개의 발광 소자(3a, 3b)는 본딩 패드(6c)에 더 가깝게 장착된 발광 소자(3b)를 포함한다. 그 발광 소자(3b) 상의 와이어 본딩 전극이 그 사이에 전기 전도성을 확립하도록 본딩 와이어(8)를 통해 본딩 패드(6c)에 와이어 본딩된다. 패드(6a) 상의 발광 소자(3a) 및 패드(6b) 상의 발광 소자(3b)는 그 사이의 전기 전도성을 확립하도록 본딩 와이어(8)를 통해 서로 스티치(stitch) 본딩되는 각각의 와이어 본딩 전극을 갖는다. 중앙에 위치하는 본딩 패드(6b) 상에 장착된 2개의 발광 소자(3a, 3b)는 그 사이의 전기 전도성을 확립하도록 본딩 패드(6a)에 다이 본딩되는 각각의 다이 본딩 전극을 갖는다.
따라서, 본 예의 발광 반도체 장치는 도 11에 도시된 바와 같은 직렬 회로 내에 형성되는 내부 배선을 갖는다.
발광 소자(3a, 3b)는 동일한 재료 및 구조와 대체로 동일한 크기를 갖는다. 따라서, P-전극(애노드 전극) 및 N-전극(캐소드 전극)이 다이 본딩측과 와이어 본딩측의 양측 상에 형성될 수 있다. 요컨대, 동일한 발광 스펙트럼 분포를 갖는 발광 소자에서는, 다이 본딩측이 N-전극으로 사용될 수 있고, 와이어 본딩측이 P-전극으로 사용될 수도 있다. 이와 달리, 다이 본딩측이 P-전극으로 사용될 수 있고, 와이어 본딩측이 N-전극으로 사용될 수도 있다.
본 예에서는, 다이 본딩측을 N-전극으로(그리고 와이어 본딩측을 P-전극으로) 사용하는 발광 소자와, 다이 본딩측을 P-전극으로(그리고 와이어 본딩측을 N- 전극으로) 사용하는 발광 소자가 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이 교대로 장착된다. 또한, 대체로 원뿔 형상의 방향 특성을 갖는 발광 소자(3b)는 가장 바깥쪽에 장착되고, 대체로 원뿔 형상의 방향 특성을 갖는 발광 소자(3b)와 대체로 뒤집힌 원뿔 형상의 방향 특성을 갖는 발광 소자(3a)가 도 8에 도시된 바와 같이 교대로 장착된다.
이 경우에는, 바람직하게는, 대체로 뒤집힌 원뿔 형상의 방향 특성을 갖는 발광 소자(3a)는 도 5에 도시된 바와 같이 45°∼75°에서 출력 피크를 갖는 발광 소자를 사용할 수도 있다. 대체로 원뿔 형상의 방향 특성을 갖는 발광 소자(3b)는 대체로 뒤집힌 원뿔 형상의 방향 특성을 갖는 발광 소자와 달리 더 높은 각도에서(수평 방향에 가까운) 출력 피크를 갖는 발광 소자를 사용할 수도 있다. 바람직하게는, 80°∼90° 근처에서 출력 피크를 갖는 발광 소자를 사용하는 것도 가능하다.
대체로 뒤집힌 원뿔 형상의 방향 특성을 갖는 발광 소자 대신에, 0°에서(수직 방향에서) 또는 0°∼30° 근처에서 출력 피크를 갖는 발광 소자가 사용될 수도 있다. 그러한 경우에, 그 영역 내의 형광체 혼합 광 투과성 수지를 통과하는 광이 국소적으로 증가하여 색도 변화를 쉽게 한다. 따라서, 형광체 농도를 감소시키기 어렵게 만든다. 그러므로, 수직 방향으로 출력 피크를 갖는 발광 소자는 바람직하지 못하다. 따라서, 40° 보다 더 높은 각도(수평 방향에 가까운)에서 출력 피크를 갖는 발광 소자는 상기 문제점을 초래하기 어려울 수도 있다. 더욱 바람직하게는, 60° 근처에서 출력 피크를 갖는 발광 소자가 적합하다.
리세스(5)는 발광 소자(3a, 3a, 3b) 및 본딩 와이어(8)를 수지로 밀봉하도록 하나 이상의 종류의 형광체를 포함하는 광 투과성 수지로 구성된 밀봉 수지(9)로 충전된다. 밀봉 수지(9)에 포함되는 광 투과성 수지는 습기, 먼지 및 가스와 같은 외부 환경으로부터 발광 소자(3a, 3a, 3b)를 보호하고, 진동 및 충격과 같은 외력으로부터 본딩 와이어(8)를 보호하는 기능을 한다. 또한, 발광 소자(3a, 3a, 3b)의 광 출사면은 밀봉 수지(9)와의 인터페이스를 형성한다. 따라서, 발광 소자(3a, 3a, 3b)의 광 출사면과의 인터페이스를 형성하는 밀봉 수지(9)의 굴절율은 발광 소자(3a, 3a, 3b)의 광 출사면을 형성하는 반도체 재료의 굴절율에 더 가깝게 만들어질 수 있다. 그러므로, 광 투과성 수지는 또한, 발광 소자(3a, 3a, 3b)의 광 출사면으로부터 방출되어 밀봉 수지(9)로 리드되는 광의 추출에 대한 효율성을 향상시키는 역할을 한다.
밀봉 수지(9)에 포함되는 형광체의 기능은 상기 "종래 기술"에서 설명하고 있으므로, 아래의 설명에서는 생략한다.
그에 따라 구성된 발광 반도체 장치에서는, 램프 하우스(1)의 외주면을 따라 위치하는 한 쌍의 외부 접속 단자(7b, 7c)를 가로질러 일정 전압이 인가된다. 이 경우에는, 3개의 직렬 접속된 발광 소자(3a, 3a, 3b)가 발광을 시작하고, 3개의 발광 소자(3a, 3a, 3b)로부터 방출된 광은 도 8의 가상선으로 도시된 방향 특성을 형성한다.
광 분포 영역 내에 분산된 형광체가 3개의 발광 소자(3a, 3a, 3b)로부터 방출된 광에 의해 여기될 때, 형광체로부터 파장 변환된 광이 밀봉 수지(9)를 통해 가이드되어 외부로 배출된다. 이 때, 상술한 바와 같이, 3개의 발광 소자(3a, 3a, 3b)로부터 방출된 광이 청색광이면, 장치는 청색광에 의해 여기될 때 청색광을 청색의 보색인 황색광으로 파장 변환할 수 있는 형광체를 사용할 수도 있다. 이 경우에는, 3개의 발광 소자(3a, 3a, 3b)로부터 방출된 청색광의 부분이 형광체를 여기시킬 때 파장 변환되는 황색광과, 발광 소자로부터 방출된 청색광은 부가적인 색혼합이 행해져 백색광에 색채적으로 가까운 광을 얻는다.
유사하게, 발광 소자(3a, 3a, 3b)로부터 방출된 광이 청색광이면, 장치는 청색광에 의해 여기될 때 청색광을 녹색 및 적색광으로 파장 변환할 수 있는 2종류의 혼합 형광체를 사용할 수도 있다. 이 경우에는, 발광 소자(3a, 3a, 3b)로부터 방출된 청색광의 부분이 형광체를 여기시킬 때 파장 변환되는 녹색 및 적색광과, 발광 소자(3a, 3a, 3b)로부터 방출된 청색광은 부가적인 색혼합이 행해져 백색광과 색채적으로 대체로 같은 광을 얻는다.
또한, 발광 소자(3a, 3a, 3b)로부터 방출된 광이 자외광이면, 장치는 자외광에 의해 여기될 때 자외광을 청색, 녹색 및 적색광으로 파장 변환할 수 있는 3종류의 혼합 형광체를 사용할 수도 있다. 이 경우에는, 발광 소자(3a, 3a, 3b)로부터 방출된 자외광의 부분이 형광체를 여기시킬 때 파장 변환되는 청색, 녹색 및 적색광들은 부가적인 색혼합이 행해져 백색광과 색채적으로 대체로 같은 광을 얻는다.
더욱이, 발광 소자(3a, 3a, 3b)로부터 방출된 광과 형광체가 적절히 혼합될 수 있어, 백색광과 대체로 같은 광이나 백색광에 색채적으로 가까운 광과는 다른 광과 같은 여러 가지 색채의 광을 얻는다.
본 예에서는, 발광 소자의 형상은 그 발광 소자의 방향 특성을 제어하도록 변화된다. 이와 달리, 전극(특히, 와이어 본딩측 상의 전극)의 형상 및/또는 크기가 방향 특성을 제어하도록 변화될 수도 있다. 그 대신에, 발광 소자의 형상 및 전극의 형상 및/또는 크기가 방향 특성을 제어하도록 동시에 변화될 수도 있다.
이하의 설명은 본 예의 효과를 설명한다. 먼저, 3개의 발광 소자(3a, 3a, 3b)가 일렬로 장착될 때, 대체로 원뿔 형상의 방향 특성을 갖는 발광 소자(3b)가 가장 바깥쪽에 장착된다. 동시에, 대체로 원뿔 형상의 방향 특성을 갖는 발광 소자(3b) 및 대체로 뒤집힌 원뿔 형상의 방향 특성을 갖는 발광 소자(3a)는 교대로 장착된다. 그 결과, 도 8에 도시된 바와 같은 광 분포가 얻어진다.
이러한 광 분포는, 도 15 및 17에 도시된 종래 기술의 발광 반도체 장치와 비교하여, 인접하는 발광 소자(3a, 3b)의 광 분포가 중첩하는 매우 작은 영역을 갖는다. 그러므로, 발광 소자(3a, 3b)로부터 방출된 광은 밀봉 수지(9) 내에 대체로 균일하게 배출될 수 있다.
따라서, 발광 반도체 장치의 밀봉 수지(9)에 포함되는 광 투과성 수지 및 형광체는 전체 영역에 걸쳐 균일한 열화율을 갖도록 유지될 수 있다. 이 경우에는, 발광 반도체 장치에 대한 구동 누적 경과 시간에 무관하게 휘도 및 색도의 변화가 덜 발생한다.
대체로 원뿔 형상의 방향 특성을 갖는 발광 소자(3b)는 가장 바깥쪽에 장착된다. 따라서, 그러한 영역은 도 15에 도시된 발광 반도체 장치의 광 분포에서와 같이 발광 소자(3a, 3b)로부터 더 적은 양의 광을 수광하는 것은 존재하기 어렵다. 따라서, 밀봉 수지(9) 내에 분산되는 형광체가 전체 영역에 걸쳐 대체로 균일하게 여기될 수 있다. 이것은 발광 반도체 장치를 색도 변화가 덜한 상태로 실현하는 데 효율적이다.
한편, 도 17에 도시된 종래 기술의 발광 반도체 장치의 경우에는, 발광 소자로부터 더 적은 양의 광을 수광하는 영역 내에 분산되는 형광체에서 파장 변환되는 광의 양은 광 투과성 수지에서 혼합된 형광체의 농도를 결정하는 기준으로서 사용된다. 따라서, 그 영역에서 파장 변환되는 일정량의 광을 확보하기 위해, 광 투과성 영역에서 혼합된 형광체의 농도가 더 높게 결정된다.
반대로, 본 예에서는, 밀봉 수지(9) 내에 분산된 형광체는 전체 영역에 걸쳐 여기될 수 있다. 따라서, 광 투과성 수지 내에 혼합된 형광체의 농도가 종래 기술의 발광 반도체 장치에서 보다 더 낮게 결정될지라도, 종래 기술의 발광 반도체 장치의 색도에 대응하는 색도의 조명광을 얻는 것이 가능하다. 따라서, 형광체의 사용이 감소될 수 있고, 그에 따라 재료 소비가 절감될 수 있다.
본 발명자들에 의한 테스트 계산은 종래 기술의 발광 반도체 장치에 비해 형광체가 대략 20∼30% 저감되는 것을 기대한다.
또한, 형광체는 상술한 바와 같이, 여기광을 파장 변환시키는 기능과 광의 부분을 흡수 및 산란시키는 성질을 갖는다. 따라서, 흡수 및 산란되는 대부분의 광은 열로 변환되고 외부로 배출되지 않는다. 따라서, 더 높은 형광체의 농도로 인해 발광 반도체 장치의 휘도가 더 낮아진다.
반대로, 본 예는 발광 반도체 장치에 더 높은 휘도를 제공할 수 있는 형광체 의 농도를 감소시키는 것이 가능하게 만든다. 더 높은 휘도로 인해, 에너지가 저감된다.
내부 배선을 통해 직렬로 접속되는 복수의 발광 소자(3a, 3a, 3b)를 포함하는 발광 반도체 장치는 아래와 같이 실현될 수 있다. 즉, 다이 본딩측 상에 N-전극(및 와이어 본딩측 상에 P-전극)을 갖는 발광 소자와, 다이 본딩측 상에 P-전극(및 와이어 본딩측 상에 N-전극)을 갖는 발광 소자가 교대로 장착된다. 다이 본딩측 상에 N-전극(및 와이어 본딩측 상에 P-전극)을 갖는 발광 소자와 다이 본딩측 상에 P-전극(및 와이어 본딩측 상에 N-전극)을 갖는 발광 소자는 공통 본딩 패드(6a)에 다이 본딩된다. 인접한 본딩 패드(6a, 6b) 상에 각각 장착되는 발광 소자(3a, 3b)는 본딩 패드(6a ,6b) 사이에 전기 접속을 확립하도록 본딩 와이어(8)를 통해 서로 스티치 본딩된다.
그 결과, 그 상에 장착되는 발광 소자를 수용하는 본딩 패드의 수가 리드 프레임의 구조를 단순화하도록 감소될 수 있다. 리드 프레임은 몰드에 의해 프레싱 프로세스를 통해 일체로 성형된다. 따라서, 몰드의 구조가 단순화될 수 있어, 몰드 비용이 저감될 수 있다.
일렬로 장착되는 발광 소자의 인접한 발광 소자 사이에 와이어 본딩 패드를 제공할 필요가 없는데, 그 이유는 거기에 와이어 본딩이 적용되지 않기 때문이다. 따라서, 발광 소자 사이의 배열구조 간격을 축소하여 발광 반도체 장치를 소형화하는 것이 가능하다.
[예 2]
도 12는 본 발명의 발광 반도체 장치와 관련된 예 2의 평면도이다. 본 예는 상기 예 1과 달리 증가된 수의 장착될 발광 반도체 소자를 포함한다.
이 예에서는, 복수의(도 12에서는 4개의) 본딩 패드(6a)가 정렬되어 있고, 양 단부에 본딩 패드(6b 및 6c)가 배열되어 있다. 본딩 패드(6a)는 그 상에 장착되는 발광 반도체 소자(3a 및 3b)를 수용한다. 본딩 패드(6b)는 그 상에 장착되는 발광 반도체 소자(3a)를 수용한다. 본딩 패드(6c)는 그 상에 장착되는 발광 반도체 소자를 수용하지 않는다. 발광 반도체 소자의 배치구조에서는, 대체로 원뿔 형상의 방향 특성을 갖는 발광 소자(3b)가 가장 바깥쪽의 양측에 장착된다. 동시에, 대체로 원뿔 형상의 방향 특성을 갖는 발광 소자(3b)와 대체로 뒤집힌 원뿔 형상의 방향 특성을 갖는 발광 소자(3a)가 교대로 장착된다.
본 예에서는, 복수(홀수)의 발광 소자(3a, 3b)가 장착되어 내부적으로 직렬로 배선되어 발광 반도체 장치를 실현한다. 이 경우에는, 다이 본딩측 상에 N-전극(및 와이어 본딩측 상에 P-전극)을 갖는 발광 소자와, 다이 본딩측 상에 P-전극(및 와이어 본딩측 상에 N-전극)을 갖는 발광 소자가 교대로 장착된다. 또한, 다이 본딩측 상에 N-전극(및 와이어 본딩측 상에 P-전극)을 갖는 발광 소자와, 다이 본딩측 상에 P-전극(및 와이어 본딩측 상에 N-전극)을 갖는 발광 소자는 공통 본딩 패드(6a)에 다이 본딩된다. 복수의 그러한 본딩 패드(6a)가 일렬로 배열된다. 인접한 본딩 패드(6a) 상에 각각 장착되는 발광 소자(3a, 3b)는 인접한 본딩 패드(6a) 사이에 전기 접속을 확립하도록 본딩 와이어(8)를 통해 서로 스티치 본딩된다. 양 단부 상에는 본딩 패드(6b 및 6c)가 존재한다. 본딩 패드(6b)에 인접한 본딩 패드(6a) 상의 본딩 패드(6b)에 더 가깝게 위치하는 발광 소자(3a)는 본딩 와이어(8)를 통해 본딩 패드(6b) 상의 발광 소자(3b)에 접속된다. 본딩 패드(6c)에 인접한 본딩 패드(6a) 상의 본딩 패드(6c)에 더 가깝게 위치하는 발광소자(3b)는 본딩 와이어(8)를 통해 본딩 패드(6c)에 접속된다.
본 예는 예 1과 동일한 기본 배치구조를 갖고, 따라서 예 1과 유사한 효과를 발휘한다. 특히, 본 발명은 장착된 발광 소자의 수가 증가함에 따라 종래 기술의 발광 반도체 장치에 비해 향상된 효과를 발휘한다.
예를 들면, 공중 배선용의 본딩 와이어의 수가 비교된다. 장착된 발광 소자의 수가 홀수이면, 종래 기술의 발광 반도체 장치는
W = n - 1로 주어지고,
본 발명의 발광 반도체 장치는
W = (n + 1)/2로 주어진다.
따라서, 종래 기술의 발광 반도체 장치로부터의 차인 (n-3)/2 본딩 와이어가 절감될 수 있다.
이 접속에서, 장착된 발광 소자의 수가 5와 같으면, 하나의 본딩 와이어가 절감될 수 있고, 장착된 수가 9와 같게 되면, 3개의 본딩 와이어가 절감될 수 있다.
그 결과, 절감된 본딩 와이어로 인한 재료 비용의 저감에 따라 제조 비용을 더 낮출 수 있다.
[예 3]
도 13은 본 발명의 발광 반도체 장치와 관련된 예 3의 평면도이다. 본 예는 매트릭스 형태로 장착되는 복수의 발광 반도체 소자(3a, 3b)를 포함한다. 또한 이 경우에는, 예 1 및 2와 유사하게, 발광 소자(3a, 3b)가 발광 반도체 장치에서 내부적으로 직렬로 배선된다. 이 경우에, 다이 본딩측 상에 N-전극(및 와이어 본딩측 상에 P-전극)을 갖는 발광 소자와, 다이 본딩측 상에 P-전극(및 와이어 본딩측 상에 N-전극)을 갖는 발광 소자가 교대로 배선을 기초로 하여 차례로 장착된다. 또한, 다이 본딩측 상에 N-전극(및 와이어 본딩측 상에 P-전극)을 갖는 발광 소자와, 다이 본딩측 상에 P-전극(및 와이어 본딩측 상에 N-전극)을 갖는 발광 소자는 공통 본딩 패드(6a)에 다이 본딩된다. 복수의 그러한 본딩 패드(6a)는 동일 면 내에 배치된다. 인접한 본딩 패드(6a) 상에 각각 장착된 발광 소자(3a, 3b)는 본딩 패드(6a)들 사이에 전기 접속을 확립하도록 배선에 기초하여 본딩 와이어(8)를 통해 서로 스티치 본딩된다. 본딩 패드(6b)는 그 상에 장착되는 발광 반도체 소자(3b)만을 수용한다. 본딩 패드(6c)는 그 상에 장착되는 발광 반도체 소자를 수용하지 않는다. 본딩 패드(6b, 6c) 및 발광 소자(3a, 3b)와 관련된 전기 접속은 예 1 및 2에서와 동일하다.
발광 반도체 소자가 매트릭스 형태로 각 코너에 위치하므로, 대체로 원뿔 형상의 방향 특성을 갖는 발광 반도체 소자(3b)가 장착된다. 동시에, 대체로 원뿔 형상의 방향 특성을 갖는 발광 반도체 소자(3b)와 대체로 뒤집힌 원뿔 형상의 방향 특성을 갖는 발광 반도체 소자(3a)가 배선에 기초하여 교대로 장착된다. 본 발명에서는, 상이한 방향 특성을 갖는 발광 반도체 소자가 서로 인접하여 배치된다. 매트릭스 배치구조의 경우에는, 발광 반도체 소자가 서로 경사 방향으로 인접하게 위치하였지만, 본 발명에서의 "서로 인접하게"의 정의와 일치하는 것은 아니다.
본 예는 동일면에 장착된 발광 소자(3a, 3b)를 포함하고, 그 면으로서의 효과는 이미 예 2에서의 효과를 반영할 수 있다.
요컨대, 본딩 와이어를 사용하는 대부분의 공중 배선은 스티치 본딩에 의해 달성된다. 따라서, 그 상에 장착되는 발광 소자를 수용하는 본딩 패드의 수가 감소될 수 있다. 또한, 와이어 본딩용 패드의 수는 하나 또는 2개로 감소될 수 있다. 더욱이, 발광 소자의 배치 영역은 본딩 패드로부터 연장된 배선용 리드를 필요로 하지 않는다. 그 결과, 매트릭스 형태로 장착된 발광 소자들 사이의 간격을 좁게 하고, 발광 소자의 감소된 장착 면적으로 소형화된 발광 반도체 장치를 실현하는 것이 가능하게 된다.
본 발명의 발광 반도체 장치는 LCD 백라이트, 프린터용 판독 광원, 패널 조명기구, 일반 조명기구 및 여러 가지 인디케이터와 같은 여러 가지 분야에서의 광원으로 사용 가능하다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 조명과 관련된 저감된 색 불균일성을 갖고, 조명광의 양 및 색도의 시간 경과에 따른 국소적인 열화를 억제한 발광 반도체 장치를 얻을 수 있다.

Claims (4)

  1. 기판 상에 장착되는 복수의 발광 반도체 소자를 포함하고, 상기 발광 반도체 소자는 형광체를 포함하는 광 투과성 수지 내에 밀봉되며, 상기 발광 반도체 소자는 2종류의 상이한 방향 특성을 갖고, 상이한 방향 특성을 갖는 상기 발광 반도체 소자는 서로 인접하게 배치되며, 상기 2종류의 방향 특성은 상기 발광 반도체 소자에 인접한 바닥을 갖는 원뿔의 형상과 상기 발광 반도체 소자에 인접한 정점을 갖는 뒤집힌 원뿔의 형상인, 발광 반도체 장치.
  2. 청구항 1에 있어서, 홀수개의 상기 발광 반도체 소자가 일렬로 배치되고, 그렇지 않으면, 상기 발광 반도체 소자가 홀수개의 행 및 홀수개의 열을 갖는 행렬 형태로 배치되며, 상기 행 및 열은 각각 홀수개의 상기 발광 반도체 소자를 포함하고, 상기 일렬 배치의 경우에 양 단부에 위치하는 발광 반도체 소자는 원뿔 형상의 방향 특성을 가지며, 상기 행렬 배치의 경우에 코너에 위치하는 발광 반도체 소자는 원뿔 형상의 방향 특성을 갖는, 발광 반도체 장치.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 복수의 발광 반도체 소자는 다이 본딩이나 와이어 본딩을 통해 교대로 접속되는 N-전극들 및 P-전극들을 갖고, 인접한 2개의 발광 반도체 소자 상의 전극들은 다이 본딩을 통해 접속되지 않으면, 와이어 본딩을 통해 서로 접속되는, 발광 반도체 장치.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080175009A1 (en) * 2007-01-19 2008-07-24 Unity Opto Technology Co., Ltd. Edge-emitting light-emitting diode
JP5340763B2 (ja) * 2009-02-25 2013-11-13 ローム株式会社 Ｌｅｄランプ
US8696159B2 (en) 2010-09-20 2014-04-15 Cree, Inc. Multi-chip LED devices
JP5793685B2 (ja) * 2011-04-18 2015-10-14 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置、バックライトユニット、液晶表示装置及び照明装置
KR101941030B1 (ko) * 2011-08-24 2019-01-22 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
JP6326830B2 (ja) * 2013-02-28 2018-05-23 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを備える照明装置
USD780704S1 (en) * 2014-08-27 2017-03-07 Mitsubishi Electric Corporation Light source module
USD768584S1 (en) * 2014-11-13 2016-10-11 Mitsubishi Electric Corporation Light source module
JP2022107942A (ja) * 2021-01-12 2022-07-25 シーシーエス株式会社 Ｌｅｄ光源

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990006588A (ko) * 1997-06-03 1999-01-25 키 파멜라 라우 반도체 발광 디바이스 및 그의 제조 방법
JP2005064145A (ja) * 2003-08-08 2005-03-10 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
JP2005158958A (ja) * 2003-11-25 2005-06-16 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5324294A (en) * 1976-08-19 1978-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light source for information reader
JP3571477B2 (ja) * 1996-12-06 2004-09-29 ローム株式会社 半導体発光素子
US6577073B2 (en) * 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
EP1393374B1 (en) * 2001-05-26 2016-08-24 GE Lighting Solutions, LLC High power led lamp for spot illumination
JP2005285874A (ja) 2004-03-26 2005-10-13 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
EP1774594A2 (en) * 2004-07-27 2007-04-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting diode assembly
JP3875247B2 (ja) * 2004-09-27 2007-01-31 株式会社エンプラス 発光装置、面光源装置、表示装置及び光束制御部材
WO2006038543A2 (ja) * 2004-10-04 2006-04-13 Toshiba Kk 発光装置及びそれを用いた照明器具または液晶表示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990006588A (ko) * 1997-06-03 1999-01-25 키 파멜라 라우 반도체 발광 디바이스 및 그의 제조 방법
JP2005064145A (ja) * 2003-08-08 2005-03-10 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
JP2005158958A (ja) * 2003-11-25 2005-06-16 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置

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